WO2014162726A1 - 熱電変換材料 - Google Patents

熱電変換材料 Download PDF

Info

Publication number
WO2014162726A1
WO2014162726A1 PCT/JP2014/001882 JP2014001882W WO2014162726A1 WO 2014162726 A1 WO2014162726 A1 WO 2014162726A1 JP 2014001882 W JP2014001882 W JP 2014001882W WO 2014162726 A1 WO2014162726 A1 WO 2014162726A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thermoelectric conversion
conversion material
merit
sample
elements
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/001882
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
洋正 玉置
勉 菅野
章裕 酒井
宏平 高橋
草田 英夫
山田 由佳
Original Assignee
パナソニック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
Priority to JP2015509911A priority Critical patent/JP5877274B2/ja
Publication of WO2014162726A1 publication Critical patent/WO2014162726A1/ja
Priority to US14/847,321 priority patent/US9761779B2/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/853Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C12/00Alloys based on antimony or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045Alloys based on refractory metals
    • C22C1/0458Alloys based on titanium, zirconium or hafnium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C30/00Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment

Definitions

  • thermoelectric conversion material used for thermoelectric power generation and thermoelectric cooling.
  • Thermoelectric generation directly converts heat energy into electrical energy using the Seebeck effect, that is, when a temperature difference is created at both ends of a material, the thermoelectromotive force generated between the ends of the material is proportional to the temperature difference.
  • Thermoelectric cooling is a technique that utilizes the Peltier effect, that is, a phenomenon in which heat is transferred by electrons carried by current.
  • the difference in the sign of the electrically conductive carrier (carrier)
  • a technology that absorbs heat at the joint by utilizing the difference in the direction of the heat For example, at this time, two substances having different signs of the electric conduction carrier, such as a p-type semiconductor whose electric conduction carrier (carrier) is a hole and an n-type semiconductor whose electric conduction carrier (carrier) is an electron, are used.
  • Such an element configuration is a so-called ⁇ -type element and is the most common configuration.
  • the energy conversion efficiency between heat and electricity in thermoelectric power generation or thermoelectric cooling is determined by the figure of merit ZT of the material used.
  • the output factor PF S 2 / ⁇ is often used. Since the output factor PF is proportional to the output power obtained in thermoelectric conversion, if a thermoelectric conversion material having a high output factor PF is used, a large electric energy can be obtained per unit time.
  • Non-Patent Document 1 With the material described in Non-Patent Document 1, only a very low figure of merit was obtained.
  • an object of the present disclosure is to provide a thermoelectric conversion material having a high performance index.
  • thermoelectric conversion material is represented by a chemical formula X 3 T 3-y T ′ y Sb 4 (0.025 ⁇ y ⁇ 0.5), where X is one or more elements of Zr and Hf T is composed of one or more elements including Ni among Ni, Pd and Pt, and T ′ is composed of one or more elements of Co, Rh and Ir.
  • thermoelectric conversion material is represented by the chemical formula X 3 T 3-y T ′ y Sb 4 (0.025 ⁇ y ⁇ 0.5), and a part of Ni is any one of Co, Rh, and Ir. By substituting, it has a high figure of merit and can maintain thermoelectric conversion performance even when exposed to high temperature atmosphere.
  • Is a schematic view showing the crystal structure of X 3 T 3-y T ' y Sb 4 is a thermoelectric conversion material of the present disclosure.
  • Is a schematic diagram showing an example of a procedure of manufacturing X 3 T 3-y T ' y Sb 4 is a thermoelectric conversion material of the present disclosure.
  • 4 is a graph showing the relationship between the value of the output factor after heat treatment in high-temperature air, the reduction rate, and the Co substitution amount y for Zr 3 Ni 3-y Co y Sb 4 .
  • thermoelectric conversion material is a thermoelectric conversion material represented by a chemical formula X 3 T 3-y T ′ y Sb 4 (0.025 ⁇ y ⁇ 0.5), wherein X is , Zr and Hf, wherein T is composed of one or more elements including Ni among Ni, Pd and Pt, and T ′ is composed of one or more elements of Co, Rh and Ir. Become.
