JP5251765B2 - 固体撮像素子の出力回路、固体撮像素子及び撮像装置 - Google Patents
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Description
フローティング・ディフュージョンFD1は、ドライバMOSトランジスタDM1のゲートに接続してあり、フローティング・ディフュージョンFD1で得られた入力電圧Vin1を、ドライバMOSトランジスタDM1に供給する。このドライバMOSトランジスタDM1のドレインには、電源電圧VDDが供給される。ドライバMOSトランジスタDM1のソースは、ロードMOSトランジスタLM1のドレインに接続してあり、このロードMOSトランジスタLM1のソースを、抵抗器R1を介して接地させてある。ロードMOSトランジスタLM1のゲートには、ゲート入力電圧VG1が供給される。
このように構成したことで、N型のMOSトランジスタを使った2段のソースフォロワ回路として、CCD撮像素子の出力回路が構成される。
図15に従って構成を説明すると、PN接合ダイオードで構成されたフローティング・ディフュージョンFD2は、N型のドライバMOSトランジスタDM3のゲートに接続してある。このように接続してあることで、フローティング・ディフュージョンFD2で得られた入力電圧Vin2が、ドライバMOSトランジスタDM3に供給される。このドライバMOSトランジスタDM3のソースは、ロードMOSトランジスタLM3のドレインに接続してあり、ドライバMOSトランジスタDM3のドレインは接地させてある。また、ロードMOSトランジスタLM3のソースには、電源電圧VDDが抵抗器R2を介して供給される構成としてあり、このロードMOSトランジスタLM3のゲートには、ゲート入力電圧VG2が供給される。
このように構成したことで、P型のMOSトランジスタを使った2段のソースフォロワ回路として、CCD撮像素子の出力回路が構成される。
特許文献2には、P型のMOSトランジスタよりなるソースフォロワ回路の出力回路についての記載がある。
上述した特許文献1に記載の構成では、ソースフォロア回路にプッシュプル回路を接続して、回路電流を増やすことなく、立ち下がりのスルーレートの高速化が可能な構成としてある。
初段のソースフォロワ回路は、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成する。
最終段のソースフォロワ回路は、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成する。その上で、例えば、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタをデプレッション型のP型MOSトランジスタで構成する。
さらに、例えは初段のソースフォロワ回路として、P型MOSトランジスタよりなるソースフォロワ回路を適用することで、ノイズを抑制し高画質の撮像信号を出力できるようになる効果を有する。
1.第1の実施の形態の構成[例1:図1〜図4]
2.第1の実施の形態の変形例[例2:図5]
3.第1の実施の形態の変形例[例3:図6]
4.第1の実施の形態の変形例[例4:図7]
5.第1の実施の形態の変形例[例5:図8]
6.第1の実施の形態の変形例[例6:図9]
7.第1の実施の形態の変形例[例7:図10]
8.第1の実施の形態の変形例[例8:図11]
9.第2の実施の形態の構成[図12]
10.第3の実施の形態の構成[図13]
[CCD固体撮像素子全体の構成]
以下、第1の実施の形態の例について説明する。
まず図2を参照して、本実施の形態の例のCCD固体撮像素子の全体構成について説明する。
図2に示すように、フォトダイオードなどの受光素子で構成される画素1が、縦方向及び横方向に所定数ずつマトリクス状に配置してある。各画素1には、垂直転送部である垂直CCD2が接続してあり、各画素に蓄積した信号電荷が読み出されて、垂直方向に転送される。この垂直CCD2での信号電荷の転送は、駆動回路4から供給される転送パルスに同期して行われる。
次に、本実施の形態における、CCD固体撮像素子の出力回路の構成を、図1を参照して説明する。
本実施の形態の出力回路は初段と最終段の2段のソースフォロワ回路で構成させてある。この例では、図1に示すように、初段のソースフォロワ回路を、N型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM11と、N型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM11とで構成する。そして、最終段のソースフォロワ回路を、P型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM12と、P型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM12とで構成する。ドライバMOSトランジスタDM11,DM12は、入力信号がゲートに入り、ソース電圧として出力するトランジスタであり、ロードMOSトランジスタLM11,LM12は、一定電流をオフセット電流として流すトランジスタである。
図3は、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタDM12としての、P型MOSトランジスタの構成を示した断面図である。
この例では、固体撮像素子の基板として、N型基板110を用いてある。このN型基板110を固体撮像素子の基板として用いることで、画素部(受光部)における飽和電荷量の調整や、電子シャッタとしての信号電荷の掃き捨てなどを基板電圧の調整により実現できる。但し、出力回路のP型MOSトランジスタのバックゲートとして、N型基板110をそのまま用いるとしきい値電圧が変動するため、不適当である。
このように構成したことで、出力回路のP型MOSトランジスタが適正に構成できる。
P型MOSトランジスタで構成されたソースフォロワ回路のゲインの低下を防ぐため、基板電圧に対する相互コンダクタンスgmbを小さくする事が望ましい。
