WO2010106703A1 - 半導体装置とその製造方法、電子装置、及び電子部品 - Google Patents

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semiconductor device
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中西　輝
林　信幸
将 森田
米田　泰博
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, an electronic device, and an electronic component.
  • a BGA is manufactured by fabricating a semiconductor package in which the semiconductor element is mounted on the interposer and mounting it on the wiring board via solder bumps.
  • a BGA type semiconductor package is also called a BGA type semiconductor package.
  • FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views in the middle of mounting the BGA type semiconductor package 5 on the wiring board 1.
  • the wiring board 1 has a first electrode pad 2 on one main surface thereof.
  • a solder paste 4 is printed on the first electrode pad 2 in advance by screen printing.
  • the semiconductor package 5 includes a second electrode pad 6 at a position facing the first electrode pad 2 on the main surface, and a solder bump 7 is bonded to the upper surface of the second electrode pad 6.
  • the semiconductor package 5 is mounted on the wiring substrate 1 as shown in FIG.
  • the shape of the solder bump 7 after the reflow is determined by the surface tension of the solder and the weight of the semiconductor package 5 and is usually a drum-like shape with a bulged center as shown.
  • the semiconductor package 5 and the wiring board 1 have different thermal expansion coefficients due to the difference in materials. Therefore, when the semiconductor package 5 generates heat, stress is applied to the solder bumps 7 due to the difference in thermal expansion coefficient. The stress is concentrated in a portion where the diameter of the solder bump 7 is the smallest, that is, in the vicinity of the joint A between each electrode pad 2, 6 and the solder bump 7.
  • An object of the present invention is to improve the connection reliability between a wiring board and a semiconductor component in a semiconductor device and its manufacturing method, an electronic device, and an electronic component.
  • a circuit board including a wiring board provided with a first electrode pad on a surface thereof, and a wiring that is provided upright on the wiring board and connected to the first electrode pad.
  • a semiconductor device having a substrate and a semiconductor component provided on the surface with a second electrode pad provided facing the wiring substrate through the circuit board and connected to the wiring.
  • a wiring board provided with a first electrode pad on the surface, and a wiring provided upright on the wiring board and connected to the first electrode pad are provided.
  • An electronic device mounted with a semiconductor device having a circuit board and a semiconductor component provided on the surface with a second electrode pad connected to the wiring and facing the wiring board through the circuit board Provided.
  • a wiring board having a first electrode pad on a surface, the first electrode pad, and a second electrode pad provided in a semiconductor element to be mounted on the wiring board.
  • an electronic component that includes a circuit board provided on the wiring board and provided with a wiring that connects to the wiring board.
  • a step of standing a circuit board on a wiring board provided with a first electrode pad on the surface, wiring provided in the circuit board, and the first electrode pad A step of mounting a semiconductor component on the circuit board so as to face the wiring board through the circuit board, and a second electrode pad provided on the surface of the semiconductor component
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising the step of connecting the wiring of the circuit board.
  • FIG. 1A and 1B are cross-sectional views in the middle of mounting a semiconductor element on a wiring board by flip chip mounting.
  • FIG. 2 is a plan view of a flexible circuit board used in each embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG.
  • FIGS. 4A and 4B are perspective views showing how to use the flexible circuit board according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view of a wiring board used in each embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view of an interposer of a semiconductor package used in each embodiment.
  • 8A and 8B are enlarged cross-sectional views of the flexible circuit board and its periphery in the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIGS. 10A to 10D are cross-sectional views in the middle of manufacturing the flexible circuit board according to each embodiment.
  • FIG. 11A and FIG. 11B are plan views in the middle of manufacturing flexible circuit boards according to the respective embodiments.
  • 12A to 12C are cross-sectional views in the middle of manufacturing a semiconductor device using the flexible circuit board according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view when a flexible circuit board is arranged between the interposer and the semiconductor element in the first embodiment.
  • FIG. 14 is a perspective view showing how to use the flexible circuit board according to the second embodiment.
  • FIG. 15 is an enlarged plan view of an electronic component formed by fixing a flexible circuit board according to the second embodiment on a wiring board.
  • FIG. 16 is an enlarged plan view of three flexible circuit boards used in the third embodiment.
  • FIG. 17 is a perspective view showing how to use the flexible circuit board 30 according to the third embodiment.
  • FIG. 18 is an enlarged plan view of an electronic component formed by fixing a flexible circuit board according to the third embodiment on a wiring board.
  • FIGS. 19A and 19B are cross-sectional views (part 1) illustrating the method for manufacturing the sample in the fourth embodiment.
  • FIGS. 20A and 20B are cross-sectional views (part 2) illustrating the method for manufacturing the sample according to the fourth embodiment.
  • FIG. 21 is a plan view of a sample in the fourth embodiment.
  • FIGS. 22A and 22B are cross-sectional views for explaining a method for investigating connection reliability of samples in the fourth embodiment.
  • FIG. 23 is a schematic plan view showing a method of measuring a resistance value between the second electrode pad and the third electrode pad in the fourth embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of a stress-absorbing flexible circuit board 30 used in this embodiment.
  • the flexible circuit board 30 includes a flexible belt-shaped resin base material 32 and wirings 31 embedded in the resin base material 32.
  • the size of the resin base material 32 is not particularly limited, but in this embodiment, the length L is about 40 mm and the width W is about 2 mm.
  • the wiring 31 is formed so as to extend in the short side direction of the belt-shaped resin base material 32, and copper is used as the material thereof, for example.
  • a plurality of such wirings 31 are formed on the resin base material 32 with an interval of about 1.27 mm, and slits 32 b are formed in the resin base material 32 between the wirings 31.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II of FIG.
  • the resin base material 32 is formed by laminating a first resin film 38 and a second resin film 39 each made of polyimide, and wiring 31 is provided between these resin films 38 and 39. Is embedded.
  • the thickness T of the resin base material 32 including the resin films 38 and 39 is not particularly limited, but is about 0.1 mm in the present embodiment.
  • an opening 32a is formed in the resin substrate 32 at a portion of about 0.5 mm from both ends of the wiring 31, and the end of the wiring 31 is exposed from the opening 32a.
  • a surface treatment such as gold plating may be applied to the portion of the wiring 31 exposed from the opening 32a in order to prevent oxidation and improve bondability.
  • FIG. 4 (a) and 4 (b) are perspective views showing how to use the stress relaxation flexible circuit board 30.
  • FIG. 4 (a) and 4 (b) are perspective views showing how to use the stress relaxation flexible circuit board 30.
  • a plurality of the flexible circuit boards 30 are prepared, and the slits 30a are fitted to each other.
  • the flexible circuit boards 30 are combined in a lattice shape, and the flexible circuit boards 30 stand by themselves even without support.
  • the depth of the slit 32b is set to about half of the width W (see FIG. 2) of each flexible circuit board 30. It is preferable to do this.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor device using the flexible circuit board 30 combined in this way.
