WO2012124524A1 - 蒸着粒子射出装置および蒸着装置 - Google Patents
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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-
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-
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- H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
Definitions
- the organic EL layer a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer
- a hole injection layer a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer
- FIG. 17 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a general vapor deposition material injection apparatus 400 used in a vacuum vapor deposition method, together with a deposition target substrate 200 and a vapor deposition mask 300.
- FIG. It is a perspective view which shows schematic structure of the vapor deposition particle injection apparatus 400 shown.
- a vapor deposition particle injection apparatus 400 having an injection port 401a having a diameter of 2 mm and a length in the normal direction of 25 mm was used as a vapor deposition source. Further, an alkali-free glass substrate was used as the film formation substrate 200, and Alq 3 (aluminum quinolinol complex, aluminato-tris-8-hydroxyquinolate, sublimation temperature: 305 ° C.) was used as a deposition material. The distance between the alkali-free glass substrate and the injection port 401a was 125 mm, the film formation rate was 0.1 nm / sec, and the degree of vacuum in the vacuum chamber was 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa or less. The film was formed on an alkali-free glass substrate so that the center film thickness was 100 nm. The temperature of the crucible 402 was 340 ° C. The height of the holder 401 was 80 mm.
- the direction of the vapor deposition flow of the vapor deposition material evaporated in the frame body 501 is controlled by the frame bodies 502 and 503 because the vapor deposition source has the above configuration.
- the vapor deposition source has the above configuration.
- the vapor deposition flow that has passed through the frames 502 and 503 is directed to the film formation substrate 200, and the vapor deposition material that has not passed through the frames 502 and 503 is collected in the lowermost frame 501. Therefore, the vapor deposition material can be used effectively.
- the directivity is improved and the spread angle of the vapor deposition particles can be reduced as compared with the conventional case.
- the density of the vapor deposition particles becomes higher than before, and the vapor deposition rate is improved.
- the directivity is improved as compared with the conventional case, and the spread angle of the vapor deposition particles can be reduced. Even so, the density of the vapor deposition particles becomes higher than the conventional one, and the vapor deposition rate is improved.
- the mask 300 may be provided separately from the deposition target substrate 200 and has a size smaller than the deposition target region of the deposition target substrate 200 as shown in the embodiment described later. Also good.
- the frame 3 is provided adjacent to the inner wall 2 a of the vacuum chamber 2.
- a shutter 5 is provided for determining whether or not vapor deposition particles are emitted.
- the vapor deposition particle injection device moving unit 7 may include a stage such as an XYZ stage and a Z-axis drive actuator as the stage 8 and the actuator 9.
- the Z-axis drive actuator converts the control signal into a movement in the Z-axis direction perpendicular to the opening forming surface of the mask 300, so that a gap (separation distance) between the mask 300 and the vapor deposition particle injection devices 20 and 30 is obtained. To control.
- the openings 23a to 25a formed in the plate members 23 to 25 are overlapped, a part of the vapor deposition particles discharged from the crucible 22 is injected from the injection port 21a without contacting anywhere. That is, according to the present embodiment, the vapor deposition particles can be directly discharged from the crucible 22 to the injection port 21a through the portion where the openings 23a to 25a overlap.
- the maximum injection angle ⁇ 0 at which the vapor deposition particles are directly injected out of the injection port 21a from the crucible 22 is from the direction perpendicular to the injection port 21a and the opening surfaces of the openings 23a to 25a of the plate-like members 23 to 25.
- the lower end (opening lower end 23a) of the opening end of the lowermost plate-like member 23 on one side across the region A is sandwiched. 1 ) and the lowermost plate-like member located on the line H connecting the upper end portion (opening upper end 21a 1 ) of the opening 21a of the holder 21 on the other side across the region A
- the lower end portion of the open end is referred to as “open end B”.
- the maximum emission angle ⁇ 0 is an angle formed by a normal line (vertical line) passing through the opening end B and a line connecting the opening end B and the opening end C, as shown in FIG.
- the range W in which the vapor deposition particles are directly injected from the crucible 22 to the outside of the injection port 21a can be arbitrarily set by changing the injection port width d3 of the injection port 21a and the above ⁇ 1 ( ⁇ 0 ). .
- the vapor deposition particles that have flowed upward from the first space layer D are then discharged from the injection port 21a without contacting anywhere in the holder 21, or between the upper plate-like members, that is, It is captured again by the second space layer E to the fourth space layer G.
- the vapor deposition particles caught between the upper plate members repeat the same process as the lower layer.
- R2 and R3 are shown only on one side of the region A, but R2 and R3 are similarly determined on the other side.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the main part of the vapor deposition particle injection apparatus 20 for explaining a method of determining the inner wall position of the holder 21 in the space layer other than the uppermost layer.
- the thickness and depth d2 of the top wall of the plate-like members 23 to 25 and the holder 21 are not particularly limited, but the molding method and molding material, and the size and shape of the deposition target substrate 200 are maintained. It is preferable to design so that d2 / h2 is as large as possible according to the strength and the like.
- the organic EL display device 100 it is necessary to form a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color in a predetermined pattern for each organic EL element 120 on the film formation substrate 200. There is.
- the auxiliary plate 40 having the plurality of small holes 41 is provided between the crucible 22 and the lowermost plate-like member 23, the density of vapor deposition particles emitted from each position in the crucible 22 is provided. It is possible to prevent the vapor deposition material from being ejected from the injection port 21a as a cluster (lumps) by making the vapor deposition particles uniform or discharging the vapor deposition particles aggregated from the crucible 22.
- the holders 21 and 31 are loaded with, for example, a load lock type.
- the vapor deposition material evaporated or sublimated may be supplied into the holders 21 and 31 through the pipe.
- the size of d3 is larger than that of the vapor deposition particle injection device 20 shown in FIG.
- the range W in which the vapor deposition particles are directly injected from the crucible 22 to the outside of the injection port 21a can be arbitrarily set by changing the injection port width d3 of the injection port 21a and the above ⁇ 1 ( ⁇ 0 ). Can be set to
- the mask 300 is provided with, for example, a plurality of strip-shaped (stripe-shaped) openings 301 (through holes) arranged in a one-dimensional direction, for example. ing.
- the substrate moving unit 51 may include, for example, a suction plate as a substrate holding member, and move the suction plate using a driving member such as a motor or a hydraulic bump.
- the vapor deposition material supply unit 27 and the pipe 28 may be provided inside the vapor deposition chamber 2 or may be provided outside the vapor deposition chamber 2.
- a load lock type pipe can be used as the pipe 28, for example.
- the injection ports 21a may be arranged two-dimensionally. In this case, a structure similar to that shown in FIG. 16 may be formed in the substrate scanning direction.
- the center positions of the injection port and the through-holes of the plate-like members coincide when viewed from the direction perpendicular to the opening surface of the injection port and the through-holes of the plate-like members.
- the vapor deposition particles injected from the injection port of the vapor deposition particle injection device are ejected radially with a certain extent, but the angle of the vapor deposition particles incident on the deposition target substrate through the opening of the limiting plate Is limited to a certain angle or less.
- the vapor deposition mask includes a plurality of openings, and only one injection port of the vapor deposition particle injection apparatus is provided in the arrangement direction of the openings of the vapor deposition mask. .
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Abstract
Description
σ(θ)=Acosn+3θ…(1)
で示されるとされている。
本発明の実施の一形態について、図1~図10に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図2は、本実施の形態にかかる蒸着装置における真空チャンバ内の主要構成要素を模式的に示す断面図である。
マスク300には、所望の位置・形状に、開口部301(貫通口)が形成されており、マスク300の開口部301を通過した蒸着粒子のみが被成膜基板200に到達して蒸着膜を形成する。
真空チャンバ2には、蒸着時に該真空チャンバ2内を真空状態に保つために、該真空チャンバ2に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ2内を真空排気する真空ポンプ11が設けられている。
フレーム3は、図2に示すように、真空チャンバ2の内壁2aに隣接して設けられている。
前記したように、マスク300は、被成膜基板200の被成膜面201に、図示しない固定手段によって密着固定されている。
図2に示すように、マスク300と蒸着粒子射出装置30との間には、蒸着粒子射出装置30から射出された蒸着粒子のマスク300への到達を制御するために、被成膜基板200に向けて蒸着粒子を放射させるか否かを決定するシャッタ5が設けられている。
シャッタ作動ユニット6は、図2に示すように、シャッタ5を保持するとともに、例えば、真空チャンバ外に設けられた、図示しない制御部からの蒸着OFF(オフ)信号/蒸着ON(オン)信号に基づいてシャッタ5を作動させる。
蒸着粒子射出装置移動ユニット7は、図2に示すように、蒸着粒子射出装置20・30を載置するステージ8と、アクチュエータ9とを備えている。
蒸着粒子射出装置20・30は、マスク300を介して被成膜基板200に対向配置されている。
筐体であるホルダ21は、その内部に、るつぼ22および複数(複数段)の板状部材(本実施の形態では板状部材23~25)を収容して保持する。
また、ホルダ21の周囲には、熱交換器26が設けられている。ホルダ21は、ヒータや電磁誘導等、ホルダ21の外部に設けられた熱交換器26によって加熱される。
るつぼ22は、内部に蒸着材料を収容(貯留)して加熱する加熱容器である。るつぼ22には、例えば、黒鉛、PBN(Pyrolytic Boron Nitride)、金属等からなる、従来蒸着源に使用されている常用のるつぼを用いることができる。
ホルダ21内における、るつぼ22の上方(すなわち、るつぼ22と射出口21aとの間)には、それぞれ上下方向に貫通する開口部(貫通口)を有する複数(複数段)の板状部材が、該開口部の開口方向(貫通方向)に互いに離間して重畳して配設されている。
最上層以外の空間層におけるホルダ21の内壁位置は、以下に示すように決定することができる。
θN>θA…(2)
で示される関係を満たすようにすれば、最上層の空間層以外のホルダ21の内壁21bから蒸着粒子が直接射出口21a外に射出されることはない。
最上部の第4の空間層Gでは、蒸着粒子射出装置20外に放出される蒸着粒子に対するホルダ21の内壁21bの影響を抑制・防止することは困難である。
図2に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置1は、蒸着粒子射出装置20・30の2つの蒸着源を備えている。図2に示す蒸着装置1では、蒸着粒子射出装置20・30の2つの蒸着源から蒸着材料を蒸発または昇華させることで、被成膜基板200に、蒸着用のマスク300を介して蒸着を行う。
図6は、有機EL表示装置の概略構成を示す断面図である。
図7は、有機EL表示装置100の表示部を構成する有機EL素子120の概略構成を示す断面図である。
絶縁基板111としては、例えば、無アルカリガラスやプラスチック等を用いることができる。本実施の形態においては、板厚0.7mmの無アルカリガラスを使用した。
有機EL素子120は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極121、有機EL層、第2電極126が、この順に積層されている。
第1電極121は、電極材料をスパッタ法等で形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、個々の画素101R・101G・101Bに対応してパターン形成されている。
ここで、真空蒸着法を用いた成膜パターンの形成方法について、主に図8を用いて以下に説明する。
図8は、有機EL表示装置100の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
本実施の形態によれば、前記したように、ホルダ21内に、平面視で射出口21aと重畳する開口部23a~25aがそれぞれ設けられた板状部材23~25を法線方向に互いに離間して複数段配設することで、蒸着粒子射出装置20・30に、るつぼ22から、貫通口の列を形成している。
なお、本実施の形態では、上記したように、蒸着源を2つ用いる場合を例に挙げて説明した。
図10は、ホルダ21内に、メッシュ状の補助板40が設けられた例を示す蒸着粒子射出装置20の断面図である。
