WO2013008644A1 - 撮像装置及び固体撮像装置の保護装置 - Google Patents

撮像装置及び固体撮像装置の保護装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013008644A1
WO2013008644A1 PCT/JP2012/066649 JP2012066649W WO2013008644A1 WO 2013008644 A1 WO2013008644 A1 WO 2013008644A1 JP 2012066649 W JP2012066649 W JP 2012066649W WO 2013008644 A1 WO2013008644 A1 WO 2013008644A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
potential
imaging device
solid
state imaging
pulse
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/066649
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
毅 増澤
浩樹 萩原
Original Assignee
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニー株式会社 filed Critical ソニー株式会社
Priority to CN201280032549.8A priority Critical patent/CN103636193B/zh
Priority to US14/124,295 priority patent/US9113099B2/en
Priority to KR1020137034255A priority patent/KR101966473B1/ko
Publication of WO2013008644A1 publication Critical patent/WO2013008644A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/73Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/60Control of cameras or camera modules
    • H04N23/65Control of camera operation in relation to power supply
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745Circuitry for generating timing or clock signals

Definitions

  • the technology disclosed in this specification relates to an imaging device and a protection device for a solid-state imaging device.
  • Some solid-state imaging devices can use a so-called electronic shutter function (charge sweeping operation toward the substrate) that sweeps generated charges toward the substrate by superimposing an electronic shutter pulse on the substrate voltage.
  • the substrate voltage can adjust the saturation signal amount of the light receiving unit. By changing the substrate voltage according to the driving mode, the saturation signal amount necessary for each driving mode can be adjusted.
  • the signal can be reset by applying a shutter pulse to the substrate voltage. Thereby, the exposure time can be adjusted.
  • a driver pulse drive unit
  • both the solid-state imaging device and the driver have operating voltage values (for example, required for other various circuits).
  • the charge sweeping control controls the timing of the start of charge accumulation in the photoelectric conversion unit such as a photodiode, so that the driver circuit for the electronic shutter pulse in the driver
  • the electronic shutter pulse is applied to the first polarity substrate (for example, an n-type substrate) via a wiring different from the transfer clock.
  • a substrate voltage control circuit is connected to the substrate voltage terminal of the first polarity substrate, and a predetermined voltage (reverse bias voltage) is always applied to the first polarity substrate during operation.
  • the electronic shutter pulse driver circuit When the charge is discharged, the electronic shutter pulse driver circuit outputs a pulse signal, and the voltage of this pulse signal is superimposed on the applied voltage of the substrate voltage control circuit, so that a reverse bias voltage stronger than normal is applied to the first. Applied to the polar substrate, the accumulated charge is swept away.
  • a voltage range that can be taken between terminals or between terminals is defined as an absolute maximum rating.
  • Such a rating is observed in a steady state, but may deviate from the standard when the power switch of the imaging apparatus is turned on / off, for example. Therefore, depending on the configuration of the electronic shutter pulse circuit between the driver and the solid-state imaging device, an abnormal voltage exceeding the absolute maximum rating may be applied to the substrate voltage terminal when the power is turned on or off, and the solid-state imaging device There is a concern of damage or deterioration.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 10-327360 discloses a protection circuit having a two-stage clamp circuit composed of a DC cut capacitor, a clamp diode, and a discharge resistor.
  • the diode is connected in parallel with the resistor, and the anode end is connected to a reference potential (usually 0 V). That is, the diode is connected so as to be conducted by the negative voltage of the substrate voltage terminal.
  • the capacitor of the second stage clamp circuit, the cathode end of the diode, and the connection point of the resistor are connected to the substrate voltage terminal.
  • This turns on when the potential of the substrate voltage terminal exceeds the forward voltage drop of the diode (actually increases to the negative potential side) when the power is turned on or off, so the potential of the substrate voltage terminal is Clamped to approximately the forward drop of the diode. This can prevent a negative voltage lower than the rating from being applied to the substrate voltage terminal.
  • the protection circuit described in Japanese Patent Laid-Open No. 10-327360 has a two-stage clamp circuit composed of a capacitor, a diode, and a resistor, at least six elements are required.
  • a special and expensive diode such as a Schottky diode must be selected as the diode of the clamp circuit at the second stage.
  • the electronic shutter drive pulse has been described. However, the same may occur with other drive pulses depending on the drive pulse supply circuit.
  • an object of the present disclosure is to provide a technology capable of reducing the number of elements and alleviating restrictions on component selection in a protection device for a solid-state imaging device and an imaging device using the same.
  • An imaging device includes a solid-state imaging device in which a voltage pulse is applied to a first polarity semiconductor, a pulse driving unit that outputs a driving pulse of the solid-state imaging device, a pulse driving unit, and a solid state And a protection unit arranged between the imaging device.
  • the protection unit includes a capacitor connected between the output terminal of the pulse driving unit and the voltage terminal of the solid-state imaging device, a diode connected between the potential point and the voltage terminal, and between the voltage terminal and the potential point. Having a resistance element connected to. The anode end of the diode is connected to a potential point to which the potential of the voltage terminal is applied.
  • a protection device for a solid-state imaging device is a protection device that protects a solid-state imaging device in which a voltage pulse is applied to a first polarity semiconductor, and outputs a driving pulse of the solid-state imaging device Between the pulse driving unit and the solid-state imaging device.
  • a capacitor connected between the output terminal of the pulse driving unit and the voltage terminal of the solid-state imaging device, a diode connected between the potential point and the voltage terminal, and the voltage terminal and the potential point It has a resistance element connected between them. The anode end of the diode is connected to a potential point to which the potential of the voltage terminal is applied.
  • the potential at the potential point is started before the power supply is started.
  • the respective technologies and techniques described in the dependent claims of the imaging device according to the first aspect of the present disclosure can be similarly applied, and the configuration to which the techniques and methods are applied Defines a further advantageous embodiment of the protective device according to the second aspect.
  • the protection unit and the protection device are configured to include a clamp circuit including a capacitor, a diode, and a resistance element.
  • the capacitor performs a direct current cut function between the pulse driving unit and the solid-state imaging device.
  • the diode has a clamping function.
  • the resistance element performs a discharging function.
  • the technology disclosed in this specification breaks a solid-state imaging device with a simple (three elements) clamp circuit composed of a DC cut capacitor, a clamp diode, and a discharge resistance element. ⁇ Use as a functional part to protect against deterioration.
  • the diode by connecting the anode end of the diode to a potential point to which the potential of the voltage terminal is applied, when the AC component of the drive pulse (for example, electronic shutter drive pulse) is input to the voltage terminal of the solid-state imaging device, the diode Is always reverse biased and off. For this reason, the diode is normally off and power is not consumed, and a special and expensive diode is unnecessary, so that restrictions on component selection can be relaxed.
  • the potential of the voltage terminal is held at the clamp potential by the diode. As a result, the solid-state imaging device can be protected from damage and deterioration.
  • the imaging device and the protection device for a solid-state imaging device it is possible to provide a protection technology for a solid-state imaging device that can reduce the number of elements and can ease restrictions on component selection. Can do.
  • FIG. 1 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating an imaging device and a protection device of Reference Configuration 1.
  • FIG. 2 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating an imaging device and a protection device having a reference configuration.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a startup sequence at the time of starting the first potential (positive power source) and the second potential (negative power source) required for the configuration shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram (circuit configuration diagram) for explaining the imaging device and the protection device of Reference Configuration 3.
  • FIG. 5 is a diagram (circuit configuration diagram) for explaining the imaging device and the protection device of Reference Configuration 4.
  • FIG. 6 is a diagram (circuit configuration diagram) for explaining the basic principle of element protection of the imaging device and the protection device of the present embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating an imaging device and a protection device of Reference Configuration 1.
  • FIG. 2 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating an imaging device and a protection device having
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the start-up sequence when starting the first potential (positive power source) and the second potential (negative power source) required for the configuration shown in FIG.
  • FIG. 8 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating the imaging device and the protection device according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating the imaging device and the protection device according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating the imaging device and the protection device according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating an imaging device and a protection device according to a modification example of the first to third embodiments.
  • Example 1 Using a horizontal driver power source, the substrate voltage control circuit is in the solid-state imaging device
  • Example 2 Using a horizontal driver power source, the substrate voltage control circuit is in the driver
  • Example 3 For horizontal driver Power supply is used, substrate voltage control circuit is externally arranged. Modification: Power supply for CCD output circuit is used, substrate voltage control circuit is in solid-state imaging device.
  • Example 4 Power supply for other functional units is used.
  • the protection device is interposed between the solid-state imaging device and the pulse driving unit (for example, a shutter drive pulse wiring system).
  • the pulse driving unit for example, a shutter drive pulse wiring system.
  • the solid-state imaging device a device in which a voltage pulse is applied to a first polarity semiconductor is used. For example, by applying a voltage pulse to the first polarity semiconductor substrate as a shutter drive pulse, unnecessary charges accumulated in the charge accumulating portion can be swept out to the first polarity semiconductor substrate in accordance with the applied voltage.
  • a solid-state imaging device configured as described above is used.
  • the pulse driving unit outputs a driving pulse of the solid-state imaging device.
  • a protection device disposed between the pulse driving unit and the solid-state imaging device has a function of protecting the solid-state imaging device from damage and deterioration.
  • the pulse driving unit outputs each driving pulse of the vertical transfer system and the horizontal transfer system.
  • attention can be paid to a shutter drive pulse.
  • a solid-state imaging device is damaged or deteriorated by using a simple clamp circuit (three elements) consisting of a DC-cut capacitor, a clamp diode, and a discharge resistive element. It is used as a functional part that protects against The anode end of the diode is connected to a potential point to which the potential of the voltage terminal is applied (specifically, a potential point to which a potential corresponding to the rated voltage of the voltage terminal is applied).
  • a potential point to which the potential of the voltage terminal is applied specifically, a potential point to which a potential corresponding to the rated voltage of the voltage terminal is applied.
  • the diode Due to the connection to the potential point at the anode end, during normal operation, the diode is always reverse biased so it is turned off, no power is consumed, no special and expensive diode is required, and there are no restrictions on component selection. Things can be used.
  • the voltage terminal potential is held at the clamp potential by the diode, so that the solid-state imaging device may be damaged or deteriorated. Absent.
  • a potential corresponding to the maximum rated voltage of the voltage terminal is applied to the potential point. If a potential corresponding to the maximum rated voltage, which is the most severe condition, is applied to the potential point rather than a general rated voltage, the solid-state imaging device can be reliably protected from damage and deterioration.
  • the forward voltage drop of the diode in order to “correspond to the rated voltage of the voltage terminal” or “correspond to the maximum rated voltage of the voltage terminal”, it is preferable to consider the forward voltage drop of the diode. Specifically, it is preferable that a potential lower than the sum of the rated voltage of the voltage terminal or the maximum rated voltage and the forward drop voltage of the diode is applied to the potential point. This is to prevent the diode connected to the voltage terminal from being turned on during normal operation and to protect the solid-state imaging device from damage and deterioration when the power supply is started or shut off.
  • a potential lower than the sum of the rated voltage or maximum rated voltage of the voltage terminal and the minimum value of the forward voltage drop of the diode is preferably applied to the potential point. In this way, it is possible to prevent the diode connected to the voltage terminal from being turned on during normal operation even if there are variations, etc., and to reliably prevent the influence on normal operation regardless of variations.
  • the solid-state imaging device can be protected from damage and deterioration when the power is turned on or off.
  • the activation (rise) or cutoff (fall) of the potential point and the vertical that outputs the driving pulse of the solid-state imaging device or the vertical transfer system are preferable. It is better to define the order of starting (rising) and shutting off (falling) the power supply to the pulse drive unit.
  • the pulse drive unit includes a vertical pulse drive unit that outputs a vertical transfer system drive pulse and a horizontal pulse drive unit that outputs a horizontal transfer system drive pulse
  • the vertical pulse drive unit and the solid-state imaging device When the power source is activated, it is preferable that the potential at the potential point is activated before the power source is activated.
  • a second potential which is a potential corresponding to the first polarity and which is opposite to the first direction with respect to the reference potential and the first potential in the first direction with respect to the reference potential. The one that outputs the second potential in the direction is used.
  • the pulse drive unit When the pulse drive unit has a vertical pulse drive unit that outputs a drive pulse of a vertical transfer system and a horizontal pulse drive unit that outputs a drive pulse of a horizontal transfer system, it is for a vertical pulse drive unit and for a solid-state imaging device
  • a potential corresponding to the first polarity, the first potential in the first direction with respect to the reference potential, and the second potential in the second direction opposite to the first direction with respect to the reference potential Use what you want to output.
  • the second potential may be activated after the first potential is activated.
  • the power to the solid-state imaging device when the power to the solid-state imaging device is shut off, it is preferable to shut off the power in the reverse order from when the power is activated. Specifically, when the power to the solid-state imaging device is cut off, it is preferable to cut off the potential point after the power is turned off. Further, as a power source for the vertical pulse driving unit and the solid-state imaging device, the potential corresponding to the first polarity is the first potential in the first direction with respect to the reference potential and the first direction with respect to the reference potential. The one that outputs the second potential in the second direction opposite to the above is used. At this time, when the power is shut off, it is preferable to shut off the first potential after shutting off the second potential.
  • the pulse drive unit has a vertical pulse drive unit that outputs a vertical transfer system drive pulse and a horizontal pulse drive unit that outputs a horizontal transfer system drive pulse
  • the vertical pulse drive unit and the solid-state imaging device When the power is shut off, it is preferable to shut off in the reverse order to that at the time of power activation. Specifically, when the power to the vertical pulse driving unit and the solid-state imaging device is shut off, it is preferable to shut off the potential point after the power is shut off.
  • the potential corresponding to the first polarity is the first potential in the first direction with respect to the reference potential and the first direction with respect to the reference potential. The one that outputs the second potential in the second direction opposite to the above is used. At this time, when the power is shut off, it is preferable to shut off the first potential after shutting off the second potential.
  • potential point connection destinations include the following power sources.
  • a predetermined potential point may be connected to a power source for a horizontal pulse driving unit or a power source for an output unit that outputs an imaging signal of a solid-state imaging device.
  • a power source for a horizontal pulse driving unit or a solid-state imaging device disposed near the protection device is used.
  • the potential point may be connected to a power source for a functional unit other than the solid-state imaging device and the pulse driving unit.
  • a power source for a functional unit other than the solid-state imaging device and the pulse driving unit In this case, the range of selection of the voltage value, the startup order, or the cutoff order is expanded. Also in this case, each of these power supplies may be arbitrarily selectable. Although wiring problems may occur, an optimum power source can be selected according to the actual situation and used as a potential point power source.
  • a substrate voltage control circuit for applying a predetermined potential to the voltage terminal is preferably provided. If necessary, a predetermined potential may be applied to the voltage terminal via an output circuit using a diode or an emitter (or source) follower circuit.
  • the emitter follower circuit and the source follower circuit are used when high input impedance and low output impedance are desired.
  • the output circuit can be regarded as a (broadly defined) substrate voltage control circuit. That is, an emitter follower circuit or a source follower circuit is used when it is desired to increase the input impedance connected to the substrate potential control circuit and decrease the output impedance, or in any of these cases.
  • the format of the output circuit depends on the configuration of the substrate potential control circuit and is not determined solely by the output circuit.
  • the location of the substrate voltage control circuit (or the output circuit) may be in the solid-state imaging device, in the pulse driving unit, or outside the solid-state imaging device and the pulse driving unit. There are fewer peripheral members in the solid-state imaging device and the pulse driving unit, and the scale can be reduced.
  • a capacitor connected in parallel with the resistance element may be provided in the protection unit.
  • a semiconductor layer having a second polarity (for example, p-type) opposite to the first polarity formed on the main surface of a semiconductor substrate (first conductivity type region) having a first polarity (for example, n-type) ( The p layer, the second conductivity type region) is grounded, and a pulse of a predetermined voltage is applied as an electronic shutter pulse to the semiconductor substrate of the first polarity.
  • the one having a configuration in which electric charges are swept out to the first polarity semiconductor substrate is used. Typically, this corresponds to a CCD, and the following description will be made assuming that a CCD is used.
  • FIG. 1 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating an imaging device 1W and a protection device 400W of Reference Configuration 1.
  • the imaging device 1W includes the solid-state imaging device 10, a vertical driver 42V, a driving power source 46 (local power source), and a protection device 400W (protection unit).
  • a first potential V H positive power supply, for example, about 13 to 15 V
  • the second potential V L negative power supply, for example, about ⁇ 6.5 to ⁇ 8 V
  • the first potential V H is used as a positive power supply in accordance with the n-type substrate of the solid-state imaging device 10.
  • the vertical driver 42V is supplied with vertical transfer clock V1 to vertical transfer clock Vv and an electronic shutter pulse SHT for the electronic shutter function as drive pulses for the vertical transfer system from a timing signal generator (not shown). However, a drive pulse for the horizontal transfer system is also supplied.
  • the vertical driver 42V converts each pulse signal to a required level and supplies it to the solid-state imaging device 10 as drive pulses (vertical drive pulse ⁇ V_1 to vertical drive pulse ⁇ V_v, electronic shutter drive pulse ⁇ SHT, etc.).
  • the electronic shutter drive pulse ⁇ SHT is output from the shutter terminal SUB of the vertical driver 42V and supplied to the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10 via the protection device 400W.
  • the solid-state imaging device 10 is mounted with a substrate voltage control circuit 402 and an output circuit 403 composed of a diode, a transistor, and the like, and a constant voltage (positive voltage) is applied through the output circuit 403, for example.
  • the figure shows an emitter follower circuit using a bipolar transistor 404 as the output circuit 403.
  • a source follower circuit using a MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
  • the bipolar transistor 404 is always on in the forward direction between the base and the emitter, and supplies a constant voltage from the substrate voltage control circuit 402 to the substrate voltage terminal ⁇ SUB.
  • the bipolar transistor 404 when the bipolar transistor 404 is used, there is a voltage drop corresponding to the base-emitter voltage Vbe.
  • the protection device 400W includes a first clamp circuit 410W (pre-clamp circuit) configured by a capacitor 412, a diode 414, and a resistance element 416, and a second clamp configured by a capacitor 422, a diode 424, and a resistance element 426.
  • Circuit 420W main clamp circuit.
  • One end of the capacitor 412 is connected to the shutter terminal SUB, and the other end is connected to a connection point (denoted as a node ND410) between the cathode end of the diode 414, one end of the resistance element 416, and one end of the capacitor 422.
  • the other end of the capacitor 422 is connected to the cathode end of the diode 424, one end of the resistance element 426, and the substrate voltage terminal ⁇ SUB.
  • the anode end of the diode 414 and the resistance element 416, and the anode end of the diode 424 and the other end of the resistance element 426 are connected to a reference potential V M (ground in this example).
  • the diode 424 when the absolute value of the forward drop voltage (specifically, the maximum value) of the diode 424 is VF, and the absolute value of the lower limit of the absolute maximum rating of the potential of the substrate voltage terminal ⁇ SUB is VL min , VF ⁇ VL A diode that satisfies min ( ⁇ VF> ⁇ VL min ), such as a Schottky diode, is used.
  • the reverse blocking voltage of the diode 424 is set to Vr, the amplitude of the electronic shutter drive pulse ⁇ SHT is set to Ves, and the maximum value when the substrate voltage terminal ⁇ SUB is steady (when the electronic shutter is not applied) If V max , it is necessary to select a diode that satisfies Vr> Ves + V max . That is, during the electronic shutter operation, the diode 424 for a reverse voltage of up Ves + V max is applied, the reverse blocking voltage Vr of the diode 424 must be greater than that voltage Ves + V max.
  • the terminal potential of the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10 is rated according to specifications.
  • the terminal potential may be defined by the absolute maximum rating.
  • Negative voltage may be applied. That is, when the second potential V L is raised before the first potential V H, a negative voltage is generated from the shutter terminal SUB of the vertical driver 42V, and this negative voltage is increased until the first potential V H rises. 10 substrate voltage terminals ⁇ SUB. For this reason, the potential of the substrate voltage terminal ⁇ SUB falls below the rated voltage.
  • a negative voltage that is lower than the rated value from the shutter terminal SUB when the power is turned on by the two-stage first clamp circuit 410W and the second clamp circuit 420W. Can be prevented from being applied to the substrate voltage terminal ⁇ SUB.
  • the drive power supply 46 is activated, the second potential V L is activated first, and then the first potential V H is activated. First, a negative voltage is output from the 42V shutter terminal SUB.
  • the node ND410 and the reference potential V M and the diode 414 connected between the can because it is forward biased by the negative voltage, the diode 414 is turned on, the potential of the node ND410 forward of the diode 414 It becomes lower than the reference potential V M by voltage drop (VF). Then, the potential change at this time is transmitted to the substrate voltage terminal ⁇ SUB via the capacitor 422. At this time, since the first potential V H has not been applied yet, a negative voltage is applied to the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10.
  • diode 424 connected between the substrate voltage terminal ⁇ SUB and the reference potential V M, since forward biased by the negative voltage, the diode 424 is turned on, the potential of the substrate voltage terminal ⁇ SUB the diode 424 It becomes lower than the reference potential V M by the forward voltage drop (VF) of. Since the forward drop voltage VF of the diode 424 satisfies VF ⁇ VL min ( ⁇ VF> ⁇ VL min ), a large negative voltage lower than the lower limit voltage ⁇ VL min is applied to the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10. Is prevented. The forward voltage drop of the diode 424 can prevent the lowering of the substrate voltage terminal ⁇ SUB from exceeding the lower limit.
  • the diode 424 prevents the substrate voltage terminal ⁇ SUB from being applied with a large negative voltage lower than the lower limit voltage ⁇ VL min .
  • the diode 414 and the diode 424 are normally turned off by setting the connection destination of the anode ends of the diode 414 and the diode 424 to the reference potential V M. I don't get up.
  • a second clamp circuit 420W is provided.
  • the diode 424 satisfies a special and expensive condition that satisfies VF ⁇ VL min ( ⁇ VF> ⁇ VL min ). There is a difficulty in choosing a diode.
  • FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a start-up sequence at the time of power activation of the first potential V H and the second potential V L required for the configuration. .
  • the protection device 400X of the imaging device 1X is different from the protection device 400W in that the first clamp circuit 410X sets the connection destination of the anode end of the diode 414 to the first potential V H and removes the diode 424 to remove the second clamp circuit.
  • the feature is that 420W is changed to a simple coupling circuit 430X (comprising a capacitor 432 and a resistor 436). Since the clamp circuit is only the first clamp circuit 410X, it will be referred to as a clamp circuit 410X below. In such a protection device 400X, since the diode 424 is not used, the number of parts is reduced.
  • the capacitance value (capacitance, capacitance) of the capacitor 412 is, for example, 1 microfarad ( ⁇ F), and the resistance value of the resistance element 416 is, for example, 100 kilohms (k ⁇ ).
  • the capacitance value of the capacitor 422 is, for example, 0.047 microfarad ( ⁇ F), and the resistance value of the resistance element 426 is, for example, 1 megaohm (M ⁇ ).
  • Capacitor 412 must select a relatively large component based on its capacitance value, and capacitor 422 must also select a relatively large component based on its capacitance value. For example, it is difficult to select a so-called 0603 size or smaller ultra-small ceramic capacitor, and a film capacitor or a so-called 1005 size or smaller ceramic capacitor must be selected.
  • an electronic shutter drive pulse ⁇ SHT (sweep pulse) is applied from the shutter terminal SUB of the vertical driver 42V to the substrate voltage terminal ⁇ SUB via the capacitor 412 and the capacitor 432.
  • the diode 414 and the resistance element 416 between the capacitor 412 and the capacitor 432 protect against damage or deterioration due to a negative voltage applied to the n-type substrate of the solid-state imaging device 10. Since the DC voltage in the clamp circuit 410X is different from the shutter terminal SUB of the vertical driver 42V and the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10, two capacitors, a capacitor 412 and a capacitor 432, are provided to remove the DC component.
  • the resistor 436 is a resistor for clamping the output of the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10.
  • the output of the shutter terminal SUB (electronic shutter drive pulse ⁇ SHT) is input to the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10 after being clamped at the first potential V H. Is done. Therefore, the n-type substrate can be protected from a negative voltage when the power is turned on.
  • the first potential V H rises as shown in FIG. 3 in the order in which the first potential V H and the second potential V L are activated. It is required that the second potential V L rises later. For example, in FIG.
  • the time is defined by the time at the 20 percent (%) point, the period until the first potential V H rises to the 20 percent (%) point is t1, and the second potential V L is 20 percent ( %)
  • t2 is the period until the point rises, t2 ⁇ t1 must be satisfied.
  • the protective device 400X of the reference configuration 2 can protect the n-type substrate from a negative voltage when the power is turned on, while 1) the problem of the number of parts, 2) the problem of the component size, and 3) the power consumption (for example, 1.6). 4) Problem of diode selection, 5) Problem of transition (modulation) time.
  • 1) is improved compared to the protection device 400W, the coupling circuit 430 alone is not sufficient, and in order to realize the protection function, three first clamp circuits 410 as external components are provided. The problem is that the number of capacitors 412, diodes 414, and resistance elements 416 increases. 2) is a problem that the component size becomes large.
  • the input voltage is divided by the capacitor 412 and the capacitor 432 and the substrate capacitance C ccd of the solid-state imaging device 10, and the input pulse amplitude is attenuated.
  • the capacitors 412 and 432 need to have large capacitance values that do not attenuate the minimum pulse amplitude described in the specification of the solid-state imaging device 10.
  • These parts also require, for example, a high breakdown voltage (for example, a breakdown voltage of 25 V or more).
  • an electronic shutter drive pulse ⁇ SHT having a large amplitude (for example, about 20 V) is applied to the capacitor 412 and the capacitor 432.
  • the capacitance values of the capacitor 412 and the capacitor 432 required for the protection device 400X require not only a high capacity but also a high breakdown voltage, and there is a problem that the component size increases.
  • 3) is a problem caused by the constant need for current. This is because the clamp circuit 410X clamps the diode 414 with forward bias.
  • 4) is a problem related to the selection of the diode 414. That is, in the protection device 400X, there is a problem that a reverse recovery time must be selected in order to apply a reverse bias AC signal to the forward bias diode 414. Although it may not be special compared to the diode 424 in the protection device 400W, a special and expensive diode compared to the diode 414 must be selected.
  • the DC removal is performed twice. This is due to the problem that the transition time for the substrate voltage control of the solid-state imaging device 10 becomes relatively long.
  • the transition time is proportional to the product (time constant) of the capacitance value C 412 of the capacitor 412 and the resistance value R 416 of the resistance element 416.
  • the time constant for example, the capacitance value C 412
  • the transition transition time becomes longer than that in the case of one time. End up.
  • the transition time required for substrate voltage control of the solid-state imaging device 10 takes about 25 milliseconds.
  • FIG. 4 is a diagram (circuit configuration diagram) for explaining the imaging device 1Y and the protection device 400Y of Reference Configuration 3.
  • the image pickup apparatus 1Y is modified so that the substrate voltage control circuit 402 is mounted not in the solid-state image pickup apparatus 10 but in the vertical driver 42V, and a diode 406 is used as the output circuit 403 in place of the transistor 404 and the outside of the driver 42 is changed. It is characterized in that it is deformed to be disposed in Others are the same as the reference structure 2.
  • the protection device 400Y of the reference configuration 3 is actually the same as the protection device 400X of the reference configuration 2, and has the same problem as the protection device 400X.
  • the diode 406 is always turned on in the forward direction during normal operation, and supplies a constant voltage from the substrate voltage control circuit 402 to the substrate voltage terminal ⁇ SUB.
  • the diode 406 when used as the output circuit 403, there is a voltage drop corresponding to the forward drop voltage.
  • the circuit configuration is such that the vertical driver 42V and the diode 406 are present outside the solid-state imaging device 10, and therefore between the vertical driver 42V and the solid-state imaging device 10. As a whole, the increase in the number of parts becomes a problem.
  • FIG. 5 is a diagram (circuit configuration diagram) for explaining the imaging device 1Z and the protection device 400Z of Reference Configuration 4.
  • the reference configuration 4 is a mode in which the substrate voltage control circuit 402 is further modified with respect to the reference configuration 3 so that the substrate voltage control circuit 402 is arranged outside the solid-state imaging device 10 and the vertical driver 42V without being mounted. Others are the same as in Reference Configuration 3.
  • the protection device 400Z of the reference configuration 4 is actually the same as the protection device 400X of the reference configuration 2, and has the same problems as the protection device 400X.
  • the substrate voltage control circuit 402 is in a state in which it exists outside the vertical driver 42V and the solid-state imaging device 10 in terms of the circuit configuration.
  • the number of parts and the circuit scale corresponding to the substrate voltage control circuit 402 are problematic.
  • FIG. 6 shows a circuit configuration diagram of the imaging device 1 and the protection device 400 of the present embodiment
  • FIG. 7 shows a first potential V H , a second potential V L, and a third potential required for the configuration. It is a diagram for explaining a fall point sequence during start-up sequence and power-off of the power supply startup V 3.
  • the voltage difference between the input and output of the output circuit 403 (the difference between the potential of the output terminal of the substrate voltage control circuit 402 and the potential of the substrate voltage terminal ⁇ SUB) is assumed to be ⁇ V403.
  • the output circuit 403 can be an emitter follower circuit using a bipolar transistor 404, a circuit using a diode 406, or a source follower circuit using a MOSFET such as a MOS type. Since the substrate voltage must be stable, it is usual to pass through an output circuit of an emitter follower circuit or a source follower circuit that performs impedance conversion on the output of the substrate control circuit 402.
  • the diode 406 can be used when the output impedance of the substrate control circuit is sufficiently low.
  • the voltage difference ⁇ V403 when the bipolar transistor 404 is used is the base-emitter voltage Vbe of the bipolar transistor 404, and the voltage difference ⁇ V403 when the diode 406 is used is the forward drop voltage of the diode 406.
  • the voltage difference ⁇ V403 is a voltage difference by the source follower circuit.
  • the clamp circuit 410 (corresponding to the first clamp circuit 410X) uses the connection destination of the anode end of the diode 414 as a power source for the third potential V 3 with respect to the protection device 400W. It is characterized in that the second clamp circuit 420W is removed.
  • the clamp circuit has a single-stage configuration, and the coupling circuit 430 does not exist.
  • the diode 414 may have a configuration in which a transistor is diode-connected. In such a protection device 400, since the second clamp circuit 420 and the coupling circuit 430 are not used, the number of parts is reduced.
  • the capacitor 412 functions as a coupling circuit 430 for absorbing the voltage difference between the shutter terminal SUB and the substrate voltage terminal ⁇ SUB (removing the DC component).
  • the capacitance value of the capacitor 412 is, for example, 0.01 microfarad ( ⁇ F)
  • the resistance value of the resistance element 416 is, for example, 1 megaohm (M ⁇ ).
  • the diode 414 and the resistance element 416 are explicitly arranged outside the solid-state imaging device 10, a configuration in which these are arranged in the solid-state imaging device 10 may be used.
  • the “diode connected between the potential point (potential point of the third potential V3) and the voltage terminal (for example, the substrate voltage terminal ⁇ SUB)” is explicitly shown outside the solid-state imaging device 10.
  • the “resistive element connected between the voltage terminal (for example, the substrate voltage terminal ⁇ SUB) and the potential point (for example, the reference potential VM)” is a resistive element explicitly shown outside the solid-state imaging device 10. Not only 416 but also a resistive element arranged in the solid-state imaging device 10 is included. Compared to any of Reference Configurations 1 to 4 described above, the capacitance value of capacitor 412 may be small.
  • the resistance element 416 functions as a discharge resistance.
  • a capacitor 418 (capacitance value is, for example, about 1000 to 4700 picofarad (pF)) may be provided in parallel with the resistance element 416, as indicated by a broken line in the drawing.
  • the capacitor 418 is provided as a so-called decoupling capacitor, and is hardly affected by, for example, a vertical transfer clock or a horizontal transfer clock.
  • a decoupling capacitor is required when the capacitive coupling between the transfer clock and the substrate voltage terminal ⁇ SUB in the image pickup apparatus is large or when the clock rises or falls sharply.
  • the third potential V 3 is a potential between the reference potential V M and the first potential V H and is set to a predetermined potential corresponding to the maximum rated voltage of the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10. To do. Specifically, the following conditions shall be satisfied.
  • the absolute value of the forward drop voltage of the diode 414 is VF
  • “substrate voltage control circuit 402 + output When VL is the minimum voltage (preferably this voltage should be the minimum value including variation) output from circuit 403 to substrate voltage terminal ⁇ SUB, the lower limit is “V 3 ⁇ VF> ⁇ VL
  • the third potential V 3 is selected so that the upper limit satisfies “V 3 ⁇ VF ⁇ minimum value of the substrate voltage terminal ⁇ SUB” (for example, a 1.8 V system or a 3 V system is used).
  • This condition is referred to as a rated voltage condition of the third potential V 3 .
  • This voltage condition is preferably satisfied even when variations are considered.
  • the maximum value of the third potential V3 is V3max
  • the lower limit of the absolute value of the forward drop voltage of the diode 414 (the forward drop voltage of the diode 414).
  • VF min and the lower limit of the absolute value of the absolute maximum rating of the potential of the substrate voltage terminal ⁇ SUB minimum voltage of the substrate voltage terminal ⁇ SUB, that is, the minimum allowable voltage
  • VL min the lower limit
  • the lower limit is “V 3max ⁇ It is preferable that “VF min > ⁇ VL min ” is satisfied.
  • This condition is referred to as the maximum allowable condition of the third potential V 3 .
  • the maximum permissible condition is defined by taking a minimum value for both the forward voltage drop of the diode 414 and the rated voltage (allowable voltage) of the substrate voltage terminal ⁇ SUB, but defining either one as a rated value. Also good. In this case, compared with the maximum allowable condition, there is a possibility of affecting the normal operation depending on the variation. This is because the diode 414 connected to the substrate voltage terminal ⁇ SUB may be turned on during normal operation. On the other hand, the maximum allowable condition described above represents a condition for preventing the diode 414 from turning on in the forward direction, and the diode 424 connected to the substrate voltage terminal ⁇ SUB is turned on during normal operation even if there are variations. Can be avoided. As a result, the influence on the normal operation can be surely prevented regardless of variations and the like, and the solid-state imaging device 10 can be reliably protected from damage or deterioration when the power is turned on or off.
  • the output of the shutter terminal SUB (electronic shutter drive pulse ⁇ SHT) is input to the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10 after being clamped at the third potential V 3. Is done. Therefore, the n-type substrate can be protected from a negative voltage when the power is turned on.
  • the start-up sequence at the time of power activation of the first potential V H , the second potential V L, and the third potential V 3 is the state shown in FIG. It is preferable to satisfy. That is, it is preferable that the third potential V 3 rises (starts up) before the first potential V H and the second potential V L rise (starts up). This condition is referred to as a start condition of the third potential V3.
  • the first potential V H and the second potential V L after the third potential V 3 rises are activated in the order of startup when the first potential V H rises as shown in FIG. It is preferable that the second potential V L rises (starts up) after (starts up). This means, for example, that it may be the same as the state shown in FIG.
  • the order of lowering (shut-off) at the time of power-off of the first potential V H , the second potential V L and the third potential V 3 satisfies the state shown in FIG. That is, it is preferable that the third potential V 3 falls (cuts off) after the first potential V H or the second potential V L falls (cuts off). This condition is referred to as a stop condition of the third potential V 3 .
