WO2012053321A1

WO2012053321A1 - 高周波モジュール及びその製造方法

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Publication number: WO2012053321A1
Application number: PCT/JP2011/071936
Authority: WO
Inventors: 明大内; 渋谷　明信; 明宮田; 亮宮嵜
Original assignee: 日本電気株式会社
Priority date: 2010-10-21
Filing date: 2011-09-20
Publication date: 2012-04-26

Abstract

本発明における高周波モジュールは、少なくとも一方の面に第１電極を設けている半導体素子と、半導体素子と対向する面に第２電極を設けている基板と、第１電極と第２電極とを接続するバンプ電極と、バンプ電極、第１電極、および第２電極の周囲を被覆する絶縁膜と、半導体素子と基板とを接続し半導体素子が発する熱を放熱する第１導電性樹脂とを備えていることを特徴とする。

Description

高周波モジュール及びその製造方法

　本発明は、フリップチップ実装を用いた高周波モジュールに関するものであり、高周波特性、放熱性、接続信頼性に優れた高周波モジュール構造及びその製造方法に関する。

　半導体素子の実装構造は、一般的にワイヤボンディング構造とフリップチップ構造の２つに分けることができる。ワイヤボンディング構造は、半導体素子の回路面を上向きにして、半導体素子の裏面を基板と接着する。そして半導体素子の電極パッドと基板の電極パッドをＡｕ等の導電性ワイヤを介して電気的に接続した構造である。
　一方、フリップチップ構造は、半導体素子の回路面に配置された電極パッドにＡｕ、半田等による突起電極（以降バンプ電極と記載）を形成する。そして半導体素子の回路面と基板の回路面を対向させ、バンプ電極を介して電気的に接続した構造である。
　なおフリップチップ構造は、ワイヤボンディング構造と比較し、モジュールの小型薄型化に有利である半面、半導体素子と基板の熱膨張係数の違いから発生する熱応力が、その接続構造上バンプ電極に集中するため、接続信頼性対策が必要であった。そこでフリップチップ構造では、半導体素子と基板の隙間に絶縁樹脂を充填するアンダーフィル樹脂封止により、バンプ電極にかかる熱応力を緩和する手法が多く用いられていた。
　近年、高周波回路を有する半導体素子が多く利用されている。高周波回路を有する半導体素子は、半導体素子を正常動作させるために外部からの電磁波遮断や、またＥＭＩ規格等に対応させるために半導体素子からの電磁波放射の抑制が必要である。
　そのため、一般的にワイヤボンディング構造の場合、金属キャップ等で半導体素子及びワイヤボンディング接続部をカバーする方法が用いられる。しかしこの場合、金属キャップを使用することにより、高周波モジュールの小型薄型化という点で問題があった。また、半導体素子に対応した金属キャップを用意し、さらに使用環境に耐えうる十分な強度で基板上に金属キャップを接続しなければならず、この工程も製造容易性を実現する上で問題となっていた。
　一方、フリップチップ構造は、半導体素子の回路面が基板回路面と対向しているため、電磁波の遮断、放射抑制の観点では回路面がむき出しになっているワイヤボンディング構造に比較すると有利である。しかしフリップチップ構造においても半導体素子外周近傍の半導体素子と基板の隙間から電磁波が放射してしまうという問題があった。
　これらフリップチップ構造の高周波モジュールの課題を改善する目的で、例えば特許文献１では、図１１に示すように、フリップチップ実装した半導体チップ外周を絶縁層１０４で封止するとともに絶縁樹脂外周にメッキ法等によりシールド層１０５を設けた構造が提案されている。
　また同様に特許文献２には、図１２に示すように基板２０１と基板２０１上に配線とバンプを介して電子デバイス２０２が設けられている。そして電子デバイス２０２を覆うように導電性樹脂２０３が形成されている。導電性樹脂２０３は、電子デバイスから電磁波が漏れることを防止している。

特開２００５−１２０８９号公報特開２００７−２３４７６３号公報

　フリップチップ構造の場合、半導体素子から放射する電磁波を抑制する構造にすると、半導体素子動作時に発生する熱がこもりやすく、温度上昇を抑えるための放熱対策が必要であった。
　同様に特許文献１、２は、半導体チップ（電子デバイス）をシールド層（導電性樹脂）で覆うことにより、電磁波が外部へ放射することを抑制している。しかし特許文献１，２は、半導体素子の温度上昇を抑えるための放熱対策は行われていないため、シールド層の内部で半導体素子が発する熱がこもってしまい、放熱特性の点で問題があった。
　本発明の目的は、上述した課題を解決する高周波モジュールを提供することにある。

　本発明における高周波モジュールは、少なくとも一方の面に第１電極を設けている半導体素子と、半導体素子と対向する面に第２電極を設けている基板と、第１電極と第２電極とを接続するバンプ電極と、バンプ電極、第１電極、および第２電極の周囲を被覆する絶縁膜と、半導体素子と基板とを接続し半導体素子が発する熱を放熱する第１導電性樹脂とを備えていることを特徴とする。
　本発明における高周波モジュールの製造方法は、半導体素子に形成されたバンプ電極に硬化前の絶縁膜樹脂を供給する工程と、半導体素子と基板を位置合わせして、基板上に半導体素子を搭載する工程と、加熱によりバンプ電極と基板を電気的に接続するとともに絶縁膜樹脂の硬化を促進してバンプ電極周囲に絶縁膜を形成する工程と、基板に搭載された半導体素子の周囲に導電性樹脂を供給する工程と、導電性樹脂を硬化する工程とを含むことを特徴とする。

　本発明による高周波モジュールは、電磁波の放射抑制と放熱特性の向上の両立を実現することができる。

　図１は、第１の実施形態の高周波モジュールの断面図である。
　図２は、第２の実施形態の高周波モジュールの断面図である。
　図３は、第３の実施形態の高周波モジュールの断面図である。
　図４は、第４の実施形態の高周波モジュールの断面図である。
　図５は、第５の実施形態の高周波モジュールの断面図である。
　図６は、第６の実施形態の高周波モジュールの断面図である。
　図７Ａは、第７の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図７Ｂは、第７の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図７Ｃは、第７の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図７Ｄは、第７の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図８Ａは、第８の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図８Ｂは、第８の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図８Ｃは、第８の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図８Ｄは、第８の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図８Ｅは、第８の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図９Ａは、第９の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図９Ｂは、第９の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図９Ｃは、第９の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図９Ｄは、第９の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図９Ｅは、第９の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図１０Ａは、第１０の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図１０Ｂは、第１０の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図１０Ｃは、第１０の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図１０Ｄは、第１０の実施形態の高周波モジュールの製造方法の工程を示す図である。
　図１１は、特許文献１の高周波モジュールの概略構成を示す断面図である。
　図１２は、特許文献２の高周波モジュールの概略構成を示す断面図である。

