WO2012014726A1 - リンス剤及びハードディスク基板の製造方法 - Google Patents

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rinsing
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暢宏 岩元
展彰 迎
一隆 新井
竜二 小谷
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Definitions

  • the present invention relates to a rinsing agent for a hard disk substrate and a method of manufacturing a hard disk substrate using the rinsing agent.
  • Hard disks incorporated in magnetic disk storage devices such as computers are becoming smaller and higher capacity year by year, and hard disk substrates are required to have extremely high quality. Therefore, conventionally, polishing for smoothing the substrate surface of the hard disk substrate has been performed. For example, a rough polishing process using alumina abrasive grains and a final polishing process using colloidal silica abrasive grains are employed.
  • Patent Document 1 a method is known in which a rinsing step is provided between the rough polishing step and the final polishing step, and the hard disk substrate is rinsed (rinsed) with a rinsing liquid using colloidal silica abrasive grains to reduce residual alumina on the substrate surface.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a rinsing agent for manufacturing a hard disk substrate in which no abrasive grains remain on the substrate surface and no dent defect exists, and the rinsing An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a hard disk substrate using an agent.
  • the rinsing agent of the present invention that solves the above problems is a rinsing agent containing colloidal silica abrasive grains, where C is the concentration of colloidal silica abrasive grains and R is the average particle diameter of colloidal silica abrasive grains (C , R are represented by% by weight and nm, respectively, and the relationship between the concentration C of colloidal silica abrasive grains and the average particle diameter R satisfies the following formula (1).
  • the concentration C of the colloidal silica abrasive grains is preferably 0.8 to 8.0% by weight, and the average particle diameter R of the colloidal silica abrasive grains is 20 to 80 nm. Is preferred.
  • the method of manufacturing a hard disk substrate of the present invention includes a rinsing step of rinsing the hard disk substrate using a rinsing agent in which the relationship between the concentration C of colloidal silica abrasive grains and the average particle diameter R satisfies the above formula (1). It is said.
  • This rinsing process includes a rough polishing process for rough polishing a hard disk substrate using a polishing liquid containing alumina abrasive grains, and a final polishing process for finish polishing the hard disk substrate using a polishing liquid containing colloidal silica abrasive grains. It is preferable to be performed in between.
  • the substrate surface of the hard disk substrate is rinsed (rinsed) with the rinsing agent.
  • the amount of alumina abrasive grains present on the surface can be reduced, and the occurrence of a dent defect having a depth of several tens of nanometers in the rinsing process can be suppressed.
  • the method of manufacturing a hard disk substrate using the rinse agent of the present invention includes a step of polishing an aluminum blank material to form a substrate, a step of applying Ni—P plating to the substrate to form a Ni—P layer on the substrate surface, alumina A rough polishing process for rough polishing a substrate surface using a polishing liquid containing abrasive grains, a rinsing process for rinsing a rough polished substrate, and a final polishing process for final polishing using a polishing liquid containing colloidal silica abrasive grains Have.
  • Ni-P plating process The substrate is sequentially subjected to a series of processes of etching, zincate treatment, Ni—P plating, pure water cleaning, drying, and baking.
  • the Ni—P plated substrate surface of the heat-treated substrate is roughly polished. Rough polishing is performed while supplying a polishing liquid containing alumina abrasive grains using a surface plate to which an organic polymer polishing cloth is attached.
  • the polishing liquid used in this step preferably contains a hydrogen peroxide solution, an organic acid, an inorganic acid, and a surfactant as a general etchant component that is not particularly limited.
  • the average particle diameter of the alumina abrasive grains is preferably 1 ⁇ m or less, more preferably 0.7 ⁇ m or less, from the viewpoint of reducing alumina residue or waviness.
  • the concentration of the alumina abrasive grains is preferably 10% by weight or less, more preferably 7% by weight or less from the viewpoints of improving the polishing rate and economy.
  • the rinsing agent of the present invention used in the rinsing step is a rinsing liquid containing colloidal silica as abrasive grains, and when the concentration of colloidal silica abrasive grains is C and the average particle diameter of colloidal silica abrasive grains is R ( C and R are represented by weight% and nm, respectively, and the relationship between the concentration C of colloidal silica abrasive grains and the average particle diameter R satisfies the following formula (1).
  • the concentration C of the colloidal silica abrasive grains is preferably in the range of 0.8 to 8.0% by weight, and the average particle diameter R of the colloidal silica abrasive grains is in the range of 20 to 80 nm. Preferably there is.
  • a detergent may be used in combination or ultrasonic DiP may be used in combination.
  • the average particle diameter can be determined by observing with a scanning electron microscope or a transmission electron microscope, performing image analysis, and measuring the particle diameter.
  • the final polishing is performed using a surface plate with an organic polymer-based polishing cloth and supplying a polishing liquid containing colloidal silica abrasive grains.
  • the polishing liquid used in this step preferably contains a hydrogen peroxide solution, an organic acid, an inorganic acid, and a surfactant as a general etchant component that is not particularly limited.
  • the average particle size of the colloidal silica abrasive is preferably 5 to 100 nm, and is preferably 30 nm or less, and more preferably 20 nm or less, from the viewpoint of surface roughness, undulation reduction, and economy. Further, the concentration of the colloidal silica abrasive is preferably 20% by weight or less, more preferably 2 to 10% by weight from the viewpoints of improving the polishing rate, reducing scratches, reducing waviness and economy.
  • general scrub cleaning using ion-exchanged water or ultrapure water can be used.
  • a detergent may be used in combination or ultrasonic DiP may be used in combination.
  • the rinse agent in which the relationship between the concentration C of the colloidal silica abrasive grains and the average particle diameter R is out of the range of the above formula (1) aggregates the colloidal silica abrasive grains in the rinse agent. It is considered that a dent defect having a depth of several tens of nanometers is generated on the substrate surface due to the particles.
  • the rinse agent of the present invention is suitable for rinsing a hard disk substrate having a Ni—P layer.
  • the hard disk substrate having the Ni—P layer is not particularly limited and is not particularly limited.
  • As the substrate material for the Ni—P layer an aluminum alloy substrate, a glass substrate, or a carbon substrate can be used. In general, a substrate made of an aluminum alloy is suitable.
  • the average particle size R was measured using a transmission electron microscope (manufactured by JEOL Ltd., transmission electron microscope, JEM2000FX (200 kV)) with a field of view at a magnification of 100,000 times, and this photograph was taken as analysis software (manufactured by Mountec, Mac-View Ver.4.0) was used for analysis and measurement.
  • a rough polishing process, a rinsing process with a rinse agent shown in Table 1, a final polishing process, and a cleaning process are performed on a substrate surface of a Ni-P plated aluminum alloy having a diameter of 95 mm, an inner diameter of 25 mm, and a thickness of 1.27 mm.
  • the processing was carried out in this order to obtain a Ni—P plated aluminum alloy substrate used as a hard disk substrate.
  • Polishing test machine System Seiko Co., Ltd. 9B double-side polishing machine
  • Polishing pad FILWEL P1 polishing pad slurry supply amount: 12ml / min / pc Polishing time: Rough polishing 150-300sec Processing pressure: 100g / cm 2 Number of substrates inserted: 10 Number of platen rotations: 12 to 14 rpm
  • Rough polishing polishing composition Alumina abrasive grain size 0.6 ⁇ m, concentration 3.9% by weight, and contains hydrogen peroxide, organic acid, sulfuric acid, and surfactant as additives.
  • Polishing testing machine System Seiko Co., Ltd. 9B double-side polishing machine
  • Polishing pad FILWEL P2 polishing pad slurry supply amount: 12ml / min / pc Polishing time: 150-300sec
  • Processing pressure 100g / cm 2
  • Number of substrates loaded 10
  • Surface plate rotation speed 13-20rpm ⁇ Cleaning after the final polishing process> Scrub washing with ion-exchanged water was performed and centrifugal drying was performed.
  • the dent defect on the substrate surface has a condition for generating and a condition for not generating depending on the relationship between the average particle diameter R and the concentration C of the colloidal silica abrasive grains. It can also be seen that the residual amount of alumina abrasive grains (pieces / ⁇ m 2 ) can be reduced by rinsing with a rinse agent containing colloidal silica abrasive grains after the rough polishing step. From these facts, by setting the composition of the rinse agent so that the relationship between the particle size R and the concentration C of the colloidal silica abrasive grains contained in the rinse agent satisfies the above formula (1), the residual alumina can be reduced. It has become possible to suppress dent defects.
  • FIG. 1 is a graph showing the results of Table 1 above.
  • the dent defect on the substrate surface occurs in a region below the straight line connecting the two points of the value of Example 1 (Actual 1) and the value of Example 6 (Actual 6) (Comparative Examples 1 to 5).
  • the region S1 is represented by the above formula (1).
  • the minimum value (actual 1) and the maximum value (actual 6 and 7) of the concentration C of the colloidal silica abrasive grains in Examples 1 to 7 and the minimum of the average particle diameter R of the colloidal silica abrasive grains in Examples 1 to 7 The region S2 shown in FIG. 1 is defined by the value (real 1) and the maximum value (real 5). In the region S2, the concentration C of the colloidal silica abrasive grains is in the range of 0.8 to 8.0% by weight, and the average particle diameter R of the colloidal silica abrasive grains is in the range of 20 to 80 nm.

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Abstract

　基板表面に砥粒の残留がなく凹み欠陥も存在しないハードディスク基板を製造するためのリンス剤、及び該リンス剤を使用したハードディスク基板の製造方法を提供する。本発明のリンス剤は、砥粒としてコロイダルシリカを含有するリンス液であり、コロイダルシリカ砥粒の濃度をＣ、コロイダルシリカ砥粒の平均粒径をＲとしたときに（Ｃ、Ｒはそれぞれ重量％、nmで表される）、コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃと平均粒径Ｒの関係が下記の式（１）を満足する構成を有している。　Ｒ≧２．２Ｃ＋１８．２・・・・・（１）

Description

リンス剤及びハードディスク基板の製造方法
　本発明は、ハードディスク基板用のリンス剤及び該リンス剤を使用したハードディスク基板の製造方法に関する。
　コンピュータ等の磁気ディスク記憶装置に組み込まれるハードディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、ハードディスク基板には極めて高い精度の品質が要求されている。したがって、従来からハードディスク基板の基板表面を平滑化する研磨が行われており、例えば、アルミナ砥粒による粗研磨工程と、コロイダルシリカ砥粒による仕上げ研磨工程が採用されている。
　しかし、粗研磨工程において使用したアルミナ砥粒が基板表面に残留して仕上げ研磨工程でも取り除くことができなかった場合に、ハードディスク基板のメディア特性低下を引き起こすおそれがある。
　そこで、粗研磨工程と仕上げ研磨工程との間にリンス工程を設けて、コロイダルシリカ砥粒によるリンス液でハードディスク基板のリンス（すすぎ洗い）を行い、基板表面のアルミナの残留を低減させる方法が公知である(特許文献１)。
特開昭６２－２０８８６９号公報
　しかしながら、従来のリンス剤では、リンス工程において深さが数十ｎｍ単位の凹み欠陥が基板表面に発生するおそれがあることを発明者らは見出した。したがって、基板表面に凹み欠陥を発生させることなく、基板表面のアルミナ砥粒を十分に取り除くことができる優れたリンス剤が求められている。
　本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板表面に砥粒の残留がなく凹み欠陥も存在しないハードディスク基板を製造するためのリンス剤、及び該リンス剤を使用したハードディスク基板の製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決する本発明のリンス剤は、コロイダルシリカ砥粒を含有するリンス剤であって、コロイダルシリカ砥粒の濃度をＣ、コロイダルシリカ砥粒の平均粒径をＲとしたときに（Ｃ、Ｒはそれぞれ重量％、nmで表される）、コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃと平均粒径Ｒの関係が下記の式（１）を満足することを特徴としている。
　Ｒ≧２．２Ｃ＋１８．２・・・・・（１）
　本発明のリンス剤は、コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃが、０．８～８．０重量％であることが好ましく、また、コロイダルシリカ砥粒の平均粒径Ｒが、２０～８０ｎｍであることが好ましい。
　本発明のハードディスク基板の製造方法は、コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃと平均粒径Ｒの関係が上記式（１）を満足するリンス剤を用いてハードディスク基板をリンスするリンス工程を有することを特徴としている。このリンス工程は、アルミナ砥粒を含有する研磨液を用いてハードディスク基板を粗研磨する粗研磨工程と、コロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を用いてハードディスク基板を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程との間に行われることが好ましい。
　本発明のハードディスク基板用のリンス剤及び該リンス剤を使用したハードディスク基板の製造方法によれば、該リンス剤を用いてハードディスク基板の基板表面をリンス（すすぎ洗い）することによって、ハードディスク基板の基板表面に存在するアルミナ砥粒の量を低減することができ、リンス工程において深さが数十ｎｍ単位の凹み欠陥が基板表面に発生するのを抑制することができる。
表１の結果をグラフに示した図。
［ハードディスク基板の製造方法］
　本発明のリンス剤を用いたハードディスク基板の製造方法は、アルミブランク材を研磨して基板を形成する工程、基板にＮｉ－Ｐめっきを施して基板表面にＮｉ－Ｐ層を形成する工程、アルミナ砥粒を含有する研磨液を用いて基板表面を粗研磨する粗研磨工程、粗研磨された基板をリンスするリンス工程、コロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を用いて仕上げ研磨する仕上げ研磨工程を有する。
［アルミブランク材の研磨工程］
　アルミニウム合金製のブランク材の内外径端面を旋盤加工し、グラインダー工程により表面を研磨する。
［Ｎｉ－Ｐめっき工程］
　基板に対して、エッチング、ジンケート処理、Ｎｉ－Ｐめっき、純水洗浄、乾燥、ベーキングの一連の処理を順次行う。
［粗研磨工程］
　加熱処理された基板のＮｉ－Ｐめっきされた基板表面を粗研磨する。粗研磨は、有機高分子系の研磨布を貼付した定盤を用いて、アルミナ砥粒を含有する研磨液を供給しながら行う。本工程において使用される研磨液は、特に限定されない一般的なエッチャント成分として過酸化水素水、有機酸、無機酸、界面活性剤を含有するものが好ましい。
　アルミナ砥粒の平均粒径は、アルミナ残留、またはうねりの低減の観点から1μm以下が好ましく、より好ましくは0.７μm以下である。また、アルミナ砥粒の濃度は、研磨速度向上、経済性の観点から好ましくは10重量％以下、より好ましくは７重量％以下である。
［リンス工程］
　リンスでは、有機高分子系の研磨布を貼付した定盤を用いて、リンス液を供給しながらハードディスク基板の基板表面のアルミナ砥粒を低減する。
