WO2011068223A1 - Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材およびｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板の製造方法 - Google Patents

Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材およびｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011068223A1
WO2011068223A1 PCT/JP2010/071738 JP2010071738W WO2011068223A1 WO 2011068223 A1 WO2011068223 A1 WO 2011068223A1 JP 2010071738 W JP2010071738 W JP 2010071738W WO 2011068223 A1 WO2011068223 A1 WO 2011068223A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
reflective
film
substrate
euv
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/071738
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正樹 三上
Original Assignee
旭硝子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 旭硝子株式会社 filed Critical 旭硝子株式会社
Priority to JP2011544342A priority Critical patent/JP5696666B2/ja
Priority to EP10834673A priority patent/EP2509102A1/en
Priority to KR1020127008639A priority patent/KR20130007534A/ko
Priority to CN201080055041.0A priority patent/CN102640021B/zh
Publication of WO2011068223A1 publication Critical patent/WO2011068223A1/ja
Priority to US13/469,161 priority patent/US8927179B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/061—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements characterised by a multilayer structure

Definitions

  • the present invention relates to an optical member for EUV (Extreme Ultraviolet: hereinafter, abbreviated as EUV) used in semiconductor manufacturing or the like, specifically, a substrate with a reflective layer for lithography (hereinafter referred to as “EUV”). Patterning of a substrate with a reflective layer for lithography “or simply" substrate with a reflective layer ", a reflective mask blank for EUV lithography (hereinafter also referred to as” EUV mask blank "), and the EUV mask blank A reflective mask for EUV lithography (hereinafter referred to as “EUV mask”), a reflective mirror for EUV lithography (hereinafter referred to as “EUV mirror”) (hereinafter collectively referred to as EUV). Lithographic optical member) and EUV lithography The method of manufacturing a substrate with a reflective layer.
  • a photolithography method using visible light or ultraviolet light has been used as a technique for transferring a fine pattern necessary for forming an integrated circuit having a fine pattern on a silicon substrate or the like.
  • the limits of conventional photolithography methods have been approached.
  • the resolution limit of the pattern is about 1 ⁇ 2 of the exposure wavelength, and it is said that the immersion wavelength is about 1 ⁇ 4 of the exposure wavelength, and the immersion of ArF laser (193 nm) is used. Even if the method is used, the limit of about 45 nm is expected.
  • EUV lithography which is an exposure technique using EUV light having a shorter wavelength than an ArF laser, is promising as a next-generation exposure technique using an exposure wavelength shorter than 45 nm.
  • EUV light refers to light having a wavelength in the soft X-ray region or vacuum ultraviolet region, and specifically refers to light having a wavelength of about 10 to 20 nm, particularly about 13.5 nm ⁇ 0.3 nm.
  • a conventional refractive optical system such as photolithography using visible light or ultraviolet light may be used. Can not. For this reason, in the EUV light lithography, a reflective optical system, that is, a reflective photomask and a reflective mirror are used.
  • the mask blank is a laminated body before patterning used for photomask manufacturing.
  • a reflective layer that reflects EUV light and an absorber layer that absorbs EUV light are formed in this order on a glass substrate or the like.
  • a molybdenum (Mo) layer which is a high refractive layer
  • a silicon (Si) layer which is a low refractive layer
  • Mo / Si multilayer reflective film is usually used.
  • the absorber layer a material having a high absorption coefficient for EUV light, specifically, a material mainly composed of chromium (Cr) or tantalum (Ta) is used.
  • a protective layer is usually formed between the reflective layer and the absorber layer.
  • the protective layer is provided for the purpose of protecting the reflective layer so that the reflective layer is not damaged by an etching process performed for the purpose of patterning the absorber layer.
  • Patent Document 1 proposes the use of ruthenium (Ru) as a material for the protective layer.
  • Patent Document 2 proposes a protective layer made of a ruthenium compound (Ru content of 10 to 95 at%) containing Ru and at least one selected from Mo, Nb, Zr, Y, B, Ti, and La. Has been.
  • a mirror used in EUV lithography has a structure in which a reflective layer that reflects EUV light is formed on a substrate such as a glass substrate.
  • a reflective layer since a high EUV light reflectance can be achieved, a multilayer reflective film in which a high refractive layer and a low refractive index layer are alternately laminated a plurality of times is usually used. Therefore, a multilayer mirror in which a multilayer reflective film is formed on such a substrate is usually used as a mirror used in EUV photolithography (see Patent Document 3).
  • a protective layer (protective capping layer) is often formed on the multilayer reflective film for the purpose of protecting the multilayer reflective film from chemical and physical erosion.
  • Patent Document 3 describes that a specific capping layer (protective layer) is provided on a reflective layer because the EUV mirror can withstand chemical and physical attack.
  • the multilayer mirror described in Patent Document 3 includes a protective capping layer made of a material selected from ruthenium (Ru) and rhodium (Rh), and compounds and alloys thereof.
  • JP 2002-122981 A (US Pat. No. 6,699,625) JP 2005-268750 A Japanese Patent No. 4068285 (European Published Patent No. 10655568)
  • the steps performed when manufacturing the mask blank and mirror, and the steps performed when manufacturing a photomask from the mask blank for example, cleaning, defect inspection, heating step, In each step of dry etching and defect correction
  • the Ru protective layer, and further the uppermost layer of the multilayer reflective film in the case of Mo / Si multilayer reflective film, Si layer
  • the EUV light reflectance is reduced when EUV light is irradiated on the surface of the protective layer.
  • the exposure conditions may be changed in the middle, leading to a reduction in the lifetime of the photomask and mirror, which may be problematic.
  • a process performed when manufacturing a mask blank or a mirror or a process performed when manufacturing a photomask from the mask blank for example, cleaning, defect inspection, heating process, dry etching, defect correction
  • the Ru protective layer and further the uppermost layer of the multilayer reflective film are oxidized, and the EUV light reflectance when the protective layer surface is irradiated with EUV light is reduced. May be simply referred to as “reduction in EUV light reflectance due to oxidation of the Ru protective layer”.
  • the protective layer described in Patent Document 2 does not cause a decrease in the reflectance of the multilayer reflective film and can sufficiently obtain the antioxidant effect of the multilayer reflective film.
  • the decrease in the reflectance of the multilayer reflective film referred to here is most apparent from the description in paragraph [0006] of the same document, due to the most during the formation of the Ru protective layer and the subsequent heat treatment.
  • the upper layer, the Si layer and the Ru protective layer are intended to reduce the reflectivity by forming a diffusion layer, and as described above, the EUV light reflectivity is decreased due to oxidation of the Ru protective layer. It is unclear whether they are doing it.
  • the present invention is a substrate with a reflective layer for EUV lithography, an EUV mask blank, an optical member such as an EUV mask or an EUV mirror, in which a decrease in EUV light reflectance due to oxidation of a Ru protective layer is suppressed, And it aims at providing the manufacturing method of this board
  • the inventors of the present invention formed an intermediate layer containing a predetermined amount of Si and O between the Mo / Si multilayer reflective film and the Ru protective layer. It has been found that a decrease in EUV light reflectance due to oxidation of the protective layer can be suppressed.
  • the present invention has been made based on the above-mentioned findings of the present inventors, and an EUV in which a reflective layer that reflects EUV light and a protective layer that protects the reflective layer are formed on a substrate in this order.
  • a substrate with a reflective layer for lithography The reflective layer is a Mo / Si multilayer reflective film;
  • the protective layer is a Ru layer or a Ru compound layer;
  • For EUV lithography wherein an intermediate layer containing oxygen of 0.5 to 20 at% and Si of 80 to 99.5 at% is formed between the reflective layer and the protective layer
  • a substrate with a reflective layer hereinafter also referred to as “the substrate with a reflective layer of the present invention” in the present specification) is provided.
  • the uppermost layer of the reflective layer made of the Mo / Si multilayer reflective film is a Si film, and the intermediate layer is provided on the Si film surface.
  • the thickness of the intermediate layer is preferably 0.2 to 2.5 nm.
  • the surface roughness rms of the protective layer surface is preferably 0.5 nm or less.
  • the protective layer preferably has a thickness of 1 to 10 nm.
  • the present invention is a reflective mask blank for EUV lithography in which an absorber layer is formed on the protective layer of the above-described substrate with a reflective layer of the present invention (hereinafter also referred to as “EUV mask blank of the present invention”). I will provide a.
  • the absorber layer is preferably formed of a material mainly composed of tantalum (Ta).
  • the etching selectivity between the protective layer and the absorber layer when dry etching is performed using a chlorine-based gas as an etching gas is preferably 10 or more.
  • a low reflection layer for inspection light used for inspection of a mask pattern which is formed of a material mainly containing tantalum (Ta), is provided on the absorber layer. preferable.
  • the reflected light on the surface of the protective layer with respect to the wavelength of light used for inspection of the pattern formed on the absorber layer, and the surface on the surface of the low reflection layer is preferably 30% or more.
  • the present invention also provides a reflective mask for EUV lithography (hereinafter also referred to as “the EUV mask of the present invention”) obtained by patterning the EUV mask blank of the present invention described above.
  • EUV mirror of the present invention using the substrate with a reflective layer for EUV lithography is provided.
  • the present invention also provides a method for forming EUV lithography (EUVL) by forming a multilayer reflective film that reflects EUV light on a film formation surface of a substrate and then forming a protective layer for the multilayer reflective film on the multilayer reflective film.
  • EUVL EUV lithography
  • a method for producing a substrate with a reflective layer for EUVL comprising: The multilayer reflective film is a Mo / Si multilayer reflective film, The protective layer is a Ru layer or a Ru compound layer; A substrate with a reflective layer for EUVL, wherein after forming the Mo / Si multilayer reflective film, the protective layer is formed after exposing the surface of the Si film, which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film, to an oxygen-containing atmosphere.
  • a manufacturing method is provided.
  • the temperature of the oxygen-containing atmosphere is preferably 0 to 150 ° C.
  • the Si layer surface which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film
  • the EUV mask blank or EUV mirror using the substrate with the reflective layer In the substrate with a reflective layer of the present invention, and the EUV mask blank or EUV mirror using the substrate with the reflective layer, a decrease in EUV light reflectance due to oxidation of the Ru protective layer is suppressed. Further, by suppressing the progress of the EUV light reflectance over time during EUV exposure, it is not necessary to change the exposure conditions in the middle, and the life of the EUV mask or EUV mirror can be prolonged.
  • the EUV mask produced using the EUV mask blank of the present invention is a highly reliable EUV mask in which the EUV light reflectivity is small with time during EUV exposure.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of an EUV mask blank of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment in which a low reflection layer is formed on the absorber layer of the EUV mask blank of FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the absorber layer 14 and the low reflective layer 15 of the EUV mask blank 1 ′ of FIG.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the EUV mirror of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the EUV mask blank of the present invention.
  • a reflective layer 12 that reflects EUV light and a protective layer 14 for protecting the reflective layer 12 are formed on a substrate 11 in this order.
  • the EUV mask blank of the present invention is characterized in that an intermediate layer 13 containing a predetermined amount of oxygen and Si described later is formed between the reflective layer 12 and the protective layer 14.
  • An absorber layer 15 is formed on the protective layer 14.
  • FIG. 4 is a schematic sectional view showing an embodiment of the EUV mirror of the present invention.
  • a member having a multilayer film that reflects EUV light is also referred to as an “EUV optical member”.
  • the thermal expansion coefficient of the substrate 11 is preferably 0 ⁇ 1.0 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., more preferably 0 ⁇ 0.3 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., and further preferably 0 ⁇ . It is 0.2 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., more preferably 0 ⁇ 0.1 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., particularly preferably 0 ⁇ 0.05 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.
  • the substrate preferably has excellent smoothness, flatness, and resistance to a cleaning liquid used for cleaning a mask blank or a photomask after pattern formation.
  • the substrate 11 is made of glass having a low thermal expansion coefficient, such as SiO 2 —TiO 2 glass, but is not limited to this. Crystallized glass, quartz glass, silicon or the like on which ⁇ quartz solid solution is precipitated is used. A substrate made of metal or the like can also be used. A film such as a stress correction film may be formed on the substrate 11. Since the substrate 11 has a smooth surface with a surface roughness rms of 0.15 nm or less and a flatness of 100 nm or less, high reflectivity and transfer accuracy can be obtained in a photomask after pattern formation. preferable.
  • the size, thickness, etc. of the substrate 11 are appropriately determined by the design value of the mask.
  • SiO 2 —TiO 2 glass having an outer diameter of 6 inches (152.4 mm) square and a thickness of 0.25 inches (6.3 mm) was used.
  • the size of the substrate used for the mirror is appropriately determined depending on the design value of the exposure machine, and a substrate having a diameter of about 50 to 500 mm is usually used.
  • the mask blank substrate has a rectangular shape such as a square in plan view.
  • the mirror substrate has many circular, elliptical and polygonal planar shapes. It is preferable that no defects exist on the surface of the substrate 11 on the side where the multilayer reflective layer 12 is formed.
