WO2011118489A1 - 発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子 - Google Patents

発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2011118489A1
WO2011118489A1 PCT/JP2011/056355 JP2011056355W WO2011118489A1 WO 2011118489 A1 WO2011118489 A1 WO 2011118489A1 JP 2011056355 W JP2011056355 W JP 2011056355W WO 2011118489 A1 WO2011118489 A1 WO 2011118489A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor layer
light
layer
resin
emitting element
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/056355
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
楠木　淳也
江津 竹内
広道 杉山
俊治 久保山
川田　政和
Original Assignee
住友ベークライト株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友ベークライト株式会社 filed Critical 住友ベークライト株式会社
Priority to EP11759295A priority Critical patent/EP2551924A1/en
Priority to KR1020127024592A priority patent/KR20130012119A/ko
Priority to SG2012066197A priority patent/SG183944A1/en
Priority to CN2011800154790A priority patent/CN102822997A/zh
Priority to US13/636,047 priority patent/US20130009172A1/en
Priority to JP2012506969A priority patent/JPWO2011118489A1/ja
Publication of WO2011118489A1 publication Critical patent/WO2011118489A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device using the same.
  • a light-emitting element including a semiconductor layer and a compound semiconductor layer having a light-emitting layer has been put into practical use and has begun to be used in applications such as lighting devices.
  • Examples of such light emitting elements include group III nitride semiconductors such as blue light emitting elements and ultraviolet light emitting elements.
  • Group III nitride semiconductors are superior to conventional III-V compound semiconductors in light emission efficiency in a wide range from the visible light to the ultraviolet region, and are also excellent in other semiconductor characteristics. It is a semiconductor that is expected to grow in the LED field.
  • This group III nitride semiconductor is fabricated on a substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), but only sapphire glass is practically used as the substrate because of the problem of lattice matching.
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • the conventional face-up type or flip chip type light emitting device using this sapphire glass as a substrate requires a high level of technology to separate the sapphire glass because the sapphire glass is very hard. Since the thermal conductivity is poor, there is a case in which the problem of poor heat dissipation generated in the group III nitride semiconductor layer may occur.
  • Patent Document 1 a method has been proposed in which a group III nitride semiconductor layer formed on a sapphire glass is fixed to a support substrate via a fixed layer, and the sapphire glass is peeled off by a laser lift-off method.
  • Patent Document 1 a method has been proposed in which a group III nitride semiconductor layer formed on a sapphire glass is fixed to a support substrate via a fixed layer, and the sapphire glass is peeled off by a laser lift-off method.
  • the group III nitride semiconductor layer is peeled off from the support base material, the residue of the fixed layer remains on the group III nitride semiconductor layer and the support base material, so that cleaning is performed to remove the residue. A process was required.
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light emitting device in which a residue of a fixed resin layer hardly remains on a group III nitride semiconductor layer and a supporting base material when the light emitting device is manufactured by a laser lift-off method. Another object is to provide a highly reliable light-emitting element manufactured by the manufacturing method of the present invention.
  • a third step of bonding the thermally decomposable fixed resin layer of the support base material with the thermally decomposable fixed resin layer on which the fixed resin layer is formed and the compound semiconductor layer; and forming the compound semiconductor layer of the growth substrate By irradiating a laser beam from a surface opposite to the surface on which the surface is formed, and by separating the growth substrate and the compound semiconductor layer, and thermally decomposing the thermally decomposable fixing resin layer,
  • a method for producing a light-emitting element comprising: a fifth step of peeling the compound semiconductor layer from the support substrate; and a sixth step of separating the compound semiconductor layer.
  • the thermally decomposable fixing resin layer is a thermally decomposable resin selected from the group consisting of polycarbonate resins, polyester resins, polyamide resins, polyimide resins, polyether resins, polyurethane resins, and norbornene resins.
  • the method for producing a light-emitting device comprising at least one component (6)
  • Device manufacturing method (9) A light-emitting element manufactured by the manufacturing method according to any one of (1) to (8).
  • the present invention it is possible to provide a method for manufacturing a light-emitting element in which the residue of the fixed resin layer hardly remains on the group III nitride semiconductor layer and the supporting base material when the light-emitting element is manufactured by a laser lift-off method.
  • a highly reliable light-emitting element can be provided.
  • FIGS. 1 and 2 are longitudinal sectional views showing an example of a light emitting device manufactured by the method for manufacturing a light emitting device of the present invention.
  • the upper side in FIGS. 1 and 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.
  • a light-emitting element 100 shown in FIG. 1 includes a compound semiconductor layer 1 in which a p-type semiconductor layer 20, a light-emitting layer 30, and an n-type semiconductor layer 10 are stacked in this order, and below the n-type semiconductor layer 10 and the p-type semiconductor layer.
  • An n-type electrode 50 and a p-type electrode 40 are respectively formed under 20.
  • n-type semiconductor layer 10 includes a p-type semiconductor layer 20, a light-emitting layer 30, and a compound semiconductor layer 1 in which an n-type semiconductor layer 10 is stacked in this order, above the n-type semiconductor layer 10, and below the p-type semiconductor layer 20.
  • the n-type electrode 50 and the p-type electrode 40 are formed respectively.
  • the n-type semiconductor layer 10 and the p-type semiconductor layer 20 are not particularly limited, and a known semiconductor material such as a GaN-based single crystal, a GaP-based single crystal, or a GaAs-based single crystal can be used. It is preferable to use a GaN-based single crystal that can be easily epitaxially grown on the surface (such as a sapphire glass substrate).
  • a material used for the light emitting layer 30 is not particularly limited, and examples thereof include a GaN-based semiconductor such as In S Ga 1-s N (0 ⁇ S ⁇ 0.3).
  • the light emitting layer 30 has a quantum well layer composed of a barrier layer having a wide forbidden band and a well layer having a narrow forbidden band, and the quantum well layer is a single quantum well layer (SQW) or a multiple quantum well layer. Any of (MQW) may be sufficient.
  • the thickness of the barrier layer is not particularly limited, but is preferably about 5 to 15 nm, and the thickness of the well layer is preferably about 2 to 100 nm. Further, the total thickness of the light emitting layer 30 is not particularly limited, but is preferably about 25 to 150 nm.
  • the material used for the p-type electrode 40 is not particularly limited, and examples include simple copper and copper-tungsten alloy, but simple copper having excellent thermal conductivity is preferable.
  • the p-type electrode 40 may have a seed layer and a barrier layer, and examples of the material used for the seed layer include metals such as titanium. Examples of the material used for the barrier layer include May include metals such as tantalum.
  • the n-type electrode 50 is not particularly limited, but a laminate of thin films of chromium, aluminum, titanium, gold, or the like can be used.
  • the n-type electrode 50 is produced by a known sputtering method or vapor deposition method. can do.
  • the light emitting device 100 as shown in FIG. 1 can be manufactured as follows, for example.
  • a buffer layer having an intermediate lattice constant between the substrate 60 and the n-type semiconductor layer 10 is formed on the substrate 60 in advance. Is preferred. Thereby, the crystallinity of the n-type semiconductor layer can be improved.
  • the material used for the buffer layer is not particularly limited, and AlN or AlGaN can be used when a sapphire glass substrate is used as the substrate.
  • a method for forming the n-type semiconductor layer 10, the light emitting layer 30, and the p-type semiconductor layer 20 is not particularly limited, and sputtering, MOCVD (metal organic chemical vapor deposition), MBE (molecular beam epitaxy), Although HVPE (hydride vapor phase epitaxy) etc. are mentioned, MOCVD which can control a film thickness easily is preferable.
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • MBE molecular beam epitaxy
  • HVPE hydrogen vapor phase epitaxy
  • the growth substrate 60 is not particularly limited and may be a sapphire glass substrate, a GaAs substrate, a silicon substrate, or the like, but a sapphire glass substrate that facilitates epitaxial growth of a semiconductor layer is preferable.
  • grooves 70 are formed in the compound semiconductor layer 1 so as to partition each light emitting element.
  • the method of forming the groove 70 is not particularly limited, but can be performed by applying a normal photography technique such as etching.
  • the p-type electrode 40 is not particularly limited, but preferably includes an ohmic contact layer and a reflective layer. Since the p-type electrode 40 includes the reflective layer, the light emitted from the light emitting layer 30 can be reflected to the light extraction surface.
  • the material used for the ohmic contact layer is not particularly limited, but is preferably a platinum group such as platinum, ruthenium, osmium, rhodium, iridium, palladium, or silver, more preferably platinum, iridium, rhodium, or ruthenium. Particularly preferred.
  • the thickness of the ohmic contact layer is preferably 0.1 nm or more, and particularly preferably 1 nm or more in order to stably obtain a low contact resistance. By setting the thickness of the ohmic contact layer within the above range, stable contact resistance with the p-type semiconductor layer 20 can be obtained.
  • the material used for the reflective layer is not particularly limited, but a gold alloy or a silver alloy that can ensure good reflectivity is preferable.
  • the thickness of the reflective layer is preferably from 0.1 to 300 nm, particularly preferably from 1 to 200 nm. By setting the thickness of the reflective layer in the above range, both good reflectance and migration resistance can be achieved.
  • the n-type electrode 50 is not particularly limited, but can be formed by laminating a gold layer on a base metal layer such as chromium, titanium, or aluminum. Thereby, ohmic contact can be obtained between the n-type electrode 50 and the n-type semiconductor layer 10 without annealing.
  • examples of the structure of the n-type electrode 50 include a chromium / titanium / gold three-layer structure and a titanium / aluminum / titanium / gold four-layer structure.
  • the support substrate 80 is not particularly limited as long as it has a function of supporting the compound semiconductor layer 1.
  • Examples of the support substrate 80 include glass, quartz, silicon, ceramic, metal, and an organic substrate.
  • the support substrate 80 has excellent light transmittance and is thermally decomposable by exposing the thermally decomposable fixing resin layer 90. Glass and quartz that can effectively lower the thermal decomposition temperature of the fixed resin layer 90 are preferable.
  • the thermally decomposable fixing resin layer 90 is not particularly limited, and may be either a resin composition that is liquid at 25 ° C. or a film-like resin composition. In the case of a resin composition that is liquid at 25 ° C., The thermally decomposable fixing resin layer 90 can be formed on the support substrate 80 by dispensing or spin coating. In the case of a film-like resin composition at 25 ° C., the thermally decomposable fixed resin layer 90 can be formed on the support substrate 80 by laminating the support substrate 80.
  • the thermally decomposable resin composition contains a thermally decomposable resin component as an essential component, and may contain other resin components such as an activator, a sensitizer, an antioxidant, and a solvent as necessary.
  • the thermally decomposable resin component constituting the thermally decomposable resin composition preferably has a 50% weight loss temperature of 50 to 500 ° C, particularly preferably 100 to 400 ° C.
  • the 5% weight loss temperature, 50% weight loss temperature, and 95% weight loss temperature are 5% when the TG / DTA (thermogravimetric / differential thermal analysis) measurement is performed on the thermally decomposable resin component, It means the temperature at which 50%, 95% weight is lost.
  • the TG / DTA measurement can accurately measure about 10 mg of the resin component and can measure (atmosphere: nitrogen, temperature rising rate: 5 ° C./min) with a TG / DTA apparatus (manufactured by Seiko Instruments Inc.).
  • the thermally decomposable resin component is not particularly limited.
  • polycarbonate resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, polyether resin, polyurethane resin, norbornene resin examples include meth) acrylate resins and polylactic acid resins.
  • thermally decomposable resin components it is possible to effectively prevent thermal decomposition of the thermally decomposable fixing resin layer 90 during the light emitting element manufacturing process, and further, thermal decomposability in the fifth step (described later).
  • Polycarbonate resins, norbornene resins, and polylactic acid resins that can effectively shorten the thermal decomposition time of the fixed resin layer 90 are preferable.
  • the decomposition time at a 5% weight loss temperature is preferably 1 minute or more and 60 minutes or less.
  • the decomposition temperature is set to the above lower limit value or more, rapid thermal decomposition of the thermally decomposable fixing resin layer can be suppressed, and the thermally decomposed gas can be exhausted by an exhaust device. Contamination of equipment for manufacturing the light-emitting element can be prevented.
  • productivity of a light emitting element can be improved.
  • the pyrolysis time can be measured by the following method.
  • the 5% weight reduction temperature is calculated by the above-mentioned method, then, about 10 mg of the thermally decomposable resin component is accurately weighed using a TG / DTA apparatus, and then from 25 ° C. to 5% weight reduction temperature. The temperature is raised in 30 minutes, and the measurement temperature is maintained at a 5% weight loss temperature, and measurement is performed. From the measured value obtained, the point at which the 5% weight reduction temperature is reached is defined as the starting point (0 minutes), and the time to reach the 95% weight reduction temperature is defined as the decomposition time.
  • the polycarbonate resin is not particularly limited.
  • examples of the polycarbonate resin include polypropylene carbonate / polycyclohexene carbonate copolymer, poly [(oxycarbonyloxy-1,1,4,4-tetramethylbutane) -alt- (oxycarbonyl).
  • the polycarbonate resin has a weight average molecular weight (Mw) of preferably 1,000 to 1,000,000, and more preferably 5,000 to 800,000.
  • Mw weight average molecular weight
  • the polycarbonate resin has a weight average molecular weight (Mw) of preferably 1,000 to 1,000,000, and more preferably 5,000 to 800,000.
  • the polymerization method of the polycarbonate-based resin is not particularly limited.
  • a known polymerization method such as a phosgene method (solvent method) or a transesterification method (melting method) can be used.
  • the thermally decomposable resin component is preferably blended at a ratio of 10% to 100% of the total amount of the thermally decomposable resin composition. More preferably, it is blended at a ratio of 20% to 100%. By making content of a thermally decomposable resin component more than the said lower limit, it can prevent that a thermally decomposable fixed resin layer remains on a support base material or a light emitting element after the 5th process mentioned later.
  • thermoly decomposable resin component a polypropylene carbonate polymer, a 1,4-polybutylene carbonate polymer, and a polycyclohexene carbonate / polynorbornene carbonate copolymer are particularly preferable.
  • the said thermally decomposable resin composition may contain the activator which generate
  • the photoacid generator is not particularly limited, but tetrakis (pentafluorophenyl) borate-4-methylphenyl [4- (1-methylethyl) phenyl] iodonium (DPI-TPFPB), tris (4-t-butyl) Phenyl) sulfonium tetrakis- (pentafluorophenyl) borate (TTBPS-TPFPB), tris (4-t-butylphenyl) sulfonium hexafluorophosphate (TTBPS-HFP), triphenylsulfonium triflate (TPS-Tf), bis (4 -Tert-butylphenyl) iodonium triflate (DTBPI-Tf), triazine (TAZ-101), triphenylsulfonium he
  • tetrakis (pentafluorophenyl) borate-4-methylphenyl [4- (1-methylethyl) phenyl] is particularly preferred because the thermal decomposition temperature of the thermally decomposable resin component can be efficiently lowered.
  • Iodonium (DPI-TPFPB) and tris ⁇ 4-[(4-acetylphenyl) thio] phenyl ⁇ sulfonium tris (perfluoromethanesulfonyl) methide are preferred.
  • the photobase generator is not particularly limited, and examples thereof include 5-benzyl-1,5-diazabicyclo (4.3.0) nonane and 1- (2-nitrobenzoylcarbamoyl) imidazole.
  • 5-benzyl-1,5-diazabicyclo (4.3.0) nonane and derivatives thereof are preferable because the thermal decomposition temperature of the thermally decomposable resin component can be efficiently lowered.
  • the activator is preferably blended at a ratio of 0.01% to 50% of the total amount of the thermally decomposable resin composition. More preferably, it is blended at a ratio of 0.1% to 30%.
  • the thermally decomposable fixing resin layer is a support base material or a light emitting element. It can be effectively prevented from remaining as a residue.
  • the polycarbonate resin is particularly preferably a polypropylene carbonate polymer, a 1,4-polybutylene carbonate polymer, a neopentyl carbonate polymer, a cyclohexene carbonate / norbornene carbonate copolymer.
  • the thermally decomposable resin component is 20% to 100% of the total amount of the thermally decomposable resin composition, and the activator is 0.1% to 30% of the total amount of the thermally decomposable resin composition.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the thermally decomposable resin composition is preferably 5,000 to 800,000. This is the wettability to the support substrate or the compound semiconductor layer, the film formability of the thermally decomposable resin composition, the compatibility with each resin component constituting the thermally decomposable resin composition and the solubility in various solvents, Furthermore, it is because the thermal decomposability of the thermally decomposable fixing resin layer in the fifth step is ensured.
  • the polycarbonate resin forms a structure that facilitates thermal cleavage of the main chain of the polycarbonate resin in the presence of the activator, or forms a thermal ring closure structure in which the polycarbonate resin itself is easily pyrolyzed. Therefore, it is considered that the thermal decomposition temperature can be lowered.
  • reaction formula (1) shows the mechanism of thermal cleavage of the main chain of the polypropylene carbonate resin and formation of a thermal ring closure structure.
  • H + derived from the activator protonates the carbonyl oxygen of the polypropylene carbonate resin, and further shifts the polar transition state to produce unstable tautomeric intermediates [A] and [B].
  • an intermediate [A] is fragmented as acetone and CO 2.
  • intermediate [B] produces propylene carbonate, which is fragmented as CO 2 and propylene oxide.
  • the thermally decomposable resin composition may contain a solvent.
  • Solvents are not particularly limited, but hydrocarbons such as mesitylene, decalin and mineral spirits, alcohols / ethers such as anisole, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol methyl ether, diethylene glycol monoethyl ether and diglyme.
  • Esters such as ethylene carbonate, ethyl acetate, N-butyl acetate, ethyl lactate, ethyl 3-ethoxypropionate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene carbonate, ⁇ -butyrolactone, cyclopenta Non-, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, ketones such as 2-heptanone, amide / lactams such as N-methyl-2-pyrrolidinone, etc. .
  • the thermally decomposable resin composition contains a solvent, it becomes easy to adjust the viscosity of the thermally decomposable resin composition, and it is easy to form a thin film of the thermally decomposable fixed resin layer on the support substrate. It becomes.
  • the content of the solvent is not particularly limited, but is preferably 5 to 98% by weight, and particularly preferably 10 to 95% by weight.
