WO2014036753A1 - 液晶显示面板的制作方法 - Google Patents

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    • H10D30/6704—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device
    • H10D30/6723—Thin-film transistors [TFT] having supplementary regions or layers in the thin films or in the insulated bulk substrates for controlling properties of the device having light shields

Definitions

  • the present invention relates to the field of liquid crystal display, and in particular to a method for fabricating a liquid crystal display panel. Background technique
  • Liquid crystal display has many advantages such as thin body, power saving, and no radiation, and has been widely used.
  • Most of the liquid crystal display devices on the market are backlight type liquid crystal display devices, which include a liquid crystal display panel and a backlight module.
  • the working principle of the liquid crystal display panel is to place liquid crystal molecules in two parallel glass substrates, control the liquid crystal molecules to change direction by energizing or not the glass substrate, and refract the light of the backlight module to produce a picture.
  • a liquid crystal display panel consists of a color filter substrate (CF, Color Filter), a thin film transistor substrate (TFT, Thin Film Transistor), a liquid crystal (LC, liquid crystal) sandwiched between a color filter substrate and a thin film transistor substrate, and a sealant frame ( Sealant), the molding process generally includes: front array (Array) process (film, yellow, etching and stripping), middle cell (cell) process (TFT substrate and CF substrate bonding) and rear module assembly Process (drive IC is pressed with printed circuit board).
  • Array array
  • Sealant Sealant
  • the front Array process mainly forms a TFT substrate to control the movement of liquid crystal molecules; the middle Cell process mainly adds liquid crystal between the TFT substrate and the CF substrate; the rear module assembly process is mainly to drive the IC to press and print the circuit.
  • the integration of the plates drives the liquid crystal molecules to rotate, displaying images.
  • the mainstream AMLCD wide temperature liquid crystal display, also called Active Matrix Liquid Crystal Display
  • a bottom gate staggered TFT structure 300 shown in Figure 1
  • the components are mainly for the following considerations: First, the bottom gate can be used as a light-shielding design to avoid the active layer generated by the backlight (Black Light) (channel layer, commonly used a-Si:H) The photocurrent affects the stability of the TFT device. Second, the process sequentially deposits SiNx (silicon nitride) / a- Si: H (hydrogenated amorphous silicon) / n + a-Si: H (doped with hydrogenated amorphous silicon) The impact on each interface state is minimal.
  • the commonly known top-gate structure TFT300' (shown in Figure 2) has not been used due to the presence of backlight leakage current.
  • COA Color Filtering On Array
  • the commonly used COA (Color Filtering On Array) design is to design the Black Matrix (black matrix) to be used in the Color Filtering layer to block the external interference light and the backlight leakage, and to partially coat the R, G, and B pixels 310.
  • the layer (shown in Figure 3), in which the TFT portion is used is a bottom-gate staggered structure. The process is more complicated, the cost is relatively high, and the yield is lower. Summary of the invention
  • An object of the present invention is to provide a method of fabricating a liquid crystal display panel which simplifies the production process and effectively reduces the production cost.
  • the present invention provides a method of fabricating a liquid crystal display panel, comprising the steps of:
  • Step 1 Providing a substrate
  • Step 2 forming a black photoresist material layer on the substrate, and forming a predetermined pattern through the photomask process, thereby forming a black matrix;
  • Step 3 forming an isolation layer on the black photoresist material layer
  • Step 4 forming a first metal layer on the isolation layer, forming a second metal layer on the first metal layer, and forming a predetermined pattern by a photomask process, thereby forming a source/drain and a storage capacitor Com electrode;
  • Step 5 forming an ohmic contact layer on the second metal layer, and forming a predetermined pattern through the mask process, thereby forming a film of the inscription on the metal electrode;
  • Step 6 Form a channel layer on the ohmic contact layer, and form a predetermined pattern through the mask process to form an island;
  • Step 7 forming a gate insulating layer on the channel layer, forming a third metal layer on the gate insulating layer, and forming a predetermined pattern through the mask process, thereby forming a gate and a storage capacitor counter electrode, wherein the storage capacitor is disposed At the edge of the black matrix;
  • Step 8 forming a protective layer on the third metal layer
  • Step 9 forming 1, G, and B pixels on the protective layer
  • Step 10 Passing holes in the source, storage capacitor positions of the 1, G, and B pixels;
  • Step 11 forming a transparent conductive layer on the R, G, and B pixels, and forming a predetermined pattern by a mask process to form a pixel electrode, thereby preparing a COA substrate;
  • Step 12 bonding the COA substrate to the upper substrate, and injecting liquid crystal on the COA substrate and the upper substrate to obtain a liquid crystal display panel.
  • the substrate is a glass substrate.