  • the depth of the concave defect and the height of the convex defect are not more than 2 nm so that the phase defect does not occur due to the concave defect and / or the convex defect. It is preferable that the half width of the defect and the convex defect is 60 nm or less.
  • An important characteristic for the reflective layer 12 of the EUV optical member is a high EUV light reflectance. Specifically, when the surface of the reflective layer 12 is irradiated with light in the wavelength region of EUV light at an incident angle of 6 degrees, the maximum value of light reflectance near a wavelength of 13.5 nm is preferably 60% or more, More preferably, it is 65% or more. Even when the intermediate layer 13 and the protective layer 14 are provided on the reflective layer 12, the maximum value of the light reflectance near the wavelength of 13.5 nm is preferably 60% or more, and 65% or more. More preferably.
  • the EUV optical member of the present invention uses a Mo / Si multilayer reflective film in which a Mo film as a high refractive index film and a Si film as a low refractive index film are alternately laminated a plurality of times.
  • the first layer in contact with the substrate 11 is preferably a Mo film
  • the uppermost layer of the laminated Mo / Si multilayer reflective film is preferably a Si film.
  • a Mo / Si multilayer reflective film in order to obtain the reflective layer 12 having a maximum EUV light reflectance of 60% or more, a Mo layer having a film thickness of 2.3 ⁇ 0.1 nm, a film thickness of 4.5 ⁇ A 0.1 nm Si layer may be stacked so that the number of repeating units is 30 to 60.
  • each layer which comprises a Mo / Si multilayer reflective film so that it may become desired thickness using well-known film-forming methods, such as a magnetron sputtering method and an ion beam sputtering method.
  • a Mo target is used as a target and Ar gas (gas pressure 1.3 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 2.7 ⁇ 10 ⁇ as a sputtering gas). 2 Pa)
  • an Mo layer is deposited on the substrate surface so that the thickness is 2.3 nm at an ion acceleration voltage of 300 to 1500 V and a deposition rate of 0.03 to 0.30 nm / sec.
  • a Si target was used as a target
  • Ar gas gas pressure 1.3 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 2.7 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa
  • a sputtering gas was used as a sputtering gas
  • an ion acceleration voltage 300 to 1500 V was used as a film formation rate.
  • the Si layer so that the thickness becomes 4.5 nm at 0.03 to 0.30 nm / sec. With this as one period, the Mo / Si multilayer reflective film is formed by laminating the Mo layer and the Si layer for 40 to 50 periods.
  • an intermediate layer 13 containing 0.5 to 20 at% oxygen and 80 to 99.5 at% oxygen is formed between the reflective layer 12 and the protective layer 14. This suppresses a decrease in EUV light reflectance due to oxidation of the Ru protective layer.
  • the reason why the formation of the intermediate layer 13 having the above composition between the reflective layer 12 and the protective layer 14 suppresses the decrease in EUV light reflectance due to oxidation of the Ru protective layer is considered as follows.
  • the intermediate layer 13 having the above composition is preliminarily provided with oxygen in the intermediate layer 13 so that the reflectivity is not lowered due to a large amount of oxygen contained in the uppermost Si film of the reflective layer 12 due to oxidation of the Ru protective layer.
  • the EUV light reflectance after film formation is high and has an effect of suppressing further oxidation. Accordingly, (1) a process performed when manufacturing an optical member, and (2) a process performed when manufacturing a photomask from a mask blank (for example, cleaning, defect inspection, heating process, dry etching, defect correction) In each step), or (3) even when a situation occurs in which the Ru protective layer is oxidized during EUV exposure, the presence of the intermediate layer 13 having an effect of suppressing further oxidation causes the intermediate It is considered that oxidation of the Mo / Si multilayer reflective film under the layer 13 is suppressed, more specifically, oxidation of the uppermost Si film of the Mo / Si multilayer reflective film is suppressed.
  • the Mo / Si multilayer reflective film of the Mo / Si multilayer reflective film is formed when the protective layer 14 is formed. It is possible to prevent Si in the uppermost Si film from diffusing into the Ru protective layer.
  • the intermediate layer 13 having the above composition exposes the surface of the Si film, which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film, to an oxygen-containing atmosphere. Can be formed.
  • the oxygen content in the intermediate layer 13 exceeds 20 at%, the formation of the protective layer 14 formed on the Si layer, which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film, or on the intermediate layer 13 is performed.
  • the intermediate layer 13 contains 0.5 to 15 at% oxygen, preferably contains 85 to 99.5 at% Si, contains 0.5 to 10 at% oxygen, and contains 80 to 99.5 at% Si. More preferably, it contains 2 to 8 at% of oxygen, more preferably contains 92 to 98 at% of Si, more preferably contains 3 to 7 at% of oxygen, and further preferably contains 93 to 97 at% of Si, It is particularly preferable to contain 4 to 6 at% of Si and 94 to 96 at% of Si.
  • the intermediate layer 13 preferably does not contain fluorine. Further, if carbon or hydrogen is contained in the intermediate layer 13, the intermediate layer 13 may react with oxygen in the intermediate layer 13 to release oxygen in the intermediate layer 13. Preferably it does not contain carbon or hydrogen. For these reasons, the content of fluorine, carbon, and hydrogen in the intermediate layer 13 is preferably 3 at% or less, and more preferably 1 at% or less.
  • the thickness of the intermediate layer 13 is preferably 0.2 to 2.5 nm from the viewpoint of the effect of suppressing a decrease in EUV light reflectance due to oxidation of the Ru protective layer, and is preferably 0.4 to 2.0 nm. Is more preferably 0.5 to 1.5 nm.
  • the intermediate layer 13 is formed by exposing the surface of the Si film, which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film, to an oxygen-containing atmosphere after the formation of the Mo / Si multilayer reflective film, and slightly oxidizing the surface of the Si film. Can be formed. Note that the oxidation of the Si film surface caused by exposing the surface of the Si film to an oxygen-containing atmosphere is slight and does not lead to a decrease in EUV light reflectance. That is, the above-described reduction in EUV light reflectance due to oxidation of the Ru protective layer is the most significant of the Ru protective layer and the Mo / Si multilayer reflective film during the production of the optical member, the photomask, or the EUV exposure.
  • the product of the oxygen partial pressure and the exposure time is an index indicating the frequency with which the oxygen in the oxygen-containing atmosphere collides with the surface of the Si film, and may hereinafter be referred to as “oxygen exposure amount”.
  • This value is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Torr ⁇ s or more, and is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 Torr ⁇ s or more for forming the intermediate layer 13 having the above composition by oxidation of the Si film surface. It is more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Torr ⁇ s or more, and further preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 1 Torr ⁇ s or more.
  • a procedure for exposing the surface of the Si film to an oxygen-containing atmosphere a procedure for exposing the surface of the Si film to the atmosphere may be performed as shown in Examples 1 and 4, as shown in Examples 2, 3, and 5.
  • a procedure of exposing the surface of the Si film to oxygen gas (may be a mixed gas of oxygen gas and an inert gas such as argon) under a reduced pressure atmosphere may be performed.
  • the procedure of exposing the surface of the Si film to the atmosphere is preferable because the operation is simple and no special apparatus is required.
  • the procedure for exposing the surface of the Si film to oxygen gas under a reduced-pressure atmosphere is that when the multilayer reflective film and the protective layer are formed in the same chamber, the Si film surface is exposed to oxygen.
  • oxygen gas or a mixed gas of oxygen gas and an inert gas such as argon in a reduced pressure atmosphere as shown in Example 3, ultraviolet rays are applied to the Si film surface in the reduced pressure atmosphere. Irradiation is preferable to promote oxidation of the Si film surface.
  • the procedure for exposing the Si film surface to the oxygen-containing atmosphere is not particularly limited as long as the oxygen-containing atmosphere for exposing the Si film surface satisfies the above conditions.
  • the procedure for exposing the Si film surface to oxygen gas or a mixed gas of oxygen gas and an inert gas such as argon under a reduced pressure atmosphere as in the procedures shown in Examples 2, 3, and 5 is a multilayer reflection.
  • the surface of the Si film is exposed to oxygen gas (or a mixed gas of oxygen gas and an inert gas such as argon).
  • the temperature of the oxygen-containing atmosphere that exposes the Si film surface is preferably 0 to 150 ° C. If the temperature of the oxygen-containing atmosphere is less than 0 ° C., there may be a problem of influence due to adsorption of residual moisture in vacuum. When the temperature of the oxygen-containing atmosphere is higher than 150 ° C., the oxidation of the Si film proceeds excessively, and the EUV light reflectance of the Mo / Si multilayer reflective film may be lowered.
  • the temperature of the oxygen-containing atmosphere is more preferably 10 to 140 ° C., and further preferably 20 to 120 ° C.
  • the temperature of the oxygen-containing atmosphere is preferably 50 ° C. or lower because the oxidation of the Si film surface is promoted.
  • the temperature of the oxygen-containing atmosphere is preferably 50 ° C. or lower because the oxidation of the Si film surface is promoted.
  • the time for exposing the Si film surface to the oxygen-containing atmosphere is 10 minutes (600 sec), but the time for exposing the Si film surface to the oxygen-containing atmosphere is not limited to this. It can select suitably in the range which satisfy
  • the protective layer 14 is provided for the purpose of protecting the reflective layer 12 so that the reflective layer 12 is not damaged by the etching process when the absorber layer 15 is patterned by an etching process, usually a dry etching process. Therefore, as the material of the protective layer 14, a material that is not easily affected by the etching process of the absorber layer 15, that is, the etching rate is slower than that of the absorber layer 15 and is not easily damaged by the etching process is selected.
  • the protective layer 14 itself preferably has a high EUV light reflectance so that the EUV light reflectance in the reflective layer 12 is not impaired even after the protective layer 14 is formed.
  • a Ru layer or a Ru compound layer is formed as the protective layer 14.
  • the Ru compound of the Ru compound layer for example, at least one selected from the group consisting of RuB, RuZr, RuSi, and RuNb is preferable.
  • the protective layer 14 is a Ru compound layer
  • the content of Ru is preferably 50 at% or more, 80 at%, particularly 90 at% or more.
  • the protective layer 14 is a RuNb layer
  • the content of Nb in the protective layer 14 is preferably about 10 to 40 at% from the viewpoint of preventing reduction in EUV reflectance.
  • the surface roughness rms on the surface of the protective layer 14 is preferably 0.5 nm or less.
  • the surface roughness of the surface of the protective layer 14 is large, the surface roughness of the absorber layer 15 formed on the protective layer 14 increases, and the edge roughness of the pattern formed on the absorber layer 15 increases.
  • the dimensional accuracy of the pattern deteriorates. Since the influence of edge roughness becomes more prominent as the pattern becomes finer, it is important that the surface of the absorber layer 15 is smooth.
  • the surface roughness rms of the surface of the protective layer 14 is 0.5 nm or less, the surface of the absorber layer 15 formed on the protective layer 14 is sufficiently smooth, so that the dimensional accuracy of the pattern deteriorates due to the influence of edge roughness. There is no fear.
  • the surface roughness rms of the surface of the protective layer 14 is more preferably 0.4 nm or less, and further preferably 0.3 nm or less.
  • the thickness of the protective layer 14 is preferably 1 to 10 nm because the EUV light reflectance can be increased and the etching resistance can be obtained.
  • the thickness of the protective layer 14 is more preferably 1 to 5 nm, and further preferably 2 to 4 nm.
  • the protective layer 14 can be formed using a known film formation method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • a Ru layer is formed as the protective layer 14 using a magnetron sputtering method
  • a Ru target may be used as a target and discharged in an argon (Ar) atmosphere.
  • magnetron sputtering may be performed under the following conditions.
  • Input power (for each target): 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W.
  • Film forming speed 0.1 to 6 nm / sec, preferably 0.1 to 4.5 nm / sec, more preferably 0.1 to 3 nm / sec.
  • the state before forming the absorber layer of the EUV mask blank of the present invention that is, the structure excluding the absorber layer 15 of the mask blank 1 shown in FIG. 1 is the substrate with a reflective layer of the present invention.
  • the substrate with a reflective layer of the present invention can also be used as an EUV mirror.
  • the decrease in EUV light reflectance before and after cleaning is 0.9% or less. It is preferably 0.5% or less.
  • the absorber layer 15 An important characteristic of the absorber layer 15 is that the EUV light reflectance is very low. Specifically, when the surface of the absorber layer 15 is irradiated with light in the wavelength region of EUV light, the maximum light reflectance near a wavelength of 13.5 nm is preferably 0.5% or less, 0.1% The following is more preferable. In order to achieve the above-mentioned characteristics, it is preferable that the material is composed of a material having a high EUV light absorption coefficient, and it is preferable that the material is mainly composed of tantalum (Ta). Examples of the absorber layer 15 include those containing Ta, B, Si, and nitrogen (N) in the ratios described below (TaBSiN film).
  • B content 1 at% or more and less than 5 at%, preferably 1 to 4.5 at%, more preferably 1.5 to 4 at%.
  • Si content 1 to 25 at%, preferably 1 to 20 at%, more preferably 2 to 12 at%.
  • Ta content preferably 50 to 90 at%, more preferably 60 to 80 at%.
  • N content preferably 5 to 30 at%, more preferably 10 to 25 at%.
  • the absorber layer 15 having the above composition has an amorphous crystal state and excellent surface smoothness.
  • the absorber layer 15 having the above composition has a surface roughness rms of 0.5 nm or less. If the surface roughness of the surface of the absorber layer 15 is large, the edge roughness of the pattern formed on the absorber layer 15 increases, and the dimensional accuracy of the pattern deteriorates. Since the influence of edge roughness becomes more prominent as the pattern becomes finer, it is important that the surface of the absorber layer 15 is smooth.
  • the surface roughness rms of the surface of the absorber layer 15 is 0.5 nm or less, the surface of the absorber layer 15 is sufficiently smooth, and there is no possibility that the dimensional accuracy of the pattern is deteriorated due to the influence of edge roughness.
  • the surface roughness rms on the surface of the absorber layer 15 is more preferably 0.4 nm or less, and further preferably 0.3 nm or less.