  • thermoelectric conversion material according to the second aspect of the present disclosure is a thermoelectric conversion material represented by a chemical formula Hf 3 T 3-y T ′ y Sb 4 (0.025 ⁇ y ⁇ 0.5), where T is , Ni, Pd, and Pt are made of one or more elements including Ni, and T ′ is made of one or more elements of Co, Rh, and Ir.
  • thermoelectric conversion material according to the third aspect of the present disclosure in the first aspect or the second aspect, T ′ may be Co.
  • y in the first aspect or the second aspect, y may be in a range of 0.2 ⁇ y ⁇ 0.5.
  • the y in the third aspect of the thermoelectric conversion material according to the fifth aspect of the present disclosure, the y may be in a range of 0.2 ⁇ y ⁇ 0.5.
  • thermoelectric conversion material X 3 Ni 3 Sb 4 containing Zr 3 Ni 3 Sb 4 and Hf 3 Ni 3 Sb 4 described in Non-Patent Document 1 (X Zr or Hf).
  • thermoelectric conversion material X 3 Ni 3 Sb 4 having a high performance index and high-temperature durability.
  • thermoelectric conversion material according to the embodiment of the present disclosure will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing the crystal structure of X 3 T 3-y T ′ y Sb 4 . As shown in FIG.
  • the manufacturing method of this indication is not specifically limited. For example, it can be created by the following manufacturing method as shown in FIG. (1) First, a raw material containing a desired element among Zr, Hf, Ni, Co, Rh, Ir, Pd, Pt, and Sb is weighed by a desired amount in a stoichiometric ratio (step P1). The composition ratio estimated from the weighed raw materials is called the charged composition. (2) Among these, among the raw materials containing a desired element among Zr, Hf, Ni, Pd, Pt, Co, Rh, and Ir, the raw materials are alloyed using an arc melting method to obtain an alloy A.
  • the raw material placed on the hearth liner is irradiated with an arc discharge plasma in an atmosphere substituted with Ar gas, melted at a high temperature of 2200 ° C. or higher, and cooled to first produce an alloy A.
  • Process P2 the raw material placed on the hearth liner is irradiated with an arc discharge plasma in an atmosphere substituted with Ar gas, melted at a high temperature of 2200 ° C. or higher, and cooled to first produce an alloy A.
  • Process P2 the obtained alloy A and the raw material containing Sb are melted at a low temperature of 1200 to 1500 ° C. in an Ar atmosphere by using an arc melting method, and this is cooled to produce an alloy B (step) P3).
  • a sintered body is produced by using a discharge plasma sintering method (SPS method) (step P4).
  • SPS method is a sintering method characterized by heating by applying a pulse current while applying pressure to a sample.
  • alloy B is pulverized and mixed using a mortar / pestle or ball mill method to obtain alloy B powder.
  • the grinding operation is preferably performed in an inert gas atmosphere in order to avoid oxidation of the powder.
  • a glove box may be used.
  • Example 1 A sintered body of X 3 T 3-y T ′ y Sb 4 was produced according to an example of the manufacturing method described in the first embodiment. The sintered body was cut into sizes suitable for the measurement methods described below, and the thermal conductivity ⁇ , electrical resistivity ⁇ , and Seebeck coefficient S were measured.
  • the Archimedes method was used for measuring the density n.
  • the measurement by the laser flash method was performed using the measuring apparatus LFA457 made from NETZSCH.
  • the sintered body was cut into a cylindrical shape having a diameter of about 10 mm and a thickness of about 1 mm, and a sample with a graphite coating on the front and back surfaces was introduced into an Ar atmosphere.
  • the thermal diffusivity 1 was obtained from the change over time in the back surface temperature when the surface of this sample was irradiated with laser.
  • the laser flash method was also used to measure the specific heat of the sample, and a comparative method was used in which the time change of the temperature on the back surface of the sample after laser irradiation was compared with a sample whose specific heat was known.
  • the measurement of the Seebeck coefficient S and the electrical resistivity ⁇ was performed using a four-terminal method, and a measuring device ZE-3 manufactured by ULVAC-RIKO was used.
  • the sample was cut into a rectangular parallelepiped of about 2 mm ⁇ 2 mm ⁇ 8 mm and measured in a helium atmosphere at 0.1 atm.
  • thermoelectric conversion material in order to verify the high temperature durability as a thermoelectric conversion material, it verified from the change condition of the thermoelectric conversion performance after heat-processing in 600 degreeC air
