WO2012165530A1 - 多層基板の製造方法および多層基板 - Google Patents

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Murata Manufacturing Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a multilayer substrate and a method for manufacturing the multilayer substrate, and more particularly, to a multilayer substrate having a structure in which both main surfaces of a core substrate on which surface-mounted components are mounted are sealed with a sealing resin layer and the manufacture thereof. Regarding the method.
  • a multilayer substrate having a configuration as shown in FIG. 14 has been proposed as one of the multilayer substrates.
  • this multilayer substrate has a core substrate (ceramic multilayer substrate) 110 composed of a plurality of laminated ceramic layers, and an active chip component 140 such as a semiconductor device is arranged on one main surface.
  • a passive chip component 150 such as a capacitor is disposed on the other main surface.
  • resin layers 120 and 130 for sealing are formed on both main surfaces of the core substrate (ceramic multilayer substrate) 110, and surface electrodes 121 and via conductors 122 are formed on the resin layer 130 on the lower surface side. ing.
  • the resin is cured when the resin layers 120 and 130 are formed.
  • warpage occurs in the core substrate 110 due to the difference in expansion and contraction rate between the core substrate 110 and the resin layers 120 and 130, and the mounting reliability when the multilayer substrate is mounted on a module substrate or the like is reduced.
  • the conductor disposed on the multilayer substrate may be disconnected.
  • peeling may occur between the core substrate 110 and the resin layers 120 and 130 due to thermal stress between the core substrate 110 and the resin layers 120 and 130.
  • the present invention solves the above problems, and in manufacturing a multilayer substrate having a structure in which both main surfaces of a core substrate are sealed with a sealing resin layer, warping occurs in the step of curing the resin layer.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer substrate that can suppress the occurrence and reliably manufacture a multilayer substrate without warping and having high reliability.
  • a method for producing a multilayer substrate of the present invention includes: A method for producing a multilayer substrate comprising a sealing resin layer disposed on both main surfaces of a core substrate, (a) A surface mount component to be sealed by the sealing layer is mounted on both main surface sides of a core parent substrate including a plurality of core individual substrates and having through holes penetrating each core individual substrate.
  • Forming a mounted core parent substrate (b) so that the resin layers on both main surfaces of each core substrate obtained by dividing the core parent substrate in the following steps are combined and integrated with each other in a predetermined region, A resin layer forming step of forming a semi-cured resin layer on both main surfaces of the core mother substrate and bonding the resin layers on both main surfaces to each other through the through holes; (c) a resin layer curing step of fully curing the semi-cured resin layer formed on the core parent substrate; and (d) a splitting step in which the core parent substrate including the resin layer that has been hardened in the resin layer curing step is divided at a predetermined position into individual core substrates.
  • the term “through hole penetrating each core substrate” refers to a case where a complete through hole penetrates the core substrate and a case where a part of the through hole penetrates the core substrate. (That is, when one through-hole penetrates the core unit substrate over a plurality of core unit substrates).
  • the resin layer on both main surfaces provided on the core substrate is coupled to and integrated with each other in a predetermined region of the peripheral portion. It is preferable to form a through hole that cuts out a part of the outer peripheral edge of each core substrate included.
  • the resin layers on both main surfaces of the core substrate are combined and integrated with each other at the peripheral portion, so that a highly reliable multilayer substrate without warping can be obtained.
  • the central region of the core substrate is not used as a region for bonding the resin layer, the central region of the core substrate can be effectively used as a mounting region for surface-mounted components.
  • each of the resin layers on both main surfaces provided on the core substrate is coupled to and integrated with each other in a region penetrating the core substrate, and each included in the core parent substrate as the through hole. It is preferable to form a through-hole penetrating the core substrate region.
  • the semi-cured state is used as a dividing groove for dividing the core parent substrate into the core individual substrates. It is preferable to include a step of forming a groove reaching the core parent substrate from the resin layer side. By providing this configuration, it becomes possible to efficiently divide the resin into individual core substrates after the main curing, which is preferable.
  • the multilayer substrate of the present invention is Core substrate, Surface mount components mounted on both main surfaces of the core substrate, A resin layer disposed on both main surfaces of the core substrate so as to seal the surface-mounted component, the resin layers being integrated with each other in a predetermined region. It is said.
  • the resin layers on both main surfaces of the core substrate are combined and integrated with each other in a predetermined region of the peripheral portion.
  • the resin layer is securely bonded at the peripheral edge of the core substrate.
  • the central region of the core substrate is not used as a region for bonding the resin layer, the central region of the core substrate can be effectively used as a mounting region for the surface mount component.
  • substrate is equipped is mutually couple
  • the semi-cured resin layers located on both main surfaces are integrated in each of the core individual substrates included in the core parent substrate. Since the main curing is performed in this state, it is possible to prevent the core substrate from warping, and to obtain a highly reliable multilayer substrate that is free from warping and excellent in mountability on a mother board.
  • the multilayer board of the present invention is provided with resin layers that are arranged on both main surfaces of the core individual board and bonded together in a predetermined region, so that there is no warpage and mountability to a motherboard.
  • An excellent and reliable multilayer substrate can be provided.
  • the resin layers on both main surfaces of the core substrate are combined and integrated, a multilayer substrate with high bonding reliability between the core substrate and the resin layer can be provided.
