WO2012070464A1 - 磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材 - Google Patents

磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材 Download PDF

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長谷川　浩之
慶明 松原
悠子 清水
澤田　俊之
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山陽特殊製鋼株式会社
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    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering

Definitions

  • the present invention relates to an alloy for a seed layer of a Ni—Fe—Co magnetic recording medium used as a seed layer in a perpendicular magnetic recording medium and a sputtering target material.
  • the perpendicular magnetic recording method is a method suitable for high recording density, in which the easy axis of magnetization is oriented perpendicularly to the medium surface in the magnetic film of the perpendicular magnetic recording medium. .
  • a recording medium having a magnetic recording film layer and a soft magnetic film layer with an increased recording density has been developed.
  • a seed is interposed between the soft magnetic layer and the magnetic recording layer.
  • a recording medium on which a layer or an underlayer is formed has been developed.
  • a seed layer for the perpendicular magnetic recording system as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-155722 (Patent Document 1), a Ni—W alloy has been proposed.
  • Ni—W alloy described in Patent Document 1 is a non-magnetic element group IVa (Ti, Zr, Hf), group Va (V, Nb, Ta), VIa without adding a magnetic group VIII.
  • the seed layer itself has a single fcc structure and a plane parallel to the medium surface is oriented in the (111) plane.
  • the crystal grain size of the magnetic film it is necessary to make the crystal grain size of the magnetic film as small as possible.
  • it is desirable that the crystal grain size is smaller than the crystal grain size of the seed layer.
  • the seed layer alloy described in Patent Document 1 is non-magnetic and cannot be said to be suitable as a seed layer alloy having magnetism. Therefore, as described above, there has been a demand for the development of a seed layer alloy having the characteristics required for a seed layer alloy and having magnetism.
  • the soft magnetic layer is required to be amorphous to reduce noise, but the seed layer has an effect of controlling the orientation of the layer formed on the seed layer. It is required and has high crystallinity as opposed to amorphous which is amorphous.
  • the present inventors have recently added magnetic properties to the seed layer by adding Fe or Co, which is a group VIII element having magnetism, and lowering the coercive force in the (111) plane direction, thereby reducing the magnetic permeability. was found to be higher.
  • an object of the present invention is to provide an alloy for a seed layer of a magnetic recording medium that can provide a Ni-based intermediate layer on a soft magnetic underlayer (SUL) with magnetism and increase magnetic permeability. It is in providing the sputtering target material which uses it.
  • SUL soft magnetic underlayer
  • an alloy for a seed layer of a magnetic recording medium 1 to 2 or more M1 elements selected from the group consisting of W, Mo, Ta, Cr, V and Nb, 2 to 20 at% of the alloy,
  • M1 elements selected from the group consisting of W, Mo, Ta, Cr, V and Nb
  • M2 elements selected from the group consisting of Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Zr, Ti, Hf, B, Cu, P, C, and Ru are added to 0 to 10 at%
  • an alloy for a seed layer of a magnetic recording medium 1 to 2 or more M1 elements selected from the group consisting of W, Mo, Ta, Cr, V and Nb, 2 to 20 at% of the alloy,
  • M1 elements selected from the group consisting of W, Mo, Ta, Cr, V and Nb
  • M2 elements selected from the group consisting of Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Zr, Ti, Hf, B, Cu, P, C, and Ru are added to 0 to 10 at%
  • a sputtering target material composed of the above alloy is provided.
  • a magnetic recording medium provided with a seed layer composed of the above alloy is provided.
  • the alloy for the seed layer of the magnetic recording medium according to the present invention comprises one or more M1 elements selected from the group consisting of W, Mo, Ta, Cr, V and Nb, 2 to 20 at% of the alloy, Al , Ga, In, Si, Ge, Sn, Zr, Ti, Hf, B, Cu, P, C, and Ru. ,
  • the Ni at ratio ⁇ is 98 (more precisely, 98.5) to 20, Preferably, it is 98 (more precisely, 98.5) to 60.
  • ⁇ exceeds 98.5, ⁇ + ⁇ is less than 1.5 and the coercive force is increased, and even when ⁇ is less than 20, the coercive force is increased as described above.
  • Fe is an element that reduces the coercive force and also improves the orientation of the film.
  • the content is preferably 2 to 50%, more preferably 10 to 40%.
  • ⁇ exceeds 50 the coercive force increases.
  • Co is an element that reduces the coercive force in the (111) direction.
  • ⁇ exceeds 60 the coercive force increases.
  • the alloy according to the present invention contains 2 to 20 at%, preferably 5 to 15%, of M1 element which is one or more selected from the group consisting of W, Mo, Ta, Cr, V and Nb.
  • M1 element is a bcc metal having a high melting point, and its mechanism is not clear by adding it to an alloy system that is fcc within the component range defined in the present invention, but it is required for the seed layer (111). It is an element that improves the orientation to the surface and refines the crystal grains. However, if the amount of M1 element is less than 2%, the effect is not sufficient, and if it exceeds 20%, the compound precipitates or becomes amorphous. Since the alloy for the seed layer is required to be an fcc single phase, the range of the M1 element amount is set as described above.
  • W and Mo are highly effective for the orientation of the (111) plane
  • Mo and W are advantageous because they have a higher melting point than Cr and are a combination of Ni and a high melting point bcc metal.
  • the addition of Ta, V, or Nb also acts to enhance the amorphous property as compared with W and Mo, and is disadvantageous for the fcc phase formation required for the seed layer.
  • Cr is added desirably exceeding 5%, it is advantageous in terms of orientation.
  • the alloy according to the present invention includes one or more selected from the group consisting of Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Zr, Ti, Hf, B, Cu, P, C, and Ru as optional elements.
  • M2 element is contained in an amount of 0 to 10 at%, preferably 1 to 10%, more preferably 5% of the alloy. This M2 element is an element that orients the (111) plane and is an element that refines the crystal grains. However, if the amount of M2 element exceeds 10%, a compound is formed or becomes amorphous.
  • the total amount of M1 + M2 is preferably 25 at% or less, more preferably 20 at% or less.
  • a seed layer in a perpendicular magnetic recording medium can be formed on a glass substrate by sputtering a sputtering target material having the same component as that of the seed layer.
  • the thin film formed by sputtering is rapidly cooled.
  • a quenched ribbon manufactured by a single roll type quenching apparatus is used as a test material in the present invention. This is a simple evaluation of the influence of the components on various properties of a thin film formed by quenching by sputtering in a simple manner using a liquid quenching ribbon.
  • the hot water was discharged at a rotation speed of 3000 rpm and a gap of 0.3 mm between the copper roll and the hot water nozzle.
  • the hot water temperature was set immediately after each molten base material was melted.
  • the following items were evaluated using the thus prepared quenched ribbon as a test material.
  • the saturation magnetic flux density of the quenched ribbon was measured with an applied magnetic field of 1200 kA / m in a VSM apparatus (vibrating sample magnetometer).
  • the weight of the test material was about 15 mg, and 0.2 T or more was evaluated as O, and less than 0.2 T was evaluated as X.
  • the seed layer formed by (111) plane orientation evaluation sputtering has an fcc structure.
  • the seed layer is rapidly cooled to orient (200).
  • the X-ray diffraction intensity of the (111) plane and the (200) plane will be higher for I (200) than for I (111). Therefore, the orientation of the (111) plane of the quenched ribbon was evaluated by the following method.
  • the test material was attached to a glass plate with a double-sided tape, and a diffraction pattern was obtained with an X-ray diffractometer. At this time, the test material was affixed so that a measurement surface might become a copper roll contact surface of a rapidly cooled ribbon.
  • the X-ray source was Cu- ⁇ ray and the scan speed was 4 ° / min.
  • I (111) / I (200) which is the intensity ratio between the intensity I (111) of the X-ray diffracted by the (111) plane of this diffraction pattern and the intensity I (200) of the (200) plane, is 0.7. Those with less than were marked with x, and those with 0.7 or more were marked with ⁇ . Moreover, what produced a compound and what made it amorphous were set to x.
  • the crystal grain size of the quenched ribbon was measured according to JIS G0551 “Microscopic test method for steel and crystal grain size”.
  • P / Lt is 1.0 or more, ⁇ , 0.5 or more, less than 1.0 is ⁇ , and less than 0.5 is ⁇ .
  • No. 1 is W at 2 at%, so (Ni2Fe) is 100% -2% and 98 at%, and when 98% is 1, Ni is (100-2) and Fe is a ratio of 2. . Further, since Co is not included, the ratio corresponds to zero. Similarly, no. If it is 50, W and In total 7 at%, so (Ni50Fe) is 93% at 100% -7%, and when 93 at% is 1, Ni is 100-50 and Fe is 50 In other words, since Ni and Fe have the same ratio in terms of at ratio, this means that they are 46.5 at%, which is half of 93 at%.
  • Comparative Example No. No. 108 is inferior in all properties because of its high Mo content. Comparative Example No. Since No. 109 has a low Ta content, the coercive force is high, and the orientation and crystal grain size are inferior. Comparative Example No. No. 110 is inferior in all properties because of the high Ta content. Comparative Example No. 111 has a low coercive force due to a low content of V, and is inferior in orientation and crystal grain size. Comparative Example No. No. 112 is inferior in all characteristics because of high V content. Comparative Example No. Since No. 113 has a low Nb content, the coercive force is high, and the orientation and crystal grain size are inferior.
  • Comparative Example No. No. 114 is inferior in all properties because of the high Nb content. Comparative Example No. No. 115 is inferior in configuration and crystal grain size because of high Ca content. Comparative Example No. 116 is inferior in configuration and crystal grain size because of its high In content. Comparative Example No. 117 is inferior in configuration and crystal grain size because of high Si content. Comparative Example No. No. 118 is inferior in configuration and crystal grain size because of the high Ge content. Comparative Example No. 119 is inferior in configuration and crystal grain size because of the high Ti content.