  • an output factor PF S 2 / ⁇ obtained from the electrical resistivity ⁇ and Seebeck coefficient S that can be measured simultaneously from the same sample was adopted. Specifically, the power factor before and after heat treatment in the atmosphere was measured, and the reduction rate was calculated.
  • the EDX method is a method of measuring the ratio of elements in the vicinity of the sample surface from the energy distribution of characteristic X-rays generated when the sample is irradiated with an electron beam.
  • composition analysis is performed using an electron beam microanalyzer (EPMA) which is an equivalent method.
  • EPMA electron beam microanalyzer
  • Non-Patent Document 1 the abundance of Ni atoms is set to 3, and the entire chemical composition is expressed.
  • the overall composition ratio is expressed so that the total number of atoms of Ni, Co, Rh, Ir, Pd, and Pt containing the substitution element is 3.
  • Table 1 shows the charged composition, the actual composition, the thermoelectric conversion figure of merit ZT obtained at the room temperature, and the maximum value of the figure of merit ZT for each composition sample. Show.
  • Example 1-4 shown in Table 1 is calculated from the measured values described in Non-Patent Document 1, and only the value of the performance index at room temperature is reported.
  • Hf is not included in the preparation composition
  • Hf is slightly included in the actual composition.
  • Zr is not contained in the preparation composition
  • Zr is slightly contained in the actual composition. This is probably because Zr or Hf used as a raw material in Non-Patent Document 1 contained about 1% of Hf or Zr as an impurity.
  • Example 1-6 and Comparative Example 1-3 in Table 1 are the room temperature value and the maximum value of the figure of merit ZT for the sample in which Ni in Zr 3 Ni 3 Sb 4 was replaced with Co. Co substitution resulted in p-type electrical properties and a significant increase in the figure of merit ZT.
  • the figure of merit ZT has a maximum value, which is 0.205 at a room temperature of 300K and a high value of 0.519 at a high temperature of 710K.
  • Examples 7-9 in Table 1 show the figure of merit ZT when Zr 3 Ni 2.9 Co 0.1 Sb 4 Zr giving the optimum figure of merit ZT is replaced with Hf. Not only Zr 3 Ni 3 Sb 4 and Hf 3 Ni 3 Sb 4 that have already been reported, but also their alloys Zr 3-x Hf x Ni 3 Sb 4 have a high figure of merit ZT exceeding 0.4 by Co substitution. It was confirmed that can be realized.
  • Examples 12 and 13 in Table 2 show the figure of merit ZT when Rh or Ir is substituted instead of Co. Rh substitution and Ir substitution also gave p-type electrical characteristics and a significant increase in the figure of merit ZT. Rh and Ir are the same Group 9 elements as Co, and are considered to play a role of improving the figure of merit as in the case of Co substitution by Rh substitution or Ir substitution.
  • Table 3 is a table showing the power factor values before and after heat treatment in the atmosphere and the decreasing rate of Zr 3 Ni 3-y Co y Sb 4 .
  • the decrease in power factor due to heat treatment in the atmosphere tends to be suppressed as the amount of Co increases.
  • the power factor reduction rate ( ⁇ ) is 10%.
  • the Co amount (y) is preferably 0.025 or more, and more preferably 0.2 or more.
  • the range of Co amount is 0.025 in consideration of two viewpoints, that is, a reduction factor of output factor and a viewpoint of output factor.
  • the range of ⁇ y ⁇ 0.5 is preferable, and the range of 0.2 ⁇ y ⁇ 0.5 is more preferable.
  • Table 5 in the Zr 3 Ni 3-y Co y Sb 4, the material obtained by replacing Ni to Pd and Pt, the change in the power factor before and after the atmosphere heat treatment, measured as in the case of Tables 2 and 3 Shows the results.
  • Table 4 similar to the experimental results in Table 2, high temperature durability was improved by replacing part of Ni with Co.
  • Table 6 shows the values of the output factors before and after heat treatment in the atmosphere and the decreasing rate in Zr 3 Ni 3-y Rh y Sb 4 or Zr 3 Ir 3-y Co y Sb 4 . Even when Rh and Ir, which are the same Group 9 elements, were substituted instead of Co, the effect of improving the high temperature resistance was observed as in the case of Co substitution.
  • X 3 T 3-y T ′ y Sb 4 (0.025 ⁇ y ⁇ 0.5, where X is one or more elements of Zr and Hf, which is the thermoelectric conversion material of the present disclosure, T Is one or more elements including Ni out of Ni, Pd, and Pt, and T ′ is one or more elements selected from Co, Rh, and Ir.
  • thermoelectric conversion material according to the present disclosure can be used to configure elements that perform thermoelectric generation and thermoelectric cooling.

