JP2010063056A - 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 Download PDF

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Abstract

【課題】露光期間中(一部の期間を含む)にリセットゲート部のリセット状態を長くすることで、露光期間中のホットキャリアを低減できるようにする。
【解決手段】バイアス発生回路をPMOSトランジスタのソースフォロワ回路を用いた構成とし、露光期間中または露光期間の一部の期間でリセットクロックφRGのリセットゲート部への印加を停止することで、リセットゲート部をリセット状態にし、露光期間中のホットキャリアを低減する。
【選択図】図5

Description

本発明は、固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置に関し、特にCCD(Charge Coupled Device)固体撮像装置等の電荷転送型固体撮像装置、当該固体撮像装置の駆動方法および当該固体撮像装置を用いた撮像装置に関する。
電荷転送型固体撮像装置、例えばCCD固体撮像装置は、画素が例えば行列状に2次元配置され、これら各画素で光電変換された信号電荷を垂直・水平転送した後電気信号に変換し、バッファとしての機能を持つ出力回路を通して導出する構成となっている。出力回路は、一般に、駆動用MOSトランジスタと負荷用MOSトランジスタとを含む多段のソースフォロワ回路を用いて構成される。
出力回路には、多画素化に伴って駆動周波数の向上が求められている。そして、出力回路では、当該回路内を流れる電流値を増加させるなどによって駆動周波数の向上を実現している。しかし、回路内を流れる電流値が増大すると、各MOSトランジスタのホットキャリアも増大する。ホットキャリアの増大は、出力回路近傍の画素(センサ部)に対して悪影響を及ぼす。
具体的には、ホットキャリアが増大すると、図10に示すように、出力回路近傍の画素部分において遮光時に白浮きしてしまう現象が発生する。図10において、黒で塗りつぶした領域が遮光時の撮像画像を表わしている。この撮像画像において、左下隅の外側に出力回路が配置されることになり、当該左下隅の画素部分に白浮きの現象が発生していることがわかる。この白浮きの現象は、露光時間を長くするとより顕著に見られる。また、ホットキャリアの発生量が多いと信頼性の劣化が著しく、この点からも問題となる。
一般に、ホットキャリアの発生量は出力回路の入力電圧によって変動する。最も一般的なNチャネルMOSで構成されるソースフォロワ出力回路において、入力電圧が高ければ駆動用MOSトランジスタのホットキャリアは減少するが、負荷用MOSトランジスタのホットキャリアは増大する。逆に、入力電圧が低ければ駆動用MOSトランジスタのホットキャリアは増大し、代わりに負荷用MOSトランジスタのホットキャリアは減少する。
出力回路において、各MOSトランジスタのホットキャリアは、入力電圧の電圧値に対して指数関数的に増減するため、図11に示すように、ホットキャリアが極小になる適正な入力電圧値が存在する。近年、駆動周波数の向上の要求から駆動用MOSトランジスタのチャネル長Lは短く、ゲート酸化膜は薄くなる傾向にある。このため、駆動用MOSトランジスタによるホットキャリアが支配的になっている動作点で使用されることが多い。したがって、出力回路の入力電圧は高い方が好ましい。
ところで、信号電荷を電気信号、例えば電圧信号に変換する電荷電圧変換部において、リセットゲート部には、図12に示すように、露光期間中も含めて常時クロック(リセットクロック)が印加される。リセットゲート部は、フローティングディフュージョン領域中の電荷を電荷排出部に転送するリセット動作を行うために設けられている。電荷電圧変換部の出力電圧が出力回路の入力電圧となる。
ここで、リセットゲート部にリセットクロックが印加されているときに、出力回路の入力電圧にはリセットによる分配ノイズが乗る。このため、出力回路の入力電圧としては高い方が好ましいにも拘わらず、当該入力電圧には常時リセット状態に対して低い電圧の期間が存在することになる。その結果、ホットキャリアのトータルの発生量も多くなる。
上記の問題点を解決する方策としては、露光期間中はリセットゲート部をリセット状態にすることが考えられる。一方、リセットゲート部はバイアス発生回路で発生される所定の直流電圧によってバイアスされている。そして、リセットゲート部には当該バイアス電圧に重畳された形でリセットクロックが印加される。従来は、このバイアス電圧を発生するバイアス発生回路を、NチャネルMOSトランジスタを用いて構成していた(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−33226号公報(特に、段落0074〜0076および図9等参照)
上述したように、N型のMOSトランジスタを用いたバイアス発生回路では、その構成上、リセットゲート部へのリセットクロックの印加を停止すると、リセットゲート部に印加される電圧は、バイアス電圧であるロー(Low)レベルに固定される。これにより、リセットゲート部がリセットオフ状態になる。すなわち、リセットゲート部を常時リセット状態にすることができないことになる。したがって、従来のバイアス発生回路の構成では、リセットクロックを露光期間で停止してもホットキャリアを抑制することはできないことになる。