  • the resin layers on both main surfaces of the core substrate are combined and integrated, when stress is applied to one resin layer, the stress is dispersed in the other resin layer, and the core substrate is Such stress can be weakened. For this reason, it is possible to suppress cracking and chipping of the core substrate, and to suppress characteristic fluctuations of the multilayer substrate.
  • FIG. 1 It is a figure which shows another one process of the manufacturing method of the multilayer substrate concerning Example 1 of this invention, Comprising: It is sectional drawing which shows the state which formed the groove
  • Example 2 It is a figure which shows typically the structure of the multilayer board
  • FIG. 1 is a front sectional view showing the structure of a multilayer substrate according to one embodiment (Example 1) of the present invention
  • FIG. 2 is a perspective view thereof
  • FIG. 3 is a plan cross-sectional view for explaining an arrangement mode of regions where resin layers are bonded in the multilayer substrate according to Example 1 of the present invention.
  • the multilayer substrate A includes a core substrate 1 and a surface mount component (for example, a semiconductor device) that is flip-chip mounted on one main surface 1a of the core substrate.
  • Active chip component for example, a semiconductor device
  • a surface-mounted component for example, a passive chip component such as a capacitor
  • solder 4 to the main surface 1b of the core substrate 1
  • the terminal 5 is disposed so as to seal the one and the other main surfaces 1a and 1b of the core substrate 1 and the surface-mounted components 2a and 2b disposed on both the main surfaces 1a and 1b.
  • resin layers 11 and 12 having substantially the same thickness are provided. Note that the end surfaces of the straight terminals 5 are exposed from the resin layers 11 and 12 so that they can be connected to the outside.
  • the resin layer 11 and the resin layer 12 are combined and integrated with each other in a predetermined region P at the peripheral edge as shown in FIGS. Specifically, as shown in FIG. 3, a portion corresponding to the central portion of each side S in the peripheral portions of the resin layers 11 and 12 formed on the upper and lower main surfaces of the core substrate 1 having a rectangular planar shape. In the recess (predetermined region) P formed in the resin layer 11, the resin layer 11 and the resin layer 12 are combined and integrated.
  • a core parent substrate 10 to be divided into a plurality of core substrates 1 (FIG. 1) constituting individual multilayer substrates A (FIG. 1) is prepared. And the through-hole 7 is formed in the core mother board
  • the core parent substrate 10 a plurality of ceramic layers are laminated, and a ceramic provided with an internal conductor for forming a necessary circuit and a via-hole conductor for connecting the internal conductors between the layers.
  • a substrate (multilayer ceramic substrate) is used as the core parent substrate 10.
  • This ceramic substrate (multilayer ceramic substrate) is formed, for example, by a method such as screen printing, with a ceramic green sheet having an inner conductor pattern formed on the surface, and further, through holes are formed and filled with conductors to form via-hole conductors for interlayer connection.
  • the ceramic green sheets that are formed and the ceramic green sheets for the outer layer on which no conductor pattern is formed are appropriately combined, laminated in a predetermined order, pressed, and then fired.
  • the surface electrode for mounting the surface mount component or connecting the straight terminal may be formed after firing.
  • the conductor pattern is previously formed on the ceramic green sheet for the outer layer constituting the ceramic substrate. It is also possible to form the surface electrode at the same time in the step of firing the whole.
  • LTCC Low Temperature Co-fired Ceramic
  • the substrate that can be used as the core parent substrate 10 is not limited to a ceramic substrate, and a resin substrate or the like can also be used.
  • the straight terminal 5 is connected to the other main surface 10b of the core parent substrate 10 by the solder 4 (see FIG. 4).
  • the resin layer 12 is disposed on the other main surface 10b side of the core mother substrate 10 and semi-cured. At this time, the resin constituting the resin layer 12 is also filled into the through-hole 7 for joining and integrating the resin layers 11 and 12 and semi-cured.
  • the material for forming the resin layer for example, a liquid epoxy resin in which an inorganic filler such as Al 2 O 3 , SiO 2 , or TiO 2 is mixed is used. And after arrange
  • a phenol resin, a cyanate resin, or the like can be used as the resin for forming the resin layer, in addition to the epoxy resin. Further, a solid resin may be used instead of the liquid epoxy resin.
  • a surface-mounted component in this embodiment, an active chip component such as a semiconductor device 2a is provided on the main surface (one main surface) 10a on the opposite side of the core parent substrate 10. Flip chip mounting.
  • the straight terminal 5 is connected to one main surface 10a of the core parent substrate 10 by the solder 4 (see FIG. 6).
  • the resin layer 11 is disposed on one main surface 10 a side of the core mother substrate 10 and is semi-cured.
  • the material for forming the resin layer the same material as that used for forming the resin layer 12 described above is used, and the resin layer 11 is formed by the same method and semi-cured.
  • the resin layer 11 is bonded to the resin layer 12 filled in the through hole 7.
  • the resin layers 11 and 12 are still in a semi-cured state.
  • a dividing groove 6 for dividing the core parent substrate 10 into the core individual substrates 1 is formed.
  • the dividing groove 6 reaches the surface of the core parent substrate 10 from the semi-cured resin layer 11 side and the resin layer 12 side by a laser processing method, and further in the middle of the core parent substrate 10 in the thickness direction (shallow position).