Abstract

 化学式X3-yT'Sb(0.025≦y≦0.5)で表される熱電変換材料であって、Xは、ZrとHfのうちの一以上の元素から成り、Tは、NiとPdとPtのうちNiを含む一つ以上の元素から成り、T'はCo、Rh、Irのうち一以上の元素から成る。

Description

熱電変換材料
 本開示は、熱電発電や熱電冷却に利用される熱電変換材料に関する。
 熱電発電は、ゼーベック効果、すなわち物質の両端に温度差をつけると、その温度差に比例して物質の両端の間に生じる熱起電力を利用して、熱のエネルギーを直接電気エネルギーに変換する技術である。この技術は、僻地用電源、宇宙用電源、軍事用電源等として一部で実用化されている。また、熱電冷却は、ペルチェ効果、すなわち電流によって運ばれる電子によって熱を移動させる現象を利用した技術である。具体的には、電気伝導キャリアの符合の違う2つの物質を、熱的に並列に、かつ電気的に直列につないで電流を流したときに、電気伝導キャリア(担体)の符号の違いが熱流の向きの違いに反映することを利用して、接合部を吸熱する技術である。例えば、このとき、電気伝導キャリア(担体)がホールであるp型半導体と、電気伝導キャリア(担体)が電子であるn型半導体といった電気伝導キャリアの符合の違う2つの物質を用いる。このような素子構成は、いわゆるπ型と呼ばれる素子であり、もっとも一般的な構成である。
 熱電発電や熱電冷却における熱と電気の間のエネルギー変換効率は、使用する材料の性能指数ZTで決定付けられる。性能指数ZTは、材料のゼーベック係数S、電気抵抗率ρ、熱伝導率κと、評価環境の絶対温度Tと、を用いて、ZT=ST/ρκのように表される。性能指数ZTが高ければ高いほどエネルギー変換効率は高く、電気伝導キャリアの注入された半導体において、しばしば高い性能指数ZTが実現される。そのため、高い性能指数ZTを実現するためには、熱伝導率κの低い半導体であることが重要な条件である。
 また、熱電発電における材料性能の指標としては、出力因子PF=S/ρもしばしば用いられる。出力因子PFは、熱電変換において得られる出力電力に比例するため、出力因子PFの高い熱電変換材料を用いれば単位時間当たりに大きな電気エネルギー得ることが出来る。
 熱伝導率κの低い半導体の一つとして、XNiSb(X=Zr、Hf)が熱電材料の候補として提案されている。この化合物の合成はすでに試みられており、室温での熱伝導率κがX=Zrの場合に4.3W/m・K、X=Hfの場合に2.7W/m・Kであることが示されている(例えば、非特許文献1参照。)。
J. R. Salvador, X. Shi, J. Yang and H.Wang著「Synthesis and transport properties of M3Ni3Sb4 (M=Zr and Hf): An intermetallic semiconductor」 Physical Review B 77, 235217, 2008年6月27日
 しかし、非特許文献1に記載の材料では、非常に低い性能指数しか得られていなかった。
 そこで、本開示の目的は、高い性能指数を有する熱電変換材料を提供することである。
 本開示に係る熱電変換材料は、化学式X3-yT’Sb(0.025≦y≦0.5)で表され、前記Xは、ZrとHfのうちの一以上の元素から成り、前記Tは、NiとPdとPtのうちNiを含む一以上の元素から成り、T’はCo、Rh、Irのうち一つ以上の元素から成る。
 本開示に係る熱電変換材料は、化学式X3-yT’Sb(0.025≦y≦0.5)で表され、Niの一部をCo、Rh、Irのいずれかで置換することによって、高い性能指数を有すると共に、高温大気中に晒しても熱電変換性能を維持させることができる。
本開示の熱電変換材料であるX3-yT’Sbの結晶構造を示す模式図である。 本開示の熱電変換材料であるX3-yT’Sbの製造手順の一例を示す概略図である。 ZrNi3-yCoSbについて、高温大気中で熱処理を行った後の出力因子の値と、その減少率と、Co置換量yとの関係を示すグラフである。
 本開示の第1態様に係る熱電変換材料は、化学式X3-yT’Sb(0.025≦y≦0.5)で表される熱電変換材料であって、前記Xは、ZrとHfのうちの一以上の元素から成り、前記Tは、NiとPdとPtのうちNiを含む一以上の元素から成り、T’はCo、Rh、Irのうち一以上の元素から成る。
 本開示の第2態様に係る熱電変換材料は、化学式Hf3-yT’Sb(0.025≦y≦0.5)で表される熱電変換材料であって、前記Tは、NiとPdとPtのうちNiを含む一以上の元素から成り、T’はCo、Rh、Irのうち一以上の元素から成る。
