WO2013176325A1 - 길만시약 화합물을 이용한 헤테로 융합고리 화합물의 신규한 제조방법 - Google Patents

길만시약 화합물을 이용한 헤테로 융합고리 화합물의 신규한 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2013176325A1
WO2013176325A1 PCT/KR2012/004269 KR2012004269W WO2013176325A1 WO 2013176325 A1 WO2013176325 A1 WO 2013176325A1 KR 2012004269 W KR2012004269 W KR 2012004269W WO 2013176325 A1 WO2013176325 A1 WO 2013176325A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
compound
formula
fused ring
reagent
halogen
Prior art date
Application number
PCT/KR2012/004269
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김윤희
윤희준
권순기
Original Assignee
경상대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 경상대학교산학협력단 filed Critical 경상대학교산학협력단
Publication of WO2013176325A1 publication Critical patent/WO2013176325A1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/22Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/02Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D493/04Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D493/00Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system
    • C07D493/22Heterocyclic compounds containing oxygen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/22Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D517/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms
    • C07D517/02Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D517/04Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D517/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms
    • C07D517/22Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a novel method for producing a hetero fused ring compound used as a base material of organic electronic materials OLED, OPV, OTFT.
  • organic thin film transistors using organic semiconductor materials have been actively researched and developed.
  • the organic semiconductor material can be easily formed into a thin film by a wet process such as an easy process such as printing or spin coating.
  • Thin film transistors using organic semiconductor materials also have the advantage of lowering the fabrication process temperature compared to thin film transistors using inorganic semiconductor materials. Therefore, it is possible to deposit a film on a plastic substrate which is generally low in heat resistance, thereby making it possible to reduce the weight and cost of electronic devices such as display devices.
  • the electronic device can be widely used taking advantage of the flexibility of the plastic substrate.
  • an acene-based material such as pentacene has been reported as an organic semiconductor material of a low molecular weight compound (Patent Document 1 and Non-Patent Document 1).
  • Organic thin film transistors using pentacene in organic semiconductor layers have been reported to have relatively high field effect mobility.
  • acene-based materials have very low solubility in general purpose solvents. Therefore, when such an acene-based material is used to form a thin organic semiconductor layer of an organic thin film transistor, it is necessary to perform a vacuum deposition step. That is, the thin film cannot be deposited by an easy process such as coating, printing, and the like, and the acene-based material does not always meet the expectations for organic semiconductor materials.
  • Non-Patent Document 2 discloses an organic thin film semiconductor.
  • the conventional method is to prepare a benzodithiophene compound through a total of five steps from the starting material, there was a limit that the synthesis yield is greatly reduced during the synthesis and purification of the material in each step of the process.
  • An object of the present invention is to provide a novel method for preparing a hetero fused ring compound, in which the reaction process is simple and the yield is high and economical in the method for preparing a hetero fused ring compound usefully used as an organic electronic material.
  • the present invention comprises the steps of reacting a compound of formula 2 with an organolithium compound and a copper halide to prepare a gilman reagent compound of formula 3;
  • It provides a method for preparing a hetero fused ring compound of Formula 1 comprising the step of preparing a compound of Formula 5 by carbon-carbon pairing reaction of the Gilman reagent compound of Formula 3 with the compound of Formula 4.
  • R 1 to R 2 in the above formula are hydrogen, halogen, (C1-C30) alkyl, (C6-C30) aryl, (C3-C30) heteroaryl, (C3-C30) cycloalkyl, 5- to 7-membered hetero May be linked to (C2-C30) alkylene or (C2-C30) alkenylene, which may be cycloalkyl, cyano, nitro or hydroxy, with or without adjacent substituents, to form a fused ring, The carbon atoms of the formed fused ring may be substituted with one or more heteroatoms selected from nitrogen, oxygen, selenium and sulfur;
  • X 1 to X 2 are halogen;
  • Y 1 is S, Se, O, NR 11 , or SiR 12 R 13 ;
  • Z is S, Se, O or NR 14 ;
  • A is NR 15 R 16 , SiR 17 R 18 R 19 , SR 20 or OR 21 ;
  • Substituents comprising the "alkyl” and other “alkyl” moieties described in this invention include both straight and pulverized forms, and "cycloalkyl” is not only a monocyclic system but also adamantyl or (C7-C30) bicycloalkyl It also includes several ring-based hydrocarbons such as.
  • the "aryl” described in the present invention is an organic radical derived from an aromatic hydrocarbon by one hydrogen removal, and is a single or fused ring containing 4 to 7, preferably 5 or 6 ring atoms in each ring as appropriate. It includes a system, including a form in which a plurality of aryl is connected by a single bond.
  • heteroaryl in the present invention also includes a form in which one or more heteroaryl is connected by a single bond.
  • R 1 to R 2 are hydrogen, halogen, (C 1 -C 10) alkyl, (C 6 -C 18) aryl, (C 3 -C 18) heteroaryl, (C 3 -C 10) cycloalkyl, 5- to 7-membered Heterocycloalkyl, cyano, nitro or hydroxy, or Connected to form a fused ring;
  • X 1 to X 2 are halogen; Y 1 is S, Se, O, NR 11 , or SiR 12 R 13 ; Z is S, Se, O or NR 14 ;
  • A is NR 15 R 16 ;
  • Y 11 is C, S, Se, O, or NR 22 ;
  • R 11 to R 16 and R 22 are each independently hydrogen, halogen, (C 1 -C 10) alkyl or (C 6 -C 18) aryl;
  • the heterocycloalkyl and heteroaryl include one or more heteroatoms selected from B, N, O,
  • Gilman reagent has a structure of (R 21 ) 2 CuLi, and has a characteristic of inducing a carbon-carbon coupling reaction.
  • R 21 may be (C 1 -C 10) alkyl, (C 6 -C 18) aryl or (C 3 -C 18) heteroaryl.
  • a halide heterocyclic compound in the preparation of a hetero fused ring compound, is first reacted with an organolithium compound and a halide copper to prepare a gilman reagent compound, and by using the prepared gilman reagent compound to induce a carbon-carbon coupling reaction.
  • the process for preparing a hetero fused ring compound was found to be much simpler, and thus the effect of increasing the reaction yield was found, thus completing the present invention.
  • the preparation of the Gilman reagent compound according to the present invention may be performed at -80 to -60 ° C, and more specifically, the halide heterocyclic compound and the organic lithium compound of Chemical Formula 2 in the presence of an organic solvent at -80 to -60 ° C.
  • halide copper may be added to prepare a gilman reagent compound according to the present invention.
  • the organolithium compound may be used without limitation as long as it is an organic compound in which lithium is substituted at the end of the compound.
  • n-butyllithium (n-BuLi) may be used. have.
  • the copper halide may use copper iodide (CuI).
  • the present invention can be prepared by reducing the preparation of the hetero fused ring compound, which was previously manufactured in a five-step process, by participating in the reaction of the gilman reagent compound in three steps, and the yield of the target compound is shortened and simplified. The effect is much higher.
  • the step of preparing the compound of Chemical Formula 5 by carbon-carbon pairing reaction of the Gilman reagent compound of Chemical Formula 3 with the compound of Chemical Formula 4 may be performed at -80 to 30 ° C. for 12 to 20 hours.
  • the reaction may be performed at -80 to 30 ° C. for 13 to 18 hours to increase the yield of the reaction and not to react with impurities.
  • the reaction of the Gilman reagent compound of Formula 3 and the compound of Formula 4 may be carried out by adding the Gilman reagent compound of Formula 3 and the compound of Formula 4 in a molar ratio of 1: 2 to 10.
  • the compound of Formula 4 when the compound of Formula 4 is less than 2 moles per 1 mole of Gilman reagent compound, lithium (Li) ions of the Gilman reagent compound react with the desired position in the present invention.
  • by-products which fall outside the scope of the present invention may be generated, thereby lowering the reaction yield.
  • the compound of Chemical Formula 5 prepared in the presence of a Gilman reagent compound according to the present invention may be prepared as a heterofused ring compound of Chemical Formula 1 by reacting in the presence of an organolithium reagent.
  • the organolithium reagent may be used without limitation as long as it is a compound having a structure of (C1-C10) alkyl or (C3-C10) cycloalkyl substituted with lithium at the terminal. Butyl lithium (n-BuLi) can be used.
  • the organolithium reagent may be added to 0.5 to 2 moles of the compound of Formula 5 to participate in the reaction.
  • a by-product may be generated by overreaction, and a reaction yield may be reduced.
  • the reaction process time may increase.
  • the reaction of the compound of Formula 5 and the organic lithium reagent may be used without limitation as long as it is an organic solvent that does not contain a halide at room temperature, and more specifically, tetrahydrofuran (THF), diethyl ether (ether), Hexane (Hexane), cyclohexane (Cyclohexane), toluene (Toluene) is characterized in that it is carried out under a mixed solvent thereof, for example, can be carried out under a tetrahydrofuran (THF) solvent at room temperature.
  • THF tetrahydrofuran
  • a halide heterocyclic compound is reacted with an organolithium compound and a halide copper to prepare a gilman reagent compound, which is then added to the reaction, thereby greatly reducing the reaction process and thus, 15% It can bring about the effect of increasing the production yield of the hetero fused ring compound was less than 35 to 70%.
  • Heterofused ring compound compounds prepared according to the production method of the present invention may include, but are not limited to, the following compounds.
  • the method for producing a hetero fused ring compound according to the present invention has the effect of greatly reducing the process of the reaction by significantly preparing the gilman reagent compound in the manufacturing process and participating in the produced gilman reagent compound directly, thereby significantly increasing the reaction yield. Bring it.
  • hetero-fused ring compounds according to the present invention are usefully used as a base material of organic electronic materials OLED, OPV, OTFT, and can save time and cost in the development and manufacture of organic electronic materials such as OLED, OPV, OTFT, etc. It has an effect.
  • 3-bromothiophene (10.0 g, 61.33 mmol) was added to a 250 mL three-neck round bottom flask and dissolved in ether (150 ml). The temperature was lowered to 78 ° C. and normal butyllithium (n-BuLi) (2.5 M in hexane, 26.98 mL, 67.46 mmol) was slowly added dropwise. After stirring for 40 minutes under a stream of nitrogen, copper (I) iodide (5.84 g, 30.66 mmol) was added in several portions.
  • n-BuLi normal butyllithium
  • Dimethylcarbamyl chloride (7.59 g, 70.53 mmol) was added to a 500 mL three neck round bottom flask, and dissolved in ehter (200 mL), and the temperature was reduced to 78 ° C.
  • the Gilman reagent compound (14.4 g, 95%) prepared in Step 1 was added dropwise while maintaining 78 ° C. At this time, a cannula needle or a syringe was used. Thereafter, the temperature was maintained at 78 ° C. for 10 minutes and slowly raised to room temperature, followed by stirring for 14 hours. Extracted with Ether, the organic layer was washed with water, dried over MgSO4 and removed using a rotary evaporator.
  • N, N-Dimethylthiophene-3-carboxamide (6.66 g, 70%) as a brown liquid compound, which was analyzed by 1 H NMR spectrum. It is shown in Figure 1 below.
  • N, N-Dimethylthiophene-3-carboxamide (4 g, 25.77 mmol) prepared in Step 2 was added to a 100 mL two-necked round bottom flask and dissolved in THF (40 mL). N-BuLi (2.5 M in hexane, 11.34 mL, 28.35 mmol) was slowly added dropwise at room temperature. After stirring for 10 minutes under a stream of nitrogen, the reaction was terminated with water. When the olive precipitate had settled, it was filtered through a glass filter, washed with excess water and THF, and dried to give a yellow solid compound 4,8-Dione-Benzodithiophene ( 5.05 g, 89%) was obtained.
  • Thiophene-3-carboxylic acid (10.00 g, 78.03 mmol) prepared in step 2 was added to a 250 mL two-necked round bottom flask and dissolved in thionyl chloride (100 mL). After refluxing for 6 hours under nitrogen stream, the temperature was lowered to room temperature and the solvent was removed using a rotary evaporator to obtain a dark brown solid compound without purification. Used for the next reaction without purification.
  • N, N-Dimethylthiophene-3-carboxamide (4 g, 25.77 mmol) prepared in Step 4 was added to a 100 mL two-necked round bottom flask and dissolved in THF (40 mL). N-BuLi (2.5 M in hexane, 11.34 mL, 28.35 mmol) was slowly added dropwise at room temperature. After stirring for 10 minutes under a stream of nitrogen, the reaction was terminated with water. When the olive precipitate had settled, it was filtered through a glass filter, washed with excess water and THF and dried to give the yellow solid compound 4,8-Dione-Benzodithiophene ( 5.05 g, 89%) was obtained.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 전자재료 OLED, OPV, OTFT의 기본재료 물질로 사용되는 헤테로 융합고리 화합물의 새로운 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 4, 8-다이온-벤조디티오펜 유도체의 제조방법은 길만시약 존재 하에 탄소-탄소 짝지음 반응을 시킴으로 인해 반응의 공정을 대폭 축소하고 그에 따라 반응 수율을 월등히 높이는 효과를 가져온다. 또한 본 발명에 따른 4, 8-다이온-벤조디티오펜 유도체들은 유기 전자재료 OLED, OPV, OTFT의 기본재료 물질로 유용하게 사용되며, OLED, OPV, OTFT등 유기 전자재료의 개발 및 제조에 있어서 시간 및 비용을 절감할 수 있는 효과를 가져올 수 있다.

Description

길만시약 화합물을 이용한 헤테로 융합고리 화합물의 신규한 제조방법
본 발명은 유기 전자재료 OLED, OPV, OTFT의 기본재료 물질로 사용되는 헤테로 융합고리 화합물의 새로운 제조방법에 관한 것이다.
21세기 정보통신의 발달과 개인 휴대용 통신기기에 대한 욕구는 크기가 작고, 중량이 가볍고, 두께가 얇고, 사용하기 편리한 정보통신기기를 가능하게 하는 초미세 가공, 초고집적회로를 제작할 수 있는 고성능 전기전자재료, 신개념의 디스플레이를 가능케 하는 새로운 정보통신 재료를 필요로 하고 있다.
최근, 유기 반도체 재료를 이용한 유기 박막 트랜지스터가 활발하게 연구 및 개발되고 있다. 유기 반도체 재료는 웨트 공정, 예컨대 인쇄, 스핀 코팅 등과 같은 용이한 공정에 의해 용이하게 박막으로 형성할 수 있다. 유기반도체 재료를 이용한 박막 트랜지스터는 또한 무기 반도체 재료를 이용한 박막 트랜지스터에 비해 제조 공정 온도를 낮출 수 있다는 이점이 있다. 따라서, 일반적으로 내열성이 낮은 플라스틱 기판 상에 막을 증착시킬 수 있어, 디스플레이 소자와 같은 전자 소자를 경량화시키고 저비용화할 수 있다. 또한, 플라스틱 기판의 유연성의 이점을 살려 전자 소자를 폭넓게 사용할 수 있을 것으로 기대된다.
지금까지, 저분자 화합물의 유기 반도체 재료로서 펜타센과 같은 아센계 재료가 보고되어 있다(특허문헌 1 및 비특허문헌 1). 유기 반도체 층에 펜타센을 이용한 유기 박막 트랜지스터는 비교적 높은 전계 효과 이동도를 갖는 것으로 보고되어 있다. 그러나, 아센계 재료는 범용 용매에 대한 용해성이 매우 낮다. 따라서, 이러한 아센계 재료를 유기 박막 트랜지스터의 얇은 유기 반도체 층의 형성에 사용하는 경우, 진공 증착 단계를 실시할 필요가 있다. 즉, 코팅, 인쇄 등과 같은 용이한 공정에 의해 박막을 증착시킬 수 없어, 아센계 재료는 유기 반도체 재료에 대한 기대를 항상 충족시키지는 않는다.
최근에는 비치환 벤조디티오펜 및 벤조디셀레노펜 기재 분자의 유기 박막 반도체로서의 용도가 발견되었다(비특허문헌 2).
그러나 기존의 방법으로는 출발물질로부터 총 5단계의 공정을 거쳐 벤조디티오펜화합물을 제조하게 되고, 각 단계의 공정마다 물질을 합성 및 정제하는 과정에서 합성 수율이 많이 떨어지게 되는 한계점이 있었다.
본 발명의 목적은 유기 전자재료물질로 유용하게 사용되는 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법에 있어서 반응공정이 단순하고 반응수율이 높아 경제성이 있는 헤테로 융합고리 화합물의 신규한 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 하기 화학식 2의 화합물을 유기리튬 화합물 및 할라이드구리와 반응시켜 하기 화학식 3의 길만시약 화합물을 제조하는 단계; 및
하기 화학식 3의 길만시약 화합물과 하기 화학식 4의 화합물을 탄소-탄소 짝지음 반응시켜 하기 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계;를 포함하는 하기 화학식 1의 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법을 제공한다.
[화학식 2]
Figure PCTKR2012004269-appb-I000001
[화학식 3]
Figure PCTKR2012004269-appb-I000002
[화학식 4]
Figure PCTKR2012004269-appb-I000003
[화학식 5]
Figure PCTKR2012004269-appb-I000004
[화학식 1]
Figure PCTKR2012004269-appb-I000005
상기 화학식에서 R1 내지 R2는 수소, 할로겐, (C1-C30)알킬, (C6-C30)아릴, (C3-C30)헤테로아릴, (C3-C30)시클로알킬, 5원 내지 7원의 헤테로시클로알킬, 시아노, 나이트로 또는 하이드록시이거나, 인접한 치환체와 융합고리를 포함하거나 포함하지 않는 (C2-C30)알킬렌 또는 (C2-C30)알케닐렌으로 연결되어 융합고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 융합고리의 탄소 원자는 질소, 산소, 셀레늄 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있고; X1 내지 X2는 할로겐이며; Y1은 S, Se, O, NR11, 또는 SiR12R13이고; Z는 S, Se, O 또는 NR14이며; A는 NR15R16, SiR17R18R19, SR20 또는 OR21이고; R11 내지 R21은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, (C1-C30)알킬, (C6-C30)아릴, (C3-C30)헤테로아릴, 5원 내지 7원의 헤테로시클로알킬 또는 (C3-C30)시클로알킬이며; 상기 헤테로시클로알킬 및 헤테로아릴은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.
본 발명에 기재된 「알킬」 및 그 외 「알킬」부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함하고, 「시클로알킬」은 단일 고리계 뿐만 아니라 아다만틸 또는 (C7-C30)바이시클로알킬과 같은 여러 고리계 탄화수소도 포함한다. 본 발명에 기재된 「아릴」은 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로, 각 고리에 적절하게는 4 내지 7개, 바람직하게는 5 또는 6개의 고리원자를 포함하는 단일 또는 융합고리계를 포함하며, 다수개의 아릴이 단일결합으로 연결되어 있는 형태까지 포함한다. 본 발명에 기재된 「헤테로아릴」은 방향족 고리 골격 원자로서 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택되는 1 내지 4개의 헤테로원자를 포함하고 나머지 방향족 고리 골격 원자가 탄소인 아릴 그룹을 의미하는 것으로, 5 내지 6원 단환 헤테로아릴, 및 하나 이상의 벤젠 환과 축합된 다환식 헤테로아릴이며, 부분적으로 포화될 수도 있다. 또한, 본 발명에서의 헤테로아릴은 하나 이상의 헤테로아릴이 단일결합으로 연결된 형태도 포함한다.
보다 상세하게 상기 R1 내지 R2는 수소, 할로겐, (C1-C10)알킬, (C6-C18)아릴, (C3-C18)헤테로아릴, (C3-C10)시클로알킬, 5원 내지 7원의 헤테로시클로알킬, 시아노, 나이트로 또는 하이드록시이거나,
Figure PCTKR2012004269-appb-I000006
로 연결되어 융합고리를 형성할 수 있고; X1 내지 X2는 할로겐이며; Y1은 S, Se, O, NR11, 또는 SiR12R13이고; Z는 S, Se, O 또는 NR14이며; A는 NR15R16이고; Y11은 C, S, Se, O, 또는 NR22이며; R11 내지 R16 및 R22는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, (C1-C10)알킬 또는 (C6-C18)아릴이고; 상기 헤테로시클로알킬 및 헤테로아릴은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.
길만시약은 (R21)2CuLi의 구조를 가지는 것으로써, 탄소-탄소 짝지음 반응을 유발하는 특징을 가지고 있다.
상기 R21은 (C1-C10)알킬, (C6-C18)아릴 또는 (C3-C18)헤테로아릴일 수 있다.
본 발명은 헤테로 융합고리 화합물의 제조에 있어서 할라이드헤테로고리 화합물을 유기리튬 화합물 및 할라이드구리와 먼저 반응시켜 길만시약 화합물로 제조하고, 제조된 길만시약 화합물을 이용하여 탄소-탄소 짝지음 반응을 유발함으로써 기존에 비해 헤테로 융합고리 화합물의 제조 공정단계가 월등히 간편해 짐에 따라 반응 수율도 높일 수 있는 효과가 나타남을 발견하고 본 발명을 완성하게 되었다.
본 발명에 따르는 길만시약 화합물의 제조는 -80 내지 -60℃에서 수행될 수 있으며, 보다 상세하게 -80 내지 -60℃의 유기용매 존재 하에 상기 화학식 2의 할라이드헤테로고리 화합물과 유기리튬화합물을 먼저 반응시킨 후, 할라이드구리를 투입하여 본 발명에 따르는 길만시약 화합물을 제조할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서 상기 유기리튬 화합물은 화합물의 말단에 리튬이 치환된 유기화합물이라면 제한없이 사용 가능하지만, 본 발명의 일 실시예에 있어서 n-부틸리튬(n-BuLi)을 사용할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서 상기 할라이드구리는 요오드화구리(CuI)를 사용할 수 있다.
본 발명은 길만시약 화합물을 반응에 참여시킴으로써 기존에 5단계의 공정으로 제조되던 헤테로 융합고리 화합물의 제조를 3단계로 줄여서 제조할 수 있게 되고, 반응 공정이 짧고 간편해짐에 따라 목적 화합물의 수율을 월등히 높일 수 있는 효과를 가져온다.
본 발명에 따라 상기 화학식 3의 길만시약 화합물과 상기 화학식 4의 화합물을 탄소-탄소 짝지음 반응시켜 상기 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계는 -80 내지 30℃에서 12 내지 20시간동안 수행될 수 있으며, 보다 상세하게는 -80 내지 30℃에서 13 내지 18시간동안 수행되는 것이 반응의 수율을 높이고 과반응되어 불순물이 생기지 않아서 좋을 수 있다.
상기 화학식 3의 길만시약 화합물과 화학식 4의 화합물의 반응은 상기 화학식 3의 길만시약 화합물과 화학식 4의 화합물을 1: 2 내지 10의 몰(mol)비로 투입하여 반응시킬 수 있다. 상기 화학식 5의 화합물에 제조에 있어서 상기 화학식 4의 화합물이 길만시약 화합물 1몰에 대하여 2몰 미만으로 투입이 되는 경우 상기 길만시약 화합물의 리튬(Li)이온이 본 발명에서 원하는 위치에 반응하여 결합하지 않아 본 발명의 범주에 벗어나는 부산물이 생성될 수 있으며, 그에 따라 반응 수율이 낮아지는 점이 발생할 수 있다.
본 발명에 따라 길만시약 화합물의 존재 하에 제조된 상기 화학식 5의 화합물은 유기리튬시약의 존재하에 반응시켜 상기 화학식 1의 헤테로 융합고리 화합물로 제조될 수 있다. 상기 유기리튬시약은 말단에 리튬이 치환된 (C1-C10)알킬또는 (C3-C10)시클로알킬의 구조를 가지는 화합물이라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 본 말명의 일 실시예에 있어서 유기리튬시약으로 노말부틸리튬(n-BuLi)을 사용할 수 있다.
상기 유기리튬시약은 상기 화학식 5의 화합물 1몰에 대하여 0.5 내지 2몰 투입하여 반응에 참여될 수 있다. 유기리튬시약이 과량 첨가될 경우 과반응에 의해 부산물이 생성되어 반응 수율이 감소할 수 있고, 유기리튬시약이 소량 첨가되는 경우 반응공정시간이 길어지게 되는 점이 발생할 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 화학식 5의 화합물과 유기리튬시약의 반응은 상온의 할라이드가 포함되지 않은 유기용매라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 보다 상세하게는 테트라하이드로퓨란(THF), 디에틸에테르(ether), 헥산(Hexane), 사이클로헥산(Cyclohexane), 톨루엔(Toluene) 또는 이들의 혼합용매 하에서 수행되는 것을 특징으로 하며, 예를 들면 상온의 테트라하이드로퓨란(THF)용매 하에서 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법은 할라이드헤테로고리 화합물을 유기리튬 화합물 및 할라이드구리와 반응시켜 길만시약 화합물을 제조하여 반응에 투입시킴으로 인해 반응의 공정을 대폭 축소하고 그에 따라 기존에 15% 미만이었던 헤테로 융합고리 화합물의 제조 수율을 35 내지 70%로 높이는 효과를 가져올 수 있다.
본 발명의 제조방법에 따라 제조된 헤테로 융합고리 화합물 화합물은 대표적으로 하기의 화합물을 들 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure PCTKR2012004269-appb-I000007
Figure PCTKR2012004269-appb-I000008
Figure PCTKR2012004269-appb-I000009
Figure PCTKR2012004269-appb-I000010
Figure PCTKR2012004269-appb-I000011
Figure PCTKR2012004269-appb-I000012
Figure PCTKR2012004269-appb-I000013
Figure PCTKR2012004269-appb-I000014
Figure PCTKR2012004269-appb-I000015
Figure PCTKR2012004269-appb-I000016
Figure PCTKR2012004269-appb-I000017
Figure PCTKR2012004269-appb-I000018
본 발명에 따른 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법은 제조 공정에 있어서 길만시약 화합물을 먼저 제조하고, 제조된 길만시약 화합물을 직접 반응에 참여시킴으로써 반응의 공정을 대폭 축소하고 그에 따라 반응 수율을 월등히 높이는 효과를 가져온다.
또한 본 발명에 따른 헤테로 융합고리 화합물들은 유기 전자재료 OLED, OPV, OTFT의 기본재료 물질로 유용하게 사용되며, OLED, OPV, OTFT등 유기 전자재료의 개발 및 제조에 있어서 시간 및 비용을 절감할 수 있는 효과를 가져온다.
도 1은 하기 실시예1의 단계 2에서 제조된 화합물의 1H NMR 스펙트럼이다.
이하에서, 본 발명의 상세한 이해를 위하여 본 발명의 대표 화합물을 실시예 및 비교예를 들어 상세하게 설명하겠는바, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석 되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다.
[실시예 1] 4, 8-다이온-벤조디티오펜의 제조
단계 1) Dithiophenecopperlithium 제조
250 mL 삼구 둥근 바닥 플라스크에 3-bromothiophene (10.0 g, 61.33 mmol)를 넣고 ether(150 ml) 에 녹였다. 온도를 78℃로 낮추고 노말부틸리튬(n-BuLi) (2.5 M in hexane, 26.98 mL, 67.46 mmol)을 천천히 적가하였다. 질소 기류 하에서 40 분 동안 교반한 다음 copper(I) iodide (5.84 g, 30.66 mmol)을 여러 번 나눠서 넣어주었다. 질소 기류 하에서 온도를 78℃를 유지하면서 1시간동안 교반하여 dithiophenecopperlithium의 구조를 가지는 길만시약 화합물(14.4g, 95%)을 제조하였고, 길만시약 화합물의 제조 후 다음 단계로 진행하기까지 -78 ℃를 유지하여 주었다.
1H NMR (300MHz, CDCl3) δ 7.52-7.50 (dd, 2 H, J=2.93, 1.24 ㎐), 7.32-7.29 (dd, 2 H, J=5.01, 2.95㎐), 7.22-7.20 (dd, 2H, J=4.99, 1.23 Hz)
단계 2) N,N-Dimethylthiophene-3-carboxamide 제조
500 mL 삼구 둥근 바닥 플라스크에 dimethylcarbamyl chloride (7.59 g, 70.53 mmol)을 넣고 ehter (200 mL)에 녹이고 온도를 78℃로 내려주었다. 상기 단계1에서 제조한 길만시약 화합물 (14.4g, 95%)을 78℃를 유지하면서 적가해주었다. 이때 케뉼러 바늘이나, 주사기를 이용하였다. 그 후에 온도를 78℃로 10분 유지하고 천천히 실온으로 올려서 14시간 교반하였다. Ether로 추출하고 유기층을 물로 씻어준 다음 MgSO4로 건조시킨 후 회전식 증발기를 사용하여 용매를 제거하였다. n-Hexane/EtOAc(1/1)용매를 사용하여 컬럼 크로마토그래피로 분리해서 갈색 액체 화합물인 N,N-Dimethylthiophene-3-carboxamide (6.66g, 70%)를 수득하였고, 이에대한 1H NMR 스펙트럼을 하기 도 1에 나타내었다.
단계 3) 4,8-Dione-Benzodithiophene의 제조
100 mL 이구 둥근 바닥 플라스크에 상기 단계 2에서 제조된 N,N-Dimethylthiophene-3-carboxamide (4 g, 25.77 mmol)을 넣고 THF (40 mL)에 녹였다. 실온에서 n-BuLi (2.5 M in hexane, 11.34 mL, 28.35 mmol)을 천천히 적가하였다. 질소 기류 하에서 10 분 동안 교반한 다음 물을 사용하여 반응을 종결시킨 후 올리브색 침전이 가라앉으면 유리거르개로 거른 다음 과량의 물과 THF로 씻은 후 건조시켜 노란 고체 화합물인 4,8-Dione-Benzodithiophene (5.05g, 89%)를 수득하였다.
EI, MS m/z (%): 220 (100, M+)
1H-NMR (300 MHz, CDCl3):δ7.71-7.79 (d, 2 H, J=5.04㎐), 7.67-7.65 (d, 2 H, J=5.03㎐)
13C-NMR (75 MHz, CDCl3): δ 174.5, 144.9, 142.8, 133.6, 126.6
[비교예 1] 4, 8-다이온-벤조디티오펜의 제조
단계 1) Thiophene-3-carbonitrile 제조
250 mL 이구 둥근 바닥 플라스크에 3-bromothiophene (10.0 g, 61.33 mmol)과 copper (Ⅰ) cyanide (13.73 g, 0.1534 mol)을 넣고 quinoline (100 mL) 에 녹였다. 질소 기류 하에서 2시간 동안 환류시킨 다음 실온으로 온도를 낮추고 CH2Cl2로 추출하였다. 유기층을 2 M HCl과 물로 씻어준 다음 MgSO4로 건조시킨 후 회전식 증발기를 사용하여 용매를 제거하였다. n-Hexane/EtOAc(5/1)용매를 사용하여 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 노란색 고체 화합물인 Thiophene-3-carbonitrile을 4.08 g (61%)의 수득율로 얻었다.
1H-NMR (300 MHz, CDCl3): δ 7.92 - 7.91 (d, 1 H, J=3.05 ㎐), 7.42-7.39 (m, 1 H), 7.26 - 7.24 (d, 1H)
13C-NMR (75 MHz, CDCl3): δ 135.5, 128.7, 127.5, 115.2, 110.6
EI, MS m/z(%) 109 (100, M+)
단계 2) Thiophene-3-carboxylic acid 제조
100 mL 이구 둥근 바닥 플라스크에 상기 단계 1에서 제조된 Thiophene-3-carbonitrile (10.00 g, 91.62 mmol)과 potassium hydroxide (23.13 g, 0.412 mol)을 넣고 ethylene glycol (170 mL)에 녹였다. 질소 기류 하에서 12시간 동안 환류시킨 다음 실온으로 온도를 낮추고 conc-HCl과 물을 첨가하여 반응을 종결시켰다. ether로 추출한 후 유기층을 물로 씻어준 다음 MgSO4로 건조시킨 후 회전식 증발기를 사용하여 용매를 제거하였다. 물을 사용해서 재결정하여 살구색 고체 화합물인 Thiophene-3-carboxylic acid를 10.56 g (89%)의 수득율로 얻었다.
1H-NMR (300 MHz, CDCl3): δ 8.25 (dd, 1 H, J=2.9, 1.2 ㎐), 7.54-7.49 (m, 2 H)
13C-NMR (75 MHz, CDCl3): δ 164.2, 135.1, 134.1, 129.0, 127.7
EI, MS m/z (%):128.15 (100, M+)
단계 3) Thiophene -3-carbonyl chloride 제조
250 mL 이구 둥근 바닥 플라스크에 상기 단계 2에서 제조된 Thiophene-3-carboxylic acid (10.00 g, 78.03 mmol)을 넣고 thionyl chloride (100 mL)에 녹였다. 질소 기류 하에서 6시간 동안 환류시킨 다음 실온으로 온도를 낮추고 회전식 증발기를 사용하여 용매를 제거한 뒤 정제 없이 어두운 갈색 고체 화합물을 얻었다. 정제없이 다음 반응에 사용하였다.
단계 4) N,N-Dimethylthiophene-3-carboxamide 제조
500 mL 이구 둥근 바닥 플라스크에 상기 단계 2에서 제조된 화합물 (10.00 g, 68.22 mmol)을 넣고 benzene (180 mL)에 녹였다. 실온에서 dimethylamine 과량(4당량)을 천천히 적가하였다. 질소 기류 하에서 12시간 동안 교반하였다. Ether로 추출하고 유기층을 물로 씻어준 다음 MgSO4로 건조시킨 후 회전식 증발기를 사용하여 용매를 제거하였다. n-Hexane/EtOAc(1/1)용매를 사용하여 컬럼 크로마토그래피로 분리해서 갈색 액체 화합물인 N,N-Dimethylthiophene-3-carboxamide를 4.44 g (42%)의 수득율로 얻었다.
1H-NMR (300 MHz, CDCl3):δ7.52-7.50 (dd, 1 H, J=2.93, 1.24 ㎐), 7.34-7.29 (dd, 1 H, J=5.01, 2.95㎐), 7.25-7.22 (dd 1H, J = 4.99, 1.23 Hz), 3.10 (s, 6H); 13C-NMR (75 MHz, CDCl3): δ 66.9, 136.9, 127.3, 126.4, 125.5
EI, MS m/z (%): 155 (100, M+)
단계 5) 4,8-Dione-Benzodithiophene의 제조
100 mL 이구 둥근 바닥 플라스크에 상기 단계 4에서 제조된 N,N-Dimethylthiophene-3-carboxamide (4 g, 25.77 mmol)을 넣고 THF (40 mL)에 녹였다. 실온에서 n-BuLi (2.5 M in hexane, 11.34 mL, 28.35 mmol)을 천천히 적가하였다. 질소 기류 하에서 10 분 동안 교반한 다음 물을 사용하여 반응을 종결시킨 후 올리브색 침전이 가라앉으면 유리거르개로 거른 다음 과량의 물과 THF로 씻은 후 건조시켜 노란 고체 화합물인 4,8-Dione-Benzodithiophene (5.05g, 89%)를 수득하였다.
1H-NMR (300 MHz, CDCl3):δ7.71-7.79 (d, 2 H, J=5.04㎐), 7.67-7.65 (d, 2 H, J=5.03㎐)
13C-NMR (75 MHz, CDCl3): δ 174.5, 144.9, 142.8, 133.6, 126.6
EI, MS m/z (%): 220 (100, M+)

Claims (10)

  1. 하기 화학식 2의 화합물을 유기리튬 화합물 및 할라이드구리와 반응시켜 하기 화학식 3의 길만시약 화합물을 제조하는 단계; 및
    하기 화학식 3의 길만시약 화합물과 하기 화학식 4의 화합물을 탄소-탄소 짝지음 반응시켜 하기 화학식 5의 화합물을 제조하는 단계;를 포함하는 하기 화학식 1의 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법.
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000019
    [화학식 3]
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000020
    [화학식 4]
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000021
    [화학식 5]
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000022
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000023
    [상기 화학식에서,
    R1 내지 R2는 수소, 할로겐, (C1-C30)알킬, (C6-C30)아릴, (C3-C30)헤테로아릴, (C3-C30)시클로알킬, 5원 내지 7원의 헤테로시클로알킬, 시아노, 나이트로 또는 하이드록시이거나, 인접한 치환체와 융합고리를 포함하거나 포함하지 않는 (C2-C30)알킬렌 또는 (C2-C30)알케닐렌으로 연결되어 융합고리를 형성할 수 있으며, 상기 형성된 융합고리의 탄소 원자는 질소, 산소, 셀레늄 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있고;
    X1 내지 X2는 할로겐이며;
    Y1은 S, Se, O, NR11, 또는 SiR12R13이고;
    Z는 S, Se, O 또는 NR14이며;
    A는 NR15R16, SiR17R18R19, SR20 또는 OR21이고;
    R11 내지 R21은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, (C1-C30)알킬, (C6-C30)아릴, (C3-C30)헤테로아릴, 5원 내지 7원의 헤테로시클로알킬 또는 (C3-C30)시클로알킬이며;
    상기 헤테로시클로알킬 및 헤테로아릴은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.]
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 R1 내지 R2는 수소, 할로겐, (C1-C10)알킬, (C6-C18)아릴, (C3-C18)헤테로아릴, (C3-C10)시클로알킬, 5원 내지 7원의 헤테로시클로알킬, 시아노, 나이트로 또는 하이드록시이거나,
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000024
    로 연결되어 융합고리를 형성할 수 있고;
    X1 내지 X2는 할로겐이며;
    Y1은 S, Se, O, NR11, 또는 SiR12R13이고;
    Z는 S, Se, O 또는 NR14이며;
    A는 NR15R16이고;
    Y11은 C, S, Se, O, 또는 NR22이며;
    R11 내지 R16 및 R22는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, (C1-C10)알킬 또는 (C6-C18)아릴이고;
    상기 헤테로시클로알킬 및 헤테로아릴은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 3의 길만시약 화합물의 제조는 -80 내지 -60℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 5의 화합물의 제조는 상기 화학식 3의 길만시약 화합물과 상기 화학식 4의 화합물을 1: 2 내지 10의 몰(mol)비로 반응시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 5의 화합물의 제조는 -80 내지 30℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 5의 화합물을 유기리튬시약의 존재하에 반응시키는 단계를 더 포함하는 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 유기리튬시약은 상기 화학식 5의 화합물 1몰에 대하여 0.5 내지 2몰 투입하는 것을 특징으로 하는 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 유기리튬시약의 투입은 실온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 유기리튬시약은 말단에 리튬이 치환된 (C1-C10)알킬또는 (C3-C10)시클로알킬인 것을 특징으로 하는 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 화학식 1의 헤테로 융합고리 화합물은 하기 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 헤테로 융합고리 화합물의 제조방법.
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000025
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000026
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000027
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000028
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000029
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000030
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000031
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000032
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000033
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000034
    Figure PCTKR2012004269-appb-I000036
PCT/KR2012/004269 2012-05-24 2012-05-30 길만시약 화합물을 이용한 헤테로 융합고리 화합물의 신규한 제조방법 WO2013176325A1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0055585 2012-05-24
KR1020120055585A KR101424978B1 (ko) 2012-05-24 2012-05-24 길만시약 화합물을 이용한 헤테로 융합고리 화합물의 신규한 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013176325A1 true WO2013176325A1 (ko) 2013-11-28

Family

ID=49623992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2012/004269 WO2013176325A1 (ko) 2012-05-24 2012-05-30 길만시약 화합물을 이용한 헤테로 융합고리 화합물의 신규한 제조방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101424978B1 (ko)
WO (1) WO2013176325A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108192083A (zh) * 2018-01-02 2018-06-22 苏州大学 含三氟甲基的共轭聚合物及其制备方法和应用
GB2569854A (en) * 2017-10-26 2019-07-03 Lg Display Co Ltd Organic compound, and light-emitting diode and light-emitting device including the same
CN111454276A (zh) * 2019-01-18 2020-07-28 北京夏禾科技有限公司 一种有机化合物及包含其的电致发光器件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070021055A (ko) * 2005-08-16 2007-02-22 메르크 파텐트 게엠베하 티오펜 또는 셀레노펜 화합물의 중합 방법
JP2007269775A (ja) * 2006-03-10 2007-10-18 Osaka Univ 縮合環化合物及びその製造方法、重合体、これらを含む有機薄膜、並びに、これを備える有機薄膜素子及び有機薄膜トランジスタ
KR20090033909A (ko) * 2006-07-26 2009-04-06 메르크 파텐트 게엠베하 치환 벤조디티오펜 및 벤조디셀레노펜
WO2010136401A2 (en) * 2009-05-27 2010-12-02 Basf Se Polycyclic dithiophenes
KR20110043631A (ko) * 2008-07-02 2011-04-27 바스프 에스이 폴리(5,5'-비스(티오펜-2-일)-벤조[2,1-b;3,4-b']디티오펜) 및 이의 고성능 용액 가공가능한 반전도성 중합체로서의 용도
JP2011151396A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Xerox Corp ポリマー半導体、ポリマー半導体の製造法および電子デバイス

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2192123B1 (en) * 2006-03-10 2012-11-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Fused tricyclic compounds useful in organic thin film devices such as transistors

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070021055A (ko) * 2005-08-16 2007-02-22 메르크 파텐트 게엠베하 티오펜 또는 셀레노펜 화합물의 중합 방법
JP2007269775A (ja) * 2006-03-10 2007-10-18 Osaka Univ 縮合環化合物及びその製造方法、重合体、これらを含む有機薄膜、並びに、これを備える有機薄膜素子及び有機薄膜トランジスタ
KR20090033909A (ko) * 2006-07-26 2009-04-06 메르크 파텐트 게엠베하 치환 벤조디티오펜 및 벤조디셀레노펜
KR20110043631A (ko) * 2008-07-02 2011-04-27 바스프 에스이 폴리(5,5'-비스(티오펜-2-일)-벤조[2,1-b;3,4-b']디티오펜) 및 이의 고성능 용액 가공가능한 반전도성 중합체로서의 용도
WO2010136401A2 (en) * 2009-05-27 2010-12-02 Basf Se Polycyclic dithiophenes
JP2011151396A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Xerox Corp ポリマー半導体、ポリマー半導体の製造法および電子デバイス

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2569854A (en) * 2017-10-26 2019-07-03 Lg Display Co Ltd Organic compound, and light-emitting diode and light-emitting device including the same
US11139436B2 (en) 2017-10-26 2021-10-05 Lg Display Co., Ltd. Organic compound, and light-emitting diode and light-emitting device including the same
GB2569854B (en) * 2017-10-26 2022-03-09 Lg Display Co Ltd Organic compound, and light-emitting diode and light-emitting device including the same
CN108192083A (zh) * 2018-01-02 2018-06-22 苏州大学 含三氟甲基的共轭聚合物及其制备方法和应用
CN111454276A (zh) * 2019-01-18 2020-07-28 北京夏禾科技有限公司 一种有机化合物及包含其的电致发光器件
CN111454276B (zh) * 2019-01-18 2022-01-11 北京夏禾科技有限公司 一种有机化合物及包含其的电致发光器件
US11492360B2 (en) 2019-01-18 2022-11-08 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic compound and electroluminescent device containing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130131774A (ko) 2013-12-04
KR101424978B1 (ko) 2014-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI620745B (zh) 芳香族化合物之製造方法
WO2009139579A2 (ko) 비대칭 안트라센 유도체의 제조 및 이를 이용한 유기전계 발광 소자
CN103261368A (zh) 新颖的螺二芴化合物
KR20150108918A (ko) 용액 프로세스용 유기 반도체 재료 및 유기 반도체 디바이스
JP7159586B2 (ja) 芳香族化合物、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ
WO2013176325A1 (ko) 길만시약 화합물을 이용한 헤테로 융합고리 화합물의 신규한 제조방법
CN113121560A (zh) 一种苯并噻吩并苯并五元杂环材料及其制备方法与应用
CN106749318A (zh) 一种基于氧杂稠环类的有机场效应晶体管材料及其合成方法和应用
CN108864140B (zh) 一种并五噻吩的制备方法、并五噻吩及其应用
WO2014185740A1 (ko) 신규 산 이무수물, 이의 제조방법 및 이로부터 제조된 폴리이미드
CN108558768A (zh) 一种含咪唑结构的屈类化合物及其有机发光器件
WO2015012456A1 (ko) 신규한 전자 끌게-주게-끌게 형의 나프탈렌 다이이미드 저분자 및 이를 이용한 유기전자소자
WO2018181462A1 (ja) 芳香族化合物、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ
KR101490104B1 (ko) 나프탈렌 다이이미드 유도체 화합물 및 제조방법과 이를 포함하는 유기전자소자
CN101125794B (zh) 多环芳烃类化合物、合成方法及其用途
CN109071783A (zh) 新型有机高分子及其制造方法
CN106883248A (zh) 一种基于稠环呋喃的小分子材料制备方法及其应用
CN108864143B (zh) 一种非对称七元稠合噻吩及其制备方法和应用
KR20170046399A (ko) 헤테로아센 화합물의 중간체 및 이를 이용한 헤테로아센 화합물의 합성 방법
CN106800640B (zh) 一种聚合物、其制备方法及在太阳能电池中的应用
JP2017190315A (ja) ホウ素含有化合物、およびその用途
CN115057816B (zh) 4-氨基喹啉类化合物及其制备方法和在抗肿瘤药物中的应用
KR102094356B1 (ko) 유기전기소자용 화합물의 합성방법 및 이로부터 제조된 화합물
WO2015068958A1 (ko) 신규한 알킬 할라이드 화합물 및 이의 제조방법
CN114805435B (zh) 联芳基膦化合物的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12877207

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12877207

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1