　〔第１の実施形態〕以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい限定がされているが、発明の範囲を以下に限定するものではない。
　〔構成の説明〕図１に示すように、本実施形態における高周波モジュール１は、半導体素子２と基板３と絶縁膜４とバンプ電極５と電極パッド６と導電性樹脂７とを備えている。
　半導体素子２は、少なくとも一方の面に電極パッド６（第１電極）を設けている。なお半導体素子２はＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ベアチップ等、いずれの形態でも良く特に限定されるものではない。
　基板３は、少なくとも一方の面に電極パッド６（第２電極）を設けている。そして半導体素子２と基板３は、お互いに電極パッド６が設けられている面を対向して配置されている。電極パッド６（第１電極）は、半導体素子２の外周部に配置されていることが望ましい。
　電極パッド６の材質は、特に限定する必要はなく、一般的に用いられているもので使用可能である。例えば、Ｃｕ、Ａｌなどを用いることができ、メッキ処理等により、表面にＮｉ、Ａｕを形成することもできる。
　基板３の材質についても、同様に一般的なものを利用可能である。例えば有機基板であれば、ガラス繊維にエポキシ樹脂やポリフェニレンエーテル樹脂を含侵させた基板、液晶ポリマー基板、テフロン（登録商標）基板等が挙げられる。無機基板であれば、ガラスセラミック基板やアルミナ基板等が挙げられる。これらの基板を単体で用いても良いし、アルミやＣｕ等の金属板と一体化したメタルベース基板でもよい。
　バンプ電極５は、半導体素子２に設けられた電極パッド６（第１電極）と、基板３に設けられた電極パッド６（第２電極）とをフリップチップ方式により電気的に接続する。また、バンプ電極５の周囲と電極パッド６の露出した部分には絶縁膜４が形成されている。
　バンプ電極５の材質は、特に限定する必要はなく、一般的に用いられているものを使用可能である。例えば、Ａｕ、Ｃｕ、半田等の金属が挙げられ、半田バンプ材質の例としては、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｚｎ、Ｓｎ／Ｂｉおよびこれら前記した材料に特定の添加元素をさらに加えた材料があり、これらを適宜用いることができる。
　絶縁膜４は、バンプ電極５を完全に覆っている。電極パッド６の一部が露出している場合は、露出した電極パッド６も完全に覆っている。
　絶縁膜４に使用される材料の体積抵抗率は、１０^１１Ω・ｃｍ以上であることが望ましく、膜厚は１０μｍ以上であることが望ましい。絶縁膜４に使用する材料の例として、例えば、アクリル樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、フルオレン樹脂、シリコーン樹脂等があげられる。
　これらの材料は、それぞれ単体で用いてもよいし、２種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの材料には、シリカフィラー等の無機充填剤等が充填されていてもよい。この中でも、接着性に優れたエポキシ樹脂をベースとしたものを使用することが望ましい。
　導電性樹脂７（第１導電性樹脂）は、半導体素子２の側面部、また半導体素子２と基板３とを接続するフィレット部分を形成している。導電性樹脂７は、半導体素子２の側面面積の８０％以上に接触していることが望ましい。なお、バンプ電極５の周囲には絶縁膜４が設けられているため、バンプ電極５と導電性樹脂７とは電気的には接続しておらず、絶縁状態である。
　導電性樹脂７の材質は特に限定する必要はなく、一般的なものを用いることが可能である。例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、またはエポキシ樹脂とシリコーン樹脂のハイブリッド樹脂等の母体となる樹脂に金属粒子を充填したものを用いることができる。導電性樹脂７は、金属粒子を含んでいるため、電磁波の放射抑制だけでなく、熱伝導性が高く放熱効率が高い。
　導電性樹脂７に添加する金属粒子に関しては、様々なものが対象となるが、一例としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等があげられる。粒子のサイズは１μｍ~１０μｍ程度、形状は球形やフレーク状を一例として挙げることができるがこれに限定されない。金属粒子の充填量は５０~９０ｗｔ％が目安となるが、熱伝導率、体積抵抗率、粘度、弾性率、接着強度等を考慮して決定することが望ましい。
　半導体素子２からの電磁波の放射抑制や放熱効果を高める目的では、金属粒子の充填量を増やすことが望ましいが、一方で導電性樹脂４のフィレット形成性や接続信頼性に起因する接着強度向上の観点では、金属粒子の充填量が多いと問題になる場合があり、熱伝導率、体積低効率、粘度、弾性率、接着強度等のバランスを考慮して、金属粒子の充填量、金属粒子形状、金属粒子サイズを決定することが重要である。
　この点について導電性樹脂７の一例をあげると、エポキシ樹脂に８５ｗｔ％の粒径０．５~１０μｍの球状のＡｇを添加した場合、熱伝導率２０ｗ／ｍ・ｋ、体積抵抗率４×１０−５Ω・ｃｍ、粘度２２０Ｐａ・ｓ、弾性率９ＧＰａ、接着強度３００Ｎ／ｍｍ^２の材料特性が得られる。
　シリコーン樹脂を使用した場合は、熱伝導率、体積低効率、弾性率、接着強度がエポキシ樹脂を使用した場合と比較して低下する。両者の使い分けは、エポキシ樹脂は、高放熱性や半導体素子２の接続補強による接続信頼性向上を狙う場合に優れている。一方、シリコーン系樹脂は、落下衝撃等に対する導電性樹脂４の耐クラック性等に優れる。また、両方の樹脂の特徴を活かしたい場合は、エポキシとシリコーンのハイブリッド樹脂を用いることができる。
　〔作用・効果の説明〕半導体素子２と基板３とは、互いに対向した面に設けられたバンプ電極５を介してフリップチップ方式により接続している。また絶縁膜４は、バンプ電極５と露出している電極パット６の全てを覆っている。そして導電性樹脂７は、半導体素子２と基板３とのフィレット部分、また絶縁膜４を含めた半導体素子の側面部分を含む周囲に設けられている。
　上記構成により、導電性樹脂７は、半導体素子２と基板３との熱膨張係数の違いから発生する熱応力に対して、両者の接続信頼性を向上させる補強材として働き、接続強度を増加することができる。