  • the order of lowering the first potential V H and the second potential V L before the third potential V 3 falls (shuts down) when the power is shut off is, as shown in FIG. It is preferable that the first potential V H falls (cuts off) after L falls (cuts off). This means, for example, that the power supply may fall in the reverse order to that shown in FIG. For example, as shown in FIG.
  • the solid state imaging device 10 rises earlier when the power is turned on than the first potential V H (positive power source) and the second potential V L (negative power source).
  • a power source that supplies the third potential V 3 that falls after the power source of the solid-state imaging device 10 falls is required.
  • the third potential V 3 satisfies the maximum allowable condition (V 3max > ⁇ VL min + VF min ), and the power of the solid-state imaging device 10 and the vertical driver 42V (first potential V H , with rises before second potential V L) rises, it is assumed that at the time of power-off supplied from falling power after the fall of the power of the solid-state imaging device 10 and the vertical driver 42V.
  • the drive power supply 46 raises the first potential V H and the second potential V L.
  • these supplies depending on the startup timing and slew rate of the negative power supply for the positive power source and the second electric potential V L for the first potential V H, a negative voltage from the shutter terminal SUB of the vertical driver 42V
  • the solid-state imaging device 10 may come out of the substrate voltage terminal ⁇ SUB.
  • the protection device 400 is provided, and even when such a negative voltage is lost to the substrate voltage terminal ⁇ SUB, the diode 414 connected to the substrate voltage terminal ⁇ SUB responds to the power supply. Since the protection function at the time of activation works, it is possible to prevent the substrate voltage terminal ⁇ SUB from becoming a negative voltage.
  • the protection device 400 does not require a steady-state current, so that the power consumption of the protection device 400 is substantially reduced (except for the amount that the protection function works). It can be 0 milliwatts.
  • the capacitor 412 is used as a member having a DC component removal function provided between the vertical driver 42V and the solid-state imaging device 10. Since the DC removal (DC cut) only needs to be performed once, the capacitance value of the capacitor 412 can be made smaller than those of the reference configurations 1 to 4, and for example, a so-called 0603 size or smaller ultra-small ceramic capacitor can be used. You can also choose.
  • the transition time required for substrate voltage control of the solid-state imaging device 10 is also shortened. This is because the transition time in the case where DC removal is performed once (using only the capacitor 412) is proportional to the product of the capacitance value C 412 of the capacitor 412 and the resistance value R 416 of the resistance element 416.
  • the transition time for the substrate voltage control of the solid-state imaging device 10 can be about 2 milliseconds.
  • the shortening of the transition time is described numerically in comparison with the reference configuration 2 as follows.
  • T1 time constant
  • T3 time constant
  • the voltage applied to both ends of the capacitor 412 can also be suppressed.
  • the capacitor 412 is connected to the clamp potential (for example, 12.6 V) of the diode 414 in the reference configurations 2 to 4, whereas the substrate of the solid-state imaging device 10 is used in the protection device 400 of the present embodiment.
  • the voltage of the substrate voltage terminal ⁇ SUB is approximately 5V to 11V, although it varies depending on the solid-state imaging device 10 and its operation mode. Therefore, the inter-terminal voltage applied to the capacitor 412 can be suppressed more than in the reference configurations 2 to 4.
  • the shutter of the vertical driver 42V depends on the fall timing and the slew rate, as in the case of the rise.
  • a negative voltage may be discharged from the terminal SUB to the substrate voltage terminal ⁇ SUB of the solid-state imaging device 10.
  • the protection device 400 is provided, and even when such a negative voltage is lost to the substrate voltage terminal ⁇ SUB, the diode 414 connected to the substrate voltage terminal ⁇ SUB responds to the power supply. Since the protection function at the time of interruption works, it is possible to prevent the substrate voltage terminal ⁇ SUB from becoming a negative voltage.
  • the third potential V 3 is lowered.
  • the diode 414 is turned off and the protection function is stopped.
  • an abnormal voltage (specifically, on the semiconductor substrate of the solid-state imaging device 10 such as a CCD when the power is turned on or off with a simple configuration with a small number of components. can prevent the second direction with respect to the reference potential V M voltage (minus direction)) is applied. Since the protection device 400 according to the present embodiment uses only the capacitor 412 as a member for removing direct current between the vertical driver 42V and the solid-state imaging device 10, the removal of the direct current component is sufficient.
  • the capacitance value of the capacitor 412 can be reduced, a smaller part (for example, an ultra-small ceramic capacitor of 0603 size) can be selected, and further, the transition time required for the substrate voltage control of the solid-state imaging device 10 is shortened. it can. Furthermore, according to the protection device 400 of the present embodiment, since the voltage across the capacitor 412 can be suppressed, it is not easily affected by the DC bias dependency of the capacitor 412, and a steady current is not required. Does not require a diode.
  • FIG. 8 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating the imaging device 1A and the protection device 400A according to the first embodiment.
  • Example 1 (other embodiments described later as well) is characterized in that it utilizes the power being supplied to the horizontal driver 42H as a power source for the third potential V 3.
  • the substrate voltage control circuit 402 and the output circuit 403 are provided in the solid-state imaging device 10.
  • the substrate voltage control circuit 402 has a substrate voltage control circuit 402 inside the device.
  • the image pickup apparatus 1A includes the solid-state image pickup apparatus 10, a timing signal generation unit 40, a driver 42 (pulse drive unit), a drive power supply 46, and a protection device 400A (the protection device 400 of the present embodiment described above). .
  • the protection device 400 ⁇ / b> A is disposed between the driver 42 and the solid-state imaging device 10.
  • an interline CCD solid-state imaging device in which vertical charge transfer units are arranged between sensor units (vertical direction) is used as a v-phase (for example, 4 phase).
  • the CCD type solid-state imaging device 10 includes a plurality of sensor units 11 (photosensitive units; photocells) each including a photodiode as an example of a light receiving element corresponding to pixels (unit cells) on a semiconductor substrate. ) And imaging areas 14 (imaging sections) arranged in a two-dimensional matrix in the horizontal (row) direction.
  • a vertical transfer unit 13 (also referred to as a vertical CCD, a V register unit, or a vertical charge transfer unit) provided with a plurality of vertical transfer electrodes corresponding to v-phase driving for each vertical column of the sensor unit 11 is provided. ) Are arranged. Each vertical transfer electrode is formed so that several (for example, two) vertical transfer electrodes correspond to one sensor unit 11, and v types of vertical drive pulses ⁇ V (supplied from the driver 42 based on the vertical transfer clock) ⁇ V_1 to ⁇ V_v) is configured to transfer and drive charges in the vertical direction.
  • the charge transfer direction is a vertical (column) direction in the figure, and a vertical transfer unit 13 is provided in this direction, and a plurality of vertical transfer electrodes are arranged in a direction (horizontal direction, row direction) orthogonal to this direction.
  • the main charge transfer direction (the direction from right to left in the drawing) is adjacent to the vertical transfer unit 13 in the last row, which is the transfer destination side end of the plurality of vertical transfer units 13.
  • the horizontal transfer unit 15 is provided with a plurality of horizontal transfer registers 212 extending. In the illustrated example, the horizontal transfer register 212 is arranged up to an area exceeding the imaging area 14 (element part).
  • the horizontal transfer unit 15 includes a horizontal transfer path 210 (also referred to as a horizontal CCD, an H register unit, or a horizontal charge transfer unit) in which a plurality of horizontal transfer registers 212 are arranged in the transfer direction.
  • a surplus charge sweeping unit may be provided on the opposite side of the horizontal transfer path 210 from the vertical transfer unit 13 (imaging area 14).
  • the horizontal transfer paths 210 are not limited to one line but may be provided for a plurality of lines. In this case, the surplus charge sweeping units are arranged to match the number of horizontal transfer paths 210.
  • the horizontal transfer path 210 is transferred and driven by a horizontal drive pulse ⁇ H ( ⁇ H_1 to ⁇ H_h) based on, for example, an h-phase (for example, two-phase or four-phase) horizontal transfer clock, and transferred from a plurality of vertical transfer units 13.
  • the amount of charge is sequentially transferred in the horizontal direction in the horizontal scanning period after the horizontal blanking period. For this reason, a plurality of (for example, two) horizontal transfer electrodes corresponding to the h-phase drive are provided.
  • the horizontal transfer register 212 at the final stage, which is an end in the transfer direction, is referred to as a final horizontal transfer register 214 (LHreg).
  • a unit 16 (CCD output circuit (output unit)) is provided.
  • a dedicated power source is supplied from the drive power source 46 to the charge / electrical signal converter 16.
  • a connection point of the charge / electrical signal conversion unit 16 to the final horizontal transfer register 214 is referred to as a charge input unit 17.
  • the charge / electrical signal converter 16 only needs to be able to detect fluctuations in the electric signal in accordance with the amount of charge in the charge input unit 17, and can take various configurations.
  • an amplifying circuit having a floating diffusion amplifier (FDA: FloatingmpDiffusion Amp) configuration in which a floating diffusion (Floating Diffusion: FD portion), which is a diffusion layer having a parasitic capacitance, is used for the charge input portion 17 (in this example, a charge storage portion).
  • FDA floating diffusion amplifier
  • FD portion floating diffusion
  • a horizontal output gate 230 (HOG: Hreg Output Gate) is arranged on the charge / electrical signal conversion unit 16 side of the final stage horizontal transfer register 214, and a connection point between the charge / electrical signal conversion unit 16 and the horizontal output gate 230 is arranged. Is provided with a floating diffusion portion.
  • the floating diffusion portion is connected to the gate of the transistor forming the charge / electrical signal conversion portion 16.
  • the charge / electrical signal conversion unit 16 accumulates charges sequentially injected from the horizontal transfer unit 15 in a floating diffusion (not shown), converts the accumulated charges into a signal voltage, and, for example, via an output circuit having a source follower configuration (not shown). And output as an imaging signal Vo (CCD output signal).
  • the source follower at the output stage of the charge / electrical signal converter 16 does not have sufficient driving capability. Therefore, the imaging signal Vo output from the charge / electrical signal conversion unit 16 is first input to the buffer unit 60 and the analog front end via the buffer unit 60 so that the CCD output signal amplified by the source follower does not deteriorate. It is sent to the signal processing unit of the AFE.
  • the present invention is not limited to this, and various configurations can be adopted as long as the charge input unit 17 has a charge / electrical signal conversion function, such as a configuration using a floating gate.
  • the timing signal generator 40 generates various pulse signals (binary of “L” level and “H” level) for driving the solid-state imaging device 10 and supplies them to the driver 42.
  • the driver 42 supplies various drive clocks (drive pulses) supplied from the timing signal generator 40 to the solid-state imaging device 10 as drive pulses of a predetermined level.
  • the timing signal generation unit 40 reads out the read pulse VRG for reading out the charges accumulated in the sensor unit 11 of the solid-state imaging device 10 based on the horizontal synchronization signal (HD) and the vertical synchronization signal (VD), and the read out charges.
  • Vertical transfer system drive clocks such as vertical transfer clock V1 to vertical transfer clock Vv (v indicates the number of phases during driving; for example, V4 during four-phase driving) for driving the signals in the vertical direction and passing them to the horizontal transfer unit 15 Is generated.
  • the solid-state imaging device 10 corresponds to an electronic shutter, and the timing signal generation unit 40 also supplies an electronic shutter pulse SHT to the vertical transfer system driver 42.
  • the timing signal generation unit 40 further transfers the horizontal transfer clock H1 to the horizontal transfer clock Hh (h is a value at the time of driving) for transferring and driving the charge transferred from the vertical transfer unit 13 to the charge / electrical signal conversion unit 16 in the horizontal direction.
  • the driver 42 converts various clock pulses supplied from the timing signal generation unit 40 into voltage signals (drive pulses) of a predetermined level, or converts them into other signals and supplies them to the solid-state imaging device 10.
  • the driver 42 includes a level shift unit 42LS, a vertical driver 42V that drives the vertical transfer unit 13, a horizontal driver 42H that drives the horizontal transfer unit 15, and a horizontal output driver 42HRG that drives the horizontal output gate 230 (HOG) (horizontal reset).
  • a horizontal final stage driver 42LH (LH driver) for driving the final stage horizontal transfer register 214 (LHreg).
  • the horizontal driver 42H, the horizontal final stage driver 42LH, and the horizontal output driver 42HRG are all examples of a horizontal pulse driving unit that outputs a driving pulse of a horizontal transfer system.
  • Various drive clocks are supplied from the timing signal generator 40 to the level shifter 42LS.
  • the level shift unit 42LS converts the low level or high level of the drive clock into a required level and supplies it to the vertical driver 42V, the horizontal driver 42H, the horizontal output driver 42HRG, and the horizontal final stage driver 42LH.
  • Each of the level shift unit 42LS, the vertical driver 42V, the horizontal driver 42H, the horizontal output driver 42HRG, and the horizontal final stage driver 42LH is supplied with power having a voltage value suitable for each.
  • a first potential V H and the second electric potential V L is supplied to the solid-state imaging device 10 and the vertical driver 42V such as the power supply voltage, the horizontal driver supply voltage V HD horizontal driver 42H Is supplied as a power supply voltage.
  • the connection destination of the anode end of the diode 414 of the protection device 400A is the power supply end of the horizontal driver 42H.
  • the third potential V 3 coincides with the horizontal driver power supply potential V HD .
  • VL min + VF min V L min + VF min
  • the protective device 400A (particularly the diode 414) functions as a protective function at the time of power activation and a protective function at the time of power interruption. Even when the substrate voltage terminal ⁇ SUB is disconnected, the substrate voltage terminal ⁇ SUB can be prevented from becoming a negative voltage.
  • FIG. 9 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating the imaging device 1B and the protection device 400B according to the second embodiment.
  • the second embodiment is different from the first embodiment in that the substrate voltage control circuit 402 and the output circuit 403 are mounted in the driver 42 instead of the solid-state imaging device 10.
  • 2 is an example of an external generation type in which a substrate voltage is supplied from a substrate voltage control circuit 402 provided outside the solid-state imaging device 10.
  • the protection device 400B is the same as the protection device 400A.
  • the connection destination of the anode end of the diode 414 of the protection device 400B is the power supply end of the horizontal driver 42H.
  • the order of falling in time is the same as that in the first embodiment.
  • the protection function at the time of power activation by the protection device 400B (particularly the diode 414) and the protection function at the time of power interruption work, so that a negative voltage is applied to the substrate voltage terminal ⁇ SUB at the time of power activation or power interruption. Even in the case of falling out, the substrate voltage terminal ⁇ SUB can be prevented from becoming a negative voltage.
  • FIG. 10 is a diagram (circuit configuration diagram) illustrating the imaging device 1C and the protection device 400C according to the third embodiment.
  • the third embodiment is different from the first embodiment in that the substrate voltage control circuit 402 and the output circuit 403 are arranged outside the solid-state imaging device 10 and the driver 42 instead of them.
  • This is another example of an external generation type in which a substrate voltage is supplied from a substrate voltage control circuit 402 provided outside the solid-state imaging device 10.
  • the protection device 400C is the same as the protection device 400A.
  • the connection destination of the anode end of the diode 414 of the protection device 400C is the power supply end of the horizontal driver 42H.
  • the order of falling in time is the same as that in the first embodiment.
  • the power source for the horizontal driver 42H is used as the power source for the third potential V3 by connecting the anode end of the diode 414 of the protection device 400 to the power source end of the horizontal driver 42H.
  • the power supply for the third potential V3 is not limited to the power supply for the horizontal driver 42H.
  • a power supply for functional units other than the vertical driver 42V such as the level shift unit 42LS, the horizontal output driver 42HRG, or the horizontal final stage driver 42LH, which is also mounted in the driver 42, may be used.
  • a power supply for functional units other than the vertical driver 42V such as the level shift unit 42LS, the horizontal output driver 42HRG, or the horizontal final stage driver 42LH, which is also mounted in the driver 42, may be used.
  • a power source for the charge / electric signal converter 16 that functions as an output circuit of the solid-state imaging device 10 may be used.
  • the driver 42 or the power supply for the solid-state imaging device 10 disposed in the vicinity of the protection device 400 is used, so that there is no inconvenience of wiring.
  • FIG. 11 shows a modification to the configuration of the first embodiment, the same modification can be applied to the second and third embodiments. Moreover, you may comprise so that these each power supplies can be selected arbitrarily. In this case, an optimum power source can be selected according to the actual situation and used as the power source for the third potential V 3 . A configuration in which the power sources in the driver 42 are switched and used can be easily realized.
  • the power source potential for each functional unit satisfies the rated voltage condition or the maximum allowable condition of the third potential V 3 as in the first embodiment.
  • the order of falling in time can be the same as in the first embodiment.
  • the fourth embodiment is different from the first to third embodiments in that each function unit of the driver 42 (excluding the vertical driver 42V) or the charge / electric signal conversion unit of the solid-state imaging device 10 is used as a power source for the third potential V 3 . 16 is characterized in that the power supplied to the functional units other than these is used instead of using the power supplied to 16.
  • the imaging apparatus 1 when the imaging apparatus 1 is configured, the solid-state imaging apparatus 10, the analog front end AFE, the drive control unit, and other peripheral circuits may be accommodated in one package and provided as an imaging apparatus module.
  • the analog front end AFE excluding the solid-state imaging device 10 from the imaging device module and the drive control unit are collectively referred to as a CCD camera front end (analog front end in a broad sense).
  • the imaging device 1 may be entirely constituted by the imaging device module, an optical system (imaging lens as a main part), and a main unit.
  • the main unit has a functional part that generates a video signal based on an imaging signal obtained by the imaging device module and outputs it to a monitor or stores an image in a predetermined storage medium.
  • the following power sources for the third potential V 3 can be selection candidates.
  • condition for the third potential V 3 described above rated voltage condition or maximum allowable condition, preferably start condition and stop condition also
  • An example is given below.
  • power sources used in the CCD camera front end are candidates, such as a timing pulse generation circuit, a CDS circuit (correlated double sampling), an OB (Optical Black) clamp circuit, an AD conversion circuit, a calibration circuit, and a DLL.
  • a power supply used in a circuit, a PLL circuit, an input / output (IO, INPUT / OUTPUT) circuit, a high-speed interface circuit, a CMOS output circuit, an LVDS output circuit, or the like may be used.
  • a power source used in a DSP, FPGA, CPU, memory (volatile memory, SDRAM, nonvolatile memory, flash memory) or the like can be used.
  • the power source used by the interface unit is a candidate, for example, USB, HDMI, RGB output, video output, PCI Express (registered trademark), PCI, AGP, RS-232C, ISA, IDE, SATA, etc.
  • An interface power supply may be used.
  • a power source supplied from a battery such as a dry battery, a button battery, or a lithium ion battery may be used.
  • a power supply used by the power supply IC is also a candidate, and for example, a power supply used in a DCDC converter or an ACDC converter can be used.
  • a power source used by the display unit (display) is also a candidate, and for example, a power source used in a liquid crystal, an organic EL, a cathode ray tube, a touch panel, or the like can be used.
  • the power source used by the oscillator and the oscillator, the power source for communication (whether it is wireless or wired), the power source for drivers used for strobe, LED, button operation, etc. are also used. obtain.
  • the power source used by the data storage unit (storage) is also a candidate.
  • the power source used in a hard disk device, SSD, flexible disk, CD (compact disk), DVD, Blu-ray, MO, HD-DVD, etc. can be used.
  • a power source for lens control, a power source for various sensors such as a GPS, an acceleration sensor, or a temperature sensor can be used.
  • [Appendix 1] A solid-state imaging device in which a voltage pulse is applied to a first polarity semiconductor; A pulse driving unit that outputs a driving pulse of the solid-state imaging device; A protection unit disposed between the pulse driving unit and the solid-state imaging device; And The protection unit includes a capacitor connected between the output terminal of the pulse driving unit and the voltage terminal of the solid-state imaging device, a diode connected between the potential point and the voltage terminal, and between the voltage terminal and the potential point.
  • An imaging apparatus in which a potential at a potential point is activated before the power supply is activated when the power supply to the solid-state imaging apparatus is activated.
  • Appendix 2 The imaging apparatus according to appendix 1, wherein a potential corresponding to the maximum rated voltage of the voltage terminal is applied to the potential point.
  • Appendix 3 The imaging apparatus according to claim 1 or 2, wherein a potential lower than a sum of a rated voltage of the voltage terminal and a forward voltage drop of the diode is applied to the potential point.
  • [Appendix 4] The imaging apparatus according to appendix 3, wherein a potential lower than a sum of a minimum allowable voltage of the voltage terminal and a forward voltage drop of the diode is applied to the potential point.
  • [Appendix 5] The imaging apparatus according to any one of appendix 1 to appendix 4, wherein a potential lower than a sum of a rated voltage of the voltage terminal and a minimum value of a forward drop voltage of the diode is applied to the potential point.
  • [Appendix 6] The imaging apparatus according to appendix 5, wherein a potential lower than a sum of a minimum allowable voltage of the voltage terminal and a minimum value of the forward voltage drop of the diode is applied to the potential point.
  • the pulse drive unit has a vertical pulse drive unit that outputs a drive pulse of a vertical transfer system, and a horizontal pulse drive unit that outputs a drive pulse of a horizontal transfer system,
  • the imaging apparatus according to any one of appendix 1 to appendix 6, wherein when the power to the vertical pulse driving unit and the solid-state imaging apparatus is activated, the potential at the potential point is activated before the activation of the power supply.
  • Appendix 8 As a power source for the solid-state imaging device, a potential corresponding to the first polarity and having a first potential in the first direction with respect to the reference potential and a second direction opposite to the first direction with respect to the reference potential The one that outputs the second potential is used, 8.
  • the pulse drive unit has a vertical pulse drive unit that outputs a drive pulse of a vertical transfer system, and a horizontal pulse drive unit that outputs a drive pulse of a horizontal transfer system, 11.
  • the imaging device according to any one of supplementary notes 1 to 10, wherein the potential point is connected to a power supply for a horizontal pulse driving unit.
  • the solid-state imaging device has an output unit that outputs an imaging signal, 11.
  • [Appendix 15] A substrate voltage control circuit for applying a predetermined potential to the voltage terminal; 14.
  • the imaging device according to any one of supplementary notes 1 to 13, wherein the substrate voltage control circuit is mounted in the pulse driving unit.
  • the imaging device according to any one of supplementary notes 1 to 13, wherein the substrate voltage control circuit is disposed outside the solid-state imaging device and the pulse driving unit.
  • the protection unit includes a capacitor connected in parallel with the resistance element.
  • a protection device for protecting a solid-state imaging device in which a voltage pulse is applied to a first polarity semiconductor It is arranged between the pulse drive unit that outputs the drive pulse of the solid-state imaging device and the solid-state imaging device, A capacitor connected between the output terminal of the pulse driver and the voltage terminal of the solid-state imaging device, a diode connected between the potential point and the voltage terminal, and connected between the voltage terminal and the potential point Having a resistance element, The anode end of the diode is connected to a potential point to which the potential of the voltage terminal is applied, A protection device for a solid-state imaging device in which a potential at a potential point is activated before the power source is activated when the power source for the solid-state imaging device is activated.
  • the pulse drive unit has a vertical pulse drive unit that outputs a drive pulse of a vertical transfer system, and a horizontal pulse drive unit that outputs a drive pulse of a horizontal transfer system, Item 19.
  • SYMBOLS 1 ... Imaging device, 10 ... Solid-state imaging device, 11 ... Sensor part, 13 ... Vertical transfer part (vertical CCD), 14 ... Imaging area, 15 ... Horizontal transfer part (horizontal CCD), 16 ... Charge-electric signal conversion part, 40: Timing signal generation unit, 42: Driver, 42H: Horizontal driver, 42LH: Horizontal final stage driver, 42HRG: Horizontal output driver, 42V: Vertical driver, 46: Drive power supply, 60: Buffer unit, 210: Horizontal transfer path, 212 ... Horizontal transfer register, 214 ... Last stage horizontal transfer register, 230 ... Horizontal output gate, 400 ... Protection device (protection unit), 410 ... Clamp circuit, 412 ... Capacitor, 414 ... Diode, 416 ... Resistance element, 418 ... Capacitor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本技術は、素子数を低減でき、部品選定の制約を緩和することのできる技術を提供することができる撮像装置及び固体撮像装置の保護装置に関する。 撮像装置は、シャッタドライブパルス電圧に応じて、電荷蓄積部の不要電荷を半導体基板に掃出し可能な固体撮像装置と、固体撮像装置を駆動する駆動パルスを出力するパルス駆動部と、パルス駆動部と固体撮像装置との間のシャッタドライブパルスの配線系統に配置された保護部とを備える。保護部は、パルス駆動部のシャッタドライブパルスの出力端と固体撮像装置の基板電圧端子との間に接続されたコンデンサ、所定電位点と基板電圧端子との間に接続されたダイオード、及び、基板電圧端子と基準電位点との間に接続された抵抗素子で構成されたクランプ回路を有する。ダイオードのアノード端は、基板電圧端子の定格電圧と対応した電位が印加される所定電位点に接続されている。

Description

撮像装置及び固体撮像装置の保護装置
 本明細書で開示する技術は、撮像装置及び固体撮像装置の保護装置に関する。
 固体撮像装置においては、電子シャッタパルスを基板電圧に重畳することにより発生電荷を基板方向へ掃き出させるいわゆる電子シャッタ機能(基板方向への電荷掃出し動作)を使用可能なものがある。例えば、基板電圧は受光部の飽和信号量を調整できる。駆動モードによって基板電圧を変えることにより、各駆動モードで必要な飽和信号量に調整できる。基板電圧に対してシャッターパルス印加によって信号をリセットすることができる。これにより露光時間を調整できる。ここで、固体撮像装置を駆動するにはドライバ(パルス駆動部)が使用されるが、固体撮像装置及びドライバ(特に垂直ドライバ)は何れも、他の各種回路で要求される動作電圧値(例えば+5V系、+3V系、+1.8V系等)よりも離れた電圧値が要求され、通常(基準電位を0Vとするため)は極性の異なる2つの電圧が必要となる。このため、これら2種の電圧は例えば電圧変換回路(DC/DCコンバータ等)により昇降圧されて供給される。
 ここで、基板方向への電荷掃出し動作が可能なドライバにおいて、その電荷掃出し制御は、フォトダイオード等の光電変換部の電荷蓄積開始のタイミングを制御するため、ドライバ内の電子シャッタパルス用のドライバ回路によって行なわれ、電子シャッタパルスは、転送クロックとは別の配線を介して第1極性基板(例えばn型基板)に印加される。第1極性基板の基板電圧端子には基板電圧制御回路が接続されており、動作時には、第1極性基板には、常に所定電圧(逆バイアス電圧)が印加される。そして、電荷の掃出し時には、電子シャッタパルス用のドライバ回路がパルス信号を出力し、このパルス信号の電圧が基板電圧制御回路の印加電圧に重畳されて、通常時よりも強い逆バイアス電圧が第1極性基板に印加され、蓄積電荷が掃き出される。
 他方、このような固体撮像装置を駆動する場合、絶対最大定格として、各端子又は各端子間でとることかできる電圧範囲が規定されている。このような定格は、定常状態では遵守されるが、例えば撮像装置の電源スイッチをオン/オフするとき等に、その規格から逸脱する場合がある。そのため、ドライバと固体撮像装置との間の電子シャッタパルス用の回路の構成によっては、電源の起動時や遮断時に、絶対最大定格を上回る異常電圧が基板電圧端子に印加されてしまい、固体撮像装置を破損・劣化させる懸念がある。
 この対策として、例えば特開平10-327360号公報には、直流カット用のコンデンサとクランプ用のダイオードと放電用の抵抗とから成るクランプ回路を2段構成とした保護回路が開示されている。ダイオードは、抵抗と並列接続され、アノード端が基準電位(通常は0V)に接続されている。つまり、基板電圧端子の負電圧によって導通するように、ダイオードが接続されている。2段目のクランプ回路のコンデンサ、ダイオードのカソード端、及び、抵抗の接続点が基板電圧端子と接続されている。これにより、電源の起動時や遮断時に、基板電圧端子の電位がダイオードの順方向降下電圧を上回る(現実的には負電位側に大きくなる)ようになるとオンするため、基板電圧端子の電位がほぼダイオードの順方向降下電圧にクランプされる。これによって、定格を下回る負電圧が基板電圧端子へ与えられることを防止することができる。
特開平10-327360号公報
 しかしながら、特開平10-327360号公報に記載の保護回路は、コンデンサとダイオードと抵抗とから成るクランプ回路を2段構成としているため、最低でも6素子が必要となる。又、2段目のクランプ回路のダイオードとしては、ショットキダイオード等の特殊で高価なダイオードを選定しなければならない難点がある。尚、前例では、電子シャッタドライブパルスに関して説明したが、その他のドライブパルスに関しても、ドライブパルスの供給回路によっては同様のことが起こり得る。
 従って、本開示の目的は、固体撮像装置の保護装置及びこれを利用した撮像装置において、素子数を低減でき、又、部品選定の制約を緩和することのできる技術を提供することにある。
 本開示の第1の態様に係る撮像装置は、第1極性の半導体に電圧のパルスが印加される固体撮像装置と、固体撮像装置の駆動パルスを出力するパルス駆動部と、パルス駆動部と固体撮像装置との間に配置されている保護部とを備える。保護部は、パルス駆動部の出力端と固体撮像装置の電圧端子との間に接続されたコンデンサ、電位点と電圧端子との間に接続されたダイオード、及び、電圧端子と電位点との間に接続された抵抗素子を有する。ダイオードのアノード端が、電圧端子の電位が印加される電位点に接続されている。そして、固体撮像装置への電源起動時には、その電源起動よりも前に電位点の電位が起動するようにする。本開示の第1の態様に係る撮像装置の従属項に記載された各撮像装置は、本開示の第1の態様に係る撮像装置のさらなる有利な具体例を規定する。
 本開示の第2の態様に係る固体撮像装置の保護装置は、第1極性の半導体に電圧のパルスが印加される固体撮像装置を保護する保護装置であって、固体撮像装置の駆動パルスを出力するパルス駆動部と固体撮像装置との間に配置されている。具体的には、パルス駆動部の出力端と固体撮像装置の電圧端子との間に接続されたコンデンサ、電位点と電圧端子との間に接続されたダイオード、及び、電圧端子と電位点との間に接続された抵抗素子を有する。ダイオードのアノード端が、電圧端子の電位が印加される電位点に接続されている。そして、固体撮像装置への電源起動時には、その電源起動よりも前に電位点の電位が起動するようにする。本開示の第2の態様に係る保護装置においては、本開示の第1の態様に係る撮像装置の従属項に記載された各技術・手法が同様に適用可能であり、それが適用された構成は、第2の態様に係る保護装置のさらなる有利な具体例を規定する。
 事実上、保護部や保護装置は、コンデンサ、ダイオード、及び、抵抗素子で成るクランプ回路を有して構成されている。コンデンサはパルス駆動部と固体撮像装置との間の直流カット機能を果たす。ダイオードはクランプ機能を持つ。抵抗素子は放電機能を果たす。要するに、本明細書で開示する技術では、直流カット用のコンデンサとクランプ用のダイオードと放電用の抵抗素子とで構成された簡単な(素子数が3つの)クランプ回路を、固体撮像装置を破損・劣化から保護する機能部として利用する。ここで、ダイオードのアノード端を電圧端子の電位が印加される電位点に接続することにより、ドライブパルス(例えば電子シャッタドライブパルス)の交流成分が固体撮像装置の電圧端子に入力されるときには、ダイオードは常に逆バイアスがかかりオフしている。そのため、通常時はダイオードがオフであり電力の消費がないし、特殊で高価なダイオードは不必要であり部品選定の制約を緩和することができる。一方、ダイオードがオンするような異常時には、電圧端子の電位をダイオードによるクランプ電位に保持する。これによって、固体撮像装置を破損・劣化から保護することができる。
 本開示の第1の態様に係る撮像装置及び固体撮像装置の保護装置によれば、素子数を低減でき、又、部品選定の制約を緩和することのできる固体撮像装置の保護技術を提供することができる。
図1は、参考構成1の撮像装置及び保護装置を説明する図(回路構成図)である。 図2は、参考構成の撮像装置及び保護装置を説明する図(回路構成図)である。 図3は、図2に示す構成に要求される第1電位(正電源)と第2電位(負電源)の起動時の立上げ順序を説明する図である。 図4は、参考構成3の撮像装置及び保護装置を説明する図(回路構成図)である。 図5は、参考構成4の撮像装置及び保護装置を説明する図(回路構成図)である。 図6は、本実施形態の撮像装置及び保護装置の素子保護の基本原理を説明する図(回路構成図)である。 図7は、図6に示す構成に要求される第1電位(正電源)と第2電位(負電源)の起動時の立上げ順序及び遮断時の立下げ順序を説明する図である。 図8は、実施例1の撮像装置及び保護装置を説明する図(回路構成図)である。 図9は、実施例2の撮像装置及び保護装置を説明する図(回路構成図)である。 図10は、実施例3の撮像装置及び保護装置を説明する図(回路構成図)である。 図11は、実施例1~実施例3に対する変形例の撮像装置及び保護装置を説明する図(回路構成図)である。
 以下、図面を参照して、本明細書で開示する技術の実施形態について詳細に説明する。各機能要素について形態別に区別する際にはアルファベット或いは“_n”(nは数字)或いはこれらの組合せの参照子を付して記載し、特に区別しないで説明する際にはこの参照子を割愛して記載する。図面においても同様である。
 説明は以下の順序で行なう。
 1.全体概要
 2.参考構成
 3.素子保護の基本原理
 4.具体的な適用例
    実施例1:水平ドライバ用電源を利用、基板電圧制御回路は固体撮像装置内
    実施例2:水平ドライバ用電源を利用、基板電圧制御回路はドライバ内
    実施例3:水平ドライバ用電源を利用、基板電圧制御回路は外部配置
    変形例 :CCD出力回路用電源を利用、基板電圧制御回路は固体撮像装置内
    実施例4:他の機能部用電源を利用
 <全体概要>
 先ず、基本的な事項について以下に説明する。本明細書で開示する撮像装置及び固体撮像装置の保護装置においては、固体撮像装置とパルス駆動部との間(例えば、シャッタドライブパルスの配線系統)に保護装置を介在させる。固体撮像装置としては、第1極性の半導体に電圧のパルスが印加されるものを使用する。例えば、第1極性の半導体基板に電圧のパルスがシャッタドライブパルスとして印加されることにより、印加された電圧に応じて、電荷蓄積部に蓄積された不要電荷を第1極性の半導体基板に掃出し可能に構成されている固体撮像装置を使用する。パルス駆動部は、固体撮像装置の駆動パルスを出力する。パルス駆動部と固体撮像装置との間(例えばシャッタドライブパルスの配線系統)に配置された保護装置は、固体撮像装置を破損・劣化から保護する機能を持つ。例えば、パルス駆動部は、垂直転送系や水平転送系の各駆動パルスを出力するが、一例として、シャッタドライブパルスに着目することができる。但し、これは一例に過ぎず、その他のドライブパルスに関しても、ドライブパルスの供給回路によっては、シャッタドライブパルスに関する保護手法を同様に適用できる。
 この保護機能の実現のために、直流カット用のコンデンサとクランプ用のダイオードと放電用の抵抗素子とで構成された簡単な(素子数が3つの)クランプ回路を、固体撮像装置を破損・劣化から保護する機能部として利用する。ダイオードのアノード端を電圧端子の電位が印加される電位点(詳しくは、電圧端子の定格電圧と対応した電位が印加される電位点)に接続する。固体撮像装置への電源起動時には、その電源起動よりも前に電位点の電位が起動するようにする。アノード端の電位点への接続により、通常動作時には、ダイオードは常に逆バイアス状態であるのでオフし、電力の消費がないし、特殊で高価なダイオードは不必要であり部品選定の制約もなく通常のものを使用することができる。一方、電源の起動時や遮断時等においてダイオードがオンするような異常事態になると、電圧端子の電位はダイオードによるクランプ電位に保持されるので、固体撮像装置は破損することもないし劣化することもない。
 撮像装置において、小型化、薄膜化の要求があり、部品点数はなるべく少なくしたいこと、低コスト化のためにも部品点数を減らしたいという要望がある。例えば、セットでの部品削減要求がある、SiP化する際はその要求がより高まる。本明細書で開示する撮像装置及び固体撮像装置の保護装置の技術を適用すれば、その要望に応えることができる。
 本明細書で開示する撮像装置及び固体撮像装置の保護装置においては、好ましくは、電位点には、電圧端子の最大定格電圧と対応している電位が印加されるとよい。一般の定格電圧とするよりも、最も条件の厳しい最大定格電圧と対応している電位を電位点に印加すれば、確実に固体撮像装置を破損・劣化から保護することができる。
 ここで、「電圧端子の定格電圧と対応」或いは「電圧端子の最大定格電圧と対応」とするには、ダイオードの順方向降下電圧を考慮するのが好ましい。具体的には、電位点には、電圧端子の定格電圧或いは最大定格電圧とダイオードの順方向降下電圧との和を下回る電位が印加されるのが好ましい。電圧端子に接続されたダイオードが通常動作時にオンするのを回避するとともに、電源の起動時や遮断時等に固体撮像装置を破損・劣化から保護するためである。
 更には、「電圧端子の定格電圧」或いは「電圧端子の最大定格電圧」のばらつきやダイオードの順方向降下電圧のばらつきも考慮するのが好ましい。具体的には、電位点には、電圧端子の定格電圧或いは最大定格電圧とダイオードの順方向降下電圧の最小値との和を下回る電位が印加されるのが好ましい。こうすることで、ばらつき等があっても電圧端子に接続されたダイオードが通常動作時にオンしてしまうことを回避することができ、ばらつき等に左右されず通常動作への影響を確実に防止することができるし、電源の起動時や遮断時等に固体撮像装置を破損・劣化から保護することができる。
 本明細書で開示する撮像装置及び固体撮像装置の保護装置においては、好ましくは、電位点の起動(立上り)や遮断(立下り)と、固体撮像装置や垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部への電源の起動(立上り)や遮断(立下り)とに関して、その順序を規定していた方がよい。
 例えば、パルス駆動部が、垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部と、水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部とを有する場合には、垂直パルス駆動部と固体撮像装置への電源起動時には、その電源の起動よりも前に電位点の電位が起動していた方が好ましい。更には、固体撮像装置用の電源として、第1極性と対応する電位であって基準電位に対して第1の方向の第1電位及び基準電位に対して第1の方向とは逆の第2の方向の第2電位を出力するものを使用する。パルス駆動部が、垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部と、水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部とを有する場合には、垂直パルス駆動部用及び固体撮像装置用の電源として、第1極性と対応する電位であって基準電位に対して第1の方向の第1電位及び基準電位に対して第1の方向とは逆の第2の方向の第2電位を出力するものを使用する。そして、このときの電源起動時には、第1電位を起動させた後に第2電位を起動させるとよい。
 一方、固体撮像装置への電源遮断時には、電源起動時とは逆の順に遮断するとよい。具体的には、固体撮像装置への電源遮断時には、その電源を遮断した後に電位点を遮断するのが好ましい。更には、垂直パルス駆動部用及び固体撮像装置用の電源として、第1極性と対応する電位であって基準電位に対して第1の方向の第1電位及び基準電位に対して第1の方向とは逆の第2の方向の第2電位を出力するものを使用する。そして、このときの電源遮断時には、第2電位を遮断した後に第1電位を遮断するのが好ましい。パルス駆動部が、垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部と、水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部とを有する場合には、垂直パルス駆動部と固体撮像装置への電源遮断時には、電源起動時とは逆の順に遮断するとよい。具体的には、垂直パルス駆動部と固体撮像装置への電源遮断時には、その電源を遮断した後に電位点を遮断するのが好ましい。更には、垂直パルス駆動部用及び固体撮像装置用の電源として、第1極性と対応する電位であって基準電位に対して第1の方向の第1電位及び基準電位に対して第1の方向とは逆の第2の方向の第2電位を出力するものを使用する。そして、このときの電源遮断時には、第2電位を遮断した後に第1電位を遮断するのが好ましい。
 電位点の接続先の具体的なものとしては、例えば次のような電源を挙げることができる。例えば、水平パルス駆動部用の電源又は固体撮像装置の撮像信号を出力する出力部用の電源に所定電位点を接続するとよい。何れも、保護装置の近傍に配置される水平パルス駆動部用或いは固体撮像装置用の電源を利用するので配線の引き回しの不都合はない。又、これらの各電源を任意に選択可能に構成してもよい。この場合、実態に合わせて最適な電源を選択して電位点用の電源として利用することができる。パルス駆動部内の各電源を切替使用する構成にすることは簡単に実現できる。
 或いは、固体撮像装置用及びパルス駆動部用以外の機能部用の電源に電位点を接続してもよい。この場合、電圧値や起動順序或いは遮断順序の選択の幅が広がる。この場合にも、これらの各電源を任意に選択可能に構成してもよい。配線の引き回しの問題が起こり得るが、実態に合わせて最適な電源を選択して電位点用の電源として利用することができる。
 本明細書で開示する撮像装置及び固体撮像装置の保護装置においては、好ましくは、電圧端子に所定電位を印加する基板電圧制御回路を設ける。必要に応じてダイオードやエミッタ(或いはソース)フォロワ回路を利用した出力回路を介して電圧端子に所定電位を印加する構成にしてもよい。エミッタフォロワ回路やソースフォロワ回路は、高入力インピーダンス、低出力インピーダンスとしたい場合に使用する。こう云った意味では、出力回路を含めて、(広義の)基板電圧制御回路と捉えることができる。即ち、基板電位制御回路に接続する入力インピーダンスを高くし、出力インピーダンスを低くしたい場合に、若しくはこれらの何れかの場合に、エミッタフォロワ回路やソースフォロワ回路を用いる。つまり、出力回路の形式は、基板電位制御回路の構成に依存し、出力回路単独で決まるものではない。ここで、基板電圧制御回路(や出力回路)の配置場所は、固体撮像装置内、パルス駆動部内、或いは、固体撮像装置及びパルス駆動部の外部の何れでもよい。固体撮像装置内やパルス駆動部内の方が周辺部材が少なくて済み、規模を小さくできる。
 本明細書で開示する撮像装置及び固体撮像装置の保護装置においては、必要に応じて(詳しくは、パルス駆動部のシャッタ端子と固体撮像装置の基板電圧端子との間の寄生容量対策のため)、抵抗素子と並列接続されたコンデンサを保護部に設けてもよい。
 <参考構成>
 次に、本明細書で開示する技術の理解を容易にするべく、幾つかの参考構成について説明する。尚、以下では、一例として、電子シャッタドライブパルスに関して説明するが、その他のドライブパルスに関しても、ドライブパルスの供給回路によっては、本明細書で開示する保護技術を同様に適用することができる。固体撮像装置としては、第1極性(例えばn型)の半導体基板(第1導電型領域)の主面に形成された第1極性とは反対の第2極性(例えばp型)の半導体層(p層、第2導電型領域)が接地され、第1極性の半導体基板に所定電圧のパルスが電子シャッタパルスとして印加されることにより、この印加電圧に応じて、電荷蓄積部に蓄積された不要電荷が第1極性の半導体基板に掃き出される構成を有するものを使用する。典型的にはCCDが該当し、以下では、CCDを用いるものとして説明する。
 [参考構成1]
 図1は、参考構成1の撮像装置1W及び保護装置400Wを説明する図(回路構成図)である。撮像装置1Wは、固体撮像装置10、垂直ドライバ42V、駆動電源46(ローカル電源)、及び、保護装置400W(保護部)を備える。駆動電源46からは、基準電位VM(接地電位)に対して第1の方向(プラス方向)の第1電位VH(正電源、例えば13~15V程度)と第2の方向(マイナス方向)の第2電位VL(負電源、例えば-6.5~-8V程度)とが電源電圧として固体撮像装置10や垂直ドライバ42V等に供給される。第1電位VHを正電源とするのは、固体撮像装置10の基板がn型であることに応じたものである。 
 垂直ドライバ42Vには、図示しないタイミング信号生成部から、垂直転送系の駆動パルスとして、垂直転送クロックV1~垂直転送クロックVv及び電子シャッタ機能のための電子シャッタパルスSHTが供給されるし、図示しないが、水平転送系の駆動パルスも供給される。垂直ドライバ42Vは、これらの各パルス信号を所要レベルに変換して固体撮像装置10にドライブパルス(垂直ドライブパルスΦV_1~垂直ドライブパルスΦV_v、電子シャッタドライブパルスΦSHT、他)として供給する。ここで、電子シャッタドライブパルスΦSHTは、垂直ドライバ42Vのシャッタ端子SUBから出力され保護装置400Wを介して固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに供給される。固体撮像装置10には、基板電圧制御回路402及びダイオードやトランジスタ等で構成された出力回路403が実装されており、出力回路403を通して、例えば一定の電圧(プラスの電圧)が与えられる。図は、出力回路403としてバイポーラトランジスタ404を使用したエミッタフォロワ回路とする場合で示す。バイポーラ型に代えて、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)を使用したソースフォロワ回路としてもよい。バイポーラトランジスタ404は、通常動作時は、ベース・エミッタ間が常に順方向でオンしており、基板電圧制御回路402からの一定の電圧を基板電圧端子φSUBに供給する。因みに、バイポーラトランジスタ404を使用する場合、ベース・エミッタ間電圧Vbe分の電圧低下がある。
 保護装置400Wは、コンデンサ412、ダイオード414、及び、抵抗素子416によって構成される第1クランプ回路410W(プリクランプ回路)と、コンデンサ422、ダイオード424、及び、抵抗素子426によって構成される第2クランプ回路420W(メインクランプ回路)とを有する。コンデンサ412は、一端がシャッタ端子SUBに接続され、他端がダイオード414のカソード端、抵抗素子416の一端、及び、コンデンサ422の一端との接続点(ノードND410と記す)に接続されている。コンデンサ422の他端はダイオード424のカソード端、抵抗素子426の一端、及び、基板電圧端子φSUBに接続されている。ダイオード414のアノード端及び抵抗素子416並びにダイオード424のアノード端及び抵抗素子426の他端は基準電位VM(この例では接地)に接続されている。
 ダイオード424としては、ダイオード424の順方向降下電圧(詳しくはその最大値)の絶対値をVFとし、基板電圧端子φSUBの電位の絶対最大定格の下限の絶対値をVLminとすると、VF<VLmin(-VF>-VLmin)を満足するダイオード、例えばショットキダイオード等を用いる。電子シャッタを用いる撮像装置1では、ダイオード424の逆阻止電圧をVrとし、電子シャッタドライブパルスΦSHTの振幅をVesとし、基板電圧端子φSUBの定常時(電子シャッターのかかっていないとき)の最大値をVmaxとすると、Vr>Ves+Vmaxを満足するダイオードを選定する必要がある。即ち、電子シャッタ動作時には、ダイオード424には最大Ves+Vmaxの逆電圧が印加されるため、ダイオード424の逆阻止電圧Vrはその電圧Ves+Vmaxより大きくなければならない。
 固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBの端子電位は、仕様上定格が定められている。例えば、絶対最大定格で端子電位が規定されることがある。ここで、駆動電源46によっては、保護装置400Wを使用しないと、電源オン/オフ時に、垂直ドライバ42Vのシャッタ端子SUBから負電圧が発生し、その負電圧によって基板電圧端子φSUBに定格電圧を下回る負電圧が印加されることがある。即ち、第2電位VLを第1電位VHより先に立ち上げると垂直ドライバ42Vのシャッタ端子SUBから負電圧が発生し、この負電圧が、第1電位VHが立ち上がるまでに固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに印加されてしまう。このため、基板電圧端子φSUBの電位が定格電圧を下回ってしまう。
 これに対して、保護装置400Wを通して電子シャッタドライブパルスΦSHTを供給する場合は、2段構えの第1クランプ回路410W及び第2クランプ回路420Wによって、電源投入時に、シャッタ端子SUBから定格を下回る負電圧が基板電圧端子φSUBへ与えられることを防止することができる。例えば、撮像装置1Wの電源スイッチ(図示せず)がオンされると駆動電源46が能動化され、先ず第2電位VLが起動されその後に第1電位VHが起動されるため、垂直ドライバ42Vのシャッタ端子SUBからまず負電圧が出力される。このとき、ノードND410と基準電位VMとの間に接続されたダイオード414は、この負電圧によって順方向にバイアスされるので、ダイオード414がオンし、ノードND410の電位はこのダイオード414の順方向降下電圧(VF)だけ基準電位VMより低くなる。そして、このときの電位変化がコンデンサ422を介して基板電圧端子φSUBへ伝達される。このとき、第1電位VHはまだ印加されていないので、固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに負電圧が印加される。しかしながら、基板電圧端子φSUBと基準電位VMとの間に接続されたダイオード424は、この負電圧によって順方向にバイアスされるので、ダイオード424がオンし、基板電圧端子φSUBの電位はこのダイオード424の順方向降下電圧(VF)だけ基準電位VMより低くなる。ダイオード424の順方向降下電圧VFはVF<VLmin(-VF>-VLmin)を満足するので、固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに下限電圧-VLminを下回る大きい負電圧が印加されるのが防止される。ダイオード424の順方向降下電圧によって基板電圧端子φSUBの下限を越える低下を防止することができる。又、電源スイッチがオフされると、第1電位VHが第2電位VLより早く立ち下がるので、電源スイッチオン時と同じように固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに負電圧が印加されることがあるが、この場合でも、ダイオード424の作用によって、基板電圧端子φSUBに下限電圧-VLminを下回る大きい負電圧が印加されるのが防止される。
 このような保護装置400Wにあっては、ダイオード414及びダイオード424のアノード端の接続先を基準電位VMとすることにより、通常時にはダイオード414及びダイオード424がオフしており、消費電力の問題は起きない。尚、第1クランプ回路410Wだけにすることも考えられるが、その場合、ダイオード414のアノード端の接続先を基準電位VMとするため保護機能の維持が図られない。そのために第2クランプ回路420Wを設けている。しかしながら、保護装置400Wにあっては、部品点数が6点であり規模が大きいし、前述のようにダイオード424として、VF<VLmin(-VF>-VLmin)を満たすような特殊で高価なダイオードを選定しなければならない難点がある。
 [参考構成2]
 図2~図3は、参考構成2の撮像装置1X及び保護装置400Xを説明する図である。ここで、図2は、回路構成を示す図であり、図3は、当該構成に要求される第1電位VHと第2電位VLの電源起動時の立上げ順序を説明する図である。
 撮像装置1Xの保護装置400Xは、保護装置400Wに対して、第1クランプ回路410Xはダイオード414のアノード端の接続先を第1電位VHとするとともに、ダイオード424を取り外すことで第2クランプ回路420Wを単なる結合回路430X(コンデンサ432及び抵抗436で構成されている)に変更している点に特徴がある。クランプ回路は、第1クランプ回路410Xのみであるので、以下ではクランプ回路410Xと記す。このような保護装置400Xにあっては、ダイオード424を使用しないので、部品点数の削減が図られている。尚、コンデンサ412の容量値(静電容量、キャパシタンス)は例えば1マイクロファラッド(μF)であり、抵抗素子416の抵抗値は例えば100キロオーム(kΩ)である。コンデンサ422の容量値は例えば0.047マイクロファラッド(μF)であり、抵抗素子426の抵抗値は例えば1メガオーム(MΩ)である。コンデンサ412は、その容量値から比較的大きな部品を選択しなければならないし、コンデンサ422も、その容量値から比較的大きな部品を選択しなければならない。例えばいわゆる0603サイズやそれ以下の超小型のセラミックコンデンサを選択することは難しく、フィルムコンデンサやいわゆる1005サイズやそれ以上の小型のセラミックコンデンサ等を選択しなければならない。
 保護装置400Xにおいては、垂直ドライバ42Vのシャッタ端子SUBからコンデンサ412及びコンデンサ432を介して基板電圧端子φSUBに電子シャッタドライブパルスΦSHT(掃出しパルス)が印加される。コンデンサ412とコンデンサ432と間にあるダイオード414及び抵抗素子416は、固体撮像装置10のn型基板にマイナス電圧が印加されることによる破損や劣化から保護する。クランプ回路410Xにおける直流電圧が、垂直ドライバ42Vのシャッタ端子SUB及び固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBと違うため、コンデンサ412及びコンデンサ432の2つのコンデンサを設けて直流成分を除去している。抵抗436は固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBの出力をクランプさせるための抵抗である。
 参考構成2の保護装置400Xにあっては、シャッタ端子SUBの出力(電子シャッタドライブパルスΦSHT)は第1電位VHでのクランプが行なわれた後に、固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに入力される。そのため、電源投入時にマイナス電圧からn型基板を保護できる。尚、このような保護機能の実現のためには、第1電位VHと第2電位VLの電源起動時の立上げ順序は、図3に示すように、第1電位VHが立ち上がった後に第2電位VLが立ち上がることが要求される。例えば、図3では20パーセント(%)点での時間で規定しており、第1電位VHが20パーセント(%)点に立ち上がるまでの期間をt1とし、第2電位VLが20パーセント(%)点に立ち上がるまでの期間をt2とした場合、t2≧t1が満たされなければならない。
 このような参考構成2の保護装置400Xは、電源投入時にマイナス電圧からn型基板を保護できる一方で、1)部品点数の問題、2)部品サイズの問題、3)消費電力(例えば1.6ミリワット程度)の問題、4)ダイオード選定の問題、5)遷移(変調)時間の問題がある。1)は、保護装置400Wに比べると改善されているとは云っても、結合回路430だけでは済まず、保護機能を実現するために、外付け部品である第1クランプ回路410として、3つ(コンデンサ412、ダイオード414、抵抗素子416)が、増加する点が問題である。2)は、部品サイズが大きくなってしまう問題である。即ち、保護装置400Xにあっては、コンデンサ412及びコンデンサ432並びに固体撮像装置10の基板容量容量Cccdにより入力電圧が分圧され、入力されたパルス振幅が減衰する。そのため、固体撮像装置10の仕様書に記載されている最小のパルス振幅よりも減衰しないような大きな容量値がコンデンサ412及びコンデンサ432に必要となる。又、これらの部品は、例えば高耐圧(例えば25V以上の耐圧)も必要とする。これは、コンデンサ412及びコンデンサ432に大振幅(例えば約20V)の電子シャッタドライブパルスΦSHTを印加するためである。これらのことから、保護装置400Xに必要とされるコンデンサ412及びコンデンサ432の容量値は、高容量だけでなく高耐圧も必要とされるため、部品サイズが大きくなってしまう問題がある。
 3)は、常時電流を必要とすることに起因する問題である。これは、クランプ回路410Xが、ダイオード414に順バイアスをかけてクランプさせているためである。4)は、ダイオード414の選定に関わる問題である。即ち、保護装置400Xにあっては、順バイアスのダイオード414に、逆バイアスの交流信号を印加するため、逆回復時間の速いダイオードを選定しなければならない問題がある。保護装置400Wにおけるダイオード424に比べると特殊でないかもしれないが、ダイオード414と比べると特殊で高価なダイオードを選定しなければならない。
 5)は、垂直ドライバ42Vと固体撮像装置10との間に設ける直流成分の除去機能をなす部材としてコンデンサ412及びコンデンサ422を使用しているため直流除去(直流カット)が2回に亘ることに起因するものであり、固体撮像装置10の基板電圧制御にかかる遷移時間が比較的長くなる問題である。遷移時間は、コンデンサ412の容量値C412と抵抗素子416の抵抗値R416との積(時定数)に比例する。但し、直流除去が2回(コンデンサ412及びコンデンサ432による)の場合、時定数(例えば容量値C412)を大きくせざるを得ず、遷移移時間は、1回の場合に比べて長くなってしまう。例えば図示した定数の場合、固体撮像装置10の基板電圧制御にかかる遷移時間は25ミリ秒程度かかってしまう。
 [参考構成3]
 図4は、参考構成3の撮像装置1Y及び保護装置400Yを説明する図(回路構成図)である。撮像装置1Yは、基板電圧制御回路402を固体撮像装置10内ではなく垂直ドライバ42V内に実装するように変形し、又、出力回路403としてトランジスタ404に代えてダイオード406を使用しドライバ42の外部に配置するように変形した点に特徴を有する。その他は参考構成2と同様である。参考構成3の保護装置400Yは、実態としては、参考構成2の保護装置400Xと同じであり、保護装置400Xと同様の問題を有する。ダイオード406は、通常動作時は、常に順方向でオンしており、基板電圧制御回路402からの一定の電圧を基板電圧端子φSUBに供給する。因みに、出力回路403としてダイオード406を使用する場合、その順方向降下電圧分の電圧低下がある。尚、保護装置400Yそのものの問題点ではないが、回路構成上は、垂直ドライバ42V及び固体撮像装置10の外部にダイオード406が存在する状態となるため、垂直ドライバ42Vと固体撮像装置10との間の構成部材全体として見れば、部品点数の増加が問題となる。
 [参考構成4]
 図5は、参考構成4の撮像装置1Z及び保護装置400Zを説明する図(回路構成図)である。参考構成4は、参考構成3に対して更に、基板電圧制御回路402を固体撮像装置10及び垂直ドライバ42Vの何れにも実装せずにそれらの外部に配置するように変形した態様である。その他は参考構成3と同様である。参考構成4の保護装置400Zも、実態としては、参考構成2の保護装置400Xと同じであり、保護装置400Xと同様の問題を有する。参考構成4の場合、保護装置400Zそのものの問題点ではないが、回路構成上は、基板電圧制御回路402が垂直ドライバ42V及び固体撮像装置10の外部に存在する状態となるため、垂直ドライバ42Vと固体撮像装置10との間の構成部材全体として見れば、基板電圧制御回路402の分の部品点数や回路規模の増大が問題となる。
 [参考構成の纏め]
 以上説明したように、参考構成1~参考構成4は、依然として、素子数や部品選定等の面で解決すべき点がある。そこで、本実施形態では、素子数をより低減でき、又、部品選定の制約を緩和することのできる新たな保護装置400を提案する。
 <素子保護の基本原理>
 図6~図7は、本実施形態の保護装置400の基本構成と、保護装置400における固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBへの異常電圧の印加を防止する原理を説明する図である。ここで、図6は、本実施形態の撮像装置1及び保護装置400の回路構成図を示し、図7は、当該構成に要求される第1電位VHと第2電位VLと第3電位V3の電源起動時の立上げ順序及び電源遮断時の立下げ順序を説明する図である。
 [構成]
 先ず、出力回路403の入出力間の電圧差(基板電圧制御回路402の出力端の電位と基板電圧端子φSUBの電位との差)をΔV403とする。出力回路403としては、前述のように、バイポーラトランジスタ404を使用したエミッタフォロワ回路、ダイオード406を使用した回路、或いは、MOS型等のFETを使用したソースフォロワ回路とすることができる。基板電圧は安定していなければならないため基板制御回路402の出力をインピーダンス変換するエミッタフォロワ回路やソースフォロワ回路の出力回路を介すことが通常である。基板制御回路の出力インピーダンスが十分低い場合はダイオード406を使用できる。バイポーラトランジスタ404を使用した場合の電圧差ΔV403はバイポーラトランジスタ404のベース・エミッタ間電圧Vbeであり、ダイオード406を使用した場合の電圧差ΔV403はダイオード406の順方向降下電圧であり、MOS型等のFETを使用した場合の電圧差ΔV403はソースフォロワ回路による電圧差分となる。
 撮像装置1の保護装置400は、保護装置400Wに対して、クランプ回路410(第1クランプ回路410Xに対応)はダイオード414のアノード端の接続先を第3電位V3用の電源とするとともに、第2クランプ回路420Wを取り外している点に特徴がある。クランプ回路が1段構成であるし、結合回路430も存在しない。ダイオード414はトランジスタをダイオード接続とした構成であってもよい。このような保護装置400にあっては、第2クランプ回路420や結合回路430を使用しないので、部品点数の削減が図られている。シャッタ端子SUBと基板電圧端子φSUBとの電圧差を吸収(直流成分を除去)するための結合回路430の機能はコンデンサ412が果たす。コンデンサ412の容量値は例えば0.01マイクロファラッド(μF)であり、抵抗素子416の抵抗値は例えば1メガオーム(MΩ)である。尚、ダイオード414及び抵抗素子416は、明示的に固体撮像装置10の外部に配置しているが、これらを固体撮像装置10内に配置した構成であってもよい。本開示において、「電位点(第3電位V3の電位点)と電圧端子(例えば基板電圧端子φSUB)との間に接続されたダイオード」とは、明示的に固体撮像装置10外に示されたダイオード414に限らず、固体撮像装置10内に配置されたダイオードも含む。本開示において、「電圧端子(例えば基板電圧端子φSUB)と電位点(例えば基準電位VM)との間に接続された抵抗素子」とは、明示的に固体撮像装置10外に示された抵抗素子416に限らず、固体撮像装置10内に配置された抵抗素子も含む。前述の参考構成1~参考構成4の何れと比べても、コンデンサ412の容量値は小さくてよい。抵抗素子416は放電抵抗として機能する。
 尚、固体撮像装置10によっては、図中に破線で示すように、抵抗素子416と並列にコンデンサ418(容量値は例えば1000~4700ピコファラッド(pF)程度)を設けることもある。このコンデンサ418はいわゆるデカップリングキャパシタとして設けられており、例えば垂直転送クロックや水平転送クロック等の影響を受け難くする。撮像装置内での転送クロックと基板電圧端子φSUBの容量結合が大きかったりクロックの立上りや立下りが急峻である場合、デカップリングキャパシタが必要となる。
 ここで、第3電位V3としては、基準電位VMと第1電位VHとの間の電位であって、固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBの最大定格電圧と対応した所定電位に設定する。詳しくは、以下の条件を満たすものとする。先ず、基板電圧端子φSUBの定格電圧(好ましくは最大定格電圧)と対応した所定電位との関係にあっては、ダイオード414の順方向降下電圧の絶対値をVFとし、「基板電圧制御回路402+出力回路403」が基板電圧端子φSUBに出力する最小の電圧(好ましくは、この電圧はばらつきを含めた場合の最小値であるのがよい)をVLとすると、下限は「V3-VF>-VL」を満足し、上限は「V3-VF<基板電圧端子φSUBの最小値」を満足する第3電位V3を選定する(例えば1.8V系や3V系を使用する)。この条件を第3電位V3の定格電圧条件と記す。ばらつきを考慮した場合にもこの電圧条件を満たすことが好ましく、詳しくは、第3電位V3の最大値をV3max、ダイオード414の順方向降下電圧の絶対値の下限(ダイオード414における順方向降下電圧の最小値)をVFminとし、基板電圧端子φSUBの電位の絶対最大定格の絶対値の下限(基板電圧端子φSUBの最小電圧、つまり最小許容電圧)をVLminとすると、下限は「V3max-VFmin>-VLmin」を満足するのが好ましい。この条件を第3電位V3の最大許容条件と記す。
 尚、この最大許容条件は、ダイオード414の順方向降下電圧と基板電圧端子φSUBの定格電圧(許容電圧)の何れについても最小値をとって規定したが、何れか一方を定格値として規定してもよい。この場合、最大許容条件に比べると、ばらつき次第で通常動作に影響してしまう可能性がある。これは、基板電圧端子φSUBに接続されたダイオード414が通常動作時にオンしてしまう可能性があるためである。これに対して、前述の最大許容条件は、ダイオード414が順方向でオンしないための条件を表しており、ばらつき等があっても基板電圧端子φSUBに接続されたダイオード424が通常動作時にオンしてしまうことを回避することができる。その結果、ばらつき等に左右されず通常動作への影響を確実に防止することができるし、電源の起動時や遮断時等に固体撮像装置10を確実に破損や劣化から保護することができる。
 本実施形態の保護装置400にあっては、シャッタ端子SUBの出力(電子シャッタドライブパルスΦSHT)は第3電位V3でのクランプが行なわれた後に、固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに入力される。そのため、電源投入時にマイナス電圧からn型基板を保護できる。尚、このような保護機能の実現のためには、第1電位VHと第2電位VLと第3電位V3の電源起動時の立上げ(起動)順序は、図7に示す状態を満たすことが好ましい。即ち、第1電位VHや第2電位VLが立ち上がる(起動する)以前に第3電位V3が立ち上がっている(起動している)ことが好ましい。この条件を第3電位V3の起動条件と記す。
 更に好ましくは、第3電位V3が立ち上がった後の第1電位VHと第2電位VLの電源起動時の立上げ順序は、図7に示すように、第1電位VHが立ち上がった(起動した)後に第2電位VLが立ち上がる(起動する)ことが好ましい。これは、例えば、図3に示した状態と同じであればよいことを意味している。
 又、第1電位VHと第2電位VLと第3電位V3の電源遮断時の立下げ(遮断)順序は、図7に示す状態を満たすことが好ましい。即ち、第1電位VHや第2電位VLが立ち下がった(遮断した)後に第3電位V3が立ち下がる(遮断する)ことが好ましい。この条件を第3電位V3の停止条件と記す。
 更に好ましくは、第3電位V3が立ち下がる(遮断する)前の第1電位VHと第2電位VLの電源遮断時の立下げ順序は、図7に示すように、第2電位VLが立ち下がった(遮断した)後に第1電位VHが立ち下がる(遮断する)ことが好ましい。これは、例えば、図3に示した電源起動時とは逆の順に立ち下がればよいことを意味している。例えば、図3で示したように20パーセント(%)点での時間で規定する場合であれば、第2電位VLが20パーセント(%)点から立ち下がって停止する(ほぼ0パーセント(%)点に達する)までの期間をt3とし、第1電位VHが20パーセント(%)点から立ち下がって停止するまでの期間をt4とした場合、t3≧t4が満たされることが好ましい。
 つまり、電源起動時と電源遮断時の双方を考慮した場合、固体撮像装置10の第1電位VH(正電源)及び第2電位VL(負電源)よりも、電源投入時は先に立ち上がっており、且つ、電源遮断時には、固体撮像装置10の電源が立ち下がった後に立ち下がる第3電位V3を供給する電源が求められる。
 [動作]
 本実施形態の撮像装置1の保護装置400の動作について説明する。以下では、第3電位V3は、電圧値が最大許容条件(V3max>-VLmin+VFmin)を満たし、電源起動時には固体撮像装置10及び垂直ドライバ42Vの電源(第1電位VH、第2電位VL)が立ち上がる前に立ち上がるとともに、電源遮断時には固体撮像装置10及び垂直ドライバ42Vの電源が立ち下がった後に立ち下がる電源から供給されるものとする。
 〔電源起動時の保護動作〕
 先ず、電源起動時の動作について説明する。図7に示すように、固体撮像装置10及び垂直ドライバ42Vへの電源(第1電位VH用及び第2電位VL用)が立ち上がる前に、第3電位V3が立ち上げられる。第3電位V3が立ち上がると、ダイオード414に順方向降下電圧がかかりオンするので電流が流れ、その結果、固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBには、ダイオード414から抵抗素子416に流れる電流値に応じた電圧が発生する。
 次に、駆動電源46は、第1電位VH及び第2電位VLを立ち上げる。これらの電源を立ち上げたとき、第1電位VH用の正電源及び第2電位VL用の負電源の立上げタイミングやスルーレートによっては、垂直ドライバ42Vのシャッタ端子SUBからマイナスの電圧が固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに抜けてしまうことがある。ここで、本実施形態においては、保護装置400が備えられており、このようなマイナスの電圧が基板電圧端子φSUBに抜けた場合においても、基板電圧端子φSUBに接続したダイオード414が応答して電源起動時の保護機能が働くため、基板電圧端子φSUBがマイナスの電圧になることを防ぐことができる。第3電位V3の最大許容条件を満たすように第3電位V3を選定することにより、ダイオード414の順方向降下電圧や基板電圧端子φSUBの電位の絶対最大定格にばらつきがあっても確実に電源起動時の保護機能が働く。
 正電源の電源電圧(第1電位VH)が上昇するにつれて、基板電圧端子φSUBの出力電圧も上昇する。この電圧がダイオード414によってクランプされている電圧よりも大きくなった場合、ダイオード414はオフし、定常電流を流さなくなる。このことは、通常動作状態では、ダイオード414を介しての定常的な電流が発生しないことを意味する。本実施形態の保護装置400にあっては、参考構成2~参考構成4とは異なり、定常電流を必要としないので、保護装置400の消費電力を実質的(保護機能が働く分を除く)に0ミリワットにすることができる。
 〔通常動作〕
 次に、通常の動作について説明する。通常動作時、垂直ドライバ42Vのシャッタ端子SUBから出力された電子シャッタドライブパルスΦSHTの交流成分が固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに入力される。このとき、ダイオード414は常に逆バイアスがかかりオフしている。参考構成1のダイオード424や参考構成2~参考構成4のダイオード414のような特殊で高価なダイオードは必要でない。例えば、参考構成2~参考構成4では、順バイアスのダイオード414に、逆バイアスの交流信号が入力されるため、逆回復時間の速いダイオードを必要とするのと異なる。
 本実施形態の保護装置400にあっては、垂直ドライバ42Vと固体撮像装置10との間に設ける直流成分の除去機能をなす部材としてコンデンサ412のみを使用している。直流除去(直流カット)が1回で済むため、参考構成1~参考構成4よりもコンデンサ412の容量値を小さくすることができるし、例えばいわゆる0603サイズやそれ以下の超小型のセラミックコンデンサ等を選択することもできる。
 又、容量値を小さくできると、固体撮像装置10の基板電圧制御にかかる遷移時間も短縮される。これは、直流除去が1回(コンデンサ412のみによる)の場合の遷移時間が、コンデンサ412の容量値C412と抵抗素子416の抵抗値R416との積に比例するためである。例えば図示した定数の場合、固体撮像装置10の基板電圧制御にかかる遷移時間は2ミリ秒程にすることができる。
 この遷移時間の短縮を、参考構成2との対比で数値的に説明すると以下のようになる。参考構成2では、直流除去が2回(コンデンサ412及びコンデンサ422による)行なわれ、遷移時間は概ね、コンデンサ412の容量値C412と抵抗素子416の抵抗値R416との積(=0.1、時定数T1とする)に比例し前述のように25ミリ秒程度(T3とする)かかっていた。これに対して、本実施形態では、直流除去が1回(コンデンサ412のみによる)行なわれ、遷移時間は概ね、コンデンサ412の容量値C412と抵抗素子416の抵抗値R416との積(=0.01、時定数T2とする)に比例し前述のように2ミリ秒程度(T4とする)かかっていた。参考構成2のT1(=0.1)と本実施形態のT2(=0.01)との比はT1/T2=10であり、この値は参考構成2のT3(25ミリ秒)と本実施形態のT4(2ミリ秒)との比T3/T4=12.5と近似している。つまり、本実施形態の保護装置400によれば、参考構成2の時定数T1に対しての本実施形態の時定数T2の低減分だけ、遷移時間を短縮できる。
 本実施形態の保護装置400にあっては、コンデンサ412の両端にかかる電圧も抑制できる。これは、参考構成2~参考構成4では、ダイオード414のクランプ電位(例えば12.6V)にコンデンサ412を接続していたのに対し、本実施形態の保護装置400では、固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに直接に接続しているためである。この基板電圧端子φSUBの電圧は、固体撮像装置10やその動作モードにより異なるが、約5V~11Vの電圧である。そのため、参考構成2~参考構成4よりもコンデンサ412にかかる端子間電圧を抑制することができる。
 〔電源遮断時の動作〕
 次に、電源遮断時の動作について説明する。図7に示すように、第3電位V3が立ち下がる前に、駆動電源46は、固体撮像装置10及び垂直ドライバ42Vへの電源(第1電位VH用及び第2電位VL用)を立ち下げる。電源電圧(第1電位VH及び第2電位VL)が下降して、基板電圧端子φSUBが、第3電位V3-ダイオード414の順方向降下電圧VF以下になると、ダイオード414が順方向動作するようになるので電流が流れる。その結果、固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBには、ダイオード414から抵抗素子416に流れる電流値に応じた電圧が発生するので、基板電圧端子φSUBは一定の電圧にクランプされる。
 この正電源(第1電位VH用)及び負電源(第2電位VL用)の立下げ時においても、立上げ時同様に、その立下げタイミングやスルーレートによっては、垂直ドライバ42Vのシャッタ端子SUBからマイナスの電圧が固体撮像装置10の基板電圧端子φSUBに抜けることがある。ここで、本実施形態においては、保護装置400が備えられており、このようなマイナスの電圧が基板電圧端子φSUBに抜けた場合においても、基板電圧端子φSUBに接続したダイオード414が応答して電源遮断時の保護機能が働くため、基板電圧端子φSUBがマイナスの電圧になることを防ぐことができる。第3電位V3の最大許容条件を満たすように第3電位V3を選定することにより、ダイオード414の順方向降下電圧や基板電圧端子φSUBの電位の絶対最大定格にばらつきがあっても確実に電源遮断時の保護機能が働く。
 正電源(第1電位VH用)及び負電源(第2電位VL用)が立ち下がった後に第3電位V3が立ち下げられる。これにより、ダイオード414は、オフし保護機能を停止する。
 [作用効果の纏め]
 以上のように、本実施形態の保護装置400によれば、部品数が少なく簡単な構成によって、電源の起動時や遮断時に、CCD等の固体撮像装置10の半導体基板に異常電圧(具体的には基準電位VMに対して第2の方向(マイナス方向)の電圧)が印加されることを防止することができる。本実施形態の保護装置400は、垂直ドライバ42Vと固体撮像装置10との間の直流除去を行なう部材としてコンデンサ412のみを使用しているので、直流成分の除去が1回で済む。このため、コンデンサ412の容量値を小さくできるし、より小さな部品(例えば0603サイズの超小型のセラミックコンデンサ等)を選択できるし、更には、固体撮像装置10の基板電圧制御にかかる遷移時間を短縮できる。更には、本実施形態の保護装置400によれば、コンデンサ412の両端電圧を抑制することができるため、コンデンサ412におけるDCバイアス依存性の影響も受け難いし、定常電流も必要としないので特別なダイオードを必要としない。
 図8は、実施例1の撮像装置1A及び保護装置400Aを説明する図(回路構成図)である。実施例1(後述する他の実施例も同様)は、第3電位V3用の電源として水平ドライバ42Hに供給されている電源を利用する点に特徴がある。後述する他の実施例との相違点として、基板電圧制御回路402及び出力回路403は、固体撮像装置10に備えられている。基板電圧制御回路402をデバイス内部に有する基板電圧制御回路内部生成型としている。
 実施例1の撮像装置1Aは、固体撮像装置10、タイミング信号生成部40、ドライバ42(パルス駆動部)、駆動電源46、及び、保護装置400A(前述した本実施形態の保護装置400)を備える。前述のように、保護装置400Aは、ドライバ42と固体撮像装置10との間に配置される。
 固体撮像装置10としては、例えば、センサ部の配列(垂直方向の配列)の間に垂直電荷転送部が配列されたインターライン方式のCCD型の固体撮像装置(IT-CCD)をv相(例えば4相)で駆動するものである。CCD型の固体撮像装置10は、半導体基板上に、画素(ユニットセル)に対応して受光素子の一例であるフォトダイオード等からなるセンサ部11(感光部;フォトセル)が多数、垂直(列)方向及び水平(行)方向において2次元マトリクス状に配列されている撮像エリア14(撮像部)を備える。撮像エリア14には、センサ部11の垂直列ごとにv相駆動に対応する複数本の垂直転送電極が設けられる垂直転送部13(垂直CCD、Vレジスタ部、或いは垂直電荷転送部とも称される)が配列されている。各垂直転送電極は、1つのセンサ部11に幾つか(例えば2つ)の垂直転送電極が対応するように形成され、垂直転送クロックに基づくドライバ42から供給されるv種類の垂直ドライブパルスΦV(ΦV_1~ΦV_v)で電荷を垂直方向に転送駆動するように構成されている。電荷の転送方向は図中縦(列)方向であり、この方向に垂直転送部13が設けられ、この方向に直交する方向(水平方向、行方向)に垂直転送電極が複数本並べられる。
 固体撮像装置10には、複数本の垂直転送部13の各転送先側端部である最後の行の垂直転送部13に隣接して、電荷の主たる転送方向(図の右から左の方向)に複数の水平転送レジスタ212が延在する水平転送部15が設けられている。図示した例では、水平転送レジスタ212は、撮像エリア14(素子部)を超える領域まで配設されている。水平転送部15は、複数の水平転送レジスタ212が転送方向に配列された水平転送路210(水平CCD、Hレジスタ部、或いは水平電荷転送部とも称される)を備える。場合によっては、水平転送路210の垂直転送部13(撮像エリア14)とは反対側に余剰電荷掃捨部が設けられることもある。水平転送路210は1ライン分に限らず複数ライン分設けてもよいが、その場合、余剰電荷掃捨部は水平転送路210の数に適合するように配置される。
 水平転送路210は、例えばh相(例えば2相或いは4相)の水平転送クロックに基づく水平ドライブパルスΦH(ΦH_1~ΦH_h)によって転送駆動され、複数本の垂直転送部13から移された1ライン分の電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間において順次水平方向に転送する。このためh相駆動に対応する複数本(例えば2本)の水平転送電極が設けられる。尚、転送方向の端部である最終段の水平転送レジスタ212を最終段水平転送レジスタ214(LHreg)と記す。
 水平転送部15の転送先の端部(最終段水平転送レジスタ214)には、水平転送部15により水平転送された電荷を電気信号に変換してアナログの撮像信号として出力する電荷・電気信号変換部16(CCDの出力回路(出力部))が設けられている。電荷・電気信号変換部16には駆動電源46から専用の電源が供給されている。電荷・電気信号変換部16の最終段水平転送レジスタ214との接続箇所を電荷入力部17と称する。電荷・電気信号変換部16は、電荷入力部17の電荷量に応じた電気信号の変動を検出できればよく、種々の構成を採り得る。例えば、寄生容量を持った拡散層であるフローティングディフュージョン(Floating Diffusion:FD部)を電荷入力部17(この例では電荷蓄積部)に利用したフローティングディフュージョンアンプ(FDA;Floating Diffusion Amp)構成の増幅回路が典型的に使用される。例えば、最終段水平転送レジスタ214の電荷・電気信号変換部16側には水平出力ゲート230(HOG:Hreg Output Gate)が配置され、電荷・電気信号変換部16と水平出力ゲート230との接続箇所にはフローティングディフージョン部が配置される。フローティングディフージョン部は電荷・電気信号変換部16を成すトランジスタのゲートに接続される。電荷・電気信号変換部16は、水平転送部15から順に注入される電荷を図示しないフローティングディフュージョンに蓄積し、蓄積した電荷を信号電圧に変換して、例えば図示しないソースフォロア構成の出力回路を介して、撮像信号Vo(CCD出力信号)として出力する。電荷・電気信号変換部16の出力段のソースフォロアは、十分な駆動能力が無い。このため、ソースフォロワで増幅したCCD出力信号が劣化しないように、電荷・電気信号変換部16から出力された撮像信号Voは先ず、バッファ部60に入力され、バッファ部60を介してアナログフロントエンドAFEの信号処理部に送られる。但し、これに限らず、電荷入力部17にフローティングゲートを利用した構成等、電荷・電気信号変換機能を持つ限り、種々の構成を採り得る。
 タイミング信号生成部40は、固体撮像装置10を駆動するための種々のパルス信号(“L”レベルと“H”レベルの2値)を生成してドライバ42に供給する。ドライバ42は、タイミング信号生成部40から供給された種々の駆動クロック(駆動パルス)を所定レベルのドライブパルスにして固体撮像装置10に供給する。例えば、タイミング信号生成部40は、水平同期信号(HD)や垂直同期信号(VD)に基づいて、固体撮像装置10のセンサ部11に蓄積された電荷を読み出すための読出パルスVRG、読み出した電荷を垂直方向に転送駆動し水平転送部15に渡すための垂直転送クロックV1~垂直転送クロックVv(vは駆動時の相数を示す;例えば4相駆動時にはV4)等の垂直転送系の駆動クロックを生成する。固体撮像装置10は、電子シャッタに対応するものであり、タイミング信号生成部40は、電子シャッタパルスSHTも垂直転送系のドライバ42に供給する。タイミング信号生成部40は更に、垂直転送部13から渡された電荷を水平方向に転送駆動し電荷・電気信号変換部16に渡すための水平転送クロックH1~水平転送クロックHh(hは駆動時の相数を示す;例えば2相駆動時にはH2)、最終段水平転送レジスタ214(LHreg)を駆動する水平転送クロックLH、水平出力ゲート230(HOG)を駆動する出力クロックHRG(リセットパルス)等の水平転送系の駆動クロックを生成する。
 ドライバ42は、タイミング信号生成部40から供給された種々のクロックパルスを所定レベルの電圧信号(ドライブパルス)に変換し、或いは別の信号に変換し固体撮像装置10に供給する。例えば、ドライバ42は、レベルシフト部42LS、垂直転送部13を駆動する垂直ドライバ42V、水平転送部15を駆動する水平ドライバ42H、水平出力ゲート230(HOG)を駆動する水平出力ドライバ42HRG(水平リセットゲートドライバ、RGドライバ)、及び、最終段水平転送レジスタ214(LHreg)を駆動する水平最終段ドライバ42LH(LHドライバ)を有する。水平ドライバ42H、水平最終段ドライバ42LH、水平出力ドライバ42HRGは何れも水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部の一例である。レベルシフト部42LSには、タイミング信号生成部40から各種の駆動クロックが供給される。レベルシフト部42LSは、この駆動クロックのローレベルやハイレベルを所要レベルに変換して垂直ドライバ42V、水平ドライバ42H、水平出力ドライバ42HRG、及び、水平最終段ドライバ42LHに供給する。
 レベルシフト部42LS、垂直ドライバ42V、水平ドライバ42H、水平出力ドライバ42HRG、及び、水平最終段ドライバ42LHのそれぞれには、それぞれに適した電圧値の電源が供給される。例えば、駆動電源46からは、第1電位VHと第2電位VLとが電源電圧として固体撮像装置10や垂直ドライバ42V等に供給されるともに、水平ドライバ電源電位VHDが水平ドライバ42H用の電源電圧として供給される。そして、実施例1の特徴点として、保護装置400Aのダイオード414のアノード端の接続先を水平ドライバ42Hの電源端としている。これにより、第3電位V3は水平ドライバ電源電位VHDと一致する。
 ここで、水平ドライバ電源電位VHD(=第3電位V3)は、第3電位V3の定格電圧条件「V3=VHD>-VL+VF」或いは最大許容条件(V3max=VHDmax>-VLmin+VFmin)を満たし、電源起動時には固体撮像装置10及び垂直ドライバ42Vの電源(第1電位VH、第2電位VL)が立ち上がる前に立ち上がるとともに、電源遮断時には固体撮像装置10及び垂直ドライバ42Vの電源が立ち下がった後に立ち下がる。これにより、素子保護の基本原理において説明したように、保護装置400A(特にダイオード414)による電源起動時の保護機能や電源遮断時の保護機能が働くため、電源起動時や電源遮断時にマイナスの電圧が基板電圧端子φSUBに抜けた場合においても、基板電圧端子φSUBがマイナスの電圧になることを防ぐことができる。
 図9は、実施例2の撮像装置1B及び保護装置400Bを説明する図(回路構成図)である。実施例2は、実施例1に対して、基板電圧制御回路402及び出力回路403を固体撮像装置10ではなくドライバ42内に実装するように変更したものである。固体撮像装置10の外部に設けられた基板電圧制御回路402から基板電圧を供給される外部生成型の一例である。保護装置400Bは保護装置400Aと同様である。
 実施例2においても、保護装置400Bのダイオード414のアノード端の接続先を水平ドライバ42Hの電源端とする。水平ドライバ電源電位VHD(=第3電位V3)は、実施例1と同様に、第3電位V3の定格電圧条件或いは最大許容条件を満たし、又、電源起動時の立上り順序や電源遮断時の立下り順序も実施例1と同様である。これにより、実施例2においても、保護装置400B(特にダイオード414)による電源起動時の保護機能や電源遮断時の保護機能が働くため、電源起動時や電源遮断時にマイナスの電圧が基板電圧端子φSUBに抜けた場合においても、基板電圧端子φSUBがマイナスの電圧になることを防ぐことができる。
 図10は、実施例3の撮像装置1C及び保護装置400Cを説明する図(回路構成図)である。実施例3は、実施例1に対して、基板電圧制御回路402及び出力回路403を固体撮像装置10やドライバ42ではなく、それらの外部に配置するように変更したものである。固体撮像装置10の外部に設けられた基板電圧制御回路402から基板電圧を供給される外部生成型の他の例である。保護装置400Cは保護装置400Aと同様である。
 実施例3においても、保護装置400Cのダイオード414のアノード端の接続先を水平ドライバ42Hの電源端とする。水平ドライバ電源電位VHD(=第3電位V3)は、実施例1と同様に、第3電位V3の定格電圧条件或いは最大許容条件を満たし、又、電源起動時の立上り順序や電源遮断時の立下り順序も実施例1と同様である。これにより、実施例3においても、保護装置400C(特にダイオード414)による電源起動時の保護機能や電源遮断時の保護機能が働くため、電源起動時や電源遮断時にマイナスの電圧が基板電圧端子φSUBに抜けた場合においても、基板電圧端子φSUBがマイナスの電圧になることを防ぐことができる。
 [実施例1~実施例3の変形例]
 実施例1~実施例3では、保護装置400のダイオード414のアノード端の接続先を水平ドライバ42Hの電源端とすることにより、水平ドライバ42H用の電源を第3電位V3用の電源に利用していたが、第3電位V3用の電源に利用できるのは、水平ドライバ42H用の電源には限らない。例えば、同じくドライバ42内に実装されているレベルシフト部42LS、水平出力ドライバ42HRG、或いは、水平最終段ドライバ42LH等の垂直ドライバ42Vを除く機能部用の電源を利用してもよい。或いは、図11に示すように、固体撮像装置10の出力回路として機能する電荷・電気信号変換部16用の電源を利用してもよい。何れの変形例も、保護装置400の近傍に配置されるドライバ42或いは固体撮像装置10用の電源を利用するので配線の引き回しの不都合はない。尚、図11は実施例1の構成に対する変形例で示しているが、実施例2及び実施例3に対しても同様の変形を適用できる。又、これらの各電源を任意に選択可能に構成してもよい。この場合、実態に合わせて最適な電源を選択して第3電位V3用の電源として利用することができる。ドライバ42内の各電源を切替使用する構成にすることは簡単に実現できる。
 これらの変形例においても、各機能部用の電源電位は、実施例1と同様に、第3電位V3の定格電圧条件或いは最大許容条件を満たし、又、電源起動時の立上り順序や電源遮断時の立下り順序も実施例1と同様とすることができる。これにより、当該変形例においても、保護装置400(特にダイオード414)による電源起動時の保護機能や電源遮断時の保護機能が働くため、電源起動時や電源遮断時にマイナスの電圧が基板電圧端子φSUBに抜けた場合においても、基板電圧端子φSUBがマイナスの電圧になることを防ぐことができる。
 実施例4は、実施例1~実施例3に対して、第3電位V3用の電源としてドライバ42の各機能部(垂直ドライバ42Vは除く)や固体撮像装置10の電荷・電気信号変換部16に供給されている電源を利用するのではなく、これら以外の機能部に供給されている電源を利用する点に特徴がある。
 例えば、撮像装置1を構成する場合に、固体撮像装置10とアナログフロントエンドAFEと駆動制御部、その他の周辺回路を1パッケージに収容して撮像装置モジュールとして提供することがある。撮像装置モジュールから固体撮像装置10を除いたアナログフロントエンドAFEと駆動制御部とを纏めてCCDカメラフロントエンド(広義のアナログフロントエンド)と記す。又、この撮像装置モジュールと光学系(撮像レンズを主要部とする)と本体ユニットとにより撮像装置1の全体を構成することもある。本体ユニットは、撮像装置モジュールにより得られる撮像信号に基づいて映像信号を生成しモニター出力したり所定の記憶メディアに画像を格納したりする機能部分を有する。
 このような場合に、第3電位V3用の電源としては、以下のようなものが選択候補となり得る。もちろん、前述した第3電位V3用の条件(定格電圧条件又は最大許容条件、好ましくは起動条件や停止条件も)を満たす限りである。下記に一例を記す。尚、以下に述べる各電源を任意に選択可能に構成してもよい。この場合、実態に合わせて最適な電源を選択して第3電位V3用の電源として利用することができる。
 先ず、CCDカメラフロントエンドで使用している電源が候補であり、例えば、タイミングパルス発生回路、CDS回路(相関二重サンプリング)、OB(Optical Black)クランプ回路、AD変換回路、キャリブレーション回路、DLL回路、PLL回路、入出力(IO、INPUT/OUTPUT)回路、高速インターフェース回路、CMOS出力回路、LVDS出力回路等で使用される電源を使用し得る。或いは、DSP、FPGA、CPU、メモリ(揮発性メモリ、SDRAM、不揮発性メモリ、フラッシュメモリ)等で使用される電源を使用し得る。更には、インターフェース部が使用している電源が候補であり、例えば、USB、HDMI、RGB出力、ビデオ出力、PCI Express(登録商標)、PCI、AGP、RS-232C、ISA、IDE、SATA等のインタフェース用電源を使用し得る。乾電池、ボタン電池、或いは、リチウムイオン電池等の電池から供給されている電源を使用し得る。電源用ICが使用している電源も候補であり、例えば、DCDCコンバータやACDCコンバータで使用される電源を使用し得る。表示部(ディスプレイ)が使用している電源も候補であり、例えば、液晶、有機EL、ブラウン管、タッチパネル等で使用される電源を使用し得る。
 又、発振子や発振器が使用している電源、通信(無線であるのか有線であるのかは不問)用の電源、ストロボ、LED、或いは、ボタン操作等に使用されるドライバ用の電源も使用し得る。データ記憶部(ストレージ)が使用している電源も候補であり、例えば、ハードディスク装置、SSD、フレキシブルディスク、CD(コンパクトディスク)、DVD、Blu-ray、MO、HD-DVD等で使用される電源を使用し得る。更には、レンズ制御用の電源や、GPS、加速度センサ、或いは、温度センサ等の各種のセンサ用の電源も使用し得る。
 以上、本明細書で開示する技術について実施形態を用いて説明したが、請求項の記載内容の技術的範囲は前記実施形態に記載の範囲には限定されない。本明細書で開示する技術の要旨を逸脱しない範囲で前記実施形態に多様な変更または改良を加えることができ、そのような変更または改良を加えた形態も本明細書で開示する技術の技術的範囲に含まれる。前記の実施形態は、請求項に係る技術を限定するものではなく、実施形態の中で説明されている特徴の組合せの全てが、本明細書で開示する技術が対象とする課題の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施形態には種々の段階の技術が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組合せにより種々の技術を抽出できる。実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、本明細書で開示する技術が対象とする課題と対応した効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成も、本明細書で開示する技術として抽出され得る。
 例えば、前記実施形態の記載を踏まえれば、請求の範囲に記載の請求項に係る技術は一例であり、例えば、以下の技術が抽出される。以下列記する。
[付記1]
 第1極性の半導体に電圧のパルスが印加される固体撮像装置と、
 固体撮像装置の駆動パルスを出力するパルス駆動部と、
 パルス駆動部と固体撮像装置との間に配置されている保護部、
とを備え、
 保護部は、パルス駆動部の出力端と固体撮像装置の電圧端子との間に接続されたコンデンサ、電位点と電圧端子との間に接続されたダイオード、及び、電圧端子と電位点との間に接続された抵抗素子を有し、
 ダイオードのアノード端が、電圧端子の電位が印加される電位点に接続されており、
 固体撮像装置への電源起動時には、その電源起動よりも前に電位点の電位が起動する撮像装置。
[付記2]
 電位点には、電圧端子の最大定格電圧と対応している電位が印加される付記1に記載の撮像装置。
[付記3]
 電位点には、電圧端子の定格電圧とダイオードの順方向降下電圧との和を下回る電位が印加される付記1又は付記2に記載の撮像装置。
[付記4]
 電位点には、電圧端子の最小許容電圧とダイオードの順方向降下電圧との和を下回る電位が印加される付記3に記載の撮像装置。
[付記5]
 電位点には、電圧端子の定格電圧とダイオードの順方向降下電圧の最小値との和を下回る電位が印加される付記1乃至付記4の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記6]
 電位点には、電圧端子の最小許容電圧とダイオードの順方向降下電圧の最小値との和を下回る電位が印加される付記5に記載の撮像装置。
[付記7]
 パルス駆動部は、垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部と、水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部とを有し、
 垂直パルス駆動部と固体撮像装置への電源起動時には、その電源の起動よりも前に電位点の電位が起動する付記1乃至付記6の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記8]
 固体撮像装置用の電源として、第1極性と対応する電位であって基準電位に対して第1の方向の第1電位及び基準電位に対して第1の方向とは逆の第2の方向の第2電位を出力するものが使用され、
 電源起動時には、第1電位が起動した後に第2電位が起動する付記1乃至付記7の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記9]
 固体撮像装置への電源遮断時には、その電源が遮断した後に電位点の電位が遮断する付記1乃至付記8の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記10]
 固体撮像装置用の電源として、第1極性と対応する電位であって基準電位に対して第1の方向の第1電位及び基準電位に対して第1の方向とは逆の第2の方向の第2電位を出力するものが使用され、
 電源遮断時には、第2電位が遮断した後に第1電位が遮断する付記9に記載の撮像装置。
[付記11]
 パルス駆動部は、垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部と、水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部とを有し、
 電位点は、水平パルス駆動部用の電源と接続されている付記1乃至付記10の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記12]
 固体撮像装置は、撮像信号を出力する出力部を有し、
 電位点は、出力部用の電源と接続されている付記1乃至付記10の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記13]
 電位点は、固体撮像装置用及びパルス駆動部用以外の機能部用の電源と接続されている付記1乃至付記10の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記14]
 電圧端子に所定電位を印加する基板電圧制御回路を備え、
 基板電圧制御回路は、固体撮像装置内に実装されている付記1乃至付記13の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記15]
 電圧端子に所定電位を印加する基板電圧制御回路を備え、
 基板電圧制御回路は、パルス駆動部内に実装されている付記1乃至付記13の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記16]
 電圧端子に所定電位を印加する基板電圧制御回路を備え、
 基板電圧制御回路は、固体撮像装置及びパルス駆動部の外部に配置されている付記1乃至付記13の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記17]
 保護部は、抵抗素子と並列接続されたコンデンサを有する付記1乃至付記16の何れか1項に記載の撮像装置。
[付記18]
 第1極性の半導体に電圧のパルスが印加される固体撮像装置を保護する保護装置であって、
 固体撮像装置の駆動パルスを出力するパルス駆動部と固体撮像装置との間に配置されており、
 パルス駆動部の出力端と固体撮像装置の電圧端子との間に接続されたコンデンサ、電位点と電圧端子との間に接続されたダイオード、及び、電圧端子と電位点との間に接続された抵抗素子を有し、
 ダイオードのアノード端が、電圧端子の電位が印加される電位点に接続されており、
 固体撮像装置への電源起動時には、その電源起動よりも前に電位点の電位が起動する固体撮像装置の保護装置。
[付記19]
 パルス駆動部は、垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部と、水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部とを有し、
 垂直パルス駆動部と固体撮像装置への電源起動時には、その電源の起動よりも前に電位点の電位が起動する付記18に記載の保護装置。
[付記20] 固体撮像装置への電源遮断時には、その電源が遮断した後に電位点の電位が遮断する付記18又は付記19に記載の保護装置。
 1…撮像装置、10…固体撮像装置、11…センサ部、13…垂直転送部(垂直CCD)、14…撮像エリア、15…水平転送部(水平CCD)、16…電荷・電気信号変換部、40…タイミング信号生成部、42…ドライバ、42H…水平ドライバ、42LH…水平最終段ドライバ、42HRG…水平出力ドライバ、42V…垂直ドライバ、46…駆動電源、60…バッファ部、210…水平転送路、212…水平転送レジスタ、214…最終段水平転送レジスタ、230…水平出力ゲート、400…保護装置(保護部)、410…クランプ回路、412…コンデンサ、414…ダイオード、416…抵抗素子、418…コンデンサ

Claims (20)

  1.  第1極性の半導体に電圧のパルスが印加される固体撮像装置と、
     固体撮像装置の駆動パルスを出力するパルス駆動部と、
     パルス駆動部と固体撮像装置との間に配置されている保護部、
    とを備え、
     保護部は、パルス駆動部の出力端と固体撮像装置の電圧端子との間に接続されたコンデンサ、電位点と電圧端子との間に接続されたダイオード、及び、電圧端子と電位点との間に接続された抵抗素子を有し、
     ダイオードのアノード端が、電圧端子の電位が印加される電位点に接続されており、
     固体撮像装置への電源起動時には、その電源起動よりも前に電位点の電位が起動する撮像装置。
  2.  電位点には、電圧端子の最大定格電圧と対応している電位が印加される請求項1に記載の撮像装置。
  3.  電位点には、電圧端子の定格電圧とダイオードの順方向降下電圧との和を下回る電位が印加される請求項1に記載の撮像装置。
  4.  電位点には、電圧端子の最小許容電圧とダイオードの順方向降下電圧との和を下回る電位が印加される請求項3に記載の撮像装置。
  5.  電位点には、電圧端子の定格電圧とダイオードの順方向降下電圧の最小値との和を下回る電位が印加される請求項1に記載の撮像装置。
  6.  電位点には、電圧端子の最小許容電圧とダイオードの順方向降下電圧の最小値との和を下回る電位が印加される請求項5に記載の撮像装置。
  7.  パルス駆動部は、垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部と、水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部とを有し、
     垂直パルス駆動部と固体撮像装置への電源起動時には、その電源の起動よりも前に電位点の電位が起動する請求項1に記載の撮像装置。
  8.  固体撮像装置用の電源として、第1極性と対応する電位であって基準電位に対して第1の方向の第1電位及び基準電位に対して第1の方向とは逆の第2の方向の第2電位を出力するものが使用され、
     電源起動時には、第1電位が起動した後に第2電位が起動する請求項1に記載の撮像装置。
  9.  固体撮像装置への電源遮断時には、その電源が遮断した後に電位点の電位が遮断する請求項1に記載の撮像装置。
  10.  固体撮像装置用の電源として、第1極性と対応する電位であって基準電位に対して第1の方向の第1電位及び基準電位に対して第1の方向とは逆の第2の方向の第2電位を出力するものが使用され、
     電源遮断時には、第2電位が遮断した後に第1電位が遮断する請求項9に記載の撮像装置。
  11.  パルス駆動部は、垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部と、水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部とを有し、
     電位点は、水平パルス駆動部用の電源と接続されている請求項1に記載の撮像装置。
  12.  固体撮像装置は、撮像信号を出力する出力部を有し、
     電位点は、出力部用の電源と接続されている請求項1に記載の撮像装置。
  13.  電位点は、固体撮像装置用及びパルス駆動部用以外の機能部用の電源と接続されている請求項1に記載の撮像装置。
  14.  電圧端子に所定電位を印加する基板電圧制御回路を備え、
     基板電圧制御回路は、固体撮像装置内に実装されている請求項1に記載の撮像装置。
  15.  電圧端子に所定電位を印加する基板電圧制御回路を備え、
     基板電圧制御回路は、パルス駆動部内に実装されている請求項1に記載の撮像装置。
  16.  電圧端子に所定電位を印加する基板電圧制御回路を備え、
     基板電圧制御回路は、固体撮像装置及びパルス駆動部の外部に配置されている請求項1に記載の撮像装置。
  17.  保護部は、抵抗素子と並列接続されたコンデンサを有する請求項1に記載の撮像装置。
  18.  第1極性の半導体に電圧のパルスが印加される固体撮像装置を保護する保護装置であって、
     固体撮像装置の駆動パルスを出力するパルス駆動部と固体撮像装置との間に配置されており、
     パルス駆動部の出力端と固体撮像装置の電圧端子との間に接続されたコンデンサ、電位点と電圧端子との間に接続されたダイオード、及び、電圧端子と電位点との間に接続された抵抗素子を有し、
     ダイオードのアノード端が、電圧端子の電位が印加される電位点に接続されており、
     固体撮像装置への電源起動時には、その電源起動よりも前に電位点の電位が起動する固体撮像装置の保護装置。
  19.  パルス駆動部は、垂直転送系の駆動パルスを出力する垂直パルス駆動部と、水平転送系の駆動パルスを出力する水平パルス駆動部とを有し、
     垂直パルス駆動部と固体撮像装置への電源起動時には、その電源の起動よりも前に電位点の電位が起動する請求項18に記載の保護装置。
  20.  固体撮像装置への電源遮断時には、その電源が遮断した後に電位点の電位が遮断する請求項18に記載の保護装置。
PCT/JP2012/066649 2011-07-08 2012-06-29 撮像装置及び固体撮像装置の保護装置 WO2013008644A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201280032549.8A CN103636193B (zh) 2011-07-08 2012-06-29 成像装置和固态成像装置的保护装置
US14/124,295 US9113099B2 (en) 2011-07-08 2012-06-29 Imaging device and protection device of solid-state imaging device
KR1020137034255A KR101966473B1 (ko) 2011-07-08 2012-06-29 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 보호 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011152129A JP2013021454A (ja) 2011-07-08 2011-07-08 撮像装置及び固体撮像装置の保護装置
JP2011-152129 2011-07-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013008644A1 true WO2013008644A1 (ja) 2013-01-17

Family

ID=47505940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/066649 WO2013008644A1 (ja) 2011-07-08 2012-06-29 撮像装置及び固体撮像装置の保護装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9113099B2 (ja)
JP (1) JP2013021454A (ja)
KR (1) KR101966473B1 (ja)
CN (1) CN103636193B (ja)
TW (1) TWI524765B (ja)
WO (1) WO2013008644A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9385158B2 (en) * 2013-08-07 2016-07-05 Pixart Imaging Inc. Bipolar junction transistor pixel circuit, driving method thereof, and image sensor
KR102277900B1 (ko) 2014-11-13 2021-07-15 삼성전자주식회사 3차원 이미지 센서 모듈을 포함하는 전자 장치
CN108737704A (zh) * 2018-06-05 2018-11-02 武汉理工大学 Ccd相机磨粒图像采集系统及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07284026A (ja) * 1994-04-11 1995-10-27 Sony Corp 固体撮像装置
JP2005123712A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置の垂直転送駆動装置
JP2007060453A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Fujifilm Corp Ccd駆動回路
JP2009239433A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Panasonic Corp 固体撮像装置の駆動方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3332800B2 (ja) 1997-05-27 2002-10-07 三洋電機株式会社 Ccdカメラ
JP3367930B2 (ja) * 2000-02-28 2003-01-20 日本特殊陶業株式会社 制御システム
US6570370B2 (en) * 2001-08-21 2003-05-27 Raven Technology, Llc Apparatus for automatic tuning and control of series resonant circuits
EP1513377A1 (en) * 2002-06-07 2005-03-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrodeless light bulb type fluorescent lamp and discharge lamp lighting device
JP4814546B2 (ja) * 2005-05-19 2011-11-16 パナソニック株式会社 異常検出装置および映像システム
JP4742828B2 (ja) * 2005-11-18 2011-08-10 日産自動車株式会社 電圧駆動型スイッチング回路
EP1979598B1 (de) * 2006-01-24 2011-03-23 Continental Automotive GmbH Vorrichtung zum schalten induktiver kraftstoff-einspritzventile
JP5218269B2 (ja) * 2009-05-13 2013-06-26 ソニー株式会社 表示装置および駆動制御方法
JP5501851B2 (ja) * 2010-05-12 2014-05-28 Tone株式会社 位相制御装置
JP5505286B2 (ja) * 2010-12-03 2014-05-28 富士通株式会社 差動増幅回路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07284026A (ja) * 1994-04-11 1995-10-27 Sony Corp 固体撮像装置
JP2005123712A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置の垂直転送駆動装置
JP2007060453A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Fujifilm Corp Ccd駆動回路
JP2009239433A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Panasonic Corp 固体撮像装置の駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9113099B2 (en) 2015-08-18
CN103636193A (zh) 2014-03-12
TW201304533A (zh) 2013-01-16
JP2013021454A (ja) 2013-01-31
US20140118594A1 (en) 2014-05-01
KR101966473B1 (ko) 2019-04-05
TWI524765B (zh) 2016-03-01
CN103636193B (zh) 2017-06-09
KR20140034856A (ko) 2014-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI599226B (zh) 固態影像擷取裝置,用於一固態影像擷取裝置之信號處理方法及電子裝置
US9635298B2 (en) Comparator circuit, imaging apparatus using the same, and method of controlling comparator circuit
US8035713B2 (en) Driving circuit, driving method, solid imaging device, and electronic apparatus
US9123620B2 (en) Solid-state image capture device, drive method therefor, and electronic apparatus
US9769406B2 (en) Solid-state image pickup device, driving method thereof, and electronic apparatus
US20140078624A1 (en) Semiconductor integrated circuit with esd protection circuit
US20130235240A1 (en) Imaging device, imaging system, and driving method of imaging device
WO2013008644A1 (ja) 撮像装置及び固体撮像装置の保護装置
US20150264288A1 (en) Solid-state imaging device
US20060001752A1 (en) CMOS image sensor for reducing kTC noise, reset transistor control circuit used in the image sensor and voltage switch circuit used in the control circuit
US20160142661A1 (en) Solid-state imaging device and camera
US9241119B2 (en) Image pickup apparatus, method of driving image pickup apparatus, and image pickup system
JP2003234961A (ja) 固体撮像素子
JP2012253544A (ja) 固体撮像装置
WO2008007726A1 (fr) Appareil de capture d'image à semi-conducteur
JP2006129127A (ja) 電圧供給回路及びそれを用いた固体撮像装置
JP2005244355A (ja) 固体撮像装置およびカメラ
JP2008118435A (ja) 固体撮像素子及びその出力回路
JP4338623B2 (ja) 固体撮像モジュール
JP2013229712A (ja) 電源装置、固体撮像装置、及び、電子機器
US8139135B2 (en) Imaging apparatus and semiconductor device
JP2005252044A (ja) 半導体集積回路の寄生トランジスタ発生防止装置、及び半導体集積回路の寄生トランジスタ発生防止方法
JP2010063056A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
WO2009128194A1 (ja) 固体撮像装置、撮像システム、及び固体撮像装置の駆動方法
JP2016208460A (ja) 昇圧回路および固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12811854

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137034255

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14124295

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12811854

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1