  • Comparative Example No. No. 120 is inferior in configuration and crystal grain size because of high Hf content.
  • Comparative Example No. No. 121 is inferior in configuration and crystal grain size because of high Cu content.
  • Comparative Example No. No. 124 is inferior in configuration and crystal grain size because of the high Ru content.
  • Comparative Example No. in Table 8 189 is inferior in coercive force due to the low content of Fe + Co. Comparative Example No. Since 190 has a low content of Fe + Co, the coercive force is inferior. No. Since 191 has a low content of Fe + Co, the coercive force is inferior. No. Since 192 has a low content of Fe + Co, the coercive force is inferior. No. Since 193 has a low content of Fe + Co, the coercive force is inferior. No. Although 194 is within the conditions of the present invention, since the Cr addition amount does not exceed 4.9 and 5, the characteristics are slightly inferior. Therefore, it was taken as a reference example.
  • the Ni—Fe—Co—M alloy by restricting to a certain content, by restricting to this region, it has magnetism and increases the magnetic permeability in the (111) direction.
  • magnetism by providing magnetism to the Ni-based seed layer, there is an excellent effect that the distance between the magnetic head and the soft magnetic underlayer can be shortened.
  • the melted raw materials weighed in the component composition shown in 193 were induction-heated and melted in a refractory crucible in a reduced pressure Ar gas atmosphere, and then discharged from a nozzle with a diameter of 8 mm at the bottom of the crucible and atomized with Ar gas.
  • This gas atomized powder was used as a raw material powder, filled into a carbon steel capsule having a diameter of 250 mm and a length of 100 mm, and vacuum deaerated and sealed.
  • the above powder filled bullets are designated as No. 1 in Table 1. 2, No. 10, no. 14, no. 18, no. 25, No. 3 in Table 3.
  • 79, no. 85, no. 89, no. No. 95 is a molding temperature of 1100 ° C., a molding pressure of 147 MPa, a molding time of 3 hours, No. 5 in Table 5.
  • Comparative Example No. 190, Comparative Example No. 193 was HIP molded under conditions of a molding temperature of 950 ° C., a molding pressure of 147 MPa, and a molding time of 5 hours.
  • This HIP body was processed into a disk shape having a diameter of 180 mm and a thickness of 7 mm by wire cutting, lathe processing, and planar polishing to obtain a sputtering target material.
  • Sputtering films were formed on glass substrates using sputtering target materials for these 27 kinds of component compositions.
  • the X-ray diffraction pattern is shown in Example No. of the present invention. 2, No. 10, no. 14, no. 18, no. 25, no. 35, no. 38, no. 43, no. 51, no. 70, no. 79, no. 85, no. 89, no. 95, no. 128, no. 135, no. 144, no. 159, no. 170, no. 176, no. No. 186 shows good orientation in any case, and Comparative Example No. 102, no. 117, no. 118, no. No good orientation was observed in 122.
  • Example No. of the present invention shows good magnetic properties.
  • Comparative Example No. 190 Comparative Example No. In 193, good magnetic properties were not observed.
  • the X-ray diffraction pattern was also measured in the same manner as the quenched ribbon, and was the same as the results of evaluation with the quenched ribbon, ⁇ , ⁇ , and X. In summary, it was confirmed that the results of the evaluation with the quenched ribbon and the evaluation of the sputtered film formed using the sputtering target material had the same tendency.

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Abstract

　軟磁性下地膜（ＳＵＬ）の上にあるＮｉ系中間層に磁性を持たせ、かつ、透磁率を高くすることを可能とした磁気記録媒体のシード層用合金が提供される。この合金は、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，ＶおよびＮｂからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ１元素を合金の２～２０ａｔ％、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，ＣおよびＲｕからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ２元素を合金の０～１０ａｔ％、残部としてＮｉ、ＦｅおよびＣｏの少なくとも２種を含有する。Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏの量は、Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏの総量に対するａｔ％で、（ｉ）Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８～２０：０～５０：０～６０およびＦｅ＋Ｃｏ≧１．５の比率とするか、または（ｉｉ）Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８～２０：２～５０：０～６０の比率とする。

Description

磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材 関連出願の相互参照
　この出願は、２０１０年１１月２２日に出願された日本国特許出願２０１０－２５９７１３号および２０１１年４月２１日に出願された日本国特許出願２０１１－９４５９４号に基づく優先権を主張するものであり、それらの全体の開示内容が参照により本明細書に組み込まれる。
　本発明は、垂直磁気記録媒体におけるシード層として用いるＮｉ－Ｆｅ－Ｃｏ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材に関するものである。
　近年、垂直磁気記録の進歩は著しく、ドライブの大容量化のために、磁気記録媒体の高記録密度化が進められている。例えば、従来普及していた面内磁気記録媒体により、さらに高記録密度が実現できる、垂直磁気記録方式が実用化されている。ここで、垂直磁気記録方式とは、垂直磁気記録媒体の磁性膜中の媒体面に対して磁化容易軸が垂直方向に配向するように形成したものであり、高記録密度に適した方法である。
　垂直磁気記録方式においては、記録密度を高めた磁気記録膜層と軟磁性膜層とを有する記録媒体が開発されており、このような媒体構造では、軟磁性層と磁気記録層の間にシード層や下地膜層が製膜された記録媒体が開発されている。垂直磁気記録方式用のシード層には、例えば特開２００９－１５５７２２号公報（特許文献１）に開示されているように、Ｎｉ－Ｗ系の合金が提案されている。
　この特許文献１に記載のＮｉ－Ｗ系合金は、磁性を有するＶＩＩＩ族を添加せずに、非磁性元素のＩＶａ族（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ）、Ｖａ族（Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ），ＶＩａ族（Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ）、ＶＩＩａ族（Ｍｎ，Ｔｃ，Ｒｅ）、ＩＩＩｂ族（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ）、ＩＶｂ族（Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ）を添加しており、結果的に非磁性となっていた。ここでシード層に求められる特性の一つは、その名が示すように、シード層の上に形成される層の配向性を制御し、磁気情報を記録する磁性膜の磁化容易軸が媒体面に対して垂直に配向させる為に、シード層自身は単独のｆｃｃ構造を有すると共に、媒体面と平行な面が（１１１）面に配向する事である。また、記録密度を向上させる為に磁性膜の結晶粒度を出来るだけ小さくさせる必要があり、その為にはシード層の結晶粒度よりも小さい方が望ましい。
　一方、近年、ハードディスクドライブの磁気記録特性を改善する一つの手法として、シード層に磁性を持たせる方法が検討されるようになってきた。しかし、上述したように、特許文献１に記載のシード層用合金は非磁性であり、磁性を持たせるシード層用合金として適当とは言えない。そのため上述のようにシード層用合金として求められる特性を備えると共に、磁性を有するシード層用合金の開発が求められていた。なお、軟磁性層とシード層の大きな違いとして、軟磁性層ではノイズ低減のためにアモルファスであることが求められるが、シード層ではシード層の上に形成される層の配向を制御する作用が要求されており、非晶質であるアモルファスとは反対に高い結晶性を有することが求められる。
　本発明者らは、今般、磁性を有するＶＩＩＩ族の元素であるＦｅやＣｏを添加することでシード層に磁性を持たせ、かつ、（１１１）面方向の保磁力を低下させることで透磁率が高くなることを知見した。
　したがって、本発明の目的は、軟磁性下地膜（ＳＵＬ）の上にあるＮｉ系中間層に磁性を持たせ、かつ、透磁率を高くすることを可能とした磁気記録媒体のシード層用合金およびそれを使用したスパッタリングターゲット材を提供することにある。
　本発明の一態様によれば、磁気記録媒体のシード層用合金であって、
　Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，ＶおよびＮｂからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ１元素を前記合金の２～２０ａｔ％、
　Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，ＣおよびＲｕからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ２元素を前記合金の０～１０ａｔ％
　残部としてＮｉ、ＦｅおよびＣｏを、Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏの総量に対するａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８～２０：０～５０：０～６０およびＦｅ＋Ｃｏ≧１．５の比率で
含有する合金が提供される。
　本発明の他の一態様によれば、磁気記録媒体のシード層用合金であって、
　Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，ＶおよびＮｂからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ１元素を前記合金の２～２０ａｔ％、
　Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，ＣおよびＲｕからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ２元素を前記合金の０～１０ａｔ％
　残部としてＮｉ、ＦｅおよびＣｏを、Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏの総量に対するａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８～２０：２～５０：０～６０の比率で
含有する合金が提供される。
　本発明の他の一態様によれば、上記合金で構成されるスパッタリングターゲット材が提供される。
　本発明の他の一態様によれば、上記合金で構成されるシード層を備えた磁気記録媒体が提供される。
　以下に本発明を具体的に説明する。特段の明示が無いかぎり、本明細書において「％」はａｔ％を意味するものとする。
　本発明による磁気記録媒体のシード層用合金は、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，ＶおよびＮｂからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ１元素を合金の２～２０ａｔ％、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，ＣおよびＲｕからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ２元素を合金の０～１０ａｔ％、残部としてＮｉ、ＦｅおよびＣｏの少なくとも２種を含有し（comprising）、好ましくはこれらの元素および不可避不純物から実質的になり（consisting essentially of）、より好ましくはこれらの元素および不可避不純物のみからなる（consisting of）。ただし、Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏの各量は、Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏの総量に対するａｔ％で、（ｉ）Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８～２０：０～５０：０～６０およびＦｅ＋Ｃｏ≧１．５の比率とするか、または（ｉｉ）Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８～２０：２～５０：０～６０の比率とする。
　本発明による合金において、Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏの比率をＮｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝α：β：γと表した場合に、Ｎｉのａｔ比αを９８（より厳密には９８．５）～２０、好ましくは９８（より厳密には９８．５）～６０とする。αが９８．５を超えるとβ＋γが１．５未満となり保磁力が高くなり、αが２０未満であっても上記同様保磁力が高くなる。
　Ｆｅは、保磁力を低減する元素であり、かつ、膜の配向性を改善する元素でもあり、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝α：β：γとした場合に、Ｆｅのａｔ比βを０～５０、好ましくは２～５０％、より好ましくは１０～４０とする。βが５０を超えると保磁力が高くなる。
　Ｃｏは、（１１１）方向の保磁力を低減する元素であり、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝α：β：γとした場合に、Ｃｏのａｔ比γを０～６０、好ましくは４０以下とする。γが６０を超えると保磁力が高くなる。
　本発明による合金は、Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，ＶおよびＮｂからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ１元素を合金全体の２～２０ａｔ％、好ましくは５～１５％含有する。このＭ１元素は、高融点を持つｂｃｃ系金属であり、本発明で規定する成分範囲でｆｃｃである合金系に添加することにより、そのメカニズムは明確ではないが、シード層に求められる（１１１）面への配向性を改善させ、かつ結晶粒を微細化させる元素である。しかし、Ｍ１元素量が２％未満ではその効果が十分でなく、また、２０％を超えると化合物が析出するか、アモルファス化する。シード層用合金としてはｆｃｃ単相である事が求められることから、そのＭ１元素量の範囲を上記のとおりとした。
　中でも（１１１）面の配向に効果が高いのはＷおよびＭｏであるため、ＷおよびＭｏの１種または２種を添加するのが好ましく、Ｃｒ，Ｔａ，ＶおよびＮｂのいずれか１種または２種以上をこれに添加してもよい。その理由は、Ｎｉと高融点ｂｃｃ金属の組合せで、ＭｏやＷはＣｒに比べて融点が高く有利であるためである。また、Ｔａ，ＶやＮｂの添加は、ＷおよびＭｏに比べ、アモルファス性を高めることにも作用し、シード層に求められるｆｃｃ相形成に不利である。Ｃｒは望ましくは５％超えて添加した場合に配向性の点で有利となる。
　本発明による合金は、任意元素として、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，ＣおよびＲｕからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ２元素を合金の０～１０ａｔ％、好ましくは１～１０％、より好ましくは５％含有する。このＭ２元素は、（１１１）面を配向させる元素であり、また、結晶粒を微細化する元素である。しかし、Ｍ２元素量が１０％を超えると化合物が生じたり、アモルファス化する。また、Ｍ１＋Ｍ２の合計量は、２５ａｔ％以下とするのが好ましく、さらに好ましくは２０ａｔ％以下とする。
　以下、本発明について実施例によって具体的に説明する。
　通常、垂直磁気記録媒体におけるシード層はその成分と同じ成分のスパッタリングターゲット材をスパッタし、ガラス基板などの上に成膜し得られる。ここでスパッタにより成膜された薄膜は急冷されている。本発明での供試材としては、単ロール式の急冷装置にて作製した急冷薄帯を用いる。これは実際にスパッタにより急冷され成膜された薄膜の、成分による諸特性への影響を、簡易的に液体急冷薄帯により評価したものである。
　急冷薄帯の作製
　表１の成分に秤量した原料３０ｇを径１０ｍｍ、長さ４０ｍｍ程度の水冷銅鋳型にて減圧して、Ａｒ中でアーク溶解し、急冷薄帯の溶解母材とした。急冷薄帯の作製条件は、単ロール方式で径１５ｍｍの石英缶中にて、この溶解母材をセットし、出湯ノズル径を１ｍｍとし、雰囲気気圧６１ｋＰａ、噴霧差圧６９ｋＰａ、銅ロール（径３００ｍｍ）の回転数３０００ｒｐｍ、銅ロールと出湯ノズルのギャップ０．３ｍｍにて出湯した。出湯温度は各溶解母材の溶け落ち直後とした。このようにして作製した急冷薄帯を供試材とし、以下の項目を評価した。
　保磁力の評価
　振動試料型の保磁力メータにおいて、試料台に両面テープで急冷リボンを張り付け、初期印加磁場１４４ｋＡ／ｍにて急冷薄帯の保磁力を測定した。保磁力が３００Ａ／ｍ以下を○、３００Ａ／ｍを超え５００Ａ／ｍ以下を△、５００Ａ／ｍを超えるものを×とした。
　飽和磁束密度の評価
　ＶＳＭ装置（振動試料型磁力計）において印加磁場１２００ｋＡ／ｍで、急冷薄帯の飽和磁束密度を測定した。供試材の重量は１５ｍｇ程度で、０．２Ｔ以上を○、０．２Ｔ未満を×として評価した。
　（１１１）面配向性評価
　スパッタにより成膜されるシード層はｆｃｃ構造である。シード層は急冷することで（２００）が配向する。通常、ランダム配向すれば（１１１）面と（２００）面のＸ線回折強度がＩ（２００）がＩ（１１１）より高くなる。そこで、下記の方法にて急冷薄帯の（１１１）面の配向性を評価した。
　ガラス板に両面テープで供試材を貼り付け、Ｘ線回折装置にて回折パターンを得た。このとき、測定面は急冷薄帯の銅ロール接触面となるように供試材を貼り付けた。Ｘ線源はＣｕ－α線でスキャンスピード４°／ｍｉｎで測定した。この回折パターンの（１１１）面で回折したＸ線の強度Ｉ（１１１）と同じく（２００）面の強度Ｉ（２００）との強度比であるＩ（１１１）／Ｉ（２００）が０．７未満のものを×、０．７以上のものを○とした。また、化合物が生じるもの、アモルファス化したものについては×とした。
　結晶粒径の評価
　急冷薄帯の断面ミクロ組織像のロール方向にて、ＪＩＳ　Ｇ０５５１「鋼・結晶粒度の顕微鏡試験方法」に準じて急冷薄帯の結晶粒径を測定した。Ｐ／Ｌｔが１．０以上を○、０．５以上、１．０未満を△、０．５未満を×とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
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 　表１～８に示すように、Ｎｏ．１～９５、１２５～１８８は本発明例であり、Ｎｏ．９６～１２４および１８９～１９３は比較例であり、Ｎｏ．１９４は参考例である。
　なお、表１～８に示す成分組成に記載する、例えば、Ｎｏ．１は、Ｗが２ａｔ％であるので、（Ｎｉ２Ｆｅ）は１００％－２％で９８ａｔ％であり、この９８％を１としたとき、Ｎｉは（１００－２）、Ｆｅは２の比率である。また、Ｃｏは含んでいないのでその比率は０に相当する。同様に、Ｎｏ．５０であれば、ＷとＩｎで計７ａｔ％なので、（Ｎｉ５０Ｆｅ）は、１００％－７％で９３ａｔ％であり、この９３ａｔ％を１としたとき、Ｎｉは１００－５０、Ｆｅは５０の比、つまりＮｉとＦｅはａｔ比で同じ比率であることから、９３ａｔ％の半分ずつの４６．５ａｔ％ずつであることを意味するものである。
　比較例Ｎｏ．９６は、Ｎｉ単独であることから、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．９７は、Ｍ元素がないために、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．９８は、Ｆｅ含有量が高いために、保磁力が高くなる。比較例Ｎｏ．９９は、Ｗの含有量が低く、かつＡｌ含有量が高いために、保磁力がやや高くなり、かつ配向性が劣る。比較例Ｎｏ．１００は、Ｗ含有量が高いために、保磁力の測定困難であり、また、飽和磁束密度および配向性が劣る。
　比較例Ｎｏ．１０１，１０２は、Ｗの含有量が低く、かつＺｒおよびＢの含有量が高いために、配向性が劣る。比較例Ｎｏ．１０３は、Ｎｉの含有量が低く、Ｆｅの含有量が高いために、保磁力が高くなる。比較例Ｎｏ．１０４は、Ｎｉの含有量が低く、Ｆｅの含有量が高いために、保磁力が高くなる。比較例Ｎｏ．１０５は、Ｃｒの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１０６は、Ｃｒの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１０７は、Ｍｏの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。
　比較例Ｎｏ．１０８は、Ｍｏの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１０９は、Ｔａの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１１０は、Ｔａの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１１１は、Ｖの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。比較例Ｎｏ．１１２は、Ｖの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１１３は、Ｎｂの含有量が低いために、保磁力が高く、配向性および結晶粒径がそれぞれ劣る。
　比較例Ｎｏ．１１４は、Ｎｂの含有量が高いために、全ての特性が劣る。比較例Ｎｏ．１１５は、Ｃａの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１１６は、Ｉｎの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１１７は、Ｓｉの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１１８は、Ｇｅの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１１９は、Ｔｉの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。
　比較例Ｎｏ．１２０は、Ｈｆの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１２１は、Ｃｕの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１２２は、Ｐの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１２３は、Ｃの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。比較例Ｎｏ．１２４は、Ｒｕの含有量が高いために、配構成と結晶粒径が劣る。
　表８の比較例Ｎｏ．１８９は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。比較例Ｎｏ．１９０は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．１９１は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．１９２は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．１９３は、Ｆｅ＋Ｃｏの含有量が低いために、保磁力が劣る。Ｎｏ．１９４は、本発明条件内ではあるが、Ｃｒ添加量が４．９と５を超えていないため、特性がやや劣る。そのために参考例とした。
　以上のように、Ｎｉ－Ｆｅ－Ｃｏ－Ｍ合金において、一定の含有量に規制することにより、この領域に規制することで、磁性を有し、かつ、（１１１）方向の透磁率を高くなることを見出し、Ｎｉ系シード層に磁性を付与することにより、磁気ヘッドと軟磁性下地膜との距離を短くすることができるという優れた効果を奏するものである。
　スパッタリングターゲット材の製造および評価
　次に、スパッタリングターゲット材の製造方法の例を示す。表１の本発明例Ｎｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５および表２のＮｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．４３、表３のＮｏ．５１、Ｎｏ．７０、表４のＮｏ．７９、Ｎｏ．８５、Ｎｏ．８９、Ｎｏ．９５、表５のＮｏ．１０２、Ｎｏ．１１７、Ｎｏ．１１８、Ｎｏ１２２、表６のＮｏ．１２８、Ｎｏ．１３５、Ｎｏ．１４４、表７のＮｏ．１５９、Ｎｏ．１７０、Ｎｏ１７６、表８のＮｏ．１８８、比較例Ｎｏ．１９０、比較例Ｎｏ．１９３に示す成分組成のものを秤量した溶解原料を、減圧Ａｒガス雰囲気の耐火物坩堝内で誘導加熱溶解した後、坩堝下部の直径８ｍｍのノズルより出湯し、Ａｒガスによりアトマイズした。このガスアトマイズ粉末を原料粉末として、炭素鋼製の直径２５０ｍｍ、長さ１００ｍｍのカプセル内に充填、真空脱気封入した。
　上記粉末充填ブレットを、表１のＮｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５、表３のＮｏ．５１、Ｎｏ．７０、は成形温度１０００℃、成形圧力１４７ＭＰａ、成形時間１時間、表２のＮｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．４３、表４のＮｏ．７９、Ｎｏ．８５、Ｎｏ．８９、Ｎｏ．９５は成形温度１１００℃、成形圧力１４７ＭＰａ、成形時間３時間、表５のＮｏ．１０２、Ｎｏ．１１７、Ｎｏ．１１８、Ｎｏ．１２２、表６のＮｏ．１２８、Ｎｏ．１３５、Ｎｏ．１４４、表７のＮｏ．１５９、Ｎｏ．１７０、Ｎｏ１７６、表８のＮｏ．１８８、比較例Ｎｏ．１９０、比較例Ｎｏ．１９３は成形温度９５０℃、成形圧力１４７ＭＰａ、成形時間５時間の条件でＨＩＰ成形した。このＨＩＰ体を、ワイヤーカット、旋盤加工、平面研磨により、直径１８０ｍｍ、厚さ７ｍｍの円盤状に加工し、スパッタリングターゲット材とした。
　これら２７種類の成分組成についてスパッタリングターゲット材を用い、ガラス基板上にスパッタ膜を成膜した。Ｘ線回折パターンは、本発明例Ｎｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．４３、Ｎｏ．５１、Ｎｏ．７０、Ｎｏ．７９、Ｎｏ．８５、Ｎｏ．８９、Ｎｏ．９５、Ｎｏ．１２８、Ｎｏ．１３５、Ｎｏ．１４４、Ｎｏ．１５９、Ｎｏ．１７０、Ｎｏ．１７６、Ｎｏ．１８６、はいずれにおいても良好な配向性が見られ、比較例Ｎｏ．１０２、Ｎｏ．１１７、Ｎｏ．１１８、Ｎｏ．１２２、には良好な配向性がみられなかった。
　また、急冷薄帯と同様に磁気特性の測定を行ったところ、本発明例Ｎｏ．２、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１８、Ｎｏ．２５、Ｎｏ．３５、Ｎｏ．３８、Ｎｏ．４３、Ｎｏ．５１、Ｎｏ．７０、Ｎｏ．７９、Ｎｏ．８５、Ｎｏ．８９、Ｎｏ．９５、Ｎｏ．１２８、Ｎｏ．１３５、Ｎｏ．１４４、Ｎｏ．１５９、Ｎｏ．１７０、Ｎｏ．１７６、Ｎｏ．１８６、はいずれも良好な磁気特性が見られ、比較例Ｎｏ．１８９、比較例Ｎｏ．１９０、比較例Ｎｏ．１９３では良好な磁気特性が見られなかった。Ｘ線回折パターンについても、急冷薄帯と同様に測定を行ったところ、急冷薄帯にて評価した結果と同様の○、△、×であった。以上総括すると、急冷薄帯にて評価した結果とスパッタリングターゲット材を用いて成膜したスパッタ膜の評価とが同等の傾向であることを確認した。

Claims (12)

  1. 　磁気記録媒体のシード層用合金であって、
    　Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，ＶおよびＮｂからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ１元素を前記合金の２～２０ａｔ％、
    　Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，ＣおよびＲｕからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ２元素を前記合金の０～１０ａｔ％
    　残部としてＮｉ、ＦｅおよびＣｏを、Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏの総量に対するａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８～２０：０～５０：０～６０およびＦｅ＋Ｃｏ≧１．５の比率で
    含有する合金。
  2. 　前記合金の２～２０ａｔ％のＭ１元素、前記合金の０～１０ａｔ％Ｍ２元素、残部Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏならびに不可避不純物のみからなる、請求項１に記載の合金。
  3. 　磁気記録媒体のシード層用合金であって、
    　Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｃｒ，ＶおよびＮｂからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ１元素を前記合金の２～２０ａｔ％、
    　Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，ＣおよびＲｕからなる群から選択される１種または２種以上であるＭ２元素を前記合金の０～１０ａｔ％
    　残部としてＮｉ、ＦｅおよびＣｏを、Ｎｉ＋Ｆｅ＋Ｃｏの総量に対するａｔ％で、Ｎｉ：Ｆｅ：Ｃｏ＝９８～２０：２～５０：０～６０の比率で
    含有する合金。
  4. 　前記合金の２～２０ａｔ％のＭ１元素、前記合金の０～１０ａｔ％のＭ２元素、残部Ｎｉ、ＦｅおよびＣｏならびに不可避不純物のみからなる、請求項３に記載の合金。
  5. 　ＷおよびＭｏの１種または２種を含有する、請求項１または２に記載の合金。
  6. 　ＷおよびＭｏの１種または２種を含有する、請求項３または４に記載の合金。
  7. 　Ｃｒを５％を超えて含有する、請求項１または２に記載の合金。