また、本実施の形態では、前記したように、蒸着粒子射出装置20・30が被成膜基板200の下方に配されており、蒸着粒子射出装置20・30が、マスク300の開口部301を介して、蒸着粒子を下方から上方に向かってアップデポジションさせる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
また、例えば、上記蒸着粒子射出装置20・30は、横方向に向けて蒸着粒子を射出する機構を有しており、被成膜基板200の被成膜面201側が蒸着粒子射出装置20・30側を向いて垂直方向に立てられている状態で、マスク300を介して蒸着粒子を横方向に被成膜基板200に蒸着(サイドデポジション)させてもよい。
なお、本実施の形態では、ホルダ21・31内に、板状部材を、それぞれ3段設けた場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記板状部材が、2段、または4段以上設けられている構成としてもよい。
本実施の形態について主に図11に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図11は、本実施の形態にかかる蒸着粒子射出装置20の概略構成を模式的に示す断面図である。
なお、本実施の形態にかかる蒸着粒子射出装置20・30は、以下のようにして設計・製造することができる。なお、ここでも、蒸着粒子射出装置20を例に挙げて説明する。
本実施の形態について主に図12および図13の(a)~(c)に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図12は、本実施の形態にかかる蒸着粒子射出装置20の概略構成を模式的に示す断面図である。
なお、本実施の形態にかかる蒸着粒子射出装置20・30は、以下のようにして設計・製造することができる。なお、ここでも、蒸着粒子射出装置20を例に挙げて説明する。
図13の(a)~(c)は、蒸着粒子射出装置20の変形例を示す断面図である。
本実施の形態について主に図14~16に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図14は、本実施の形態にかかる蒸着装置1における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。また、図15は、本実施の形態にかかる蒸着装置1における真空チャンバ2内の主要構成要素を模式的に示す斜視図である。
本実施の形態で用いられるマスク300は、図15に示すように、被成膜基板200の被成膜領域210よりも小さいサイズを有している。
フレーム3は、図14に示すように、実施の形態1同様、真空チャンバ2の内壁2aに隣接して設けられており、防着板(遮蔽板)および真空チャンバ内構成物保持部材として用いられる。
本実施の形態では、前記したようにマスク300と被成膜基板200とが離間して設けられていることから、可動支持ユニット4に代えて、基板移動ユニット51およびマスク支持ユニット52が設けられている。
実施の形態1では、前記したように、射出口が基板走査方向に垂直な方向(Y軸方向)に対し1つだけ設けられた2つの蒸着源を使用した。
制限板60には、上下方向に貫通する複数の開口部61(貫通口)が設けられている。
以上のように、上記各実施の形態にかかる蒸着粒子射出装置は、(1)蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる蒸着粒子発生部と、(2)上記蒸着粒子を外部に射出する少なくとも1つの射出口を有するホルダと、(3)上記ホルダ内に設けられた複数段の板状部材とを備え、上記複数段の板状部材は、上記少なくとも1つの射出口に対応してそれぞれ少なくとも1つの貫通口を有し、上記蒸着粒子発生部と射出口との間に、上記射出口および各板状部材の貫通口の開口面に垂直な方向に互いに離間して設けられており、上記射出口および各板状部材の貫通口の開口面に垂直な方向から見たときに、上記射出口および各板状部材の貫通口はそれぞれ重なっている。
上記の構成によれば、最下段(蒸着粒子射出方向上流側となる、蒸着粒子発生部側)の板状部材の開口部を通って、蒸着粒子発生部から直接射出口外に放出される蒸着粒子の流れが、上段側(蒸着粒子射出方向下流側となる、射出口側)の板状部材の開口部および射出口を規定する板材(つまり、上記板状部材およびホルダの射出口形成層)によって邪魔されることがなく、かつ、各貫通口を介して射出口外に放出される蒸着粒子の放出量を増加させることができる。
2 真空チャンバ
2a 内壁
3 フレーム
3a 棚段
4 可動支持ユニット
5 シャッタ
6 シャッタ作動ユニット
7 蒸着粒子射出装置移動ユニット
8 ステージ
9 アクチュエータ
11 真空ポンプ
20 蒸着粒子射出装置
21 ホルダ
21a 射出口
21a1 開口上端
21b 内壁
22 るつぼ(蒸着粒子発生部)
23・24・25 板状部材
23a・24a・25a 開口部
23a1・24a1・25a1・開口下端
26 熱交換器
27 蒸着材料供給部(蒸着粒子発生部)
28 配管
30 蒸着粒子射出装置
31 ホルダ
31a 射出口
32 るつぼ(蒸着粒子発生部)
33・34・35 板状部材
40 補助板
41 小孔
51 基板移動ユニット
52 マスク支持ユニット
53 制限板支持ユニット
60 制限板
61 開口部
100 有機EL表示装置
101R・101G・101B 画素
110 TFT基板
111 絶縁基板
112 TFT
113 配線
114 層間絶縁膜
114a コンタクトホール
115 エッジカバー
120 有機EL素子
121 第1電極
122 正孔注入層兼正孔輸送層
123R・123G・123B 発光層
124 電子輸送層
125 電子注入層
126 第2電極
130 接着層
140 封止基板
200 被成膜基板
200a 長辺
201 被成膜面
210 被成膜領域
221 蒸着膜
300 マスク
300a 長辺
301 開口部
302 開口領域
D 第1の空間層
E 第2の空間層
F 第3の空間層
G 第4の空間層
M・N 板状部材
MA・NA 開口部
NA1 開口下端
P 交点
Claims (14)
- 蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる蒸着粒子発生部と、
上記蒸着粒子を外部に射出する少なくとも1つの射出口を有するホルダと、
上記ホルダ内に設けられた複数段の板状部材とを備え、
上記複数段の板状部材は、上記少なくとも1つの射出口に対応してそれぞれ少なくとも1つの貫通口を有し、上記蒸着粒子発生部と射出口との間に、上記射出口および各板状部材の貫通口の開口面に垂直な方向に互いに離間して設けられており、
上記射出口および各板状部材の貫通口の開口面に垂直な方向から見たときに、上記射出口および各板状部材の貫通口はそれぞれ重なっていることを特徴とする蒸着粒子射出装置。 - 上記射出口および各板状部材の貫通口の開口面に垂直な方向から見たときに、上記射出口および各板状部材の貫通口の中心位置はそれぞれ一致していることを特徴とする請求項1に記載の蒸着粒子射出装置。
- 上記板状部材のうち隣り合う板状部材間のホルダの内壁と、該内壁における蒸着粒子発生部側の端部と上記隣り合う板状部材のうち射出口側の板状部材の貫通口における上記内壁から最短距離の開口端とを結ぶ線とでなす角度の最大値をθNとし、上記射出口および各板状部材の貫通口の開口面に垂直な方向から見たときに、上記開口端と、該開口端を有する貫通口に重なる射出口とがなす角度の最大値をθAとすると、θN>θAの関係を満たすことを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着粒子射出装置。
- 上記ホルダを射出口の中心線で分断してなる断面において、上記射出口および各板状部材の貫通口の開口面に垂直な方向から見たときに、上記射出口および各板状部材の貫通口が重なり合う領域を挟んで一方の側における隣り合う板状部材のうち射出口側の板状部材の貫通口の開口端と他方の側における射出口の開口端とを結ぶ線が上記一方の側における隣り合う板状部材のうち蒸着粒子発生部側の板状部材と交わる位置よりも上記蒸着粒子発生部側の板状部材の貫通口から奥まった位置に、上記一方の側における隣り合う板状部材間におけるホルダの内壁が形成されていることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置。
- 上記複数段の板状部材に設けられた貫通口および射出口のうち、上記射出口および各板状部材の貫通口の開口面に垂直な方向から見たときに、互いに重なり合う射出口と各板状部材の貫通口の少なくとも一部とは、上記射出口側ほどその開口径が広くなっていることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置。
- 上記複数段の板状部材に設けられた貫通口および射出口は、上記射出口から射出される蒸着粒子の射出角度に合わせて形成されていることを特徴とする請求項5に記載の蒸着粒子射出装置。
- 上記複数段の板状部材に設けられた貫通口および射出口のうち、上記射出口および各板状部材の貫通口の開口面に垂直な方向から見たときに、互いに重なり合う射出口と各板状部材の貫通口の少なくとも一部とは、上記射出口側ほどその開口径が狭くなっていることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置。
- 上記複数段の板状部材と蒸着粒子発生部との間に、上記射出口および各板状部材の貫通口よりも小径の複数の小孔を有する補助板が設けられていることを特徴とする請求項1~7の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置。
- 上記補助板はメッシュ板またはパンチ板であることを特徴とする請求項8に記載の蒸着粒子射出装置。
- 蒸着源として、請求項1~9の何れか1項に記載の蒸着粒子射出装置を備えていることを特徴とする蒸着装置。
- 上記蒸着粒子射出装置と被成膜基板との間に、蒸着粒子の通過を制限する制限板が設けられていることを特徴とする請求項10に記載の蒸着装置。
- 蒸着膜の成膜パターンを形成するための蒸着マスクを備えていることを特徴とする請求項10または11に記載の蒸着装置。
- 上記成膜パターンが、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機層であることを特徴とする請求項12に記載の蒸着装置。
- 上記蒸着マスクは複数の開口部を備えており、
上記蒸着粒子射出装置の射出口は、上記蒸着マスクの開口部の配列方向に1つだけ設けられていることを特徴とする請求項12または13に記載の蒸着装置。
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