  • the thermally decomposable resin composition may contain a sensitizer that is a component having a function of expressing or increasing the reactivity of the activator with respect to light of a specific type or wavelength together with the activator.
  • the sensitizer is not particularly limited.
  • the content of such a sensitizer is preferably 100 parts by weight or less and more preferably 20 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the activator described above.
  • the thermally decomposable resin composition may contain an antioxidant.
  • the antioxidant has a function of preventing generation of undesirable acids and natural oxidation of the resin composition.
  • the antioxidant is not particularly limited, but for example, Ciba IRGANOX (registered trademark) 1076 or Ciba IRGAFOS (registered trademark) 168 available from Ciba Fine Chemicals of Tarrytown, New York is preferably used. It is done.
  • Ciba Irganox registered trademark
  • Ciba Irganox 1330 Ciba Irganox 1010
  • Ciba Cyanox registered trademark 1790
  • Ciba Irganox 3114 Ciba Irganox 3114, 31 Ciga etc.
  • the content of the antioxidant is preferably 0.1 to 10 parts by weight, and more preferably 0.5 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermally decomposable resin component.
  • the thermally decomposable resin composition may further contain additives such as acrylic, silicone, fluorine and vinyl leveling agents, silane coupling agents, diluents and the like as required.
  • the silane coupling agent is not particularly limited.
  • the diluent is not particularly limited, and examples thereof include cycloether compounds such as cyclohexene oxide and ⁇ -pinene oxide, and aromatic cycloethers such as [methylenebis (4,1-phenyleneoxymethylene)] bisoxirane. And cycloaliphatic vinyl ether compounds such as 1,4-cyclohexanedimethanol divinyl ether.
  • cycloether compounds such as cyclohexene oxide and ⁇ -pinene oxide
  • aromatic cycloethers such as [methylenebis (4,1-phenyleneoxymethylene)] bisoxirane.
  • cycloaliphatic vinyl ether compounds such as 1,4-cyclohexanedimethanol divinyl ether.
  • the method of bonding the compound semiconductor layer 1 to the thermally decomposable fixing resin layer 90 is not particularly limited, but can be performed by using a vacuum press apparatus or a semiconductor wafer bonder apparatus. It is preferable to use a semiconductor wafer bonder apparatus that can easily control the above.
  • the conditions for bonding the compound semiconductor layer 1 to the thermally decomposable fixing resin layer 90 using the semiconductor wafer bonder device are not particularly limited, but the pressing temperature is preferably 50 to 400 ° C., particularly preferably 100 to 300 ° C.
  • the pressure load is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 30 MPa, particularly preferably 0.1 to 10 MPa.
  • the laser light passes through the growth substrate 60 and is applied to the interface between the growth substrate 60 and the compound semiconductor layer 1.
  • the growth substrate 60 and the compound semiconductor layer 1 have different thermal expansion coefficients. Thermal stress is generated and can be peeled off.
  • the thermally decomposable sacrificial material 90 according to the present invention has high adhesion to the compound semiconductor layer 1, Furthermore, since it is excellent in stress relaxation property, the compound semiconductor layer 1 can be fixed reliably.
  • the laser light is not particularly limited, but an excimer laser is preferable, and specific examples of the oscillation wavelength include ArF (193 nm), KrF (248 nm), XeCl (308 nm), XeF (353 nm), and the like. 248 nm) is particularly preferred.
  • the method for manufacturing a light emitting element of the present invention may include a step of roughening the surface of the n-type semiconductor layer 10 after the growth substrate 60 is peeled from the compound semiconductor layer 1. If the surface of the n-type semiconductor layer 10 is smooth, the light emitted from the light emitting layer 30 is reflected by the surface of the n-type semiconductor layer 10, and the light extraction efficiency from the surface of the n-type semiconductor layer 10 decreases. By roughening the surface of the n-type semiconductor layer 10, reflection of light emitted from the light emitting layer 30 can be effectively suppressed.
  • the method for roughening the surface of the n-type semiconductor layer 10 is not particularly limited and can be performed chemically or mechanically. Specifically, the surface of the n-type semiconductor layer is immersed in a potassium hydroxide solution. Can be done.
  • the unevenness of the rough surface is not particularly limited, but is preferably an unevenness having a size of 1/4 to 1/2 of the wavelength of light emitted from the light emitting layer 30. By setting the unevenness of the rough surface within the above range, reflection of light emitted from the light emitting layer 30 can be more effectively suppressed.
  • the thermally decomposable resin composition constituting the thermally decomposable fixed resin layer 90 according to the present invention is gasified and volatilized by heating, when the compound semiconductor layer 1 is peeled off from the support base material 80, the compound The effect that the residue of the thermally decomposable resin composition hardly occurs in the semiconductor layer 1 and the support base 80 can be achieved. Further, even when a residue of the thermally decomposable resin composition is generated, it is possible to obtain an effect that the residue can be easily removed by washing with a solvent or the like. Thereby, since the thermally decomposable fixed resin layer 90 adhering to the compound semiconductor layer 1 can be removed reliably, a highly reliable light emitting element can be manufactured. Further, since the thermally decomposable fixing resin layer 90 adhering to the support base material 80 can be reliably removed, the support base material 80 can be reused.
  • the temperature at which the thermally decomposable fixing resin layer 90 is heated is not particularly limited, but is preferably 50 to 500 ° C, particularly preferably 100 to 350 ° C. By setting the heating temperature within the above range, the compound semiconductor layer 1 can be reliably fixed during the manufacturing process of the light emitting element, and thermal deterioration and warpage of the compound semiconductor layer 1 can be suppressed.
  • a method for peeling the light emitting element assembly 110 from the support base material 80 is not particularly limited, but a method for peeling the light emitting element assembly 110 in a direction perpendicular to the surface of the support base material 80, On the other hand, there are a method in which the light emitting device assembly 110 is peeled off by sliding in a horizontal direction, and a method in which the light emitting device assembly 110 is lifted off from one side of the light emitting device assembly 110.
  • the thermally decomposable fixing resin layer 90 according to the present invention hardly generates a residue in the compound semiconductor layer 1 and the support base 60 as described above, it can be peeled off without applying stress to the light emitting element assembly 110. it can. Thereby, since the damage of the light emitting element assembly 110 can be effectively suppressed, the yield of the light emitting elements can be improved.
  • a method of dividing the light emitting element assembly 110 into each light emitting element unit is not particularly limited, but a method similar to a known method of obtaining a semiconductor chip by dicing a semiconductor wafer into pieces is used. Can do. Specifically, a light-emitting element 100 as shown in FIG. 5D can be obtained by attaching a dicing tape to the light-emitting element assembly 110 and dividing (dividing into pieces) with a dicing saw.
  • the method for manufacturing a light-emitting element according to the present invention includes a first step of forming a compound semiconductor layer having a semiconductor layer and a light-emitting layer on a growth substrate, a second step of forming an electrode on the compound semiconductor layer, and a support.
  • a third step of bonding the thermally decomposable fixing resin layer of the supporting substrate with the thermally decomposable fixing resin layer on which the thermally decomposable fixing resin layer is formed and the compound semiconductor layer; and the growth substrate A fourth step of irradiating a laser beam from a surface opposite to the surface on which the compound semiconductor layer is formed to separate the growth substrate from the compound semiconductor layer; and the compound from the support base.
  • the thermally decomposable fixing resin layer The compound semiconductor layer is supported by thermal decomposition of It is characterized by peeling from the substrate.
  • the pyrolyzable fixing resin layer is pyrolyzed since the temperature at which the pyrolyzable fixing resin layer is pyrolyzed is 50 to 500 ° C., the pyrolyzable fixing resin layer is reliably pyrolyzed in the fifth step. And the prevention of thermal deterioration and warpage of the compound semiconductor layer.
  • the method for producing the light emitting device of the present invention is selected from the group consisting of polycarbonate resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, polyether resin, polyurethane resin, norbornene resin as the fixing resin layer. It contains at least one or more kinds of thermally decomposable resin components. Thereby, since the residue of a fixed resin layer does not remain easily, the reliability of the obtained light emitting element can be improved more.
  • the method for producing the light emitting device of the present invention is selected from the group consisting of polycarbonate resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, polyether resin, polyurethane resin, norbornene resin as the fixing resin layer.
  • the thermal decomposition temperature of the fixed resin layer can be lowered. It is possible to more effectively achieve both thermal decomposition of the layer and prevention of thermal deterioration and warpage of the compound semiconductor layer.
  • the present invention it is possible to provide a method for manufacturing a light-emitting element in which the residue of the fixed resin layer hardly remains on the group III nitride semiconductor layer and the supporting base material when the light-emitting element is manufactured by a laser lift-off method.
  • a highly reliable light-emitting element can be provided. From the above, the present invention is extremely useful industrially.

Abstract

本発明の目的は、発光素子をレーザーリフトオフ工法で作製する場合に、半導体層および支持基板に固定樹脂層の残渣が残り難い発光素子の製造方法を提供することにある。また、別の目的は、本発明の製造方法で作製された信頼性の高い発光素子を提供することにある。上記目的は、半導体層を支持基板に固定する固定樹脂層として熱分解性の樹脂組成物を適用し、半導体層を支持基板から剥離する際に、固定樹脂層を熱分解させることにより達成することができる。

Description

発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子
　本発明は、発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子に関する。
　本願は、２０１０年３月２４日に、日本に出願された特願２０１０－０６７９５９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　近年、半導体層および発光層を有する化合物半導体層から構成される発光素子が実用化され、照明装置等の用途に用いられ始めている。このような発光素子としては、青色発光素子、紫外発光素子等のＩＩＩ族窒化物半導体が挙げられる。
　ＩＩＩ族窒化物半導体は、従来のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体に比べて、可視光から紫外光領域までの広範囲における発光効率に優れ、さらに、その他の半導体の特性においても優れるものであり、今後のＬＥＤ分野で伸長が期待される半導体である。
　このＩＩＩ族窒化物半導体は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により基板上に作製するが、格子整合性の問題から基板としてはサファイアガラスのみが実用化されている。このサファイアガラスを基板とする、従来のフェイスアップ方式またはフリップチップ方式の発光素子は、サファイアガラスが非常に硬いため、個片化するのに高度な技術が必要であったり、また、サファイアガラスは熱伝導性が悪いため、ＩＩＩ族窒化物半導体層で発生した熱の放散性が悪いといった問題が発生する場合があった。
　上記のような問題に鑑み、サファイアガラス上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体層を固定層を介して支持基材に固定し、レーザーリフトオフ工法によりサファイアガラスを剥離する工法が提案されている（特許文献１）。このような工法の場合、支持基材からＩＩＩ族窒化物半導体層を剥離する際に、固定層の残渣がＩＩＩ族窒化物半導体層や支持基材に残るため、その残渣を除去するための洗浄工程が必要であった。
特開２００９－５４６９３
　本発明の目的は、発光素子をレーザーリフトオフ工法で作製する場合に、ＩＩＩ族窒化物半導体層および支持基材に固定樹脂層の残渣が残り難い発光素子の製造方法を提供することにある。また、別の目的は、本発明の製造方法で作製された信頼性の高い発光素子を提供することにある。
　このような目的は、下記（１）～（９）に記載の技術により達成することができる。
（１）成長用基板上に半導体層、発光層を有する化合物半導体層を形成する第１の工程と、前記化合物半導体層に電極を形成する第２の工程と、支持基材上に熱分解性固定樹脂層が形成された熱分解性固定樹脂層付き支持基材の熱分解性固定樹脂層と前記化合物半導体層とを貼り合せる第３の工程と、前記成長用基板の前記化合物半導体層が形成されている面とは反対側の面からレーザー光を照射し、前記成長用基板と前記化合物半導体層とを剥離する第４の工程と、前記熱分解性固定樹脂層を熱分解させることにより、前記支持基材から前記化合物半導体層を剥離する第５の工程と、前記化合物半導体層を個片化する第６の工程と、を有することを特徴とする発光素子の製造方法、
（２）前記半導体層が、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層である、（１）に記載の発光素子の製造方法、
（３）前記成長用基板が、サファイアガラスである、（１）または（２）に記載の発光素子の製造方法、
（４）前記第５の工程で熱分解性固定樹脂層を熱分解させる温度が、５０～５００℃である（１）ないし（３）のいずれかに記載の発光素子の製造方法、
（５）前記熱分解性固定樹脂層が、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ノルボルネン系樹脂からなる群より選ばれる熱分解性樹脂成分を少なくとも１種以上含む、（１）ないし（４）のいずれかに記載の発光素子の製造方法、
（６）前記熱分解性樹脂成分が、ポリカーボネート系樹脂である、（１）ないし（５）のいずれかに記載の発光素子の製造方法、
（７）前記熱分解性固定樹脂層が、光酸発生剤を含む、（１）ないし（６）のいずれかに記載の発光素子の製造方法、
（８）前記ポリカーボネート系樹脂が、プロピレンカーボネート、シクロヘキシレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ノルボルナンカーボネートからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の構造単位を含む（５）ないし（７）のいずれかに記載の発光素子の製造方法、
（９）（１）ないし（８）のいずれかに記載の製造方法で作製されたことを特徴とする発光素子。
　本発明によれは、発光素子をレーザーリフトオフ工法で作製する場合に、ＩＩＩ族窒化物半導体層および支持基材に固定樹脂層の残渣が残り難い発光素子の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、信頼性の高い発光素子を提供することができる。
本発明の発光素子の一実施形態を示す模式的な縦断面図である。 本発明の発光素子の一実施形態を示す模式的な縦断面図である。 本発明の発光素子の製造方法の一例を示す模式的な縦断面図である。 本発明の発光素子の製造方法の一例を示す模式的な縦断面図である。 本発明の発光素子の製造方法の一例を示す模式的な縦断面図である。
　以下、本発明の発光素子の製造方法および本発明の発光素子を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
　図１および図２は、本発明の発光素子の製造方法により製造された発光素子の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
　図１に示す発光素子１００は、ｐ型半導体層２０、発光層３０、ｎ型半導体層１０がこの順に積層された化合物半導体層１を有し、ｎ型半導体層１０の下およびｐ型半導体層２０の下にそれぞれｎ型電極５０およびｐ型電極４０が形成されている。
　図２に示す発光素子２００は、ｐ型半導体層２０、発光層３０、ｎ型半導体層１０がこの順に積層された化合物半導体層１、ｎ型半導体層１０の上およびｐ型半導体層２０の下にそれぞれｎ型電極５０およびｐ型電極４０が形成されている。
　前記ｎ型半導体層１０およびｐ型半導体層２０には、特に制限されないが、ＧａＮ系単結晶、ＧａＰ系単結晶、ＧａＡｓ系単結晶等の公知の半導体材料を用いることができるが、成長用基板（サファイアガラス基板等）表面に容易にエピタキシャル成長できる、ＧａＮ系単結晶を用いることが好ましい。
　前記発光層３０に用いられる材料としては、特に制限されないが、ＩｎＳＧａ１－ｓＮ（０＜Ｓ＜０．３）のようなＧａＮ系半導体を挙げることができる。また、発光層３０は、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とからなる量子井戸層を有し、前記量子井戸層は単一量子井戸層（ＳＱＷ）または多重量子井戸層（ＭＱＷ）のいずれであってもよい。
前記障壁層の厚みは、特に制限されないが、５～１５ｎｍ程度が好ましく、井戸層の厚みは２～１００ｎｍ程度が好ましい。さらに、発光層３０の総厚は、特に制限はないが、２５～１５０ｎｍ程度が好ましい。
　前記ｐ型電極４０に用いられる材料としては、特に制限されないが、銅単体、銅―タングステン合金等が挙げられるが、熱伝導性に優れる銅単体が好ましい。また、前記ｐ型電極４０は、シード層およびバリア層を有していてもよく、前記シード層に用いられる材料としては、チタン等の金属を挙げることができ、前記バリア層に用いられる材料としては、タンタル等の金属を挙げることができる。
　前記ｎ型電極５０には、特に制限されないが、クロム、アルミニウム、チタン、金等の薄膜が積層されたものを用いることができ、前記ｎ型電極５０は、公知のスパッタリング法や蒸着法により作製することができる。
　図１に示すような発光素子１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。
≪発光素子の製造≫
以下、発光素子１００を得る発光素子の製造方法を第一の実施形態として図３～図５を用いて説明する。また、図３～図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
＜第一の実施形態＞
［第１の工程］
（Ａ－１）まず、図（３－ａ）に示すように、成長用基板６０上に、ｎ型半導体層１０、発光層３０、ｐ型半導体層２０をこの順に積層し、化合物半導体層１を形成する。
この時、基板６０とｎ型半導体層１０とは、格子定数が大幅に異なるため、基板６０とｎ型半導体層１０の中間の格子定数を有するバッファ層をあらかじめ基板６０上に形成しておくことが好ましい。これにより、ｎ型半導体層の結晶性を向上させることができる。前記バッファ層に用いられる材料としては、特に制限されないが、基板としてサファイアガラス基板を用いる場合、ＡｌＮやＡｌＧａＮを挙げることができる。
　前記ｎ型半導体層１０、発光層３０、ｐ型半導体層２０を形成する方法としては、特に制限されず、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピキタシー法）、ＨＶＰＥ（ハイライド気相成長法）等が挙げられるが、膜厚が容易に制御できるＭＯＣＶＤが好ましい。
　前記成長用基板６０としては、特に制限されず、サファイアガラス基板、ＧａＡｓ基板、シリコン基板等が挙げられるが、半導体層をエピタキシャル成長させることが容易となるサファイアガラス基板が好ましい。
（Ｂ－１）次に、図（３－ｂ）に示すように、各発光素子を区画するように溝７０を化合物半導体層１に形成する。
　前記溝７０を形成する方法は、特に制限されないが、エッチング等の通常のフォトグラフィー技術を適用することにより行うことができる。