　リンス工程に使用される本発明のリンス剤は、砥粒としてコロイダルシリカを含有するリンス液であり、コロイダルシリカ砥粒の濃度をＣ、コロイダルシリカ砥粒の平均粒径をＲとしたときに（Ｃ、Ｒはそれぞれ重量％、nmで表される）、コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃと平均粒径Ｒの関係が下記の式（１）を満足する構成を有している。
　Ｒ≧２．２Ｃ＋１８．２・・・・・（１）
　上記式（１）において、コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃは、０．８～８．０重量％の範囲にあることが好ましく、コロイダルシリカ砥粒の平均粒径Ｒは、２０～８０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
　リンス工程後の洗浄は、イオン交換水または超純水を使用した一般的なスクラブ洗浄を用いることができる。また、アルミナ残留低減の観点から、洗剤を併用したり、超音波ＤｉＰを併用しても良い。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡又は透過型電子顕微鏡で観察して画像解析を行い、粒径を測定することにより求めることができる。
［仕上げ研磨工程］
　仕上げ研磨は、有機高分子系の研磨布を貼付した定盤を用い、コロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を供給しながら行う。
　本工程において使用される研磨液は、特に限定されない一般的なエッチャント成分として過酸化水素水、有機酸、無機酸、界面活性剤を含有するものが好ましい。
　コロイダルシリカ砥粒の平均粒径は、5～100nmが好ましく、表面粗度、うねり低減、経済性の観点から、30nm以下が好ましく、20nm以下がより好ましい。また、コロイダルシリカ砥粒の濃度は、研磨速度向上、スクラッチ低減、うねり低減、経済性の観点から20重量％以下が好ましく、2～10重量%がより好ましい。　
　仕上げ研磨工程後の洗浄は、イオン交換水または超純水を使用した一般的なスクラブ洗浄を用いることができる。また、アルミナ残留やコロイダルシリカ残留低減の観点から、洗剤を併用したり、超音波ＤｉＰを併用しても良い。
　なお、コロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を供給しながらハードディスク基板の基板表面のアルミナ砥粒を低減することはリンス工程と仕上げ研磨工程で共通するが、仕上げ研磨工程でのハードディスク基板の基板表面のアルミナ砥粒はリンス工程で低減されているので、深さが数十ｎｍ単位の凹み欠陥が基板表面に発生する確率はほとんどない。
［本製造方法による効果］
　本発明のリンス剤を用いて、ハードディスク基板のリンスを行うことにより、ハードディスク基板の基板表面に残留するアルミナ砥粒の量を低減することができ、リンス工程において深さが数十ｎｍ単位の凹み欠陥が基板表面に発生するのを抑制するという効果を得ることができる。
　その理由は、コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃと平均粒径Ｒの関係が上記の式（１）の範囲を外れたリンス剤は、リンス剤中のコロイダルシリカ砥粒が凝集して、その凝集した粒子が原因となって、基板表面に深さが数十ｎｍ単位の凹み欠陥を発生させると考えられる。
［その他］
　本発明のリンス剤は、Ｎｉ－Ｐ層を有するハードディスク基板のリンスに好適である。Ｎｉ－Ｐ層を有するハードディスク基板としては、公知のもので特に限定されることはなく、Ｎｉ－Ｐ層の基板材料としては、アルミニウム合金基板、ガラス基板、カーボン基板を使用することができるが、一般的にはアルミニウム合金製の基板が好適である。
　コロイダルシリカ砥粒の平均粒径Ｒと濃度Ｃが、表１に示す関係を有するリンス剤を得た（実施例１～７及び比較例１～６）。
　なお、平均粒径Ｒは、透過型電子顕微鏡(日本電子製、透過型電子顕微鏡　ＪＥＭ２０００ＦＸ(２００ｋＶ))を用いて倍率１０万倍の視野の写真を撮影し、この写真を解析ソフト(マウンテック製、Ｍａｃ-Ｖｉｅｗ　Ｖｅｒ．４．０)を用いて解析して測定した。
　そして、直径95mm、内径25mm、厚み1.27mmのＮｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金からなる基板の基板表面に対して、粗研磨工程、表１に示すリンス剤によるリンス工程、仕上げ研磨工程、洗浄工程の順に加工を実施し、ハードディスク基板として用いられるＮｉ－Ｐめっきされたアルミニウム合金基板を得た。
　研磨条件を下記に示す。
＜粗研磨工程の設定条件＞
研磨試験機：　システム精工株式会社　９Ｂ両面研磨機
研磨パッド：　株式会社　FILWEL製　Ｐ１用研磨パッド
スラリー供給量：　12ml/min/pc
研磨時間：　粗研磨　150～300sec
加工圧力：　100g/cm2 
基板投入枚数：　10枚
定盤回転数：　12rpm～14rpm
粗研磨用研磨液組成物：　アルミナ砥粒粒径0.6μm、濃度3.9重量％、添加剤として過酸化水素水、有機酸、硫酸、界面活性剤を含む。
＜リンス工程の設定条件＞
研磨試験機：　システム精工株式会社　９Ｂ両面研磨機
研磨パッド：　株式会社　FILWEL製　Ｐ１用研磨パッド
リンス時間：　60sec
基板投入枚数：　10枚
定盤回転数：　12rpm～14rpm
リンス剤：　コロイダルシリカ砥粒の粒径R及び濃度Ｃを表１に示す範囲で調整し、さらに過酸化水素水、硫酸、界面活性剤を添加した。
＜仕上げ研磨工程の設定条件＞
研磨試験機：　システム精工株式会社　９Ｂ両面研磨機
研磨パッド：　株式会社　FILWEL製　Ｐ２用研磨パッド
スラリー供給量：　12ml/min/pc
研磨時間：　150～300sec
加工圧：　100g/cm2
基板投入枚数：　10枚
定盤回転数　：　13～20rpm
＜仕上げ研磨工程後の洗浄＞
　イオン交換水によるスクラブ洗浄を行い、遠心乾燥を行った。
 [凹み欠陥の評価]
　乾燥後の基板表面を光学系表面測定装置OPTIFLATにて観察し、深さが数十ｎｍ単位の凹み欠陥の有無を確認した。
○・・・凹み欠陥無し
×・・・凹み欠陥有り
 [アルミナ砥粒の残留状態の評価]
　リンス工程後の基板をイオン交換水によるスクラブ洗浄を行い、遠心乾燥した。その後、基板表面の白点を日立製作所製Ｓ－４８００ SEMを使用して50,000倍にて観察し、白点をカウントすることにより、基板表面におけるアルミナ砥粒の残留状態を評価した。
　表１の結果により、基板表面の凹み欠陥は、コロイダルシリカ砥粒の平均粒径Ｒと濃度Ｃとの関係に応じて、発生する条件と発生しない条件があることがわかる。また、粗研磨工程後にコロイダルシリカ砥粒を含有するリンス剤によりリンスすることにより、アルミナ砥粒の残留量（個／μｍ２）も低減できることがわかる。これらのことから、リンス剤に含有されるコロイダルシリカ砥粒の粒径Ｒと濃度Ｃの関係が上記式（１）を満足するようにリンス剤の組成物を設定することで、アルミナ残留低減と凹み欠陥抑制の両立が可能になった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　図１は、上記した表１の結果をグラフに示したものである。図１において、実施例１の値（実１）と実施例６の値（実６）の２点を結ぶ直線よりも上方の領域Ｓ１では、基板表面の凹み欠陥は発生していない（実施例１～７）。基板表面の凹み欠陥は、実施例１の値（実１）と実施例６の値（実６）の２点を結ぶ直線よりも下方の領域で発生していることがわかる（比較例１～５）。領域Ｓ１は、上記式（１）によって示される。
　そして、実施例１～７におけるコロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃの最小値（実１）及び最大値（実６、７）と、実施例１～７におけるコロイダルシリカ砥粒の平均粒径Ｒの最小値（実１）及び最大値（実５）によって、図１に示す領域Ｓ２が規定される。領域Ｓ２は、コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃが０．８～８．０重量％の範囲となり、コロイダルシリカ砥粒の平均粒径Ｒが２０～８０ｎｍの範囲となる。

Claims (5)

  1. 　コロイダルシリカ砥粒を含有するリンス剤であって、
    　前記コロイダルシリカ砥粒の濃度をＣ、該コロイダルシリカ砥粒の平均粒径をＲとしたときに（Ｃ、Ｒはそれぞれ重量％、nmで表される）、前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒径Ｒと濃度Ｃの関係が下記の式（１）を満足することを特徴とするリンス剤。
    　Ｒ≧２．２Ｃ＋１８．２・・・・・（１）
  2. 　前記コロイダルシリカ砥粒の濃度Ｃが、０．８～８．０重量％であることを特徴とする請求項１に記載のリンス剤。
  3. 　前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒径Ｒが、２０～８０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載のリンス剤。
  4. 　前記請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のリンス剤を用いてハードディスク基板をリンスするリンス工程を有することを特徴とするハードディスク基板の製造方法。
  5. 　前記リンス工程は、アルミナ砥粒を含有する研磨液を用いてハードディスク基板を粗研磨する粗研磨工程と、コロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液を用いてハードディスク基板を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程との間に行われることを特徴とする請求項４に記載のハードディスク基板の製造方法。
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