  • the etching rate is high when dry etching is performed using a chlorine-based gas as an etching gas, and the etching selectivity with the protective layer 14 is 10 or more.
  • the etching selectivity can be calculated using the following equation (1).
  • Etching selectivity (etching rate of absorber layer 15) / (etching rate of protective layer 14) (1)
  • the etching selection ratio is preferably 10 or more, more preferably 11 or more, and further preferably 12 or more.
  • the thickness of the absorber layer 15 is preferably 50 to 100 nm.
  • the absorption layer 15 having the above-described configuration can be formed using a known film formation method such as a magnetron sputtering method or a sputtering method such as an ion beam sputtering method.
  • the absorber layer 15 can be formed by the following methods (1) to (3). (1) Using the Ta target, B target and Si target, the absorber layer 15 is formed by simultaneously discharging these individual targets in a nitrogen (N 2 ) atmosphere diluted with Ar. (2) Using the TaB compound target and the Si target, the absorber layer 15 is formed by simultaneously discharging these targets in an N 2 atmosphere diluted with Ar.
  • the absorber layer 15 is formed by discharging the target in which these three elements are integrated in an N 2 atmosphere diluted with Ar.
  • the composition of the absorber layer 15 to be formed is controlled by adjusting the input power of each target. can do.
  • the methods (2) and (3) are preferable from the viewpoint of avoiding unstable discharge and variations in film composition and film thickness, and the method (3) is particularly preferable.
  • the following film forming conditions may be used.
  • Sputtering gas Ar and N 2 mixed gas (N 2 gas concentration 3 to 80 vol%, preferably 5 to 30 vol%, more preferably 8 to 15 vol%).
  • Gas pressure 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 10 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 5 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 3 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa.
  • Film forming speed 2.0 to 60 nm / sec, preferably 3.5 to 45 nm / sec, more preferably 5 to 30 nm / sec.
  • Sputtering gas Ar and N 2 mixed gas (N 2 gas concentration 3 to 80 vol%, preferably 5 to 30 vol%, more preferably 8 to 15 vol%).
  • Gas pressure 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 10 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 5 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 3 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa).
  • Input power 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W.
  • Film forming speed 2.0 to 60 nm / sec, preferably 3.5 to 45 nm / sec, more preferably 5 to 30 nm / sec.
  • a low reflection layer 16 for inspection light used for inspection of a mask pattern is preferably formed on the absorber layer 15 like an EUV mask blank 1 ′ shown in FIG.
  • an inspection machine that normally uses light of about 257 nm as inspection light is used. That is, the difference in reflectance of light of about 257 nm, specifically, the surface where the absorber layer 15 is removed by pattern formation and the surface of the absorber layer 15 remaining without being removed by pattern formation, It is inspected by the difference in reflectance.
  • the former is the surface of the protective layer 14. Therefore, if the difference in reflectance between the surface of the protective layer 14 and the surface of the absorber layer 15 with respect to the wavelength of the inspection light is small, the contrast at the time of inspection deteriorates and accurate inspection cannot be performed.
  • the absorber layer 15 having the above-described configuration has extremely low EUV light reflectance, and has excellent characteristics as an absorption layer of an EUV mask blank.
  • the light reflectance is not always sufficient. It's not low.
  • the difference between the reflectance on the surface of the absorber layer 15 and the reflectance on the surface of the protective layer 14 at the wavelength of the inspection light becomes small, and there is a possibility that sufficient contrast at the time of inspection cannot be obtained. If sufficient contrast at the time of inspection is not obtained, pattern defects cannot be sufficiently determined in mask inspection, and accurate defect inspection cannot be performed.
  • the low reflection layer 16 is formed on the absorber layer 15 to improve the contrast at the time of inspection. In other words, at the wavelength of the inspection light.
  • the light reflectance is extremely low.
  • the low reflection layer 16 formed for such a purpose has a maximum light reflectance of 15% or less, preferably 10% or less, when irradiated with light in the wavelength region of the inspection light. More preferably, it is 5% or less. If the light reflectance at the wavelength of the inspection light in the low reflection layer 16 is 15% or less, the contrast during the inspection is good. Specifically, the contrast between the reflected light having the wavelength of the inspection light on the surface of the protective layer 14 and the reflected light having the wavelength of the inspection light on the surface of the low reflection layer 16 is 30%, preferably 40% or more.
  • Contrast (%) ((R 2 ⁇ R 1 ) / (R 2 + R 1 )) ⁇ 100 (2)
  • R 2 at the wavelength of the inspection light is a reflectance on the surface of the protective layer 14
  • R 1 is a reflectance on the surface of the low reflective layer 16.
  • R 1 and R 2 are measured in a state where patterns are formed on the absorber layer 15 and the low reflection layer 16 of the EUV mask blank 1 ′ shown in FIG. 2 (that is, the state shown in FIG. 3).
  • the R 2 is a value measured on the surface of the protective layer 14 exposed to the outside after the absorber layer 15 and the low reflection layer 16 are removed by pattern formation in FIG.
  • the contrast represented by the above formula is more preferably 45% or more, further preferably 60% or more, and particularly preferably 80% or more.
  • the low reflection layer 16 is preferably made of a material whose refractive index at the wavelength of the inspection light is lower than that of the absorber layer 15, and its crystal state is preferably amorphous.
  • a low reflection layer 16 include those containing Ta, B, Si and oxygen (O) in the ratios described below (low reflection layer (TaBSiO)).
  • B content 1 at% or more and less than 5 at%, preferably 1 to 4.5 at%, more preferably 1.5 to 4 at%.
  • -Si content 1 to 25 at%, preferably 1 to 20 at%, more preferably 2 to 10 at%.
  • the low reflection layer 16 include those containing Ta, B, Si, O, and N in the ratios described below (low reflection layer (TaBSiON)).
  • B content 1 at% or more and less than 5 at%, preferably 1 to 4.5 at%, more preferably 2 to 4.0 at%.
  • -Si content 1 to 25 at%, preferably 1 to 20 at%, more preferably 2 to 10 at%.
  • the crystal state thereof is amorphous and the surface thereof is excellent in smoothness.
  • the surface roughness rms of the surfaces of the low reflection layers (TaBSiO) and (TaBSiON) is 0.5 nm or less.
  • it is important that the surface of the absorber layer 15 is smooth in order to prevent deterioration of the dimensional accuracy of the pattern due to the influence of edge roughness. Since the low reflection layer 16 is formed on the absorber layer 15, for the same reason, it is important that the surface thereof is smooth.
  • the surface roughness rms of the surface of the low reflective layer 16 is 0.5 nm or less, the surface of the low reflective layer 16 is sufficiently smooth, and the dimensional accuracy of the pattern does not deteriorate due to the influence of edge roughness.
  • the surface roughness rms of the surface of the low reflective layer 16 is more preferably 0.4 nm or less, and further preferably 0.3 nm or less.
  • the total thickness of the absorber layer 15 and the low reflective layer 16 is preferably 55 to 130 nm. Further, if the thickness of the low reflection layer 16 is larger than the thickness of the absorber layer 15, the EUV light absorption characteristics in the absorber layer 15 may be deteriorated. Therefore, the thickness of the low reflection layer 16 is determined by the absorber layer. It is preferred that the thickness is less than 15. Therefore, the thickness of the low reflection layer 16 is preferably 5 to 30 nm, and more preferably 10 to 20 nm.
  • the low reflective layers (TaBSiO) and (TaBSiON) can be formed using a known film forming method such as a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method.
  • the low reflection layer (TaBSiO) can be formed by the methods 1) to (3).
  • a Ta target, B target and Si target a low reflective layer (TaBSiO) is formed by simultaneously discharging these individual targets in an oxygen (O 2 ) atmosphere diluted with argon (Ar). .
  • a TaB compound target and a Si target are used, and these targets are simultaneously discharged in an oxygen atmosphere diluted with argon to form a low reflective layer (TaBSiO).
  • the target integrated with these three elements is discharged in an oxygen atmosphere diluted with argon to form a low reflective layer (TaBSiO).
  • the composition of the low reflection layer (TaBSiO) formed by adjusting the input power of each target. Can be controlled.
  • the methods (2) and (3) are preferable from the viewpoint of avoiding unstable discharge and variations in film composition and film thickness, and the method (3) is particularly preferable.
  • the same procedure as described above may be performed in an oxygen / nitrogen mixed gas atmosphere diluted with argon instead of an oxygen atmosphere diluted with argon.
  • the following film formation conditions may be used.
  • Sputtering gas Ar and O 2 mixed gas (O 2 gas concentration 3 to 80 vol%, preferably 5 to 30 vol%, more preferably 8 to 15 vol%).
  • Gas pressure 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 10 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 5 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 3 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa.
  • Film formation rate 2.0 to 60 nm / sec, preferably 3.5 to 45 nm / sec, more preferably 5 to 30 nm / sec [Method of using TaBSi compound target (3)]
  • Sputtering gas Ar and O 2 mixed gas (O 2 gas concentration 3 to 80 vol%, preferably 5 to 30 vol%, more preferably 8 to 15 vol%).
  • Gas pressure 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 10 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 5 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa to 3 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa.
  • Input power 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W.
  • Film formation rate 2.0 to 50 nm / sec, preferably 2.5 to 35 nm / sec, more preferably 5 to 25 nm / sec.
  • the following film formation conditions may be used.
  • Sputtering gas Ar, O 2 and N 2 mixed gas (O 2 gas concentration 5 to 30% by volume, N 2 gas concentration 5 to 30% by volume, preferably O 2 gas concentration 6 to 25% by volume, N 2 gas (Concentration 6 to 25% by volume, more preferably O 2 gas concentration 10 to 20% by volume, N 2 gas concentration 15 to 25% by volume).
  • Gas pressure 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 10 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 5 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 3 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa.
  • Input power (for each target) 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W.
  • Film formation rate 2.0 to 50 nm / sec, preferably 2.5 to 35 nm / sec, more preferably 5 to 25 nm / sec.
  • Sputtering gas Ar, O 2 and N 2 mixed gas (O 2 gas concentration 5 to 30% by volume, N 2 gas concentration 5 to 30% by volume, preferably O 2 gas concentration 6 to 25% by volume, N 2 gas (Concentration 6 to 25% by volume, more preferably O 2 gas concentration 10 to 20% by volume, N 2 gas concentration 15 to 25% by volume).
  • Gas pressure 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 10 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 5 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, more preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa to 3 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa.
  • Input power 30 to 1000 W, preferably 50 to 750 W, more preferably 80 to 500 W.
  • Film formation rate 2.0 to 50 nm / sec, preferably 2.5 to 35 nm / sec, more preferably 5 to 25 nm / sec.
  • the reason why the low reflection layer 16 is preferably formed on the absorber layer 15 as in the EUV mask blank 1 ′ shown in FIG. 2 is that the wavelength of the inspection light for the pattern and the wavelength of the EUV light are different. is there. Therefore, when EUV light (near 13.5 nm) is used as pattern inspection light, it is considered unnecessary to form the low reflection layer 16 on the absorber layer 15.
  • the wavelength of the inspection light tends to shift to the short wavelength side as the pattern size becomes smaller, and it is conceivable that it will shift to 193 nm and further to 13.5 nm in the future.
  • the wavelength of the inspection light is 13.5 nm, it is considered unnecessary to form the low reflection layer 16 on the absorber layer 15.
  • the EUV mask blank of the present invention may have a functional film known in the field of EUV mask blanks.
  • a functional film for example, as described in Japanese Patent Application Publication No. 2003-501823, a high dielectric property applied to the back side of the substrate in order to promote electrostatic chucking of the substrate. A coating is mentioned.
  • the back surface of the substrate refers to the surface of the substrate 11 in FIG. 1 opposite to the side on which the reflective layer 12 is formed.
  • the electrical conductivity and thickness of the constituent material are selected so that the sheet resistance is 100 ⁇ / ⁇ or less.
  • the constituent material of the high dielectric coating can be widely selected from those described in known literature.
  • a high dielectric constant coating described in JP-A-2003-501823 specifically, a coating selected from the group consisting of silicon, TiN, molybdenum, chromium, and TaSi can be applied.
  • the thickness of the high dielectric coating can be, for example, 10 to 1000 nm.
  • the high dielectric coating can be formed using a known film forming method, for example, a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method, a CVD method, a vacuum evaporation method, or an electrolytic plating method.
  • a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method
  • a CVD method a vacuum evaporation method
  • electrolytic plating method electrolytic plating method
  • the present invention also provides an EUV mask patterned on the EUV mask blank in addition to the above-mentioned substrate with a reflective film and EUV mask blank.
  • the EUV mask of the present invention is produced by patterning at least the absorber layer of the EUV mask blank of the present invention (in the case where a low reflection layer is formed on the absorber layer), the absorber layer and the low reflection layer). be able to.
  • the patterning method of the absorber layer (when the low-reflection layer is formed on the absorber layer, the absorber layer and the low-reflection layer) is not particularly limited.
  • the absorber layer (low reflection on the absorber layer)
  • a resist is applied on the absorber layer and the low reflection layer to form a resist pattern, and this is used as a mask to form the absorber layer (the low reflection layer on the absorber layer).
  • a method of etching the absorber layer and the low reflection layer can be employed.
  • the resist material and resist pattern drawing method can be selected as appropriate in consideration of the material of the absorber layer (in the case where a low reflection layer is formed on the absorber layer, the absorber layer and the low reflection layer). Good.