　また導電性樹脂７は、半導体素子２の周囲、また絶縁膜４を介してバンプ電極５の周囲に設けられている。そのため、半導体素子２やバンプ電極５から放射する電磁波のシールドとして、電磁放射などの影響を抑制することができる。
　フリップチップ方式は、半導体素子２と基板３とのあいだに、半導体素子が動作するときに発生する熱がこもりやすい。本実施形態では、半導体素子２の周囲に放熱性の高い導電性樹脂７を設けているため、半導体素子２と基板３とのあいだにこもった熱を効率よく放熱することができる。
　なおバンプ電極５と導電性樹脂７とは、お互いに電気的に接続しておらず、あいだに絶縁膜４を設けている。そのため導電性樹脂７は、半導体素子２と基板３との電気特性に影響を与えない。
　以上に述べた本実施形態における高周波モジュール１は、絶縁膜４及び導電性樹脂７により、バンプ電極５を補強できるため、接続信頼性に優れ、バンプ電極５と導電性樹脂７とが接触することが無いため、半導体素子２の電気特性を確保することができる。また導電性樹脂７によるフィレット構造により、半導体素子２の電磁波の放射抑制、放熱性向上といった課題の改善を同時に満たした小型薄型で製造容易性に優れたフリップチップ構造の高周波モジュール１を実現することができる。
　〔第２の実施形態〕次に、第２の実施形態について図面を用いて説明する。図２は、本実施形態における高周波モジュール１の断面図である。
　〔構成の説明〕図２に示すように、本実施形態における高周波モジュール１は、導電性樹脂７が設けられている場所を規定している。それ以外の構造、接続関係は、第１の実施形態と同様であり、半導体素子２、基板３、絶縁膜４、バンプ電極５、電極パッド６、導電性樹脂７を備えている。
　本実施形態における高周波モジュール１は、第１の実施形態と同様に、半導体素子２と基板３とは、互いに対向した面に設けられたバンプ電極５を介してフリップチップ方式により接続している。また絶縁膜４は、バンプ電極５と露出している電極パット６の全てを覆っている。そして導電性樹脂７は、半導体素子２と基板３とのフィレット部分、絶縁膜４を含めた半導体素子の側面部分を含む周囲に設けられている。
　図２に示すように、半導体素子２と基板３にフィレットを形成している導電性樹脂７の一部は、半導体素子２と基板３との隙間に入り込んで設けられている。なお、導電性樹脂４に充填されている金属粒子の粒径は、半導体素子２と基板３の隙間よりも十分に小さいことが望ましい。また導電性樹脂７が供給する高さに制約が無い場合は、半導体素子２の上面の一部または全面に導電性樹脂７を被せてもよい。
　さらに、半導体素子２と基板３との隙間と半導体素子２の厚さの和である半導体素子実装高さをＡとし、導電性樹脂７のフィレット部分と基板３とが接触する長さをＢとした場合、Ａ≦Ｂであることが望ましい。
　〔作用・効果の説明〕本実施形態における導電性樹脂７は、半導体素子２と基板３との隙間に設けることにより、導電性樹脂７が半導体素子２、および基板３と接触する面積を増やすことができる。上記構成により、導電性樹脂７はバンプ電極５を補強することで接続信頼性をより高めることができる。また電磁波放射を抑制するという効果を実現するとともに、半導体素子２から発生する熱に対しての放熱性についてもより高めることができる。
　また、一般的に半導体素子２に比べて、基板３は熱伝導率が低い。そこで、導電性樹脂７は、半導体素子との接触面積（Ａ）より、基板３との接触面積（Ｂ）を大きくすることで、半導体素子２と基板３の放熱効率を増加させることができる。
　〔第３の実施形態〕次に、第３の実施形態について図面を用いて説明する。図３は、本実施形態における高周波モジュール１の断面図である。
　〔構成の説明〕図３に示すように、本実施形態における高周波モジュール１は、実施形態１と異なる点として基板３上に設けられている導体層８と導電性樹脂７とが熱的に接続し、導体層８が導電性樹脂７の外側に露出している点である。それ以外の構造、接続関係は、第１の実施形態と同様であり、半導体素子２、基板３、絶縁膜４、バンプ電極５、電極パッド６、導電性樹脂７を備えている。
　本実施形態における高周波モジュール１は、第１の実施形態と同様に、半導体素子２と基板３とは、互いに対向した面に設けられたバンプ電極５を介してフリップチップ方式により接続している。また絶縁膜４は、バンプ電極５と露出している電極パット６の全てを覆っている。そして導電性樹脂７は、半導体素子２と基板３とのフィレット部分、絶縁膜４を含めた半導体素子の側面部分を含む周囲に設けられている。
　図３に示すように、基板３は半導体素子２と接続している面に少なくとも１つ導体層８を設けている。そして導電性樹脂７のフィレットの一部が、導体層８の一部と重なって熱的に接続している。そして導体層８の少なくとも一部は、導電性樹脂７より外側に露出して設けられている。なお導電層８の露出部分は、半導体素子２の周囲全面に設けられていることが望ましい。
　〔作用・効果の説明〕本実施形態における高周波モジュール１は、熱伝導性の良い導電性樹脂７を基板３と接触させ、かつ導体層８とも接触させることで、より広い面積で放熱を行うことができるので、半導体素子２の放熱効果をより高めることができる。
　〔第４の実施形態〕次に、第４の実施形態について図面を用いて説明する。図４は、本実施形態における高周波モジュール１の断面図である。
　〔構成の説明〕図４に示すように、本実施形態における高周波モジュール１は、実施形態１と異なる点として基板３上に電磁波吸収体１１が設けられている点である。それ以外の構造、接続関係は、第１の実施形態と同様であり、半導体素子２、基板３、絶縁膜４、バンプ電極５、電極パッド６、導電性樹脂７を備えている。
　本実施形態における高周波モジュール１は、第１の実施形態と同様に、半導体素子２と基板３とは、互いに対向した面に設けられたバンプ電極５を介してフリップチップ方式により接続している。また絶縁膜４は、バンプ電極５と露出している電極パッド６の全てを覆っている。そして導電性樹脂７は、半導体素子２と基板３とのフィレット部分、絶縁膜４を含めた半導体素子の側面部分を含む周囲に設けられている。
　さらに本実施形態における高周波モジュール１は、図４に示すように、半導体素子２と対向する基板３の表面に、電磁波吸収体１１を設けている。電磁波吸収体１１は、特に限定されず電磁波を吸収できるものであればよい。
　例えば電磁波吸収体１１は、酸化鉄を主成分とするフェライト粉をエポキシ樹脂に含有させたものをスクリーン印刷法等により、所定の箇所に塗布して硬化させることで形成することができる。なおフェライト粉の含有率は、印刷性等を考慮して決定されるが、５０~９０ｗｔ％が望ましい。
