WO2014050198A1 - Élément commutateur et son procédé de fabrication - Google Patents

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直樹 伴野
宗宏 多田
阪本　利司
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日本電気株式会社
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Abstract

La présente invention concerne un « commutateur à trois bornes » de structure innovante, ayant deux électrodes de signal et une électrode de commande permettant de commander une action de commutation qui forme ou élimine un pont de métal qui couple les électrodes de signal. Quand un élément commutateur de type pont de métal configuré comme « commutateur à trois bornes » est intégré dans un circuit de cuivre multicouche, l'avantage lié au fait que le courant requis dans l'action de commutation soit réduit de manière beaucoup plus importante que dans un « commutateur à deux bornes » est optimisé, une commande excellente peut être exercée en ce qui concerne l'action de commutation, et le pont de métal permettant de coupler les électrodes de signal peut être formé ou éliminé. Dans la présente invention, la surface latérale d'une pellicule de métal et la surface latérale d'une fiche sont utilisées comme électrodes de signal pour constituer le « commutateur à trois bornes », les surfaces latérales fonctionnant comme des électrodes comportant une surface incurvée, la surface de contact entre les électrodes de signal et une couche conductrice d'ions étant réduite et le champ électrique étant plus concentré vers les zones incurvés. Il est par conséquent possible de réaliser un commutateur économe en énergie ayant une action exceptionnellement stable.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004266167A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Sharp Corp 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶回路、不揮発性記憶カードおよび記録再生装置
JP2006339667A (ja) * 2003-07-18 2006-12-14 Nec Corp スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子
JP2011517855A (ja) * 2008-04-11 2011-06-16 サンディスク スリーディー，エルエルシー 側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル
JP2011211165A (ja) * 2010-03-12 2011-10-20 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004266167A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Sharp Corp 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶回路、不揮発性記憶カードおよび記録再生装置
JP2006339667A (ja) * 2003-07-18 2006-12-14 Nec Corp スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子
JP2011517855A (ja) * 2008-04-11 2011-06-16 サンディスク スリーディー，エルエルシー 側壁構造化スイッチャブル抵抗器セル
JP2011211165A (ja) * 2010-03-12 2011-10-20 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法

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