そこで、本発明は、露光期間中でリセットゲート部のリセット状態を長くすることで、露光期間中のホットキャリアを低減可能な固体撮像装置、当該固体撮像装置の駆動方法および当該固体撮像装置を用いた撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、第1の発明では、
信号電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部によって転送される信号電荷を電気信号に変換する変換部と、バイアス電圧に重畳されて印加されるリセットクロックに応答して、前記変換部中の電荷を電荷排出部へ転送するリセット状態を選択的にとるリセットゲート部とを備えた固体撮像装置において、
前記バイアス電圧の電圧値として前記リセットゲート部をリセット状態にする電圧値を設定する。そして、露光期間中または露光期間の一部の期間で前記リセットクロックの前記リセットゲート部への印加を停止する。
露光期間中または露光期間の一部の期間でリセットクロックのリセットゲート部への印加を停止すると、リセットゲート部はバイアス電圧によってバイアスされる。このとき、バイアス電圧がリセットゲート部をリセット状態にする電圧値に設定されているため、リセットゲート部がリセット状態になる。すなわち、露光期間中または露光期間の一部の期間でリセットクロックのリセットゲート部への印加を停止することで、リセットゲート部がリセット状態になる。これにより、変換部の出力電圧にはリセットによる分配ノイズが乗らないため、当該出力電圧、即ち変換部の後段の出力部の入力電圧が常に高い状態に維持される。その結果、出力部において、露光期間中のホットキャリアを低減できる。
上記目的を達成するために、第2の発明では、
信号電荷を転送する電荷転送部と、前記電荷転送部によって転送される信号電荷を電気信号に変換する変換部と、バイアス電圧に重畳されて印加されるリセットクロックに応答して、前記変換部中の電荷を電荷排出部へ転送するリセット状態を選択的にとるリセットゲート部と、前記リセットゲート部に印加するバイアス電圧を発生するバイアス発生部とを備えた固体撮像装置において、
露光期間中または露光期間の一部の期間で前記リセットクロックのアクティブ期間を非アクティブ期間よりも長くする。
露光期間中または露光期間の一部の期間でリセットクロックのアクティブ期間を非アクティブ期間よりも長くすることで、リセットゲート部のリセット期間が長くなる。これにより、リセットによる分配ノイズによって出力部の入力電圧の下がるトータルの時間が減るために、出力部の各MOSトランジスタの露光期間中のホットキャリアを抑制することが可能になる。
本発明によれば、露光期間中または露光期間の一部の期間でリセットクロックを停止する、または、リセットクロックのアクティブ期間を非アクティブ期間よりも長くすることで、出力部の各MOSトランジスタの露光期間中のホットキャリアを抑制できる。
以下、発明を実施するための最良の形態(以下、「実施形態」と記述する)について図面を用いて詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.第1実施形態(バイアス発生回路の新規構成)
2.第2実施形態(リセットクロックのタイミング制御)
3.変形例
4.適用例(撮像装置)
<1.第1実施形態>
[固体撮像装置の基本構成]
以下では、固体撮像装置として、例えばインターライン転送(IT)方式のCCD固体撮像装置を例に挙げてその基本構成について説明するものとする。
図1は、CCD固体撮像装置の構成の一例を示す概略構成図である。図1において、例えばN型の半導体基板(チップ)11上に複数のセンサ部(画素)12が行列状に2次元配置されている。センサ部12は、例えばPN接合のフォトダイオードを有し、受光した光を露光期間に亘って光電変換し、当該光電変換によって発生する信号電荷を蓄積する。
これらセンサ部12の各々には、読出しゲート部13が隣接して設けられている。読出しゲート部13は、センサ部12で光電変換され、当該センサ部12に蓄積された信号電荷を読み出す。
また、行列状の画素配列に対して画素列ごとにCCDからなる垂直転送部14が設けられている。垂直転送部14は、読出しゲート部13によってセンサ部12から読み出された信号電荷を、水平ブランキング期間の一部にて1走査線(1ライン)に相当する部分ずつ順に垂直方向に転送する。ここに、垂直方向とは、画素列の画素の配列方向(図の上下方向)を言う。
垂直転送部14の一方の端部(即ち、転送先側の端部)には、CCDからなる水平転送部16が設けられている。この水平転送部15には、複数本の垂直転送部14から1ラインに相当する信号電荷が順にシフト(転送)される。水平転送部15は、複数本の垂直転送部14からシフトされる1ライン分の信号電荷を、水平ブランキング期間後の水平走査期間にて順次水平方向に転送する。ここに、水平方向とは、画素行の画素の配列方向(図の左右方向)を言う。
水平転送部15の転送先側の端部には、当該水平転送部15によって転送される信号電荷を電圧信号に変換する電荷電圧変換部16が設けられている。この電荷電圧変換部16としては、例えばフローティング・ディフュージョン・アンプ構成のものが用いられる。具体的には、電荷電圧変換部16は、変換部であるフローティングディフュージョン(FD)部161と、電荷排出部であるリセットドレイン(RD)部162と、リセットゲート(RG)部163とを有する構成となっている。
電荷電圧変換部16において、リセットドレイン部162にはそのポテンシャルが、水平転送部15の最終転送段の深いときのポテンシャルよりもさらに深くなるように、所定の電圧値のリセットドレイン電圧VRDが印加されている。