　電磁波吸収体１１の他の形成方法としては、ＮｉＺｎを含有する酸化鉄で構成されるフェライト・メッキを用いることができる。フェライト・メッキの形成方法は、酸化液（ＮａＮＯ_２）と反応液（ＦｅＣｌ_２とＭｎＣｌ_２）をマスキングした基板３の表面に吹き付け、フェライト・メッキ形成後にマスクを除去することで、所定の箇所に形成可能である。
　電磁波吸収体１１の厚さは、電磁波吸収体１１が半導体素子２と接触することを防ぐために、バンプ電極の高さより薄くすることが望ましい。なお具体的な電磁波吸収体１１の厚さは、バンプ構造や要求特性にもよるが、スクリーン印刷法の場合は数十μｍ、フェライト・メッキの場合は数μｍが望ましい。電磁波吸収体１１の粒子径は、電磁波吸収体１１の膜厚よりも小さくすることが望ましい。
　〔作用・効果の説明〕導電性樹脂７は、含有する金属粒子の量を増やすと、電磁シールド効果は高くすることができる。しかし、金属粒子を増やすことで硬化前の粘度が高くなってしまい、基板３へのフィレット形成が困難となり放熱効果を低下させてしまう。
　一方、導電性樹脂７は、含有する金属粒子の量を減らすと、粘度を低減できるため、接触面積の大きい理想的なフィレット形成が容易となり放熱効果は向上する。しかし、金属粒子が減ってしまうため、電磁シールド効果は低くなってしまう。
　つまり、電磁シールド効果と放熱効果の両者を実現するためには、両者の効果を考慮しながら、導電性粒子７に添付する金属粒子を所定の範囲内で導電性樹脂７に含有させる必要があった。
　本実施形態における高周波モジュール１では、半導体素子２と対向する基板３表面に電磁波吸収体１１を形成している。そのため電磁波吸収体１１は半導体素子２と基板３との間における電磁波を吸収することができる。
　つまり電磁波吸収体１１を設けることで、電磁シールド効果を高めることができるので、導電性樹脂７に求められる電磁シールド効果実現のための要求物性を緩和することができる。その結果、導電性樹脂７の物性をフィレット形成、つまり放熱特性を重視したものとすることができ、電磁シールド性、放熱性、信頼性の確保が容易になる。
　また半導体素子２が、基板３と対向する面に高周波回路を設けていた場合、電磁波吸収体１１は、高周波回路と少なくとも一部が対向して設けられていることが望ましい。電磁波吸収体１１は、高周波回路と少なくとも一部対向して設けることで、外部から半導体素子へ電磁波遮断や、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ　ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）規格に対応させるための電磁波放射抑制を、さらに高めることができる。なお本実施形態では、電磁波吸収体１１としてフェライトを用いたが、他の磁性体材料でもよい。
　〔第５の実施形態〕次に、第５の実施形態について図面を用いて説明する。図５は、本実施形態における高周波モジュール１の断面図である。
　〔構成の説明〕図５に示すように、本実施形態における高周波モジュール１は、実施形態１と異なる点として基板３上に凹部１２が設けられており、さらにその凹部１２中に電磁波吸収体１１が設けられている点である。それ以外の構造、接続関係は、第１の実施形態と同様であり、半導体素子２、基板３、絶縁膜４、バンプ電極５、電極パッド６、導電性樹脂７を備えている。
　本実施形態における高周波モジュール１は、第１の実施形態と同様に、半導体素子２と基板３とは、互いに対向した面に設けられたバンプ電極５を介してフリップチップ方式により接続している。また絶縁膜４は、バンプ電極５と露出している電極パット６の全てを覆っている。そして導電性樹脂７は、半導体素子２と基板３とのフィレット部分、絶縁膜４を含めた半導体素子の側面部分を含む周囲に設けられている。
　さらに本実施形態における高周波モジュール１では、図５に示すように、半導体素子２と対向する基板３の表面に、凹部１２が設けられており、凹部１２中に電磁波吸収体１１が設けている。
　電磁波吸収体１１は、電磁波を吸収できるものであれば特に限定されず、第４の実施形態に記載の材質・製造方法を用いることが出来る。半導体素子２と対向する基板３表面に凹部１２を形成する方法については特に限定されず、基板３の製造段階で基板３の表面層やソルダーレジストを開口してもよいし、機械加工による後加工で凹部１２を形成してもよい。
　〔作用・効果の説明〕半導体素子２は、回路面に電磁波吸収体１１が直接接触すると電磁波吸収体１１の誘電率などの影響を受け、電気特性が低下してしまうと言う問題があった。
　一方、電磁波吸収体１１の膜厚は、厚いほうが電磁シールド効果は高いが、半導体素子２の回路面に電磁波吸収体１１が直接接触しないようにすると、電磁波吸収体１１の厚さをバンプ電極５の高さより薄くしなければいけないという制約があった。
　そこで本実施形態における高周波モジュール１は、半導体素子２と対向する基板３表面に凹部１２を設けることで、電磁波吸収体１１表面と半導体素子２の回路面の位置関係を調整することができる。その結果、電磁波吸収体１１厚の厚さへの制約が緩和され、電磁波吸収体１１を厚くすることができるため、より大きな電磁シールド効果を得ることが可能となる。
　また半導体素子２が、基板３と対向する面に高周波回路を設けていた場合、電磁波吸収体１１は、高周波回路と少なくとも一部が対向して設けられていることが望ましい。電磁波吸収体１１は、高周波回路と少なくとも一部対向して設けることで、外部から半導体素子へ電磁波遮断や、ＥＭＩ規格に対応させるための電磁波放射抑制を、さらに高めることができる。
　なお図５には、導電性樹脂７と接触する導体層８が記載されているが、本実施形態は導体層８があることに限定されない。つまり導電層８を設けない場合であっても、電磁波放射抑制の効果を実現することができる。但し、導体層８を設けた場合でも、電磁波放射抑制の効果と、ともに放熱効果についても実現することができる。
　〔第６の実施形態〕次に、第６の実施形態について図面を用いて説明する。図６は、本実施形態における高周波モジュール１の断面図である。
　〔構成の説明〕図６に示すように、本実施形態における高周波モジュール１は、実施形態１と異なる点は、半導体素子２の高周波回路９に回路保護膜１０が形成されている点である。それ以外の構造、接続関係は、第１の実施形態と同様であり、半導体素子２、基板３、絶縁膜４、バンプ電極５、電極パッド６、導電性樹脂７を備えている。
　本実施形態における高周波モジュール１は、第１の実施形態と同様に、半導体素子２と基板３とは、互いに対向した面に設けられたバンプ電極５を介してフリップチップ方式により接続している。また絶縁膜４は、バンプ電極５と露出している電極パット６の全てを覆っている。そして導電性樹脂７は、半導体素子２と基板３とのフィレット部分、絶縁膜４を含めた半導体素子の側面部分を含む周囲に設けられている。
　図６に示すように、半導体素子２は、基板３と対向する面に高周波回路９を設けている。そして高周波回路９上には、回路保護膜１０が形成されている。つまり、高周波回路９は、半導体素子２上で回路保護膜１０に覆われているため、高周波回路９は露出していない。なお、回路保護膜１０の材料の一例としては、ポリイミド樹脂があげられる。
　半導体素子２の回路保護膜１０に対応する部分と、基板３との間には導電性樹脂７′（第２導電性樹脂）が設けられている。上記導電性樹脂７′（第２導電性樹脂）は、半導体素子２の周囲に設けられ、フィレットを形成している導電性樹脂７（第１導電性樹脂）と同じものを使用して、連続して形成してもよい。また放熱性を重視する等の目的で、第１導電性樹脂と第２導電性樹脂とを分離させ、金属粒子を含む量を配置される場所により異なるものにしてもよい。その他の点については、上記の実施形態と同様である。
　〔作用・効果の説明〕高周波回路９を有する半導体素子２は、回路面を絶縁樹脂で直接覆ってしまうと絶縁樹脂の誘電率などの影響を受け、電気特性が低下してしまうと言う問題があった。
　そこで本実施形態における高周波モジュール１は、半導体素子２の基板３と対向する面に高周波回路９を設けており、高周波回路９上には回路保護膜１０が形成されている。上記構成にように回路保護膜１０を設けることで、高周波回路９と基板３とのあいだに導電性樹脂７′（第２導電性樹脂）を設けた場合においても、導電性樹脂７′が高周波回路９に与える電気特性の影響を抑えることができる。
　また本実施形態は、半導体素子２の周辺部でフィレットを形成している導電性樹脂７（第１導電性樹脂）とは分離して、高周波回路９に対応する部分に金属粒子を多く含む導電性樹脂７′（第２導電性樹脂）を設けてもよい。つまり、導電性樹脂７を配置する場所により、導電性樹脂７が含む金属粒子の量を変えることができる。
　例えば、高周波回路９に対応する導電性樹脂７′（第２導電性樹脂）は、金属粒子を多く含むことで、放熱性向上に重点を置き、より熱伝導率を高める。つまり高周波回路９で発生した熱は、熱伝導率の高い第２導電性樹脂を介して基板３に伝わり、基板３の裏面から熱を効率よく放射することができる。
　一方、半導体素子２の周辺部でフィレットを形成している導電性樹脂７（第１導電性樹脂）は、第２導電性樹脂に比べて含んでいる金属粒子を少なくすることで、導電性樹脂７（第１導電性樹脂）の粘度を下げ、フィレット形状の安定化を行ない、半導体素子２と基板３との接続強度を高める。つまり、主に第２導電性樹脂は、半導体素子２の放熱を目的として、第１導電性樹脂は、半導体素子２と基板３との接続強度を維持することを目的している。
　また第１導電性樹脂７と第２導電性樹脂７′とで、異なる材質にすることもできる。つまり、高周波回路基板９に対応する位置に設けられる第２導電性樹脂７′は、放熱特性を高める必要があるため、エポキシ樹脂にて形成する。一方、半導体素子２の周辺部でフィレットを形成している第１導電性樹脂７は、落下衝撃耐性を高めるために弾力性のあるシリコーン樹脂にて形成し、落下衝撃で発生しやすいフィレットのクラックを防止することができる。
　また本実施形態では、第４の実施形態、第５の実施形態に記載された電磁波吸収体１１を設けてもよい。つまり半導体素子２と対向する基板３の表面、または基板表面に設けた凹部１２に電磁波吸収体１１を具備してもよい。（図示しない）そして電磁波吸収体１１上に、導電性樹脂７′（第２導電性樹脂）を設ける。その結果、電磁波吸収体１１により、電磁シールド効果が増すとともに、導電性樹脂７′により放熱性を高めることができる。
　〔第７の実施形態〕次に、第７の実施形態について図面を用いて説明する。図７は、図２に示す高周波モジュール１について、製造方法の一例を工程順に示す工程図である。以下、同図を参照して工程順に説明する。
　まず、図７Ａに示すように、一方の面にバンプ電極５が形成された半導体素子２を用意する。
　次に、図７Ｂに示すように、バンプ電極５の周囲に絶縁膜４を形成する。絶縁膜４の形成方法は、例えば所定の厚さに均一化した硬化前の絶縁膜樹脂にバンプ電極５を接触させて転写する方法が考えられる。
　硬化前の絶縁膜樹脂を所定の厚さに均一化する方法としては、平坦なガラス板上に所定の厚さの金属板を両サイドに貼り付け、金属板の厚さと同じ厚さになるように、硬化前の絶縁膜樹脂をスキージングする。このように形成した絶縁膜樹脂にバンプ電極５を均等に押し付けて、バンプ電極５に絶縁膜４を転写する。
　絶縁膜４の厚さのみでなく、硬化前の絶縁膜４の粘度、バンプ電極５に転写する際の絶縁膜４の厚さ、転写時間を調整することで、絶縁膜４の転写量を制御する。
　絶縁膜４の適量の定義は、前述したように半導体素子２と基板３をバンプ電極５にて接続した際に、絶縁膜４がバンプ電極５を完全に覆う量である。さらに電極パッド６の一部が露出している場合は、露出した電極パッド６も完全に覆う量である。
　また、半導体素子２を実装後に最外周のバンプ電極５の間を絶縁膜４が完全にふさいでもよい。この場合、導電性樹脂７が含む金属粒子の充填性を制御することにより、導電性樹脂７が高周波回路９に浸入することを防ぐことができる。
　次に図７Ｃに示すように、フリップチップマウンタ等を用いて、半導体素子２と基板３の位置合わせを行ない、電気的接続を行う。
　まず、バンプ電極５がＡｕの場合について説明する。半導体素子２を基板３に搭載する前に、基板３の表面にプラズマ洗浄等を行う。基板３表面の不純物を除去することでバンプ電極５の接続性が向上する。
　半導体素子２を基板３に搭載し、バンプ電極５によって電気的接続を行なう場合、加熱加圧により、絶縁膜４を押しひろげてＡｕであるバンプ電極５と電極パッド６とを接触させるとともに拡散接合を行う。そして同時に、絶縁膜４の硬化を進めることで、絶縁膜４が形成されたバンプ接続による半導体素子２と基板３の電気的接続する。この際、電極パッド６の表面はＡｕであることが望ましい。
　次に、バンプ電極５が半田の場合について説明する。半田の場合、半田表面に存在する半田酸化膜を除去して接続することで接続性が向上する。その一例として、フラックス作用を持つ材料を絶縁膜４として用い、バンプ電極５の接続時に絶縁膜４にフラックス作用を発現させて、バンプ電極５の酸化膜を除去することで良好な接続を得ることが可能となる。
　絶縁膜４に酸化膜除去作用を付加する方法は、アクリル酸、マレイン酸などの不飽和酸、蓚酸、マロン酸などの有機二酸、クエン酸などの有機酸をはじめ、炭化水素の側鎖に、ハロゲン基、水酸基、ニトリル基、ベンジル基、カルボキシル基等を少なくとも１つ以上を添加することにより可能である。このようなフラックス作用を有する剤は、二種以上組合せて用いることができる。なお、フラックスには、公知のゲル化剤を含むこともできる。
　半田の場合、バンプ電極５と電極パッド６を電気的に接続する方法は、例えば半導体素子２を搭載時に加熱により、半田であるバンプ電極５を溶融し、電極パッド６に半田であるバンプ電極６を濡れ広げることで接続するとともに、絶縁膜４の硬化を進める。
　このときに注意すべき点は、半田が溶融した状態で加圧を続けると、バンプ電極５が潰れてしまい、良好な接続ができない。そこで、バンプ電極５が潰れないような低荷重制御を行なうか、半導体素子２の位置制御によりバンプ電極５の接続を行なう。
　また、他の接続方法として、半導体素子２を基板３上に搭載後、リフロー炉を用いて加熱を行なうことで、バンプ電極５を溶融し電極パッド７と接続するとともに、絶縁膜４の硬化を進める。
　絶縁膜樹脂１２の硬化に関しては、バンプ電極５接続時の加熱による硬化を仮硬化とし、バンプ電極５接続後にオーブン等による加熱工程にて本硬化を行う。
　次に、図７Ｄに示すように、導電性樹脂７を半導体素子２の周囲に塗布することで、フィレットを形成する。
　導電性樹脂７の塗布方法は、一般的なディスペンサ等を用いることができる。導電性樹脂７の塗布量の調整方法は、塗布位置、ディスペンサのニードル移動速度、ニードル径、導電性樹脂供給量等を調整することで可能であり、塗布位置や速度を正確に制御できる塗布ロボットを使用することが望ましい。
　導電性樹脂７の塗布が完了した状態で、オーブン等で加熱し、導電性樹脂７の硬化を完了することで、本発明の高周波モジュールを製造する。
　〔第８の実施形態〕次に、第８の実施形態について図面を用いて説明する。図８は、図４に示す高周波モジュール１について、製造方法の一例を工程順に示す工程図である。
　本実施形態における製造方法が、第７の実施形態と異なる点は、半導体素子２と対向する基板３表面に電磁波吸収体１１を設けた点である。以下、図８を参照して工程順に説明する。
　まず、図８Ａに示すように、一方の面にバンプ電極５が形成された半導体素子２を用意する。
　次に、図８Ｂに示すように、バンプ電極５の周囲に絶縁膜４を形成する。なお、絶縁膜４の形成方法や、絶縁膜４を所定の厚さに均一化する方法や、絶縁膜４の転写量の制御は、第７の実施形態と同様である。
　続いて、図８Ｃに示すように、半導体素子２と対向する基板３表面に電磁波吸収体１１を形成する。電磁波吸収体１１の形成方法は、スクリーン印刷法による印刷マスクを用いて、所定量、所定形状の電磁波吸収体１１を供給してもよいし、ＮｉＺｎを含有する酸化鉄で構成されるフェライト・メッキを用いてもよい。フェライト・メッキの場合の形成方法は、酸化液（ＮａＮＯ_２）と反応液（ＦｅＣｌ_２とＭｎＣｌ_２）を、マスキングした基板３の表面に吹き付け、フェライト・メッキ形成後にマスクを除去することで、所定の箇所に形成可能である。
　電磁波吸収体１１を基板３の表面に形成後、電磁波吸収体１１の材料によっては、所定の条件により電磁波吸収体１１の硬化を行なうことで、電磁波吸収体１１の形成が完了する。例えば、エポキシ樹脂と電磁波吸収体１１の粒子とで構成される電磁波吸収体１１の場合、１５０℃で１時間程度、エポキシ樹脂の硬化を行なうことで、電磁波吸収体１１の硬化が完了する。
　次に図８Ｄに示すように、フリップチップマウンタ等を用いて、半導体素子２と基板３の位置合わせを行なって搭載し、電気的接続を行う。なお、第５の実施形態と同様の工程により、絶縁膜４の硬化やバンプ電極５による半導体素子２と基板３の電気的接続方法については、第７の実施形態で記載した方法と同様である。
　次に図８Ｅに示すように導電性樹脂４にてフィレットを形成するが、この工程は第７の実施形態で記載した方法と同様である。
　〔第９の実施形態〕次に、第９の実施形態について図面を用いて説明する。図９は、図５に示す高周波モジュール１について、製造方法の一例を工程順に示す工程図である。
　本実施形態における製造方法が、第７の実施形態と異なる点は、半導体素子２と対向する基板３表面に凹部１２を設け、凹部１２に電磁波吸収体１１を設けた点である。以下、図９を参照して工程順に説明する。
　まず、図９Ａに示すように、一方の面にバンプ電極５が形成された半導体素子２を用意する。
　次に、図９Ｂに示すように、バンプ電極５の周囲に絶縁膜４を形成する。なお、絶縁膜４の形成方法や、絶縁膜４を所定の厚さに均一化する方法や、絶縁膜４の転写量の制御は、第７の実施形態と同様である。
　続いて、図９Ｃに示すように、半導体素子２の高周波回路９表面に対向する基板３表面に凹部１２を形成する。基板３表面に凹部１２を形成する方法は、一般的なものでよく、基板３の製造段階で、基板３の表面層やソルダーレジストを開口しておいてもよいし、機械加工等による後加工でも凹部１２を形成することができる。
　続いて、凹部１２に電磁波吸収体１１を形成する。なお電磁波吸収体１１の形成方法は、第８の実施形態で記載した方法と同様である。またここでは、電磁波吸収体１１の表面を周囲の基板表面と同じにしてフラットになるようにした。
　次に図９Ｄに示すように、フリップチップマウンタ等を用いて、半導体素子２と基板３の位置合わせを行なって搭載し、電気的接続を行う。なお、絶縁膜４の硬化やバンプ電極５による半導体素子２と基板３の電気的接続方法については、第７の実施形態で記載した方法と同様である。
　次に図９Ｅに示すように導電性樹脂４にてフィレットを形成するが、この工程は第７の実施形態で記載した方法と同様である。
　〔第１０の実施形態〕次に、第１０の実施形態について図面を用いて説明する。図１０は、図６に示す高周波モジュール１について、製造方法の一例を工程順に示す工程図である。
　本実施形態における製造方法が、第７の実施形態と異なる点は、半導体素子２の基板３と対向する面に形成した高周波回路９の表面を回路保護膜１０で覆い、さらに回路保護膜１０と基板３との間に導電性樹脂７′を設けた点である。以下、図１０を参照して工程順に説明する。