 本開示の第3態様に係る熱電変換材料は、上記第1態様又は第2態様において、前記T’は、Coであってもよい。
 本開示の第4態様に係る熱電変換材料は、上記第1態様又は第2態様において、前記yは、0.2≦y≦0.5の範囲であってもよい。
 本開示の第5態様に係る熱電変換材料は、上記第3態様において、前記yは、0.2≦y≦0.5の範囲であってもよい。
<従来の熱電変換材料における課題>
 発明者は、従来の熱電変換材料、例えば、非特許文献1に記載のZrNiSb及びHfNiSbを含む熱電変換材料XNiSb(X=Zr又はHf)について検討した。その結果、従来の熱電変換材料XNiSb(X=Zr又はHf)では、高いゼーベック係数Sを示すが、高温大気中で酸化されて熱電変換性能を著しく失ってしまうという問題点があることを見出した。
 そこで、本開示では、高い性能指数を有すると共に、高温耐久性を有する熱電変換材料XNiSbを提供する。
 以下、本開示の実施の形態に係る熱電変換材料について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
 本開示の実施の形態1に係る熱電変換材料であるX3-yT’Sb(0.025≦y≦0.5)について説明する。ここで、Xは、ZrとHfのうちの一以上の元素から成り、Tは、NiとPdとPtのうち、Niを含む一以上の元素から成り、T’はCo、Rh、Irのうち一以上の元素から成る。化合物X3-yT’Sbは、空間群I-43dに属する立方晶の対称性を持つ。図1は、このX3-yT’Sbの結晶構造を示す模式図である。図1に示されているように、X3-yT’Sbは、単位胞内にZr+Hf:Ni+Pd+Pt+Co+Rh+Ir:Sb=3:3:4の割合で原子が配置される結晶構造をとる。
 本開示の製造方法は、特に限定されない。例えば、図2に示されているような以下のような製造方法によって作成することができる。
(1)まず、Zr、Hf、Ni、Co、Rh、Ir、Pd、Pt、Sbのうち、所望の元素を含む原料を化学量論比で所望の分量だけ秤量する(工程P1)。この秤量された原料から見積もられる組成比を仕込み組成と呼ぶ。
(2)このうち、Zr、Hf、Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Irのうち、所望の元素を含む原料について、アーク溶解法を用いて原料を合金化して合金Aを得る。ここではArガスに置換された雰囲気下でハースライナー上に載置された原料にアーク放電プラズマを照射し、2200℃以上の高温で溶解させ、これを冷却させることによって、まず合金Aを作製する(工程P2)。
(3)次に、得られた合金AとSbを含む原料とをアーク溶解法を用いてAr雰囲気下1200~1500℃の低温で溶解させ、これを冷却させることにより合金Bを作製する(工程P3)。
 これら合金Aと合金Bを作製する溶融の過程においては、アーク溶解法の他に真空状態や不活性雰囲気の下で抵抗発熱体による加熱で溶融する方法、高周波の電磁波を用いて溶融する誘導加熱法などを用いることが出来る。
 この合金Bの密度を上げる場合には放電プラズマ焼結法(SPS法)を用いて焼結体を作製する(工程P4)。SPS法は、試料に圧力を印加しながらパルス電流を加えて加熱することを特徴とする焼結手法である。
 (a)まず合金Bを乳鉢・乳棒やボールミル法などを用いて粉砕、混合し、合金Bの粉末を得る。粉砕の作業に当たっては粉末の酸化を避けるために不活性ガス雰囲気下で行うことが望ましい。そのための方法として、例えば、グローブボックスを用いてもよい。
 (b)得られた合金Bの粉末を、外形50mm、内径10mmのグラファイトの円筒状ダイの中に充填し、このダイを1Pa以下の真空中に導入する。
 (c)ダイに覆われた試料の上下から50MPaの圧力を加えた上で、上下のパンチを通してパルス電流を流し100℃/分程度の速度で850℃まで昇温する。850℃まで昇温させた後、これを5分保持することにより、緻密な焼結体を得ることが出来る。
 なお、焼結過程においては、SPS法の代わりにホットプレス法を用いてもよい。
 合金Bや、その焼結体を任意の形状に加工して用いることにより、熱電変換材料としての利用、あるいは熱電変換物性の測定を行うことができる。
(実施例1)
 実施の形態1に記載した製造方法の一例に従ってX3-yT’Sbの焼結体を作製した。この焼結体を下記記載の測定方法に適した大きさにそれぞれ切削した上で、熱伝導率κ、電気抵抗率ρ、ゼーベック係数Sの測定を行った。
