WO2012073571A1 - 電力変換装置 - Google Patents

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雅人 樋口
川波　靖彦
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Definitions

  • the present invention relates to a power conversion device, and particularly to a power conversion device including a power conversion semiconductor element.
  • Patent Document 1 a power conversion device including a semiconductor element for power conversion is known (see, for example, Patent Document 1).
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor device including an IGBT (power conversion semiconductor element), a lead frame electrically connected to the IGBT, and a mold resin provided so as to include the IGBT and the lead frame.
  • IGBT power conversion semiconductor element
  • This semiconductor device is configured such that a current flows between the collector and emitter of the IGBT by switching the IGBT.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to reduce the wiring inductance of the entire device while suppressing the destruction of the power conversion semiconductor element caused by the surge voltage. It is providing the power converter device which can make small.
  • a power conversion device includes a power conversion device main body portion, and the power conversion device main body portion is disposed in the power conversion device main body portion with an interval therebetween.
  • a capacitor for suppressing a surge voltage is suppresse.
  • the first power conversion semiconductor element and the second power conversion semiconductor element are different from each other by providing the second power conversion semiconductor element electrically connected to the power semiconductor element in the main body of the power conversion device. Since the distance between the first power conversion semiconductor element and the second power conversion semiconductor element can be reduced as compared with the case where the two power conversion device main bodies are separately provided, the first power conversion use Wiring inductance between the semiconductor element and the second power conversion semiconductor element can be reduced.
  • the capacitor so as to be connected to the first conductive plate and the second conductive plate between the first power conversion semiconductor element and the second power conversion semiconductor element in the power converter main body.
  • the first power conversion semiconductor element and the second power conversion can be suppressed as compared with the case where the capacitor is provided outside the main body of the power conversion apparatus, and the breakdown of the power conversion semiconductor element due to the surge voltage can be suppressed. Since the distance between the semiconductor element for capacitor and the capacitor is reduced, the wiring inductance between the first power conversion semiconductor element and the second power conversion semiconductor element and the capacitor can be reduced.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line 400-400 in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line 500-500 in FIG.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line 400-400 in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line 600-600 in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line 700-700 in FIG. It is a disassembled perspective view for demonstrating the internal structure of the power module main-body part by 1st Embodiment of this invention.
  • 1 is a circuit diagram of a power module according to a first embodiment of the present invention.
  • 1 is a circuit diagram of a chopper circuit to which a power module according to a first embodiment of the present invention is applied.
  • It is a circuit diagram of a chopper circuit to which a power module according to a comparative example is applied.
  • It is a figure which shows the result of the simulation of the chopper circuit to which the power module by a comparative example was applied.
  • the power module 100 is an example of the “power converter” in the present invention.
  • the power module 100 includes three power module main body portions 100 a, 100 b and 100 c and a wiring board 200.
  • the power module main body portions 100a, 100b, and 100c are examples of the “power conversion device main body portion” in the present invention.
  • the power module 100 constitutes a three-phase inverter circuit connected to a motor or the like.
  • the portions on the arrow X1 direction side of the power module main body portions 100a, 100b and 100c constituting the power module 100 function as the upper arm (P side) of the three-phase inverter circuit.
  • the portions on the arrow X2 direction side of the power module main body portions 100a, 100b, and 100c function as the lower arm (N side) of the three-phase inverter circuit.
  • the power module main-body parts 100a, 100b, and 100c shall perform the power conversion of U phase, V phase, and W phase, respectively.
  • the power module main body portions 100a, 100b, and 100c have substantially the same configuration, the power module main body portion 100a will be mainly described below.
  • a P-phase bus bar 200a, a U-phase bus bar 200b, and an N-phase bus bar 200c made of a conductive metal plate are provided inside the wiring board 200. Further, as shown in FIG. 1, some of these P-phase bus bars 200a, U-phase bus bars 200b, and N-phase bus bars 200c are a P-side terminal connection portion 10a and a U-phase terminal connection portion, which will be described later, of the power module main body 100a. It is exposed from the lower surface (surface on the arrow Z2 direction side) of the wiring board 200 so as to correspond to 11c and the N-side terminal connecting portion 12b. Note that a V-phase bus bar and a W-layer bus bar are provided inside the wiring board 200 so as to correspond to a V-phase terminal connection portion and a W-phase terminal connection portion described later of the power module main body portions 100b and 100c.
  • the power module main body 100a is configured to be electrically connected to the wiring board 200 on the upper surface (surface on the arrow Z1 direction side) of the power module main body 100a. Specifically, as shown in FIGS. 1 to 3, a P-side terminal connecting portion 10a, a U-phase terminal connecting portion 11c, and an N-side terminal connecting portion 12b (to be described later in detail) of the power module main body 100a Part) and a portion of the P-phase bus bar 200a, the U-phase bus bar 200b, and the N-phase bus bar 200c of the wiring board 200 that are exposed from the lower surface (the surface on the arrow Z2 direction side) of the wiring board 200 are joined via the bump electrode 300. It is configured to be.
  • the power module main body 100a and the wiring board 200 are configured to be arranged with a predetermined distance (space) therebetween.
  • This space is filled with, for example, a resin having thermal conductivity.
  • the resin can suppress corrosion of the P-phase bus bar 200a, the N-phase bus bar 200c, and the U-phase bus bar 200b that connect the power module main body 100a and the wiring board 200.
  • a thermally conductive compound may be used instead of the resin.
  • the power module main body 100a includes a metal plate 1, an insulating substrate 2, a P-side conductive plate 3, a first N-side conductive plate 4a, and a second N-side conductive plate 4b.
  • a U-phase terminal 11, an N-side terminal 12, and a snubber capacitor 13 are provided.
  • the metal plate 1 is an example of the “back side electrode” in the present invention.
  • the P-side conductive plate 3 is an example of the “first conductive plate” in the present invention.
  • the first N-side conductive plate 4a is an example of the “second conductive plate” and the “element-side second conductive plate” in the present invention.
  • the second N-side conductive plate 4b is an example of the “second conductive plate” and the “terminal-side second conductive plate” in the present invention.
  • the columnar electrode 7 is an example of the “electrode conductor” in the present invention.
  • the N-side terminal 12 is an example of the “negative input / output terminal” in the present invention.
  • the snubber capacitor 13 is an example of the “capacitor” in the present invention.
  • the snubber capacitor 13 is covered with a case 14 made of resin or the like. Further, the P-side terminal 10, the U-phase terminal 11, and the N-side terminal 12 are exposed from the upper surface (surface on the arrow Z1 direction side) of the case 14.
  • the metal plate 1, the P-side conductive plate 3, the first N-side conductive plate 4a, and the second N-side conductive plate 4b are made of a metal such as copper.
  • the insulating substrate 2 is made of an insulating material such as ceramic.
  • the metal plate 1, the insulating substrate 2 and the P-side conductive plate 3 constitute a P-side insulating circuit substrate, and the metal plate 1, the insulating substrate 2, the first N-side conductive plate 4a and the second N-side plate.
  • the N-side insulated circuit board is configured by the side conductive plate 4b.
  • the P-side semiconductor element 5 is an example of the “first power conversion semiconductor element” in the present invention.
  • the N-side semiconductor element 6 is an example of the “second power conversion semiconductor element” in the present invention.
  • the two P-side semiconductor elements 5 are composed of one P-side transistor element 5a and one P-side diode element 5b.
  • the P-side transistor element 5a is, for example, a MOSFET (field effect transistor).
  • the P-side diode element 5b is, for example, an SBD (Schottky barrier diode).
  • the P-side diode element 5b functions as a free wheel diode. As shown in FIG. 11, the P-side transistor element 5a and the P-side diode element 5b are electrically connected in parallel. Specifically, the cathode electrode of the P-side diode element 5b is electrically connected to the drain electrode of the P-side transistor element 5a.
  • the anode electrode of the P-side diode element 5b is electrically connected to the source electrode of the P-side transistor element 5a.
  • the P-side transistor element 5a is an example of the “voltage-driven transistor element” in the present invention.
  • the P-side diode element 5b is an example of the “freewheeling diode element” in the present invention.
  • the drain electrode of the P-side transistor element 5 a and the cathode electrode of the P-side diode element 5 b are electrically connected to the P-side conductive plate 3.
  • the lower surface (surface on the arrow Z2 direction side) of the P-side transistor element 5a and the P-side diode element 5b is connected to the upper surface (arrow Z1 direction) of the P-side conductive plate 3 with a bonding material 15 made of solder. Side surface).
  • the P-side transistor element 5a and the P-side diode element 5b are arranged side by side at a predetermined interval in the Y direction on the surface of the P-side conductive plate 3.
  • the P-side transistor element 5a is disposed on the arrow Y1 direction side of the P-side diode element 5b.
  • a bonding material made of Ag nanopaste may be used.
  • the two N-side semiconductor elements 6 are composed of one N-side transistor element 6a and one N-side diode element 6b.
  • the N-side diode element 6b functions as a free wheel diode.
  • the N-side transistor element 6a and the N-side diode element 6b are electrically connected in parallel.
  • the cathode electrode of the N-side diode element 6b is electrically connected to the drain electrode of the N-side transistor element 6a.
  • the anode electrode of the N-side diode element 6b is electrically connected to the source electrode of the N-side transistor element 6a.
  • the N-side transistor element 6a is an example of the “voltage-driven transistor element” in the present invention.
  • the N-side diode element 6b is an example of the “freewheeling diode element” in the present invention.
  • the N-side transistor element 6a and the N-side diode element 6b are arranged side by side in the Y direction on the upper surface (the surface on the arrow Z1 direction side) of the first N-side conductive plate 4a.
  • the N-side transistor element 6a is arranged on the arrow Y1 direction side with respect to the N-side diode element 6b.
  • the P-side transistor element 5a and the N-side transistor element 6a, and the P-side diode element 5b and the N-side diode element 6b are arranged side by side in the X direction.
  • the P-side transistor element 5a and the P-side diode element 5b are arranged on the arrow X1 direction side with respect to the N-side transistor element 6a and the N-side diode element 6b.
  • the two P-side control terminals 8 are respectively connected to the gate electrode and the source electrode provided on the upper surface (the surface on the arrow Z1 direction side) of the P-side transistor element 5a through wire 8a by wire bonding.
  • the two N-side control terminals 9 are respectively connected to the gate electrode and the source electrode provided on the upper surface of the N-side transistor element 6a through wire 9a by wire bonding.
  • the two P-side control terminals 8 and the two N-side control terminals 9 protrude from the side surface of the case 14 of the power module main body 100a on the arrow Y1 direction side to the arrow Y1 direction side.