  8. 　Ｃｒを５％を超えて含有する、請求項３または４に記載の合金。
  9. 　Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，ＣおよびＲｕからなる群から選択される１種または２種以上を０％超えて１０ａｔ％以下含有する、請求項１または２に記載の合金。
  10. 　Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｂ，Ｃｕ，Ｐ，ＣおよびＲｕからなる群から選択される１種または２種以上を０％超えて１０ａｔ％以下含有する、請求項３または４に記載の合金。
  11. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載の合金で構成されるスパッタリングターゲット材。
  12. 　請求項１～１０のいずれか一項に記載の合金で構成されるシード層を備えた磁気記録媒体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9685184B1 (en) * 2014-09-25 2017-06-20 WD Media, LLC NiFeX-based seed layer for magnetic recording media

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6050050B2 (ja) * 2012-08-14 2016-12-21 山陽特殊製鋼株式会社 Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法
CN104651788B (zh) * 2013-11-21 2017-03-15 安泰科技股份有限公司 Ni‑Fe‑W合金靶材及其制造方法
CN103938030B (zh) * 2014-04-29 2015-12-09 深圳市天瑞科技有限公司 一种镍基软磁材料的制备方法
CN105420678B (zh) * 2014-09-15 2018-03-09 安泰科技股份有限公司 一种Al添加Ni‑W合金靶材及其制造方法
JP6502672B2 (ja) * 2015-01-09 2019-04-17 山陽特殊製鋼株式会社 Ｎｉ−Ｃｕ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体
JP6581780B2 (ja) * 2015-02-09 2019-09-25 山陽特殊製鋼株式会社 スパッタ性に優れたＮｉ系ターゲット材
WO2016143858A1 (ja) * 2015-03-12 2016-09-15 山陽特殊製鋼株式会社 Ｎｉ系スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体
JP6431496B2 (ja) * 2016-04-13 2018-11-28 山陽特殊製鋼株式会社 磁気記録媒体のシード層用合金、スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体
JP2018053280A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 山陽特殊製鋼株式会社 ＮｉＴａ系合金、ターゲット材および磁気記録媒体
JP7157573B2 (ja) * 2018-07-04 2022-10-20 山陽特殊製鋼株式会社 磁気記録媒体のシード層用Ｎｉ系合金
JP7274361B2 (ja) * 2019-06-19 2023-05-16 山陽特殊製鋼株式会社 磁気記録媒体のシード層用合金

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005196898A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd 垂直磁気記録媒体、および、その製造方法
WO2009035075A1 (ja) * 2007-09-14 2009-03-19 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. 磁気記録媒体
JP2009134797A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 垂直磁気記録媒体
JP2010086651A (ja) * 2010-01-18 2010-04-15 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 垂直磁気記録媒体
JP2010113762A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4224804B2 (ja) * 2002-06-19 2009-02-18 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体の製造方法
US20070253103A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Heraeus, Inc. Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target
JP2009116952A (ja) * 2007-11-06 2009-05-28 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005196898A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd 垂直磁気記録媒体、および、その製造方法
WO2009035075A1 (ja) * 2007-09-14 2009-03-19 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. 磁気記録媒体
JP2009134797A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 垂直磁気記録媒体
JP2010113762A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体
JP2010086651A (ja) * 2010-01-18 2010-04-15 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 垂直磁気記録媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9685184B1 (en) * 2014-09-25 2017-06-20 WD Media, LLC NiFeX-based seed layer for magnetic recording media

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