WO2012050081A1 - 有機el素子の製造装置 - Google Patents

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WO2012050081A1
WO2012050081A1 PCT/JP2011/073324 JP2011073324W WO2012050081A1 WO 2012050081 A1 WO2012050081 A1 WO 2012050081A1 JP 2011073324 W JP2011073324 W JP 2011073324W WO 2012050081 A1 WO2012050081 A1 WO 2012050081A1
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WO
WIPO (PCT)
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chamber
moving
organic
chambers
vacuum
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/073324
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
栄史 栗部
武良 高橋
Original Assignee
株式会社カネカ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社カネカ filed Critical 株式会社カネカ
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL element manufacturing apparatus, and more particularly to an organic EL element manufacturing apparatus having a plurality of film forming fixed chambers.
  • Organic EL (Electro Luminescence) devices have attracted attention as a next-generation lighting device that replaces LED lighting devices, and many studies have been made.
  • the organic EL device is obtained by laminating an organic EL element composed of an organic compound or the like on a glass substrate or a transparent resin film base material.
  • the organic EL element is composed of a plurality of organic layers and is formed by a vacuum deposition method or the like.
  • the vacuum evaporation method is a method in which heat energy is applied to a material to evaporate it in an atmosphere reduced in vacuum, and the evaporated material is deposited on a substrate.
  • An organic compound used as a material for an organic EL element is quickly deteriorated by moisture contained in the atmosphere. Therefore, the organic EL element is manufactured in a vacuum atmosphere.
  • a typical layer structure of the organic EL device is as shown in FIG.
  • the organic EL device 200 shown in FIG. 35 has a configuration called a bottom emission type.
  • a transparent electrode layer 202, a functional layer 203, and a back electrode layer 205 are laminated on a glass substrate 201, and these are sealed.
  • the portion 206 is sealed.
  • the functional layer 203 is formed by laminating a plurality of thin films of organic compounds.
  • a typical functional layer 203 has a layer structure as shown in FIG. 36, which includes a hole injection layer 210, a hole transport layer 211, a light emitting layer 212, and an electron transport layer 213.
  • the organic EL device 200 is manufactured by sequentially forming the above-described layers on a glass substrate 201.
  • the transparent electrode layer 202 is a transparent conductive film layer such as indium tin oxide (ITO) or zinc oxide (ZnO), and is formed mainly by sputtering or CVD.
  • the functional layer 203 is formed by laminating a plurality of thin films of an organic compound as described above, and each thin film is formed by a vacuum deposition method.
  • the back electrode layer 205 is a metal thin film such as aluminum and is formed by a vacuum evaporation method.
  • Patent Document 1 discloses an apparatus for manufacturing an organic EL element.
  • the organic EL element manufacturing apparatus described in Patent Document 1 enables mass production of organic EL elements by adopting a cluster method or an inline method.
  • the cluster method is a production method in which a plurality of film forming chambers are arranged in a cluster (cluster shape) around the transfer chamber with the transfer chamber for distributing the substrate as a center.
  • a plurality of film forming chambers are arranged in a cluster (cluster shape) around the transfer chamber with the transfer chamber for distributing the substrate as a center.
  • the organic EL element manufacturing apparatus described in Patent Document 1 only one handling robot is arranged in the central transfer chamber, and one substrate is taken in and out of a plurality of film forming chambers provided in the periphery. The robot is doing.
  • a plurality of film forming chambers and the like arranged in a tuft are used as one cluster, and have a plurality of clusters.
  • the plurality of clusters described above are connected in series.
  • the movement of the substrate between the clusters is performed by delivering the substrate between the handling robots of each cluster.
  • the organic EL element manufacturing apparatus described in Patent Document 1 employs such a cluster system, and realizes production from film formation to sealing fully automatically with one organic EL element manufacturing apparatus. ing.
  • the in-line method is a production method in which a plurality of film forming chambers are arranged in a straight line.
  • a plurality of film forming chambers are arranged next to each other via a gate valve, and a substrate is transferred to each film forming chamber by a transfer mechanism, and sequentially. A film is being formed.
  • a single organic EL element manufacturing apparatus can be used to automatically produce everything from film formation to sealing.
  • the apparatus for manufacturing an organic EL element disclosed in Patent Document 1 can perform a plurality of processes with one facility.
  • the manufacturing apparatus disclosed in Patent Document 1 has a problem that it is difficult to expand facilities and change processes. That is, in a manufacturing apparatus that employs the cluster method, it is necessary to arrange each apparatus in a ring shape without a gap, and therefore it is not possible to insert an apparatus that performs a new process later. The same applies to the in-line method, and it is difficult to insert a device for executing a new process later.
  • the organic EL element is obtained by laminating a plurality of thin film layers on a base material. Therefore, in order to manufacture an organic EL element, it is necessary to form a plurality of thin films on a base material.
  • the time required to form each layer varies. Therefore, a waiting time is created before the rate-limiting process, and the process is delayed. For example, there may be a case where the time required for forming the second layer is several times the time required for forming the fifth layer.
  • the manufacturing apparatus employing the cluster system has a layout in which a plurality of film forming chambers are arranged in a cluster (cluster shape) around the transfer chamber, it is difficult to increase the number of film forming chambers. Therefore, it is difficult to install a plurality of film formation chambers in the same process, and it is not possible to eliminate process stagnation.
  • devices that perform each process are arranged in series in the order of the processes, so that it is not possible to increase the number of devices that perform intermediate processes.
  • an object of the present invention is to develop an organic EL device manufacturing apparatus that can easily expand facilities and change processes, and can compensate for the length of time required for film formation.
  • the organic EL element manufacturing apparatus described in Patent Document 1 has a transfer chamber disposed between a plurality of film forming chambers in an in-line method. That is, since a plurality of film forming chambers are connected in a row (in a single row state), if an abnormality occurs in a transfer chamber or the like on the way, production is interrupted.
  • an object of the present invention is to provide an organic EL element manufacturing apparatus capable of continuing production even when an abnormality occurs in a transfer chamber.
  • the invention for solving the above-described problems has a plurality of fixed film forming chambers and one or more moving chambers, and each of the plurality of fixed film forming chambers includes a vacuum chamber, a vacuum pump, and The vacuum chamber has a thin film material discharge portion for discharging the vaporized thin film material, and a predetermined film can be deposited on a substrate in the vacuum chamber.
  • the moving chamber is movable and the substrate can be transported, and the fixed film forming chamber and the moving chamber can be connected and detached, and the plurality of film forming
  • the fixed chambers are arranged in a line, and the moving chamber is connected to the film forming fixed chamber, and the vacuum chambers can communicate with each other by opening the doors between the film forming fixed chamber and the moving chamber. It is a manufacturing apparatus of an organic EL element characterized in that in a possible transfer of the substrate.
  • the organic EL device manufacturing apparatus of the present invention preferably has two or more moving chambers.
  • the moving chamber is a function that exhibits a function equivalent to a conventional transfer chamber.
  • the conventional transfer chamber remains fixed. That is, it is necessary to keep the transfer chamber in a vacuum atmosphere, and there has been no concept of moving the transfer chamber provided with devices such as a vacuum pump and a handling robot.
  • the moving chamber employed in the present invention is movable and can transport the substrate.
  • a plurality of fixed chambers for film formation and transfer chambers arranged in a row can be connected and detached, and the transfer chamber can be connected to the fixed chamber for film formation and the doors can be opened to communicate with each other. is there. That is, the moving chamber and the film forming fixed chamber can be integrated into one vacuum space while maintaining a vacuum state.
  • the substrate can be transferred between the film forming fixed chamber and the moving chamber in one vacuum space.
  • the moving chamber moves and couples to the fixed film forming chamber, and the substrate can be transferred from the moving chamber to the fixed film forming chamber in a vacuum atmosphere.
  • the two are combined again, and the moving chamber can receive the base material from the fixed film forming chamber in a vacuum atmosphere.
  • the moving chamber has a plasma cleaning device.
  • the plasma cleaning device is a device capable of removing dirt such as carbon adhering to the substrate surface by plasma discharge performed in a gas atmosphere and improving the adhesion effect on the substrate surface.
  • the organic EL element can have a long life and high quality.
  • the plasma cleaning apparatus is provided in a cleaning chamber which is a separate independent apparatus.
  • the time required for cleaning the base material is short, and on the other hand, the time required for putting the substrate in and out of the cleaning chamber is longer, so the transport time is longer and wasteful than the time required for actual work. There were many.
  • the moving chamber employed in the present invention has a plasma cleaning device. That is, since the substrate can be cleaned in the moving chamber, it is not necessary to provide a separate cleaning chamber. This eliminates the time required to put the substrate in and out of the cleaning chamber, which has been conventionally performed. Therefore, according to the organic EL device manufacturing apparatus of the present invention, the production efficiency can be improved.
  • the moving chamber employed in the present invention preferably has an inert gas supply device for supplying nitrogen gas or other inert gas into the chamber.
  • Nitrogen gas is a chemically stable inert gas and hardly reacts with other substances.
  • the organic EL element is bonded to a glass cap in a nitrogen gas or other inert gas atmosphere in the final sealing step. That is, by using a nitrogen gas supply device or the like, for example, by filling nitrogen gas into the vacuum chamber, it is possible to smoothly send the base material on which all film formation has been completed to the final sealing step.
  • the vacuum pump continues to be operated, but it is not preferable for safety to keep the vacuum pump operated.
  • the atmosphere enters the vacuum chamber.
  • the organic compound deposited on the substrate is exposed to the atmosphere and deteriorated by moisture contained in the atmosphere.
  • the substrate In a vacuum chamber sealed with nitrogen gas, the substrate can be maintained for a certain period without deteriorating the substrate during production. That is, it is safe because the vacuum pump can be stopped by using nitrogen gas.
  • the organic EL device manufacturing apparatus of the present invention is excellent in terms of safety.
  • the moving chamber has a self-propelled carriage.
  • the self-propelled cart refers to a cart equipped with a driving device such as a motor. That is, by having a self-propelled cart, the moving chamber can be easily controlled. This makes it possible to simultaneously operate a plurality of film forming fixed chambers using several moving chambers. According to the organic EL device manufacturing apparatus of the present invention, an advanced production system can be easily constructed.
  • the organic EL element manufacturing apparatus has a rail, and the moving chamber moves along the rail.
  • a rail refers to a fixed track. That is, the rail does not cause misalignment.
  • By moving the moving chamber along the rail repeated positioning accuracy can be increased. As a result, the moving chamber can be moved at high speed. According to the organic EL device manufacturing apparatus of the present invention, the production rate can be improved.
  • the moving chamber desirably has a heating device and / or a cooling device for heating and / or cooling the substrate.
  • Organic compounds are characterized by being vulnerable to moisture. Therefore, the base material on which film formation is performed needs to be heated in advance to remove moisture. Further, since the substrate immediately after film formation in the fixed film formation chamber is heated during vapor deposition, heat is accumulated. Each organic layer formed with an organic compound may be damaged by residual heat. Therefore, it is necessary to cool the substrate after film formation. That is, when the transfer chamber has a heating device and / or a cooling device, the substrate can be heated and / or cooled in the transfer chamber, and damage to the organic layer can be prevented. According to the organic EL device manufacturing apparatus of the present invention, a high-quality organic EL device can be manufactured.
  • the organic EL device manufacturing apparatus of the present invention has a vacuum pump that moves together with a moving chamber, and the suction side of the vacuum pump is a part of the moving chamber when the moving chamber is combined with a fixed film forming chamber. It is desirable to connect to a space sandwiched between the door on the film forming fixed chamber side and the door on the moving chamber side so that the space can be in a vacuum state.
  • the organic EL device manufacturing apparatus of the present invention has an auxiliary suction circuit that connects the suction side of the vacuum pump and the space, and a main suction circuit that connects the suction side of the vacuum pump and the inside of the moving chamber, Furthermore, it is desirable that the auxiliary suction circuit and the main suction circuit are provided with open / close valves, respectively.
  • the moving chamber has doors on both sides facing each other, and the moving chamber can be coupled to the film forming fixed chamber by either side door.
  • a base material cooling means for cooling the base material is provided in the vacuum chamber.
  • the substrate cooling means has a cooling surface and has a substrate contact means for bringing the substrate into contact with the cooling surface.
  • the substrate contact means has a structure that operates in conjunction with the door of the moving chamber.
  • the apparatus for manufacturing an organic EL element of the present invention can be easily expanded and changed. Further, according to the organic EL element manufacturing apparatus of the present invention, production can be continued even when an abnormality occurs in the moving chamber.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • FIG. 4 is a perspective view which shows a washing
  • FIG. 4 is a front view which shows a washing
  • It is a conceptual diagram which shows the structure of a plasma cleaning apparatus, (a) is the state before mounting
  • the organic EL device manufacturing apparatus 1 is an apparatus for manufacturing an organic EL element which is a thin film element.
  • the organic EL device manufacturing apparatus 1 includes two moving chambers 2 and 3, 12 film forming fixed chambers 4a to 4l, a chamber moving device 5, a dispensing device 10, a cleaning chamber 11, and a metal chamber. 13 and 14, laser chambers 15 and 16, and a receiving device 17.
  • the film forming fixed chambers 4a to 4l are for forming an organic layer.
  • the metal chambers 13 and 14 form a back electrode layer.
  • the film forming fixed chambers 4a to 4l and the metal chambers 13 and 14 have a function of vacuum-depositing a glass substrate inside.
  • the laser chambers 15 and 16 have a laser scribing device, and have a function of providing a groove by laser scribing an organic layer or a back electrode layer.
  • twelve film forming fixed chambers 4a to 4l are arranged in two rows with moving chambers 2 and 3 and chamber moving device 5 in between. .
  • Six fixed chambers 4 for film formation are located in each row. That is, the six fixed film forming chambers 4a, 4c, 4e, 4g, 4i, 4k are arranged in one row, and the remaining six fixed film forming chambers 4b, 4d, 4f, 4h, 4j. , 4l are arranged in another line.
  • the rows of the film forming fixed chambers 4a to 4l face each other with the chamber moving device 5 or the like interposed therebetween.
  • the fixed film forming chamber 4a and the fixed film forming chamber 4b face each other
  • the fixed film forming chambers 4c and 4d face each other
  • the fixed film forming chambers 4e and 4f Facing each other, the fixed film forming chambers 4g and 4h face each other
  • the fixed film forming chambers 4i and 4j face each other
  • the fixed film forming chambers 4k and 4l face each other.
  • the metal chambers 13 and 14 and the laser chambers 15 and 16 are located in the vicinity of the film forming fixed chamber 4.
  • the metal chambers 13 and 14 face each other with the chamber moving device 5 or the like interposed therebetween, and the laser chambers 15 and 16 face each other in the same manner.
  • Each chamber has a housing, and a device for performing individual functions is built in the chamber.
  • Each chamber has an opening for taking in and out the glass substrate 20.
  • a flange is provided at the open end.
  • a shutter 24 that opens and closes the opening is provided.
  • a base material loading / unloading device 21 is provided in the housing.
  • the dispensing device 10 has a housing 10a.
  • the housing 10a is a box that is surrounded on the top, bottom, and both sides.
  • Shutters 24a and 24b are respectively provided on the front surface and the back surface of the housing 10a.
  • Flange 10o, 10p is each provided in the edge part of the front and back surface of the housing
  • the flanges 10o and 10p are squares, and holes 10q are provided in two opposite corners of the four corners of the flange 10o.