  • the etching method of the absorber layer is not particularly limited, and dry etching such as reactive ion etching or wet etching is employed. it can. After patterning the absorber layer (when the low reflection layer is formed on the absorber layer, the absorber layer and the low reflection layer), the resist is stripped with a stripping solution to obtain the EUV mask of the present invention. It is done. In manufacturing a semiconductor integrated circuit using the EUV mask according to the present invention, it can be applied to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit by a photolithography method using EUV light as an exposure light source.
  • a substrate such as a silicon wafer coated with a resist is placed on a stage, and the EUV mask is installed in a reflective exposure apparatus configured by combining a reflecting mirror. Then, the EUV light is irradiated from the light source to the EUV mask through the reflecting mirror, and the EUV light is reflected by the EUV mask and irradiated to the substrate coated with the resist.
  • the circuit pattern is transferred onto the substrate.
  • the substrate on which the circuit pattern has been transferred is subjected to development to etch the photosensitive portion or the non-photosensitive portion, and then the resist is removed.
  • a semiconductor integrated circuit is manufactured by repeating such steps.
  • a mask blank 1 ′ shown in FIG. 2 was produced.
  • a SiO 2 —TiO 2 glass substrate (outer diameter 6 inches (152.4 mm) square, thickness 6.3 mm) was used.
  • This glass substrate has a thermal expansion coefficient of 0.2 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., a Young's modulus of 67 GPa, a Poisson's ratio of 0.17, and a specific rigidity of 3.07 ⁇ 10 7 m 2 / s 2 .
  • This glass substrate was polished to form a smooth surface with a surface roughness rms of 0.15 nm or less and a flatness of 100 nm or less.
  • a high dielectric coating (not shown) having a sheet resistance of 100 ⁇ / ⁇ was applied to the back surface of the substrate 11 by depositing a Cr film having a thickness of 100 nm using a magnetron sputtering method.
  • a substrate 11 (outer dimensions 6 inches (152.4 mm) square, thickness 6.3 mm) is fixed to a normal electrostatic chuck having a flat plate shape by using the formed Cr film, and ions are formed on the surface of the substrate 11.
  • the Mo / Si multilayer reflective film (reflective layer) having a total film thickness of 340 nm ((2.3 nm + 4.5 nm) ⁇ 50) is obtained by repeating 50 cycles of alternately forming the Mo film and the Si film by using the beam sputtering method. 12) was formed.
  • the uppermost layer of the multilayer reflective film 12 is a Si film.
  • the conditions for forming the Mo film and the Si film are as follows.
  • Mo film formation conditions -Target: Mo target.
  • Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0.02 Pa).
  • Film forming speed 0.064 nm / sec.
  • -Film thickness 2.3 nm.
  • Target Si target (boron doped).
  • Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0.02 Pa).
  • -Voltage 700V.
  • Film forming speed 0.077 nm / sec. -Film thickness: 4.5 nm.
  • the surface of the uppermost Si film of the Mo / Si multilayer reflective film is exposed to the atmosphere (oxygen concentration 21 vol%) for 10 minutes at room temperature as an oxygen-containing atmosphere, and then the Ru layer as the protective layer 14 is formed. It formed using the ion beam sputtering method.
  • the formation conditions of the protective layer 14 are as follows.
  • Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0.02 Pa).
  • -Voltage 700V.
  • a TaBSiN layer is formed as the absorber layer 15 on the protective layer 14 by using a magnetron sputtering method.
  • the conditions for forming the TaBSiN layer are as follows.
  • Target TaBSi compound target (composition ratio: Ta 80 at%, B 10 at%, Si 10 at%).
  • Sputtering gas Mixed gas of Ar and N 2 (Ar: 86% by volume, N 2 : 14% by volume, gas pressure: 0.3 Pa).
  • -Input power 150W.
  • Film forming speed 0.12 nm / sec.
  • -Film thickness 60 nm.
  • TaBSiON layer deposition conditions Target: TaBSi target (composition ratio: Ta 80 at%, B 10 at%, Si 10 at%).
  • Sputtering gas Ar, N 2 and O 2 mixed gas (Ar: 60% by volume, N 2 : 20% by volume, O 2 : 20% by volume, gas pressure: 0.3 Pa).
  • -Input power 150W.
  • Film forming speed 0.18 nm / sec.
  • -Film thickness 10 nm.
  • the EUV light (wavelength 13.5nm) is irradiated to the surface of the low reflection layer 16, and the reflectance of EUV light is measured. As a result, the reflectance of EUV light is 0.4%, and it is confirmed that the EUV absorption characteristics are excellent.
  • Etching characteristics are evaluated by the following method instead of using the EUV mask blank produced by the above procedure.
  • a Si chip (10 mm ⁇ 30 mm) on which a Ru film or a TaBSiN film is formed by a method described below is installed as a sample.
  • plasma RF etching is performed on the Ru film or TaNBSiN film of the Si chip placed on the sample stage under the following conditions.
  • -Bias RF 50W.
  • Etching time 120 sec.
  • -Trigger pressure 3Pa.
  • Etching pressure 1 Pa.
  • Etching gas Cl 2 / Ar.
  • the TaBSiN film is formed by simultaneously discharging the TaB target and the Si target under a nitrogen atmosphere using a magnetron sputtering method.
  • the film formation is performed under the following three conditions.
  • Target TaB target (composition ratio: Ta 80 at%, B 20 at%), Si target.
  • Sputtering gas Mixed gas of Ar and N 2 (Ar: 86% by volume, N 2 : 14% by volume, gas pressure: 2 mTorr).
  • Output 150 W (TaB target), 30 W (Si target).
  • Film forming speed 0.13 nm / sec. -Film thickness: 60 nm.
  • Target TaB target (composition ratio: Ta 80 at%, B 20 at%), Si target.
  • Sputtering gas Ar gas, N 2 gas (Ar: 86% by volume, N 2 : 14% by volume, gas pressure: 2 mTorr).
  • Output 150 W (TaB target), 50 W (Si target).
  • Film forming speed 0.12 nm / sec. ⁇ Film thickness: 60nm
  • TaB target composition ratio: Ta 80 at%, B 20 at%), Si target.
  • Sputtering gas Ar gas, N 2 gas (Ar: 86 vol%, N 2 : 14 vol%, gas pressure: 2 mTorr, flow rate: 13 sccm (Ar), 2 sccm (N 2 )).
  • Output 150 W (TaB target), 100 W (Si target).
  • the etching rate is obtained for the Ru film and the TaBSiN films (1) to (3) formed under the above conditions, and the etching selectivity is obtained using the following equation (3).
  • Etching selectivity (TaBSiN film etching rate) / (Ru film etching rate) (3)
  • the etching selectivity with the protective layer 13 is desirably 10 or more, but the etching selectivity of the TaBSiN films (1) to (3) is as follows, and all have a sufficient selectivity.
  • Example 2 In Example 2, the same procedure as in Example 1 was performed except that the Si film, which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film, was exposed to an oxygen-containing atmosphere according to the following conditions.
  • Exposure conditions Exposure gas and carrier gas are supplied during RF discharge
  • Carrier gas Ar gas, flow rate 17 sccm.
  • Exposure gas oxygen gas, flow rate 50 sccm.
  • Atmospheric pressure 0.3 mTorr (3.5 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa).
  • Exposure time 600 sec.
  • Exposure temperature 20 ° C.
  • the film thickness of the intermediate layer 13 was 1 nm.
  • the surface roughness of the protective layer 14 is measured according to JIS-B0601 (1994) by an atomic force microscope (Seiko Instruments). It confirmed using the company make: number SPI3800). The surface roughness rms of the protective layer 14 was 0.15 nm.
  • Washing resistance With respect to the sample formed up to the protective layer 14 by the above procedure, the surface of the protective layer 14 was treated for 300 seconds by spin washing with ozone water.
  • the surface of the protective layer 14 was irradiated with EUV light (wavelength 13.5 nm), and the EUV reflectivity was measured using an EUV reflectometer (MBR (product name) manufactured by AIXUV). The decrease in EUV reflectance before and after this treatment was 0.5%.
  • Example 3 In Example 3, when the Si film, which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film, is exposed to an oxygen-containing atmosphere, the RF discharge is not performed and the Si film surface is irradiated with ultraviolet rays according to the following conditions. Was carried out in the same procedure as in Example 2.
  • Exposure conditions (Exposure gas and carrier gas are supplied without performing RF discharge)
  • Carrier gas Ar gas, flow rate 17 sccm.
  • Exposure gas oxygen gas, flow rate 50 sccm.
  • Oxygen gas partial pressure 0.2 mTorr (2.6 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa).
  • Atmospheric pressure 0.3 mTorr (3.5 Torr ⁇ 10 ⁇ 2 Pa) -Atmospheric temperature: 20 degreeC.
  • Exposure time 600 sec.
  • UV light source Argon excimer lamp.
  • UV wavelength 126 nm.
  • Distance between lamp window (magnesium fluoride) and substrate 5 cm
  • Comparative Example 1 In Comparative Example 1, after the reflective layer (Mo / Si multilayer reflective film) 12 was formed, the protective layer 15 was formed without exposing the Si film as the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film to an oxygen-containing atmosphere. Carried out the same procedure as in Example 1.
  • Example 4 the EUVL multilayer mirror 21 shown in FIG. 4 was produced.
  • a SiO 2 —TiO 2 glass substrate was used as the substrate 11 for film formation.
  • This glass substrate has a thermal expansion coefficient of 0.2 ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C., a Young's modulus of 67 GPa, a Poisson's ratio of 0.17, and a specific rigidity of 3.07 ⁇ 10 7 m 2 / s 2 .
  • This glass substrate was polished to form a smooth surface with a surface roughness rms of 0.15 nm or less.
  • the Mo film having a total film thickness of 340 nm ((2.3 nm + 4.5 nm) ⁇ 50) is obtained by repeating 50 cycles.
  • / Si multilayer reflective film (reflective layer 12) was formed.
  • the uppermost layer of the multilayer reflective film 12 is a Si film.
  • the conditions for forming the Mo film and the Si film are as follows.
  • Mo film formation conditions -Target: Mo target.
  • Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0.02 Pa).
  • Film forming speed 0.064 nm / sec.
  • -Film thickness 2.3 nm.
  • Target Si target (boron doped).
  • Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0.02 Pa).
  • -Voltage 700V.
  • Film forming speed 0.077 nm / sec. -Film thickness: 4.5 nm.
  • the surface of the uppermost Si film of the Mo / Si multilayer reflective film is exposed to the atmosphere (oxygen concentration 21 vol%) for 10 minutes at room temperature as an oxygen-containing atmosphere, and then the Ru layer as the protective layer 14 is formed. It formed using the ion beam sputtering method.
  • the formation conditions of the protective layer 14 are as follows.
  • Target Ru target.
  • Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0.02 Pa).
  • -Voltage 700V.
  • Film forming speed 0.052 nm / sec.
  • -Film thickness 2.5 nm.
  • (1) Film composition The composition in the depth direction from the surface of the protective layer 14 to the reflective layer (Mo / Si multilayer reflective film) 12 is measured using an X-ray photoelectron spectrometer (manufactured by ULVAC-PHI, Inc .: Quantera). By measuring using SXM), it was confirmed that the intermediate layer 13 was formed between the Si film which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film and the protective layer 14.
  • the composition of the intermediate layer 13 was 5 at% oxygen and 95 at% Si.
  • the film thickness of the intermediate layer 13 was 1 nm.
  • the surface roughness of the protective layer 14 was confirmed using an atomic force microscope (manufactured by Seiko Instruments Inc .: No. SPI3800) according to JIS-B0601 (1994). The surface roughness rms of the protective layer 14 was 0.15 nm. (3) Cleaning resistance The surface of the protective layer 14 was treated for 300 seconds by spin cleaning with ozone water. Before and after this treatment, the surface of the protective layer 14 was irradiated with EUV light (wavelength 13.5 nm), and the EUV reflectivity was measured using an EUV reflectometer. The decrease in EUV reflectance before and after this treatment was 0.4%.
  • Example 5 In Example 5, the same procedure as in Example 4 was performed except that the uppermost Si film of the Mo / Si multilayer reflective film was exposed to an oxygen-containing atmosphere according to the following conditions.
  • Carrier gas Ar gas, flow rate 17 sccm.
  • Exposure gas oxygen gas, flow rate 50 sccm.
  • Exposure time 600 sec.
  • Exposure temperature 20 ° C.
  • (1) Film composition The composition in the depth direction from the surface of the protective layer 14 to the reflective layer (Mo / Si multilayer reflective film) 12 is measured using an X-ray photoelectron spectrometer (manufactured by ULVAC-PHI, Inc .: Quantera). By measuring using SXM), it was confirmed that the intermediate layer 13 was formed between the Si film which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film and the protective layer 14.
  • the composition of the intermediate layer 13 was 3 at% oxygen and 97 at% Si.
  • the film thickness of the intermediate layer 13 was 1 nm.
  • the surface roughness of the protective layer 14 was confirmed using an atomic force microscope (manufactured by Seiko Instruments Inc .: No. SPI3800) according to JIS-B0601 (1994). The surface roughness rms of the protective layer 14 was 0.15 nm. (3) Cleaning resistance The surface of the protective layer 14 was treated for 300 seconds by spin cleaning with ozone water. Before and after this treatment, the surface of the protective layer 14 was irradiated with EUV light (wavelength 13.5 nm), and the EUV reflectivity was measured using an EUV reflectometer (MBR (product name) manufactured by AIXUV). The decrease in EUV reflectance before and after this treatment was 0.5%.
  • Comparative Example 2 In Comparative Example 2, after the reflective layer (Mo / Si multilayer reflective film) 12 was formed, the protective layer 14 was formed without exposing the Si film as the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film to an oxygen-containing atmosphere. was carried out in the same procedure as in Example 4.
  • (1) Film composition The composition in the depth direction from the surface of the protective layer 14 to the reflective layer (Mo / Si multilayer reflective film) 12 is measured using an X-ray photoelectron spectrometer (manufactured by ULVAC-PHI, Inc .: Quantera). SXM), the formation of the intermediate layer 13 is not confirmed between the Si film, which is the uppermost layer of the Mo / Si multilayer reflective film, and the protective layer 14, and the lamination of the Si layer and the protective layer 14 is not confirmed.
  • the oxygen content in the body was 0%.
  • the surface roughness of the protective layer 14 was confirmed using an atomic force microscope (manufactured by Seiko Instruments Inc .: No. SPI3800) according to JIS-B0601 (1994). The surface roughness rms of the protective layer 14 was 0.15 nm. (3) Cleaning resistance The surface of the protective layer 14 was treated for 300 seconds by spin cleaning with ozone water. Before and after this treatment, the surface of the protective layer 14 was irradiated with EUV light (wavelength 13.5 nm), and the EUV reflectivity was measured using an EUV reflectometer. The decrease in EUV reflectance before and after this treatment was 1%. From this result, it was confirmed that the multilayer mirror for EUVL of Comparative Example 2 was inferior in cleaning resistance as compared with the multilayer mirror for EUVL of Examples 4 and 5.
  • the EUV mask produced using the EUV mask blank of the present invention is a highly reliable EUV mask in which the change in EUV light reflectance with time is small during EUV exposure, and is an integrated pattern consisting of fine patterns. Useful for the manufacture of circuits.
  • EUV mask blank 11 Substrate 12: Reflective layer 13: Intermediate layer 14: Protective layer 15: Absorber layer 16: Low reflective layer 21: EUV mirror

