WO2013018842A1 - Dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication - Google Patents

Dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication Download PDF

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阪本　利司
宗弘 多田
信 宮村
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日本電気株式会社
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Abstract

La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur capable de diminuer les processus ou de réduire la superficie d'un élément à résistance variable autant que possible ; et un procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur. Un dispositif à semi-conducteur comprend deux éléments à résistance variable (100) ou plus à l'intérieur d'une couche de câblage multicouche sur un substrat à semi-conducteur (101), et chaque élément à résistance variable (100) présente une configuration dans laquelle une couche à résistance variable (111) présentant une résistance variable est interposée entre une électrode inférieure (105) et une électrode supérieure (112). Une ligne de câblage dans une couche de câblage prédéterminée dans la couche de câblage multicouche sert également d'électrode inférieure (105). L'électrode supérieure (112) est formée en tant que ligne s'étendant dans une direction et sert également d'électrode supérieure d'un autre élément à résistance variable adjacent à l'élément à résistance variable (100) dans la direction mentionnée ci-dessus.
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