 まず、熱伝導率κの測定方法について説明する。熱伝導率κは、密度n、比熱Cと熱拡散率lを用いてκ=n×C×lのようにして求められる。密度nの測定にはアルキメデス法を用いた。そして、熱拡散率lと比熱Cの測定値を得るためにNETZSCH製の測定装置LFA457を用いて、レーザーフラッシュ法による測定を行った。
 レーザーフラッシュ法による熱拡散率測定を行うために、焼結体を直径10mm、厚み1mm程度の円筒状に切り出し、表裏面にグラファイトコーティングを施したサンプルをAr雰囲気の中に導入した。熱拡散率lは、このサンプルの表面にレーザーを照射した時の裏面温度の時間変化から求めた。試料の比熱測定にもレーザーフラッシュ法を援用し、レーザー照射後のサンプル裏面の温度の時間変化を比熱が既知であるサンプルと比較する比較法を用いた。
 また、ゼーベック係数Sと電気抵抗率ρの測定は、4端子法を用いて行い、アルバック理工製の測定装置ZEM-3を利用した。試料は、2mm×2mm×8mm程度の直方体に切り出し、0.1気圧のヘリウム雰囲気下にて測定を行った。長辺方向の両端間で電流を印加し、長辺方向の両端の間に挟まれた2点にプローブ電極を接触させることにより、プローブ電極間の電位差と温度差とを読み取った。電気抵抗率ρは、印加する電流I、プローブ電極間電圧ΔV、試料の断面積S、及びプローブ電極間隔Lから、定義式ρ=ΔV/I×S/Lを用いて求めた。また、ゼーベック係数Sは、電位差ΔVと温度差ΔTの比から、定義式S=―ΔV/ΔTより求めた。
 さらに、熱電変換材料としての高温耐久性を検証するために、600℃の大気中で1時間熱処理した後の熱電変換性能の変化具合から検証を行った。検証する性能指標としては、同一のサンプルから同時測定を行うことができる電気抵抗率ρとゼーベック係数Sとから求められる出力因子PF=S/ρを採用した。具体的には、大気中での熱処理前後の出力因子を測定し、その減少率を算出した。
 最後に、エネルギー分散型X線分光法(Energy dispersive X-ray spectroscopy,EDX)を利用して上記製造過程で得た焼結体の実際の組成を分析した。EDX法は、電子線を試料に照射したときに発生する特性X線のエネルギー分布から試料表面近傍の元素の比率を測定する方法である。従来例においても同等の手法である電子線マイクロアナライザ(EPMA)を用いて組成分析を行っている。本測定では、試料表面上の異なる4点についてEDX法による組成分析を行い、4点の平均から化学組成を求めた。ここでは非特許文献1に従い、Ni原子の存在量を3に揃えて全体の化学組成を表記する。また、Ni原子を置換した系においては、置換元素を含むNi、Co、Rh、Ir、Pd、Ptの原子数の総和が3となるように全体の組成比を表記する。
 それぞれの組成の試料について、仕込み組成と、実際の組成と、上記記載の測定方法によって得られた熱電変換の性能指数ZTの室温での値と、性能指数ZTの最大値と、を表1に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1に記載の従来例1-4は、非特許文献1に記載された測定値から計算したものであり、室温での性能指数の値のみが報告されている。なお、従来例2及び4では、仕込み組成でHfが含まれていないにもかかわらず、実際の組成にHfがわずかに含まれている。また、従来例3では、仕込み組成でZrが含まれていないにもかかわらず、実際の組成にZrがわずかに含まれている。これは、非特許文献1において使用された原料となるZr又はHfにおいて、不純物としてHf又はZrを1%程度含んでいたことが原因と思われる。
 表1における実施例1-6、及び比較例1-3は、ZrNiSb中のNiをCoで置換した試料に対する性能指数ZTの室温での値と最大値である。Co置換によってp型の電気特性が得られると共に、性能指数ZTに著しい上昇が見られた。特に、y=0.1で性能指数ZTは最大値をとり、300Kの室温で0.205、710Kの高温で0.519という高い値を示した。
 表1における実施例7-9は、最適な性能指数ZTを与えるZrNi2.9Co0.1SbのZrをHfに置換した場合の性能指数ZTを示している。すでに存在が報告されているZrNiSbやHfNiSbだけではなく、両者の合金Zr3-xHfNiSbもCo置換によって0.4を超える高い性能指数ZTを実現させられることが確認できた。
 表2における実施例12、13は、Coに代えてRhやIrを置換した場合の性能指数ZTを示している。Rh置換やIr置換によってもp型の電気特性が得られると共に、性能指数ZTに著しい上昇が見られた。RhやIrはCoと同じ第9族元素であり、Rh置換やIr置換によってCo置換と同様に性能指数を向上する役割を果たすものと思われる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 次に、高温耐久性を評価するために、Zr3-xHfNi3-yCoSbについて、600℃の大気中で1時間熱処理した後に、室温での出力因子PFがどのように変化するかを調査した。大気中で熱処理を行うと試料の表面が黒色化し、ZrOやNi‐Sb合金が形成されることに伴う出力因子の劣化が見られた。
 表3は、ZrNi3-yCoSbについて、大気中での熱処理前後の出力因子の値と、その減少率を示す表である。表2では、上記Zr3―xHfNi3-yCoSbにおいて、x=0(Hfを含まない場合)における出力因子の減少度合いを示している。また、図3は、ZrNi3-yCoSbについて、高温大気中で熱処理を行った後の出力因子の値と、その減少率と、Co置換量yとの関係を示すグラフである。Coを含まないサンプル(y=0)では70%程度の減少率であったが、y≧0.025ではその減少率は、Coを含まない場合の半分以下に抑えられた。大気中熱処理による出力因子の減少は、Co量が多ければ多いほど抑制される傾向にあり、図3に示すように、y≧0.2では、出力因子の減少率(●)は、10%を下回る。すなわち、Co置換は、本材料の高温耐久性を増す方向に寄与することが見出された。したがって、出力因子の減少率の観点において、Co量(y)としては、0.025以上が好ましく、0.2以上がさらに好ましい。
 一方で、高温耐久性の傾向とは異なり、図3に示すように、熱電変換材料として用いるために必要な出力因子(□)は、y=0.1を境にして減少する。Coをy=0.5まで置換すると、熱処理後の室温での出力因子は、y=0.1での最大値に比べて約56%となる。さらにCoをy=0.7の条件まで置換すると、熱処理後の室温での出力因子は、y=0.1での最大値に比べて半分以下となる。したがって、出力因子の観点において、Co量(y)としては、0.5以下が好ましい。
 よって、本材料を高温耐久性に優れた熱電変換材料として用いる場合には、Co量の範囲は、出力因子の減少率の観点と出力因子の観点との2つの観点を考慮すると、0.025≦y≦0.5の範囲が好ましく、0.2≦y≦0.5の範囲がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 表4は、Zr3-xHfNi2.9Co0.1Sbにおける熱処理前後の出力因子の値と、その減少率を示す表である。具体的には、性能指数ZTおよび出力因子PFの最大値を与えるCo置換量y=0.1の材料に対して、ZrをHfに置換したZr3-xHfNi2.9Co0.1Sbにおける高温耐久性を示している。表3を参照すると、0≦x≦3のどのHf量についても出力因子の減少率は20%以下に抑えられていることから、高温耐久性に関してはZrとHfの割合に限定されないことがわかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 表5は、ZrNi3-yCoSbにおいて、NiをPdやPtに置換した材料について、大気中熱処理前後での出力因子の変化を、表2及び表3の場合と同様に測定した結果を示している。表4を参照すると、表2の実験結果と同様に、Niの一部をCoに置換することによって高温耐久性の向上が見られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 表6はZrNi3-yRhSbあるいはZrIr3-yCoSbにおける大気中での熱処理前後の出力因子の値と、その減少率を示す。Coのかわりに同じ第9族元素であるRhやIrを置換した場合においても、Co置換の際と同様に耐高温性向上の効果が見られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 以上のように、本開示の熱電変換材料であるX3-yT’Sb(0.025≦y≦0.5、Xは、ZrとHfのうちの一以上の元素、Tは、NiとPdとPtのうち、Niを含む一以上の元素、T’はCo、Rh、Irのうちの一以上の元素)によれば、Niを含むTを所定範囲(0.025≦y≦0.5)のCoで置換することによって、所定の出力因子が得られると共に、耐高温性を向上させることができる。
 本開示に係る熱電変換材料は、熱電発電、熱電冷却を行う素子を構成するために用いることができる。
11 Zr3―xHf3-yT’Sb結晶におけるZrもしくはHfの原子位置(黒色)
12 Zr3―xHf3-yT’Sb結晶におけるT=Ni、Pd、PtもしくはT’=Co、Rh、Irの原子位置(灰色)
13 Zr3―xHf3-yT’Sb結晶におけるSbの原子位置(白色)