  • the P-side terminal 10 is configured to be bonded to the upper surface (surface on the arrow Z1 direction side) of the P-side conductive plate 3 through the bonding material 15.
  • the P-side terminal 10 is configured to be electrically connected to the drain electrode of the P-side transistor element 5a and the cathode electrode of the P-side diode element 5b through the P-side conductive plate 3.
  • the P-side terminal 10 is formed in a column shape extending in the Z direction.
  • the U-phase terminal 11 includes a U-phase terminal portion 11a and a P-side / N-side connection electrode portion 11b. As shown in FIG. 10, the U-phase terminal portion 11a is formed in a flat plate shape that extends in the X direction and the Y direction. Further, the P-side / N-side connection electrode portion 11b is formed in a column shape extending in the Y direction and the Z direction.
  • the U-phase terminal portion 11a is bonded to the upper surfaces of the two columnar electrodes 7 bonded to the upper surfaces (the surfaces on the arrow Z1 direction side) of the P-side transistor element 5a and the P-side diode element 5b via the bonding material 15. It is comprised so that.
  • the U-phase terminal portion 11a is configured to be electrically connected to the source electrode of the P-side transistor element 5a and the anode electrode of the P-side diode element 5b via the two columnar electrodes 7. .
  • the columnar electrode 7 is formed in a columnar shape extending in the Z direction in which the upper end surface is formed substantially flat.
  • the P-side / N-side connection electrode portion 11b is configured to be bonded to the upper surface (surface on the arrow Z1 direction side) of the first N-side conductive plate 4a via the bonding material 15.
  • the P-side-N-side connection electrode portion 11b is connected to the P-side semiconductor element 5 (P-side transistor element 5a and P-side diode element 5b) connected to the U-phase terminal portion 11a and the first N-side conductive plate 4a.
  • N-side semiconductor element 6 N-side transistor element 6a and N-side diode element 6b to be electrically connected.
  • the source electrode of the P-side transistor element 5a and the anode electrode of the P-side diode element 5b, and the drain electrode of the N-side transistor element 6a and the cathode electrode of the N-side diode element 6b are for P-side / N-side connection. It is electrically connected by the electrode part 11b.
  • the N-side terminal 12 is formed in a flat plate shape extending in the X direction and the Y direction, and is joined to the upper surface (surface on the arrow Z1 direction side) of the second N-side conductive plate 4b via the connection electrode 12a. Further, the N-side terminal 12 is bonded to the upper surfaces of the two columnar electrodes 7 bonded to the upper surfaces (surfaces on the arrow Z1 direction side) of the N-side transistor element 6a and the N-side diode element 6b through the bonding material 15, respectively. It is configured to be.
  • the N-side terminal 12 is configured to be electrically connected to the source electrode of the N-side transistor element 6a and the anode electrode of the N-side diode element 6b via the two columnar electrodes 7.
  • the P-side terminal connection portion 10a, the U-phase terminal connection portion 11c, and the N-side terminal connection portion are provided on the upper surfaces (surfaces on the arrow Z1 direction side) of the P-side terminal 10, U-phase terminal 11, and N-side terminal 12, respectively. 12b (refer to the fine dot-shaped shaded portions in FIGS. 1, 4 and 10).
  • These P-side terminal connection portion 10 a, U-phase terminal connection portion 11 c, and N-side terminal connection portion 12 b are provided for electrical connection with the wiring board 200.
  • the P-side terminal connection portion 10a, the U-phase terminal connection portion 11c, and the N-side terminal connection portion 12b are an inflow port and an outflow port for current flowing in and out between the power module main body 100a and the wiring board 200.
  • the power module main body 100b includes a P-side terminal connection portion, a V-phase terminal connection portion, and an N-phase so as to correspond to the P-side terminal connection portion 10a, U-phase terminal connection portion 11c, and N-side terminal connection portion 12b.
  • a side terminal connection portion is provided, and a P-side terminal connection portion, a W-phase terminal connection portion, and an N-side terminal connection portion are provided in the power module main body portion 100c.
  • the snubber capacitor 13 is provided so as to be directly connected to the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4b.
  • the snubber capacitor 13 is disposed so as to straddle the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4b.
  • the snubber capacitor 13 is provided with electrodes 13a at the end in the arrow X1 direction and the end in the arrow X2 direction, respectively.
  • a portion 13b between the electrodes 13a of the snubber capacitor 13 is made of ceramic.
  • the electrode 13a, the P-side conductive plate 3, and the second N-side conductive plate 4b are joined by solder 13c.
  • the snubber capacitor 13 is electrically connected to the drain electrode of the P-side transistor element 5a and the source electrode of the N-side transistor element 6a.
  • the snubber capacitor 13 is electrically connected to the cathode electrode of the P-side diode element 5b and the anode electrode of the N-side diode element 6b.
  • the snubber capacitor 13 has a function of suppressing a surge voltage generated when the P-side transistor element 5a and the N-side transistor element 6a are switched. Note that a bonding material made of Ag nanopaste may be used instead of the solder 13c.
  • the snubber capacitor 13 is disposed in a region surrounded by the columnar electrodes 7 when viewed in plan (viewed from above). Further, the snubber capacitor 13 is directly connected to the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4b on the side opposite to the wiring board 200 (see FIG. 1) inside the power module main body 100a without wiring. Is arranged.
  • a chopper in which a DC power source 21, an electrolytic capacitor 22, a gate circuit 23, and a load reactor 24 are connected to the power module main body 100a (dotted line) according to the first embodiment.
  • a circuit 25 was assumed.
  • the DC power source 21 is connected to the P-side terminal 10 and the N-side terminal 12 of the power module main body 100a.
  • the electrolytic capacitor 22 is connected between the DC power supply 21 and the P-side terminal 10 and between the DC power supply 21 and the N-side terminal 12.
  • the gate circuit 23 is connected to the N-side control terminal 9.
  • the source current Is flowing through the N-side terminal 12 of the power module main body 100a was obtained by simulation. Further, the voltage Vds between the N-side terminal 12 of the power module main body 100a and the U-phase terminal 11 was obtained by simulation.
  • a chopper circuit 801 in which a DC power source 21, an electrolytic capacitor 22, and a gate circuit 23 are connected to two power module main body portions 800a and 800b (dotted lines) is assumed.
  • the power module main body 800a (800b) according to the comparative example is provided with one P-side transistor element 802 (N-side transistor element 804) and one P-side diode element 803 (N-side diode element 805).
  • the chopper circuit 801 is provided with a snubber capacitor 808 between the P-side terminal 806 of the power module main body 800a and the N-side terminal 807 of the power module main body 800b.
  • the source current Is flowing through the N-side terminal 807 of the power module main body 800b was obtained by simulation. Further, the voltage Vds between the N-side terminal 807 and the U-phase terminal 809 of the power module main body 800b was obtained by simulation.
  • the voltage of the DC power source 21 is assumed to be 300 V, and the source current Is when the power module main body is in the on state is assumed to be 200 A.
  • the carrier frequency (the frequency of the modulation wave for determining the pulse width of the output voltage by the inverter during PWM control) was assumed to be 100 kHz.
  • the wiring inductance inside the power module main body portions 800a and 800b according to the comparative example is assumed to be 7.426 nH
  • the wiring inductance inside the power module main body portion 100a according to the first embodiment is assumed to be 3.0898 nH.
  • the P-side transistor element 5a, the P-side diode element 5b, the N-side transistor element 6a, and the N-side diode element 6b are included in one power module main body 100a.
  • the P-side transistor element 802 and the P-side diode element 803, and the N-side transistor element 804 and the N-side diode element 805 are provided in separate power module main body portions. It has been. For this reason, the wiring inductance inside the power module main body portions 800a and 800b according to the comparative example is made larger than the wiring inductance inside the power module main body portion 100a according to the first embodiment.
  • FIG. 14 shows the result of the simulation according to the comparative example.
  • the vertical axis represents voltage (V) and source current Is (A), and the horizontal axis represents time.
  • FIG. 15 shows the result of the simulation according to the first embodiment.
  • the energy accumulated in the wiring inductance resonates in the closed circuit (one-dot chain line, LC circuit) shown in FIG.
  • surge voltage was generated and ringing was generated.
  • the P-side semiconductor element 5 disposed on the surface of the P-side conductive plate 3 and the surface of the second N-side conductive plate 4b are disposed, and By providing the N-side semiconductor element 6 to be connected to the power module main body 100a, the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6 are separately provided on two different power module main bodies, respectively. Compared to the case, the distance between the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6 can be reduced, so that the wiring inductance between the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6 can be reduced. Can do.
  • a snubber capacitor 13 is provided between the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6 so as to be connected to the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4b in the power module main body 100a.
  • the destruction of the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6 due to the surge voltage can be suppressed, and compared to the case where the snubber capacitor 13 is provided on the substrate outside the power module main body 100a, Since the distance between the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6 and the snubber capacitor 13 is reduced, the wiring inductance between the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6 and the snubber capacitor 13 is reduced. Can do.
  • the snubber capacitor 13 is directly connected to the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4 b between the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6.
  • condenser 13 the P side conductive plate 3, and the 2nd N side conductive plate 4b can be made small.
  • the snubber capacitor 13 extends between the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4 b between the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6. Deploy.
  • the snubber capacitor 13 and the P-side conductive plate 3 can be easily connected directly, and the snubber capacitor 13 and the second N-side conductive plate 4b can be easily connected directly.
  • the source electrode of the P-side semiconductor element 5 and the drain electrode of the N-side semiconductor element 6 are electrically connected to each other, and the snubber capacitor 13 is connected to the P-side conductive plate 3. Is electrically connected to the drain electrode of the P-side semiconductor element 5 via the second N-side conductive plate 4b and electrically connected to the source electrode of the N-side semiconductor element 6 via the second N-side conductive plate 4b. Thereby, the surge voltage generated when the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6 are switched can be suppressed by the snubber capacitor 13.
  • the power module main body 100a is formed on the surface of the P-side semiconductor element 5 formed on the surface of the P-side conductive plate 3 and the surface of the first N-side conductive plate 4a.
  • the snubber capacitor 13 is seen in a plan view, including a columnar electrode 7 formed on the surface of the N-side semiconductor element 6 and having a columnar shape extending upward and having a columnar upper end surface formed substantially flat. And disposed in a region surrounded by the columnar electrode 7. Thereby, unlike the case where the snubber capacitor 13 is disposed outside the region surrounded by the columnar electrodes 7, it is possible to suppress the power module main body 100a from becoming large.
  • the columnar electrode 7 has a columnar shape extending upward, and the columnar upper end surface is formed to be substantially flat, so that the wiring inductance can be reduced unlike the case where the electrode is a thin wire shape, for example. As a result, it is possible to prevent the P-side semiconductor element 5 and the N-side semiconductor element 6 from operating at high speed due to the large wiring inductance. Moreover, since the amount of heat radiation can be increased by the columnar columnar electrode 7 as compared with the case of using a thin wire-shaped electrode, the heat dissipation can be improved.
  • the power module main body 100a has the P-side conductive plate 3, the first N-side conductive plate 4a, and the second N-side conductive plate 4b formed on the front surface, and the metal plate 1 on the back surface.
  • the snubber capacitor 13 is disposed so as to directly connect the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4b.
  • the P-side conductive plate 3, the first N-side conductive plate 4a, the second N-side conductive plate 4b, and the snubber capacitor 13 are formed on the surface of one insulating substrate 2, so that the P-side conductive plate 3, the first N Unlike the case where the side conductive plate 4a, the second N-side conductive plate 4b, and the snubber capacitor 13 are formed on different insulating substrates, the power module main body 100a can be prevented from becoming large.
  • the snubber capacitor 13 is directly connected to the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4b on the side opposite to the wiring board 200 inside the power module main body 100a.
  • the snubber capacitor 13 is disposed on the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4b side, so that the distance between the snubber capacitor 13 and the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4b is reduced. Get smaller.
  • the wiring inductance between the snubber capacitor 13 and the P-side conductive plate 3 and the second N-side conductive plate 4b can be reduced.
  • the power module main body 101 of the second embodiment will be described with reference to FIGS.
  • the P-side semiconductor is sandwiched between two insulating substrates. An element and an N-side semiconductor element are provided.
  • the insulating substrate 112a and the insulating substrate 112b are arranged to face each other.
  • the insulating substrate 112a includes a metal plate 111a, an insulating substrate 112a, a P-side conductive plate 113, a first N-side conductive plate 114a, two P-side semiconductor elements 115, two columnar electrodes 117, and two P-type electrodes.
  • a side control terminal 118, a P side terminal 120, an N side terminal 122, and a snubber capacitor 123 are provided.
  • the metal plate 111a is grounded.
  • the metal plate 111a is an example of the “back side electrode” in the present invention.
  • the insulating substrate 112a and the insulating substrate 112b are examples of the “first insulating substrate” and the “second insulating substrate” in the present invention, respectively.
  • the P-side conductive plate 113 is an example of the “first conductive plate” in the present invention.
  • the first N-side conductive plate 114a is an example of the “second conductive plate” in the present invention.
  • the columnar electrode 117 is an example of the “electrode conductor” in the present invention.
  • the N-side terminal 122 is an example of the “negative input / output terminal” in the present invention.
  • the snubber capacitor 123 is an example of the “capacitor” in the present invention.
  • the insulating substrate 112b of the power module main body 101 includes a metal plate 111b, a second N-side conductive plate 114b, two N-side semiconductor elements 116, and two columnar electrodes. 117, two N-side control terminals 119, and a U-phase terminal 121 are provided. Further, unlike the metal plate 111a, the metal plate 111b is not grounded (see FIGS. 18 and 19). Thereby, unlike the case where both metal plate 111a and metal plate 111b are grounded, the stray capacitance between U-phase terminal 121 and ground (earth) is reduced. As a result, common mode noise can be reduced.
  • the metal plate 111a, the P-side conductive plate 113, the first N-side conductive plate 114a, the metal plate 111b, and the second N-side conductive plate 114b are made of a metal such as copper.
  • the insulating substrates 112a and 112b are made of an insulator such as ceramic.
  • the metal plate 111a, the insulating substrate 112a, and the P-side conductive plate 113 constitute a P-side insulating circuit substrate, and the metal plate 111a, the insulating substrate 112a, and the first N-side conductive plate 114a An insulated circuit board on the side is configured.
  • the metal plate 111b, the insulating substrate 112b, and the second N-side conductive plate 114b constitute an N-side insulating circuit substrate.
  • the P-side semiconductor element 115 is an example of the “first power conversion semiconductor element” in the present invention.
  • the N-side semiconductor element 116 is an example of the “second power conversion semiconductor element” in the present invention.
  • the two P-side semiconductor elements 115 are composed of one P-side transistor element 115a and one P-side diode element 115b.
  • the P-side transistor element 115a is, for example, a MOSFET (field effect transistor).
  • the P-side diode element 115b is, for example, an SBD (Schottky barrier diode).
  • the P-side diode element 115b has a function as a free wheel diode.
  • the P-side transistor element 115a and the P-side diode element 115b are electrically connected in parallel.
  • the cathode electrode of the P-side diode element 115b is electrically connected to the drain electrode of the P-side transistor element 115a.
  • the anode electrode of the P-side diode element 115b is electrically connected to the source electrode of the P-side transistor element 115a.
  • the P-side transistor element 115a is an example of the “voltage-driven transistor element” in the present invention.
  • the P-side diode element 115b is an example of the “freewheeling diode element” in the present invention.
  • the drain electrode of the P-side transistor element 115 a and the cathode electrode of the P-side diode element 115 b are electrically connected to the P-side conductive plate 113.
  • the lower surfaces (the surfaces on the arrow Z2 direction side) of the P-side transistor element 115a and the P-side diode element 115b are connected to the upper surface (the arrow Z1 direction) of the P-side conductive plate 113 through a bonding material 125 made of solder. Side surface).
  • the P-side transistor element 115a and the P-side diode element 115b are arranged side by side with a predetermined interval in the Y direction on the surface of the P-side conductive plate 113.
  • the P-side transistor element 115a is disposed on the arrow Y2 direction side of the P-side diode element 115b.
  • a bonding material made of Ag nanopaste may be used.
  • the two N-side semiconductor elements 116 are composed of one N-side transistor element 116a and one N-side diode element 116b.
  • the N-side diode element 116b functions as a free wheel diode.
  • the N-side transistor element 116a and the N-side diode element 116b are electrically connected in parallel.
  • the cathode electrode of the N-side diode element 116b is electrically connected to the drain electrode of the N-side transistor element 116a.
  • the anode electrode of the N-side diode element 116b is electrically connected to the source electrode of the N-side transistor element 116a.
  • the N-side transistor element 116a is an example of the “voltage-driven transistor element” in the present invention.
  • the N-side diode element 116b is an example of the “freewheeling diode element” in the present invention.
  • the N-side transistor element 116a and the N-side diode element 116b are arranged side by side in the Y direction on the upper surface (the surface on the arrow Z2 direction side) of the second N-side conductive plate 114b.
  • the N-side transistor element 116a is disposed on the arrow Y2 direction side with respect to the N-side diode element 116b.
  • the P-side transistor element 115a and the N-side transistor element 116a, and the P-side diode element 115b and the N-side diode element 116b are respectively They are arranged side by side in the X direction.
  • the P-side transistor element 115a and the P-side diode element 115b are arranged on the arrow X1 direction side of the N-side transistor element 116a and the N-side diode element 116b.
  • the two P-side control terminals 118 are respectively connected to the gate electrode and the source electrode provided on the upper surface (surface on the arrow Z1 direction side) of the P-side transistor element 115a by wire bonding. Connected through.
  • the two N-side control terminals 119 are respectively connected to the gate electrode and the source electrode provided on the upper surface of the N-side transistor element 116a through wire 119a by wire bonding. ing.
  • the P-side terminal 120 is configured to be joined to the upper surface (the surface on the arrow Z1 direction side) of the P-side conductive plate 113.
  • the P-side terminal 120 is configured to be electrically connected to the drain electrode of the P-side transistor element 115a and the cathode electrode of the P-side diode element 115b via the P-side conductive plate 113.
  • the P-side terminal 120 is formed in a flat plate shape extending in the X direction and the Y direction.
  • the N-side terminal 122 is configured to be joined to the upper surface (the surface on the arrow Z1 direction side) of the first N-side conductive plate 114a.
  • the N-side terminal 122 is arranged so that the insulating substrate 112a and the insulating substrate 112b face each other, the source electrode of the N-side transistor element 116a and the N-side diode element 116b through the first N-side conductive plate 114a. It is configured to be electrically connected to the anode electrode.
  • the N-side terminal 122 is formed in a flat plate shape extending in the X direction and the Y direction.
  • the U-phase terminal 121 is configured to be joined to the upper surface (the surface on the arrow Z2 direction side) of the second N-side conductive plate 114b.
  • the U-phase terminal 121 is configured to be electrically connected to the drain electrode of the N-side transistor element 116a and the cathode electrode of the N-side diode element 116b via the second N-side conductive plate 114b.
  • U-phase terminal 121 is formed in a flat plate shape extending in the X direction and the Y direction.
  • the P-side terminal 120, the N-side terminal 122, and the U-phase terminal 121 are provided for electrical connection with a wiring board (not shown).
  • the P-side terminal 120, the N-side terminal 122, and the U-phase terminal 121 function as an inflow port and an outflow port for current flowing in and out between the power module main body 101 and the wiring board.
  • the snubber capacitor 123 is directly connected to the P-side conductive plate 113 and the first N-side conductive plate 114 a provided on the insulating substrate 112 a side without using a wiring. Is arranged. Further, the snubber capacitor 123 is disposed so as to straddle the P-side conductive plate 113 and the first N-side conductive plate 114a. An electrode 123a is provided at each end of the snubber capacitor 123 in the arrow X1 direction and at the end in the arrow X2 direction. Further, the portion 123b between the electrodes 123a of the snubber capacitor 123 is made of ceramic.
  • the electrode 123a, the P-side conductive plate 113, and the first N-side conductive plate 114a are joined by solder 123c.
  • the snubber capacitor 123 is electrically connected to the drain electrode of the P-side transistor element 115a and the source electrode of the N-side transistor element 116a. Is done.
  • the snubber capacitor 123 is electrically connected to the cathode electrode of the P-side diode element 115b and the anode electrode of the N-side diode element 116b.
  • the power module main body 101 performs U-phase power conversion.
  • the power module main body that performs V-phase and W-phase power conversion also has substantially the same configuration as the power module main body 101.
  • the power module main body 101 includes the insulating substrate 112a in which the P-side conductive plate 113 and the first N-side conductive plate 114a are formed on the front surface, and the metal plate 111a is formed on the back surface.
  • An insulating substrate 112b disposed so as to face the insulating substrate 112a with the P-side semiconductor element 115 and the N-side semiconductor element 116 interposed between the insulating substrate 112b and the snubber capacitor 123 on the insulating substrate 112a side.
  • the P-side conductive plate 113 and the first N-side conductive plate 114a are directly connected.
  • the snubber capacitor 123 is disposed on the P-side conductive plate 113 and the first N-side conductive plate 114a side, so that the distance between the snubber capacitor 123 and the P-side conductive plate 113 and the first N-side conductive plate 114a is reduced. Get smaller. Thereby, the wiring inductance between the snubber capacitor 123 and the P-side conductive plate 113 and the first N-side conductive plate 114a can be reduced.
  • MOSFET field effect transistor
  • SBD Schottky barrier diode
  • MOSFET insulated gate bipolar transistor
  • IGBT insulated gate bipolar transistor
  • the present invention is not limited to this.
  • other diodes such as FRD (fast recovery diode) may be used as long as they are free-wheeling diodes.
  • the present invention is not limited to this.
  • a plurality of sets of MOSFETs and SBDs may be arranged on each of the P side and the N side of the power module main body.
  • the example in which the snubber capacitor is arranged so as to be directly connected to the P-side conductive plate and the first N-side conductive plate by soldering without wiring is shown. Not limited to this.
  • the snubber capacitor only needs to be provided inside the power module main body.
  • the snubber capacitor may be connected to the P-side conductive plate and the first N-side conductive plate between the P-side conductive plate and the first N-side conductive plate via a short wiring.

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Abstract

　サージ電圧に起因する電力変換用半導体素子の破壊を抑制しながら、装置全体の配線インダクタンスを小さくすることが可能な電力変換装置を提供する。　このパワーモジュール１００は、パワーモジュール本体部１００ａを備え、パワーモジュール本体部１００ａは、パワーモジュール本体部１００ａ内に間隔を隔てて配置されたＰ側導電板３、第１Ｎ側導電板４ａおよび第２Ｎ側導電板４ｂと、Ｐ側導電板３の表面上に配置されるＰ側半導体素子５と、第１Ｎ側導電板４ａの表面上に配置され、Ｐ側半導体素子５と電気的に接続されるＮ側半導体素子６と、パワーモジュール本体部１００ａの内部において、Ｐ側半導体素子５とＮ側半導体素子６との間にＰ側導電板３と第２Ｎ側導電板４ｂとに接続するように配置され、サージ電圧を抑制するためのコンデンサ１３とを含む。

Description

電力変換装置
　本発明は、電力変換装置に関し、特に、電力変換用半導体素子を備える電力変換装置に関する。
　従来、電力変換用半導体素子を備える電力変換装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
　上記特許文献１には、ＩＧＢＴ（電力変換用半導体素子）と、ＩＧＢＴに電気的に接続されるリードフレームと、ＩＧＢＴとリードフレームとを内部に含むように設けられるモールド樹脂とを備える半導体装置（電力変換装置）が開示されている。この半導体装置では、ＩＧＢＴがスイッチングされることにより、ＩＧＢＴのコレクタとエミッタとの間で、電流が流れるように構成されている。
特開２００８－１０３６２３号公報
　しかしながら、上記特許文献１に記載の半導体装置では、ＩＧＢＴ（電力変換用半導体素子）がスイッチングされる際に、サージ電圧が発生することにより、電力変換用半導体素子が破壊される場合があるという問題点がある。また、一般に、上記のような従来の電力変換装置では、装置全体の配線インダクタンスを小さくすることが望まれている。
　この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、サージ電圧に起因する電力変換用半導体素子の破壊を抑制しながら、装置全体の配線インダクタンスを小さくすることが可能な電力変換装置を提供することである。
課題を解決するための手段および発明の効果
　上記目的を達成するために、この発明の一の局面による電力変換装置は、電力変換装置本体部を備え、電力変換装置本体部は、電力変換装置本体部内に間隔を隔てて配置された第１導電板および第２導電板と、第１導電板の表面上に配置される第１電力変換用半導体素子と、第２導電板の表面上に配置され、第１電力変換用半導体素子と電気的に接続される第２電力変換用半導体素子と、電力変換装置本体部の内部において、第１電力変換用半導体素子と第２電力変換用半導体素子との間に第１導電板と第２導電板とに接続するように配置され、サージ電圧を抑制するためのコンデンサとを含む。
　この一の局面による電力変換装置では、上記のように、第１導電板の表面上に配置される第１電力変換用半導体素子と、第２導電板の表面上に配置され、第１電力変換用半導体素子と電気的に接続される第２電力変換用半導体素子とを電力変換装置本体部に設けることによって、第１電力変換用半導体素子と第２電力変換用半導体素子とが、それぞれ、異なる２つの電力変換装置本体部に別個に設けられる場合と比べて、第１電力変換用半導体素子と第２電力変換用半導体素子との間の距離を小さくすることができるので、第１電力変換用半導体素子と第２電力変換用半導体素子との間の配線インダクタンスを小さくすることができる。また、電力変換装置本体部の内部において、第１電力変換用半導体素子と第２電力変換用半導体素子との間に第１導電板と第２導電板とに接続するようにコンデンサを設けることによって、サージ電圧に起因する電力変換用半導体素子の破壊を抑制することができるとともに、コンデンサが電力変換装置本体部の外部に設けられる場合と比べて、第１電力変換用半導体素子および第２電力変換用半導体素子とコンデンサとの間の距離が小さくなるので、第１電力変換用半導体素子および第２電力変換用半導体素子とコンデンサとの間の配線インダクタンスを小さくすることができる。
本発明の第１実施形態によるパワーモジュールの構成を示す分解斜視図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュールの構成を示すＸ方向に沿った断面図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュールを側方から見た図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュール本体部の平面図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュール本体部のケースをはずした状態の平面図である。 図４の４００－４００線に沿った断面図である。 図４の５００－５００線に沿った断面図である。 図４の６００－６００線に沿った断面図である。 図４の７００－７００線に沿った断面図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュール本体部の内部の構成を説明するための分解斜視図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュールの回路図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュールが適用されたチョッパ回路の回路図である。 比較例によるパワーモジュールが適用されたチョッパ回路の回路図である。 比較例によるパワーモジュールが適用されたチョッパ回路のシミュレーションの結果を示す図である。 本発明の第１実施形態によるパワーモジュールが適用されたチョッパ回路のシミュレーションの結果を示す図である。 本発明の第２実施形態によるパワーモジュール本体部のＰ側半導体素子が設けられる側の平面図である。 本発明の第２実施形態によるパワーモジュール本体部のＮ側半導体素子が設けられる側の平面図である。 本発明の第２実施形態によるパワーモジュール本体部の矢印Ｙ１方向側から見た側面図である。 本発明の第２実施形態によるパワーモジュール本体部の矢印Ｘ２方向側から見た側面図である。 本発明の第２実施形態によるパワーモジュール本体部の内部の構成を説明するための分解斜視図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
　（第１実施形態）
　まず、図１～図３を参照して、本発明の第１実施形態によるパワーモジュール１００の構成について説明する。なお、パワーモジュール１００は、本発明の「電力変換装置」の一例である。
　図１に示すように、本発明の第１実施形態によるパワーモジュール１００は、３つのパワーモジュール本体部１００ａ、１００ｂおよび１００ｃと、配線基板２００とにより構成されている。なお、パワーモジュール本体部１００ａ、１００ｂおよび１００ｃは、それぞれ、本発明の「電力変換装置本体部」の一例である。
　パワーモジュール１００は、モータなどに接続される３相インバータ回路を構成している。このパワーモジュール１００を構成するパワーモジュール本体部１００ａ、１００ｂおよび１００ｃのそれぞれの矢印Ｘ１方向側の部分は、３相インバータ回路の上側アーム（Ｐ側）として機能する。また、パワーモジュール本体部１００ａ、１００ｂおよび１００ｃのそれぞれの矢印Ｘ２方向側の部分は、３相インバータ回路の下側アーム（Ｎ側）として機能する。なお、パワーモジュール本体部１００ａ、１００ｂおよび１００ｃは、それぞれ、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の電力変換を行うものとする。また、パワーモジュール本体部１００ａ、１００ｂおよび１００ｃは、それぞれ、略同様の構成を有しているので、以下では、主としてパワーモジュール本体部１００ａについて説明する。
　図２に示すように、配線基板２００の内部には、導電性の金属板からなるＰ相ブスバ２００ａ、Ｕ相ブスバ２００ｂおよびＮ相ブスバ２００ｃが設けられている。また、図１に示すように、これらのＰ相ブスバ２００ａ、Ｕ相ブスバ２００ｂおよびＮ相ブスバ２００ｃの一部は、パワーモジュール本体部１００ａの後述するＰ側端子接続部１０ａ、Ｕ相端子接続部１１ｃおよびＮ側端子接続部１２ｂに対応するように配線基板２００の下面（矢印Ｚ２方向側の面）から露出している。なお、配線基板２００の内部には、パワーモジュール本体部１００ｂおよび１００ｃの後述するＶ相端子接続部およびＷ相端子接続部に対応するように、Ｖ相ブスバおよびＷ層ブスバが設けられている。
　パワーモジュール本体部１００ａは、パワーモジュール本体部１００ａの上面（矢印Ｚ１方向側の面）において配線基板２００に電気的に接続されるように構成されている。具体的には、図１～図３に示すように、パワーモジュール本体部１００ａの後述するＰ側端子接続部１０ａ、Ｕ相端子接続部１１ｃおよびＮ側端子接続部１２ｂ（細かい点状の網掛け部参照）と、配線基板２００のＰ相ブスバ２００ａ、Ｕ相ブスバ２００ｂおよびＮ相ブスバ２００ｃの配線基板２００の下面（矢印Ｚ２方向側の面）から露出した部分とがバンプ電極３００を介して接合されるように構成されている。
　また、図３に示すように、パワーモジュール本体部１００ａと配線基板２００とは、所定の距離（空間）を隔てて配置されるように構成されている。この空間には、たとえば、熱伝導性を有する樹脂などが充填される。これにより、パワーモジュール１００の放熱性を高めながら、パワーモジュール本体部１００ａ、パワーモジュール本体部１００ｂおよびパワーモジュール本体部１００ｃと、配線基板２００とを固定することが可能になる。また、樹脂により、パワーモジュール本体部１００ａと配線基板２００とを接続するＰ相ブスバ２００ａ、Ｎ相ブスバ２００ｃ、Ｕ相ブスバ２００ｂが腐食するのを抑制することが可能になる。なお、樹脂の代わりに、熱伝導性のコンパウンドを用いてもよい。
　次に、図４～図１１を参照して、本発明の第１実施形態によるパワーモジュール本体部１００ａの詳細な構成について説明する。
　図４～図１０に示すように、パワーモジュール本体部１００ａには、金属板１と、絶縁基板２と、Ｐ側導電板３と、第１Ｎ側導電板４ａと、第２Ｎ側導電板４ｂと、２つのＰ側半導体素子５と、２つのＮ側半導体素子６と、４つの柱状電極７と、２つのＰ側制御端子８と、２つのＮ側制御端子９と、Ｐ側端子１０と、Ｕ相端子１１と、Ｎ側端子１２と、スナバコンデンサ１３とが設けられている。なお、金属板１は、本発明の「裏面側電極」の一例である。また、Ｐ側導電板３は、本発明の「第１導電板」の一例である。また、第１Ｎ側導電板４ａは、本発明の「第２導電板」および「素子側第２導電板」の一例である。また、第２Ｎ側導電板４ｂは、本発明の「第２導電板」および「端子側第２導電板」の一例である。また、柱状電極７は、本発明の「電極用導体」の一例である。また、Ｎ側端子１２は、本発明の「負側入出力端子」の一例である。また、スナバコンデンサ１３は、本発明の「コンデンサ」の一例である。
　また、パワーモジュール本体部１００ａのＰ側導電板３と、第１Ｎ側導電板４ａと、第２Ｎ側導電板４ｂと、Ｐ側半導体素子５と、Ｎ側半導体素子６と、柱状電極７と、スナバコンデンサ１３とは、樹脂などからなるケース１４に覆われている。また、Ｐ側端子１０と、Ｕ相端子１１と、Ｎ側端子１２とは、ケース１４の上面（矢印Ｚ１方向側の面）から露出している。また、金属板１、Ｐ側導電板３、第１Ｎ側導電板４ａおよび第２Ｎ側導電板４ｂは、銅などの金属からなる。また、絶縁基板２は、セラミックなどの絶縁物からなる。このパワーモジュール本体部１００ａでは、金属板１、絶縁基板２およびＰ側導電板３により、Ｐ側の絶縁回路基板が構成され、金属板１、絶縁基板２、第１Ｎ側導電板４ａおよび第２Ｎ側導電板４ｂにより、Ｎ側の絶縁回路基板が構成されている。なお、Ｐ側半導体素子５は、本発明の「第１電力変換用半導体素子」の一例である。また、Ｎ側半導体素子６は、本発明の「第２電力変換用半導体素子」の一例である。
　２つのＰ側半導体素子５は、１つのＰ側トランジスタ素子５ａと、１つのＰ側ダイオード素子５ｂとにより構成されている。このＰ側トランジスタ素子５ａは、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）である。また、Ｐ側ダイオード素子５ｂは、たとえば、ＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）である。なお、Ｐ側ダイオード素子５ｂは、還流ダイオードとしての機能を有する。図１１に示すように、Ｐ側トランジスタ素子５ａと、Ｐ側ダイオード素子５ｂとは、電気的に並列に接続されている。具体的には、Ｐ側ダイオード素子５ｂのカソード電極は、Ｐ側トランジスタ素子５ａのドレイン電極に電気的に接続されている。また、Ｐ側ダイオード素子５ｂのアノード電極は、Ｐ側トランジスタ素子５ａのソース電極に電気的に接続されている。なお、Ｐ側トランジスタ素子５ａは、本発明の「電圧駆動型トランジスタ素子」の一例である。また、Ｐ側ダイオード素子５ｂは、本発明の「還流ダイオード素子」の一例である。
　Ｐ側トランジスタ素子５ａのドレイン電極およびＰ側ダイオード素子５ｂのカソード電極は、Ｐ側導電板３に電気的に接続されている。図１０に示すように、Ｐ側トランジスタ素子５ａおよびＰ側ダイオード素子５ｂの下面（矢印Ｚ２方向側の面）は、半田からなる接合材１５を介してＰ側導電板３の上面（矢印Ｚ１方向側の面）に接合されている。なお、Ｐ側トランジスタ素子５ａおよびＰ側ダイオード素子５ｂは、Ｐ側導電板３の表面においてＹ方向に所定の間隔を隔てて並んで配置されている。また、Ｐ側トランジスタ素子５ａは、Ｐ側ダイオード素子５ｂよりも矢印Ｙ１方向側に配置されている。なお、半田からなる接合材１５の代わりに、Ａｇナノペーストからなる接合材を用いてもよい。
　同様に、２つのＮ側半導体素子６は、１つのＮ側トランジスタ素子６ａと、１つのＮ側ダイオード素子６ｂとにより構成されている。このＮ側ダイオード素子６ｂは、還流ダイオードとしての機能を有する。図１１に示すように、Ｎ側トランジスタ素子６ａと、Ｎ側ダイオード素子６ｂとは、電気的に並列に接続されている。具体的には、Ｎ側ダイオード素子６ｂのカソード電極は、Ｎ側トランジスタ素子６ａのドレイン電極に電気的に接続されている。また、Ｎ側ダイオード素子６ｂのアノード電極は、Ｎ側トランジスタ素子６ａのソース電極に電気的に接続されている。なお、Ｎ側トランジスタ素子６ａは、本発明の「電圧駆動型トランジスタ素子」の一例である。また、Ｎ側ダイオード素子６ｂは、本発明の「還流ダイオード素子」の一例である。
　図１０に示すように、Ｎ側トランジスタ素子６ａおよびＮ側ダイオード素子６ｂは、第１Ｎ側導電板４ａの上面（矢印Ｚ１方向側の面）においてＹ方向に並んで配置されている。また、Ｎ側トランジスタ素子６ａは、Ｎ側ダイオード素子６ｂよりも矢印Ｙ１方向側に配置されている。なお、Ｐ側トランジスタ素子５ａおよびＮ側トランジスタ素子６ａと、Ｐ側ダイオード素子５ｂおよびＮ側ダイオード素子６ｂとは、それぞれ、Ｘ方向に並んで配置されている。また、Ｐ側トランジスタ素子５ａおよびＰ側ダイオード素子５ｂは、Ｎ側トランジスタ素子６ａおよびＮ側ダイオード素子６ｂよりも矢印Ｘ１方向側に配置されている。
　２つのＰ側制御端子８は、それぞれ、Ｐ側トランジスタ素子５ａの上面（矢印Ｚ１方向側の面）に設けられたゲート電極およびソース電極に対してワイヤボンディングによりワイヤ８ａを介して接続されている。同様に、２つのＮ側制御端子９は、それぞれ、Ｎ側トランジスタ素子６ａの上面に設けられたゲート電極およびソース電極に対してワイヤボンディングによりワイヤ９ａを介して接続されている。これら２つのＰ側制御端子８および２つのＮ側制御端子９は、パワーモジュール本体部１００ａのケース１４の矢印Ｙ１方向側の側面から矢印Ｙ１方向側に突出している。
　Ｐ側端子１０は、接合材１５を介してＰ側導電板３の上面（矢印Ｚ１方向側の面）に接合されるように構成されている。また、Ｐ側端子１０は、Ｐ側導電板３を介してＰ側トランジスタ素子５ａのドレイン電極およびＰ側ダイオード素子５ｂのカソード電極に電気的に接続されるように構成されている。なお、Ｐ側端子１０は、Ｚ方向に延びる柱状に形成されている。
　Ｕ相端子１１は、Ｕ相端子部１１ａと、Ｐ側－Ｎ側接続用電極部１１ｂとにより構成されている。図１０に示すように、Ｕ相端子部１１ａは、Ｘ方向およびＹ方向に延びる平板状に形成されている。また、Ｐ側－Ｎ側接続用電極部１１ｂは、Ｙ方向およびＺ方向に延びる柱状に形成されている。
　Ｕ相端子部１１ａは、Ｐ側トランジスタ素子５ａおよびＰ側ダイオード素子５ｂのそれぞれの上面（矢印Ｚ１方向側の面）に接合材１５を介して接合された２つの柱状電極７の上面に接合されるように構成されている。また、Ｕ相端子部１１ａは、２つの柱状電極７を介して、Ｐ側トランジスタ素子５ａのソース電極およびＰ側ダイオード素子５ｂのアノード電極に対して電気的に接続されるように構成されている。なお、柱状電極７は、上端面が略平坦に形成されるＺ方向に延びる柱状に形成されている。
　Ｐ側－Ｎ側接続用電極部１１ｂは、接合材１５を介して第１Ｎ側導電板４ａの上面（矢印Ｚ１方向側の面）に接合されるように構成されている。このＰ側－Ｎ側接続用電極部１１ｂは、Ｕ相端子部１１ａに接続されるＰ側半導体素子５（Ｐ側トランジスタ素子５ａおよびＰ側ダイオード素子５ｂ）と、第１Ｎ側導電板４ａに接続されるＮ側半導体素子６（Ｎ側トランジスタ素子６ａおよびＮ側ダイオード素子６ｂ）とを電気的に接続するために設けられている。具体的には、Ｐ側トランジスタ素子５ａのソース電極およびＰ側ダイオード素子５ｂのアノード電極と、Ｎ側トランジスタ素子６ａのドレイン電極およびＮ側ダイオード素子６ｂのカソード電極とがＰ側－Ｎ側接続用電極部１１ｂにより電気的に接続される。
　Ｎ側端子１２は、Ｘ方向およびＹ方向に延びる平板状に形成されており、接続電極１２ａを介して、第２Ｎ側導電板４ｂの上面（矢印Ｚ１方向側の面）に接合されている。また、Ｎ側端子１２は、Ｎ側トランジスタ素子６ａおよびＮ側ダイオード素子６ｂのそれぞれの上面（矢印Ｚ１方向側の面）に接合材１５を介して接合された２つの柱状電極７の上面に接合されるように構成されている。また、Ｎ側端子１２は、２つの柱状電極７を介してＮ側トランジスタ素子６ａのソース電極およびＮ側ダイオード素子６ｂのアノード電極に対して電気的に接続されるように構成されている。
　また、Ｐ側端子１０、Ｕ相端子１１およびＮ側端子１２の上面（矢印Ｚ１方向側の面）には、それぞれ、Ｐ側端子接続部１０ａ、Ｕ相端子接続部１１ｃおよびＮ側端子接続部１２ｂ（図１、図４および図１０の細かい点状の網掛け部参照）が設けられている。これらのＰ側端子接続部１０ａ、Ｕ相端子接続部１１ｃおよびＮ側端子接続部１２ｂは、配線基板２００との電気的接続をとるために設けられている。また、これらのＰ側端子接続部１０ａ、Ｕ相端子接続部１１ｃおよびＮ側端子接続部１２ｂは、パワーモジュール本体部１００ａと配線基板２００との間で流入および流出する電流の流入口および流出口として機能する。なお、上記したＰ側端子接続部１０ａ、Ｕ相端子接続部１１ｃおよびＮ側端子接続部１２ｂに対応するように、パワーモジュール本体部１００ｂにはＰ側端子接続部、Ｖ相端子接続部およびＮ側端子接続部が設けられ、パワーモジュール本体部１００ｃにはＰ側端子接続部、Ｗ相端子接続部およびＮ側端子接続部が設けられている。
　ここで、第１実施形態では、Ｐ側導電板３と第２Ｎ側導電板４ｂとに直接接続されるように、スナバコンデンサ１３が設けられている。また、スナバコンデンサ１３は、Ｐ側導電板３と第２Ｎ側導電板４ｂとに跨るように配置されている。なお、スナバコンデンサ１３の矢印Ｘ１方向の端部、および、矢印Ｘ２方向の端部には、それぞれ、電極１３ａが設けられている。また、スナバコンデンサ１３の電極１３ａの間の部分１３ｂは、セラミックから構成されている。そして、電極１３ａと、Ｐ側導電板３および第２Ｎ側導電板４ｂとが半田１３ｃにより接合されている。これにより、スナバコンデンサ１３は、Ｐ側トランジスタ素子５ａのドレイン電極と、Ｎ側トランジスタ素子６ａのソース電極に電気的に接続される。また、スナバコンデンサ１３は、Ｐ側ダイオード素子５ｂのカソード電極と、Ｎ側ダイオード素子６ｂのアノード電極に電気的に接続される。なお、スナバコンデンサ１３は、Ｐ側トランジスタ素子５ａやＮ側トランジスタ素子６ａがスイッチングされる際に発生するサージ電圧を抑制する機能を有する。なお、半田１３ｃの代わりに、Ａｇナノペーストからなる接合材を用いてもよい。
　また、第１実施形態では、スナバコンデンサ１３は、平面的に見て（上方から見て）、柱状電極７に囲まれた領域に配置されている。また、スナバコンデンサ１３は、パワーモジュール本体部１００ａの内部の配線基板２００（図１参照）と反対側において、Ｐ側導電板３および第２Ｎ側導電板４ｂに配線を介さずに直接接続するように配置されている。
　次に、図１２～図１５を参照して、パワーモジュール本体部がスイッチングされる際に発生するサージ電圧の抑制について行ったシミュレーションについて説明する。
　このシミュレーションでは、図１２に示すように、第１実施形態によるパワーモジュール本体部１００ａ（点線）に、直流電源２１と、電解コンデンサ２２と、ゲート回路２３と、負荷用リアクトル２４とを接続したチョッパ回路２５を仮定した。直流電源２１は、パワーモジュール本体部１００ａのＰ側端子１０とＮ側端子１２とに接続されている。また、電解コンデンサ２２は、直流電源２１とＰ側端子１０との間、および、直流電源２１とＮ側端子１２との間に接続されている。ゲート回路２３は、Ｎ側制御端子９に接続されている。そして、このチョッパ回路２５において、パワーモジュール本体部１００ａのＮ側端子１２に流れるソース電流Ｉｓをシミュレーションにより求めた。また、パワーモジュール本体部１００ａのＮ側端子１２と、Ｕ相端子１１との間の電圧Ｖｄｓをシミュレーションにより求めた。
　また、比較例として、図１３に示すように、２つのパワーモジュール本体部８００ａおよび８００ｂ（点線）に、直流電源２１と、電解コンデンサ２２と、ゲート回路２３とを接続したチョッパ回路８０１を仮定した。なお、比較例によるパワーモジュール本体部８００ａ（８００ｂ）には、１つのＰ側トランジスタ素子８０２（Ｎ側トランジスタ素子８０４）と、１つのＰ側ダイオード素子８０３（Ｎ側ダイオード素子８０５）とが設けられる。また、チョッパ回路８０１には、パワーモジュール本体部８００ａのＰ側端子８０６と、パワーモジュール本体部８００ｂのＮ側端子８０７との間にスナバコンデンサ８０８が設けられている。そして、このチョッパ回路８０１において、パワーモジュール本体部８００ｂのＮ側端子８０７に流れるソース電流Ｉｓをシミュレーションにより求めた。また、パワーモジュール本体部８００ｂのＮ側端子８０７と、Ｕ相端子８０９との間の電圧Ｖｄｓをシミュレーションにより求めた。
　なお、このシミュレーションでは、直流電源２１の電圧を３００Ｖと仮定し、パワーモジュール本体部がオン状態の際のソース電流Ｉｓを２００Ａと仮定した。また、キャリア周波数（ＰＷＭ制御の際、インバータで出力電圧のパルス幅を決めるための変調波の周波数）を１００ｋＨｚと仮定した。また、比較例によるパワーモジュール本体部８００ａおよび８００ｂの内部の配線インダクタンスを７．４２６ｎＨと仮定するとともに、第１実施形態によるパワーモジュール本体部１００ａの内部の配線インダクタンスを３．０８９８ｎＨと仮定した。なお、第１実施形態によるパワーモジュール本体部１００ａでは、１つのパワーモジュール本体部１００ａの内部にＰ側トランジスタ素子５ａ、Ｐ側ダイオード素子５ｂ、Ｎ側トランジスタ素子６ａ、および、Ｎ側ダイオード素子６ｂが設けられる一方、比較例によるパワーモジュール本体部８００ａおよび８００ｂでは、Ｐ側トランジスタ素子８０２およびＰ側ダイオード素子８０３と、Ｎ側トランジスタ素子８０４およびＮ側ダイオード素子８０５とが別個のパワーモジュール本体部に設けられている。このため、比較例によるパワーモジュール本体部８００ａおよび８００ｂの内部の配線インダクタンスを、第１実施形態によるパワーモジュール本体部１００ａの内部の配線インダクタンスよりも大きくした。
　図１４は、比較例によるシミュレーションの結果を示している。縦軸は、電圧（Ｖ）と、ソース電流Ｉｓ（Ａ）を表わし、横軸は、時間を表わしている。そして、このシミュレーションにより、パワーモジュール本体部８００ａおよび８００ｂをオン状態からオフ状態にした場合に、配線インダクタンスに蓄積されていたエネルギが、図１３に示す閉回路（１点鎖線、ＬＣ回路）の中で共振した結果、サージ電圧が発生するとともに、リンギング（パルス状などの急峻な変化をする信号が、回路網を通過したときに生じる波状の波形）が発生することが判明した。
　また、図１５は、第１実施形態によるシミュレーションの結果を示している。そして、このシミュレーションにより、パワーモジュール本体部１００ａをオン状態からオフ状態にした場合に、配線インダクタンスに蓄積されていたエネルギが、図１２に示す閉回路（１点鎖線、ＬＣ回路）の中で共振した結果、サージ電圧が発生するとともに、リンギングが発生することが判明した。なお、図１４に示す比較例によるシミュレーションにおけるリンギングは、パワーモジュール本体部８００ａおよび８００ｂがオフ状態にされてから、０．７７５μｓ（＝２３９．２－２３８．４２５）後に終了した一方、図１５に示す第１実施形態によるシミュレーションにおけるリンギングは、パワーモジュール本体部１００ａがオフ状態にされてから、０．３μｓ（＝２３８．５３－２３８．２３）後に終了することが判明した。すなわち、示す第１実施形態によるシミュレーションにおけるリンギングの方が早く終了することが確認された。また、サージ電圧の最大値は、図１４に示す比較例では、３７５Ｖになる一方、図１５に示す第１実施形態では、３３９Ｖになることが判明した。すなわち、第１実施形態では、サージ電圧が減少することが確認された。これは、第１実施形態の配線インダクタンス（３．０８９８ｎＨ）が、比較例の配線インダクタンス（７．４２６ｎＨ）よりも小さいので、サージ電圧が減少したと考えられる。なお、第１実施形態（比較例）において、スナバコンデンサ１３（８０８）を設けない場合では、サージ電圧の最大値は、比較例によるサージ電圧の最大値（３７５Ｖ）よりもさらに大きくなる。
　第１実施形態では、上記のように、Ｐ側導電板３の表面上に配置されるＰ側半導体素子５と、第２Ｎ側導電板４ｂの表面上に配置され、Ｐ側半導体素子５と電気的に接続されるＮ側半導体素子６とをパワーモジュール本体部１００ａに設けることによって、Ｐ側半導体素子５とＮ側半導体素子６とが、それぞれ、異なる２つのパワーモジュール本体部に別個に設けられる場合と比べて、Ｐ側半導体素子５とＮ側半導体素子６との間の距離を小さくすることができるので、Ｐ側半導体素子５とＮ側半導体素子６との間の配線インダクタンスを小さくすることができる。また、パワーモジュール本体部１００ａの内部において、Ｐ側半導体素子５とＮ側半導体素子６との間にＰ側導電板３と第２Ｎ側導電板４ｂとに接続するようにスナバコンデンサ１３を設けることによって、サージ電圧に起因するＰ側半導体素子５およびＮ側半導体素子６の破壊を抑制することができるとともに、スナバコンデンサ１３がパワーモジュール本体部１００ａの外部の基板などに設けられる場合と比べて、Ｐ側半導体素子５およびＮ側半導体素子６とスナバコンデンサ１３との間の距離が小さくなるので、Ｐ側半導体素子５およびＮ側半導体素子６とスナバコンデンサ１３との間の配線インダクタンスを小さくすることができる。
　また、第１実施形態では、上記のように、スナバコンデンサ１３を、Ｐ側半導体素子５とＮ側半導体素子６との間にＰ側導電板３と第２Ｎ側導電板４ｂとに直接接続するように配置する。これにより、スナバコンデンサ１３が配線などを介して配置される場合と比べて、スナバコンデンサ１３とＰ側導電板３および第２Ｎ側導電板４ｂとの間の配線インダクタンスを小さくすることができる。
　また、第１実施形態では、上記のように、スナバコンデンサ１３を、Ｐ側半導体素子５とＮ側半導体素子６との間にＰ側導電板３と第２Ｎ側導電板４ｂとに跨るように配置する。これにより、スナバコンデンサ１３とＰ側導電板３とを容易に直接接続することができるとともに、スナバコンデンサ１３と第２Ｎ側導電板４ｂとを容易に直接接続することができる。
　また、第１実施形態では、上記のように、Ｐ側半導体素子５のソース電極と、Ｎ側半導体素子６のドレイン電極とを互いに電気的に接続し、スナバコンデンサ１３を、Ｐ側導電板３を介してＰ側半導体素子５のドレイン電極に電気的に接続するとともに、第２Ｎ側導電板４ｂを介してＮ側半導体素子６のソース電極に電気的に接続する。これにより、Ｐ側半導体素子５およびＮ側半導体素子６のスイッチング時に生じるサージ電圧を、スナバコンデンサ１３により抑制することができる。
　また、第１実施形態では、上記のように、パワーモジュール本体部１００ａが、Ｐ側導電板３の表面上に形成されるＰ側半導体素子５と、第１Ｎ側導電板４ａの表面上に形成されるＮ側半導体素子６との表面上に形成され、上方に延びる柱状を有するとともに、柱状の上端面が略平坦に形成されている柱状電極７を含み、スナバコンデンサ１３を、平面的に見て、柱状電極７に囲まれた領域に配置する。これにより、スナバコンデンサ１３が柱状電極７に囲まれた領域の外に配置されている場合と異なり、パワーモジュール本体部１００ａが大きくなるのを抑制することができる。また、柱状電極７を上方に延びる柱状を有するとともに、柱状の上端面を略平坦に形成することにより、電極がたとえば細いワイヤ状である場合と異なり、配線インダクタンスを小さくすることができる。その結果、配線インダクタンスが大きいことに起因して、Ｐ側半導体素子５およびＮ側半導体素子６が高速に動作できなくなるのを抑制することができる。また、柱形状の柱状電極７により、細いワイヤー状の電極を用いる場合よりも放熱量を増加させることができるので、放熱性を向上させることができる。
　また、第１実施形態では、上記のように、パワーモジュール本体部１００ａが、表面にＰ側導電板３、第１Ｎ側導電板４ａおよび第２Ｎ側導電板４ｂが形成され、裏面に金属板１が形成される絶縁基板２を含み、スナバコンデンサ１３を、Ｐ側導電板３と第２Ｎ側導電板４ｂとを直接接続するように配置する。これにより、Ｐ側導電板３、第１Ｎ側導電板４ａ、第２Ｎ側導電板４ｂおよびスナバコンデンサ１３が、１つの絶縁基板２の表面上に形成されるので、Ｐ側導電板３、第１Ｎ側導電板４ａ、第２Ｎ側導電板４ｂおよびスナバコンデンサ１３が、それぞれ、異なる絶縁基板に形成される場合と異なり、パワーモジュール本体部１００ａが大きくなるのを抑制することができる。
　また、第１実施形態では、上記のように、スナバコンデンサ１３を、パワーモジュール本体部１００ａの内部の配線基板２００と反対側において、Ｐ側導電板３および第２Ｎ側導電板４ｂに直接接続するように配置する。これにより、スナバコンデンサ１３が、Ｐ側導電板３および第２Ｎ側導電板４ｂ側に配置されるので、スナバコンデンサ１３と、Ｐ側導電板３および第２Ｎ側導電板４ｂとの間の距離が小さくなる。これにより、スナバコンデンサ１３と、Ｐ側導電板３および第２Ｎ側導電板４ｂとの間の配線インダクタンスを小さくすることができる。
　（第２実施形態）
　次に、図１６～図２０を参照して、第２実施形態のパワーモジュール本体部１０１について説明する。この第２実施形態では、上記１つの絶縁基板の表面上に、Ｐ側半導体素子とＮ側半導体素子とが設けられる上記第１実施形態と異なり、２つの絶縁基板に挟まれるようにＰ側半導体素子とＮ側半導体素子とが設けられている。
　図１６、図１８～図２０に示すように、パワーモジュール本体部１０１では、絶縁基板１１２ａと絶縁基板１１２ｂとが対向するように配置されている。絶縁基板１１２ａには、金属板１１１ａと、絶縁基板１１２ａと、Ｐ側導電板１１３と、第１Ｎ側導電板１１４ａと、２つのＰ側半導体素子１１５と、２つの柱状電極１１７と、２つのＰ側制御端子１１８と、Ｐ側端子１２０と、Ｎ側端子１２２と、スナバコンデンサ１２３とが設けられている。また、金属板１１１ａは、接地されている。なお、金属板１１１ａは、本発明の「裏面側電極」の一例である。また、絶縁基板１１２ａおよび絶縁基板１１２ｂは、それぞれ、本発明の「第１絶縁基板」および「第２絶縁基板」の一例である。また、Ｐ側導電板１１３は、本発明の「第１導電板」の一例である。また、第１Ｎ側導電板１１４ａは、本発明の「第２導電板」の一例である。また、柱状電極１１７は、本発明の「電極用導体」の一例である。また、Ｎ側端子１２２は、本発明の「負側入出力端子」の一例である。また、スナバコンデンサ１２３は、本発明の「コンデンサ」の一例である。
　また、図１７～図２０に示すように、パワーモジュール本体部１０１の絶縁基板１１２ｂには、金属板１１１ｂと、第２Ｎ側導電板１１４ｂと、２つのＮ側半導体素子１１６と、２つの柱状電極１１７と、２のＮ側制御端子１１９と、Ｕ相端子１２１とが設けられている。また、金属板１１１ｂは、上記金属板１１１ａと異なり、接地（図１８および図１９参照）されない。これにより、金属板１１１ａおよび金属板１１１ｂの両方が接地されている場合と異なり、Ｕ相端子１２１と接地（アース）との間の浮遊容量が小さくなる。その結果、コモンモードノイズを低減することが可能となる。
　また、金属板１１１ａ、Ｐ側導電板１１３、第１Ｎ側導電板１１４ａ、金属板１１１ｂおよび第２Ｎ側導電板１１４ｂは、銅などの金属からなる。また、絶縁基板１１２ａおよび１１２ｂは、セラミックなどの絶縁物からなる。このパワーモジュール本体部１０１では、金属板１１１ａ、絶縁基板１１２ａおよびＰ側導電板１１３により、Ｐ側の絶縁回路基板が構成され、金属板１１１ａ、絶縁基板１１２ａ、第１Ｎ側導電板１１４ａにより、Ｎ側の絶縁回路基板が構成されている。また、金属板１１１ｂ、絶縁基板１１２ｂ、第２Ｎ側導電板１１４ｂにより、Ｎ側の絶縁回路基板が構成されている。なお、Ｐ側半導体素子１１５は、本発明の「第１電力変換用半導体素子」の一例である。また、Ｎ側半導体素子１１６は、本発明の「第２電力変換用半導体素子」の一例である。
　図１６に示すように、２つのＰ側半導体素子１１５は、１つのＰ側トランジスタ素子１１５ａと、１つのＰ側ダイオード素子１１５ｂとにより構成されている。このＰ側トランジスタ素子１１５ａは、たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）である。また、Ｐ側ダイオード素子１１５ｂは、たとえば、ＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）である。なお、Ｐ側ダイオード素子１１５ｂは、還流ダイオードとしての機能を有する。図１１に示す上記第１実施形態と同様に、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａと、Ｐ側ダイオード素子１１５ｂとは、電気的に並列に接続されている。具体的には、Ｐ側ダイオード素子１１５ｂのカソード電極は、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａのドレイン電極に電気的に接続されている。また、Ｐ側ダイオード素子１１５ｂのアノード電極は、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａのソース電極に電気的に接続されている。なお、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａは、本発明の「電圧駆動型トランジスタ素子」の一例である。また、Ｐ側ダイオード素子１１５ｂは、本発明の「還流ダイオード素子」の一例である。
　Ｐ側トランジスタ素子１１５ａのドレイン電極およびＰ側ダイオード素子１１５ｂのカソード電極は、Ｐ側導電板１１３に電気的に接続されている。図２０に示すように、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａおよびＰ側ダイオード素子１１５ｂの下面（矢印Ｚ２方向側の面）は、半田からなる接合材１２５を介してＰ側導電板１１３の上面（矢印Ｚ１方向側の面）に接合されている。なお、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａおよびＰ側ダイオード素子１１５ｂは、Ｐ側導電板１１３の表面においてＹ方向に所定の間隔を隔てて並んで配置されている。また、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａは、Ｐ側ダイオード素子１１５ｂよりも矢印Ｙ２方向側に配置されている。なお、半田からなる接合材１２５の代わりに、Ａｇナノペーストからなる接合材を用いてもよい。
　同様に、図１７に示すように、２つのＮ側半導体素子１１６は、１つのＮ側トランジスタ素子１１６ａと、１つのＮ側ダイオード素子１１６ｂとにより構成されている。このＮ側ダイオード素子１１６ｂは、還流ダイオードとしての機能を有する。図１１に示す上記第１実施形態と同様に、Ｎ側トランジスタ素子１１６ａと、Ｎ側ダイオード素子１１６ｂとは、電気的に並列に接続されている。具体的には、Ｎ側ダイオード素子１１６ｂのカソード電極は、Ｎ側トランジスタ素子１１６ａのドレイン電極に電気的に接続されている。また、Ｎ側ダイオード素子１１６ｂのアノード電極は、Ｎ側トランジスタ素子１１６ａのソース電極に電気的に接続されている。なお、Ｎ側トランジスタ素子１１６ａは、本発明の「電圧駆動型トランジスタ素子」の一例である。また、Ｎ側ダイオード素子１１６ｂは、本発明の「還流ダイオード素子」の一例である。
　図２０に示すように、Ｎ側トランジスタ素子１１６ａおよびＮ側ダイオード素子１１６ｂは、第２Ｎ側導電板１１４ｂの上面（矢印Ｚ２方向側の面）においてＹ方向に並んで配置されている。また、Ｎ側トランジスタ素子１１６ａは、Ｎ側ダイオード素子１１６ｂよりも矢印Ｙ２方向側に配置されている。なお、絶縁基板１１２ａと絶縁基板１１２ｂとが対向するように配置された状態では、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａおよびＮ側トランジスタ素子１１６ａと、Ｐ側ダイオード素子１１５ｂおよびＮ側ダイオード素子１１６ｂとは、それぞれ、Ｘ方向に並んで配置されている。また、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａおよびＰ側ダイオード素子１１５ｂは、Ｎ側トランジスタ素子１１６ａおよびＮ側ダイオード素子１１６ｂよりも矢印Ｘ１方向側に配置されている。
　図１６に示すように、２つのＰ側制御端子１１８は、それぞれ、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａの上面（矢印Ｚ１方向側の面）に設けられたゲート電極およびソース電極に対してワイヤボンディングによりワイヤ１１８ａを介して接続されている。同様に、図１７に示すように、２つのＮ側制御端子１１９は、それぞれ、Ｎ側トランジスタ素子１１６ａの上面に設けられたゲート電極およびソース電極に対してワイヤボンディングによりワイヤ１１９ａを介して接続されている。
　図１６に示すように、Ｐ側端子１２０は、Ｐ側導電板１１３の上面（矢印Ｚ１方向側の面）に接合されるように構成されている。また、Ｐ側端子１２０は、Ｐ側導電板１１３を介してＰ側トランジスタ素子１１５ａのドレイン電極およびＰ側ダイオード素子１１５ｂのカソード電極に電気的に接続されるように構成されている。なお、Ｐ側端子１２０は、Ｘ方向およびＹ方向に延びる平板状に形成されている。
　また、Ｎ側端子１２２は、第１Ｎ側導電板１１４ａの上面（矢印Ｚ１方向側の面）に接合されるように構成されている。また、Ｎ側端子１２２は、絶縁基板１１２ａと絶縁基板１１２ｂとが対向するように配置された状態では、第１Ｎ側導電板１１４ａを介してＮ側トランジスタ素子１１６ａのソース電極およびＮ側ダイオード素子１１６ｂのアノード電極に電気的に接続されるように構成されている。なお、Ｎ側端子１２２は、Ｘ方向およびＹ方向に延びる平板状に形成されている。
　図１７に示すように、Ｕ相端子１２１は、第２Ｎ側導電板１１４ｂの上面（矢印Ｚ２方向側の面）に接合されるように構成されている。また、Ｕ相端子１２１は、第２Ｎ側導電板１１４ｂを介してＮ側トランジスタ素子１１６ａのドレイン電極およびＮ側ダイオード素子１１６ｂのカソード電極に電気的に接続されるように構成されている。なお、Ｕ相端子１２１は、Ｘ方向およびＹ方向に延びる平板状に形成されている。
　また、Ｐ側端子１２０、Ｎ側端子１２２およびＵ相端子１２１は、図示しない配線基板との電気的接続をとるために設けられている。また、これらのＰ側端子１２０、Ｎ側端子１２２およびＵ相端子１２１は、パワーモジュール本体部１０１と配線基板との間で流入および流出する電流の流入口および流出口として機能する。
　ここで、第２実施形態では、図１６に示すように、絶縁基板１１２ａ側に設けられるＰ側導電板１１３と第１Ｎ側導電板１１４ａとに配線を介さずに直接接続するようにスナバコンデンサ１２３が配置されている。また、スナバコンデンサ１２３は、Ｐ側導電板１１３と第１Ｎ側導電板１１４ａとに跨るように配置されている。なお、スナバコンデンサ１２３の矢印Ｘ１方向の端部、および、矢印Ｘ２方向の端部には、それぞれ、電極１２３ａが設けられている。また、スナバコンデンサ１２３の電極１２３ａの間の部分１２３ｂは、セラミックから構成されている。そして、電極１２３ａと、Ｐ側導電板１１３および第１Ｎ側導電板１１４ａとが半田１２３ｃにより接合されている。これにより、絶縁基板１１２ａと絶縁基板１１２ｂとが対向するように配置された状態では、スナバコンデンサ１２３は、Ｐ側トランジスタ素子１１５ａのドレイン電極と、Ｎ側トランジスタ素子１１６ａのソース電極に電気的に接続される。また、スナバコンデンサ１２３は、Ｐ側ダイオード素子１１５ｂのカソード電極と、Ｎ側ダイオード素子１１６ｂのアノード電極に電気的に接続される。なお、パワーモジュール本体部１０１は、Ｕ相の電力変換が行われる。また、Ｖ相、Ｗ相の電力変換を行うパワーモジュール本体部もパワーモジュール本体部１０１と略同様の構成を有している。
　第２実施形態では、上記のように、パワーモジュール本体部１０１が、表面にＰ側導電板１１３および第１Ｎ側導電板１１４ａが形成され、裏面に金属板１１１ａが形成される絶縁基板１１２ａと、絶縁基板１１２ｂとの間にＰ側半導体素子１１５およびＮ側半導体素子１１６を挟んで絶縁基板１１２ａに対向するように配置される絶縁基板１１２ｂとを含み、スナバコンデンサ１２３を、絶縁基板１１２ａ側において、Ｐ側導電板１１３と第１Ｎ側導電板１１４ａとに直接接続するように配置する。これにより、スナバコンデンサ１２３が、Ｐ側導電板１１３および第１Ｎ側導電板１１４ａ側に配置されるので、スナバコンデンサ１２３と、Ｐ側導電板１１３および第１Ｎ側導電板１１４ａとの間の距離が小さくなる。これにより、スナバコンデンサ１２３と、Ｐ側導電板１１３および第１Ｎ側導電板１１４ａとの間の配線インダクタンスを小さくすることができる。
　なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
　たとえば、上記第１および第２実施形態では、本発明の電力変換用半導体素子としてＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）およびＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、電力変換用半導体素子であれば、ＭＯＳＦＥＴおよびＳＢＤ以外の半導体素子を用いてもよい。
　また、上記第１および第２実施形態では、本発明の電圧駆動型トランジスタとしてＭＯＳＦＥＴを用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、電圧駆動型トランジスタであれば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）などのその他のトランジスタを用いてもよい。
　また、上記第１および第２実施形態では、還流ダイオードとして、ＳＢＤを用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、還流ダイオードであれば、ＦＲＤ（ファーストリカバリーダイオード）などのその他のダイオードを用いてもよい。
　また、上記第１および第２実施形態では、パワーモジュール本体部のＰ側およびＮ側のそれぞれに、ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤとを１セットずつ配置する例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、パワーモジュール本体部のＰ側およびＮ側のそれぞれに、ＭＯＳＦＥＴとＳＢＤとを複数セットずつ配置してもよい。
　また、上記第１および第２実施形態では、Ｐ側導電板および第１Ｎ側導電板に配線を介さずに直接半田により接続するようにスナバコンデンサが配置される例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、スナバコンデンサは、パワーモジュール本体部の内部に設けられていればよい。たとえば、スナバコンデンサを、短い配線を介してＰ側導電板および第１Ｎ側導電板との間にＰ側導電板および第１Ｎ側導電板と接続するようにしてもよい。
　１、１１１ａ　金属板（裏面側電極板）
　２　絶縁基板
　３、１１３　Ｐ側導電板（第１導電板）
　４ａ　第１Ｎ側導電板（第２導電板、素子側第２導電板）
　４ｂ　第２Ｎ側導電板（第２導電板、端子側第２導電板）
　５、１１５　Ｐ側半導体素子（第１電力変換用半導体素子）
　５ａ、１１５ａ　Ｐ側トランジスタ素子（電圧駆動型トランジスタ素子）
　５ｂ、１１５ｂ　Ｐ側ダイオード素子（還流ダイオード素子）
　６、１１６　Ｎ側半導体素子（第２電力変換用半導体素子）
　６ａ、１１６ａ　Ｐ側トランジスタ素子（電圧駆動型トランジスタ素子）
　６ｂ、１１６ｂ　Ｐ側ダイオード素子（還流ダイオード素子）
　７、１１７　柱状電極（電極用導体）
　１２、１２２　Ｎ側端子（負側入力端子）
　１３、１２３　スナバコンデンサ（コンデンサ）
　１００　パワーモジュール（電力変換装置）
　１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１０１　パワーモジュール本体部（電力変換装置本体部）
　１１２ａ　絶縁基板（第１絶縁基板）
　１１２ｂ　絶縁基板（第２絶縁基板）
　１１４ａ　第１Ｎ側導電板（第２導電板）
　２００　配線基板

Claims (9)

  1. 　電力変換装置本体部を備え、
    　前記電力変換装置本体部は、
    　前記電力変換装置本体部内に間隔を隔てて配置された第１導電板および第２導電板と、
    　前記第１導電板の表面上に配置される第１電力変換用半導体素子と、
    　前記第２導電板の表面上に配置され、前記第１電力変換用半導体素子と電気的に接続される第２電力変換用半導体素子と、
    　前記電力変換装置本体部の内部において、前記第１電力変換用半導体素子と前記第２電力変換用半導体素子との間に前記第１導電板と前記第２導電板とに接続するように配置され、サージ電圧を抑制するためのコンデンサとを含む、電力変換装置。
  2. 　前記コンデンサは、前記第１電力変換用半導体素子と前記第２電力変換用半導体素子との間に前記第１導電板と前記第２導電板とに直接接続するように配置されている、請求項１に記載の電力変換装置。
  3. 　前記コンデンサは、前記第１電力変換用半導体素子と前記第２電力変換用半導体素子との間に前記第１導電板と前記第２導電板とに跨るように配置されている、請求項１または２に記載の電力変換装置。
  4. 　前記第１電力変換用半導体素子の一方電極と、前記第２電力変換用半導体素子の一方電極とが互いに電気的に接続され、
    　前記コンデンサは、前記第１導電板を介して前記第１電力変換用半導体素子の他方電極に電気的に接続されるとともに、前記第２導電板を介して前記第２電力変換用半導体素子の他方電極に電気的に接続されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の電力変換装置。
  5. 　前記電力変換装置本体部は、表面に前記第１導電板および前記第２導電板が形成され、裏面に裏面側導電板が形成される絶縁基板をさらに含み、
    　前記第２導電板は、前記第２電力変換用半導体素子が形成される素子側第２導電板と、負側入出力端子が形成される端子側第２導電板とを含み、
    　前記コンデンサは、前記第１導電板と前記端子側第２導電板とに直接接続するように配置されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の電力変換装置。
  6. 　前記第１電力変換用半導体素子および前記第２電力変換用半導体素子の前記第１導電板および前記第２導電板とは反対側において、前記第１電力変換用半導体素子および前記第２電力変換用半導体素子に電気的に接続される配線基板をさらに備え、
    　前記コンデンサは、前記電力変換装置本体部の内部の前記配線基板と反対側において、前記第１導電板および前記第２導電板に直接接続するように配置されている、請求項５に記載の電力変換装置。
  7. 　前記電力変換装置本体部は、
    　表面に前記第１導電板および前記第２導電板が形成され、裏面に裏面側導電板が形成される第１絶縁基板と、
    　前記第１絶縁基板との間に前記第１電力変換用半導体素子および前記第２電力変換用半導体素子を挟んで前記第１絶縁基板に対向するように配置される第２絶縁基板とをさらに含み、
    　前記コンデンサは、前記第１絶縁基板側において、前記第１導電板と前記第２導電板とに直接接続するように配置されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の電力変換装置。
  8. 　前記第１電力変換用半導体素子および前記第２電力変換用半導体素子は、電圧駆動型トランジスタ素子を含み、
    　前記コンデンサは、前記電力変換装置本体部の内部において、前記第１導電板に形成される前記電圧駆動型トランジスタ素子と前記第２導電板に形成される前記電圧駆動型トランジスタ素子との間に前記第１導電板と前記第２導電板とに直接接続するように配置されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の電力変換装置。
  9. 　前記第１電力変換用半導体素子および前記第２電力変換用半導体素子は、前記電圧駆動型トランジスタ素子に並列接続される還流ダイオード素子を含み、
    　前記コンデンサは、前記電力変換装置本体部の内部において、前記第１導電板に形成される前記還流ダイオード素子と前記第２導電板に形成される前記還流ダイオード素子との間に前記第１導電板と前記第２導電板とに直接接続するように配置されている、請求項８に記載の電力変換装置。
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