JP2016013027A - 電力変換装置及び電動モータ - Google Patents

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【課題】電力変換装置の低インダクタンス化を図る。
【解決手段】第１主電源配線５９Ｐ及び第１主電源配線よりも低い基準電圧が印加される第２主電源配線５９Ｎを有する配線基板５０と、インバータ回路１１を構成する第１及び第２半導体装置３０ｕ１，３０ｕ２及びコンデンサ部品Ｃ１とを備え、第１及び第２半導体装置の各々は、制御端子３６ｃに入力される制御信号により第１及び第２主端子３６ａ，３６ｂ間の電気的接続をオン・オフするスイッチング素子１５を有し、コンデンサ部品は、第１主電源配線と第２主電源配線との間に接続され、第１半導体装置の第２主端子は第１主電源配線とコンデンサ部品との間に接続され、第２半導体装置の第１主端子は第２主電源配線とコンデンサ部品との間に接続され、第１及び第２半導体装置は、互いに向かい合うようにして配線基板に実装され、コンデンサ部品は、配線基板の第１及び第２半導体装置間の領域に実装されている。
【選択図】図７

Description

本発明は、電力変換装置及び電動モータに関し、特に、インバータ回路を構成する半導体装置及びコンデンサ部品を有する電力変換装置及びそれを備えた電動モータに適用して有効な技術に関するものである。
近年の省エネ要求に伴って加減速が必要な電動モータの制御にはＰＷＭ（Ｐulse Ｗidth Ｍodulation）インバータが用いられている。ＰＷＭインバータは制御部から送られてくるＯＮ，ＯＦＦのデジタル信号に応じた電流をシリコン（Ｓｉ）製のＩＧＢＴ（Ｉnsulated Ｇate Ｂipolar Ｔransistor），ＭＯＳＦＥＴ（Ｍetal Ｏxide Ｓemiconductor Ｆield Ｅffect Ｔransistor）などの半導体スイッチング素子を用いてモータ巻線に流すことによってＰＷＭ制御を行う。半導体スイッチング素子を用いたＰＷＭ制御を行うことによって抵抗制御などと比較して高効率でモータの加減速を制御することが可能となる。しかしながら、それでも半導体スイッチング素子では通電時の導通損失、ＯＮ，ＯＦＦの過渡時に発生するスイッチング損失により発熱が生じる。そこで、発熱で半導体スイッチング素子が高温にならないようにインバータ装置には空冷冷却装置や水冷冷却装置が取り付けられている。冷却装置はインバータの体積の多くの割合を占め、インバータ装置の小型化には冷却設計が重要となる。
一方で、パワーステアリング用アシストモータや車載エアコン用のコンプレッサなど車載用途の電動モータでは、取り付け省スペース化のためにモータ内にインバータ回路を組み込んだインバータ一体モータが主流になりつつある。省スペース化すなわち、小型化のためには前述したインバータ回路に使用されている半導体素子の冷却設計が課題となる。また、小型化に伴ってインバータ回路の部品を狭小なモータハウジング内の部品配置や組立方法が重要となってくる。特開２００７−３０６６７１号公報ではインバータ一体モータに使用される半導体素子の組立と冷却についての工夫がなされている。
ところで、ここ近年より低損失なシリコンカーバイト（ＳｉＣ）半導体を代表としたワイドバンドギャップ半導体が使用され始めた。交流２００Ｖ以上を出力する従来のモータドライブ用のインバータ回路には、Ｓｉ製のＩＧＢＴ等のバイポーラデバイスが使用されていた。次世代のパワー半導体であるＳｉＣ半導体では、より高速スイッチングが可能なＭＯＳＦＥＴ等のユニポーラデバイスを使用することが可能であり、スイッチング損失を大きく低減することができるため、ＳｉＣ半導体をインバータ一体モータに適用すると、インバータ部の冷却装置を小型化することが可能となる。
しかしながら、高速スイッチングになって、電流の切れる傾きが速く（高ｄｉ／ｄｔに）なると、ターンオフ時に、プラス電極からマイナス電極までの一巡の電流経路のインダクタンスによって発生するサージ電圧が大きくなってしまうといった問題がある。特開２００７−１１６８４０では、円周状に半導体素子を配置してプリント基板上のプラス電極からマイナス電極までの距離を最短化して一巡インダクタンスを低減する工夫がなされている。
しかしながら、特開２００７−１１６８４０号公報では、半導体素子が実装されたプリント配線板に関しては低インダクタンスとなる工夫がされているが、プリント配線基板から直接平滑コンデンサへと接続されている。平滑コンデンサは大型のものが多く、平滑コンデンサの寄生インダクタンスは数十ｎＨある場合もある。また、平滑コンデンサが大きいとバスバーも大型化するのでプラス電極、マイナス電極を沿わせて低インダクタンス化したとしても寄生インダクタンスはやはり数十ｎＨ程度のオーダになる。仮に一巡のインダクタンスが５０ｎＨとして、サージ電圧を３００Ｖまで許容できるとすると、許容できる電流変化率は６×１０−９Ａ／secとなる。これでは、現行のＳｉ製のＩＧＢＴと大差ないスイッチング速度であり、スイッチン速度の大幅な低減はなしえない。
そこで、本発明者は、インバータ回路を構成する半導体装置（スイッチング素子）とコンデンサ部品との配置に着目し、本発明をなした。
特開２００７−３０６６７１号公報 特開２００７−１１６８４０号公報
本発明の目的は、電力変換装置の低インダクタンス化を図ることが可能な技術を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る電力変換装置は、第１基準電圧が印加される第１主電源配線、及び第１基準電圧よりも電位が低い第２基準電圧が印加される第２主電源配線を有する配線基板と、インバータ回路を構成する第１及び第２半導体装置及びコンデンサ部品と、を備え、第１及び第２半導体装置の各々は、制御端子と、第１及び第２主端子と、制御端子に入力された制御信号により第１及び第２主端子間の電気的接続をオン・オフするスイッチング素子とを有し、コンデンサ部品は第１主電源配線と第２主電源配線との間に接続され、第１半導体装置の第２主端子は、第１主電源配線とコンデンサ部品との間に接続され、第２半導体装置の第１主端子は、第２主電源配線とコンデンサ部品との間に接続され、第１及び第２半導体装置は、互いに対向して配線基板に実装され、コンデンサ部品は、配線基板の第１及び第２半導体装置間の領域に実装されている。
本発明によれば、電力変換装置の低インダクタンス化を図ることができる。
本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置を備えた電動モータの概略構成を示す斜視図である。 図２の電動モータの分解斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置の概略構成を示す斜視図である。 図３において配線基板を除去した状態を示す斜視図である。 図３の電力変換装置の等価回路図である。 図３の電力変換装置において、配線基板に実装された半導体装置及びコンデンサ部品の配置状態を示す配置図である。 図３のII−II線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図７の一部を拡大した要部断面図である。 図３の電力変換装置で用いられた半導体装置の概略構成を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は（ａ）のIIIｂ−IIIｂ線に沿った断面構造を示す断面図，（ｃ）は（ａ）のIIIｃ−IIIｃ線に沿った断面構造を示す断面図，（ｄ）は底面図）である。 本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置の変形例を示す要部断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置の概略構成を示す斜視図である。 図１１において配線基板を除去した状態を示す斜視図である。 図１１の電力変換装置の等価回路図である。 図１１の電力変換装置において、配線基板に実装された半導体装置、ダイオード部品及びコンデンサ部品の配置状態を示す配置図である。 図１１のIV−IV線に沿った断面構造を示す要部断面図である。 図１５の一部を拡大した要部断面図である。 図１１の電力変換装置で用いられた半導体装置の概略構成を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は（ａ）のVI−VI線に沿った断面構造を示す断面図，（ｃ）は底面図）である。 図１１の電力変換装置で用いられたダイオード部品の概略構成を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は（ａ）のVII−VII線に沿った断面構造を示す断面図，（ｃ）は底面図）である。 本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置の変形例を示す要部断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置において、配線基板に実装された半導体装置、ダイオード部品及びコンデンサ部品の配置状態を示す配置図である。 図２０の電力変換装置において、図１１のIV−IV線に対応する位置での断面構造を示す要部断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置の等価回路図である。 図２２の電力変換装置において、配線基板に実装された半導体装置、ダイオード部品及びコンデンサ部品の配置状態を示す配置図である。 図２２の電力変換装置において、図１１のIV−IV線に対応する位置での断面構造を示す要部断面図である。 図２２の電力変換装置で用いられたダイオード部品の概略構成を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は（ａ）のVIII−VIII線に沿った断面構造を示す断面図，（ｃ）は底面図）である。 本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置の等価回路図である。 図２６の電力変換装置において、配線基板に実装された半導体装置、ダイオード部品及びコンデンサ部品の配置状態を示す配置図である。 図２６の電力変換装置において、図１１のIV−IV線に対応する位置での断面構造を示す要部断面図である。 図２６の電力変換装置で用いられたダイオード部品の概略構成を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は（ａ）のIX−IX線に沿った断面構造を示す断面図，（ｃ）は底面図）である。
以下、本発明の第１乃至第５の実施形態に係る電力変換装置及びそれを備えた電動モータについて、図面を参照しながら説明する。
本明細書において、「主端子」とは、ＩＧＢＴにおいてエミッタ端子又はコレクタ端子の何れか一方となる端子を意味する。電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）においてはソース端子又はドレイン端子の何れか一方となる端子を意味する。より具体的には、上記の「一方となる端子」を「第１主端子」として定義すれば、「他方の端子」は「第２主端子」となる。即ち、「第２主端子」とは、ＩＧＢＴにおいては第１主端子とはならないエミッタ端子又はコレクタ端子の何れか一方となる端子、ＦＥＴ，ＳＩＴにおいては上記第１主端子とはならないソース端子又はドレイン端子の何れか一方となる端子を意味する。以下の第１乃至第５の実施形態では、スイッチング素子としてのＩＧＢＴに着目して説明するので、エミッタ端子を「第１主端子」、コレクタ端子を「第２主端子」と呼ぶ。
なお、以下の第１乃至第５の実施形態の説明及び添付図面において、同様の構成には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
また、第１乃至第５の実施形態で説明される添付図面は、見易く又は理解し易くするために正確なスケール、寸法比で描かれていない。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する第１乃至第５の実施形態の記載に限定されるものではない。
以下の第１乃至第５の実施形態では、本発明の「電力変換装置」を構成する半導体装置の代表例としてＩＧＢＴに着目して例示的に説明する。また、以下の第１乃至第５の実施形態では、同一の平面内で互いに直交する第１及び第２方向をＸ方向及びＹ方向と呼び、Ｘ方向及びＹ方向と直交する第３方向をＺ方向と呼ぶ。図６、図１４、図２０、図２３、図２７では、水平方向をＸ方向、垂直方向をＹ方向と定義している。また、図７、図８、図１０、図１５、図１６、図１９、図２１、図２４、図２８では、水平方向をＹ方向、垂直方向をＺ方向と定義している。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態では、インバータ回路を構成する電子部品（ディスクリード部品）として、スイッチング素子及びダイオード素子を同一パッケージ内に内蔵する半導体装置を用いた場合について説明する。
図１及び図２に示すように、電動モータ１は、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａを備えている。また、電動モータ１は、筺体２と、モータ部（図５参照）３とを備えている。モータ部３は、筺体２の内部に収納されており、図１及び図２では図示を省略している。
筐体２は、例えば、円形筒型形状からなる胴体部の一端側が天板部で覆われ、胴体部の一端側とは反対側の他端側が開放された円形筒型形状で構成されている。
モータ部３は、詳細に図示していないが、ロータコア及びステータコアを備えている。また、モータ部３は、筺体２の内外に亘って延在し、かつ軸方向に互い離間する２つのベアリングを介して筐体２に回動自在に軸支された出力軸（シャフト）４を備えている。そして、モータ部３は、ロータコア及びステータコアにより得られる回転力を出力軸４により外部へ伝達するように構成されている。モータ部３は例えば３相ブラシレスモータで構成され、ステータのスロットに、３相を構成するＵ相、Ｖ相及びＷ相の各相モータ巻線が巻相されている。
図１乃至図４及び図７に示すように、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａは、厚さ方向に互いに反対側に位置する主面２０ｘ及び裏面２０ｙを有するベース部材２０と、このベース部材２０の主面２０ｘ側に４つの支柱２５を介して支持された配線基板５０とを備えている。ベース部材２０は、筺体２と同様に円形筒型形状で構成されている。
ベース部材２０は、外周面にその外周に沿って溝２０ａ（図２参照）が設けられ、この溝２０ａにゴム状のオーリング５が嵌め込まれている。ベース部材２０は、その外周面のオーリング５が筺体２の他端側の内周面と接するように筐体２の開口側から挿入され、筺体２と直列に連結されている。すなわち、ベース部材２０は、電動モータ１の筐体２の開口側を覆う蓋部材として構成されている。筐体２及びベース部材２０の連結部は、オーリング５により水密構造となる。ベース部材２０は、筺体２にその外側からネジ部材６によってネジ止め固定されている。
ベース部材２０の裏面２０ｙ側には、後述する半導体装置からベース部材２０に伝達された熱を外部に効率よく放散するための複数の凸状フィン２０ｂが設けられている。ベース部材２０及び筐体２は、電気導電性及び熱伝導性が良好な金属材料、例えばアルミダイキャスト（ＡＤＣ）で形成されている。
配線基板５０は、その厚さ方向において互いに反対側に位置する主面５０ｘ及び裏面５０ｙを有している。配線基板５０は、平面形状がベース部材２０の平面形状に合わせて円形状で形成され、ベース部材２０の平面サイズよりも小さい平面サイズで形成されている。配線基板５０は、例えばガラス繊維にエポキシ系樹脂などを含浸させて形成した基材の表裏面に配線パターンを有する構成になっている。
４つの支柱２５の各々は、ベース部材２０の主面２０ｘからその上方に向かって突出し、一端側がベース部材２０と一体に形成されている。４つの支柱２５の各々の他端側には、配線基板５０がその外側からネジ部材２７によりネジ止め固定されている。配線基板５０は、その主面５０ｘがベース部材２０の主面２０ｘと向かい合うと共に、ベース部材２０から離間するようにして４つの支柱２５の各々に支持されている。
図５に示すように、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａは、インバータ回路１１と、ゲート駆動回路１３と、制御回路１４とを更に備えている。インバータ回路１１は、レグとしての３つの電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗと、正極ライン１９Ｐ及び負極ライン１９Ｎとを有している。
３つの電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗはモータ部３のＵ相，Ｖ相，Ｗ相に対応して設けられている。電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗは、上側アームとしての第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１と、下側アームとしての第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２とを直列に接続した構成になっている。第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１及び第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２の各々は、ＩＧＢＴとしてのスイッチング素子１５と、このスイッチング素子１５に並列に逆接続されたダイオード素子１６とを同一のパッケージ内に有する構成になっている。
３つの電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、各々の一方の入力ノード部Ｎｄ１は、正極ライン１９Ｐと電気的に接続され、各々の他方の入力ノード部Ｎｄ２は、負極ライン１９Ｎに電気的に接続されている。すなわち、３つの電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの各々は、正極ライン１９Ｐと負極ライン１９Ｎとの間において並列に接続されている。
３つの電力変換部１２ｕ，１２，１２ｗは、それぞれコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を有している。この３つのコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の各々は、正極ライン１９Ｐと負極ライン１９Ｎとの間において並列に接続されている。
インバータ回路１１は、３つの電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの各々のスイッチング素子１５にゲート駆動回路１３から出力されるゲート信号が入力されることにより、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの出力ノード部Ｎｄ３からＵ相のモータ駆動電流、Ｖ相のモータ駆動電流及びＷ相のモータ駆動電流がモータ部３の各相のモータ巻線に通電される。
ゲート駆動回路１３は、制御回路１６から入力される駆動信号に基づいて、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗのスイッチング素子１５をオン・オフする回路である。ゲート駆動回路１３は、スイッチング素子１５のゲートに接続されている。
制御回路１４は、外部から入力される指令に基づいて、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗのスイッチング素子１５のオン・オフを制御するための駆動信号をゲート駆動回路１３に出力する回路である。制御回路１４は、ゲート駆動回路１３に接続されている。
次に、インバータ回路１１の各電力変換部１２ｕ〜１２ｗを構成する第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１及び第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２について、図９を用いて説明する。
なお、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１及び第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２としては、同一機能及び同一構造の製品が用いられているので、例示的に第１半導体装置３０ｕ１を説明し、その他の第１半導体装置３０ｖ１，３０ｗ２及び第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２については説明を省略する。
図９（（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ））に示すように、第１半導体装置３０ｕ１は、２つの半導体チップ３３，３４と、放熱板３５と、３つの端子（第１主端子（エミッタ端子：Ｅ）３６ａ，第２主端子（コレクタ端子：Ｃ）３６ｂ，制御端子（ゲート端子：Ｇ）３６ｃ）と、これらを封止する封止体３８とを有する構成になっている。２つの半導体チップ３３及び３４の各々は、例えば単結晶シリコンからなる半導体基板を主体に構成されている。
半導体チップ３３には、図５に示すスイッチング素子（ＩＧＢＴ）１５が形成されている。半導体チップ３３の主面には、スイッチング素子１５の第１主電極領域（エミッタ領域）と電気的に接続された主面電極３３ａと、スイッチング素子１５のゲート電極と電気的に接続された主面電極３３ｂとが形成されている。また、半導体チップ３３の主面とは反対側の裏面には、スイッチング素子１５の第２主電極領域（コレクタ領域）と電気的に接続された裏面電極３３ｃが形成されている。
半導体チップ３４には、図５に示すダイオード素子１６が形成されている。半導体チップ３４の主面には、ダイオード素子１６のアノード領域と電気的に接続された主面電極３４ａが形成されている。また、半導体チップ３４の主面とは反対側の裏面には、ダイオード素子１６のカソード領域と電気的に接続された裏面電極３４ｃが形成されている。
放熱板３５は、互いに反対側に位置する素子搭載面３５ａ及び放熱面３５ｂを有し、放熱面３５ｂが封止体３８から露出する構成になっている。
第１主端子（Ｅ）３６ａ、第２主端子（Ｃ）３６ｂ及び制御端子（Ｇ）３６ｃの各々は、例えば封止体３８の内外に亘って延在するリードで形成され、各々の一端側が封止体３８で封止されている。３つの端子（３６ａ，３６ｂ，３６ｃ）及び放熱板３５は、例えば熱伝導性及び電気導電性が良好な鉄、鉄−ニッケル合金、若しくは銅、或いは銅合金等の金属製材料で形成されている。封止体３８は、平面形状が方形状で形成され、例えばエポキシ系の絶縁性樹脂で形成されている。
半導体チップ３３及び３４の各々は、各々の裏面電極３３ｃ，３４ｃが放熱板３５の素子搭載面３５ａと向かい合うようにして放熱板３５に固定されている。半導体チップ３３及び３４の各々の裏面電極３３ｃ，３４ｃは、例えば半田材などの導電性の接着材を介在して放熱板３５と電気的にかつ機械的に接続されている。すなわち、第１半導体装置３０ｕ１は、スイッチング素子１５及びダイオード素子１６の動作により半導体チップ３３及び３４で発生した熱が放熱板３５に伝達されるように構成されている。
第１主端子３６ａの一端側は、封止体３８の内部において、各々のボンディングワイヤ３７を介して半導体チップ３３の主面電極３３ａ及び半導体チップ３４の主面電極３４ａと電気的に接続されている。また、第２主端子３６ｂの一端側は、封止体３８の内部において、放熱板３５と一体に形成され、電気的に接続されている。制御端子３６ｃの一端側は、封止体３８の内部において、ボンディングワイヤ３７を介して半導体チップ３３の主面電極３３ｂと電気的に接続されている。すなわち、スイッチング素子１５及びダイオード素子１６は、第１半導体装置３０ｕ１の内部において、互いに並列に逆接続されている。また、放熱板３５は、第２主端子（Ｃ）３６ｂと同電位に電位固定される。
放熱板３５には、素子搭載面３５ａから放熱面３５ｂに亘って貫通するネジ用貫通孔３５ｃが設けられている。また、封止体３８には、放熱板３５のネジ用貫通孔３５ｃを通ってそのネジ用貫通孔３５ｃと同一方向に延びるネジ用貫通孔３８ｃが設けられている。封止体３８のネジ用貫通孔３８ｃは、放熱板３５のネジ用貫通孔３５ｃ内における側壁が封止体３８の絶縁樹脂で覆われるように、放熱板３５のネジ用貫通孔３５ｃよりも小さい外形サイズで形成されている。封止体３８のネジ用貫通孔３８ｃには、第１半導体装置３０ｕ１を後述する熱伝導板にネジ止め固定する際のネジ部材が挿入される。すなわち、第１半導体装置３０ｕ１及びその他の半導体装置（第１半導体装置３０ｖ１，３０ｗ１，第２半導体装置３０ｖ２〜３０ｗ２）は、ネジ用貫通孔３５ｃの絶縁が確保されたＴＯ２４７型で構成されている。
このように構成された第１半導体装置３０ｕ１及びその他の半導体装置（第１半導体装置３０ｖ１，３０ｗ１，第２半導体装置３０ｖ２〜３０ｗ２）は、制御端子３６ｃに入力された制御信号により第１主端子（Ｅ）３６ａと第２主端子（Ｃ）３６ｂとの間の電気的接続をスイッチング素子１５がオン・オフするように構成されている。
次に、配線基板５０の配線パターンを説明すると共に、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２及びコンデンサ部品Ｃ１〜Ｃ３の配置について、図６及び図７を用いて説明する。
なお、図６は、配線基板５０の裏面５０ｙ側から透視した場合の配置図である。また、図７は、Ｕ相の電力変換部１２ｕを構成する第１半導体装置３０ｕ１、第２半導体装置３０ｕ２及びコンデンサ部品Ｃ１の実装状態を例示的に示しているが、Ｖ相の電力変換部１２ｖを構成する電子部品（第１及び第２半導体装置３０ｖ１，３０ｖ２、コンデンサ部品Ｃ２）、Ｗ相の電力変換部１２ｗを構成する電子部品（第１及び第２半導体装置３０ｗ１，３０ｗ２、コンデンサ部品Ｃ３）においても、Ｕ相の場合と同様の実装状態になっているので、これらＶ相及びＷ相に係る実装状態を示す断面図については省略している。
図６及び図７に示すように、第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１、第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２、及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に配線基板５０の主面５０ｘ側に実装されている。
配線基板５０は、第１基準電圧（例えば３００Ｖ）が印加される第１主電源配線５９Ｐと、第１基準電圧よりも低い電位の第２基準電圧（例えば０Ｖ）が印加される第２主電源配線５９Ｎとを有している。また、配線基板５０は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの数に対応して、第１配線５１ｕ，５１ｖ，５１ｗと、第２配線５２ｕ，５２ｖ，５２ｗと、第３配線５３ｕ，５３ｖ，５３ｗと、第４配線５４ｕ，５４ｖ，５４ｗと、第５配線５５ｕ，５５ｖ，５５ｗとを有している。
第１主電源配線５９Ｐ及び第２主電源配線５９Ｎは、Ｘ方向に沿って延在し、Ｙ方向において互いに離間して配置されている。第１主電源配線５９Ｐは図５の正極ライン１９Ｐに対応し、第２主電源配線５９Ｎは図５の負極ライン１９Ｎに対応する。
第１配線５１ｕ，５１ｖ，５１ｗは、一端側が第１主電源配線５９Ｐに接続され、他端側に電極パッド部５１ｕｐ，５１ｖｐ，５１ｗｐを有している。また、第１配線５１ｕ〜５１ｗは、一端側の第１主電極配線５９Ｐと他端側の電極パッド部５１ｕｐ，５１ｕｐ，５１ｗｐとの間にスルーホール電極部５１ｕ１，５１ｖ２，５１ｗ３を有している。この第１配線５１ｕ〜５１ｗは、第１主電源配線５９Ｐから第２主電源配線５９Ｎに向かって延在している。
第２配線５２ｕ，５２ｖ，５２ｗは、一端側が第２主電源配線５９Ｎに接続され、他端側に電極パッド部５２ｕｐ，５２ｖｐ，５２ｗｐを有している。また、第２配線５２ｕ〜５２ｗは、一端側の第２主電源配線５９Ｎと他端側の電極パッド部５２ｕｐ，５２ｕｐ，５２ｗｐとの間にスルーホール電極部５２ｕ１，５２ｖ１，５２ｗ１を有している。この第２配線５２ｕ〜５２ｗは、第２主電源配線５９Ｎから第１主電源配線５９Ｐに向かって延在している。この第２配線５２ｕ〜５２ｗ及び第１配線５１ｕ〜５１ｗは、各電力変換部１２ｕ〜１２ｗの入力段側を構成している。
第３配線５３ｕ，５３ｖ，５３ｗは、一端側にスルーホール電極部５３ｕ１，５３ｖ１，５３ｗ１を有し、他端側にスルーホール電極部５３ｕ２，５３ｖ２，５３ｗ２を有している。この第３配線５３ｕ〜５３ｗは、第１主電源配線５９Ｐと第２主電源配線５９Ｎとの間において、Ｙ方向に沿って延在している。この第３配線５３ｕ〜５３ｗは、各電力変換部１２ｕ〜１２ｗの出力段側を構成している。
第４配線５４ｕ，５４ｖ，５４ｗは、一端側にスルーホール電極部５４ｕ１，５４ｖ１，５４ｗ１を有している。第５配線５５ｕ，５５ｖ，５５ｗは、一端側にスルーホール電極部５５ｕ１，５５ｖ１，５５ｗ１を有している。この第４配線５４ｕ〜５４ｗ、及び第５配線５５ｕ〜５５ｗは、ゲート駆動回路１３と接続され、ゲート駆動回路１３から制御信号が入力される。
スルーホール電極部５１ｕ１，５３ｕ１，５４ｕ１、スルーホール電極部５１ｖ１，５３ｖ１，５４ｖ１、スルーホール電極部５１ｗ１，５３ｗ１，５４ｗ１は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第１のスルーホール電極列（図６中、上から１番目の列）を構成している。
また、スルーホール電極部５２ｕ１，５３ｕ２，５５ｕ１、スルーホール電極部５２ｖ１，５３ｖ２，５５ｖ１、スルーホール電極部５２ｗ１，５３ｗ２，５５ｗ１は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第２のスルーホール電極列（図６中、下から１番目の列）を構成している。この第１及び第２のスルーホール電極列は、Ｙ方向において互いに離間している。
スルーホール電極部５１ｕ１，５１ｖ１，５１ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部５２ｕ１，５２ｖ１，５２ｗ１と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部５３ｕ１，５３ｖ１，５３ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部５３ｕ２，５３ｖ２，５３ｗ２と互いに対向する位置に配置されている。
電極パッド部５１ｕｐ，５１ｖｐ，５１ｗｐは、Ｙ方向において、電極パッド部５２ｕｐ，５２ｖｐ，５２ｗｐと互いに対向する位置に配置されている。そして、この電極パッド部５１ｕｐ，５１ｖｐ，５１ｗｐと、電極パッド部５２ｕｐ，５２ｖｐ，５２ｗｐは、スルーホール電極部５１ｕ１，５１ｖ１，５１ｗ１と、スルーホール電極部５２ｕ１，５２ｖ１，５２ｗ１との間に配置されている。
第１のスルーホール電極列（図６中、上から１番目の列）において、スルーホール電極部５１ｕ１，５３ｕ１，５４ｕ１、スルーホール電極部５１ｖ１，５３ｖ１，５４ｖ１、スルーホール電極部５１ｗ１，５３ｗ１，５４ｗ１には、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の第２主端子（コレクタ端子：Ｃ）３６ｂ、第１主端子（エミッタ端子：Ｅ）３６ａ、制御端子（ゲート端子：Ｇ）３６ｃの各々が配線基板５０の主面５０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６（図７参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。
第２のスルーホール電極列（図６中、下から１番目の列）において、スルーホール電極部５２ｕ１，５３ｕ２，５５ｕ１、スルーホール電極部５２ｖ１，５３ｖ２，５５ｖ１、スルーホール電極部５２ｗ１，５３ｗ２，５５ｗ１には、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａ、第２主端子（Ｃ）３６ｂ、制御端子（Ｇ）３６ｃの各々が配線基板５０の主面５０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
電極パッド部５１ｕｐ，５１ｖｐ，５１ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極が例えば半田材２６ａ（図７参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。また、電極パッド部５２ｕｐ，５２ｖｐ，５２ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極が例えば半田材２６ａにより電気的にかつ機械的に接続されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、一方の電極が第１配線５１ｕ，５１ｖ，５１ｗを介して第１主電源配線５９Ｐと電気的に接続され、他方の電極が第２配線５２ｕ，５２ｖ，５２ｗを介して第２主電源配線５９Ｎと電気的に接続されている。すなわち、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１主電源配線５９Ｐと第２主電源配線５９Ｎとの間に接続されている。
また、第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、第１配線５１ｕ，５１ｖ，５１ｗを介して第１主電源配線５９Ｐ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１の第２主端子３６ｂは、第１主電源配線５９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは、第２配線５２ｕ，５２ｖ，５２ｗを介して第２主電源配線５９Ｎ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２の第１主端子３６ａは、第２主電源配線５９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１及び第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２は、Ｙ方向において互いに対向して配線基板５０に実装されている。
そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板５０の第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１と第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２との間の領域に実装されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂと、第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａとは、Ｙ方向において互いに対向して配置されている。
また、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂと、第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａとの間に配置されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１の第１主端子（Ｅ）３６ａと、第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、Ｙ方向において互いに対向して配置され、第３配線５３ｕ，５３ｖ，５３ｗを介して互いに電気的に接続されている。
ここで、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１と第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２とで機能の異なる端子（第２主端子３６ｂ、第１主端子３６ａ）が対向するように配置するには、図８に示すように、Ｙ方向において各々の放熱面３５ｂが外側に位置するように第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１及び第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２を互いに向かい合わせ、更にＸ方向において一端子分ずらして配置することにより容易に実施することができる。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、図６に示すように、第１主電源配線５９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは第２主電源配線５９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。したがって、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１と第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２とのスイッチング動作で生じるターンオフサージ電圧を抑制するスナバコンデンサとして用いられている。
次に、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａの放熱構造について、図３、図４、図７及び図８を用いて説明する。
図３、図４、図７及び図８に示すように、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａは、固定板２１と、第１及び第２熱伝導板２２，２３とを更に備えている。
固定板２１は、ベース部材２０の主面２０ｘからその上方に向かって突出し、ベース部材２０と一体に形成されている。固定板２１は、Ｘ方向に沿って延在する長尺形状（図４参照）で形成されていると共に、Ｙ方向において互いに反対側に位置する２つの固定面２１ａ，２１ｂ（図７，図８参照）を有している。固定板２１、第１及び第２熱伝導板２２，２３は、ベース部材２０と同様に、電気導電性及び熱伝導性が良好な金属材料、例えばアルミダイキャストで形成されている。
第１及び第２熱伝導板２２，２３は、例えば、第１部分２２ａ，２３ａと、この第１部分２２ａ，２３ａから垂直方向に折れ曲がる第２部分２２ｂ，２３ｂとを有するＬ字形状で形成されている。第１及び第２熱伝導板２２，２３は、固定板２１と同様に、Ｘ方向に沿って延びる長尺形状で形成されている。
第１熱伝導板２２は、第１部分２２ａが固定板２１の固定面２１ａと向かい合い、かつ第２部分２２ｂが第１部分２２ａの固定板２１側とは反対側に位置するようにしてベース部材２０の主面２０ｘに固定されている。第２熱伝導板２３は、第１部分２３ａが固定板２１の固定面２１ｂと向かい合い、かつ第２部分２３ｂが第１部分２３ａの固定板２１側とは反対側に位置するようにしてベース部材２０の主面２０ｘに固定されている。第１及び第２熱伝導板２２，２３の各々の第１部分２２ａ，２２ｂは、固定板２１から所定の間隔をおいて離間している。
図４に示すように、第１半導体装置３０ｕ１、３０ｖ１、３０ｗ１の各々は、固定板２１と第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間において、固定板２１及び第１熱伝導板２２の長手方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２の各々は、固定板２１と第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間において、固定板２１及び第２熱伝導板２３の長手方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１との間、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２との間には、それぞれ絶縁シート２４が介在されている。
図７に示すように、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ、絶縁シート２４及び第１半導体装置３０ｕ１は、この順番で第１部分２２ａ側からネジ部材２８によって固定板２１の固定面２１ａに一括してネジ止め固定されている。同様に、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａ、絶縁シート２４及び第２半導体装置３０ｕ２においても、この順番で第１部分２３ａ側からネジ部材２８によって固定板２１の固定面２１ｂに一括してネジ止め固定されている。このネジ止め固定は、第１及び第２熱伝導板２２，２３の第１部分２２ａ，２３ａに設けられたネジ用貫通孔（図示せず）、絶縁シート２４に設けられたネジ用貫通孔（図示せず）及び第１半導体装置３０ｕ１に設けられたネジ用貫通孔３８ｃ（図９参照）にネジ部材２８を挿入させて行われる。
なお、詳細に図示していないが、第１半導体装置３０ｖ１，３０ｗ１においも、第１半導体装置３０ｕ１と同様に、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ及び絶縁シート２４と共にネジ部材２８によって固定板２１にネジ止め固定されている。また、第２半導体装置３０ｖ２，３０ｗ２においても、第２半導体装置３０ｕ２と同様に、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａ及び絶縁シート２４と共にネジ部材２８によって固定板２１にネジ止め固定されている。
第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂは、その第２部分２２ｂ側からネジ部材２９によってベース部材２０の主面２０ｘにネジ止め固定されている。同様に、第２熱伝導板２３の第２部分２３ｂにおいても、その第２部分２３ｂ側からネジ部材２９によってベース部材２０の主面２０ｘにネジ止め固定されている。このネジ止め固定は、第１及び第２熱伝導板２２，２３の第２部分２２ｂ，２３ｂに設けられたネジ用貫通孔（図示せず）にネジ部材２９を挿入させて行われるが、このネジ用貫通孔は、第１及び第２熱伝導板２２，２３のＹ方向の位置ずれを考慮して位置調整ができるように、Ｘ方向の幅よりもＹ方向の幅が広い縦長形状になっている。
第１及び第２熱伝導板２２，２３の第２部分２２ｂ，２３ｂと、ベース部材２０の主面２０ｘとの間には、図示していないが、サーマルグリス、サーマルペースト、シリコングリス、ヒートシンクコンパウンドなどの熱伝導性に優れたペースト状の熱伝導性物質が介在されている。このペースト状の熱伝導性物質は、第１及び第２熱伝導板２２，２３の第２部分２２ａ，２３ａとベース部材２０との接合面に存在する微細な凹凸による隙間を埋めることができ、熱伝達率の低下を招く要因の１つである空気を両者の間から排除することができるので、第１及び第２熱伝導板２２，２３とベース部材２０との間における熱伝達効率を高めることができる。
図８に示すように、第１半導体装置３０ｕ１は、封止体３８から露出する放熱板３５の放熱面３５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。そして、第１半導体装置３０ｕ１は、放熱板３５の放熱面３５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板３５が第１熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。更に、第１半導体装置３０ｕ１は、封止体３８が固定板２１の固定面２１ａに連結されている。
第２半導体装置３０ｕ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３に固定されている。そして、第２半導体装置３０ｕ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第２部分２３ａに固定されており、放熱板３５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。更に、第２半導体装置３０ｕ２においても、封止体３８が固定板２１の固定面２１ｂに連結されている。
絶縁シート２４は、絶縁性及び熱伝導性が良好な樹脂材料、例えばポリイミド系の樹脂材料で形成されている。絶縁シート２４としては、後で詳細に説明するが、電力変換装置１０Ａの組み立て（製造）において、第１及び第２半導体装置３０ｕ１，３０ｕ２、第１及び第２熱伝導板２２，２３を固定板２１にネジ止め固定する際の作業性を高めるため、粘着性を有するものが好ましい。また、絶縁シート２４は、第１及び第２半導体装置３０ｕ１，３０ｕ２をネジ止め固定する際に圧縮力を受けるため、このような圧縮力を受けても絶縁性を確保する上で容易に変形しない絶縁シート２４を用いることが好ましい。
なお、詳細に図示していないが、第１半導体装置３０ｖ１，３０ｗ１及び第２半導体装置３０ｖ２，３０ｗ２においても、第１及び第２半導体装置３０ｕ１，３０ｕ２と同様に、放熱板３５の放熱面３５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ及び第２熱伝導板２３の第１部分２３ｂとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ，第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されており、放熱板３５が第１熱伝導板２２，第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。また、封止体３８が固定板２１の固定面２１ａ，２１ｂに連結されている。
次に、電力変換装置１０Ａの組み立て手順について、図２乃至図４、図７及び図８を用いて説明する。
まず、ベース部材２０、第１及び第２熱伝導板２２，２３、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２、及び配線基板５０を準備する。配線基板５０の主面には、コンデンサ部品Ｃ１〜Ｃ３が実装され、更にゲート駆動回路１３を有する半導体装置や制御回路１４を有する半導体装置などの電子部品も実装されている。これらの電子部品及びコンデンサ部品Ｃ１〜Ｃ３は、図７に示す半田材２６ａによって配線基板５０に実装されている。また、配線基板５０には、スルーホール電極部や電極パッド部を有する配線５１ｕ〜５５ｕ，５１ｖ〜５５ｖ，５１ｗ〜５５ｗなどが形成されている。
次に、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに絶縁シート２４を介在し、第１熱伝導板２２の長手方向に沿って第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１を仮止め固定する。また、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに絶縁シート２４を介在し、第２熱伝導板２３の長手方向に沿って第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２を仮止め固定する。この仮止め固定は、絶縁シート２４の粘着性を利用して行われる。
また、この仮止め固定は、詳細に図示していないが、各半導体装置において、第１及び第２熱伝導板２２，２３の第１部分２２ａ，２３ａに設けられたネジ用貫通孔（図示せず）と、絶縁シート２４に設けられたネジ用貫通孔（図示せず）と、第１及び第２半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１，３０ｕ２〜３０ｗ２に設けられたネジ用貫通孔３８ｃとが同一直線状に位置するようにして行われる。
また、この仮止め固定は、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１においては、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａの外側面（第２部分２２ｂ側の面とは反対側の面）に絶縁シート２４を介在して放熱板３５の放熱面３５ｂが連結されるようにして行われる。そして、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２においても、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａの外側面（第２部分２３ｂ側の面とは反対側の面）に絶縁シート２４を介在して放熱板３５の放熱面３５ｂが連結されるようにして行われる。
次に、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ、絶縁シート２４及び第１半導体装置３０ｕ１をこの順番で第１部分２２ａ側からネジ部材２８によって一括して固定板２１の固定面２１ａに固定する。同様に、第１半導体装置３０ｖ１，３０ｗ１においても、第１部分２２ａ、絶縁シート２４及び第１半導体装置の順番で第１部分２２ａ側からネジ部材２８によって一括して固定板２１の固定面２１ａに固定する。
また、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａ、絶縁シート２４及び第２半導体装置３０ｕ２をこの順番で第１部分２３ａ側からネジ部材２８によって一括して固定板２１の固定面２１ｂにネジ止め固定する。同様に、第２半導体装置３０ｖ２，３０ｗ２においても、第１部分２３ａ、絶縁シート２４及び第２半導体装置の順番で第１部分２３ａ側からネジ部材２８によって一括して固定板２１の固定面２１ｂに固定する。
このネジ止め固定は、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１においては、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａのネジ用貫通孔、絶縁シート２４のネジ用貫通孔及び第１半導体装置のネジ用貫通孔３８ｃにネジ部材２８を挿入させて行われる。また、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２においても、第２熱伝導板２３の第１部分２３ｂのネジ用貫通孔、絶縁シート２４のネジ用貫通孔及び第２半導体装置のネジ用貫通孔３８ｃにネジ部材２８を挿入させて行われる。
次に、第１及び第２熱伝導板２２，２３の第２部分２２ｂ，２３ｂをこの第２部分２２ｂ，２３ｂ側からネジ部材２９によってベース部材２０の主面２０ｘにネジ止め固定する。これらのネジ止め固定は、第１及び第２熱伝導板２２，２３の第２部分２２ｂ，２３ｂに設けられたネジ用貫通孔にネジ部材２９を貫通させて行われる。また、これらのネジ止め固定は、第１及び第２熱伝導板２２，２３の第２部分２２ｂ，２３ｂとベース部材２０との間に、ペースト状の熱伝導性物質を介在して行われる。
次に、配線基板５０をベース部材の４つの支柱２５の先端部にネジ部材２７によってネジ止め固定する。このネジ止め固定は、配線基板５０の主面５０ｘがベース部材２０と対向するようにして行われる。また、このネジ止め固定は、図６に示すように、第１及び第２半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１，３０ｕ２〜３０ｗ２の各端子（第１主端子３６ａ，第２主端子３６ｂ，制御端子３６ｃ）を配線基板５０の対応するスルーホール電極部５１ｕ１，５３ｕ１，５４ｕ１、５２ｕ１，５３ｕ２，５５ｕ１、……に挿入するようにして行われる。
次に、第１及び第２半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１，３０ｕ２〜３０ｗ２の各端子（第１主端子３６ａ，第２主端子３６ｂ，制御端子３６ｃ）の先端部分（挿入部分）を配線基板５０のスルーホール電極部５１ｕ１，５３ｕ１，５４ｕ１、５２ｕ１，５３ｕ２，５５ｕ１、……に半田材２６によって電気的にかつ機械的に接続して、配線基板５０の主面５０ｘ側に第１及び第２半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１，３０ｕ２〜３０ｗ２を実装する。これにより、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａの組み立てがほぼ完了する。
次に、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａの構成について更に説明する。
本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａは、図６及び図７に示すように、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂが第１主電源配線５９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａが第２主電源配線５９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板５０に互いに対向して実装された第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１と第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２との間の領域で配線基板５０に実装されている。
したがって、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａによれば、インバータ回路１１を構成する各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、従来のように、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１と第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２との間の領域以外に配置した場合と比較して、第１主電源配線５９Ｐと第２主電源配線５９Ｎとの間をコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を介して接続する第１配線５１ｕ，５１ｖ，５１ｗ及び第２配線５２ｕ，５２ｖ，５２ｗの長さを短くすることができるので、電力変換部１２ｕでの第１半導体装置３０ｕ１、第２半導体装置３０ｕ２及びコンデンサ部品Ｃ１を含む一巡の電流経路のインダクタンス、電力変換部１２ｖでの第１半導体装置３０ｖ１、第２半導体装置３０ｖ２及びコンデンサ部品Ｃ２を含む一巡の電流経路のインダクタンス、電力変換部１２ｗでの第１半導体装置３０ｗ１、第２半導体装置３０ｗ２及びコンデンサ部品Ｃ３を含む一巡の電流経路のインダクタンスをそれぞれ低減することができる。
また、これらの電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗでの一巡の電流経路のインダクタンスをそれぞれ低減することができるので、従来のように、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１と第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２との間の領域以外に配置した場合と比較して、容量の小さいコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を用いることができる。これにより、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗでの一巡の電流経路のインダクタンスを更に低減することができる。この結果、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａは低インダクタンス化を図ることができる。
ここで、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａでは、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３をスナバコンデンサとして使用している。このコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３に例えばチップ型コンデンサを使用した場合、チップ型コンデンサ（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３）、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の寄生インダクタンスは、それぞれ数ｎＨのオーダである。したがって、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおける一巡の電流経路のインダクタンスとしては１０ｎＨ以下となる。インダクタンスを１０ｎＨとしてサージ電圧を３００Ｖまで許容できるとすると、許容できる電流変化率は３０×１０−９Ａ／secとなり、現行のＳｉ製スイッチング素子と比較して数倍の高速なスイッチングに対応できる。
チップ型コンデンサの場合、１０００Ｖクラスの耐圧を持つコンデンサの容量は１０ｎＦ程度までで大きくない。しかしながら、一般的な１００Ａクラスのインバータでは、一巡の電流経路のインダクタンスは１００ｎＨ以上で、スナバコンデンサの必要容量は１００ｎＦ程度が必要とされ、よく用いられる。したがって、従来の一般的な方法を採用すると、スナバコンデンサにチップ型コンデンサを適用するのは１０００Ｖクラスの電圧では困難である。
スナバコンデンサの必要容量は通電時に一巡の電流経路のインダクタンスに蓄えられたエネルギーをスナバコンデンサで受け止める必要があることから下記の（１）式で求まる。
Ｃｓ＝Ｌｒ×（ｉ／ΔＶ）２ ……（１）
ここで、Ｃｓ：スナバコンデンサ容量、Ｌｒ：一巡インダクタンス、ｉ：電流、ΔＶ：許容サージ電圧
本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａでは、配線長が短くなっているので、一巡インダクタンスＬ＝１０ｎＨとして通電電流ｉ＝１００Ａ，許容サージ電圧ΔＶ＝３００Ｖとした場合、Ｃｓ＝１．１ｎＦとなる。したがって、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａでは、上述したように、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗでの一巡の電流経路のインダクタンスが従来の一般的な値と比較して一桁以上小さいので、スナバコンデンサとして一桁以上低い容量のコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の使用が可能となり、チップ型コンデンサの適用が可能となる。チップ型コンデンサの場合、耐圧が１０００Ｖ，容量が１０ｎＦまでのものが市販されている。このチップ型コンデンサは、筒形の電界コンデンサと比較して外形サイズが小さく、容量に応じて小型化されるので、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１と第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２との間の狭い領域においても容易に実装することができる。したがって、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａは、低インダクタンス化及び小型化を図ることができる。
本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａは、上述したように、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に、スナバコンデンサとして使用されるコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を配置している。したがって、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａは、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に一巡の電流経路のインダクタンスを低減することができるので、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおける一巡の電流経路のインダクタンスのバラツキを抑えつつ低インダクタンス化を図ることができる。
なお、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３としては、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａのように、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂと第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａとの間に配置することが好ましい。この場合、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の第２主端子３６ｂと第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の第１主端子３６ａとの間をコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３で最短で接続することができるので、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗでの一巡の電流経路のインダクタンスを更に低減することができる。
本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａにおいて、第１半導体装置３０ｕ１及びその他の半導体装置（第１半導体装置３０ｖ１，３０ｗ１、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２）は、図９に示すように、スイッチング素子１５及びダイオード素子１６の動作により半導体チップ３３及び３４で発生した熱が放熱板３５に伝達されるようになっている。そして、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１においては、図８に示すように、放熱板３５の放熱面３５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。また、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されている。
したがって、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａによれば、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の放熱板３５に伝達された熱は、絶縁シート２４、第１熱伝導板２２を経由してベース部材２０に伝達され、ベース部材２０の凸状フィン２０ｂから外部に放散されるので、放熱効果を高めることができる。また、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の放熱板３５に伝達された熱は、絶縁シート２４、第２熱伝導板２３を経由してベース部材２０に伝達され、ベース部材２０の凸状フィン２０ｂから外部に放散されるので、放熱効果を高めることができる。これにより、低インダクタンスで放熱効果の高い電力変換装置１０Ａ及びそれを備えた電動モータ１を提供することができる。
本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａにおいて、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１及び第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２は、放熱板３５と第２主端子（コレクタ端子：Ｃ）３６ｂとが一体に形成され、電気的に接続されているので、放熱板３５は第２主端子３６ｂと同様の電位に電位固定される（図８参照）。一方、インバータ回路１１では、図６に示すように、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の第２主端子３６ｂは第１主電源配線５９Ｐと電気的に接続され、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の第２主端子３６ｂは第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の第１主端子（エミッタ端子：Ｅ）３６ａと電気的に接続されるため、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の放熱板３５と第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の放熱板３５とは異なる電位に電位固定されることになる。したがって、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１で発生した熱を放熱板３５から第１熱伝導板２２を経由してベース部材２０に伝達させると共に、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２で発生した熱を放熱板３５から第２熱伝導板２２を経由してベース部材２０に伝達させるには、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の放熱板３５と第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の放熱板３５との電気的な導通を遮断する必要がある。
そこで、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａでは、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１は、図８に示すように、放熱板３５の放熱面３５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板３５が第１熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。また、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されており、放熱板３５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。したがって、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａによれば、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の放熱板３５と第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の放熱板３５とが異なる電位に電位固定されても、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１及び第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の熱を放熱板３５から第１熱伝導板２２，第２熱伝導板２３を経由してベース部材２０に伝達させることができるので、低インダクタンスで放熱効果の高い電力変換装置１０Ａ及びそれを備えた電動モータ１を提供することができる。
（変形例）
次に、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａの変形例について説明する。
上述した本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａでは、図８に示すように、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の放熱板３５の放熱面３５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在し、第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の放熱板３５の放熱面３５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在することにより、第１半導体装置３０ｕ１〜３０ｗ１の放熱板３５と第２半導体装置３０ｕ２〜３０ｗ２の放熱板３５との電気的な導通を遮断している。
これに対し、本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａの変形例では、図１０に示すように、第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂが絶縁シート２４を介在してベース部材２０の主面２０ｘにネジ部材２９によってネジ止め固定されており、第１熱伝導板２２がベース部材２０から絶縁分離されている。また、第２熱伝導板２３においても第２部分２３ｂが絶縁シート２４を介在してベース部材２０の主面２０ｘにネジ部材２９によってネジ止め固定されており、ベース部材２０から絶縁分離されている。第１半導体装置３０ｕ１の放熱板３５と第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間、及び第２半導体装置３０ｕ２の放熱板３５と第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間には、絶縁シート２４は介在されていない。図示していないが、同様に、第１半導体装置３０ｖ１，３０ｗ１、第２半導体装置３０ｖ２，３０ｗ２においても、放熱板３５と第１及び第２熱伝導板２２，２３の第１部分２２ａ，２２ｂとの間に絶縁シート２４は介在されていない。
この変形例の場合、第１半導体装置３０ｕ１に着目して例示的に説明すると、第１半導体装置３０ｕ１の放熱板３５と第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した場合と比較して第１半導体装置３０ｕ１の放熱板３５と第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間での熱伝達率が向上する。
一方、この変形例では、第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂとベース部材２０との間に絶縁シート２４を介在しているため、第１の実施形態の場合と比較して第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂとベース部材２０との間での熱伝導率が低下する。
しかしながら、この変形例の場合、第１半導体装置３０ｕ１の放熱板３５から第１熱伝導板２２に伝達された熱は第１熱伝導板２２で一旦拡散し、分散して第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂからベース部材２０に伝達されるので、第１半導体装置３０ｕ１の放熱板３５から拡散する前の熱が第１熱伝導板２２に伝達される第１の実施形態の場合と比較して、第１半導体装置３０ｕ１の放熱板３５からベース部材２０の凸状フィン２０ｂまでの熱伝達効率を高めることができる。
なお、第１半導体装置３０ｕ１に着目して例示的に説明したが、第２半導体装置３０ｕ２の放熱板３５からベース部材２０の凸状フィン２０ｂまでの熱伝達効率も高めることができる。また、その他の第１半導体装置３０ｖ１，３０ｗ１及び第２半導体装置３０ｖ２，３０ｗ２においても、同様に、放熱板３５からベース部材２０の凸状フィン２０ｂまでの熱伝達効率を高めることができる。
また、本発明の第１の実施形態では、インバータ回路１１を構成する半導体装置として、スイッチング素子１５が形成された半導体チップ３３とダイオード素子１６が形成された半導体チップ３４とを１つのパッケージ内に有する半導体装置を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばスイッチング素子１５及びダイオード素子１６を１つの半導体チップに集積した半導体装置を用いることもできる。
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態では、インバータ回路を構成する電子部品として、スイッチング素子を内蔵する半導体装置と、ダイオード素子を内蔵するダイオード部品とを用いた場合について説明する。
本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂは、上述した本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａとほぼ同様の構成になっているが、電力変換部の構成及び配線基板の配線パターンが異なっている。以下、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂについて、インバータ回路を構成する電力変換部及び配線基板を主体に図１１乃至図１８を用いて説明する。
図１３に示すように、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂでは、インバータ回路１１を構成するＵ相の電力変換部１２ｕが、第１及び第２半導体装置３１ｕ１，３１ｕ２と、第１及び第２ダイオード部品４１ｕ１，４１ｕ２と、コンデンサ部品Ｃ１とを有する構成になっている。そして、インバータ回路１１を構成するＶ相の電力変換部１２ｖにおいても、第１及び第２半導体装置３１ｖ１，３１ｖ２と、第１及び第２ダイオード部品４１ｖ１，４１ｖ２と、コンデンサ部品Ｃ２とを有する構成になっている。そして、インバータ回路１１を構成するＷ相の電力変換部１２ｗにおいても、第１及び第２半導体装置３１ｗ１，３１ｗ２と、第１及び第２ダイオード部品４１ｗ１，４１ｗ２と、コンデンサ部品Ｃ３とを有する構成になっている。
各電力変換部１２ｕ〜１２ｗは、上側アームとしての第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１と下側アームとしての第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２とを直列に接続した構成になっている。第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２は、ＩＧＢＴとしてのスイッチング素子１５を有している。第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１及び第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２は、ダイオード素子１６を有している。そして、ダイオード素子１６は、スイッチング素子１５に並列に逆接続されている。
次に、インバータ回路１１の各電力変換部１２ｕ〜１２ｗを構成する第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２について、図１７を用いて説明する。
なお、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２としては、同一機能及び同一構造の製品を用いているので、上述の第１の実施形態と同様に第１半導体装置３１ｕ１を例示的に説明し、その他の第１半導体装置３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２については説明を省略する。
図１７（（ａ），（ｂ））に示すように、第１半導体装置３１ｕ１は、上述した第１の実施形態の第１半導体装置３０ｕ１とほぼ同様の構成になっているが、以下の構成が異なっている。すなわち、第１半導体装置３１ｕ１は、上述した第１の実施形態の第１半導体装置３０ｕ１と比較して、ダイオード素子１６が形成された半導体チップ３４を内蔵しておらず、ＩＧＢＴとしてのスイッチング素子１５を有する半導体チップ３３のみが放熱板３５に固定された構成になっている。
このように構成された第１半導体装置３１ｕ１においても、制御端子３６ｃに入力された制御信号により第１主端子（エミッタ端子：Ｅ）３６ａと第２主端子（コレクタ端子：Ｃ）との電気的接続をスイッチング素子１５がオン・オフするように構成されている。
次に、インバータ回路１１の各電力変換部１２ｕ〜１２ｗを構成する第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１及び第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２について、図１８を用いて説明する。
なお、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１及び第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２においても、同一機能及び同一構造の製品を用いているので、第１半導体装置３１ｕ１と同様に第１ダイオード部品４１ｕ１を例示的に説明し、その他の第１ダイオード部品４１ｖ１，４１ｗ１及び第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２については説明を省略する。
図１８（（ａ），（ｂ），（ｃ））に示すように、第１ダイオード部品４１ｕ１は、半導体チップ４４と、放熱板４５と、３つの端子（第１アノード端子（Ａ）４６ａ１，第２アノード端子（Ａ）４６ａ２，カソード端子４６ｂ）と、これらを封止する封止体４８とを有する構成になっている。半導体チップ４４は、上述した第１の実施形態の半導体チップ３４とは異なり、例えばシリコンカーバイト（ＳｉＣ）からなる半導体基板を主体に構成されている。
半導体チップ４４には、図１３に示すダイオード素子１６が形成されている。半導体チップ４４の主面には、ダイオード素子１６のアノード領域と電気的に接続された主面電極４４ａが形成されている。また、半導体チップ４４の主面とは反対側の裏面には、ダイオード素子１６のカソード領域と電気的に接続された裏面電極４４ｃが形成されている。
放熱板４５は、互いに反対側に位置する素子搭載面４５ａ及び放熱面４５ｂを有し、放熱面４５ｂが封止体３８から露出する構成になっている。
第１アノード端子４６ａ１、第２アノード端子４６ａ２及びカソード端子４６ｂの各々は、例えば封止体４８の内外に亘って延在するリードで形成され、各々の一端側が封止体４８で封止されている。この３つの端子（４６ａ１，４６ａ２，４６ｂ）及び放熱板４５は、例えば上述した放熱３５と同様の金属製材料で形成されている。封止体４８は、平面形状が方形状で形成され、例えば上述した封止体３８と同様の材料で形成されている。
半導体チップ４４は、その裏面電極４４ｃが放熱板４５の素子搭載面４５ａと向かい合うようにして放熱板４５に固定されている。半導体チップ４４の裏面電極４４ｃは、例えば半田などの導電性の接着材を介在して放熱板４５と電気的にかつ機械的に接続されている。すなわち、第１ダイオード部品４１ｕ１は、ダイオード素子１６の動作により半導体チップ４４で発生した熱が放熱板４５に伝達されるように構成されている。
第１及び第２アノード端子４６ａ１，４６ａ２の各々の一端側は、封止体４８の内部において、各々のボンディングワイヤ４７を介して半導体チップ４４の主面電極４４ａと電気的に接続されている。また、カソード端子４６ｂの一端側は、封止体４８の内部において、放熱板４５と一体に形成され、電気的に接続されている。すなわち、第１及び第２アノード端子４６ａ１，４６ａ２は、ダイオード部品４１ｕ１の内部において、ダイオード素子１６のアノード領域に並列に接続されている。また、放熱板４５は、カソード端子４６ｂと同電位に電位固定される。
放熱板４５には、素子搭載面４５ａから放熱面４５ｂに亘って貫通するネジ用貫通孔４５ｃが設けられている。また、封止体４８には、放熱板４５のネジ用貫通孔４５ｃを通ってネジ用貫通孔４５ｃと同一方向に延びるネジ用貫通孔４８ｃが設けられている。封止体４８のネジ用貫通孔４８ｃは、放熱板４５のネジ用貫通孔４５ｃ内における側壁が封止体４８の絶縁樹脂で覆われるように、放熱板４５のネジ用貫通孔４５ｃよりも小さい外形サイズで形成されている。すなわち、第１ダイオード部品４１ｕ１及びその他のダイオード部品（４１ｖ１，４１ｗ１、４１ｕ２〜４１ｗ２）は、上述した第１半導体装置３１ｕ１と同様に、ネジ用貫通孔４８ｃの絶縁が確保されたＴＯ２４７型で構成されている。
次に、配線基板６０の配線パターンを説明すると共に、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１、第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２、及びコンデンサ部品Ｃ１〜Ｃ３の配置について、図１４及び図１５を用いて説明する。
なお、図１４は、図６と同様に、配線基板の裏面側から透視した場合の配置図である。また、図１５は、Ｕ相の電力変換部１２ｕを構成する第１及び第２半導体装置３１ｕ１，３１ｕ２、第１及び第２ダイオード部品４１ｕ１，４１ｕ２、及びコンデンサ部品Ｃ１の実装状態を例示的に示しているが、Ｖ相の電力変換部１２ｖを構成する電子部品（第１及び第２半導体装置３１ｖ１，３１ｖ２、第１及び第２ダイオード部品４１ｖ１，４１ｖ２、コンデンサ部品Ｃ２）の実装状態、Ｗ相の電力変換部１２ｗを構成する電子部品（第１及び第２半導体装置３１ｗ１，３１ｗ２、第１及び第２ダイオード部品４１ｗ１，４１ｗ２、コンデンサ部品Ｃ３）の実装状態においても、Ｕ相の場合と同様の実装状態になっているので、これらのＶ相及びＷ相に係る実装状態を示す断面図については省略している。
図１１及び図１５に示すように、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂは、図３及び図７に示す配線基板５０に替えて、ベース部材２０の主面２０ｘ側に４つの支柱２５を介して支持された配線基板６０を備えている。配線基板６０は、その厚さ方向において互いに反対側に位置する主面６０ｘ及び裏面６０ｙを有している。
図１４及び図１５に示すように、配線基板６０は、第１基準電圧（例えば３００Ｖ）が印加される第１主電源配線６９Ｐと、第１基準電圧よりも低い電位の第２基準電圧（例えば０Ｖ）が印加される第２主電源配線６９Ｎとを有している。また、配線基板６０は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの数に対応して、第１配線６１ｕ，６１ｖ，６１ｗと、第２配線６２ｕ，６２ｖ，６２ｗと、第３配線６３ｕ，６３ｖ，６３ｗと、第４配線６４ｕ，６４ｖ，６４ｗと、第５配線６５ｕ，６５ｖ，６５ｗと、第６配線６６ｕ，６６ｖ，６６ｗと、第７配線６７ｕ，６７ｖ，６７ｗとを有している。
第１主電源配線６９Ｐ及び第２主電源配線６９Ｎは、Ｘ方向に沿って延在し、Ｙ方向において互いに離間して配置されている。第１主電源配線６９Ｐは図１３の正極ライン１９Ｐに対応し、第２主電源配線６９Ｎは図１３の負極ライン１９Ｎに対応する。
第１配線６１ｕ，６１ｖ，６１ｗは、一端側が第１主電源配線６９Ｐに接続され、他端側に電極パッド部６１ｕｐ，６１ｖｐ，６１ｗｐを有している。また、第１配線６１ｕ〜６１ｗは、一端側の第１主電源配線６９Ｐと他端側の電極パッド部６１ｕｐ，６１ｖｐ，６１ｗｐとの間にスルーホール電極部６１ｕ１，６１ｖ１，６１ｗ１を有している。また、第１配線６１ｕ〜６１ｗは、スルーホール電極部６１ｕ１〜６１ｗ１と、電極パッド部６１ｕｐ〜６１ｗｐとの間にスルーホール電極部６１ｕ２，６１ｖ２，６１ｗ２を有している。この第１配線６１ｕ〜６１ｗは、第１主電源配線６９Ｐから第２主電源配線６９Ｎに向かって延在している。
第２配線６２ｕ，６２ｖ，６２ｗは、一端側にスルーホール電極部６２ｕ１，６２ｖ１，６２ｗ１を有し、他端側に電極パッド部６２ｕｐ，６２ｖｐ，６２ｗｐを有している。この第２配線６２ｕ〜６２ｗは、第１主電極配線６９Ｐと第２主電極配線６９Ｎとの間において、Ｙ方向に沿って延在している。
第３配線６３ｕ，６３ｖ，６３ｗは、一端側にスルーホール電極部６３ｕ１，６３ｖ１，６３ｗ１を有し、他端側にスルーホール電極部６３ｕ２，６３ｖ２，６３ｖ３を有している。また、第３配線６３ｕ〜６３ｗは、スルーホール電極部６３ｕ１〜６３ｗ１とスルーホール電極部６３ｕ２〜６３ｖ３との間に、スルーホール電極部６３ｕ３，６３ｖ３，６３ｗ３を有している。この第３配線６３ｕ〜６３ｗは、第１主電極配線６９Ｐと第２主電極配線６９Ｎとの間において、Ｙ方向に沿って延在している。
第４配線６４ｕ，６４ｖ，６４ｗは、一端側にスルーホール電極部６４ｕ１，６４ｖ１，６４ｗ１を有し、他端側にスルーホール電極部６４ｕ２，６４ｖ２，６４ｗ２を有している。この第４配線６４ｕ〜６４ｗは、第１主電源配線６９Ｐと第２主電源配線６９Ｎとの間において、Ｙ方向に沿って延在している。
第５配線６５ｕ，６５ｖ，６５ｗは、一端側が第２主電源配線６９Ｎに接続され、他端側にスルーホール電極部６５ｕ１，６５ｖ１，６５ｗ１を有している。また、第５配線６５ｕ〜６５ｗは、第２主電源配線６９Ｎとスルーホール電極部６５ｕ１，６５ｖ１，６５ｗ１との間に、スルーホール電極部６５ｕ２，６５ｖ２，６５ｗ２を有している。この第５配線６５ｕ〜６５ｗは、第２主電源配線６９Ｎから第１主電源配線６９Ｐに向かって延在している。
第６配線６６ｕ，６６ｖ，６６ｗは、一端側にスルーホール電極部６６ｕ１，６６ｖ１，６６ｗ１を有している。第７配線６７ｕ，６７ｖ，６７ｗは、一端側にスルーホール電極部６７ｕ１，６７ｖ１，６７ｗ１を有している。この第６配線６６ｕ〜６６ｗ、及び第７配線６７ｕ〜６７ｗには、ゲート駆動回路１３から制御信号が入力される。
第１配線６１ｕ〜６１ｗ、第２配線６２ｕ〜６２ｗ、第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２の第１アノード端子４６ａ１及び第２アノード端子４６ａ２、及び第５配線６５ｕ〜６５ｗは、各電力変換部１２ｕ〜１２ｗの入力段側を構成している。また、第３配線６３ｕ〜６３ｗは、各電力変換部１２ｕ〜１２ｗの出力段側を構成している。
スルーホール電極部６１ｕ１，６４ｕ１，６６ｕ１、スルーホール電極部６１ｖ１，６４ｖ１，６６ｖ１，スルーホール電極部６１ｗ１，６４ｗ１，６６ｗ１は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第１のスルーホール電極列（図１４中、上から一番目の列）を構成している。
また、スルーホール電極部６３ｕ２，６５ｕ２，６７ｕ１、スルーホール電極部６３ｖ２，６５ｖ２，６７ｖ１、スルーホール電極部６３ｗ２，６５ｗ２，６７ｗ１は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第２のスルーホール電極列（図１４中、下から一番目の列）を構成している。この第１及び第２スルーホール電極列は、Ｙ方向において互いに離間している。
また、スルーホール電極部６１ｕ２，６３ｕ１，６４ｕ２、スルーホール電極部６１ｖ２，６３ｖ１，６４ｖ２、スルーホール電極部６１ｗ２，６３ｗ１，６４ｗ２は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第３のスルーホール電極列（図１４中、上から二番目の列）を構成している。
また、スルーホール電極部６２ｕ１，６３ｕ３，６５ｕ１、スルーホール電極部６２ｖ１，６３ｖ３，６５ｖ１、スルーホール電極部６２ｗ１，６３ｗ３，６５ｗ１は、Ｘ方向に沿って一列で配置され、第４のスルーホール電極列（図１４中、下から二番目の列）を構成している。この第３及び第４のスルーホール電極列は、第１のスルーホール電極と第２のスルーホール電極との間に配置され、かつＹ方向において互いに離間している。
スルーホール電極部６１ｕ１，６１ｖ１，６１ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部６１ｕ２，６１ｖ２，６１ｗ２と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部６１ｕ２，６１ｖ２，６２ｗ２は、Ｙ方向において、スルーホール電極部６２ｕ１，６２ｖ１，６２ｗ１と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部６２ｕ１，６２ｖ１，６２ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部６７ｕ１，６７ｖ１，６７ｗ１と互い対向する位置に配置されている。
スルーホール電極部６６ｕ１，６６ｖ１，６６ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部６３ｕ１，６３ｖ１，６３ｗ１と互いに対向して配置されている。また、スルーホール電極部６３ｕ１，６３ｖ１，６３ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部６３ｕ３，６３ｖ３，６３ｗ３と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部６３ｕ３，６３ｖ３，６３ｗ３は、Ｙ方向において、スルーホール電極部６３ｕ２，６３ｖ２，６３ｗ２と互い対向する位置に配置されている。
スルーホール電極部６４ｕ１，６４ｖ１，６４ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極６４ｕ２，６５ｖ２，６４ｗ２と互いに対向する位置に配置されている。スルーホール電極部６５ｕ１，６５ｖ１，６５ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部６５ｕ２，６５ｖ２，６５ｗ２と互いに対向する位置に配置されている。
電極パッド部６１ｕｐ，６１ｖｐ，６１ｗｐは、Ｙ方向において、電極パッド部６２ｕｐ，６２ｖｐ，６２ｗｐと互いに対向する位置に配置されている。そして、この電極パッド部６１ｕｐ，６１ｖｐ，６１ｗｐと、電極パッド部６２ｕｐ，６２ｖｐ，６２ｗｐは、スルーホール電極部６１ｕ２，６１ｖ２，６１ｗ２と、スルーホール電極部６２ｕ１，６２ｖ１，６２ｗ１との間に配置されている。
第１のスルーホール電極列（図１４中、上から一番目の列）において、スルーホール電極部６１ｕ１，６４ｕ１，６６ｕ１、スルーホール電極部６１ｖ１，６４ｖ１，６６ｖ１、スルーホール電極部６１ｗ１，６４ｗ１，６６ｗ１には、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂ、第１主端子（Ｅ）３６ａ、制御端子（Ｇ）３６ｃの各々が配線基板６０の主面６０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６（図１５参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。
第２スルーホール電極列（図１４中、下から一番目の列）において、スルーホール電極部６３ｕ２，６５ｕ２，６７ｕ１、スルーホール電極部６３ｖ２，６５ｖ２，６７ｖ１、スルーホール電極部６３ｗ２，６５ｗ２，６７ｗ１には、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の第２主端子（Ｃ）３６ｂ、第１主端子（Ｅ）３６ａ、制御端子（Ｇ）３６ｃの各々が配線基板６０の主面６０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
第３のスルーホール電極列（図１４中、上から二番目の列）において、スルーホール電極部６１ｕ２，６３ｕ１，６４ｕ２、スルーホール電極部６１ｖ２，６３ｖ１，６４ｖ２、スルーホール電極部６１ｗ２，６３ｗ１，６４ｗ２には、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１のカソード端子（Ｋ）４６ｂ、第１アノード端子（Ａ）４６ａ１、第２アノード端子（Ａ）４６ａ２の各々が配線基板６０の主面６０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
第４のスルーホール電極列（図１４中、下ら二番目の列）において、スルーホール電極部６２ｕ１，６３ｕ３，６５ｕ１、スルーホール電極部６２ｖ１，６３ｖ３，６５ｖ１、スルーホール電極部６２ｗ１，６３ｗ３，６５ｗ１には、第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２の第１アノード端子（Ａ）４６ａ１、カソード端子（Ｋ）４６ｂ、第２アノード端子（Ａ）４６ａ２の各々が配線基板６０の主面６０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
電極パッド部６１ｕｐ，６１ｖｐ，６１ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極が例えば半田材２６ａ（図１５参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。また、電極パッド部６２ｕｐ，６２ｖｐ，６２ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極が例えば半田材２６ａにより電気的にかつ機械的に接続されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、一方の電極が第１配線６１ｕ，６１ｖ，６１ｗを介して第１主電源配線６９Ｐと電気的に接続され、他方の電極が第２配線６２ｕ，６２ｖ，６２ｗ、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第１及び第２アノード端子４６ａ，４６ａ２、及び第５配線６５ｕ，６５ｖ，６５ｗを介して第２主電源配線６９Ｎと電気的に接続されている。すなわち、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１主電源配線６９Ｐと第２主電源配線６９Ｎとの間に接続されている。
また、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、第１配線６１ｕ，６１ｖ，６１ｗを介して第１主電源配線６９Ｐ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、第１主電源配線６９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは、第５配線６５ｕ，６５ｖ，６５ｗを介して第２主電源配線６９Ｎ及び第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第２アノード端子４６ａ２と電気的に接続され、かつ第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第２及び第１アノード端子４６ａ２，４６ａ１、及び第２配線６２ｕ，６２ｖ，６２ｗを介してコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは、第２主電源配線６９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２は、Ｙ方向において互いに対向するようにして配線基板６０に実装されている。
そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板６０の第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２との間の領域に実装されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１及び第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２は、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２が対向する方向（Ｙ方向）において、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の内側であってコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の外側で互いに対向するようにして配線基板６０に実装されている。
また、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１配線６１ｕ，６１ｖ，６１ｗを介して第１半導体装置３１ｕ，３１ｖ，３１ｗの第２主端子３６ｂ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂと、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２は、第１アノード端子４６ａ１が第２配線６２ｕ，６２ｖ，６２ｗを介してコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極と電気的に接続され、第２アノード端子４６ａ２が第５配線６５ｕ，６５ｖ，６５ｗを介して第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａと電気的に接続されている。すなわち、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第１及び第２アノード端子４６ａ１，４６ａ２は、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａと、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板６０の第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２との間の領域に実装されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１のカソード端子４６ｂ及び第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第１アノード端子４６ａ１は、互いに対向して配置されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１のカソード端子４６ｂと、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第１アノード端子４６ａ１との間に配置されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗの第２主端子３６ｂと互いに対向して配置されている。そして、第２ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１の第２アノード端子４６ａ２は、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の第１主端子３６ａと互いに対向して配置されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１の第１アノード端子４６ａ１及び第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２のカソード端子４６ｂは、互いに対向して配置され、かつ第３配線６３ｕ，６３ｖ，６３ｗを介して互いに電気的に接続されている。
また、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１の第２アノード端子６４ａ２及び第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第１主端子３６ａは、互いに対向して配置され、かつ第４配線６４ｕ〜６４ｗを介して互いに電気的に接続されている。
そして、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２のカソード端子４６ｂ及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第２主端子３６ｂは、互いに対向して配置され、かつ第３配線６３ｕ〜６３ｗを介して互いに電気的に接続されている。
ここで、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１と第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２とで機能の異なる端子（第１アノード端子４６ａ１、カソード端子４６ｂ）が対向するように配置するには、図１６に示すように、Ｙ方向において各々の放熱面４５ｂが外側に位置するように第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１と第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２とを互いに向かい合わせ、更にＸ方向において一端子分ずらして配置することにより容易に実施することができる。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、上述したように、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは第１主電源配線６９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは第２主電源配線６９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。したがって、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、上述の第１の実施形態と同様にスナバコンデンサとして用いられている。
次に、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂの放熱構造について、図１２、図１５及び図１６を用いて説明する。
図１２及び図１５に示すように、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の各々は、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａの固定板２１側とは反対側において、第１熱伝導板２２の長手方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。また、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１の各々は、固定板２１と第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間において、詳細に図示していないが、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１と同様に、固定板２１及び第１熱伝導板２２の長手方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。また、第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２の各々も、固定板２１と第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間において、詳細に図示していないが、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１と同様に、固定板２１及び第２熱伝導板２３の長手方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。また、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の各々も、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａの固定板２１側とは反対側において、第２熱導電板２３の長手方向（Ｘ方向）に沿って配置されている。
第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１との間、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１との間には、それぞれ絶縁シート２４が介在されている。また、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２との間、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２との間にも、それぞれ絶縁シート２４が介在されている。
図１５に示すように、第１半導体装置３１ｕ１、絶縁シート２４、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ、絶縁シート２４及び第１ダイオード部品４１ｕ１は、この順番で第１半導体装置３１ｕ１側からネジ部材２８によって固定板２１の第１固定面２１ａに一括してネジ止め固定されている。同様に、第２半導体装置３１ｕ２、絶縁シート２４、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａ、絶縁シート２４及び第２ダイオード部品４１ｕ２においても、この順番で第２半導体装置３１ｕ２側からネジ部材２８によって固定板２１の第２固定面２１ｂに一括してネジ止め固定されている。このネジ止め固定は、第１及び第２半導体装置３１ｕ１，３１ｕ２に設けられたネジ用貫通孔３８ｃ（図１７参照）、絶縁シート２４に設けられたネジ用貫通孔（図示せず）、第１及び第２熱伝導板２２，２３の第１部分２２ａ，２３ａに設けられたネジ用貫通孔（図示せず）、第１及び第２ダイオード部品４１ｕ１，４１ｕ２に設けられたネジ用貫通孔３８ｃ（図９参照）にネジ部材２８を挿入させて行われる。
なお、詳細に図示していないが、第１半導体装置３１ｖ１，３１ｗ１及び第１ダイオード部品４１ｖ１，４１ｗ１においも、第１半導体装置３１ｕ１及び第１ダイオード部品４１ｕ１と同様に、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ及び絶縁シート２４と共にネジ部材２８によって固定板２１の第１固定面２１ａに一括してネジ止め固定されている。また、第２半導体装置３１ｖ２，３１ｗ２及び第２ダイオード部品４１ｖ２，４１ｗ２においも、第２半導体装置３１ｕ２及び第２ダイオード部品４１ｕ２と同様に、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａ及び絶縁シート２４と共にネジ部材２８によって固定板２１の第２固定面２１ｂに一括してネジ止め固定されている。
第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂは、その第２部分２２ｂからネジ部材２９によってベース部材２０の主面２０ｘにネジ止め固定されている。同様に、第２熱伝導板２３の第２部分２３ｂにおいても、その第２部分２３ｂ側からネジ部材２９によってベース部材２０の主面２０ｘにネジ止め固定されている。第１及び第２熱伝導板２２，２３の第２部分２２ｂ，２３ｂと、ベース部材２０の主面２０ｘとの間には、図示していないが、上述した第１の実施形態と同様に、ペースト状の熱伝導性物質が介在されている。
図１６に示すように、第１半導体装置３１ｕ１は、放熱板３５の放熱面３５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。そして、第１半導体装置３１ｕ１は、放熱板３５の放熱面３５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板３５が第１熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。
第１ダイオード部品４１ｕ１は、放熱板４５の放熱面４５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。そして、第１ダイオード部品４１ｕ１は、放熱板４５の放熱面４５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板４５が第１熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。
第２半導体装置３１ｕ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３に固定されている。そして、第２半導体装置３１ｕ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されており、放熱板３５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。
第２ダイオード部品４１ｕ２においても、放熱板４５の放熱面４５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３に固定されている。そして、第２ダイオード部品４１ｕ２においても、放熱板４５の放熱面４５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されており、放熱板４５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。
なお、詳細に図示していないが、第１半導体装置３１ｖ１，３１ｗ１及び第１ダイオード部品４１ｖ１，４１ｗ１においも、第１半導体装置３１ｕ１及び第１ダイオード部品４１ｕ１と同様に、放熱板３５，４５の放熱面３５ｂ，４５ｂと第２熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板３５，４５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。また、第２半導体装置３１ｖ２，３１ｗ２及び第２ダイオード部品４１ｖ２，４１ｗ２においも、第２半導体装置３１ｕ２及び第２ダイオード部品４１ｕ２と同様に、放熱板３５，４５の放熱面３５ｂ，４５ｂと第２熱伝導板２３の第２部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されており、放熱板３５，４５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。
本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂは、上述したように、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂが第１主電源配線６９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａが第２主電源配線６９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板６０に互いに対向して実装された第１半導体装置３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１と第２半導体装置３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２との間の領域で配線基板５０に実装されている。
また、発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂは、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１及び第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２が、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２との対向方向（Ｙ方向）において、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の内側であってコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の外側で互いに対向するようにして配線基板６０に実装されている。
また、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂは、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１のカソード端子４６ｂが、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂと、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第１及び第２アノード端子４６ａ１，４６ａ２が、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａと、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板６０の第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１と第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２との間の領域に実装されている。
したがって、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂによれば、上述した第１の実施形態と同様に、インバータ回路１１を構成する各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、従来のように、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１と第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２との間の領域以外に配置した場合と比較して、第１主電源配線６９Ｐと第２主電源配線６９Ｎとの間をコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３を介して接続する配線（第１配線６１ｕ，６１ｖ，６１ｗ、第２配線６２ｕ，６２ｖ，６２ｗ、第５配線６５ｕ，６５ｖ，６５ｗ）の長さを短くすることができるので、電力変換部１２ｕでの第１及び第２第１半導体装置３１ｕ１，３１ｕ２、第１及び第２ダイオード部品４１ｕ１，４１ｕ２、及びコンデンサ部品Ｃ１を含む一巡の電流経路のインダクタンス、電力変換部１２ｖでの第１及び第２第１半導体装置３１ｖ１，３１ｖ２、第１及び第２ダイオード部品４１ｖ１，４１ｖ２、及びコンデンサ部品Ｃ２を含む一巡の電流経路のインダクタンス、電力変換部１２ｗでの第１及び第２半導体装置３１ｗ１，３１ｗ２、第１及び第２ダイオード部品４１ｗ１，４１ｗ２及びコンデンサ部品Ｃ３を含む一巡の電流経路のインダクタンスをそれぞれ低減することができる。この結果、インバータ回路１１構成する電子部品として、スイッチング素子１５を内蔵する第１及び第２半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１，３１ｕ２〜３１ｗ２と、ダイオード素子１６を内蔵する第１及び第２ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１，４１ｕ２〜４１ｗ２とを用いた、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂにおいても、上述した本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａと同様の効果が得られる。
なお、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３としては、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１のカソード端子４６ｂと第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２の第１アノード端子４６ａ１との間に配置することが好ましい。この場合、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１のカソード端子４６ｂと第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２の第１アノード端子４６ａ１との間をコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３で最短で接続することができるので、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗでの一巡の電流経路のインダクタンスを更に低減することができる。
本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂにおいて、第１半導体装置３１ｕ１及びその他の半導体装置（第１半導体装置３１ｖ１，３１ｗ１、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２）は、図１７に示すように、スイッチング素子１５の動作により半導体チップ３３で発生した熱が放熱板３５に伝達されるようになっている。そして、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１においては、図１６に示すように、放熱板３５の放熱面３５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。また、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されている。
したがって、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂによれば、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の放熱板３５に伝達された熱は、絶縁シート２４、第１熱伝導板２２を経由してベース部材２０に伝達され、ベース部材２０の凸状フィン２０ｂから外部に放散されるので、放熱効果を高めることができる。
更に、第１ダイオード部品４１ｕ１及びその他のダイオード部品（第１ダイオード部品４１ｖ１，４１ｗ１、第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２）は、図１８に示すように、ダイオード素子１６の動作により半導体チップ３４で発生した熱が放熱板４５に伝達されるようになっている。そして、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１においては、図１６に示すように、放熱板４５の放熱面４５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。また、第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２においても、放熱板４５の放熱面４５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されている。
したがって、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂによれば、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１の放熱板４５に伝達された熱は、絶縁シート２４、第１熱伝導板２２を経由してベース部材２０に伝達され、ベース部材２０の凸状フィン２０ｂから外部に放散されるので、放熱効果を高めることができる。
これにより、低インダクタンスで放熱効果の高い電力変換装置１０Ｂ及びそれを備えた電動モータ１を提供することができる。
本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂにおいて、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１は、図１６に示すように、放熱板３５の放熱面３５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板３５が熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。また、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されており、放熱板３５が熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。したがって、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂによれば、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の放熱板３５と第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の放熱板３５とが異なる電位に電位固定されても、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の熱を放熱板３５から第１熱伝導板２２，第２熱伝導板２３を経由してベース部材２０に伝達させることができる。
更に、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１は、図１６に示すように、放熱板４５の放熱面４５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板４５が第１熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。また、第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２においても、放熱板４５の放熱面４５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２２の第１部分２３ａに固定されており、放熱板４５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。したがって、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂによれば、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１の放熱板４５と第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２の放熱板４５とが異なる電位に電位固定されても、第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１及び第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２の熱を放熱板４５から第１熱伝導板２２，第２熱伝導板２３を経由してベース部材２０に伝達させることができる。
これにより、低インダクタンスで放熱効果の高い電力変換装置１０Ｂ及びそれを備えた電動モータ１を提供することができる。
なお、本発明の第２の実施形態では、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと、電子部品の放熱板（第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の放熱板３５，第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１の放熱板４５）との間、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと電子部品の放熱板（第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の放熱板３５，第１ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２の放熱板４５）との間に、それぞれ絶縁シート２４を介在させた場合について説明したが、絶縁シート２４は、図１９に示すように、第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂとベース部材２０の主面２０ｘとの間に介在させてもよい。
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃは、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂとほぼ同様の構成になっているが、電力変換部を構成する半導体装置及びダイオード部品の配置、及び配線基板の配線パターンが異なっている。
すなわち、上述した本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂでは、図１４に示すように、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の内側に第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の内側に第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２をそれぞれ配置した構成になっている。これに対し、本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃでは、図２０に示すように、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の外側に第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の外側に第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２を配置した構成になっている。以下、本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃについて、半導体装置及びダイオード部品、及び配線基板を主体に図２０及び図２１を用いて説明する。
なお、図２０は、図１４と同様に配線基板の裏面側から透視した場合の配置図である。また、図２１は、上述した第２の実施形態と同様にＵ相の電力変換部１２ｕを構成する第１及び第２半導体装置３１ｕ１，３１ｕ２、第１及び第２ダイオード部品４１ｕ１，４１ｕ２及びコンデンサ部品Ｃ１の実装状態を例示的に示している。
図２１に示すように、本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃは、図１５に示す配線基板６０に替えて、ベース部材２０の主面２０ｘ側に４つの支柱２５を介して支持された配線基板７０を備えている。配線基板７０は、その厚さ方向において互いに反対側に位置する主面７０ｘ及び裏面７０ｙを有している。
図２０及び図２１に示すように、配線基板７０は、第１基準電圧（例えば３００Ｖ）が印加される第１主電源配線７９Ｐと、第１基準電圧よりも低い電位の第２基準電圧（例えば０Ｖ）が印加される第２主電源配線７９Ｎとを有している。また、配線基板７０は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの数に対応して、第１配線７１ｕ，７１ｖ，７１ｗと、第２配線７２ｕ，７２ｖ，７２ｗと、第３配線７３ｕ，７３ｖ，７３ｗと、第４配線７４ｕ，７４ｖ，７４ｗと、第５配線７５ｕ，７５ｖ，７５ｗと、スルーホール電極７６ｕ，７６ｖ，７６ｗと、スルーホール電極７７ｕ，７７ｖ，７７ｗとを有している。
第１主電源配線７９Ｐ及び第２主電源配線７９Ｎは、Ｘ方向に沿って延在し、Ｙ方向において互いに離間して配置されている。第１主電源配線７９Ｐは図１３の正極ライン１９Ｐに対応し、第２主電源配線７９Ｎは図１３の負極ライン１９Ｎに対応する。
第１配線７１ｕ，７１ｖ，７１ｗは、一端側が第１主電源配線７９Ｐに接続され、他端側に電極パッド部７１ｕｐ，７１ｖｐ，７１ｗｐを有している。また、第１配線７１ｕ〜７１ｗは、一端側の第１主電源配線７９Ｐと他端側の電極パッド部７１ｕｐ，７１ｖｐ，７１ｗｐとの間に、スルーホール電極部７１ｕ１，７１ｖ１，７１ｗ１と、スルーホール電極部７１ｕ２，７１ｖ２，７１ｗ２とを有している。この第１配線７１ｕ〜７１ｗは、第１主電源配線７９Ｐから第２主電源配線７９Ｎに向かって延在している。
第２配線７２ｕ，７２ｖ，７２ｗは、一端側が第２主電源配線７９Ｎに接続され、他端側に電極パッド部７２ｕｐ，７２ｖｐ，７２ｗｐを有している。また、第２配線７２ｕ〜７２ｗは、一端側の第１主電源配線７９Ｐと他端側の電極パッド部７２ｕｐ，７２ｖｐ，７２ｗｐとの間に、スルーホール電極部７２ｕ１，７２ｖ１，７２ｗ１と、スルーホール電極部７２ｕ２，７２ｖ２，７２ｗ２を有している。この第２配線７２ｕ〜７２ｗは、第１主電源配線７９Ｐと第２主電源配線７９Ｎとの間において、Ｙ方向に沿って延在している。
第３配線７３ｕ，７３ｖ，７３ｗは、一端側にスルーホール電極部７３ｕ１，７３ｖ１，７３ｗ１を有し、他端側にスルーホール電極部７３ｕ２，７３ｖ２，７３ｖ２を有している。また、第３配線７３ｕ〜７３ｗは、一端側のスルーホール電極部７３ｕ１〜７３ｗ１と他端側のスルーホール電極部７３ｕ２〜７３ｖ３との間に、スルーホール電極部７３ｕ３，７３ｖ３，７３ｗ３と、スルーホール電極部７３ｕ４，７３ｖ４，７３ｗ４を有している。この第３配線７３ｕ〜７３ｗは、第１主電源配線７９Ｐと第２主電源配線７９Ｎとの間において、Ｙ方向に沿って延在している。
第４配線７４ｕ，７４ｖ，７４ｗは、一端側にスルーホール電極部７４ｕ１，７４ｖ１，７４ｗ１を有している。第５配線７５ｕ，７５ｖ，７５ｗは、一端側にスルーホール電極部７５ｕ１，７５ｖ１，７５ｗ１を有している。この第４配線７４ｕ〜７４ｗ、及び第５配線７５ｕ〜７５ｗには、図１３に示すゲート駆動回路１３から制御信号が入力される。
第１配線７１ｕ〜７１ｗ、第２配線７２ｕ〜７２ｗは、各電力変換部１２ｕ〜１２ｗの入力段側を構成している。また、第３配線７３ｕ〜７３ｗは、各電力変換換部１２ｕ〜１２ｗの出力段側を構成している。
スルーホール電極部７１ｕ１，７３ｕ１及びスルーホール電極７６ｕ、スルーホール電極部７１ｖ１，７３ｖ１及びスルーホール電極７６ｖ、スルーホール電極部７１w１，７３w１及びスルーホール電極７６ｗは、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第１のスルーホール電極列（図２０中、上から一番目の列）を構成している。
また、スルーホール電極部７２ｕ１，７３ｕ２及びスルーホール電極７７ｕ、スルーホール電極部７２ｖ１，７ｖｕ２及びスルーホール電極７７ｖ、スルーホール電極部７２ｗ１，７３ｗ２及びスルーホール電極７７ｗは、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第２のスルーホール電極列（図２０中、下から一番目の列）を構成している。この第１及び第２スルーホール電極列は、Ｙ方向において互いに離間している。
また、スルーホール電極部７１ｕ２，７３ｕ３，７４ｕ１、スルーホール電極部７１ｖ２，７３ｖ３，７４ｖ１、スルーホール電極部７１ｗ２，７３ｗ，７４ｗ１は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第３のスルーホール電極列（図２０中、上から二番目の列）を構成している。
また、スルーホール電極部７２ｕ２，７３ｕ４，７５ｕ１、スルーホール電極部７２ｖ２，７３ｖ４，７５ｖ１、スルーホール電極部７２ｗ２，７３ｗ４，７５ｗ１は、Ｘ方向に沿って一列で配置され、第４のスルーホール電極列（図２０中、下から二番目の列）を構成している。この第３及び第４のスルーホール電極列は、第１のスルーホール電極と第２のスルーホール電極との間に配置され、かつＹ方向において互いに離間している。
スルーホール電極部７１ｕ１，７１ｖ１，７１ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部７１ｕ２，７１ｖ２，７１ｗ２と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部７１ｕ２，７１ｖ２，７１ｗ２は、Ｙ方向において、スルーホール電極部７２ｕ２，７２ｖ２，７２ｗ２と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部７２ｕ２，７２ｖ２，７２ｗ２は、Ｙ方向において、スルーホール電極部７２ｕ１，７２ｖ１，７２ｗ１と互い対向する位置に配置されている。
スルーホール電極部７３ｕ１，７３ｖ１，７３ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部７３ｕ３，７３ｖ３，７３ｗ３と互いに対向して配置されている。また、スルーホール電極部７３ｕ３，７３ｖ３，７３ｗ３は、Ｙ方向において、スルーホール電極部７３ｕ４，７３ｖ４，７３ｗ４と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部７３ｕ４，７３ｖ４，７３ｗ４は、Ｙ方向において、スルーホール電極部７３ｕ２，７３ｖ２，７３ｗ２と互い対向する位置に配置されている。
スルーホール電極７６ｕ，７６ｖ，７６ｗは、Ｙ方向において、スルーホール電極部７４ｕ１，７４ｖ１，７４ｗ１と互いに対向する位置に配置されている。スルーホール電極７７ｕ，７７ｖ，７７ｗは、Ｙ方向において、スルーホール電極部７５ｕ１，７５ｖ１，７５ｗ１と互いに対向する位置に配置されている。
電極パッド部７１ｕｐ，７１ｖｐ，７１ｗｐは、Ｙ方向において、電極パッド部７２ｕｐ，７２ｖｐ，７２ｗｐと互いに対向する位置に配置されている。そして、この電極パッド部７１ｕｐ，７１ｖｐ，７１ｗｐと、電極パッド部７２ｕｐ，７２ｖｐ，７２ｗｐは、スルーホール電極部７１ｕ２，７１ｖ２，７１ｗ２と、スルーホール電極部７２ｕ２，７２ｖ２，７２ｗ２との間に配置されている。
第１のスルーホール電極列（図２中、上から一番目の列）において、スルーホール電極部７１ｕ１，７３ｕ１及びスルーホール電極７６ｕ、スルーホール電極部７１ｖ１，７３ｖ１及びスルーホール電極７６ｖ、スルーホール電極部７１ｗ１，７３ｗ１及びスルーホール電極７６ｗには、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１のカソード端子４６ｂ、第２アノード端子４６ａ２、第１アノード端子４６ａ１の各々が配線基板７０の主面７０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６（図２１参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。
第２のスルーホール電極列（図２０中、下から一番目の列）において、スルーホール電極部７２ｕ１，７３ｕ２及びスルーホール電極７７ｕ、スルーホール電極部７２ｖ１，７３ｖ２及びスルーホール電極７７ｖ、スルーホール電極部７２ｗ１，７３ｗ２及びスルーホール電極７７ｗには、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２の第２アノード端子（Ａ）４６ａ２、カソード端子（Ｋ）４６ｂ、第１アノード端子（Ａ）４６ａ１の各々が配線基板７０の主面７０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
第３スルーホール電極列（図２０中、上から二番目の列）において、スルーホール電極部７１ｕ２，７３ｕ３，７４ｕ１、スルーホール電極部７１ｖ２，７３ｖ３，７４ｖ１、スルーホール電極部７１ｗ２，７３ｗ３，７４ｗ１には、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ２の第２主端子（Ｃ）３６ｂ、第１主端子（Ｅ）３６ａ、制御端子（Ｇ）３６ｃの各々が配線基板７０の主面７０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
第４のスルーホール電極列（図２０中、下から二番目の列）において、スルーホール電極部７２ｕ２，７３ｕ４，７５ｕ１、スルーホール電極部７２ｖ２，７３ｖ４，７５ｖ１、スルーホール電極部７２ｗ２，７３ｗ４，７５ｗ１には、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａ、第２主端子（Ｃ）３６ｂ、制御端子（Ｇ）３６ｃの各々が配線基板７０の主面７０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
電極パッド部７１ｕｐ，７１ｖｐ，７１ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極が例えば半田材２６ａ（図２１参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。また、電極パッド部７２ｕｐ，７２ｖｐ，７２ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極が例えば半田材２６ａにより電気的にかつ機械的に接続されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、一方の電極が第１配線７１ｕ，７１ｖ，７１ｗを介して第１主電源配線７９Ｐと電気的に接続され、他方の電極が第２配線７２ｕ，７２ｖ，７２ｗを介して第２主電源配線７９Ｎと電気的に接続されている。すなわち、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１主電源配線７９Ｐと第２主電源配線７９Ｎとの間に接続されている。
また、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、第１配線７１ｕ，７１ｖ，７１ｗを介して第１主電源配線７９Ｐ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、第１主電源配線７９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは、第２配線７２ｕ，７２ｖ，７２ｗを介して第２主電源配線７９Ｎ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは、第２主電源配線７９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２は、Ｙ方向において互いに対向するようにして配線基板７０に実装されている。
そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板７０の第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２との間の領域に実装されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１及び第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２は、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２とが対向する対向方向（Ｙ方向）において、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の外側で互いに対向するようにして配線基板７０に実装されている。
また、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１配線７１ｕ，７１ｖ，７１ｗを介して第１主電源配線７９Ｐ及び第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂと電気的に接続されている。すなわち、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１主電源配線７９Ｐと第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂとの間に接続されている。
そして、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第２アノード端子４６ａ２は、第２配線７２ｕ，７２ｖ，７２ｗを介して第２主電源配線７９Ｎ及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子３６ａと電気的に接続されている。すなわち、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第２アノード端子４６ａ２は、第２主電源配線７９Ｎと第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子３６ａとの間に接続されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１半導体装置３１ｕ１，３４ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂと互いに対向して配置されている。そして、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第２アノード端子４６ａ２は、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子３６ａと互いに対向して配置されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第１主端子（Ｅ）３６ａと、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第２主端子（Ｃ）３６ｂとは、互いに対向して配置され、かつ第３配線７３ｕ，７３ｖ，７３ｗを介して電気的に接続されている。また、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１の第２アノード端子４６ａ２と、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第１主端子３６ａとは、互いに対向して配置され、かつ第３配線７３ｕ，７３ｖ，７３ｗ電気的に接続されている。そして、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２のカソード端子４６ｂ及び第２半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂは、互いに対向して配置され、かつ第３配線７３ｕ，７３ｖ，７３ｗを介して電気的に接続されている。
ここで、第１半導体装置３１ｕ１と第１ダイオード部品４１ｕ１とにおいて、第２主端子（Ｃ）３６ｂとカソード端子４６ｂ、第１主端子（Ｅ）３６ａと第２アノード端子３６ａ２とがそれぞれが向かい合うように配置するには、第１半導体装置３１ｕ１の放熱板３５と第１ダイオード素子４１ｕ１の放熱板４５とが向かい合うようにして配置することにより、容易に実施することができる。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、上述したように、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは第１主電源配線７９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは第２電源配線７９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。したがって、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、スナバコンデンサとして用いられている。
図２０及び図２１に示すように、本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃは、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の外側に第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１が配置され、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の外側に第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２が配置された構成になっている。
したがって、図２１に示すように、第１ダイオード部品４１ｕ１、絶縁シート２４、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ、絶縁シート２４及び半導体装置３１ｕ１は、この順番で第１ダイオード部品４１ｕ１側からネジ部材２８によって固定板２１の第１固定面２１ａに一括してネジ止め固定されている。同様に、第２ダイオード部品４１ｕ２、絶縁シート２４、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａ、絶縁シート２４及び第２半導体装置３１ｕ２は、この順番で第２ダイオード部品４１ｕ２側からネジ部材２８によって固定板２１の第１固定面２１ａに一括してネジ止め固定されている。
なお、詳細に図示していないが、第１半導体装置３１ｖ１，３１ｗ１及び第１ダイオード部品４１ｖ１，４１ｗ１においも、第１半導体装置３１ｕ１及び第１ダイオード部品４１ｕ１と同様に、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ及び絶縁シート２４と共にネジ部材２８によって固定板２１の第１固定面２１ａに一括してネジ止め固定されている。また、第２半導体装置３１ｖ２，３１ｗ２及び第２ダイオード部品４１ｖ２，４１ｗ２においも、第２半導体装置３１ｕ２及び第２ダイオード部品４１ｕ２と同様に、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａ及び絶縁シート２４と共にネジ部材２８によって固定板２１の第２固定面２１ｂに一括してネジ止め固定されている。
図２１に示すように、第１半導体装置３１ｕ１は、放熱板３５の放熱面３５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。そして、第１半導体装置３１ｕ１は、放熱板３５の放熱面３５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板３５が第１熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。
第１ダイオード部品４１ｕ１は、放熱板４５の放熱面４５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。そして、第１ダイオード部品４１ｕ１は、放熱板４５の放熱面４５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板４５が第１熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。
第２半導体装置３１ｕ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３に固定されている。そして、第２半導体装置３１ｕ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第２部分２３ａに固定されており、放熱板３５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。
第２ダイオード部品４１ｕ２においても、放熱板４５の放熱面４５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３に固定されている。そして、第２ダイオード４１ｕ２においても、放熱板４５の放熱面４５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第２部分２３ａに固定されており、放熱板４５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。
なお、詳細に図示していないが、第１半導体装置３１ｖ１，３１ｗ１及び第１ダイオード部品４１ｖ１，４１ｗ１においも、第１半導体装置３１ｕ１及び第１ダイオード部品４１ｕ２と同様に、放熱板３５，４５の放熱面３５ｂ，４５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板３５，４５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。また、第２半導体装置３１ｖ２，３１ｗ２及び第２ダイオード部品４１ｖ２，４１ｗ２においも、第２半導体装置３１ｕ２及び第２ダイオード部品４１ｕ２と同様に、放熱板３５，４５の放熱面３５ｂ，４５ｂと第２熱伝導板２３の第２部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されており、放熱板３５，４５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。
本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃは、上述したように、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂが第１主電源配線７９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａが第２主電源配線７９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。また、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板７０に互いに対向して実装された第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２との間の領域で配線基板７０に実装されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂと第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａとの間に配置されている。
また、本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃは、第１ダイオード部品４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１のカソード端子４６ｂが、第１主電源配線７９Ｐと第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂとの間に接続され、第２ダイオード部品４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２の第２アノード端子４６ａ２が第２主電源配線７９Ｎと第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａとの間に接続されている。
したがって、本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃにおいても、上述した本発明の第１の実施形態に係る電力変換装置１０Ａと同様に、低インダクタンス化及び小型化を図ることができる。
本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃは、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の外側に第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１が配置され、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の外側に第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２が配置された構成になっている。そして、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１及び第１ダイオード部品４１ｕ１〜４１ｗ１は、順番は異なるが上述の第２の実施形態と同様にして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。また、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２及び第２ダイオード部品４１ｕ２〜４１ｗ２においても、順番は異なるが上述の第２の実施形態と同様にして第２熱伝導板２３の第１部分２２ａに固定されている。
したがって、本発明の第３の実施形態に係る電力変換装置１０Ｃにおいても、上述した本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂと同様に放熱効果を高めることができるので、低インダクタンスで放熱効果の高い電力変換装置１０Ｃ及びそれを備えた電動モータ１を提供することができる。
なお、本発明の第３の実施形態では、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと、電子部品の放熱板（第１半導体装置の放熱板３５，第１ダイオード部品４１の放熱板４５）との間、第２熱伝導板２３の第１部分２３の第１部分２３ａとの間に、それぞれ絶縁シート２４を介在させた場合について説明したが、絶縁シート２４は、図１９に示すように、第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂとベース部材２０の主面２０ｘとの間に介在させてもよい。
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄは、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂとほぼ同様の構成になっているが、電力変換部を構成するダイオード部品の構成、及び配線基板の配線パターンが異なっている。以下、本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄについて、ダイオード部品及び配線基板を主体に図２２乃至図２５を用いて説明する。
図２２に示すように、本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄは、インバータ回路１１を構成するＵ相の電力変換部１２ｕが、第１及び第２半導体装置３１ｕ１，３１ｕ２と、第１及び第２ダイオード部品４２ｕ１，４２ｕ２と、コンデンサ部品Ｃ１とを有する構成になっている。そして、インバータ回路１１を構成するＶ相の電力変換部１２ｖにおいても、第１及び第２半導体装置３１ｖ１，３１ｖ２と、第１及び第２ダイオード部品４２ｖ１，４２ｖ２と、コンデンサ部品Ｃ２とを有する構成になっている。また、Ｗ相の電力変換部１２ｗにおいても、第１及び第２半導体装置３１ｗ１，３１ｗ２と、第１及び第２ダイオード部品４２ｗ１，４２ｗ２と、コンデンサ部品Ｃ３とを有する構成になっている。
次に、インバータ回路１１の各電力変換部１２ｕ〜１２ｗを構成する第１ダイオード部品４２ｕ１〜４２ｗ１及び第２ダイオード部品４２ｕ２〜４２ｗ２について、図２５を用いて説明する。
なお、第１ダイオード部品４２ｕ１〜４２ｗ１及び第２ダイオード部品４２ｕ２〜４２ｗ２としては、同一機能及び同一構造の製品を用いているので、上述の第２の実施形態と同様に第１ダイオード部品４２ｕ１を例示的に説明する。
図２５（（ａ），（ｂ））に示すように、第１ダイオード部品４２ｕ１は、上述した第２の実施形態の第１ダイオード部品４１ｕ１とほぼ同様の構成になっているが、以下の構成が異なっている。すなわち、第１ダイオード部品４２ｕ１は、２つのアノード端子ではなく、１つのアノード端子４６を有する構成になっている。そして、アノード端子４６ａは、封止体４８の内外に亘って延在するリードで形成され、一端側が封止体４８で封止されている。そして、アノード端子４６ａの一端側は、封止体４８の内部において、ボンディングワイヤ４７を介して半導体チップ４４の主面電極４４ａと電気的に接続されている。この第１ダイオード部品４２ｕ１及びその他のダイオード部品（４２ｖ１，４２ｗ１、４２ｕ２〜４２ｗ２）においても、上述した第１ダイオード部品４１ｕ１と同様に、ネジ用貫通孔４８ｃの絶縁が確保されたＴＯ２４７型で構成されている。
次に、配線基板８０の配線パターンを説明すると共に、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２、第１ダイオード部品４２ｕ１〜４２ｗ１、第２ダイオード部品４２ｕ２〜４２ｗ２、及びコンデンサ部品Ｃ１〜Ｃ３の配置について、図２３及び図２４を用いて説明する。
なお、図２３は、図１４と同様に、配線基板の裏面側から透視した場合の配置図である。また、図２４は、上述の第２実施形態と同様に、Ｕ相の電力変換部１２ｕを構成する第１及び第２半導体装置３１ｕ１，３１ｕ２、第１及び第２ダイオード部品４２ｕ１，４２ｕ２、及びコンデンサ部品Ｃ１の実装状態を例示的に示している。
図２３に示すように、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置１０Ｄは、図１５に示す配線基板６０に替えて、ベース部材２０の主面２０ｘ側に４つの支柱２５を介して支持された配線基板８０を備えている。配線基板８０は、その厚さ方向において互いに反対側に位置する主面８０ｘ及び裏面８０ｙを有している。
図２３及び図２４に示すように、配線基板８０は、第１基準電圧（例えば３００Ｖ）が印加される第１主電源配線８９Ｐと、第１基準電圧よりも低い電位の第２基準電圧（例えば０Ｖ）が印加される第２主電源配線８９Ｎとを有している。また、配線基板８０は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの数に対応して、第１配線８１ｕ，８１ｖ，８１ｗと、第２配線８２ｕ，８２ｖ，８２ｗと、第３配線８３ｕ，８３ｖ，８３ｗと、第４配線８４ｕ，８４ｖ，８４ｗと、第５配線８５ｕ，８５ｖ，８５ｗとを有している。
第１主電源配線８９Ｐ及び第２主電源配線８９Ｎは、Ｘ方向に沿って延在し、Ｙ方向において互いに離間して配置されている。第１主電源配線８９Ｐは図２２に示す正極ライン１９Ｐに対応し、第２主電源配線８９Ｎは図２２に示す負極ライン１９Ｎに対応する。
第１配線８１ｕ，８１ｖ，８１ｗは、一端側が第１主電源配線８９Ｐに接続され、他端側に電極パッド部８１ｕｐ，８１ｖｐ，８１ｗｐを有している。また、第１配線８１ｕ〜８１ｗは、一端側の第１主電源配線８９Ｐと他端側の電極パッド部８１ｕｐ，８１ｖｐ，８１ｗｐとの間に、スルーホール電極部８１ｕ１，８１ｖ１，８１ｗ１と、スルーホール電極部８１ｕ２，８１ｖ２，８１ｗ２とを有している。この第１配線８１ｕ〜８１ｗは、第１主電源配線８９Ｐから第２主電源配線８９Ｎに向かって延在している。
第２配線８２ｕ，８２ｖ，８２ｗは、一端側が第２主電源配線８９Ｎに接続され、他端側に電極パッド部８２ｕｐ，８２ｖｐ，８２ｗｐを有している。また、第２配線８２ｕ〜８２ｗは、一端側の第２主電源配線８９Ｎと他端側の電極パッド部８２ｕｐ，８２ｖｐ，８２ｗｐとの間に、スルーホール電極部８２ｕ１，８２ｖ１，８２ｗ１と、スルーホール電極部８２ｕ２，８２ｖ２，８２ｗ２とを有している。この第２配線８２ｕ〜８２ｗは、第２主電極配線８９Ｎから第２主電極配線６９Ｐに向かって延在している。
第３配線８３ｕ，８３ｖ，８３ｗは、一端側にスルーホール電極部８３ｕ１，８３ｖ１，８３ｗ１を有し、他端側にスルーホール電極部８３ｕ２，８３ｖ２，８３ｖ２を有している。また、第３配線８３ｕ〜８３ｗは、一端側のスルーホール電極部８３ｕ１〜８３ｗ１と他端側のスルーホール電極部８３ｕ２〜８３ｗ１との間に、スルーホール電極部８３ｕ３，８３ｖ３，８３ｗ３と、スルーホール電極部８３ｕ４，８３ｖ４，８３ｗ４とを有している。この第３配線８３ｕ〜８３ｗは、第１主電極配線８９Ｐと第２主電極配線８９Ｎとの間において、Ｙ方向に沿って延在している。
第４配線８４ｕ，８４ｖ，８４ｗは、一端側にスルーホール電極部８４ｕ１，８４ｖ１，８４ｗ１を有している。第５配線８５ｕ，８５ｖ，８５ｗは、一端側にスルーホール電極部８５ｕ１，８５ｖ１，８５ｗ１を有している。この第４配線８４ｕ〜８４ｗ、及び第５配線８５ｕ〜８５ｗには、図２２に示すゲート駆動回路１３から制御信号が入力される。
第１配線８１ｕ〜８１ｗ及び第２配線８２ｕ〜８２ｗは、各電極変換部１２ｕ〜１２ｗの入力段側を構成している。また、第３配線８３ｕ〜８３ｗは、電極変換部１２ｕ〜１２ｗの出力段側を構成している。
スルーホール電極部８１ｕ１，８３ｕ１，８４ｕ１、スルーホール電極部８１ｖ１，８３ｖ１，８４ｖ１、スルーホール電極部８１ｗ１，８３ｗ１，８４ｗ１は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第１のスルーホール電極列（図２３中、上から一番目の列）を構成している。
また、スルーホール電極部８２ｕ１，８３ｕ２，８５ｕ１、スルーホール電極部８２ｖ１，８３ｖ２，８５ｖ１、スルーホール電極部８２ｗ１，８３ｗ２，８５ｗ１は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第２のスルーホール電極列（図２３中、下から一番目の列）を構成している。この第１及び第２スルーホール電極列は、Ｙ方向において互いに離間している。
また、スルーホール電極部８１ｕ２，８３ｕ３、スルーホール電極部８１ｖ２，８３ｖ３、スルーホール電極部８１ｗ２，８３ｗ３は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第３のスルーホール電極列（図２３中、上から二番目の列）を構成している。
また、スルーホール電極部８２ｕ２，８３ｕ４、スルーホール電極部８２ｖ２，８３ｖ４、スルーホール電極部８２ｗ２，８３ｗ４は、Ｘ方向に沿って一列で配置され、第４のスルーホール電極列（図２３中、下から二番目の列）を構成している。この第３及び第４のスルーホール電極列は、第１のスルーホール電極と第２のスルーホール電極との間に配置され、かつＹ方向において互いに離間している。
スルーホール電極部８１ｕ１，８１ｖ１，８１ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部８３ｕ２，８３ｖ２，８３ｗ２と互いに対向して配置されている。
スルーホール電極部８４ｕ１，８４ｖ１，８４ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部８１ｕ２，８１ｖ２，８１ｗ２と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部８１ｕ２，８１ｖ２，８２ｗ２は、Ｙ方向において、スルーホール電極部８２ｕ２，８２ｖ２，８２ｗ２と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部８２ｕ２，８２ｖ２，８２ｗ２は、Ｙ方向において、スルーホール電極部８２ｕ１，８２ｖ１，８２ｗ１と互い対向する位置に配置されている。
スルーホール電極部８３ｕ１，８３ｖ１，８３ｗ１は、スルーホール電極部８３ｕ３，８３ｖ３，８３ｗ３と対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部８３ｕ１，８３ｖ１，８３ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部８３ｕ４，８３ｖ４，８３ｗ４と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部８３ｕ３，８３ｖ３，８３ｗ３は、Ｙ方向において、スルーホール電極部８５ｕ１，８５ｖ１，８５ｗ１と互い対向する位置に配置されている。
電極パッド部８１ｕｐ，８１ｖｐ，８１ｗｐは、Ｙ方向において、電極パッド部８２ｕｐ，８２ｖｐ，８２ｗｐと互いに対向する位置に配置されている。そして、この電極パッド部８１ｕｐ，８１ｖｐ，８１ｗｐと、電極パッド部８２ｕｐ，８２ｖｐ，８２ｗｐは、スルーホール電極部８１ｕ２，８１ｖ２，８１ｗ２と、スルーホール電極部８２ｕ２，８２ｖ２，８２ｗ２との間に配置されている。
第１のスルーホール電極列（図１４中、上から一番目の列）において、スルーホール電極部８１ｕ１，８３ｕ１，８４ｕ１、スルーホール電極部８１ｖ１，８３ｖ１，８４ｖ１、スルーホール電極部８１ｗ１，８３ｗ１，８４ｗ１には、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂ、第１主端子（Ｅ）３６ａ、制御端子（Ｇ）３６ｃの各々が配線基板８０の主面８０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６（図２４参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。
第２スルーホール電極列（図２３中、下から一番目の列）において、スルーホール電極部８２ｕ１，８３ｕ２，８５ｕ１、スルーホール電極部８２ｖ１，８３ｖ２，８５ｖ１、スルーホール電極部８２ｗ１，８３ｗ２，８５ｗ１には、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａ、第２主端子（Ｃ）３６ｂ、制御端子（Ｇ）３６ｃの各々が配線基板８０の主面８０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
第３のスルーホール電極列（図２３中、上から二番目の列）において、スルーホール電極部８１ｕ２，８３ｕ３、スルーホール電極部８１ｖ２，８３ｖ３、スルーホール電極部８１ｗ２，８３ｗ３には、第１ダイオード部品４２ｕ１〜４２ｗ１のカソード端子（Ｋ）４６ｂ、アノード端子（Ａ）４６の各々が配線基板８０の主面８０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
第４のスルーホール電極列（図２３中、下ら二番目の列）において、スルーホール電極部８２ｕ２，８３ｕ４、スルーホール電極部８２ｖ２，８３ｖ４、スルーホール電極部８２ｗ２，８３ｗ４には、第２ダイオード部品４２ｕ２〜４２ｗ２のアノード端子（Ａ）４６ａ、カソード端子（Ｋ）４６ｂの各々が配線基板８０の主面８０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
電極パッド部８１ｕｐ，８１ｖｐ，８１ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極が例えば半田材２６ａ（図１５参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。また、電極パッド部８２ｕｐ，８２ｖｐ，８２ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極が例えば半田材２６ａにより電気的にかつ機械的に接続されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、一方の電極が第１配線８１ｕ，８１ｖ，８１ｗを介して第１主電源配線８９Ｐと電気的に接続され、他方の電極が第２配線８２ｕ，８２ｖ，８２ｗを介して第２主電源配線８９Ｎと電気的に接続されている。すなわち、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１主電源配線８９Ｐと第２主電源配線８９Ｎとの間に接続されている。
また、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、第１配線８１ｕ，８１ｖ，８１ｗを介して第１主電源配線８９Ｐ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、第１主電源配線８９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは、第２配線８２ｕ，８２ｖ，８２ｗを介して第２主電源配線８９Ｎ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは、第２主電源配線８９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２は、Ｙ方向において互いに対向するようにして配線基板８０に実装されている。
そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板８０の第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２との間の領域に実装されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１及び第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２は、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２が対向する対向方向（Ｙ方向）において、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の内側であってコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の外側で互いに対向するようにして配線基板８０に実装されている。
また、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１配線８１ｕ，８１ｖ，８１ｗを介して第１半導体装置３１ｕ，３１ｖ，３１ｗの第２主端子３６ｂ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂと、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２のアノード端子４６ａは、第２配線８２ｕ，８２ｖ，８２ｗを介して第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子３６ａ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２のアノード端子４６ａは、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子３６ａとコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板８０の第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１と第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２との間の領域に実装されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１のカソード端子４６ｂ及び第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２のアノード端子４６ａは、互いに対向して配置されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１のカソード端子４６ｂと第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２のアノード端子４６ｂとの間に配置されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の制御端子３６ｃと対向して配置されている。そして、第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２のアノード端子４６ｂは、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子３６ａと対向して配置され、第２配線８２ｕ，８２ｖ，８２ｗを介して電気的に接続されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１のアノード端子４６ａ及び第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２のカソード端子４６ｂは、互いに対向して配置され、第３配線８３ｕ，８３ｖ，８３ｗを介して電気的に接続されている。
また、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１のアノード端子４６ａ及び第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂは、互いに対向して配置され、第３配線８３ｕ，８３ｖ，８３ｗを介して電気的に接続されている。
そして、第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２のカソード端子４６ｂは、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の制御端子３６ｃと対向して配置されていると共に、第３配線８３ｕ，８３ｖ，８３ｗを介して第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第２主端子３６ｂと電気的に接続されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、上述したように、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは第１主電源配線８９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは第２電源配線８９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。したがって、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、スナバコンデンサとして用いられている。
図２３及び図２４に示すように、本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄは、上述した本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂと同様に、第１半導体装置３１ｕ１の内側に第１ダイオード部品４２ｕ１が配置され、第２半導体装置３１ｕ２の内側に第２ダイオード部品４２ｕ２が配置された構成になっている。
したがって、図２４に示すように、第１半導体装置３１ｕ１、絶縁シート２４、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ、絶縁シート２４及び第１ダイオード部品４２ｕ１は、この順番で第１半導体装置３１ｕ１側からネジ部材２８によって固定板２１の第１固定面２１ａに一括してネジ止め固定されている。同様に、第２半導体装置３１ｕ２、絶縁シート２４、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａ、絶縁シート２４及び第２ダイオード部品４２ｕ２は、この順番で第２半導体装置３１ｕ２側からネジ部材２８によって固定板２１の第１固定面２１ｂに一括してネジ止め固定されている。
なお、詳細に図示していないが、第１半導体装置３１ｖ１，３１ｗ１及び第１ダイオード部品４２ｖ１，４２ｗ１においも、第１半導体装置３１ｕ１及び第１ダイオード部品４２ｕ１と同様に、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａ及び絶縁シート２４と共にネジ部材２８によって固定板２１の第１固定面２１ａに一括してネジ止め固定されている。また、第２半導体装置３１ｖ２，３１ｗ２及び第２ダイオード部品４２ｖ２，４２ｗ２においも、第２半導体装置３１ｕ２及び第２ダイオード部品４２ｕ２と同様に、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａ及び絶縁シート２４と共にネジ部材２８によって固定板２１の第２固定面２１ｂに一括してネジ止め固定されている。
図２４に示すように、第１半導体装置３１ｕ１は、放熱板３５の放熱面３５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。そして、第１半導体装置３１ｕ１は、放熱板３５の放熱面３５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板３５が第１熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。
第１ダイオード部品４２ｕ２は、放熱板４５の放熱面４５ｂが第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと連結されるようにして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。そして、第１ダイオード部品４２ｕ１は、放熱板４５の放熱面４５ｂと第１熱伝導板２２の第１部分２２ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されており、放熱板４５が第１熱伝導板２２から電気的に絶縁分離されている。
第２半導体装置３１ｕ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３に固定されている。そして、第２半導体装置３１ｕ２においても、放熱板３５の放熱面３５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第２部分２３ａに固定されており、放熱板３５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。
また、第２ダイオード部品４２ｕ２においても、放熱板４５の放熱面４５ｂが第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと連結されるようにして第２熱伝導板２３に固定されている。そして、第２ダイオード部品４２ｕ２においても、放熱板４５の放熱面４５ｂと第２熱伝導板２３の第１部分２３ａとの間に絶縁シート２４を介在した状態で第２熱伝導板２３の第２部分２３ａに固定されており、放熱板４５が第２熱伝導板２３から電気的に絶縁分離されている。
本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄは、上述したように、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂが第１主電源配線８９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａが第２主電源配線８９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板８０に互いに対向して実装された第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３０ｗ２との間の領域で配線基板８０に実装されている。
また、発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄは、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１及び第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２が、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の対向方向（Ｙ方向）において、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の内側であってコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の外側で互いに対向するようにして配線基板８０に実装されている。
また、本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄは、第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１のカソード端子４６ｂが、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂと、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２のアノード端子４６ａが、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａと、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板８０の第１ダイオード部品４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１と第２ダイオード部品４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２との間の領域に実装されている。
したがって、本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄにおいても、上述した本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂと同様に、低インダクタンス化及び小型化を図ることができる。
本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄは、上述した本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂと同様に、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の内側に第１ダイオード部品４２ｕ１〜４２ｗ１が配置され、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の内側に第２ダイオード部品４２ｕ２〜４２ｗ２が配置された構成になっている。そして、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１及び第１ダイオード部品４２ｕ１〜４２ｗ１は、上述の第２の実施形態と同様にして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。また、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２及び第２ダイオード部品４２ｕ２〜４２ｗ２においても、上述の第２の実施形態と同様にして第２熱伝導板２３の第１部分２３ａに固定されている。
したがって、本発明の第４の実施形態に係る電力変換装置１０Ｄにおいても、上述した本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂと同様に放熱効果を高めることができるので、低インダクタンスで放熱効果の高い電力変換装置１０Ｄ及びそれを備えた電動モータ１を提供することができる。
なお、本発明の第４の実施形態では、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと、第１電子部品の放熱板（第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の放熱板３５，第１ダイオード部品４２ｕ１〜４２ｗ１の放熱板４５）との間、第２熱伝導板２３の第１部分２３ａと第２電子部品の放熱板（第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の放熱板３５，第２ダイオード部品４２ｕ２〜４２ｗ２の放熱板４５）との間に、それぞれ絶縁シート２４を介在させた場合について説明したが、絶縁シート２４は、図１９に示すように、第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂとベース部材２０の主面２０ｘとの間に介在させてもよい。
（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置１０Ｅは、本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂとほぼ同様の構成になっているが、電力変換部を構成するダイオード部品の構成、及び配線基板の配線パターンが異なっている。以下、本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置１０Ｅについて、ダイオード部品及び配線基板を主体に図２６乃至図２９を用いて説明する。
図２６に示すように、本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置１０Ｅは、インバータ回路１１を構成するＵ相の電力変換部１２ｕが、第１及び第２半導体装置３１ｕ１，３１ｕ２と、第１及び第２ダイオード部品４３ｕ１，４３ｕ２と、コンデンサ部品Ｃ１とを有する構成になっている。そして、インバータ回路１１を構成するＶ相の電力変換部１２ｖも、第１及び第２半導体装置３１ｖ１，３１ｖ２と、第１及び第２ダイオード部品４３ｖ１，４３ｖ２と、コンデンサ部品Ｃ２とを有する構成になっている。そして、インバータ回路１１を構成するＷ相の電力変換部１２ｗも、第１及び第２半導体装置３１ｗ１，３１ｗ２と、第１及び第２ダイオード部品４３ｗ１，４３ｗ２と、コンデンサ部品Ｃ３とを有する構成になっている。
次に、インバータ回路１１の各電力変換部１２ｕ〜１２ｗを構成する第１ダイオード部品４３ｕ１〜４３ｗ１及び第２ダイオード部品４３ｕ２〜４３ｗ２について、図２９を用いて説明する。
なお、第１ダイオード部品４３ｕ１〜４３ｗ１及び第２ダイオード部品４３ｕ２〜４３ｗ２としては、同一機能及び同一構造の製品を用いているので、上述の第２の実施形態と同様に第１ダイオード部品４３ｕ１を例示的に説明する。
図２９（（ａ），（ｂ））に示すように、第１ダイオード部品４３ｕ１は、上述した第２の実施形態の第１ダイオード部品４１ｕ１とほぼ同様の構成になっているが、以下の構成が異なっている。すなわち、第１ダイオード部品４３ｕ１は、２つの半導体チップ４４を有する構成になっている。この２つの半導体チップ４４の各々にはダイオード素子１６がそれぞれ形成されている。そして、２つの半導体チップ４４の各々は、その各々の裏面電極４４ｃが放熱板４５の素子搭載面４５ａと向かい合うようにして放熱板４５に固定され、例えば半田材を介在して放熱板４５と電気定的にかつ機械的に接続されている。そして、第１アノード端子４６ａ１の一端側は、封止体４８の内部において、ボンディングワイヤ３７を介して一方の半導体チップ４４の主面電極４４ａと電気的に接続されている。そして、第２アノード端子４６ａ２の一端側は、封止体４８の内部において、ボンディングワイヤ３７を介して他方の半導体チップ４４の主面電極４４ａと電気的に接続されている。すなわち、２つのダイオード素子１６は、各々のアノード領域がそれぞれ独立して第１アノード端子４６ａ１と第２アノード端子４６ａ２に電気的に接続され、各々のカソード領域がカソード端子４６ｂに並列して電気的に接続されている。
この第１ダイオード部品４３ｕ１及びその他のダイオード部品（４３ｖ１，４３ｗ１、４３ｕ２〜４３ｗ２）においても、上述した第２の実施形態の第１ダイオード部品４１ｕ１と同様に、ネジ用貫通孔４８ｃの絶縁が確保されたＴＯ２４７型で構成されている。
次に、配線基板９０の配線パターンを説明すると共に、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２、第１ダイオード部品４３ｕ１〜４３ｗ１、第２ダイオード部品４３ｕ２〜４３ｗ２、及びコンデンサ部品Ｃ１〜Ｃ３の配置について、図２７及び図２８を用いて説明する。
なお、図２７は、図１４と同様に、配線基板の裏面側から透視した場合の配置図である。また、図２８は、上述の第２実施形態と同様に、Ｕ相の電力変換部１２ｕを構成する第１及び第２半導体装置３１ｕ１，３１ｕ２、第１及び第２ダイオード部品４３ｕ１，４３ｕ２、及びコンデンサ部品Ｃ１の実装状態を例示的に示している。
図２８に示すように、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置１０Ｅは、図１５に示す配線基板６０に替えて、ベース部材２０の主面２０ｘ側に４つの支柱２５を介して支持された配線基板９０を備えている。配線基板９０は、その厚さ方向において互いに反対側に位置する主面９０ｘ及び裏面９０ｙを有している。
図２７及び図２８に示すように、配線基板９０は、第１基準電圧（例えば３００Ｖ）が印加される第１主電源配線９９Ｐと、第１基準電圧よりも低い電位の第２基準電圧（例えば０Ｖ）が印加される第２主電源配線９９Ｎとを有している。また、配線基板９０は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗの数に対応して、第１配線９１ｕ，９１ｖ，９１ｗと、第２配線９２ｕ，９２ｖ，９２ｗと、第３配線９３ｕ，９３ｖ，９３ｗと、第４配線９４ｕ，９４ｖ，９４ｗと、第５配線９５ｕ，９５ｖ，９５ｗと、第６配線９６ｕ，９６ｖ，９６ｗと、第７配線９７ｕ，９７ｖ，９７ｗとを有している。
第１主電源配線９９Ｐ及び第２主電源配線９９Ｎは、Ｘ方向に沿って延在し、Ｙ方向において互いに離間して配置されている。第１主電源配線９９Ｐは図２６に示す正極ライン１９Ｐに対応し、第２主電源配線９９Ｎは図２６に示す負極ライン１９Ｎに対応する。
第１配線９１ｕ，９１ｖ，９１ｗは、一端側が第１主電源配線９９Ｐに接続され、他端側に電極パッド部９１ｕｐ，９１ｖｐ，９１ｗｐを有している。また、第１配線９１ｕ〜９１ｗは、一端側の第１主電源配線９９Ｐと他端側の電極パッド部９１ｕｐ，９１ｖｐ，９１ｗｐとの間に、スルーホール電極部９１ｕ１，９１ｖ１，９１ｗ１と、スルーホール電極部９１ｕ２，９１ｖ２，９１ｗ２とを有している。この第１配線９１ｕ〜９１ｗは、第１主電源配線９９Ｐから第２主電源配線９９Ｎに向かって延在している。
第２配線９２ｕ，９２ｖ，９２ｗは、一端側が第２主電源配線９９Ｎに接続され、他端側に電極パッド部９２ｕｐ，９２ｖｐ，９２ｗｐを有している。また、第２配線９２ｕ〜９２ｗは、一端側の第２主電源配線９９Ｎと他端側の電極パッド部９２ｕｐ〜９２ｗｐとの間に、スルーホール電極部９２ｕ１，９２ｖ１，９２ｗ１を有している。この第２配線９２ｕ〜９２ｗは、第２主電極配線９９Ｎから第２主電極配線９９Ｐに向かって延在している。
第３配線９３ｕ，９３ｖ，９３ｗは、一端側が第４配線９４ｕ，９４ｖ，９４ｗに接続され、他端側にスルーホール電極部９３ｕ２，９３ｖ２，９３ｖ２を有している。また、第３配線９３ｕ〜９３ｗは、一端側の第４配線９４ｕ，９４ｖ，９４ｗと他端側のスルーホール電極部９３ｕ２，９３ｖ２，９３ｗ２との間に、スルーホール電極部９３ｕ１，９３ｖ１，９３ｗ１と、スルーホール電極部９３ｕ３，９３ｖ３，９３ｗ３とを有している。この第３配線９３ｕ〜９３ｗは、第１主電極配線９９Ｐと第２主電極配線９９Ｎとの間において、Ｙ方向に沿って延在している。
第４配線９４ｕ，９４ｖ，９４ｗは、一端側にスルーホール電極部９４ｕ１，９４ｖ１，９４ｗ１を有し、他端側にスルーホール電極部９４ｕ２，９４ｖ２，９４ｗ２を有している。この第４配線９４ｕ〜９４ｗは、スルーホール電極部９４ｕ１，９４ｖ１，９４ｗ１と、スルーホール電極部９４ｕ２，９４ｖ２，９４ｗ２との間に第３配線９３ｕ，９３ｖ，９３ｗの一端側が接続されている。
第５配線９５ｕ，９５ｖ，９５ｗは、一端側にスルーホール電極部９５ｕ１，９５ｖ１，９５ｗ１を有し、他端側にスルーホール電極部９５ｕ２，９５ｖ２，９５ｗ２を有している。この第５配線９５ｕ〜９５ｗは、スルーホール電極部９５ｕ１，９５ｖ１，９５ｗ１と、スルーホール電極部９５ｕ２，９５ｖ２，９５ｗ２との間に第２配線９２ｕ，９２ｖ，９２ｗの中間部が接続されている。この第５配線９５ｕ〜９５ｗ及び第４配線９４ｕ〜９４ｗは、第１主電源配線９９Ｐと第２主電源配線９９Ｎとの間において延在している。
第６配線９６ｕ，９６ｖ，９６ｗは、一端側にスルーホール電極部９６ｕ１，９６ｖ１，９６ｗ１を有している。第７配線９７ｕ，９７ｖ，９７ｗは、一端側にスルーホール電極部９７ｕ１，９７ｖ１，９７ｗ１を有している。この第６配線９６ｕ〜９６ｗ、及び第７配線９７ｕ〜９７ｗには、図２６に示すゲート駆動回路１３から制御信号が入力される。
第１配線９１ｕ〜９１ｗ及び第２配線９２ｕ〜９２ｗは、各電極変換部１２ｕ〜１２ｗの入力段側を構成している。また、第３配線９３ｕ〜９３ｗは、電極変換部１２ｕ〜１２ｗの出力段側を構成している。
スルーホール電極部９１ｕ１，９４ｕ１，９６ｕ１、スルーホール電極部９１ｖ１，９４ｖ１，９６ｖ１、スルーホール電極部９１ｗ１，９４ｗ１，９６ｗ１は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第１のスルーホール電極列（図２７中、上から一番目の列）を構成している。
また、スルーホール電極部９３ｕ２，９５ｕ１，９７ｕ１、スルーホール電極部９３ｖ２，９５ｖ１，９７ｖ１、スルーホール電極部９３ｗ２，９５ｗ１，９７ｗ１は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第２のスルーホール電極列（図２７中、下から一番目の列）を構成している。この第１及び第２スルーホール電極列は、Ｙ方向において互いに離間している。
また、スルーホール電極部９１ｕ２，９３ｕ１，９４ｕ２、スルーホール電極部９１ｖ２，９３ｖ１，９４ｖ２、スルーホール電極部９１ｗ２，９３ｗ１，９４ｗ２は、電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎にＸ方向に沿って一列で配置され、第３のスルーホール電極列（図２７中、上から二番目の列）を構成している。
また、スルーホール電極部９２ｕ１，９３ｕ３，９５ｕ２、スルーホール電極部９２ｖ１，９３ｖ３，９５ｖ２、スルーホール電極部９２ｗ１，９３ｗ３，９５ｗ２は、Ｘ方向に沿って一列で配置され、第４のスルーホール電極列（図２７中、下から二番目の列）を構成している。この第３及び第４のスルーホール電極列は、第１のスルーホール電極列と第２のスルーホール電極列との間に配置され、かつＹ方向において互いに離間している。
スルーホール電極部９１ｕ１，９１ｖ１，９１ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部９１ｕ２，９１ｖ２，９１ｗ２と互いに対向して配置されている。また、スルーホール電極部９１ｕ２，９１ｖ２，９１ｗ２は、Ｙ方向において、スルーホール電極部９２ｕ１，９２ｖ１，９２ｗ１と互いに対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部９２ｕ１，９２ｖ１，９２ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部９７ｕ１，９７ｖ１，９７ｗ１と互いに対向する位置に配置されている。
スルーホール電極部９６ｕ１，９６ｖ１，９６ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部９３ｕ１，９３ｖ１，９３ｗ１と互い対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部９３ｕ１，９３ｖ１，９３ｗ１は、スルーホール電極部９３ｕ３，９３ｖ３，９３ｗ３と対向する位置に配置されている。また、スルーホール電極部９３ｕ３，９３ｖ３，９３ｗ３は、Ｙ方向において、スルーホール電極部９３ｕ２，９３ｖ２，９３ｗ２と互いに対向する位置に配置されている。
スルーホール電極部９４ｕ１，９４ｖ１，９４ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部９４ｕ２，９４ｖ２，９４ｗ２と互い対向する位置に配置されている。スルーホール電極部９５ｕ１，９５ｖ１，９５ｗ１は、Ｙ方向において、スルーホール電極部９５ｕ２，９５ｖ２，９５ｗ２と互い対向する位置に配置されている。
電極パッド部９１ｕｐ，９１ｖｐ，９１ｗｐは、Ｙ方向において、電極パッド部９２ｕｐ，９２ｖｐ，９２ｗｐと互いに対向する位置に配置されている。そして、この電極パッド部９１ｕｐ，９１ｖｐ，９１ｗｐと、電極パッド部９２ｕｐ，９２ｖｐ，９２ｗｐは、スルーホール電極部９１ｕ２，９１ｖ２，９１ｗ２と、スルーホール電極部９２ｕ２，９２ｖ２，９２ｗ２との間に配置されている。
第１のスルーホール電極列（図２７中、上から一番目の列）において、スルーホール電極部９１ｕ１，９４ｕ１，９６ｕ１、スルーホール電極部９１ｖ１，９４ｖ１，９６ｖ１、スルーホール電極部９１ｗ１，９４ｗ１，９６ｗ１には、各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ毎に第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂ、第１主端子（Ｅ）３６ａ、制御端子（Ｇ）３６ｃの各々が配線基板９０の主面９０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６（図２８参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。
第２スルーホール電極列（図２７中、下から一番目の列）において、スルーホール電極部９３ｕ２，９５ｕ１，９７ｕ１、スルーホール電極部９３ｕ２，９５ｕ１，９７ｕ１、スルーホール電極部９３ｕ２，９５ｕ１，９７ｕ１には、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の第２主端子（Ｃ）３６ｂ、第１主端子（Ｅ）３６ａ、制御端子（Ｇ）３６ｃの各々が配線基板９０の主面９０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
第３のスルーホール電極列（図２７中、上から二番目の列）において、スルーホール電極部９１ｕ２，９３ｕ１，９４ｕ２、スルーホール電極部９１ｖ２，９３ｖ１，９４ｖ２、スルーホール電極部９１ｗ２，９３ｗ１，９４ｗ２には、第１ダイオード部品４３ｕ１〜４３ｗ１のカソード端子（Ｋ）４６ｂ、第１アノード端子（Ａ）４６ａ１、第２アノード端子（Ａ）４６ａ２の各々が配線基板９０の主面９０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
第４のスルーホール電極列（図２７中、下ら二番目の列）において、スルーホール電極部９２ｕ１，９３ｕ３，９５ｕ２、スルーホール電極部９２ｖ１，９３ｖ３，９５ｖ２、スルーホール電極部９２ｗ１，９３ｗ３，９５ｗ２には、第２ダイオード部品４３ｕ２〜４３ｗ２の第１アノード端子（Ａ）４６ａ１、カソード端子（Ｋ）４６ｂ、第２アノード端子（Ａ）４６ａ２の各々が配線基板９０の主面９０ｘ側から個別に挿入され、例えば半田材２６により電気的にかつ機械的に接続されている。
電極パッド部９１ｕｐ，９１ｖｐ，９１ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極が例えば半田材２６ａ（図２８参照）により電気的にかつ機械的に接続されている。また、電極パッド部９２ｕｐ，９２ｖｐ，９２ｗｐには、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極が例えば半田材２６ａにより電気的にかつ機械的に接続されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、一方の電極が第１配線９１ｕ，９１ｖ，９１ｗを介して第１主電源配線９９Ｐと電気的に接続され、他方の電極が第２配線９２ｕ，９２ｖ，９２ｗを介して第２主電源配線９９Ｎと電気的に接続されている。すなわち、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１主電源配線９９Ｐと第２主電源配線９９Ｎとの間に接続されている。
また、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、第１配線９１ｕ，９１ｖ，９１ｗを介して第１主電源配線９９Ｐ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の一方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂは、第１主電源配線９９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは、第５配線９５ｕ，９５ｖ，９５ｗ及び第２配線９２ｕ，９２ｖ，９２ｗを介して第２主電源配線９９Ｎ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａは、第２主電源配線９９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２は、Ｙ方向において互いに対向するようにして配線基板９０に実装されている。
そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板９０の第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２との間の領域に実装されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１及び第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２は、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の対向方向（Ｙ方向）において第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の内側であってコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の外側で互いに対向して配線基板９０に実装されている。
また、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１配線９１ｕ１，９１ｖ１，９１ｗ１を介して第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３と電気的に接続されている。すなわち、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子３６ｂとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
また、第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２の第１アノード端子４６ａ１は、第２配線９２ｕ，９２ｖ，９２ｗを介して第２主電源配線９９Ｎ及びコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の他方の電極と電気的に接続されている。すなわち、第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２の第１アノード端子４６ａ１は、第２主電源配線９９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。
そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板９０の第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１と第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２との間の領域に実装されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１のカソード端子４６ｂ及び第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２の第１アノード端子４６ａ１は、互いに対向して配置されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１のカソード端子４６ｂと第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２の第１アノード端子４６ａ１の間に配置されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１のカソード端子４６ｂは、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂと対向して配置されている。そして、第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２の第１アノード端子４６ａ１は、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の制御端子（Ｇ）３６ｃと対向して配置されている。
各電力変換部１２ｕ，１２ｖ，１２ｗにおいて、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１の第１アノード端子４６ａ１及び第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２のカソード端子４６ｂは、互いに対向して配置され、第３配線９３を介して電気的に接続されている。
また、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１の第２アノード端子４６ａ１と第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第１主端子（Ｅ）３６ａは、互いに対向して配置され、第４配線９４ｕ，９４ｖ，９４ｗを介して互いに電気的に接続されている。
また、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１の第１アノード端子４６ａ２は、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の制御端子（Ｇ）３６ｃと対向して配置されていると共に、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１の第２アノード端子４６ａ２及び第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第１主端子（Ｅ）３６ａの各々に第３配線９３ｕ，９３ｖ，９３ｗ及び第４配線９４ｕ，９４ｖ，９４ｗを介して電気的に接続されている。
また、第２ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１の第２アノード端子４６ａ２は、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａと互いに対向して配置され、第５配線９５ｕ，９５ｖ，９５ｗを介して互いに電気的に接続されていると共に、第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２の第１アノード端子４６ａ１及び第２主電源配線９９Ｎに第２配線９２ｕ，９２ｖ，９２ｗ及び第５配線９５ｕ，９５ｖ，９５ｗを介して電気的に接続されている。
本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置１０Ｅは、上述したように、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂが第１主電源配線９９Ｐとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の第１主端子（Ｅ）３６ａが第２主電源配線９９Ｎとコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板９０に互いに対向して実装された第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１と第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２との間の領域で配線基板９０に実装されている。
また、本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置１０Ｅは、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１及び第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２が、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の対向方向（Ｙ方向）において、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１及び第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の内側であってコンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の外側で互いに対向するようにして配線基板９０に実装されている。
また、本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置１０Ｅは、第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１のカソード端子４６ｂが、第１半導体装置３１ｕ１，３１ｖ１，３１ｗ１の第２主端子（Ｃ）３６ｂと、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続され、第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２の第１及び第２アノード端子４６ａ１，４６ａ２が、第２半導体装置３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２の１主端子（Ｅ）３６ａと、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３との間に接続されている。そして、コンデンサ部品Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、配線基板９０の第１ダイオード部品４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１と第２ダイオード部品４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２との間の領域に実装されている。
したがって、本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置１０Ｅにおいても、上述した本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂと同様に、低インダクタンス化及び小型化を図ることができる。
本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置１０Ｅは、上述した本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂと同様に、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の内側に第１ダイオード部品４３ｕ１〜４３ｗ１が配置され、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の内側に第２ダイオード部品４３ｕ２〜４３ｗ２が配置された構成になっている。そして、第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１及び第１ダイオード部品４３ｕ１〜４３ｗ１は、上述の第２の実施形態と同様にして第１熱伝導板２２の第１部分２２ａに固定されている。また、第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２及び第２ダイオード部品４３ｕ２〜４３ｗ２においても、上述の第２の実施形態と同様にして第２熱伝導板２３の第１部分２２ａに固定されている。
したがって、本発明の第５の実施形態に係る電力変換装置１０Ｅにおいても、上述した本発明の第２の実施形態に係る電力変換装置１０Ｂと同様に放熱効果を高めることができるので、低インダクタンスで放熱効果の高い電力変換装置１０Ｅ及びそれを備えた電動モータ１を提供することができる。
なお、本発明の第５の実施形態では、第１熱伝導板２２の第１部分２２ａと、電子部品の放熱板（第１半導体装置３１ｕ１〜３１ｗ１の放熱板３５，第１ダイオード部品４３ｕ１〜４３ｗ１の放熱板４５）との間、第２熱伝導板２３の第１部分２３の第１部分２３ａと電子部品の放熱板（第２半導体装置３１ｕ２〜３１ｗ２の放熱板３５，第２ダイオード部品４３ｕ２〜４３ｗ２の放熱板４５）との間に、それぞれ絶縁シート２４を介在させた場合について説明したが、絶縁シート２４は、図１９に示すように、第１熱伝導板２２の第２部分２２ｂとベース部材２０の主面２０ｘとの間に介在させてもよい。
なお、本発明の第１乃至第５の実施形態に係る電力変換装置では、半導体装置に搭載されるスイッチング素子としてＩＧＢＴに着目して説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばスイッチング素子としてＭＩＳ型電界効果トランジスタが搭載された半導体装置を有する電力変換装置にも適用することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を、上述の第１乃至第５の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上述の第１乃至第５の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
以上のように、本発明に係る電力変換装置及びそれを備えた電動モータは、低インダクタンス化を図ることができ、スイッチング素子が搭載された半導体装置及びコンデンサ部品を含むインバータ回路を有する電力変換装置及びそれを備えた電動モータに有用である。
１…電動機、ケース…２、３…電動モータ部、４…出力軸、５…オーリング
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ…電力変換装置
１１…インバータ回路、１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ…電力変換部（レグ）、
１３…ゲート駆動回路、１４…制御回路、１５トランジスタ素子、１６ダイオード素子、１９Ｐ…正極ライン、１９Ｎ…負極ライン
２０…ベース部材、２０ａ…溝、２０ｂ…凸状フィン、２０ｘ…主面、２０ｙ…裏面
２１…固定板、２２…第１熱伝導板、２２…第２熱伝導板、２２ａ，２３ａ…第１部分、２２ｂ，２３ｂ…第２部分、２４…絶縁シート、２５…支柱、２６…半田材、２７，２８，２９…ネジ部材
３０ｕ１，３０ｖ１，３０ｗ１…第１半導体装置
３０ｕ２，３０ｖ２，３０ｗ２…第２半導体装置
３１ｕ１，３１ｖ２，３１ｗ１…第１半導体装置
３１ｕ２，３１ｖ２，３１ｗ２…第２半導体装置
３３，３４…半導体チップ、３３ａ，３３ｂ，３４ａ…主面電極、３３ｃ，３４ｃ…裏面電極
３５…放熱板、３５ａ…素子搭載面、３５ｂ…放熱面、３５ｃ…ネジ用貫通孔、
３６ａ…第１主端子、３６ｂ…第２主端子、３６ｃ…制御端子、３７…ボンディングワイヤ、３８…封止体、３８ｃ…ネジ用貫通孔
４１ｕ１，４１ｖ１，４１ｗ１…第１ダイオード部品
４１ｕ２，４１ｖ２，４１ｗ２…第２ダイオード部品
４２ｕ１，４２ｖ１，４２ｗ１…第１ダイオード部品
４２ｕ２，４２ｖ２，４２ｗ２…第２ダイオード部品
４３ｕ１，４３ｖ１，４３ｗ１…第１ダイオード部品
４３ｕ２，４３ｖ２，４３ｗ２…第２ダイオード部品
４４…半導体チップ、４４ａ…主面電極、４４ｃ…裏面電極
４５…放熱板、４５ａ…素子搭載面、４５ｂ…放熱面、４５ｃ…ネジ用貫通孔、
４６ａ…アノード端子、４６ｂカソード端子、４７…ボンディングワイヤ、４８…封止体、４８ｃ…ネジ用貫通孔
５０…配線基板
５９Ｐ…第１主電源配線、５９Ｎ…第２主電源配線
５１ｕ，５１ｖ，５１ｗ…第１配線
５１ｕ１，５１ｖ１，５１ｗ１…スルーホール電極部
５１ｕｐ，５１ｖｐ，５１ｗｐ…電極パッド部
５２ｕ，５２ｖ，５２ｗ…第２配線
５２ｕ１，５２ｖ１，５２ｗ１…スルーホール電極部
５２ｕｐ，５２ｖｐ，５２ｗｐ…電極パッド部
５３ｕ，５３ｖ，５３ｗ…第３配線
５３ｕ１，５３ｕ２，５３ｖ１，５３ｖ２，５３ｗ１，５３ｗ２…スルーホール電極部
５４ｕ，５４ｕ，５４ｕ…第４配線
５４ｕ１，５４ｖ１，５４ｗ１…スルーホール電極部
５５ｕ，５５ｖ，５５ｗ…第５配線
５４ｕ１，５４ｖ１，５４ｗ１…電極パッド部
６０，７０，８０，９０…配線基板
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ部品

Claims (24)

  1. 第１基準電圧が印加される第１主電源配線、及び前記第１基準電圧よりも電位が低い第２基準電圧が印加される第２主電源配線を有する配線基板と、
    インバータ回路を構成する第１及び第２半導体装置及びコンデンサ部品と、
    を備え、
    前記第１及び第２半導体装置の各々は、制御端子と、第１及び第２主端子と、前記制御端子に入力される制御信号により前記第１及び第２主端子間の電気的接続をオン・オフするスイッチング素子とを有し、
    前記コンデンサ部品は前記第１主電源配線と前記第２主電源配線との間に接続され、
    前記第１半導体装置の第２主端子は、前記第１主電源配線と前記コンデンサ部品との間に接続され、
    前記第２半導体装置の第１主端子は、前記第２主電源配線と前記コンデンサ部品との間に接続され、
    前記第１及び第２半導体装置は、互いに対向して前記配線基板に実装され、
    前記コンデンサ部品は、前記配線基板の前記第１及び第２半導体装置間の領域に実装されていることを特徴とする電力変換装置。
  2. 請求項１に記載の電力変換装置において、
    前記第１及び第２半導体装置の各々は、前記スイッチング素子に並列に接続されたダイオード素子を有することを特徴とする電力変換装置。
  3. 請求項２に記載の電力変換装置において、
    前記第１半導体装置の第２主端子及び前記第２半導体装置の第１主端子は、互いに対向して配置され、
    前記コンデンサ部品は、前記第１半導体装置の第２主端子と前記第２半導体装置の第１主端子との間に配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  4. 請求項３に記載の電力変換装置において、
    前記第１半導体装置の第１主端子及び前記第２半導体装置の第２主端子は、互いに対向して接続されていることを特徴とする電力変換装置。
  5. 請求項１に記載の電力変換装置において、
    カソード端子と、並列に接続された第１及び第２アノード端子とを有する第１及び第２ダイオード部品を更に備え、
    前記第１及び第２ダイオード部品は、前記第１及び第２半導体装置が対向する対向方向において前記第１及び第２半導体装置の内側であって前記コンデンサ部品の外側で互いに対向して前記配線基板に実装され、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子は、前記第１半導体装置の第２主端子と前記コンデンサ部品との間に接続され、
    前記第２ダイオード部品の第１及び第２アノード端子は、前記第２半導体装置の第１主端子と前記コンデンサ部品との間に接続され
    前記コンデンサ部品は、前記配線基板の前記第１及び第２ダイオード部品間の領域に実装されていることを特徴とする電力変換装置。
  6. 請求項５に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子及び前記第２ダイオード部品の第１アノード端子は、互いに対向して配置され、
    前記コンデンサ部品は、前記第１ダイオード部品のカソード端子と前記第２ダイオード部品の第１アノード端子との間に配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  7. 請求項６に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子は、前記第１半導体装置の第２主端子と対向して配置され、
    前記第２ダイオード部品の第２アノード端子は、前記第２半導体装置の第１主端子と対向して配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  8. 請求項７に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品の第１アノード端子及び前記第２ダイオード部品のカソード端子は、互いに対向して接続され、
    前記第１ダイオード部品の第２アノード端子及び前記第１半導体装置の第１主端子は、互いに対向して接続され、
    前記第２ダイオード部品のカソード端子及び前記第２半導体装置の第２主端子は、互いに対向して接続されていることを特徴とする電力変換装置。
  9. 請求項１に記載の電力変換装置において、
    アノード端子及びカソード端子を有する第１及び第２ダイオード部品を更に備え、
    前記第１及び第２ダイオード部品は、前記第１及び第２半導体装置の配列方向において前記第１及び第２半導体装置の外側で互いに対向して前記配線基板に実装され、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子は、前記第１主電源配線と前記第１半導体装置の第２主端子との間に接続され、
    前記第２ダイオード部品のアノード端子は、前記第２主電源配線と前記第２半導体装置の第１主端子との間に接続されていることを特徴とする電力変換装置。
  10. 請求項９に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子は、前記第１半導体装置の第２主端子と対向して配置され、
    前記第２ダイオード部品のアノード端子は、前記第２半導体装置の第１主端子と対向して配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  11. 請求項１０に記載の電力変換装置において、
    前記第１半導体装置の第１主端子及び前記第２半導体装置の第２主端子は、互いに対向して配置されていると共に互いに接続され、
    前記第１ダイオード部品のアノード端子及び前記第１半導体装置の第１主端子は、互いに対向して接続され、
    前記第２ダイオード部品のカソード端子及び前記第２半導体装置の第２主端子は、互いに対向して接続されていることを特徴とする電力変換装置。
  12. 請求項１に記載の電力変換装置において、
    カソード端子と、アノード端子とを有する第１及び第２ダイオード部品を更に備え、
    前記第１及び第２ダイオード部品は、前記第１及び第２半導体装置が対向する対向方向において前記第１及び第２半導体装置の内側であって前記コンデンサ部品の外側で互いに対向して前記配線基板に実装され、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子は、前記第１半導体装置の第２主端子と前記コンデンサ部品との間に接続され、
    前記第２ダイオード部品のアノード端子は、前記第２半導体装置の第１主端子と前記コンデンサ部品との間に接続され、
    前記コンデンサ部品は、前記配線基板の前記第１及び第２ダイオード部品間の領域に実装されていることを特徴とする電力変換装置。
  13. 請求項１２に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子及び前記第２ダイオード部品のアノード端子は、互いに対向して配置され、
    前記コンデンサ部品は、前記第１ダイオード部品のカソード端子と前記第２ダイオード部品のアノード端子との間に配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  14. 請求項１３に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子は、前記第１半導体装置の制御端子と対向して配置され、
    前記第２ダイオード部品のアノード端子は、前記第２半導体装置の第１主端子と対向して配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  15. 請求項１４に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品のアノード端子及び前記第２ダイオード部品のカソード端子は、互いに対向して接続され、
    前記第１ダイオード部品のアノード端子及び前記第１半導体装置の第１主端子は、互いに対向して接続され、
    前記第２ダイオード部品のカソード端子は、前記第２半導体装置の制御端子と対向していると共に、前記第２半導体装置の第２主端子に接続されていることを特徴とする電力変換装置。
  16. 請求項１に記載の電力変換装置において、
    第１及び第２ダイオード素子と、前記第１及び第２ダイオード素子の各々のカソードに接続されたカソード端子と、前記第１ダイオード素子のアノードに接続された第１アノード端子と、前記第２ダイオード素子のアノードに接続された第２アノード端子とを有する第１及び第２ダイオード部品を更に備え、
    前記第１及び第２ダイオード部品は、前記第１及び第２半導体装置が対向する対向方向において前記第１及び第２半導体装置の内側であって前記コンデンサ部品の外側で互いに対向して前記配線基板に実装され、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子は、前記第１半導体装置の第２主端子と前記コンデンサ部品との間に接続され、
    前記第２ダイオード部品の第１アノード端子は、前記第２主電源配線と前記コンデンサ部品との間に接続され、
    前記コンデンサ部品は、前記配線基板の前記第１及び第２ダイオード部品間の領域に実装されていることを特徴とする電力変換装置。
  17. 請求項１６に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子及び前記第２ダイオード部品の第１アノード端子は、互いに対向して配置され、
    前記コンデンサ部品は、前記第１ダイオード部品のカソード端子と前記第２ダイオード部品の第１アノード端子との間に配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  18. 請求項１７に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品のカソード端子は、前記第１半導体装置の第２主端子と対向して配置され、
    前記第２ダイオード部品の第１アノード端子は、前記第２半導体装置の制御端子と対向して配置されていることを特徴とする電力変換装置。
  19. 請求項１８に記載の電力変換装置において、
    前記第１ダイオード部品の第１アノード端子及び前記第２ダイオード部品のカソード端子は、互いに対向して接続され、
    前記第１ダイオード部品の第２アノード端子及び前記第１半導体装置の第１主端子は、互いに対向して接続され、
    前記第１ダイオード部品の第１アノード端子は、第１半導体装置の制御端子と対向して配置されていると共に、前記第１ダイオード部品の第２アノード端子及び前記第１半導体装置の第１主端子の各々に接続され、
    第２ダイオード部品のカソード端子は、第２半導体装置の第２主端子と対向して接続され、
    前記第２ダイオード部品の第２アノード端子は、前記第２半導体装置の第１主端子と互いに対向して接続されていると共に、第２ダイオード部品の第１アノード端子及び前記第２主電源配線に接続されていることを特徴とする電力変換装置。
  20. 請求項２に記載の電力変換装置において、
    ベース部材と、前記ベース部材に固定された第１及び第２熱伝導板とを更に備え、
    前記第１及び第２半導体装置の各々は、前記第２主端子と電気的に接続され、かつ素子搭載面に前記スイッチング素子及び前記ダイオード素子が搭載された放熱板と、前記放熱板の素子搭載面とは異なる放熱面が露出するようにして前記スイッチング素子、前記ダイオード素子及び前記放熱板を封止した封止体とを更に有し、
    前記第１半導体装置は、前記放熱板の放熱面が前記第１熱伝導板と連結されるようにして前記第１熱伝導板に固定され、
    前記第２半導体装置は、前記放熱板の放熱面が前記第２熱伝導板と連結されるようにして前記第２熱伝導板に固定され、
    前記第１及び第２半導体装置の各々の前記放熱板は、前記第１及び第２熱伝導板から電気的に絶縁分離されていることを特徴とする電力変換装置。
  21. 請求項２に記載の電力変換装置において、
    ベース部材と、前記ベース部材に固定された第１及び第２熱伝導板とを更に備え、
    前記第１及び第２半導体装置の各々は、前記第２主端子と電気的に接続され、かつ素子搭載面に前記スイッチング素子及び前記ダイオード素子が搭載された放熱板と、前記放熱板の前記素子搭載面とは異なる放熱面が露出するようにして前記スイッチング素子、前記ダイオード素子及び前記放熱板を封止した封止体とを更に有し、
    前記第１半導体装置は、前記放熱板の放熱面が前記第１熱伝導板と連結されるようにして前記第１熱伝導板に固定され、
    前記第２半導体装置は、前記放熱板の放熱面が前記第２熱伝導板と連結されるようにして前記第２熱伝導板に固定され、
    前記第１及び第２熱伝導板の各々は、前記ベース部材から電気的に絶縁分離されていることを特徴とする電力変換装置。
  22. 請求項５、請求項９、請求項１２、請求項１６のうち何れか１項に記載の電力変換装置において、
    ベース部材と、前記ベース部材に固定された第１及び第２熱伝導板とを更に備え、
    前記第１及び第２半導体装置の各々は、前記第２主端子と電気的に接続され、かつ素子搭載面に前記スイッチング素子が搭載された放熱板と、前記放熱板の素子搭載面とは異なる放熱面が露出するようにして前記スイッチング素子及び前記放熱板を封止した封止体とを更に有し、
    前記第１及び第２ダイオード部品の各々は、前記アノード端子及び前記カソード端子に電気的に接続されたダイオード素子と、前記カソード端子と電気的に接続され、かつ素子搭載面に前記ダイオード素子が搭載された放熱板と、前記放熱板の素子搭載面とは異なる放熱面が露出するようにして前記ダイオード素子及び前記放熱板を封止した封止体とを更に有し、
    前記第１半導体装置及び前記第１ダイオード部品は、各々の前記放熱板の放熱面が前記第１熱伝導板と連結されるようにして前記第１熱伝導板に固定され、
    前記第２半導体装置及び前記第２ダイオード部品は、各々の前記放熱板の放熱面が前記第２熱伝導板と連結されるようにして前記第２熱伝導板に固定され、
    前記第１半導体装置及び前記第１ダイオード部品の各々の前記放熱板は、前記第１熱伝導板から電気的に絶縁分離され、
    前記第２半導体装置及び前記第２ダイオード部品の各々の前記放熱板は、前記第２熱伝導板から電気的に絶縁分離されていることを特徴とする電力変換装置。
  23. 請求項５、請求項９、請求項１２、請求項１６のうち何れか１項に記載の電力変換装置において、
    ベース部材と、前記ベース部材に固定された第１及び第２熱伝導板とを更に備え、
    前記第１及び第２半導体装置の各々は、前記第２主端子と電気的に接続され、かつ素子搭載面に前記スイッチング素子が搭載された放熱板と、前記放熱板の素子搭載面とは異なる放熱面が露出するようにして前記スイッチング素子及び前記放熱板を封止した封止体とを更に有し、
    前記第１及び第２ダイオード部品の各々は、前記アノード端子及び前記カソード端子に電気的に接続されたダイオード素子と、前記カソード端子と電気的に接続され、かつ素子搭載面に前記ダイオード素子が搭載された放熱板と、前記放熱板の素子搭載面とは異なる放熱面が露出するようにして前記ダイオード素子及び前記放熱板を封止した封止体とを更に有し、
    前記第１半導体装置及び前記第１ダイオード部品は、各々の前記放熱板の放熱面が前記第１熱伝導板と連結されるようにして前記第１熱伝導板に固定され、
    前記第２半導体装置及び前記第２ダイオード部品は、各々の前記放熱板の放熱面が前記第２熱伝導板と連結されるようにして前記第２熱伝導板に固定され、
    前記第１及び第２熱伝導板の各々は、前記ベース部材から電気的に絶縁分離されていることを特徴とする電力変換装置。
  24. 請求項１乃至請求項２３の何れか１項に記載の電力変換装置を備えていることを特徴とする電動モータ。
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