　まず、図１０Ａに示すように、一方の面にバンプ電極５が形成された半導体素子２を用意する。
　次に、図１０Ｂに示すように、バンプ電極５の周囲に絶縁膜４を形成する。なお、絶縁膜４の形成方法や、絶縁膜４を所定の厚さを均一化する方法や、絶縁膜４の転写量の制御は、第７の実施形態と同様である。
　また基板３上には、半導体素子２の回路保護膜１０と対向する所定の位置に第２導電性樹脂７′を供給する。このとき注意すべき点は、半導体素子２を基板３上に搭載した際に、第２導電性樹脂７′と絶縁膜樹脂４とが混ざらないように第２導電性樹脂７′の塗布量及び塗布位置を制御する必要がある。
　その理由は、絶縁膜４の硬化促進前に導電性樹脂７を混入すると、絶縁膜４の絶縁性が保てなくなるためである。導電性樹脂７の供給方法は、ディスペンサや塗布ロボットを利用してもよいし、他の方法としては、印刷マスクを用いて、所定量、所定形状の導電性樹脂７を供給してもよい。
　続いて図１０Ｃに示すように、フリップチップマウンタ等を用いて、半導体素子２と基板３の位置合わせを行なって搭載し、電気的接続を行う。なお、第７の実施形態と同様の工程により、絶縁膜４の硬化を進める場合、回路保護膜１０と対向した位置に設けられた導電性樹脂７′の硬化を同時にすすめる。上記工程により、半導体素子２と基板３とを導電性樹脂７′により接続することができる。
　次に図１０Ｄに示すように導電性樹脂４にてフィレットを形成するが、この工程は第７の実施形態で記載した方法と同様である。
　〔付記１〕
少なくとも一方の面に第１電極を設けている半導体素子と
前記半導体素子と対向する面に第２電極を設けている基板と、
前記第１電極と前記第２電極とを接続するバンプ電極と、
前記バンプ電極、前記第１電極、および前記第２電極の周囲を被覆する絶縁膜と、
前記半導体素子と前記基板とを接続し、前記半導体素子が発する熱を放熱する第１導電性樹脂とを備えていることを特徴とする高周波モジュール。
　〔付記２〕
前記第１導電性樹脂は、前記半導体素子の側面部に設けられていることを特徴とする付記１に記載の高周波モジュール。
　〔付記３〕
前記第１導電性樹脂は、母体となる樹脂に金属粒子が添加され、前記金属粒子の粒径は、前記半導体素子と前記基板の間よりも小さいことを特徴とする付記１及び２に記載の高周波モジュール。
　〔付記４〕
前記第１導電性樹脂の一部は、前記半導体素子と前記基板との間に入り込んでいることを特徴とする付記３に記載の高周波モジュール。
　〔付記５〕
前記半導体素子の厚みと、前記半導体素子と前記モジュール基板の隙間の和である半導体素子実装高さは、前記第１導電性樹脂と前記基板との接触長よりも短いことを特徴とする付記１乃至４に記載の高周波モジュール。
　〔付記６〕
前記基板の前記半導体素子と接続している面に導体層を設け、
前記第１導電性樹脂の少なくとも一部は、前記導体層と熱的に接続していることを特徴とする付記１乃至５に記載の高周波モジュール。
　〔付記７〕
前記半導体素子と対向する前記基板表面に電磁波吸収体を設けていることを特徴とする付記１乃至６に記載の高周波モジュール。
　〔付記８〕
前記電磁波吸収体の厚さは、前記バンプ電極の厚さより薄いことを特徴とする付記７に記載の高周波モジュール。
　〔付記９〕
前記半導体素子と対向する前記基板表面に凹部を設けており、前記凹部に前記電磁波吸収体を設けていることを特徴とする付記７に記載の高周波モジュール。
　〔付記１０〕
前記基板と対向する前記半導体素子表面に高周波回路を設け、
前記高周波波回路と前記電磁波吸収体とは少なくとも一部が対向して設けられていることを特徴とする付記７に記載の高周波モジュール。
　〔付記１１〕
前記半導体素子の前記基板と対向する面に設けられた高周波回路と、
前記高周波回路を覆っている回路保護膜とを備え、
前記回路保護膜と前記基板との間に第２導電性樹脂を設けていることを特徴とする付記３乃至１０に記載の高周波モジュール。
　〔付記１２〕
前記半導体素子と前記基板との間に設けられた第２導電性樹脂と、前記半導体素子の側面部に設けられた第１導電性樹脂とが分離して設けられており、
前記第２導電性樹脂が含む金属粒子は、前記第１導電性樹脂が含む金属性樹脂より多いことを特徴とする付記１１に記載の高周波モジュール。
　〔付記１３〕
前記第２導電性樹脂は、エポキシ樹脂で形成されており、
前記第１導電性樹脂は、シリコーン樹脂で形成されていることを特徴とする付記１２に記載の高周波モジュール。
　〔付記１４〕
半導体素子に形成されたバンプ電極に硬化前の絶縁膜樹脂を供給する第１工程と、
前記半導体素子と基板を位置合わせして、前記基板上に前記半導体素子を搭載する第２工程と、
加熱により前記バンプ電極と前記基板を電気的に接続するとともに前記絶縁膜樹脂の硬化を促進して前記バンプ電極周囲に絶縁膜を形成する第３工程と、
前記基板に搭載された前記半導体素子の周囲に導電性樹脂を供給する第４工程と、
前記導電性樹脂を硬化する第５工程とを含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
　〔付記１５〕
前記第１工程と前記第２工程のあいだに、
前記半導体素子と対向する前記基板表面に、電磁波吸収体を形成する工程を設けることを特徴とする付記１４に記載の高周波モジュールの製造方法。
　〔付記１６〕
前記第１工程と前記第２工程のあいだに、
前記半導体素子と対向する前記基板表面に、凹部を形成する工程と、
前記凹部に電磁波吸収体を形成する工程とを設けることを特徴とする付記１４に記載の高周波モジュールの製造方法。
　〔付記１７〕
前記第１工程と第２工程のあいだに
前記基板の前記半導体素子搭載位置の所定の部分に、第２導電性樹脂を供給する工程と、
前記第３工程と前記第４工程のあいだに
前記第２導電性樹脂の硬化を促進して前記半導体素子と前記基板とを前記導電性樹脂を介して接続する工程とを設けることを特徴とする付記１４に記載の高周波モジュールの製造方法。
　以上、本発明を上記実施の形態及び実施例に即して説明したが、本発明は、上記実施の形態、及び実施例の構成のみに限定されるものでなく、本発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことはもちろんである。
　なお、この出願は、２０１０年１０月２１日に出願された日本出願特願２０１０−２３６２７２と、２０１１年２月１日に出願された特願２０１１−０１９６１３とを基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

　１　高周波モジュール
　２　半導体素子
　３　基板
　４　絶縁膜
　５　バンプ電極
　６　電極パッド
　７　導電性樹脂
　８　導体層
　９　高周波回路
　１０　回路保護膜
　１１　電磁波吸収体
　１２　凹部

Claims

　少なくとも一方の面に第１電極を設けている半導体素子と
　前記半導体素子と対向する面に第２電極を設けている基板と、
　前記第１電極と前記第２電極とを接続するバンプ電極と、
　前記バンプ電極、前記第１電極、および前記第２電極の周囲を被覆する絶縁膜と、
　前記半導体素子と前記基板とを接続し、前記半導体素子が発する熱を放熱する第１導電性樹脂とを備えていることを特徴とする高周波モジュール。
　前記第１導電性樹脂は、前記半導体素子の側面部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記半導体素子の厚みと、前記半導体素子と前記モジュール基板の隙間の和である半導体素子実装高さは、前記第１導電性樹脂と前記基板との接触長よりも短いことを特徴とする請求項１乃至２に記載の高周波モジュール。
　前記基板の前記半導体素子と接続している面に導体層を設け、
　前記第１導電性樹脂の少なくとも一部は、前記導体層と熱的に接続していることを特徴とする請求項１乃至３に記載の高周波モジュール。
　前記半導体素子と対向する前記基板表面に電磁波吸収体を設けていることを特徴とする請求項１乃至４に記載の高周波モジュール。
　前記電磁波吸収体の厚さは、前記バンプ電極の厚さより薄いことを特徴とする請求項５に記載の高周波モジュール。
　前記半導体素子と対向する基板表面に凹部を設けており、前記凹部に前記電磁波吸収体を設けていることを特徴とする請求項５に記載の高周波モジュール。
　前記基板と対向する前記半導体素子表面に高周波回路を設け、
　前記高周波波回路と前記電磁波吸収体とは少なくとも一部が対向して設けられていることを特徴とする請求項５に記載の高周波モジュール。
　前記半導体素子の前記基板と対向する面に設けられた高周波回路と、
　前記高周波回路を覆っている回路保護膜とを備え、
　前記回路保護膜と前記基板との間に第２導電性樹脂を設けていることを特徴とする付記１乃至８に記載の高周波モジュール。
　半導体素子に形成されたバンプ電極に硬化前の絶縁膜樹脂を供給する第１工程と、
　前記半導体素子と基板を位置合わせして、前記基板上に前記半導体素子を搭載する第２工程と、
　加熱により前記バンプ電極と前記基板を電気的に接続するとともに前記絶縁膜樹脂の硬化を促進して前記バンプ電極周囲に絶縁膜を形成する第３工程と、
　前記基板に搭載された前記半導体素子の周囲に導電性樹脂を供給する第４工程と、
　前記導電性樹脂を硬化する第５工程とを含むことを特徴とする高周波モジュールの製造方法。