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

　Ｒｕ保護層の酸化による反射率の低下が抑制されたＥＵＶ光学部材、および該ＥＵＶ光学部材の製造に使用される機能膜付基板、ならびに該機能膜付基板の製造方法の提供。　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、前記反射層と、前記保護層と、の間に、酸素を０．５～２０ａｔ％含有し、Ｓｉを８０～９９．５ａｔ％含有する中間層が形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。

Description

ＥＵＶリソグラフィ用光学部材およびＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板の製造方法
　本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外。以下ＥＵＶと略称する。）用光学部材、具体的にはリソグラフィ用反射層付基板（以下、本明細書において、「ＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板」、または単に「反射層付き基板」ともいう）、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクス（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」ともいう）、該ＥＵＶマスクブランクをパターニングしたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスク」という）、ＥＵＶリソグラフィ用反射型ミラー（以下、本明細書において、「ＥＵＶミラー」という）（以下これらを総称してＥＵＶリソグラフィ用光学部材ともいう）、およびＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板の製造方法に関する。
　従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍよりも短い露光波長を用いた次世代の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０～２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
　ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクと反射型ミラーとが用いられる。
　マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層であるモリブデン（Ｍｏ）層と低屈折層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常使用される。
　吸収体層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
　上記反射層と吸収体層の間には、通常、保護層が形成される。該保護層は、吸収体層にパターン形成する目的で実施されるエッチングプロセスによって反射層がダメージを受けないように、該反射層を保護する目的で設けられるものである。特許文献１には保護層の材料として、ルテニウム（Ｒｕ）の使用が提案されている。特許文献２には、Ｒｕと、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種と、を含有するルテニウム化合物（Ｒｕ含有量１０～９５ａｔ％）からなる保護層が提案されている。
　ＥＵＶリソグラフィに用いられるミラーは、ガラス基板等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成された構造を有している。反射層としては、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が用いられる。したがって、ＥＵＶ光リソグラフィに用いられるミラーとしては、このような基板上に多層反射膜が形成された多層膜ミラーが通常用いられる（特許文献３参照）。
　このような多層膜ミラーでは、多層反射膜を化学的、物理的な侵蝕から保護する目的で保護層（保護キャッピング層）が該多層反射膜上に形成されることが多い。特許文献３には、ＥＵＶミラーの構成として、化学的、物理的な侵蝕に耐えうるため、反射層の上に特定のキャッピング層（保護層）を設けることが記載されている。特許文献３に記載の多層膜ミラーの場合、ルテニウム（Ｒｕ）およびロジウム（Ｒｈ）並びにそれらの化合物や合金の中から選択される材料からなる保護キャッピング層を備えている。
特開２００２－１２２９８１号公報（米国特許第６６９９６２５号明細書） 特開２００５－２６８７５０号公報 特許４０６８２８５号公報（欧州公開特許１０６５５６８号公報）
　保護層の材料としてＲｕを用いた場合、吸収体層に対して高いエッチング選択比が得られる。また、反射層上に保護層を形成した場合でも、保護層表面にＥＵＶ光を照射した際に高反射率が得られる。
　しかし、保護層の材料としてＲｕを用いた場合、マスクブランクやミラー製造時に実施される工程や該マスクブランクからフォトマスクを製造する際に実施される工程（例えば、洗浄、欠陥検査、加熱工程、ドライエッチング、欠陥修正の各工程）において、あるいは該ＥＵＶ露光時において、Ｒｕ保護層、さらには多層反射膜の最上層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、Ｓｉ層）が酸化されることによって、保護層表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ光線反射率が低下するという問題がある。
　特に、ＥＵＶ露光時のＥＵＶ光線反射率の低下は、経時的に進行するので、露光条件を途中で変更する状況となり、フォトマスクやミラーの寿命の短縮につながるので問題となる場合がある。
　以下、本明細書において、マスクブランクやミラー製造時に実施される工程や該マスクブランクからフォトマスクを製造する際に実施される工程（例えば、洗浄、欠陥検査、加熱工程、ドライエッチング、欠陥修正の各工程）において、あるいは該ＥＵＶ露光時において、Ｒｕ保護層、さらには多層反射膜の最上層が酸化されることによって、保護層表面にＥＵＶ光を照射した際のＥＵＶ光線反射率が低下することを、単に「Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下」と言う場合がある。
　特許文献２に記載の保護層は、多層反射膜の反射率の低下を招かずに、しかも十分に多層反射膜の酸化防止効果が得られると記載されている。しかし、ここで言う多層反射膜の反射率の低下は、同文献の段落番号［０００６］の記載から明らかなように、Ｒｕ保護層成膜時やその後の加熱処理等によって、多層反射膜の最上層であるＳｉ層とＲｕ保護層とが拡散層を形成することで反射率が低下することを意図したものであり、上述したような、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下を意図しているかは不明である。
　上述した点を鑑みて、本発明は、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制された、ＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板、ＥＵＶマスクブランク、ＥＵＶマスクやＥＵＶミラーなどの光学部材、および該反射層付基板の製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜と、Ｒｕ保護層と、の間にＳｉおよびＯを所定量含有する中間層を形成することで、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下を抑制することができることを見出した。
　本発明は、上記した本発明者らの知見に基づいてなされたものであり、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、
　前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
　前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、
　前記反射層と、前記保護層と、の間に、酸素を０．５～２０ａｔ％含有し、Ｓｉを８０～９９．５ａｔ％含有する中間層が形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板（以下、本明細書において、「本発明の反射層付基板」ともいう。）を提供する。
　本発明において、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜からなる反射層の最上層がＳｉ膜であり、当該Ｓｉ膜面に前記中間層を有することが好ましい。
　本発明の反射層付基板において、前記中間層の膜厚が０．２～２．５ｎｍであることが好ましい。
　本発明の反射層付基板において、前記保護層表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下であることが好ましい。
　本発明の反射層付基板において、前記保護層の膜厚が１～１０ｎｍであることが好ましい。
　また、本発明は、上記した本発明の反射層付基板の保護層上に吸収体層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、「本発明のＥＵＶマスクブランク」ともいう。）を提供する。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層がタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成されることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、エッチングガスとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施した際の前記保護層と前記吸収体層とのエッチング選択比が１０以上であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記吸収体層上に、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成された、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が設けられていることが好ましい。
　吸収体層上に低反射層が形成されている場合において、吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する前記保護層表面での反射光と、前記低反射層表面での反射光と、のコントラストが、３０％以上であることが好ましい。
　また、本発明は、上記した本発明のＥＵＶマスクブランクをパターニングしたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（以下、「本発明のＥＵＶマスク」ともいう。）を提供する。
　さらに、上記ＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板を用いたＥＵＶリソグラフィ用反射型ミラー（以下、「本発明のＥＵＶミラー」ともいう。）を提供する。
　また、本発明は、基板の成膜面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成した後、前記多層反射膜上に該多層反射膜の保護層を形成することにより、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板を製造する、ＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法であって、
　前記多層反射膜が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
　前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、
　前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露した後に前記保護層を形成することを特徴するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法を提供する。
　本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法において、前記酸素含有雰囲気の酸素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０-6 Ｔｏｒｒ・ｓ（＝１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ））以上であり、該酸素含有雰囲気の温度が０～１５０℃であることが好ましい。
　本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法において、前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を酸素含有雰囲気に暴露する際、前記酸素含有雰囲気をプラズマ状態に保持するか、または該Ｓｉ層表面を熱処理するか、または該Ｓｉ層表に紫外線を照射することが好ましい。
　本発明の反射層付基板、および、該反射層付基板を用いたＥＵＶマスクブランクやＥＵＶミラーでは、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されている。そして、ＥＵＶ露光時のＥＵＶ光線反射率の経時的な進行の抑制により、露光条件を途中で変更する必要が少なくなり、ＥＵＶマスクやＥＵＶミラーの寿命の長期化を図ることができる。
　また、本発明のＥＵＶマスクブランクを用いて作成されるＥＵＶマスクは、ＥＵＶ露光時において、ＥＵＶ光線反射率の経時的な変化が小さい、信頼性の高いＥＵＶマスクである。
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの実施形態を示す概略断面図である。 図２は、図１のＥＵＶマスクブランクの吸収体層上に低反射層を形成した実施形態を示す概略断面図である。 図３は、図２のＥＵＶマスクブランク１´の吸収体層１４および低反射層１５にパターン形成した状態を示している概略断面図である。 図４は、本発明のＥＵＶミラーの実施形態を示す概略断面図である。
　以下、図面を参照して本発明を説明する。
　図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すマスクブランク１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、該反射層１２を保護するための保護層１４が、この順に形成されている。本発明のＥＵＶマスクブランクでは、反射層１２と、保護層１４と、の間に、酸素およびＳｉを後述する所定の量含有する中間層１３が形成されていることを特徴とする。保護層１４には、吸収体層１５が形成されている。
　図４は、本発明のＥＵＶミラーの１実施形態を示す概略断面図である。図４に示すＥＵＶミラー２１は、基板１１上にＥＵＶ光を反射する反射層１２と、該反射層１２を保護するための保護層１４が、この順に掲載されている。本発明のＥＵＶＬ用多層膜ミラーでは、反射層１２と、保護層１４と、の間に、後述する中間層１３が形成されていることを特徴とする。
　以下、マスクブランク１およびミラー２１の個々の構成要素について説明する。なお、マスクブランクやミラーなどのＥＵＶ光を反射する多層膜を有する部材を「ＥＵＶ光学部材」ともいう。
　基板１１は、ＥＵＶ光学部材用の基板としての特性を満たすことが重要である。そのため、基板１１は、低熱膨張係数を有することが重要である。具体的には、基板１１の熱膨張係数は、０±１．０×１０-7／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃である。また、基板は、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。また、基板１１上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
　基板１１は、表面粗さｒｍｓが、０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と、１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
　基板１１の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラスを用いた。ミラーに用いられる基板のサイズは露光機の設計値等により適宜決定され、直径５０～５００ｍｍ程度の大きさの基板が通常用いられる。
　マスクブランク用の基板は平面形状が正方形等の矩形である。一方、ミラー用の基板は平面形状が円形や楕円形、多角形が多い。
　基板１１の多層系の反射層１２が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
　ＥＵＶ光学部材の反射層１２にとって重要な特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層１２表面に入射角度６度で照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。また、反射層１２の上に中間層１３および保護層１４を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
　反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。本発明のＥＵＶ光学部材では、高屈折率膜としてのＭｏ膜と、低屈折率膜としてのＳｉ膜とを交互に複数回積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を用いる。このＭｏ／Ｓｉ多層反射膜において、基板１１に接する第１層は、Ｍｏ膜であり、積層されたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層はＳｉ膜となるようにするのが好ましい。
　Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合に、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層１２とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０～６０になるように積層させればよい。
　なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ～２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００～１５００Ｖ、成膜速度０．０３～０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるように、基板面上にＭｏ層を成膜し、次に、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ～２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００～１５００Ｖ、成膜速度０．０３～０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ層を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ層およびＳｉ層を４０～５０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
　本発明のＥＵＶ光学部材は、反射層１２と、保護層１４と、の間に、酸素を０．５～２０ａｔ％含有し、Ｓｉを８０～９９．５ａｔ％含有する中間層１３を形成することによって、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下を抑制する。反射層１２と、保護層１４と、の間に、上記組成の中間層１３を形成することによって、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制される理由は以下によると考えられる。
　上記組成の中間層１３は、反射層１２の最上層のＳｉ膜中にＲｕ保護層の酸化によって酸素が多量に含まれることによる反射率の低下が生じないように、中間層１３に予め酸素を含有させることによって、成膜後のＥＵＶ光線反射率が高く、かつ更なる酸化を抑制する効果を有すると考えられる。これにより、（１）光学部材の製造時に実施される工程や（２）マスクブランクからフォトマスクを製造する際に実施される工程（例えば、洗浄、欠陥検査、加熱工程、ドライエッチング、欠陥修正の各工程）において、あるいは（３）ＥＵＶ露光時において、Ｒｕ保護層が酸化されるような状況が生じた場合でも、更なる酸化を抑制する効果を有する中間層１３が存在することによって、該中間層１３の下にあるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が酸化されること、より具体的には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ膜が酸化されることが抑制されると考えられる。その結果、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されると考えられる。
　なお、反射層１２（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）と、保護層１４（Ｒｕ保護層）と、の間に中間層１３を形成することによって、保護層１４の形成時にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜中のＳｉがＲｕ保護層中に拡散することも抑制することができる。
　中間層１３における酸素の含有率が０．５ａｔ％未満の場合、上述した更なる酸化を抑制する効果が不十分となり、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下を抑制する効果が不十分となる。
　詳しくは後述するが、本発明において、上記組成の中間層１３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露することによって形成することができる。しかし、中間層１３における酸素の含有率が２０ａｔ％超の場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜の成膜時、または、中間層１３上に形成される保護層１４の成膜時のいずれか、あるいはそれらの両方の成膜時に酸素が添加されていたものと考えられるが、酸素を添加した成膜は成膜中の欠点が増加し問題が生じる可能性がある。
　中間層１３は酸素を０．５～１５ａｔ％含有し、Ｓｉを８５～９９．５ａｔ％含有することが好ましく、酸素を０．５～１０ａｔ％含有し、Ｓｉを８０～９９．５ａｔ％含有することがより好ましく、酸素を２～８ａｔ％含有し、Ｓｉを９２～９８ａｔ％含有することがより好ましく、酸素を３～７ａｔ％含有し、Ｓｉを９３～９７ａｔ％含有することがさらに好ましく、酸素を４～６ａｔ％含有し、Ｓｉを９４～９６ａｔ％含有することが特に好ましい。
　中間層１３中のＳｉが侵食されるおそれがあるため、中間層１３はフッ素を含まないことが好ましい。また、中間層１３中に炭素や水素が含まれていると、該中間層１３中の酸素と反応して、該中間層１３中の酸素が放出されるおそれがあるため、該中間層１３は炭素や水素を含まないことが好ましい。これらの理由から、中間層１３におけるフッ素、炭素および水素の含有率は３ａｔ％以下であることが好ましく、１ａｔ％以下であることがより好ましい。
　中間層１３の膜厚は０．２～２.５ｎｍであることが、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下を抑制する効果という点から好ましく、０．４～２．０ｎｍであることがより好ましく、０．５～１．５ｎｍであることがさらに好ましい。
　中間層１３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露して、該Ｓｉ膜表面を軽微に酸化させることによって形成することができる。
　なお、Ｓｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露することによって生じる該Ｓｉ膜表面の酸化は軽微であるため、ＥＵＶ光線反射率の低下につながるものでない。
　すなわち、上述したＲｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下は、光学部材の製造時やフォトマスクの製造時、あるいはＥＵＶ露光時において、Ｒｕ保護層、および、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜が、きわめて酸化されやすい状況に置かれた結果、著しく酸化されることに起こるものである。ここで言う、きわめて酸化されやすい状況の具体例としては、（１）欠点検査時に実施されるレーザ照射や電子線照射、Ｒｕ保護層または該Ｒｕ保護層の下にあるＭｏ／Ｓｉ多層反射膜の欠点修正目的で実施されるイオンビーム照射、あるいは、ＥＵＶ露光時のＥＵＶ光照射のような高エネルギー線照射や、（２）吸収体層にパターン形成する目的で実施されるドライエッチングプロセス、酸化作用の強いオゾンを用いた洗浄、フォトマスクを製造する際に実施されるプリベーク、ポストベークのように対象物を１５０℃以上の温度に加熱する工程、（３）製造後のフォトマスク表面の炭化物を除去する為の酸化処理が挙げられる。
　これに対し、Ｓｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露する手順は、後述するように比較的低温環境で実施することから、Ｓｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露することによって生じる該Ｓｉ膜表面の酸化は軽微であり、問題となるようなＥＵＶ光線反射率の低下につながることはない。
　本発明において、Ｓｉ膜表面を暴露する酸素含有雰囲気は、酸素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０-6Ｔｏｒｒ・ｓ（＝１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ））以上であることが好ましい。酸素分圧と暴露時間の積は、酸素含有雰囲気中の酸素がＳｉ膜表面に衝突する頻度を示す指標であり、以下、本明細書において、「酸素の暴露量」と言う場合もある。この値が１×１０-6Ｔｏｒｒ・ｓ以上であることがＳｉ膜表面の酸化により上記組成の中間層１３を形成するうえで好ましく、１×１０-3Ｔｏｒｒ・ｓ以上であることがより好ましく、１×１０-2Ｔｏｒｒ・ｓ以上であることがさらに好ましく、１×１０-1Ｔｏｒｒ・ｓ以上であることがさらに好ましい。
　Ｓｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露する手順として、実施例１，４に示すように、Ｓｉ膜表面を大気に暴露する手順を実施してもよく、実施例２，３，５に示すように、減圧雰囲気下でＳｉ膜表面を酸素ガス（酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガスでもよい）に暴露する手順を実施してもよい。Ｓｉ膜表面を大気に暴露する手順は、操作が単純で特別な装置が不要であることから好ましい。一方、減圧雰囲気下でＳｉ膜表面を酸素ガスに暴露する手順は、多層反射膜の成膜と、保護層の成膜と、を同一のチャンバを用いて実施する場合に、Ｓｉ膜表面を酸素ガスに暴露する手順の実施後、保護層の成膜を実施する前にチャンバ内の酸素ガスを排気することが重要である点を考慮すると好ましい手順である。また、Ｓｉ膜表面への酸素ガスの暴露量を制御することによって、中間層１３の酸素含有量を制御できるという点でも好ましい手順である。減圧雰囲気下でＳｉ膜表面を酸素ガス、または、酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガスに暴露する場合、実施例３に示すように、該減圧雰囲気中でＳｉ膜表面に紫外線を照射することがＳｉ膜表面の酸化を促進するうえで好ましい。
　Ｓｉ膜表面を暴露する酸素含有雰囲気が上記の条件を満たす限り、Ｓｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露する手順は特に限定されない。但し、実施例２，３，５に示す手順のように、減圧雰囲気下でＳｉ膜表面を酸素ガス、または、酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガスに暴露する手順は、多層反射膜の成膜と、保護層の成膜と、を同一のチャンバを用いて実施する場合に、Ｓｉ膜表面を酸素ガス（または酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）に暴露する手順の実施後、保護層の成膜を実施する前にチャンバ内の酸素ガス（または酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）を排気することが必要である点を考慮すると好ましい手順である。また、この手順は、Ｓｉ膜表面への酸素ガス（または酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）の暴露量を制御することによって、中間層１３の酸素含有量を制御できるという点でも好ましい手順である。
　なお、減圧雰囲気下でＳｉ膜表面を酸素ガス、または、酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガスに暴露する場合、実施例２に示す手順のように、該減圧雰囲気をプラズマ状態に保持することがＳｉ膜表面の酸化を促進するうえで好ましい。この場合でも、プラズマ状態でイオン化した酸素ガス（または酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）に電圧を印加してＳｉ膜表面にイオン照射すると、イオン化した酸素が加速された状態でＳｉ膜表面に衝突するため、Ｓｉ膜の酸素が過度に進行してＭｏ／Ｓｉ多層反射膜のＥＵＶ光線反射率の低下が生じるおそれがあるため、プラズマ状態でイオン化した酸素ガス（または酸素ガスとアルゴン等の不活性ガスとの混合ガス）に電圧を印加しないこと、つまり、イオン照射をしないことが中間層１３の酸素量を適量に制御できる点で特に好ましい。
　本発明において、Ｓｉ膜表面を暴露する酸素含有雰囲気の温度が０～１５０℃であることが好ましい。酸素含有雰囲気の温度が０℃未満だと、真空中の残留水分の吸着による影響の問題が生じるおそれがある。酸素含有雰囲気の温度が１５０℃超だと、Ｓｉ膜の酸化が過度に進行して、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜のＥＵＶ光線反射率の低下が生じるおそれがある。
　酸素含有雰囲気の温度は１０～１４０℃であることがより好ましく、２０～１２０℃であることがさらに好ましい。
　なお、減圧雰囲気中でＳｉ膜表面に紫外線を照射する場合は、Ｓｉ膜表面の酸化が促進されるため、酸素含有雰囲気の温度は５０℃以下であることが好ましい。
　また、該減圧雰囲気をプラズマ状態に保持する場合も、Ｓｉ膜表面の酸化が促進されるため、酸素含有雰囲気の温度は５０℃以下であることが好ましい。
　後述する実施例１～５では、Ｓｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露する時間が１０分（６００ｓｅｃ）としているが、Ｓｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露する時間はこれに限定されず、上述した酸素含有雰囲気に関する条件を満たす範囲で適宜選択することができる。
　保護層１４は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収体層１５にパターン形成する際に、反射層１２がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう反射層１２を保護する目的で設けられる。したがって保護層１４の材質としては、吸収体層１５のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層１５よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。
　また、保護層１４は、保護層１４を形成した後であっても反射層１２でのＥＵＶ光線反射率を損なうことがないように、保護層１４自体もＥＵＶ光線反射率が高いことが好ましい。
　本発明では、上記の条件を満足するため、保護層１４として、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層が形成される。前記Ｒｕ化合物層のＲｕ化合物としては、例えば、ＲｕＢ、ＲｕＺｒ、ＲｕＳｉ、及びＲｕＮｂからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。保護層１４がＲｕ化合物層である場合、Ｒｕの含有量は５０ａｔ％以上、８０ａｔ％、特に９０ａｔ％以上であることが好ましい。保護層１４がＲｕＮｂ層の場合、保護層１４中のＮｂの含有率が１０～４０ａｔ％程度であることが、ＥＵＶ反射率の低減防止の観点から好ましい。
　本発明において、保護層１４表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下であることが好ましい。保護層１４表面の表面粗さが大きいと、該保護層１４上に形成される吸収体層１５の表面粗さが大きくなり、該吸収体層１５に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収体層１５表面は平滑であることが重要である。
　保護層１４表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下であれば、該保護層１４上に形成される吸収体層１５表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。保護層１４表面の表面粗さｒｍｓは、０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　保護層１４の厚さは、１～１０ｎｍであることが、ＥＵＶ光線反射率を高め、かつ耐エッチング特性を得られるという理由から好ましい。保護層１４の厚さは、１～５ｎｍであることがより好ましく、２～４ｎｍであることがさらに好ましい。
　保護層１４は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜することができる。
　マグネトロンスパッタリング法を用いて、保護層１４としてＲｕ層を形成する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）雰囲気中で放電させればよい。具体的には、以下の条件でマグネトロンスパッタリングを実施すればよい。
　・スパッタガス：Ａｒ（ガス圧１．０×１０-1～１０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1～５．０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1～３．０×１０-1Ｐａ）。
　・投入電力（各ターゲットについて）：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ。
　・成膜速度：０．１～６ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは０．１～４．５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．１～３ｎｍ／ｓｅｃ。
　なお、本発明のＥＵＶマスクブランクの吸収体層を形成する前の状態、すなわち、図１に示すマスクブランク１の吸収体層１５を除いた構造が本発明の反射層付基板である。また、本発明の反射層付基板はＥＵＶミラーとして用いることも可能である。
　本発明の反射層付基板は、後述する実施例に記載する手順にしたがって、保護層１４表面をオゾン水洗浄した場合に、洗浄前後でのＥＵＶ光線反射率の低下が０．９％以下であることが好ましく、０．５％以下であることがより好ましい。
　吸収体層１５の重要な特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収体層１５表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
　上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましく、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成されていることが好ましい。
　このような吸収体層１５としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび窒素（Ｎ）を以下に述べる比率で含有するもの（ＴａＢＳｉＮ膜）が挙げられる。
　・Ｂの含有率：１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１～４．５ａｔ％、より好ましくは１．５～４ａｔ％。
　・Ｓｉの含有率：１～２５ａｔ％、好ましくは１～２０ａｔ％、より好ましくは２～１２ａｔ％。
　・ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：８：１～１：１。
　・Ｔａの含有率：好ましくは５０～９０ａｔ％、より好ましくは６０～８０ａｔ％。
　・Ｎの含有率：好ましくは５～３０ａｔ％、より好ましくは１０～２５ａｔ％。
　上記組成の吸収体層１５は、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。
　上記組成の吸収体層１５は、表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下である。吸収体層１５表面の表面粗さが大きいと、吸収体層１５に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収体層１５表面は平滑であることが重要である。
　吸収体層１５表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下であれば、吸収体層１５表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収体層１５表面の表面粗さｒｍｓは、０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　吸収体層１５は、上記の構成であることにより、エッチングガスとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施した際のエッチング速度が速く、保護層１４とのエッチング選択比は１０以上を示す。本明細書において、エッチング選択比は、下記（１）式を用いて計算できる。
　・エッチング選択比
　　＝（吸収体層１５のエッチング速度）／（保護層１４のエッチング速度）…（１）
　エッチング選択比は、１０以上が好ましく、１１以上であることがさらに好ましく、１２以上であることがさらに好ましい。
　吸収体層１５の厚さは、５０～１００ｎｍであることが好ましい。上記した構成の吸収層１５は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて形成することができる。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）～（３）の方法で吸収体層１５を形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって吸収体層１５を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で同時放電させることによって吸収体層１５を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で放電させることによって吸収体層１５を形成する。
　なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される吸収体層１５の組成を制御することができる。
　上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０～９４ａｔ％、Ｓｉ＝５～３０ａｔ％、Ｂ＝１～２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
　上記例示した方法で吸収体層１５を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
［ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）］
　・スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～３０ｖｏｌ％、より好ましくは８～１５ｖｏｌ％。
　・ガス圧１．０×１０-１Ｐａ～１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～３×１０-１Ｐａ。）。
　・投入電力（各ターゲットについて）：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ。
　・成膜速度：２．０～６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５～４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～３０ｎｍ／ｓｅｃ。
［ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）］
　・スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～３０ｖｏｌ％、より好ましくは８～１５ｖｏｌ％。
　・ガス圧１．０×１０-１Ｐａ～１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～３×１０-１Ｐａ）。
　・投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ。
　・成膜速度：２．０～６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５～４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～３０ｎｍ／ｓｅｃ。
　本発明のＥＵＶマスクブランクは、図２に示すＥＵＶマスクブランク１´のように、吸収体層１５上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層１６が形成されていることが好ましい。
　ＥＵＶマスクを作製する際、吸収体層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収体層１５がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収体層１５表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は保護層１４表面である。したがって、検査光の波長に対する保護層１４表面と吸収体層１５表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
　上記した構成の吸収体層１５は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクブランクの吸収層として優れた特性を有しているが、検査光の波長について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長での吸収体層１５表面の反射率と保護層１４表面の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。
　図２に示すＥＵＶマスクブランク１´のように、吸収体層１５上に低反射層１６を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる、別の言い方をすると、検査光の波長での光線反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層１６は、検査光の波長領域の光線を照射した際に、該検査光の波長の最大光線反射率が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。
　低反射層１６における検査光の波長の光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、保護層１４表面における検査光の波長の反射光と、低反射層１６表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、３０％、好ましくは４０％以上となる。
　本明細書において、コントラストは下記（２）式を用いて求めることができる。
　・コントラスト（％）＝（（Ｒ2－Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００…（２）
　ここで、検査光の波長におけるＲ2は保護層１４表面での反射率であり、Ｒ1は低反射層１６表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、図２に示すＥＵＶマスクブランク１´の吸収体層１５および低反射層１６にパターンを形成した状態（つまり、図３に示す状態）で測定する。上記Ｒ2は、図３中、パターン形成によって吸収体層１５および低反射層１６が除去され、外部に露出した保護層１４表面で測定した値であり、Ｒ1はパターン形成によって除去されずに残った低反射層１６表面で測定した値である。
　本発明において、上記式で表されるコントラストが４５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
　低反射層１６は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収体層１５よりも低い材料で構成され、その結晶状態がアモルファスであることが好ましい。
　このような低反射層１６の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび酸素（Ｏ）を以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯ））が挙げられる。
　・Ｂの含有率：１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１～４．５ａｔ％、より好ましくは１．５～４ａｔ％。
　・Ｓｉの含有率：１～２５ａｔ％、好ましくは１～２０ａｔ％、より好ましくは２～１０ａｔ％。
　・ＴａとＯとの組成比（Ｔａ：Ｏ）：７：２～１：２、好ましくは７：２～１：１、より好ましくは２：１～１：１。
　また、低反射層１６の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＮを以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ））が挙げられる。
　・Ｂの含有率：１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１～４．５ａｔ％、より好ましくは２～４．０ａｔ％。
　・Ｓｉの含有率：１～２５ａｔ％、好ましくは１～２０ａｔ％、より好ましくは２～１０ａｔ％。
　・ＴａとＯ及びＮの組成比（Ｔａ：（Ｏ＋Ｎ））：７：２～１：２、好ましくは７：２～１：１、より好ましくは２：１～１：１。
　低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下である。
　上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収体層１５表面は平滑であることが重要である。低反射層１６は、吸収体層１５上に形成されるため、同様の理由から、その表面は平滑であることが重要である。
　低反射層１６表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下であれば、低反射層１６表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。低反射層１６表面の表面粗さｒｍｓは、０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　吸収体層１５上に低反射層１６を形成する場合、吸収体層１５と低反射層１６との合計厚さが５５～１３０ｎｍであることが好ましい。また、低反射層１６の厚さが吸収体層１５の厚さよりも大きいと、吸収体層１５でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層１６の厚さは吸収体層１５の厚さよりも小さいことが好ましい。このため、低反射層１６の厚さは５～３０ｎｍであることが好ましく、１０～２０ｎｍであることがより好ましい。
　低反射層（ＴａＢＳｉＯ），（ＴａＢＳｉＯＮ）は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて形成することができ、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）～（３）の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）で希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で同時放電させることによって低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で放電させることによって低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成する。
　なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される低反射層（ＴａＢＳｉＯ）の組成を制御することができる。
　上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０～９４ａｔ％、Ｓｉ＝５～３０ａｔ％、Ｂ＝１～２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
　低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ）を形成する場合、アルゴンで希釈した酸素雰囲気の代わりにアルゴンで希釈した酸素・窒素混合ガス雰囲気で、上記と同様の手順を実施すればよい。
　上記の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯ）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
［ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）］
　・スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～３０ｖｏｌ％、より好ましくは８～１５ｖｏｌ％）。
　・ガス圧：１．０×１０-１Ｐａ～１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～３×１０-１Ｐａ。
　・投入電力（各ターゲットについて）：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ。
　・成膜速度：２．０～６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５～４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～３０ｎｍ／ｓｅｃ
［ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）］
　・スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～３０ｖｏｌ％、より好ましくは８～１５ｖｏｌ％）。
　・ガス圧：１．０×１０-１Ｐａ～１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ～３×１０-１Ｐａ。
　・投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ。
　・成膜速度：２．０～５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５～３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～２５ｎｍ／ｓｅｃ。
　上記の方法で低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
［ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）］
　・スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５～３０体積％、Ｎ2ガス濃度５～３０体積％、好ましくはＯ2ガス濃度６～２５体積％、Ｎ2ガス濃度６～２５体積％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０～２０体積％、Ｎ2ガス濃度１５～２５体積％）。
　・ガス圧：１．０×１０-2Ｐａ～１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ～５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ～３×１０-2Ｐａ。
　・投入電力（各ターゲットについて）：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ。
　・成膜速度：２．０～５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５～３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～２５ｎｍ／ｓｅｃ。
［ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）］
　・スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５～３０体積％、Ｎ2ガス濃度５～３０体積％、好ましくはＯ2ガス濃度６～２５体積％、Ｎ2ガス濃度６～２５体積％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０～２０体積％、Ｎ2ガス濃度１５～２５体積％）。
　・ガス圧：１．０×１０-2Ｐａ～１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ～５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ～３×１０-2Ｐａ。
　・投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ。
　・成膜速度：２．０～５０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは２．５～３５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５～２５ｎｍ／ｓｅｃ。
　なお、図２に示すＥＵＶマスクブランク１´のように、吸収体層１５上に低反射層１６を形成することが好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収体層１５上に低反射層１６を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収体層１５上に低反射層１６を形成する必要はないと考えられる。
　本発明のＥＵＶマスクブランクは、反射層１２、中間層１３、保護層１４、吸収体層１５、低反射層１６以外に、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３－５０１８２３号公報に記載されているように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される高誘電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図１の基板１１において、反射層１２が形成されている側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３－５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、およびＴａＳｉからなる群より選ばれるコーティングを適用することができる。高誘電性コーティングの厚さは、例えば１０～１０００ｎｍとすることができる。
　高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
　なお、本発明は、上記した反射膜付基板、および、ＥＵＶマスクブランクに加えて、該ＥＵＶマスクブランクにパターン形成したＥＵＶマスクも提供する。
　本発明のＥＵＶマスクは、本発明のＥＵＶマスクブランクの吸収体層（吸収体層上に低反射層が形成されている場合は、吸収体層および低反射層）を少なくともパターニングすることで製造することができる。吸収体層（吸収体層上に低反射層が形成されている場合は、吸収体層および低反射層）のパターニング方法は特に限定されず、例えば、吸収体層（吸収体層上に低反射層が形成されている場合は、吸収体層および低反射層）上にレジストを塗布してレジストパターンを形成し、これをマスクとして吸収体層（吸収体層上に低反射層が形成されている場合は、吸収体層および低反射層）をエッチングする方法を採用できる。レジストの材料やレジストパターンの描画法は、吸収体層（吸収体層上に低反射層が形成されている場合は、吸収体層および低反射層）の材質等を考慮して適宜選択すればよい。吸収体層（吸収体層上に低反射層が形成されている場合は、吸収体層および低反射層）のエッチング方法も特に限定されず、反応性イオンエッチング等のドライエッチングまたはウエットエッチングが採用できる。吸収体層（吸収体層上に低反射層が形成されている場合は、吸収体層および低反射層）をパターニングした後、レジストを剥離液で剥離することにより、本発明のＥＵＶマスクが得られる。
　本発明に係るＥＵＶマスクを使用して半導体集積回路を製造するに当たっては、ＥＵＶ光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に上記ＥＵＶマスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介してＥＵＶマスクに照射し、ＥＵＶ光をＥＵＶマスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。
　以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
［実施例１］
　本実施例では、図２に示すマスクブランク１´を作製した。
　成膜用の基板１１として、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。このガラス基板の熱膨張率は０．２×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、表面粗さｒｍｓが０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
　基板１１の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の高誘電性コーティング（図示していない）を施した。
　平板形状をした通常の静電チャックに、形成したＣｒ膜を用いて基板１１（外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板１１の表面上にイオンビームスパッタ法を用いてＭｏ膜およびＳｉ膜を交互に成膜することを５０周期繰り返すことにより、合計膜厚３４０ｎｍ（（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×５０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層１２）を形成した。なお、多層反射膜１２の最上層はＳｉ膜である。
　Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜条件は以下の通りである。
［Ｍｏ膜の成膜条件］
　　・ターゲット：Ｍｏターゲット。
　　・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）。
　　・電圧：７００Ｖ。
　　・成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ。
　　・膜厚：２．３ｎｍ。
［Ｓｉ膜の成膜条件］
　　・ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）。
　　・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）。
　　・電圧：７００Ｖ。
　　・成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ。
　　・膜厚：４．５ｎｍ。
　次に、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ膜表面を、酸素含有雰囲気として、大気中（酸素濃度２１ｖｏｌ％）に室温下で１０分間暴露した後、保護層１４であるＲｕ層を、イオンビームスパッタ法を用いて形成した。なお、Ｓｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露した際の酸素の暴露量は、７６０（Ｔｏｒｒ）×０．２１×６００（ｓ）＝９．６×１０4Ｔｏｒｒ・ｓ＝９．６×１０10Ｌとなる。
　保護層１４の形成条件は以下の通りである。
　　・ターゲット：Ｒｕターゲット。
　　・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）。
　　・電圧：７００Ｖ。
　　・成膜速度：０．０５２ｎｍ／ｓｅｃ。
　　・膜厚：２．５ｎｍ
　次に、保護層１４上に、吸収体層１５としてＴａＢＳｉＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成する。
　ＴａＢＳｉＮ層を成膜条件は以下の通りである。
　［ＴａＢＳｉＮ層の成膜条件］
　　・ターゲット：ＴａＢＳｉ化合物ターゲット（組成比：Ｔａ８０ａｔ％、Ｂ１０ａｔ％、Ｓｉ１０ａｔ％）。
　　・スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：８６体積％、Ｎ2：１４体積％、ガス圧：０．３Ｐａ）。
　　・投入電力：１５０Ｗ。
　　・成膜速度：０．１２ｎｍ／ｓｅｃ。
　　・膜厚：６０ｎｍ。
　次に、吸収体層１５上に、低反射層１６としてＴａＢＳｉＯＮ層を、マグネトロンスパッタリング法を用いて形成することにより、図２に示すマスクブランク１´を作製する。
　ＴａＢＳｉＯＮ膜の成膜条件は以下の通りである。
［ＴａＢＳｉＯＮ層の成膜条件］
　　・ターゲット：ＴａＢＳｉターゲット（組成比：Ｔａ８０ａｔ％、Ｂ１０ａｔ％、Ｓｉ１０ａｔ％）。
　　・スパッタガス：ＡｒとＮ2とＯ2の混合ガス（Ａｒ：６０体積％、Ｎ2：２０体積％、Ｏ2：２０体積％、ガス圧：０．３Ｐａ）。
　　・投入電力：１５０Ｗ。
　　・成膜速度：０．１８ｎｍ／ｓｅｃ。
　　・膜厚：１０ｎｍ。
　上記の手順で得られるマスクブランクに対し下記の評価を実施する。
（１）膜組成
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認した。中間層１３の組成は、酸素５ａｔ％、Ｓｉ９５ａｔ％であった。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍであった。
（２）表面粗さ
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ－Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計３００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．４％であり、良好であった。
（４）反射特性（コントラスト評価）
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４表面におけるパターン検査光（波長２５７ｎｍ）の反射率を分光光度計を用いて測定する。また、低反射層１６まで形成したサンプルについて、低反射層１６表面におけるパターン検査光の反射率を測定する。その結果、保護層１４層表面での反射率は６０．０％であり、低反射層１６表面の反射率は６．９％である。これらの結果と上述した式を用いてコントラストを求めると７９．４％となる。
　得られるＥＵＶマスクブランク１´について、低反射層１６表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射してＥＵＶ光の反射率を測定する。その結果、ＥＵＶ光の反射率は０．４％であり、ＥＵＶ吸収特性に優れていることが確認される。
（５）エッチング特性
　エッチング特性については、上記手順で作製されたＥＵＶマスクブランクを用いて評価する代わりに以下の方法で評価する。
　ＲＦプラズマエッチング装置の試料台（４インチ石英基板）上に、試料として下記に記載の方法でＲｕ膜またはＴａＢＳｉＮ膜が各々成膜されたＳｉチップ（１０ｍｍ×３０ｍｍ）を設置する。この状態で試料台に設置されたＳｉチップのＲｕ膜またはＴａＮＢＳｉＮ膜を以下の条件でプラズマＲＦエッチングを実施する。
　・バイアスＲＦ：５０Ｗ。
　・エッチング時間：１２０ｓｅｃ。
　・トリガー圧力：３Ｐａ。
　・エッチング圧力：１Ｐａ。
　・エッチングガス：Ｃｌ2／Ａｒ。
　・ガス流量（Ｃｌ2／Ａｒ）：２０／８０ｓｃｃｍ。
　・電極基板間距離：５５ｍｍ。
　Ｒｕ膜の成膜は、イオンビームスパッタリング法により、以下の成膜条件で実施する。
［Ｒｕ膜の成膜条件］
　・ターゲット：Ｒｕターゲット。
　・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：２ｍＴｏｒｒ、流量：１５ｓｃｃｍ）。
　・出力：１５０Ｗ。
　・成膜速度：０．０２３ｎｍ／ｓｅｃ。
　・膜厚：２．５ｎｍ。
　ＴａＢＳｉＮ膜は、マグネトロンスパッタリング法を用いて、ＴａＢターゲットおよびＳｉターゲットを窒素雰囲気下で同時放電させることにより成膜する。なお、成膜は以下の３通りの条件で実施する。
［ＴａＢＳｉＮ膜の成膜条件（１）］
　・ターゲット：ＴａＢターゲット（組成比：Ｔａ８０ａｔ％、Ｂ２０ａｔ％）、Ｓｉターゲット。
　・スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：８６体積％、Ｎ2：１４体積％、ガス圧：２ｍＴｏｒｒ）。
　・出力：１５０Ｗ（ＴａＢターゲット）、３０Ｗ（Ｓｉターゲット）。
　・成膜速度：０．１３ｎｍ／ｓｅｃ。
　・膜厚：６０ｎｍ。
［ＴａＢＳｉＮ膜の成膜条件（２）］
　・ターゲット：ＴａＢターゲット（組成比：Ｔａ８０ａｔ％、Ｂ２０ａｔ％）、Ｓｉターゲット。
　・スパッタガス：Ａｒガス、Ｎ2ガス（Ａｒ：８６体積％、Ｎ2：１４体積％、ガス圧：２ｍＴｏｒｒ）。
　・出力：１５０Ｗ（ＴａＢターゲット）、５０Ｗ（Ｓｉターゲット）。
　・成膜速度：０．１２ｎｍ／ｓｅｃ。
　・膜厚：６０ｎｍ
［ＴａＢＳｉＮ膜の成膜条件（３）］
　・ターゲット：ＴａＢターゲット（組成比：Ｔａ８０ａｔ％、Ｂ２０ａｔ％）、Ｓｉターゲット。
　・スパッタガス：Ａｒガス、Ｎ2ガス（Ａｒ：８６体積％、Ｎ2：１４体積％、ガス圧：２ｍＴｏｒｒ、流量：１３ｓｃｃｍ（Ａｒ）、２ｓｃｃｍ（Ｎ2））。
　・出力：１５０Ｗ（ＴａＢターゲット）、１００Ｗ（Ｓｉターゲット）。
　・成膜速度：０．１１ｎｍ／ｓｅｃ。
　・膜厚：６０ｎｍ。
　上記条件で成膜したＲｕ膜、およびＴａＢＳｉＮ膜（１）～（３）についてエッチング速度を求め、下記（３）式を用いてエッチング選択比を求める。
　・エッチング選択比
　　＝（ＴａＢＳｉＮ膜のエッチング速度）／（Ｒｕ膜のエッチング速度）…（３）
　保護層１３とのエッチング選択比は、１０以上が望ましいが、ＴａＢＳｉＮ膜（１）～（３）のエッチング選択比は以下の通りであり、いずれも十分な選択比を有している。
　・ＴａＢＳｉＮ膜（１）：１０．０
　・ＴａＢＳｉＮ膜（２）：１２．３
　・ＴａＢＳｉＮ膜（３）：１３．９
［実施例２］
　実施例２は、以下の条件にしたがって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜を酸素含有雰囲気に暴露した以外は、実施例１と同様の手順を実施した。
　［暴露条件］（ＲＦ放電中に暴露ガスおよびキャリアガスを供給）
　・キャリアガス：Ａｒガス、流量１７ｓｃｃｍ。
　・暴露ガス：酸素ガス、流量５０ｓｃｃｍ。
　・酸素ガス圧： ０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０-2Ｐａ）。
　・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５×１０-2Ｐａ）。
　・暴露時間：６００ｓｅｃ。
　・暴露温度：２０℃。
　・暴露量：１．２×１０5Ｌ（１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）＝1×１０-6 Ｔｏｒｒ・ｓ）
　上記の手順で得られるマスクブランクに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認した。中間層１３の組成は、酸素３ａｔ％、Ｓｉ９７ａｔ％であった。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍであった。
（２）表面粗さ
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ－Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計３００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．５％であった。
［実施例３］
　実施例３は、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜を酸素含有雰囲気に暴露する際に、以下の条件にしたがって、ＲＦ放電を実施せず、Ｓｉ膜表面に紫外線を照射する以外は、実施例２と同様の手順で実施した。
　［暴露条件］（ＲＦ放電を実施することなしに、暴露ガスおよびキャリアガスを供給）
　・キャリアガス：Ａｒガス、流量１７ｓｃｃｍ。
　・暴露ガス：酸素ガス、流量５０ｓｃｃｍ。
　・酸素ガス分圧：０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０-2Ｐａ）。
　・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５Ｔｏｒｒ×１０-2Ｐａ）。
　・雰囲気温度：２０℃。
　・暴露時間：６００ｓｅｃ。
　・暴露量：１．２×１０5Ｌ（１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）＝１×１０－６　Ｔｏｒｒ・ｓ）。
　・紫外線照射光源：アルゴンエキシマランプ。
　・紫外線波長：１２６ｎｍ。
　・ランプ窓（フッ化マグネシウム）～基板間距離：５ｃｍ
　上記の手順で得られたマスクブランクに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認した。中間層１３の組成は、酸素３ａｔ％、Ｓｉ９７ａｔ％であった。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍであった。
（２）表面粗さ
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ－Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計３００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．５％であった。
［比較例１］
　比較例１は、反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２の形成後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜を酸素含有雰囲気に暴露することなしに保護層１５を形成した以外は実施例１と同様の手順を実施した。
　上記の手順で得られたマスクブランクに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜と保護層１４との間に中間層１３の形成は確認されず、Ｓｉ層と保護層１４との積層体における酸素含有率は０％であった。
（２）表面粗さ
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ－Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
　上記の手順で保護層１４まで形成したサンプルについて、保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計３００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は１％であった。
　この結果から、比較例１のマスクブランクは、実施例１，２のマスクブランクに比べて洗浄耐性に劣ることが確認された。
［実施例４］
　本実施例では、図４に示すＥＵＶＬ用多層膜ミラー２１を作製した。
　成膜用の基板１１として、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系のガラス基板を使用した。このガラス基板の熱膨張率は０．２×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、表面粗さｒｍｓが０．１５ｎｍ以下の平滑な表面に形成した。
　該基板１１の表面上にイオンビームスパッタ法を用いてＭｏ膜およびＳｉ膜を交互に成膜することを５０周期繰り返すことにより、合計膜厚３４０ｎｍ（（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×５０）のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜（反射層１２）を形成した。なお、多層反射膜１２の最上層はＳｉ膜である。
　Ｍｏ膜およびＳｉ膜の成膜条件は以下の通りである。
［Ｍｏ膜の成膜条件］
　・ターゲット：Ｍｏターゲット。
　・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）。
　・電圧：７００Ｖ。
　・成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ。
　・膜厚：２．３ｎｍ。
［Ｓｉ膜の成膜条件］
　・ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）。
　・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）。
　・電圧：７００Ｖ。
　・成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ。
　・膜厚：４．５ｎｍ。
　次に、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層のＳｉ膜表面を、酸素含有雰囲気として、大気中（酸素濃度２１ｖｏｌ％）に室温下で１０分間暴露した後、保護層１４であるＲｕ層を、イオンビームスパッタ法を用いて形成した。なお、Ｓｉ膜表面を酸素含有雰囲気に暴露した際の酸素の暴露量は、７６０（Ｔｏｒｒ）×０．２１×６００（ｓ）＝９．６×１０4Ｔｏｒｒ・ｓ＝９．６×１０10Ｌとなる。
　保護層１４の形成条件は以下の通りである。
　・ターゲット：Ｒｕターゲット。
　・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧０．０２Ｐａ）。
　・電圧：７００Ｖ。
　・成膜速度：０．０５２ｎｍ／ｓｅｃ。
　・膜厚：２．５ｎｍ。
　上記の手順で得られたＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
　保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認した。中間層１３の組成は、酸素５ａｔ％、Ｓｉ９５ａｔ％であった。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍであった。
（２）表面粗さ
　保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ－Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
　保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計３００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．４％であった。
［実施例５］
　実施例５は、以下の条件にしたがって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜を酸素含有雰囲気に暴露した以外は、実施例４と同様の手順を実施した。
　［暴露条件］
　・キャリアガス：Ａｒガス、流量１７ｓｃｃｍ。
　・暴露ガス：酸素ガス、流量５０ｓｃｃｍ。
　・酸素ガス圧： ０．２ｍＴｏｒｒ（２．６×１０-2Ｐａ）。
　・雰囲気圧力：０．３ｍＴｏｒｒ（３．５×１０-2Ｐａ）。
　・暴露時間：６００ｓｅｃ。
　・暴露温度：２０℃。
　・暴露量：１．２×１０5Ｌ（１Ｌ（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）＝１×１０-6 Ｔｏｒｒ・ｓ）
　上記の手順で得られるＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
　保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜と保護層１４との間に中間層１３が形成されていることを確認した。中間層１３の組成は、酸素３ａｔ％、Ｓｉ９７ａｔ％であった。また、中間層１３の膜厚は１ｎｍであった。
（２）表面粗さ
　保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ－Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
　保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計３００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計（ＡＩＸＵＶ社製ＭＢＲ（製品名））を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は０．５％であった。
［比較例２］
　比較例２は、反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２の形成後、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜を酸素含有雰囲気に暴露することなしに保護層１４を形成した以外は実施例４と同様の手順で実施した。
　上記の手順で得られたＥＵＶＬ用多層膜ミラーに対し下記の評価を実施した。
（１）膜組成
　保護層１４の表面から反射層（Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜）１２までの深さ方向組成を、Ｘ線光電子分光装置（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）（アルバック・ファイ社製：Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ）を用いて測定することによって、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ膜と保護層１４との間に中間層１３の形成は確認されず、Ｓｉ層と保護層１４との積層体における酸素含有率は０％であった。
（２）表面粗さ
　保護層１４の表面粗さを、ＪＩＳ－Ｂ０６０１（１９９４年）にしたがって、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）（セイコーインスツルメンツ社製：番号ＳＰＩ３８００）を用いて確認した。保護層１４の表面粗さｒｍｓは０．１５ｎｍであった。
（３）洗浄耐性
　保護層１４表面をオゾン水によるスピン洗浄で計３００秒処理した。この処理の前後に保護層１４表面にＥＵＶ光（波長１３．５ｎｍ）を照射し、ＥＵＶ反射率をＥＵＶ反射率計を用いて測定した。この処理の前後でのＥＵＶ反射率の低下は１％であった。
　この結果から、比較例２のＥＵＶＬ用多層膜ミラーは、実施例４，５のＥＵＶＬ用多層膜ミラーに比べて洗浄耐性に劣ることが確認された。
　本発明の反射層付基板、および該反射層付基板を用いたＥＵＶマスクブランクやＥＵＶミラーによれば、Ｒｕ保護層の酸化によるＥＵＶ光線反射率の低下が抑制されているので、露光条件を途中で変更する必要が少なくなり、ＥＵＶマスクやＥＵＶミラーの寿命の長期化を図ることができる。
　また、本発明のＥＵＶマスクブランクを用いて作成されるＥＵＶマスクは、ＥＵＶ露光時において、ＥＵＶ光線反射率の経時的な変化が小さい、信頼性の高いＥＵＶマスクであり、微細なパターンからなる集積回路の製造に有用である。
　なお、２００９年１２月４日に出願された日本特許出願２００９－２７６１７８号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
　１，１´：ＥＵＶマスクブランク
　１１：基板
　１２：反射層
　１３：中間層
　１４：保護層
　１５：吸収体層
　１６：低反射層
　２１：ＥＵＶミラー

Claims (15)

  1. 　基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、
    　前記反射層が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
    　前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、
    　前記反射層と、前記保護層と、の間に、酸素を０．５～２０ａｔ％含有し、Ｓｉを８０～９９．５ａｔ％含有する中間層が形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
  2. 　Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜からなる反射層の最上層がＳｉ膜であり、当該Ｓｉ膜面に前記中間層を有することを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
  3. 　前記中間層の膜厚が０．２～２．５ｎｍである、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
  4. 　前記保護層表面の表面粗さｒｍｓが０．５ｎｍ以下である、請求項１～３のいずれかに１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
  5. 　前記保護層の膜厚が１～１０ｎｍである、請求項１～４のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の反射層付基板の保護層上に吸収体層を形成してなるＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  7. 　前記吸収体層がタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成される、請求項６に記載のＥＵＶリグラフィ用反射型マスクブランク。
  8. 　エッチングガスとして塩素系ガスを用いてドライエッチングを実施した際の前記保護層と前記吸収体層とのエッチング選択比が１０以上である、請求項６または７に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  9. 　前記吸収体層上に、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で形成された、マスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が設けられている、請求項６～８のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  10. 　吸収体層に形成されるパターンの検査に用いられる光の波長に対する前記保護層表面での反射光と、前記低反射層表面での反射光と、のコントラストが、３０％以上である、請求項９に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
  11. 　請求項６～１０のいずれか１項に記載のＥＵＶマスクブランクをパターニングしたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク。
  12. 　請求項１～５のいずれか１項に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板を用いたＥＵＶリソグラフィ用反射型ミラー。
  13. 　基板の成膜面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜を形成した後、前記多層反射膜上に該多層反射膜の保護層を形成することにより、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板を製造する、ＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法であって、
    　前記多層反射膜が、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜であり、
    　前記保護層が、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層であり、
    　前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を酸素含有雰囲気に暴露した後に前記保護層を形成することを特徴するＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
  14. 　前記酸素含有雰囲気の酸素分圧（Ｔｏｒｒ）と暴露時間（ｓ）の積が１×１０-6 Ｔｏｒｒ・ｓ以上であり、該酸素含有雰囲気の温度が０～１５０℃である、請求項１３に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
  15. 　前記Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の形成後、該Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の最上層であるＳｉ層表面を酸素含有雰囲気に暴露する際、前記酸素含有雰囲気をプラズマ状態に保持するか、または該Ｓｉ層表面を熱処理するか、または該Ｓｉ層表面に紫外線を照射する、請求項１３にＥＵＶＬ用反射層付基板の製造方法。
PCT/JP2010/071738 2009-12-04 2010-12-03 Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材およびｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板の製造方法 WO2011068223A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011544342A JP5696666B2 (ja) 2009-12-04 2010-12-03 Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材およびｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板の製造方法
EP10834673A EP2509102A1 (en) 2009-12-04 2010-12-03 Optical member for euv lithography, and process for production of reflective-layer-attached substrate for euv lithography
KR1020127008639A KR20130007534A (ko) 2009-12-04 2010-12-03 Ｅｕｖ 리소그래피용 광학 부재 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사층 부착 기판의 제조 방법
CN201080055041.0A CN102640021B (zh) 2009-12-04 2010-12-03 Euv光刻用光学构件及带反射层的euv光刻用衬底的制造方法
US13/469,161 US8927179B2 (en) 2009-12-04 2012-05-11 Optical member for EUV lithography, and process for production of reflective layer-equipped substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-276178 2009-12-04
JP2009276178 2009-12-04

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/469,161 Continuation US8927179B2 (en) 2009-12-04 2012-05-11 Optical member for EUV lithography, and process for production of reflective layer-equipped substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011068223A1 true WO2011068223A1 (ja) 2011-06-09

Family

ID=44115068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/071738 WO2011068223A1 (ja) 2009-12-04 2010-12-03 Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材およびｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8927179B2 (ja)
EP (1) EP2509102A1 (ja)
JP (1) JP5696666B2 (ja)
KR (1) KR20130007534A (ja)
CN (1) CN102640021B (ja)
TW (1) TWI467318B (ja)
WO (1) WO2011068223A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094372A (zh) * 2011-10-31 2013-05-08 香港中文大学 太阳能电池及其制造方法
WO2015012151A1 (ja) * 2013-07-22 2015-01-29 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
WO2015037564A1 (ja) * 2013-09-11 2015-03-19 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2015056423A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2015142083A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP2015222783A (ja) * 2014-05-23 2015-12-10 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク
US9810993B2 (en) 2013-11-04 2017-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2018173664A (ja) * 2018-08-01 2018-11-08 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP2021021950A (ja) * 2014-03-11 2021-02-18 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの洗浄装置および反射型マスクの洗浄方法
TWI754441B (zh) * 2019-11-05 2022-02-01 南韓商S&S技術股份有限公司 用於極紫外光微影之空白罩幕以及光罩

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012014904A1 (ja) 2010-07-27 2012-02-02 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板、およびｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
US8658333B2 (en) * 2012-06-04 2014-02-25 Nanya Technology Corporation Reflective mask
JP6069919B2 (ja) 2012-07-11 2017-02-01 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法
CN103091744A (zh) * 2013-01-30 2013-05-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种提高极紫外光谱纯度及热稳定性的新型多层膜
CN104375378B (zh) * 2013-08-14 2019-04-26 上海凸版光掩模有限公司 光掩模制造方法
US9690016B2 (en) * 2014-07-11 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with amorphous layers and method of manufacturing thereof
KR102214777B1 (ko) * 2019-03-18 2021-02-10 한양대학교 산학협력단 극자외선 리소그래피용 마스크, 및 그 제조 방법
JPWO2020235612A1 (ja) * 2019-05-21 2020-11-26
US11221554B2 (en) 2020-01-17 2022-01-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV masks to prevent carbon contamination
IL304070A (en) * 2020-12-30 2023-08-01 Asml Netherlands Bv Apparatus and method for cleaning a test system
CN114196916B (zh) * 2021-12-16 2024-05-07 西湖大学 一种金属反射镜的制备方法以及金属反射镜
CN114214590B (zh) * 2021-12-16 2024-04-05 西湖大学 一种金属反射镜的制备方法以及金属反射镜

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1065568A2 (en) 1999-07-02 2001-01-03 Asm Lithography B.V. EUV-Lithographic projection apparatus comprising an optical element with a capping layer
JP2002122981A (ja) 2000-10-13 2002-04-26 Samsung Electronics Co Ltd 反射型フォトマスク
JP2003501823A (ja) 1999-06-07 2003-01-14 ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア 反射マスク基板のコーティング
JP2005268750A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Hoya Corp 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2005286203A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Hoya Corp 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2006017016A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Toshiba Corp 蒸気タービンケーシングおよび蒸気タービン
JP2006170911A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 光学素子及びこれを用いた投影露光装置
JP2006173446A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 極端紫外線用の光学素子及びこれを用いた投影露光装置
JP2006171577A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 光学素子及びこれを用いた投影露光装置
JP2006332153A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2009276178A (ja) 2008-05-14 2009-11-26 Fujifilm Corp 放射線画像処理方法および装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5928817A (en) 1997-12-22 1999-07-27 Intel Corporation Method of protecting an EUV mask from damage and contamination
US6355381B1 (en) 1998-09-25 2002-03-12 Intel Corporation Method to fabricate extreme ultraviolet lithography masks
US6596465B1 (en) 1999-10-08 2003-07-22 Motorola, Inc. Method of manufacturing a semiconductor component
US6410193B1 (en) 1999-12-30 2002-06-25 Intel Corporation Method and apparatus for a reflective mask that is inspected at a first wavelength and exposed during semiconductor manufacturing at a second wavelength
US6479195B1 (en) 2000-09-15 2002-11-12 Intel Corporation Mask absorber for extreme ultraviolet lithography
US6645679B1 (en) 2001-03-12 2003-11-11 Advanced Micro Devices, Inc. Attenuated phase shift mask for use in EUV lithography and a method of making such a mask
US6583068B2 (en) 2001-03-30 2003-06-24 Intel Corporation Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask
US6610447B2 (en) 2001-03-30 2003-08-26 Intel Corporation Extreme ultraviolet mask with improved absorber
US6593037B1 (en) 2001-05-02 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. EUV mask or reticle having reduced reflections
US6830851B2 (en) 2001-06-30 2004-12-14 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication
US6593041B2 (en) 2001-07-31 2003-07-15 Intel Corporation Damascene extreme ultraviolet lithography (EUVL) photomask and method of making
US6607862B2 (en) 2001-08-24 2003-08-19 Intel Corporation Damascene extreme ultraviolet lithography alternative phase shift photomask and method of making
US6653053B2 (en) 2001-08-27 2003-11-25 Motorola, Inc. Method of forming a pattern on a semiconductor wafer using an attenuated phase shifting reflective mask
US6818357B2 (en) 2001-10-03 2004-11-16 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication
DE10150874A1 (de) 2001-10-04 2003-04-30 Zeiss Carl Optisches Element und Verfahren zu dessen Herstellung sowie ein Lithographiegerät und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US6627362B2 (en) 2001-10-30 2003-09-30 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication
DE10156366B4 (de) 2001-11-16 2007-01-11 Infineon Technologies Ag Reflexionsmaske und Verfahren zur Herstellung der Reflexionsmaske
JP3939167B2 (ja) 2002-02-28 2007-07-04 Ｈｏｙａ株式会社 露光用反射型マスクブランク、その製造方法及び露光用反射型マスク
KR100455383B1 (ko) 2002-04-18 2004-11-06 삼성전자주식회사 반사 포토마스크, 반사 포토마스크의 제조방법 및 이를이용한 집적회로 제조방법
DE10223113B4 (de) 2002-05-21 2007-09-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer photolithographischen Maske
US6905801B2 (en) 2002-12-28 2005-06-14 Intel Corporation High performance EUV mask
US6913706B2 (en) 2002-12-28 2005-07-05 Intel Corporation Double-metal EUV mask absorber
US7118832B2 (en) 2003-01-08 2006-10-10 Intel Corporation Reflective mask with high inspection contrast
US6908713B2 (en) 2003-02-05 2005-06-21 Intel Corporation EUV mask blank defect mitigation
CN100449690C (zh) * 2003-10-15 2009-01-07 株式会社尼康 多层膜反射镜、多层膜反射镜的制造方法及曝光系统
US7169514B2 (en) 2003-12-31 2007-01-30 Intel Corporation Extreme ultraviolet mask with molybdenum phase shifter
US7300724B2 (en) * 2004-06-09 2007-11-27 Intel Corporation Interference multilayer capping design for multilayer reflective mask blanks
JP2006170916A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 光学素子及びこれを用いた投影露光装置
JP2006324268A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｕｖ露光用マスクブランクスおよびその製造方法、ｅｕｖ露光用マスク
TWI444757B (zh) 2006-04-21 2014-07-11 Asahi Glass Co Ltd 用於極紫外光（ｅｕｖ）微影術之反射性空白光罩
TWI417647B (zh) 2006-06-08 2013-12-01 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖ微影術用之反射性空白遮光罩及用於彼之具有功能性薄膜的基板
EP2028681B1 (en) * 2007-01-31 2014-04-23 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for euv lithography
KR101409642B1 (ko) 2007-04-17 2014-06-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
JP2009272347A (ja) * 2008-04-30 2009-11-19 Toshiba Corp 光反射型マスク、露光装置、測定方法、及び半導体装置の製造方法
JP5258368B2 (ja) * 2008-04-30 2013-08-07 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
US8057649B2 (en) * 2008-05-06 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Microwave rotatable sputtering deposition

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003501823A (ja) 1999-06-07 2003-01-14 ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア 反射マスク基板のコーティング
JP4068285B2 (ja) 1999-07-02 2008-03-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 極端紫外光学素子用のキャッピング層
EP1065568A2 (en) 1999-07-02 2001-01-03 Asm Lithography B.V. EUV-Lithographic projection apparatus comprising an optical element with a capping layer
JP2002122981A (ja) 2000-10-13 2002-04-26 Samsung Electronics Co Ltd 反射型フォトマスク
US6699625B2 (en) 2000-10-13 2004-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Reflection photomasks including buffer layer comprising group VIII metal, and methods of fabricating and using the same
JP2005268750A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Hoya Corp 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2005286203A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Hoya Corp 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2006017016A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Toshiba Corp 蒸気タービンケーシングおよび蒸気タービン
JP2006173446A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 極端紫外線用の光学素子及びこれを用いた投影露光装置
JP2006171577A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 光学素子及びこれを用いた投影露光装置
JP2006170911A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nikon Corp 光学素子及びこれを用いた投影露光装置
JP2006332153A (ja) * 2005-05-24 2006-12-07 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2009276178A (ja) 2008-05-14 2009-11-26 Fujifilm Corp 放射線画像処理方法および装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103094372A (zh) * 2011-10-31 2013-05-08 香港中文大学 太阳能电池及其制造方法
US9740091B2 (en) 2013-07-22 2017-08-22 Hoya Corporation Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank for EUV lithography, reflective mask for EUV lithography, and method of manufacturing the same, and method of manufacturing a semiconductor device
WO2015012151A1 (ja) * 2013-07-22 2015-01-29 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
KR20160034315A (ko) 2013-07-22 2016-03-29 호야 가부시키가이샤 다층 반사막을 구비한 기판, euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, euv 리소그래피용 반사형 마스크 및 그 제조 방법과 반도체 장치의 제조 방법
JPWO2015012151A1 (ja) * 2013-07-22 2017-03-02 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2015056423A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
WO2015037564A1 (ja) * 2013-09-11 2015-03-19 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JPWO2015037564A1 (ja) * 2013-09-11 2017-03-02 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US9720317B2 (en) 2013-09-11 2017-08-01 Hoya Corporation Substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank for EUV lithography, reflective mask for EUV lithography and method of manufacturing the same, and method of manufacturing a semiconductor device
US9810993B2 (en) 2013-11-04 2017-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2015142083A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP2021021950A (ja) * 2014-03-11 2021-02-18 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの洗浄装置および反射型マスクの洗浄方法
JP7314109B2 (ja) 2014-03-11 2023-07-25 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの洗浄装置および反射型マスクの洗浄方法
JP2015222783A (ja) * 2014-05-23 2015-12-10 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク
JP2018173664A (ja) * 2018-08-01 2018-11-08 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
TWI754441B (zh) * 2019-11-05 2022-02-01 南韓商S&S技術股份有限公司 用於極紫外光微影之空白罩幕以及光罩

Also Published As

Publication number Publication date
CN102640021A (zh) 2012-08-15
CN102640021B (zh) 2014-06-25
JP5696666B2 (ja) 2015-04-08
KR20130007534A (ko) 2013-01-18
JPWO2011068223A1 (ja) 2013-04-18
TWI467318B (zh) 2015-01-01
US20120219890A1 (en) 2012-08-30
EP2509102A1 (en) 2012-10-10
US8927179B2 (en) 2015-01-06
TW201128300A (en) 2011-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5696666B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材およびｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板の製造方法
JP5673555B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク、および該反射層付基板の製造方法
JP5803919B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射層付基板、およびｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP5590044B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用光学部材
JP5348140B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP4910856B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板
JP2014127630A (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
JP6069919B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板およびその製造方法
JP2015109366A (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク若しくはｅｕｖリソグラフィ用の反射層付基板、およびその製造方法
JP6186996B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
JP2007311758A (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP6186962B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
JP5494164B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板
JP6451884B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
JP6288327B2 (ja) Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080055041.0

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10834673

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011544342

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010834673

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127008639

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE