JP5963912B1 - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
Es=−L(di/dt)・・・・・・(1)
Es:サージ電圧
L:インダクタンス
i:定常電流
t:時間
なお、各図間において、同一符号は同一あるいは相当部分を示す。
図1〜図3に基づいて実施の形態1における半導体モジュール説明する。
図1は、この発明の実施の形態1による半導体モジュールを示す平面図、図2は、図1の半導体モジュールを示す斜視図、図3は、図1の半導体モジュールを示す分解斜視図である。なお、図1の丸枠Aは金属回路基板8(8a、8b)と、金属パターン13と、絶縁層14との構成部分を示す拡大図である。
また、コンデンサ3は、金属回路板6aに直接実装せずに、リード4aを介し、金属回路板6aから離れた位置に実装する。
また、前記のように線膨張係数差がある部材同士で完全に接合すると、半導体素子1a、1bの発熱により、上アーム金属回路板6a、下アーム金属回路板6bと、セラミック基板5との接合端部12からクラック(空気層)が入ることがある。
その改良例である1変形例について説明する。
図示していないがこの変形例は、金属回路基板8(8a、8b)に代る代替部材として、上アーム金属回路板6aと下アーム金属回路板6bの上面部において、半導体素子の接合箇所以外の領域に絶縁層を設け更にこの絶縁層上面に金属パターンを接合して、金属回路基板8と同様の構成にしたものである。
このような構成とすることで、金属回路基板8(8a、8b)を採用する場合に比べ、部品点数を減らせるという更なる効果が生じる。
例えば、封止はトランスファーモールド法で成形した樹脂で封止しても良い。
図4〜図6に基づいて実施の形態2における半導体モジュール説明する。
図4は、この発明の実施の形態2における半導体モジュールを示す平面図、図5は、斜視図、図6は、分解斜視図である。なお、半導体モジュールは、具体例を挙げると、車載用半導体モジュール、インバーター用半導体モジュール又は車載インバーター用半導体モジュールである。
また、前記のように線膨張係数差がある部材同士で完全に接合すると、半導体素子1a、1bの発熱により、上アーム金属回路板6a及び下アーム金属回路板6bとセラミック基板5の接合端部12からクラックが入ることがある。
5:セラミック基板、 6a:上アーム金属回路板、 6b:下アーム金属回路板、
7:放熱用金属板、 8a:上アーム側の金属回路基板、
8b:下アーム側の金属回路基板、 9:交流(OUT)側の接続用金属回路基板、
10:冷却器、 11:樹脂部材、 12:接合端部、 13:金属パターン、
14:絶縁層
Claims (9)
- 上アームと下アームを有するセラミック基板と、このセラミック基板に接合された上アーム金属回路板と、この上アーム金属回路板に前記上アーム側の半導体素子を電気的に接合した上アーム回路と、前記セラミック基板に接合された下アーム金属回路板と、この下アーム金属回路板に前記下アーム側の半導体素子を電気的に接合した下アーム回路とによって構成され、前記上アーム回路と前記下アーム回路の交流側を電気的に接続した半導体モジュールであって、
前記上アーム金属回路板と前記下アーム金属回路板のそれぞれの上面部において、前記半導体素子の接合箇所以外の領域に設けられた絶縁層と、この絶縁層の上面に設けられた金属パターンと、この金属パターンの上面に配置されサージを吸収するコンデンサ又は抵抗の少なくともいずれか一方の部品で構成された電子部品とを有し、前記電子部品は、前記上アーム側の半導体素子と前記下アーム側の半導体素子間に並列接続されると共に、この電子部品及び前記半導体素子の少なくとも一部は封止部材で封止されていることを特徴とする半導体モジュール。 - 前記電子部品は、前記上アームに配置した金属パターンと、前記下アームに配置した金属パターン間に、リードを介し電気的に接合状態にされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
- 前記半導体素子は、各金属回路板と前記セラミック基板の接合端部から離れた領域に配置され、前記電子部品は、前記接合端部に近い領域に配置されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体モジュール。
- 前記封止部材による封止部は、ゲル状の充填剤で構成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記セラミック基板において、当該セラミック基板と各金属回路板との接合面の反対面には、放熱用金属板が接合され、この放熱用金属板の反対面に冷却器が接合されていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記セラミック基板において、当該セラミック基板と各金属回路板との接合面の反対面に、冷却器が直接接合されていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記半導体素子は、SiC半導体素子で構成されていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記半導体モジュールは、車載用半導体モジュールであることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
- 前記半導体モジュールは、インバーター用半導体モジュールであることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
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