  • the first metal layer is an aluminum layer formed on the isolation layer by a sputtering process.
  • the second metal layer is a molybdenum layer formed on the first metal layer by a sputtering process.
  • the ohmic contact layer is a doped hydrogenated amorphous silicon layer formed on the second metal layer by chemical vapor deposition.
  • the channel layer is a hydrogenated amorphous silicon layer formed on the ohmic contact layer by chemical vapor deposition.
  • the gate insulating layer is a silicon nitride layer formed on the channel layer by chemical vapor deposition.
  • the third metal layer is a molybdenum layer, an aluminum layer or a combined layer of a molybdenum layer and an aluminum layer, which is formed on the protective layer by sputtering.
  • the R, G, and B pixels are formed on the protective layer by a coating process.
  • the transparent conductive layer is an indium tin metal oxide layer formed on the R, G, B pixels by sputtering.
  • the present invention also provides a method for fabricating a liquid crystal display panel, comprising the following steps: Step 1: providing a substrate;
  • Step 2 forming a black photoresist material layer on the substrate, and forming a predetermined pattern through the photomask process, thereby forming a black matrix;
  • Step 3 forming an isolation layer on the black photoresist material layer
  • Step 4 forming a first metal layer on the isolation layer, forming a second metal layer on the first metal layer, and forming a predetermined pattern by a photomask process, thereby forming a source/drain and a storage capacitor Com electrode;
  • Step 5 forming an ohmic contact layer on the second metal layer, and forming a predetermined pattern through the mask process, thereby forming a film of the inscription on the metal electrode;
  • Step 6 Form a channel layer on the ohmic contact layer, and form a predetermined pattern through the mask process to form an island;
  • Step 7 forming a gate insulating layer on the channel layer, forming a third metal layer on the gate insulating layer, and forming a predetermined pattern through the mask process, thereby forming a gate and a storage capacitor counter electrode, wherein the storage capacitor is disposed At the edge of the black matrix;
  • Step 8 forming a protective layer on the third metal layer
  • Step 9 forming 1, G, and B pixels on the protective layer
  • Step 10 Passing holes in the source, storage capacitor positions of the 1, G, and B pixels;
  • Step 11 forming a transparent conductive layer on the R, G, and B pixels, and forming a predetermined pattern by a mask process to form a pixel electrode, thereby preparing a COA substrate;
  • Step 12 bonding the COA substrate to the upper substrate, and injecting liquid crystal on the COA substrate and the upper substrate to obtain a liquid crystal display panel;
  • the substrate is a glass substrate
  • the first metal layer is an aluminum layer, which is formed on the isolation layer by a sputtering process; wherein the second metal layer is a molybdenum layer, which is formed on the first metal layer by a sputtering process;
  • the ohmic contact layer is a doped hydrogenated amorphous silicon layer formed on the second metal layer by chemical vapor deposition;
  • the channel layer is a hydrogenated amorphous silicon layer formed on the ohmic contact layer by chemical vapor deposition
  • the gate insulating layer is a silicon nitride layer formed on the channel layer by chemical vapor deposition
  • the third metal layer is a molybdenum layer, an aluminum layer or a combined layer of a molybdenum layer and an aluminum layer, which is formed on the protective layer by sputtering;
  • R, G, and B pixels are formed on the protective layer by a coating process
  • the transparent conductive layer is an indium tin metal oxide layer formed on R by sputtering
  • the manufacturing method of the liquid crystal display panel of the invention greatly simplifies the color film substrate process of the existing AMLCD, so that the upper glass substrate only needs to deposit the ITO film, and since there is no Black Matrix, the film forming performance of the ITO film is better. Good, flat and good adhesion to glass; and, due to the TFT of the top gate structure, the channel layer can be made thinner to reduce the film deposition time, and at the same time improve the electrical characteristics, the on-state current will increase, The off-state current is also reduced.
  • this design can simplify the complicated COA process on the glass substrate of the TFT substrate, mainly due to the simplification of the TFT process, and the final completion is R, G.
  • B coating is relatively flat on the side of the TFT substrate, which is advantageous for liquid crystal control in the liquid crystal cell.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a conventional TFT substrate with staggered bottom gates
  • FIG. 2 is a schematic structural view of a conventional TFT substrate with a top gate staggered
  • FIG. 3 is a schematic structural view of a conventional R, G, and B formed on a TFT substrate liquid crystal display panel;
  • FIG. 4 is a flow chart showing a method of fabricating the liquid crystal display panel of the present invention.
  • FIG. 16 are schematic structural diagrams corresponding to respective stages of a liquid crystal display panel produced by the method for fabricating a liquid crystal display panel of the present invention
  • Fig. 17 is a view showing the structure of a liquid crystal display panel produced by the method for fabricating a liquid crystal display panel of the present invention.
  • the present invention provides a method for fabricating a liquid crystal display panel, including the following steps:
  • Step 1 Provide a substrate 20.
  • the substrate 20 is a transparent substrate.
  • the substrate 20 is a glass substrate.
  • Step 2. Form a black photoresist layer on the substrate 20, and form a predetermined pattern through the mask process to form a black matrix 22 (as shown in FIG. 5).
  • the black photoresist layer may be formed on the substrate 20 by printing, printing or coating.
  • the mask process includes processes such as exposure, development, and etching.
  • Step 3 Form an isolation layer 30 on the black photoresist layer (as shown in FIG. 6).
  • the spacer layer 30 serves to prevent contamination of the upper TFT device material by the black matrix 22 photoresist material, and the temperature and plasma of the vapor deposition method and the sputtering process destroy the black matrix 22, and thus the deposition temperature of the spacer layer 30 is required to be relatively low. At the same time, the spacer layer 30 can also solve the problem of adhesion of the film material in the latter stage.
  • Step 4 forming a first metal layer on the isolation layer 30, forming a second metal layer on the first metal layer, and forming a predetermined pattern by a photomask process, thereby forming a source/drain 42 and a storage capacitor Com electrode 44 (eg, 7 and 8, wherein Fig. 8 is a plan view of Fig. 7).
  • the first metal layer is formed on the isolation layer 30 by a sputtering process, and the second metal layer is formed on the first metal layer by a sputtering process.
  • the first metal layer The aluminum (A1) layer, the second metal layer is a molybdenum (Mo) layer, and the first and second metal layers are formed in the isolation layer 30 by coating, photoresist, exposure, development, etching, and photoresist stripping.
  • Source/drain 42 and storage capacitor Com electrode 44 Source/drain 42 and storage capacitor Com electrode 44.
  • Step 5 Form an ohmic contact layer on the second metal layer, and form a predetermined pattern through the mask process, thereby forming a film of the doped film 52 on the metal electrode (as shown in FIG. 9).
  • the ohmic contact layer is a doped hydrogenated amorphous silicon (n+ a-Si:H) layer formed on the second metal layer by chemical vapor deposition, and coated by photoresist, exposure, development, etching, and A process such as photoresist stripping forms a doped (n+) film 52 on the second metal layer.
  • n+ a-Si:H doped hydrogenated amorphous silicon
  • Step 6 Form a channel layer on the ohmic contact layer and form a predetermined pattern through the mask process to form an island 62 (as shown in FIG. 10).
  • the channel layer is a hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) layer formed on the ohmic contact layer by chemical vapor deposition (CVD), and coated by photoresist, exposed, developed, engraved Processes such as etching and photoresist stripping form an island 62.
  • a-Si:H hydrogenated amorphous silicon
  • Step 7 forming a gate insulating layer 70 on the channel layer, forming a third metal layer on the gate insulating layer 70, and forming a predetermined pattern through the mask process, thereby forming a gate electrode 82 and a storage capacitor counter electrode.
  • the storage capacitor counter electrode is placed at the edge of the black matrix 22 (as shown in Figure 11).
  • the gate insulating layer 70 is a silicon nitride (SiNx) layer formed on the channel layer by chemical vapor deposition.
  • the gate insulating layer 70 is a gate insulating layer (GI-SiNx).
  • the third metal layer is a molybdenum layer, an aluminum layer or a combined layer of a molybdenum layer and an aluminum layer, which is formed on the gate insulating layer 70 by sputtering.
  • the specific structure of the third metal layer can be appropriately adjusted according to the contact of the material.
  • the third metal layer is a three-layer structure of a molybdenum layer-aluminum layer-molybdenum layer.
  • the storage capacitor may be formed between the first and second metal layers and the third metal layer, or may be formed between the first and second metal layers and the transparent conductive layer.
  • the storage capacitor is formed by the first two metal layer and the third metal layer. Formed between.
  • the storage capacitor is disposed at an edge position of the black matrix 22, thereby increasing the aperture ratio of the liquid crystal display panel.
  • Step 8 Form a protective layer 90 on the third metal layer (as shown in FIG. 13).
  • the protective layer 90 is a SiNx layer.
  • Step 9 Form R, G, and B pixels 102, 104, and 106 on the protective layer 90 (as shown in FIG. 14).
  • the R, G, and B pixels 102, 104, 106 are formed on the protective layer 90 by a coating process.
  • Step 10 The first, G, and B pixels 102, 104, and 106 are corresponding to the source 42 and the storage capacitor at the position of the via hole to form the hole portion 108.
  • the hole portion 108 is mainly for the pixel electrode 112 and the source electrode 42 and the storage capacitor. Conduction (as shown in Figure 15).
