WO2011071191A1 - ｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子 - Google Patents

ｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子 Download PDF

Info

Publication number
WO2011071191A1
WO2011071191A1 PCT/JP2010/072728 JP2010072728W WO2011071191A1 WO 2011071191 A1 WO2011071191 A1 WO 2011071191A1 JP 2010072728 W JP2010072728 W JP 2010072728W WO 2011071191 A1 WO2011071191 A1 WO 2011071191A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
flow rate
layer
group iii
source gas
type
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/072728
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
嘉和 大鹿
哲也 松浦
Original Assignee
Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 filed Critical Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社
Priority to EP10836105.6A priority Critical patent/EP2511947A4/en
Priority to KR20147021037A priority patent/KR20150044419A/ko
Priority to CN201080063667.6A priority patent/CN102782808B/zh
Priority to KR1020127017084A priority patent/KR101454980B1/ko
Priority to US13/512,747 priority patent/US8765222B2/en
Publication of WO2011071191A1 publication Critical patent/WO2011071191A1/ja
Priority to US14/185,132 priority patent/US20140166943A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds

Definitions

  • the present invention relates to a p-type AlGaN layer, and more particularly to a p-type AlGaN layer having a constant aluminum composition ratio doped with magnesium, a manufacturing method thereof, and a group III nitride semiconductor light-emitting device.
  • ultraviolet LEDs using Group III nitride semiconductor elements are expected to be used for liquid crystal backlights, sterilization, excitation light sources for white LEDs for illumination, and medical applications. Has been done.
  • the conductivity type of a semiconductor is determined by the type of added impurity.
  • the type of added impurity As an example, when an AlGaN material is made p-type, magnesium is usually used as an impurity. At this time, the added magnesium works as an acceptor, and the AlGaN material uses holes as carriers.
  • magnesium to be supplied to the semiconductor layer adheres to the growth apparatus, the inner wall of the piping, etc., and is not sufficiently supplied to the semiconductor layer.
  • Patent Document 1 discloses a technique that saturates the amount of adhesion and prevents doping delay by supplying a magnesium-containing gas into the growth apparatus prior to the formation of the semiconductor layer. .
  • the doping delay occurs after the initial growth stage of the semiconductor layer.
  • Atoms generated when a part of the generated gas is taken into the crystal hydrogen bonds with the nitrogen atom in the crystal to release electrons, and p-type is arranged at the lattice position where gallium atoms should be originally arranged Since magnesium atoms as impurities are combined with holes emitted and compensated electrically, the result is that magnesium added for p-type is prevented from functioning as an acceptor. This leads to a decrease in carrier concentration in the semiconductor layer.
  • An object of the present invention is to provide a p-type AlGaN layer, a method for manufacturing the same, and a group III nitride semiconductor light-emitting device that solve the above problems and improve the carrier concentration and the light emission output.
  • the gist of the present invention is as follows. (1) In forming one p-type Al x Ga 1-x N layer (0 ⁇ x ⁇ 1) doped with magnesium using the MOCVD method, the group III source gas is used as the group III source gas flow rate A 1 ( 0 ⁇ A 1 ), V group source gas is supplied at V group source gas flow rate B 1 (0 ⁇ B 1 ), and magnesium-containing gas is supplied at Mg containing gas flow rate C 1 (0 ⁇ C 1 ).
  • a first step of supplying a group III source gas at a group III source gas flow rate A 2 (0 ⁇ A 2 ), a group V source gas at a group V source gas flow rate B 2 (0 ⁇ B 2 ), and A p-type Al x Ga 1-x N layer is formed by repeating the second step of supplying a gas containing magnesium at a Mg-containing gas flow rate C 2 (0 ⁇ C 2 ) a plurality of times, and a group III source gas flow rate A 1 is a flow rate at which no layer is grown, and A 1 ⁇ 0.5 A 2 A method for manufacturing a p-type AlGaN layer.
  • the group III source gas is used as the group III source gas flow rate A 3 ( While supplying at 0 ⁇ A 3 ), supplying a group V source gas at a group V source gas flow rate B 1 (0 ⁇ B 1 ) and a gas containing magnesium at an Mg-containing gas flow rate C 1 (0 ⁇ C 1 )
  • a p-type Al x Ga 1-x N layer is formed by performing the second step of supplying a gas containing magnesium at a Mg-containing gas flow rate C 2 (0 ⁇ C 2 ), and the group III source gas flow rate A 3 is a flow rate for only the growing initial core, a 3 Method for producing a p-type
  • the group III source gas is used as the group III source gas flow rate A 3 ( While supplying at 0 ⁇ A 3 ), supplying a group V source gas at a group V source gas flow rate B 1 (0 ⁇ B 1 ) and a gas containing magnesium at an Mg-containing gas flow rate C 1 (0 ⁇ C 1 )
  • a p-type Al x Ga 1-x N layer is formed by repeating the second step of supplying a gas containing magnesium at a Mg-containing gas flow rate C 2 (0 ⁇ C 2 ) a plurality of times, and a group III source gas flow rate A 3 a at a flow rate of growing only initial nuclei
  • V group material gas flow rate B 1 in the first step is equal to the group V raw material gas flow rate B 2 in the second step, and / or Mg-containing gas flow rate C 1 in the first step, Mg in the second step containing gas flow rate C 2 equal to the (1), (2) or (3) p-type AlGaN layer manufacturing method according to.
  • the group III source gas flow rate in the first step is p-type Al corresponding to the flow rate.
  • a group III nitride semiconductor light-emitting device comprising a p-type Al x Ga 1-x N layer produced by the method according to any one of (1) to (6) above.
  • a p-type Al x Ga 1-x N layer doped with magnesium wherein the aluminum composition ratio x is in the range of 0.2 or more and less than 0.3, and the carrier concentration is 5 ⁇ 10 17 / cm 3.
  • the p-type AlGaN layer as described above.
  • a p-type Al x Ga 1-x N layer doped with magnesium wherein the aluminum composition ratio x is in the range of 0.3 or more and less than 0.4, and the carrier concentration is 3.5 ⁇ 10 17 / A p-type AlGaN layer that is cm 3 or more.
  • a p-type Al x Ga 1-x N layer doped with magnesium wherein the aluminum composition ratio x is in the range of 0.4 or more and less than 0.5, and the carrier concentration is 2.5 ⁇ 10 17 / A p-type AlGaN layer that is cm 3 or more.
  • a group III nitride semiconductor light-emitting device comprising the p-type Al x Ga 1-x N layer according to any one of (8) to (10) above.
  • the flow rate of the group III source gas supplied in the first step is set to 0 or III supplied in the second step.
  • a p-type AlGaN layer with improved carrier concentration and light emission output, a manufacturing method thereof, and a group III nitride semiconductor light emitting device can be provided by setting the flow rate of the group source gas to half or less.
  • the present invention provides a p-type AlGaN layer, a method for manufacturing the same, and a group III nitride semiconductor light emitting device in which the carrier concentration and the light emission output are improved by repeating the first step and the second step a plurality of times. be able to.
  • FIG. 1 shows a schematic diagram of an example of an MOCVD apparatus for producing a p-type AlGaN layer according to the present invention.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an example of a growth furnace of an MOCVD apparatus for producing a p-type AlGaN layer according to the present invention.
  • FIG. 3 shows XRD diffraction images of a p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer according to the method of the present invention and the conventional method.
  • 4A and 4B show TEM observation images of the p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer by the method of the present invention and the conventional method, respectively.
  • FIG. 5A and 5B show differential interference micrographs of the outermost layer of the p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer according to the method of the present invention and the conventional method, respectively.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a group III nitride semiconductor light-emitting device according to the present invention.
  • FIG. 7 shows a SIMS profile of the p-type Al 0.36 Ga 0.64 N layer of the light-emitting element of Example 9.
  • FIG. 8 shows a SIMS profile of the p-type Al 0.36 Ga 0.64 N layer of the light emitting device of Comparative Example 6.
  • FIG. 9 shows a graph summarizing the carrier concentration calculated from the specific resistance value of the p-type Al x Ga 1-x N layer according to the method of the present invention and the conventional method.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of an MOCVD apparatus for manufacturing a p-type AlGaN layer according to the present invention.
  • the MOCVD apparatus 100 includes a reaction furnace 103 having a first gas supply port 101 and a second gas supply port 102. From the first gas supply port 101, a carrier gas such as hydrogen gas 104 or nitrogen gas 105, and a group III source gas such as TMA (trimethylaluminum) 106 and TMG (trimethylgallium) 107 and / or an impurity source gas are used.
  • a carrier gas such as hydrogen gas 104 or nitrogen gas 105
  • a group III source gas such as TMA (trimethylaluminum) 106 and TMG (trimethylgallium) 107 and / or an impurity source gas are used.
  • TMA trimethylaluminum
  • TMG trimethylgallium
  • a magnesium-containing gas 108 or the like is supplied to the reaction furnace 103.
  • a carrier gas such as hydrogen gas 104 and nitrogen gas 105 and a group V source gas 109 such as ammonia are supplied to the reaction furnace 103 from the second gas supply port 102.
  • the method for producing a p-type AlGaN layer according to the present invention uses the MOCVD apparatus 100 as described above, and p-type Al x Ga 1-x N (0 ⁇ x ⁇ 1) having a constant aluminum composition ratio x doped with magnesium.
  • a group III source gas is supplied at a group III source gas flow rate A 1 (0 ⁇ A 1 )
  • a group V source gas is supplied at a group V source gas flow rate B 1 (0 ⁇ B 1 )
  • a group V p by repeating a plurality of times and a second step of supplying a source gas V group material gas flow rate B 2 (0 ⁇ B 2) , and a gas containing magnesium Mg-containing gas flow rate C 2 (0 ⁇ C 2) type Al x G 1-x N layer is formed
  • the group III material gas flow rate A 1 is a flow not to the layer growth of the p-type Al x Ga 1-x N layer, and characterized in that the A 1 ⁇ 0.5A 2
