CN111316455A - 半导体模组、显示装置及半导体模组的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的半导体模组(1)包括：基底基板(11)；多个发光元件(15)；多个颜色转换层(31，32)，与彼此相邻的多个发光元件(15)的每个的顶部接触；遮光层(16b)，其设置在邻接的发光元件(15)之间以及邻接的颜色转换层(31，32)之间，并且将多个发光元件(15)和多个颜色转换层(31，32)分离。

Description

半导体模组、显示装置及半导体模组的制造方法
技术领域
本发明是关于半导体模组、显示装置及半导体模组的制造方法。
背景技术
专利文献1揭示了一种发光装置，其具备基体与配置于基体上的第一发光元件及第二发光元件。所述发光装置还具备设置于第一发光元件的顶面的透光性构件、设置于第二发光元件的顶面的波长转换构件、覆盖第一发光元件、第二发光元件、透光性构件以及波长转换构件的侧面的遮光构件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开专利公报“特开2015-126209号公报(2015年7月6日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
专利文献1揭示的发光装置中，发光元件与透光性构件是通过压接、烧结、或利用粘接剂粘接等公知的方法连接，因此在发光元件与透光性构件之间可形成粘接层。为此，存在光提取效率降低的问题。
本发明的一实施例的目的在于，使从各个发光元件出射的光显眼，并使从发光元件出射的光的光提取效率提高。
解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明的一个实施例涉及的半导体模组具备：基底基板，形成有驱动电路；多个发光元件，与所述驱动电路电连接；多个颜色转换层，与彼此邻接之多个所述发光元件的每一个的顶部接触；以及光遮蔽层，被配置于彼此邻接的所述发光元件之间以及彼此邻接的所述颜色转换层之间，且将多个所述发光元件及多个所述颜色转换层分离。
本发明的一个实施例涉及的半导体模组具备：基底基板，形成有驱动电路；多个发光元件，与所述驱动电路电连接；光遮蔽层，被配置于彼此邻接的所述发光元件之间，且将多个所述发光元件分离；金属端子，是被设置于所述基底基板上，用于从外部供给用于驱动该驱动电路的电力的构成；绝缘层，设于所述基底基板上，覆盖所述基底基板的部分顶面，所述金属端子与贯通所述绝缘层而形成于所述基底基板的顶面的焊垫电极接触，所述金属端子的一部分与所述绝缘层的上标面接触。
本发明的一个实施例涉及的半导体模组的制造方法，包含：在成长于成长基板上的半导体层上形成多个发光元件的步骤；通过激光照射，多个所述发光元件剥离所述成长基板的步骤；在剥离所述成长基板的步骤后，以覆盖基底基板的顶面及所述发光元件的整个露出面的方式在所述基底基板上填充光遮蔽层的步骤；在填充所述光遮蔽层的步骤后，去除位于所述发光元件的顶面上的所述光遮蔽层的部分的步骤；以及在所述发光元件的顶部形成颜色转换层的步骤，多个所述发光元件与形成于所述基底基板的驱动电路电连接。
本发明的一个实施例涉及的半导体模组的制造方法，包含：在成长于成长基板上的半导体层上形成多个发光元件的步骤；通过激光照射，多个所述发光元件剥离所述成长基板的步骤；在剥离所述成长基板的步骤后，以覆盖基底基板的顶面及所述发光元件的整个露出面的方式在所述基底基板上填充第一光遮蔽层的步骤；在填充所述第一光遮蔽层的步骤后，去除位于较所述发光元件的顶面的从所述基底基板起的高度的更上方的所述第一光遮蔽层的部分的步骤；在去除该第一光遮蔽层的部分的步骤后，在所述第一光遮蔽层的顶部形成由与所述第一光遮蔽层的材料不同的材料构成的第二光遮蔽层的步骤；在形成所述第二光遮蔽层的步骤后，去除位于该发光元件的顶面上的所述第二光遮蔽层的部分的步骤；以及在所述发光元件的顶部形成颜色转换层的步骤，多个所述发光元件与形成于所述基底基板的驱动电路电连接。
本发明的一个实施例涉及的半导体模组的制造方法，包含：在成长于成长基板上的半导体层上形成多个发光元件的步骤；通过激光照射，多个所述发光元件剥离所述成长基板的步骤；在剥离所述成长基板的步骤后，以覆盖基底基板的顶面、所述发光元件的整个露出面以及金属端子的方式在所述基底基板上填充光遮蔽层的步骤；填充所述光遮蔽层的步骤后，去除位于所述发光元件的顶面上的所述光遮蔽层的部分以及位于所述金属端子上的所述光遮蔽层的部分的步骤；以及在所述发光元件的顶部形成颜色转换层的步骤，多个所述发光元件与形成于所述基底基板的驱动电路电连接，所述金属端子是设置于所述基底基板上，用于从外部供给用于驱动该驱动电路的电力的构成。
发明效果
根据本发明的一个形态，使从各个发光元件出射的光显眼，并使从发光元件出射的光的光提取效率提高。
附图说明
图1是说明第一实施方式涉及的半导体模组的制造方法的图。
图2是说明第一实施方式涉及的半导体模组的制造方法的图。
图3是第一实施方式涉及的半导体模组的制造方法的流程图。
图4是表示第二实施方式涉及的半导体模组的构成的截面图。
图5是表示第三实施方式涉及的半导体模组的构成的截面图。
图6是说明第四实施方式涉及的半导体模组的的制造方法的图。
图7是说明第四实施方式涉及的半导体模组的的制造方法的流程图。
图8是表示第五实施方式涉及的半导体模组的构成的截面图。
具体实施方式
[第一实施方式]
图1及图2是说明第一实施方式涉及的半导体模组1的制造方法的图。图3是第一实施方式涉及的半导体模组1的制造方法的流程图。对于半导体模组的构成及制造方法，基于图1、图2、以及图3进行说明。图2为简化图1所示的半导体模组1的构成的一部分的图，省略金属配线12及绝缘层13，将基板侧电极141及发光元件侧电极142作为电极14表示。另外，具备半导体模组1，对于进行图像的显示的显示装置，也包含在本发明的技术范围内。
(半导体模组1的构成)
如图2的(e)所示，半导体模组1具备基底基板11、电极14、发光元件15、光遮蔽层16b、金属端子21、绝缘层22、虚拟(dummy)元件23、焊垫电极24、以及颜色转换层31、32。半导体模组1中，实际上多个发光元件15经由电极14设置于基底基板11上，但是，在图1及图2中，以在基底基板11上经由电极14设置有三个发光元件15为例进行说明。
(半导体模组1的构成)
基底基板11可利用形成配线的构件，使得至少其表面能够与发光元件15连接。基底基板11上形成有驱动发光元件15的驱动电路。另外，基底基板11的材料优选为整体由氮化铝构成的氮化铝的单晶体或多晶体等晶体性基板、及烧结基板。另外，基底基板11的材料优选为氧化铝等之陶瓷、玻璃、或Si等半金属或金属基板，另外，可使用在其表面上形成有氮化铝薄膜层的基板等积层体或复合体。金属性基板及陶瓷基板散热性高，所以优选为基底基板11的材料。
例如，由集成电路形成技术在Si上形成控制发光元件15发光的驱动电路作为基底基板11利用，从而可制造使微小的发光元件15密集分布的高分辨率的显示装置。
(金属配线12)
金属配线12为至少包含对发光元件15供给控制电压的控制电路的配线。金属配线12之形成是，通过离子研磨(ion milling)法或蚀刻法等，实现金属层的图案化。例如，可举出在Si基板表面上形成由白金薄膜等构成的金属配线12等的例子。进一步地，以保护金属配线12为目的，可在基底基板11的形成有金属配线12的一侧的表面上形成由SiO2等薄膜构成的保护膜。
(绝缘层13)
绝缘层13为由氧化膜、树脂膜、及树脂层构成的绝缘性的层。绝缘层13防止基底基板11与电极14直接接触。
(电极14)
电极14为电连接金属配线12与设于发光元件15上的金属端子(图未示)的构件，也被称为凸点。如图1(e)所示，与电极14中的连接于金属配线12的第一部分为基板侧电极141，电极14中的与设置在发光元件15上的金属端子(图未示)连接的第二部分为发光元件侧电极142。基板侧电极141及发光元件侧电极142例如由Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、以及Ti之任一金属、以及上述的合金或组合构成。作为组合之例，将基板侧电极141及发光元件侧电极142作为金属电极层而构成的情况下，可以考虑W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au/Ni、Pt/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Rh、或TiW/Au的积层构造。发光元件侧电极142可设为在同一面侧形成n侧电极与p侧电极，且配置在与发光元件15的光出射面相反侧的倒装芯片类型。
电极14在光出射方向上具有台阶。基板侧电极141的与光出射方向平行的截面的面积，与发光元件侧电极142的与光出射方向平行的截面的面积不同。图1的(e)中，基板侧电极141的截面积大于发光元件侧电极142的截面积。再者，基板侧电极141及发光元件侧电极142的最外表面优选为Au。
(发光元件15)
发光元件15可利用公知的元件，具体而言可利用半导体发光元件。例如有GaAs系、ZnO系、或GaN系元件。发光元件15可使用发出红色、黄色、绿色、蓝色、或紫色光的LED(Light Emitting Diode)，也可使用发出紫外光的LED。其中，优选为将可发出蓝色至紫色或紫色至紫外光的光的GaN系半导体用作发光元件15。此处，发光元件15为发出蓝光的元件。发光元件15在图2(e)中，从顶面出射光。发光元件15的顶面为光出射面。发光元件15经由电极14，与形成在基底基板11的驱动电路电连接。在发光元件15的顶部配置因照射光而显示与发光元件15的发光颜色不同的发光颜色的颜色转换层31、32，从而能够显示位于可见光区域的各种发光颜色。因此，可以发出能被有效激发的短波长光。另外，具有发光效率高、寿命长、可靠度高的特征的方面而言，GaN系半导体优选为发光元件15。
作为发光元件15的半导体层，氮化物半导体为可见光区域的短波长区域、近紫外光区域、或较其短的短波长区域，并且与波长转换构件(荧光体)组合优选用于半导体模组1。另外，不限定于此，也可为ZnSe系、InGaAs系、AlInGaP系等半导体。
由半导体层而得的发光元件构造，在输出效率上而言，优选为在第一导电类型(n型)层、第二导电类型(p型)层之间具有活性层的构造，但不限定于此。另外，可为在各导电类型层上部分地设置绝缘、半绝缘性、及逆导电(reverse conducting)类型的结构，或相对于第一、第二导电类型层上附加性地设置上述结构的构造。也可为附加性地具有其他电路结构，例如保护元件结构。
在本实施方式中，如后述般通过激光照射等剥离成长基板18。将半导体模组1应用于显示装置，在发光元件15上有成长基板18的情况下，来自发光元件15的出射光在成长基板18内扩散，难以进行高精细的显示。相对于此，在发光元件15上没有成长基板18的情形，由于来自各个发光元件15的出射光不扩散而是被提取，因此显示装置可进行高精细的显示。
作为发光元件15及半导体层的结构，可举出具有PN结的同质结构、异质结构或双异质构成。另外，各层也可以是超晶格结构，也可是使作为活性层的发光层形成于产生量子效果的薄膜的单一量子阱结构或多量子阱结构。再者，发光元件15之间的距离，优选为俯视时在0.1μm以上20μm以下。由此，在剥离成长基板18时，在照射激光时到达基底基板11的激光的强度变低。因此，可减低使成长基板18剥离时伴随的对基底基板11的损伤。因此，在剥离成长基板18等步骤中，可使对具有驱动发光元件15的驱动电路的基底基板11的损伤减低。
另外，发光元件15之间的距离在俯视时为0.1μm以上20μm以下。由此，位于发光元件15之间的光遮蔽层16b的部分的厚度成为0.1μm以上20μm以下。该厚度为沿着发光元件15排列的方向的厚度。
(光遮蔽层16b)
光遮蔽层16b使电极14、发光元件15、金属端子21、绝缘层22以及颜色转换层31、32固定于基底基板11，并且防止光从发光元件15及颜色转换层31、32的侧面漏出。光遮蔽层16b被配置于彼此邻接的发光元件15之间以及彼此邻接之颜色转换层31与颜色转换层32之间，分离多个发光元件15及颜色转换层31、32。光遮蔽层16b俯视时，覆盖颜色转换层31、32的周围。光遮蔽层16b也被称为底部填充(underfill)，作为一例，可由液体的树脂固化而形成。光遮蔽层16覆盖基底基板11的顶面、电极14的侧面、发光元件15的侧面、金属端子21、绝缘层22、虚拟元件23、以及颜色转换层31、32的侧面。
光遮蔽层16b在保护基底基板11基础上，还可通过对激光的反射或吸收，减低成长基板18的剥离步骤中对基底基板11的损伤。另外，发光元件15的发光是从发光元件15与基底基板11侧的相反侧的光出射面发射。因此，通过光遮蔽层16b覆盖发光元件15的侧面，可获得以下的作用及效果。第一，可避免光自发光元件15的侧面漏出。第二，可抑止与来自发光元件15的出射面的发光相比的具有无法无视的色差的光从侧面向外释出，减低整体的发光颜色中的颜色不一致。第三，可使向侧面方向行进的光往半导体模组1的光提取方向侧反射，进而限制往外部的发光区域。由此，可提高发出的光的指向性，并且提高发光元件15的光出射面的发光亮度。第四，可通过将发光元件15产生的热向光遮蔽层16b传导，提高发光元件15的散热性。第五，通过形成光遮蔽层16b，可保护发光元件15的发光层避免受水或氧等的影响。
(金属端子21、绝缘层22、焊垫电极24)
金属端子21设置于基底基板11上，用于从外部供给用于驱动驱动形成于基底基板11的驱动电路的电力。金属端子21与供给用于驱动形成在基底基板11之驱动电路的电力之电源(图未示)电连接。金属端子21的代表性的材料例如为Au。
金属端子21贯通绝缘层22并与形成在基底基板11的顶面的焊垫电极24接触。绝缘层22设置于基底基板11上，覆盖基底基板11顶面的一部分。绝缘层22在顶面的中央具有开口部。金属端子21覆盖自绝缘层22之该开口部露出的焊垫电极24，且电连接。也就是，金属端子21为了与焊垫电极24电连接，贯通绝缘层22。优选为，金属端子21的一部分与绝缘层22的顶面接触。
焊垫电极被埋入基底基板11，作为形成在基底基板11的驱动电路所具备的构件。焊垫电极24的代表性的材料，例如Al。焊垫电极24的顶面可以仅被金属端子21覆盖，也可以被金属端子21及绝缘层22覆盖。经由金属端子21及焊垫电极24，从外部对形成在基底基板11的驱动电路供给电力。焊垫电极24的顶面由于仅被金属端子21覆盖，或被金属端子21及绝缘层22覆盖，后述的成长基板18的剥离步骤，可防止焊垫电极24被激光照射。由此，可防止焊垫电极24因激光而受到损伤。
(虚拟元件23)
虚拟元件23形成于基底基板11上。俯视虚拟元件23时，位于发光元件15的外侧，与基底基板11机械性地连接。因此，由于虚拟元件23形成于基底基板11上，进行后述的成长基板18的剥离步骤时，可防止虚拟元件23飞散。
(颜色转换层31、32)
颜色转换层31、32可由Y3Al5O12：Ce3+、Y3(Al,Ga)5O12：Ce3+、L u3 Al5O12：Ce3+、(Sr,Ba)2SiO4：Eu2+、Ca2SiO4：Eu2+、Ca3(Sc,Mg)2Si3O12：Ce3+、β-SiAlON：Eu2+、Ca-α-SiAlON：Eu2+、La3Si6N11：Ce3+、K2SiF6：Mn4+、CaAlSiN3：Eu2+、(Sr,Ca)AlSiN3：Eu2+、(Ba,Sr)2Si5N8：Eu2+、CdSe、CdS、ZnS、ZnSe、CdTe、InP、InGaP、GaP、GaN、InGaN等荧光体材料、吸光材料等颜色转换材料、氧化钛、二氧化硅、氧化铝等光散射材料、以及作为基材的树脂等构成，转换发光元件15所出射的光之波长。颜色转换层31为将发光元元件15所出射的光转换为绿色光的绿色转换层，颜色转换层32为将发光组元15所出射的光转换为红色光的红色转换层。
颜色转换层31、32与彼此邻接的多个发光元件15的每一个的顶部接触。图2的(e)中，颜色转换层31、32与三个发光元件15的每一个的顶部接触。颜色转换层31与配置于其正下方的发光元件15直接接触，颜色转换层32与配置于其正下方的发光元件15直接接触。也就是说，在颜色转换层31与发光元件15之间，没有遮挡自发光元件15朝向颜色转换层31的光的构件，在颜色转换层32与发光元件15之间，没有遮挡自发光元件15朝向颜色转换层31的光的构件，三个发光元件15中的一个发光元件15的顶部是暴露的。
颜色转换层31、32的从基底基板11起的高度，与光遮蔽层16b的自基底基板11起的高度相同。再者，颜色转换层31与颜色转换层32之间的距离在俯视时，优选为0.1μm以上20μm以下。由于颜色转换层31与颜色转换层32之间的距离在俯视时为0.1μm以上20μm以下，位于颜色转换层31与颜色转换层32之间的光遮蔽层16b的部分的厚度为0.1μm以上20μm以下。该厚度是沿着颜色转换层31、32排列的方向的厚度。另外，颜色转换层31、32具有中值直径为2μm以下之的荧光体较佳。因此，可缩小颜色转换层31、32的尺寸，故可缩小半导体模组1的尺寸。
(半导体模组的制造方法)
下面，基于图1、图2及图3说明半导体模组1的制造方法。
(发光元件15的形成步骤)
首先，如图1(a)所示，在成长基板18上设置发光元件15的基底的半导体层15a。成长基板18是使半导体层15a外延生长(epitaxial growth)的基板。
在成长基板18设置半导体层15a后，如图1(b)所示，在半导体层15a上形成多个发光元件侧电极142、以及成为第二对准标记20的一部分的虚拟电极10。对于该形成，使用公知的一般的电极形成技术。发光元件侧电极142及虚拟电极10的代表性的材料，例如为Au。
(分离槽19的形成步骤)
在半导体层15a上设置发光元件侧电极142及虚拟电极10后，如图1(c)所示，在半导体层15a上形成多个分离槽19(步骤S110)。对于分离槽19的形成，使用标准的半导体选择蚀刻程序。图1(c)中，在邻接的发光元件侧电极142之间，形成分离槽19。所形成的分离槽19到达成长基板18的表面。
由于形成分离槽19，一层半导体层15a在成长基板18的表面被分割为多个个别的发光元件15(芯片)，形成与多个发光元件15并列的第二对准标记20。如上述，形成多个发光元件15(形成多个发光元件之步骤)。第二对准标记片20包含半导体层构成的虚拟元件23、及由与发光元件侧电极142相同之导电性材料构成的虚拟电极10。另外，以分离槽19的宽度在0.1μm以上5120μm以下的范围内的方式，形成分离槽19。换言之，在形成多个发光元件15的步骤，以发光元件15之间的距离在俯视时为0.1μm以上20μm以下的方式，形成多个发光元件15。由此，在后述之步骤S170的处理之后，发光元件15的顶部形成的凹部之间、沿着发光元件15排列的方向的距离，为0.1μm以上20μm以下。
分离槽19的宽度为20μm以下，使到达基底基板11的激光量变小，因此在后述的成长基板18之剥离步骤中，可减低对基底基板11、金属配线12、绝缘层13以及电极14的损伤。
另一方面，若分离槽19的宽度变窄，则邻接的电极14之间以及邻接的发光元件15之间的静电电容增加，在对发光元件15施加电压时，邻接之发光元件15之间，可能产生由耦合噪声(coupling noise)造成的电动势。由此，妨碍发光元件15的精密的照明控制，或对发光元件15施加逆电压时，可能产生发光元件15的劣化。因此，分离槽19的宽度优选为0.1μm以上。
另外，半导体模组1的可靠度方面，发光元件15相对于制造初期的发光强度，照明1000小时后维持50％以上的发光强度为理想的。为了防止由逆电压造成发光元件15的劣化，分离槽19的宽度设为0.1μm以上为理想的。
(两个基板的位置对准步骤)
在分离槽19形成后，如图1(d)所示，准备预先形成了金属配线12、绝缘层13、基板侧电极141以及第一对准标记141a之的基底基板11。针对基底基板11的基板侧电极141的形成，可使用公知的一般的电极形成技术。以下具体地进行说明。
在基底基板11上形成金属配线12。形成金属配线12后，在基底基板13形成绝缘层13。形成绝缘层13时，以形成有金属配线12的一部分及第一对准标记141a的基底基板11上的区域露出的方式，通过湿式蚀刻等将绝缘层13图案化。粘接，以覆盖金属配线12的一部分的方式，形成基板侧电极141(步骤S120)。另外，形成基板侧电极141，并且于基底基板11上形成第一对准标记141a。基板侧电极141及第一对准标记片141a的代表性的材料，例如为Au。如图1(d)所示，使成长基板18翻转与准备基底基板11一并进行。在成长基板18翻转后，以各个基板侧电极141与各个发光元件侧电极142相对的方式，使基底基板11与成长基板18进行位置对准。
(基板的贴合步骤)
在基底基板11与成长基板18的位置对准完成后，如图1(e)所示，使基底基板11与成长基板18贴合(步骤S130)。此时，使用成长基板18侧的第二对准标记20与基底基板11侧的第一对准标记141a，以对应的基板侧电极141及发光元件侧电极142接合的方式，将基底基板11及成长基板18通过加压而从上下压制。由此，对应的基板侧电极141及发光元件侧电极142被一体化，构成电极14。另外，成长基板18侧的第二对准标记20与基底基板11侧的第一对准标记141a连接。由此，第一对准标记141a与第二对准标记20接合，构成对准标记M。
(成长基板18的剥离步骤)
在贴合完成后，如图2(a)所示，使成长基板18从多个发光元件15剥离(步骤S140：从多个发光元件剥离成长基板的步骤)。对于剥离成长基板18的步骤，作为剥离手段的一例，可利用激光照射的剥离技术。例如将蓝宝石等透明基板用作成长基板18，将氮化物半导体作为发光元件层而进行晶体成长的情形时，通过从透明基板侧以一定条件照射激光，可减轻对成长基板18与晶体成长层的界面造成的损伤。只要激光的波长为200nm以上1100nm以下的范围，则不特别限定，但必须为可进行成长基板18的剥离，即波长必须是可被生长基板18吸收的。
再者，使成长基板18剥离后，可研磨发光元件15的顶面(表面)。发光元件15的顶面的研磨，可通过CMP(Chemical Mechanical Polish，化学机械研磨)等实施。另外，在研磨发光元件15的顶面后，可清洗发光元件15的顶面。关于发光元件15的顶面的清洗方法的详情，在后述的步骤S190中详细说明。
进一步地，可在清洗发光元件15的顶面后，研磨发光元件15的顶面。在清洗发光元件15的顶面后，又研磨发光元件15的顶面的情形时，在研磨发光元件15的顶面后，再次清洗发光元件15的顶面。另外，也可不研磨发光元件15的顶面而清洗发光元件15的顶面。
(光遮蔽层16的填充步骤)
使成长基板18剥离后，如图2(b)所示，以覆盖基底基板11的顶面、电极14、发光元件15的全部暴露面、金属端子21、绝缘层22以及虚拟元件23之整个露出面的方式，将光遮蔽层16填充于基底基板11上(填充光遮蔽层的步骤)。在图2(b)中表示填充光遮蔽层16后的状态。以下具体地进行说明。
光遮蔽层16固化前的状态称为液态树脂。以覆盖基底基板11的顶面、电极14、发光元件15的全部暴露面、金属端子21、绝缘层22以及虚拟元件23的全部暴露面的方式，将液态树脂填充于基底基板11上(步骤S150)。
为了填充液态树脂，例如，在装满液态树脂的容器内，浸泡基底基板11、电极14、发光元件15、金属端子21、绝缘层22以及虚拟元件23即可。液态树脂的主材料，优选为遮蔽(吸收或反射)从发光元件15及颜色转换层31、32出射的光的物质，优选为在聚硅氧系树脂或环氧系树脂等添加了亚微米(submicron)尺寸的微粒的白色树脂(以下，称为第一材料)。亚微米尺寸的微粒，有粒径为0.01μm以上0.5μm以下的氧化钛、氧化铝、或二氧化硅等。
由此，可使光提取的效率提升。再者，液态树脂的注入方法除上述外，也可为利用注射针，尤其是以配合在基底基板11与发光元件15之间形成的空隙的尺寸的微针(microneedle)注入液态树脂的方法。这种情况下的注射针的材料，可使用金属制或塑料制等。
光遮蔽层16的填充步骤中，优选在50℃以上200℃以下的温度范围内的温度下填充液态树脂。由此，易于将液态树脂正常地进行填充。进一步地，温度范围优选为80℃以上170℃以下。由此，可减少损害液态树脂的特性(后述的固化制程后的密接性、散热性等)之虞。另外，温度范围进一步更佳为100℃以上150℃以下。由此，可减少基底基板11与发光元件15之间产生的气泡等，可几乎完全地进行填充而不产生对流，容易地制造半导体模组1。
液态树脂如图2(b)所示，覆盖于基底基板11的顶面、电极14、发光元件15的全部暴露面、金属端子21、绝缘层22以及虚拟元件23的全部暴露面。液态树脂的填充结束后，使液态树脂固化，形成光遮蔽层16(步骤S160)。再者，关于使液态树脂固化的方法并不特别限定，例如可将液态树脂进行加热，或对液态树脂照射紫外线，由此使液态树脂固化。另外，形成光遮蔽层16后，为了使光遮蔽层16的顶面平坦，可研磨光遮蔽层16的顶面。进一步地，研磨光遮蔽层16的顶面后，可清洗光遮蔽层16的顶面。
(去除光遮蔽层16的一部分的步骤)
填充光遮蔽层16后，如图2(c)所示，去除位于发光元件15顶面的光遮蔽层16的部分、以及位于虚拟元件23顶面的光遮蔽层16的部分(步骤S170：除光遮蔽层的部分的步骤、去除位于虚拟元件顶面的光遮蔽层的部分的步骤)。此时，发光元件15的顶部形成的凹部之间、沿着发光元件15排列的方向的距离，为0.1μm以上20μm以下。也就是，形成于该凹部间的凸部、沿着发光元件15排列的方向的厚度，为0.1μm以上20μm以下。通过去除位于发光元件15顶面的光遮蔽层16的部分、以及位于虚拟元件23顶面的光遮蔽层16的部分，形成光遮蔽层16a。由此，虚拟元件23的顶面从光遮蔽层16a暴露，在后述的步骤S180中，可将虚拟元件23的位置设为基准。另外，发光元件15的顶面从光遮蔽层16a暴露。
去除位于发光元件15顶面的光遮蔽层16的部分、以及位于虚拟元件23顶面的光遮蔽层16的部分后，如图2(d)所示，去除位于金属端子21上的光遮蔽层16a的部分(步骤S180：去除光遮蔽层的部分的步骤)。具体而言，将虚拟元件23的位置设为基准，去除位于金属端子21上的光遮蔽层16a的部分，由此形成光遮蔽层16b。由此，金属端子21的顶面从光遮蔽层16b露出。
(发光元件15的顶面的清洗步骤)
去除位于金属端子21上的光遮蔽层16a的部分后，清洗发光元件15的顶面(步骤S190：清洗步骤)。在步骤S170的处理后，发光元件15的顶面上，残留有残渣。另外，通过激光照射剥离的成长基板18而暴露的发光元件15的顶面上，产生Ga等的液滴(droplet)。该液滴在步骤S170处理后仍残留的可能性高。因此，Ga的熔点以上的温度的水(30℃以上的水)及稀盐酸类，可选择一种以上的清洗剂，通过该清洗剂清洗该暴露表面。
再者，去除位于金属端子21上的光遮蔽层16a的部分后，可研磨发光元件15的顶面(进行研磨的步骤)。另外，研磨发光元件15的顶面后，可清洗发光元件15的顶面(在研磨发光元件的顶面后清洗发光元件的顶面的步骤)。进一步地，在清洗发光元件15的顶面后，可研磨发光元件15的顶面。在清洗发光元件15的顶面后，研磨发光元件15的顶面的情形时，在研磨发光元件15的顶面后，再次清洗发光元件15的顶面。
发光元件15的顶面的清洗步骤中，通过对发光元件15的顶面浇下Ga的熔点以上的温度的水(30℃以上的水)而进行冲洗，或将发光元件15的顶面或整体浸泡于Ga的熔点以上的温度的水(30℃以上的水)，可去除发光元件15的顶面上的残渣。另外，优选为将发光元件15的顶面浸泡于室温的稀盐酸类或沸腾的稀盐酸类，或是以室温的稀盐酸类或沸腾的稀盐酸类冲洗发光元件15的顶面。进而，更佳为先对发光元件15的顶面以Ga的熔点以上之温度的水(30℃以上的水)进行冲洗，且浸泡于Ga的熔点以上之温度的水(30℃以上的水)，之后浸泡于稀盐酸类。
未清洗发光元件15的顶面的情况下，由于残留于发光元件15的顶面上的残渣及/或Ga等的液滴，光被吸收、反射及散射，发光元件15出射的光被遮住。由此，发光元件15的光提取效率降低。另外，由于清洗发光元件15的顶面，发光元件15出射的光不会被遮住。因此，可使发光元件15的光提取效率格外地提升。另外，用于清洗发光元件15的顶面的热水，较佳为Ga的熔点以上的温度，稀盐酸类的温度较佳为室温以上110℃以下。
另外，通过清洗发光元件15的顶面，可使残渣不残留于发光元件15的顶面。因此，在发光元件15上配置颜色转换层31、32时，可在未残留残渣的平面上，对颜色转换层31、32进行涂布或图案化。因此，可在多个发光元件15上，配置更均匀的厚度的颜色转换层。
(配置颜色转换层31、32的步骤)
在清洗发光元件15的顶面后，如图2(e)所示，在发光元件15的顶部配置颜色转换层31、32(步骤S200：形成颜色转换层的步骤)。具体而言，在发光元件15的顶部配置颜色转换层31，在顶部配置了颜色转换层31的发光元件15邻接的发光元件15的顶部配置颜色转换层32。
根据上述，半导体模组1中，光遮蔽层16b被配置于彼此邻接的发光元件15之间及彼此邻接的颜色转换层31、32之间。因此，可遮蔽自发光元件15的侧面及颜色转换层31、32的侧面出射的光，故可减低从颜色转换层31出射的光与从颜色转换层32出射的光混合的情况。由此，可防止彼此邻接的颜色转换层31、32之间光的影响互相作用的情形，所以能够使各个发光元件15出射的光显眼。另外，半导体模组1中，颜色转换层31、32与发光元件15直接接触。也就是，在颜色转换层31、32与发光元件15之间没有遮住从发光元件15朝向颜色转换层31、32的光的构件，故从发光元件15出射的光不衰减地进入颜色转换层31、32。由此，可使从发光元件15出射的光的光提取效率提升。
[第二实施例]
图4为示出本发明的第2实施例的半导体模组2的构成的截面图。再者，为了便于说明，对于上述实施形态已进行说明的构件具有相同功能的构件，标注相同符号，不重复该说明。
(半导体模组2的构成)
半导体模组2如图4所示，与半导体模组1相比，不同之处在于颜色转换层31、32被变更为颜色转换层31a、32a。颜色转换层31a、32a与颜色转换层31、32相比，自基底基板11朝向发光元件15的方向的厚度不同。颜色转换层31a、32a自基底基板11起的高度，优选为比光遮蔽层16b自基底基板11起的高度更低。由此，自发光元件15的侧面及颜色转换层31a、32a的侧面出射的光可遮蔽，故可减低从颜色转换层31a出射的光与从颜色转换层32a出射的光混合的情形。由此，可防止彼此邻接的颜色转换层31、32之间光的影响互相作用的情形，所以能够使各个发光元件15出射的光显眼。
再者，颜色转换层31a自基底基板11朝向发光元件15的方向的厚度，可与颜色转换层32a自基底基板11朝向发光元件15的方向的厚度不同。另外，颜色转换层31a所含有的荧光体的浓度可与颜色转换层32a所含有的荧光体的浓度不同。通过设定各颜色转换层所含有的荧光体的浓度、以及各颜色转换层自基底基板11朝向发光元件15的方向的厚度，可调整自各颜色转换层出射的光的色度。
[第三实施例]
图5为示出本发明的第3实施例的半导体模组3的构成的截面图。再者，为了便于说明，对于上述实施形态已进行说明的构件具有相同功能的构件，标注相同符号，不重复该说明。
(半导体模组3的构成)
半导体模组3如图5所示，与半导体模组1相比，不同之处在于三个发光元件15中的一个发光元件15的顶部配置有透明树脂层33。透明树脂层33使发光元件15出射的光通过，并从其顶面出射。透明树脂层33不转换配置于其正下方的发光元件15出射的光的波长，使该光通过。也就是，透明树脂层33出射蓝色的光。透明树脂层33可根据需要为含有二氧化硅等散射材料。
半导体模组3通过在三个发光元件15各自的顶部配置作为绿色转换层的颜色转换层31、作为红色转换层的颜色转换层32、以及透明树脂层33，发出红色光、绿色光、以及蓝色光的三原色的颜色的光。至于使蓝色光出射至外部的部分，通过在发光元件15的顶部配置透明树脂层33，可保护发光元件15。另外，通过使配置在三个发光元件15的顶部的发光元件具有相同的光扩散性，更容易获得光学特性。也就是说，使制造半导体模组3变得容易。进一步地，结合有半导体模组3的显示装置通过控制各个发光元件15来进行彩色显示。
[第四实施例]
图6为示出本发明的第4实施例的半导体模组4的制造方法的图。图7为示出本发明之第4实施例的半导体模组4的制造方法的流程图。针对半导体模组4的构成及制造方法，基于图6及图7进行说明。图6是简化图1所示的半导体模组1的构成的一部分的图，省略金属配线12及绝缘层13，将基板侧电极141及发光元件侧电极142作为电极14表示。
(半导体模组4之构成)
半导体模组4如图6(f)所示，与半导体模组1相比，不同之处在于光遮蔽层16b被变更为第一光遮蔽层41b及第二光遮蔽层42b。半导体模组4中，配置于彼此邻接的发光元件15之间及彼此邻接的颜色转换层31、32之间的光遮蔽层，由多层组成。该多层例如可包含第一光遮蔽层41b、以及由与第一光遮蔽层41b的材料不同之材料构成的第二光遮蔽层42b。另外，在第一光遮蔽层41b的顶部配置有第二光遮蔽层42b。进一步地，第一光遮蔽层41b与第二光遮蔽层42b之间的边界位置从基底基板11起的高度，与发光元件15与颜色转换层31、32之间的边界位置从基底基板11起的高度相同。
由此，发光元件15的侧面仅被第一光遮蔽层41b覆盖，颜色转换层31、32仅被第二光遮蔽层42b覆盖。因此，在根据半导体模组4所要求的光学特性来决定发光元件15所要求的光学特性时，为了获得发光元件15所要求的光学特性，可形成具有适当的光学特性的第一光遮蔽层41b。另外，当根据半导体模组4所要求的光学特性来决定颜色转换层31、32所要求的光学特性时，为了获得颜色转换层31、32所要求的光学特性，可形成具有适当的光学特性的第二光遮蔽层42b。因此，由于使第一光遮蔽层41b与第二光遮蔽层42b的分别具有适当的光学特性，可实现具有优异特性的半导体模组4。
第一光遮蔽层41b配置于发光元件15之间，第二光遮蔽层42b配置于颜色转换层31、32之间。第一光遮蔽层41b从基底基板11起的高度，与发光元件15从基底基板11起的高度相同，第二光遮蔽层42b从基底基板11起的高度，与颜色转换层31、32从基底基板11起的高度相同。
(半导体模组4的制造方法)
粘接，关于半导体模组4的制造方法，基于图6及图7进行说明。步骤S210～步骤S240的处理与步骤S110～步骤S140的处理相同。
(第一光遮蔽层41的填充步骤)
使成长基板18剥离后，如图6(a)所示，以覆盖基底基板11的顶面、电极14、发光元件15的全部暴露面、金属端子21、绝缘层22以及虚拟元件23之整个露出面的方式，将第一光遮蔽层41填充在基底基板11上(第一光遮蔽层的填充步骤)。第一光遮蔽层41之填充方法与半导体模组1的光遮蔽层16的填充方法相同。根据第一光遮蔽层41的填充方法，在填充第一液态树脂后(步骤S250)，通过使第一液态树脂固化(步骤S260)，形成第一光遮蔽层41。第一液态树脂为将第一光遮蔽层41固化前的状态。第一液态树脂的主材料，与半导体模组1的光遮蔽层16固化前的状态即液态树脂的主材料相同。
(去除第一光遮蔽层41的一部分的步骤)
填充第一光遮蔽层41后，去除第一光遮蔽层41的一部分(步骤S270)。具体而言，将包含多个发光元件15的顶面的面设为边界，去除位于比该面更高的第一光遮蔽层41的部分(去除第一光遮蔽层的部分的步骤)。
(研磨发光元件15的顶面的步骤)
在去除位于比发光元件15的顶面从基底基板11起的高度更高的第一光遮蔽层41的部分后，研磨发光元件15的顶面(表面)(步骤S280：进行研磨的步骤)。发光元件15的顶面的研磨方法，与剥离成长基板18后的半导体模组1的发光元件15的顶面的研磨方法相同。
(清洗发光元件15的顶面的步骤)
研磨发光元件15的顶面后，清洗发光元件15的顶面(步骤S290：进行清洗的步骤)。再者，在步骤S270的处理后，进行步骤S290处理，再进行步骤S280的处理也可。在进行清洗的步骤后进行研磨的步骤时，可在进行研磨的步骤后再度进行清洗的步骤。另外，步骤S270的处理后，可不进行步骤S280的处理而进行步骤S290的处理，也可不进行步骤S290的处理而进行步骤S280的处理。
发光元件15的顶面的清洗方法，与半导体模组1的发光元件15的顶面的清洗方法相同。通过研磨发光元件15的顶面及/或清洗发光元件15的顶面，可使残渣不残留在发光元件15的顶面及第一光遮蔽层41a的顶面。尤其是通过研磨发光元件15的顶面，可将发光元件15的顶面及第一光遮蔽层41a的顶面成为大致平面的形状。因此，将颜色转换层31、32配置于发光元件15上时，可在未残留残渣的平面上对颜色转换层31、32进行涂布或图案化。因此，可在多个发光元件15上，配置更均匀的厚度的颜色转换层。
(第二光遮蔽层42的形成步骤)
清洗发光元件15的顶面后，如图6(c)所示，在发光元件15的顶面、虚拟元件23的顶面、以及第一光遮蔽层41a的顶面形成第二光遮蔽层42(形成第二光遮蔽层的步骤)。第二光遮蔽层42由与第一光遮蔽层41a的材料不同的材料构成。第二光遮蔽层42填充后的状态示于图6(c)。以下具体进行说明。
将第二光遮蔽层42固化前的状态称为第二液态树脂。以覆盖发光元件15的顶面、虚拟元件23的顶面、以及第一光遮蔽层41a的顶面的方式，填充第二液态树脂(步骤S300)。为了填充第二液态树脂，例如，在充满第二液态树脂的容器内，浸泡基底基板11、发光元件15、虚拟元件23以及第一光遮蔽层41a即可。作为第二液态树脂的主材料，优选为遮蔽(吸收或反射)从发光元件15及颜色转换层31、32出射之光者，较佳为于聚硅氧系树脂或环氧系树脂等添加了碳黑或黑色颜料之材料(以下，称为第二材料)。优选为遮蔽(吸收或反射)从发光元件15及颜色转换层31、32出射的光的物质，优选为在聚硅氧系树脂或环氧系树脂等添加了碳黑或黑色颜料的材料(以下，称为第二材料)。
再者，第一液态树脂的主材料可为第二材料，第二液态树脂的主材料可为第一材料。另外，可为第一液态树脂的主材料可与第二液态树脂的主材料可以相同，第一液态树脂的主材料及第二液态树脂的主材料的为第一材料或第二材料。进一步地，可为第一液态树脂的主材料及第二液态树脂的主材料可以不同，第一液态树脂的主材料及第二液态树脂的主材料为第一材料或第二材料。第二液态树脂的注入方法除上述外，也可为利用注射针，尤其是以微针注入第二液态树脂的方法。这种情况下的注射针的材料，可使用金属制或塑料制等。
第二光遮蔽层42的形成步骤中，优选为在50℃以上200℃以下的温度范围内的温度下形成第二液态树脂。由此，易于正常地形成第二液态树脂。进一步地，温度范围优选为80℃以上170℃以下。由此，可减少损害第二液态树脂的特性(后述的固化制程后的密接性、散热性等)之虞。另外，温度范围进而更佳为100℃以上150℃以下。由此，可减少于第二液态树脂中产生的气泡等，可几乎完全地进行填充而不产生对流，容易地制造半导体模组1。
第二液态树脂如图6(c)所示，覆盖发光元件15的顶面、虚拟元件23的顶面及第一光遮蔽层41a的顶面。第二液态树脂的形成后，使第二液态树脂固化，形成第二光遮蔽层42(步骤S310)。再者，关于使第二液态树脂固化的方法并不特别限定，例如可将第二液态树脂进行加热，或对第二液态树脂照射紫外线由此使第二液态树脂固化。
(去除第二光遮蔽层42的一部分的步骤)
形成第二光遮蔽层42后，如图6(d)所示，去除位于发光元件15的顶面上的第二光遮蔽层42的部分、以及位于虚拟元件23的顶面上的第二光遮蔽层42的部分(步骤S320)。通过去除位于发光元件15的顶面上的第二光遮蔽层42的部分、以及位于虚拟元件23的顶面上的第二光遮蔽层42的部分，形成第二光遮蔽层42a。由此，虚拟元件23的顶面从第二光遮蔽层42a露出，故于后述的步骤S330中，可将虚拟元件23的位置设为基准。另外，发光元件15的顶面从第二光遮蔽层42a露出。
去除位于发光元件15的顶面上的第二光遮蔽层42的部分、以及位于虚拟元件23的顶面上的第二光遮蔽层42的部分后，如图6(e)所示，去除第二光遮蔽层42a的一部分。具体而言，将虚拟元件23的位置设为基准，去除位于金属端子21上的第一光遮蔽层41a及第二光遮蔽层42a的部分，由此形成第一光遮蔽层41b及第二光遮蔽层42b(步骤S330：去除第二光遮蔽层的部分的步骤)。由此，金属端子21的顶面从第一光遮蔽层41b及第二光遮蔽层42b露出。
(配置颜色转换层31、32的步骤)
在去除位于发光元件15上的第二光遮蔽层42a之部分，且去除位于金属端子21上之第一光遮蔽层41a及第二光遮蔽层42a之部分后，如图6(f)所示，于发光元件15的顶部配置颜色转换层31、32(步骤S340：形成颜色转换层之步骤)。具体而言，于发光元件15的顶部配置颜色转换层31，于与在顶部配置了颜色转换层31之发光元件15邻接的发光元件15的顶部配置颜色转换层32。
[第5实施例]
图8为示出本发明的第5实施例的半导体模组5的构成的截面图。再者，为了便于说明，对于上述实施形态已进行说明的构件具有相同功能的构件，标注相同符号，不重复该说明。
(半导体模组5的构成)
半导体模组5如图8所示，与半导体模组4相比，不同之处在于基底基板11上形成有第二虚拟元件51。在俯视第二虚拟元件51时，形成在多个发光元件15的周围，也就是，位于发光元件15的外侧且虚拟元件23的内侧。由此，研磨发光元件15的顶面时，对第二虚拟元件51大幅地施加负荷。因此，研磨发光元件15的顶面时，可减低发光元件15破裂的情形。
[总结]
本发明的形态1的半导体模组1、2、3、4、5具备：基底基板11，形成有驱动电路；多个发光元件15，与该驱动电路电连接；多层颜色转换层31、32、31a、32a，与彼此邻接的多个该发光元件的每个的顶部接触；以及光遮蔽层16b，被配置于彼此邻接的该发光元件之间以及彼此邻接的该颜色转换层之间，且将多个该发光元件及多层该颜色转换层分离。
根据上述构成，半导体模组中，光遮蔽层被配置在彼此邻接的发光元件之间及彼此邻接的颜色转换层之间。由此，可遮蔽自发光元件的侧面及颜色转换层的侧面出射的光，故可减低从颜色转换层出射的光与从颜色转换层出射的光混合的情形。由此，可防止彼此邻接的颜色转换层之间光的影响互相作用的情形，所以能够使各个发光元件出射的光显眼。另外，半导体模组中，颜色转换层与发光元件接触。在颜色转换层、与发光元件之间没有遮住从发光元件朝向颜色转换层、的光的构件，故从发光元件出射的光不衰减地进入颜色转换层。由此，可使自发光元件出射的光的光提取效率提升。
本发明的形态2的半导体模组1、2、3、4、5，可以为：在上述形态1中，该发光元件15之间的距离在俯视时为0.1μm以上20μm以下。
根据上述构成，发光元件之间的距离于俯视时，为0.1μm以上20μm以下。由此，在剥离成长基板时，在照射激光时到达底基板的激光的强度变低。因此，可减低使成长基板剥离时伴随的对基底基板的损伤。因此，在剥离成长基板等步骤中，可使对具有驱动发光元件的驱动电路的基底基板的损伤减低。
本发明的形态3的半导体模组1、2、3、4、5，可以为：在上述形态1或2中，该颜色转换层31、32、31a、32a之间的距离在俯视时为0.1μm以上20μm以下。
根据上述构成，颜色转换层之间的距离于俯视时，为0.1μm以上20μm以下。由此，可防止彼此邻接的颜色转换层之间光的影响互相作用的情形，所以能够使各个发光元件出射的光显眼。
本发明的形态4的半导体模组1、2、3、4、5，可以为：在上述形态1至3之任一者中，具备：金属端子21，设于该基底基板11上，用于从外部供给用于驱动该驱动电路的电力；以及绝缘层22，设于该基底基板上，覆盖该基底基板的顶面的一部分，该金属端子与贯通该绝缘层而形成于该基底基板的顶面的焊垫电极24接触，该金属端子的一部分与该绝缘层的顶面接触。
本发明的形态5的半导体模组1、2、3、4、5，可以为：z在上述形态4中，该焊垫电极24的顶面被该金属端子21及该绝缘层22覆盖。
根据上述构成，焊垫电极的顶面被金属端子及绝缘层覆盖。由此，例如通过从发光元件照射激光使成长基板剥离的处理的情形时，可防止焊垫电极被激光照射。由此，可防止焊垫电极因激光而受到损伤。
本发明的形态6的半导体模组1、2、3、4、5，可以为：在上述形态1至5的任一者中，进一步具备形成于该基底基板11上的虚拟元件23。
根据上述构成，半导体模组具备形成于基底基板上的虚拟元件。由此，例如进行去除光遮蔽层的一部分的处理的情形时，可将虚拟元件的位置设为基准，去除光遮蔽层的一部分。另外，在基底基板上形成有虚拟元件，因此例如进行从发光元件使成长基板剥离的处理的情形时，可防止虚拟元件飞散。
本发明的形态7的半导体模组1、2、3、4、5，可以为：在上述形态1至6之任一者中，该颜色转换层31、32、31a、32a具有中值直径为2μm以下的荧光体。
根据上述构成，颜色转换层具有中值直径为2μm以下之荧光体。因此，即使缩小颜色转换层的厚度，颜色转换层也能够将从发光元件出射的光的颜色进行转换。由此，颜色转换层的厚度变小，故可缩小半导体模组的尺寸。
本发明的形态8的半导体模组2，可以为：在上述形态1至7之任一者中，该颜色转换层31a、32从该基底基板11起的高度低于该光遮蔽层16b从该基底基板起的高度。
根据上述构成，可遮蔽自发光元件的侧面及颜色转换层侧面出射的光，故可减低从颜色转换层出射的光与从颜色转换层出射的光混合的情形。由此，可防止彼此邻接的颜色转换层之间光的影响互相作用的情形，所以能够使各个发光元件出射的光显眼。
本发明的形态9的半导体模组4、5，可以为：在上述形态1至8的任一者中，该光遮蔽层由多层组成。
本发明的形态10的半导体模组4、5，可以为：在上述形态9中，该多层包含第一光遮蔽层41b及第二光遮蔽层42b，该第二光遮蔽层42b由与该第一光遮蔽层41b的材料不同的材料构成。
根据上述构成，配置于发光元件之间的第一光遮蔽层的材料与配置于颜色转换层之间的第二光遮蔽层的材料不同。因此，可分别配合发光元件的光学特性及颜色转换层的光学特性，设定第一光遮蔽层的材料及第二光遮蔽层的材料。
本发明的形态11的半导体模组4、5，可以为：在上述形态10中，该第一光遮蔽层41b的顶部配置有该第二光遮蔽层42b，该第一光遮蔽层与该第二光遮蔽层之间的边界位置从该基底基板11起的高度，与该发光元件15与该颜色转换层31、32之间的边界位置从该基底基板起的高度相同。
本发明的形态12的半导体模组5，可以为：在上述形态6中，进而具备形成在该基底基板11上的第二虚拟元件51，该第二虚拟元件51在俯视时，位于该发光元件15的外侧且该虚拟元件23的内侧。
根据上述构成，第二虚拟元件在俯视时，位于发光元件的外侧且虚拟元件的内侧。由此，在研磨发光元件的顶面时，对第二虚拟元件大幅地施加负荷。因此，在研磨发光元件的顶面的情形时，可减低发光元件破裂的情形。
本发明的形态13的半导体模组1、2、3，可以为：在上述形态1至12之任一者中，该光遮蔽层16b形成为包含白色的树脂。
根据上述构成，光遮蔽层形成为包含白色的树脂。由此，可使光提取效率提升。
本发明的形态14的半导体模组1、2、3、4、5，具备：基底基板11，形成有驱动电路；多个发光元件15，与该驱动电路电连接；光遮蔽层16b，被配置于彼此邻接的该发光元件之间，且将多个该发光元件分离；金属端子21，是被设置于该基底基板上，用于从外部供给用于驱动该驱动电路的电力的构成；以及绝缘层22，设于该基底基板上，覆盖该基底基板的顶面的一部分，该金属端子与贯通该绝缘层而形成于该基底基板的顶面的焊垫电极24接触，该金属端子的一部分与该绝缘层的顶面接触。
本发明的形态15的显示装置，可以为：在上述形态1至14的任一者中，具备该半导体模组1、2、3、4、5。
本发明的形态16的半导体模组1、2、3、4、5的制造方法，包含：在成长于成长基板18上的半导体层上形成多个发光元件15的步骤；通过激光照射，从多个该发光元件剥离该成长基板的步骤；在剥离该成长基板的步骤后，以覆盖基底基板11的顶面及该发光元件的全部暴露面的方式，在该基底基板上填充光遮蔽层16的步骤；在填充该光遮蔽层的步骤后，去除位于该发光元件的顶面上的该光遮蔽层的部分步骤；以及在该发光元件的顶部形成颜色转换层31、32、31a、32a的步骤，多个该发光元件与形成于该基底基板的驱动电路电连接。
本发明的形态17的半导体模组1、2、3、4、5的制造方法，可以为：在上述形态16中，在形成该发光元件15的步骤中，以该发光元件之间的距离在俯视时为0.1μm以上20μm以下的方式，形成多个该发光元件。
本发明的形态18的半导体模组1、2、3、4、5的制造方法，可以为：在上述形态16或17中，去除该光遮蔽层16的部分的步骤，包含研磨该发光元件15的顶面的步骤、清洗该发光元件的顶面的步骤、或于研磨该发光元件的顶面后清洗该发光元件的顶面的步骤。
根据上述构成，可使残渣不残留于发光元件的顶面。另外，从发光元件15出射的光不会被残渣遮住。因此，可使发光元件的光提取效率格外地提升。例如，在发光元件上配置颜色转换层的情形时，可在未残留残渣的平面上，对颜色转换层进行涂布或图案化。因此，可在多个发光元件上，配置更均匀的厚度的颜色转换层。
本发明的形态19的半导体模组1、2、3、4、5的制造方法，可以为：在上述形态16至18之任一者中，去除该光遮蔽层16的部分的步骤，包含除去位于形成在该基底基板11上的虚拟元件23的顶面上的该光遮蔽层的部分的步骤。
根据上述构成，由于虚拟元件的顶面自光遮蔽层露出，故在去除光遮蔽层的部分的步骤中，可将虚拟元件的位置设为基准。
本发明的形态20的半导体模组4、5在制造方法，包含：在成长于成长基板18上的半导体层上形成多个发光元件15的步骤；通过激光照射，从多个该发光元件剥离该成长基板的步骤；在剥离该成长基板的步骤后，以覆盖基底基板11的顶面及该发光元件的全部暴露面的方式，在该基底基板上填充第一光遮蔽层41的步骤；在填充该第一光遮蔽层的步骤后，去除位于较该发光元件的顶面从该基底基板起的高度更高的该第一光遮蔽层的部分的步骤；在除去该第一光遮蔽层的部分的步骤后，在该第一光遮蔽层的顶部形成由与该第一光遮蔽层的材料不同的材料构成的第二光遮蔽层42的步骤；在形成该第二光遮蔽层的步骤后，去除位于该发光元件的顶面上的该第二光遮蔽层的部分的步骤；以及在该发光元件的顶部形成颜色转换层的步骤，多个该发光元件与形成于该基底基板的驱动电路电连接。
根据上述构成，发挥与上述形态10相同的效果。
本发明的形态21的半导体模组1、2、3、4、5的制造方法，包含：在成长于成长基板18上的半导体层上形成多个发光元件15的步骤；通过激光照射，从多个该发光元件剥离该成长基板的步骤；于剥离该成长基板的步骤后，以覆盖基底基板11的顶面、该发光元件的全部暴露面、以及金属端子21的方式，在该基底基板上填充光遮蔽层16的步骤；以及于填充该光遮蔽层的步骤后，去除位于该发光元件的顶面上的该光遮蔽层的部分与位于该金属端子上的该光遮蔽层的部分的步骤；多个该发光元件与形成于该基底基板的驱动电路电连接，该金属端子被设置于该基底基板上，用于自外部供给用于驱动该驱动电路的电力。
本发明并不限定于上述各种实施方式，可以在权利要求所示范围内进行各种变更，关于对不同实施方式披露的技术手段进行适度组合后得到的实施方式，也包含在本发明的技术范围内。此外，通过组合各个实施方式披露的技术手段，可以形成新的技术特征。
附图标记说明
1、2、3、4、5半导体模组10、虚拟电极11、基底基板12、金属配线13、绝缘层14、电极15、发光元件16、16a、16b：光遮蔽层18、成长基板19、分离槽20、第2对准标记23、虚拟元件24、焊垫电极31、32、31a、32a、颜色转换层33、透明树脂层41、41a、41b、第一光遮蔽层42、42a、42b、第二光遮蔽层51、第二虚拟元件141、基板侧电极141a、第一对准标记片142、发光元件侧电极M、对准标记

Claims (21)

1.一种半导体模组，其特征在于，具备：
基底基板，形成有驱动电路；
多个发光元件，与该驱动电路电连接；
多层颜色转换层，与彼此邻接的多个该发光元件的每一个的顶部接触；以及
光遮蔽层，被配置于彼此邻接的该发光元件之间以及彼此邻接的该颜色转换层之间，且将多个该发光元件及多层该颜色转换层分离。
2.根据权利要求1所述的半导体模组，其特征在于，
该发光元件之间的距离在俯视时为0.1μm以上20μm以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体模组，其特征在于，
该颜色转换层之间的距离在俯视时为0.1μm以上20μm以下。
4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体模组，其特征在于，所述半导体模组还具备：
金属端子，设于该基底基板上，用于从外部供给用于驱动该驱动电路的电力；以及
绝缘层，设于该基底基板上，覆盖该基底基板的顶面的一部分，
该金属端子与贯通该绝缘层而形成于该基底基板的顶面的焊垫电极接触，该金属端子的一部分与该绝缘层的顶面接触。
5.根据权利要求4中所述的半导体模组，其特征在于，该焊垫电极的顶面被该金属端子及该绝缘层覆盖。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体模组，其特征在于，进一步具备形成于该基底基板上的虚拟元件。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体模组，其特征在于，该颜色转换层具有中值直径为2μm以下的荧光体。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体模组，其特征在于，该颜色转换层从该基底基板起的高度低于该光遮蔽层从该基底基板起的高度。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体模组，其特征在于，该光遮蔽层由多层构成。
10.根据权利要求9中所述的半导体装置，其特征在于，该多层包含第一光遮蔽层及第二光遮蔽层，该第二光遮蔽层由与该第一光遮蔽层的材料不同的材料构成。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
该第一光遮蔽层的顶部配置有该第二光遮蔽层，该第一光遮蔽层与该第二光遮蔽层之间的边界位置从该基底基板起的高度，与该发光元件与该颜色转换层之间的边界位置从该基底基板起的高度相同。
12.根据权利要求6中所述的半导体装置，其特征在于，还具备形成在该基底基板上的第二虚拟元件，该第二虚拟元件在俯视时，位于该发光元件的外侧且该虚拟元件的内侧。
13.根据权利要求1至12任一项所述的半导体装置，其特征在于，该光遮蔽层形成为包含白色的树脂。
14.一种半导体模组，其特征在于，具备：基底基板，形成有驱动电路；多个发光元件，与该驱动电路电连接；光遮蔽层，被配置于彼此邻接的该发光元件之间，且将多个该发光元件分离；金属端子，被设置于该基底基板上，用于从外部供给用于驱动该驱动电路的电力；以及绝缘层，设于该基底基板上，覆盖该基底基板的顶面的一部分，该金属端子与贯通该绝缘层而形成于该基底基板的顶面的焊垫电极接触，该金属端子的一部分与该绝缘层的顶面接触。
15.一种显示装置，其特征在于，具备权利要求1至14任一项所述的半导体模组。
16.一种半导体模组制造方法，其特征在于，包括：
在成长于成长基板上的半导体层上形成多个发光元件的步骤；
通过激光照射，从多个该发光元件剥离该成长基板的步骤；
在剥离该成长基板的步骤后，以覆盖基底基板的顶面及该发光元件的全部暴露面的方式，在该基底基板上填充光遮蔽层的步骤；
在填充该光遮蔽层的步骤后，去除位于该发光元件的顶面上的该光遮蔽层的部分的步骤；
以及在该发光元件的顶部形成颜色转换层的步骤，多个该发光元件与形成于该基底基板的驱动电路电连接。
17.根据权利要求16所述的半导体模组制造方法，其特征在于，在形成该发光元件的步骤中，以该发光元件之间的距离在俯视时为0.1μm以上20μm以下的方式，形成多个该发光元件。
18.根据权利要求16或17所述的半导体模组制造方法，其特征在于，去除该光遮蔽层的部分的步骤，包含研磨该发光元件的顶面的步骤、清洗该发光元件的顶面的步骤、或研磨该发光元件的顶面后清洗该发光元件的顶面的步骤。
19.根据权利要求16至18中任意一项所述的半导体模组制造方法，其特征在于，去除该光遮蔽层的部分的步骤，包含去除位于形成在该基底基板上的虚拟元件的顶面上的该光遮蔽层的部分的步骤。
20.一种半导体模组制造方法，其特征在于，包括
在成长于成长基板上的半导体层上形成多个发光元件的步骤；
通过激光照射，从多个该发光元件剥离该成长基板的步骤；
在剥离该成长基板的步骤后，以覆盖基底基板的顶面及该发光元件的全部暴露面的方式，在该基底基板上填充第一光遮蔽层的步骤；
在填充该第一光遮蔽层的步骤后，去除位于较该发光元件的顶面从该基底基板起的高度更高的该第一光遮蔽层的部分的步骤；
在除去该第一光遮蔽层的部分的步骤后，在该第一光遮蔽层的顶部形成由与该第一光遮蔽层的材料不同的材料构成的第二光遮蔽层的步骤；
在形成该第二光遮蔽层的步骤后，去除位于该发光元件的顶面上的该第二光遮蔽层的部分的步骤；以及
在该发光元件的顶部形成颜色转换层的步骤，多个该发光元件与形成于该基底基板的驱动电路电连接。
21.一种半导体模组制造方法，其特征在于，包括
在成长于成长基板上的半导体层上形成多个发光元件的步骤；
通过激光照射，从多个该发光元件剥离该成长基板的步骤；
在剥离该成长基板的步骤后，以覆盖基底基板的顶面、该发光元件的全部暴露面、以及金属端子的方式，在该基底基板上填充光遮蔽层的步骤；
以及在填充该光遮蔽层的步骤后，去除位于该发光元件的顶面上的该光遮蔽层的部分与位于该金属端子上的该光遮蔽层的部分的步骤；
多个该发光元件与形成于该基底基板的驱动电路电连接，该金属端子是被设置于该基底基板上，用于自外部供给用于驱动该驱动电路的电力的构成。
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