  • Step 11 Form a transparent conductive layer on the R, G, and B pixels 102, 104, and 106, and form a predetermined pattern by a photomask process to form the pixel electrode 112, thereby producing a COA substrate 200 (as shown in FIG. 16).
  • the transparent conductive layer is an indium tin oxide (ITO) layer formed on the 1, G, B pixels 102, 104, 106 by sputtering.
  • ITO indium tin oxide
  • Step 12 The COA substrate 200 is bonded to the upper substrate 400, and liquid crystal (not shown) is injected into the COA substrate 200 and the upper substrate 400 to obtain a liquid crystal display panel (as shown in FIG. 17). It is worth mentioning that the present invention can further simplify the process by the following method: Method 1. The source, drain and n+ layers are deposited once and then etched.
  • Method 2 The source and the drain are first masked with a black matrix (MASK), then exposed, developed, and the lateral metal is etched away while the n+ layer is etched.
  • a black matrix (MASK)
  • the upper layer of the gate will have a layer of n+. If you use this process, the storage capacitors designed with MIM are on top of the Black Matrix.
  • a thin layer of GI-SiNx may be deposited after deposition of a-Si:H in step 6 to form a better interface (demarcation) to prevent subsequent interface contamination problems. It is also possible to deposit a thick layer of GI-SiNx after the formation of the island of a-Si:H/GI-SiNx, since the interface has been formed to reduce the deposition time by rapid deposition.
  • the insulating contact layer of Si02/Si can also be used here.
  • the manufacturing method of the liquid crystal display panel of the invention greatly simplifies the color film substrate process of the existing AMLCD, so that the upper glass substrate only needs to deposit the ITO film, and since there is no Black Matrix, the ITO film has better film forming performance.
  • the channel layer can be made thinner to reduce the film deposition time, while improving the electrical characteristics, the on-state current will increase, off The state current is also reduced;
  • the design can simplify the complicated COA process on the glass substrate of the TFT substrate, mainly due to the simplification of the TFT process, and since the final completion is R, G, B coating, in contrast, the TFT substrate side is also relatively flat, which is advantageous for liquid crystal control in the liquid crystal cell.

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Description

液晶显示面板的制作方法 技术领域
本发明涉及液晶显示领域， 尤其涉及一种液晶显示面板的制作方法。 背景技术
液晶显示装置（LCD, Liquid Crystal Display )具有机身薄、 省电、 无 辐射等众多优点， 得到了广泛的应用。 现有市场上的液晶显示装置大部分 为背光型液晶显示装置， 其包括液晶显示面板及背光模组 （backlight module ) 。 液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液 晶分子， 通过玻璃基板通电与否来控制液晶分子改变方向， 将背光模组的 光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜基板（CF, Color Filter ) 、 薄膜晶体管基板 ( TFT, Thin Film Transistor), 夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶 ( LC , Liquid Crystal )及密封胶框（ Sealant ) 组成， 其成型工艺一般包 括： 前段阵列 （Array ) 制程 （薄膜、 黄光、 蚀刻及剥膜） 、 中段成盒 ( Cell )制程（TFT基板与 CF基板贴合）及后段模组组装制程（驱动 IC 与印刷电路板压合） 。 其中， 前段 Array制程主要是形成 TFT基板， 以便 于控制液晶分子的运动； 中段 Cell制程主要是在 TFT基板与 CF基板之间 添加液晶； 后段模组组装制程主要是驱动 IC压合与印刷电路板的整合， 进而驱动液晶分子转动， 显示图像。
现在主流的 AMLCD (宽温液晶显示屏又叫主动式矩阵液晶显示器， Active Matrix Liquid Crystal Display )一般釆用的是底栅 ( bottom gate )错 列的 TFT 结构 300 (如图 1 所示）作为开关元件， 主要出于以下几点考 虑： 一是 bottom gate 可以作为遮光型设计， 避免来自背光源 （ Black Light ) 的光照产生的 active layer (沟道层， 普遍釆用的是 a-Si:H ) 的光电 流， 影响 TFT 器件的稳定性； 二是工艺上依次沉积 SiNx (氮化硅） /a- Si:H (氢化非晶硅） /n+ a-Si:H (掺碑氢化非晶硅）对各界面态影响最小。 而普遍被认识的顶栅 ( top-gate ) 结构 TFT300' (如图 2所示） 由于存在背 光源光照漏电流的影响而未被釆用。
目前常用的 COA ( Color Filtering On Array )设计是将 Black Matrix (黑色矩阵）依然设计在 Color Filtering一层用于挡住外界的干扰光和背 光源的漏光， 而将 R、 G、 B像素 310部分涂布在薄膜晶体管基板 300"— 层（如图 3所示） ， 其中 TFT部分釆用的是底栅错列结构。 其制程较为复 杂， 成本相对较高， 而良率较低。 发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶显示面板的制作方法， 其简化了生产 制程， 有效降低了生产成本。
为实现上述目的， 本发明提供一种液晶显示面板的制作方法， 包括以 下步骤：
步骤 1、 提供基板；
步骤 2、 在基板上形成黑色光阻材料层， 并通过光罩制程形成预定图 案， 进而形成黑色矩阵；
步骤 3、 在黑色光阻材料层上形成隔离层；
步骤 4、 在隔离层上形成第一金属层， 在第一金属层上形成第二金属 层， 并通过光罩制程形成预定图案， 进而形成源 /漏极与存储电容 Com 电 极；
步骤 5、 在第二金属层上形成欧姆接触层， 并通过光罩制程形成预定 图案， 进而在金属电极上形成掺碑薄膜；
步骤 6、 在欧姆接触层上形成沟道层， 并通过光罩制程形成预定图 案， 进而形成岛；
步骤 7、 在沟道层上形成栅极绝缘层， 在栅极绝缘层上形成第三金属 层， 并过光罩制程形成预定图案， 进而形成栅极及存储电容对电极， 所述 存储电容设于黑色矩阵的边缘位置；
步骤 8、 在第三金属层上形成保护层；
步骤 9、 在保护层上形成1 、 G、 B像素；
步骤 10、 在1 、 G、 B像素对应源极与存储电容位置过孔；
步骤 11、 在 R、 G、 B像素上形成透明导电层， 并通过光罩制程形成 预定图案， 进而形成像素电极， 进而制得 COA基板；
步骤 12、 将 COA基板与上基板贴合， 并在 COA基板与上基板注入 液晶， 进而制得液晶显示面板。
所述基板为玻璃基板。
所述第一金属层为铝层， 其通过溅射工艺形成于隔离层上。
所述第二金属层为钼层， 其通过溅射工艺形成于第一金属层上。
所述欧姆接触层为掺碑的氢化非晶硅层， 其通过化学气相沉积形成于 第二金属层上。 所述沟道层为氢化非晶硅层， 其通过化学气相沉积形成于欧姆接触层 上。
所述栅极绝缘层为氮化硅层， 其通过化学气相沉积形成于沟道层上。 所述第三金属层为钼层、 铝层或钼层与铝层的组合层， 其通过溅射形 成于保护层上。
所述 R、 G、 B像素通过涂布工艺形成于保护层上。
所述透明导电层为铟锡金属氧化物层， 其通过溅射形成于 R、 G、 B 像素上。
本发明还提供一种液晶显示面板的制作方法， 包括以下步骤： 步骤 1、 提供基板；
步骤 2、 在基板上形成黑色光阻材料层， 并通过光罩制程形成预定图 案， 进而形成黑色矩阵；
步骤 3、 在黑色光阻材料层上形成隔离层；
步骤 4、 在隔离层上形成第一金属层， 在第一金属层上形成第二金属 层， 并通过光罩制程形成预定图案， 进而形成源 /漏极与存储电容 Com 电 极；
步骤 5、 在第二金属层上形成欧姆接触层， 并通过光罩制程形成预定 图案， 进而在金属电极上形成掺碑薄膜；
步骤 6、 在欧姆接触层上形成沟道层， 并通过光罩制程形成预定图 案， 进而形成岛；
步骤 7、 在沟道层上形成栅极绝缘层， 在栅极绝缘层上形成第三金属 层， 并过光罩制程形成预定图案， 进而形成栅极及存储电容对电极， 所述 存储电容设于黑色矩阵的边缘位置；
步骤 8、 在第三金属层上形成保护层；
步骤 9、 在保护层上形成1 、 G、 B像素；
步骤 10、 在1 、 G、 B像素对应源极与存储电容位置过孔；
步骤 11、 在 R、 G、 B像素上形成透明导电层， 并通过光罩制程形成 预定图案， 进而形成像素电极， 进而制得 COA基板；
步骤 12、 将 COA基板与上基板贴合， 并在 COA基板与上基板注入 液晶， 进而制得液晶显示面板；
其中， 所述基板为玻璃基板；
其中， 所述第一金属层为铝层， 其通过溅射工艺形成于隔离层上； 其中， 所述第二金属层为钼层， 其通过溅射工艺形成于第一金属层 上； 其中， 所述欧姆接触层为掺碑的氢化非晶硅层， 其通过化学气相沉积 形成于第二金属层上；
其中， 所述沟道层为氢化非晶硅层， 其通过化学气相沉积形成于欧姆 接触层上；
其中， 所述栅极绝缘层为氮化硅层， 其通过化学气相沉积形成于沟道 层上；
其中， 所述第三金属层为钼层、 铝层或钼层与铝层的组合层， 其通过 溅射形成于保护层上；
其中， 所述 R、 G、 B像素通过涂布工艺形成于保护层上；
其中， 所述透明导电层为铟锡金属氧化物层， 其通过溅射形成于 R、
G、 B像素上。
本发明的有益效果： 本发明液晶显示面板的制作方法， 大大简化了现 有 AMLCD的彩膜基板工艺， 这样上玻璃基板只需要进行沉积 ITO薄膜， 而且由于没有 Black Matrix , ITO薄膜成膜性能较好， 平坦而且与玻璃的 附着作用比较好； 且， 由于釆用的顶栅结构的 TFT, 沟道层可以做的比较 薄减少了薄膜沉积时间， 同时提高了电学特性， 开态电流会提高， 关态电 流也会降低； 相对于底栅结构 TFT的 COA, 该设计可以简化 TFT基板一 层玻璃上比较复杂的 COA工序， 主要是由于 TFT的工序的简化， 而且由 于最后完成的是 R、 G、 B涂布， 相对而言 TFT基板一侧也比较平坦， 这 样对液晶盒内的液晶控制有利。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容， 请参阅以下有关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明
下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图 1为现有的底栅错列的 TFT基板结构示意图；
图 2为现有的顶栅错列的 TFT基板结构示意图；
图 3为现有 R、 G、 B形成于 TFT基板液晶显示面板的结构示意图； 图 4本发明液晶显示面板的制作方法的流程图；
图 5 至图 16 为用本发明液晶显示面板的制作方法制作的液晶显示面 板各阶段对应的结构示意图； 图 17 为用本发明液晶显示面板的制作方法制作的液晶显示面板的结 构示意图。 具体实施方式
为更进一步阐述本发明所釆取的技术手段及其效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图 4至图 17, 本发明提供一种液晶显示面板的制作方法， 包括 以下步骤：
步骤 1、 提供基板 20。
所述基板 20为透明基板， 在本实施例中， 该基板 20为玻璃基板。 步骤 2、 在基板 20上形成黑色光阻材料层， 并通过光罩制程形成预定 图案， 进而形成黑色矩阵 22 (如图 5所示） 。
所述黑色光阻材料层可通过打印、 印刷或涂布等方式形成于基板 20 上。 所述光罩制程包括曝光、 显影及蚀刻等制程。
步骤 3、 在黑色光阻材料层上形成隔离层 30 (如图 6所示） 。
所述隔离层 30用于防止黑色矩阵 22光阻材料对上层 TFT器件材料的 污染， 而且气相沉积法和溅射工艺的温度和等离子体会破坏黑色矩阵 22, 因此要求隔离层 30沉积温度比较低。 同时所述隔离层 30还可以解决后段 工序薄膜材料的附着力问题。
步骤 4、 在隔离层 30上形成第一金属层， 在第一金属层上形成第二金 属层， 并通过光罩制程形成预定图案， 进而形成源 /漏极 42 与存储电容 Com电极 44 (如图 7及图 8所示， 其中图 8为图 7的俯视图） 。
所述第一金属层通过溅射（Sputtering ) 工艺形成于隔离层 30 上， 所 述第二金属层通过溅射工艺形成于第一金属层上， 在本实施例中， 所述第 一金属层为铝 （A1 )层， 第二金属层为钼 （Mo )层， 该第一与第二金属层 通过涂布光阻、 曝光、 显影、 刻蚀及光阻剥离等制程， 在隔离层 30 形成 源 /漏极 42与存储电容 Com电极 44。
步骤 5、 在第二金属层上形成欧姆接触层， 并通过光罩制程形成预定 图案， 进而在金属电极上形成掺碑薄膜 52 (如图 9所示） 。
所述欧姆接触层为掺碑的氢化非晶硅（n+ a-Si:H )层， 其通过化学气 相沉积形成于第二金属层上， 并通过涂布光阻、 曝光、 显影、 刻蚀及光阻 剥离等制程在第二金属层上形成掺碑 ( n+ )薄膜 52。
步骤 6、 在欧姆接触层上形成沟道层， 并通过光罩制程形成预定图 案， 进而形成岛 62 (如图 10所示） 。 所述沟道层为氢化非晶硅 （ a-Si:H ) 层， 其通过化学气相沉积 ( Chemical vapor deposition, CVD )形成于欧姆接触层上， 并通过涂布光 阻、 曝光、 显影、 刻蚀及光阻剥离等制程形成岛 （island ) 62。
步骤 7、 在沟道层上形成栅极绝缘层 70, 在栅极绝缘层 70上形成第 三金属层， 并过光罩制程形成预定图案， 进而形成栅极 82及存储电容对 电极， 所述存储电容对电极设于黑色矩阵 22 的边缘位置 （如图 11 所 示） 。
所述栅极绝缘层 70 为氮化硅（SiNx )层， 其通过化学气相沉积形成 于沟道层上。 该栅极绝缘层 70为栅极绝缘层（GI-SiNx ) 。
所述第三金属层为钼层、 铝层或钼层与铝层的组合层， 其通过溅射形 成于栅极绝缘层 70 上。 该第三金属层的具体结构可根据材料的接触来适 当调整， 在本实施例中， 该第三金属层为钼层-铝层-钼层三层结构。
存储电容可第一、 二金属层和第三金属层之间形成， 也可由第一、 二 金属层与透明导电层之间形成， 优选所述存储电容由第一二金属层和第三 金属层之间形成。
请参阅图 12, 其为图 11的俯视图， 所述存储电容设于黑色矩阵 22的 边缘位置， 进而提高了液晶显示面板的开口率。
步骤 8、 在第三金属层上形成保护层 90 (如图 13所示） 。
该保护层 90为 SiNx层。
步骤 9、 在保护层 90上形成 R、 G、 B像素 102、 104、 106 (如图 14 所示） 。
所述 R、 G、 B像素 102、 104、 106 通过涂布工艺形成于保护层 90 上。
步骤 10、 在1 、 G、 B像素 102、 104、 106对应源极 42与存储电容位 置过孔， 以形成孔部 108, 该孔部 108主要是为了使像素电极 112与源极 42以及存储电容进行导通（如图 15所示） 。
步骤 11、 在 R、 G、 B像素 102、 104、 106上形成透明导电层， 并通 过光罩制程形成预定图案， 进而形成像素电极 112, 进而制得 COA基板 200 (如图 16所示 ) 。
所述透明导电层为铟锡金属氧化物 （ Indium Tin Oxides , ΙΤΟ )层， 其 通过溅射形成于1 、 G、 B像素 102、 104、 106上。
步骤 12、 将 COA基板 200与上基板 400贴合， 并在 COA基板 200 与上基板 400 注入液晶 （未图示） ， 进而制得液晶显示面板（如图 17 所 示） 。 值得一提的是， 本发明还可以进一步简化制程， 其方法可为： 方法一、 将源极、 漏极和 n+层一次沉积， 然后再刻蚀。
方法二、 源极、 漏极先以黑色矩阵作为掩膜（MASK ) ， 然后曝光、 显影， 并在 n+层蚀刻的时候再将横向的 Metal刻蚀掉。
这样栅极的上层都会有一层 n+层。 如果釆用此工艺， 釆用 MIM设计 的存储电容就在 Black Matrix上方。
另， 还可以在步骤 6沉积 a-Si:H之后再沉积一层比较薄的 GI-SiNx, 以形成比较好的 interface (分界） ， 防止后续的界面污染问题。 还可以在 a-Si:H/GI-SiNx的 island形成之后再沉积一层厚的 GI-SiNx, 由于界面已经 形成可以釆用快速沉积降低沉积时间。 这里还可以釆用 Si02/Si 的绝缘接 触层。
综上所述， 本发明液晶显示面板的制作方法， 大大简化了现有 AMLCD的彩膜基板工艺， 这样上玻璃基板只需要进行沉积 ITO薄膜， 而 且由于没有 Black Matrix , ITO薄膜成膜性能较好， 平坦而且与玻璃的附 着作用比较好； 且， 由于釆用的顶栅结构的 TFT, 沟道层可以做的比较薄 减少了薄膜沉积时间， 同时提高了电学特性， 开态电流会提高， 关态电流 也会降低； 相对于底栅结构 TFT的 COA, 该设计可以简化 TFT基板一层 玻璃上比较复杂的 COA工序， 主要是由于 TFT的工序的简化， 而且由于 最后完成的是 R、 G、 B涂布， 相对而言 TFT基板一侧也比较平坦， 这样 对液晶盒内的液晶控制有利。
以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims

权 利 要 求
1、 一种液晶显示面板的制作方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 提供基板；
步骤 2、 在基板上形成黑色光阻材料层， 并通过光罩制程形成预定图 案， 进而形成黑色矩阵；
步骤 3、 在黑色光阻材料层上形成隔离层；
步骤 4、 在隔离层上形成第一金属层， 在第一金属层上形成第二金属 层， 并通过光罩制程形成预定图案， 进而形成源 /漏极与存储电容 Com 电 极；
步骤 5、 在第二金属层上形成欧姆接触层， 并通过光罩制程形成预定 图案， 进而在金属电极上形成掺碑薄膜；
步骤 6、 在欧姆接触层上形成沟道层， 并通过光罩制程形成预定图 案， 进而形成岛；
步骤 7、 在沟道层上形成栅极绝缘层， 在栅极绝缘层上形成第三金属 层， 并过光罩制程形成预定图案， 进而形成栅极及存储电容对电极， 所述 存储电容设于黑色矩阵的边缘位置；
步骤 8、 在第三金属层上形成保护层；
步骤 9、 在保护层上形成1 、 G、 B像素；
步骤 10、 在1 、 G、 B像素对应源极与存储电容位置过孔；
步骤 11、 在 R、 G、 B像素上形成透明导电层， 并通过光罩制程形成 预定图案， 进而形成像素电极， 进而制得 COA基板；
步骤 12、 将 COA基板与上基板贴合， 并在 COA基板与上基板注入 液晶， 进而制得液晶显示面板。
2、 如权利要求 1 所述的液晶显示面板的制作方法， 其中， 所述基板 为玻璃基板。
3、 如权利要求 1 所述的液晶显示面板的制作方法， 其中， 所述第一 金属层为铝层， 其通过溅射工艺形成于隔离层上。
4、 如权利要求 1 所述的液晶显示面板的制作方法， 其中， 所述第二 金属层为钼层， 其通过溅射工艺形成于第一金属层上。
5、 如权利要求 1 所述的液晶显示面板的制作方法， 其中， 所述欧姆 接触层为掺磷的氢化非晶硅层， 其通过化学气相沉积形成于第二金属层 上。
6、 如权利要求 1 所述的液晶显示面板的制作方法， 其中， 所述沟道 层为氢化非晶硅层， 其通过化学气相沉积形成于欧姆接触层上。
7、 如权利要求 1 所述的液晶显示面板的制作方法， 其中， 所述栅极 绝缘层为氮化硅层， 其通过化学气相沉积形成于沟道层上。
8、 如权利要求 1 所述的液晶显示面板的制作方法， 其中， 所述第三 金属层为钼层、 铝层或钼层与铝层的组合层， 其通过溅射形成于保护层 上。
9、 如权利要求 1 所述的液晶显示面板的制作方法， 其中， 所述 R、 G、 B像素通过涂布工艺形成于保护层上。
10、 如权利要求 1 所述的液晶显示面板的制作方法， 其中， 所述透明 导电层为铟锡金属氧化物层， 其通过溅射形成于 R、 G、 B像素上。
11、 一种液晶显示面板的制作方法， 包括以下步骤：
步骤 1、 提供基板；
步骤 2、 在基板上形成黑色光阻材料层， 并通过光罩制程形成预定图 案， 进而形成黑色矩阵；
步骤 3、 在黑色光阻材料层上形成隔离层；
步骤 4、 在隔离层上形成第一金属层， 在第一金属层上形成第二金属 层， 并通过光罩制程形成预定图案， 进而形成源 /漏极与存储电容 Com 电 极；
步骤 5、 在第二金属层上形成欧姆接触层， 并通过光罩制程形成预定 图案， 进而在金属电极上形成掺碑薄膜；
步骤 6、 在欧姆接触层上形成沟道层， 并通过光罩制程形成预定图 案， 进而形成岛；
步骤 7、 在沟道层上形成栅极绝缘层， 在栅极绝缘层上形成第三金属 层， 并过光罩制程形成预定图案， 进而形成栅极及存储电容对电极， 所述 存储电容设于黑色矩阵的边缘位置；
步骤 8、 在第三金属层上形成保护层；
步骤 9、 在保护层上形成1 、 G、 B像素；
步骤 10、 在1 、 G、 B像素对应源极与存储电容位置过孔；
步骤 11、 在 R、 G、 B像素上形成透明导电层， 并通过光罩制程形成 预定图案， 进而形成像素电极， 进而制得 COA基板；
步骤 12、 将 COA基板与上基板贴合， 并在 COA基板与上基板注入 液晶， 进而制得液晶显示面板；
其中， 所述基板为玻璃基板； 其中， 所述第一金属层为铝层， 其通过溅射工艺形成于隔离层上； 其中， 所述第二金属层为钼层， 其通过溅射工艺形成于第一金属层 上；
其中， 所述欧姆接触层为掺碑的氢化非晶硅层， 其通过化学气相沉积 形成于第二金属层上；
其中， 所述沟道层为氢化非晶硅层， 其通过化学气相沉积形成于欧姆 接触层上；
其中， 所述栅极绝缘层为氮化硅层， 其通过化学气相沉积形成于沟道 层上；
其中， 所述第三金属层为钼层、 铝层或钼层与铝层的组合层， 其通过 溅射形成于保护层上；
其中， 所述 R、 G、 B像素通过涂布工艺形成于保护层上；
其中， 所述透明导电层为铟锡金属氧化物层， 其通过溅射形成于 R、 G、 B像素上。
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