  • Such a group III source gas flow rate A 1 satisfies a relationship of at least 0 ⁇ A 1 ⁇ 0.5 A 2 .
  • the first step means maintaining a state in which the layer does not grow for an intended period.
  • the group V source gas flow rate B 1 and the Mg-containing gas flow rate C 1 are preferably flow rates at which the layer grows or higher as long as the group III source gas is supplied. That is, it is preferable that B 1 ⁇ B 2 and C 1 ⁇ C 2 . This is to prevent nitrogen loss and supply a large amount of Mg into the system while the layer growth stops.
  • group III raw material gas flow rate A 1 is as representative of the total amount of these gases To do.
  • the said aluminum composition ratio being constant means that the aluminum composition ratio x of the layer part grown by the 2nd process of each time does not change irrespective of the repetition frequency of a 1st process and a 2nd process. That is, each time the gas flow rate A 1 of repetition is intended to mean that it is the same flow rate.
  • the composition ratio varies in the depth direction due to the analysis principle. Further, there may be fluctuations in the aluminum composition ratio in the layer generated by the apparatus during epitaxial growth, in-plane distribution, and the like. This is because they also occur in the conventional method.
  • the aluminum composition in the present invention is a value at the center of the substrate.
  • FIG. 3 shows a p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer (modulated supply of group III source gas: form of the present invention) and p-type Al 0.23 Ga 0. 77 shows an X-ray diffraction (XRD) image of N layer (no modulation supply of group III source gas: conventional form), and Table 1 shows Miller indices [002] and [102, which are indicators of crystal quality. ] Are representative values. The former indicates the “tilt” with respect to the growth axis direction of the initial nucleus, and the latter indicates the degree of “twist” with respect to the growth in-plane direction.
  • FIGS. 4A and 4B show transmission electron microscope (TEM) observation images of the p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer by the method of the present invention and the conventional method, respectively.
  • FIGS. 5A and 5B show electron beam diffraction patterns of the outermost layer of the p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer according to the method of the present invention and the conventional method, respectively.
  • the method of the present invention is equivalent to the conventional method. From the microscopic TEM image and the electron diffraction pattern, the period on the crystal growth is shown. No disruption was observed. Therefore, it can be seen that both are grown as a single single crystal layer.
  • the XRD spectrum of FIG. 3 there were two peaks originating from the different axis component, which were found near 75 ° in the conventional form, but these disappeared in the method of the present invention. From the fact that the representative value in the Miller index [002] shown in Table 1 is reduced, it can be seen that the present invention also contributes to the improvement of crystallinity.
  • the base substrate 111 is placed on the susceptor 110 in the reaction furnace 103.
  • the base substrate 111 for example, a GaN substrate, a sapphire substrate, an AlN template substrate in which an AlN layer is provided on a sapphire substrate, or the like, or a semiconductor layer laminated on these substrates may be used.
  • a carrier gas such as hydrogen gas 104 and nitrogen gas 105 and a group V source gas 109 such as ammonia are supplied from the second gas supply port 102 to the first gas supply port 101.
  • the group III source gas is supplied at a flow rate that does not cause layer growth or a flow rate that causes only initial nuclear growth.
  • a gas 108 containing magnesium is supplied together with these source gases.
  • the group V source gas 109 is supplied to suppress a decrease in the nitrogen partial pressure in the reaction furnace 103 and protect the outermost surface on which crystal growth occurs.
  • the magnesium-containing gas 108 CP 2 Mg (biscyclopentadienyl magnesium) or the like can be used.
  • the group III source gas is supplied from the first gas supply port 101 at a flow rate for layer growth.
  • a gas 108 containing magnesium is supplied together with the raw material gas.
  • the group V source gas 109 is supplied from the second gas supply port 102 at a flow rate for layer growth.
  • the “predetermined time” for maintaining the first step is preferably about 5 seconds to 60 seconds. If the predetermined time is too short, the effects of the present invention cannot be sufficiently obtained. If the predetermined time is too long, Mg is excessively taken in, and Mg becomes a defect starting point during subsequent crystal growth, resulting in poor crystallinity. This is because the carrier concentration may decrease.
  • the method for producing a p-type AlGaN layer according to the present invention uses a MOCVD method to form one p-type AlGaN layer doped with magnesium (0 ⁇ x ⁇ 1). While supplying at A 3 (0 ⁇ A 3 ), the group V source gas is supplied at the group V source gas flow rate B 1 (0 ⁇ B 1 ), and the gas containing magnesium is supplied at the Mg-containing gas flow rate C 1 (0 ⁇ C 1). ) And a group III source gas at a group III source gas flow rate A 2 (0 ⁇ A 2 ), and a group V source gas at a group V source gas flow rate B 2 (0 ⁇ B 2 ).
  • the flow rate for growing only the initial nuclei means a flow rate at which, for example, island-like initial crystal nuclei are formed, but the thickness does not substantially increase as a layer.
  • Such a group III source gas flow rate A 3 satisfies a relationship of at least 0 ⁇ A 3 ⁇ 0.5A 2 .
  • only the initial nuclei are growing because the island-shaped initial nuclei dispersed on the substrate surface by observing the surface of the substrate, which has been grown up to the first step, with a metal microscope or SEM. Can be confirmed.
  • group III material gas for example, when supplying TMA (trimethylaluminum) and TMG 2 kinds of gas (trimethylgallium) or the like, group III raw material gas flow rate and A 3, and represents the total amount of these gases To do.
  • TMA trimethylaluminum
  • TMG 2 kinds of gas trimethylgallium
  • V group material gas flow rate B 1 represents the first step, the second equal to the group V raw material gas flow rate B 2 in step, and / or Mg-containing gas flow rate C 1 in the first step, the second step preferably equal to the Mg-containing gas flow rate C 2.
  • the group V source gas flow rate remains constant, and the group III source gas flow rate A 1 or A 3 in the first step and the group III source gas flow rate A 2 in the second step are different. preferable.
  • the concentration of magnesium in the AlGaN layer is improved by the forced uptake of magnesium due to physical adhesion and the increase in the uptake frequency of magnesium due to a decrease in growth rate.
  • the magnesium concentration in the AlGaN layer can be stably maintained at a high concentration by repeating the first step and the second step described above a plurality of times.
  • the p-type AlGaN layer manufacturing method uses the MOCVD apparatus 100 as described above to initially set the flow rate of the group III source gas when forming one p-type AlGaN layer doped with magnesium.
  • the group III source gas flow rate in the first step is the group III source material in the second step. or less half of the gas flow a 2. More preferably, it is set to 1/4 or less.
  • the relationship between the flow rate of the group III atomic gas and the crystal growth rate is obtained from the layer growth thickness per unit time (ie, the crystal growth rate) within a range where crystal growth can be confirmed (for example, the group III atomic gas flow rate of 10 ⁇
  • the group III atomic gas flow rate for example, the group III atomic gas flow rate of 10 ⁇
  • a flow rate at which the crystal growth rate of the p-type Al x Ga 1-x N layer corresponding to the flow rate (A 1 or A 3 ) in the process is 0.03 nm / s or less is preferable, and 0.01 to 0.03 nm / s.
  • the flow rate is as follows. It should be noted that the breakdown of the group III source gas flow rate (Ga and Al ratio) in the first step and the second step does not necessarily have a proportional double relationship. That is, the Al composition of the initial nucleus generated in the first step and the Al composition generated in the second step need not be the same. This is to maximize the effect of the invention, to include Mg to the maximum in the initial nucleus formed in the first step, and to improve the crystallinity of the crystal film formed in the second step. is there. Even if they are not the same, the initial nucleus formed in the first step can be ignored as the film thickness compared with the crystal film formed in the second step. It can be regarded as constant as the Al composition.
  • the existence probability of the group III raw material on the substrate surface is small, and for example, only island-like initial nuclei are generated. Even in time, the thickness does not increase substantially as a layer.
  • the flow rate of the Group III source gas in the first step is a flow rate that is less than 0.01 nm / s in calculation, the latter is dominant in the growth and decomposition of the initial nucleus, and the growth of p-type AlGaN does not occur. .
  • the flow rate of the group III source gas which only causes initial nuclear growth, varies depending on the shape of the MOCVD apparatus, the temperature, and the flow rate of the group V source gas. Therefore, it cannot be generally specified, but the group III source gas flow rate (A 1 or A 3 ) is preferably 1 to 10 sccm with respect to the group III source gas flow rate A 2 in the second step of 20 to 50 sccm, for example.
  • the V group source gas flow rates B 1 and B 2 in the first step and the second step can be set to, for example, 5 to 50 slm (Standard Liter Per Minutes).
  • the Mg-containing gas flow rates C 1 and C 2 in the first step and the second step can be set to 20 to 200 sccm, for example.
  • a p-type AlGaN layer having a high magnesium concentration and improved crystallinity can be produced.
  • the aluminum composition ratio of the p-type AlGaN layer can be set to 0 to 0.8.
  • the aluminum composition ratio x is measured by measuring the emission wavelength in photoluminescence. et al, J. et al. Appl. Phys. 92, 4837 (2002).
  • a group III nitride semiconductor light emitting device 200 includes a superlattice strain buffer layer 203, an n-type AlGaN layer 204, a light emitting layer 205, a p-type on an AlN template substrate having an AlN strain buffer layer 202 on a sapphire substrate 201.
  • An AlGaN block layer 206, a p-type AlGaN guide layer 207, a p-type AlGaN cladding layer 208, and a p-type GaN contact layer 209 can be provided.
  • These p-type AlGaN layers can be grown according to the method of manufacturing a p-type AlGaN layer according to the present invention described above.
  • the aluminum composition ratio x is 0.2 or more and 0.00 as the p-type Al x Ga 1-x N layer having a constant aluminum composition ratio doped with magnesium.
  • a p-type AlGaN layer having a carrier concentration of 5 ⁇ 10 17 / cm 3 or more, preferably 1 ⁇ 10 18 / cm 3 or less can be obtained.
  • the aluminum composition ratio x is 0.3 or more and less than 0.4, a p-type AlGaN layer having a carrier concentration of 3.5 ⁇ 10 17 / cm 3 or more, preferably 5 ⁇ 10 17 / cm 3 or less is obtained. be able to.
  • the p-type AlGaN layer having a carrier concentration of 2.5 ⁇ 10 17 / cm 3 or more, preferably 3.5 ⁇ 10 17 / cm 3 or less. can be obtained.
  • Example 1 In Example 1, an AlN template substrate having a strain buffer layer is placed in the growth reactor shown in FIGS. 1 and 2, and after raising the temperature to 1050 ° C. under 10 kPa, a Group III source gas (TMG flow rate: 4 sccm) is used as the first step.
  • TMG flow rate: 4 sccm Group III source gas
  • TMA flow rate 5 sccm
  • carrier gas mixed of N 2 and H 2 , flow rate: 50 slm
  • group V source gas NH 3 , flow rate: 15 slm
  • CP 2 Mg gas flow rate: 50 sccm
  • Supply time t 1 the flow rate of the group III source gas in the second step
  • the TMG flow rate is 20 sccm
  • the TMA flow rate is 25 sccm
  • the group III source gas, carrier gas, V group source gas, and CP 2 Mg gas supply supply time t 2
  • by repeating 120 times are alternately thickness 1080nm to form a p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer
  • sccm in units of flow rate, 1 atm (atmospheric pressure: 1013 hPa), the amount of gas flowing per 1 minute at 0 ° C.
  • Example 2 a p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer having a thickness of 1080 nm was formed by the same method as in Example 1 except that the supply time t 2 was 30 seconds and the number of repetitions was 240 times. Formed.
  • Example 3 a p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer having a thickness of 1080 nm was formed by the same method as in Example 1 except that the supply time t 2 was 45 seconds and the number of repetitions was 180 times. Formed.
  • Example 4 a p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer having a thickness of 1080 nm was formed by the same method as in Example 1 except that the supply time t 2 was 120 seconds and the number of repetitions was 60. Formed.
  • Example 5 a p-type Al 0.23 Ga 0.77 N layer having a thickness of 1080 nm is formed by the same method as in Example 1 except that the supply time t 2 is 7200 seconds and the number of repetitions is one. did.
  • a p-type Al 0.23 Ga 0.77 N having a thickness of 1080 nm was formed in the same manner as in Example 5 except that the Group III source gas was not flown as the first step and the initial nuclei were not grown. A layer was formed.
  • Comparative Example 1 In Comparative Example 1, p-type Al having a thickness of 1080 nm was formed in the same manner as in Example 1 except that the supply time t 1 was 0 seconds, the supply time t 2 was 7200 seconds, and the number of repetitions was one . A 23 Ga 0.77 N layer was formed.
  • Examples 1 to 5 according to the present invention have an effect of increasing the carrier concentration as compared with Comparative Example 1, as can be confirmed from the fact that the specific resistance is reduced as compared with Comparative Example 1. I understand.
  • Example 6 In Example 6, an AlN template substrate having a strain buffer layer was placed in the growth reactor shown in FIGS. 1 and 2, and after raising the temperature to 1050 ° C. under 10 kPa, a Group III source gas (TMG flow rate: 5 sccm) was used as the first step. ), A carrier gas (mixing of N 2 and H 2 , flow rate: 50 slm), a group V source gas (NH 3 , flow rate: 15 slm) and CP 2 Mg gas (flow rate: 50 sccm) are supplied for 15 seconds (supply time t).
  • TMG flow rate Group III source gas
  • Example 7 In Example 7, an AlN template substrate having a strain buffer layer was placed in the growth reactor shown in FIGS. 1 and 2, and after raising the temperature to 1050 ° C. under 10 kPa, a Group III source gas (TMG flow rate: 2 sccm) was used as the first step.
  • TMG flow rate: 2 sccm a Group III source gas
  • TMA flow rate 5 sccm
  • carrier gas mixed of N 2 and H 2 , flow rate: 50 slm
  • group V source gas NH 3 , flow rate: 15 slm
  • CP 2 Mg gas flow rate: 50 sccm
  • Supply time t 1 the flow rate of the Group III source gas
  • supply time t 2 2 Mg gas supply
  • initial nuclei grew, but no layer growth occurred, and the crystal growth rate in the second step was 0.15 nm / s.
  • the calculated growth rate corresponding to the Group III source gas flow rate in the first step was 0.02 nm / s.
  • Example 8 In Example 8, as a first step, a group III source gas (TMG flow rate: 2 sccm, TMA flow rate: 6 sccm) was passed while a carrier gas (mixture of N 2 and H 2 , flow rate: 50 slm), a group V source gas (NH 3 , flow rate: 15 slm), and CP 2 Mg gas (flow rate: 50 sccm) is supplied for 15 seconds (supply time t 1 ), and then only the flow rate of the group III source gas is changed as the second step, and the TMG flow rate is set to 20 sccm, The same as Example 7 except that the TMA flow rate was 65 sccm and the group III source gas, carrier gas, group V source gas, and CP 2 Mg gas were supplied for 60 seconds (supply time t 2 ), and these were alternately repeated.
  • TMG flow rate 2 sccm
  • TMA flow rate 6 sccm
  • a p-type Al 0.43 Ga 0.57 N layer having a thickness of 1080 nm was formed by the method described above.
  • initial nuclei grew, but no layer growth occurred, and the crystal growth rate in the second step was 0.15 nm / s.
  • the calculated growth rate corresponding to the Group III source gas flow rate in the first step was 0.02 nm / s.
  • Comparative Example 2 In Comparative Example 2, a p-type GaN layer having a thickness of 1080 nm was formed by the same method as in Example 6 except that the supply time t 1 was 0 second, the supply time t 2 was 7200 seconds, and the number of repetitions was one. Formed.
  • Comparative Example 3 In Comparative Example 3, p-type Al having a thickness of 1080 nm was formed in the same manner as in Example 1 except that the supply time t 1 was 0 seconds, the supply time t 2 was 7200 seconds, and the number of repetitions was 1 . A 23 Ga 0.77 N layer was formed.
  • Comparative Example 4 is a p-type Al 0.100 nm thick by a method similar to that of Example 7 except that the supply time t 1 is 0 second, the supply time t 2 is 7200 seconds, and the number of repetitions is one . 36 A Ga 0.64 N layer was formed.
  • Comparative Example 5 p-type Al having a thickness of 1080 nm was formed in the same manner as in Example 8 except that the supply time t 1 was 0 seconds, the supply time t 2 was 7200 seconds, and the number of repetitions was 1 . 43 A Ga 0.57 N layer was formed.
  • Example 9 As shown in FIG. 6, a superlattice strain buffer layer (AlN / GaN, layer thickness: 600 nm), n-type Al 0.23 Ga 0.77 on an AlN template substrate having an AlN strain buffer layer on a sapphire substrate.
  • N layer layer thickness: 1300 nm
  • light emitting layer AllnGaN, layer thickness: 150 nm
  • p-type Al 0.36 Ga 0.64 N block layer layer thickness: 20 nm
  • p-type Al 0.23 Ga 0.77 An N-clad layer (layer thickness: 180 nm) and a p-type GaN contact layer (layer thickness: 20 nm) were grown by MOCVD to form a group III nitride semiconductor light-emitting device.
  • the p-type Al 0.36 Ga 0.64 N block layer has the same structure as that of Example 7 except that the supply time t 1 is 15 seconds, the supply time t 2 is 45 seconds, and the number of repetitions is 3. It formed by the same method.
  • Example 10 has an AlN strain buffer layer on a sapphire substrate, a superlattice strain buffer layer (AlN / GaN, layer thickness: 600 nm), n-type Al 0. 23 Ga 0.77 N layer (layer thickness: 1300 nm), light emitting layer (AllnGaN, layer thickness: 150 nm), p-type Al 0.43 Ga 0.57 N block layer (layer thickness: 20 nm), p-type Al 0. A 23 Ga 0.77 N clad layer (layer thickness: 180 nm) and a p-type GaN contact layer (layer thickness: 20 nm) were grown by MOCVD to form a group III nitride semiconductor light emitting device.
  • the p-type Al 0.43 Ga 0.57 N block layer is similar to Example 8 except that the supply time t 1 is 10 seconds, the supply time t 2 is 45 seconds, and the number of repetitions is 3. It formed by the same method.
  • Comparative Example 6 p-type Al 0.36 Ga 0 .0 was produced in the same manner as in Example 9 except that the supply time t 1 was 0 seconds, the supply time t 2 was 135 seconds, and the number of repetitions was 1 .
  • a group III nitride semiconductor light-emitting device having a 44 N block layer was formed.
  • Comparative Example 7 p-type Al 0.43 Ga 0 was prepared in the same manner as in Example 10 except that the supply time t 1 was 0 second, the supply time t 2 was 135 seconds, and the number of repetitions was 1. .57 A group III nitride semiconductor light emitting device having an N block layer was formed.
  • Example 9 has a significantly improved EL output as compared with Comparative Example 6.
  • Example 10 which has a higher Al composition ratio, the effect of improving the output can be confirmed as compared with Comparative Example 7.
  • these results are considered to be due to the improvement of the energization state with the increase of the effective carrier concentration.
  • the flow rate of the group III source gas supplied in the first step is set to 0 or in the second step.
  • the present invention provides a p-type AlGaN layer, a method for manufacturing the same, and a group III nitride semiconductor light emitting device in which the carrier concentration and the light emission output are improved by repeating the first step and the second step a plurality of times. be able to.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子を提供する。　III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ１(０≦Ａ１)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ１(０＜Ｂ１)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ１(０＜Ｃ１)で供給する第１工程と、III族原料ガスをIII族原料ガス流量Ａ２(０＜Ａ２)で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ２(０＜Ｂ２)で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ２(０＜Ｃ２) で供給する第２工程とを複数回繰り返すことによりｐ型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ層(０≦ｘ＜１)を形成し、前記III族原料ガス流量Ａ１はｐ型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ層を層成長させない流量であって、Ａ１≦０．５Ａ２であることを特徴とする。

Description

ｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子
　本発明は、ｐ型ＡｌＧａＮ層に関し、特に、マグネシウムをドープしたアルミニウム組成比が一定であるｐ型のＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子に関する。
　近年、ＩＩＩ族窒化物半導体素子を用いた紫外ＬＥＤは、液晶のバックライト、殺菌用、照明用白色ＬＥＤの励起光源および医療用等の用途に用いられることが期待され、盛んに研究および技術開発が行われている。
　一般に、半導体の伝導型は添加した不純物の種類により決定される。一例としてＡｌＧａＮ材料をｐ型化する場合には、通常、不純物としてマグネシウムが用いられる。このとき、添加されたマグネシウムはアクセプタとして働き、このＡｌＧａＮ材料は、正孔をキャリアとすることになる。
　しかし、このようにマグネシウムを不純物として用いてＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法により半導体層を形成する場合、「ドーピング遅れ」と呼ばれる、不純物が成長中の半導体層に十分に取り込まれない現象が生じる場合がある。
　この理由の１つとして、半導体層の成長初期段階において、半導体層に供給されるべきマグネシウムが、成長装置および配管の内壁等に付着してしまい、半導体層に十分に供給されないことが挙げられる。
　これに対し、特許文献１には、半導体層の形成に先立って、成長装置内にマグネシウム含有ガスを供給することによって、上記付着の量を飽和させ、ドーピング遅れを防止する技術が開示されている。
　また、このような半導体層の成長初期段階におけるドーピング遅れの他、半導体層の成長初期段階以降においても、ドーピング遅れが生じることが知られており、その理由として、例えば、半導体層成長中に供給されるガスの一部が結晶中に取り込まれることにより発生した水素原子が、結晶中の窒素原子と水素結合して電子を放出し、本来ガリウム原子が配置するべき格子位置に配置されたｐ型不純物であるマグネシウム原子が放出する正孔と結合して電気的に補償し合うため、結果としてｐ型化のために添加したマグネシウムがアクセプタとして働くのを妨げている点が挙げられる。これは、半導体層中のキャリア濃度の低下を招くことになる。
　さらに、紫外ＬＥＤの短波長化により、活性層のバンドギャップが大きい、高アルミニウム組成比を有するＡｌｘＧａ１−ｘＮ材料の需要が高まってきているが、アルミニウム組成比Ｘが高くなると、マグネシウム自体のイオン化エネルギーも大きくなるため、高いキャリア濃度得ることは困難であった。
　このようなキャリア濃度の低下は抵抗値を増加させ、これによる発熱等により十分な発光出力を得ることができないという問題もあった。
特開２００７−４２８８６号公報
　本発明の目的は、上記問題を解決し、キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下のとおりである。
　（１）ＭＯＣＶＤ法を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（０≦ｘ＜１）を形成するにあたり、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ１（０≦Ａ１）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ１（０＜Ｂ１）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ１（０＜Ｃ１）で供給する第１工程と、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２（０＜Ａ２）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ２（０＜Ｂ２）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ２（０＜Ｃ２）で供給する第２工程とを複数回繰り返すことによりｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を形成し、ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ１は層成長させない流量であって、Ａ１≦０．５Ａ２であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
　（２）ＭＯＣＶＤ法を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（０≦ｘ＜１）を形成するにあたり、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３（０＜Ａ３）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ１（０＜Ｂ１）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ１（０＜Ｃ１）で供給する第１工程と、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２（０＜Ａ２）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ２（０＜Ｂ２）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ２（０＜Ｃ２）で供給する第２工程とを行うことによりｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を形成し、ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３は初期核のみを成長させる流量であって、Ａ３≦０．５Ａ２であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
　（３）ＭＯＣＶＤ法を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（０≦ｘ＜１）を形成するにあたり、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３（０＜Ａ３）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ１（０＜Ｂ１）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ１（０＜Ｃ１）で供給する第１工程と、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２（０＜Ａ２）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ２（０＜Ｂ２）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ２（０＜Ｃ２）で供給する第２工程とを複数回繰り返すことによりｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を形成し、ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３は初期核のみを成長させる流量であって、Ａ３≦０．５Ａ２であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
　（４）第１工程におけるＶ族原料ガス流量Ｂ１は、第２工程におけるＶ族原料ガス流量Ｂ２と等しく、および／または第１工程におけるＭｇ含有ガス流量Ｃ１は、第２工程におけるＭｇ含有ガス流量Ｃ２と等しい上記（１）、（２）または（３）に記載のｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
　（５）前記第２工程における結晶成長速度から、ＩＩＩ族原料ガス流量と結晶成長速度との関係を求めたとき、前記第１工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量は、該流量に対応するｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層の成長速度が０．０３ｎｍ／ｓ以下となる流量である上記（１）、（２）、（３）または（４）に記載のｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
　（６）ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層のアルミニウム組成比ｘは、０~０．８の範囲である上記（１）~（５）のいずれか一に記載のｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
　（７）上記（１）~（６）のいずれか一に記載の方法により製造されたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
　（８）マグネシウムをドープしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．２以上０．３未満の範囲であり、かつキャリア濃度が５×１０１７／ｃｍ３以上であるｐ型ＡｌＧａＮ層。
　（９）マグネシウムをドープしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．３以上０．４未満の範囲であり、かつキャリア濃度が３．５×１０１７／ｃｍ３以上であるｐ型ＡｌＧａＮ層。
　（１０）マグネシウムをドープしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．４以上０．５未満の範囲であり、かつキャリア濃度が２．５×１０１７／ｃｍ３以上であるｐ型ＡｌＧａＮ層。
　（１１）上記（８）~（１０）のいずれか一に記載のｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
　本発明は、ＭＯＣＶＤ法を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌＧａＮ層を形成するにあたり、第１工程において供給されるＩＩＩ族原料ガスの流量を、０または第２工程において供給されるＩＩＩ族原料ガスの流量の半分以下とすることにより、キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供することができる。
　また、本発明は、上記第１工程と第２工程とを複数回繰り返すことにより、キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供することができる。
図１は、本発明に従うｐ型ＡｌＧａＮ層を製造するためのＭＯＣＶＤ装置の一例の模式図を示す。 図２は、本発明に従うｐ型ＡｌＧａＮ層を製造するためのＭＯＣＶＤ装置の成長炉の一例の模式的断面図を示す。 図３は、本発明の方法および従来の方法によるｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層のＸＲＤ回折像を示す。 図４（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の方法および従来の方法によるｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層のＴＥＭ観察像を示す。 図５（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の方法および従来の方法によるｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層の最表層の微分干渉式顕微鏡写真を示す。 図６は、本発明に従うＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の模式的断面図を示す。 図７は、実施例９の発光素子のｐ型Ａｌ０．３６Ｇａ０．６４Ｎ層のＳＩＭＳプロファイルを示す。 図８は、比較例６の発光素子のｐ型Ａｌ０．３６Ｇａ０．６４Ｎ層のＳＩＭＳプロファイルを示す。 図９は、本発明の方法および従来の方法によるｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層の比抵抗値より算出したキャリア濃度をまとめたグラフを示す。
　次に、本発明のｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明に従うｐ型ＡｌＧａＮ層を製造するためのＭＯＣＶＤ装置の一例を示す模式的断面図である。このＭＯＣＶＤ装置１００は、第１ガス供給口１０１および第２ガス供給口１０２を有する反応炉１０３を具える。第１ガス供給口１０１からは、水素ガス１０４や窒素ガス１０５等のキャリアガス、および、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）１０６およびＴＭＧ（トリメチルガリウム）１０７等のＩＩＩ族原料ガスおよび／または不純物原料ガスとしてのマグネシウム含有ガス１０８等が、反応炉１０３に供給される。一方、第２ガス供給口１０２からは、水素ガス１０４や窒素ガス１０５等のキャリアガス、および、アンモニア等のＶ族原料ガス１０９が、反応炉１０３に供給される。
　本発明に従うｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法は、上述したようなＭＯＣＶＤ装置１００を用いて、マグネシウムをドープしたアルミニウム組成比ｘが一定であるｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）を形成するにあたり、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ１（０≦Ａ１）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ１（０＜Ｂ１）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ１（０＜Ｃ１）で供給する第１工程と、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２（０＜Ａ２）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ２（０＜Ｂ２）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ２（０＜Ｃ２）で供給する第２工程とを複数回繰り返すことによりｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を形成し、前記ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ１はｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を層成長させない流量であって、Ａ１≦０．５Ａ２であることを特徴とすることにより、ｐ型ＡｌＧａＮ層のキャリア濃度および発光出力を向上させることができるものである。
　ここで、ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ１がｐ型ＡｌＧａＮ層を層成長させない流量である場合とは、実質的に層として厚さが増えないことを意味し、全くｐ型ＡｌＧａＮの成長が起こらないものから、ｐ型ＡｌＧａＮの初期の結晶核（たとえば島状結晶）の成長は起こるが実質的に層として厚さが増えないものまでを含む。すなわち、Ａ１が、ｐ型ＡｌＧａＮの成長が全く起こらない流量である場合（少なくともＡ１＝０の場合、これに該当する。）と、ｐ型ＡｌＧａＮの初期核のみを成長させる流量である場合（少なくともＡ１＞０となる。）とを含む。このようなＩＩＩ族原料ガス流量Ａ１は少なくとも０≦Ａ１≦０．５Ａ２の関係を満たす。また、第１工程は、層が成長しない状態を意図した期間維持することを意味する。このとき、Ｖ族原料ガス流量Ｂ１およびＭｇ含有ガス流量Ｃ１は、ＩＩＩ族原料ガスが供給されさえすれば、層が成長する流量またはそれ以上の流量であることが好ましい。つまりＢ１≧Ｂ２およびＣ１≧Ｃ２であることが好ましい。窒素抜けを予防し、層成長が止まっている間に多くのＭｇを系内に供給するためである。
　また、ＩＩＩ族原料ガスとして、例えばＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）およびＴＭＧ（トリメチルガリウム）等の２種のガスを供給する場合には、ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ１は、これらガスの総量を表わすものとする。
　なお、前記アルミニウム組成比が一定とは、第１工程と第２工程との繰返し回数に関わらず、各回の第２工程により成長する層部分のアルミニウム組成比ｘが変化しないことをいう。すなわち、繰返しの各回のガス流量Ａ１は、同じ流量としていることを意味するものである。ただし、ＳＩＭＳによるアルミニウム量の測定においては、その分析原理上、組成比が深さ方向に変動する。また、エピタキシャル成長時に装置起因で発生する層内でのアルミニウム組成比の揺らぎや面内の分布等があって良い。これらは従来の方法でも発生するためである。なお、本発明でのアルミニウム組成とは基板中央部での値である。
　図３は、本発明の方法による、ｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層（ＩＩＩ族原料ガスの変調供給：本発明の形態）および従来の方法によるｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層（ＩＩＩ族原料ガスの変調供給なし：従来の形態）のＸ線回折（ＸＲＤ）像を示したものであり、表１は結晶品質の指標となる、ミラー指数［００２］と［１０２］における代表値を示す。前者は初期核の成長軸方向に対する「傾き」を、後者はその成長面内方向に対する「ねじれ」の度合いを示す。また、図４（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の方法と従来の方法によるｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察像を示したものであり、図５（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の方法と従来の方法によるｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層の最表層の電子線回折パターンを示したものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　図３および図４に示すように、巨視的なＸＲＤスペクトルにおいて本発明の方法は従来の方法と同等であり、微視的なＴＥＭ像と、その電子線回折パターンからは、結晶成長上の周期的な乱れは観察されなかった。したがって、いずれも単一の単結晶層として成長していることが分かる。なお、図３のＸＲＤスペクトルにおいて、従来の形態で７５°近傍に見られる、異軸成分を起源とする２本のピークが存在していたが、本発明の方法ではこれらが消失しており、表１に示すミラー指数［００２］における代表値が低減していることからも、本発明は結晶性の向上にも寄与していることが分かる。なお、表１から、初期核の成長面内方向に対する「ねじれ」成分には大差がないが、成長軸方向に対する「傾き」が減少していることがわかる。このことから、異軸成分が減少し、初期核として成長方向への配向性が向上していることがわかる。
　本発明に従うｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法について記述する。まず、図２に示すように、反応炉１０３内のサセプタ１１０上に下地基板１１１を載置する。下地基板１１１としては、例えばＧａＮ基板、サファイア基板およびサファイア基板上にＡｌＮ層を設けたＡｌＮテンプレート基板等を用いてもよいし、これらの基板上に半導体層を積層したものでもよい。
　次いで、第１工程として、この反応炉１０３内に、第２ガス供給口１０２から水素ガス１０４や窒素ガス１０５等のキャリアガス、およびアンモニア等のＶ族原料ガス１０９を、第１ガス供給口１０１から層成長しない流量でまたは初期核成長のみを起こす流量でＩＩＩ族原料ガスを供給する。これらの原料ガスとともに、マグネシウムを含むガス１０８を供給する。このときのＶ族原料ガス１０９は、反応炉１０３内の窒素分圧の低下を抑制し、結晶成長する最表面の保護のために供給されるものである。なお、マグネシウム含有ガス１０８としてはＣＰ２Ｍｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）等を用いることができる。
　所定時間経過後、第２工程として、第１ガス供給口１０１から層成長する流量でＩＩＩ族原料ガスを供給する。この原料ガスとともに、マグネシウムを含むガス１０８を供給する。また、第２ガス供給口１０２から層成長する流量でＶ族原料ガス１０９を共に供給する。なお、第１工程を持続させる上記「所定時間」は、５秒以上６０秒以下程度とすることが好ましい。所定時間が短すぎると、本発明の効果を十分に得ることできず、所定時間が長すぎても、Ｍｇの取り込みが過剰となり、後の結晶成長時にＭｇが欠陥発生起点となり、結晶性が悪くなったり、キャリア濃度が下がったりする可能性があるからである。
　本発明に従うｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法は、ＭＯＣＶＤ法を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌＧａＮ層（０≦ｘ＜１）を形成するにあたり、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３（０＜Ａ３）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ１（０＜Ｂ１）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ１（０＜Ｃ１）で供給する第１工程と、ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２（０＜Ａ２）で供給するとともに、Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ２（０＜Ｂ２）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ２（０＜Ｃ２）で供給する第２工程とを行うことにより前記ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を形成し、前記ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３はｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層の初期核のみを成長させる流量であって、Ａ３≦０．５Ａ２であることを特徴とすることにより、反応炉１０３や配管等の表面に予めマグネシウムを多く被覆させることができ、これにより成長初期のＡｌＧａＮ層中のマグネシウム濃度の低下、すなわちドーピング遅れを抑制することができる。ここで、初期核のみを成長させる流量とは、たとえば島状の初期の結晶核は形成されるが、実質的に層として厚さが増えない状態となる流量をいう。このようなＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３は少なくとも０＜Ａ３≦０．５Ａ２の関係を満たす。なお、本発明において、初期核のみが成長していることは、第１工程までで成長を中断した基板表面を、金属顕微鏡またはＳＥＭにより表面観察することで基板表面に分散する島状の初期核を確認することができる。
　また、ＩＩＩ族原料ガスとして、例えばＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）およびＴＭＧ（トリメチルガリウム）等の２種のガスを供給する場合には、ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３は、これらガスの総量を表わすものとする。
　前記第１工程におけるＶ族原料ガス流量Ｂ１は、前記第２工程におけるＶ族原料ガス流量Ｂ２と等しく、および／または前記第１工程におけるＭｇ含有ガス流量Ｃ１は、前記第２工程におけるＭｇ含有ガス流量Ｃ２と等しくするのが好ましい。すなわち、Ｖ族原料ガス流量は一定のままで、第１工程におけるＩＩＩ族原料ガスの流量Ａ１またはＡ３と、第２工程におけるＩＩＩ族原料ガスの流量Ａ２とを異なる流量とするのが好ましい。
　成長中のＡｌＧａＮ層の表面にマグネシウムを付着させることにより、横方向成長が優位となり、成長軸方向の結晶成長速度が低下する。これにより、局所領域における初期核（３次元）成長が発生する頻度が高まることで、実効的な表面積の向上ならびに、原子のマイグレーションを抑制するためにマグネシウムの取り込み頻度が向上する。したがって、物理的な付着によるマグネシウムの強制的な取り込み、および成長速度の低下によるマグネシウムの取り込み頻度の向上によって、ＡｌＧａＮ層中のマグネシウム濃度が向上する。
　また、この効果は、一時的なものであるから、上述した第１工程および第２工程を複数回繰り返すことによってＡｌＧａＮ層中のマグネシウム濃度を安定して高い濃度に維持することができる。１つの層を成長させるのに繰り返し上述した第１工程と第２工程とを行うことにより、たとえばマグネシウム自体のイオン化エネルギーが大きくなりマグネシウム濃度が低下するアルミニウム組成比が０．１５以上のｐ型ＡｌＧａＮ層であっても、従来よりもマグネシウム濃度が高いｐ型ＡｌＧａＮ層を製造することができるようになる。
　また、本発明に従うｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法は、特に、上述のようなＭＯＣＶＤ装置１００を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌＧａＮ層を形成するにあたり、ＩＩＩ族原料ガスの流量を初期核成長のみとなる量にまで減らして、ＩＩＩ族ガスおよびＶ族原料ガスとマグネシウムを含むガスとを供給する工程を、結晶成長の起きる流量でＩＩＩ族およびＶ族原料ガスとマグネシウムを含むガスとを共に供給する工程の前に行うことにより、ｐ型ＡｌＧａＮ層のマグネシウムドープ量を維持させることができるものである。
　初期核成長時に強制的にＭｇを十分に含んだ部分を形成することで、その後に供給される原料は横方向拡散が優位となるため、成長軸方向の結晶成長速度は低下する。すなわち、拡散分子がステップ端に取り込まれる確率が増加するために、平坦な層形成が促進される（サーファクタント効果）。しかしながら、この効果は一時的なものであり、しばらくステップフロー成長（横方向成長）が続いた後、再度凹凸の起源である初期核を形成し始める。これに伴う表面積の増大によって、Ｍｇ自身の面内拡散が抑制され、Ｍｇの層内への取り込み頻度が向上するために、ＡｌＧａＮ層中のマグネシウム濃度が向上する。
　このため、本発明のＩＩＩ族原料ガスの流量を初期核成長のみとなる量にまで減らして、ＩＩＩ族ガスおよびＶ族原料ガスとマグネシウムを含むガスとを供給する工程を設けることで、Ｍｇの取りこみを向上させるとともに、横方向成長により結晶性を向上させることができるものである。
　第１工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量（Ａ１またはＡ３）と第２工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２とは異なり、第１工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量は、第２工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２の１／２以下とする。より好ましくは１／４以下とする。特に、結晶成長が確認できる範囲での単位時間あたりの層成長厚さ（すなわち、結晶成長速度）からＩＩＩ族原子量ガスの流量と結晶成長速度との関係を求め（例えばＩＩＩ族原子量ガス流量１０~３０ｓｃｍｍの間で複数の流量と結晶成長速度との関係を線形近似する）、この関係に第１工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量（Ａ１またはＡ３）を外挿したとき、計算上、第１工程における該流量（Ａ１またはＡ３）に対応するｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層の結晶成長速度が０．０３ｎｍ／ｓ以下となる流量が好ましく、０．０１~０．０３ｎｍ／ｓとなる流量とするのがより好ましい。なお、第１工程と第２工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量の内訳（ＧａとＡｌ比）は必ずしも比例倍的な関係である必要はない。すなわち、第１工程で生成する初期核のＡｌ組成と第２工程で生成するＡｌ組成は同一である必要はない。これは当該発明の効果を最大にするため、第１工程で形成される初期核にＭｇを最大限に含ませるためや、第２工程で形成される結晶膜の結晶性などを向上させるためである。なお、同一でなくても、当該第１工程で形成される初期核は、第２工程で形成される結晶膜にくらべて膜厚としては無視できることより、当該発明の形態において得られる結晶層はＡｌ組成として一定とみなすことができる。そして、計算上の成長速度が０．０１~０．０３ｎｍ／ｓとなる場合には、基板表面のＩＩＩ族原料の存在確率が小さいため、例えば島状の初期核が発生するのみであり、長時間でも実質的に層として厚さが増えない。なお、第１工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量が、計算上０．０１ｎｍ／ｓ未満となる流量の場合は、初期核の成長と分解とで後者が支配的となり、ｐ型ＡｌＧａＮの成長は起こらない。
　ＭＯＣＶＤ装置の形状や、温度、Ｖ族原料ガスの流量によって、初期核成長しか起きないＩＩＩ族原料ガスの流量は変化するため、一概に規定できないが、第１工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量（Ａ１またはＡ３）は、例えば、第２工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２が２０~５０ｓｃｃｍに対して、１~１０ｓｃｃｍとするのが好ましい。また、第１工程および第２工程における、Ｖ族原料ガス流量Ｂ１およびＢ２は、例えば５~５０ｓｌｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｌｉｔｅｒ　ｐｅｒ　Ｍｉｎｕｔｅｓ）とすることができる。また、第１工程および第２工程における、Ｍｇ含有ガス流量Ｃ１およびＣ２は、例えば２０~２００ｓｃｃｍとすることができる。
　第１工程において、ＩＩＩ族原料ガスを全く流さない場合（Ａ１＝０ｓｃｃｍ）も、初期核成長のみとなるようにＩＩＩ族原料ガスを流す場合（Ａ１，Ａ３＝１~１０ｓｃｃｍ）も、第１工程と第２工程を複数回繰り返すことで、ＡｌＧａＮ層中のマグネシウム濃度を安定して高い濃度に維持することができる。ただし、初期核成長を起こさせる方が、結晶性の向上効果が得られやすいためより好ましい。
　以上の本発明の方法により、マグネシウム濃度が高く、かつ結晶性が向上したｐ型ＡｌＧａＮ層を製造することができる。
　また、ｐ型ＡｌＧａＮ層のアルミニウム組成比は、０~０．８とすることができる。なお、アルミニウム組成比ｘは、フォトルミネッセンスにおける発光波長を測定し、フォトルミネッセンスにおける発光波長から、Ｙｕｎ　Ｆ．ｅｔ　ａｌ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．９２，４８３７（２００２）に記載されたボーイングパラメータを用いて変換して求めることができる。
　続いて、本発明のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の実施形態について図面を参照しながら説明する。本発明に従うＩＩＩ族窒化物半導体発光素子２００は、サファイア基板２０１上にＡｌＮ歪緩衝層２０２を有するＡｌＮテンプレート基板上に、超格子歪緩衝層２０３、ｎ型ＡｌＧａＮ層２０４、発光層２０５、ｐ型ＡｌＧａＮブロック層２０６、ｐ型ＡｌＧａＮガイド層２０７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層２０８、ｐ型ＧａＮコンタクト層２０９を具える構成を有することができる。これらｐ型ＡｌＧａＮ層は、上述した本発明に従うｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法に従って成長されることができる。
　また、本発明のｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法によれば、マグネシウムをドープしたアルミニウム組成比が一定であるｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層として、アルミニウム組成比ｘが０．２以上０．３未満の場合、キャリア濃度が５×１０１７／ｃｍ３以上、好ましくは１×１０１８／ｃｍ３以下であるｐ型ＡｌＧａＮ層を得ることができる。また、アルミニウム組成比ｘが０．３以上０．４未満の場合、キャリア濃度が３．５×１０１７／ｃｍ３以上、好ましくは５×１０１７／ｃｍ３以下であるｐ型ＡｌＧａＮ層を得ることができる。また、アルミニウム組成比ｘが０．４以上０．５未満の場合、キャリア濃度が２．５×１０１７／ｃｍ３以上、好ましくは３．５×１０１７／ｃｍ３以下であるｐ型ＡｌＧａＮ層を得ることができる。
　なお、図１~６は、代表的な実施形態の例を示したものであって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない
　（実施例１）
　実施例１は、図１および図２に示す成長炉内に歪緩衝層を有するＡｌＮテンプレート基板を配置し、１０ｋＰａ下１０５０℃へ昇温後、第１工程としてＩＩＩ族原料ガス（ＴＭＧ流量：４ｓｃｃｍ、ＴＭＡ流量：５ｓｃｃｍ）を流しながら、キャリアガス（Ｎ２とＨ２の混合、流量：５０ｓｌｍ）、Ｖ族原料ガス（ＮＨ３，流量：１５ｓｌｍ）、およびＣＰ２Ｍｇガス（流量：５０ｓｃｃｍ）を１５秒間（供給時間ｔ１）供給し、その後、第２工程としてＩＩＩ族原料ガスの流量のみを変えて、ＴＭＧ流量を２０ｓｃｃｍ、ＴＭＡ流量を２５ｓｃｃｍとし、６０秒間ＩＩＩ族原料ガス、キャリアガス、Ｖ族原料ガス、およびＣＰ２Ｍｇガスを供給（供給時間ｔ２）し、これらを交互に１２０回繰り返すことにより、厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層を形成した（なお、上記流量の単位の「ｓｃｃｍ」は、１ａｔｍ（大気圧：１０１３ｈＰａ）、０℃で１分間当たりに流れるガスの量（ｃｍ３）を表わしたものである。）。なお、第１工程では初期核は成長するものの層成長はせず、第２工程における結晶成長速度は０．１５ｎｍ／ｓであった。また、第１工程のＩＩＩ族原料ガス流量に対応する、計算上の成長速度は、０．０３ｎｍ／ｓであった。
　（実施例２）
　実施例２は、供給時間ｔ２を３０秒とし、繰り返し回数を２４０回としたこと以外は、実施例１と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層を形成した。
　（実施例３）
　実施例３は、供給時間ｔ２を４５秒とし、繰り返し回数を１８０回としたこと以外は、実施例１と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層を形成した。
　（実施例４）
　実施例４は、供給時間ｔ２を１２０秒とし、繰り返し回数を６０回としたこと以外は、実施例１と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層を形成した。
　（実施例５）
　実施例５は、供給時間ｔ２を７２００秒、繰り返し回数を１回としたこと以外は、実施例１と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層を形成した。
　（参考例）
　参考例は、第１工程としてＩＩＩ族原料ガスを流さず、初期核も成長しないようにした以外は、実施例５と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層を形成した。
　（比較例１）
　比較例１は、供給時間ｔ１を０秒、供給時間ｔ２を７２００秒とし、繰り返し回数を１回としたこと以外は、実施例１と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層を形成した。
　（評価１）
　これら実施例１~５、参考例および比較例１について、ランプアニール炉を用いて、窒素雰囲気下中、８００℃にて５分間アニールを実施した後、渦電流式シート抵抗測定装置（ＭＯＤＥＬ１３１８，ＬＥＨＩＧＨＴＯＮ社製）を用いて、ｐ型ＡｌＧａＮ層の面内比抵抗を測定した。これらの値から活性化深さを０．５μｍ、易動度を５として、計算されるキャリア濃度を見積もった結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２から、本発明に従う実施例１~５は、比較例１よりも比抵抗が減少していることからも確認出来るように、比較例１と比較してキャリア濃度を高める効果があることが分かる。
　（実施例６）
　実施例６は、図１および図２に示す成長炉内に歪緩衝層を有するＡｌＮテンプレート基板を配置し、１０ｋＰａ下１０５０℃へ昇温後、第１工程としてＩＩＩ族原料ガス（ＴＭＧ流量：５ｓｃｃｍ）を流しながら、キャリアガス（Ｎ２とＨ２の混合、流量：５０ｓｌｍ）、Ｖ族原料ガス（ＮＨ３，流量：１５ｓｌｍ）およびＣＰ２Ｍｇガス（流量：５０ｓｃｃｍ）を１５秒間（供給時間ｔ１）供給し、その後、第２工程としてＩＩＩ族原料ガスの流量のみを変え、ＴＭＧ流量を２０ｓｃｃｍとして６０秒間ＩＩＩ族原料ガス、キャリアガス、Ｖ族原料ガス、およびＣＰ２Ｍｇガスを供給（供給時間ｔ２）し、これらを交互に１２０回繰り返すことにより、厚さ１０８０ｎｍのｐ型ＧａＮ層を形成した。なお、第１工程では初期核は成長するものの層成長はせず、第２工程における結晶成長速度は０．１５ｎｍ／ｓであった。また、第１工程のＩＩＩ族原料ガス流量に対応する、計算上の成長速度は、０．０２ｎｍ／ｓであった。
　（実施例７）
　実施例７は、図１および図２に示す成長炉内に歪緩衝層を有するＡｌＮテンプレート基板を配置し、１０ｋＰａ下１０５０℃へ昇温後、第１工程としてＩＩＩ族原料ガス（ＴＭＧ流量：２ｓｃｃｍ、ＴＭＡ流量：５ｓｃｃｍ）を流しながら、キャリアガス（Ｎ２とＨ２の混合、流量：５０ｓｌｍ）、Ｖ族原料ガス（ＮＨ３，流量：１５ｓｌｍ）、およびＣＰ２Ｍｇガス（流量：５０ｓｃｃｍ）を１５秒間（供給時間ｔ１）供給し、その後、第２工程としてＩＩＩ族原料ガスの流量のみを変え、ＴＭＧ流量を２０ｓｃｃｍ、ＴＭＡ流量を４５ｓｃｃｍとして６０秒間ＩＩＩ族原料ガス、キャリアガス、Ｖ族原料ガス、およびＣＰ２Ｍｇガスを供給（供給時間ｔ２）し、これらを交互に１２０回繰り返すことにより、厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．３６Ｇａ０．６４Ｎ層を形成した。なお、第１工程では初期核は成長するものの層成長はせず、第２工程における結晶成長速度は０．１５ｎｍ／ｓであった。また、第１工程のＩＩＩ族原料ガス流量に対応する、計算上の成長速度は、０．０２ｎｍ／ｓであった。
　（実施例８）
　実施例８は、第１工程としてＩＩＩ族原料ガス（ＴＭＧ流量：２ｓｃｃｍ、ＴＭＡ流量：６ｓｃｃｍ）を流しながら、キャリアガス（Ｎ２とＨ２の混合、流量：５０ｓｌｍ）、Ｖ族原料ガス（ＮＨ３，流量：１５ｓｌｍ）、およびＣＰ２Ｍｇガス（流量：５０ｓｃｃｍ）を１５秒間（供給時間ｔ１）供給し、その後、第２工程としてＩＩＩ族原料ガスの流量のみを変え、ＴＭＧ流量を２０ｓｃｃｍ、ＴＭＡ流量を６５ｓｃｃｍとして６０秒間ＩＩＩ族原料ガス、キャリアガス、Ｖ族原料ガス、およびＣＰ２Ｍｇガスを供給（供給時間ｔ２）し、これらを交互に繰り返したこと以外は、実施例７と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．４３Ｇａ０．５７Ｎ層を形成した。なお、第１工程では初期核は成長するものの層成長はせず、第２工程における結晶成長速度は０．１５ｎｍ／ｓであった。また、第１工程のＩＩＩ族原料ガス流量に対応する、計算上の成長速度は、０．０２ｎｍ／ｓであった。
　（比較例２）
　比較例２は、供給時間ｔ１を０秒、供給時間ｔ２を７２００秒とし、繰り返し回数を１回としたこと以外は、実施例６と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型ＧａＮ層を形成した。
　（比較例３）
　比較例３は、供給時間ｔ１を０秒、供給時間ｔ２を７２００秒とし、繰り返し回数を１回としたこと以外は、実施例１と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層を形成した。
　（比較例４）
　比較例４は、供給時間ｔ１を０秒、供給時間ｔ２を７２００秒とし、繰り返し回数を１回としたこと以外は、実施例７と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．３６
Ｇａ０．６４Ｎ層を形成した。
　（比較例５）
　比較例５は、供給時間ｔ１を０秒、供給時間ｔ２を７２００秒とし、繰り返し回数を１回としたこと以外は、実施例８と同様の方法により厚さ１０８０ｎｍのｐ型Ａｌ０．４３
Ｇａ０．５７Ｎ層を形成した。
　（実施例９）
　図６に示すように、サファイア基板上にＡｌＮ歪緩衝層を有する、ＡｌＮテンプレート基板上に、超格子歪緩衝層（ＡｌＮ／ＧａＮ，層厚：６００ｎｍ）、ｎ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層（層厚：１３００ｎｍ）、発光層（ＡｌｌｎＧａＮ，層厚：１５０ｎｍ）、ｐ型Ａｌ０．３６Ｇａ０．６４Ｎブロック層（層厚：２０ｎｍ）、ｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎクラッド層（層厚：１８０ｎｍ）、ｐ型ＧａＮコンタクト層（層厚：２０ｎｍ）をＭＯＣＶＤ法により成長させ、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を形成した。
　ここで、ｐ型Ａｌ０．３６Ｇａ０．６４Ｎブロック層は、供給時間ｔ１を１５秒、供給時間ｔ２を４５秒とし、繰り返し回数を３回としたこと以外は、実施例７と同様の方法により形成した。
　（実施例１０）
　実施例１０は、図６に示すように、サファイア基板上にＡｌＮ歪緩衝層を有する、ＡｌＮテンプレート基板上に、超格子歪緩衝層（ＡｌＮ／ＧａＮ，層厚：６００ｎｍ）、ｎ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎ層（層厚：１３００ｎｍ）、発光層（ＡｌｌｎＧａＮ，層厚：１５０ｎｍ）、ｐ型Ａｌ０．４３Ｇａ０．５７Ｎブロック層（層厚：２０ｎｍ）、ｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ｎクラッド層（層厚：１８０ｎｍ）、ｐ型ＧａＮコンタクト層（層厚：２０ｎｍ）をＭＯＣＶＤ法により成長させ、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を形成した。
　ここで、ｐ型Ａｌ０．４３Ｇａ０．５７Ｎブロック層は、供給時間ｔ１を１０秒、供給時間ｔ２を４５秒とし、繰り返し回数を３回としたこと以外は、実施例８と同様の方法により形成した。
　（比較例６）
　比較例６は、供給時間ｔ１を０秒、供給時間ｔ２を１３５秒とし、繰り返し回数を１回としたこと以外は、実施例９と同様の方法によりｐ型Ａｌ０．３６Ｇａ０．４４Ｎブロック層を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を形成した。
　（比較例７）
　比較例７は、供給時間ｔ１を０秒とし、供給時間ｔ２を１３５秒とし、繰り返し回数を１回としたこと以外は、実施例１０と同様の方法によりｐ型Ａｌ０．４３Ｇａ０．５７Ｎブロック層を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を形成した。
　（評価２）
　実施例９および比較例６について、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析計）を用いて、発光素子中のｐ型ＡｌＧａＮブロック層中のマグネシウム濃度を測定した結果をそれぞれ図７および図８に示す。
　また、評価１と同様に、ｐ型ＡｌＧａＮ単膜層の比抵抗値によるキャリア濃度を求めた。これらの結果を表３と図９に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３から、本発明に従う実施例６、１、７および８は、同じＡｌ組成の比較例２、３、４および５と比較して、それぞれマグネシウムの濃度が高いことがわかる。このことは、実効的なキャリア濃度の増加に繋がることから、比抵抗率の低減も見られている。
　（評価３）
　さらに、これら実施例９、１０および比較例６、７について、マルチチャネル型分光器（Ｃ１００８２ＣＡＨ，浜松ホトニクス社製）を用いて、裏面出射のＥＬ出力測定を実施した。これらの結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表４から、本発明に従う実施例９は、比較例６と比較し、ＥＬ出力が大幅に向上していることが分かる。また、より高Ａｌ組成比である実施例１０においても、比較例７と較べて出力向上の効果が確認できる。これらの結果は、表４から明らかなように、実効キャリア濃度の増加に伴い、通電状況が改善したためと考えられる。
　本発明によれば、ＭＯＣＶＤ法を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌＧａＮ層を形成するにあたり、第１工程において供給されるＩＩＩ族原料ガスの流量を、０または第２工程において供給されるＩＩＩ族原料ガスの流量の半分以下とすることにより、キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供することができる。
　また、本発明は、上記第１工程と第２工程とを複数回繰り返すことにより、キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供することができる。
　１００　ＭＯＣＶＤ装置
　１０１　第１ガス供給口
　１０２　第２ガス供給口
　１０３　成長炉
　１０４　水素ガス
　１０５　窒素ガス
　１０６　ＴＭＡ
　１０７　ＴＭＧ
　１０８　ＣＰ２Ｍｇ
　１０９　アンモニア
　１１０　サセプタ
　１１１　下地基板
　１１２　ＡｌＧａＮ層
　２００　ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子
　２０１　下地基板
　２０２　ＡｌＮ歪緩衝層
　２０３　超格子歪緩衝層
　２０４　ｎ型窒化物半導体層
　２０５　発光層
　２０６　ｐ型ＡｌＧａＮブロック層
　２０７　ｐ型ＡｌＧａＮガイド層
　２０８　ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
　２０９　ｐ型ＧａＮコンタクト層

Claims (11)

  1. 　ＭＯＣＶＤ法を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（０≦ｘ＜１）を形成するにあたり、
    　ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ１（０≦Ａ１）で供給するとともに、
    　Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ１（０＜Ｂ１）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ１（０＜Ｃ１）で供給する第１工程と、
    　ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２（０＜Ａ２）で供給するとともに、
    　Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ２（０＜Ｂ２）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ２（０＜Ｃ２）で供給する第２工程と
    を複数回繰り返すことにより前記ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を形成し、
    　前記ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ１は前記ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を層成長させない流量であって、Ａ１≦０．５Ａ２であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
  2. 　ＭＯＣＶＤ法を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（０≦ｘ＜１）を形成するにあたり、
    　ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３（０＜Ａ３）で供給するとともに、
    　Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ１（０＜Ｂ１）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ１（０＜Ｃ１）で供給する第１工程と、
    　ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２（０＜Ａ２）で供給するとともに、
    　Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ２（０＜Ｂ２）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ２（０＜Ｃ２）で供給する第２工程と
    を行うことにより前記ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を形成し、
    　前記ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３は前記ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層の初期核のみを成長させる流量であって、Ａ３≦０．５Ａ２であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
  3. 　ＭＯＣＶＤ法を用いて、マグネシウムをドープした一つのｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層（０≦ｘ＜１）を形成するにあたり、
    　ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３（０＜Ａ３）で供給するとともに、
    　Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ１（０＜Ｂ１）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ１（０＜Ｃ１）で供給する第１工程と、
    　ＩＩＩ族原料ガスをＩＩＩ族原料ガス流量Ａ２（０＜Ａ２）で供給するとともに、
    　Ｖ族原料ガスをＶ族原料ガス流量Ｂ２（０＜Ｂ２）で、かつマグネシウムを含むガスをＭｇ含有ガス流量Ｃ２（０＜Ｃ２）で供給する第２工程と
    を複数回繰り返すことにより前記ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を形成し、
    　前記ＩＩＩ族原料ガス流量Ａ３は前記ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層の初期核のみを成長させる流量であって、Ａ３≦０．５Ａ２であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
  4. 　前記第１工程におけるＶ族原料ガス流量Ｂ１は、前記第２工程におけるＶ族原料ガス流量Ｂ２と等しく、および／または
    　前記第１工程におけるＭｇ含有ガス流量Ｃ１は、前記第２工程におけるＭｇ含有ガス流量Ｃ２と等しい請求項１、２または３に記載のｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
  5. 　前記第２工程における結晶成長速度から、ＩＩＩ族原料ガス流量と結晶成長速度との関係を求めたとき、前記第１工程におけるＩＩＩ族原料ガス流量は、該流量に対応するｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層の成長速度が０．０３ｎｍ／ｓ以下となる流量である請求項１、２、３または４に記載のｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
  6. 　前記ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層のアルミニウム組成比ｘは、０~０．８の範囲である請求項１~５のいずれか一項に記載のｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法。
  7. 　請求項１~６のいずれか一項に記載の方法により製造されたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
  8. 　マグネシウムをドープしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．２以上０．３未満の範囲であり、かつキャリア濃度が５×１０１７／ｃｍ３以上であるｐ型ＡｌＧａＮ層。
  9. 　マグネシウムをドープしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．３以上０．４未満の範囲であり、かつキャリア濃度が３．５×１０１７／ｃｍ３以上であるｐ型ＡｌＧａＮ層。
  10. 　マグネシウムをドープしたｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．４以上０．５未満の範囲であり、かつキャリア濃度が２．５×１０１７／ｃｍ３以上であるｐ型ＡｌＧａＮ層。
  11. 　請求項８~１０のいずれか一項に記載のｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層を含むＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
PCT/JP2010/072728 2009-12-10 2010-12-10 ｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子 WO2011071191A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10836105.6A EP2511947A4 (en) 2009-12-10 2010-12-10 P-TYPE ALGAN LAYER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
KR20147021037A KR20150044419A (ko) 2009-12-10 2010-12-10 ｐ형 ＡｌＧａＮ층 및 그 제조 방법 및 Ⅲ족 질화물 반도체 발광소자
CN201080063667.6A CN102782808B (zh) 2009-12-10 2010-12-10 p型AlGaN层及其制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件
KR1020127017084A KR101454980B1 (ko) 2009-12-10 2010-12-10 ｐ형 ＡｌＧａＮ층 및 그 제조 방법 및 Ⅲ족 질화물 반도체 발광소자
US13/512,747 US8765222B2 (en) 2009-12-10 2010-12-10 Method of manufacturing a p-AlGaN layer
US14/185,132 US20140166943A1 (en) 2009-12-10 2014-02-20 P-AlGAN LAYER AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-280963 2009-12-10
JP2009280963 2009-12-10
JP2010-275128 2010-12-09
JP2010275128A JP4769905B2 (ja) 2009-12-10 2010-12-09 ｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/512,747 A-371-Of-International US8765222B2 (en) 2009-12-10 2010-12-10 Method of manufacturing a p-AlGaN layer
US14/185,132 Division US20140166943A1 (en) 2009-12-10 2014-02-20 P-AlGAN LAYER AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011071191A1 true WO2011071191A1 (ja) 2011-06-16

Family

ID=44145727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/072728 WO2011071191A1 (ja) 2009-12-10 2010-12-10 ｐ型ＡｌＧａＮ層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8765222B2 (ja)
EP (1) EP2511947A4 (ja)
JP (1) JP4769905B2 (ja)
KR (2) KR101454980B1 (ja)
CN (1) CN102782808B (ja)
TW (1) TWI474512B (ja)
WO (1) WO2011071191A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5458037B2 (ja) * 2011-02-18 2014-04-02 日本電信電話株式会社 窒化物半導体薄膜の成長方法
JP5934575B2 (ja) * 2012-05-16 2016-06-15 サンケン電気株式会社 窒化物半導体装置の製造方法
JP5765861B2 (ja) * 2012-08-27 2015-08-19 コバレントマテリアル株式会社 窒化物半導体層の分析方法及びこれを用いた窒化物半導体基板の製造方法
CN104134732B (zh) * 2014-07-24 2017-09-19 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种改善GaN基LED效率下降的外延结构
JP5889981B2 (ja) * 2014-09-09 2016-03-22 株式会社東芝 半導体発光素子
KR101777807B1 (ko) * 2015-03-12 2017-09-12 주식회사 디지털스케치 수화 번역기, 시스템 및 방법
CN113451451B (zh) * 2020-08-20 2022-09-13 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Led外延层及其电流扩展层的生长方法、led芯片
JPWO2023007837A1 (ja) * 2021-07-27 2023-02-02

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005331A (ja) * 2004-05-18 2006-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器
JP2008021717A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Sharp Corp 半導体製造方法および半導体レーザ素子製造方法
JP2008078186A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5693963A (en) * 1994-09-19 1997-12-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device with nitride
JPH0964477A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
US5903017A (en) * 1996-02-26 1999-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor device formed of nitrogen-containing gallium compound such as GaN, AlGaN or InGaN
US5888886A (en) * 1997-06-30 1999-03-30 Sdl, Inc. Method of doping gan layers p-type for device fabrication
US6608330B1 (en) * 1998-09-21 2003-08-19 Nichia Corporation Light emitting device
US7056755B1 (en) * 1999-10-15 2006-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. P-type nitride semiconductor and method of manufacturing the same
JP3946427B2 (ja) * 2000-03-29 2007-07-18 株式会社東芝 エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
JP2001352098A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
US6586762B2 (en) * 2000-07-07 2003-07-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor device with improved lifetime and high output power
US6489636B1 (en) * 2001-03-29 2002-12-03 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
US6526083B1 (en) * 2001-10-09 2003-02-25 Xerox Corporation Two section blue laser diode with reduced output power droop
TWI271877B (en) * 2002-06-04 2007-01-21 Nitride Semiconductors Co Ltd Gallium nitride compound semiconductor device and manufacturing method
JP4110222B2 (ja) * 2003-08-20 2008-07-02 住友電気工業株式会社 発光ダイオード
TWI245440B (en) * 2004-12-30 2005-12-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
JP4916671B2 (ja) * 2005-03-31 2012-04-18 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置
TW200711171A (en) * 2005-04-05 2007-03-16 Toshiba Kk Gallium nitride based semiconductor device and method of manufacturing same
JP4806993B2 (ja) 2005-08-03 2011-11-02 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体膜の形成方法
US7462884B2 (en) * 2005-10-31 2008-12-09 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
KR100829562B1 (ko) * 2006-08-25 2008-05-14 삼성전자주식회사 기판 접합 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조방법
JP2008235606A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sony Corp 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、バックライト、表示装置、電子機器および発光装置
JP5274785B2 (ja) * 2007-03-29 2013-08-28 日本碍子株式会社 ＡｌＧａＮ結晶層の形成方法
JP5580965B2 (ja) * 2007-04-06 2014-08-27 日本オクラロ株式会社 窒化物半導体レーザ装置
JP2009049416A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2010205835A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体光素子、窒化ガリウム系半導体光素子を製造する方法、及びエピタキシャルウエハ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005331A (ja) * 2004-05-18 2006-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器
JP2008021717A (ja) * 2006-07-11 2008-01-31 Sharp Corp 半導体製造方法および半導体レーザ素子製造方法
JP2008078186A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Mitsubishi Chemicals Corp 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2511947A4
YUN F. ET AL., J. APPL. PHYS., vol. 92, 2002, pages 4837

Also Published As

Publication number Publication date
EP2511947A4 (en) 2015-02-25
CN102782808B (zh) 2016-01-20
JP2011142317A (ja) 2011-07-21
JP4769905B2 (ja) 2011-09-07
KR20120099110A (ko) 2012-09-06
US20120248387A1 (en) 2012-10-04
TWI474512B (zh) 2015-02-21
US20140166943A1 (en) 2014-06-19
KR101454980B1 (ko) 2014-10-27
US8765222B2 (en) 2014-07-01
EP2511947A1 (en) 2012-10-17
CN102782808A (zh) 2012-11-14
TW201128804A (en) 2011-08-16
KR20150044419A (ko) 2015-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4769905B2 (ja) ｐ型ＡｌＧａＮ層の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子
JP6179624B2 (ja) 結晶成長方法および発光素子の製造方法
US7662488B2 (en) Nitride-based semiconductor substrate and method of making the same
US7951617B2 (en) Group III nitride semiconductor stacked structure and production method thereof
US20130153858A1 (en) Nitride semiconductor template and light-emitting diode
US20120248456A1 (en) Nitride semiconductor multilayer structure, method for producing same, and nitride semiconductor light-emitting element
JP2007103774A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法
TW202023066A (zh) Iii族氮化物半導體發光元件及其製造方法
CN115881865A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
JP2009238772A (ja) エピタキシャル基板及びエピタキシャル基板の製造方法
WO2002017369A1 (en) Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, metho of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device
US12002903B2 (en) Group-III nitride laminated substrate and semiconductor element
JP2012204540A (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2016020990A1 (ja) 窒化物半導体テンプレート及び発光素子
US20150221502A1 (en) Epitaxial wafer and method for producing same
US20210210602A1 (en) Semiconductor wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor
JP2011151422A (ja) ｐ型ＡｌＧａＮ層およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子
JP2006128653A (ja) ３−５族化合物半導体、その製造方法及びその用途
JP2010258375A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
JP4425871B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物膜の製造用下地膜の製造方法
JP2010016191A (ja) Ｉｉｉ族窒化物系発光素子を作製する方法、及びエピタキシャルウエハを作製する方法
JP2010205937A (ja) 発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子、その製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080063667.6

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10836105

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010836105

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13512747

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127017084

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A