WO2013118752A1 - カバーレイフィルム、発光素子搭載用基板、及び光源装置 - Google Patents

カバーレイフィルム、発光素子搭載用基板、及び光源装置 Download PDF

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純 松井
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Definitions

  • the present invention protects the surface of a printed wiring board, in particular, a substrate on which a light emitting element such as an LED is mounted.
  • the present invention relates to a substrate and a light source device. More specifically, it has a high reflectivity, and even after passing through a high-temperature heat load environment or a light resistance test environment, a decrease in reflectivity is suppressed, that is, a high reflectivity is maintained, and the phosphor is dispersed.
  • the present invention relates to a coverlay film that can also be used as a dam material when filling resin.
  • Chip type LEDs with LEDs mounted directly on the printed circuit board pattern and resin-sealed are advantageous for miniaturization and thinning. Therefore, electronic devices such as numeric keypad lighting for mobile phones and backlights for small liquid crystal displays are available. Widely used in equipment.
  • the technology for increasing the brightness of LEDs has been remarkably improved, and LEDs have become more bright.
  • the amount of heat generated by the LED element itself increases, and the ambient temperature of the LED element may exceed 100 ° C., which increases the thermal load on components such as a printed wiring board.
  • the heating temperature reaches about 260-300 ° C in the thermosetting process of the sealing resin and the reflow process after joining with lead (Pb) -free solder. The surroundings are exposed to a high temperature heat environment not only during use but also in the manufacturing process.
  • thermosetting resin compositions that have been used in the past, such as thermosetting resin compositions that are coated with a thermosetting solder resist, are used in an environment where a thermal load is applied as described above.
  • a tendency was observed in which the whiteness decreased and the reflection efficiency decreased due to yellowing of the solder resist and the printed wiring board. Therefore, when developing a substrate for mounting a next-generation high-brightness LED in the future, it is necessary to improve such a decrease in reflection efficiency.
  • the degree of whiteness is also the same as in the heat load environment, even in an environment where ultraviolet rays are irradiated. There was a tendency for the reflectivity to decrease due to a decrease.
  • a substrate made of ceramic is excellent in heat resistance, it has a hard and brittle property, so there is a limit to increase the area and thickness. Therefore, there is a possibility that a substrate made of the ceramic may be difficult to be used as a substrate used in future general lighting applications or display applications. Therefore, there has been a demand for the development of a printed wiring board in which a cover lay film is laminated as a heat-resistant substrate that does not cause discoloration or a decrease in reflectance even under a high temperature heat load and can cope with a large area. .
  • the mounting part is filled with a sealing resin (silicone resin, epoxy resin, or the like) in which a phosphor is dispersed.
  • a dam material made of a thermosetting resin for example, a silicone resin or an epoxy resin is formed so that the sealing resin does not leak to the peripheral portion.
  • a dam material is generally formed by a dispenser or the like and thermally cured.
  • the resin when the resin is heat-cured, the wiring portion may be contaminated and the wire bonding property may be affected, or the white solder resist and the printed wiring board material may be thermally deteriorated, so a dam material is formed. It was a challenge.
  • the manufacturing cost is high, development of a coverlay film in which a conductor protective layer such as metal wiring and a dam material are integrated, and a printed wiring board formed by laminating such a coverlay film have been demanded.
  • Patent Document 1 had insufficient initial reflectance and light discoloration resistance. Moreover, there was no description or suggestion about a technology that can be widely applied, such as being usable as a dam material.
  • the object of the present invention is a cover lay film that has high reflectivity in the visible light region, high heat resistance, and low decrease in reflectivity under high-temperature heat load environments and light-proof environments, and can cope with an increase in area.
  • it is to provide a coverlay film that can be used for a printed wiring board for LED mounting, and a light-emitting element mounting substrate and a light source device formed by laminating the coverlay film.
  • polyorganosiloxane was used as a thermosetting resin, and a resin composition containing this resin and an inorganic filler was used as a gamma ray or the like.
  • a resin composition containing this resin and an inorganic filler was used as a gamma ray or the like.
  • the first invention in the present invention includes a resin layer containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler, has an average reflectance of 85% or more at a wavelength of 400 to 800 nm, and is at 260 ° C. for 10 minutes. It is a coverlay film for protecting a conductor circuit of a printed wiring board having a reflectance reduction rate at a wavelength of 450 nm after heat treatment of 5% or less.
  • the reflectance reduction rate at a wavelength of 450 nm after the light resistance test shown below is 5% or less.
  • Light resistance test Using a xenon weather meter, irradiation was performed at a temperature of 63 ° C. (black panel temperature), humidity of 50%, and irradiance (295 to 400 nm) of 60 W / m 2 for 50 hours.
  • the resin layer is preferably cured by radiation.
  • the inorganic filler is preferably titanium oxide.
  • the coverlay film preferably has a thickness of 30 to 500 ⁇ m.
  • the average reflectance at a wavelength of 350 to 400 nm is preferably 40% or more.
  • the resin layer (A), a polyorganosiloxane, and a resin layer (B) containing an inorganic filler different from the inorganic filler contained in the resin layer (A) are provided. It is preferable that At this time, the inorganic filler contained in the resin layer (B) is preferably alumina.
  • a protective layer having a resin layer (A) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler is formed on a substrate used for mounting at least one light emitting element.
  • the protective layer has an average reflectance of 85% or more at a wavelength of 400 to 800 nm, and a reduction rate of the reflectance at a wavelength of 450 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes is 5% or less. It is the board
  • a conductor circuit is formed on a substrate, a protective layer is laminated on the conductor circuit, and the light emitting element on the substrate is mounted so that the conductor circuit and the light emitting element are electrically connected.
  • a light source device having a configuration in which the light emitting element is sealed with a resin.
  • the protective layer includes a resin layer (A) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler, has an average reflectance of 85% or more at a wavelength of 400 to 800 nm, and is heat-treated at 260 ° C. for 10 minutes. After that, the light source device is characterized in that the reflectance reduction rate at a wavelength of 450 nm is 5% or less.
  • the cover lay film of the present invention has a high reflectivity not only in the visible light region but also in the ultraviolet region, high heat resistance, and little reduction in reflectivity under high temperature heat load environment and light resistance test environment. Can be obtained. Therefore, the coverlay film of the present invention is useful as a coverlay film for protecting a conductor circuit of a printed wiring board. And the light emitting element mounting substrate and light source device in which the conductor circuit protective layer was formed can be manufactured by using the coverlay film of this invention.
  • the cover lay film according to the first embodiment of the present invention includes a resin layer (A) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler, and has a wavelength of 400 to 800 nm.
  • a coverlay film for protecting a conductor circuit of a printed wiring board having an average reflectance of 85% or more and a reduction rate of reflectance at a wavelength of 450 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes is 5% or less.
  • the coverlay film needs to have an average reflectance of 85% or more at a wavelength of 400 to 800 nm. This is because the higher the reflectance in the visible light region, the higher the luminance of the LED mounted on the substrate, and if it is in the above range, it can be suitably used as a coverlay film for the LED mounting substrate. is there. From this viewpoint, the average reflectance is preferably 90% or more, particularly 95% or more.
  • the reflectance at 450 nm is more preferably 85% or more, particularly 90% or more. In particular, it is preferably 95% or more.
  • the coverlay film may reflect both light having a wavelength of 350 to 400 nm and light having a wavelength in the visible light region (400 to 800 nm), corresponding to the emission wavelength of the ultraviolet (near ultraviolet) LED. It becomes necessary. Therefore, this cover lay film preferably has an average reflectance of 350 to 400 nm of 40% or more, more preferably 60% or more, and particularly preferably 80% or more.
  • polyorganosiloxane As a method for increasing the average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm, the reflectance at 450 nm, and the reflectance at a wavelength in the ultraviolet (near ultraviolet) region (350 to 400 nm) to a predetermined range, polyorganosiloxane An inorganic filler is contained in the resin layer (A) to form a resin layer (A), thereby obtaining extremely excellent reflection characteristics, and a method of appropriately adjusting the type and content of the inorganic filler to be used.
  • This cover lay film requires that the reflectance reduction rate at a wavelength of 450 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes is 5% or less of the reflectance before the heat treatment.
  • thermosetting process 100 to 200 ° C, several hours
  • a sealing agent such as a conductive adhesive, epoxy or silicone resin, soldering process (Pb-free solder reflow, peak temperature 260 ° C)
  • soldering process Pb-free solder reflow, peak temperature 260 ° C
  • a high thermal load such as a wire bonding process.
  • the thermal load on the substrate tends to increase, and the LED element ambient temperature may exceed 100 ° C. Therefore, in the future, it will be important to maintain a high reflectance without discoloration even under such a high heat load environment.
  • wavelength 450nm is an average wavelength of blue LED.
  • the reflectance decrease rate at a wavelength of 450 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes is 5% or less of the reflectance before the heat treatment, it is possible to suppress the decrease in reflectance in the manufacturing process.
  • the rate of decrease is preferably 4% or less, more preferably 3% or less, and particularly preferably 2% or less.
  • this cover-lay film has the reflectance decreasing rate after the next light resistance test of 5% or less of the reflectance before the light resistance test.
  • Light resistance test Irradiated with a xenon weather meter at a temperature of 63 ° C. (black panel temperature), a humidity of 50%, and an irradiance (295 to 400 nm) of 60 W / m 2 for 50 hours.
  • the reflectance decrease rate after the light resistance test is 5% or less of the reflectance before the light resistance test, it is possible to suppress the decrease in reflectance during actual use. It can be suitably used for a mounting substrate. From this viewpoint, the rate of decrease is preferably 4% or less, more preferably 3% or less, and particularly preferably 2% or less.
  • polyorganosiloxane in order to make the reduction rate of the reflectance after heat treatment and the reduction rate of the reflectance after the light resistance test within a desired range, when forming the resin layer (A), polyorganosiloxane
  • the resin composition containing the inorganic filler is preferably cured by radiation, particularly by gamma rays, as will be described later. However, it is not limited to this method.
  • This coverlay film is provided with a resin layer (A) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler.
  • polyorganosiloxane used in the cover lay film are substances having a siloxane skeleton described in formula (1) and capable of causing a crosslinking reaction.
  • polyorganosiloxane There is no restriction
  • R in formula (1) represents an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, a hydrocarbon group such as a vinyl group or a phenyl group, or a halogen-substituted hydrocarbon group such as a fluoroalkyl group.
  • polydimethylsiloxane in which “R” in formula (1) is all methyl groups, or a part of the methyl groups of polydimethylsiloxane is one or more of the above hydrocarbon groups or halogen-substituted hydrocarbon groups.
  • various polyorganosiloxanes substituted by As polyorganosiloxane used for this coverlay film, said polydimethylsiloxane and various polyalkylsiloxane can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the polyorganosiloxane resin When forming the resin layer (A), the polyorganosiloxane resin may be cured.
  • the curing means for the polyorganosiloxane may be determined by appropriately selecting from any conventionally known methods such as addition type, condensation type, peroxide curing type and the like.
  • condensation type examples include dealcoholization, deacetic acid, deoxime, and dehydrogenation types. Among these, it is preferable to use an addition type polyorganosiloxane that does not generate a by-product during curing.
  • Examples of the method for curing the polyorganosiloxane include a method of adding a curing catalyst, a method of heating at a high temperature, a method of adding a crosslinking agent, and a crosslinking method by irradiation with radiation.
  • Examples of the curing catalyst include aminosilane-based, nickel salt-based, and ammonium salt-based catalysts.
  • metal soaps, such as octylate and naphthenate, such as Al, Fe, Co, Mn, and Zn, platinum catalyst, etc. are mentioned.
  • the condition is generally 150 ° C. to 250 ° C. and can be cured by heating for about 30 minutes to 2 hours.
  • the heating temperature can be lowered.
  • the heating temperature can be set to 100 ° C. to 180 ° C., for example.
  • the heating time can also be shortened to about 10 to 30 minutes, for example, which is preferable.
  • Curing by radiation is a method in which heat is not applied to the polyorganosiloxane, and there is no fear of impairing the heat resistance and light resistance reliability due to the residue of the crosslinking material, and the effect of the present invention becomes remarkable. preferable.
  • examples of the radiation used for curing the polyorganosiloxane include electron beam, X-ray, and ⁇ -ray. These radiations are widely used industrially, can be easily used, and are energy efficient. Among these, it is preferable to use ⁇ rays having little absorption loss and high permeability.
  • the polyorganosiloxane is cured by irradiating the uncrosslinked polyorganosiloxane with, for example, ⁇ rays. Since the crosslinking reaction can be advanced by irradiation with ⁇ rays, the crosslinking reaction can be caused without using a crosslinking agent.
  • the irradiation dose of ⁇ rays may be appropriately selected and determined depending on the resin type, the amount of crosslinking groups, and the type of radiation source, but is generally 10 to 150 kGy. Of these, 20 to 100 kGy is preferable, and 30 to 60 kGy is particularly preferable.
  • the crystalline polyester resin is generally a substrate excellent in resistance to radiation and suitable for the process film of the present invention.
  • Inorganic filler used for resin layer (A) There is no restriction
  • the inorganic filler used in the resin layer (A) is further coated with a silicone compound or a polyhydric alcohol based on the surface of the inorganic filler in order to improve dispersibility in the resin layer (A) made of polyorganosiloxane.
  • a silicone compound or a polyhydric alcohol based on the surface of the inorganic filler in order to improve dispersibility in the resin layer (A) made of polyorganosiloxane.
  • a silicone compound, an amine compound, a fatty acid, a fatty acid ester or the like can be used. Of these, those treated with silicone compounds (such as siloxane and silane coupling agents) are preferred.
  • the inorganic filler used for the resin layer (A) it is preferable to use a material having a large refractive index difference from the polyorganosiloxane in consideration of the light reflectivity of the present coverlay film.
  • those having a refractive index of 1.6 or more are preferable, and specifically, for example, among those described above, calcium carbonate, barium sulfate, zinc oxide, titanium oxide, titanate and the like can be mentioned, and titanium oxide is particularly preferable.
  • Alumina is preferred from the viewpoint of increasing the reflectance in the low wavelength region.
  • Titanium oxide has a significantly higher refractive index than other inorganic fillers, and can increase the difference in refractive index from polyorganosiloxane as the base resin, so it is less than when other fillers are used. It is preferable because excellent reflectivity can be obtained by the blending amount.
  • a crystalline titanium oxide such as anatase type or rutile type is preferable, and in particular, from the viewpoint of increasing the difference in refractive index from the polyorganosiloxane, Rutile type titanium oxide is preferred.
  • the coverlay film is also ultraviolet (nearly near). It is necessary to reflect light with a wavelength of 350 to 400 nm corresponding to the emission wavelength of the ultraviolet LED and to reflect light with a wavelength in the visible light region (400 to 800 nm).
  • the anatase type with less light absorption is preferred.
  • the production method of titanium oxide generally includes a chlorine method and a sulfuric acid method, but as the production method of titanium oxide used in the present invention, it is preferable to use titanium oxide produced by the chlorine method from the viewpoint of whiteness. .
  • the titanium oxide is preferably one whose surface is coated with an inert inorganic oxide.
  • an inert inorganic oxide By coating the surface of titanium oxide with an inert inorganic oxide, the photocatalytic activity of titanium oxide can be suppressed, and deterioration of the coverlay film of the present invention can be suppressed, which is preferable.
  • the inert inorganic oxide specifically, for example, at least one selected from the group consisting of silica, alumina, and zirconia is preferably used. Use of these inert inorganic oxides is preferable because it can suppress a decrease in molecular weight and yellowing of the resin during high-temperature melting without impairing high reflectivity.
  • the titanium oxide has at least one inorganic compound selected from the group consisting of a siloxane compound, a silane coupling agent, etc., a group consisting of a polyol, polyethylene glycol, etc., in order to enhance the dispersibility in the resin composition.
  • a siloxane compound e.g., a silane coupling agent, etc.
  • the particle size of the inorganic filler used for the resin layer (A) is arbitrary, and may be appropriately selected and determined according to the use and thickness of the coverlay film of the present invention. In general, a film having a particle size equal to or less than the thickness of the cover lay film is used. Specifically, for example, the average particle size is preferably 0.05 to 50 ⁇ m, more preferably 0.1 to 30 ⁇ m, and particularly preferably about 0. It is preferably 15 to 15 ⁇ m.
  • the particle size of the inorganic filler is 0.05 ⁇ m to 50 ⁇ m because the dispersibility in the resin is good, the interface with the resin is densely formed, and high reflectivity can be imparted.
  • the particle size is preferably 0.1 ⁇ m to 1.0 ⁇ m, and more preferably 0.2 ⁇ m to 0.5 ⁇ m. Is preferred. If the particle size of titanium oxide is in the above range, the dispersibility in the resin is good, the interface with the resin is densely formed, and high reflectivity can be imparted, which is preferable.
  • the content of the inorganic filler used in the resin layer (A) is preferably 10 to 1000 parts by weight, more preferably 20 to 500 parts by weight, and more preferably 25 to 200 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polyorganosiloxane.
  • the amount is preferably 30 to 100 parts by mass. Within this range, it is preferable because good reflection characteristics can be obtained and good reflection characteristics can be obtained even when the film thickness is reduced.
  • the cover lay film includes a resin layer (B) containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler different from the inorganic filler contained in the resin layer (A) separately from the resin layer (A). You can also.
  • the resin layer (A) has a high reflectance in the visible light region (400 to 800 nm), and the resin layer (B) has a high reflectance in the ultraviolet (near ultraviolet) region (350 to 400 nm). It is possible to combine resin layers (A) and (B) having different actions such as forming layers.
  • the polyorganosiloxane of the resin layer (B) is not particularly limited as in the case of the resin layer (A) described above, and any conventionally known one may be appropriately selected and determined. Moreover, the means similar to the resin layer (A) mentioned above can also be used for the polyorganosiloxane curing means.
  • the inorganic filler used for the resin layer (B) is not particularly limited as long as it is an inorganic filler different from the inorganic filler contained in the resin layer (A).
  • the inorganic filler used for the resin layer (B) is not particularly limited as long as it is an inorganic filler different from the inorganic filler contained in the resin layer (A).
  • talc mica, mica, glass flake, boron nitride (BN), aluminum nitride, calcium carbonate, aluminum hydroxide, silica, titanate (potassium titanate, etc.), barium sulfate, alumina, kaolin, clay, titanium oxide,
  • Examples thereof include zinc oxide, zinc sulfide, lead titanate, zircon oxide, antimony oxide, and magnesium oxide. These may be added singly or in combination of two or more.
  • the inorganic filler used for the resin layer (A) is titanium oxide, particularly when it is rutile type titanium oxide, light absorption occurs in the ultraviolet (near ultraviolet) region (350 to 400 nm).
  • the inorganic filler used in (B) it is preferable to select anatase-type titanium oxide or alumina that has low light absorption in the 400 nm region.
  • the coverlay film comprising the resin layers (A) and (B) is used for the “substrate for mounting a light-emitting element” described later, anatase-type titanium oxide that absorbs less light in the 400 nm region as an inorganic filler.
  • stack with a metal layer so that the resin layer (B) using an alumina may become a use surface (it may become the exposed side).
  • light in the ultraviolet (near ultraviolet) region 350 to 400 nm
  • light in the visible light region (400 to 800 nm) contains the resin layer (B) and rutile titanium oxide. Therefore, the reflectance can be increased in a wide wavelength region.
  • the particle size of the inorganic filler used for the resin layer (B) is arbitrary, and may be appropriately selected and determined according to the use and thickness of the coverlay film of the present invention. In general, a film having a particle size equal to or less than the thickness of the cover lay film is used.
  • the average particle size is preferably 0.05 to 50 ⁇ m, more preferably 0.1 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less. More preferably, it is 15 ⁇ m or more or 15 ⁇ m or less.
  • the particle size of the inorganic filler is 0.05 ⁇ m to 50 ⁇ m because the dispersibility in the resin is good, the interface with the resin is densely formed, and high reflectivity can be imparted.
  • the content of the inorganic filler used in the resin layer (B) is preferably 10 to 1000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polyorganosiloxane, more preferably 20 parts by mass or more and 500 parts by mass or less, of which 30 parts by mass. Part or more or 300 parts by mass or less, more preferably 50 parts by mass or more or 200 parts by mass or less. Within this range, it is preferable because good reflection characteristics can be obtained and good reflection characteristics can be obtained even when the film thickness is reduced.
  • the resin layer (A) and the resin layer (B) may contain various additives other than other resins and inorganic fillers as long as the properties are not impaired.
  • a heat stabilizer, an ultraviolet absorber, a light stabilizer, a nucleating agent, a colorant, a lubricant, a flame retardant, and the like may be appropriately blended.
  • the thickness of the cover lay film is not particularly limited and may be appropriately selected and determined. Generally, the thickness is 1 ⁇ m to 1000 ⁇ m, and in the present coverlay film, it is preferably 10 ⁇ m to 1000 ⁇ m. Among them, 10 ⁇ m to 800 ⁇ m, more preferably 20 ⁇ m to 500 ⁇ m, particularly 20 ⁇ m to 300 ⁇ m, and particularly preferably 30 ⁇ m to 200 ⁇ m are preferable. Further, when the effect of the present invention that the rate of decrease in reflectance is small is obtained in a high reflectance region, the thickness of the cover lay film is preferably 50 ⁇ m or more, particularly 100 ⁇ m, The upper limit is usually 1000 ⁇ m, preferably 500 ⁇ m.
  • the thickness is sufficient to seal LED chips and gold wires.
  • the method for preparing the resin composition for forming the resin layer (A) and the resin layer (B), that is, the resin composition for forming the resin layer containing polyorganosiloxane is not particularly limited.
  • a known method can be used.
  • a method of adjusting the concentration of the resin to be mixed and mechanically blending using a kneader or an extruder can be given.
  • (b) a method in which various additives are mechanically blended directly with a resin to be used using a kneader, an extruder, or the like.
  • a method of preparing and mixing the master batch (a) is preferable.
  • a known film forming method for example, an extrusion cast using a T-die using a resin composition obtained by mixing polyorganosiloxane and an inorganic filler.
  • examples thereof include a method of forming a film by a method, a calendering method, or a method of coating on a base film (PET film or the like). What is necessary is just to harden the polyorganosiloxane of an uncrosslinked state by heat curing, radiation curing, etc. for the film formed in this way.
  • This cover lay film can be used as a cover lay film for protecting a conductor circuit of a printed wiring board.
  • a conductor circuit is formed on a substrate, and this cover lay film is laminated on the conductor circuit, while a light emitting element is mounted on the substrate so that the conductor circuit and the light emitting element are electrically connected. can do.
  • the coverlay film it is possible to prevent the conductor circuit from being damaged and disconnected, and to prevent a short circuit due to solder adhesion when the light emitting element is mounted.
  • a light-emitting element mounting substrate (referred to as a “light-emitting element mounting substrate”) according to the second embodiment of the present invention includes a polyorganosiloxane and a substrate used for mounting at least one light-emitting element.
  • a protective layer having a resin layer (A) containing an inorganic filler, the protective layer having an average reflectance of 85% or more at a wavelength of 400 to 800 nm, and a wavelength after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes;
  • the light emitting element mounting substrate is characterized in that a reflectance reduction rate at 450 nm is 5% or less.
  • the light emitting element mounting substrate is not particularly limited in the shape or material of the substrate or the like, and any conventionally known one can be used as long as the above-described conditions are satisfied.
  • a substrate used for mounting a light emitting element is a resin / metal laminate in which a metal layer is laminated on at least one surface of a resin substrate material made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
  • a configuration in which a wiring pattern (conductor circuit) is formed on at least one surface of the resin substrate material can be exemplified.
  • a protective layer having a resin layer containing a polyorganosiloxane and an inorganic filler having the above-mentioned specific properties is formed on such a “substrate used for mounting a light-emitting element”, that is, the above-mentioned book If a cover lay film is laminated
  • Metal layer examples of the metal layer in the resin / metal laminate used for the light emitting element mounting substrate include copper, gold, silver, aluminum, nickel, tin, and the like.
  • the thickness of the metal layer is arbitrary and may be selected and determined as appropriate, but is usually 1 ⁇ m to 100 ⁇ m, preferably 5 ⁇ m to 70 ⁇ m.
  • copper and copper alloys are preferred as the metal species, and those having the surface subjected to chemical conversion treatment such as black oxidation treatment are preferred.
  • a conductive foil that is a metal layer that has been chemically or mechanically roughened on the contact surface (surface to be overlapped) side with the coverlay film.
  • Specific examples of the conductor foil that has been subjected to the surface roughening treatment include, for example, a roughened copper foil that has been electrochemically treated when an electrolytic copper foil is produced.
  • the resin / metal laminate that is the substrate used for the light emitting element mounting substrate may be a laminate of a plurality.
  • this lamination method a known method can be adopted as a heat fusion method without using an adhesive layer as long as it is a method by heating and pressurization.
  • a heat press method, a heat laminating roll method, and extrusion are used.
  • An extrusion laminating method in which the resin is laminated with a cast roll, or a method combining these can be suitably employed.
  • a metal material such as a copper plate or an aluminum plate, aluminum nitride, or the like is used when more heat dissipation is required. It is also possible to improve heat dissipation by combining with a material having high thermal conductivity such as a ceramic or a graphite plate.
  • the above-mentioned metal laminate is laminated on the entire surface of the aluminum plate, or a window frame for a cavity (recess) structure is removed from the metal laminate and laminated. If you want to.
  • the aluminum to be used is preferably roughened in consideration of the adhesion to the resin, but when considering the cavity structure, in order to efficiently reflect the light from the LED, highly reflective aluminum is used. It is preferable to use it.
  • Examples of the highly reflective aluminum include those whose surfaces have been polished, alumite-treated, and those treated with a reflection-reflecting film in which a metal such as silver is deposited in addition to inorganic oxides such as titanium and silica.
  • the reflectance of aluminum is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more, particularly 95% or more, with an average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm.
  • the manufacturing method of this light emitting element mounting substrate is arbitrary, and is not particularly limited.
  • a method for manufacturing a double-sided substrate in which metal layers are laminated on both sides of the substrate will be described with reference to FIG.
  • a substrate (100) made of a thermoplastic resin or a thermosetting resin and two copper foils (10) to be a metal layer are prepared, and (b): A copper foil (10) is laminated on both sides of a substrate (100) made of a thermoplastic resin or a thermosetting resin by a vacuum press to produce a resin / metal laminate.
  • the window cutting method is arbitrary and is not particularly limited. Specifically, for example, a method using a big die, a router processing method, a laser processing method, or the like can be used.
  • the protective layer may be formed by applying a resin layer (30) containing polyorganosiloxane and an inorganic filler.
  • a manufacturing method of the light emitting element mounting substrate as the aluminum composite substrate will be described with reference to FIG.
  • FIG. 2 (a): a copper foil (10) is laminated on one side of a substrate (100) made of a thermoplastic resin or a thermosetting resin to produce a metal laminate. And (b): The copper foil (10) is etched to form a wiring pattern (20), gold plating is performed, and the substrate (100) is punched into a cavity frame using a big die (50).
  • the method of punching into the cavity frame is not limited to the above method using the Bic die, and can be formed by, for example, router processing or laser.
  • stacking of the film with a single-sided copper foil ((b) in FIG. 2), a protective layer, and an aluminum plate is performed collectively, these are laminated
  • a conductor pattern may be formed.
  • a conductive circuit is formed on the substrate for mounting the light emitting element, and the substrate and the light emission mounted on the substrate.
  • the element is electrically connected and the light emitting element is sealed with resin.
  • a conductor circuit is formed on a substrate, a protective layer is laminated on the conductor circuit, and the light emitting element on the substrate is mounted to make the conductor circuit and the light emitting element conductive, and the light emitting element.
  • the protective layer in the light source device has the characteristics of the resin layer (A), for example, the average reflectance at a wavelength of 400 to 800 nm is 85% or more, and the wavelength is 450 nm after heat treatment at 260 ° C. for 10 minutes. In other words, the reflectance is decreased by 5% or less. Therefore, by forming the protective layer in this way, it becomes possible to effectively protect the conductor circuit, which causes a decrease in reflectivity even under high temperature heat load environment and light resistance test environment. Therefore, the light source device of the present invention can be used for various applications such as lighting, projector light sources, backlight devices such as liquid crystal display devices, in-vehicle applications, and mobile phone applications.
  • Sheet generally refers to a product that is thin by definition in JIS and generally has a thickness that is small and flat for the length and width.
  • film is compared to the length and width.
  • a film having a thickness of 100 ⁇ m or more is sometimes referred to as a sheet, and a film having a thickness of less than 100 ⁇ m is sometimes referred to as a film.
  • X is preferably greater than X” or “preferably Y”, with the meaning of “X to Y” unless otherwise specified. It also includes the meaning of “smaller”.
  • X or more is an arbitrary number
  • Y or less is an arbitrary number
  • An integrating sphere is attached to a spectrophotometer ("U-4000", manufactured by Hitachi, Ltd.), and the reflectance when the reflectance of the alumina white plate is assumed to be 100% is measured at intervals of 0.5 nm over a wavelength range of 400 nm to 800 nm. It was measured. The average value of the measured values obtained was calculated, and this value was taken as the average reflectance. The average reflectance at a wavelength of 350 to 400 nm was measured in the same manner.
  • the obtained white film was fixed with a fixing jig, heated in a hot air circulation oven at 260 ° C. for 10 minutes, the reflectance after the heat treatment was measured in the same manner as described above, and the reflectance at 450 nm was read. It was.
  • the obtained coverlay film was temperature 63 ° C. (black panel temperature), humidity 50%, irradiance (295 to 400 nm) 60 W / m. 2 was irradiated for 50 hours, followed by measuring the above method as well as the reflectance was read reflectance at 450nm.
  • Example 1 Resin obtained by mixing 100 parts by mass of polyorganosiloxane (TSE2571-5U, manufactured by Momentive) and 67 parts by mass of rutile type titanium oxide (R105, manufactured by DuPont, average particle size 0.31 ⁇ m) with a planetary mixer.
  • a coverlay film precursor having a thickness of 100 ⁇ m was obtained on the release PET film at a set temperature of 100 ° C. using an extruder.
  • cure by the irradiation dose of 50 kGy with a gamma ray was evaluated by the method mentioned above. The results are shown in Table 1.
  • Example 2 1.5 parts by mass of a vulcanizing agent (TC-12, manufactured by Momentive) as a thermal crosslinking material and 100 parts by mass of polyorganosiloxane (TSE2571-5U, manufactured by Momentive), titanium oxide (R105, manufactured by DuPont) , Average particle size 0.31 ⁇ m)
  • TC-12 vulcanizing agent
  • TSE2571-5U polyorganosiloxane
  • R105 titanium oxide
  • Example 3 A coverlay film made of the resin layer (A) was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the thickness was 300 ⁇ m. The results are shown in Table 1.
  • Example 4 A coverlay film made of the resin layer (A) was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the titanium oxide was changed to 400 parts by mass. The results are shown in Table 1.
  • Example 5 A coverlay film made of the resin layer (A) was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the titanium oxide was changed to 25 parts by mass. The results are shown in Table 1.
  • Example 6 A coverlay film made of the resin layer (A) was produced and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the thickness was 50 ⁇ m. The results are shown in Table 1.
  • Example 7 The resin layer (A) was prepared in the same manner as in Example 1 except that 25 parts by mass of anatase-type titanium oxide (SA-1, Sakai Chemical Industry Co., Ltd., average particle size: 0.3 ⁇ m) was used as titanium oxide. A coverlay film consisting of was prepared and evaluated. The results are shown in Table 1.
  • SA-1 Sakai Chemical Industry Co., Ltd., average particle size: 0.3 ⁇ m
  • Example 8 A coverlay film composed of the resin layer (A) was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that polyorganosiloxane (TSE2913-U, manufactured by Momentive) was used as the polyorganosiloxane. The results are shown in Table 1.
  • Example 9 A cover lay film comprising a resin layer (A) in the same manner as in Example 1 except that 150 parts by mass of alumina (AA04, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., average particle size 0.4 ⁇ m) was used instead of titanium oxide. Were made and evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 10 A coverlay film made of the resin layer (A) was prepared and evaluated in the same manner as in Example 8 except that the thickness was 150 ⁇ m. The results are shown in Table 1.
  • Example 11 A coverlay film made of the resin layer (A) was prepared and evaluated in the same manner as in Example 9 except that the thickness was 150 ⁇ m. The results are shown in Table 1.
  • Example 12 After obtaining a coverlay film precursor composed of a resin layer (A) having a thickness of 100 ⁇ m by the same method as in Example 8, the resin layer (B) having a thickness of 50 ⁇ m was obtained in the same manner as in Example 9. A coverlay film precursor was prepared, and the coverlay film surfaces of both precursors were bonded together, and then a coverlay film having a laminated structure cured with ⁇ rays was prepared and evaluated. The results are shown in Table 1. In addition, the measurement of the reflectance measured the surface which consists of a resin layer (B).
  • Example 13 A coverlay film having a laminated structure was prepared and evaluated in the same manner as in Example 12 except that the thickness of the resin layer (B) was 100 ⁇ m. The results are shown in Table 1. In addition, the measurement of the reflectance measured the surface which consists of a resin layer (B).
  • Example 1 to 8 and 10 since polyorganosiloxane was filled with titanium oxide, the reflectance was particularly high even in the visible light region (400 to 800 nm). Since Example 7 was filled with anatase-type titanium oxide, the reflectivity in the ultraviolet region was higher than that of Examples 1 to 6, 8, and 10 filled with rutile type.
  • Example 12 and 13 by setting it as the laminated structure of the resin layer (A) which filled the polyorganosiloxane with the rutile type titanium oxide, and the resin layer (B) which filled the polyorganosiloxane with the alumina, High reflectivity was exhibited in both the ultraviolet light region (350 to 400 nm) and the visible light region (400 to 800 nm).

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Abstract

　可視光領域において反射率が高く、及び高温熱負荷環境下、耐光性試験環境下における反射率の低下が少ない、大面積化に対応可能な、特にＬＥＤ実装用プリント配線基板に使用可能なカバーレイフィルム等を提供すること。　ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層を備えてなり、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であって、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルム。

Description

カバーレイフィルム、発光素子搭載用基板、及び光源装置
　本発明は、プリント配線板、特にＬＥＤ等の発光素子を搭載した基板の表面を保護する、金属配線等の導体回路保護用のカバーレイフィルム、該カバーレイフィルムを積層してなる発光素子搭載用基板、及び光源装置に関する。より詳細には、高反射率を有し、高温熱負荷環境下や耐光性試験環境を経た後においても、反射率低下が抑制され、即ち高い反射率が維持され、蛍光体を分散した封止樹脂を充填する際のダム材としても使用可能なカバーレイフィルム等に関する。
　プリント配線基板のパターン上にＬＥＤが直接実装され、樹脂封止されたチップタイプＬＥＤは、小型化、薄型化に有利であることから、携帯電話のテンキー照明や、小型液晶ディスプレーのバックライトなど電子機器に幅広く使用されている。
　近年、ＬＥＤの高輝度化技術の向上が著しく、ＬＥＤはより高輝度化している。それに伴いＬＥＤ素子自体の発熱量が増大し、ＬＥＤ素子周辺温度は１００℃超となる場合があるなど、プリント配線基板などの構成部品にかかる熱負荷が増大している。また、ＬＥＤ搭載基板の製造工程を見ると、封止樹脂の熱硬化処理や、鉛（Ｐｂ）フリー半田による接合後のリフロー処理などにおいて、加熱温度が２６０～３００℃程度に達するなど、ＬＥＤ素子周辺はその使用中のみならず製造工程に於いても高温熱環境下に晒されるようになっている。
　従来使用されてきた白色の光硬化性樹脂基板、例えば熱硬化性のソルダーレジストを被覆形成してなる熱硬化系樹脂組成物等の白色プリント配線基板は、前述の様に熱負荷がかかる環境下においては、ソルダーレジストやプリント配線板が黄変するなど白色度が低下して反射効率が低下する傾向が認められた。よって、今後の次世代高輝度ＬＥＤ搭載向け基板を開発する際は、このような反射効率の低下を改良する必要がある。
　また、白色のソルダーレジストを被覆形成してなる、白色のプリント配線板を搭載した製品に関しては、紫外線が照射される環境下においても、前記熱負荷環境下と同様に黄変するなど、白色度が低下して反射率が低下する傾向が見られた。
　一方、セラミックからなる基板は、耐熱性の点では優れているものの、硬く脆い性質を有しているため、大面積化及び薄型化を図るには限界があった。よって、該セラミックからなる基板は、今後の一般照明用途や、ディスプレー用途に用いる基板としては対応が困難になる可能性がある。そこで、高温熱負荷下でも変色や反射率の低下を生じない、大面積化に対応可能な、耐熱性を有する基板として、カバーレイフィルムを積層してなるプリント配線基板の開発が求められていた。
　また、プリント配線基板にＬＥＤチップを実装する工程において、その実装部分に蛍光体を分散させた封止樹脂（シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等）を充填することが行われている。この際、封止樹脂が周辺部分に漏れ出さないように、熱硬化樹脂（例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂）からなるダム材を形成することが行われている。
　この様なダム部材の形成においては、一般的にはディスペンサー等でダム材を形成し熱硬化させるのが通常である。ところが、樹脂を熱硬化させる際に、配線部分を汚染してワイヤボンディング性に影響を及ぼしたり、白色ソルダーレジストやプリント配線基板材料の熱劣化を引き起こしたりすることがあるため、ダム材を形成する際の課題となっていた。更には製造コストがかかるため、金属配線等の導体保護層とダム材を一体化させたカバーレイフィルムや、このようなカバーレイフィルムを積層してなるプリント配線板の開発が求められていた。
　上述した課題に関しては、従来、例えば、結晶融解ピーク温度２６０℃以上のポリアリールケトン樹脂と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂からなる樹脂組成物１００質量部に対して、無機充填剤を５～１００質量部を含有する樹脂組成物を用いることによって、高温熱負荷環境下や、耐光性試験環境下においても反射率低下が抑制されたカバーレイフィルムが提案されている（例えば特許文献１参照）。
この特許文献１には、熱可塑性樹脂組成物の結晶性を利用して、２６０℃以下の低温に加熱した際に、プリント配線板の表面との接着に適した特性を示し、比較的短時間で接着可能であり、且つ熱融着後には耐熱温度２６０℃を示すカバーレイフィルムが開示されている。
特開２００９－３０２１１０号
　上記特許文献１に記載のフィルムは、初期の反射率や耐光変色性が不充分であった。また、ダム材としても用いることができるなどのように、広範に応用可能な技術については記載も示唆もなかった。
　本発明の目的は、可視光領域において反射率が高く、耐熱性が高く、高温熱負荷環境下や耐光環境下における反射率の低下が少ないカバーレイフィルムであって、大面積化に対応可能で、特にＬＥＤ実装用プリント配線基板に使用可能なカバーレイフィルム、並びに、該カバーレイフィルムを積層してなる発光素子搭載用基板及び光源装置を提供することである。
　上記反射率の問題点をさらに改良すべく、本発明者らが鋭意検討した結果、熱硬化性樹脂としてポリオルガノシロキサンを用い、この樹脂と無機充填剤を含有する樹脂組成物をγ線等の放射線により硬化させることによって、可視光領域、具体的には波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が高く、且つ、紫外線領域である波長３５０～４００ｎｍにおける反射率も高いばかりでなく、更には、高温熱負荷環境下や耐光環境下においても反射率の低下を抑制できることを見出した。そして、これを用いたプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルムが、上記課題を解決することを見出し、本発明を完成させた。
　即ち、本発明における第１の発明は、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層を備えており、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であって、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルムである。
　また第１の発明においては、以下に示す耐光性試験後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であることが好ましい。
（耐光性試験）；キセノンウェザーメータを用いて、温度６３℃（ブラックパネル温度）、湿度５０％、放射照度（２９５～４００ｎｍ）６０Ｗ／ｍ２で５０時間照射
　また第１の発明においては、前記樹脂層が放射線により硬化してなることが好ましい。
　また第１の発明においては、無機充填剤が酸化チタンであることが好ましい。
　また第１の発明においては、カバーレイフィルムの厚みが３０～５００μｍであることが好ましい。
　また第１の発明においては、波長３５０～４００ｎｍにおける平均反射率が４０％以上であることが好ましい。
　また第１の発明においては、前記樹脂層（Ａ）と、ポリオルガノシロキサン、及び、樹脂層（Ａ）に含まれる無機充填剤とは異なる無機充填剤を含有する樹脂層（Ｂ）とを備えてなることが好ましい。
　この際、前記樹脂層（Ｂ）に含まれる無機充填剤がアルミナであることが好ましい。
　本発明における第２の発明は、少なくとも１つ以上の発光素子を搭載するために用いる基板上に、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）を有する保護層を形成してなる構成を備え、該保護層は、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であり、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であることを特徴とする発光素子搭載用基板である。
　そして本発明における第３の発明は、基板上に導体回路を形成し、該導体回路上に保護層を積層すると共に、前記基板上発光素子を搭載して前記導体回路と前記発光素子とを導通させ、該発光素子を樹脂封止してなる構成を備えた光源装置において、
　前記保護層は、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）を備えた層であって、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であり、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であることを特徴とする光源装置である。
　本発明のカバーレイフィルムは、可視光領域のみならず紫外線領域においても反射率が高く、耐熱性が高く、また高温熱負荷環境下や、耐光性試験環境下における反射率の低下が少ないという効果を得ることができる。よって、本発明のカバーレイフィルムは、プリント配線基板の導体回路保護用のカバーレイフィルムとして有用である。そして、本発明のカバーレイフィルムを用いることより、導体回路保護層が形成された発光素子搭載用基板及び光源装置を製造することができる。
本発明の発光素子搭載用基板の一実施形態の一例を説明する図である。 本発明の発光素子搭載用基板の一実施形態の一例を説明する図である。
　以下、本発明の実施形態について説明する。但し、本発明の範囲がこの実施形態に限定されるものではない。
＜本カバーレイフィルム＞
　本発明の第１の実施形態にかかるカバーレイフィルム（「本カバーレイフィルム」と称する）は、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）を備えており、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であって、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルムである。
（反射率）
　上記のとおり、本カバーレイフィルムは、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であることを必要とする。これは、可視光領域の反射率が高いほど、基板に搭載するＬＥＤの輝度が高くなる傾向があり、上記範囲であれば、ＬＥＤ搭載向け基板のカバーレイフィルムとして好適に利用可能であるからである。かかる観点から、当該平均反射率は９０％以上、特に９５％以上であることが好ましい。
　また、青色ＬＥＤの平均波長（４５０ｎｍ）に対応した４５０ｎｍ付近の反射率が高いほど輝度が高くなる傾向があるため、４５０ｎｍにおける反射率が８５％以上であることがより好ましく、中でも９０％以上、特に９５％以上であることが好ましい。
　また、現在主流の青色ＬＥＤを用いた白色光を得る場合には、４５０ｎｍ付近の反射率が重要になってくる。よって、より高演色性の白色光を得るために、紫外（近紫外）ＬＥＤと赤、緑、青色の蛍光体を組み合わせたタイプが開発されている。その場合には、紫外（近紫外）ＬＥＤの発光波長に対応して、カバーレイフィルムも３５０～４００ｎｍの波長の光と可視光領域（４００～８００ｎｍ）の波長の光の双方を反射することが必要になってくる。
　したがって、本カバーレイフィルムは、３５０～４００ｎｍの平均反射率が４０％以上であることが好ましく、中でも６０％以上、特に８０％以上であることが好ましい。
　なお、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率や、４５０ｎｍにおける反射率、さらには、紫外（近紫外）領域（３５０～４００ｎｍ）の波長の反射率を、所定の範囲まで高める方法としては、ポリオルガノシロキサンに無機充填剤を含有させて樹脂層（Ａ）を形成することで極めて優れた反射特性を得ると共に、使用する無機充填剤の種類や含有量を適宜調整する方法を挙げることができる。中でも、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率や、４５０ｎｍにおける反射率を高める際には、ポリオルガノシロキサンとの屈折率差が大きいという観点から、無機充填剤として酸化チタンを選択するのが好ましい。他方、紫外（近紫外）領域（３５０～４００ｎｍ）の波長の反射率を高める際には、無機充填剤としてアルミナを選択するのが好ましい。
　また、紫外（近紫外）領域（３５０～４００ｎｍ）と可視光領域（４００～８００ｎｍ）の双方の波長の反射率を高めるためには、それぞれの波長における反射率を付与するために好ましい添加剤をポリオルガノシロキサンに対して別々に配合し、それぞれの樹脂組成物からなる樹脂層を積層化させることも可能である。
　但し、これらの方法に限定するものではない。
（熱処理後の反射率の低下率）
　本カバーレイフィルムは、２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が、該熱処理前の反射率の５％以下であることを必要とする。
　上記条件の根拠について以下に記載する。
　ＬＥＤ搭載基板を製造する際には、導電接着剤やエポキシ、シリコーン樹脂等の封止剤の熱硬化工程（１００～２００℃、数時間）、半田付け工程（Ｐｂフリー半田リフロー、ピーク温度２６０℃、数分間）、ワイヤボンディング工程等、高熱負荷がかかる工程を経る必要がある。また、ＬＥＤを搭載した発光装置の使用環境下においても、高輝度ＬＥＤの開発が進み、基板への熱負荷は高まる傾向にあり、ＬＥＤ素子周辺温度は１００℃超になる場合もある。そのため、今後このような高熱負荷環境下においても、変色することなく、高い反射率を維持することが重要になってきている。
　また、波長４５０ｎｍは青色ＬＥＤの平均波長である。
　したがって、２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が、該熱処理前の反射率の５％以下であれば、製造工程での反射率の低下を抑制することが可能であり、また、実際の使用時の反射率の低下を抑制することが可能であるため、ＬＥＤ搭載基板に好適に使用できる。
　かかる観点から、当該低下率は、中でも４％以下であるのが好ましく、特に３％以下であるのがさらに好ましく、中でも特に２％以下であるのがさらに好ましい。
（耐光性試験後の反射率の低下率）
　また、本カバーレイフィルムは、次の耐光性試験後の反射率の低下率が、耐光性試験前の反射率の５％以下であるのが好ましい。
（耐光性試験）；キセノンウェザーメータを用いて、温度６３℃（ブラックパネル温度）、湿度５０％、放射照度（２９５～４００ｎｍ）６０Ｗ／ｍ２で５０時間照射。
　上記条件の根拠について以下に記載する。
　前述のように、ＬＥＤを搭載した発光装置の使用環境下においても、高輝度ＬＥＤの開発が進み、基板への耐光性の要求は高まる傾向にある。そこで、今後このような高出力の光が照射される環境下においても、変色することなく、高い反射率を維持することができる耐光性が必要になってくる。
　したがって、上記耐光性試験後の反射率の低下率が、耐光性試験前の反射率の５％以下であれば、実際の使用時の反射率の低下を抑制することが可能であるため、ＬＥＤ搭載基板に好適に使用できる。
　かかる観点から、当該低下率は、中でも４％以下であるのが好ましく、特に３％以下であるのがさらに好ましく、中でも特に２％以下であるのがさらに好ましい。
　なお、本カバーレイフィルムにおいて、熱処理後の反射率の低下率並びに耐光性試験後の反射率の低下率を所望の範囲にするためには、樹脂層（Ａ）を形成する際、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂組成物を、後述するように、放射線により硬化、特にγ線により硬化させるのが好ましい。但し、この方法に限定するものではない。
［樹脂層（Ａ）］
　本カバーレイフィルムは、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）を備えるものである。
　本カバーレイフィルムに用いるポリオルガノシロキサンとしては、具体的には例えば式（１）に記載のシロキサン骨格を有する物質であり、架橋反応を起こさせることができるものをいう。ポリオルガノシロキサンとしては特に制限は無く、従来公知の任意のものを適宜選択して決定すればよい。
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　ここで、式（１）中「Ｒ」は、メチル基やエチル基等のアルキル基、ビニル基、フェニル基などの炭化水素基、又はフルオロアルキル基などのハロゲン置換炭化水素基などを示す。
　具体的には、式（１）中「Ｒ」が全てメチル基であるポリジメチルシロキサンや、ポリジメチルシロキサンのメチル基の一部が上記炭化水素基又は上記ハロゲン置換炭化水素基の一種又は複数種によって置換された各種のポリオルガノシロキサンが挙げられる。
　本カバーレイフィルムに用いるポリオルガノシロキサンとしては、上記のポリジメチルシロキサンや各種のポリアルキルシロキサンを単独、又は二種類以上混合して用いることができる。
　樹脂層（Ａ）を形成する際は、ポリオルガノシロキサン樹脂を硬化させればよい。
　ポリオルガノシロキサンの硬化手段としては、付加型、縮合型、過酸化物硬化型等、従来公知の任意の方法から適宜選択して決定すればよい。
　縮合型としては、脱アルコール、脱酢酸、脱オキシム、脱水素型が挙げられる。これらの中でも、硬化の際に副生成物が生じない付加型のポリオルガノシロキサンを用いることが好ましい。
　ポリオルガノシロキサンを硬化させる方法は、硬化触媒を添加する方法、高温加熱する方法、架橋剤を添加する方法、そして放射線照射による架橋方法などが挙げられる。
　硬化触媒としては、例えば、アミノシラン系、ニッケル塩系、アンモニウム塩系の触媒が挙げられる。またＡｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｎなどのオクチル酸塩、ナフテン酸塩などの金属石鹸類、白金触媒なども挙げられる。
　高温加熱する場合には、その条件としては一般的に１５０℃～２５０℃、３０分～２時間程度加熱することで硬化することができる。尚、加熱の際に、上記の触媒を添加してもよい。この触媒添加によって、加熱温度を低下させることができる。具体的には、加熱温度を例えば１００℃～１８０℃とすることができる。そして加熱時間も例えば１０分～３０分程度に短縮することができるので、好ましい。
　中でも、本カバーレイフィルムに用いるポリオルガノシロキサンを含む樹脂層（Ａ）の硬化は、放射線により行うことが好ましい。
　放射線による硬化（ポリオルガノシロキサンの架橋）は、ポリオルガノシロキサンに熱が加わらない方法であり、架橋材の残渣等による耐熱、耐光信頼性を損なう懸念がなく、本発明の効果が顕著となるので好ましい。
　本カバーレイフィルムにおいて、ポリオルガノシロキサンの硬化に用いる放射線としては、例えば電子線、Ｘ線、γ線等が挙げられる。これらの放射線は工業的にも広く利用されているものであり、容易に利用可能であり、エネルギー効率の良い方法である。これらの中でも、吸収損失がほとんどなく、透過性が高いγ線を利用することが好ましい。
　本カバーレイフィルムにおいては、未架橋状態のポリオルガノシロキサンに、例えばγ線を照射することによって架橋反応を起こし、ポリオルガノシロキサンを硬化させる。γ線の照射で架橋反応を進行させることができるので、架橋剤を用いなくても架橋反応を起こすことが出来る。
　これにより、架橋剤を用いて架橋した際に見られる架橋剤による色変化を避けることができ、また架橋剤の反応による副生成物の残留も防ぐことができるので、より耐熱性、耐光性に優れた樹脂層（Ａ）を得ることが可能である。
　γ線の照射線量としては、樹脂種や架橋基の量、そして線源の種類により、適宜選択して決定すればよいが、一般に１０～１５０ｋＧｙである。中でも２０～１００ｋＧｙであることが好ましく、特に３０～６０ｋＧｙであることが好ましい。
　また、この照射線量の選定には、ポリオルガノシロキサンの架橋密度の他、熱可塑性樹脂層、工程フィルムとして使用するプラスチックフィルムの耐放射線性も考慮に入れることが好ましい。この点、結晶性ポリエステル系樹脂は、一般に放射線に対する耐性に優れ、本発明の工程フィルムに適合した基材である。
［樹脂層（Ａ）に用いる無機充填剤］
　前記樹脂層（Ａ）に用いる無機充填剤としては、特に制限は無く、従来公知の任意のものを使用できる。例えばタルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミ、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、チタン酸塩（チタン酸カリウム等）、硫酸バリウム、アルミナ、カオリン、クレー、酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、チタン酸鉛、酸化ジルコン、酸化アンチモン、酸化マグネシウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で添加してもよく、２種類以上を組み合わせて添加してもよい。
　前記樹脂層（Ａ）に用いる無機充填剤は、更に、ポリオルガノシロキサンからなる樹脂層（Ａ）への分散性を向上させるために、無機充填剤の表面を、シリコーン系化合物、多価アルコール系化合物、アミン系化合物、脂肪酸、脂肪酸エステル等で表面処理されたものを使用することができる。その中でもシリコーン系化合物（シロキサンやシランカップリング剤など）で処理されたものが好ましい。
　前記樹脂層（Ａ）に用いる無機充填剤としては、本カバーレイフィルムの光反射性を考慮し、ポリオルガノシロキサンとの屈折率差が大きいものを用いることが好ましい。中でも屈折率が１．６以上であるものが好ましく、具体的には、例えば上述したものの中では炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化チタン、チタン酸塩等が挙げられ、特に酸化チタンが好ましい。
　また、低波長域の反射率を高めることができる観点からは、アルミナが好ましい。
　酸化チタンは他の無機充填剤に比べて顕著に屈折率が高く、ベース樹脂となるポリオルガノシロキサンとの屈折率差を大きくすることができるため、他の充填剤を使用した場合よりも、少ない配合量で優れた反射性を得ることができるので好ましい。
　前記樹脂層（Ａ）において、ポリオルガノシロキサンに配合する酸化チタンとしては、アナターゼ型やルチル型のような結晶型の酸化チタンが好ましく、中でもポリオルガノシロキサンとの屈折率差が大きくなる観点から、ルチル型の酸化チタンが好ましい。
　また、半導体発光素子として紫外（近紫外）ＬＥＤと赤、緑、青色の蛍光体を組み合わせたタイプの素子を使用する基板へ適用するカバーレイフィルムの場合には、カバーレイフィルムにも紫外（近紫外）ＬＥＤの発光波長に対応した、３５０～４００ｎｍの波長の光を反射することと、可視光領域（４００～８００ｎｍ）の波長の光を反射することが必要になってくるため、４００ｎｍ域の光吸収が少ないアナターゼ型の方が好ましい。
　酸化チタンの製造方法は、一般的に塩素法と硫酸法があるが、本発明に用いる酸化チタンの製造方法としては、白色度の点から塩素法で製造された酸化チタンを使用することが好ましい。
　酸化チタンは、その表面が不活性無機酸化物で被覆処理されたものが好ましい。酸化チタンの表面を不活性無機酸化物で被覆処理することにより、酸化チタンの光触媒活性を抑制することができ、本発明のカバーレイフィルムの劣化を抑制できるので好ましい。
　不活性無機酸化物としては、具体的には例えば、シリカ、アルミナ、及びジルコニアからなる群から選ばれる少なくとも１種類を用いることが好ましい。これらの不活性無機酸化物を用いることによって、高い反射性を損なうことなく、高温溶融時に、樹脂の分子量低下や黄変を抑制することができるので好ましい。
　更に酸化チタンは、樹脂組成物中における分散性を高めるために、その表面がシロキサン化合物、シランカップリング剤等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の無機化合物や、ポリオール、ポリエチレングリコール等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機化合物で表面処理されたものが好ましい。特に耐熱性の点からは、シランカップリング剤で処理されたものが好ましく、分散性の点からは、シロキサン化合物で処理されたものが好ましい。
　前記樹脂層（Ａ）に用いる無機充填剤の粒径は任意であり、本発明のカバーレイフィルムの用途や厚みに応じて適宜選択して決定すればよい。一般的にはカバーレイフィルム厚み以下の粒径を有するものを用い、具体的には例えば平均粒径として０．０５～５０μｍであることが好ましく、中でも０．１～３０μｍであり、特に０．１５～１５μｍであることが好ましい。
　無機充填剤の粒径が０．０５μｍ～５０μｍであれば、樹脂への分散性が良好となり、樹脂との界面が緻密に形成され、高い反射性を付与することができるので好ましい。
　中でも、前記樹脂層（Ａ）に用いる無機充填剤として酸化チタンを用いる場合には、その粒径は０．１μｍ～１．０μｍであることが好ましく、中でも０．２μｍ～０．５μｍであることが好ましい。酸化チタンの粒径が上記範囲であれば、樹脂への分散性が良好となり、樹脂との界面が緻密に形成され、高い反射性を付与することができるので好ましい。
　前記樹脂層（Ａ）に用いる無機充填剤の含有量は、ポリオルガノシロキサン１００質量部に対し、１０～１０００質量部であることが好ましく、中でも２０～５００質量部、さらには２５～２００質量部、特に３０～１００質量部であることが好ましい。この範囲内とすることで、良好な反射特性を得られ、またフィルムの厚みが薄くなっても良好な反射特性を得ることが可能となるので好ましい。
［樹脂層（Ｂ）］
　本カバーレイフィルムは、前記樹脂層（Ａ）とは別に、ポリオルガノシロキサンと、樹脂層（Ａ）に含まれる無機充填剤とは異なる無機充填剤とを含有する樹脂層（Ｂ）を備えることもできる。
　例えば、樹脂層（Ａ）を、可視光領域（４００～８００ｎｍ）において高反射率を有する層とし、樹脂層（Ｂ）を、紫外（近紫外）領域（３５０～４００ｎｍ）において高反射率を有する層とするなど、異なる作用を有する樹脂層（Ａ）（Ｂ）を組み合わせることができる。
　前記樹脂層（Ｂ）のポリオルガノシロキサンは、上述した樹脂層（Ａ）と同様に、特に制限は無く、従来公知の任意のものを適宜選択して決定すればよい。また、ポリオルガノシロキサンの硬化手段も上述した樹脂層（Ａ）と同様の手段を用いることができる。
［樹脂層（Ｂ）に用いる無機充填剤］
　前記樹脂層（Ｂ）に用いる無機充填剤としては、前記樹脂層（Ａ）に含まれる無機充填剤とは異なる無機充填剤であれば特に制限はない。例えばタルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミ、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、シリカ、チタン酸塩（チタン酸カリウム等）、硫酸バリウム、アルミナ、カオリン、クレー、酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、チタン酸鉛、酸化ジルコン、酸化アンチモン、酸化マグネシウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で添加してもよく、２種類以上を組み合わせて添加してもよい。
　例えば、樹脂層（Ａ）に用いる無機充填剤が酸化チタンである場合、特にルチル型酸化チタンである場合には、紫外（近紫外）領域（３５０～４００ｎｍ）において光吸収が生じるため、樹脂層（Ｂ）に用いる無機充填剤としては、４００ｎｍ域の光吸収が少ないアナターゼ型酸化チタンもしくはアルミナを選択することが好ましい。
　さらに、上記の樹脂層（Ａ）（Ｂ）からなるカバーレイフィルムを、後述の「本発光素子搭載用基板」に用いる際には、無機充填剤として４００ｎｍ域の光吸収が少ないアナターゼ型酸化チタンもしくはアルミナを使用した樹脂層（Ｂ）が使用面となるように（暴露される側となるように）、金属層と積層することが好ましい。このことにより、紫外（近紫外）領域（３５０～４００ｎｍ）の光は樹脂層（Ｂ）反射され、可視光領域（４００～８００ｎｍ）の光は、樹脂層（Ｂ）とルチル型酸化チタンが含まれる樹脂層（Ａ）の両方で反射されるため、広い波長領域で反射率を高めることが可能となる。
　前記樹脂層（Ｂ）に用いる無機充填剤の粒径は任意であり、本発明のカバーレイフィルムの用途や厚みに応じて適宜選択して決定すればよい。一般的にはカバーレイフィルム厚み以下の粒径を有するものを用い、例えば平均粒径として０．０５～５０μｍであることが好ましく、中でも０．１μｍ以上或いは３０μｍ以下であり、その中でも特に０．１５μｍ以上或いは１５μｍ以下であることがさらに好ましい。
　無機充填剤の粒径が０．０５μｍ～５０μｍであれば、樹脂への分散性が良好となり、樹脂との界面が緻密に形成され、高い反射性を付与することができるので好ましい。
　樹脂層（Ｂ）に用いる無機充填剤の含有量は、ポリオルガノシロキサン１００質量部に対し、１０～１０００質量部であることが好ましく、中でも２０質量部以上或いは５００質量部以下、その中でも３０質量部以上或いは３００質量部以下、その中でも特に５０質量部以上或いは２００質量部以下であることがさらに好ましい。この範囲内とすることで、良好な反射特性を得られ、またフィルムの厚みが薄くなっても良好な反射特性を得ることが可能となるので好ましい。
（添加剤等）
　前記樹脂層（Ａ）および樹脂層（Ｂ）は、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填剤以外の各種添加剤を含有してもよい。例えば、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜配合してもよい。
（カバーレイフィルムの厚み）
　本カバーレイフィルムの厚みは特に制限はなく、適宜選択して決定すればよい。一般的には１μｍ～１０００μｍであり、本カバーレイフィルムに於いては１０μｍ～１０００μｍであることが好ましい。中でも１０μｍ～８００μｍ、さらには２０μｍ～５００μｍ、とりわけ２０μｍ～３００μｍ、特に３０μｍ～２００μｍであることが好ましい。
　また、本発明の効果である反射率の低下率が少ないという効果を高い反射率の領域に於いて求める場合には、本カバーレイフィルムの厚みを５０μｍ以上、特に１００μｍとすることが好ましく、その上限は通常、１０００μｍ、中でも５００μｍであることが好ましい。
　かかる範囲であれば、薄型が要求される携帯電話用バックライトや、液晶ディスプレー用バックライト用の面光源として使用されるチップＬＥＤ搭載基板の導体回路保護用カバーレイフィルムとして、反射率を確保できるため、好適に使用することができる。また、ダム材として使用する際にも、ＬＥＤチップや金ワイヤを封止するのには充分な厚さである。
（カバーレイフィルムの製造方法）
　前記樹脂層（Ａ）および樹脂層（Ｂ）を形成するための樹脂組成物、すなわち、ポリオルガノシロキサンを含有する樹脂層を形成する樹脂組成物の調製方法としては、特に制限されるものではなく、公知の方法を用いることができる。例えば、（ａ）各種添加剤をポリオルガノシロキサンなどの適当なベース樹脂に高濃度（代表的な含有量としては１０～９０重量％）に混合したマスターバッチを別途作製しておき、これを使用する樹脂に濃度を調整して混合し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法を挙げることができる。また、（ｂ）使用する樹脂に直接各種添加剤をニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法などを挙げることができる。
　これらの方法の中では、分散性や作業性の点から、（ａ）のマスターバッチを作製して混合する方法が好ましい。
　次に、上記樹脂組成物を製膜する方法としては、公知の製膜方法、例えばポリオルガノシロキサンと無機充填剤とを混合して得られる樹脂組成物を用いて、Ｔダイを使用した押出キャスト法やカレンダー法、または基材フィルム（ＰＥＴフィルム等）上にコーティングする方法等により成膜する方法を挙げることができる。
　このように成膜したフィルムを、熱硬化や放射線硬化等により未架橋状態のポリオルガノシロキサンを硬化させればよい。
（カバーレイフィルムの用途）
　本カバーレイフィルムは、プリント配線基板の導体回路保護用のカバーレイフィルムとして使用することができる。例えば、基板上に導体回路を形成し、前記導体回路上に本カバーレイフィルムを積層する一方、前記基板上に発光素子を搭載して前記導体回路と当該発光素子とを導通させるようにして使用することができる。この際、当該カバーレイフィルムを積層することで、導体回路に傷が入って断線するのを防止することができると共に、発光素子を実装する際のはんだ付着による短絡を防止することができ、さらには、電源端子部に指などが触れて感電するのを防止するなどの機能を発揮することができる。
＜本発光素子搭載用基板＞
　本発明の第２の実施形態に係る発光素子搭載用基板（「本発光素子搭載用基板」と称する）は、少なくとも１つ以上の発光素子を搭載するために用いる基板上に、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）を有する保護層を備え、該保護層は、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であって、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であることを特徴とする発光素子搭載用基板である。
　本発光素子搭載用基板においては、上述した条件を満たせば特に、基板等の形状や材料に特に制限は無く、従来公知の任意のものを使用できる。具体的には、例えば「発光素子を搭載するために用いる基板」としては、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂からなる樹脂製基板材料の少なくとも片面に金属層を積層させてなる樹脂／金属積層体や、前記樹脂製基板材料の少なくとも片面に配線パターン（導体回路）を形成してなる構成のものを挙げることができる。
　このような「発光素子を搭載するために用いる基板」上に、上述の特定物性を備えた、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層を有する保護層を形成すれば、即ち上記の本カバーレイフィルムを積層すれば、導体回路を保護することが可能となる。そして当該保護層は、高い反射率を有することからリフレクターとしての機能をも発揮し、該基板の反射率の向上にも寄与するという、優れた効果を奏する。
（金属層）
　本発光素子搭載用基板に用いる樹脂／金属積層体における金属層としては、例えば金属種としては銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル、錫等が挙げられる。また金属層の厚さは任意で有り、適宜選択して決定すればよいが、通常１μｍ～１００μｍ、中でも好ましくは５μｍ～７０μｍである。
　中でも金属種としては銅や銅合金が好ましく、更に表面を黒色酸化処理等の化成処理を施したものが好ましい。この金属層である導体箔は、接着効果を高めるために、カバーレイフィルムとの接触面（重ねる面）側を、予め化学的又は機械的に粗化したものを用いることが好ましい。表面粗化処理された導体箔の具体例としては、具体的には例えば電解銅箔を製造する際に電気化学的に処理された粗化銅箔などが挙げられる。
　また、本発光素子搭載用基板に用いる基板である樹脂／金属積層体は、複数を積層したものであってもよい。この積層方法は、接着層を介することのない熱融着方法として、加熱、加圧による方法であれば公知の方法を採用することができ、例えば、熱プレス法や熱ラミネートロール法、押出した樹脂にキャストロールで積層する押出ラミネート法、又はこれらを組み合わせた方法を好適に採用することができる。
　また、「発光素子を搭載するために用いる基板」としては、上述の様樹脂／金属積層体に代えて、より放熱性が要求される場合には、銅板、アルミ板等の金属材料、窒化アルミなどのセラミック、又は黒鉛板等の熱伝導率の高い材料と複合化することにより放熱性を向上させることも可能である。
　例えば、アルミ板との複合基板の構成としては、アルミ板全面に、上記のような金属積層体を積層する場合や、該金属積層体にキャビティー（凹部）構造用の窓枠を抜き、積層する場合が挙げられる。使用するアルミについては、樹脂との密着性を考慮すると粗化されていることが望ましいが、キャビティー構造を考慮した場合には、ＬＥＤからの光を効率よく反射させるために、高反射アルミを用いることが好ましい。
　高反射アルミとしては、表面を研磨したもの、アルマイト処理したもの、またチタン、シリカ等の無機酸化物の他、銀等の金属を蒸着した増反射膜処理をしたものが挙げられる。そしてこのアルミの反射率は、波長４００～８００ｎｍの平均反射率が８０％以上であることが好ましく、中でも９０％以上、特に９５％以上であることが好ましい。
（発光素子搭載用基板の製造方法）
　本発光素子搭載用基板の製造方法は任意であり、特に制限されるものではない。ここでは先ず、本発光素子搭載用基板の具体的な製造方法として、基板の両面に金属層を積層してなる両面基板の製造方法を、図１に基づいて説明する。
　図１に示すように、（ａ）：まず、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板（１００）と、金属層となる２枚の銅箔（１０）とを用意し、（ｂ）：熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板（１００）の両面に銅箔（１０）を真空プレスにより積層して樹脂／金属積層体を製造する。
　（ｃ）：そして銅箔（１０）をエッチング又は銅上にメッキして配線パターン（２０）を形成し、「発光素子を搭載するために用いる基板」を作製する。（ｄ）：この基板に、実装する箇所を窓抜き加工した、ポリオルガノシロキサンに無機充填剤を含有してなる樹脂層（３０）とを備えてなる保護層（２００）を積層し（なお、ここでは本カバーレイフィルムを、積層している。）、発光素子搭載用基板とする。
　（ｅ）：その後、金メッキ加工して、ＬＥＤ（３００）を実装させ、ボンディングワイヤ（４０）により配線パターン（２０）と接続させ、所定の樹脂で封止（図示せず）して、光源装置とすることができる。
　なお、窓抜き加工する方法は任意であり、特に制限されることはない。具体的には例えばビク型を用いる方法や、ルーター加工する方法、レーザー加工する方法等を用いることができる。また保護層の形成において、上記以外にも、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（３０）を塗工させて保護層を形成してもよい。
　次に、アルミ複合基板としての本発光素子搭載用基板の製造方法を、図２に基づいて説明する。
　例えば、図２に示すように、（ａ）：熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板（１００）の片面に銅箔（１０）を積層して金属積層体を製造する。そして（ｂ）：銅箔（１０）をエッチングして配線パターン（２０）を形成し金メッキ加工を施し、さらに基板（１００）をビク型を用いてキャビティー枠に打ち抜く（５０）。
　次に（ｃ）：窓抜き加工した保護層（２００）と配線パターン（２０）が形成された面とは反対面にアルミ板（４００）を真空プレスにより積層して発光素子搭載用基板とする。この基板に、（ｄ）：ＬＥＤ（３００）を実装させ、ボンディングワイヤ（４０）により配線パターン（２０）と接続させ、所定の樹脂で封止（図示せず）して、光源装置とすることができる。
　なお、キャビティー枠に打ち抜く方法としては、上記ビク型を用いる方法に制限されるものではなく、例えばルーター加工や、レーザーを用いて形成することもできる。なお、上記製造方法においては、片面銅箔付きフィルム（図２中（ｂ））、保護層及びアルミ板の積層を一括して行っているが、これらを逐次的に積層させ、その後に枠抜き及び導体パターンを形成してもよい。
＜本光源装置＞
　本発明の第３の実施形態に係る光源装置（「本光源装置」と称する）としては、上記の本発光素子搭載用基板に導体回路を形成して、該基板と該基板に搭載された発光素子とを導通させ、該発光素子を樹脂封止してなるものであれば特に制限されるものではない。具体的には、基板上に導体回路を形成し、該導体回路上に保護層を積層すると共に、前記基板上発光素子を搭載して前記導体回路と前記発光素子とを導通させ、該発光素子を樹脂封止してなる構成のものを挙げることができる。
　本光源装置における保護層は、上記樹脂層（Ａ）の特性を備えているため、例えば波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であり、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であるなどの特性を備えたものとなる。よって、このように保護層が形成されていることにより、導体回路を効果的に保護することが可能となり、高温熱負荷環境下や、耐光性試験環境下においても、反射率の低下を引き起こすことがないので、本発明の光源装置は、照明用、プロジェクタ光源、液晶表示装置等のバックライト装置、車載用途、携帯電話用途等の各種用途に用いることができる。
＜語句の説明＞ 
　一般的に「シート」とは、ＪＩＳにおける定義上、薄く、一般にその厚さが長さと幅のわりには小さく平らな製品をいい、一般的に「フィルム」とは、長さ及び幅に比べて厚さが極めて小さく、最大厚さが任意に限定されている薄い平らな製品で、通常、ロールの形で供給されるものをいう（日本工業規格ＪＩＳＫ６９００）。例えば厚さに関して言えば、狭義では１００μｍ以上のものをシートと称し、１００μｍ未満のものをフィルムと称すことがある。しかし、シートとフィルムの境界は定かでなく、本発明において文言上両者を区別する必要がないので、本発明においては、「フィルム」と称する場合でも「シート」を含むものとし、「シート」と称する場合でも「フィルム」を含むものとする。
　本明細書において「Ｘ～Ｙ」（Ｘ，Ｙは任意の数字）と表現する場合、特にことわらない限り「Ｘ以上Ｙ以下」の意と共に、「好ましくはＸより大きい」或いは「好ましくはＹより小さい」の意も包含する。
　また、「Ｘ以上」（Ｘは任意の数字）或いは「Ｙ以下」（Ｙは任意の数字）と表現した場合、「Ｘより大きいことが好ましい」或いは「Ｙ未満であることが好ましい」旨の意図も包含する。
　以下、実施例及び比較例によりさらに具体的に説明する。但し、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
なお、本明細書中に示されるフィルム等についての種々の測定値及び評価は以下のようにして求めた。
（平均反射率）
　分光光度計（「Ｕ－４０００」、株式会社日立製作所社製）に積分球を取りつけ、アルミナ白板の反射率が１００％としたときの反射率を、波長４００ｎｍ～８００ｎｍにわたって、０．５ｎｍ間隔で測定した。得られた測定値の平均値を計算し、この値を平均反射率とした。そして波長３５０～４００ｎｍの平均反射率も同様に測定した。
（加熱処理後の反射率）
　得られた白色フィルムを固定冶具で固定し、熱風循環式オーブンに、２６０℃で１０分間加熱処理し、加熱処理後の反射率を上記の方法と同様に測定して、４５０ｎｍにおける反射率を読みとった。
（キセノンウェザーメータによる試験）
　得られたカバーレイフィルムをスガ試験機社製のキセノンウェザーメータ（型式：ＳＸ－７５）を用いて、温度６３℃（ブラックパネル温度）、湿度５０％、放射照度（２９５～４００ｎｍ）６０Ｗ／ｍ２で５０時間照射し、その後上記の方法と同様に反射率を測定し、４５０ｎｍにおける反射率を読みとった。
＜実施例１＞
　ポリオルガノシロキサン（ＴＳＥ２５７１－５Ｕ、モメンティブ社製）１００質量部と、ルチル型の酸化チタン（Ｒ１０５、デュポン社製、平均粒径０．３１μｍ）６７質量部をプラネタリミキサーで混合して得られた樹脂組成物を、押出機を用いて設定温度１００℃で、離型ＰＥＴフィルム上に厚さ１００μｍのカバーレイフィルム前駆体を得た。その後、γ線により５０ｋＧｙの照射線量にて硬化させて得られた樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを、上述した方法により評価した。結果を表１に記した。
＜実施例２＞
　ポリオルガノシロキサン（ＴＳＥ２５７１－５Ｕ、モメンティブ社製）１００質量部に対して熱架橋材としての加硫剤（ＴＣ－１２、モメンティブ社製）を１．５質量部、酸化チタン（Ｒ１０５、デュポン社製、平均粒径０．３１μｍ）６７質量部をプラネタリミキサーで混合して得られた樹脂組成物を、押出機を用いて設定温度１００℃で、離型ＰＥＴフィルム上に厚さ１００μｍのカバーレイフィルム前駆体を得た。その後、１２５℃にて１５分間、次いで２００℃にて４時間熱処理することにより硬化させて得られた樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例３＞
　厚さを３００μｍとした以外は、実施例１と同様の方法にて樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例４＞
　酸化チタンを４００質量部とした以外は、実施例１と同様の方法にて樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例５＞
　酸化チタンを２５質量部とした以外は、実施例１と同様の方法にて樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例６＞
　厚さ５０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法にて樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例７＞
酸化チタンとして、アナターゼ型の酸化チタン（ＳＡ－１、堺化学工業社製、平均粒径０．３μｍ）２５質量部を用いた以外は、実施例１と同様の方法にて樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例８＞
　ポリオルガノシロキサンとして、ポリオルガノシロキサン（ＴＳＥ２９１３－Ｕ、モメンティブ社製）を用いた以外は、実施例１と同様の方法にて樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例９＞
　酸化チタンに代えて、アルミナ（ＡＡ０４、住友化学社製、平均粒径０．４μｍ）１５０質量部を用いた以外は、実施例１と同様の方法にて樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例１０＞
　厚みを１５０μｍとした以外は、実施例８と同様の方法にて樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例１１＞
　厚みを１５０μｍとした以外は、実施例９と同様の方法にて樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。
＜実施例１２＞
　実施例８と同様の方法にて、厚さ１００μｍの樹脂層（Ａ）からなるカバーレイフィルム前駆体を得た後、実施例９と同様の方法にて厚さ５０μｍの樹脂層（Ｂ）からなるカバーレイフィルム前駆体を作成し、両前駆体のカバーレイフィルム面を貼りあわせた後、γ線で硬化させた積層構成によるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。なお、反射率の測定は樹脂層（Ｂ）からなる面を測定した。
＜実施例１３＞
　樹脂層（Ｂ）の厚さを１００μｍとした以外は、実施例１２と同様の方法にて積層構成によるカバーレイフィルムを作製し、評価した。結果を表１に記した。なお、反射率の測定は樹脂層（Ｂ）からなる面を測定した。
＜比較例１＞
　ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）４０質量％、及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ　１０００）６０質量％からなる樹脂組成物１００質量部に対して、ルチル型の酸化チタン（Ｒ１０８、デュポン社製、平均粒径０．２３μｍ）６７質量部を混合して得られた組成物を溶融混練し、Ｔダイを備えた押出機を用いて設定温度３８０℃で、厚さ１００μｍのカバーレイフィルムを作製し、実施例１と同様に評価した。結果を表１に記した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１に示した結果から分かるように、本発明の実施例１～１３においては、反射率特性が良好で有り、加熱試験後や耐光性試験（キセノンウェザーメータ試験）後においても反射率変化の少ない、優れたカバーレイフィルムを得ることができた。例えば実施例９、１１ではポリオルガノシロキサンにアルミナを充填しているため、比較例に対して可視光域での反射率も高いが、紫外光域（３５０～４００ｎｍ）での反射率が格段に向上している。一方、比較例１においては可視光域での反射率、耐光性試験後の反射率が劣るものであった。
　また、実施例１～８、１０は、ポリオルガノシロキサンに酸化チタンを充填しているため、特に可視光域（４００～８００ｎｍ）においても、特に高い反射率を示した。そして実施例７はアナターゼ型の酸化チタンを充填しているため、紫外光域の反射率がルチル型を充填した実施例１～６、８、１０に比べて、高い反射率を示した。
　さらに、実施例１２、１３においては、ポリオルガノシロキサンにルチル型の酸化チタンを充填した樹脂層（Ａ）と、ポリオルガノシロキサンにアルミナを充填した樹脂層（Ｂ）の積層構成とすることにより、紫外光域（３５０～４００ｎｍ）と可視光域（４００～８００ｎｍ）の両方において高い反射率を示した。
１０　銅箔
２０　配線パターン
３０　ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層
４０　ボンディングワイヤ
１００　熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂からなる基板
２００　保護層
３００　ＬＥＤ
４００　アルミ板

Claims (10)

  1. 　ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）を備えており、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であって、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であるプリント配線板の導体回路保護用のカバーレイフィルム。
  2. 　以下に示す耐光性試験後の反射率の低下率が５％以下であることを特徴とする請求項１記載のカバーレイフィルム。
    （耐光性試験）；キセノンウェザーメータを用いて、温度６３℃（ブラックパネル温度）、湿度５０％、放射照度（２９５～４００ｎｍ）６０Ｗ／ｍ２で５０時間照射。
  3. 　前記樹脂層（Ａ）が放射線により硬化してなる層であることを特徴とする請求項１又は２記載のカバーレイフィルム。
  4. 　前記樹脂層（Ａ）に含まれる無機充填剤が酸化チタンであることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のカバーレイフィルム。
  5. 　フィルムの厚みが３０μｍ～５００μｍであることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載のカバーレイフィルム。
  6. 　波長３５０～４００ｎｍにおける平均反射率が４０％以上であることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載のカバーレイフィルム。
  7. 　前記樹脂層（Ａ）と、ポリオルガノシロキサン、及び、樹脂層（Ａ）に含まれる無機充填剤とは異なる無機充填剤を含有する樹脂層（Ｂ）とを備えてなることを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載のカバーレイフィルム。
  8. 　前記樹脂層（Ｂ）に含まれる無機充填剤がアルミナであることを特徴とする請求項７に記載のカバーレイフィルム。
  9. 　少なくとも１つ以上の発光素子を搭載するために用いる基板上に、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）を有する保護層を形成してなる構成を備え、
    　該保護層は、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であり、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であることを特徴とする発光素子搭載用基板。
  10. 　基板上に導体回路を形成し、該導体回路上に保護層を積層すると共に、前記基板上に発光素子を搭載して前記導体回路と前記発光素子とを導通させ、該発光素子を樹脂封止してなる構成を備えた光源装置において、
    　前記保護層は、ポリオルガノシロキサン及び無機充填剤を含有する樹脂層（Ａ）を備えた層であって、波長４００～８００ｎｍにおける平均反射率が８５％以上であり、かつ２６０℃で１０分間熱処理した後の波長４５０ｎｍにおける反射率の低下率が５％以下であることを特徴とする光源装置。
     
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016103576A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 三菱樹脂株式会社 蛍光体含有シリコーンシート及び発光装置
JP2018060989A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 日本特殊陶業株式会社 枠体部材、発光装置、およびこれらの製造方法
JP2018085368A (ja) * 2016-11-21 2018-05-31 日本特殊陶業株式会社 蓋部材、該蓋部材を用いた発光装置、およびこれらの製造方法
WO2019084423A1 (en) * 2017-10-26 2019-05-02 Ahmad Syed Taymur COMPOSITION COMPRISING NON-NEWTONIAN FLUIDS FOR HYDROPHOBIC, OLEOPHOBIC AND OLEOPHILIC COATINGS, AND METHODS OF USE THEREOF
CN110800118A (zh) * 2017-06-29 2020-02-14 京瓷株式会社 电路基板以及具备该电路基板的发光装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111919519B (zh) * 2018-04-12 2024-01-12 三菱电机株式会社 用保护膜包覆的印刷电路基板及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11327150A (ja) * 1998-03-17 1999-11-26 Mitsubishi Chemical Corp 感光性樹脂組成物
JP2005120155A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 電極回路保護用シリコーンゴム組成物、電極回路保護材及び電気・電子部品
JP2009302110A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Mitsubishi Plastics Inc カバーレイフィルム

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4460524B2 (ja) * 2005-11-14 2010-05-12 信越化学工業株式会社 放射線硬化性シリコーンゴム組成物
DE112008003185T5 (de) * 2007-11-29 2010-09-30 Mitsubishi Plastics, Inc. Mit Metall laminierter Gegenstand, mit LED versehenes Substrat und weisse Folie
JP5108825B2 (ja) * 2009-04-24 2012-12-26 信越化学工業株式会社 光半導体装置用シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11327150A (ja) * 1998-03-17 1999-11-26 Mitsubishi Chemical Corp 感光性樹脂組成物
JP2005120155A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 電極回路保護用シリコーンゴム組成物、電極回路保護材及び電気・電子部品
JP2009302110A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Mitsubishi Plastics Inc カバーレイフィルム

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016103576A (ja) * 2014-11-28 2016-06-02 三菱樹脂株式会社 蛍光体含有シリコーンシート及び発光装置
JP2018060989A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 日本特殊陶業株式会社 枠体部材、発光装置、およびこれらの製造方法
JP2018085368A (ja) * 2016-11-21 2018-05-31 日本特殊陶業株式会社 蓋部材、該蓋部材を用いた発光装置、およびこれらの製造方法
CN110800118A (zh) * 2017-06-29 2020-02-14 京瓷株式会社 电路基板以及具备该电路基板的发光装置
CN110800118B (zh) * 2017-06-29 2022-10-28 京瓷株式会社 电路基板以及具备该电路基板的发光装置
WO2019084423A1 (en) * 2017-10-26 2019-05-02 Ahmad Syed Taymur COMPOSITION COMPRISING NON-NEWTONIAN FLUIDS FOR HYDROPHOBIC, OLEOPHOBIC AND OLEOPHILIC COATINGS, AND METHODS OF USE THEREOF
JP2021501250A (ja) * 2017-10-26 2021-01-14 サイド・タイムール・アフマド 疎水性、疎油性および親油性コーティングのための非ニュートン流体を含む組成物、およびその使用方法
US11149150B2 (en) 2017-10-26 2021-10-19 Actnano, Inc. Composition comprising non-newtonian fluids for hydrophobic, oleophobic, and oleophilic coatings, and methods of using the same
JP7104161B2 (ja) 2017-10-26 2022-07-20 サイド・タイムール・アフマド 疎水性、疎油性および親油性コーティングのための非ニュートン流体を含む組成物、およびその使用方法
JP2022106729A (ja) * 2017-10-26 2022-07-20 サイド・タイムール・アフマド 疎水性、疎油性および親油性コーティングのための非ニュートン流体を含む組成物、およびその使用方法
US11603472B2 (en) 2017-10-26 2023-03-14 Actnano, Inc. Method of coating a printed circuit board with a viscoelastic or non-Newtonian coating
US11603473B2 (en) 2017-10-26 2023-03-14 Actnano, Inc. Electronic device comprising a conformal viscoelastic or non-Newtonian coating

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