WO2014119777A1 - 感放射線樹脂組成物および電子部品 - Google Patents

感放射線樹脂組成物および電子部品 Download PDF

Info

Publication number
WO2014119777A1
WO2014119777A1 PCT/JP2014/052408 JP2014052408W WO2014119777A1 WO 2014119777 A1 WO2014119777 A1 WO 2014119777A1 JP 2014052408 W JP2014052408 W JP 2014052408W WO 2014119777 A1 WO2014119777 A1 WO 2014119777A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
ene
radiation
hept
acid
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/052408
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
聡 阿部
隆志 堤
Original Assignee
日本ゼオン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本ゼオン株式会社 filed Critical 日本ゼオン株式会社
Priority to CN201480007070.8A priority Critical patent/CN104969125B/zh
Priority to JP2014559797A priority patent/JP6304044B2/ja
Priority to KR1020157023222A priority patent/KR102217197B1/ko
Publication of WO2014119777A1 publication Critical patent/WO2014119777A1/ja

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/04Oxygen-containing compounds
    • C08K5/13Phenols; Phenolates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/22Compounds containing nitrogen bound to another nitrogen atom
    • C08K5/27Compounds containing a nitrogen atom bound to two other nitrogen atoms, e.g. diazoamino-compounds
    • C08K5/28Azides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/36Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/37Thiols
    • C08K5/375Thiols containing six-membered aromatic rings

Definitions

  • the present invention relates to a radiation-sensitive resin composition and an electronic component including a resin film made of the radiation-sensitive resin composition. More specifically, the exposure sensitivity is high, the shape retention after baking is excellent, and baking is performed in an oxidizing atmosphere.
  • the present invention relates to a radiation-sensitive resin composition that can provide a highly transparent resin film and an electronic component including a resin film made of the radiation-sensitive resin composition.
  • Various display elements such as organic EL elements and liquid crystal display elements, integrated circuit elements, solid-state imaging elements, color filters, black matrices, and other electronic parts are provided with protective films, element surfaces and wiring to prevent their deterioration and damage.
  • Various resin films are provided as a planarization film for planarization, an electrical insulation film for maintaining electrical insulation, and the like.
  • the organic EL element is provided with a resin film as a pixel separation film in order to separate the light-emitting body portion.
  • the organic EL element is layered.
  • a resin film as an interlayer insulating film is provided to insulate between the arranged wirings.
  • thermosetting resin materials such as epoxy resins have been widely used as resin materials for forming these resin films.
  • resin materials for forming these resin films.
  • development of new resin materials excellent in electrical characteristics such as low dielectric properties has been demanded for these resin materials.
  • Patent Document 1 discloses a radiation-sensitive resin composition
  • a radiation-sensitive resin composition comprising a cyclic olefin polymer, a crosslinking agent, a radiation-sensitive compound, a phenol-based antioxidant and a non-phenolic antioxidant. Things are disclosed.
  • the radiation-sensitive resin composition described in Patent Document 1 although a resin film having high transparency can be obtained even after baking in an oxidizing atmosphere, the obtained resin film has an exposure sensitivity to radiation. Therefore, improvement has been desired from the viewpoint of improving productivity.
  • the present invention provides a radiation-sensitive resin composition having high exposure sensitivity, excellent shape retention after firing, and capable of providing a resin film having high transparency even after firing in an oxidizing atmosphere, and such sensitivity. It aims at providing an electronic component provided with the resin film which consists of a radiation resin composition.
  • the present inventors have found that, together with a binder resin, a radiation sensitive compound, and a crosslinking agent, two specific antioxidants, specifically, a sulfur-free semi-hindered Discovered that the above object can be achieved by blending a phenolic antioxidant and / or a sulfur non-containing hindered phenolic antioxidant with a sulfur-containing phenolic antioxidant, and completed the present invention. I came to let you.
  • Binder resin (A), radiation-sensitive compound (B), crosslinking agent (C), sulfur-free semi-hindered phenol antioxidant and / or sulfur-free less hindered phenol antioxidant (D) A radiation-sensitive resin composition comprising a sulfur-containing phenolic antioxidant (E), [2] The radiation-sensitive resin composition according to [1], further including a compound (F) having an acidic group or a heat-latent acidic group, [3]
  • the sulfur-containing phenol-based antioxidant (E) is a hindered phenol-based antioxidant containing a sulfur atom, a semi-hindered phenol-based antioxidant containing a sulfur atom, and a sulfur containing a sulfur atom.
  • the content of the non-sulfur-containing semi-hindered phenol antioxidant and / or the non-sulfur-containing less hindered phenol antioxidant (D) with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A) is 0.00. 1 to 20 parts by weight
  • the content of the sulfur-containing phenolic antioxidant (E) with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A) is 0.1 to 15 parts by weight.
  • the radiation sensitive resin composition according to any one of [5] The radiation sensitive resin composition according to any one of [1] to [4], wherein the radiation sensitive compound (B) is an azide compound,
  • An electronic component comprising a resin film comprising the radiation-sensitive resin composition according to any one of [1] to [5], and [7] The electronic component according to [6], which is manufactured through a step of firing in an oxidizing atmosphere after forming the resin film made of the radiation-sensitive resin composition and patterning the resin film.
  • a radiation-sensitive resin composition having high exposure sensitivity, excellent shape retention after baking, and capable of providing a resin film having high transparency even after baking in an oxidizing atmosphere, and the radiation-sensitive resin
  • An electronic component including a resin film made of a resin composition can be provided.
  • the radiation-sensitive resin composition of the present invention comprises a binder resin (A), a radiation-sensitive compound (B), a crosslinking agent (C), a sulfur-free semi-hindered phenol-based antioxidant and / or a sulfur-free less hindered phenol.
  • a system antioxidant (D) and a sulfur containing phenolic antioxidant (E) are contained.
  • Binder resin (A) Although it does not specifically limit as binder resin (A) used by this invention, Cyclic olefin polymer (A1), acrylic resin (A2), cardo resin (A3), polysiloxane (A4), or polyimide which has a protic polar group (A5) is preferred, and among these, a cyclic olefin polymer (A1) having a protic polar group is particularly preferred. These binder resins (A) may be used alone or in combination of two or more.
  • the cyclic olefin polymer (A1) having a protic polar group is a polymer of one or more cyclic olefin monomers, or 1 Or a copolymer of two or more cyclic olefin monomers and a monomer copolymerizable therewith.
  • a monomer for forming the cyclic olefin polymer (A1) It is preferable to use a cyclic olefin monomer (a) having at least a protic polar group.
  • the protic polar group refers to a group containing an atom in which a hydrogen atom is directly bonded to an atom belonging to Group 15 or Group 16 of the Periodic Table.
  • atoms belonging to Group 15 or Group 16 of the periodic table atoms belonging to Group 1 or 2 of Group 15 or Group 16 of the Periodic Table are preferable, and oxygen atoms, nitrogen atoms or sulfur are more preferable.
  • protic polar groups include polar groups having oxygen atoms such as hydroxyl groups, carboxy groups (hydroxycarbonyl groups), sulfonic acid groups, phosphoric acid groups; primary amino groups, secondary amino groups A polar group having a nitrogen atom such as a primary amide group or a secondary amide group (imide group); a polar group having a sulfur atom such as a thiol group; Among these, those having an oxygen atom are preferable, and a carboxy group is more preferable.
  • the number of protic polar groups bonded to the cyclic olefin resin having a protic polar group is not particularly limited, and different types of protic polar groups may be included.
  • cyclic olefin monomer (a) having a protic polar group examples include 2-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept- 5-ene, 2-methyl-2-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-carboxymethyl-2-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2 -Hydroxycarbonyl-2-methoxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-ethoxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxy Carbonyl-2-propoxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-butoxycarbonyl Tyrbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-pentyloxycarbonylmethyl bicyclo [2.
  • dodec-9-ene 4-hydroxymethyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4,5-dihydroxymethyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4- (hydroxyethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4- (hydroxyethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .
  • the content ratio of the monomer (a) unit in the cyclocyclic olefin polymer (A1) is preferably 10 to 90 mol% with respect to the total monomer units.
  • the content ratio of the monomer (a) unit is too small, the radiation sensitivity becomes insufficient when a radiation sensitive compound is added to the resin composition of the present invention, or a dissolution residue is generated during development. If the amount is too large, the solubility of the cyclic olefin polymer (A1) in the polar solvent may be insufficient.
  • the cyclic olefin polymer (A1) used in the present invention is obtained by copolymerizing a cyclic olefin monomer (a) having a protic polar group and a monomer (b) copolymerizable therewith. It may be a copolymer. Examples of such copolymerizable monomers include cyclic olefin monomers (b1) having polar groups other than protic polar groups, cyclic olefin monomers having no polar groups (b2), and cyclic olefins. Monomer (b3) (hereinafter referred to as “monomer (b1)”, “monomer (b2)”, “monomer (b3)” as appropriate).
  • Examples of the cyclic olefin monomer (b1) having a polar group other than a protic polar group include N-substituted imide groups, ester groups, cyano groups, acid anhydride groups, and cyclic olefins having a halogen atom.
  • Examples of the cyclic olefin having an N-substituted imide group include a monomer represented by the following formula (1) or a monomer represented by the following formula (2).
  • R 1 .n represents an alkyl group or an aryl group having 1 to 16 carbon hydrogen or carbon is 1 to 2 integer.
  • R 2 is a divalent alkylene group having 1 to 3 carbon atoms
  • R 3 is a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms
  • R 1 is an alkyl group or aryl group having 1 to 16 carbon atoms.
  • the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an n group -Pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n -Linear alkyl groups such as pentadecyl group and n-hexadecyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group,
  • Alkyl group 2-propyl group, 2-butyl group, 2-methyl-1-propyl group, 2-methyl-2-propyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylpentyl group, 1-ethylbutyl Groups, branched alkyl groups such as 2-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 4-methylheptyl group, 1-methylnonyl group, 1-methyltridecyl group, 1-methyltetradecyl group, and the like.
  • Specific examples of the aryl group include a benzyl group.
  • an alkyl group and an aryl group having 6 to 14 carbon atoms are preferable, and an alkyl group and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms are more preferable because of excellent heat resistance and solubility in a polar solvent.
  • the carbon number is 4 or less, the solubility in a polar solvent is poor, when the carbon number is 17 or more, the heat resistance is poor, and when the resin film is patterned, the pattern is lost by melting with heat. There is a problem.
  • the monomer represented by the above formula (1) include bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-phenyl-bicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-methylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-ethylbicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-propylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-butylbicyclo [2.2.
  • dodec-9-ene-4,5-dicarboximide N- (2,4-dimethoxyphenyl) -tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene-4,5-dicarboximide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • R 2 is a divalent alkylene group having 1 to 3 carbon atoms.
  • the divalent alkylene group having 1 to 3 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and an isovalent group.
  • a propylene group is mentioned.
  • a methylene group and an ethylene group are preferable because of good polymerization activity.
  • R 3 is a monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the monovalent alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, hexyl group and cyclohexyl group. .
  • Examples of the monovalent halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a fluoromethyl group, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a difluoromethyl group, a dichloromethyl group, a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a trichloromethyl group, Examples include 2,2,2-trifluoroethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, perfluorobutyl group, and perfluoropentyl group. Among these, because of excellent solubility in polar solvents, as R 3, a methyl group or an ethyl group is preferred.
  • the monomers represented by the above formulas (1) and (2) can be obtained, for example, by an imidation reaction between a corresponding amine and 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride.
  • the obtained monomer can be efficiently isolated by separating and purifying the reaction solution of the imidization reaction by a known method.
  • Examples of the cyclic olefin having an ester group include 2-acetoxybicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-acetoxymethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, and 2-methoxycarbonyl.
  • cyclic olefin having a cyano group for example, 4-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4,5-dicyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 2-cyanobicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2-cyanobicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2 , 3-dicyanobicyclo [2.2.1] hept-5-ene, and the like.
  • cyclic olefin having an acid anhydride group examples include, for example, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene-4,5-dicarboxylic anhydride, bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylic anhydride, 2-carboxymethyl-2- Hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene anhydride, and the like.
  • Examples of the cyclic olefin having a halogen atom include 2-chlorobicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-chloromethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2- (chlorophenyl). ) Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 4-chlorotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4-chlorotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene and the like.
  • These monomers (b1) may be used alone or in combination of two or more.
  • cyclic olefin monomer (b2) having no polar group examples include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene (also referred to as “norbornene”), 5-ethyl-bicyclo [2.2.1]. Hept-2-ene, 5-butyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylidene-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylidene-bicyclo [2.
  • hept-2-ene 5-vinyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] deca-3,8-diene (conventional name: dicyclopentadiene), tetracyclo [10.2.1.0 2,11. 0 4,9 ] pentadeca-4,6,8,13-tetraene, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene (also referred to as “tetracyclododecene”), 9-methyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .
  • dodec-4-ene pentacyclo [9.2.1.1 3,9 . 0 2,10 . 0 4,8 ] pentadeca-5,12-diene, cyclobutene, cyclopentene, cyclopentadiene, cyclohexene, cycloheptene, cyclooctene, cyclooctadiene, indene, 3a, 5,6,7a-tetrahydro-4,7-methano-1H -Indene, 9-phenyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7] dodeca-4-ene, tetracyclo [9.2.1.0 2,10.
  • the monomer (b3) other than the cyclic olefin include ethylene; propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 3-methyl-1-butene, 3-methyl-1-pentene, 3- Ethyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, 4-methyl-1-hexene, 4,4-dimethyl-1-hexene, 4,4-dimethyl-1-pentene, 4-ethyl-1-hexene, ⁇ -olefins having 2 to 20 carbon atoms such as 3-ethyl-1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-eicosene; Non-conjugated dienes such as hexadiene, 1,5-hexadiene, 4-methyl-1,4-hexadiene, 5-methyl-1,4-hexa
  • the cyclic olefin monomer (b1) having a polar group other than the protic polar group is preferable from the viewpoint that the effect of the present invention becomes more remarkable.
  • a cyclic olefin having an N-substituted imide group is particularly preferred.
  • the content ratio of the copolymerizable monomer (b) unit in the polycyclic olefin polymer (A1) is preferably 10 to 90 mol% with respect to the total monomer units. If the content ratio of the copolymerizable monomer (b) is too small, the solubility of the cyclic olefin polymer (A1) in the polar solvent may be insufficient. When a radiation sensitive compound is added to the resin composition, the radiation sensitivity may be insufficient, or a dissolution residue may be generated during development.
  • a cyclic olefin polymer (A1) may be obtained by introducing a protic polar group into a cyclic olefin polymer having no protic polar group using a known modifier.
  • a polymer having no protic polar group is obtained by polymerizing at least one of the above-described monomers (b1) and (b2) and optionally combining the monomer (b3) as necessary. be able to.
  • the cyclic olefin polymer (A1) used in the present invention may be a ring-opening polymer obtained by ring-opening polymerization of the above-described monomer, or an addition polymer obtained by addition polymerization of the above-described monomer. Although it may be a polymer, it is preferably a ring-opening polymer from the viewpoint that the effect of the present invention becomes more remarkable.
  • the ring-opening polymer comprises a ring-opening metathesis polymerization of a cyclic olefin monomer having a protic polar group (a) and a copolymerizable monomer (b) used as necessary in the presence of a metathesis reaction catalyst.
  • a cyclic olefin monomer having a protic polar group
  • b copolymerizable monomer used as necessary in the presence of a metathesis reaction catalyst.
  • As the production method for example, methods described in [0039] to [0079] of International Publication No. 2010/110323 can be used.
  • the addition polymer comprises a cyclic olefin monomer having a protic polar group (a) and a copolymerizable monomer (b) used as required by a known addition polymerization catalyst such as titanium, It can be obtained by polymerization using a catalyst comprising a zirconium or vanadium compound and an organoaluminum compound.
  • the cyclic olefin polymer (A1) used in the present invention is a ring-opening polymer
  • a hydrogenation reaction is further performed, and a hydrogenation in which a carbon-carbon double bond contained in the main chain is hydrogenated is performed. It is preferable to use a product.
  • the ratio of hydrogenated carbon-carbon double bonds (hydrogenation rate) is usually 50% or more, and 70% from the viewpoint of heat resistance. Preferably, it is 90% or more, more preferably 95% or more.
  • the acrylic resin (A2) used in the present invention is not particularly limited, but is selected from carboxylic acid having an acrylic group, carboxylic acid anhydride having an acrylic group, or an epoxy group-containing acrylate compound and an oxetane group-containing acrylate compound.
  • a homopolymer or copolymer having at least one essential component is preferred.
  • carboxylic acid having an acrylic group examples include (meth) acrylic acid [meaning acrylic acid and / or methacrylic acid. The same applies to methyl (meth) acrylate. ], Crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, glutaconic acid, phthalic acid mono- (2-((meth) acryloyloxy) ethyl), N- (carboxyphenyl) maleimide, N- (carboxyphenyl) ) (Meth) acrylamide and the like.
  • carboxylic acid anhydride having an acrylic group include maleic anhydride and citraconic anhydride.
  • epoxy group-containing acrylate compound examples include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl ⁇ -ethyl acrylate, glycidyl ⁇ -n-propyl acrylate, glycidyl ⁇ -n-butyl acrylate, acrylate 3,4 -Epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, ⁇ -ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, acrylic acid- Examples include 3,4-epoxycyclohexylmethyl and 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate.
  • oxetane group-containing acrylate compounds include (meth) acrylic acid (3-methyloxetane-3-yl) methyl, (meth) acrylic acid (3-ethyloxetane-3-yl) methyl, and (meth) acrylic acid.
  • the acrylic resin (A2) is composed of at least one selected from unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride and epoxy group-containing unsaturated compound, and other acrylate monomers or copolymerizable monomers other than acrylate And a copolymer thereof.
  • acrylate monomers include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl ( (Meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) Acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, lauryl (
  • methyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2, 6 Decan-8-yl (meth) acrylate, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide and the like are preferable.
  • the copolymerizable monomer other than the acrylate is not particularly limited as long as it is a compound copolymerizable with the carboxylic acid having an acrylic group, a carboxylic acid anhydride having an acrylic group, or an epoxy group-containing acrylate compound.
  • the monomer polymerization method may be in accordance with a conventional method, for example, a suspension polymerization method, an emulsion polymerization method, a solution polymerization method or the like is employed.
  • the cardo resin (A3) used in the present invention is a resin having a cardo structure, that is, a skeleton structure in which two cyclic structures are bonded to a quaternary carbon atom constituting the cyclic structure.
  • a common cardo structure is a fluorene ring bonded with a benzene ring.
  • Specific examples of the skeleton structure in which two cyclic structures are bonded to a quaternary carbon atom constituting the cyclic structure include a fluorene skeleton, a bisphenol fluorene skeleton, a bisaminophenyl fluorene skeleton, a fluorene skeleton having an epoxy group, and an acrylic group.
  • the cardo resin (A3) used in the present invention is formed by polymerizing a skeleton having the cardo structure by a reaction between functional groups bonded thereto.
  • the cardo resin (A3) has a structure (cardo structure) in which the main chain and bulky side chains are connected by one element, and has a ring structure in a direction substantially perpendicular to the main chain.
  • n is an integer of 0 to 10.
  • Monomers having a cardo structure include, for example, bis (glycidyloxyphenyl) fluorene type epoxy resin; condensate of bisphenolfluorene type epoxy resin and acrylic acid; 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, Cardio structure-containing bisphenols such as 9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene; 9,9-bis (cyanoalkyl) fluorenes such as 9,9-bis (cyanomethyl) fluorene; -9,9-bis (aminoalkyl) fluorenes such as bis (3-aminopropyl) fluorene;
  • the cardo resin (A3) is a polymer obtained by polymerizing a monomer having a cardo structure, but may be a copolymer with other copolymerizable monomers.
  • the polymerization method of the monomer may be according to a conventional method, and for example, a ring-opening polymerization method or an addition polymerization method
  • polysiloxane (A4) used by this invention Preferably the polymer obtained by mixing and making 1 type, or 2 or more types of the organosilane represented by following formula (4) mention is mentioned. It is done. (R 4 ) m -Si- (OR 5 ) 4-m (4)
  • R 4 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and a plurality of R 4 are the same. Or different.
  • These alkyl groups, alkenyl groups, and aryl groups may all have a substituent or may be an unsubstituted form having no substituent, and are selected according to the characteristics of the composition. it can.
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, n-hexyl group, n-decyl group, trifluoromethyl group, 2,2 , 2-trifluoroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 3-glycidoxypropyl group, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group, 3-aminopropyl group, 3-mercaptopropyl Group, 3-isocyanatopropyl group.
  • alkenyl group examples include a vinyl group, a 3-acryloxypropyl group, and a 3-methacryloxypropyl group.
  • aryl group examples include phenyl, tolyl, p-hydroxyphenyl, 1- (p-hydroxyphenyl) ethyl, 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl, 4-hydroxy-5- (p -Hydroxyphenylcarbonyloxy) pentyl group, naphthyl group.
  • R 5 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 1 to 6 carbon atoms or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, a plurality of R 5 is Each may be the same or different. In addition, both of these alkyl groups and acyl groups may have a substituent or may be an unsubstituted form having no substituent, and can be selected according to the characteristics of the composition.
  • Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, and an n-butyl group.
  • Specific examples of the acyl group include an acetyl group.
  • Specific examples of the aryl group include a phenyl group.
  • silane, m 3, it is a monofunctional silane.
  • organosilane represented by the above formula (4) include tetrafunctional silanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetraacetoxysilane, and tetraphenoxysilane; methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyl Triisopropoxysilane, methyltri-n-butoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, ethyltrin-butoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-butyl Trimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, de
  • the polysiloxane (A4) used in the present invention is obtained by hydrolyzing and partially condensing the organosilane described above.
  • a general method can be used for hydrolysis and partial condensation. For example, a solvent, water and, if necessary, a catalyst are added to the mixture, and the mixture is heated and stirred. During stirring, if necessary, hydrolysis by-products (alcohols such as methanol) and condensation by-products (water) may be distilled off by distillation.
  • the polyimide (A5) used in the present invention can be obtained by heat-treating a polyimide precursor obtained by reacting a tetracarboxylic acid anhydride and a diamine.
  • a polyimide precursor obtained by reacting a tetracarboxylic acid anhydride and a diamine.
  • the precursor for obtaining polyimide include polyamic acid, polyamic acid ester, polyisoimide, and polyamic acid sulfonamide.
  • Polyimide (A5) used in the present invention is synthesized by a known method. That is, a tetracarboxylic dianhydride and a diamine are selectively combined, and these are combined with N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphorotriamide, It is synthesized by a known method such as reacting in a polar solvent such as ⁇ -butyrolactone and cyclopentanone.
  • a polar solvent such as ⁇ -butyrolactone and cyclopentanone.
  • the terminal amino group of the produced polyimide (A5) can be reacted with a carboxylic acid anhydride to protect the terminal amino group.
  • an amine compound can be made to react with the terminal acid anhydride group of the produced
  • carboxylic anhydrides examples include phthalic anhydride, trimellitic anhydride, maleic anhydride, naphthalic anhydride, hydrogenated phthalic anhydride, methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid
  • Anhydrides, itaconic anhydrides, tetrahydrophthalic anhydrides and the like are exemplified by amine compounds such as aniline, 2-hydroxyaniline, 3-hydroxyaniline, 4-hydroxyaniline, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4- And ethynylaniline.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the binder resin (A) used in the present invention is usually 1,000 to 1,000,000, preferably 1,500 to 100,000, more preferably 2,000 to 10 , 000.
  • the molecular weight distribution of the binder resin (A) is usually 4 or less, preferably 3 or less, and more preferably 2.5 or less, as a weight average molecular weight / number average molecular weight (Mw / Mn) ratio.
  • the weight average molecular weight (Mw) and molecular weight distribution (Mw / Mn) of the binder resin (A) are values determined as polystyrene equivalent values by gel permeation chromatography (GPC) using a solvent such as tetrahydrofuran as an eluent. It is.
  • the radiation sensitive compound (B) is a compound capable of causing a chemical reaction by irradiation with radiation such as ultraviolet rays and electron beams.
  • the radiation sensitive compound (B) is preferably one that can control the alkali solubility of the resin film formed from the resin composition, and it is particularly preferable to use a photoacid generator.
  • Examples of such a radiation sensitive compound (B) include azide compounds such as acetophenone compounds, triarylsulfonium salts, and quinonediazide compounds, with azide compounds being preferred, and quinonediazide compounds being particularly preferred.
  • azide compounds such as acetophenone compounds, triarylsulfonium salts, and quinonediazide compounds, with azide compounds being preferred, and quinonediazide compounds being particularly preferred.
  • quinonediazide compound for example, an ester compound of a quinonediazidesulfonic acid halide and a compound having a phenolic hydroxyl group can be used.
  • the quinone diazide sulfonic acid halide include 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-benzoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride, and the like. Can be mentioned.
  • Representative examples of the compound having a phenolic hydroxyl group include 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 ′-[1- [4- [1 -[4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and the like.
  • phenolic hydroxyl group examples include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, tris (4- Hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (4-hydroxy-3-methylphenyl) ethane, 1,1,2,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, novolak resin oligomer, phenolic hydroxyl group Examples thereof include oligomers obtained by copolymerizing one or more compounds and dicyclopentadiene.
  • photoacid generators include onium salts, halogenated organic compounds, ⁇ , ⁇ ′-bis (sulfonyl) diazomethane compounds, ⁇ -carbonyl- ⁇ ′-sulfonyldiazomethane compounds, sulfone compounds, Known compounds such as organic acid ester compounds, organic acid amide compounds, and organic acid imide compounds can be used. These radiation-sensitive compounds can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the radiation sensitive compound (B) in the radiation sensitive resin composition of the present invention is preferably 10 to 100 parts by weight, more preferably 15 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A). Parts, more preferably 20 to 50 parts by weight.
  • the crosslinking agent (C) used in the present invention is one that forms a crosslinked structure between crosslinking agent molecules by heating, or one that reacts with the binder resin (A) to form a crosslinked structure between resin molecules.
  • the molecular weight of the crosslinking agent (C) is not particularly limited, but is usually 100 to 100,000, preferably 300 to 50,000, more preferably 500 to 10,000.
  • the crosslinking agent (C) can be used alone or in combination of two or more, and in particular, exposure of a resin film obtained using the radiation-sensitive resin composition of the present invention by using two or more in combination. Sensitivity, shape retention after firing, and transparency can be improved.
  • crosslinking agent (C) examples include aliphatic polyamines such as hexamethylenediamine; aromatic polyamines such as 4,4′-diaminodiphenyl ether and diaminodiphenylsulfone; 2,6-bis (4′-azidobenzal) Azides such as cyclohexanone and 4,4′-diazidodiphenylsulfone; polyamides such as nylon, polyhexamethylenediamine telelephthalamide and polyhexamethyleneisophthalamide; N, N, N ′, N ′, N ′′, Melamines which may have a methylol group such as N ′′-(hexaalkoxyalkyl) melamine or an imino group (trade names “Cymel 303, Cymel 325, Cymel 370, Cymel 232, Cymel 235, Cymel 272, Cymel 212, My Court 506 " ⁇ End Cymel series such as Quindustries, etc.,
  • Good glycolurils (Cymel series such as "Cymel 1170" ⁇ made by Cytec Industries, Inc. ⁇ ); acrylate compounds such as ethylene glycol di (meth) acrylate; hexamethylene diisocyanate polyisocyanate, isophorone diisocyanate poly Isocyanate compounds such as isocyanate, tolylene diisocyanate polyisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate; 1,4-di- (hydroxymethyl) cyclohexane, 1,4-di- (hydroxymethyl) norbornane; 1 3,4-trihydroxycyclohexane; bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, polyphenol type epoxy resin, cyclic aliphatic epoxy resin, aliphatic glycidyl ether, epoxy acrylate And epoxy compounds such as polymers.
  • acrylate compounds such as ethylene glycol di (meth)
  • the epoxy compound examples include a trifunctional epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton (trade name “XD-1000”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 2,2-bis (hydroxymethyl) 1-butanol 1,2-epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane adduct (15-functional alicyclic epoxy resin having cyclohexane skeleton and terminal epoxy group, trade name “EHPE3150”, manufactured by Daicel Chemical Industries), epoxidation 3-cyclohexene-1,2-dicarboxylate bis (3-cyclohexenylmethyl) modified ⁇ -caprolactone (aliphatic cyclic trifunctional epoxy resin, trade name “Epolide GT301”, manufactured by Daicel Chemical Industries), epoxidized butane Tetracarboxylic acid tetrakis (3-cyclohexenylmethyl) modified ⁇ -caprolactone Aliphatic cyclic tetrafunctional epoxy resin, trade name “Epoli
  • Aromatic amine type polyfunctional epoxy compound (trade name “H-434”, manufactured by Tohto Kasei Kogyo Co., Ltd.), isocyanuric acid tris (2,3-epoxypropyl) (polyfunctional epoxy compound having triazine skeleton, trade name “TEPIC”) , Nissan Chemical Industries, Ltd.), cresol novolac type polyfunctional epoxy compound (trade name “EOCN-1020”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), phenol novolac type polyfunctional epoxy compound (Epicoat 152, 154, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) , Polyfunctional epoxy compounds having a naphthalene skeleton (trade name EXA-4700, manufactured by DIC Corporation), chain alkyl polyfunctional epoxy compounds (trade name “SR-TMP”, manufactured by Sakamoto Pharmaceutical Co., Ltd.), polyfunctional epoxy polybutadiene (Product name “Epolide PB3600”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) Glycerin glycidy
  • the content of the crosslinking agent (C) in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is not particularly limited, and the degree of heat resistance required for the resin film obtained using the radiation-sensitive resin composition of the present invention. Although it may be arbitrarily set in consideration, it is usually 5 to 80 parts by weight, preferably 20 to 75 parts by weight, more preferably 25 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A). If the crosslinking agent (C) is too much or too little, the heat resistance tends to decrease.
  • the radiation sensitive resin composition of the present invention contains a sulfur-free semi-hindered phenolic antioxidant and / or Contains a sulfur-free rehindered phenolic antioxidant (D).
  • Sulfur-free semi-hindered phenolic antioxidants are semi-hindered phenolic antioxidants that do not substantially contain sulfur atoms, that is, have a phenol structure and are substantially free of sulfur atoms.
  • One of the ortho positions of the OH group (phenolic hydroxyl group) constituting the phenol structure is a bulky group (for example, t-butyl group), and the other is an antioxidant having a methyl group.
  • the sulfur-free res hindered phenol antioxidant is a res hindered phenol antioxidant which does not substantially contain a sulfur atom, that is, has a phenol structure and substantially contains a sulfur atom.
  • an antioxidant in which one of the ortho positions of the OH group (phenolic hydroxyl group) constituting the phenol structure is a bulky group (for example, a t-butyl group) and the other is hydrogen.
  • sulfur-free means substantially not containing a sulfur atom, and for example, it may be contained as long as it is about the amount of impurities.
  • sulfur-free semi-hindered phenol-based antioxidant examples include, for example, 3,9-bis [2- ⁇ 3- (3-tertiarybutyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy ⁇ - 1,1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5,5] undecane (for example, trade name “ADEKA STAB AO-80”, manufactured by ADEKA), ethylene bis (oxyethylene) bis [3- (5-tert-butyl-hydroxy-m-tolyl) propionate] (for example, trade name “Irganox 245”, manufactured by BASF), triethylene glycol bis [3- (3-tert-butyl-4- Hydroxy-5-methylphenyl) propionate] (for example, trade name “ADK STAB AO-70”, manufactured by ADEKA) It is.
  • sulfur-free rehindered phenol antioxidant examples include 1,1,3-tris- (2-methyl-4-hydroxy-5-tertiarybutylphenyl) butane (for example, commercial products). Name “Adekastab AO-30”, manufactured by ADEKA), 4,4′-butylidenebis (6-t-butyl-3-methylphenol) (for example, the product name “Adekastab AO-40”, manufactured by ADEKA), 4, 4′-thiobis (6-t-butyl-3-methylphenol) (for example, trade name “Sumilyzer WX-R”, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and the like. These non-sulfur-containing semi-hindered phenol antioxidants and non-sulfur-containing less hindered phenol antioxidants can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the sulfur-free semi-hindered phenol antioxidant and / or the sulfur-free less hindered phenol antioxidant (D) in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is 100% by weight of the binder resin (A).
  • the amount is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 1 to 15 parts by weight, still more preferably 2 to 10 parts by weight with respect to parts.
  • the radiation sensitive resin composition of the present invention includes the binder resin (A), the radiation sensitive compound (B) and the crosslinking agent (C) described above, and a sulfur-free semi-hindered phenolic antioxidant and / or sulfur.
  • a sulfur-containing phenolic antioxidant In addition to the non-containing rehindered phenolic antioxidant (D), it contains a sulfur-containing phenolic antioxidant (E).
  • the sulfur-containing phenol-based antioxidant (E) is a phenol-based antioxidant containing a sulfur atom.
  • Specific examples of the sulfur-containing phenolic antioxidant (E) include 2,2-thio-diethylenebis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, 4,4′- Thiobis (6-tert-butyl-3-methylphenol), 2,4-bis- (n-octylthio) -6- (4-hydroxy-3,5-di-tert-butylanilino) -1,3,5- Triazine, 2,4-bis [(octylthio) methyl] -ortho-cresol, 4,6-bis [(dodecylthio) methyl] -ortho-cresol, tris (2,4-di-t-butylphenyl) phosphite Etc.
  • the sulfur-containing phenolic antioxidants can be used alone or in combination of two or more.
  • a hindered containing a sulfur atom is highly effective in improving the exposure sensitivity of the resin film obtained using the radiation-sensitive resin composition of the present invention, the shape retention after firing, and the transparency.
  • Phenol-based antioxidants, semi-hindered phenol-based antioxidants containing sulfur atoms, and res-hindered phenol-based antioxidants containing sulfur atoms are preferred.
  • the content of the sulfur-containing phenolic antioxidant (E) in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 15 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the binder resin (A). 0.5 to 10 parts by weight, more preferably 1 to 5 parts by weight.
  • the radiation sensitive resin composition of this invention may contain the compound (F) which has an acidic group or a heat
  • the compound having an acidic group or a thermal latent acidic group is not particularly limited as long as it has an acidic group or a thermal latent acidic group that generates an acidic group by heating, but is preferably an aliphatic compound, an aromatic compound, Heterocyclic compounds, more preferably aromatic compounds and heterocyclic compounds. These compounds having an acidic group or a heat-latent acidic group can be used alone or in combination of two or more.
  • the number of acidic groups in the compound having an acidic group is not particularly limited, but those having two or more acidic groups are preferable.
  • the acidic groups may be the same as or different from each other.
  • the acidic group may be any acidic functional group, and specific examples thereof include strongly acidic groups such as sulfonic acid group and phosphoric acid group; weak acidic groups such as carboxy group, thiol group and carboxymethylenethio group; Can be mentioned.
  • a carboxy group, a thiol group, or a carboxymethylenethio group is preferable, and a carboxy group is particularly preferable.
  • these acidic groups those having an acid dissociation constant pKa in the range of 3.5 to 5.0 are preferred.
  • the first dissociation constant pKa1 is an acid dissociation constant and the first dissociation constant pKa1 is in the above range.
  • BH represents an organic acid
  • B ⁇ represents a conjugate base of the organic acid.
  • the measuring method of pKa can calculate hydrogen ion concentration, for example using a pH meter, and can calculate from the density
  • the compound which has an acidic group may have substituents other than an acidic group.
  • substituents in addition to hydrocarbon groups such as alkyl groups and aryl groups, halogen atoms; alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, heterocyclic oxy groups; substituted with alkyl groups, aryl groups, or heterocyclic groups
  • Polar groups having no proton such as amino group, acylamino group, ureido group, sulfamoylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group; alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group; Examples thereof include a hydrocarbon group substituted with a polar group having no proton.
  • the compound (F) having such an acidic group examples include methanoic acid, ethanoic acid, propanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, glycolic acid, Glyceric acid, ethanedioic acid (also called “oxalic acid”), propanedioic acid (also called “malonic acid”), butanedioic acid (also called “succinic acid”), pentanedioic acid, hexanedioic acid ( Also called “adipic acid”), 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 2-oxopropanoic acid, 2-hydroxybutanedioic acid, 2-hydroxypropanetricarboxylic acid, mercaptosuccinic acid, dimercaptosuccinic acid, 2,3-dimercapto
  • the compound having a heat-latent acidic group may be a group that generates an acidic functional group by heating.
  • a sulfonium base include a sulfonium base, a benzothiazolium base, an ammonium base, a phosphonium base, a block carboxylic acid group, and the like.
  • a sulfonium base is preferable.
  • a phosphorus hexafluoride-based or antimony hexafluoride-based sulfonium base can be used.
  • a sulfonium base for example, Sun-Aid SI series (100L, 110L, 150, 180L, manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.) can be used.
  • the content of the compound having an acidic group or a heat-latent acidic group (F) in the radiation-sensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A).
  • the range is more preferably 1 to 45 parts by weight, still more preferably 2 to 40 parts by weight, and particularly preferably 3 to 30 parts by weight.
  • the radiation sensitive resin composition of the present invention may further contain a solvent.
  • the solvent is not particularly limited, and is known as a resin composition solvent such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, 2-hexanone, 3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2- Linear ketones such as octanone, 3-octanone and 4-octanone; alcohols such as n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol and cyclohexanol; ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and dioxane Alcohol alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; propyl formate, butyl formate, propyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate Esters such as ace
  • solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the solvent is preferably in the range of 10 to 10,000 parts by weight, more preferably 50 to 5000 parts by weight, and still more preferably 100 to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A).
  • a solvent will be normally removed after resin film formation.
  • the radiation-sensitive resin composition of the present invention has a surfactant, a coupling agent or a derivative thereof, a sensitizer, a light stabilizer, and an antifoaming agent, as desired, as long as the effects of the present invention are not inhibited.
  • Other compounding agents such as pigments, dyes and fillers; Among these, for example, those described in JP 2011-75609 A can be used as the coupling agent or derivative thereof, the sensitizer, and the light stabilizer.
  • Surfactants are used for the purpose of preventing striation (after application stripes) and improving developability.
  • the surfactant include silicone surfactants, fluorine surfactants, polyoxyalkylene surfactants, methacrylic acid copolymer surfactants, and acrylic acid copolymer surfactants. it can.
  • silicone surfactant examples include “SH28PA”, “SH29PA”, “SH30PA”, “ST80PA”, “ST83PA”, “ST86PA”, “SF8416”, “SH203”, “SH230”, “SF8419”, “SF8422”, “FS1265”, “SH510”, “SH550”, “SH710”, “SH6040”, “SH8400”, “SF8410”, “SH8700”, “SF8427” (above, manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.)
  • Product names “KP-321”, “KP-323”, “KP-324”, “KP-340”, “KP-341” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • fluorosurfactant examples include Fluorinert “FC-430”, “FC-431” (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Surflon “S-141”, “S-145”, “S-381”. , “S-393” (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), EFtop (registered trademark) “EF301”, “EF303”, “EF351”, “EF352” (manufactured by Gemco Co., Ltd.), Megafuck (registered trademark) ) “F171”, “F172”, “F173”, “R-30” (above, manufactured by DIC Corporation).
  • polyoxyalkylene surfactant examples include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxyethylene nonylphenyl ether, and the like. And polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate polyoxyethylene dialkyl esters, and the like. These surfactants can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the surfactant in the radiation sensitive resin composition of the present invention is preferably 0.05 to 5 parts by weight, more preferably 0.1 to 1 part with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A). Parts by weight.
  • the content of the surfactant is in the above range, the effect of preventing striation (after the application stripe) can be further enhanced.
  • the preparation method of the radiation sensitive resin composition of this invention is not specifically limited, What is necessary is just to mix each component which comprises a radiation sensitive resin composition by a well-known method.
  • the mixing method is not particularly limited, but it is preferable to mix a solution or dispersion obtained by dissolving or dispersing each component constituting the radiation-sensitive resin composition in a solvent. Thereby, a radiation sensitive resin composition is obtained with the form of a solution or a dispersion liquid.
  • a method for dissolving or dispersing each component constituting the glaze sensitive resin composition in a solvent may follow a conventional method. Specifically, stirring using a stirrer and a magnetic stirrer, a high-speed homogenizer, a disper, a planetary stirrer, a twin-screw stirrer, a ball mill, a three-roll, etc. can be used. Further, after each component is dissolved or dispersed in a solvent, it may be filtered using, for example, a filter having a pore size of about 0.5 ⁇ m.
  • the electronic component of the present invention has a resin film made of the above-described radiation-sensitive resin composition of the present invention.
  • Examples of the electronic component of the present invention include an electronic component having a configuration in which a semiconductor element is mounted on a substrate, and specifically includes an active matrix substrate, an organic EL element substrate, an integrated circuit element substrate, and a solid-state imaging.
  • An active matrix substrate and an organic EL element substrate are preferable from the viewpoint that the effect of improving characteristics by forming the resin film made of the radiation-sensitive resin composition of the present invention described above is particularly remarkable.
  • the active matrix substrate as an example of the electronic component of the present invention is not particularly limited, and switching elements such as thin film transistors (TFTs) are arranged in a matrix on the substrate, and a gate for driving the switching elements.
  • TFTs thin film transistors
  • Examples include a structure in which a gate signal line for supplying a signal and a source signal line for supplying a display signal to the switching element are provided so as to cross each other.
  • a thin film transistor as an example of a switching element, a structure in which a gate electrode, a gate insulating layer, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode are provided over a substrate is exemplified.
  • the organic EL element substrate as an example of the electronic component of the present invention includes, for example, an anode, a hole injection transport layer, an organic light emitting layer as a semiconductor layer, an electron injection layer, and a cathode on the substrate. And a structure having a light-emitting body portion and a pixel separation film for separating the light-emitting body portion.
  • the above-described resin film made of the radiation-sensitive resin composition of the present invention includes a protective film and a planarizing film formed on the surface of the active matrix substrate, It can be a gate insulating film formed in contact with a semiconductor layer (for example, an amorphous silicon layer) of a thin film transistor constituting an active matrix substrate.
  • a semiconductor layer for example, an amorphous silicon layer
  • the electronic component of this invention is an organic EL element substrate, it can be set as the sealing film formed in the surface of an organic EL element substrate.
  • the method for forming the resin film is not particularly limited, and for example, a coating method, a film lamination method, or the like can be used.
  • the application method is, for example, a method in which a radiation-sensitive resin composition is applied and then dried by heating to remove the solvent.
  • a method for applying the radiation-sensitive resin composition for example, various methods such as a spray method, a spin coating method, a roll coating method, a die coating method, a doctor blade method, a spin coating method, a bar coating method, and a screen printing method are adopted. can do.
  • the heating and drying conditions vary depending on the type and mixing ratio of each component, but are usually 30 to 150 ° C., preferably 60 to 120 ° C., usually 0.5 to 90 minutes, preferably 1 to 60 minutes, and more. Preferably, it may be performed in 1 to 30 minutes.
  • the radiation-sensitive resin composition is applied onto a B-stage film-forming substrate such as a resin film or a metal film, and then the solvent is removed by heat drying to obtain a B-stage film.
  • a B-stage film-forming substrate such as a resin film or a metal film
  • the heating and drying conditions can be appropriately selected according to the type and mixing ratio of each component, but the heating temperature is usually 30 to 150 ° C., and the heating time is usually 0.5 to 90 minutes.
  • Film lamination can be performed using a pressure laminator, a press, a vacuum laminator, a vacuum press, a roll laminator or the like.
  • the thickness of the resin film is not particularly limited and may be appropriately set depending on the application.
  • the resin film may be a protective film or planarizing film for an active matrix substrate, or a sealing film for an organic EL element substrate.
  • the thickness of the resin film is preferably 0.1 to 100 ⁇ m, more preferably 0.5 to 50 ⁇ m, and still more preferably 0.5 to 30 ⁇ m.
  • the resin film thus formed is patterned in a predetermined pattern.
  • the radiation sensitive resin composition of the present invention is used to form a resin film before patterning, and the resin film before patterning is irradiated with actinic radiation to form a latent image pattern And then exposing the pattern to a resin film having a latent image pattern by bringing a developer into contact therewith.
  • the actinic radiation it is possible to activate the radiation-sensitive compound (B) contained in the radiation-sensitive resin composition and change the alkali solubility of the radiation-sensitive resin composition containing the radiation-sensitive compound (B). If it does not specifically limit.
  • ultraviolet rays ultraviolet rays having a single wavelength such as g-line or i-line, light rays such as KrF excimer laser light and ArF excimer laser light; particle beams such as electron beams;
  • a method for selectively irradiating these actinic radiations in a pattern to form a latent image pattern a conventional method may be used.
  • ultraviolet, g-line, i-line, KrF excimer is used by a reduction projection exposure apparatus or the like.
  • a method of irradiating a light beam such as a laser beam or an ArF excimer laser beam through a desired mask pattern, a method of drawing with a particle beam such as an electron beam, or the like can be used.
  • light When light is used as the active radiation, it may be single wavelength light or mixed wavelength light.
  • Irradiation conditions are appropriately selected depending on the actinic radiation to be used. For example, when a light beam having a wavelength of 200 to 450 nm is used, the irradiation amount is usually 10 to 1,000 mJ / cm 2 , preferably 50 to 500 mJ / cm 2 .
  • the resin film is heat-treated at a temperature of about 60 to 130 ° C. for about 1 to 2 minutes as necessary.
  • an aqueous solution of an alkaline compound is usually used.
  • an alkaline compound for example, an alkali metal salt, an amine, or an ammonium salt can be used.
  • the alkaline compound may be an inorganic compound or an organic compound.
  • alkali metal salts such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and sodium metasilicate; ammonia water; primary amines such as ethylamine and n-propylamine; diethylamine Secondary amines such as di-n-propylamine; tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide and choline Alcohol alcohols such as dimethylethanolamine and triethanolamine; pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5 -En, N-Me Cyclic amines such as Rupiroridon; and the like.
  • alkaline compounds can be
  • aqueous medium of the alkaline aqueous solution water; water-soluble organic solvents such as methanol and ethanol can be used.
  • the alkaline aqueous solution may have a surfactant added in an appropriate amount.
  • a paddle method, a spray method, a dipping method, or the like is used as a method of bringing the developer into contact with the resin film having the latent image pattern.
  • the development is usually appropriately selected in the range of 0 to 100 ° C., preferably 5 to 55 ° C., more preferably 10 to 30 ° C., and usually 30 to 180 seconds.
  • the resin film on which the target pattern is formed in this manner can be rinsed with a rinsing liquid in order to remove the development residue, if necessary. After the rinse treatment, the remaining rinse liquid is removed with compressed air or compressed nitrogen. Furthermore, in order to deactivate the radiation-sensitive compound (B) contained in the radiation-sensitive resin composition, the entire surface of the electronic component can be irradiated with actinic radiation as necessary. For irradiation with actinic radiation, the method exemplified in the formation of the latent image pattern can be used.
  • the resin film may be heated simultaneously with irradiation or after irradiation. Examples of the heating method include a method of heating an electronic component in a hot plate or an oven. The temperature is usually in the range of 100 to 300 ° C, preferably 120 to 200 ° C.
  • the resin film thus formed can be subjected to a crosslinking reaction after being patterned.
  • Such crosslinking may be appropriately selected according to the type of the crosslinking agent (C) contained in the radiation-sensitive resin composition, but is usually performed by heating.
  • the heating method can be performed using, for example, a hot plate or an oven.
  • the heating temperature is usually 180 to 250 ° C.
  • the heating time is appropriately selected depending on the area and thickness of the resin film, the equipment used, etc.
  • the oven is usually run for 5 to 60 minutes. When used, it is usually in the range of 30 to 90 minutes.
  • Heating may be performed in an inert gas atmosphere as necessary. Any inert gas may be used as long as it does not contain oxygen and does not oxidize the resin film.
  • Examples thereof include nitrogen, argon, helium, neon, xenon, and krypton.
  • nitrogen and argon are preferable, and nitrogen is particularly preferable.
  • an inert gas having an oxygen content of 0.1% by volume or less, preferably 0.01% by volume or less, particularly nitrogen is suitable. These inert gases can be used alone or in combination of two or more.
  • an electronic component having a patterned resin film can be manufactured.
  • the electronic component of the present invention is an active matrix substrate or an organic EL element substrate
  • another component for example, an ITO electrode
  • baking is performed in an oxidizing atmosphere such as the air.
  • the firing temperature at this time is usually 150 to 350 ° C., preferably 180 to 300 ° C., more preferably 200 to 250 ° C.
  • the patterned resin film obtained using the radiation-sensitive resin composition of the present invention is also fired in an oxidizing atmosphere.
  • the resin film formed in this way is obtained using the radiation-sensitive resin composition of the present invention described above, high transparency is obtained even after baking in an oxidizing atmosphere. Therefore, it is suitable for various electronic component applications such as an active matrix substrate and an organic EL element substrate.
  • the resin film obtained using the radiation-sensitive resin composition of the present invention has high exposure sensitivity, it is possible to reduce the radiation dose during production, thereby producing Can be improved.
  • the resin film obtained by using the radiation-sensitive resin composition of the present invention is excellent in shape retention after firing, a fine pattern can be formed with high precision, thereby It can also contribute to the miniaturization and high performance of parts.
  • the radiation-sensitive resin composition was applied by spin coating, and was heated and dried (prebaked) at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate to obtain a film thickness of 3 ⁇ m. A resin film was formed. Then, to pattern the resin film, the contact hole pattern of 5 ⁇ m using a formable mask, by changing the exposure amount for each 50 mJ / cm 2 from 100 mJ / cm 2 to 250 mJ / cm 2, the exposure step Went. Next, a resin having contact hole patterns with different exposure amounts is obtained by performing development treatment at 25 ° C.
  • a laminate composed of a film and a glass substrate was obtained. And the contact hole formation part of the obtained laminated body was observed using the optical microscope, and the length of the longest part of the contact hole pattern of the resin film of the part exposed by each exposure amount was measured, respectively. Then, an approximate curve is created from the relationship between each exposure amount and the length of the longest part of the contact hole pattern of the resin film formed at the corresponding exposure amount, and the exposure amount when the contact hole pattern becomes 5 ⁇ m is calculated.
  • the exposure amount was calculated as exposure sensitivity. The lower the exposure when the contact hole pattern is 5 ⁇ m, the more preferable it is because the contact hole can be formed with low energy or in a short time.
  • the radiation-sensitive resin composition was applied by spin coating, and was heated and dried (prebaked) at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate to obtain a film thickness of 3 ⁇ m. A resin film was formed. Next, the resin film was subjected to an immersion treatment at 25 ° C. for 120 seconds using a 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, then washed with ultrapure water for 30 seconds, and then the light intensity at 365 nm. Was irradiated in the air for 300 seconds with a UV of 5 mW / cm 2 .
  • the resin film irradiated with ultraviolet rays is subjected to middle baking by heating at 110 ° C. for 10 minutes using a hot plate, and then post baking is performed by heating at 230 ° C. for 60 minutes in an N 2 atmosphere using an oven.
  • middle baking by heating at 110 ° C. for 10 minutes using a hot plate
  • post baking is performed by heating at 230 ° C. for 60 minutes in an N 2 atmosphere using an oven.
  • a test sample made of a glass substrate on which a resin film was formed was obtained.
  • the test sample thus obtained was further baked in an oxidizing atmosphere heated at 230 ° C. for 60 minutes in the air using an oven.
  • the transmittance of the sample baked in an oxidizing atmosphere was measured using a spectrophotometer V-560 (manufactured by JASCO Corporation) at a wavelength of 400 nm to 700 nm.
  • the light transmittance of the resin film was calculated as a conversion value when a glass substrate without a resin film was used as a blank and the thickness of the resin film was 2 ⁇ m. And based on the obtained light transmittance, transparency was evaluated on the following reference
  • the radiation-sensitive resin composition was applied by spin coating, and was heated and dried (prebaked) at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate to obtain a film thickness of 3 ⁇ m.
  • a resin film was formed.
  • the resin film was irradiated with an ultraviolet ray having a light intensity at 365 nm of 5 mW / cm 2 through the mask of a 3 ⁇ m ⁇ 3 ⁇ m hole pattern in the air with an exposure amount calculated as exposure sensitivity.
  • a 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution was used for immersion treatment at 25 ° C.
  • the resin film irradiated with ultraviolet rays is subjected to middle baking using a hot plate at 110 ° C. for 10 minutes, and then post-baking is performed at 230 ° C. for 60 minutes in an N 2 atmosphere.
  • a test sample comprising a glass substrate provided with a resin film on which was formed was obtained. And about the test sample obtained in this way, the contact hole was observed with the optical microscope, and the hole shape after baking was evaluated according to the following references
  • A The angle of the rising portion of the contact hole from the substrate is 60 ° or more, and the shape of the upper end portion of the contact hole is not rounded.
  • B Although the angle of the rising portion of the contact hole from the substrate is 60 ° or more, the upper end portion of the contact hole has a rounded shape.
  • C The angle of the rising portion of the contact hole from the substrate is 50 ° or more and less than 60 °
  • D The angle of the rising portion of the contact hole from the substrate is less than 50 °
  • dodeca-9-ene 60 parts by mole monomer mixture 100 parts, 1,5-hexadiene 2.8 parts, (1,3-dimesitylimidazoline-2-ylidene) ( Tricyclohexylphosphine) benzylidene ruthenium dichloride (synthesized by the method described in Org. Lett., Volume 1, page 953, 1999) and 200 parts of diethylene glycol ethyl methyl ether made of nitrogen-substituted glass
  • the polymerization reaction liquid was obtained by charging into a pressure-resistant reactor and making it react at 80 degreeC for 4 hours, stirring.
  • the obtained polymerization reaction liquid was put in an autoclave and stirred for 5 hours at 150 ° C. under a hydrogen pressure of 4 MPa to perform a hydrogenation reaction, thereby obtaining a polymer solution containing a cyclic olefin polymer (A1a).
  • the polymerization conversion rate of the obtained cyclic olefin polymer (A1a) was 99.8%, polystyrene-equivalent weight average molecular weight was 5,098, number average molecular weight was 3,227, molecular weight distribution was 1.58, hydrogenation rate was It was 99.9%.
  • the solid content concentration of the polymer solution of the obtained cyclic olefin polymer (A1a) was 34.4% by weight.
  • the polymerization conversion rate of the obtained cyclic olefin polymer (A1b) was 99.7%, polystyrene-equivalent weight average molecular weight was 7,150, number average molecular weight was 4,690, molecular weight distribution was 1.52, and hydrogenation rate was It was 99.7%.
  • the acrylic resin (A2) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3. Moreover, the solid content concentration of the obtained acrylic resin (A2) solution was 34.4% by weight.
  • Example 1 As the binder resin (A), 291 parts of the polymer solution of the cyclic olefin polymer (A1a) obtained in Synthesis Example 1 (100 parts as the cyclic olefin polymer (A1a)), 1, as the radiation sensitive compound (B), Condensation product of 1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane (1 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.5 mol) ( B1) 40 parts, epoxidized butanetetracarboxylic acid tetrakis (3-cyclohexenylmethyl) modified ⁇ -caprolactone (aliphatic cyclic tetrafunctional epoxy resin, trade name “Epolide GT401”, Daicel Chemical Co., Ltd.
  • B1 Condensation product of 1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane
  • Examples 2 to 42 The radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Tables 1 to 3 were used in the blending amounts shown in Tables 1 to 3 when preparing the radiation-sensitive resin composition. A product was prepared and evaluated in the same manner. The results are shown in Tables 1 to 3.
  • each compound is as follows.
  • -"Cyclic olefin polymer (A1b)” is the cyclic olefin polymer (A1b) obtained in Synthesis Example 2.
  • Acrylic resin (A2) is the acrylic resin (A2) obtained in Synthesis Example 3.
  • Cardo resin (A3)” is the cardo resin (A3) obtained in Synthesis Example 4.
  • Polysiloxane (A4) is the polysiloxane (A4) obtained in Synthesis Example 5.
  • Radiosensitive compound (B2) is 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane (1 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfone It is a condensate (radiation sensitive compound (B)) with acid chloride (2 mol).
  • Crosslinking agent (Cymel 370) is a methylol group-type methylated melamine resin (trade name “Cymel 370”, manufactured by Cytec Industries, Ltd., crosslinking agent (C)).
  • Sulfur-free rehindered phenolic antioxidant (Adekastab AO-40) is 4,4'-butylidenebis (6-t-butyl-3-methylphenol) (trade name “Adekastab AO-40", ADEKA).
  • Sulfur-free hindered phenol antioxidant (Irganox 1010)” is pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (trade name “Irganox 1010”) , Manufactured by BASF).
  • Sulfur-containing phenolic antioxidant (Sumilyzer WX-R) is 4,4'-thiobis (6-tert-butyl-3-methylphenol) (trade name “Sumilyzer WX-R", manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. ).
  • Non-phenolic antioxidant (Sumilyzer TPL-R) is dilauryl-3,3′-thiodipropionate (trade name “Sumilyzer TPL-R”, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.).
  • Non-phenolic antioxidant (Irgafos 168) is tris phosphite (2,4-di-t-butylphenyl) (trade name “Irgafos 168”, manufactured by BASF).
  • - SbF 6 - sulfonium salt (SI-150L)” is, SbF 6 - sulfonium salt (trade name "San-Aid SI-150L", available from Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.) is.
  • SbF 6 - sulfonium salt (SI-100L) is, SbF 6 - sulfonium salt (trade name "San-Aid SI-100L", available from Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.) is.
  • Comparative Examples 1 to 7 A radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that each compound shown in Table 3 was used in the amount shown in Table 3 when preparing the radiation-sensitive resin composition. Was evaluated. The results are shown in Table 3.
  • binder resin (A), radiation-sensitive compound (B), crosslinking agent (C), sulfur-free semi-hindered phenol antioxidant and / or sulfur-free less hindered phenol Resin film obtained by using a radiation-sensitive resin composition containing a system antioxidant (D) and a sulfur-containing phenol-based antioxidant (E) has high exposure sensitivity and heat-resistant transparency (in an oxidizing atmosphere). (Transparency after firing) and shape retention after firing were excellent (Examples 1 to 42).
  • the resulting resin film has a heat-resistant transparency (in an oxidizing atmosphere).
  • the transparency after firing was inferior (Comparative Examples 1, 5, and 6).
  • a sulfur-free semi-hindered phenolic antioxidant and / or a sulfur-free non-sulphurous hindered phenolic antioxidant (D), or instead, a sulfur-free hindered phenolic antioxidant When the agent was used, the resulting resin film was inferior in exposure sensitivity (Comparative Examples 2 to 4).
  • the crosslinking agent (C) is not blended, the resulting resin film is inferior in heat-resistant transparency (transparency after firing in an oxidizing atmosphere) and shape retention after firing. (Comparative Example 7).

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

 バインダー樹脂(A)、感放射線化合物(B)、架橋剤(C)、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)、硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)を含有してなる感放射線樹脂組成物を提供する。本発明によれば、露光感度が高く、焼成後の形状保持性に優れ、酸化性雰囲気で焼成した後も高い透明性を有する樹脂膜を与えることができる感放射線樹脂組成物を提供することができる。

Description

感放射線樹脂組成物および電子部品
 本発明は、感放射線樹脂組成物およびこの感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を備える電子部品に係り、さらに詳しくは、露光感度が高く、焼成後の形状保持性に優れ、酸化性雰囲気で焼成した後も高い透明性を有する樹脂膜を与えることができる感放射線樹脂組成物およびこの感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を備える電子部品に関する。
 有機EL素子や液晶表示素子などの各種表示素子、集積回路素子、固体撮像素子、カラーフィルター、ブラックマトリックス等の電子部品には、その劣化や損傷を防止するための保護膜、素子表面や配線を平坦化するための平坦化膜、電気絶縁性を保つための電気絶縁膜等として種々の樹脂膜が設けられている。また、有機EL素子には、発光体部を分離するために画素分離膜としての樹脂膜が設けられており、さらに、薄膜トランジスタ型液晶用の表示素子や集積回路素子等の素子には、層状に配置される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜としての樹脂膜が設けられている。
 従来、これらの樹脂膜を形成するための樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材料が汎用されていた。近年においては、配線やデバイスの高密度化に伴い、これらの樹脂材料にも、低誘電性等の電気特性に優れた新しい樹脂材料の開発が求められている。
 これらの要求に対応するため、例えば、特許文献1には、環状オレフィン系重合体、架橋剤、感放射線化合物、フェノール系老化防止剤及び非フェノール系老化防止剤を含有してなる感放射線樹脂組成物が開示されている。しかしながら、この特許文献1に記載の感放射線樹脂組成物によれば、酸化性雰囲気で焼成した後も高い透明性を有する樹脂膜を得ることができるものの、得られる樹脂膜は、放射線に対する露光感度が低く、そのため、生産性の向上という観点より、改善が望まれていた。
特開2005-292278号公報
 本発明は、露光感度が高く、焼成後の形状保持性に優れ、酸化性雰囲気で焼成した後も高い透明性を有する樹脂膜を与えることができる感放射線樹脂組成物、および、このような感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を備える電子部品を提供することを目的とする。
 本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、バインダー樹脂、感放射線化合物、および架橋剤とともに、特定の2種類の酸化防止剤、具体的には、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤と、硫黄含有フェノール系酸化防止剤とを併用して配合することにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
 すなわち、本発明によれば、
〔1〕バインダー樹脂(A)、感放射線化合物(B)、架橋剤(C)、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)、硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)を含有してなる感放射線樹脂組成物、
〔2〕酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(F)をさらに含有する前記〔1〕に記載の感放射線樹脂組成物、
〔3〕前記硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)が、硫黄原子を含有するヒンダードフェノール系酸化防止剤、硫黄原子を含有するセミヒンダードフェノール系酸化防止剤、および硫黄原子を含有するレスヒンダードフェノール系酸化防止剤から選択される少なくとも一種である前記〔1〕または〔2〕に記載の感放射線樹脂組成物、
〔4〕前記バインダー樹脂(A)100重量部に対する、前記硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)の含有量が、0.1~20重量部であり、前記バインダー樹脂(A)100重量部に対する、前記硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)の含有量が、0.1~15重量部である前記〔1〕~〔3〕のいずれかに記載の感放射線樹脂組成物、
〔5〕前記感放射線化合物(B)が、アジド化合物である前記〔1〕~〔4〕のいずれかに記載の感放射線樹脂組成物、
〔6〕前記〔1〕~〔5〕のいずれかに記載の感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を備える電子部品、ならびに、
〔7〕前記感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、前記樹脂膜をパターン化した後に、酸化雰囲気で焼成する工程を経て製造される前記〔6〕に記載の電子部品、
が提供される。
 本発明によれば、露光感度が高く、焼成後の形状保持性に優れ、酸化性雰囲気で焼成した後も高い透明性を有する樹脂膜を与えることができる感放射線樹脂組成物、および該感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を備える電子部品を提供することができる。
 本発明の感放射線樹脂組成物は、バインダー樹脂(A)、感放射線化合物(B)、架橋剤(C)、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)、硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)を含有してなる。
(バインダー樹脂(A))
  本発明で用いるバインダー樹脂(A)としては、特に限定されないが、プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体(A1)、アクリル樹脂(A2)、カルド樹脂(A3)、ポリシロキサン(A4)またはポリイミド(A5)であることが好ましく、これらの中でも、プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体(A1)が特に好ましい。 これらのバインダー樹脂(A)は、それぞれ単独で用いてもよく、または2種以上を併用してもよい。
  プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体(A1)(以下、単に「環状オレフィン重合体(A1)」とする。)としては、1または2以上の環状オレフィン単量体の重合体、または、1または2以上の環状オレフィン単量体と、これと共重合可能な単量体との共重合体が挙げられるが、本発明においては、環状オレフィン重合体(A1)を形成するための単量体として、少なくともプロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)を用いることが好ましい。
  ここで、プロトン性極性基とは、周期律表第15族又は第16族に属する原子に水素原子が直接結合している原子を含む基をいう。周期律表第15族または第16族に属する原子のなかでも、周期律表第15族または第16族の第1または第2周期に属する原子が好ましく、より好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子であり、特に好ましくは酸素原子である。
  このようなプロトン性極性基の具体例としては、水酸基、カルボキシ基(ヒドロキシカルボニル基)、スルホン酸基、リン酸基等の酸素原子を有する極性基;第一級アミノ基、第二級アミノ基、第一級アミド基、第二級アミド基(イミド基)等の窒素原子を有する極性基;チオール基等の硫黄原子を有する極性基;等が挙げられる。これらの中でも、酸素原子を有するものが好ましく、より好ましくはカルボキシ基である。 本発明において、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂に結合しているプロトン性極性基の数に特に限定はなく、また、相異なる種類のプロトン性極性基が含まれていてもよい。
  プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)(以下、適宜、「単量体(a)」という。)の具体例としては、2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-カルボキシメチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-メトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-エトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-プロポキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ブトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ペンチルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ヘキシルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-シクロヘキシルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-フェノキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ナフチルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ビフェニルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ベンジルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-2-ヒドロキシエトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2,3-ジヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-エトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-プロポキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ペンチルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-フェノキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ナフチルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ビフェニルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ベンジルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ヒドロキシエトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニル-3-ヒドロキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、3-メチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、3-ヒドロキシメチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-3,8-ジエン、4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4,5-ジヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-カルボキシメチル-4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、N-(ヒドロキシカルボニルメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(ヒドロキシカルボニルエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(ヒドロキシカルボニルペンチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(ジヒドロキシカルボニルエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(ジヒドロキシカルボニルプロピル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(ヒドロキシカルボニルフェネチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-(4-ヒドロキシフェニル)-1-(ヒドロキシカルボニル)エチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(ヒドロキシカルボニルフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等のカルボキシ基含有環状オレフィン;2-(4-ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-(4-ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、4-(4-ヒドロキシフェニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-(4-ヒドロキシフェニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、2-ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ヒドロキシエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-ヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2,3-ジヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-(ヒドロキシエトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-(ヒドロキシエトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-(1-ヒドロキシ-1-トリフルオロメチル-2,2,2-トリフルオロエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-(2-ヒドロキシ-2-トリフルオロメチル-3,3,3-トリフルオロプロピル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、3-ヒドロキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-4,8-ジエン、3-ヒドロキシメチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-4,8-ジエン、4-ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-ヒドロキシメチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4,5-ジヒドロキシメチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-(ヒドロキシエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-(ヒドロキシエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、N-(ヒドロキシエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、等の水酸基含有環状オレフィン等が挙げられる。これらのなかでも、得られる樹脂膜の密着性が高くなるという点より、カルボキシ基含有環状オレフィンが好ましく、4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エンが特に好ましい。これら単量体(a)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
  環状オレフィン重合体(A1)中における、単量体(a)の単位の含有割合は、全単量体単位に対して、好ましくは10~90モル%である。単量体(a)の単位の含有割合が少なすぎると、本発明の樹脂組成物に感放射線性化合物を添加した際における、感放射線性が不十分となったり、現像時に溶解残渣が発生したりするおそれがあり、多すぎると、環状オレフィン重合体(A1)の極性溶剤への溶解性が不十分となるおそれがある。
  また、本発明で用いる環状オレフィン重合体(A1)は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)と、これと共重合可能な単量体(b)とを共重合して得られる共重合体であってもよい。このような共重合可能な単量体としては、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(b1)、極性基を持たない環状オレフィン単量体(b2)、および環状オレフィン以外の単量体(b3)(以下、適宜、「単量体(b1)」、「単量体(b2)」、「単量体(b3)」という。)が挙げられる。
  プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(b1)としては、たとえば、N-置換イミド基、エステル基、シアノ基、酸無水物基またはハロゲン原子を有する環状オレフィンが挙げられる。
  N-置換イミド基を有する環状オレフィンとしては、たとえば、下記式(1)で表される単量体、または下記式(2)で表される単量体が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
(上記式(1)中、Rは水素原子もしくは炭素数1~16のアルキル基またはアリール基を表す。nは1ないし2の整数を表す。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
(上記式(2)中、Rは炭素数1~3の2価のアルキレン基、Rは、炭素数1~10の1価のアルキル基、または、炭素数1~10の1価のハロゲン化アルキル基を表す。)
  上記式(1)中において、Rは炭素数1~16のアルキル基又はアリール基であり、アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基、n-ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-デシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、n-トリデシル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、n-ヘキサデシル基等の直鎖アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、ボルニル基、イソボルニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、アダマンチル基等の環状アルキル基;2-プロピル基、2-ブチル基、2-メチル-1-プロピル基、2-メチル-2-プロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、1-メチルペンチル基、1-エチルブチル基、2-メチルヘキシル基、2-エチルヘキシル基、4-メチルヘプチル基、1-メチルノニル基、1-メチルトリデシル基、1-メチルテトラデシル基などの分岐状アルキル基;などが挙げられる。また、アリール基の具体例としては、ベンジル基などが挙げられる。これらの中でも、耐熱性および極性溶剤への溶解性により優れることから、炭素数6~14のアルキル基およびアリール基が好ましく、炭素数6~10のアルキル基およびアリール基がより好ましい。炭素数が4以下であると極性溶剤への溶解性に劣り、炭素数が17以上であると耐熱性に劣り、さらに樹脂膜をパターン化した場合に、熱により溶融しパターンを消失してしまうという問題がある。
  上記式(1)で表される単量体の具体例としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-フェニル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-ブチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-シクロヘキシルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-アダマンチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルブチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-メチルブチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルペンチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-メチルペンチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-エチルブチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-エチルブチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-メチルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(3-メチルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-ブチルペンチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-ブチルペンチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルヘプチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-メチルヘプチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(3-メチルヘプチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(4-メチルヘプチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-エチルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-エチルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(3-エチルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-プロピルペンチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-プロピルペンチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルオクチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-メチルオクチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(3-メチルオクチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(4-メチルオクチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-エチルヘプチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-エチルヘプチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(3-エチルヘプチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(4-エチルヘプチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-プロピルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-プロピルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(3-プロピルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルノニル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-メチルノニル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(3-メチルノニル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(4-メチルノニル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(5-メチルノニル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-エチルオクチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(2-エチルオクチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(3-エチルオクチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(4-エチルオクチル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルデシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルドデシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルウンデシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルドデシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルトリデシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルテトラデシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(1-メチルペンタデシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-フェニル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン-4,5-ジカルボキシイミド、N-(2,4-ジメトキシフェニル)-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン-4,5-ジカルボキシイミド等が挙げられる。なお、これらはそれぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
  一方、上記式(2)において、Rは炭素数1~3の2価のアルキレン基であり、炭素数1~3の2価のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基およびイソプロピレン基が挙げられる。これらの中でも、重合活性が良好であるため、メチレン基およびエチレン基が好ましい。
  また、上記式(2)において、Rは、炭素数1~10の1価のアルキル基、または、炭素数1~10の1価のハロゲン化アルキル基である。炭素数1~10の1価のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ヘキシル基およびシクロヘキシル基などが挙げられる。炭素数1~10の1価のハロゲン化アルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基およびパーフルオロペンチル基などが挙げられる。これら中でも、極性溶剤への溶解性に優れるため、Rとしては、メチル基またはエチル基が好ましい。
  なお、上記式(1)、(2)で表される単量体は、たとえば、対応するアミンと、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物とのイミド化反応により得ることができる。また、得られた単量体は、イミド化反応の反応液を公知の方法で分離・精製することにより効率よく単離できる。
  エステル基を有する環状オレフィンとしては、例えば、2-アセトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-アセトキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-エトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-プロポキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-エトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-プロポキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-(2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-(2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メトキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-8-エン、2-エトキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-8-エン、2-プロポキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-8-エン、4-アセトキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-(2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-(2,2,2-トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン等が挙げられる。
  シアノ基を有する環状オレフィンとしては、例えば、4-シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4,5-ジシアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、2-シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-メチル-2-シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2,3-ジシアノビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、等が挙げられる。
  酸無水物基を有する環状オレフィンとしては、例えば、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン-4,5-ジカルボン酸無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボン酸無水物、2-カルボキシメチル-2-ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン無水物、等が挙げられる。
  ハロゲン原子を有する環状オレフィンとしては、例えば、2-クロロビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-クロロメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、2-(クロロフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン、4-クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン、4-メチル-4-クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン等が挙げられる。
  これら単量体(b1)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
  極性基を持たない環状オレフィン単量体(b2)としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン(「ノルボルネン」ともいう。)、5-エチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、5-ブチル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、5-エチリデン-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、5-メチリデン-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、5-ビニル-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-2-エン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ-3,8-ジエン(慣用名:ジシクロペンタジエン)、テトラシクロ[10.2.1.02,11.04,9]ペンタデカ-4,6,8,13-テトラエン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン(「テトラシクロドデセン」ともいう。)、9-メチル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-エチル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-メチリデン-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-エチリデン-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-ビニル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、9-プロペニル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10.04,8]ペンタデカ-5,12-ジエン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、インデン、3a,5,6,7a-テトラヒドロ-4,7-メタノ-1H-インデン、9-フェニル-テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-4-エン、テトラシクロ[9.2.1.02,10.03,8]テトラデカ-3,5,7,12-テトラエン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10.04,8]ペンタデカ-12-エン等が挙げられる。これら単量体(b2)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
  環状オレフィン以外の単量体(b3)の具体例としては、エチレン;プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、3-メチル-1-ブテン、3-メチル-1-ペンテン、3-エチル-1-ペンテン、4-メチル-1-ペンテン、4-メチル-1-ヘキセン、4,4-ジメチル-1-ヘキセン、4,4-ジメチル-1-ペンテン、4-エチル-1-ヘキセン、3-エチル-1-ヘキセン、1-オクテン、1-デセン、1-ドデセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセン、1-エイコセン等の炭素数2~20のα-オレフィン;1,4-ヘキサジエン、1,5-ヘキサジエン、4-メチル-1,4-ヘキサジエン、5-メチル-1,4-ヘキサジエン、1,7-オクタジエン等の非共役ジエン、及びこれらの誘導体;等が挙げられる。これらの中でも、α-オレフィンが好ましい。これら単量体(b3)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
  これら単量体(b1)~(b3)のなかでも、本発明の効果がより一層顕著となるという観点より、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(b1)が好ましく、N-置換イミド基を有する環状オレフィンが特に好ましい。
  環状オレフィン重合体(A1)中における、共重合可能な単量体(b)の単位の含有割合は、全単量体単位に対して、好ましくは10~90モル%である。共重合可能な単量体(b)の単位の含有割合が少なすぎると、環状オレフィン重合体(A1)の極性溶剤への溶解性が不十分となるおそれがあり、多すぎると、本発明の樹脂組成物に感放射線性化合物を添加した際における、感放射線性が不十分となったり、現像時に溶解残渣が発生したりするおそれがある。
  なお、本発明においては、プロトン性極性基を有しない環状オレフィン系重合体に、公知の変性剤を利用してプロトン性極性基を導入することで、環状オレフィン重合体(A1)としてもよい。プロトン性極性基を有しない重合体は、上述した単量体(b1)および(b2)のうち少なくとも一種と、必要に応じて単量体(b3)とを任意に組み合わせて重合することによって得ることができる。
  なお、本発明で用いる環状オレフィン重合体(A1)は、上述した単量体を開環重合させた開環重合体であってもよいし、あるいは、上述した単量体を付加重合させた付加重合体であってもよいが、本発明の効果がより一層顕著になるという点より、開環重合体であることが好ましい。
  開環重合体は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)および必要に応じて用いられる共重合可能な単量体(b)を、メタセシス反応触媒の存在下に開環メタセシス重合することにより製造することができる。製造方法としては、たとえば、国際公開第2010/110323号の[0039]~[0079]に記載されている方法等を用いることができる。 一方、付加重合体は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)および必要に応じて用いられる共重合可能な単量体(b)を、公知の付加重合触媒、例えば、チタン、ジルコニウム又はバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒を用いて重合させて得ることができる。
  また、本発明で用いる環状オレフィン重合体(A1)が、開環重合体である場合には、さらに水素添加反応を行い、主鎖に含まれる炭素-炭素二重結合が水素添加された水素添加物とすることが好ましい。環状オレフィン重合体(A1)が水素添加物である場合における、水素化された炭素-炭素二重結合の割合(水素添加率)は、通常50%以上であり、耐熱性の観点から、70%以上であるのが好ましく、90%以上であるのがより好ましく、95%以上であるのがさらに好ましい。
  また、本発明で使用するアクリル樹脂(A2)は、特に限定されないが、アクリル基を有するカルボン酸、アクリル基を有するカルボン酸無水物、またはエポキシ基含有アクリレート化合物およびオキセタン基含有アクリレート化合物から選ばれる少なくとも1つを必須成分とする単独重合体または共重合体が好ましい。
  アクリル基を有するカルボン酸の具体例としては、(メタ)アクリル酸〔アクリル酸および/またはメタクリル酸の意。以下、メチル(メタ)アクリレートなども同様。〕、クロトン酸、マイレン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、グルタコン酸、フタル酸モノ-(2-((メタ)アクリロイルオキシ)エチル)、N-(カルボキシフェニル)マレイミド、N-(カルボキシフェニル)(メタ)アクリルアミド等が挙げられる。アクリル基を有するカルボン酸無水物の具体例としては、無水マレイン酸、シトラコン酸無水物等が挙げられる。
  エポキシ基含有アクリレート化合物の具体例としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α-エチルアクリル酸グリシジル、α-n-プロピルアクリル酸グリシジル、α-n-ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸-3,4-エポキシブチル、メタクリル酸-3,4-エポキシブチル、アクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、メタクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、α-エチルアクリル酸-6,7-エポキシヘプチル、アクリル酸-3,4-エポキシシクロヘキシルメチル、メタクリル酸-3,4-エポキシシクロヘキシルメチル等が挙げられる。
  オキセタン基含有アクリレート化合物の具体例としては、(メタ)アクリル酸(3-メチルオキセタン-3-イル)メチル、(メタ)アクリル酸(3-エチルオキセタン-3-イル)メチル、(メタ)アクリル酸(3-メチルオキセタン-3-イル)エチル、(メタ)アクリル酸(3-エチルオキセタン-3-イル)エチル、(メタ)アクリル酸(3-クロロメチルオキセタン-3-イル)メチル、(メタ)アクリル酸(オキセタン-2-イル)メチル、(メタ)アクリル酸(2-メチルオキセタン-2-イル)メチル、(メタ)アクリル酸(2-エチルオキセタン-2-イル)メチル、(1-メチル-1-オキセタニル-2-フェニル)-3-(メタ)アクリレート、(1-メチル-1-オキセタニル)-2-トリフロロメチル-3-(メタ)アクリレート、及び(1-メチル-1-オキセタニル)-4-トリフロロメチル-2-(メタ)アクリレート等が挙げられる。これらのうち、(メタ)アクリル酸、無水マレイン酸、(メタ)アクリル酸グリシジル、メタクリル酸-6,7-エポキシヘプチル等が好ましい。
  アクリル樹脂(A2)は、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物およびエポキシ基含有不飽和化合物から選ばれる少なくとも一つと、その他のアクリレート系単量体またはアクリレート以外の共重合可能な単量体との共重合体であってもよい。
  その他のアクリレート系単量体としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t-ブチル(メタ)アクリレート、アミル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート;ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;フェノキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピル(メタ)アクリレート等のフェノキシアルキル(メタ)アクリレート;2-メトキシエチル(メタ)アクリレート、2-エトキシエチル(メタ)アクリレート、2-プロポキシエチル(メタ)アクリレート、2-ブトキシエチル(メタ)アクリレート、2-メトキシブチル(メタ)アクリレート等のアルコキシアルキル(メタ)アクリレート;ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート等のポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート;シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2-メチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、4-ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、1 - アダマンチル(メタ)アクリレート、2-メチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレート、2-エチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.0 2 , 6 ]デカン-8-イル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.0 2 , 6 ]-3-デセン-8-イル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.0 2 , 6 ]-3-デセン-9-イル(メタ)アクリレート、ボルニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のシクロアルキル(メタ)アクリレート;フェニル(メタ)アクリレート、ナフチル(メタ)アクリレート、ビフェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、5 - テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルペンチル( メタ) アクリレート、(メタ)アクリル酸ビニル、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸2-(2-ビニルオキシエトキシ)エチル、2-[トリシクロ[5.2.1.0 2 , 6 ]デカン-8-イルオキシ]エチル(メタ)アクリレート、2-[トリシクロ[5.2.1.0 2 , 6 ]-3-デセン-8-イルオキシ]エチル(メタ)アクリレート、2-[トリシクロ[5.2.1.0 2 , 6 ] -3-デセン-9-イルオキシ]エチル(メタ)アクリレート、γ-ブチロラクトン(メタ)アクリレート、マレイミド、N-メチルマレイミド、N-エチルマレイミド、N-ブチルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-ベンジルマレイミド、N-フェニルマレイミド、N-(2 ,6-ジエチルフェニル)マレイミド、N-(4-アセチルフェニル) マレイミド、N -(4-ヒドロキシフェニル) マレイミド、N-(4-アセトキシフェニル)マレイミド、N-(4-ジメチルアミノ-3,5-ジニトロフェニル)マレイミド、N-(1-アニリノナフチル-4)マレイミド、N-[4-(2-ベンズオキサゾリル)フェニル]マレイミド、N-(9-アクリジニル)マレイミド等;が挙げられる。これらのなかでも、メチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2-メチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.0 2 , 6 ]デカン-8-イル(メタ)アクリレート、N-フェニルマレイミドおよびN-シクロヘキシルマレイミド等が好ましい。
  アクリレート以外の共重合可能な単量体としては、上記アクリル基を有するカルボン酸、アクリル基を有するカルボン酸無水物またはエポキシ基含有アクリレート化合物と共重合可能な化合物ならば特に制限はないが、例えば、ビニルベンジルメチルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエン、インデン、ビニルナフタレン、ビニルビフェニル、クロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレン、p-tert-ブトキシスチレン、p-ヒドロキシスチレン、p-ヒドロキシ-α-メチルスチレン、p-アセトキシスチレン、p-カルボキシスチレン、4-ヒドロキシフェニルビニルケトン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、(メタ)アクリルアミド、1,2-エポキシ-4-ビニルシクロヘキサン、イソブテン、ノルボルネン、ブタジエン、イソプレン等のラジカル重合性化合物が挙げられる。これらの化合物は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記単量体の重合方法は、常法に従えばよく、例えば、懸濁重合法,乳化重合法,溶液重合法等が採用される。
  本発明で用いるカルド樹脂(A3)は、カルド構造、すなわち、環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造、を有する樹脂である。カルド構造の一般的なものはフルオレン環にベンゼン環が結合したものである。
  環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造の具体例としては、フルオレン骨格、ビスフェノールフルオレン骨格、ビスアミノフェニルフルオレン骨格、エポキシ基を有するフルオレン骨格、アクリル基を有するフルオレン骨格等が挙げられる。
  本発明で用いるカルド樹脂(A3)は、このカルド構造を有する骨格がそれに結合している官能基間の反応等により重合して形成される。カルド樹脂(A3)は、主鎖と嵩高い側鎖が一つの元素で繋がれた構造(カルド構造)をもち、主鎖に対してほぼ垂直方向に環状構造を有している。
  カルド構造の一例として、エポキシグリシジルエーテル構造を有するカルド構造の例を、下記式(3)に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
  (上記式(3)中、nは0~10の整数である。)
  カルド構造を有する単量体は、例えば、ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン型エポキシ樹脂;ビスフェノールフルオレン型エポキシ樹脂とアクリル酸との縮合物;9,9-ビス(4-ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9-ビス(4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル)フルオレン等のカルド構造含有ビスフェノ-ル類;9,9-ビス(シアノメチル)フルオレン等の9,9-ビス(シアノアルキル)フルオレン類;9,9-ビス(3-アミノプロピル)フルオレン等の9,9-ビス(アミノアルキル)フルオレン類;等が挙げられる。
  カルド樹脂(A3)は、カルド構造を有する単量体を重合して得られる重合体であるが、その他の共重合可能な単量体との共重合体であってもよい。
  上記単量体の重合方法は、常法に従えばよく、例えば、開環重合法や付加重合法等が採用される。
  本発明で用いるポリシロキサン(A4)としては、特に限定されないが、好ましくは下記式(4)で表されるオルガノシランの1種または2種以上を混合、反応させることによって得られる重合体が挙げられる。
    (R-Si-(OR4-m    (4)
  上記式(4)中、Rは水素原子、炭素数1~10のアルキル基、炭素数2~10のアルケニル基、または炭素数6~15のアリール基であり、複数のRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。なお、これらのアルキル基、アルケニル基、アリール基はいずれも置換基を有していてもよく、また置換基を有していない無置換体であってもよく、組成物の特性に応じて選択できる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ヘキシル基、n-デシル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、3,3,3-トリフルオロプロピル基、3-グリシドキシプロピル基、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチル基、3-アミノプロピル基、3-メルカプトプロピル基、3-イソシアネートプロピル基が挙げられる。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、3-アクリロキシプロピル基、3-メタクリロキシプロピル基が挙げられる。アリール基の具体例としては、フェニル基、トリル基、p-ヒドロキシフェニル基、1-(p-ヒドロキシフェニル)エチル基、2-(p-ヒドロキシフェニル)エチル基、4-ヒドロキシ-5-(p-ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ)ペンチル基、ナフチル基が挙げられる。
  また、上記式(4)中、Rは水素原子、炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアシル基、または炭素数6~15のアリール基であり、複数のRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。なお、これらのアルキル基、アシル基はいずれも置換基を有していてもよく、また置換基を有していない無置換体であってもよく、組成物の特性に応じて選択できる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基が挙げられる。アシル基の具体例としては、アセチル基が挙げられる。アリール基の具体例としてはフェニル基が挙げられる。
  さらに、上記式(4)中、mは0~3の整数であり、m=0の場合は4官能性シラン、m=1の場合は3官能性シラン、m=2の場合は2官能性シラン、m=3の場合は1官能性シランとなる。
  上記式(4)で表されるオルガノシランの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラフェノキシシランなどの4官能性シラン;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリn-ブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリn-ブトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、n-ブチルトリメトキシシラン、n-ブチルトリエトキシシラン、n-へキシルトリメトキシシラン、n-へキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、p-ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、1-(p-ヒドロキシフェニル)エチルトリメトキシシラン、2-(p-ヒドロキシフェニル)エチルトリメトキシシラン、4-ヒドロキシ-5-(p-ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ)ペンチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラン、3,3,3-トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシランなどの3官能性シラン;ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジn-ブチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシランなどの2官能性シラン;トリメチルメトキシシラン、トリn-ブチルエトキシシランなどの1官能性シラン;が挙げられる。
  これらのオルガノシランのうち、得られる樹脂膜の耐クラック性や硬度の点から3官能性シランが好ましく用いられる。これらのオルガノシランは単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
  本発明で用いるポリシロキサン(A4)は、上述のオルガノシランを加水分解および部分縮合させることにより得られる。加水分解および部分縮合には一般的な方法を用いることができる。例えば、混合物に溶媒、水、必要に応じて触媒を添加し、加熱攪拌する。攪拌中、必要に応じて蒸留によって加水分解副生物(メタノールなどのアルコール)や縮合副生物(水)を留去してもよい。
  本発明で用いるポリイミド(A5)は、テトラカルボン酸無水物とジアミンを反応させて得たポリイミド前駆体を熱処理することで得ることができる。ポリイミドを得るための前駆体としては、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイソイミド、ポリアミド酸スルホンアミド等が挙げられる。
  本発明で用いるポリイミド(A5)は公知の方法によって合成される。すなわち、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを選択的に組み合わせ、これらをN-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ-ブチロラクトン、シクロペンタノン等の極性溶媒中で反応させる等、公知の方法によって合成される。
  ジアミンを過剰に用いて重合した際、生成したポリイミド(A5)の末端アミノ基にカルボン酸無水物を反応させ、末端アミノ基を保護することができる。また、テトラカルボン酸無水物を過剰に用いて重合した際、生成したポリイミド(A5)の末端酸無水物基にアミン化合物を反応させ、末端酸無水物基を保護することもできる。
  このようなカルボン酸無水物の例としてはフタル酸無水物、トリメリット酸無水物、無水マレイン酸、ナフタル酸無水物、水素化フタル酸無水物、メチル-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物、無水イタコン酸、テトラヒドロフタル酸無水物等を、アミン化合物の例としてはアニリン、2-ヒドロキシアニリン、3-ヒドロキシアニリン、4-ヒドロキシアニリン、2-エチニルアニリン、3-エチニルアニリン、4-エチニルアニリン等を挙げることができる。
  本発明で使用されるバインダー樹脂(A)の重量平均分子量(Mw)は、通常、1,000~1,000,000、好ましくは1,500~100,000、より好ましくは2,000~10,000の範囲である。
  また、バインダー樹脂(A)の分子量分布は、重量平均分子量/数平均分子量(Mw/Mn)比で、通常、4以下、好ましくは3以下、より好ましくは2.5以下である。
  バインダー樹脂(A)の重量平均分子量(Mw)や分子量分布(Mw/Mn)は、テトラヒドロフラン等の溶媒を溶離液としたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)により、ポリスチレン換算値として求められる値である。
(感放射線化合物(B))
  感放射線化合物(B)は、紫外線や電子線等の放射線の照射により、化学反応を引き起こすことのできる化合物である。本発明において感放射線化合物(B)は、樹脂組成物から形成されてなる樹脂膜のアルカリ溶解性を制御できるものが好ましく、特に、光酸発生剤を使用することが好ましい。
  このような感放射線化合物(B)としては、例えば、アセトフェノン化合物、トリアリールスルホニウム塩、キノンジアジド化合物等のアジド化合物等が挙げられるが、好ましくはアジド化合物、特に好ましくはキノンジアジド化合物である。
  キノンジアジド化合物としては、例えば、キノンジアジドスルホン酸ハライドとフェノール性水酸基を有する化合物とのエステル化合物を用いることができる。キノンジアジドスルホン酸ハライドの具体例としては、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロライド、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸クロライド、1,2-ベンゾキノンジアジド-5-スルホン酸クロライド等が挙げられる。フェノール性水酸基を有する化合物の代表例としては、1,1,3-トリス(2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)-3-フェニルプロパン、4,4’-[1-[4-[1-[4-ヒドロキシフェニル]-1-メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール等が挙げられる。これら以外のフェノール性水酸基を有する化合物としては、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’-テトラヒドロキシベンゾフェノン、2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパン、トリス(4-ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1-トリス(4-ヒドロキシ-3-メチルフェニル)エタン、1,1,2,2-テトラキス(4-ヒドロキシフェニル)エタン、ノボラック樹脂のオリゴマー、フェノール性水酸基を1つ以上有する化合物とジシクロペンタジエンとを共重合して得られるオリゴマー等が挙げられる。
  また、光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物の他、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、α,α’-ビス(スルホニル)ジアゾメタン系化合物、α-カルボニル-α’-スルホニルジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等、公知のものを用いることができる。
  これらの感放射線化合物は、それぞれ単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
 本発明の感放射線樹脂組成物中における感放射線化合物(B)の含有量は、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは10~100重量部であり、より好ましくは15~70重量部、さらに好ましくは20~50重量部である。感放射線化合物(B)の含有量をこの範囲とすることにより、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜の露光感度、焼成後の形状保持性、および透明性をより良好なものとすることができる。
(架橋剤(C))
  本発明で用いる架橋剤(C)は、加熱により架橋剤分子間に架橋構造を形成するものや、バインダー樹脂(A)と反応して樹脂分子間に架橋構造を形成するものであり、具体的には、2以上の反応性基を有する化合物が挙げられる。このような反応性基としては、例えば、アミノ基、カルボキシ基、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、より好ましくはアミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基であり、アミノ基及びエポキシ基が特に好ましい。
 架橋剤(C)の分子量は、特に限定されないが、通常、100~100,000、好ましくは300~50,000、より好ましくは500~10,000である。架橋剤(C)は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができ、特に、2種以上組み合わせて用いることにより、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜の露光感度、焼成後の形状保持性、および透明性をより良好なものとすることができる。
  架橋剤(C)の具体例としては、ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ポリアミン類;4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルフォン等の芳香族ポリアミン類;2,6-ビス(4’-アジドベンザル)シクロヘキサノン、4,4’-ジアジドジフェニルスルフォン等のアジド類;ナイロン、ポリヘキサメチレンジアミンテレレフタルアミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミド等のポリアミド類;N,N,N’,N’,N’’,N’’-(ヘキサアルコキシアルキル)メラミン等のメチロール基やイミノ基等を有していてもよいメラミン類(商品名「サイメル303、サイメル325、サイメル370、サイメル232、サイメル235、サイメル272、サイメル212、マイコート506」{以上、サイテックインダストリーズ社製}等のサイメルシリーズ、マイコートシリーズ);N,N’,N’’,N’’’-(テトラアルコキシアルキル)グリコールウリル等のメチロール基やイミノ基等を有していてもよいグリコールウリル類(商品名「サイメル1170」{以上、サイテックインダストリーズ社製}等のサイメルシリーズ);エチレングリコールジ(メタ)アクリレート等のアクリレート化合物;ヘキサメチレンジイソシアネート系ポリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート系ポリイソシアネート、トリレンジイソシアネート系ポリイソシアネート、水添ジフェニルメタンジイソシアネート等のイソシアネート系化合物;1,4-ジ-(ヒドロキシメチル)シクロヘキサン、1,4-ジ-(ヒドロキシメチル)ノルボルナン;1,3,4-トリヒドロキシシクロヘキサン;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ポリフェノール型エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族グリシジルエーテル、エポキシアクリレート重合体等のエポキシ化合物;を挙げることができる。
  エポキシ化合物の具体例としては、ジシクロペンタジエンを骨格とする3官能性のエポキシ化合物(商品名「XD-1000」、日本化薬社製)、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)1-ブタノールの1,2-エポキシ-4-(2-オキシラニル)シクロヘキサン付加物(シクロヘキサン骨格及び末端エポキシ基を有する15官能性の脂環式エポキシ樹脂、商品名「EHPE3150」、ダイセル化学工業社製)、エポキシ化3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸ビス(3-シクロヘキセニルメチル)修飾ε-カプロラクトン(脂肪族環状3官能性のエポキシ樹脂、商品名「エポリードGT301」、ダイセル化学工業社製)、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス(3-シクロヘキセニルメチル)修飾ε-カプロラクトン(脂肪族環状4官能性のエポキシ樹脂、商品名「エポリードGT401」、ダイセル化学工業社製)、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3’,4’-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート(商品名「セロキサイド2021」、「セロキサイド2021P」、ダイセル化学工業社製)、1,2:8,9-ジエポキシリモネン(商品名「セロキサイド3000」、ダイセル化学工業社製)、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(商品名「Z-6043」、東レ・ダウコーニング社製)等の脂環構造を有するエポキシ化合物;
  芳香族アミン型多官能エポキシ化合物(商品名「H-434」、東都化成工業社製)、イソシアヌル酸トリス(2,3-エポキシプロピル)(トリアジン骨格を有する多官能エポキシ化合物、商品名「TEPIC」、日産化学工業社製)、クレゾールノボラック型多官能エポキシ化合物(商品名「EOCN-1020」、日本化薬社製)、フェノールノボラック型多官能エポキシ化合物(エピコート152、154、ジャパンエポキシレジン社製)、ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ化合物(商品名EXA-4700、DIC株式会社製)、鎖状アルキル多官能エポキシ化合物(商品名「SR-TMP」、阪本薬品工業株式会社製)、多官能エポキシポリブタジエン(商品名「エポリードPB3600」、ダイセル化学工業社製)、グリセリンのグリシジルポリエーテル化合物(商品名「SR-GLG」、阪本薬品工業株式会社製)、ジグリセリンポリグリシジルエーテル化合物(商品名「SR-DGE」、阪本薬品工業株式会社製、ポリグリセリンポリグリシジルエーテル化合物(商品名「SR-4GL」、阪本薬品工業株式会社製)、グリシドキシプロピルトリメチルシラン(商品名「Z-6040」、東レ・ダウコーニング社製)等の脂環構造を有さないエポキシ化合物;を挙げることができる。
  本発明の感放射線性樹脂組成物中における架橋剤(C)の含有量は、格別制限されず、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜に求められる耐熱性の程度を考慮して任意に設定すればよいが、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、通常、5~80重量部、好ましくは20~75重量部、より好ましくは25~70重量部である。架橋剤(C)が多すぎても少なすぎても耐熱性が低下する傾向がある。
(硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D))
 また、本発明の感放射線樹脂組成物は、上述したバインダー樹脂(A)、感放射線化合物(B)および架橋剤(C)に加えて、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)を含有する。
 硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤は、硫黄原子を実質的に含有しないセミヒンダードフェノール系の酸化防止剤、すなわち、フェノール構造を有し、硫黄原子を実質的に含有しておらず、かつ、フェノール構造を構成するOH基(フェノール性水酸基)のオルト位の一方が、嵩高の基(たとえば、t-ブチル基)であり、他方がメチル基である酸化防止剤である。
 また、硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤は、硫黄原子を実質的に含有しないレスヒンダードフェノール系の酸化防止剤、すなわち、フェノール構造を有し、硫黄原子を実質的に含有しておらず、かつ、フェノール構造を構成するOH基(フェノール性水酸基)のオルト位の一方が、嵩高の基(たとえば、t-ブチル基)であり、他方が水素である酸化防止剤である。なお、本発明においては、「硫黄非含有」とは、実質的に硫黄原子を含有していないことを意味するものであり、たとえば、不純物量程度であれば含有していても差支えない。
 硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤の具体例としては、例えば、3,9-ビス[2-{3-(3-ターシャリーブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオニルオキシ}-1,1-ジメチルエチル]-2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン(例えば、商品名「アデカスタブAO-80」、ADEKA社製)、エチレンビス(オキシエチエレン)ビス[3-(5-tert-ブチル-ヒドロキシ-m-トリル)プロピオネート](例えば、商品名「イルガノックス245」、BASF社製)、トリエチレングリコールビス[3-(3-tert-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオネート](例えば、商品名「アデカスタブAO-70」、ADEKA社製)などが挙げられる。
 また、硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤の具体例としては、例えば、1,1,3-トリス-(2-メチル-4-ヒドロキシ-5-ターシャリーブチルフェニル)ブタン(例えば、商品名「アデカスタブAO-30」、ADEKA社製)、4,4’-ブチリデンビス(6-t-ブチル-3-メチルフェノール)(例えば、商品名「アデカスタブAO-40」、ADEKA社製)、4,4’-チオビス(6-t-ブチル-3-メチルフェノール)(例えば、商品名「スミライザーWX-R」、住友化学社製)などが挙げられる。
 これらの硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤は、それぞれ単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
 本発明の感放射線樹脂組成物中における硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)の含有量は、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは0.1~20重量部、より好ましくは1~15重量部、さらに好ましくは2~10重量部である。架橋剤硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)の含有量をこの範囲とすることにより、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜の露光感度、焼成後の形状保持性、および透明性をより良好なものとすることができる。
(硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E))
 さらに、本発明の感放射線樹脂組成物は、上述したバインダー樹脂(A)、感放射線化合物(B)および架橋剤(C)、ならびに、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)に加えて、硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)を含有する。
 硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)は、硫黄原子を含有するフェノール系の酸化防止剤である。硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)の具体例としては、2,2-チオ-ジエチレンビス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート、4,4’-チオビス(6-t-ブチル-3-メチルフェノール)、2,4-ビス-(n-オクチルチオ)-6-(4-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-ブチルアニリノ)-1,3,5-トリアジン、2,4-ビス[(オクチルチオ)メチル]-オルト-クレゾール、4,6-ビス[(ドデシルチオ)メチル]-オルト-クレゾール、亜りん酸トリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)などが挙げられる。
 硫黄含有フェノール系酸化防止剤は、それぞれ単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらのなかでも、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜の露光感度、焼成後の形状保持性、および透明性の向上効果が高いという点より、硫黄原子を含有するヒンダードフェノール系酸化防止剤、硫黄原子を含有するセミヒンダードフェノール系酸化防止剤、および硫黄原子を含有するレスヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましい。
 本発明の感放射線樹脂組成物中における硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)の含有量は、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは0.1~15重量部、より好ましくは0.5~10重量部、さらに好ましくは1~5重量部である。硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)の含有量をこの範囲とすることにより、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜の露光感度、焼成後の形状保持性、および透明性をより良好なものとすることができる。
(酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(F))
 また、本発明の感放射線樹脂組成物は、上述した各成分に加えて、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(F)を含有していてもよい。酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物は、酸性基または加熱により酸性基を生じる熱潜在性酸性基を有するものであればよく、特に限定されないが、好ましくは脂肪族化合物、芳香族化合物、複素環化合物であり、さらに好ましくは芳香族化合物、複素環化合物である。 これらの酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(F)を配合することにより、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜の焼成後の形状保持性をより高めることができる。
  酸性基を有する化合物の酸性基の数は、特に限定されないが、2つ以上の酸性基を有するものが好ましい。酸性基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
  酸性基としては、酸性の官能基であればよく、その具体例としては、スルホン酸基、リン酸基等の強酸性基;カルボキシ基、チオール基およびカルボキシメチレンチオ基等の弱酸性基;が挙げられる。これらの中でも、カルボキシ基、チオール基またはカルボキシメチレンチオ基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。また、これらの酸性基の中でも、酸解離定数pKaが3.5以上5.0以下の範囲にあるものが好ましい。なお、酸性基が2つ以上ある場合は第一解離定数pKa1を酸解離定数とし、第一解離定数pKa1が上記範囲にあるものが好ましい。また、pKaは、希薄水溶液条件下で、酸解離定数Ka=[H][B]/[BH]を測定し、pKa=-logKaにしたがって、求められる。ここでBHは、有機酸を表し、Bは有機酸の共役塩基を表す。なお、pKaの測定方法は、例えばpHメータを用いて水素イオン濃度を測定し、該当物質の濃度と水素イオン濃度から算出することができる。
  また、酸性基を有する化合物は、酸性基以外の置換基を有していてもよい。
  このような置換基としては、アルキル基、アリール基等の炭化水素基のほか、ハロゲン原子;アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヘテロ環オキシ基;アルキル基又はアリール基又は複素環基で置換されたアミノ基、アシルアミノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基;アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基;等のプロトンを有しない極性基、これらのプロトンを有しない極性基で置換された炭化水素基、等を挙げることができる。
  このような酸性基を有する化合物(F)の具体例としては、メタン酸、エタン酸、プロパン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、グリコール酸、グリセリン酸、エタン二酸(「シュウ酸」ともいう。)、プロパン二酸(「マロン酸」ともいう。)、ブタン二酸(「コハク酸」ともいう。)、ペンタン二酸、ヘキサン二酸(「アジピン酸」ともいう。)、1、2―シクロヘキサンジカルボン酸、2-オキソプロパン酸、2-ヒドロキシブタン二酸、2-ヒドロキシプロパントリカルボン酸、メルカプトこはく酸、ジメルカプトこはく酸、2,3-ジメルカプト-1-プロパノール、1,2,3-トリメルカプトプロパン、2,3,4-トリメルカプト-1-ブタノール、2,4-ジメルカプト-1,3-ブタンジオール、1,3,4-トリメルカプト-2-ブタノール、3,4-ジメルカプト-1,2-ブタンジオール、1,5-ジメルカプト-3-チアペンタン等の脂肪族化合物;
  安息香酸、p-ヒドロキシベンゼンカルボン酸、o-ヒドロキシベンゼンカルボン酸、2-ナフタレンカルボン酸、メチル安息香酸、ジメチル安息香酸、トリメチル安息香酸、3-フェニルプロパン酸、ジヒドロキシ安息香酸、ジメトキシ安息香酸、ベンゼン-1,2-ジカルボン酸(「フタル酸」ともいう。)、ベンゼン-1,3-ジカルボン酸(「イソフタル酸」ともいう。)、ベンゼン-1,4-ジカルボン酸(「テレフタル酸」ともいう。)、ベンゼン-1,2,3-トリカルボン酸、ベンゼン-1,2,4-トリカルボン酸、ベンゼン-1,3,5-トリカルボン酸、ベンゼンヘキサカルボン酸、ビフェニル-2,2’-ジカルボン酸、2-(カルボキシメチル)安息香酸、3-(カルボキシメチル)安息香酸、4-(カルボキシメチル)安息香酸、2-(カルボキシカルボニル)安息香酸、3-(カルボキシカルボニル)安息香酸、4-(カルボキシカルボニル)安息香酸、2-メルカプト安息香酸、4-メルカプト安息香酸、ジフェノール酸、2-メルカプト-6-ナフタレンカルボン酸、2-メルカプト-7-ナフタレンカルボン酸、1,2-ジメルカプトベンゼン、1,3-ジメルカプトベンゼン、1,4-ジメルカプトベンゼン、1,4-ナフタレンジチオール、1,5-ナフタレンジチオール、2,6-ナフタレンジチオール、2,7-ナフタレンジチオール、1,2,3-トリメルカプトベンゼン、1,2,4-トリメルカプトベンゼン、1,3,5-トリメルカプトベンゼン、1,2,3-トリス(メルカプトメチル)ベンゼン、1,2,4-トリス(メルカプトメチル)ベンゼン、1,3,5-トリス(メルカプトメチル)ベンゼン、1,2,3-トリス(メルカプトエチル)ベンゼン、1,2,4-トリス(メルカプトエチル)ベンゼン、1,3,5-トリス(メルカプトエチル)ベンゼン等の芳香族化合物;
  ニコチン酸、イソニコチン酸、2-フロ酸、ピロール-2,3-ジカルボン酸、ピロール-2,4-ジカルボン酸、ピロール-2,5-ジカルボン酸、ピロール-3,4-ジカルボン酸、イミダゾール-2,4-ジカルボン酸、イミダゾール-2,5-ジカルボン酸、イミダゾール-4,5-ジカルボン酸、ピラゾール-3,4-ジカルボン酸、ピラゾール-3,5-ジカルボン酸等の窒素原子を含む五員複素環化合物;チオフェン-2,3-ジカルボン酸、チオフェン-2,4-ジカルボン酸、チオフェン-2,5-ジカルボン酸、チオフェン-3,4-ジカルボン酸、チアゾール-2,4-ジカルボン酸、チアゾール-2,5-ジカルボン酸、チアゾール-4,5-ジカルボン酸、イソチアゾール-3,4-ジカルボン酸、イソチアゾール-3,5-ジカルボン酸、1,2,4-チアジアゾール-2,5-ジカルボン酸、1,3,4-チアジアゾール-2,5-ジカルボン酸、3-アミノ-5-メルカプト-1,2,4-チアジアゾール、2-アミノ-5-メルカプト-1,3,4-チアジアゾール、3,5-ジメルカプト-1,2,4-チアジアゾール、2,5-ジメルカプト-1,3,4-チアジアゾール、3-(5-メルカプト-1,2,4-チアジアゾール-3-イルスルファニル)こはく酸、2-(5-メルカプト-1,3,4-チアジアゾール-2-イルスルファニル)こはく酸、(5-メルカプト-1,2,4-チアジアゾール-3-イルチオ)酢酸、(5-メルカプト-1,3,4-チアジアゾール-2-イルチオ)酢酸、3-(5-メルカプト-1,2,4-チアジアゾール-3-イルチオ)プロピオン酸、2-(5-メルカプト-1,3,4-チアジアゾール-2-イルチオ)プロピオン酸、3-(5-メルカプト-1,2,4-チアジアゾール-3-イルチオ)コハク酸、2-(5-メルカプト-1,3,4-チアジアゾール-2-イルチオ)コハク酸、4-(3-メルカプト-1,2,4-チアジアゾール-5-イル)チオブタンスルホン酸、4-(2-メルカプト-1,3,4-チアジアゾール-5-イル)チオブタンスルホン酸等の窒素原子と硫黄原子を含む五員複素環化合物;
  ピリジン-2,3-ジカルボン酸、ピリジン-2,4-ジカルボン酸、ピリジン-2,5-ジカルボン酸、ピリジン-2,6-ジカルボン酸、ピリジン-3,4-ジカルボン酸、ピリジン-3,5-ジカルボン酸、ピリダジン-3,4-ジカルボン酸、ピリダジン-3,5-ジカルボン酸、ピリダジン-3,6-ジカルボン酸、ピリダジン-4,5-ジカルボン酸、ピリミジン-2,4-ジカルボン酸、ピリミジン-2,5-ジカルボン酸、ピリミジン-4,5-ジカルボン酸、ピリミジン-4,6-ジカルボン酸、ピラジン-2,3-ジカルボン酸、ピラジン-2,5-ジカルボン酸、ピリジン-2,6-ジカルボン酸、トリアジン-2,4-ジカルボン酸、2-ジエチルアミノ-4,6-ジメルカプト-s-トリアジン、2-ジプロピルアミノ-4,6-ジメルカプト-s-トリアジン、2-ジブチルアミノ-4,6-ジメルカプト-s-トリアジン、2-アニリノ-4,6-ジメルカプト-s-トリアジン、2,4,6-トリメルカプト-s-トリアジン等の窒素原子を含む六員複素環化合物;が挙げられる。
  これらの中でも、得られる硬化膜の密着性をより高めることができるという観点から、酸性基の数は、2つ以上であることが好ましい。
  熱潜在性酸性基を有する化合物は、加熱により酸性の官能基を生じる基であればよく、その具体例としては、スルホニウム塩基、ベンゾチアゾリウム塩基、アンモニウム塩基、ホスホニウム塩基、ブロックカルボン酸基等が挙げられ、これらの中でも、スルホニウム塩基が好ましく、例えば、六フッ化リン系や六フッ化アンチモン系のスルホニウム塩基を用いることができる。このようなスルホニウム塩基としては、例えば、サンエイドSIシリーズ(100L,110L,150、180L、三新化学工業社製)等を用いることができる。
  本発明の感放射線樹脂組成物中における酸性基又は熱潜在性酸性基(F)を有する化合物の含有量は、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは0.1~50重量部、より好ましくは1~45重量部、さらに好ましくは2~40重量部、特に好ましくは3~30重量部の範囲である。酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(F)の使用量を上記範囲とすることで、得られる樹脂膜の焼成後の形状保持性を適切に高めることができる。
(その他の配合剤)
  本発明の感放射線性樹脂組成物には、さらに、溶剤が含有されていてもよい。溶剤としては、特に限定されず、樹脂組成物の溶剤として公知のもの、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、2-ヘキサノン、3-ヘキサノン、2-ヘプタノン、3-ヘプタノン、4-ヘプタノン、2-オクタノン、3-オクタノン、4-オクタノンなどの直鎖のケトン類;n-プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n-ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコールエーテル類;ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類;セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類;プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコール類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレングリコール類;γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、γ-カプリロラクトンなどの飽和γ-ラクトン類;トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N-メチルアセトアミドなどの極性溶媒などが挙げられる。これらの溶剤は、単独でも2種以上を組み合わせて用いてもよい。溶剤の含有量は、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは10~10000重量部、より好ましくは50~5000重量部、さらに好ましくは100~1000重量部の範囲である。なお、樹脂組成物に溶剤を含有させる場合には、溶剤は、通常、樹脂膜形成後に除去されることとなる。
  また、本発明の感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果が阻害されない範囲であれば、所望により、界面活性剤、カップリング剤またはその誘導体、増感剤、光安定剤、消泡剤、顔料、染料、フィラー等のその他の配合剤;等を含有していてもよい。これらのうち、たとえばカップリング剤又はその誘導体、増感剤、光安定剤は、特開2011-75609号公報に記載されたものなどを用いることができる。
  界面活性剤は、ストリエーション(塗布筋あと)の防止、現像性の向上等の目的で使用される。界面活性剤としては、例えば、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、ポリオキシアルキレン系界面活性剤、メタクリル酸共重合体系界面活性剤、アクリル酸共重合体系界面活性剤などを挙げることができる。
 シリコーン系界面活性剤としては、例えば、「SH28PA」、「SH29PA」、「SH30PA」、「ST80PA」、「ST83PA」、「ST86PA」、「SF8416」、「SH203」、「SH230」、「SF8419」、「SF8422」、「FS1265」、「SH510」、「SH550」、「SH710」、「SH6040」、「SH8400」、「SF8410」、「SH8700」、「SF8427」(以上、東レ・ダウコーニング株式会社製)、商品名「KP-321」、「KP-323」、「KP-324」、「KP-340」、「KP-341」(以上、信越化学工業株式会社製)、商品名「TSF400」、「TSF401」、「TSF410」、「TSF4440」、「TSF4445」、「TSF4450」、「TSF4446」、「TSF4452」、「TSF4460」(以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製)、商品名「BYK300」、「BYK301」、「BYK302」、「BYK306」、「BYK307」、「BYK310」、「BYK315」、「BYK320」、「BYK322」、「BYK323」、「BYK331」、「BYK333」、「BYK370」「BYK375」、「BYK377」、「BYK378」(以上、ビックケミー・ジャパン社製)などを挙げることができる。
 フッ素系界面活性剤としては、例えば、フロリナート「FC-430」、「FC-431」(以上、住友スリーエム株式会社製)、サーフロン「S-141」、「S-145」、「S-381」、「S-393」(以上、旭硝子株式会社製)、エフトップ(登録商標)「EF301」、「EF303」、「EF351」、「EF352」(以上、株式会社ジェムコ製)、メガファック(登録商標)「F171」、「F172」、「F173」、「R-30」(以上、DIC株式会社製)などを挙げることができる。
 ポリオキシアルキレン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレートポリオキシエチレンジアルキルエステル類などを挙げることができる。
 これらの界面活性剤は、それぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
 本発明の感放射線樹脂組成物中における界面活性剤の含有量は、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは0.05~5重量部であり、より好ましくは0.1~1重量部である。界面活性剤の含有量が上記範囲にあると、ストリエーション(塗布筋あと)の防止効果をより高めることができる。
  本発明の感放射線樹脂組成物の調製方法は、特に限定されず、感放射線樹脂組成物を構成する各成分を公知の方法により混合すればよい。
  混合の方法は特に限定されないが、感放射線樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解又は分散して得られる溶液又は分散液を混合するのが好ましい。これにより、感放射線樹脂組成物は、溶液又は分散液の形態で得られる。
  感放射線樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解又は分散する方法は、常法に従えばよい。具体的には、攪拌子とマグネティックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパー、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロール等を使用して行なうことができる。また、各成分を溶剤に溶解又は分散した後に、例えば、孔径が0.5μm程度のフィルター等を用いて濾過してもよい。
(電子部品)
 次いで、本発明の電子部品について、説明する。本発明の電子部品は、上述した本発明の感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を有する。
 本発明の電子部品としては、たとえば、基板上に半導体素子が実装された構成を有するものなどが挙げられ、具体的には、アクティブマトリックス基板、有機EL素子基板、集積回路素子基板、および固体撮像素子基板などが挙げられ、上述した本発明の感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を形成することによる特性向上効果が特に顕著であるという観点より、アクティブマトリックス基板、および有機EL素子基板が好ましい。
 本発明の電子部品の一例としてのアクティブマトリックス基板としては、特に限定されないが、基板上に、薄膜トランジスタ(TFT)などのスイッチング素子がマトリックス状に配置されると共に、該スイッチング素子を駆動するためのゲート信号を供給するゲート信号線、および該スイッチング素子に表示信号を供給するためのソース信号線が互いに交差するよう設けられている構成を有するものなどが例示される。また、スイッチング素子の一例としての薄膜トランジスタとしては、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極、およびドレイン電極を有する構成などが例示される。
 さらに、本発明の電子部品の一例としての有機EL素子基板としては、たとえば、基板上に、陽極、正孔注入輸送層、半導体層としての有機発光層、電子注入層、および陰極などから構成される発光体部と、該発光体部を分離するために画素分離膜とを有する構成を有するものなどが例示される。
 たとえば、本発明の電子部品が、アクティブマトリックス基板である場合には、上述した本発明の感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜は、アクティブマトリックス基板の表面に形成される保護膜や平坦化膜、アクティブマトリックス基板を構成する薄膜トランジスタの半導体層(たとえば、アモルファスシリコン層)と接触して形成されるゲート絶縁膜とすることができる。あるいは、本発明の電子部品が、有機EL素子基板である場合には、有機EL素子基板の表面に形成される封止膜とすることができる。
 本発明の電子部品において、樹脂膜を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、塗布法やフィルム積層法等の方法を用いることができる。
 塗布法は、例えば、感放射線樹脂組成物を、塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去する方法である。感放射線樹脂組成物を塗布する方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ドクターブレード法、回転塗布法、バー塗布法、スクリーン印刷法等の各種の方法を採用することができる。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて異なるが、通常、30~150℃、好ましくは60~120℃で、通常、0.5~90分間、好ましくは1~60分間、より好ましくは1~30分間で行なえばよい。
 フィルム積層法は、感放射線樹脂組成物を、樹脂フィルムや金属フィルム等のBステージフィルム形成用基材上に塗布した後に加熱乾燥により溶剤を除去してBステージフィルムを得、次いで、このBステージフィルムを、積層する方法である。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて適宜選択することができるが、加熱温度は、通常、30~150℃であり、加熱時間は、通常、0.5~90分間である。フィルム積層は、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータ等の圧着機を用いて行なうことができる。
 樹脂膜の厚さとしては、特に限定されず、用途に応じて適宜設定すればよいが、樹脂膜が、アクティブマトリックス基板用の保護膜や平坦化膜、または有機EL素子基板用の封止膜である場合には、樹脂膜の厚さは、好ましくは0.1~100μm、より好ましくは0.5~50μm、さらに好ましくは0.5~30μmである。
 次いで、このようにして形成した樹脂膜を、所定のパターンでパターン化する。樹脂膜をパターン化する方法としては、たとえば、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて、パターン化前の樹脂膜を形成し、パターン化前の樹脂膜に活性放射線を照射して潜像パターンを形成し、次いで潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させることによりパターンを顕在化させる方法などが挙げられる。
 活性放射線としては、感放射線樹脂組成物に含有される感放射線化合物(B)を活性化させ、感放射線化合物(B)を含む感放射線樹脂組成物のアルカリ可溶性を変化させることができるものであれば特に限定されない。具体的には、紫外線、g線やi線等の単一波長の紫外線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線;電子線のような粒子線;等を用いることができる。これらの活性放射線を選択的にパターン状に照射して潜像パターンを形成する方法としては、常法に従えばよく、例えば、縮小投影露光装置等により、紫外線、g線、i線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線を所望のマスクパターンを介して照射する方法、または電子線等の粒子線により描画する方法等を用いることができる。活性放射線として光線を用いる場合は、単一波長光であっても、混合波長光であってもよい。照射条件は、使用する活性放射線に応じて適宜選択されるが、例えば、波長200~450nmの光線を使用する場合、照射量は、通常10~1,000mJ/cm、好ましくは50~500mJ/cmの範囲であり、照射時間と照度に応じて決まる。このようにして活性放射線を照射した後、必要に応じ、樹脂膜を60~130℃程度の温度で1~2分間程度加熱処理する。
 次に、パターン化前の樹脂膜に形成された潜像パターンを現像して顕在化させる。現像液としては、通常、アルカリ性化合物の水性溶液が用いられる。アルカリ性化合物としては、例えば、アルカリ金属塩、アミン、アンモニウム塩を使用することができる。アルカリ性化合物は、無機化合物であっても有機化合物であってもよい。これらの化合物の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム等のアルカリ金属塩;アンモニア水;エチルアミン、n-プロピルアミン等の第一級アミン;ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン等の第二級アミン;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン;ピロール、ピペリジン、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン、1,5-ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ-5-エン、N-メチルピロリドン等の環状アミン類;等が挙げられる。これらアルカリ性化合物は、それぞれ単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
 アルカリ水性溶液の水性媒体としては、水;メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤を使用することができる。アルカリ水性溶液は、界面活性剤等を適当量添加したものであってもよい。
 潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させる方法としては、例えば、パドル法、スプレー法、ディッピング法等の方法が用いられる。現像は、通常、0~100℃、好ましくは5~55℃、より好ましくは10~30℃の範囲で、通常、30~180秒間の範囲で適宜選択される。
 このようにして目的とするパターンが形成された樹脂膜は、必要に応じて、現像残渣を除去するために、リンス液でリンスすることができる。リンス処理の後、残存しているリンス液を圧縮空気や圧縮窒素により除去する。
 さらに、必要に応じて、感放射線樹脂組成物に含有させた感放射線化合物(B)を失活させるために、電子部品全面に、活性放射線を照射することもできる。活性放射線の照射には、上記潜像パターンの形成に例示した方法を利用できる。照射と同時に、または照射後に樹脂膜を加熱してもよい。加熱方法としては、例えば、電子部品をホットプレートやオーブン内で加熱する方法が挙げられる。温度は、通常、100~300℃、好ましくは120~200℃の範囲である。
 このようにして形成された樹脂膜は、パターン化した後に、架橋反応を行なうことができる。このような架橋は、感放射線樹脂組成物に含有させた架橋剤(C)の種類に応じて適宜方法を選択すればよいが、通常、加熱により行なう。加熱方法は、例えば、ホットプレート、オーブン等を用いて行なうことができる。加熱温度は、通常、180~250℃であり、加熱時間は、樹脂膜の面積や厚さ、使用機器等により適宜選択され、例えばホットプレートを用いる場合は、通常、5~60分間、オーブンを用いる場合は、通常、30~90分間の範囲である。加熱は、必要に応じて不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。不活性ガスとしては、酸素を含まず、かつ、樹脂膜を酸化させないものであればよく、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン等が挙げられる。これらの中でも窒素とアルゴンが好ましく、特に窒素が好ましい。特に、酸素含有量が0.1体積%以下、好ましくは0.01体積%以下の不活性ガス、特に窒素が好適である。これらの不活性ガスは、それぞれ単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
 このようにして、パターン化された樹脂膜を備える電子部品は製造することができる。
 なお、本発明の電子部品が、アクティブマトリックス基板や有機EL素子基板である場合には、このようにしてパターン化された樹脂膜を形成した後に、さらに別の構成要素(たとえば、ITO電極や、配向膜など)の焼き固めを行うために、大気中などの酸化雰囲気における焼成が行われる。この際における焼成温度は、通常、150~350℃、好ましくは180~300℃、より好ましくは200~250℃である。なお、この際においては、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られたパターン化された樹脂膜も、同様に、酸化雰囲気で焼成されることとなる。しかしその一方で、このようにして形成される樹脂膜は、上述した本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られるものであるため、このように酸化性雰囲気で焼成した後も高い透明性を実現できるものであり、そのため、アクティブマトリックス基板や有機EL素子基板などの各種電子部品用途に好適である。また、これに加えて、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、露光感度が高いものであるため、製造時における放射線の照射量を低減することができ、これにより生産性を向上せることができる。さらには、本発明の感放射線樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、焼成後の形状保持性に優れるものであるため、微細なパターンを高精度に形成することができ、これにより、電子部品の小型・高性能化に資することもできる。
 以下に、実施例および比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。各例中の「部」は、特に断りのない限り、重量基準である。
 なお、各特性の定義および評価方法は、以下のとおりである。
<露光感度>
 ガラス基板(コーニング社、製品名コーニング1737)上に、感放射線性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて90℃で2分間加熱乾燥(プリベーク)して、膜厚3μmの樹脂膜を形成した。次いで、樹脂膜をパターニングするために、5μmのコンタクトホールパターンを形成可能なマスクを用いて、100mJ/cmから250mJ/cmまで50mJ/cm毎に露光量を変化させることにより、露光工程を行った。次いで、0.4重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25℃で120秒間現像処理を行ったのち、超純水で30秒間リンスすることにより、露光量の異なるコンタクトホールパターンを有する樹脂膜と、ガラス基板とからなる積層体を得た。
 そして、光学顕微鏡を用いて、得られた積層体のコンタクトホール形成部分を観察し、各露光量で露光された部分の樹脂膜のコンタクトホールパターンの最長部の長さをそれぞれ測定した。そして、各露光量と、対応する露光量において形成された樹脂膜のコンタクトホールパターンの最長部の長さの関係から近似曲線を作成し、コンタクトホールパターンが5μmとなる時の露光量を算出し、その露光量を露光感度として算出した。コンタクトホールパターンが5μmとなる時の露光量が低いほど、低いエネルギーで、又は短い時間でコンタクトホールを形成できることができるため、好ましい。
<耐熱透明性>
 ガラス基板(コーニング社、製品名コーニング1737)上に、感放射線性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて90℃で2分間加熱乾燥(プリベーク)して、膜厚3μmの樹脂膜を形成した。次いで、この樹脂膜について、0.4重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25℃で120秒間浸漬処理を行ったのち、超純水で30秒間洗浄を行い、次いで、365nmにおける光強度が5mW/cmである紫外線を、300秒間、空気中で照射した。そして、紫外線を照射した樹脂膜について、ホットプレートを用いて、110℃で10分間加熱するミドルベークを行い、次いで、オーブンを用いて、N雰囲気下、230℃で60分間加熱するポストベークを行うことで、樹脂膜が形成されたガラス基板からなる試験用試料を得た。そして、このようにして得られた試験用試料について、オーブンを用いて、大気中において、230℃で60分間加熱する酸化性雰囲気下でのベークをさらに行った。そして、酸化性雰囲気下でのベークを行った試料の透過率を、分光光度計V-560(日本分光社製)を用いて400nmから700nmの波長で測定を行った。なお、樹脂膜の光線透過率は、樹脂膜が付いていないガラス基板をブランクとして、樹脂膜の厚みを2μmとした場合の換算値で算出した。そして、得られた光線透過率に基づいて、以下の基準で透明性を評価した。
  A:光線透過率が85%以上
  B:光線透過率が80%以上、85%未満
  C:光線透過率が75%以上、80%未満
  D:光線透過率が75%未満
<焼成後形状保持性>
 ガラス基板(コーニング社、製品名コーニング1737)上に、感放射線性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて90℃で2分間加熱乾燥(プリベーク)して、膜厚3μmの樹脂膜を形成した。次いで、この樹脂膜について、3μm×3μmのホールパターンのマスクを介して、365nmにおける光強度が5mW/cmである紫外線を、露光感度として算出された露光量を、空気中で照射した。次いで、0.4重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25℃で120秒間浸漬処理を行ったのち、超純水で30秒間洗浄を行い、次いで、365nmにおける光強度が5mW/cmである紫外線を、300秒間、空気中で照射した。そして、紫外線を照射した樹脂膜について、ホットプレートを用いて、110℃で10分間加熱するミドルベークを行い、次いで、N雰囲気下、230℃で60分間加熱するポストベークを行うことで、コンタクトホールが形成された樹脂膜を備えるガラス基板からなる試験用試料を得た。そして、このようにして得られた試験用試料について、光学顕微鏡により、コンタクトホールの観察を行い、以下の基準に従って、焼成後のホール形状の評価を行った。
  A:コンタクトホールの基板からの立ち上がり部分の角度が60°以上で、かつ、コンタクトホールの上端部分の形状に丸みが認められない。
  B:コンタクトホールの基板からの立ち上がり部分の角度が60°以上であるが、コンタクトホールの上端部分が丸みを帯びた形状となっている。
  C:コンタクトホールの基板からの立ち上がり部分の角度が50°以上、60°未満
  D:コンタクトホールの基板からの立ち上がり部分の角度が50°未満
《合成例1》
<プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体(A1a)の調製>
 N-フェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド(NBPI)40モル%、および4-ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ-9-エン(TCDC)60モル%からなる単量体混合物100部、1,5-ヘキサジエン2.8部、(1,3-ジメシチルイミダゾリン-2-イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ベンジリデンルテニウムジクロリド(Org.Lett.,第1巻,953頁,1999年  に記載された方法で合成した)0.02部、およびジエチレングリコールエチルメチルエーテル200部を、窒素置換したガラス製耐圧反応器に仕込み、攪拌しつつ80℃にて4時間反応させて重合反応液を得た。
 そして、得られた重合反応液をオートクレーブに入れて、150℃、水素圧4MPaで、5時間攪拌して水素化反応を行い、環状オレフィン重合体(A1a)を含む重合体溶液を得た。得られた環状オレフィン重合体(A1a)の重合転化率は99.8%、ポリスチレン換算重量平均分子量は5,098、数平均分子量は3,227、分子量分布は1.58、水素添加率は、99.9%であった。また、得られた環状オレフィン重合体(A1a)の重合体溶液の固形分濃度は34.4重量%であった。
《合成例2》
<プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体(A1b)の調製>
 N-フェニルビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド40モル%の代わりに、N-(2-エチルヘキシル)-ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド(NEHI)40モル%を使用し、1,5‐ヘキサジエンの使用量を2.8部から2.0部に変更した以外は、合成例1と同様にして、重合および水素化を行い、環状オレフィン重合体(A1b)を含む重合体溶液を得た。得られた環状オレフィン重合体(A1b)の重合転化率は99.7%、ポリスチレン換算重量平均分子量は7,150、数平均分子量は4,690、分子量分布は1.52、水素添加率は、99.7%であった。
《合成例3》
<アクリル樹脂(A2)の調製>
 冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’-アゾビス-(2,4-ジメチルバレロニトリル)7部とジエチレングリコールエチルメチルエーテル200部とを仕込んだ。引き続き、メタクリル酸16部、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-8-イルメタクリレート16部、2-メチルシクロヘキシルアクリレート20部、メタクリル酸グリシジル40部、スチレン10部及びα-メチルスチレンダイマー3部を仕込んで窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。次いで、溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を4時間保持することによってアクリル樹脂(A2)を含む重合体溶液を得た。アクリル樹脂(A2)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,000、分子量分布(Mw/Mn)は2.3であった。また、得られたアクリル樹脂(A2)溶液の固形分濃度は34.4重量%であった。
《合成例4》
<カルド樹脂(A3)の調製>
 還流冷却器付き四つ口フラスコ中にビスフェノールフルオレン型エポキシ樹脂とアクリル酸との等当量反応物(固形分濃度50%、固形分換算の酸価1.28mgKOH/g、エポキシ当量21,300。新日鐵化学社製、製品名「ASF-400」溶液)の50%プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液198.53部と、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物39.54部、コハク酸無水物8.13部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート48.12部及びトリフェニルホスフィン0.45部を仕込み、120~125℃に加熱下に1時間撹拌し、更に75~80℃で6時間の加熱撹拌を行い、その後、グリシジルメタクリレート8.6部を投入し、さらに80℃で8時間攪拌し、カルド樹脂(A3)を得た。
《合成例5》
<ポリシロキサン(A4)の調製>
 三ツ口フラスコにメチルトリメトキシシラン74.91部、フェニルトリメトキシシラン69.41部、およびジアセトンアルコール150.36部を仕込み、室温で攪拌しながら水55.8部にリン酸0.338部(仕込みモノマーに対して0.2重量%)を溶かしたリン酸水溶液を10分かけて添加した。その後、フラスコを70℃のオイルバスに漬けて1時間攪拌した後、オイルバスを30分かけて115℃まで昇温した。昇温開始1時間後に溶液の内温が100℃に到達し、そこから2時間加熱攪拌した(この間、内温は100~110℃であった)。副生成物であるメタノール及び水を合計115部留出した。得られたポリシロキサンのジアセトンアルコール溶液に、固形分濃度が34.4%となるようにジアセトンアルコールを加えてポリシロキサン(A4)溶液を得た。
《実施例1》
 バインダー樹脂(A)として、合成例1で得られた環状オレフィン重合体(A1a)の重合体溶液291部(環状オレフィン重合体(A1a)として100部)、感放射線化合物(B)として、1,1,3-トリス(2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)-3-フェニルプロパン(1モル)と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロライド(2.5モル)との縮合物(B1)40部、架橋剤(C)として、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス(3-シクロヘキセニルメチル)修飾ε-カプロラクトン(脂肪族環状4官能性のエポキシ樹脂、商品名「エポリードGT401」、ダイセル化学工業社製)40部、同じく架橋剤(C)として、3,4-エポキシシクロヘキセニルメチル-3’,4’-エポキシシクロヘキセンカルボキシレート(商品名「セロキサイド2021P」、ダイセル化学工業社製)10部、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)として、3,9-ビス[2-{3-(3-ターシャリーブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオニルオキシ}-1,1-ジメチルエチル]-2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン(商品名「アデカスタブAO-80」、ADEKA社製)6部、硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)として、2,2-チオ-ジエチレンビス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート(商品名「Irganox 1035」、BASF社製)2部、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(F)として、PF 系スルホニウム塩(商品名「サンエイドSI-110L」、三新化学工業社製)4部、フタル酸7部、カップリング剤として、(3-グリシジルオキシプロピル)トリメトキシシラン(商品名「SH6040」、東レ・ダウコーニング社製)5部、および、溶剤として、エチレングリコールジメチルエーテル750部を混合し、溶解させた後、孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して感放射線樹脂組成物を調製した。
 そして、上記にて得られた感放射線樹脂組成物を用いて、露光感度、耐熱透明性、および焼成後形状保持性の各評価を行った。結果を表1に示す。
《実施例2~42》
 感放射線樹脂組成物を調製する際に、表1~表3に示す各化合物を、表1~表3に示す配合量にて用いた以外は、実施例1と同様にして、感放射線樹脂組成物を調製し、同様に評価を行った。結果を表1~表3に示す。
 なお、表1~表3中、各化合物は以下の通りである。
・「環状オレフィン重合体(A1b)」は、合成例2で得られた環状オレフィン重合体(A1b)である。
・「アクリル樹脂(A2)」は、合成例3で得られたアクリル樹脂(A2)である。
・「カルド樹脂(A3)」は、合成例4で得られたカルド樹脂(A3)である。
・「ポリシロキサン(A4)」は、合成例5で得られたポリシロキサン(A4)である。
・「感放射線化合物(B2)」は、1,1,3-トリス(2,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)-3-フェニルプロパン(1モル)と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロライド(2モル)との縮合物(感放射線化合物(B))である。
・「架橋剤(サイメル370)」は、メチロール基型メチル化メラミン樹脂(商品名「サイメル370」、サイテックインダストリーズ社製、架橋剤(C))である。
・「硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(アデカスタブAO-40)」は、4,4’-ブチリデンビス(6-t-ブチル-3-メチルフェノール)(商品名「アデカスタブAO-40」、ADEKA社製)である。
・「硫黄非含有ヒンダードフェノール系酸化防止剤(Irganox 1010)」は、ペンタエリスリトールテトラキス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名「Irganox 1010」、BASF社製)である。
・「硫黄含有フェノール系酸化防止剤(スミライザーWX-R)」は、4,4’-チオビス(6-t-ブチル-3-メチルフェノール)(商品名「スミライザーWX-R」、住友化学社製)である。
・「非フェノール系老化防止剤(スミライザーTPL-R)」は、ジラウリル-3,3’-チオジプロピオネート(商品名「スミライザーTPL-R」、住友化学社製)である。
・「非フェノール系老化防止剤(Irgafos 168)」 は、亜りん酸トリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)(商品名「Irgafos 168」、BASF社製)である。
・「SbF 系スルホニウム塩(SI-150L)」は、SbF 系スルホニウム塩(商品名「サンエイドSI-150L」、三新化学工業社製)である。
・「SbF 系スルホニウム塩(SI-100L)」は、SbF 系スルホニウム塩(商品名「サンエイドSI-100L」、三新化学工業社製)である。
《比較例1~7》
 感放射線樹脂組成物を調製する際に、表3に示す各化合物を、表3に示す配合量にて用いた以外は、実施例1と同様にして、感放射線樹脂組成物を調製し、同様に評価を行った。結果を表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
 表1~表3に示すように、バインダー樹脂(A)、感放射線化合物(B)、架橋剤(C)、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)、硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)を含有してなる感放射線樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、露光感度が高く、耐熱透明性(酸化性雰囲気で焼成した後における透明性)および焼成後の形状保持性に優れたものであった(実施例1~42)。
 一方、硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)を配合しなかった場合や、代わりに、非フェノール系老化防止剤を用いた場合には、得られる樹脂膜は、耐熱透明性(酸化性雰囲気で焼成した後における透明性)に劣るものであった(比較例1,5,6)。
 また、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)を配合しなかった場合や、代わりに、硫黄非含有ヒンダードフェノール系酸化防止剤を用いた場合には、得られる樹脂膜は、露光感度に劣るものであった(比較例2~4)。
 さらに、架橋剤(C)を配合しなかった場合には、得られる樹脂膜は、耐熱透明性(酸化性雰囲気で焼成した後における透明性)、および焼成後の形状保持性に劣るものであった(比較例7)。
 

Claims (7)

  1.  バインダー樹脂(A)、感放射線化合物(B)、架橋剤(C)、硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)、硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)を含有してなる感放射線樹脂組成物。
  2.  酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(F)をさらに含有する請求項1に記載の感放射線樹脂組成物。
  3.  前記硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)が、硫黄原子を含有するヒンダードフェノール系酸化防止剤、硫黄原子を含有するセミヒンダードフェノール系酸化防止剤、および硫黄原子を含有するレスヒンダードフェノール系酸化防止剤から選択される少なくとも一種である請求項1または2に記載の感放射線樹脂組成物。
  4.  前記バインダー樹脂(A)100重量部に対する、前記硫黄非含有セミヒンダードフェノール系酸化防止剤および/または硫黄非含有レスヒンダードフェノール系酸化防止剤(D)の含有量が、0.1~20重量部であり、
     前記バインダー樹脂(A)100重量部に対する、前記硫黄含有フェノール系酸化防止剤(E)の含有量が、0.1~15重量部である請求項1~3のいずれかに記載の感放射線樹脂組成物。
  5.  前記感放射線化合物(B)が、アジド化合物である請求項1~4のいずれかに記載の感放射線樹脂組成物。
  6.  請求項1~5のいずれかに記載の感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を備える電子部品。
  7.  前記感放射線樹脂組成物からなる樹脂膜を形成し、前記樹脂膜をパターン化した後に、酸化雰囲気で焼成する工程を経て製造される請求項6に記載の電子部品。
PCT/JP2014/052408 2013-02-04 2014-02-03 感放射線樹脂組成物および電子部品 WO2014119777A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201480007070.8A CN104969125B (zh) 2013-02-04 2014-02-03 辐射敏感树脂组合物及电子部件
JP2014559797A JP6304044B2 (ja) 2013-02-04 2014-02-03 感放射線樹脂組成物および電子部品
KR1020157023222A KR102217197B1 (ko) 2013-02-04 2014-02-03 감방사선 수지 조성물 및 전자 부품

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013019167 2013-02-04
JP2013-019167 2013-02-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014119777A1 true WO2014119777A1 (ja) 2014-08-07

Family

ID=51262475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/052408 WO2014119777A1 (ja) 2013-02-04 2014-02-03 感放射線樹脂組成物および電子部品

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6304044B2 (ja)
KR (1) KR102217197B1 (ja)
CN (1) CN104969125B (ja)
TW (1) TWI632163B (ja)
WO (1) WO2014119777A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107922741A (zh) * 2015-08-31 2018-04-17 日本瑞翁株式会社 树脂组合物
JP2022031347A (ja) * 2019-03-15 2022-02-18 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ポジ型感光性ポリシロキサン組成物
WO2023176680A1 (ja) * 2022-03-14 2023-09-21 株式会社Adeka 組成物及び硬化物

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016063909A1 (ja) * 2014-10-24 2016-04-28 住友ベークライト株式会社 感光性接着剤組成物および半導体装置
TW202422223A (zh) 2019-10-15 2024-06-01 美商羅門哈斯電子材料有限公司 光致抗蝕劑組成物及圖案形成方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005272495A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Jsr Corp 接着剤用液状硬化性樹脂組成物
JP2010034513A (ja) * 2008-07-02 2010-02-12 Fujifilm Corp インプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物およびその製造方法、並びに、液晶表示装置用部材
JP2010224067A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、液晶表示素子の層間絶縁膜、保護膜及びスペーサーとその形成方法
WO2011046230A1 (ja) * 2009-10-16 2011-04-21 シャープ株式会社 感放射線性樹脂組成物および層間絶縁膜の形成方法
JP2012212039A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Sekisui Chem Co Ltd 感光性組成物及びプリント配線板
JP2013216782A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Kaneka Corp 硬化性組成物およびその用途

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4222306B2 (ja) * 2002-09-30 2009-02-12 日本ゼオン株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物、樹脂パターン膜とその形成方法、及び樹脂パターン膜の利用
JP2005292278A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nippon Zeon Co Ltd 感放射線組成物、積層体及びその製造方法並びに電子部品
JP5589270B2 (ja) * 2007-10-23 2014-09-17 Jsr株式会社 青色カラーフィルタ用感放射線性組成物、カラーフィルタ及び液晶表示素子
KR101274384B1 (ko) * 2008-06-20 2013-06-19 동우 화인켐 주식회사 청색 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 컬러필터 및 액정표시장치
JP5716672B2 (ja) * 2009-11-30 2015-05-13 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂ワニス、感光性樹脂フィルム、及び感光性樹脂硬化物
TWI507819B (zh) * 2011-03-31 2015-11-11 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 著色組成物及用此之彩色濾光片

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005272495A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Jsr Corp 接着剤用液状硬化性樹脂組成物
JP2010034513A (ja) * 2008-07-02 2010-02-12 Fujifilm Corp インプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物およびその製造方法、並びに、液晶表示装置用部材
JP2010224067A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、液晶表示素子の層間絶縁膜、保護膜及びスペーサーとその形成方法
WO2011046230A1 (ja) * 2009-10-16 2011-04-21 シャープ株式会社 感放射線性樹脂組成物および層間絶縁膜の形成方法
JP2012212039A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Sekisui Chem Co Ltd 感光性組成物及びプリント配線板
JP2013216782A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Kaneka Corp 硬化性組成物およびその用途

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107922741A (zh) * 2015-08-31 2018-04-17 日本瑞翁株式会社 树脂组合物
JP2022031347A (ja) * 2019-03-15 2022-02-18 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ポジ型感光性ポリシロキサン組成物
JP7330256B2 (ja) 2019-03-15 2023-08-21 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ポジ型感光性ポリシロキサン組成物
WO2023176680A1 (ja) * 2022-03-14 2023-09-21 株式会社Adeka 組成物及び硬化物

Also Published As

Publication number Publication date
TW201439127A (zh) 2014-10-16
KR102217197B1 (ko) 2021-02-17
KR20150115832A (ko) 2015-10-14
CN104969125A (zh) 2015-10-07
JPWO2014119777A1 (ja) 2017-01-26
JP6304044B2 (ja) 2018-04-04
CN104969125B (zh) 2019-06-04
TWI632163B (zh) 2018-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5488460B2 (ja) 感放射線樹脂組成物、積層体及びその製造方法ならびに半導体デバイス
WO2012165448A1 (ja) 樹脂組成物および半導体素子基板
US10151977B2 (en) Resin composition, resin film, and electronic device
JP6601394B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物、樹脂膜、および電子部品
JP6524996B2 (ja) 感放射線樹脂組成物及び電子部品
JPWO2012133617A1 (ja) 樹脂組成物および半導体素子基板
WO2015141717A1 (ja) 感放射線樹脂組成物及び電子部品
JP6304044B2 (ja) 感放射線樹脂組成物および電子部品
WO2015029931A1 (ja) 樹脂組成物、樹脂膜、および電子部品
WO2017163981A1 (ja) 樹脂組成物、樹脂膜、及び電子部品
JP6079277B2 (ja) 感放射線樹脂組成物及び電子部品
JP2017181557A (ja) 感放射線樹脂組成物及び電子部品
JP2013130816A (ja) 永久膜用樹脂組成物及び電子部品
JP5682413B2 (ja) 半導体素子基板
JP2017178990A (ja) 樹脂組成物及び電子部品
JP2017181556A (ja) 感放射線樹脂組成物及び電子部品
JP2021155522A (ja) 樹脂組成物、樹脂膜、及びタッチセンサー基材

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14745944

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014559797

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157023222

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14745944

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1