［第２の工程］
（Ｃ－１）次に、図（３－ｃ）に示すように、ｐ型半導体層２０上にｐ型電極４０を形成する。
　前記ｐ型電極４０は、特に制限されないが、オーミックコンタクト層、反射層を備えていることが好ましい。前記ｐ型電極４０は、前記反射層を備えることにより、発光層３０から発した光を光取り出し面に反射させることができる。
前記ｐ型電極４０は、オーミックコンタクト層を有することにより、ｐ型半導体層２０との接触抵抗を低くすることができる。前記オーミックコンタクト層に用いられる材料としては、特に制限はないが、白金、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム等の白金族または銀が好ましく、白金、イリジウム、ロジウムまたはルテニウムがより好ましく、白金が特に好ましい。前記オーミックコンタクト層の厚さは、低接触抵抗を安定して得るために０．１ｎｍ以上とすることが好ましく、１ｎｍ以上が特に好ましい。オーミックコンタクト層の厚さを上記範囲とすることにより、ｐ型半導体層２０との安定した接触抵抗を得ることができる。
　前記反射層に用いられる材料としては、特に制限されないが、良好な反射率を確保することができる、金合金、銀合金が好ましい。前記反射層の厚さは、０．１～３００ｎｍが好ましく、１～２００ｎｍ以下が特に好ましい。反射層の厚さを上記範囲とすることにより、良好な反射率と耐マイグレーション性を両立することができる。
（Ｄ－１）次に、図（３－ｄ）に示すように、ｎ型半導体層１０上にｎ型電極５０を形成する。
　前記ｎ型電極５０は、特に制限されないが、クロム、チタン、アルミニウム等の下地金属層に金層を積層することにより形成することができる。これにより、アニール処理することなくｎ型電極５０とｎ型半導体層１０の間でオーミック接触が得られるようになる。具体的に前記ｎ型電極５０の構造としては、例えば、クロム／チタン／金の３層構造、チタン／アルミニウム／チタン／金の４層構造を挙げることができる。
［第３の工程］
（Ｅ－１）次に、図（４－ａ）に示すように、支持基材８０を準備し、支持基材８０上に熱分解性固定樹脂層９０を形成する。
　前記支持基材８０は、特に制限されず、化合物半導体層１を支持する機能を有するものであればよい。前記支持基材８０としては、例えば、ガラス、石英、シリコン、セラミック、金属、及び有機基板等が挙げられるが、光透過性に優れ、熱分解性固定樹脂層９０を露光することにより熱分解性固定樹脂層９０の熱分解温度を効果的に下げることができるガラス、石英が好ましい。
　前記熱分解性固定樹脂層９０は、特に制限されず２５℃で液状の樹脂組成物またはフィルム状の樹脂組成物のどちらでもよく、２５℃で液状の樹脂組成物の場合、支持基材８０にディスペンスまたはスピンコートすることにより、支持基材８０上に熱分解性固定樹脂層９０を形成することができる。また、２５℃でフィルム状の樹脂組成物の場合、支持基材８０にラミネートすることにより、支持基材８０上に熱分解性固定樹脂層９０を形成することができる。
＜熱分解性の樹脂組成物＞
　ここで、熱分解性固定樹脂層９０を構成する熱分解性の樹脂組成物について説明する。
　前記熱分解性の樹脂組成物は、熱分解性樹脂成分を必須成分とし、必要に応じて、活性剤、増感剤、酸化防止剤、溶剤等の他の樹脂成分を含んでいてよい。
前記熱分解性の樹脂組成物を構成する熱分解性樹脂成分は、その５０％重量減少温度が５０～５００℃であることが好ましく、１００～４００℃であることが特に好ましい。熱分解性の樹脂組成物の熱分解温度を上記範囲とすることにより、耐プロセス性と発光素子の損傷防止を両立することができる。
本発明において、５％重量減少温度、５０％重量減少温度、９５％重量減少温度とは、それぞれ、熱分解性樹脂成分をＴＧ／ＤＴＡ（熱重量／示差熱分析）測定した時の５％、５０％、９５％の重量が失われる温度を意味する。
ここで、ＴＧ／ＤＴＡ測定は、樹脂成分を約１０ｍｇ精秤し、ＴＧ／ＤＴＡ装置（セイコーインスツルメンツ社製）により測定（雰囲気：窒素、昇温速度：５℃／分）することができる。
前記熱分解性樹脂成分としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ノルボルネン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂、ポリ乳酸樹脂等が挙げられる。これらの熱分解性樹脂成分の中でも、発光素子製造プロセス中の熱分解性固定樹脂層９０の熱分解を効果的に防止することができ、さらに、第５の工程（後述する）における熱分解性固定樹脂層９０の熱分解時間を効果的に短縮することができる、ポリカーボネート系樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリ乳酸樹脂が好ましい。
前記熱分解性の樹脂成分がポリカーボネート系樹脂である場合、５％重量減少温度における分解時間が、１分以上６０分以下であることが好ましい。
分解温度を上記下限値以上とすることで、熱分解性固定樹脂層の急激な熱分解を抑制することができ、熱分解したガスを排気装置で排気することが可能となるため、発光素子や発光素子を作製する設備の汚染を防止することができる。また、上記上限値以下とすることで、第５の工程に要する時間を短縮することができるため、発光素子の生産性を向上することができる。
ここで前記熱分解時間とは、以下の方法により測定することができる。
まず、前述の方法により５％重量減少温度を算出し、次いで、ＴＧ／ＤＴＡ装置を用い、前記熱分解性樹脂成分を約１０ｍｇ精秤し、次に、２５℃から５％重量減少温度までを３０分で昇温し、さらに、測定温度を５％重量減少温度で保持し、測定を実施する。得られた測定値より、５％重量減少温度に到達したところを始点（０分）とし、９５％重量減少温度に至るまでの時間を前記分解時間とする。
前記ポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、１，２－ブチレンカーボネート、１，３－ブチレンカーボネート、１，４－ブチレンカーボネート、ｃｉｓ－２，３－ブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ－２，３－ブチレンカーボネート、α，β－イソブチレンカーボネート、α，γ－イソブチレンカーボネート、ｃｉｓ－１，２－シクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ－１，２－シクロブチレンカーボネート、ｃｉｓ－１，３－シクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ－１，３－シクロブチレンカーボネート、ヘキセンカーボネート、シクロプロペンカーボネート、シクロヘキセンカーボネート、メチルシクロヘキセンカーボネート、ビニルシクロヘキセンカーボネート、ジヒドロナフタレンカーボネート、ヘキサヒドロスチレンカーボネート、シクロヘキサンプロピレンカーボネート、スチレンカーボネート、３－フェニルプロピレンカーボネート、３－トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート、３－メタクリロイロキシプロピレンカーボネート、パーフルオロプロピレンカーボネート、ノルボルネンカーボネート、並びにこれらの組合せの骨格を有するポリカーボネート系樹脂を挙げることができる。
前記ポリカーボネート系樹脂としては、より具体的には、例えば、ポリプロピレンカーボネート／ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ－１，１，４，４－テトラメチルブタン）－ａｌｔ－（オキシカルボニルオキシ－５－ノルボルネン－２－ｅｎｄｏ－３－ｅｎｄｏ－ジメタン）］、ポリ［（オキシカルボニルオキシ－１，４－ジメチルブタン）－ａｌｔ－（オキシカルボニルオキシ－５－ノルボルネン－２－ｅｎｄｏ－３－ｅｎｄｏ－ジメタン）］、ポリ［（オキシカルボニルオキシ－１，１，４，４－テトラメチルブタン）－ａｌｔ－（オキシカルボニルオキシ－ｐ－キシレン）］、及びポリ［（オキシカルボニルオキシ－１，４－ジメチルブタン）－ａｌｔ－（オキシカルボニルオキシ－ｐ－キシレン）］、ポリシクロヘキセンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ－５－ノルボルネン－２－ｅｎｄｏ－３－ｅｎｄｏ－ジメタン）］、ポリ［（オキシカルボニルオキシ－５－ノルボルネン－２－ｅｘｏ－３－ｅｘｏ－ジメタン）］、ポリ［ｔｒａｎｓ－（オキシカルボニルオキシ－５－ノルボルネン－２，３－ジメタン）］、ポリ（オキシカルボニルオキシ）－ｃｉｓ－ｅｘｏ－２，３－ジメチルノルボルナン－２，３－ポリ（オキシカルボニルオキシ）－ｃｉｓ―ｅｎｄｏ－２，３－ジメチルノルボルナン－２，３－ジイル）共重合体、ポリ（オキシカルボニルオキシシクロヘキサン－１，３，－ジイル）－ポリ（オキシカルボニルオキシ－ｃｉｓ―ｅｘｏ－２，３－ジメチルノルボルナン－２，３－ジイル）共重合体、ポリ（オキシカルボニルオキシシクロヘキサン－１，３，－ジイル）－ポリ（オキシカルボニルオキシ－ｃｉｓ―ｅｎｄｏ－２，３－ジメチルノルボルナン－２，３－ジイル）共重合体等が挙げられる。
前記ポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００～１，０００，０００であることが好ましく、５，０００～８００，０００であることがさらに好ましい。前記重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、熱分解性の樹脂組成物の支持基材または化合物半導体層に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性が向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、熱分解性の樹脂組成物を構成する各樹脂成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、第５の工程における熱分解性固定樹脂層の熱分解性が向上するという効果を得ることができる。
前記ポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法（溶剤法）または、エステル交換法（溶融法）等の公知の重合方法を用いることができる。
前記熱分解性樹脂成分は、熱分解性の樹脂組成物の全量の１０％～１００％の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、２０％～１００％の割合で配合することが好ましい。熱分解性の樹脂成分の含有量を上記下限値以上とすることで、後述する第５の工程後に、熱分解性固定樹脂層が支持基材または発光素子に残留することを防止できる。
前記熱分解性樹脂成分として、特に好ましいのは、ポリプロピレンカーボネート重合体、１，４－ポリブチレンカーボネート重合体、ポリシクロヘキセンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体である。
また、前記熱分解性の樹脂組成物は、活性エネルギー線の照射によってエネルギーを加えることにより活性種を発生する活性剤を含有していてもよい。これにより、前記熱分解性樹脂成分の分解温度を低下させることができる。
前記活性剤としては、特に限定されないが、例えば光酸発生剤、光塩基発生剤等が挙げられる。前記光酸発生剤としては、特に限定されないが、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート－４－メチルフェニル［４－（１－メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ－ＴＰＦＰＢ）、トリス（４－ｔ－ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス－（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＴＢＰＳ－ＴＰＦＰＢ）、トリス（４－ｔ－ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＴＢＰＳ－ＨＦＰ）、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ－Ｔｆ）、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート（ＤＴＢＰＩ－Ｔｆ）、トリアジン（ＴＡＺ－１０１）、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳ－１０３）、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＴＰＳ－Ｎ１）、ジ－（ｐ－ｔ－ブチル）フェニルヨードニウム、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＴＢＰＩ－Ｎ１）、トリフェニルスルホニウム、トリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＴＰＳ－Ｃ１）、ジ－（ｐ－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＤＴＢＰＩ－Ｃ１）、トリス｛４－［（４－アセチルフェニル）チオ］フェニル｝スルフォニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド及びこれらの２種以上の組合せを挙げることができる。
これらの中でも特に、前記熱分解性樹脂成分の熱分解温度を効率的に下げることができるという理由から、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート－４－メチルフェニル［４－（１－メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ－ＴＰＦＰＢ）、トリス｛４－［（４－アセチルフェニル）チオ］フェニル｝スルフォニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチドが好ましい。
前記光塩基発生剤としては、特に限定されないが、５－ベンジルー１，５－ジアザビシクロ（４．３．０）ノナン、１－（２－ニトロベンゾイルカルバモイル）イミダゾール等を挙げることができる。これらの中でも特に、前記熱分解性樹脂成分の熱分解温度を効率的に下げることができるという理由から、５－ベンジルー１，５－ジアザビシクロ（４．３．０）ノナン及びこの誘導体が好ましい。
前記活性剤は、熱分解性の樹脂組成物の全量の０．０１％～５０％の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、０．１％～３０％の割合で配合することが好ましい。上記下限値以上とすることで、前記熱分解性樹脂成分の熱分解温度を安定的に下げることが可能となり、上記上限値以下とすることで熱分解性固定樹脂層が支持基材または発光素子に残渣として残留することを効果的に防止することが可能となる。
前記ポリカーボネート系樹脂、活性剤の組み合わせとして、特に好ましいのは、ポリカーボネート系樹脂としてはポリプロピレンカーボネート重合体、１，４－ポリブチレンカーボネート重合体、ネオペンチルカーボネート重合体、シクロヘキセンカーボネート／ノルボルネンカーボネート共重合体であり、活性剤としてはテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート－４－メチルフェニル［４－（１－メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ－ＴＰＦＰＢ）、トリス｛４－［（４－アセチルフェニル）チオ］フェニル｝スルフォニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチドである。
この場合、熱分解性樹脂成分は、熱分解性の樹脂組成物の全量の２０％～１００％、活性剤は、熱分解性の樹脂組成物の全量の０．１％～３０％であり、熱分解性の樹脂組成物の重量平均分子量（Ｍｗ）は５，０００～８００，０００であることが好ましい。これは、支持基材または化合物半導体層に対する濡れ性、熱分解性の樹脂組成物の成膜性、熱分解性の樹脂組成物を構成する各樹脂成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、第５の工程における熱分解性固定樹脂層の熱分解性を確保するという理由からである。
前記ポリカーボネート系樹脂は、前記活性剤の存在下で、ポリカーボネート系樹脂の主鎖の熱切断が容易となる構造を形成するため、又は、ポリカーボネート系樹脂自身が容易に熱分解する熱閉環構造を形成する（熱閉環反応）ため、熱分解温度を下げることができると考えられる。
下記の反応式（１）は、ポリプロピレンカーボネート樹脂の主鎖の熱切断及び熱閉環構造の形成のメカニズムを示す。
先ず、前記活性剤由来のＨ＋が、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体［Ａ］及び［Ｂ］を生じる。
次に、主鎖の熱切断の場合には、中間体［Ａ］は、アセトン及びＣＯ２として断片化する。
熱閉環構造の形成（ａ又はｂ）の場合には、中間体［Ｂ］は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはＣＯ２及びプロピレンオキシドとして断片化される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
また、前記熱分解性の樹脂組成物は、溶媒を含有していても良い。溶媒としては、特に限定されるものではないが、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ－ブチル、乳酸エチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ－ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類、Ｎ－メチル－２－ピロリジノン等のアミド／ラクタム類等が挙げられる。熱分解性の樹脂組成物が溶媒を含有することにより、熱分解性の樹脂組成物の粘度を調整することが容易となり、支持基材に熱分解性固定樹脂層の薄膜を形成するのが容易となる。
前記溶媒の含有量は、特に限定されるものではないが、５～９８重量％であることが好ましく、１０～９５重量％であることが特に好ましい。
前記熱分解性の樹脂組成物は、活性剤とともに、特定のタイプまたは波長の光に対する活性剤の反応性を発現あるいは増大させる機能を有する成分である増感剤を含んでいても良い。
前記増感剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンツピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン－９－オン、２‐イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、４－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、１－クロロ－４‐プロポキシチオキサントン、およびこれらの混合物等が挙げられる。このような増感剤の含有量は、前述した活性剤１００重量部に対して、１００重量部以下であるのが好ましく、２０重量部以下であるのがより好ましい。
また、前記熱分解性の樹脂組成物は、酸化防止剤を含んでいてもよい。前記酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、樹脂組成物の自然酸化を防止する機能を有している。
前記酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ　Ｆｉｎｅ　Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ　ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）　１０７６又はＣｉｂａ　ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）　１６８が好適に用いられる。
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ　Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標）　１２９、Ｃｉｂａ　Ｉｒｇａｎｏｘ　１３３０、Ｃｉｂａ　Ｉｒｇａｎｏｘ　１０１０、Ｃｉｂａ　Ｃｙａｎｏｘ（登録商標）　１７９０、Ｃｉｂａ　Ｉｒｇａｎｏｘ　３１１４、Ｃｉｂａ　Ｉｒｇａｎｏｘ　３１２５等を用いることもできる。
前記酸化防止剤の含有量は、前記熱分解性樹脂成分１００重量部に対して、０．１～１０重量部であるのが好ましく、０．５～５重量部であるのがより好ましい。
また、前記熱分解性の樹脂組成物は、必要によりさらに、アクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含んでも良い。
前記シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、単独でも２種以上混合して用いてもよい。
前記熱分解性の樹脂組成物がシランカップリング剤を含むことにより、支持基材または化合物半導体層との密着性を向上することが可能となる。
前記希釈剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、シクロヘキセンオキサイドやα－ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１－フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシランなどの芳香族シクロエーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどのシクロアリファティックビニルエーテル化合物等を挙げることができる。
前記熱分解性の樹脂組成物が希釈剤を含むことにより、熱分解性の樹脂組成物の流動性を向上することができ、第３の工程において、熱分解性の樹脂組成物の支持基材または化合物半導体層に対する濡れ性を向上することが可能となる。
（Ｆ－１）次に、図（４－ｂ）に示すように、化合物半導体層１のｎ型半導体層１０が形成された側の面と支持基材８０上の熱分解性固定樹脂層９０が形成された面を対向させ、化合物半導体層１を熱分解性固定樹脂層９０に貼り合せる。
　化合物半導体層１を熱分解性固定樹脂層９０に貼り合せる方法としては、特に制限はないが、真空プレス装置、半導体ウエハーボンダー装置を用いることにより行うことができが、加圧温度、加圧荷重を容易に制御することができる、半導体ウエハーボンダー装置を用いるのが好ましい。
　前記半導体ウエハーボンダー装置を用いて化合物半導体層１を熱分解性固定樹脂層９０に貼り合せる条件は、特に制限されないが、加圧温度が５０～４００℃が好ましく、１００～３００℃が特に好ましい。また、加圧荷重は、特に制限されないが、０．０１～３０ＭＰａが好ましく、０．１～１０ＭＰａが特に好ましい。加圧温度および加圧加重を上記範囲とすることにより、化合物半導体層１を確実に熱分解性固定樹脂層９０に固定することと化合物半導体層１の破損を防止することを両立することができる。
［第４の工程］
（Ｇ－１）次に、図（４－ｃ）に示すように、成長用基板６０の化合物半導体層１が形成されている面とは反対側の面からレーザー光を照射する。
　前記レーザー光は、成長用基板６０を透過し、成長用基板６０と化合物半導体層１の界面に照射される。レーザー光を成長用基板６０と化合物半導体層１の界面に照射することにより、成長用基板６０と化合物半導体層１とは熱膨張係数が異なるため、成長用基板６０と化合物半導体層１の界面に熱応力が発生し、剥離することが可能となる。
　また、レーザー光を照射すると、化合物半導体１を介して熱分解性固定樹脂層９０に衝撃波が伝搬するが、本発明に係る熱分解性犠牲材料９０は、化合物半導体層１に対する密着性が高く、さらに、応力緩和性に優れるため、確実に化合物半導体層１を固定することができる。
　前記レーザー光は、特に制限されないが、エキシマレーザーが好ましく、具体的に発振波長としては、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎｍ）、ＸｅＦ（３５３ｎｍ）等が挙げられるが、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）が特に好ましい。
（Ｈ－１）次に、図（４－ｄ）に示すように、成長用基板６０を化合物半導体層１から剥離する。
　また、本発明の発光素子の製造方法は、成長用基板６０を化合物半導体層１から剥離した後に、ｎ型半導体層１０の表面を粗面化する工程を有していてもよい。ｎ型半導体層１０の表面が平滑であると、発光層３０から発した光がｎ型半導体層１０の表面で反射してしまい、ｎ型半導体層１０の表面からの光取り出し効率が低下するが、ｎ型半導体層１０の表面を粗面化することにより、発光層３０から発した光の反射を効果的に抑制することができる。
　ｎ型半導体層１０の表面を粗面化する方法は、特に制限されず、化学的あるいは機械的に行うことができ、具体的には、ｎ型半導体層の表面を水酸化カリウム溶液に浸漬することにより行うことができる。
　また、粗面の凹凸は、特に制限されないが、発光層３０から発した光の波長の１／４～１／２の大きさの凹凸であることが好ましい。粗面の凹凸を、上記範囲とすることにより、発光層３０から発した光の反射をより効果的に抑制することができる。
［第５の工程］
（Ｊ－１）次に、図（５－ａ）に示すように、熱分解性固定樹脂層９０を加熱することにより、熱分解性固定樹脂層９０を熱分解させる。
　本発明に係る熱分解性固定樹脂層９０を構成する熱分解性の樹脂組成物は、加熱することによりガス化して揮散するため、化合物半導体層１を支持基材８０から剥離した際に、化合物半導体層１および支持基材８０に熱分解性の樹脂組成物の残渣が発生し難いという効果を奏することができる。また、熱分解性の樹脂組成物の残渣が発生した場合でも、溶剤等で洗浄することにより容易に残渣を除去することができるという効果を奏することができる。これにより、化合物半導体層１に付着する熱分解性固定樹脂層９０を確実に除去することができるため、信頼性の高い発光素子を製造することができる。また、支持基材８０に付着する熱分解性固定樹脂層９０を確実に除去することができるため、支持基材８０を再利用することが可能となる。
　前記熱分解性固定樹脂層９０を加熱する温度は、特に制限されないが、５０～５００℃が好ましく、１００～３５０℃が特に好ましい。前記加熱する温度を上記範囲とすることで、発光素子の製造工程中で、確実に化合物半導体層１を固定することができるとともに、化合物半導体層１の熱劣化や反りを抑制することができる。
（Ｋ－１）次に、図（５－ｂ）に示すように、支持基材８０から化合物半導体層１を剥離し、発光素子集合体１１０を得る。
　支持基材８０から発光素子集合体１１０を剥離する方法は、特に制限されないが、支持基材８０の表面に対して垂直方向に発光素子集合体１１０を剥離する方法、支持基材８０の表面に対して水平方向にスライドさせて剥離する方法、発光素子集合体１１０の片側から発光素子集合体１１０を浮かして剥離する方法が挙げられる。
　本発明に係る熱分解性固定樹脂層９０は、前述したように、化合物半導体層１および支持基材６０に残渣が発生し難いため、発光素子集合体１１０にストレスをかけることなく剥離することができる。これにより、発光素子集合体１１０の破損を効果的に抑制することができるため、発光素子の歩留りを向上することができる。
［第６の工程］
（Ｌ－１）次に、発光素子集合体１１０を各発光素子単位毎に分割する。
　前記発光素子集合体１１０を各発光素子単位毎に分割する方法は、特に制限されないないが、半導体ウエハーをダイシングすることにより個片化し、半導体チップを得るという公知の方法と同様の方法を用いることができる。具体的には、発光素子集合体１１０にダイシングテープを貼付け、ダイシングソーにより分割（個片化）することにより、図（５－ｄ）に示すような発光素子１００を得ることができる。
　次に、本発明の発光素子の製造方法の作用効果について説明する。
本発明の発光素子の製造方法は、成長用基板上に半導体層、発光層を有する化合物半導体層を形成する第１の工程と、前記化合物半導体層に電極を形成する第２の工程と、支持基材上に熱分解性固定樹脂層が形成された熱分解性固定樹脂層付き支持基材の熱分解性固定樹脂層と前記化合物半導体層とを貼り合せる第３の工程と、前記成長用基板の前記化合物半導体層が形成されている面とは反対側の面からレーザー光を照射し、前記成長用基板と前記化合物半導体層とを剥離する第４の工程と、前記支持基材から前記化合物半導体層を剥離する第５の工程と、前記化合物半導体層を個片化する第６の工程と、を有する発光素子の製造方法の中でも、該第５の工程において、該熱分解性固定樹脂層を熱分解させることにより化合物半導体層を支持基材から剥離することを特徴としている。これにより、化合物半導体層に、固定樹脂層の残渣が残り難いため、得られる発光素子の信頼性を高めることができる。
　また、本発明の発光素子の製造方法は、熱分解性固定樹脂層を熱分解させる温度が５０～５００℃であるため、前記第５の工程において確実に熱分解性固定樹脂層を熱分解させることと、化合物半導体層の熱劣化および反りの防止を両立することができる。
　また、本発明の発光素子の製造方法は、固定樹脂層として、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ノルボルネン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種以上の熱分解性樹脂成分を含むことを特徴とする。これにより、固定樹脂層の残渣が残り難いため、得られる発光素子の信頼性をより高めることができる。
　また、本発明の発光素子の製造方法は、固定樹脂層として、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ノルボルネン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種以上の熱分解性樹脂成分と、光酸発生剤を含む構成とすることにより、固定樹脂層の熱分解温度を低下させることができるため、前記第５の工程において確実に固定樹脂層を熱分解させることと、化合物半導体層の熱劣化および反りを防止することを、より効果的に両立することができる。
　なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
　本発明によれは、発光素子をレーザーリフトオフ工法で作製する場合に、ＩＩＩ族窒化物半導体層および支持基材に固定樹脂層の残渣が残り難い発光素子の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、信頼性の高い発光素子を提供することができる。以上のことから、本発明は産業上極めて有用である。
１            　化合物半導体層
１０　　　　　　ｎ型半導体層
２０　　　　　　ｐ型半導体層
３０　　　　　　発光層
４０　　　　　　ｐ型電極
５０　　　　　　ｎ型電極
６０　　　　　　成長用基板
７０　　　　　　溝
８０　　　　　　支持基材
９０　　　　　　熱分解性固定樹脂層
１００、２００　発光素子
１１０　　　　　発光素子集合体

Claims (9)

  1. 成長用基板上に半導体層、発光層を有する化合物半導体層を形成する第１の工程と、
    前記化合物半導体層に電極を形成する第２の工程と、
    支持基材上に熱分解性固定樹脂層が形成された熱分解性固定樹脂層付き支持基材の熱分解性固定樹脂層と前記化合物半導体層とを貼り合せる第３の工程と、
    前記成長用基板の前記化合物半導体層が形成されている面とは反対側の面からレーザー光を照射し、前記成長用基板と前記化合物半導体層とを剥離する第４の工程と、
    前記熱分解性固定樹脂層を熱分解させることにより、前記支持基材から前記化合物半導体層を剥離する第５の工程と、
    前記化合物半導体層を個片化する第６の工程と、
    を有することを特徴とする発光素子の製造方法。
  2. 　前記半導体層が、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層である、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
  3. 　前記成長用基板が、サファイアガラスである、請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
  4. 　前記第５の工程で熱分解性固定樹脂層を熱分解させる温度が、５０～５００℃である請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
  5. 　前記熱分解性固定樹脂層が、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ノルボルネン系樹脂からなる群より選ばれる熱分解性樹脂成分を少なくとも１種以上含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
  6. 　前記熱分解性樹脂成分が、ポリカーボネート系樹脂である、請求項１ないし５のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
  7. 　前記熱分解性固定樹脂層が、光酸発生剤を含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
  8. 　前記ポリカーボネート系樹脂が、プロピレンカーボネート、シクロヘキシレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ノルボルナンカーボネートからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の構造単位を含む請求項５ないし７のいずれかに記載の発光素
    子の製造方法。
  9. 　請求項１ないし８のいずれかに記載の製造方法で作製されたことを特徴とする発光素子。
PCT/JP2011/056355 2010-03-24 2011-03-17 発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子 WO2011118489A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11759295A EP2551924A1 (en) 2010-03-24 2011-03-17 Method of manufacture for light-emitting element and light-emitting element manufactured thereby
KR1020127024592A KR20130012119A (ko) 2010-03-24 2011-03-17 발광 소자의 제조 방법 및 그것을 사용하여 이루어지는 발광 소자
SG2012066197A SG183944A1 (en) 2010-03-24 2011-03-17 Method of manufacture light-emitting element and light-emitting element manufactured thereby
CN2011800154790A CN102822997A (zh) 2010-03-24 2011-03-17 发光元件的制造方法及用该方法制成的发光元件
US13/636,047 US20130009172A1 (en) 2010-03-24 2011-03-17 Method of manufacture of light-emitting element and light-emitting element manufactured thereby
JP2012506969A JPWO2011118489A1 (ja) 2010-03-24 2011-03-17 発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010067959 2010-03-24
JP2010-067959 2010-03-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011118489A1 true WO2011118489A1 (ja) 2011-09-29

Family

ID=44673046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/056355 WO2011118489A1 (ja) 2010-03-24 2011-03-17 発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20130009172A1 (ja)
EP (1) EP2551924A1 (ja)
JP (1) JPWO2011118489A1 (ja)
KR (1) KR20130012119A (ja)
CN (1) CN102822997A (ja)
SG (1) SG183944A1 (ja)
TW (1) TW201145601A (ja)
WO (1) WO2011118489A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014041964A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6490901B2 (ja) * 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN111316455A (zh) * 2017-11-10 2020-06-19 夏普株式会社 半导体模组、显示装置及半导体模组的制造方法
TWI789617B (zh) * 2017-12-07 2023-01-11 晶元光電股份有限公司 半導體元件及其製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6424809A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Kuraray Co Polycarbonate acrylate resin composition
JP2005522875A (ja) * 2002-04-09 2005-07-28 オリオール， インク． 金属支持膜を使用した縦方向デバイスの製作方法
JP2005210066A (ja) * 2003-12-25 2005-08-04 Kyocera Corp 薄膜発光素子およびその製造方法
JP2008042143A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2008155631A (ja) * 2006-12-19 2008-07-10 Palo Alto Research Center Inc 熱分解可能ポリマーを用いた印刷版
JP2008251824A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Nitta Ind Corp チップ型電子部品の外部電極形成方法
JP2009054693A (ja) 2007-08-24 2009-03-12 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法
JP2009081407A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオード、並びにランプ
JP2010067959A (ja) 2008-08-13 2010-03-25 Mitsubishi Chemicals Corp 電子デバイス、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2600115B2 (ja) * 1994-11-28 1997-04-16 工業技術院長 脂肪族ポリカーボネート系樹脂の酵素的分解方法
JP4265047B2 (ja) * 1999-10-04 2009-05-20 パナソニック株式会社 希土類ボンド磁石からの磁性粉回収・再利用方法
JP3877642B2 (ja) * 2002-05-21 2007-02-07 ローム株式会社 半導体チップを使用した半導体装置
JP5085090B2 (ja) * 2006-10-19 2012-11-28 日東電工株式会社 接着層付き樹脂多孔質膜とその製造方法ならびにフィルタ部材
MX2010003597A (es) * 2007-10-04 2010-04-21 Nissha Printing Metodo simultaneo de decoracion y moldeo por inyeccion.

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6424809A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Kuraray Co Polycarbonate acrylate resin composition
JP2005522875A (ja) * 2002-04-09 2005-07-28 オリオール， インク． 金属支持膜を使用した縦方向デバイスの製作方法
JP2005210066A (ja) * 2003-12-25 2005-08-04 Kyocera Corp 薄膜発光素子およびその製造方法
JP2008042143A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2008155631A (ja) * 2006-12-19 2008-07-10 Palo Alto Research Center Inc 熱分解可能ポリマーを用いた印刷版
JP2008251824A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Nitta Ind Corp チップ型電子部品の外部電極形成方法
JP2009054693A (ja) 2007-08-24 2009-03-12 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法
JP2009081407A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオード、並びにランプ
JP2010067959A (ja) 2008-08-13 2010-03-25 Mitsubishi Chemicals Corp 電子デバイス、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ照明

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014041964A (ja) * 2012-08-23 2014-03-06 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
EP2551924A1 (en) 2013-01-30
CN102822997A (zh) 2012-12-12
TW201145601A (en) 2011-12-16
SG183944A1 (en) 2012-10-30
JPWO2011118489A1 (ja) 2013-07-04
KR20130012119A (ko) 2013-02-01
US20130009172A1 (en) 2013-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5189681B2 (ja) 半導体発光素子製造用支持基板及びこの支持基板を用いた半導体発光素子
US8847252B2 (en) III-nitride light emitting device with double heterostructure light emitting region
Höfler et al. Wafer bonding of 50‐mm diameter GaP to AlGaInP‐GaP light‐emitting diode wafers
JP5702739B2 (ja) ホウ素導入ｉｉｉ族窒化物発光ダイオード装置
US20110114984A1 (en) Supporting substrate for manufacturing vertically-structured semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device using the supporting substrate
US20100219437A1 (en) Nitride semiconductor light emitting diode
US20060202211A1 (en) Method for fabricating light-emitting device utilizing substrate transfer by laser decomposition
KR101198758B1 (ko) 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101470020B1 (ko) 샌드위치 구조의 웨이퍼 결합 및 포톤 빔을 이용한 단결정 반도체 박막 전이
JP2010186829A (ja) 発光素子の製造方法
JP4843235B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5232975B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオード、並びにランプ
US8530256B2 (en) Production process for semiconductor device
WO2011118489A1 (ja) 発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子
JP2004088083A (ja) 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法
JP2010267694A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体素子およびその製造方法
US20110121358A1 (en) P-type layer for a iii-nitride light emitting device
JP4807983B2 (ja) 化合物半導体発光素子用正極、該正極を用いた発光素子およびランプ
JP2009289983A (ja) 窒化物半導体発光ダイオード
JP2008141047A (ja) 窒化物半導体発光素子
KR20090125677A (ko) 반도체 발광소자용 지지기판 및 상기 지지기판을 이용한고성능 수직구조의 반도체 발광소자
JP2007042944A (ja) 窒化物半導体素子の製法
JP2014041964A (ja) 窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子
JP2005142544A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子、その正極、それを用いた発光ダイオード、およびそれを用いたランプ

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180015479.0

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11759295

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012506969

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13636047

Country of ref document: US

Ref document number: 2011759295

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127024592

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE