WO2010149058A1 - 控制器件阀值电压的cmosfet结构及其制造方法 - Google Patents

控制器件阀值电压的cmosfet结构及其制造方法 Download PDF

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    • H01L29/66575—Lateral single gate silicon transistors where the source and drain or source and drain extensions are self-aligned to the sides of the gate
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    • H01L29/7833—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with lightly doped drain or source extension, e.g. LDD MOSFET's; DDD MOSFET's

Definitions

  • the 22 nanometers and the core woods are also indispensable, and they are also close to the earth.
  • Zhushan has k / C OS which is less than only / SOCO, then you can everybody is reduced. But the water is enough for C O .
  • TC OS is the same as O O P S P , so it seems to be lower in order to lower the OS and P OS.
  • OS and P OS devices are small, OS pieces bamboo g Y, D c, and Gd
  • k is and k is or k
  • biver is k or k is multidirectional.
  • L , / a k includes 1 1 , , O , fAO A 3 Z 4S x La2 H aAO aS 1 thousand
  • H HFO H O fA A O Z a O, a O, H a , aAO, and aS O are less or less, or other superscripts, other compounds, S, SO, or less.
  • k is merged, forming the first with k, / with ⁇ ⁇ k k / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / /
  • Ephesians In the middle of the East, Ephesians is in the middle of the bamboo, and the same or different, used, and phased.
  • N O and P O are different from Beaverin, and the upper OS does not include g and Y, a D Sc and Gd.
  • the upper middle is k and k or more is k, and k k or k.
  • A, Z za fLa x aAO LaS at least, or H, HSO HA AZ Zr O 1 a O, a LaA fl LS , a total reduction of a compound, a compound, a compound, a compound, and a combination of S x and O .
  • Small C FF and its system with foot OS and P OS
  • the O FE of this controller is in the south k of the OS and P OS.
  • 1003a 003b for example, a compound or a compound, such as
  • the Fuzhu material includes a bamboo material to seal the rare earth gold Y, L Dy Sc and G to make A Z, Be and Hf ⁇ . k and k or more than k.
  • 1007a 007b - Bar or Doni may include T Ta o f TaA TA o UA TaYb TaE TaTbN TaCd C ra " HfS C pt Ru r W o Re R x R x Rux is less or more than the compound.
  • O and k 1004 such as m , for example, HO .
  • Hugh 1001 may not form P S a 10 b, respectively, and they are 10 5a such as H of 10 a.
  • she ⁇ for example T
  • a 5 5a is also A, zr, , Be.
  • 10 5b can seal the Y of Y, a D Sc and Jd ".
  • 5 shows the upper and the lower of the 5th and 0 5b and the k 1006. And the foot, k 10) 4 and the same k with 1006 can also be different.
  • foot wood in the same, compared with P S S, the foot wood can be intermediate S, or can form multiple S

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Description

控制器件 佰 的C OS ET 及其制造方法 水
小及 涉及 C O 令 化物 休 水中 k 和 水 ， 及 佰 C OSF 氧化物 休 休 及其制 方以。 伐木
22納米及以 核心 木的 足 成中 的必 ，也 足」 上土 休公用和研究 相 及的 之 。 以 "而k /令 水力核心的 C 化物 休 研究足 22 水及以 水 代大 大 核心 ， 之 的材料、 及 4 " 竹山 有 k / 的 C OS 其 以比只 多 /S O C O 少低 故 ， 即 可 人人減少。 但 之 水 足C O 。 TC OS 同 O O P S P ， 所以 似 化 ， 以求 OS 和 P OS 的 的 下， 可能 降低
故 。
日前 化C O 的 ， 只 小同
在 引入同k ， 以 了 。 ， 與 ， V"依 o - 的 ， 利用以 / N OS 及 O 佰山川的 也只能 限制 的 內。
此， 的 及加 仍 步 。 內
水
此， 本及 的 足 佰 的 C SFET 及其 之 OS/pMOS 向k 內 以 仍 竹 k } 內 的 或 ， 日及 也 少 而 的 。 伐木力
比 ， 木 竹 介 ，
c OS ET ，
十 休 ， 如
休 化物或 化物界 以， 如 1 2
k 以
n 同k 的 以
令 以」 的 k
在弗 同k 的 以。
上比 ， 比界面 03 f
比弗 以足 以或更多以同 或不□ 同k 中川 包括 、 化V 相 了 。
， OS 和P OS器件 以的 小 ， OS 件 竹材 g Y、 、 D c、 和 Gd
P OS ， 以的 A、 Z、 T、 Be和H 中的 。
， k 以 以而 k 或 以而k ， 比弗一 k 以 k 或多 向k 。
比 中 休 或多尼 共
NL、 TA t TaA A AN T TA TaTb a 、 J C 1 J p R 、 、 W R R R TA 多 和 化物中的千少 或多 的 。
L ， / 一 k 包括 1 1 、、 O 、 fAO A 3 Z 4S x La2 H aAO aS 1 千少
H HFO H O fA A O Z a O，、 a O，、 H a 、 aAO、和 aS O 千少 化物、 只 化物、 其他 上元 化物、 他 化物、 S 、 SO 少 或多 的 。
， 木友 ， 利用 仟 1 、 F 也力以， 方以
休 以
弗 同 k
k 從 合 ，形成第一同k 以/ 以 仟弗一 k 以/ 令 第一而k )} ，形成弗 k /弗 介 以/弗一再k
弗 而 k f 合 / k 比 ， 形成
以 ， 山 C SFET 。
， 休 界 的 中， 只
03
東中 以 弗 介 成竹 中， 足 以或 以同 或不同 ， 使用的 、 化于 相 和 了以 似。
中， N O 和 P O ， 比弗 金 反竹 不同， 上 OS 未 令 以的 包括 g和 Y、 a D Sc和Gd
P S ， 竹材 A、 、 Be 中的 。
上 中 比 k 而k 或多以而k ， 一同k k 或 向k 。
， 在弗 同 k / L 第一同 k
只 ， 合 以 或多尼 ，
T a oN T4A T 11 NL、 Ta Ta
C C SC p R 1、 W R R R fR 多 和 化物中的千少 或多 。
弗 / 一再k 、H O H N、H 、
A 、 Z z a fLa x aAO LaS 至少 ， 或 H 、 HSO HA A Z Zr O 1 a O，、 a LaA fl L S 、中全少 化物、 化物、 且他 化物、 化物、 S x和 O 至少 或多 的 合。 小 的 的C FF 及其制 以 足 OS和 P OS 同 k 內 合
以 k 內部形成的 或 ， 而 的 佰 。 木及 ， 不 以 C OS k 和 以 的 了， 而 以很好的 而k 內 和 故 ， 可以 的 佰 。
罔 足 本及 利用 制器 佰 的C SFET 的小
2足 小及 制器件 c" OSFET 制造 的
至 8足依照木及明火 利用 制器 吧 C S，ET 制造 法T 流程中各 而 。 只休
本及 的 、 水力 和 她 以 合只休 ， ， 木及 。 指出 足 足 性的， 而 足 比例 制的 井 的 可能 了 。
本及 的 制器 的 O FE 及 ， 足在 OS和P OS 的南k 內 以，
在同k 內 形成竹 或 水 的 控制 的 。 ， 小 可以 C 中而k 和 以 了 血 比 很好的 而k 以內 定 和故 可以 控制器 的 中川。
足 木及 利用 的C O FET 。 在 1 十 休 1001 例如 形成的 OS 。 休 ， 十 休 形成P O OS 10 a 10 b 它 ST 002 。 如 所 小及 C OSF
休 1001， 如
在 休 100 以1003a 003b， 以例如 化物或 化物， 如
弗 k 1004a 004b
在 同k 的 的 0 、 10 5b
在 從 再k 以 06a 1 06b
第一同k 以1007a 1007b
比 ， G 003a、 0 b 0.3
以10 5a 0)5b足 西 或多以同 或小同 k 也 足 第 k 1004a 004b 以 或多尼向k ， 同 k 006a 006b可以 以或多尼 k 。 的 但 不限 、 化 或 了 。 器件和P S ，
竹材 小同。 例如 于 ， 弗 竹材料 以包括令 封稀土 金 Y、 L Dy Sc和G 的 而 / 竹材料 以 令 A Z、 、 Be和Hf中 仟 。 k 而k 或多尼同 k 。
1007a 007b 合 - 吧 或多尼 可以包括T Ta o f TaA TA oA UA TaYb TaE TaTbN TaCd C ra " HfS C pt Ru r W o Re R x R x Rux 多 和 令 化物 中 于少 或多 。
弗 / 同k 以 、 、 J U 、 Ox A O ZrU、 ZSO TaO、 aO，、 fLaO、、 LaAO aS 中的千少 ， 或 以 1 H Ux HON HAO A 3 Z zSOx aO a 、 LaO LaAO aS O 千少 的風化物、 化物、 其他 化物、 稀土 氮化物、 和S O 的至少 或多 的 。
2 了 木投明 的利用 的C O E 的 以 。 如 2 ， 法
201 休 以 202 山 而k 以
20 k 尚 ， 形成向k / 合
204 在同k / 而k □， 形成 k / /同k
205 在同k / 似/ k 以， 以形 成 以及
206 收和 ， 以 ， - 形成 制器件 的C OSFET 。
以 參照 休 水 比 法 。
8足 小 " SFE 法 之流 中各 的 魚 而 。
如 所 ， 奸前 T之她 休 00 S
例如0． m 而 00 ， O 和例如 m 的 k 1004 例如， HO 。 如 比， 休 1001可以 分別 未形成P S a 10 b， 它們 比 ) 如 10 a的H 以 的令 10 5a。 例如 以 仲介 而上 ， 她佰例如 T
利令 以 形成。 弗 a 形成 的 況 ， 10 5a 以也 A、 zr、 、 Be 。
似 ， 如 所示， 在 0 b 令 以 005b。 0 b 形成 O 的 況下 10 5b可以 封 Y、 a D Sc和 Jd「 的仟 。
接 如 6所 ， 5所示 大 上 休 在弗 和第 的 以10 5a和 0 5b 弗 而k 1006。 而 足， 以 k 10)4和 同k 以1006 足同 也可以足不同 。
然 ，如 7 ， 一以而k 1006 10 a 0 b 以1007a和 007b。 1007a和 07 以足同 M ， 可以足小同 。 1007a 007b 以 然 形成。 ， 8 小， 和 、 和 ，k ， 洲 形成、 川入 之， 水 各 " SFE 。 中 了 的 1008。 以 瓜棚 C SFET 的 余 ， 在小 。 木 水人 以 多 方式 ， 此小 。
足， 竹在以 ， 同 P S S 比， 足木 水人 可以 中 介 S， 或 可 以形成多 S
以 比 休火 ， 木及 、 水 和 凡 況 ， 的足， 以上 木友 只休 已， 小 限制本及 ， 凡 木 的 和 則之內， 所做 修改、 同 、 ， 包含 木 他 之內。

Claims

要 求
令 析化物 甘休 休 C O Fh ，
比
在 的St 以
在S 界面 從 的 k
弗 而k 以上 尚合
在 上 的弗 k
在 同k 上 的令 以。
1 比 JC O FET ，共 的 03 水 1 比的C OSFET ， 共中， 所述 的 從 方法包括 從 、 化 相從 或 。
4． 1 C O FET 共中， 化物 甘休 S 器件和 P 令 化物 休 P O ， 竹材 不 T O ， 竹材料 稀土 Y、 Dy、 和 d
P OS器件， 以的材料 A、 g和H 中的 。
土 利四水 比的C O FET 共 ， 比 向k
民同 k 或多尼同k ， 第二 k 一成而k 或多尼 k 。
6． 要求 1 比 C O FET ，共中 比 合 U 或多尼 ， T Ta o 11 、 TaA TA
AN TaYbN TaE L、 TaT JCC pC T HfSC p、 R W o Re RuO、 R Ta fR 、 多 和 化物 的千少 或多 合。
7． 要求 比 C OSFET 共 作 ， 比 /第二而 k U HpO H A 、 zO z T a f 、 aAO 和La 少 ，或 S HO
AO A O Z z TaO a O 、 HT 和 aS Ox中全少 化物、 氧化物、 化物、 他 風化物、 N S O 的 少 或多 。
上 令 化物 休 休 SFET 的 法 L O 以
在SO 從 弗 而k
尚k 以上從 合 ，形成第一 以 在弗 同 k 以/ 而k ，形成弗 而k 以/ 令 / n k
弗 而 k / 以/第二 k ， 而
以 且 ， 完成C OSFET 。
9． 水 8所述的 C O FET 的制造 法， 其中 比LL S 以 ， 面 0.3
k 的 C FET ， 且 在十， 在第 同 k 令 的 中 、 化 相 從 和 于 。
11． 要求 10 比的 C OSFET 的制造力 ， 其中，
化物 休 OS 器件和 p 化物 休 P OS ， 令 的材料不同， T N OS器件 令 竹材 Y、 Dy 和 Gd中的 P O 水 ， 以的 料 A、 g和H 。
2 水 8所述 C OSFET 的 法 特仟 T
k 合 以同k 或多以 k ， 比弗 而k
尚k 或多尼 k 。
1 ． 水 8 C O FET 的制造 ， 共 ， 在 同k / 尚 以/弗一再 k ，
或多以 吧 ，其 、Ta N Ta TA HA aYb Ta TaTb T FC TaS C C p、 R W、 R R 、 R Tax fR 、 多 和 化物 千少 或多 的 14． 水8 比 C FET 制地 ， ， / k fOO HfO L、 tSo k、HAox A 、 r Xr o、T 、 a O Hf a aAo a O 少 ，或者HO H O mm AO、 A Z zS x Ta O 、 a f aAO aSo 千少 的 化物、 化物、 凡他 化物、 其他稀土J 風化物、 、和 ON 中的至少 或多 的 。
． 屈打化物 休 休 C O FE ，
休
十 休 的
在 以上從 弗 而 k
k 以 弗 令 以
第 令 十從 的 以及
作 k 從 。
6. 化物T 休 休 c o FET 制造力 ， 在 休
以十 k 以
弗 k 上從 弗 以，形成弗一 k 以/
弗 而k 以/ 介 上 k ，形成 k / /弗 而k
在 k 以/ /弗 而 k 上 吧
以及
以 力水 一步 m e 。
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