Claims (5)

  1.  化学式X3-yT’Sb(0.025≦y≦0.5)で表される熱電変換材料であって、前記Xは、ZrとHfのうちの一以上の元素からなり、前記Tは、NiとPdとPtのうちNiを含む一以上の元素からなり、T’はCo、Rh、Irのうち一以上の元素からなる、熱電変換材料。
  2.  化学式Hf3-yT’Sb(0.025≦y≦0.5)で表される熱電変換材料であって、前記Tは、NiとPdとPtのうちNiを含む一以上の元素からなり、T’はCo、Rh、Irのうち一以上の元素からなる、熱電変換材料。
  3.  前記T’は、Coである、請求項1又は2に記載の熱電変換材料。
  4.  前記yは、0.2≦y≦0.5の範囲である、請求項1又は2に記載の熱電変換材料。
  5.  前記yは、0.2≦y≦0.5の範囲である、請求項3に記載の熱電変換材料。
PCT/JP2014/001882 2013-04-05 2014-03-31 熱電変換材料 WO2014162726A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015509911A JP5877274B2 (ja) 2013-04-05 2014-03-31 熱電変換材料
US14/847,321 US9761779B2 (en) 2013-04-05 2015-09-08 Thermoelectric conversion material

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-079795 2013-04-05
JP2013079795 2013-04-05

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US14/847,321 Continuation US9761779B2 (en) 2013-04-05 2015-09-08 Thermoelectric conversion material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014162726A1 true WO2014162726A1 (ja) 2014-10-09

Family

ID=51658037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/001882 WO2014162726A1 (ja) 2013-04-05 2014-03-31 熱電変換材料

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9761779B2 (ja)
JP (1) JP5877274B2 (ja)
WO (1) WO2014162726A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110710007A (zh) 2018-05-09 2020-01-17 松下知识产权经营株式会社 热电转换材料和使用该材料的热电转换元件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286228A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Toshiba Corp 熱電材料および熱電変換素子
WO2007063755A1 (ja) * 2005-11-29 2007-06-07 Kabushiki Kaisha Toshiba 熱電変換モジュールとそれを用いた熱交換器および熱電発電装置
JP2007158191A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Toshiba Corp 熱電材料およびこの材料を用いた熱電変換素子
JP2009081178A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp 熱電変換モジュールの製造方法
JP2009081287A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Toshiba Corp 熱電変換モジュールとそれを用いた熱交換器、熱電温度調節装置および熱電発電装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4634081B2 (ja) * 2004-03-04 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
US20070125416A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Thermoelectric material and thermoelectric conversion device using same
JP2009074106A (ja) 2007-09-18 2009-04-09 Tokyo Institute Of Technology 低融点金属及び高融点金属を含む金属間化合物合金の物体を成形製作する方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286228A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Toshiba Corp 熱電材料および熱電変換素子
WO2007063755A1 (ja) * 2005-11-29 2007-06-07 Kabushiki Kaisha Toshiba 熱電変換モジュールとそれを用いた熱交換器および熱電発電装置
JP2007158191A (ja) * 2005-12-07 2007-06-21 Toshiba Corp 熱電材料およびこの材料を用いた熱電変換素子
JP2009081178A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Corp 熱電変換モジュールの製造方法
JP2009081287A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Toshiba Corp 熱電変換モジュールとそれを用いた熱交換器、熱電温度調節装置および熱電発電装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9761779B2 (en) 2017-09-12
JPWO2014162726A1 (ja) 2017-02-16
US20150380623A1 (en) 2015-12-31
JP5877274B2 (ja) 2016-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1523048B1 (en) Thermoelectric material and thermoelectric module using the thermoelectric material
US20070125416A1 (en) Thermoelectric material and thermoelectric conversion device using same
US10818832B2 (en) Fabrication of stable electrode/diffusion barrier layers for thermoelectric filled skutterudite devices
US10446732B2 (en) NbFeSb-based half-heusler thermoelectric materials and methods of making
JP5877275B2 (ja) 熱電変換材料の製造方法
CN103262272B (zh) 具有n型热电转换性能的金属材料
JP2005286228A (ja) 熱電材料および熱電変換素子
JP5877274B2 (ja) 熱電変換材料
EP2894681B1 (en) METAL MATERIAL HAVING n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION PERFORMANCE
WO2018135286A1 (ja) p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法
JP5820550B2 (ja) (Zr,Hf)3Ni3Sb4系のn型の熱電変換材料
US20130199025A1 (en) Stable thermoelectric devices
JP2007173799A (ja) 熱電変換材料および熱電変換素子
JP2008227321A (ja) 熱電変換材料及びこれを用いた熱電変換モジュール
JP7087362B2 (ja) p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法
JP2007051345A (ja) クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子
JP2002026401A (ja) n型熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換デバイス
Hori et al. Fabrication of 500 C class thermoelectric module and evaluation of its high temperature stability
JP2007173798A (ja) 熱電変換材料の製造方法および熱電変換素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14779239

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015509911

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14779239

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1