本実施の形態においては、Nウェルの濃度を薄くして空乏化させている。これにより、ゲートバイアスの変動ΔVGに対するチャネルの変動ΔΦの変動量が大きくなり、相互コンダクタンスgmbが小さくなる。Nウェルは、N型不純物濃度のピーク位置が0.5um〜1.5umにあり、例えば、濃度0.5×1016/cm3〜2.0×1016/cm3程度にすることにより実現できる。
この例では、Nウェルを基板の深さ方向で深い位置にニュートラルに形成している。これによりゲートバイアスの変動ΔVGに対するチャネルの変動ΔΦの変動量は大きくなり、相互コンダクタンスgmbが小さくなる事がわかる。
NウェルはN型不純物濃度のピーク位置が2um〜4umにあり、濃度1.5×1016/cm3〜6.0×1016/cm3程度にする。PウェルはP型不純物濃度のピーク位置がNウェルのピークに対して1um〜3um程度、さらに深い位置に存在し、濃度1.5×1016/cm3〜6.0×1016/cm3程度にすることにより実現できる。
このように構成した本実施の形態による出力回路を備えることで、ホットキャリアの抑制と電源電圧の低減を実現しつつ、P型MOSトランジスタによるソースフォロワ回路を用いる事ができるCCD固体撮像素子を提供することができる。これによりP型MOSトランジスタによるソースフォロワ回路の利点である、低消費電力で十分な立ち下がり特性の確保や、1/fノイズ低減による出力回路の低ノイズ化の効果を得ることができる。
また、P型MOSトランジスタのソースフォロワ回路の立ち上がりのスルーレートを改善するために、ロードMOSトランジスタLM21,LM22のゲートをリセットゲートパルス等で積極的に駆動しても良い。
また、図1の構成のように、初段をN型MOSトランジスタのソースフォロワ回路にすることで、電源電圧はP型MOSトランジスタとした場合よりも低く出来る。また、この初段のN型MOSトランジスタのドライバMOSトランジスタDM11をエンハンス型にすることによって、ドライバMOSトランジスタDM12におけるホットキャリアを抑制することが出来る。これは、初段をエンハンスP型MOSトランジスタのソースフォロワにする場合と比べて、初段の出力Vout′を低く設定できるためである。
さらに、最終段のP型MOSトランジスタは、デプレッション型MOSトランジスタにすると、ドライバMOSトランジスタDM12のソース−ドレイン間の電位差も小さく出来るため、なお特性が良くなる。
図5は、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタDM22のドレインに、電源電圧VDD2を印加する構成としたものである。
即ち図5に示すように、初段のソースフォロワ回路を、N型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM21と、N型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM21とで構成する。そして、最終段のソースフォロワ回路を、P型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM22と、P型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM22とで構成する。
第2の電源電圧VDD2は、第1の電源電圧VDD1とは異なる電圧であり、例えば2V〜6V程度の電圧とする。
なお、第2の電源電圧VDD2は、例えば水平CCD3(図2)の駆動用の電源と共通にすることで、電源回路の電源系統が増えることを防止できる。
図6は、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタDM32のドレインに、抵抗器を接続した構成としたものである。
即ち、図6に示すように、初段のソースフォロワ回路を、N型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM31と、N型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM31とで構成する。そして、最終段のソースフォロワ回路を、P型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM32と、P型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM32とで構成する。
図7は、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタDM32のドレインに、抵抗器R32を介して別電源VDD2を接続した構成としたものである。
即ち、図7に示すように、ドライバMOSトランジスタDM31のドレインとロードMOSトランジスタLM32のソースには、第1の電源電圧VDD1を供給する。そして、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタDM32のドレインには、第2の電源電圧VDD2を、抵抗器R32を介して供給する。その他の部分は、図6の構成と同じである。
図8は、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタDM42のドレインに、P型MOSトランジスタRM41よりなる非線形抵抗を接続した構成としたものである。
即ち、図8に示すように、初段のソースフォロワ回路を、N型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM41と、N型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM41とで構成する。そして、最終段のソースフォロワ回路を、P型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM42と、P型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM42とで構成する。
そして、ロードMOSトランジスタLM42のドレインと、ドライバMOSトランジスタDM42のソースとの接続点に、固体撮像素子の出力撮像信号Vout41を得る。
図9は、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタDM52のドレインに、ダイオード接続されたN型MOSトランジスタRM51よりなる非線形抵抗を接続した構成としたものである。
即ち、図9に示すように、初段のソースフォロワ回路を、N型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM51と、N型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM51とで構成する。そして、最終段のソースフォロワ回路を、P型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM52と、P型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM52とで構成する。
そして、ロードMOSトランジスタLM52のドレインと、ドライバMOSトランジスタDM52のソースとの接続点に、固体撮像素子の出力撮像信号Vout51を得る。
図10は、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタDM62のドレインに、PNP型バイポーラトランジスタQ61よりなる非線形抵抗を接続した構成としたものである。
即ち、図10に示すように、初段のソースフォロワ回路を、N型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM61と、N型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM61とで構成する。そして、最終段のソースフォロワ回路を、P型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM62と、P型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM62とで構成する。
そして、ロードMOSトランジスタLM62のドレインと、ドライバMOSトランジスタDM62のソースとの接続点に、固体撮像素子の出力撮像信号Vout61を得る。
図11は、最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタDM72のドレインに、抵抗器R71とコンデンサC71の並列回路を接続した構成としたものである。
即ち、図11に示すように、初段のソースフォロワ回路を、N型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM71と、N型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM71とで構成する。そして、最終段のソースフォロワ回路を、P型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタDM72と、P型MOSトランジスタよりなるロードMOSトランジスタLM72とで構成する。
そして、ロードMOSトランジスタLM72のドレインと、ドライバMOSトランジスタDM72のソースとの接続点に、固体撮像素子の出力撮像信号Vout71を得る。
次に、本発明の第2の実施の形態について、図12を参照して説明する。この第2の実施の形態において、CCD固体撮像素子の全体構成については、既に第1の実施の形態で図1などを用いて説明した構成と同じである。そして、第2の実施の形態においては、CCD固体撮像素子の出力回路の構成を、図12に示した構成とする。
そして、ロードMOSトランジスタLM82のドレインと、ドライバMOSトランジスタDM82のソースとの接続点に、固体撮像素子の出力撮像信号Vout81を得る。
さらに図4を参照して説明した、P型MOSトランジスタで構成されたソースフォロワ回路のゲインの低下を防ぐための構成を、この図12の構成に適用してもよい。
次に、本発明の第3の実施の形態について、図13を参照して説明する。この第3の実施の形態においては、CCD固体撮像素子の出力回路をオープンソース型とした例である。
即ち、図13に示すように、CCD固体撮像素子を構成するイメージャ部100として、フローティング・ディフュージョンFDをソースフォロワ回路101に供給し、そのソースフォロワ回路101の出力を、P型MOSトランジスタ91のゲートに供給する。そして、このP型MOSトランジスタ91のソースから、出力Vout91を得る。P型MOSトランジスタ91のドレインは接地させてある。ソースフォロワ回路101は、N型MOSトランジスタよるソースフォロワ回路でも、P型MOSトランジスタよるソースフォロワ回路でもいずれでもよい。
このイメージャ部100の外部に設けられた電流流し込み回路200は、例えば電源電圧VDDを抵抗器R91と抵抗器R92とで分割した電圧を、トランジスタQ91のベースに供給する構成とする。さらにトランジスタQ91のエミッタに、電源電圧VDDを抵抗器R93を介して供給し、トランジスタQ91のコレクタに得られる信号を、バッファアンプ300の入力に供給する。
Claims (16)
- フローティング・ディフュージョンにより取り出された撮像信号が供給され、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成される初段のソースフォロワ回路と、
前記初段のソースフォロワ回路により増幅された撮像信号が供給され、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成されて出力信号を得る最終段のソースフォロワ回路とを備え、
前記最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタをデプレッション型のP型MOSトランジスタで構成した
固体撮像素子の出力回路。 - フローティング・ディフュージョンにより取り出された撮像信号が供給され、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成される初段のソースフォロワ回路と、
前記初段のソースフォロワ回路により増幅された撮像信号が供給され、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成されて出力信号を得る最終段のソースフォロワ回路とを備え、
P型MOSよりなるソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタのドレイン端子に、回路電源とは別の電源を接続した
固体撮像素子の出力回路。 - 前記別の電源は、水平転送レジスタの駆動回路に供給する電源を使用した
請求項2記載の固体撮像素子の出力回路。 - 前記P型MOSよりなるソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタのドレイン端子と、前記別の電源との間を、抵抗素子を介して接続した
請求項2記載の固体撮像素子の出力回路。 - フローティング・ディフュージョンにより取り出された撮像信号が供給され、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成される初段のソースフォロワ回路と、
前記初段のソースフォロワ回路により増幅された撮像信号が供給され、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成されて出力信号を得る最終段のソースフォロワ回路とを備え、
P型MOSトランジスタよりなるソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタのドレイン端子を、抵抗素子を介してグランドに接地した
固体撮像素子の出力回路。 - 前記抵抗素子は、P型MOSトランジスタのゲート接地抵抗で構成した
請求項5記載の固体撮像素子の出力回路。 - 前記抵抗素子は、N型MOSトランジスタのダイオード接続で構成した
請求項5記載の固体撮像素子の出力回路。 - 前記抵抗素子は、PNPバイポーラトランジスタのベース接地で構成した
請求項5記載の固体撮像素子の出力回路。 - 前記抵抗素子に並列に容量素子を接続した
請求項5記載の固体撮像素子の出力回路。 - フローティング・ディフュージョンにより取り出された撮像信号が供給され、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成される初段のソースフォロワ回路と、
前記初段のソースフォロワ回路により増幅された撮像信号が供給され、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成されて出力信号を得る最終段のソースフォロワ回路とを備え、
前記初段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタは、それぞれN型MOSトランジスタで構成し、
前記初段のソースフォロワ回路の出力と前記最終段のソースフォロワ回路を含む複数段のソースフォロワ回路で構成し、
前記N型MOSトランジスタよりなるソースフォロワ回路と前記P型MOSトランジスタよりなるソースフォロワ回路の入力との間に容量素子を接続し、
前記P型MOSトランジスタよりなるソースフォロワ回路の入力には、直流バイアスが接続されている
固体撮像素子の出力回路。 - フローティング・ディフュージョンにより取り出された撮像信号が供給され、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成される初段のソースフォロワ回路と、
前記初段のソースフォロワ回路により増幅された撮像信号が供給され、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成されて出力信号を得る最終段のソースフォロワ回路とを備え、
前記P型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタのNウェルの濃度を薄くして、空乏化した
固体撮像素子の出力回路。 - フローティング・ディフュージョンにより取り出された撮像信号が供給され、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成される初段のソースフォロワ回路と、
前記初段のソースフォロワ回路により増幅された撮像信号が供給され、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成されて出力信号を得る最終段のソースフォロワ回路とを備え、
前記P型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタのNウェルを基板方向の深い位置でニュートラルにした
固体撮像素子の出力回路。 - フローティング・ディフュージョンにより取り出された撮像信号が供給され、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成される初段のソースフォロワ回路と、
前記初段のソースフォロワ回路により増幅された撮像信号が供給され、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成されて出力信号を得る最終段のソースフォロワ回路とを備え、
前記P型MOSトランジスタよりなる最終段のソースフォロワ回路はオープンソースとして、外部から電流制御を行う
固体撮像素子の出力回路。 - 固体撮像素子は、CCD型の固体撮像素子である
請求項1〜13のいずれか1項に記載の固体撮像素子の出力回路。 - 画素がマトリクス状に複数配列された画素部と、
前記画素部に蓄積した信号電荷を転送する転送レジスタと、
前記転送レジスタにより転送された信号電荷を取り出すフローティング・ディフュージョンと、
前記フローティング・ディフュージョンにより取り出された信号が供給され、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成される初段のソースフォロワ回路と、
前記初段のソースフォロワ回路により増幅された信号が供給され、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成されて出力信号を得る最終段のソースフォロワ回路とを備え、
前記最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタをデプレッション型のP型MOSトランジスタで構成した
固体撮像素子。 - 画素がマトリクス状に複数配列された画素部と、
前記画素部に蓄積した信号電荷を転送する転送レジスタと、
前記転送レジスタにより転送された信号電荷を取り出すフローティング・ディフュージョンと、
前記フローティング・ディフュージョンにより取り出された信号が供給され、ドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成される初段のソースフォロワ回路と、
前記初段のソースフォロワ回路により増幅された信号が供給され、それぞれがP型MOSトランジスタよりなるドライバMOSトランジスタとロードMOSトランジスタで構成されて出力信号を得る最終段のソースフォロワ回路と、
前記最終段のソースフォロワ回路の出力信号を処理する撮像信号処理部とを備え、
前記最終段のソースフォロワ回路のドライバMOSトランジスタをデプレッション型のP型MOSトランジスタで構成した
撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009167203A JP5251765B2 (ja) | 2009-07-15 | 2009-07-15 | 固体撮像素子の出力回路、固体撮像素子及び撮像装置 |
US12/801,320 US20110013057A1 (en) | 2009-07-15 | 2010-06-03 | Output circuit for CCD solid-state imaging device, CCD solid-state imaging device, and imaging apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009167203A JP5251765B2 (ja) | 2009-07-15 | 2009-07-15 | 固体撮像素子の出力回路、固体撮像素子及び撮像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011023979A JP2011023979A (ja) | 2011-02-03 |
JP2011023979A5 JP2011023979A5 (ja) | 2012-08-23 |
JP5251765B2 true JP5251765B2 (ja) | 2013-07-31 |
Family
ID=43465016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009167203A Expired - Fee Related JP5251765B2 (ja) | 2009-07-15 | 2009-07-15 | 固体撮像素子の出力回路、固体撮像素子及び撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110013057A1 (ja) |
JP (1) | JP5251765B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2009096192A1 (ja) * | 2008-01-31 | 2011-05-26 | パナソニック株式会社 | バッファ回路及びそれを備えたイメージセンサチップ並びに撮像装置 |
JP7330124B2 (ja) | 2020-03-19 | 2023-08-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
CN113835007B (zh) * | 2020-06-08 | 2022-09-20 | 长鑫存储技术有限公司 | 热载流效应耐受度的测试方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3493781B2 (ja) * | 1995-01-30 | 2004-02-03 | ソニー株式会社 | 信号出力回路及びこれを用いた固体撮像装置 |
JP3320335B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2002-09-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び密着型イメージセンサ |
JP2000068492A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2000253316A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Kawasaki Steel Corp | Cmosイメージセンサ |
JP2002223393A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 電荷転送素子 |
JP3775327B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2006-05-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置、固体撮像素子の駆動方法 |
KR100594274B1 (ko) * | 2004-05-11 | 2006-06-30 | 삼성전자주식회사 | 소비 전력을 저감한 수평 ccd 구동회로, 및 이를구비한 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법 |
JP5104123B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2012-12-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体メモリ |
-
2009
- 2009-07-15 JP JP2009167203A patent/JP5251765B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2010
- 2010-06-03 US US12/801,320 patent/US20110013057A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011023979A (ja) | 2011-02-03 |
US20110013057A1 (en) | 2011-01-20 |
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