また、リセットゲート部163はMOSトランジスタ構成となっており、そのゲート電極には、バイアス発生回路(バイアス発生部)17で発生される直流のバイアス電圧が印加される。このゲート電極にはさらに、半導体基板11外に設けられたリセットクロック発生回路21からリセットクロック(リセットパルス)φRGがキャパシタ22を介して印加される。
このリセットクロックφRGは、バイアス発生回路17で発生されるバイアス電圧に重畳された形でリセットゲート部163に印加される。これにより、フローティングディフュージョン部161の電位がリセットクロックφRGの周期でリセットドレイン電圧VRDにリセットされる。
電荷電圧変換部16から出力される電圧信号は、バッファとしての機能を持つ出力回路(出力部)18を介してCCD撮像信号Voutとして半導体基板11外に出力される。出力回路18は、センサ部12、垂直転送部14、水平転送部15、電荷電圧変換部16およびバイアス発生回路17と同じ半導体基板11に搭載される周辺回路の一つであり、一般に、多段のソースフォロワ回路を用いて構成される。
以上により、本発明が適用されるインターライン転送方式のCCD固体撮像装置10の基本構成である。
(出力回路の回路例)
・第1例
図2は、出力回路18の回路構成の第1例を示す回路図である。第1例に係る出力回路18Aは、例えば3段のソースフォロワ回路によって構成され、図1に示す電荷電圧変換部16の出力電圧を当該出力回路18の入力電圧Vinとしている(例えば、特開2003−283929号公報等参照)。
1段目のソースフォロワ回路181は、電源VDDとグランドとの間に直列に接続された駆動用MOSトランジスタ1811、負荷用MOSトランジスタ1812および抵抗素子1813から構成されている。そして、駆動用MOSトランジスタ1811のゲート電極に電荷電圧変換部16の出力電圧が入力電圧Vinとして入力される。
2段目のソースフォロワ回路182は、電源VDDとグランドとの間に直列に接続された駆動用MOSトランジスタ1821、負荷用MOSトランジスタ1822および抵抗素子1823から構成されている。そして、駆動用MOSトランジスタ1821のゲート電極が1段目の駆動用MOSトランジスタ1811のソース電極に接続されている。
3段目のソースフォロワ回路183は、電源VDDとグランドとの間に直列に接続された駆動用MOSトランジスタ1831、負荷用MOSトランジスタ1832および抵抗素子1833から構成されている。そして、駆動用MOSトランジスタ1831のゲート電極が2段目の駆動用MOSトランジスタ1821のソース電極に接続され、駆動用MOSトランジスタ1831のソース電極からCCD撮像信号Voutが出力される。
また、各段の負荷MOSトランジスタ1812,1822,11832の各ゲート電極には、一定のバイアスゲート電圧VGが印加されている。
上述した、多段(本例では、3段)のソースフォロワ回路181,182,183からなる第1例に係る出力回路18Aでは、当該回路内を流れる電流値を増加させることで駆動周波数の向上を実現できる。しかし、回路内を流れる電流値が増大すると、各MOSトランジスタのホットキャリアも増大し、その発生量は入力電圧Vinによって変動する。
そして、前にも述べたように、入力電圧Vinが高ければ駆動用MOSトランジスタ1811,1821,1831のホットキャリアが減少し、負荷用MOSトランジスタ1812,1822,1832のホットキャリアが増大する。逆に、入力電圧Vinが低ければ駆動用MOSトランジスタ1811,1821,1831のホットキャリアが増大し、負荷用MOSトランジスタ1812,1822,1832のホットキャリアが減少する。
・第2例
図3は、出力回路18の回路構成の第2例を示す回路図であり、図中、図2と同等部分には同一符号を付して示している。そして、同等部分については重複するのでその説明を省略する。
第2例に係る出力回路18Bは、例えば3段構成の3段目の回路としてプッシュプル回路を用いた構成となっている(例えば、特開平11−234567号公報等参照)。3段目のプッシュプル回路184は、2段目の駆動用MOSトランジスタ1821のソース電極にゲート電極が共通に接続されたNチャネルMOSトランジスタ1841とPチャネルMOSトランジスタ1842とから構成されている。
ここで、上記構成の第2例に係る出力回路18Bについて、第1例に係る出力回路18Aと対比して考える。3段目において、電流供給トランジスタとして機能し、定電流源としての役割しか果たさなかったMOSトランジスタ1832に代えてPチャネルMOSトランジスタ1842を用いて、NチャネルMOSトランジスタ1841とプッシュプル回路を構成している。
そして、PチャネルMOSトランジスタ1842にも、NチャネルMOSトランジスタ1841と同様に、2段目のソースフォロワ回路182の出力電圧を与えるようにしている。これにより、3段目の入力電圧の立ち上がりのときはNチャネルMOSトランジスタ1841がソースフォロワの駆動トランジスタとして機能し、立ち下がりのときはPチャネルMOSトランジスタ1842がソースフォロワの駆動トランジスタとして機能する。
したがって、第2例に係る出力回路18Bによれば、回路内を流れる電流値を増加させなくても、PチャネルMOSトランジスタ1842の相互コンダクタンスgm を高めことで、3段目の入力電圧の立ち上がり時における高速性を高めることができる。すなわち、消費電力の増加を伴うことなく、駆動周波数の向上を図ることができる。
上記構成の出力回路18A,18B等の出力回路18において、その入力電圧Vinには、リセットゲート部163にリセットクロックφRGが印加されているときに、リセットによる分配ノイズが乗る。これにより、前にも述べたように、ホットキャリアの観点からすると、出力回路18の入力電圧Vinとしては高い方が好ましいにも拘わらず、入力電圧Vinには常時リセット状態に対して低い電圧の期間が存在することになる。その結果、ホットキャリアのトータルの発生量が多くなる。
(NチャネルMOSトランジスタを用いたバイアス発生回路での問題点)
ところで、出力回路18として第1例に係る出力回路18Aを用いた特開2003−283929号公報記載の従来の固体撮像装置では、バイアス発生回路17として、NチャネルMOSトランジスタのソースフォロワ回路を用いた回路構成のものを搭載している。
ここで、NチャネルMOSトランジスタ(以下、「NMOSトランジスタ」と記述する)のソースフォロワ回路のバイアス発生回路17を搭載した固体撮像装置において、露光期間中はリセットゲート部163を常にリセット状態にすることについて考えられる。露光期間中はリセットゲート部163をリセット状態にするのは、前にも述べたように、入力電圧Vinにリセット状態に対して低い電圧の期間が存在することでホットキャリアのトータルの発生量が多くなる、という問題点を解決するためである。
NMOSトランジスタのソースフォロワ回路を用いたバイアス発生回路17からは、バイアス電圧としてグランドGND側の所定のレベル(Lowレベル)が出力される。そして、図1において、リセットクロック発生回路21からキャパシタ22を介して入力されるリセットクロックφRGが、バイアス発生回路17から出力されるバイアス電圧に重畳された形でリセットゲート部163に印加される。
一例として、バイアス電圧を6V、リセットクロックφRGの振幅を0V−3.3Vとした場合、リセットゲート部163にはリセットクロックφRGが6V−9.3Vの振幅のクロックとして印加されることになる。
ここで、露光期間中はリセットゲート部163を常にリセット状態にすべく、リセットゲート部163へのリセットクロックφRGの印加を停止すると、リセットゲート部163に印加される電圧はバイアス電圧であるLowレベルに固定される。したがって、リセットゲート部163を常時リセット状態にすることができないことになる。これは、NMOSトランジスタのソースフォロワ回路を用いたバイアス発生回路17では、リセットクロックφRGを露光期間中に停止してもホットキャリアを抑制できないことを意味する。
(第1実施形態の特徴部分)
そこで、第1実施形態では、露光期間中または露光期間の一部の期間にリセットゲート部163へのリセットクロックφRGの印加を停止したときに、リセットゲート部163をリセット状態にすることを特徴としている。以下では、露光期間中または露光期間の一部の期間を単に「露光期間中」と記述する場合もある。
そして、リセットゲート部163がリセット状態になることで、電荷電圧変換部16の出力電圧、即ち出力回路18の入力電圧にはリセットによる分配ノイズが乗らないため、当該入力電圧が常に高い状態に維持される。これにより、出力回路18の各MOSトランジスタの露光期間中のホットキャリアを低減できる。その結果、特に長時間露光時の白浮きを低減でき、高S/NのCCD固体撮像装置を実現できる。以下に、リセットクロックφRGを停止したときに、リセットゲート部163をリセット状態にするための具体的な実施例について説明する。
〔実施例1〕
図4は、第1実施形態の実施例1に係るバイアス発生回路17Aの構成例を示す回路図である。
図4に示すように、実施例1に係るバイアス発生回路17Aは、PチャネルMOSトランジスタ(以下、「PMOSトランジスタ」と記述する)171のソースフォロワ回路を用いた回路構成となっている。具体的には、バイアス発生回路17Aにおいて、PMOSトランジスタ171は、電源VDDとグランドGNDとの間に、抵抗素子172と直列に接続されている。
電源VDDとグランドGNDとの間にはさらに、可変抵抗素子173,174が直列に接続されている。可変抵抗素子173,174は抵抗分圧回路(抵抗分割回路)を構成している。可変抵抗素子173,174の共通接続ノードN1が分圧ノードとなり、当該分圧ノードN1にPMOSトランジスタ171のゲート電極が接続されている。そして、PMOSトランジスタ171のソース電極からバイアス電圧Vbiasが出力される。
抵抗分圧回路において、可変抵抗素子173,174の抵抗分割比によって共通接続ノードN1に得られる分圧電圧が決まる。この抵抗分割比については、周知のヒューズカット方式によって調整することが可能である。抵抗分割比の調整により、バイアス電圧Vbiasの電圧値を変更することができる。このバイアス電圧Vbiasは、出力端子175を通してリセットゲート部163に印加される。
上記構成の実施例1に係るバイアス発生回路17Aにおいて、バイアス電圧Vbiasよりも高い電圧が出力端子175に印加されると、PMOSトランジスタ171のゲート−ソース間の電位差が大きくなるため当該MOSトランジスタ171に大電流が流れる。一方、バイアス電圧Vbiasよりも低い電圧が出力端子175に印加されたときは、PMOSトランジスタ171には可変抵抗素子173,174の各抵抗値で決まるバイアス電流しか流れない。
この作用により、図1に示すリセットクロック発生回路21からキャパシタ22を介してリセットクロックφRGが印加されたとき、当該リセットクロックφRGのハイ(High)レベルをバイアス電圧Vbiasにクランプするハイクランプが実現される。すなわち、リセットクロックφRGが印加されているときは、バイアス電圧VbiasがリセットクロックφRGのハイレベルに相当する。このことは、バイアス電圧Vbiasが印加されることで、リセットゲート部163がオン状態、即ちリセット状態になることを意味する。
先述した数値例の場合と対応させると、可変抵抗素子173,174の抵抗分割比の調整により、バイアス電圧Vbiasの電圧値を9.3Vに設定する。そして、リセットクロック発生回路21から供給される0V−3.3Vの振幅のリセットクロックφRGがバイアス電圧Vbiasに重畳されることで、リセットゲート部163にはリセットクロックφRGが9.3V−6Vの振幅のクロックとして印加されることになる。
上述したように、実施例1に係るバイアス発生回路17Aによれば、PMOSトランジスタ171のソースフォロワ回路を用いた回路構成を採っていることで、リセットゲート部163をリセット状態にする電圧値のバイアス電圧Vbiasを発生できる。しかも、バイアス発生回路17Aによるハイクランプにより、バイアス電圧VbiasにリセットクロックφRGを重畳することで、当該リセットクロックφRGがバイアス電圧Vbias(High)を基準として負側(Low側)に振れるクロックとなる。これにより、リセットゲート部163では、当該リセットクロックφRGに同期してリセット動作を選択的に行うことができる。
そして、CCD固体撮像装置10において、バイアス発生回路17として実施例1に係るバイアス発生回路17Aを搭載することで、次のような作用効果を得ることができる。すなわち、露光期間中(一部の期間を含む)にリセットクロックφRGのリセットゲート部163への印加を停止することで、リセットゲート部163をリセット状態にすることができる。
より具体的には、リセットクロック発生回路21からのリセットクロックφRGの発生を露光期間中に停止すると、リセットゲート部163はバイアス電圧Vbiasによってバイアスされる。このとき、バイアス電圧Vbiasがリセットゲート部163をリセット状態にする電圧値に設定されていることから、リセットゲート部163がリセット状態になる。
すなわち、リセットクロックφRGのリセットゲート部163への印加を停止することで、リセットゲート部163がリセット状態になる。これにより、電荷電圧変換部16の出力電圧、即ち出力回路18の入力電圧にはリセットによる分配ノイズが乗らないため、当該入力電圧が常に高い状態に維持される。その結果、出力回路18の各MOSトランジスタの露光期間中のホットキャリアを低減できる。
バイアス発生回路17AをPMOSトランジスタ171を用いて構成することで、周辺回路をNMOSトランジスタのみを用いて構成しているCCD固体撮像装置10にあっては、PMOSトランジスタ171を作製する分だけ工程数が増えることになる。ただし、出力回路18として第2例に係る出力回路18B(図3参照)を搭載しているCCD固体撮像装置10にあっては、当該出力回路18Bがプッシュプル回路184を含んでおり、元々PMOSトランジスタを使っているため工程数が増えることはない。
図5は、バイアス発生回路17として実施例1に係るバイアス発生回路17Aを搭載したCCD固体撮像装置10の動作説明に供するタイミングチャートである。図5には、垂直転送部14を駆動する垂直転送クロック、水平転送部15を駆動する水平転送クロック、リセットクロックφRG、半導体基板11に印加する基板パルスSUBおよびメカニカルシャッタのタイミング関係を示している。
ここでは、リセットクロックφRG以外のクロックについても示しているが、本実施形態のポイントはリセットクロックφRGのタイミングであるため、その他のクロックのタイミングには制限はない。また、図5のタイミングチャートでは、露光期間中全てに亘ってリセットクロックφRGを停止する例を示しているが、露光期間の一部の期間でリセットクロックφRGを停止するようにしても、ホットキャリアの低減効果を得ることができる。
〔実施例1の変形例〕
実施例1では、可変抵抗素子173,174を電源VDDとグランドGNDとの間に直列に接続することによって抵抗分圧回路を構成するとしたが、VDD−GND間の接続に限られるものではない。例えば、CCD固体撮像装置10の内部である固定バイアスを発生する内部発生回路を併用し、その発生バイアスとグランドGNDとの間、発生バイアスと電源VDDとの間、または2つの発生バイアス間に可変抵抗素子173,174を直列に接続して抵抗分圧回路を構成することも可能である。
実施例1では、ヒューズカット方式を採用することによって分圧電圧を得るとしたが、ヒューズカット方式を用いずに、単純な抵抗分割によって得た分圧電圧を用いたり、ある固定電位を用いたりする回路構成でも、先述したハイクランプを実現できる。ただし、ヒューズカット方式を採用することで、リセットゲート部163のポテンシャルのバラツキを吸収することができる。これにより、CCD固体撮像装置10内でバイアス電圧Vbiasの電圧値で決まるリセットゲート部163のリセットレベルを内部調整できることになる。
図4の回路構成において、抵抗素子172としてはある程度の高抵抗素子であればどのような構成のものでも構わない。例えば、MOSトランジスタのダイオード接続やゲート接地であっても良い。また、PMOSトランジスタ171のドレイン電極側に抵抗を挿入しても良い。ある程度以上に抵抗が小さければ、抵抗を挿入してPMOSトランジスタ171のドレイン−ゲート間、ソース−ドレイン間の電位差を小さくするためにエンハンスメントMOSトランジスタのタイミング接続の抵抗を挿入することも可能である。
また、実施例1では、バイアス発生回路17AをPMOSトランジスタ171のソースフォロワ回路を用いた回路構成としたが、ソースフォロワ回路に代えて、PNPトランジスタのエミッタフォロワ回路を用いた回路構成とすることも可能である。
〔実施例2〕
図6は、第1実施形態の実施例2に係るバイアス発生回路17Bの構成例を示す回路図であり、図中、図4と同等部分には同一符号を付してしている。重複説明を避けるために、ここでは同等部分についての説明については省略する。
図6に示すように、実施例2に係るバイアス発生回路17Bは、PMOSトランジスタのソースフォロワ回路を用いた回路構成となっている点では実施例1に係るバイアス発生回路17Aの場合と同じである。このPMOSトランジスタとして、本実施例2では、メモリトランジスタ176を用いている。
すなわち、実施例2に係るバイアス発生回路17Bは、絶縁膜中に電荷を注入する方式や、フローティングゲートによる不揮発性メモリを利用する方式などで、PMOSトランジスタ176の実効的なしきい値電圧を調整する構成を採っている。そして、実効的なしきい値電圧を調整することで、バイアス電圧Vbiasの電圧値を設定するようにしている。ここで、電荷を注入する絶縁膜は、MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor)やMNOS(Metal -Nitride-Oxide-Semiconductor)などである。
PMOSのメモリトランジスタ176は、電源VDDとグランドGNDとの間に抵抗素子172と直列に接続されている。メモリトランジスタ176のゲート電極とグランドGNDとの間には抵抗素子177が挿入されている。この抵抗素子177は、メモリトランジスタ176の絶縁膜中に電荷を注入する際の保護抵抗として機能する。ここでは、抵抗素子177の一端をグランドGNDに接続するとしているが、接続先は必ずしもグランドGNDである必要はない。
上述したことから明らかなように、実施例1と実施例2とはバイアス電圧Vbiasの電圧値の設定の仕方が異なっている。すなわち、実施例1では可変抵抗素子173,174による抵抗分割比によって設定しているのに対して、実施例2ではPMOSトランジスタ176の実効的なしきい値電圧を調整することによって設定している。
このように、バイアス電圧Vbiasの電圧値の設定の仕方が異なるものの、CCD固体撮像装置10において、バイアス発生回路17として実施例2に係るバイアス発生回路17Bを搭載した場合にも、実施例1の場合と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、露光期間中(一部の期間を含む)にリセットクロックφRGのリセットゲート部163への印加を停止することで、リセットゲート部163をリセット状態にすることができるために、出力回路18の露光期間中のホットキャリアを低減できる。
<2.第2実施形態>
第2実施形態が適用される固体撮像装置の構成については、基本的に、第1実施形態が適用されたCCD固体撮像装置10と同じである。すなわち、図1に示すように、第2実施形態が適用されるCCD固体撮像装置10は、半導体基板11上に、センサ部12、垂直転送部14、水平転送部15、電荷電圧変換部16、バイアス発生回路17および出力回路18等が搭載された構成となっている。
第1実施形態では、バイアス発生回路17として新規なバイアス発生回路17A,17Bを用い、露光期間中にリセットゲート部163へのリセットクロックφRGの印加を停止することで、リセットゲート部163をリセット状態にするようにしていた。これに対して、第2実施形態では、バイアス発生回路17は従来回路のままで、リセットクロックφRGのタイミングを制御することで、所期の目的を達成するというものである。
(バイアス回路)
図7は、特開2003−283929号公報に記載されている従来例に係るバイアス発生回路17Cの構成例を示す回路図であり、図中、図4と同等部分には同一符号を付してしている。重複説明を避けるために、ここでは同等部分についての説明については省略する。
図7に示すように、従来例に係るバイアス発生回路17Cは、NMOSトランジスタのソースフォロワ回路を用いた回路構成となっている。具体的には、バイアス発生回路17Cにおいて、NMOSトランジスタ178は、電源VDDとグランドGNDとの間に、抵抗素子172と直列に接続されている。そして、NMOSトランジスタ178のゲート電極は、抵抗素子179を介して電源VDDに接続されることでバイアスされている。
上記構成のバイアス発生回路17Cからは、バイアス電圧としてグランドGND側の所定のレベル(Lowレベル)が出力される。このバイアス発生回路17Cを搭載したCCD固体撮像装置10において、リセットゲート部163へのリセットクロックφRGの印加を停止しても、前にも述べたように、露光期間中にリセットゲート部163を常時リセット状態にすることができない。
(第2実施形態の特徴部分)
そこで、第2実施形態では、露光期間中または露光期間の一部の期間でリセットクロックφRGのアクティブ期間(本例では、High期間)を非アクティブ期間よりも長くすることを特徴としている。具体的には、露光期間中またはその一部の期間でリセットクロックφRGを通常時のクロックの複数ビット分だけアクティブ状態(本例では、High状態)にする。ここに、通常時のクロックとは、リセットクロックφRGは電荷電圧変換部16においてFD部161の電荷をRD部162に転送してリセットするためのものであることから、そのリセット周期のクロックを言う。
図8に、露光時と通常時とのリセットクロックφRGのタイミング関係を示す。ここでは、一例として、露光期間中にリセットクロックφRGを通常時のクロックの2ビット分だけHigh状態にしている。これにより、リセットクロックφRGは露光時に通常の2ビットに1回だけHigh/Lowを繰り返すことになる。なお、ここで例示した2ビットは一例に過ぎず、3ビット以上であっても良いことは勿論である。
このように、露光期間中にリセットクロックφRGのアクティブ期間を非アクティブ期間よりも長くすることで、リセットゲート部163のリセット期間が長くなり、リセットによる分配ノイズによって出力回路18の入力電圧の下がるトータルの時間が減る。これにより、出力回路18の各MOSトランジスタの露光期間中のホットキャリアを抑制することが可能になる。その結果、特に長時間露光時の白浮きを低減でき、高S/NのCCD固体撮像装置を実現できる。
また、第1実施形態の場合は、半導体基板11上に搭載したバイアス発生回路17に変更を加えなければならない。これに対して、第2実施形態の場合は、半導体基板11の外部から与えるリセットクロックφRGのタイミングを制御するだけで、ホットキャリアの抑制効果を得ることができるという利点がある。
図8のタイミングチャートでは、露光期間の全てに亘ってリセットクロックφRGを通常時のクロックの2ビット分だけHigh状態にしているが、これに限られるものではない。すなわち、露光期間の一部の期間において、通常時のクロックの数ビットに1回リセットクロックφRGをHigh状態にしても、通常時のクロックを印加し続ける場合に比べて、ホットキャリアの抑制効果を得ることができる。
なお、本例では、バイアス発生回路17として、従来例に係るバイアス発生回路17Cを用いたCCD固体撮像装置に適用した場合を例に挙げたが、これに限られるものではない。すなわち、実施例1,2にバイアス発生回路17A,17Bを用いたCCD固体撮像装置にも適用できる。そして、当該CCD固体撮像装置において、露光期間中にリセットクロックφRGのアクティブ期間を非アクティブ期間よりも長くすることで、リセットによる分配ノイズによって出力回路18の入力電圧の下がるトータルの時間を減らすことができる。
<3.変形例>
第1,第2実施形態では、N型の半導体基板11を用い、当該半導体基板11上バイアス発生回路17や出力回路18等の周辺回路を半導体基板11の導電型に対応した導電型で作製するとしたが、これらの導電型と逆導電型で作製してもよいことは勿論である。
本発明は、エリアセンサ型のCCD固体撮像装置への適用に限られるものではなく、リニアセンサ型のCCD固体撮像装置など、バイアス電圧Vbiasをリセットゲート部に印加する構成を採る固体撮像装置全般に適用可能である。なお、固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
また、本発明は、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、当該固体撮像装置を撮像デバイスとして用いる撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器のことを言う。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
<4.適用例>
図9は、本発明に係る撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図9に示すように、本発明に係る撮像装置100は、レンズ群101等を含む光学系、撮像素子102、カメラ信号処理回路であるDSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107および電源系108等を有している。そして、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106、操作系107および電源系108がバスライン109を介して相互に接続された構成となっている。
レンズ群101は、被写体からの入射光(像光)を取り込んで撮像素子102の撮像面上に結像する。撮像素子102は、レンズ群101によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。この撮像素子102として、先述した第1,第2実施形態に係るCCD固体撮像装置が用いられる。
表示装置105は、液晶表示装置や有機EL(electro luminescence)表示装置等のパネル型表示装置からなり、撮像素子102で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置106は、撮像素子102で撮像された動画または静止画を、ビデオテープやDVD(Digital Versatile Disk)等の記録媒体に記録する。
操作系107は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系108は、DSP回路103、フレームメモリ104、表示装置105、記録装置106および操作系107の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
先述した第1,第2実施形態に係るCCD固体撮像装置は、出力回路の各MOSトランジスタの露光期間中のホットキャリアを低減できる。したがって、当該CCD固体撮像装置を撮像素子102として用いることで、特に長時間露光時の白浮きを低減でき、高S/Nの撮像装置を提供できる。
CCD固体撮像装置の構成の一例を示す概略構成図である。 出力回路の回路構成の第1例を示す回路図である。 出力回路の回路構成の第2例を示す回路図である。 実施例1に係るバイアス発生回路の構成例を示す回路図である。 実施例1に係るバイアス発生回路を搭載したCCD固体撮像装置の動作説明に供するタイミングチャートである。 実施例2に係るバイアス発生回路の構成例を示す回路図である。 従来例に係るバイアス発生回路の構成例を示す回路図である。 第2実施形態の動作説明に供するタイミングチャートである。 本発明に係る撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。 ホットキャリアに起因する遮光時の白浮き現象を示す図である。 出力回路の入力電圧とホットキャリアの関係を示す図である。 従来技術の露光期間中のタイミングを示すタイミングチャートである。
符号の説明
10…CCD固体撮像装置、11…半導体基板、12…センサ部(画素)、13…読出しゲート部、14…垂直転送部、15…水平転送部、16…電荷電圧変換部、17,17A,17B,17C…バイアス発生回路、18,18A,18B…出力回路、21…リセットクロック発生回路、161…フローティングディフュージョン(FD)部、162…リセットドレイン(RD)部、163…リセットゲート(RG)部

Claims (9)

  1. 信号電荷を転送する電荷転送部と、
    前記電荷転送部によって転送される信号電荷を電気信号に変換する変換部と、
    バイアス電圧に重畳されて印加されるリセットクロックに応答して、前記変換部中の電荷を電荷排出部へ転送するリセット状態を選択的にとるリセットゲート部と、
    前記リセットゲート部を前記リセット状態にする電圧値の前記バイアス電圧を発生するバイアス発生部とを備え、
    露光期間中または露光期間の一部の期間で前記リセットクロックの前記リセットゲート部への印加を停止する
    固体撮像装置。
  2. 前記バイアス発生部は、前記リセットゲート部と逆導電型のMOSトランジスタのソースフォロワ回路を有し、当該MOSトランジスタのソース電極から出力端子を通して前記バイアス電圧を出力する
    請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記バイアス発生部は、前記リセットクロックが前記出力端子に印加されたとき、前記リセットレベルを前記バイアス電圧にクランプする
    請求項2記載の固体撮像装置。
  4. 前記変換部で変換された電気信号を出力する出力部を備え、
    前記出力部は、プッシュプル回路を有する
    請求項2記載の固体撮像装置。
  5. 電荷転送部によって転送される信号電荷を変換部にて電気信号に変換するに当たって、
    リセットクロックをバイアス電圧に重畳してリセットゲート部に印加することによって前記変換部中の電荷を電荷排出部へ転送するリセット動作を選択的に行う一方、
    前記バイアス電圧の電圧値として前記リセットゲート部をリセット状態にする電圧値を設定し、
    露光期間中または露光期間の一部の期間で前記リセットクロックの前記リセットゲート部への印加を停止する
    固体撮像装置の駆動方法。
  6. 信号電荷を転送する電荷転送部と、
    前記電荷転送部によって転送される信号電荷を電気信号に変換する変換部と、
    バイアス電圧に重畳されて印加されるリセットクロックに応答して、前記変換部中の電荷を電荷排出部へ転送するリセット状態を選択的にとるリセットゲート部と、
    前記リセットゲート部を前記リセット状態にする電圧値の前記バイアス電圧を発生するバイアス発生部とを備え、
    露光期間中または露光期間の一部の期間で前記リセットクロックの前記リセットゲート部への印加を停止する
    固体撮像装置を用いた撮像装置。
  7. 信号電荷を転送する電荷転送部と、
    前記電荷転送部によって転送される信号電荷を電気信号に変換する変換部と、
    バイアス電圧に重畳されて印加されるリセットクロックに応答して、前記変換部中の電荷を電荷排出部へ転送するリセット状態を選択的にとるリセットゲート部と、
    前記リセットゲート部に印加するバイアス電圧を発生するバイアス発生部とを備え、
    露光期間中または露光期間の一部の期間で前記リセットクロックのアクティブ期間を非アクティブ期間よりも長くする
    固体撮像装置。
  8. 電荷転送部によって転送される信号電荷を変換部にて電気信号に変換するに当たって、
    リセットクロックをバイアス電圧に重畳してリセットゲート部に印加することによって前記変換部中の電荷を電荷排出部へ転送するリセット動作を選択的に行う一方、
    露光期間中または露光期間の一部の期間で前記リセットクロックのアクティブ期間を非アクティブ期間よりも長くする
    固体撮像装置の駆動方法。
  9. 信号電荷を転送する電荷転送部と、
    前記電荷転送部によって転送される信号電荷を電気信号に変換する変換部と、
    バイアス電圧に重畳されて印加されるリセットクロックに応答して、前記変換部中の電荷を電荷排出部へ転送するリセット状態を選択的にとるリセットゲート部と、
    前記リセットゲート部に印加するバイアス電圧を発生するバイアス発生部とを備え、
    露光期間中または露光期間の一部の期間で前記リセットクロックのアクティブ期間を非アクティブ期間よりも長くする
    固体撮像装置を用いた撮像装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2013084808A1 (ja) * 2011-12-07 2013-06-13 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法、カメラシステム

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