  • the core layer is also formed so as to reach the surface of the core parent substrate 10 from the resin layer 12 side, and further to reach the middle of the core parent substrate 10 in the thickness direction (shallow position). Since the dividing grooves 6 are formed so as to reach the middle of the core parent substrate 10 in the thickness direction (shallow position), the positions where the through holes 7 of the core parent substrate 10 are formed are shown in FIG. As described above, the dividing groove 6 reaches the resin layer inside the through hole 7 formed in the core parent substrate 10.
  • the dividing groove 6 reaches the core parent substrate 10 in order to prevent the core parent substrate 10 from being divided during the manufacturing process. In some cases, it may be desirable not to enter up to 10.
  • the core parent substrate 10 is placed in an oven and heated to a predetermined temperature, whereby the semi-cured resin layers 11 and 12 are fully cured.
  • the main curing of the resin layers 11 and 12 is performed at 150 ° for 60 minutes.
  • the core parent substrate 10 is divided into individual core substrates 1 along the dividing grooves 6. As a result, a multilayer substrate A having the structure shown in FIGS. 1 to 3 is obtained.
  • the specific steps that is, the steps (1) to (9) may be switched in order.
  • the steps (1) to (9) above are performed.
  • (1), (2), (3), (5), (6), (4), (7), (8), (9) may be used in this order.
  • the multilayer substrate A is manufactured through the manufacturing process as described above, the resin layers 11 and 12 are disposed on both main surfaces 1a and 1b of the core substrate 1, and the resin layers 11 and 12 are provided.
  • the peripheral part it couple
  • a multilayer substrate that is free of warpage, excellent in mountability on a mother board, and highly reliable in bonding between the core substrate and the resin layer.
  • the warpage of the core substrate 1 is suppressed and prevented, disconnection of the circuit wiring formed on the multilayer substrate A can be prevented.
  • the resin layers on both main surfaces of the core substrate are combined and integrated, when stress is applied to one resin layer after mounting on the motherboard, the stress is distributed to the other resin layer Thus, the stress applied to the core substrate can be weakened. For this reason, it is possible to suppress cracking and chipping of the core substrate, and to suppress characteristic fluctuations of the multilayer substrate. Moreover, it is easy to absorb bending and a bending strength improves.
  • the resin layer 11 is formed in the concave portion (predetermined region) P formed at a position corresponding to the central portion of each side (four sides) S of the core substrate 1. , 12 are combined and integrated, but the planar shape of the core substrate 1 obtained by dividing the core parent substrate 10 is configured as shown in FIGS.
  • the resin layers 11 and 12 may be combined and integrated in a predetermined region P as shown in FIGS.
  • a shield layer made of a conductive film may be formed on at least one resin layer.
  • the shield layer when the shield layer is formed so as to cover a part of the side surface of the core substrate, there is a problem that a short circuit occurs between the shield layer and the surface mount component. Then, a short circuit can be suppressed. Further, since the shield layer has higher adhesion to the resin layer than the core substrate, the presence of the predetermined region P can increase the adhesion of the shield layer.
  • a predetermined region P having a shape as shown in FIGS. 9 to 11 is formed.
  • a through hole (penetrating region) 7 see FIG. 4 and the like, it can be manufactured by the same method as in the first embodiment.
  • FIG. 12 (a) and 12 (b) are diagrams illustrating a state in which the resin layers 11 and 12 disposed on both main surface sides of the core substrate 1 are combined and integrated. However, in FIG. 12 (a), (b), only the core board
  • the resin for forming the resin layer 12 is filled in the entire region of the through-hole 7 in one step of the manufacturing method of the multilayer substrate (step (4) above).
  • the resin layer 11 is formed.
  • the bonding mode of the resin layers 11 and 12 is as shown in FIG. That is, when the resin layer 11 is formed in a state in which the resin for forming the resin layer 12 is filled in the entire through hole 7, the resin layer 11 (the resin for forming the resin layer 11) becomes the through hole. 7 is bonded to the surface of the resin for forming the resin layer 12 filled in the whole, and is integrated in the subsequent curing process of the bonding layers 11 and 12, and the state as shown in FIG. Become.
  • the resin for the resin layer 12 is filled up to the middle of the through hole 7, and then the resin layer 11 is formed in the middle of the through hole 7 in the step (7).
  • the resin layers 11 and 12 are integrally bonded in a manner as shown in FIG.
  • the bonding mode of the resin layers 11 and 12 may be any mode of FIGS. 12 (a) and 12 (b).
  • FIGS. 13A and 13B are views showing a multilayer substrate B according to another embodiment (Example 2) of the present invention.
  • Example 2 is another embodiment of the present invention.
  • FIGS. 13A and 13B only the core substrate 1 and the resin layers 11 and 12 are shown and others are omitted for easy understanding.
  • the resin layers 11 and 12 formed on both main surface sides of the core substrate 1 are connected to the core substrate 1. They are coupled together through a through-hole 17 that penetrates.
  • the multilayer substrate B of Example 2 can be manufactured by a method according to the manufacturing method of Example 1 described above. That is, when the through hole is formed in the core mother board, the through hole is formed so as to penetrate the area of each core substrate included in the core mother board and not to reach the dividing line.
  • the multilayer substrate B of Example 2 can be manufactured by the method according to 1.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment in other points as well.
  • Specific configurations of the core parent substrate and the core individual substrate, types and mounting modes of surface-mounted components to be mounted, resin layers Of the material constituting the core, the arrangement of the predetermined regions where the resins on both main surfaces of the core mother board should be integrated, the conditions for semi-curing and main-curing the resin layer, the core mother board as individual cores Various applications and modifications can be made within the scope of the invention with respect to a specific method for dividing into individual substrates.
  • Core single substrate 1a One main surface of core single substrate 1b
  • Surface mount component 4 Solder 5
  • Straight terminal 6 Dividing groove 7
  • Through hole 10 Core parent substrate 10a
  • One main surface of core parent substrate 10b The other main surface of core parent substrate 11, 12 Resin layer A, B Multilayer substrate P Predetermined area S side

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Abstract

両主面側に樹脂層を備えた多層基板を製造する場合に、樹脂層の硬化工程での反りの発生を抑制することが可能で、信頼性の高い多層基板を製造する方法および反りがなく信頼性の高い多層基板を提供する。 複数のコア個基板を含み、各コア個基板を貫通する貫通孔７が形成されたコア親基板１０の両主面側に表面実装部品２ａ，２ｂが実装された実装済みのコア親基板を形成し、コア親基板１０を分割することにより得られる個々のコア個基板１が備える両主面側の樹脂層１１，１２が所定の領域Ｐで互いに結合して一体化した状態となるように、コア親基板の両主面に半硬化状態の樹脂層を形成し、貫通孔７を介して両主面側の樹脂層を互いに接合させた後、樹脂層を本硬化させ、その後に、コア親基板を所定の位置で分割して個々のコア個基板１に分ける。

Description

多層基板の製造方法および多層基板
　本発明は、多層基板および多層基板の製造方法に関し、詳しくは、表面実装部品が実装されたコア基板の両主面が封止用の樹脂層により封止された構造を有する多層基板およびその製造方法に関する。
　多層基板の１つに、図１４に示すような構成を備えた多層基板が提案されている。この多層基板は、図１４に示すように、積層された複数のセラミック層からなるコア基板（セラミック多層基板）１１０を有し、一方の主面には、半導体装置などの能動チップ部品１４０が配設され、他方の主面にはコンデンサなどの受動チップ部品１５０が配設されている。
　そして、コア基板（セラミック多層基板）１１０の両主面には、封止用の樹脂層１２０，１３０が形成され、下面側の樹脂層１３０には、表面電極１２１や、ビア導体１２２が形成されている。
　この多層基板のように、コア基板（セラミック多層基板）１１０の両主面を樹脂層１２０，１３０により封止した構造を有する多層基板の場合、樹脂層１２０，１３０を形成する際における樹脂の硬化工程で、コア基板１１０と樹脂層１２０，１３０の間の膨張収縮率の差から、コア基板１１０に反りが発生し、多層基板をモジュール基板などに実装する際の実装信頼性が低下したり、場合によっては多層基板に配設された導体に断線が発生したりするという問題点がある。
　また、コア基板１１０と樹脂層１２０，１３０の間の熱応力により、コア基板１１０と樹脂層１２０，１３０間に剥がれが生じる場合がある。
特開２００９－１８８２１８号公報
　本発明は、上記課題を解決するものであり、コア基板の両主面が封止用の樹脂層により封止された構造を有する多層基板を製造するにあたって、樹脂層を硬化させる工程で反りが生じることを抑制して、反りがなく、信頼性の高い多層基板を確実に製造することが可能な多層基板の製造方法を提供することを目的とする。
　上記の課題を解決するため、本発明の多層基板の製造方法は、
　コア個基板の両主面に配設された封止用の樹脂層を備えた多層基板の製造方法であって、
　(ａ)複数のコア個基板を含み、各コア個基板を貫通する貫通孔が形成されたコア親基板の両主面側に、前記封止層により封止されるべき表面実装部品が実装された実装済みコア親基板を形成する工程と、
　(ｂ)下記の工程で前記コア親基板を分割することにより得られる個々のコア個基板が備える両主面側の樹脂層が所定の領域で互いに結合して一体化した状態となるように、前記コア親基板の両主面に半硬化状態の樹脂層を形成するとともに、前記貫通孔を介して両主面側の前記樹脂層を互いに接合させる樹脂層形成工程と、
　(ｃ)前記コア親基板に形成した前記半硬化状態の樹脂層を本硬化させる樹脂層硬化工程と、
　(ｄ)前記樹脂層硬化工程で本硬化させた樹脂層を備えた前記コア親基板を所定の位置で分割して個々のコア個基板に分ける分割工程と
　を具備することを特徴としている。
　なお、本発明において、「各コア個基板を貫通する貫通孔」とは、完全な貫通孔がコア個基板を貫通している場合と、貫通孔の一部分がコア個基板を貫通している場合（すなわち、１つの貫通孔が複数個のコア個基板にわたって、コア個基板を貫通している場合）とを含む広い概念である。
　また、本発明においては、前記コア個基板が備える両主面側の前記樹脂層が、周縁部の所定の領域で互いに結合して一体化するように、前記貫通孔として、前記コア親基板に含まれる各コア個基板の外周縁の一部を切り欠くような貫通孔を形成することが好ましい。
　この構成を備えることにより、コア個基板が備える両主面側の樹脂層が周縁部で互いに結合して一体化するため、反りがなく、信頼性の高い多層基板を得ることができる。また、コア個基板の中央領域が樹脂層を結合させる領域として使用されないので、コア個基板の中央領域を、表面実装部品の実装領域などとして有効に利用することができる。
　また、前記コア個基板が備える両主面側の前記樹脂層が、前記コア個基板を貫通する領域において互いに結合して一体化するように、前記貫通孔として、前記コア親基板に含まれる各コア個基板の領域内を貫通する貫通孔を形成することが好ましい。
　この構成を備えることにより、コア個基板が備える両主面側の前記樹脂層が、コア個基板の貫通部で確実に結合して一体化するため、反りがなく、信頼性の高い多層基板を得ることができる。
　また、前記(ｂ)の樹脂層形成工程と、前記(ｃ)の樹脂層硬化工程の間に、前記コア親基板を前記コア個基板に分割するための分割用溝として、前記半硬化状態の樹脂層側から前記コア親基板に達する溝を形成する工程を備えていることが好ましい。
　この構成を備えることにより、樹脂の本硬化後の個々のコア個基板への分割を効率よく行うことが可能になり、好ましい。
　また、本発明の多層基板は、
　コア個基板と、
　コア個基板の両主面に実装された表面実装部品と、
　前記コア個基板の両主面に、前記表面実装部品を封止するように配設された樹脂層であって、所定の領域で互いに結合して一体化した樹脂層と
　を具備することを特徴としている。
　本発明の多層基板においては、前記コア個基板が備える両主面側の前記樹脂層が、周縁部の所定の領域で互いに結合して一体化していることが好ましい。
　この構成を備えることにより、コア個基板の周縁部で樹脂層が確実に結合された、反りがなく、信頼性の高い多層基板を得ることができる。また、コア個基板の中央領域が樹脂層を結合させる領域として使用されないので、コア個基板の中央領域を表面実装部品の実装領域などとして有効に利用することができる。
　また、前記コア個基板が備える両主面側の前記樹脂層が、前記コア個基板を貫通する領域において互いに結合して一体化していることが好ましい。
　この構成を備えることにより、コア個基板の貫通部で樹脂層が確実に結合された、反りがなく、信頼性の高い多層基板を得ることができる。
　本発明の多層基板の製造方法は、樹脂層を本硬化させる硬化工程では、コア親基板に含まれるコア個基板のそれぞれにおいて、両主面側に位置する半硬化状態の樹脂層が一体化した状態で本硬化することになるため、コア個基板に反りが生じることを防止して、反りがなく、マザーボードへの実装性に優れた、信頼性の高い多層基板を得ることが可能になる。
　また、コア個基板の両主面側の樹脂層が結合して一体化していることから、コア個基板と樹脂層との接合信頼性の高い多層基板を得ることができる。
　また、本発明の多層基板は、コア個基板の両主面に配設され所定の領域で互いに結合して一体化した樹脂層とを備えているので、反りがなく、マザーボードへの実装性に優れた、信頼性の高い多層基板を提供することができる。
　また、コア個基板の両主面側の樹脂層が結合して一体化していることから、コア個基板と樹脂層との接合信頼性の高い多層基板を提供することができる。
　また、コア個基板の両主面側の樹脂層が結合して一体化していることから、一方の樹脂層に応力がかかったときに、他方の樹脂層に応力が分散され、コア個基板にかかる応力を弱めることができる。そのためコア個基板の割れや欠けを抑制でき、多層基板の特性変動を抑制することができる。
本発明の一実施例（実施例１）にかかる多層基板の構成を示す正面断面図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板を示す斜視図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板における樹脂層を結合させる領域の配設態様を説明するための平面断面図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板の製造方法の一工程を示す図であって、コア親基板の他方の主面に表面実装部品を実装し、ストレート端子を配設した状態を示す図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板の製造方法の他の一工程を示す図であって、コア親基板の他方の主面に樹脂層を形成した状態を示す断面図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板の製造方法のさらに他の一工程を示す図であって、コア親基板の一方の主面に表面実装部品を実装し、ストレート端子を配設した状態を示す断面図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板の製造方法のさらに他の一工程を示す図であって、コア親基板の一方の主面に樹脂層を形成した状態を示す断面図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板の製造方法のさらに他の一工程を示す図であって、樹脂層に分割用溝を形成した状態を示す断面図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板の変形例を示す平面断面図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板の他の変形例を示す平面断面図である。 本発明の実施例１にかかる多層基板のさらに他の変形例を示す平面断面図である。 (ａ)，(ｂ)はコア個基板の両主面側に配設された樹脂層を結合、一体化させた状態を説明する図である。 本発明の他の実施例（実施例２）にかかる多層基板の構成を模式的に示す図であり、(ａ)は平面断面図、(ｂ)は正面断面図である。 従来の多層基板の構成を示す正面断面図である。
　以下に本発明の実施例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
　図１は本発明の一実施例（実施例１）にかかる多層基板の構成を示す正面断面図、図２はその斜視図である。また、図３は本発明の実施例１にかかる多層基板における樹脂層を結合させる領域の配設態様を説明するための平面断面図である。
　この実施例１の多層基板Ａは、図１および２に示すように、コア個基板１と、コア個基板の一方の主面１ａにフリップチップ実装された表面実装部品（例えば、半導体装置などの能動チップ部品）２ａと、他方の主面１ｂにはんだ付け実装された表面実装部品（例えば、コンデンサなどの受動チップ部品）２ｂと、コア個基板１の主面１ｂにはんだ４により接続されたストレート端子５と、コア個基板１の一方および他方の両主面１ａ，１ｂ、および、両主面１ａ，１ｂ上に配設された表面実装部品２ａ，２ｂなどを封止するように配設された、ほぼ同等の厚みを有する樹脂層１１，１２とを具備している。なお、ストレート端子５は外部に接続することができるように端面が樹脂層１１，１２から露出している。
　そして、この実施例１の多層基板Ａにおいては、樹脂層１１および樹脂層１２は、図１，２に示すように、周縁部の所定の領域Ｐにおいて、互いに結合して一体化されている。
　具体的には、図３に示すように、平面形状が長方形のコア個基板１の上下両主面に形成された樹脂層１１，１２の周縁部における、各辺Ｓの中央部に相当する箇所に形成された凹部（所定の領域）Ｐにおいて、樹脂層１１と樹脂層１２とが結合して、一体化している。
　次に、この多層基板Ａの製造方法を、図４～図８を参照しつつ説明する。
　(１)まず、個々の多層基板Ａ（図１）を構成する複数のコア個基板１（図１）に分割されることになるコア親基板１０を用意する。そして、コア親基板１０に、上述の樹脂層１１，１２を結合させて一体化するための領域として貫通孔７を形成する。
　なお、この実施例では、コア親基板１０として、複数のセラミック層が積層され、内部に、必要な回路を形成するための内部導体や内部導体を層間接続するためのビアホール導体などを備えたセラミック基板（多層セラミック基板）を用いている。
　このセラミック基板（多層セラミック基板）は、例えば、スクリーン印刷などの方法で、表面に内部導体パターンを形成したセラミックグリーンシート、さらに貫通孔を形成した後に導体を充填して層間接続用のビアホール導体を形成したセラミックグリーンシート、導体パターンの形成されていない外層用のセラミックグリーンシートなどを適宜組み合わせて所定の順序で積層し、圧着した後、焼成する方法などによって製造されるものである。
　なお、表面実装部品を搭載したり、ストレート端子を接続したりするための表面電極は、焼成後に形成してもよく、場合によっては、セラミック基板を構成する外層用のセラミックグリーンシートに予め導体パターンを形成しておいて、全体を焼成する工程で同時に表面電極が形成されるようにすることも可能である。
　ただし、セラミック基板の製造方法や具体的な構成には特別の制約はなく、公知の種々の方法で製造された、種々の構成を有するセラミック基板を用いることができる。
　また、セラミック基板を用いる場合、特に焼成低温の低い、ＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板を用いることも可能である。
　また、コア親基板１０として用いることが可能な基板は、セラミック基板に限られるものではなく、樹脂基板などを用いることも可能である。
　(２)それから、図４に示すように、コア親基板１０の一方の主面１０ａと他方の主面１０ｂのうち、他方の主面１０ｂ上に、表面実装部品（この実施例では、例えば、コンデンサなどの受動チップ部品）２ｂをはんだ付け実装などの方法で実装する。
　(３)次いで、ストレート端子５をはんだ４によりコア親基板１０の他方の主面１０ｂに接続する（図４参照）。
　(４)それから、図５に示すように、コア親基板１０の他方の主面１０ｂ側に、樹脂層１２を配設し、半硬化させる。このとき、樹脂層１２を構成する樹脂を、上述の樹脂層１１，１２を結合させて一体化するための貫通孔７にも充填し、半硬化させる。
　ここでは、樹脂層形成用の材料として、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2など無機フィラーが混合された液状エポキシ樹脂を用いる。そして、これをコア親基板１０の他方の主面１０ｂ側に配設した後、１００℃で９０分熱処理することにより半硬化させる。なお、後述のように、樹脂層１１，１２の本硬化は、１５０°、６０分の条件で行う。
　本発明においては、樹脂層形成用の樹脂として、エポキシ樹脂以外にも、フェノール樹脂、シアネート樹脂などを用いることができる。また、液状エポキシ樹脂に替えて、固形樹脂を用いてもよい。
　(５)次に、図６に示すように、コア親基板１０の反対側の主面（一方の主面）１０ａに表面実装部品（この実施例では、半導体装置などの能動チップ部品）２ａをフリップチップ実装する。
　(６)次いで、ストレート端子５をはんだ４によりコア親基板１０の一方の主面１０ａに接続する（図６参照）。
　(７)それから、図７に示すように、コア親基板１０の一方の主面１０ａ側に、樹脂層１１を配設し、半硬化させる。このとき、樹脂層形成用の材料として、上述の樹脂層１２を形成するのに用いた材料と同じ材料を用いて、同様の方法で樹脂層１１を形成し、半硬化させる。
　この工程において、樹脂層１１は、貫通孔７内に充填された樹脂層１２と接合する。ただし、この段階では、樹脂層１１，１２は、まだ半硬化の状態にある。
　(８)その後、図８に示すように、コア親基板１０をコア個基板１に分割するための分割用溝６を形成する。
　分割用溝６は、レーザ加工法により、半硬化状態の樹脂層１１側および樹脂層１２側から、コア親基板１０の表面に達し、さらに、コア親基板１０の厚み方向の途中（浅い位置）にまで達するように形成するとともに、樹脂層１２側からも、コア親基板１０の表面に達し、さらに、コア親基板１０の厚み方向の途中（浅い位置）にまで達するように形成する。分割用溝６が、コア親基板１０の厚み方向の途中（浅い位置）にまで達するように形成されることから、コア親基板１０の貫通孔７が形成された位置においては、図８に示すように、分割用溝６が、コア親基板１０に形成された貫通孔７の内部の樹脂層にまで達する。
　なお、コア親基板１０が薄い場合や脆い材料の場合は、製造工程の途中で分割されてしまうことを防止するため、分割用溝６がコア親基板１０に達してはいるが、コア親基板１０にまでは入り込まないようにすることが望ましい場合もある。
　(９)次に、コア親基板１０をオーブンに入れて所定の温度に加熱することにより、半硬化状態の樹脂層１１，１２を本硬化させる。なお、樹脂層１１，１２の本硬化は１５０°、６０分の条件で行う。
　それから、コア親基板１０を分割用溝６に沿って個々のコア個基板１に分割する。これにより、図１～３にその構成を示すような構造を有する多層基板Ａが得られる。
　なお、上述の多層基板Ａを製造する場合においては、具体的な工程、すなわち、上記(１)～(９)の工程はその順序が入れ替わる場合もある。
　例えば、上記(１)～(９)の工程を、
　(１)，(２)，(３)，(５)，(６)，(４)，(７)，(８)，(９)の順としたりすることも可能である。
　さらに、上述の例と異なる態様で上記(１)～(９)の各工程を実施することも可能である。
　この多層基板Ａは、上述のような製造工程を経て製造されるとともに、コア個基板１の両主面１ａ，１ｂ側に樹脂層１１，１２が配設され、かつ、樹脂層１１，１２がその周縁部における、各辺Ｓの中央部に相当する箇所に形成された凹部（上述の貫通孔７が分割されて形成された所定の領域）Ｐ（図３）において結合、一体化されているので、樹脂層１１，１２の硬化工程でコア個基板１に反りが生じることを効果的に抑制、防止することができる。
　その結果、反りがなく、マザーボードへの実装性に優れ、かつ、コア個基板と樹脂層との接合信頼性の高い多層基板を得ることが可能になる。
　また、コア個基板１の反りが抑制、防止されることから、多層基板Ａに形成された回路配線などの断線を防止することができる。
　また、コア個基板の両主面側の樹脂層が結合して一体化していることから、マザーボードへの実装後に、一方の樹脂層に応力がかかったときに、他方の樹脂層に応力が分散され、コア個基板にかかる応力を弱めることができる。そのためコア個基板の割れや欠けを抑制でき、多層基板の特性変動を抑制することができる。また撓みを吸収しやすく、撓み強度も向上する。
　なお、上記の実施例では、図３に示すように、コア個基板１の各辺（４つの辺）Ｓの中央部に相当する箇所に形成された凹部（所定の領域）Ｐにおいて樹脂層１１，１２を結合、一体化させているが、コア親基板１０を分割することにより得られるコア個基板１の平面形状が、図９，１０，および１１に示すような形状になるように構成し、かつ、樹脂層１１，１２を、図９，１０，および１１に示すような所定の領域Ｐで結合、一体化させるように構成することも可能である。
　特に、図１０，１１のように、コア個基板の角部を覆うように所定の領域Ｐが配置されるとコア個基板の割れや欠けを抑制することができる。
　なお、図１において、少なくとも一方の樹脂層に導電性膜からなるシールド層を形成してもよい。特にコア個基板の側面の一部にもかかるようにシールド層を形成する場合には、シールド層と表面実装部品間でショートするという問題があるが、そのような場所に所定の領域Ｐを配置すると、ショートを抑制することができる。また、シールド層は、コア個基板より樹脂層との密着性が高いので、所定の領域Ｐがあることにより、シールド層の密着性を高めることができる。
　なお、図９～１１の構成の多層基板は、コア親基板１０に、それを各コア個基板１に分割したときに、図９～１１に示すような形状を有する所定の領域Ｐが形成されるような貫通孔（貫通領域）７（図４など参照）を形成することにより、上記実施例１の場合と同じ方法で製造することができる。
　また、図１２(ａ)，(ｂ)はコア個基板１の両主面側に配設された樹脂層１１，１２を結合、一体化させた状態を説明する図である。ただし、図１２(ａ)，(ｂ)では、理解を容易にするため、コア個基板１と樹脂層１１，１２のみを示し、他は省略している。
　上記実施例では、多層基板の製造方法の一工程（上記(４)の工程）で、貫通孔７の全領域に樹脂層１２を形成するための樹脂を充填し、その後、上記(７)の工程で、樹脂層１１を形成するようにしているが、その場合、樹脂層１１，１２の結合態様は、図１２(ａ)に示すようになる。すなわち、樹脂層１２を構成するための樹脂が貫通孔７の全体に充填されている状態で、樹脂層１１が形成されることにより、樹脂層１１（を形成するための樹脂）が、貫通孔７の全体に充填された樹脂層１２を形成するための樹脂の表面と接合し、その後の接合層１１，１２の本硬化の工程で一体化して、図１２(ａ)に示すような状態となる。
　一方、上記(４)の工程で、貫通孔７の途中まで樹脂層１２用の樹脂を充填し、その後、上記(７)の工程で、樹脂層１１を形成する際に、貫通孔７の途中まで樹脂層１１を形成するための樹脂が充填されるようにした場合、図１２(ｂ)に示すような態様で樹脂層１１，１２が一体に結合されることになる。
　本発明において、樹脂層１１，１２の結合態様は、図１２(ａ)，(ｂ)のいずれの態様であってもよい。
　図１３(ａ)，(ｂ)は、本発明の他の実施例（実施例２）にかかる多層基板Ｂを示す図である。なお、図１３(ａ)，(ｂ)では、理解を容易にするため、コア個基板１と樹脂層１１，１２のみを示し、他は省略している。
　図１３(ａ)，(ｂ)に示すように、この実施例２の多層基板Ｂにおいては、コア個基板１の両主面側に形成された樹脂層１１，１２が、コア個基板１を貫通する貫通孔１７を介して、一体に結合されている。
　この実施例２の構成の場合にも、上記実施例１の場合と同様の効果を得ることができる。
　なお、この実施例２の多層基板Ｂは、上記実施例１の製造方法に準じる方法で製造することができる。すなわち、コア親基板に貫通孔を形成する際に、コア親基板に含まれる各コア個基板の領域内を貫通するとともに、分割ラインにかからないように、貫通孔を形成することにより、上記実施例１の場合に準じる方法でこの実施例２の多層基板Ｂを製造することができる。
　なお、本発明は、さらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、コア親基板やコア個基板の具体的な構成、実装される表面実装部品の種類や実装態様、樹脂層を構成する材料の種類、コア親基板の両主面側の樹脂を一体化させるべき所定の領域の配設態様、樹脂層を半硬化および本硬化させる際の条件、コア親基板を個々のコア個基板に分割する際の具体的な方法などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。
　１　　　　　コア個基板
　１ａ　　　　コア個基板の一方の主面
　１ｂ　　　　コア個基板の他方の主面　
　２ａ，２ｂ　表面実装部品
　４　　　　　はんだ
　５　　　　　ストレート端子
　６　　　　　分割用溝
　７　　　　　貫通孔
　１０　　　　コア親基板
　１０ａ　　　コア親基板の一方の主面
　１０ｂ　　　コア親基板の他方の主面
　１１，１２　樹脂層
　Ａ，Ｂ　　　多層基板
　Ｐ　　　　　所定の領域
　Ｓ　　　　　辺

Claims (7)

  1. 　コア個基板の両主面に配設された封止用の樹脂層を備えた多層基板の製造方法であって、
    　(ａ)複数のコア個基板を含み、各コア個基板を貫通する貫通孔が形成されたコア親基板の両主面側に、前記封止層により封止されるべき表面実装部品が実装された実装済みコア親基板を形成する工程と、
    　(ｂ)下記の工程で前記コア親基板を分割することにより得られる個々のコア個基板が備える両主面側の樹脂層が所定の領域で互いに結合して一体化した状態となるように、前記コア親基板の両主面に半硬化状態の樹脂層を形成するとともに、前記貫通孔を介して両主面側の前記樹脂層を互いに接合させる樹脂層形成工程と、
    　(ｃ)前記コア親基板に形成した前記半硬化状態の樹脂層を本硬化させる樹脂層硬化工程と、
    　(ｄ)前記樹脂層硬化工程で本硬化させた樹脂層を備えた前記コア親基板を所定の位置で分割して個々のコア個基板に分ける分割工程と
    　を具備することを特徴とする多層基板の製造方法。
  2. 　前記コア個基板が備える両主面側の前記樹脂層が、周縁部の所定の領域で互いに結合して一体化するように、前記貫通孔として、前記コア親基板に含まれる各コア個基板の外周縁の一部を切り欠くような貫通孔を形成することを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
  3. 　前記コア個基板が備える両主面側の前記樹脂層が、前記コア個基板を貫通する領域において互いに結合して一体化するように、前記貫通孔として、前記コア親基板に含まれる各コア個基板の領域内を貫通する貫通孔を形成することを特徴とする請求項１記載の多層基板の製造方法。
  4. 　前記(ｂ)の樹脂層形成工程と、前記(ｃ)の樹脂層硬化工程の間に、前記コア親基板を前記コア個基板に分割するための分割用溝として、前記半硬化状態の樹脂層側から前記コア親基板に達する溝を形成する工程を備えていることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
  5. 　コア個基板と、
    　コア個基板の両主面に実装された表面実装部品と、
    　前記コア個基板の両主面に、前記表面実装部品を封止するように配設された樹脂層であって、所定の領域で互いに結合して一体化した樹脂層と
    　を具備することを特徴とする多層基板。
  6. 　前記コア個基板が備える両主面側の前記樹脂層が、周縁部の所定の領域で互いに結合して一体化していることを特徴とする請求項５記載の多層基板。
  7. 　前記コア個基板が備える両主面側の前記樹脂層が、前記コア個基板を貫通する領域において互いに結合して一体化していることを特徴とする請求項５記載の多層基板。
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