  • the semiconductor device 10 includes a wiring board 11 and a semiconductor package 20 as a semiconductor component facing the wiring board 11 through a flexible circuit board 30.
  • the wiring board 11 is a multilayer wiring board in which wirings 12 made of copper and insulating layers 13 made of glass epoxy resin are alternately laminated, and a first electrode made of copper is formed on the surface of the uppermost layer. A pad 14 is provided.
  • the semiconductor package 20 is formed by mounting a semiconductor element 21 such as a CPU on the interposer 16 and sealing the semiconductor element 21 and the interposer 16 with a sealing resin 22.
  • the interposer 16 is a multilayer wiring board in which a plurality of wirings 17 made of copper and insulating layers 18 made of glass epoxy resin are alternately stacked, and the second and the second layers made of copper are formed on the surfaces of the lowermost layer and the uppermost layer. Third electrode pads 19 and 24 are provided.
  • the semiconductor element 21 includes a fourth electrode pad 25 made of copper, and the fourth electrode pad 25 and the third electrode pad 24 of the interposer 16 are electrically and mechanically connected by the solder bump 19. Is done.
  • a heat sink 23 is attached to the surface of the sealing resin 22 for efficiently radiating the heat generated in the semiconductor element 21.
  • the heat sink 23 is made of a metal having good thermal conductivity, such as aluminum.
  • FIG. 6 is a plan view of the wiring board 11.
  • the planar shape of the wiring board 11 is a square having a side length of about 110 mm, and 26 ⁇ 26 first electrode pads 14 excluding the central 16 ⁇ 16 regions. Are arranged in a grid pattern. Further, the size of the first electrode pad 14 is not particularly limited, but in the present embodiment, the first electrode pad 14 is a circle having a diameter of about 0.76 mm.
  • FIG. 7 is a plan view of the interposer 16 provided in the semiconductor package 20.
  • the planar shape of the interposer 16 is a square having a side length of about 40 mm.
  • the second electrode pad 19 provided on the interposer 16 has a circular shape with a diameter of about 0.76 mm, and has the same arrangement pattern as the first electrode pad 14 shown in FIG.
  • 8A and 8B are enlarged cross-sectional views of the flexible circuit board 30 and its surroundings in the semiconductor device 10 described above.
  • 8A is an enlarged cross-sectional view along the extending direction of the flexible circuit board 30, and
  • FIG. 8B is a direction perpendicular to the extending direction of the flexible circuit board 30.
  • the strip-shaped flexible circuit board 30 is provided upright on the wiring board 11 and passes over the first electrode pad 14. Extends laterally.
  • the wiring 31 of the flexible circuit board 30 is formed by the first and second connection media 41 and 42 such as Sn-3Ag-0.5Cu solder in the portions exposed from the openings 32a of the resin base material 32, respectively.
  • the first and second electrode pads 14 and 19 are mechanically and electrically connected.
  • the contact area between the wiring 31 and each connection medium 41 is increased as compared with the case where the opening 32a is not provided, and the circuit board 30 is provided.
  • the connection reliability between the wiring substrate 11 and the semiconductor package 20 through the wiring is improved.
  • connection media 41 and 42 is not limited to solder, and may be a conductive adhesive.
  • the conductive adhesive is formed by kneading, for example, a binder such as an epoxy resin, a urethane resin, a silicone resin, an acrylic resin, and a polyimide resin, and a conductive filler such as silver or copper.
  • FIG. 9 is an enlarged plan view of the semiconductor device.
  • the semiconductor package 20 is omitted for easy viewing of the planar layout of the flexible circuit board 30.
  • the plurality of flexible circuit boards 30 combined in a lattice shape are aligned with the wiring board 11 so that the wiring 31 is located on the first electrode pad 14. .
  • the flexible circuit board 30 is provided between the wiring board 11 and the semiconductor package 20 as shown in FIGS.
  • the flexible circuit board 30 itself deforms and absorbs the difference in thermal expansion between the wiring board 11 and the semiconductor package 20 caused by the heat generation of the semiconductor package 20, the flexible circuit board 30 and each electrode pad are absorbed. It is possible to prevent the stress from concentrating on the joints with 14 and 19. Therefore, the risk of breakage of the bonding between the wiring 31 of the circuit board 30 and the electrode pads 14 and 19 due to the concentration of stress is reduced, and the connection reliability between the circuit board 30 and the semiconductor package 20 can be improved. It becomes possible.
  • the flexible circuit board 30 since the flexible circuit board 30 is erected on the wiring board 11, the flexible circuit board 30 is flexible along the in-plane direction D of the wiring board 11 as shown in FIG. The circuit board 30 can be deformed. Thereby, the flexible circuit board 30 can efficiently absorb the difference in thermal expansion between the wiring board 11 and the semiconductor package 20 along the direction D, and the flexible circuit board 30 can effectively improve the connection reliability. Is possible.
  • FIGS. 11 (a) and 11 (b) are plan views thereof.
  • adhesion is performed on the main surface of the first resin film 38 made of polyimide having a thickness of about 0.25 mm.
  • the copper foil 33 is bonded via an agent (thickness: about 0.25 mm).
  • the thickness of the copper foil 33 is not particularly limited, but is about 0.35 mm in this embodiment.
  • a material of the first resin film 38 a material other than polyimide, for example, epoxy, acrylic, phenol, or the like may be used.
  • the copper foil 33 is patterned by photolithography and wet etching to form the wiring 31.
  • the width of the wiring 31 obtained by this patterning is about 0.5 mm, for example.
  • a second resin film 39 in which an opening 32a is formed in advance is prepared. Then, the second resin film 39 is affixed to the first resin film 38 with an adhesive (not shown) by pressing to obtain a resin base material 32 composed of the resin films 39 and 39.
  • the material of the second resin film 39 is not particularly limited, and a film made of any of polyimide, epoxy, acrylic, and phenol can be used as the second resin film.
  • each resin film 38 and 39 When attaching each resin film 38 and 39 at low temperature, it is preferable to use any of the above-mentioned epoxy, acrylic, and phenol as materials of these resin films.
  • the thickness of the second resin film 39 is not particularly limited, but is about 0.25 mm in the present embodiment.
  • the opening 32a is formed in the 1st resin film 38 by laser processing, and the edge part of the wiring 31 is exposed from the opening 32a.
  • the contact area between the wiring 31 and each connection medium 41, 42 can be increased in the opening 32a. it can.
  • the openings 32a are formed in both of the resin films 38 and 39. However, even if the openings 32a are formed in only one of the resin films 38 and 39, the wiring 31 and the connection media 41, The contact area with 42 can be increased.
  • FIG. 11A is an enlarged plan view of the resin base material 32 after the steps up to here are finished
  • FIG. 10D is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. Equivalent to.
  • slits 32b are mechanically formed using a puncher in the resin base material 32 between the plurality of wirings 31.
  • a plurality of such flexible circuit boards 30 are manufactured, and each of them is combined in a lattice shape as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b).
  • FIGS. 12 (a) to 12 (c) are cross-sectional views in the course of manufacturing a semiconductor device using the flexible circuit board 30 combined in this way.
  • FIGS. 12 (a) to 12 (c) the same elements as those described in FIGS. 8 (a) and 8 (b) are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted below.
  • Sn-3Ag-0.5Cu solder is used as the first connection medium 41 on the first electrode pad 14 of the wiring board 11. Print in advance.
  • solder ball may be mounted on the first electrode pad 14 as the first connection medium 41 in advance.
  • the first electrode pad 14 and the flexible circuit board 30 are aligned, and a plurality of flexible electrodes combined in a lattice pattern on the wiring board 11.
  • a circuit board 30 is placed.
  • each circuit board 30 can be maintained on the wiring board 11 by itself without supporting each circuit board 30.
  • solder in the first connection medium 41 is heated to a temperature of 220 ° C. or higher, which is its melting point, and reflowed.
  • the wiring 31 of the flexible circuit board 30 and the first electrode pad 14 are connected via the first connection medium 41 and the first connection medium 41 is connected.
  • the flexible circuit board 30 is temporarily fixed on the wiring board 11 by the connection medium 41.
  • the semiconductor package 20 is placed on the electronic component 40.
  • Sn-3Ag-0.5Cu solder is pre-printed as the second connection medium 42 on the second electrode pad 19 of the semiconductor package 20, and the semiconductor package is interposed via the second connection medium 42. 20 is placed on the flexible circuit board 30.
  • solder ball may be mounted as the second connection medium 42 on the second electrode pad 19.
  • solder in the second connection medium 42 is heated to a temperature of 220 ° C. or higher, which is the melting point, and reflowed.
  • connection medium 42 when the second connection medium 42 is cooled and solidified, the wiring 31 of the flexible circuit board 30 and the second electrode pad 19 are connected via the second connection medium 42, and the second The semiconductor package 20 is fixed on the flexible circuit board 30 by the connection medium 42.
  • solder is used as the first and second connection media 41 and 42, but a conductive adhesive may be used instead.
  • the flexible circuit board 30 for absorbing stress is disposed between the semiconductor package 20 and the wiring board 11, but the portion where the circuit board 30 is provided is not limited thereto.
  • a flexible circuit board 30 may be disposed between them.
  • the same elements as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 5, and description thereof is omitted below.
  • solder or conductive adhesive is provided in advance as the first and second connection media 41, 42 on the electrode pads 24, 25, and the circuit board 30 is connected to each electrode by the connection media 41, 42.
  • the pads 24 and 25 are electrically and mechanically connected.
  • the difference in thermal expansion between the semiconductor element 21 and the interposer 16 can be absorbed by the flexible circuit board 30, and the connection reliability between the semiconductor element 21 and the interposer 16 can be improved.
  • the connection reliability between the semiconductor component such as the semiconductor package 20 and the semiconductor element 21 and the wiring board 11 is improved.
  • An improved semiconductor device can be provided. By mounting the semiconductor device on an electronic device such as a server or a personal computer, further enhancement of the performance of the electronic device can be promoted.
  • Second Embodiment The present embodiment is different from the first embodiment only in how the flexible circuit boards 30 are combined, and the rest is the same as the first embodiment.
  • FIG. 14 is a perspective view showing how to use the flexible circuit board 30 according to the present embodiment.
  • one flexible circuit board 30 is wound in a spiral shape.
  • FIG. 15 is an enlarged plan view of an electronic component 50 formed by fixing the flexible circuit board 30 on the wiring board 11.
  • the flexible circuit board 30 is provided on the wiring board 11 so that the wiring 31 passes over the first electrode pad 14 and is bent at an appropriate position. It is wound in a spiral shape.
  • the flexible circuit board 30 can be wound on the electrode pad 14 regardless of the planar layout of the first electrode pad 14.
  • the versatility of the flexible circuit board 30 is improved.
  • FIG. 16 is an enlarged plan view of the three flexible circuit boards 30 used in the present embodiment.
  • the slit 32b is cut from only one long side, and the remaining one is slit 32b from both long sides. Is cut.
  • FIG. 17 is a perspective view showing how to use the flexible circuit board 30 according to the present embodiment.
  • the flexible circuit boards 30 are centered around the slits 32b by fitting the slits 32b of the three flexible circuit boards 30 shown in FIG. Combine radially.
  • FIG. 18 is an enlarged plan view of an electronic component 60 formed by fixing the flexible circuit board 30 thus radially combined on the wiring board 11.
  • each flexible circuit board 30 is provided upright on the wiring board 11 so that the wiring 31 passes over the first electrode pad 14.
  • each flexible circuit board 30 is deformed, so that the difference in thermal expansion between the wiring board 11 and the semiconductor package 20 is caused by the flexible circuit board 30. Therefore, the connection reliability between the wiring substrate 11 and the semiconductor package 20 can be improved.
  • 19 and 20 are cross-sectional views showing a method for producing a sample used for the investigation.
  • the same elements as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment, and the description thereof is omitted below.
  • a flexible circuit board 30 and a package board 70 are prepared.
  • the package substrate 70 functions as a pseudo semiconductor package at the time of investigation, and has a first electrode pad 71 and a second electrode pad 72 on both surfaces of the resin base material 74. These electrode pads 71 and 72 are connected to each other through via holes 70 a formed in the resin base material 74.
  • the flexible circuit board 30 and the package board 70 are electrically and mechanically connected to each other via a first connection medium 75 such as solder.
  • a wiring board 80 in which a plurality of third electrode pads 83 are formed on a resin base material 82 is prepared. Then, a solder paste is printed as a second connection medium 87 on the third electrode pads 83 at the left and right ends of the plurality of third electrode pads 83 by a printing method or the like.
  • the second connection medium A flexible substrate 30 is erected on 87.
  • connection medium 87 is reflowed and melted to connect the wiring 31 of the flexible circuit board 30 and the third electrode pad 83 of the wiring board 80 to the first.
  • the two connection media 87 are electrically and mechanically connected.
  • connection medium 75 and 87 Sn-37Pb solder was used.
  • FIG. 21 is a plan view of the sample S, and FIG. 20B corresponds to a cross-sectional view taken along line III-III in FIG.
  • the two flexible circuits facing up and down in the figure are electrically and mechanically connected to both the package board 70 and the wiring board 80. Only the substrate 30 is present.
  • the two flexible substrates 30 are connected to the package substrate 70 and the wiring substrate 80 via the first and second connection media 75 and 87 in the connection portion B as described above.
  • the inventor of the present application investigated the connection reliability as follows.
  • 22 (a) and 22 (b) are cross-sectional views for explaining a connection reliability investigation method.
  • the sample S is placed on the support 90 with the package substrate 70 facing down.
  • the support 90 is provided with a recess 90a, and the flexible circuit board 30 and the package substrate 70 are accommodated in the recess 90a.
  • the bending test is expected as a method that can measure the life of the joint due to fatigue in a short time compared to the temperature cycle test.
  • FIG. 23 is a schematic plan view showing a method of measuring the resistance value R described above.
  • two first test pads 79 connected to the second electrode pads 72 are provided on the surface of the package substrate 70.
  • two second test pads 89 electrically connected to the third electrode pad 83 are provided on the surface of the wiring board 80.
  • connection B (see FIG. 21) between the package substrate 70 and the wiring substrate 80 was destroyed when the resistance value R increased by 1% from the initial value after the test was started. I saw it. As a result, it was confirmed that the life of the connection portion B in the sample S is 8 times or longer compared to the case where the substrates 70 and 80 are connected via the solder bumps 7 as shown in FIG. .

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Abstract

【課題】半導体装置とその製造方法、電子装置、及び電子部品において、配線基板と半導体部品との接続信頼性を向上させること。 【解決手段】表面に第１の電極パッド１４を備えた配線基板１１と、配線基板１１の上に立てて設けられ、第１の電極パッド１４と接続された配線３１を備えた回路基板３０と、回路基板３０を介して配線基板１１に対向して設けられ、配線３１と接続された第２の電極パッド１９を表面に備えた半導体パッケージ２０とを有する半導体装置による。

Description

半導体装置とその製造方法、電子装置、及び電子部品
　本発明は、半導体装置とその製造方法、電子装置、及び電子部品に関する。
　近年、サーバやパソコンといった電子装置は、高速化や高性能化等の面で著しい発展を遂げており、それに伴い電子装置に使用されるCPU(Central Processing Unit)等の半導体素子の大型化が進んでいる。
　半導体素子の実装技術としては、半導体素子をベアチップの状態ではんだバンプを介して配線基板に直接実装するフリップチップ実装が知られている。
　また、半導体素子の微細な電極配列を配線基板の電極配列にスケールアップするため、インターポーザに半導体素子を搭載してなる半導体パッケージを作製し、それをはんだバンプを介して配線基板上に実装するBGA(Ball Grid Array)方式の実装方法もある。BGA方式用の半導体パッケージは、BGA型の半導体パッケージとも呼ばれる。
　図１（ａ）、（ｂ）は、BGA型の半導体パッケージ５を配線基板１に実装する途中の断面図である。
　図１（ａ）に示されるように、配線基板１は、その一方の主面上に第１の電極パッド２を有する。その第１の電極パッド２には、予めスクリーン印刷によりにはんだペースト４が印刷されている。
　一方、半導体パッケージ５は、その主面上において第１の電極パッド２と対向する位置に第２の電極パッド６を備え、更にその第２の電極パッド６の上面にははんだバンプ７が接合される。
　そして、はんだペースト４にはんだバンプ７が当接した状態でこれらを加熱してリフローすることにより、図１（ｂ）に示すように、配線基板１の上に半導体パッケージ５が実装される。リフロー後のはんだバンプ７の形状は、はんだの表面張力と半導体パッケージ５の自重により決定され、通常は図示のような中央が膨れた太鼓のような形状となる。
　ところで、半導体パッケージ５と配線基板１は、材料の相違に起因して、それぞれ異なる熱膨張率を有するので、半導体パッケージ５が発熱すると熱膨張率の差が原因ではんだバンプ７に応力が加わる。その応力は、はんだバンプ７の径が最も小さい部位、すなわち各電極パッド２、６とはんだバンプ７との接合部A付近に集中する。
　半導体パッケージ５の電源のオン・オフが繰り返されることにより、接合部Ａにおけるはんだバンプ７に応力が繰り返し与えられ、次第にはんだバンプ７の金属疲労が進む。そして、最終的には、はんだバンプ７にクラックが生じ、接合部Ａが破断するおそれがある。
特開平５－１１４６２７号公報 国際公開第０８／１１４４３４号パンフレット 特開２００１－１１８８７６号公報 特開平８－２３６８９８号公報 特表２００５－５１０６１８号公報
森田、林、中西、米田、「鉛フリーはんだの高加速試験」、第２３回エレクトロニクス実装学会春季講演大会
　半導体装置とその製造方法、電子装置、及び電子部品において、配線基板と半導体部品との接続信頼性を向上させることを目的とする。
　以下の開示の一観点によれば、表面に第１の電極パッドを備えた配線基板と、前記配線基板の上に立てて設けられ、前記第１の電極パッドと接続された配線を備えた回路基板と、前記回路基板を介して前記配線基板に対向して設けられ、前記配線と接続された第２の電極パッドを表面に備えた半導体部品とを有する半導体装置が提供される。
　また、その開示の別の観点によれば、表面に第１の電極パッドを備えた配線基板と、前記配線基板の上に立てて設けられ、前記第１の電極パッドと接続された配線を備えた回路基板と、前記回路基板を介して前記配線基板に対向して設けられ、前記配線と接続された第２の電極パッドを表面に備えた半導体部品とを有する半導体装置を搭載した電子装置が提供される。
　更に、その開示の他の観点によれば、表面に第１の電極パッドを備えた配線基板と、前記第１の電極パッドと、前記配線基板に実装予定の半導体素子が備える第２の電極パッドとを接続する配線を備え、前記配線基板の上に立てて設けられた回路基板とを有する電子部品が提供される。
　そして、その開示の更に他の観点によれば、表面に第１の電極パッドが設けられた配線基板の上に回路基板を立てる工程と、前記回路基板が備える配線と、前記第１の電極パッドとを接続する工程と、前記回路基板を介して前記配線基板に対向するように、該回路基板上に半導体部品を載置する工程と、前記半導体部品の表面に設けられた第２の電極パッドと、前記回路基板の前記配線とを接続する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
図１（ａ）、（ｂ）は、フリップチップ実装により半導体素子を配線基板に実装する途中の断面図である。 図２は、各実施形態で使用される可撓性回路基板の平面図である。 図３は、図２のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。 図４（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る可撓性回路基板の使用方法について示す斜視図である。 図５は、第１実施形態に係る半導体装置の断面図である。 図６は、各実施形態で使用される配線基板の平面図である。 図７は、各実施形態で使用される半導体パッケージのインターポーザの平面図である。 図８（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置における可撓性回路基板とその周囲の拡大断面図である。 図９は、第１実施形態に係る半導体装置の拡大平面図である。 図１０（ａ）～（ｄ）は、各実施形態に係る可撓性回路基板の作製途中の断面図である。 図１１（ａ）、（ｂ）、各実施形態に係る可撓性回路基板の作製途中の平面図である。 図１２（ａ）～（ｃ）は、第１実施形態に係る可撓性回路基板を用いた半導体装置の製造途中の断面図である。 図１３は、第１実施形態において、インターポーザと半導体素子との間に可撓性回路基板を配した場合の断面図である。 図１４は、第２実施形態に係る可撓性回路基板の使用方法について示す斜視図である。 図１５は、第２実施形態に係る可撓性回路基板を配線基板の上に固着してなる電子部品の拡大平面図である。 図１６は、第３実施形態で使用される三枚の可撓性回路基板の拡大平面図である。 図１７は、第３実施形態に係る可撓性回路基板３０の使用方法について示す斜視図である。 図１８は、第３実施形態に係る可撓性回路基板を配線基板の上に固着してなる電子部品の拡大平面図である。 図１９（ａ）、（ｂ）は、第４実施形態におけるサンプルの作製方法について示す断面図（その１）である。 図２０（ａ）、（ｂ）は、第４実施形態におけるサンプルの作製方法について示す断面図（その２）である。 図２１は、第４実施形態におけるサンプルの平面図である。 図２２（ａ）、（ｂ）は、第４実施形態におけるサンプルの接続信頼性の調査方法について説明するための断面図である。 図２３は、第４実施形態において、第２の電極パッドと第３の電極パッドとの間の抵抗値の測定方法を示す模式平面図である。
　以下に、本実施形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
　（１）第１実施形態
　図２は、本実施形態で使用される応力吸収用の可撓性回路基板３０の平面図である。
　この可撓性回路基板３０は、可撓性のある帯状の樹脂基材３２と、その樹脂基材３２に埋め込まれた配線３１とを有する。樹脂基材３２のサイズは特に限定されないが、本実施形態では長さLを約４０mm、幅Wを約２mmとする。
　配線３１は、帯状の樹脂基材３２の短辺方向に延在するように形成され、その材料としては例えば銅が使用される。
　樹脂基材３２にはそのような配線３１が約１．２７mmの間隔をおいて複数形成され、各配線３１の間の樹脂基材３２にはスリット３２ｂが形成される。
　図３は、図２のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。
　図３に示されるように、樹脂基材３２は、いずれもポリイミドよりなる第１の樹脂フィルム３８と第２の樹脂フィルム３９を積層してなり、これらの樹脂フィルム３８、３９の間に配線３１が埋め込まれる。
　これら樹脂フィルム３８、３９を合わせた樹脂基材３２の厚さTは特に限定されないが、本実施形態では約０．１mmとする。
　そして、配線３１の両端から約０．５mmの部分の樹脂基材３２には開口３２ａが形成され、その開口３２ａから配線３１の端部が露出する。なお、開口３２ａから露出する部分の配線３１に、酸化防止や接合性向上のために金めっき等の表面処理を施してもよい。
　図４（ａ）、（ｂ）は、この応力緩和用の可撓性回路基板３０の使用方法について示す斜視図である。
　図４（ａ）に示すように、本実施形態では、上記の可撓性回路基板３０を複数用意し、その各々のスリット３０ａ同士を嵌合させる。
　これにより、図４（ｂ）に示すように、各可撓性回路基板３０同士が格子状に組み合わされ、支えがなくても各可撓性回路基板３０が自力で立つようになる。
　このとき、各可撓性回路基板３０の高さにばらつきが生じるのを防止するために、スリット３２ｂの深さを、各可撓性回路基板３０の幅W（図２参照）の半分程度とするのが好ましい。
　図５は、このようにして組み合わせられた可撓性回路基板３０を用いた半導体装置の断面図である。
　この半導体装置１０は、配線基板１１と、可撓性回路基板３０を介して配線基板１１に対向する半導体部品としての半導体パッケージ２０とを有する。
　このうち、配線基板１１は、銅よりなる配線１２とガラスエポキシ樹脂よりなる絶縁層１３とを交互に積層してなる多層配線基板であり、その最上層の表面には銅よりなる第１の電極パッド１４が設けられる。
　また、半導体パッケージ２０は、インターポーザ１６の上にCPU等の半導体素子２１を載せ、その半導体素子２１とインターポーザ１６とを封止樹脂２２により封止してなる。
　このうち、インターポーザ１６は、銅よりなる配線１７とガラスエポキシ樹脂よりなる絶縁層１８とが交互に複数積層された多層配線基板であり、その最下層と最上層の表面に銅よりなる第２及び第３の電極パッド１９、２４を有する。
　また、半導体素子２１は銅よりなる第４の電極パッド２５を備えており、その第４の電極パッド２５とインターポーザ１６の第３の電極パッド２４とがはんだバンプ１９により電気的かつ機械的に接続される。
　更に、封止樹脂２２の表面には、半導体素子２１で発生した熱を効率よく放熱するためのヒートシンク２３が固着される。ヒートシンク２３は、熱伝導率の良好な金属、例えばアルミニウムよりなる。
　図６は、配線基板１１の平面図である。
　図６に示されるように、配線基板１１の平面形状は一辺の長さが約１１０mmの正方形であり、中央の１６個×１６個の領域を除く２６個×２６個の第１の電極パッド１４が格子状に配される。また、第１の電極パッド１４の大きさは特に限定されないが、本実施形態では直径が約０．７６mmの円形とする。
　一方、図７は、半導体パッケージ２０が備えるインターポーザ１６の平面図である。
　図７に示されるように、インターポーザ１６の平面形状は、一辺の長さが約４０mmの正方形である。そして、そのインターポーザ１６に設けられた第２の電極パッド１９は、直径が約０．７６mmの円形であり、図６に示した第１の電極パッド１４と同一の配列パターンを有する。
　図８（ａ）、（ｂ）は、上記の半導体装置１０における可撓性回路基板３０とその周囲の拡大断面図である。これらのうち、図８（ａ）は、可撓性回路基板３０の延在方向に沿う拡大断面図であり、図８（ｂ）は、可撓性回路基板３０の延在方向に垂直な方向に沿う拡大断面図である。
　図８（ａ）、（ｂ）に示されるように、帯状の可撓性回路基板３０は、配線基板１１の上に立てて設けられ、第１の電極パッド１４の上を通るように基板１１の横方向に延在する。
　そして、可撓性回路基板３０の配線３１は、樹脂基材３２の開口３２ａから露出する部分において、Sn-3Ag-0.5Cuはんだ等の第１及び第２の接続媒体４１、４２により、それぞれ第１及び第２の電極パッド１４、１９と機械的かつ電気的に接続される。
　このように開口３２ａにおいて配線３１と各接続媒体４１、４２との接続を行うことで、開口３２ａを設けない場合と比較して配線３１と各接続媒体４１との接触面積が増え、回路基板３０を介した配線基板１１と半導体パッケージ２０との接続信頼性が向上する。
　なお、各接続媒体４１、４２は、はんだに限定されず、導電性接着剤であってもよい。その導電性接着剤は、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、及びポリイミド樹脂等のバインダーと、銀や銅等の導電性フィラーとを混練してなる。
　このように配線基板１１の上に可撓性回路基板３０を立てることで、図８（ｂ）に示すように、配線基板１１や半導体パッケージ２０が熱膨張したときに、配線基板１１の面内方向Dに沿った可撓性回路基板３０の変形を促すことができる。
　図９は、この半導体装置の拡大平面図である。なお、図９では、可撓性回路基板３０の平面レイアウトを見やすくするために半導体パッケージ２０を省いている。
　図９に示されるように、格子状に組み合わされた複数の可撓性回路基板３０は、その配線３１が第１の電極パッド１４の上に位置するように、配線基板１１と位置合わせされる。
　以上説明した半導体装置１０によれば、図８（ａ）、（ｂ）に示したように、配線基板１１と半導体パッケージ２０の間に可撓性回路基板３０を設けるようにした。
　これによれば、半導体パッケージ２０の発熱によって生じる配線基板１１と半導体パッケージ２０の熱膨張の差を可撓性回路基板３０自体が変形して吸収するので、可撓性回路基板３０と各電極パッド１４、１９との接合部に応力が集中するのを防止できる。そのため、応力の集中が原因で回路基板３０の配線３１と各電極パッド１４、１９との接合が破断する危険性が低減され、回路基板３０と半導体パッケージ２０との接続信頼性を向上させることが可能となる。
　特に、本実施形態では、可撓性回路基板３０を配線基板１１の上に立てるようにしたので、図８（ｂ）に示したように、配線基板１１の面内方向Dに沿って可撓性回路基板３０を変形させることができる。これにより、方向Dに沿った配線基板１１と半導体パッケージ２０の熱膨張の差を可撓性回路基板３０で効率的に吸収でき、可撓性回路基板３０による接続信頼性向上の実効を図ることが可能となる。
　次に、この可撓性回路基板３０の作製方法について説明する。
　図１０（ａ）～（ｄ）は可撓性回路基板３０の作製途中の断面図であり、図１１（ａ）、（ｂ）はその平面図である。
　可撓性回路基板３０を作製するには、まず、図１０（ａ）に示すように、厚さが約０．２５mmのポリイミドよりなる第１の樹脂フィルム３８の主面上に不図示の接着剤（厚さ約０．２５mm）を介して銅箔３３を接着する。銅箔３３の厚さは特に限定されないが、本実施形態では約０．３５mmとする。
　なお、第１の樹脂フィルム３８の材料として、ポリイミド以外の材料、例えばエポキシ、アクリル、及びフェノール等を使用してもよい。
　次いで、図１０（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィとウエットエッチングにより銅箔３３をパターニングして配線３１を形成する。このパターニングにより得られた配線３１の幅は、例えば約０．５mmである。
　続いて、図１０（ｃ）に示すように、予め開口３２ａが形成された第２の樹脂フィルム３９を用意する。そして、不図示の接着剤によりその第２の樹脂フィルム３９を第１の樹脂フィルム３８にプレスにより貼付して、各樹脂フィルム３９、３９よりなる樹脂基材３２を得る。
　その第２の樹脂フィルム３９の材料は特に限定されず、ポリイミド、エポキシ、アクリル、及びフェノールのいずれかよりなるフィルムを第２の樹脂フィルムとして使用し得る。
　各樹脂フィルム３８、３９同士の貼付を低温で行う場合には、これらの樹脂フィルムの材料として上記のエポキシ、アクリル、及びフェノールのいずれかを使用するのが好ましい。
　また、第２の樹脂フィルム３９の厚さは特に限定されないが、本実施形態では約０．２５mmである。
　そして、図１０（ｄ）に示すように、レーザ加工により第１の樹脂フィルム３８に開口３２ａを形成し、その開口３２ａから配線３１の端部を露出させる。
　図８（ａ）、（ｂ）を参照して説明したように、このように開口３２ａを形成することで、開口３２ａ内において配線３１と各接続媒体４１、４２との接触面積を増やすことができる。
　なお、この例では各樹脂フィルム３８、３９の両方に開口３２ａを形成したが、これらの樹脂フィルム３８、３９のいずれか一方にのみ開口３２ａを形成しても、配線３１と各接続媒体４１、４２との接触面積を増やすことができる。
　図１１（ａ）は、ここまでの工程を終了した後の樹脂基材３２の拡大平面図であり、先の図１０（ｄ）は図１１（ａ）のII－II線に沿う断面図に相当する。
　この後は、図１１（ｂ）に示すように、複数の配線３１の間の樹脂基材３２にパンチャーを用いてスリット３２ｂを機械的に形成する。
　以上により、応力緩和用の可撓性回路基板３０の基本構造が完成したことになる。
　半導体装置の製造にあたっては、このような可撓性回路基板３０を複数作製し、その各々を図３（ａ）、（ｂ）に示したように格子状に組み合わせる。
　図１２（ａ）～（ｃ）は、このようにして組み合わされた可撓性回路基板３０を用いた半導体装置の製造途中の断面図である。なお、図１２（ａ）～図１２（ｃ）において図８（ａ）、（ｂ）で説明したのと同じ要素にはこれらの図と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
　半導体装置１０を製造するには、まず、図１２（ａ）に示すように、配線基板１１の第１の電極パッド１４の上に、第１の接続媒体４１としてSn-3Ag-0.5Cuはんだを予め印刷する。
　なお、このような印刷法に代えて、予め第１の電極パッド１４の上に第１の接続媒体４１としてはんだボールを搭載してもよい。
　次いで、図１２（ｂ）に示すように、第１の電極パッド１４と上記の可撓性回路基板３０との位置合わせを行い、配線基板１１の上に格子状に組み合わされた複数の可撓性回路基板３０を載せる。このように格子状に組み合わせることで、各回路基板３０を支持しなくても、各回路基板３０が配線基板１１の上で自力で立った状態を維持できる。
　この後に、第１の接続媒体４１中のはんだをその融点である２２０℃以上の温度に加熱してリフローする。
　その後、第１の接続媒体４１が冷却して固化すると、可撓性回路基板３０の配線３１と第１の電極パッド１４とが第１の接続媒体４１を介して接続されると共に、第１の接続媒体４１により可撓性回路基板３０が配線基板１１上に仮固定される。
　これにより、配線基板１１の上に可撓性回路基板３０を立てて設けてなる電子部品４０が得られたことになる。
　続いて、図１２（ｃ）に示すように、電子部品４０の上に半導体パッケージ２０を載置する。このとき、半導体パッケージ２０の第２の電極パッド１９上には、第２の接続媒体４２としてSn-3Ag-0.5Cuはんだが予め印刷されており、その第２の接続媒体４２を介して半導体パッケージ２０が可撓性回路基板３０上に載せられる。
　なお、印刷法により第２の接続媒体４２を形成するのではなく、第２の電極パッド１９の上に第２の接続媒体４２としてはんだボールを搭載するようにしてもよい。
　そして、この状態で第２の接続媒体４２中のはんだをその融点である２２０℃以上の温度に加熱してリフローする。
　この後に、第２の接続媒体４２が冷却して固化すると、可撓性回路基板３０の配線３１と第２の電極パッド１９とが第２の接続媒体４２を介して接続されると共に、第２の接続媒体４２により半導体パッケージ２０が可撓性回路基板３０上に固定される。
　以上により、本実施形態に係る半導体装置の基本構造が得られたことになる。
　なお、上記では第１及び第２の接続媒体４１、４２としてはんだを用いたが、これに代えて導電性接着剤を用いてもよい。
　更に、上記では、半導体パッケージ２０と配線基板１１の間に応力吸収用の可撓性回路基板３０を配したが、回路基板３０を設ける部位はこれに限定されない。
　例えば、図１３の拡大断面図に示すように、インターポーザ１６と半導体素子２１とを接続するため、これらの間に可撓性回路基板３０を配するようにしてもよい。なお、図１３において、図５と同じ要素には図５と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
　この場合は、各電極パッド２４、２５の上に第１及び第２の接続媒体４１、４２としてはんだや導電性接着剤を予め設けておき、その接続媒体４１、４２により回路基板３０が各電極パッド２４、２５と電気的かつ機械的に接続されることになる。
　これにより、半導体素子２１とインターポーザ１６との熱膨張の差を可撓性回路基板３０で吸収することができ、半導体素子２１とインターポーザ１６との接続信頼性を向上させることができる。
　このように、本実施形態では、半導体基板１１の上に可撓性回路基板３０を立てて設けることで、半導体パッケージ２０や半導体素子２１等の半導体部品と配線基板１１との接続信頼性が向上された半導体装置を提供できる。そして、その半導体装置をサーバやパーソナルコンピュータ等の電子装置に搭載することで、電子装置の更なる高性能化を促すことができる。
　（２）第２実施形態
　本実施形態が第１実施形態と異なる点は、可撓性回路基板３０の組み合わせ方のみであり、これ以外は第１実施形態と同じである。
　図１４は、本実施形態に係る可撓性回路基板３０の使用方法について示す斜視図である。
　図１４に示すように、本実施形態では、１枚の可撓性回路基板３０をスパイラル状に巻く。
　図１５は、この可撓性回路基板３０を配線基板１１の上に固着してなる電子部品５０の拡大平面図である。
　図１５に示されるように、可撓性回路基板３０は、配線３１が第１の電極パッド１４の上を通るように配線基板１１の上に立てて設けられると共に、適当な箇所で屈曲させることでスパイラル状に巻かれる。
　このようにスパイラル状にすることで、１枚の可撓性回路基板３０だけでもそれを全ての第１の電極パッド１４の上に這わせることができる。よって、第１実施形態のように複数枚の可撓性回路基板３０を用意したり、各回路基板３０を組み合わせるためにその各々にスリット３２ｂを形成したりする必要がなく、可撓性回路基板３０の加工が容易となる。
　しかも、可撓性回路基板３０を適当な箇所で屈曲させることで、第１の電極パッド１４の平面レイアウトを問わずに当該電極パッド１４の上に可撓性回路基板３０を這わすことができ、可撓性回路基板３０の汎用性が高められる。
　（３）第３実施形態
　本実施形態が第１実施形態と異なる点は、可撓性回路基板３０の組み合わせ方のみであり、これ以外は第１実施形態と同じである。
　図１６は、本実施形態で使用される三枚の可撓性回路基板３０の拡大平面図である。
　図１６に示されるように、三枚の可撓性回路基板３０のうちの二枚は、その一方の長辺のみからスリット３２ｂが切り込まれ、残りの一枚は両方の長辺からスリット３２ｂが切り込まれている。
　使用に際しては、これら三枚の可撓性回路基板３０を同図の矢印の方向に組み合わせる。
　図１７は、本実施形態に係る可撓性回路基板３０の使用方法について示す斜視図である。
　図１７に示すように、本実施形態では、図１５に示した三枚の可撓性回路基板３０のスリット３２ｂ同士を嵌合させることにより、スリット３２ｂを中心として各可撓性回路基板３０を放射状に組み合わせる。
　図１８は、このように放射状に組み合わされた可撓性回路基板３０を配線基板１１の上に固着してなる電子部品６０の拡大平面図である。
　図１８に示されるように、各可撓性回路基板３０は、配線３１が第１の電極パッド１４の上を通るように配線基板１１の上に立てて設けられる。
　このような放射状の形態としても、第１実施形態と同様に、各可撓性回路基板３０が変形することにより、配線基板１１と半導体パッケージ２０の熱膨張の差を可撓性回路基板３０で吸収でき、配線基板１１と半導体パッケージ２０との接続信頼性を向上できる。
　（４）第４実施形態
　本実施形態では、本願発明者が行った調査について説明する。その調査では、第１実施形態のように配線基板と半導体パッケージとの間に可撓性回路基板３０を設けることで、当該配線基板と半導体パッケージとの接続信頼性がどの程度向上するかが調査された。
　図１９及び図２０は、その調査に使用したサンプルの作製方法について示す断面図である。なお、これらの図において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
　このサンプルを作製するには、まず、図１９（ａ）に示すように、可撓性回路基板３０とパッケージ基板７０とを用意する。
　このうち、パッケージ基板７０は、調査時に擬似的に半導体パッケージとして機能するものであって、樹脂基材７４の両面に第１の電極パッド７１と第２の電極パッド７２とを有する。そして、これらの電極パッド７１、７２は、樹脂基材７４に形成されたビアホール７０ａを介して互いに接続される。
　また、可撓性回路基板３０とパッケージ基板７０は、はんだ等の第１の接続媒体７５を介して互いに電気的かつ機械的に接続される。
　ここで、本調査では、可撓性回路基板３０が備える複数の配線３１のうち、左右の両端の配線３１のみを第１の電極パッド７１に接続し、残りの配線３１についてはパッケージ基板７０と接続しない。
　次いで、図１９（ｂ）に示すように、樹脂基材８２の上に複数の第３の電極パッド８３が形成された配線基板８０を用意する。そして、複数の第３の電極パッド８３のうち、左右の両端の第３の電極パッド８３の上に第２の接続媒体８７としてはんだペーストを印刷法等により印刷する。
　次に、図２０（ａ）に示すように、可撓性回路基板３０の両端の配線３１と、配線基板８０の両端の第３の電極パッド８３とを位置合わせした後、第２の接続媒体８７の上に可撓性基板３０を立てる。
　その後、図２０（ｂ）に示すように、第２の接続媒体８７をリフローして溶融することにより、可撓性回路基板３０の配線３１と配線基板８０の第３の電極パッド８３とを第２の接続媒体８７を介して電気的かつ機械的に接続する。
　なお、各接続媒体７５、８７としては、Sn-37Pbはんだを用いた。
　以上により、サンプルSの基本構造が完成したことになる。
　図２１は、このサンプルSの平面図であり、先の図２０（ｂ）は図２１のIII－III線に沿う断面図に相当する。
　図２１に示されるように、このサンプルSにおいては、４枚の可撓性回路基板３０を組み合わせてそれらをパッケージ基板７０の縁に立てて設けた。
　これらの可撓性回路基板３０のうち、パッケージ基板７０と配線基板８０との両方に電気的かつ機械的に接続されるのは、図中で上下に対向している二枚の可撓性回路基板３０のみである。その二枚の可撓性基板３０は、接続部Ｂにおいて、既述のように第１及び第２の接続媒体７５、８７を介してパッケージ基板７０と配線基板８０のそれぞれに接続される
　このようなサンプルSを用いて、本願発明者は次のようにして接続信頼性を調査した。
　図２２（ａ）、（ｂ）は、接続信頼性の調査方法について説明するための断面図である。
　調査に際しては、パッケージ基板７０を下側にしてサンプルSを支持体９０上に載せる。支持体９０には凹部９０ａが設けられており、可撓性回路基板３０とパッケージ基板７０はその凹部９０ａ内に収まる。
　そして、図２２（ａ）のように押し子９１を用いて配線基板８０とパッケージ基板７０とを鉛直下方に１．５mm押し込み、図２２（ｂ）のようにそれらを再び初期位置に戻すサイクルを０．５Hzの周波数で行った。これと同時に、第２の電極パッド７２と第３の電極パッド８３との間の抵抗値Rを測定した。測定は、室温が約２５度の室内で行った。このような調査はベンディング試験とも呼ばれる。
　ベンディング試験は、温度サイクル試験と比較して、疲労による接合部の寿命を短時間で測定し得る方法として期待される。
　図２３は、上記の抵抗値Rの測定方法を示す模式平面図である。
　図２３に示すように、パッケージ基板７０の表面には、第２の電極パッド７２に接続された二つの第１の試験パッド７９が設けられる。また、配線基板８０の表面には、第３の電極パッド８３と電気的に接続された二つの第２の試験パッド８９が設けられる。
　抵抗値Rの測定に際しては、二つの第１の試験パッド７９の一方と、二つの第２の試験パッド８９の一方との間に直流電流発生装置９６により定電流Ｉを流しながら電圧計９６によりパッド８３と７２に生じる電圧Ｖを測定し、R=V/Iにより抵抗値Rを求めた。
　本調査では、試験を開始してから抵抗値Rが初期値よりも１％上昇した時点において、パッケージ基板７０と配線基板８０との間の接続部Ｂ（図２１参照）が破壊されたものとみなした。その結果、各基板７０、８０を図１（ｂ）のようにはんだバンプ７を介して接続する場合と比較して、サンプルSにおける接続部Ｂの寿命が８倍以上であることが確認された。
　これにより、サンプルSのようにパッケージ基板７０と配線基板８０とを可撓性基板３０により接続することが、各基板７０、８０の接続信頼性の向上に有効であることが裏付けられた。
                                                                                

Claims (20)

  1. 　表面に第１の電極パッドを備えた配線基板と、
    　前記配線基板の上に立てて設けられ、前記第１の電極パッドと接続された配線を備えた回路基板と、
    　前記回路基板を介して前記配線基板に対向して設けられ、前記配線と接続された第２の電極パッドを表面に備えた半導体部品と、
    　を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 　前記回路基板は、可撓性回路基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記可撓性回路基板が複数設けられ、該複数の可撓性回路基板の各々にスリットを入れて該スリット同士を嵌合させることにより複数の前記可撓性回路基板を格子状に組み合わせたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記可撓性回路基板が複数設けられ、該複数の可撓性回路基板の各々にスリットを入れて該スリット同士を嵌合させることにより複数の前記可撓性回路基板を放射状に組み合わせたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  5. 　前記第１の電極パッドが複数設けられたと共に、前記可撓性回路基板が、複数の前記第１の電極パッドの各々の上を通るようにスパイラル状に巻かれたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  6. 　前記配線は、はんだ又は導電性接着剤により前記第１の電極パッドと前記第２の電極パッドと接続されたことを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体装置。
  7. 　前記可撓性回路基板は、一方の主面に前記配線が形成された第１の樹脂フィルムと、前記配線と前記第１の樹脂フィルムの上に形成された第２の樹脂フィルムとを有し、
    　前記配線の端部の上の前記第１の樹脂フィルムと前記第２の樹脂フィルムの少なくとも一方に前記配線が露出する開口が形成され、前記配線の前記端部が前記第１の電極パッド又は前記第２の電極パッドに接続されたことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記可撓性回路基板の平面形状は帯状であることを特徴とする請求項２～６のいずれか１項に記載の半導体装置。
  9. 　前記配線は、帯状の前記可撓性回路基板の短辺方向に延在することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
  10. 　表面に第１の電極パッドを備えた配線基板と、前記配線基板の上に立てて設けられ、前記第１の電極パッドと接続された配線を備えた回路基板と、前記回路基板を介して前記配線基板に対向して設けられ、前記配線と接続された第２の電極パッドを表面に備えた半導体部品とを有する半導体装置を搭載したことを特徴とする電子装置。
  11. 　表面に第１の電極パッドを備えた配線基板と、
    　前記第１の電極パッドと、前記配線基板に実装予定の半導体素子が備える第２の電極パッドとを接続する配線を備え、前記配線基板の上に立てて設けられた回路基板と、
    　を有することを特徴とする電子部品。
  12. 　前記回路基板が複数設けられ、該複数の回路基板の各々にスリットを入れて該スリット同士を嵌合させることにより複数の前記回路基板を格子状に組み合わせたことを特徴とする請求項１１に記載の電子部品。
  13. 　前記回路基板が複数設けられ、該複数の可撓性回路基板の各々にスリットを入れて該スリット同士を嵌合させることにより複数の前記回路基板を放射状に組み合わせたことを特徴とする請求項１１に記載の電子部品。
  14. 　前記第１の電極パッドが複数設けられたと共に、前記回路基板が、複数の前記第１の電極パッドの各々の上を通るようにスパイラル状に巻かれたことを特徴とする請求項１１に記載の電子部品。
  15. 　表面に第１の電極パッドが設けられた配線基板の上に回路基板を立てる工程と、
    　前記回路基板が備える配線と、前記第１の電極パッドとを接続する工程と、
    　前記回路基板を介して前記配線基板に対向するように、該回路基板上に半導体部品を載置する工程と、
    　前記半導体部品の表面に設けられた第２の電極パッドと、前記回路基板の前記配線とを接続する工程と、
    　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  16. 　前記配線と前記第１の電極パッドとを接続する工程は、第１の接続媒体を介して前記配線と前記第１の電極パッドとを接続することにより行われることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
  17. 　前記配線と前記第２の電極パッドとを接続する工程は、第２の接続媒体を介して前記配線と前記第２の電極パッドとを接続することにより行われることを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 　前記回路基板を複数用意し、該回路基板の各々にスリットを形成する工程を更に有し、
    　前記配線基板の上に前記回路基板を立てる工程は、複数の前記回路基板の各々の前記スリット同士を嵌合させることにより、複数の前記回路基板を組み合わせた状態で行われることを特徴とする請求項１５～１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  19. 　前記配線基板の上に前記回路基板を立てる工程は、格子状又は放射状に複数の前記回路基板を組み合わせた状態で行われることを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
  20. 　前記配線基板に前記第１の電極パッドが複数形成されたと共に、
    　前記配線基板の上に前記回路基板を立てる工程は、前記回路基板が複数の前記第１の電極パッドの各々の上を通るようにスパイラル状に巻かれた状態で行われることを特徴とする請求項１５～１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
                                                                                    
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