  • Both the front and back shutters 24a and 24b are so-called slide-type gate valves, and are airtight.
  • the shutters 24a and 24b may be door valves as long as they can maintain a vacuum.
  • Both shutters 24a and 24b have sliding doors 25 and 26, respectively.
  • the doors 25 and 26 are opened and closed by a motor (not shown) in the direction of the arrow in FIG.
  • an opening 10h appears on the front side of the housing 10a.
  • an opening 10i appears on the back side of the housing 10a.
  • the opening 10h and the opening 10i communicate with each other via a space 10j inside the housing 10a.
  • roller rows 130a, 131a, 130b, and 131b are provided in the space 10j.
  • the roller rows 130a, 131a, 130b, and 131b constitute a base material loading / unloading device 21 with a pair of upper and lower roller rows.
  • two sets of base material loading / unloading devices 21 are provided.
  • the two sets of substrate loading / unloading devices 21a and 21b are arranged in parallel and are orthogonal to the opening 10h and the opening 10i.
  • FIG. 21 is a perspective view of the substrate loading / unloading device 21.
  • the base material loading / unloading device 21 is composed of upper and lower roller rows 130 and 131, and moves the glass substrate 20 between the roller rows 130 and 131 as shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • each set of base material loading / unloading devices 21 has a plurality of rollers 22.
  • five rollers 22 are provided in each of the roller row 130 on the top surface 10m side and the roller row 131 on the bottom surface 10n side inside the housing 10a.
  • the rollers 22 provided at the top and bottom are linearly positioned at the top and bottom, respectively.
  • the upper and lower roller rows 130 and 131 are opposed to each other.
  • the roller 22 is rotated by a motor (not shown). By rotating the roller 22, the glass substrate 20 (base material) can be moved upright.
  • the dispensing apparatus 10 can insert and remove the glass substrate 20 from either the opening 10h or the opening 10i as shown by the arrow in FIG.
  • the dispensing apparatus 10 can load the glass substrate 20 supplied from the outside into the space 10j and dispense it to the chamber moving apparatus 5 side of the organic EL element manufacturing apparatus 1.
  • the glass substrate 20 can be dispensed from the chamber moving device 5 side to the outside of the organic EL element manufacturing device 1.
  • the receiving device 17 includes a housing 10 a having the same structure as the dispensing device 10 and a base material loading / unloading device 21. Furthermore, the receiving device 17 includes a nitrogen gas supply device 50 described later. The receiving device 17 is used for receiving an organic EL element manufactured by the organic EL element manufacturing apparatus 1 and delivering it to the final process.
  • FIG. 5 illustrates the cleaning chamber 11.
  • the cleaning chamber 11 is a chamber for plasma cleaning the glass substrate.
  • the cleaning chamber 11 has a housing 11a.
  • the casing 11a is a box that is surrounded on the top, bottom, both sides, and the back.
  • a shutter 24 is provided on the front surface of the housing 11a.
  • a flange 11b is provided on the front surface of the housing 11a.
  • the flange 11b is a square, and holes 11c are provided in two opposite corners of the four corners.
  • the housing 11a has a space 11d.
  • the cleaning chamber 11 includes a plasma cleaning device 30, a base material input / output device 21, and a gas discharge device 36. Two sets of the plasma cleaning device 30, the substrate loading / unloading device 21, and the gas discharging device 36 are provided. The two sets of substrate loading / unloading devices 21 are arranged in parallel with the two sets of plasma cleaning devices 30 in between, and are orthogonal to the opening 11e.
  • the gas discharge device 36 includes a duct 37, a valve 38, and a vacuum pump 39.
  • the duct 37 protrudes outside from the space 11d.
  • a vacuum pump 39 is connected to the duct 37 via a valve 38. Thus, the vacuum pump 39 can discharge the gas in the space 11d.
  • the plasma cleaning device 30 includes electrodes 31 and 32, a high-frequency power source 33, a matching device 34 that can match impedance, and a gas supply pipe 35.
  • the electrodes 31 and 32 are located in the space 11d and are disposed to face each other across the base material loading / unloading device 21.
  • the electrode 31 is connected in series with a high-frequency power source 33 via a matching device 34.
  • FIG. 7A and 7B are conceptual diagrams showing the structure of the plasma cleaning device 30.
  • FIG. 7A shows a state before the glass substrate 20 is mounted
  • FIG. 7B shows a state where the glass substrate 20 is mounted.
  • illustration of the base material loading / unloading device 21 is omitted in any of the drawings.
  • the electrodes 31 and 32 are plate-like electrodes.
  • a plurality of holes 31 a are provided on the surface of the electrode 31.
  • the gas supply pipe 35 is connected to the electrode 31 and communicates with the hole 31a.
  • the glass substrate 20 is disposed between the electrodes 31 and 32 using a base material loading / unloading device 21 (not shown).
  • a gas such as oxygen or argon gas is supplied to the electrode 31 through the gas supply pipe 35. Then, gas is injected from the plurality of holes 31a provided in the electrode 31, and the gas spreads in the space 11d.
  • glow discharge is performed between the electrodes 31 and 32 in this state, plasma is generated between the electrodes 31 and 32.
  • the cleaning chamber 11 can clean the glass substrate 20 using the generated plasma.
  • the cleaning chamber 11 can take the glass substrate 20 into the space 11d from the opening 11e, clean it, and discharge it from the opening 11e.
  • the film forming fixed chamber 4 will be described.
  • the present embodiment as shown in FIG. 2, there are twelve fixed film forming chambers 4a to 4l.
  • the film forming fixed chambers 4a to 4l have the same configuration, and therefore will be described as the film forming fixed chamber 4.
  • the fixed chamber 4 for film formation has a housing 12o.
  • the housing 12o is a box that is surrounded on the top, bottom, both sides, and the back.
  • a shutter 24 is provided on the front surface of the housing 12o.
  • the inside of the housing 12o is a vacuum chamber.
  • a flange 12p is provided on the front surface of the housing 12o.
  • the flange 12p is a square, and holes 12q are provided in two opposite corners among the four corners.
  • the housing 12o has a space 12r.
  • the space 12r forms a vacuum chamber 12s.
  • the film forming fixed chamber 4 includes a vapor deposition device 40, a gas discharge device 36, and a base material loading / unloading device 21.
  • the gas discharge device 36 is located on the bottom surface of the housing 12 a and is provided at two locations with the vapor deposition device 40 interposed therebetween.
  • the gas exhaust device 36 includes a duct 37, a valve 38, and a vacuum pump 39. That is, the gas exhaust device 36 can make the inside of the vacuum chamber 12h in a vacuum state.
  • Two sets of the substrate loading / unloading devices 21 are provided in the vacuum chamber 12s. The two sets of substrate loading / unloading devices 21 are arranged in parallel across the vapor deposition device 40 and are orthogonal to the opening 12t.
  • the vapor deposition apparatus 40 includes an evaporation apparatus 41, a control valve 44, a vapor chamber 42, and two thin film material discharge portions 43.
  • the two thin film material discharge portions 43 and the evaporation device 41 are connected by a vapor chamber 42 via a control valve 44.
  • the evaporation device 41 includes a known crucible 45 and an electric heater 46 for vaporization.
  • the structure and function of the evaporation device 41 are the same as those known in the art, and a thin film material can be put in the crucible 45, and the thin film material can be melted and vaporized by the electric heater 46.
  • the vapor chamber 42 functions as a passage through which the vapor of the thin film material passes.
  • a heat-retaining heater (not shown) is attached to the outer peripheral surface of the vapor chamber 42.
  • the control valve 44 can adjust the amount of steam.
  • FIG. 10A and 10B are conceptual diagrams showing the structure of the vapor deposition apparatus 40.
  • FIG. 10A shows a state before the glass substrate 20 is mounted
  • FIG. 10B shows a state where the glass substrate 20 is mounted.
  • release part 43 is plate shape and has the some hole 43a in the front.
  • the thin-film material discharge unit 43 employs a raw material supply method called an area source among those skilled in the art.
  • the thin film material discharge portion 43 is also called a shower plate.
  • the thin film material emitting unit 43 is not limited to an area source, but may be a type in which a linear source is used and the linear source is movable up and down or in the substrate traveling direction.
  • the inside of the thin film material discharge part 43 is a cavity, and a vapor chamber 42 is connected to the back surface of the thin film material discharge part 43. Therefore, the hole 43 a communicates with the vapor chamber 42.
  • the thin film material discharge part 43 is installed in the vacuum chamber 12s.
  • the glass substrate 20 is disposed opposite to the thin film material discharge unit 43 using the base material loading / unloading device 21 (not shown). Then, the doors 25 and 26 (not shown) are closed, and the inside of the vacuum chamber 12s is evacuated using the gas exhaust device 36. In this state, the thin film material evaporated by the evaporator 41 is supplied to the thin film material discharge unit 43 through the vapor chamber 42. As a result, the evaporated thin film material is ejected from the plurality of holes 43 a provided in the thin film material discharge portion 43 and deposited on the glass substrate 20.
  • the moving chambers 2 and 3 will be described. As shown in FIG. 11, the moving chambers 2 and 3 are placed on the chamber moving device 5.
  • symbol shall be attached
  • the moving chamber 2 has a housing 2a.
  • the housing 2a is a box body that is surrounded on the top, bottom, and both sides.
  • Shutters 24 are provided on the front and back of the housing 2a.
  • a gas exhaust device 36 and a nitrogen gas supply device 50 are provided on the top surface of the housing 2a.
  • Flange 2b, 2c is each provided in the edge part of the front surface of the housing
  • the sizes of the flanges 2b and 2c are the same as the flange 10o of the above-described dispensing device 10, the flange 11b of the cleaning chamber 11, and the flange 12p of the film forming fixed chamber 4.
  • the flanges 2b and 2c are squares, and pins 2d are provided at two opposite corners among the four corners. The positions of the pins 2d correspond to the positions of the hole 10q of the above-described dispensing device 10, the hole 11c of the cleaning chamber 11, and the hole 12q of the film forming fixed chamber 4.
  • O-rings 28 are attached to the flanges 2b and 2c.
  • the O-ring 28 is a known sealing member.
  • the cross-sectional shape of the O-ring 28 is circular as shown in FIG.
  • the cross-sectional shape of the O-ring 28 may be trapezoidal or other polygonal shape such as a square. It should be noted that a known inflate seal may be used instead of the O-ring 28.
  • an opening 2e appears on the front side of the housing 2a
  • an opening 2f appears on the back side of the housing 2a.
  • the sizes of the opening 2e and the opening 2f are the same as the openings 10h and 10i of the above-described dispensing device 10, the opening 11e of the cleaning chamber 11, and the opening 12t of the film forming fixed chamber 4.
  • the opening 2e and the opening 2f communicate with each other through a space 2g inside the housing 2a.
  • the space 2g forms a vacuum chamber 2h.
  • the nitrogen gas supply device 50 provided on the top surface of the housing 2 a includes a main body 51, a valve 53, and a gas supply pipe 52.
  • the gas supply pipe 52 protrudes from the top surface of the housing 2a into the vacuum chamber 2h.
  • the main body 51 is connected to a gas supply pipe 52 via a valve 53.
  • the main body 51 can supply nitrogen gas. That is, the nitrogen gas supply device 50 can supply nitrogen gas into the vacuum chamber 2 h through the valve 53 and the gas supply pipe 52.
  • the gas discharge device 36 provided on the top surface of the housing 2 a includes a duct 37, a valve 38, and a vacuum pump 39. That is, the gas exhaust device 36 can make the inside of the vacuum chamber 2h in a vacuum state.
  • the two sets of substrate loading / unloading devices 21 are arranged in parallel in the vacuum chamber 2h.
  • the intervals at which the two sets of substrate loading / unloading devices 21 are located are the same as the intervals between the two sets of substrate loading / unloading devices 21 provided in the aforementioned dispensing device 10, cleaning chamber 11, and film forming fixed chamber 4.
  • the base material loading / unloading device 21 is orthogonal to the opening 2e and the opening 2f. That is, the moving chamber 2 can take in and out the glass substrate 20 from either the opening 2e or the opening 2f.
  • the heat medium circulation temperature controller 48 shown in FIG. 12A is a temperature controller having a heating function and a cooling function. Inside the heat medium circulation temperature controller 48, a circulation path (not shown) of a heat medium such as water is provided, and the glass disposed in the vacuum chamber 2h by heating or cooling the heat medium.
  • the substrate 20 can be heated or cooled.
  • a panel heater, a sheath heater, or the like may be used as a heating device instead of the heat medium circulation temperature controller 48.
  • a cooler using a Peltier element or the like may be used as the cooling device.
  • a nitrogen gas supply device 50 or a hydrogen gas supply device may be used as the cooling device. This is because nitrogen gas and hydrogen gas are excellent in the cooling effect of the glass substrate 20.
  • the moving chamber 2 has an inter-chamber evacuation pump circuit 55 on the bottom surface side of the housing 2a.
  • the inter-chamber evacuation pump circuit 55 includes two ducts (piping) 56a and 56b, two valves 57a and 57b, and a vacuum pump 58.
  • the inter-chamber evacuation pump circuit 55 is a device that makes the spaces 90 and 91 between the chambers generated when the moving chamber 2 is docked with other chambers into a vacuum atmosphere. Therefore, the two ducts 56 are respectively provided outside the vacuum chamber 2h and in the vicinity of the openings 2e and 2f.
  • the duct 56 is connected to the outside of the shutter 24.
  • the chamber moving device 5 moves the moving chamber 2 back and forth and right and left within a plane.
  • the chamber moving device 5 has a pair of rails 60 and a moving carriage 65.
  • a movable carriage 65 is placed on the rail 60.
  • the moving chamber 2 is fixed on the moving carriage 65.
  • the rail 60 extends in the horizontal direction and has the same cross-sectional shape as a known train rail.
  • the rail 60 is fixed to a sleeper 64 provided on the floor surface by a known tie plate or the like.
  • a long rack 62 is located between the rails 60.
  • the rack 62 has teeth 61, and the teeth 61 are provided sideways.
  • a stopper 63 is provided at the end of the rail 60.
  • the stopper 63 incorporates a known shock absorber.
  • the moving carriage 65 has wheels 68, a base plate 67, a linear guide 69, and a moving plate 66.
  • the wheel 68 is pivotally supported by the base plate 67 in a rotatable state.
  • the wheel 68 is placed on the rail 60.
  • a part of the base plate 67 has an overhang portion 70, and a motor 71 such as a geared motor is provided.
  • the motor 71 is connected to a pinion gear 72 located on the lower side of the base plate 67.
  • the pinion gear 72 is engaged with the teeth 61 of the rack 62. That is, when the motor 71 is rotated, the pinion gear 72 is rotated. Since the pinion gear 72 meshes with the teeth 61, the movable carriage 65 travels on the rail 60 along the rack 62.
  • a pair of linear guides 69 are fixed on the base plate 67.
  • the straight guide 69 is orthogonal to the rail 60.
  • a moving plate 66 is positioned on the straight guide 69.
  • the moving chamber 2 is fixed on the moving plate 66.
  • the electric cylinder 74 is located between the pair of linear guides 69.
  • the electric cylinder 74 has a shaft 75 and two fixed portions 76.
  • the fixing portion 76 is fixed to the base plate 67.
  • the two fixing portions 76 are separated by a length equivalent to the longitudinal direction of the linear guide 69.
  • the shaft 75 is located between the two fixing portions 76. Both end portions of the shaft 75 are fixed to the fixing portion 76.
  • the electric cylinder 74 has a hollow shape and is fitted on the shaft 75.
  • the electric cylinder 74 is slidable along the shaft 75 in the direction of the arrow in FIG.
  • a moving plate 66 is fixed to the electric cylinder 74.
  • the moving plate 66 straddles the linear guide 69.
  • the moving chamber 2 is fixed on the moving plate 66.
  • the moving chamber 2 is movable in the front-rear and left-right directions indicated by the arrows in FIG. For this reason, the moving chamber 2 can move along the rail 60 to a target position among the above-described dispensing device 10, the cleaning chamber 11, and the film forming fixed chamber 4. After stopping in front of the aforementioned chamber, the moving chamber 2 can be moved in the front-rear direction to move closer to or away from the aforementioned chamber.
  • FIG. 15 shows a state in which the moving chamber 2 is closely coupled to the fixed film forming chamber 4.
  • the fixed chamber 4 for film formation and the moving chamber 2 are joined by a flange 12p and a flange 2c.
  • the two pins 2d of the flange 2c are inserted into the two holes 12q provided in the flange 12p.
  • the fixed film deposition chamber 4 and the moving chamber 2 are not displaced.
  • the coupling state of the film forming fixed chamber 4 and the moving chamber 2 can be shown by a cross-sectional view of FIG.
  • the film forming fixed chamber 4 and the moving chamber 2 are joined to each other with a flange 12 p and a flange 2 c sandwiching an O-ring 28.
  • the flange 12p and the flange 2c are sealed by the O-ring 28.
  • a sealed space 90 is formed between the flange 12p and the flange 2c (between the film forming fixed chamber 4 and the moving chamber 2; between the chambers).
  • the interior of the space 90 is evacuated by the inter-chamber vacuum pump circuit 55.
  • FIG. 17A shows a state where the film forming fixed chamber 4 and the moving chamber 2 are coupled.
  • the flange 12p and the flange 2c are joined with an O-ring 28 interposed therebetween.
  • the opening 12t of the film forming fixed chamber 4 and the opening 2f of the moving chamber 2 face each other.
  • the shutters 24 included in the film forming fixed chamber 4 and the moving chamber 2 also face each other.
  • the space 90 between the flange 12p and the flange 2c is made into a vacuum atmosphere by the inter-chamber vacuum pump circuit 55.
  • the film forming fixed chamber 4 and the moving chamber 2 both include a gas discharge device 36.
  • both the vacuum chamber 12s of the fixed film forming chamber 4 and the vacuum chamber 2h of the moving chamber 2 are in a vacuum state.
  • the glass substrate 20 is held in the vacuum chamber 2h on the moving chamber 2 side.
  • FIG. 17B shows a state in which the facing shutters 24 are opened from the state of FIG.
  • the opening 12t of the film forming fixed chamber 4 and the opening 2f of the moving chamber 2 communicate with each other.
  • the vacuum chamber 12s included in the film forming fixed chamber 4, the space 90, and the vacuum chamber 2h included in the moving chamber 2 are connected and integrated to form one space. Since the vacuum chamber 12s, the space 90, and the vacuum chamber 2h are all in a vacuum state, the integrated space remains in a vacuum state.
  • the substrate loading / unloading device 21 included in the film forming fixed chamber 4 and the moving chamber 2 is operated. Then, the glass substrate 20 starts to move in the direction of the arrow shown in FIG.
  • FIG. 17C shows a state in which the movement of the glass substrate 20 is completed from the state of FIG.
  • the glass substrate 20 moves in the vacuum chamber 2h and the space 90, which are integrated spaces, and reaches the vacuum chamber 12s. At this time as well, the vacuum chamber 12s, the space 90, and the vacuum chamber 2h remain in a vacuum state.
  • FIG. 17D shows a state in which the facing shutters 24 are closed from the state of FIG.
  • the vacuum chamber 12s, the space 90, and the vacuum chamber 2h which are integrated spaces, are divided by the two shutters 24 and become independent spaces. That is, it can function as the moving chamber 2 and the fixed film forming chamber 4 respectively.
  • the vacuum pump 58 of the inter-chamber evacuation pump circuit 55 is stopped and the space 90 is returned to the atmosphere, the moving chamber 2 can be detached from the fixed film forming chamber 4.
  • the glass substrate 20 can be delivered between the moving chamber 2 and the fixed film forming chamber 4 while maintaining a vacuum state. That is, by using the moving chamber 2, the glass substrate 20 can be delivered while maintaining a vacuum state with the above-described dispensing device 10, cleaning chamber 11, film forming fixed chamber 4, and the like.
  • the glass substrate 20 is discharged from the dispensing apparatus 10 to the moving chamber 2 and transferred to the cleaning chamber 11 by the moving chamber 2.
  • the glass substrate 20 is cleaned in the cleaning chamber 11.
  • the glass substrate 20 after cleaning is returned to the moving chamber 2 again, and moved to the fixed film forming chamber 4a by the moving chamber 2.
  • the first film is deposited on the glass substrate 20.
  • the glass substrate 20 moves to the film formation fixed chamber 4b.
  • a second layer film is deposited on the glass substrate 20.
  • films are deposited on the glass substrate 20 in the order of the film forming fixed chambers 4c to 4l, and the organic EL element is completed.
  • FIGS. 18A to 18C and FIGS. 19A to 19C the glass substrate 20 is not shown, but the arrow indicates the moving direction of the glass substrate 20.
  • the film forming process on the glass substrate 20 is started by introducing the glass substrate 20 into the dispensing device 10 from the outside.
  • a transparent electrode layer 302 is formed on the glass substrate 20 introduced into the dispensing apparatus 10 by a previous process, which will not be described, and grooves 310 (FIG. 33) are formed at regular intervals by a scribe process that will not be described further. Is provided.
  • the glass substrate 20 in the dispensing apparatus 10 is moved to the moving chamber 2 side. Then, the moving chamber 2 is moved forward (retracted downward in the drawing) along the linear guide 69, and the moving chamber 2 and the cleaning chamber 11 are coupled.
  • the moving chamber 2 is moved along the linear guide 69, and the opening on the opposite side to the side previously coupled to the dispensing device 10 is formed in the cleaning chamber 11. Connect to. Then, the base material loading / unloading device 21 is operated to move the glass substrate 20 to the cleaning chamber 11 and clean the glass substrate. Thereafter, the moving chamber 2 is moved linearly between the rows of the chambers along the rail 60, and the glass substrate 20 is sequentially moved to the film forming fixed chambers 4a to 4l, and a predetermined film (functional layer 303, FIG. 33) is moved. Form a film. After the film formation, the glass substrate 20 is moved into the laser chambers 15 and 16 by the moving chamber 2, and a laser scribing process is performed. That is, the groove 311 (FIG. 33) is provided in the formed functional layer 303.
  • the glass substrate 20 is further transferred to the metal chambers 13 and 14 by the moving chamber 2, and a back electrode layer 304 (FIG. 33) is formed in the metal chambers 13 and 14. That is, the moving chamber 2 is linearly moved between the rows of the chambers along the rail 60 and stopped in front of one of the metal chambers 13 and 14, and then the moving chamber 2 is moved forward along the linear guide 69 and moved. The chamber 2 and the metal chambers 13 and 14 are coupled. Then, the substrate loading / unloading device 21 is operated to form the back electrode layer 304 (FIG. 33) in the metal chambers 13 and 14.
  • the glass substrate 20 is moved again into the laser chambers 15 and 16 by the moving chamber 2, and a common groove 315 penetrating the functional layer 303 and the back electrode layer 304 is formed. Thereafter, the glass substrate 20 is moved to the receiving device 17 by the moving chamber 2, and the glass substrate 20 is sent to the next process.
  • FIGS. 19 (a) to 19 (c) illustrate typical steps of the above-described process.
  • the moving chamber 2 is coupled to the dispensing device 10.
  • the glass substrate 20 is paid out from the dispensing device 10 to the moving chamber 2.
  • the glass substrate 20 is heated to 80 to 150 degrees Celsius by the heat medium circulation temperature controller 48.
  • the glass substrate 20 is cooled to 20 to 40 ° C. by the heat medium circulation temperature controller 48.
  • the moving chamber 3 remains stopped.
  • the moving chamber 2 holding the glass substrate 20 has moved to the cleaning chamber 11.
  • the moving chamber 2 is coupled to the cleaning chamber 11, and the glass substrate 20 is transferred to the cleaning chamber 11.
  • the shutter 24 on the front side of the moving chamber 2 is opened, and the glass substrate 20 is transferred to the cleaning chamber 11.
  • the glass substrate 20 subjected to plasma cleaning in the cleaning chamber 11 is returned to the moving chamber 2.
  • the moving chamber 3 is stopped.
  • the moving chamber 2 away from the cleaning chamber 11 is moved to the film forming fixed chamber 4a for forming the organic layer.
  • the moving chamber 2 is coupled to the fixed film forming chamber 4a, and the glass substrate 20 is transferred to the fixed film forming chamber 4a.
  • the moving chamber 3 remains stopped.
  • the moving chamber 3 is moved to and bonded to the film forming fixed chamber 4a. Then, the moving chamber 3 receives the glass substrate 20 formed in the film forming fixed chamber 4a.
  • the glass substrate 20 immediately after film formation stores heat of 60 to 100 ° C. or more on the substrate. Therefore, in the moving chamber 3, the glass substrate 20 is cooled to 20 to 40 ° C. by the heat medium circulation temperature controller 48.
  • the moving chamber 2 moves to the dispensing device 10 and is coupled thereto. In the same manner as described above, the glass substrate 20 is dispensed from the dispensing apparatus 10 to the moving chamber 2. In the moving chamber 2, the glass substrate 20 is heated and cooled by the heat medium circulation temperature controller 48 as described above.
  • the moving chamber 3 moves to the film forming fixed chamber 4b and is coupled thereto. Then, the glass substrate 20 is passed from the moving chamber 3 to the film forming fixed chamber 4b. On the other hand, the moving chamber 2 has moved to the cleaning chamber 11. In the same manner as described above, the glass substrate 20 is transferred to the cleaning chamber 11, plasma cleaning is performed, and the glass substrate 20 is returned to the moving chamber 2.
  • the moving chamber 3 is separated from the moving chamber 2 to a position where it is not interfered with. In this state, the moving chamber 3 stands by until the glass substrate 20 conveyed to the film forming fixed chamber 4b is formed. On the other hand, the moving chamber 2 is moved to and bonded to the fixed film forming chamber 4a. In the same manner as described above, the glass substrate 20 is transferred to the fixed film forming chamber 4a.
  • the moving chamber 3 transports the glass substrate 20 in the order of the fixed film forming chambers 4b to 4l, and forms a film on the glass substrate 20.
  • the moving chamber 3 receives another glass substrate 20 conveyed from the moving chamber 2 from the fixed film forming chamber 4a in the same manner as described above, and receives the glass substrates 20 in the order of the fixed film forming chambers 4b to 4l. Transport.
  • the glass substrate 20 is cooled by the heat medium circulation temperature controller 48 in the moving chamber 2 or 3 every time the film is formed in each of the film forming fixed chambers 4.
  • the glass substrate 20 becomes an organic EL element.
  • the organic EL element in which a plurality of thin film materials are deposited on the glass substrate 20 is subjected to a laser scribing process in the laser chambers 15 and 16 and a metal layer is deposited in the metal chambers 13 and 14, and then the moving chamber 2 or 3. Returned to In the moving chamber 2 or 3, the inside of the vacuum chamber 2h is made a nitrogen gas atmosphere by the nitrogen gas supply device 50. At this time, the inside of the vacuum chamber 2h is returned from the vacuum state to the atmospheric pressure. The organic EL element is transferred from the moving chamber 2 or 3 in the nitrogen gas atmosphere to the receiving device 17. And it pays out from the receiving apparatus 17 to the sealing process which is the next process.
  • the organic EL device manufacturing apparatus 1 has the movement chambers 2 and 3.
  • the moving chamber 3 has the same structure as the moving chamber 2. Thus, even if an abnormality occurs in the moving chamber 2, the glass substrate 20 can be transported by the moving chamber 3, and the organic EL element manufacturing apparatus 1 does not stop.
  • An organic EL element manufacturing apparatus 80 shown in FIG. 20 is a modification of the organic EL element manufacturing apparatus 1 of the present embodiment. That is, the moving chambers 7 and 8 are added to the organic EL device manufacturing apparatus 1 described above.
  • the moving chambers 7 and 8 have the same configuration as the moving chamber 2.
  • a plurality of film forming fixed chambers 4 can be operated simultaneously. Therefore, the organic EL element manufacturing apparatus 80 can construct a highly efficient production system.
  • the vapor deposition apparatus 40 may have a plurality of crucibles so that a plurality of films can be formed.
  • a plurality of sets of sources may be installed in one film forming fixed chamber, and a plurality of substrates may be transported and evaporated simultaneously.
  • the film forming fixed chambers 4a to 4l are provided with the vapor deposition device 40 and the substrate loading / unloading device 21 in the housing 12o.
  • the substrate cooling device 140 is recommended.
  • FIG. 23 to FIG. 27 show a modification of the fixed chamber for film formation, and the substrate cooling device 140 is built in the housing 12o.
  • the substrate cooling device 140 has a plate shape and includes a cooling surface 142 on the surface.
  • the substrate cooling device 140 is provided at a position facing the thin film material discharge unit 43. Note that there is a space in which the glass substrate 20 is inserted between the thin film material discharge unit 43 and the base material cooling device 140.
  • a cooling liquid (not shown) circulates in the thin film material discharge portion 43, and the temperature of the cooling surface 142 is maintained at a predetermined temperature or lower.
  • the film forming fixed chamber 145 shown in FIGS. 23 to 27 further includes a base material abutting means for abutting the glass substrate 20 against the cooling surface 142. That is, in the film forming fixed chamber 145 shown in FIGS. 23 to 27, the substrate loading / unloading device 21 is movable.
  • the base material loading / unloading device 21 has two upper and lower roller rows 130 and 131. In this embodiment, a part or all of the roller rows 130 and 131 move toward the base material cooling device 140. .
  • the glass substrate 20 is inserted into the space between the thin film material discharge unit 43 and the base material cooling device 140, and then one of the roller rows 130 and 131 of the base material input / output device 21. As a result, the glass substrate 20 moves to the base material cooling device 140 side, and its back surface contacts the base material cooling device 140 as shown in FIG.
  • a method of moving the roller rows 130 and 131 toward the substrate cooling device 140 is arbitrary, and a method of moving the roller rows 130 and 131 in parallel by, for example, a cylinder or a motor is conceivable.
  • one end side 133 of the roller rows 130 and 131 is fixed to the back side of the vacuum chamber 12s by a pin 135 or the like so that the opening side can be moved in the horizontal direction.
  • the opening side is moved between the thin film material discharge
  • the opening side of the roller arrays 130 and 131 approaches the base material cooling device 140 side, and as a result, the glass substrate 20 approaches the base material cooling device 140 side.
  • a device for bringing the glass substrate 20 toward the base material cooling device 140 may be provided.
  • the power for moving the glass substrate toward the substrate cooling device 140 may be provided separately with the above-described cylinder, motor, etc.
  • the method for obtaining power from the moving chamber 2 and the fixed chamber 4 for film formation It is also recommended that the glass substrate be brought closer to the base material cooling device 140 side using essential power. That is, since the film forming fixed chamber 4 is a room where vacuum deposition is performed, high cleanliness and vacuum are required. Therefore, an air cylinder or an oil cylinder should not be placed in the film forming fixed chamber 4. Also, it is desirable to avoid placing the motor in the film forming fixed chamber 4. Therefore, a power shaft and a power rod are projected from the moving chamber 2 and fitted into the film forming fixed chamber 4 to bring the glass substrate 20 closer to the base material cooling device 140 side.
  • the glass substrate is brought closer to the base material cooling device 140 side by using a force when the doors 25 and 26 of the film forming fixed chamber are closed.
  • the base material loading / unloading device 21 is translated using the force that the doors 25 and 26 open and close. That is, one end of the “L” -shaped links 125 and 126 is rotatably engaged with the doors 25 and 26, and the other end is rotatably engaged with the roller row of the substrate loading / unloading device 21. Then, intermediate portions of the links 125 and 126 are rotatably engaged with the film forming fixed chamber 4 by pins 127 or the like.
  • the roller row 131 of the substrate loading / unloading device 21 is on the center side of the vacuum chamber 12s, and the rollers 25 and 26 are closed when the doors 25 and 26 are closed.
  • the row 131 moves to the substrate cooling device 140 side. Therefore, when the glass substrate 20 enters the fixed film forming chamber and the doors 25 and 26 are closed, the glass substrate 20 moves to the base material cooling device 140 side, and the back surface thereof contacts the base material cooling device 140.
  • a moving chamber 99 shown in FIG. 31 is a modification of the moving chamber 2.
  • the moving chamber 99 includes a gas discharging device 100 instead of the gas discharging device 36 included in the moving chamber 2 described in the previous embodiment. For this reason, in the moving chamber 99, the same members as those in the moving chamber 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
  • the gas discharge device 100 has a discharge circuit 101 for discharging gas, and a branch circuit 102 capable of selecting a target space on which the discharge circuit 101 operates.
  • the discharge circuit 101 is composed of two discharge circuits, a main circuit 109 and a roughing circuit 110.
  • the main circuit 109 has a main valve 103, a cryopump 104, a regeneration valve 105, and a regeneration roughing pump 106.
  • the cryopump 104 is a pump that cools and condenses gas, and can store the condensed gas inside, and requires a regeneration process in a constant cycle. Therefore, the main circuit 109 includes a regeneration roughing pump 106.
  • the roughing circuit 110 has a roughing valve 107 and a roughing pump 108.
  • the target space can be made high vacuum.
  • high vacuum refers to a depressurized state of 10 minus 4 to 10 minus 5 Pascal (Pa).
  • the main circuit 109 and the roughing circuit 110 can select whether to act on the branch circuit 102 by opening and closing the main valve 103 and the roughing valve 107, respectively.
  • the branch circuit 102 includes three systems of auxiliary suction circuits 117 and 118 and a main suction circuit 119.
  • the auxiliary suction circuits 117 and 118 are piping systems that connect spaces 90 and 91 between the chambers generated when the suction side of the cryopump 104 and the moving chamber 99 are connected to other chambers.
  • the main suction circuit 119 is a piping system that connects the suction side of the cryopump 104 and the space 2g (vacuum chamber 2h) in the moving chamber 99.
  • the auxiliary suction circuit 117 includes a valve 111 and a pipe 112, and the pipe 112 is provided in the vicinity of the opening 2f.
  • the auxiliary suction circuit 118 includes a valve 115 and a pipe 116, and the pipe 116 is provided in the vicinity of the opening 2e.
  • the pipes 112 and 116 are both located outside the shutter 24 and communicate with the outside of the vacuum chamber 2 h of the moving chamber 99. Therefore, the auxiliary suction circuits 117 and 118 can connect the branch circuit 102 to the spaces 90 and 91 between the chambers that are generated when the moving chamber 99 is connected to other chambers.
  • the main suction circuit 119 has a valve 113 and a pipe 114, and the pipe 114 communicates with the space 2g (vacuum chamber 2h) in the moving chamber 99. Therefore, the main suction circuit 119 can connect the discharge circuit 101 to the space 2g (vacuum chamber 2h) in the moving chamber 99.
  • the space 2g (vacuum chamber 2h) in the moving chamber 99 can be made high vacuum, and the space 90 generated outside the moving chamber 99, 91 can also be a high vacuum.
  • the moving chamber 99 has an inter-chamber evacuation pump circuit 55 on the bottom surface side of the housing 2a, similarly to the moving chamber 2 described above. Therefore, in the moving chamber 99, by using both the gas discharge device 100 and the inter-chamber evacuation pump circuit 55, the spaces 90 and 91 between the chambers that are generated when the moving chamber 99 is connected to other chambers can be formed in a short time. High vacuum can be achieved. As a result, the substrate transfer time between the moving chamber 99 and another chamber can be shortened.
  • the spaces 90 and 91 generated between the moving chamber 99 and the other chambers are shown in FIG. 31 so as to be seen as large spaces. However, they are merely for easy understanding of the description. Is a small space.
  • the cleaning chamber 11 is provided separately, but the present invention is not limited to this.
  • the moving chamber 2 may be provided with the plasma cleaning device 30 shown in FIG. By doing so, the glass substrate 20 can be cleaned in the moving chamber 2, so that the cleaning chamber 11 becomes unnecessary.
  • the moving chamber 95 includes a plasma cleaning device 30 instead of the heat medium circulation temperature controller 48 included in the moving chamber 2 shown in the previous embodiment. For this reason, in the moving chamber 95, the same members as those in the moving chamber 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
  • the plasma cleaning device 30 supplies gas to the electrode 31 through the gas supply pipe 35, performs glow discharge between the electrodes 31 and 32, generates plasma, and uses the generated plasma to generate the electrodes 31 and 32.
  • the glass substrate 20 disposed therebetween is cleaned. That is, since the glass substrate 20 can be cleaned in the moving chamber 95, the cleaning chamber 11 becomes unnecessary. This eliminates the need to put the glass substrate 20 in and out of the cleaning chamber 11 performed in the organic EL element manufacturing apparatus 1, thereby reducing the production time.
  • a gas supply device may be provided to supply clean dry air (CDA) or the like into the vacuum chamber 2h in addition to nitrogen gas.
  • CDA clean dry air
  • the air in the vacuum chamber 2 h may be replaced with clean dry air to discharge the moisture-containing air and remove the moisture from the glass substrate 20.
  • clean dry air is air having a low dew point and a high cleanliness.
  • the heat medium circulation temperature controller 48 is provided in the moving chamber 2 , but the present invention is not limited to this.
  • a heating device and / or a cooling device may be provided instead of the heat medium circulation temperature controller 48.
  • the organic EL device 300 exemplified below is an integrated organic EL device.
  • the integrated organic EL device 300 is obtained by electrically connecting organic EL elements (hereinafter referred to as “unit EL elements”) formed in a strip shape in series.
  • the layer structure of the integrated organic EL device 300 is as shown in FIG. 33.
  • a plurality of grooves are provided, and one planar organic EL element is divided into strip-shaped unit EL elements.
  • the integrated organic EL device 300 is a substrate 301 in which a transparent electrode layer 302, a functional layer 303, and a back electrode layer 304 are sequentially laminated, and grooves 310, 311, 312, and 313 are formed in each layer. Yes.
  • the integrated organic EL device 300 includes a first groove 310 provided in the transparent electrode layer 302, a functional layer 303 (specifically, a hole injection layer 210, a hole transport layer 211, a light emitting layer 212, and an electron transport layer). 213) and the common groove 315 provided in the back electrode layer 304, each thin layer is partitioned to form independent unit EL elements 320a, 320b,. As described above, a part of the back electrode layer 304 enters the second groove 311, a part of the back electrode layer 304 is in contact with the transparent electrode layer 302, and one unit EL element 320 a is adjacent. The unit EL element 320b is electrically connected in series. In the integrated organic EL device 300, all the unit elements are electrically connected in series, and all the unit elements emit light.
  • a transparent electrode layer 302 is formed on a substrate (base material) 301 having translucency such as glass as shown in FIG. To do.
  • a first laser scribe process is performed to form a first groove 310 by laser scribe on the transparent electrode layer 302 as shown in FIG.
  • the substrate 301 is placed in the film forming fixed chamber 4, and a hole injection layer 210, a hole transport layer 211, a light emitting layer 212, and an electron transport layer 213 are sequentially deposited, as shown in FIG.
  • the functional layer 303 is formed. Note that an electron injection layer may be provided on the electron transport layer 213 as necessary.
  • the organic EL device manufacturing apparatus 1 of this embodiment can also be used when forming the functional layer 303.
  • the hole injection layer 210, the hole transport layer 211, the light emitting layer 212, and the electron transport layer 213 are manufactured as one organic EL device. Since the film can be formed by the apparatus 1, the functional layer 303 can be formed with high productivity.
  • a second laser scribing process is performed on the substrate 301 taken out from the film forming fixed chamber 4 to form a second groove 311 in the functional layer 303 as shown in FIG.
  • the substrate 301 is inserted into the metal chambers 13 and 14, and the back electrode layer 304 made of a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) is formed on the functional layer 303 as shown in FIG. Form. Also in the process of forming the back electrode layer 304, the organic EL device manufacturing apparatus 1 of the present invention can be used.
  • the back electrode layer 304 made of a metal material such as aluminum (Al) or silver (Ag) is formed on the functional layer 303 as shown in FIG. Form.
  • the organic EL device manufacturing apparatus 1 of the present invention can be used.
  • a third laser scribing step is performed to form a common groove 315 in both the back electrode layer 304 and the functional layer 303 as shown in FIG.
  • the forming of the power supply electrode (not shown), the formation of the separation groove (not shown) on the outer side, the removal of the back electrode layer 304 and the like on the outer part of the separation groove, and the sealing operation by the sealing part are performed.
  • An EL device (photoelectric conversion device) is completed.

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Abstract

 本発明は、搬送室に異常が発生した場合でも、生産を継続可能な有機EL素子の製造装置を提供することを課題とする。 複数の成膜用固定チャンバー4と、移動チャンバー2,3とを有し、複数の成膜用固定チャンバー4は、いずれも真空室12sと真空ポンプ39、および扉25,26とを備え、真空室12s内でガラス基板20に所定の膜を蒸着することが可能である。移動チャンバー2,3は、真空室2hと真空ポンプ39、および扉25,26とを備え、移動可能であって且つガラス基板20を搬送可能である。成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2,3は結合・離脱が可能である。複数の成膜用固定チャンバー4は、列状に並べて配され、移動チャンバー2,3は成膜用固定チャンバー4と結合し扉25,26を開いて真空室2h,12s同士を連通可能であり、成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2との間でガラス基板20の受け渡しが可能である。

Description

有機EL素子の製造装置
 本発明は有機EL素子の製造装置に関し、さらに詳細には、複数の成膜用固定チャンバーを有する有機EL素子の製造装置に関する。
 LED照明装置に代わる次世代の照明装置として、有機EL(Electro Luminescence)装置が注目され、多くの研究がなされている。
 有機EL装置は、ガラス基板や透明樹脂フィルムの基材に、有機化合物等で構成される有機EL素子を積層したものである。有機EL素子は、複数の有機層から成り、真空蒸着法等によって成膜される。
 真空蒸着法とは、真空に減圧した雰囲気の中で、材料に熱エネルギーを加えて蒸発させ、蒸発した材料を基板上に堆積させる方法である。有機EL素子の材料として用いられる有機化合物は、大気中に含まれる水分ですぐに劣化してしまう。そのため、有機EL素子は、真空雰囲気中で製造される。
 有機EL装置の代表的な層構成は、図35の通りである。図35に示される有機EL装置200は、ボトムエミッション型と称される構成であり、ガラス基板201に、透明電極層202と、機能層203と、裏面電極層205が積層され、これらが封止部206によって封止されたものである。
 また機能層203は、複数の有機化合物の薄膜が積層されたものである。代表的な機能層203の層構成は、図36の通りであり、正孔注入層210、正孔輸送層211、発光層212、及び電子輸送層213を有している。
 有機EL装置200は、ガラス基板201上に、前記した層を順次成膜することによって製造される。
 ここで上記した各層の内、透明電極層202は、酸化インジウム錫(ITO)や酸化亜鉛(ZnO)等の透明導電膜層であり、主にスパッタ法あるいはCVD法によって成膜される。
 機能層203は、前記した様に複数の有機化合物の薄膜が積層されたものであり、各薄膜はいずれも真空蒸着法によって成膜される。
 裏面電極層205は、アルミニウム等の金属薄膜であり、真空蒸着法によって成膜される。
 特許文献1には、有機EL素子の製造装置が開示されている。特許文献1に記載の有機EL素子の製造装置では、クラスタ方式又はインライン方式の生産方法を採用することによって、有機EL素子の量産を可能としている
 クラスタ方式とは、基板を振り分ける搬送室を中心に据え、搬送室の周囲に複数の成膜室を房状(クラスタ状)に配置した生産方式である。特許文献1に記載の有機EL素子の製造装置では、中央の搬送室内にハンドリングロボットが1台だけ配置されており、周囲に設けられた複数の成膜室への基板の出し入れを1台のハンドリングロボットが行っている。特許文献1に記載の有機EL素子の製造装置では、房状に配置された複数の成膜室等を1つのクラスタとし、複数のクラスタを有している。そして前記した複数のクラスタが直列的に連結されている。特許文献1に記載の有機EL素子の製造装置では、クラスタ間の基板の移動は、各々が有するハンドリングロボット同士で基板を受け渡すことにより、行っている。特許文献1に記載の有機EL素子の製造装置では、この様なクラスタ方式を採用し、1台の有機EL素子の製造装置で、成膜から封止までを全自動で生産することを実現している。
 一方、インライン方式とは、複数の成膜室を直線状に配置した生産方式である。特許文献1に開示されたインライン方式の有機EL素子の製造装置では、複数の成膜室同士がゲート弁を介して隣同士に配置され、搬送機構により各成膜室に基板を搬送し、順次成膜を実施している。このことにより、クラスタ方式と同様に、インライン方式においても1台の有機EL素子の製造装置で、成膜から封止までを全自動で生産することを実現している。
特開2006-134825号公報
 特許文献1に開示された有機EL素子の製造装置は、複数の工程を一つの設備で実施することができる。しかしながら、特許文献1に開示された製造装置は、設備の拡張や工程変更が困難であるという問題がある。
 すなわちクラスタ方式を採用する製造装置では、各装置を隙間無く環状に配置する必要があるから、新たな工程を実行する装置を後から入れることができない。
 またインライン方式においても同様であり、新たな工程を実行する装置を後から入れることは困難である。
 またクラスタ方式を採用する場合においても、インライン方式を採用する場合においても、各工程を円滑に実施することが困難であるという問題がある。
 すなわち有機EL素子は、基材に複数の薄膜層を積層したものである。そのため有機EL素子を製造するには、基材に複数の薄膜を成膜する必要がある。しかしながら、各層を成膜するために要する時間はまちまちである。そのため律速となる工程の前で待ち時間ができてしまい、工程が滞る。
 例えば、第2層の成膜に要する時間が第5層の成膜に要する時間の数倍である様な場合が考えられる。この様な場合には、第2層を成膜する成膜装置の数を第5層を成膜する装置よりも増やせば、待ち時間が少なくなり工程の滞りが解消される。
 しかしながら、クラスタ方式を採用する製造装置は、搬送室の周囲に複数の成膜室を房状(クラスタ状)に配置するレイアウトであるから、成膜室の数を多くすることは困難である。そのため同一工程の成膜室を複数設置することが困難であり、工程の滞りを解消することができない。
 またインライン方式は、原則的に各工程を実施する装置が工程順に直列に配列されるから、中途の工程を実施する装置を多くすることはできない。
 そこで本発明は、設備の拡張や工程変更が容易であり、且つ成膜に要する時間の長短を補うことが可能な有機EL素子の製造装置の開発を課題とする。
 またもう一つの問題として、特許文献1に記載された有機EL素子の製造装置は、クラスタ方式において、ハンドリングロボットに異常が発生すると、基板の搬送ができなくなり、生産が中断してしまう。ハンドリングロボットは、高い位置決め精度を確保するため搬送室に固定されている。そのため、ハンドリングロボットのメンテナンスが終わるまでは、生産の再開ができない。メンテナンス終了後には、搬送室を再度真空状態としなければならず、時間が掛かり、生産の再開が遅れる。
 また、特許文献1に記載された有機EL素子の製造装置は、インライン方式において、複数の成膜室同士の間に搬送室が配置されている。すなわち、複数の成膜室等が数珠つなぎ(一列状態)となっているため、途中の搬送室等に異常が発生すると、生産が中断してしまう。
 上記した現状に鑑み、本発明は、搬送室に異常が発生した場合でも、生産を継続可能な有機EL素子の製造装置の提供を目的とする。
 上記課題を解決するための発明は、複数の成膜用固定チャンバーと、1又は2以上の移動チャンバーとを有し、前記複数の成膜用固定チャンバーは、いずれも真空室と真空ポンプ、および扉とを備え、前記真空室内には気化した薄膜材料を放出する薄膜材料放出部があって前記真空室内で基材に所定の膜を蒸着することが可能であり、前記移動チャンバーは、真空室と真空ポンプ、および扉とを備え、移動チャンバーは、移動可能であって且つ基材を搬送可能であり、成膜用固定チャンバーと移動チャンバーは結合・離脱が可能であり、前記複数の成膜用固定チャンバーは、列状に並べて配され、移動チャンバーは成膜用固定チャンバーと結合し互いの扉を開いて真空室同士を連通可能であり、成膜用固定チャンバーと移動チャンバーとの間で基材の受け渡しが可能であることを特徴とする有機EL素子の製造装置である。
 本発明の有機EL素子の製造装置は、2以上の移動チャンバーを有することが望ましい。
 移動チャンバーとは、従来の搬送室に相当する機能を発揮させるものである。有機EL素子の製造において、従来の搬送室は固定されたままであった。すなわち、搬送室は真空雰囲気に保つことが必要であり、真空ポンプやハンドリングロボット等の装置を備えた搬送室を移動させるという概念はなかった。
 本発明で採用する移動チャンバーは、移動可能であって且つ基材を搬送可能である。列状に並べて配された複数の成膜用固定チャンバーと移動チャンバーは結合・離脱が可能であり、移動チャンバーは成膜用固定チャンバーと結合し互いの扉を開いて真空室同士を連通可能である。つまり、移動チャンバーと成膜用固定チャンバーとは、互いに真空状態を維持したまま真空室同士を一体化し、1つの真空空間にすることができる。本発明の製造装置では、1つの真空空間において、成膜用固定チャンバーと移動チャンバーとの間で基材の受け渡しができる。
 すなわち、成膜用固定チャンバーに対して、移動チャンバーの方が移動して結合し、真空雰囲気中で、移動チャンバーから成膜用固定チャンバーへ基材を渡すことができる。そして、基材の蒸着が終了すると、両者は再度結合して、真空雰囲気中で、移動チャンバーが成膜用固定チャンバーから基材を受け取ることができる。
 前述の移動チャンバーを複数配置することにより、例えば1つの移動チャンバーに異常が発生しても、正常な移動チャンバーと容易に交換ができるので、生産が中断することはない。
 本発明の有機EL素子の製造装置によれば、移動チャンバーに異常が発生した場合でも、生産を継続可能である。
 前記移動チャンバーは、プラズマクリーニング装置を有していることが望ましい。
 プラズマクリーニング装置とは、ガス雰囲気中で行うプラズマ放電により、基材表面に付着したカーボン等の汚れを除去し、基材表面の接着効果を改善可能なものである。プラズマクリーニング装置を用いることにより、有機EL素子を高寿命・高品質とすることができる。従来は、プラズマクリーニング装置は、別途の独立した装置たる洗浄室に設けられていた。しかし、基材の洗浄に要する時間は短く、その一方で、洗浄室に対して基材の出し入れを行うのに要する時間の方が長いため、実作業に要する時間に比べて輸送時間が長く無駄が多かった。
 本発明で採用する移動チャンバーは、プラズマクリーニング装置を有している。すなわち、移動チャンバーで基材の洗浄を行うことができるため、別途の洗浄室を設ける必要がない。このことにより、従来行われていた洗浄室への基材の出し入れに要する時間が不要となる。
 従って本発明の有機EL素子の製造装置によれば、生産効率の向上が可能である。
 また本発明で採用する移動チャンバーは、窒素ガスその他の不活性ガスを当該チャンバー内に供給する不活性ガス供給装置を有していることが望ましい。
 窒素ガスは、化学的に安定した不活性ガスであり、他の物質と反応を起こしにくい。
 有機EL素子は、最終の封止工程において、窒素ガスその他の不活性ガス雰囲気中でガラスキャップと貼り合わされる。すなわち、窒素ガス供給装置等を用いて、例えば窒素ガスを真空室内に充満させることにより、全ての成膜を終えた基材を、最終の封止工程にスムーズに送ることが可能となる。
 また、何らかの理由で生産を中断する場合、移動チャンバー内に中間品状態の基材がとどまってしまう事態が想定される。ここで中間品状態の基材が置かれた雰囲気中に水蒸気が含まれていると、基材に積層された薄膜が劣化してしまう。その対策として、移動チャンバー内を真空に保持する方策が考えられる。
 この様に何らかの理由で生産を中断する場合、移動チャンバーを真空状態で保持する必要がある。そのため、真空ポンプを稼働させ続けることとなるが、真空ポンプを稼働させ続けることは安全上好ましくない。
 しかし、真空ポンプを停止すると、真空室内に大気が入り込む。その結果、基材に成膜された有機化合物が大気に晒され、大気中に含まれる水分で劣化してしまう。
 窒素ガスで封止された真空室では、生産途中の基材を劣化させることなく、一定期間保持できる。つまり、窒素ガスを用いることによって、真空ポンプを停止できるため、安全である。
 本発明の有機EL素子の製造装置は、安全面で優れている。
 前記移動チャンバーは、自走式の台車を有していることが望ましい。
 自走式の台車とは、モータ等の駆動装置を備えた台車を指している。すなわち、自走式の台車を有することにより、移動チャンバーの制御を容易に行うことができる。このことにより、いくつかの移動チャンバーを用いて、複数の成膜用固定チャンバーを同時に稼働させることができる。
 本発明の有機EL素子の製造装置によれば、高度な生産システムを容易に構築できる。
 有機EL素子の製造装置は、レールを有し、前記移動チャンバーはレールに沿って移動するものであることが望ましい。
 レールとは、固定された軌道を指している。すなわちレールは位置ズレ等を起こすことがない。レールに沿って移動チャンバーを移動せることにより、繰り返しの位置決め精度を高くすることができる。その結果、移動チャンバーを高速で移動できる。
 本発明の有機EL素子の製造装置によれば、生産速度を向上できる。
 移動チャンバーは、基材を加熱及び/又は冷却する加熱装置及び/又は冷却装置を有していることが望ましい。
 有機化合物は、水分に弱いという特徴がある。そのため、成膜が行われる基材は、予め加熱して水分を除去する必要がある。また、成膜用固定チャンバーにて成膜が行われた直後の基材は、蒸着時に加熱されるため、熱が蓄積されている。有機化合物が成膜された各有機層は、残留熱によりダメージを受ける恐れがある。そのため、成膜後には、基材を冷却する必要がある。すなわち、移動チャンバーが加熱装置及び/又は冷却装置を有することにより、移動チャンバー内で基材を加熱及び/又は冷却することができ、有機層の損傷を防止できる。
 本発明の有機EL素子の製造装置によれば、高品質の有機EL素子を製造できる。
 本発明の有機EL素子の製造装置は、移動チャンバーと共に移動する真空ポンプを有し、当該真空ポンプの吸引側は、移動チャンバーの一部であって移動チャンバーが成膜用固定チャンバーと結合した際に成膜用固定チャンバー側の扉と移動チャンバー側の扉との間で挟まれる空間に接続されており、前記空間を真空状態にすることができる構成とすることが望ましい。
 本発明の有機EL素子の製造装置は、真空ポンプの吸引側と前記空間とを接続する補助吸引回路と、前記真空ポンプの吸引側と移動チャンバーの内部を接続する主吸引回路とを有し、さらに補助吸引回路と主吸引回路にはそれぞれ開閉弁が設けられていることが望ましい。
 前記移動チャンバーは対向する両面に扉を有し、移動チャンバーは両面のどちらの扉でも成膜用固定チャンバーと結合可能であることが望ましい。
 前記真空室内に、基材を冷却する基材冷却手段が設けられていることが望ましい。
 基材冷却手段は冷却面を有し、基材を冷却面に当接させる基材当接手段を有することが望ましい。
 基材当接手段は、移動チャンバーの扉と連動して動作させる構造とすることが望ましい。
 本発明の有機EL素子の製造装置は、設備の拡張や変更が容易である。
 また本発明の有機EL素子の製造装置によれば、移動チャンバーに異常が発生した場合でも、生産を継続可能である。
本発明の実施形態に係る有機EL素子の製造装置を示す斜視図である。 有機EL素子の製造装置を平面視したブロック図である。 払出装置を示す図であり、(a)は斜視図、(b)は一部を透視した斜視図である。 図3(b)のA-A断面図である。 洗浄チャンバーを示す斜視図である。 洗浄チャンバーを示す正面図であり、シャッターを開いた状態である。 プラズマクリーニング装置の構造を示す概念図であり、(a)はガラス基板を装着する前の状態、(b)はガラス基板を装着した状態である。 成膜用固定チャンバーを示す斜視図である。 成膜用固定チャンバーを示す正面図であり、シャッターを開いた状態である。 蒸着装置の構造を示す概念図であり、(a)はガラス基板を装着する前の状態、(b)はガラス基板を装着した状態である。 移動チャンバー及びチャンバー移動装置を示す斜視図である。 移動チャンバーを示す図であり、(a)はシャッターを開いた状態の正面図、(b)はガラス基板を装着した状態で側面視した断面図である。 直線ガイドおよび電動シリンダを示す斜視図である。 移動チャンバーの移動方向を示す有機EL素子の製造装置の斜視図である。 成膜用固定チャンバーと移動チャンバーの結合状態を示す斜視図である。 成膜用固定チャンバーと移動チャンバーの結合状態を示す断面図である。 成膜用固定チャンバーと移動チャンバーの結合状態を示す概念図であり、(a)は移動チャンバーがガラス基板を保持した状態、(b)は成膜用固定チャンバーと移動チャンバーの真空室同士が一体化した状態、(c)は移動チャンバーから成膜用固定チャンバーへガラス基板が移動した状態、(d)は成膜用固定チャンバーと移動チャンバーとがシャッターで分断された状態である。 有機EL素子の製造装置の成膜工程を示すブロック図であり、1台目の移動チャンバーのみが動いている状態であり、(a)はガラス基板払出状態、(b)はガラス基板洗浄状態、(c)はガラス基板成膜状態である。 有機EL素子の製造装置の成膜工程を示すブロック図であり、2台の移動チャンバーが動いている状態であり、(a)はガラス基板払出およびガラス基板受取状態、(b)はガラス基板洗浄およびガラス基板投入状態、(c)はガラス基板成膜状態である。 本発明の変形例に係る有機EL素子の製造装置を示すブロック図である。 各チャンバーに内蔵されている基材入出装置及びガラス基板の斜視図である。 図21に示す基材入出装置にガラス基板が載置された状態を示す斜視図である。 成膜用固定チャンバーの変形例を示す正面図であり、シャッターを開いた状態である。 図23の成膜用固定チャンバーの内部構造を示す概念図であり、ガラス基板を所定の位置に装着する前の状態を示す。 図23の成膜用固定チャンバーの内部構造を示す概念図であり、ガラス基板が所定の位置に装着されんとする状態を示す。 図23の成膜用固定チャンバーの内部構造を示す概念図であり、ガラス基板が所定の位置に装着されんとする状態であって図25に次ぐ状態を示す。 図23の成膜用固定チャンバーの内部構造を示す概念図であり、ガラス基板が所定の位置に装着された状態を示す。 成膜用固定チャンバーの変形例を示す平面断面図である。 成膜用固定チャンバーの他の変形例を概念的に示す斜視図であり、扉が開いている状態を示す。 成膜用固定チャンバーの他の変形例を概念的に示す斜視図であり、扉が閉じている状態を示す。 成膜用固定チャンバーと変形例の移動チャンバーの結合状態を示す断面図である。 移動チャンバーの変形例を示す図であり、シャッターを開いた状態の正面図である。 本発明の実施形態の有機EL素子の製造装置で製造される有機EL素子の拡大断面図である。 図33に示す有機EL素子の製造工程を示す説明図である。 有機EL装置の代表的な層構成を示す断面図である。 有機EL素子の代表的な層構成を示す断面図である。
 以下、本発明の有機EL素子の製造装置の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明は、実施形態の理解を容易にするためのものであり、これによって、本発明が制限して理解されるべきではない。また、各図面において、共通する部品については同一の符号を付すものとする。そのため、一度説明した部品については、その後は説明を省略する。
 図1に示す有機EL素子の製造装置1は、薄膜素子である有機EL素子を製造するための装置である。有機EL素子の製造装置1は、2基の移動チャンバー2,3と、12基の成膜用固定チャンバー4a~4lと、チャンバー移動装置5と、払出装置10と、洗浄チャンバー11と、金属チャンバー13,14と、レーザーチャンバー15,16と、受取装置17とを有している。
 ここで成膜用固定チャンバー4a~4lが有機層を成膜するものである。金属チャンバー13,14は、裏面電極層を成膜するものである。成膜用固定チャンバー4a~4lと金属チャンバー13,14は内部でガラス基板を真空蒸着する機能を備えている。
 レーザーチャンバー15,16は、レーザスクライブ装置を備えており、有機層や裏面電極層をレーザスクライブして溝を設ける機能を備えている。
 図2に示すように、12個の成膜用固定チャンバー4a~4l(総括して番号4を付す)は、移動チャンバー2,3およびチャンバー移動装置5を挟んで、2列に配置されている。各列には6個の成膜用固定チャンバー4が位置している。即ち6個の成膜用固定チャンバー4a,4c,4e,4g,4i,4kが一つの列を構成して並んでおり、残る6個の成膜用固定チャンバー4b,4d,4f,4h,4j,4lがもう一本の列を構成して並んでいる。そして成膜用固定チャンバー4a~4lの列同士がチャンバー移動装置5等を挟んで向き合っている。
 個々の成膜用固定チャンバー4a~4lに注目すると、成膜用固定チャンバー4aと成膜用固定チャンバー4bとが向き合い、成膜用固定チャンバー4c,4dが向き合い、成膜用固定チャンバー4e,4fが向き合い、成膜用固定チャンバー4g,4hが向き合い、成膜用固定チャンバー4i,4jが向き合い、成膜用固定チャンバー4k,4lが向き合う。
 金属チャンバー13,14と、レーザーチャンバー15,16は、成膜用固定チャンバー4の近傍に位置している。そして金属チャンバー13,14がチャンバー移動装置5等を挟んで向き合い、レーザーチャンバー15,16についても同様に向き合っている。
 各チャンバーは、いずれも筐体を持ち、その内部に個々の機能を発揮する装置が内蔵されている。各チャンバーは、いずれもガラス基板20を出し入れするための開口を有する。そして開口端には、フランジが設けられている。また開口を開閉するシャッター24が設けられている。
 さらに筐体内には、基材入出装置21が設けられている。
 以下、順次説明する。
 図3(a)に示すように、払出装置10は、筐体10aを有している。筐体10aは、天面、底面、両側面の四方が囲まれた箱体である。筐体10aの正面および背面には、それぞれシャッター24a,24bがそれぞれ設けられている。
 筐体10aの正面および背面の端部には、各々フランジ10o,10pが設けられている。フランジ10o,10pは四角であり、フランジ10oの4隅の内の対向する2角に穴10qが設けられている。
 正面および背面のシャッター24a,24bは、いずれもスライド型ゲートバルブと称されるものが採用されており、気密性を備えている。なお、シャッター24a,24bは、真空を保たれるものであれば良く、ドアバルブでも構わない。
 いずれのシャッター24a,24bについてもそれぞれスライド式の扉25,26を有している。扉25,26は、図3(a)の矢印の方向に、図示しないモータで開閉する。
 図3(b)に示すように、筐体10aの正面側のシャッター24aに属する扉25,26を開くと、筐体10aの正面側に開口10hが現れる。同様に、筐体10aの背面側のシャッター24bに属する扉25,26を開くと、筐体10aの背面側に開口10iが現れる。開口10hと開口10iとは、筐体10aの内部の空間10jを介して、連通している。
 空間10jには、4列のローラ列130a,131a,130b,131bが設けられている。ローラ列130a,131a,130b,131bは、上下のローラ列が一組となって基材入出装置21が構成されている。本実施形態では、基材入出装置21が2組設けられている。2組の基材入出装置21a,21bは、平行に並んでおり、開口10hおよび開口10iに対して、直交している。
 図21は、基材入出装置21の斜視図である。基材入出装置21は、上下のローラ列130,131によって構成されており、図22の様にローラ列130,131の間にガラス基板20を走行させるものである。
 図4は、図3(b)のA-A断面図である。図4に示すように、各組の基材入出装置21は、それぞれ複数のローラ22を有している。各組の基材入出装置21では、ローラ22は、筐体10a内部の天面10m側のローラ列130と、底面10n側のローラ列131に、それぞれ5個づつ設けられている。上下に設けられたローラ22は、それぞれ上下で直線状に位置している。そして上下のローラ列130,131は対向している。ローラ22は、図示しないモータで回転する。ローラ22を回転させることによって、ガラス基板20(基材)を立てたまま移動できる。
 すなわち、払出装置10は、図4の矢印に示す通り、開口10hおよび開口10iのどちらからでも、ガラス基板20を出し入れ可能である。このことにより、払出装置10は、外部から供給されるガラス基板20を空間10j内に装填し、有機EL素子の製造装置1のチャンバー移動装置5側へ払い出すことができる。逆にチャンバー移動装置5側から、有機EL素子の製造装置1の外にガラス基板20を払い出すことができる。
 受取装置17は、払出装置10と同一の構造の筐体10a及び基材入出装置21を有している。さらに受取装置17は、後述する窒素ガス供給装置50を備えている。
 受取装置17は、有機EL素子の製造装置1にて製造された有機EL素子を受け取り、最終工程へ払い出す用途に使用される。
 図5は、洗浄チャンバー11を図示したものである。洗浄チャンバー11は、ガラス基板をプラズマクリーニングするチャンバーである。
 図5に示すように、洗浄チャンバー11は、筐体11aを有している。筐体11aは、天面、底面、両側面、背面の五方が囲まれた箱体である。筐体11aの正面には、シャッター24が設けられている。なお、筐体11aの正面には、フランジ11bが設けられている。フランジ11bは四角であり、その4隅の内の対向する2角に穴11cが設けられている。筐体11aの内部には、空間11dを有している。
 図6に示すように、扉25,26を開くと、筐体11aの正面側に開口11eが現れる。洗浄チャンバー11は、プラズマクリーニング装置30と、基材入出装置21と、気体排出装置36とを有している。プラズマクリーニング装置30と、基材入出装置21と、気体排出装置36とは、2組づつ設けられている。2組の基材入出装置21は、2組のプラズマクリーニング装置30を挟んで平行に並んでおり、開口11eに対して直交している。
 気体排出装置36は、ダクト37と、バルブ38と、真空ポンプ39とを有している。ダクト37は、空間11d内から外へ突出している。ダクト37にはバルブ38を介して真空ポンプ39が接続されている。このことにより、真空ポンプ39は、空間11d内の気体を排出可能である。
 プラズマクリーニング装置30は、電極31,32と、高周波電源33と、インピーダンスを整合可能なマッチング装置34と、ガス供給管35とを有している。
 電極31,32は、空間11d内に位置しており、基材入出装置21を跨いで対向配置されている。電極31は、高周波電源33と、マッチング装置34を介して直列に接続されている。
 図7は、プラズマクリーニング装置30の構造を示す概念図であり、図7(a)はガラス基板20を装着する前の状態、図7(b)はガラス基板20を装着した状態である。なお、いずれの図についても基材入出装置21の図示を省略している。
 図7(a)に示すように、電極31,32は、板状の電極である。電極31の表面には孔31aが複数設けられている。ガス供給管35は電極31に接続され、孔31aと連通している。
 図7(b)に示すように、図示を省略した基材入出装置21を用いて、電極31,32間にガラス基板20を配置する。そして、酸素やアルゴンガス等の気体を、ガス供給管35を通じて電極31に供給する。すると、電極31に設けられた複数の孔31aから気体が噴射され、空間11d内に気体が拡がる。この状態で、電極31,32間にグロー放電を行うと、電極31,32間にプラズマが生じる。
 すなわち、洗浄チャンバー11は、発生したプラズマを用いて、ガラス基板20の洗浄が可能である。このことにより、洗浄チャンバー11は、ガラス基板20を開口11eから空間11d内に取り入れて洗浄し開口11eから排出することが可能である。
 つぎに、成膜用固定チャンバー4について説明する。
 本実施形態では、図2に示すように、12個の成膜用固定チャンバー4a~4lを有している。なお、成膜用固定チャンバー4a~4lは、同一の構成であるため、成膜用固定チャンバー4として説明する。
 図8に示すように、成膜用固定チャンバー4は、筐体12oを有している。筐体12oは、天面、底面、両側面、背面の五方が囲まれた箱体である。筐体12oの正面には、シャッター24が設けられている。また筐体12o内は真空室となる。
 筐体12oの正面には、フランジ12pが設けられている。フランジ12pは四角であり、その4隅の内の対向する2角に穴12qが設けられている。筐体12oの内部には、空間12rを有している。空間12rは、真空室12sを成している。
 図9に示すように、扉25,26を開くと、筐体12oの正面側に開口12tが現れる。成膜用固定チャンバー4は、蒸着装置40と、気体排出装置36と、基材入出装置21とを有している。気体排出装置36とは、筐体12aの底面にあり、蒸着装置40を挟んで2か所に設けられている。気体排出装置36は、ダクト37と、バルブ38と、真空ポンプ39とを有している。すなわち、気体排出装置36は、真空室12h内を真空状態にできる。
 基材入出装置21は、真空室12s内に2組設けられている。2組の基材入出装置21は、蒸着装置40を挟んで平行に並んでおり、開口12tに対して直交している。
 蒸着装置40は、蒸発装置41と、制御バルブ44と、蒸気チャンバー42と、2つの薄膜材料放出部43とを有している。2つの薄膜材料放出部43と蒸発装置41とは、制御バルブ44を介して、蒸気チャンバー42で接続されている。
 蒸発装置41は、公知の坩堝45と気化用電気ヒータ46によって構成されている。蒸発装置41の構造及び機能は、公知のそれと同一であり、坩堝45内に薄膜材料を入れ、電気ヒータ46で薄膜材料を溶融し、さらに気化させることができる。
 蒸気チャンバー42は、薄膜材料の蒸気が通過する通路として機能するものである。蒸気チャンバー42の外周面には、図示しない保温用ヒータが取り付けられている。
 制御バルブ44は、蒸気量を調整可能である。
 図10は蒸着装置40の構造を示す概念図であり、図10(a)はガラス基板20を装着する前の状態、図10(b)はガラス基板20を装着した状態である。
 図10(a)に示すように、薄膜材料放出部43は、板状であり、正面に複数の孔43aを有している。薄膜材料放出部43は、当業者の間で、エリアソースと称される原料供給方式を採用するものである。薄膜材料放出部43は、シャワープレートとも呼ばれている。なお、薄膜材料放出部43は、エリアソースに限定されるものではなく、リニアソースを用い、リニアソースが上下又は基板進行方向に可動するタイプでも良い。
 薄膜材料放出部43の内部は空洞であり、薄膜材料放出部43の背面に蒸気チャンバー42が接続されている。そのため、孔43aは、蒸気チャンバー42に連通している。
 薄膜材料放出部43は、真空室12s内に設置されている。
 図10(b)に示すように、図示を省略した基材入出装置21を用いて、薄膜材料放出部43にガラス基板20を対向配置させる。そして、図示を省略した扉25,26を閉め、気体排出装置36を用いて真空室12s内を真空状態とする。この状態で、蒸発装置41で蒸発させた薄膜材料を、蒸気チャンバー42を通じて、薄膜材料放出部43に供給する。その結果、薄膜材料放出部43に設けられた複数の孔43aから、蒸発した薄膜材料が噴出され、ガラス基板20に蒸着する。
 つぎに、移動チャンバー2,3について説明する。図11に示すように、移動チャンバー2,3は、チャンバー移動装置5の上に載置されている。なお、移動チャンバー2,3は、同一の構成であるので、それらを構成する部材には同一の符号を付すものとし、移動チャンバー3の説明は省略する。
 移動チャンバー2は、筐体2aを有している。筐体2aは、天面、底面、両側面の四方が囲まれた箱体である。筐体2aの正面および背面には、シャッター24が設けられている。筐体2aの天面には、気体排出装置36と、窒素ガス供給装置50とが設けられている。
 筐体2aの正面および背面の端部には、各々フランジ2b,2cが設けられている。フランジ2b,2cの大きさは、前述の払出装置10のフランジ10o、洗浄チャンバー11のフランジ11b、成膜用固定チャンバー4のフランジ12pと同一である。
 フランジ2b,2cは四角であり、その4隅の内の対向する2角にピン2dが設けられている。ピン2dの位置は、前述の払出装置10の穴10q、洗浄チャンバー11の穴11c、成膜用固定チャンバー4の穴12qの位置に相当している。
 また、フランジ2b,2cには、オーリング28(Oリング)が装着されている。オーリング28は、公知の密封部材である。オーリング28の断面形状は、図12(b)のように円形である。オーリング28の断面形状は、台形状でも良く、正方形等の他の多角形でも構わない。なお、オーリング28の代わりに、公知のインフラートシールを用いても構わない。
 図12(a)に示すように、扉25,26を開くと、筐体2aの正面側に開口2eが現れ、筐体2aの背面側に開口2fが現れる。開口2eと開口2fの大きさは、前述の払出装置10の開口10h,10i、洗浄チャンバー11の開口11e、成膜用固定チャンバー4の開口12tと同一である。
 開口2eと開口2fとは、筐体2aの内部の空間2gを介して、連通している。空間2gは、真空室2hを成している。
 筐体2aの天面に設けられた窒素ガス供給装置50は、本体51と、バルブ53と、ガス供給管52とを有している。ガス供給管52は、筐体2aの天面から真空室2h内に突出している。本体51は、バルブ53を介して、ガス供給管52に接続されている。本体51は、窒素ガスを供給可能である。すなわち、窒素ガス供給装置50は、バルブ53とガス供給管52を通じて、真空室2h内に窒素ガスを供給可能である。
 筐体2aの天面に設けられた気体排出装置36は、ダクト37と、バルブ38と、真空ポンプ39とを有している。すなわち、気体排出装置36は、真空室2h内を真空状態にできる。
 真空室2h内には、2組の基材入出装置21と、熱媒体循環温度調節機48とが設けられている。
 2組の基材入出装置21は、真空室2h内に平行に並んでいる。2組の基材入出装置21が位置する間隔は、前述の払出装置10、洗浄チャンバー11、成膜用固定チャンバー4が各々備える2組の基材入出装置21の間隔と同一である。
 図12(b)に示すように、基材入出装置21は、開口2eおよび開口2fに対して、直交している。すなわち、移動チャンバー2は、開口2eおよび開口2fのどちらからでもガラス基板20を出し入れ可能である。
 図12(a)に示した熱媒体循環温度調節機48は、加熱機能と冷却機能とを有した温度調節機である。熱媒体循環温度調節機48の内部には、水等の熱媒体の循環路(図示せず)が設けられており、熱媒体を加熱又は冷却することで、真空室2h内に配置されるガラス基板20を加熱又は冷却することができる。
 なお、熱媒体循環温度調節機48の代わりに、加熱装置としてパネルヒータやシースヒータ等を用いても構わない。また、冷却装置として、ペルチエ素子を用いたクーラー等を用いても良い。或いは、冷却装置として、窒素ガス供給装置50や水素ガス供給装置を用いても構わない。窒素ガスや水素ガスは、ガラス基板20の冷却効果に優れているからである。
 図12(b)に示すように、移動チャンバー2は、筐体2aの底面側に、チャンバー間真空引きポンプ回路55を有している。チャンバー間真空引きポンプ回路55は、2つのダクト(配管)56a,56bと、2つのバルブ57a,57bと、真空ポンプ58から構成されている。チャンバー間真空引きポンプ回路55は、移動チャンバー2が他のチャンバーとドッキングした際に生じるチャンバー間の空間90,91を、真空雰囲気にする装置である。そのため、2つのダクト56は、各々真空室2h外であって開口2e,2fの近傍に設けられている。ダクト56は、シャッター24よりも外側に接続されている。
 図11に示すように、チャンバー移動装置5は、移動チャンバー2を平面内で前後左右に移動させるものである。チャンバー移動装置5は、一対のレール60と、移動台車65とを有している。レール60の上には、移動台車65が載置されている。移動台車65の上には、移動チャンバー2が固定されている。
 レール60は、水平方向に延びており、公知の列車用レールと同様の断面形状をしている。レール60は、床面に設けられたまくら木64に、公知のタイプレート等によって固定されている。
 レール60の間には、長尺のラック62が位置している。ラック62は歯61を有しており、歯61は横向きに設けられている。
 レール60の端部には、ストッパ63が設けられている。ストッパ63には、公知のショックアブソーバが内蔵されている。
 移動台車65は、車輪68と、ベース板67と、直線ガイド69と、移動板66とを有している。
 車輪68は回転可能な状態で、ベース板67に軸支されている。車輪68は、レール60の上に載置されている。
 ベース板67の一部には張出部70があり、ギヤードモータ等のモータ71が設けられている。モータ71は、ベース板67の下側に位置するピニオンギア72に連結されている。ピニオンギア72は、ラック62の歯61と係合している。
 すなわち、モータ71を回転させると、ピニオンギア72が回転する。ピニオンギア72は歯61と噛み合っていることから、移動台車65はラック62に沿ってレール60上を自走する。
 一方、ベース板67の上には、一対の直線ガイド69が固定されている。直線ガイド69は、レール60に対して直交している。
 直線ガイド69の上には、移動板66が位置している。移動板66の上には、移動チャンバー2が固定されている。
 図13に示すように、一対の直線ガイド69の間には、電動シリンダ74が位置している。電動シリンダ74は、シャフト75と2つの固定部76とを有している。
 固定部76はベース板67に固定されている。2つの固定部76は、直線ガイド69の長手方向と同等の長さだけ離れている。
 シャフト75は、2つの固定部76の間に位置している。シャフト75の両端部は、固定部76に固定されている。
 電動シリンダ74は、中空状であり、シャフト75に嵌められている。電動シリンダ74は、シャフト75に沿って、図13の矢印の方向にスライド可能である。電動シリンダ74には、移動板66が固定される。移動板66は、直線ガイド69に跨っている。移動板66の上には移動チャンバー2が固定されている。
 電動シリンダ74を図13の矢印の方向にスライドさせると、移動板66と移動チャンバー2がスライドする。直線ガイド69はレール60に直交していることから、移動チャンバー2はレール60に直交する方向にスライドする。
 すなわち、移動チャンバー2は、図14の矢印で示す前後左右の方向に、移動可能である。このため、移動チャンバー2は、前述の払出装置10や洗浄チャンバー11、および成膜用固定チャンバー4の内、目的とする位置へレール60に沿って移動できる。前述のチャンバーの前で停止した後、移動チャンバー2を前後方向に移動することにより、前述のチャンバーと近接・離反することができる。
 図15は、成膜用固定チャンバー4に移動チャンバー2が近接して結合した状態を示す。成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2とは、フランジ12pとフランジ2cが接合する。この時、フランジ12pに設けられた2つの穴12qに、フランジ2cが有する2つのピン2dが挿入される。このことにより、成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2とは、位置ズレを生じることがない。
 また、成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2との結合状態は、図16の断面図で示すことができる。図16に示すように、成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2とは、フランジ12pとフランジ2cとが、オーリング28を挟んで接合されている。オーリング28によって、フランジ12pとフランジ2cとは密封されている。フランジ12pとフランジ2cとの間(成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2との間;チャンバー間)には、密封された空間90が生じている。
 空間90内は、チャンバー間真空引きポンプ回路55によって、真空雰囲気にされる。なお、フランジ2bについても、同様である。すなわち、フランジ2bと移動チャンバー2のフランジ12pとが接合した際には、フランジ2bとフランジ12pとの間の空間91も真空雰囲気にされる。
 成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2とのガラス基板20の移動方法について、図17(a)~(d)を用いて説明する。
 図17(a)は、成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2とが結合した状態を示す。フランジ12pとフランジ2c同士はオーリング28を挟んで接合している。この時、成膜用固定チャンバー4の開口12tと、移動チャンバー2の開口2fとは対面している。また成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2とが有するシャッター24同士も対面している。
 この状態において、前述の通り、フランジ12pとフランジ2cとの間の空間90を、チャンバー間真空引きポンプ回路55によって、真空雰囲気にする。
 また、成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2とは、どちらも気体排出装置36を備えている。このことにより、成膜用固定チャンバー4が有する真空室12sと、移動チャンバー2が有する真空室2hとは、どちらも真空状態にある。図17(a)では、移動チャンバー2側の真空室2h内には、ガラス基板20が保持されている。
 図17(b)は、図17(a)の状態から、対面したシャッター24同士を開いた状態を示す。成膜用固定チャンバー4の開口12tと、移動チャンバー2の開口2fとは連通している。その結果、成膜用固定チャンバー4が有する真空室12sと、空間90と、移動チャンバー2が有する真空室2hとが連通して一体化され、1つの空間を成している。真空室12sと、空間90と、真空室2hとは、いずれも真空状態であったので、一体化された空間も真空状態を維持したままである。
 一体化された空間において、成膜用固定チャンバー4と移動チャンバー2とが有する基材入出装置21を動作させる。すると、ガラス基板20は、図17(b)に示す矢印の方向へ移動を開始する。
 図17(c)は、図17(b)の状態から、ガラス基板20の移動が完了した状態を示す。ガラス基板20は、一体化された空間である真空室2h内と空間90内とを移動し、真空室12sへと至っている。この時も、真空室12sと、空間90と、真空室2hとは、真空状態を維持したままである。
 図17(d)は、図17(c)の状態から、対面したシャッター24同士を閉めた状態を示す。この時、一体化された空間である真空室12sと、空間90と、真空室2hとは、2つのシャッター24で分断され、それぞれ独立した空間となる。つまり、それぞれ移動チャンバー2、成膜用固定チャンバー4として機能できる。
 この状態において、チャンバー間真空引きポンプ回路55の真空ポンプ58を停止して、空間90を大気に戻すと、移動チャンバー2は成膜用固定チャンバー4から離脱することができる。
 上記のように、本実施形態では、移動チャンバー2と成膜用固定チャンバー4との間で、真空状態を維持したまま、ガラス基板20を受け渡しすることができる。すなわち、移動チャンバー2を用いることにより、前述の払出装置10や洗浄チャンバー11、および成膜用固定チャンバー4等との間で真空状態を維持したまま、ガラス基板20を受け渡しすることができる。
 有機EL素子の製造装置1を用いたガラス基板20への成膜工程の概要について、図18(a)を用いて説明する。ガラス基板20は、払出装置10から移動チャンバー2に払い出され、移動チャンバー2によって洗浄チャンバー11に移載される。そしてガラス基板20は、洗浄チャンバー11で洗浄処理される。
 洗浄後のガラス基板20は、再度移動チャンバー2に戻され、移動チャンバー2によって成膜用固定チャンバー4aへ移動する。成膜用固定チャンバー4aでは、ガラス基板20に1層目の膜が蒸着される。
 1層目の成膜が完了すると、ガラス基板20は、成膜用固定チャンバー4bへ移動する。成膜用固定チャンバー4bでは、ガラス基板20に2層目の膜が蒸着される。その後、同様に、成膜用固定チャンバー4c~4lの順番で、ガラス基板20に膜を蒸着し、有機EL素子が完成する。
 つぎに、ガラス基板20への成膜工程について、図18(a)~(c)、図19(a)~(c)を用いて、詳細に説明する。なお、図18(a)~(c)、図19(a)~(c)においては、ガラス基板20の図示を省略するが、矢印はガラス基板20の移動方向を示す。
 ガラス基板20への成膜工程は、外部から払出装置10にガラス基板20を導入することから開始される。ここで払出装置10に導入されるガラス基板20には、説明を省略する前工程によって、透明電極層302が成膜されており、さらに説明しないスクライブ工程によって、一定間隔に溝310(図33)が設けられている。
 次いで、払出装置10内のガラス基板20を移動チャンバー2側に移す。そして移動チャンバー2を直線ガイド69に沿って前進(図では下方向に後退することとなる)させ、移動チャンバー2と洗浄チャンバー11を結合する。すなわち、洗浄チャンバー11は払出装置10に対向する位置にあるから、移動チャンバー2を直線ガイド69に沿って移動させ、先に払出装置10と結合していた側と反対側の開口を洗浄チャンバー11に接続する。
 そして基材入出装置21を動作させて、ガラス基板20を洗浄チャンバー11に移動させ、ガラス基板を洗浄する。
 その後、移動チャンバー2をレール60に沿って各チャンバーの列間を直線移動させて、ガラス基板20を成膜用固定チャンバー4a~4lに順次移動し、所定の膜(機能層303 図33)を成膜する。
 成膜を終えたガラス基板20は、移動チャンバー2によってレーザーチャンバー15,16内に移動され、レーザースクライブ工程を行う。即ち成膜された機能層303に溝311(図33)を設ける。
 その後さらに移動チャンバー2によってガラス基板20は、金属チャンバー13,14に移送され、金属チャンバー13,14内で裏面電極層304(図33)を成膜する。
 即ち移動チャンバー2をレール60に沿って各チャンバーの列間を直線移動させて金属チャンバー13,14のいずれかの前で停止し、その後に移動チャンバー2を直線ガイド69に沿って前進させ、移動チャンバー2と金属チャンバー13,14を結合する。そして基材入出装置21を動作させて、金属チャンバー13,14内で、裏面電極層304(図33)を成膜する。
 そして再度移動チャンバー2によってガラス基板20をレーザーチャンバー15,16内に移動させ、さらに機能層303と裏面電極層304を貫通した共通溝315を形成させる。
 その後、移動チャンバー2によってガラス基板20を受取装置17に移動させ、次工程にガラス基板20を送る。
 図18(a)~(c)、図19(a)~(c)は、前記した工程の代表的な段階を図示したものである。
 図18(a)では、払出装置10に移動チャンバー2が結合している。この状態において、払出装置10から移動チャンバー2へ、ガラス基板20が払い出されている。移動チャンバー2内では、熱媒体循環温度調節機48でガラス基板20が摂氏80~150度に加熱される。加熱によりガラス基板20の水分が除去された後、熱媒体循環温度調節機48でガラス基板20が20~40℃に冷却される。或いは、窒素ガス供給装置50から真空室2h内に窒素ガスを供給し、真空室2h内の空気と置換することで、水分を含んだ空気を排出し、ガラス基板20の水分を除去しても構わない。
 ガラス基板20が払い出されている際には、移動チャンバー3は停止したままである。
 図18(b)では、ガラス基板20を保持した移動チャンバー2が、洗浄チャンバー11へ移動している。この状態において、洗浄チャンバー11に移動チャンバー2が結合し、洗浄チャンバー11へガラス基板20が渡される。なお本実施形態では、移動チャンバー2の正面側のシャッター24が開かれて、ガラス基板20が洗浄チャンバー11へ渡される。
 そして、洗浄チャンバー11内でプラズマクリーニングが施されたガラス基板20は、移動チャンバー2へ戻される。
 ガラス基板20を洗浄チャンバー11から移動チャンバー2に載せ換える段階では、移動チャンバー3は停止している。
 図18(c)では、洗浄チャンバー11を離れた移動チャンバー2が、有機層を成膜する成膜用固定チャンバー4aへ移動している。この状態において、成膜用固定チャンバー4aに移動チャンバー2が結合し、成膜用固定チャンバー4aへガラス基板20が渡されている。
 この時、移動チャンバー3は停止したままである。
 図19(a)では、移動チャンバー3が成膜用固定チャンバー4aへ移動し、結合している。そして、成膜用固定チャンバー4a内で成膜されたガラス基板20を、移動チャンバー3が受け取っている。成膜直後のガラス基板20は基板に60~100℃以上の熱が蓄積されている。そのため、移動チャンバー3内では、熱媒体循環温度調節機48でガラス基板20が20~40℃に冷却される。
 一方、移動チャンバー2は、払出装置10へ移動し、結合している。そして、前述と同様に、払出装置10から移動チャンバー2へ、ガラス基板20が払い出されている。移動チャンバー2内では、前述と同様に、熱媒体循環温度調節機48でガラス基板20の加熱及び冷却が施される。
 図19(b)では、移動チャンバー3が成膜用固定チャンバー4bへ移動し、結合している。そして、移動チャンバー3から成膜用固定チャンバー4bにガラス基板20が渡されている。
 一方、移動チャンバー2は、洗浄チャンバー11へ移動している。そして、前述と同様に、洗浄チャンバー11へガラス基板20を渡し、プラズマクリーニングが施された後、移動チャンバー2へ戻される。
 図19(c)では、移動チャンバー3は、移動チャンバー2から干渉されない位置まで離れている。この状態において、移動チャンバー3は、成膜用固定チャンバー4bに搬送したガラス基板20が成膜されるまで待機する。
 一方、移動チャンバー2は、成膜用固定チャンバー4aへ移動し、結合している。そして、前述と同様に、成膜用固定チャンバー4aへガラス基板20が渡されている。
 以下、移動チャンバー3は、ガラス基板20を成膜用固定チャンバー4b~4lの順番に搬送し、ガラス基板20に成膜を行う。その間、移動チャンバー3は、移動チャンバー2から搬送される別のガラス基板20を、前述と同様に、成膜用固定チャンバー4aから受け取り、ガラス基板20を成膜用固定チャンバー4b~4lの順番に搬送する。ガラス基板20は、各成膜用固定チャンバー4で成膜される度に、移動チャンバー2又は3内で、熱媒体循環温度調節機48によって冷却される。
 そして、全ての成膜用固定チャンバー4で成膜を終えると、ガラス基板20は有機EL素子となる。
 ガラス基板20に複数の薄膜材料が蒸着された有機EL素子は、レーザーチャンバー15,16内でレーザースクライブ工程を経て、金属チャンバー13,14内で金属層が蒸着された後、移動チャンバー2又は3に戻される。移動チャンバー2又は3内では、窒素ガス供給装置50で真空室2h内が窒素ガス雰囲気にされる。この時、真空室2h内は、真空状態から大気圧へと戻される。
 窒素ガス雰囲気になった移動チャンバー2又は3から受取装置17へ、有機EL素子が渡される。そして、受取装置17から、次工程である封止工程へ払い出される。
 前述のように、有機EL素子の製造装置1は、移動チャンバー2,3を有している。移動チャンバー3は、移動チャンバー2と同一構造のものである。このことにより、移動チャンバー2に異常が発生しても、移動チャンバー3でガラス基板20を搬送可能であり、有機EL素子の製造装置1が停止することはない。
 図20に示す有機EL素子の製造装置80は、本実施形態の有機EL素子の製造装置1の変形例である。すなわち、前述の有機EL素子の製造装置1に移動チャンバー7,8を追加したものである。移動チャンバー7,8は、移動チャンバー2と同一の構成を有している。移動チャンバー2,3,7,8を備えることにより、複数の成膜用固定チャンバー4を同時に稼働させることができる。そのため、有機EL素子の製造装置80では、高効率の生産システムを構築可能である。
 上記した実施形態では、成膜用固定チャンバー4a~4lが、単層を成膜する蒸着装置40を備えた例を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、蒸着装置40が複数の坩堝を有して、複数の膜を成膜可能としても構わない。
 また、1つの成膜用固定チャンバーに複数組のソース(薄膜材料放出部43)を設置し、複数枚の基板を同時に搬送・蒸着しても構わない。
 以上のように、本発明の有機EL素子の製造装置1,80によれば、移動チャンバー2に異常が発生した場合でも、生産を継続可能である。
 前記した実施形態では、成膜用固定チャンバー4a~4lは、筐体12o内に、蒸着装置40と、基材入出装置21が設けられたものであるが、これに加えて、基材冷却装置140を内蔵させることが推奨される。
 図23乃至図27は、成膜用固定チャンバーの変形例を示し、筐体12o内に、基材冷却装置140が内蔵されている。
 基材冷却装置140は板状であり、表面に冷却面142を備えている。基材冷却装置140は、薄膜材料放出部43に対向する位置に設けられている。なお薄膜材料放出部43と基材冷却装置140の間には、ガラス基板20が挿入される空間がある。
 薄膜材料放出部43は内部に図示しない冷却液が循環し、冷却面142の温度が一定温度以下に維持される。
 図23乃至図27に示す成膜用固定チャンバー145は、さらにガラス基板20を冷却面142に当接させる基材当接手段を備えている。すなわち図23乃至図27に示す成膜用固定チャンバー145では、基材入出装置21が可動式となっている。基材入出装置21は、上下2列のローラ列130,131を有しているが、本実施形態では、このローラ列130,131の一部または全体が、基材冷却装置140側に移動する。
 本実施形態では、図26の様に、ガラス基板20は、薄膜材料放出部43と基材冷却装置140の間の空間に挿入され、その後、基材入出装置21のローラ列130,131の一部又は全部が基材冷却装置140側に移動し、その結果、図27の様にガラス基板20は基材冷却装置140側に移動し、その背面が基材冷却装置140に接触する。
 そしてこの状態で、蒸着作業を行う。その結果、ガラス基板20の過度の温度上昇が抑制され、成膜材料の変質を防止することができる。
 ローラ列130,131を基材冷却装置140側に移動させる方法は、任意であり、例えばシリンダーやモータによって、ローラ列130,131を平行移動させる方策が考えられる。
 また図28に示すように、ローラ列130,131の一端側133をピン135等によって真空室12sの奥側に回動可能に固定し、開口側を水平方向に移動可能な構成とする。そして開口側を薄膜材料放出部43と基材冷却装置140の間で移動させる。その結果、ローラ列130,131の開口側が基材冷却装置140側に近接し、結果的に、ガラス基板20が、基材冷却装置140側に近づく。
 また基材入出装置21とは別に、ガラス基板20を基材冷却装置140側に寄せる装置を設けてもよい。
 ガラス基板を基材冷却装置140側に寄せる際の動力であるが、前記したシリンダーや、モータ等を別途設けてもよいが、移動チャンバー2から動力を得る方法や、成膜用固定チャンバー4が必須とする動力を利用してガラス基板を基材冷却装置140側に寄せることも推奨される。
 即ち成膜用固定チャンバー4内は、真空蒸着を行う部屋であるから、高い清浄度と真空度が要求される。そのためエアーシリンダーやオイルシリンダーを成膜用固定チャンバー4内に入れるべきではない。またモータについても、成膜用固定チャンバー4内に入れることは避けたい。
 そこで、移動チャンバー2から、動力軸や動力竿を突出させ、これを成膜用固定チャンバー4と嵌合させてガラス基板20を基材冷却装置140側に寄せる。
 また成膜用固定チャンバー4の動力を活用する場合であれば、例えば、成膜用固定チャンバーの扉25,26が閉じる際の力を利用してガラス基板を基材冷却装置140側に寄せる。例えば、図29、図30の機構図で示すように、扉25,26が開閉する力を利用して基材入出装置21を平行移動させる。
 すなわち扉25,26に「L」字状のリンク125,126の一端を回転可能に係合し、他端側を基材入出装置21のローラ列に回転可能に係合させる。そしてリンク125,126の中間部をピン127等によって成膜用固定チャンバー4に対して回動可能に係合させる。
 図29、図30に示す機構によると、扉25,26が開いた状態の際には基材入出装置21のローラ列131は真空室12sの中央側にあり、扉25,26が閉じるとローラ列131は基材冷却装置140側に移動する。そのため成膜用固定チャンバー内にガラス基板20が入り、扉25,26が閉じるとガラス基板20は基材冷却装置140側に移動し、その背面が基材冷却装置140に接する。
 図31に示す移動チャンバー99は、移動チャンバー2の変形例である。移動チャンバー99は、先の実施形態で示した移動チャンバー2が有する気体排出装置36に代えて、気体排出装置100を備えたものである。そのため、移動チャンバー99において、移動チャンバー2と同一の部材については同一の番号を付して、重複した説明を省略する。
 気体排出装置100は、気体を排出するための排出回路101と、排出回路101を作用させる対象空間を選択可能な分岐回路102とを有している。
 排出回路101は、主回路109と、粗引き回路110の2系統の排出回路から構成されている。
 主回路109は、主バルブ103と、クライオポンプ104と、再生バルブ105と、再生用粗引きポンプ106とを有している。クライオポンプ104は、気体を冷却して凝縮し、凝縮した気体を内部に貯留可能なポンプであり、一定サイクルで再生工程が必要である。そのため、主回路109は、再生用粗引きポンプ106を備えている。
 一方、粗引き回路110は、粗引きバルブ107と、粗引きポンプ108とを有している。
 排出回路101において、主回路109と粗引き回路110とを用いることで、対象空間を高真空にすることができる。なお、高真空とは、10のマイナス4乗~10のマイナス5乗パスカル(Pa)程度の減圧状態を指している。
 主回路109と粗引き回路110は、それぞれ主バルブ103と粗引きバルブ107の開閉によって、分岐回路102に作用させるかどうかを選択できる。
 分岐回路102は、補助吸引回路117,118と、主吸引回路119の3系統の回路から構成されている。
 ここで補助吸引回路117,118は、クライオポンプ104の吸引側と移動チャンバー99が他のチャンバーと接続した際に生じるチャンバー間の空間90,91を接続する配管系統である。
 また主吸引回路119は、クライオポンプ104の吸引側と、移動チャンバー99内の空間2g(真空室2h)とを接続する配管系統である。
 補助吸引回路117は、バルブ111と配管112を有し、配管112は開口2fの近傍に設けられている。補助吸引回路118は、補助吸引回路117と同様に、バルブ115と配管116を有し、配管116は開口2eの近傍に設けられている。配管112,116は、いずれもシャッター24の外側に位置しており、移動チャンバー99の真空室2hの外側に連通している。そのため、補助吸引回路117,118は、いずれも移動チャンバー99が他のチャンバーと接続した際に生じるチャンバー間の空間90,91に、分岐回路102を接続可能である。
 一方、主吸引回路119は、バルブ113と配管114を有し、配管114は移動チャンバー99内の空間2g(真空室2h)に連通している。そのため、主吸引回路119は、移動チャンバー99内の空間2g(真空室2h)に排出回路101を接続可能である。
 すなわち、排出回路101と分岐回路102を備えた気体排出装置100を用いることで、移動チャンバー99内の空間2g(真空室2h)を高真空にできると共に、移動チャンバー99の外に生じる空間90,91も高真空にできる。
 さらに、移動チャンバー99は、前述の移動チャンバー2と同様に、筐体2aの底面側にチャンバー間真空引きポンプ回路55を有している。そのため、移動チャンバー99では、気体排出装置100とチャンバー間真空引きポンプ回路55の両方を用いることで、移動チャンバー99が他のチャンバーと接続した際に生じるチャンバー間の空間90,91を短時間で高真空にできる。その結果、移動チャンバー99と他のチャンバーとの基板の受け渡し時間を短縮できる。
 なお、移動チャンバー99と他のチャンバーとの間に生じる空間90,91は、図31において大きな空間と見えるように図示されているが、あくまで説明を理解し易くするためのものであり、実際には僅かな空間である。
 上記した実施形態では、洗浄チャンバー11を別途設けたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図6に示したプラズマクリーニング装置30を、移動チャンバー2に備えても構わない。こうすることにより、移動チャンバー2でガラス基板20の洗浄を行うことができるため、洗浄チャンバー11が不要となる。
 図32に示す移動チャンバー95は、移動チャンバー2の別の変形例である。移動チャンバー95は、先の実施形態で示した移動チャンバー2が有する熱媒体循環温度調節機48の代わりに、プラズマクリーニング装置30を備えたものである。そのため、移動チャンバー95において、移動チャンバー2と同一の部材については同一の番号を付して重複した説明を省略する。
 プラズマクリーニング装置30は、前述の通り、ガス供給管35を通じて気体を電極31に供給し、電極31,32間でグロー放電を行ってプラズマを生じさせ、発生したプラズマを用いて、電極31,32間に配置したガラス基板20の洗浄を行うものである。つまり、移動チャンバー95内でガラス基板20の洗浄ができるため、洗浄チャンバー11が不要となる。このことにより、有機EL素子の製造装置1で行われていた洗浄チャンバー11へのガラス基板20の出し入れが不要となり、生産時間を短縮できる。
 上記実施形態において、移動チャンバー2に窒素ガス供給装置50を設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、気体供給装置を設け、窒素ガスのほかに、クリーンドライエア(CDA)等を真空室2h内に供給しても構わない。窒素ガスと同様に、クリーンドライエアで真空室2h内の空気を置換することで、水分を含んだ空気を排出し、ガラス基板20の水分を除去しても構わない。なお、クリーンドライエアとは、乾燥した低露点の空気であり、清浄度の高い気体である。
 上記実施形態において、移動チャンバー2に熱媒体循環温度調節機48を設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、熱媒体循環温度調節機48の代わりに、加熱装置及び/又は冷却装置を設けても構わない。
 次に、上述した有機EL素子の製造装置1等によって製造されることが望ましい有機EL装置の構造及びその製造方法について簡単に説明する。
 以下に例示する有機EL装置300は、集積型の有機EL装置である。集積型有機EL装置300は、短冊状に形成された有機EL素子(以下、「単位EL素子」と称する)を電気的に直列に接続したものである。
 集積型有機EL装置300の層構成は図33の通りであり、複数の溝が設けられていて一つの平面状の有機EL素子が短冊状の単位EL素子に分割されている。
 即ち、集積型有機EL装置300は、基板301に透明電極層302と機能層303及び裏面電極層304が順次積層されたものであるが、各層に溝310,311,312,313が形成されている。
 集積型有機EL装置300は、透明電極層302に設けられた第一溝310と、機能層303(具体的には正孔注入層210、正孔輸送層211、発光層212、及び電子輸送層213)及び裏面電極層304に設けられた共通溝315によって各薄層が区画され、独立した単位EL素子320a,320b・・・が形成されている。そして前記した様に、第二溝311の中に裏面電極層304の一部が進入し、裏面電極層304の一部が透明電極層302と接しており、一つの単位EL素子320aは隣接する単位EL素子320bと電気的に直列に接続されている。
 集積型有機EL装置300では、各単位素子が全て直列に電気接続され、全ての単位素子が発光する。
 集積型有機EL装置300を製造する際には、最初の工程として図34(a)の様にガラス等の透光性を有する基板(基材)301の上に、透明電極層302を成膜する。
 そして続いて、第一レーザスクライブ工程を行い、図34(b)の様に、透明電極層302に対してレーザスクライブによって第一溝310を形成する。
 次に、この基板301を成膜用固定チャンバー4に入れ、正孔注入層210、正孔輸送層211、発光層212、及び電子輸送層213を順次堆積し、図34(c)に示すように、機能層303を形成する。なお、必要に応じて、電子輸送層213の上に電子注入層を設けても構わない。
 この機能層303を形成する際にも本実施形態の有機EL素子の製造装置1等を使用することができる。特に本実施形態の有機EL素子の製造装置1等を採用すれば、前記した正孔注入層210、正孔輸送層211、発光層212、及び電子輸送層213を、一つの有機EL素子の製造装置1で成膜することができるので、高い生産性をもって機能層303の成膜を行うことができる。
 そして成膜用固定チャンバー4から取り出した基板301に対して第二レーザスクライブ工程を行い、図34(d)の様に機能層303に第二溝311を形成する。
 続いて、金属チャンバー13,14に前記基板301を挿入し、図34(e)の様に機能層303の上に、アルミニウム(Al)や銀(Ag)などの金属材料からなる裏面電極層304を形成する。
 裏面電極層304を形成する工程についても、本発明の有機EL素子の製造装置1等を使用することができる。
 さらに続いて第三レーザスクライブ工程を行い、図34(f)の様に裏面電極層304と機能層303の双方に共通溝315を形成する。
 そしてさらに図示しない給電電極の成形や、その外側における分離溝(図示せず)の成形、分離溝の外側部分の裏面電極層304等の除去及び封止部による封止の作業が行われて有機EL装置(光電変換装置)が完成する。

Claims (13)

  1.  複数の成膜用固定チャンバーと、1又は2以上の移動チャンバーとを有し、
     前記複数の成膜用固定チャンバーは、いずれも真空室と真空ポンプ、および扉とを備え、前記真空室内には気化した薄膜材料を放出する薄膜材料放出部があって前記真空室内で基材に所定の膜を蒸着することが可能であり、
     前記移動チャンバーは、真空室と真空ポンプ、および扉とを備え、
     移動チャンバーは、移動可能であって且つ基材を搬送可能であり、
     成膜用固定チャンバーと移動チャンバーは結合・離脱が可能であり、
     前記複数の成膜用固定チャンバーは、列状に並べて配され、
     移動チャンバーは成膜用固定チャンバーと結合し互いの扉を開いて真空室同士を連通可能であり、成膜用固定チャンバーと移動チャンバーとの間で基材の受け渡しが可能であることを特徴とする有機EL素子の製造装置。
  2.  2以上の移動チャンバーを有することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造装置。
  3.  前記移動チャンバーは、プラズマクリーニング装置を有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL素子の製造装置。
  4.  前記移動チャンバーは、当該チャンバー内に窒素ガスその他の不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の有機EL素子の製造装置。
  5.  前記移動チャンバーは、自走式の台車を有していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の有機EL素子の製造装置。
  6.  レールを有し、前記移動チャンバーはレールに沿って移動することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機EL素子の製造装置。
  7.  前記移動チャンバーは、基材を加熱及び/又は冷却する加熱装置及び/又は冷却装置を有していることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の有機EL素子の製造装置。
  8.  移動チャンバーと共に移動する真空ポンプを有し、
     当該真空ポンプの吸引側は、移動チャンバーの一部であって移動チャンバーが成膜用固定チャンバーと結合した際に成膜用固定チャンバー側の扉と移動チャンバー側の扉との間で挟まれる空間に接続されており、
     前記空間を真空状態にすることができることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の有機EL素子の製造装置。
  9.  前記真空ポンプの吸引側と前記空間とを接続する補助吸引回路と、前記真空ポンプの吸引側と移動チャンバーの内部を接続する主吸引回路とを有し、さらに補助吸引回路と主吸引回路にはそれぞれ開閉弁が設けられていることを特徴とする請求項8に記載の有機EL素子の製造装置。
  10.  前記移動チャンバーは対向する両面に扉を有し、移動チャンバーは両面のどちらの扉でも成膜用固定チャンバーと結合可能であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の有機EL素子の製造装置。
  11.  前記真空室内に、基材を冷却する基材冷却手段が設けられていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の有機EL素子の製造装置。
  12.  基材冷却手段は冷却面を有し、基材を冷却面に当接させる基材当接手段を有することを特徴とする請求項11に記載の有機EL素子の製造装置。
  13.  基材当接手段は、移動チャンバーの扉と連動して動作することを特徴とする請求項12に記載の有機EL素子の製造装置。
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