JP2015111608A - プリント配線板 - Google Patents

プリント配線板 Download PDF

Info

Publication number
JP2015111608A
JP2015111608A JP2013252788A JP2013252788A JP2015111608A JP 2015111608 A JP2015111608 A JP 2015111608A JP 2013252788 A JP2013252788 A JP 2013252788A JP 2013252788 A JP2013252788 A JP 2013252788A JP 2015111608 A JP2015111608 A JP 2015111608A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal post
pad
printed wiring
wiring board
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013252788A
Other languages
English (en)
Inventor
武馬 足立
Takema Adachi
武馬 足立
航 中村
Wataru Nakamura
航 中村
雄三 海田
Yuzo Kaida
雄三 海田
淳 尾崎
Atsushi Ozaki
淳 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2013252788A priority Critical patent/JP2015111608A/ja
Publication of JP2015111608A publication Critical patent/JP2015111608A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81192Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1532Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/1533Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15331Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate the connection portion being formed both on the die mounting surface of the substrate and outside the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape
    • H01L2924/1816Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18161Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a flip chip
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3511Warping

Abstract

【課題】 上基板と下基板間の接続信頼性の向上
【解決手段】 プリント配線板は内側の金属ポストと外側の金属ポストを有する。そして、内側の金属ポストは外側の金属ポストよりも短い。
【選択図】 図1

Description

本発明は、他のプリント配線板を搭載するための金属ポストを有するプリント配線板に関する。
特許文献1は、POPパッケージとその製造方法を開示している。特許文献1の図8によれば、第1の半導体パッケージと第2の半導体パッケージはリードラインで接続されている。また、特許文献1の図8によれば、リードラインは、内側のリードラインと外側のリードラインを含んでいる。特許文献1の図8では、内側のリードラインは符号300aで示されていて、外側のリードラインは300bで示されている。
US77237834B2
リードラインが2列存在する場合、特許文献1の図8によれば、リードラインは大きく曲げられている。そのため、熱応力等により、特許文献1の図8に示されているリードラインの接続信頼性は低下すると推察される。特に、基板の各辺の長さが20mmを越えると、リードラインを介する信頼性が低下すると予想される。
本発明の目的は、高い接続信頼性を有するPOPパッケージを提供することである。本発明の別の目的は、高い信頼性を有するPOPパッケージを提供するためのポストを有するプリント配線板を提供することである。
本発明に係るプリント配線板は、電子部品を搭載するための第1パッドと、前記第1パッドの外側に形成されていて上基板と接続するための第2パッドと、前記第2パッド上に形成されていて前記上基板を搭載するための金属ポストと、を有する。そして、前記第1パッドと前記第2パッドは実装面に形成されていて、前記第2パッドは、内側の第2パッドと前記内側の第2パッドの外側に形成されている外側の第2パッドで形成され、前記金属ポストは、前記プリント配線板と対向する下面と前記下面と反対側の上面を有し、前記金属ポストは、前記内側の第2パッド上に形成されている内側の金属ポストと前記外側の第2パッド上に形成されている外側の金属ポストで形成され、前記内側の金属ポストの前記下面から前記上面までの距離は前記外側の金属ポストの前記下面から前記上面までの距離より短い。
本発明の第1実施形態に係るプリント配線板の応用例の断面図。 第1実施形態のプリント配線板の製造工程図。 第1実施形態のプリント配線板の製造工程図。 第1実施形態のプリント配線板の断面図。 図5(A)は実装面の平面図である。図5(B)は金属ポストを有する実装面を示す。 第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。 第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。 第1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図。 第1実施形態の第1改変例に係るプリント配線板。 第2実施形態に係るプリント配線板の断面図。 第2実施形態のプリント配線板の製造工程図。 第2実施形態のプリント配線板の製造工程図。 第2実施形態のプリント配線板の製造工程図。 第2実施形態のプリント配線板の製造工程図。 第3実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの配置を示す模式図。 実施形態に係るプリント配線板の金属ポストの配置を示す模式図。
特許文献1のcol.7_lines36−57によれば、内側のリードラインの長さは、外側のリードラインの長さより長い。そして、その部分の開示によれば、内側のリードラインと外側のリードラインは曲げられている。リードラインの一部は第2基板の下面と平行に延びている。特許文献1の図8に示されているように、内側のリードラインと外側のリードラインで第2基板の下面と平行な部部の長さが異なっている。そのため、特許文献1では、内側のリードラインの長さと外側のリードラインの長さが異なると考えられる。また、特許文献1の図8によれば、第1基板と第2基板間の距離は一定である。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態に係るプリント配線板10の応用例が図1に示されている。
プリント配線板(下基板)10は、ICチップ等の電子部品90を実装するためのパッド(第1パッド)710FIと、他のプリント配線板(上基板)110を搭載するためのパッド(第2パッド)710Fを有する。第2パッド710Fは、外側の第2パッド710FLと内側の第2パッド710FMを有する。他のプリント配線板にメモリなどの電子部品900が実装される。複数のパッド710FIでパッド群C4(図5(A)参照)が形成されている。パッド群C4は、プリント配線板10の略中央に形成されている。第2パッド710Fは、パッド群C4の周りの外周領域P4(図5(A)参照)に形成されている。内側の第2パッド710FMは、パッド群C4の外側に形成されていて、外側の第2パッド710FLは、内側の第2パッドの外側に形成されている。第2パッド上に金属ポスト77が形成されている。金属ポストで上基板と下基板が接続される。外側の第2パッド710FL上に形成されている金属ポスト(外側の金属ポスト)77Lと内側の第2パッド710FM上に形成されている金属ポスト(内側の金属ポスト)77Mで金属ポストの長さが異なる。外側の第2パッド710FL上の金属ポスト77Lの長さは内側の第2パッド710FM上の金属ポスト77Mの長さより長い。金属ポスト77は曲がっていないことが好ましい。信頼性が高くなる。図4や図9に示されているように、金属ポスト77は下面BFと下面と反対側の上面UFを有する。金属ポストの下面はプリント配線板と対向している。
図4や図9に示されるように金属ポストの長さh1、h2は、金属ポスト77の上面UFから下面BFまでの距離である。
上基板と下基板の物性の違いにより、外側のポストに掛かる応力は内側のポストに掛かる応力より大きい。実施形態では、外側の金属ポストの長さは内側のポストの長さより長いので外側のポストは変形しやすい。そのため、外側のポストで応力が緩和される。金属ポストを介する接続信頼性が高い。内側の金属ポストが外側の金属ポストと同じ長さを有すると、金属ポストにより下基板が重くなる。下基板に電子部品90や上基板110が搭載される時、下基板は高温に曝される。金属ポストは下基板の外周に形成されているので、金属ポストは下基板の反りの一要因である。しかしながら、実施形態では、内側の金属ポストが外側の金属ポストより短いので、ポストに起因する反りが小さくなる。なぜなら、長さが短いと、金属ポストが軽くなるからである。外側の金属ポストの長さh1と内側の金属ポストの長さh2の比(h1/h2)は、1.05から1.3である。比がこの範囲であると、接続信頼性が高くなる。比が1.05未満であると、外側のポストによる応力緩和の効果が小さい。比が1.3を超えると、外側のポストに応力が集中する。
金属ポスト77L、77Mの形状として、円柱が好ましい。金属ポスト77L、77Mは、プリント配線板(下基板)10とプリント配線板(上基板)110を電気的に接続する。
図5(A)は実装面を示している。図5(A)では、上側のソルダーレジスト層70Fとソルダーレジスト層70Fの開口から露出している第1パッド710FIと内側の第2パッド710FM、外側の第2パッド710FLが示されている。隣接する内側の第2パッド間のピッチp1は0.3mm以下である。隣接する外側の第2パッド間のピッチp2は0.3mm以下である。隣接する内側の第2パッドと外側の第2パッド間のピッチp3は0.3mm以下である。ピッチp1やピッチp2、ピッチp3は図5(A)に示されている。隣接するパッドの重心間の距離がピッチである。もしくは、隣接するパッドの中心間の距離がピッチである。それぞれのピッチp1、ピッチp2、p3は同じであっても、異なっても良い。内側の第2パッドのピッチp1は外側の第2パッドのピッチp2より小さいことが好ましい。パッドの数を多くすることができる。POPパッケージが高機能化する。
図5(A)では、内側の第2パッド710FMはパッド群C4を囲んでいる。また、外側の第2パッド710FLは内側の第2パッド710FMを囲んでいる。
図16にパッドの配列の別例が示されている。図16(A)では、内側の第2パッド710FMは、パッド群C4を挟んでいる。外側の第2パッド710FLは、対向する下基板の2辺に略平行に形成されている。図16(A)では、パッド群C4の上下に内側の第2パッド710FMは形成されているが、パッド群C4の左右に内側の第2パッド710FMは形成されていない。外側の第2パッドもパッド群C4の上下に形成されているが、パッド群C4の左右に形成されていない。外側の第2パッド710FLはパッド群C4を囲んでいない。そして、外側の第2パッド710FLは、内側の第2パッド710FMの外に形成されている。下基板が長方形の場合、内側の第2パッド710FMと外側の第2パッド710FLは長辺に平行に形成されることが好ましい。パッドの数が多くなる。POPパッケージが高機能化する。ポストにより下基板の外周領域は重くなる。しかしながら、第2パッドが長辺に沿って形成されることで下基板の反りが小さくなる。図16(A)では、第2パッドは列もしくは行に形成されている。第2パッドは列と行に形成されていない。
図16(B)では、内側の第2パッド710FMは、パッド群C4を囲んでいる。そして、外側の第2パッド710FLは、内側の第2パッド710FMを囲んでいる。また、内側の第2パッドは複数の列に形成されている。図16(B)では、内側の第2パッドの列数は2であって、外側の第2パッドの列数は1である。図16(C)では、内側の第2パッド710FMは、パッド群C4を囲んでいる。そして、外側の第2パッド710FLは、内側の第2パッド710FMを囲んでいる。また、外側の第2パッドは複数の列に形成されている。図16(C)では、内側の第2パッドの列数は1であって、外側の第2パッドの列数は2である。
図16(B)と図16(C)に示されている下基板によれば、第2パッドが3列以上なので、POPパッケージが高機能化する。また、下基板上に高機能な上基板を搭載することができる。
図16(B)によれば、短いポストの数が増えるので、下基板が重くならない。熱応力で、下基板の反りが小さくなる。下基板と電子部品間や上基板と下基板間の接続信頼性が高くなる。リフロー温度などの高温に下基板が曝されても、下基板の反りが小さい。下基板に電子部品や上基板を搭載する歩留まりが高くなる。
図16(C)によれば、長いポストの数が増える。そのため、下基板の反りが大きくても、上基板と下基板が確実に接続される。下基板に電子部品や上基板を搭載することが容易になる。また、長いポストは変形し易い。外側の熱応力は内側の熱応力より大きい。ポストにより応力が緩和される。ポストを介する接続信頼性が高くなる。
それぞれのピッチp1、p2、p3が0.3mm以下でも、金属ポスト77L、77Mにより、第1実施形態のプリント配線板10とプリント配線板(上基板)110との間の距離が確保される。上基板と下基板が反りを有すると、上基板と下基板間で接続不良が発生し易い。特に、ピッチp1、p2、p3が小さくなると、その問題が発生し易い。実施形態では、金属ポスト77Lの長さと金属ポスト77Mの長さが異なる。そのため、ピッチp1、p2、p3が0.25mm以下でも、第1実施形態のプリント配線板10によれば、上基板と下基板が反りを有しても上基板と下基板間の接続信頼性が低下し難い。また、隣接するパッド間で絶縁が確保される。
第1実施形態のプリント配線板は、コア基板を有するプリント配線板であってもコアレス基板であっても良い。コア基板を有するプリント配線板やその製造方法は、例えば、JP2007227512Aに示されている。コアレス基板やその製造方法は、例えば、JP2005236244Aに示されている。コアレス基板は、交互に積層されている層間樹脂絶縁層と導体層を有し、全ての層間樹脂絶縁層の厚みが例えば60μm以下である。
図1に示されるように、第1実施形態のプリント配線板10は、コア基板30を有する。コア基板30は第1面Fとその第1面と反対側の第2面Sとを有する絶縁基板20zと絶縁基板の第1面F上に形成されている第1導体層34Fと絶縁基板の第2面上に形成されている第2導体層34Sを有する。コア基板はさらに、絶縁基板20zに形成されているスルーホール導体用の貫通孔28をめっき膜で充填しているスルーホール導体36を有する。スルーホール導体36は、第1導体層34Fと第2導体層34Sを接続している。コア基板の第1面と絶縁基板の第1面は同じ面であり、コア基板の第2面と絶縁基板の第2面は同じ面である。
コア基板30の第1面F上に層間樹脂絶縁層(最上の層間樹脂絶縁層)50Fが形成されている。層間樹脂絶縁層50F上に導体層(最上の導体層)58Fが形成されている。導体層58Fと第1導体層34Fやスルーホール導体は、層間樹脂絶縁層50Fを貫通するビア導体(最上のビア導体)60Fで接続されている。層間樹脂絶縁層50Fと導体層58Fとビア導体60Fで上側のビルドアップ層55Fが形成されている。第1実施形態では、上側のビルドアップ層は1層である。最上の導体層はパッド710FI、710FM、710FLを有している。パッド710FI、710FM、710FLは、最上の導体層に含まれる導体回路の上面や最上のビア導体の上面である。
コア基板30の第2面Sに層間樹脂絶縁層(最下の層間樹脂絶縁層)50Sが形成されている。層間樹脂絶縁層50S上に導体層(最下の導体層)58Sが形成されている。導体層58Sと第2導体層34Sやスルーホール導体は、層間樹脂絶縁層50Sを貫通するビア導体(最下のビア導体)60Sで接続されている。層間樹脂絶縁層50Sと導体層58Sとビア導体60Sで下側のビルドアップ層55Sが形成されている。第1実施形態では、下側のビルドアップ層は1層である。最下の導体層はマザーボードと接続するためのBGAパッド71SPを有している。パッド71SPは、最下の導体層に含まれる導体回路の上面や最下のビア導体の上面である。
上側のビルドアップ層上に上側のソルダーレジスト層70Fが形成され、下側のビルドアップ層上に下側のソルダーレジスト層70Sが形成されている。ソルダーレジスト層70Fは、パッド710FIを露出するための開口(第1開口)71FIと、パッド710Fを露出するための開口(第2開口)を有する。第2開口は、パッド710FMを露出するための内側の第2開口71FMと、パッド710FLを露出するための外側の第2開口71FLとを有する。ソルダーレジスト層70Sは、BGAパッド71SPを露出する開口71Sを有する。第1パッド710FIやBGAパッド71SP上に保護膜が形成される。第2パッド710F上に保護膜が形成されても良い。保護膜は、Ni/AuやNi/Pd/Au、Pd/Au、OSPである。Pd/Auが落下衝撃に強い。
パッド710FIやBGAパッド71SP上に電子部品やマザーボードと接続するための半田バンプやSn膜などの接続部材76F、76Sが形成される。
接続部材は保護膜上に形成される。接続部材はパッド上に直接形成されても良い。
保護膜がOSPの場合、OSP除去後、接続部材はパッド上に直接形成される。
接続部材は無くてもよい。
図2は、第1実施形態のプリント配線板の中間基板101の断面図である。図5(A)は、第1実施形態のプリント配線板の実装面を示す。図5(A)のX1−X1間のプリント配線板101の断面が図2に示される。パッド710FL上に長い金属ポスト77Lが形成される。パッド710FM上に短い金属ポスト77Mが形成される。図5(B)に金属ポスト77L、77Mの上面UFとソルダーレジスト層70Fの上面と、ソルダーレジスト層の開口及び金属ポストから露出するパッド710FI、710FL、710FMが示される。
図1に示されるように、プリント配線板10は反りを有する。プリント配線板の実装面が上を向くようにプリント配線板(下基板)10が平面に置かれると、下基板の中央部分が平面から浮き、外周部分が平面に触れるように下基板は反っている。また、図1に示されるように、上基板の反りは下基板の反りと逆である。下基板の反りは凸タイプの反りであり、上基板の反りは凹タイプの反りである。図1にZ軸が示されている。+側に位置している面が実装面である。
第1実施形態では、長い金属ポストが外側に位置し、短い金属ポストが内側に位置する。このため、上基板と下基板で反りの方向が異なっても、上基板と下基板が確実に接続される。金属ポストで応力が緩和される。
そのため、金属ポストを介する上基板と下基板間の接続信頼性が高くなる。
金属ポスト77L、77Mは上面UFと上面と反対側の下面BFを有する。長い金属ポスト77Lの下面がパッド710FLと対向し、短い金属ポスト77Mの下面がパッド710FMと対向する。図5(B)中のX2−X2間のプリント配線板10の断面が図4に示されている。図5(B)では、バンプ76F、76Sが存在していないが、図4ではバンプ76F、76Sが形成されている。金属ポスト77L、77Mは、パッド710FL、710FM上に半田やSn膜などの接合部材16を介して形成されている。パッド710FL、710FMと金属ポスト77L、77Mは接合部材16で接合される。短い金属ポスト77Mの径d1は、50μm〜150μmである。図4では、長い金属ポスト77Lの径d3は、短い金属ポスト77Mの径と同じである。
金属ポスト77Lの太さd3と金属ポスト77Mの太さd1は異なっても良い。
内側の金属ポスト77Mが外側の金属ポストより細いと、下基板の重さが軽くなる。金属ポストに起因する下基板の反りが小さくなる。また、内側のポストが変形しやすくなるので、内側のポストでも応力が緩和される。内側の金属ポスト77Mの太さと外側の金属ポスト77Lの太さの比(外側の金属ポストの太さ/内側の金属ポスト77Mの太さ)は、1.05から1.3である。金属ポストを介する接続信頼性が高くなる。
外側の金属ポスト77Lが内側の金属ポスト77Mより細いと、下基板の外周部分の重さを小さくすることができる。下基板が高温になっても、下基板の反りが小さくなる。外側の金属ポスト77Lが長くて細いので、外側の金属ポストはより変形しやすい。内側の金属ポスト77Mの太さd1と外側の金属ポストの太さd3の比(内側の金属ポストの太さ/外側の金属ポスト77Mの太さ)は、1.05から1.3である。金属ポストを介する接続信頼性が高くなる。
異なる太さを有する金属線から金属ポスト77M、77Lを製造することで、金属ポスト77Mの太さと金属ポスト77Lの太さを変えることができる。内側の金属ポストの太さと外側の金属ポストの太さが異なると、ポストを介する接続信頼性が向上する。
内側の第2パッド710FMの径d2は55μm〜210μmである。図4では、外側の第2パッド710FLの径d4は、内側の第2パッド710FMの径と同じである。パッドの径はソルダーレジスト層から露出している部分の導体(導体回路やビア導体)の径である。金属ポスト77M、77Lの径d1、d3は、ソルダーレジスト層の開口71FM、71FLから露出するパッド710FM、710FLの径d2、d4より小さい。金属ポストの径d1、d3とパッドの径d2、d4の比(d1/d2、d3/d4)は、0.5から0.9であることが好ましい。パッド間のピッチを小さくすることができる。それぞれのピッチp1、p2、p3が0.3mm以下でも、プリント配線板10と上基板との間の接続信頼性が高い。また、金属ポスト間の絶縁信頼性が高い。それぞれのピッチp1、p2、p3は、100μm〜300μmである。ピッチp1が100μmより小さいと、金属ポスト間の絶縁信頼性が低下しやすい。また、金属ポストが細くなるので、上基板とプリント配線板10間の接続信頼性が低下する。ピッチp1、p2、p3が300μmを越えると、プリント配線板10のサイズが大きくなる。そのため、金属ポストに働く応力が大きくなるので、上基板とプリント配線板10間の接続信頼性が低下する。
ピッチp1、p2、p3が0.3mm以下の場合、長い金属ポスト77Lの高さ(上面から下面までの距離)h1は75μm〜150μmであり、短い金属ポスト77Mの高さh2は、50μm〜125μmである。接合部材16の厚みc1は、15μm〜30μmである。金属ポスト77Lの上面からパッドの上面までの高さ(金属ポストの高さ+接合部材の厚み)Hは、90μm〜230μmである。
金属ポストのアスペクト比(高さh1/径d3、高さh2/径d1)は1より大きいことが好ましい。金属ポストで上基板と第1実施形態のプリント配線板間の応力が緩和される。接続信頼性が高くなる。アスペクト比(h1/d3、h2/d1)は、1.05〜3であることが好ましい。上基板とプリント配線板10間の応力が緩和される。また、金属ポストが疲労で劣化しない。上基板とプリント配線板10間の接続信頼性が高くなる。
第2パッド710F上に保護膜72を形成することができる。第2パッド上に保護膜が形成されると、接合部材16は保護膜上に形成される。接合部材を第2パッド上に直接形成することができる。保護膜72の例として、Ni/AuやNi/Pd/Au、Sn、OSPなどが挙げられる。保護膜72がOSPの場合、OSPが除去され、第2パッド上に保護膜を介することなく接合部材16が形成される。
金属ポストは所定の径を有する金属線を所定長さで切断することで製造される。その他、金属ポストは金属箔を打ち抜くことで製造される。金属箔の厚みや金型を選定することで、所望の金属ポストが製造される。例えば、パッド上に接合部材が形成され、その接合部材上に金属ポストがマウンター等で搭載される。そして、リフローで金属ポストがパッドに接合部材で接合される。金属ポストの表面にめっきやスパッタなどで半田が形成されてもよい。金属ポストの表面に金や錫などの保護膜が形成されても良い。半田は保護膜を介して金属ポスト上に形成されてもよい。半田で金属ポストが覆われると、金属ポスト上に形成されている半田で応力が緩和される。金属ポストの信頼性が向上する。金属ポストの表面は金属ポストの上面と下面と側面を含む。金属ポストの下面だけに半田や保護膜が形成されても良い。例えば、金属ポストがめっきレジストなどの樹脂に埋められ、金属ポストの下面が研磨などで露出される。そして、金属ポストの下面に半田や保護膜が形成される。このように、接合部材付金属ポストが形成される。接合部材付金属ポストが用いられる場合、リフローや超音波でパッド710FL、710FMに直接接合部材付金属ポストが接合されても良い。あるいは、パッド上に形成されている半田やSnなどの接合部材を介して接合部材付金属ポストがリフローや超音波でパッドに接合されても良い。
金属ポストをプリント配線板と別に製造することができる。
金属線や金属箔は銅や銅合金で形成されていることが好ましい。金属ポストは銅や銅合金で形成されていることが好ましい。接合部材はSn/Ag半田やSn/Ag/Cu半田が好ましい。
第1実施形態のプリント配線板は、パッド710FL、710FM上にプリント配線板と別に製造されている金属ポスト77L、77Mを有する。金属ポストは接合部材16でパッド710FL、710FMに接合されている。
第1実施形態では、金属ポストがプリント配線板10と別に作られる。例えば、金属ポストは金属箔や金属線から形成される。そのため、第1実施形態の金属ポストの太さのバラツキは小さい。また、長い金属ポストの長さのバラツキや短い金属ポストの長さのバラツキが小さくなる。従って、金属ポストを介してプリント配線板10に上基板を搭載する歩留りが高い。実装しやすいプリント配線板10を提供することができる。金属ポストの太さや長さのバラツキが大きいと、特定の金属ポストに応力が集中しやすいので、接続信頼性が低い。しかしながら、第1実施形態では、金属ポストの太さや長さのバラツキが小さいので、上基板とプリント配線板10との間の接続信頼性が高い。
プリント配線板と別に形成される金属ポストの径d1、d3はパッドの径d2、d4より小さい。そのため、ピッチp1、p2、p3が小さくなっても、隣接する金属ポスト間のスペースの距離を大きくすることができる。第1実施形態では、ピッチp1、p2、p3を小さくすることができる。隣接する金属ポスト間のスペースの距離が大きいので、ピッチp1、p2、p3が0.3mm以下でも、金属ポスト間の絶縁信頼性が高い。ピッチp1、p2、p3が0.25mm以下になると、金属ポストが細くなる。接続信頼性を高くするため、金属ポストのアスペクト比(h1/d3、h2/d1)は1.5以上であることが好ましい。パッド710FL、710FMの数が多くなると、プリント配線板のサイズが大きくなる。しかしながら、金属ポストのアスペクト比(h1/d3、h2/d1)が2以上であると、上基板の物性とプリント配線板(下基板)の物性の違いに起因する応力が金属ポストで緩和される。h1/d3、h2/d1が3.5を越えると金属ポストがヒートサイクルで劣化する。物性の例は熱膨張係数やヤング率である。
図1に示されるように、プリント配線板10と上基板110は、高い剛性を有する金属ポスト77L、77Mと金属ポスト77L、77Mを挟む接合部材16、112で接続される。接合部材は半田が好ましい。接合部材の剛性は金属ポストの剛性より低い。上基板とプリント配線板間の熱応力が接合部材で緩和される。金属ポストで上基板とプリント配線板を有する電子機器の強度が保たれる。上基板の物性とプリント配線板の物性の違いによる電子機器(図1に示されるプリント配線板の応用例)の反りが低減される。
第1実施形態では、金属ポストが金属箔や金属線から形成される。そして、リフローや超音波などで金属ポストがパッド上に搭載される。従って、製造方法が簡略化される。
短い金属ポスト77Mは電源、または、グランドに繋がっている。長さが短いと、ポストの抵抗が低くなる。そのため、上基板に搭載されている電子部品900に電源がスムーズに供給される。上基板上の電子部品の電源不足が解消される。長い金属ポスト77Lを介して、信号が伝達される。
下基板上のICチップ等の電子部品90と信号用の金属ポスト77Lとの間にグランド用の金属ポスト77Mが存在する。信号用のポスト77Lを流れる信号にノイズが発生し難い。
以下にプリント配線板への金属ポスト77L、77Mの接合方法が示される。
図2に途中のプリント配線板101が示される。図2に示されている途中のプリント配線板はパッド710FL、710FMを有し、そのパッド710FL、710FMに金属ポストが搭載される。図2に示されている途中のプリント配線板は、例えば、特開2012−069926号公報に示される方法で製造される。プリント配線板のソルダーレジスト層70Fの開口71FL、71FMにより露出されるパッド710FL、710FMにOSP(Organic Solderability Preservative)膜72が形成されている。ここで、OSP膜の代わりに、ニッケル−金膜、ニッケル−パラジウム−金膜などの保護膜が形成されてもよい。
0.1mmΦの銅線を切断することで金属ポスト77M、77Lが形成される。金属ポスト77Mの長さは0.12mmであり、金属ポスト77Lの長さは、0.13mmである。
図2に示される中間基板の第1パッドに第1半田76Fが形成され、第2パッドに第2半田16が形成される(図3)。第2半田(接合部材)16の融点は第1半田76Fの融点より高い。第1半田と第2半田の融点の差は約20から約40度である。図3では、BGAパッド71SPに半田バンプ76Sが形成されているが、半田バンプ76Sは必須では無い。
内側の開口202を有するマスク200が準備される(図6)。内側の開口202の径f1は0.11mmΦである。内側の開口202と内側の第2パッド710FMの位置は対応している。
マスク200のアライメントマーク204と中間基板101のアライメントマーク99を用いて、第1と第2半田を有する中間基板上にマスクが置かれる。中間基板とマスク間にスペーサー208が存在している。内側の開口は、内側の第2パッド上に位置している。マスク上に金属ポスト77Mが多数置かれる。マスクに振動が与えられる。内側の開口202を介して、内側の第2パッド710FM上に金属ポスト77Mが立つ。その状態でリフローが行われる。内側の第2パッド上に接合部材16を介して金属ポスト77Mが形成される。その後、マスクが除去される。
内側の開口221と外側の開口222を有するマスク220が準備される(図7)。図7に示されるように、外側の開口222は、マスクを貫通しているが、内側の開口221はマスクを貫通していない。内側と外側の開口の径f1は0.11mmΦである。内側の開口221と内側の第2パッド710FMの位置は対応している。外側の開口222と外側の第2パッド710FLの位置は対応している。
マスクのアライメントマーク224と中間基板101のアライメントマーク99を用いて、金属ポスト77Mを有する中間基板上にマスクが置かれる。中間基板とマスク間にスペーサー228が存在している。内側の開口221内に金属ポスト77Mが挿入される。外側の開口222は外側の第2パッド710FL上に位置している。マスク上に金属ポスト77Lが多数置かれる。マスクに振動が与えられる。外側の開口222を介して、外側の第2パッド710FL上に金属ポスト77Lが立つ。その状態でリフローが行われる。外側の第2パッド上に接合部材16を介して金属ポスト77Lが形成される。その後、マスクが除去される。
以上により、内側の第2パッド上に金属ポスト77Mが形成され、外側の第2パッド上に金属ポスト77Lが形成される。図4に示されているプリント配線板10が完成する。
金属ポスト形成後に半田バンプ(第1半田)76Fを形成することができる。図4では、BGAパッド71SP上に半田バンプ76Sが形成されているが、半田バンプ76Sは必須ではない。
その後、下基板上に上基板が搭載される。上基板と金属ポストが接合部材112で接続される。図1に示されるPOP基板が完成する。
図1に示される応用例(POP基板)の製造方法が以下に示される。
ICチップ90の電極92がプリント配線板10の半田バンプ76Fに接続される。ICチップ90がプリント配線板10に実装される。その後、プリント配線板10の実装面上にモールド樹脂80が形成される。モールド樹脂で金属ポスト77L、77Mや電子部品はモールドされる(図8(A))。金属ポスト77L、77Mはモールド樹脂80内に埋まっている。図8(A)に示されるように、モールド樹脂80の上面80Tは金属ポスト77Lの上面UFより上に位置している。長い金属ポスト77Lの上面UF及び上面に繋がっている側壁を露出する開口81Lがモールド樹脂80に形成される。短い金属ポスト77Mの上面UF及び上面に繋がっている側壁を露出する開口81Mがモールド樹脂80に形成される(図8(B))。金属ポストの側面は部分的に露出される。開口81L、81Mはレーザで形成される。短い金属ポスト77Mを露出する開口81Mの深さL1と長い金属ポスト77Lを露出する開口81Lの深さL2は略等しい。深さL1と深さL2の比(L1/L2)は0.95から1.05である。長い金属ポストと接合部材112間の接触面積が大きくなる。大きな応力を受ける金属ポスト77Lと接合部材112間の接続信頼性が高くなる。他のプリント配線板110が半田112を介して金属ポスト77L、77Mに接合される。他のプリント配線板(上基板)がプリント配線板10に搭載される(図1)。POP(Package on Package)基板が完成する。POP基板はBGAパッド71SP上の半田バンプ76Sを有していなくてもよい。
上基板と金属ポストを繋ぐ半田112で開口81L、81Mが充填される。金属ポストの上面と側壁の一部を介して半田と金属ポストが接合される。両者間の接合強度が高くなる。金属ポストを介する接続信頼性が高くなる。開口により露出されるポストの側壁の長さが短い金属ポストと長い金属ポストで比較されると、長い金属ポストの側壁の露出量が大きい。長い金属ポストは大きな応力を受けるが、半田とポスト間の接合面積が大きいので、半田がポストから剥がれ難い。
[第1実施形態の第1改変例]
図9は、第1実施形態の改変例に係るプリント配線板10を示す。
第1実施形態の改変例では、長い金属ポスト77L及び短い金属ポスト77Mの上面UF上に保護膜が形成されている。図9ではポスト上に、ニッケル膜73と金膜74が形成されている。第1実施形態の改変例では、金属ポストの信頼性が更に向上する。金属ポストの側壁に半田が濡れ難い。金属ポスト間の絶縁信頼性が高くなる。
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態に係るプリント配線板10が図10に示されている。
第1実施形態のプリント配線板と第2実施形態のプリント配線板では、金属ポストの製造方法が異なる。第1実施形態では、金属ポストは部品で形成されている。それに対し、第2実施形態の金属ポストはめっきで形成されている。それ以外、第1実施形態のプリント配線板と第2実施形態のプリント配線板は同様である。従って、第2実施形態のプリント配線板は、第1実施形態と同様な金属ポストを有する。また、第1と第2実施形態のプリント配線板とPOPは同様な効果を有する。
図11〜図14に、第2実施形態のプリント配線板の製造方法が示される。
図11(A)に示される途中のプリント配線板(中間基板)101が、第1実施形態と同様に準備される。中間基板は、例えば、JP2007227512Aに示されている方法で製造される。中間基板101は、ICチップ等の電子部品90を実装するためのパッド(第1パッド)710FIと他のプリント配線板(上基板)110を搭載するためのパッド(第2パッド)710FL、710FMを有する。パッド710FL、710FMは、ソルダーレジスト層70Fの第2開口71FL、71FMから露出されている。
ソルダーレジスト層70F上とソルダーレジスト層の開口71FM、71FL、71FI内にスパッタや無電解めっきでシード層82が形成される(図11(B))。シード層はニッケルや銅で形成されている。この時、下側のビルドアップ層上にPETフィルムが貼られている。下側のビルドアップ層上にシードが形成されていない。PETフィルムは図示されていない。
中間基板101のソルダーレジスト層70F上にシード層を介して開口84aを有するめっきレジスト84が形成される(図12(A))。開口84aはソルダーレジスト層の開口71FM上に形成されている。開口84aの大きさは開口71FMの大きさより大きい。開口84aはパッド710FM上に形成されている。
シード層82を介して電流が流され、開口84a内に電解銅めっき膜85が形成される(図12(B)))。
めっきレジスト84が除去される。金属ポスト77Mが形成される(図13(A))。なお、めっきレジストの除去前に金属ポスト77Mの上面に保護膜を形成することができる。保護膜はNi/Au又はNi/Pd/Au膜、Sn膜、OSP膜などである。
中間基板101のソルダーレジスト層70F上にシード層を介して開口86aを有するめっきレジスト86が形成される(図13(B))。めっきレジスト86の厚みは、金属ポスト77Mを形成するためのめっきレジスト84の厚みよりも厚い。開口86aはソルダーレジスト層の開口71FL上に形成されている。開口86aの大きさは開口71FLの大きさより大きい。開口86aはパッド710FL上に形成されている。
シード層82を介して電流が流され、開口86a内に電解銅めっき膜87が形成される(図14(A)))。
めっきレジスト86が除去される。金属ポスト77Lが形成される(図14(B))。なお、めっきレジストの除去前に金属ポスト77Lの上面に保護膜を形成することができる。保護膜はNi/Au又はNi/Pd/Au膜、Sn膜、OSP膜などである。金属ポスト77M、77Lから露出するシード層が除去される。プリント配線板10が完成する(図10)。図10に示されるプリント配線板のパッド710FI上に半田バンプ76Fを形成することができる。パッド71SP上に半田バンプ76Sを形成することができる。
[第3実施形態]
図15(A)は、第3実施形態のプリント配線板の金属ポストの配置を示す平面図であり、図15(B)は金属ポストの側面図である。第3実施形態では、3列(3周)の金属ポストが形成されている。最も内側に短い金属ポスト77Mが形成されていて、金属ポスト77Mの外側に長い金属ポスト77Lが形成されている。金属ポスト77Lは2列で形成されている。
[第3実施形態の第1改変例]
図15(C)は、第3実施形態の第1改変例に係るプリント配線板の金属ポストの配置を示している。第3実施形態の第1改変例では、3列(3周)の金属ポストが形成されている。最も外側に長い金属ポスト77Lが形成されていて、それ以外の2列(2周)に短い金属ポスト77Mが形成されている。
[第3実施形態の第2改変例]
図15(D)は、第3実施形態の第2改変例に係るプリント配線板の金属ポストの配置を示している。第3実施形態の第2改変例では、3列(3周)の金属ポストが形成されている。一番内側に短い金属ポスト77Mが形成され、最も外側に長い金属ポスト77Lが形成されている。そして、金属ポスト77Lと金属ポスト77Mとの間に金属ポスト77Cが形成されている。金属ポスト77Cの長さは金属ポスト77Lの長さと金属ポスト77Mの長さの間に形成されている。第3実施形態、第3実施形態の第1改変例、第3実施形態の第2改変例では、第1実施形態や第2実施形態と同様に、金属ポストの信頼性を高くすることができる。各実施形態と各実施形態の改変例に形成されている金属ポストの側面は図15(E)、(F)に示されるように湾曲してもよいし、曲がっていてもよい。図15(E)、(F)に示されている金属ポストは、例えば、銅箔をエッチングすることで形成される。例えば、金属箔上にエッチングレジストが形成され、エッチングレジストから露出する金属箔を除去することで金属ポストが製造される。銅箔の厚みを変えることで、金属ポストの長さは調整される。
金属ポストの太さは以下のように測定される。金属ポストがパッド上に真っ直ぐ形成される。そして、パッドの上面(金属ポストに対向しているパッドの面)と平行な面でポストが切断されることでポストの断面が得られる。その断面の外周上の2点間の距離の内、最大の値が、所定の断面での太さである。金属ポストの下面から上面まで太さが測定される。それらの内、最も細い太さが金属ポストの太さである。金属ポストの下面はパッドに対向し、金属ポストの上面はパッドから最も遠い。また、金属ポストの断面の形状が円であれば、太さと径は一致する。
10 プリント配線板
16 接合部材
70F ソルダーレジスト層
710FL 外側の第2パッド
710FM 内側の第2パッド
72 保護膜
77L 長い金属ポスト
77M 短い金属ポスト
90 ICチップ
110 他のプリント配線板(上基板)
112 接合部材

Claims (4)

  1. 電子部品を搭載するための第1パッドと、
    前記第1パッドの外側に形成されていて上基板と接続するための第2パッドと、
    前記第2パッド上に形成されていて前記上基板を搭載するための金属ポストと、を有するプリント配線板であって、
    前記第1パッドと前記第2パッドは実装面に形成されていて、前記第2パッドは、内側の第2パッドと前記内側の第2パッドの外側に形成されている外側の第2パッドで形成され、前記金属ポストは、前記プリント配線板と対向する下面と前記下面と反対側の上面を有し、前記金属ポストは、前記内側の第2パッド上に形成されている内側の金属ポストと前記外側の第2パッド上に形成されている外側の金属ポストで形成され、前記内側の金属ポストの前記下面から前記上面までの距離は前記外側の金属ポストの前記下面から前記上面までの距離より短い。
  2. 請求項1のプリント配線板であって、前記実装面が上を向くように、前記プリント配線板が平面に置かれると、前記プリント配線板の中央部分が前記平面から浮き、前記プリント配線板の外周部分が前記平面に触れるように前記プリント配線板は反っている。
  3. 請求項1のプリント配線板であって、前記金属ポストは、前記プリント配線板と別に製造されていて、前記金属ポストは、接合部材を介して前記第2パッドに接合されている。
  4. 請求項1のプリント配線板であって、さらに、前記実装面上に前記金属ポストを露出するための開口を有するモールド樹脂を有し、前記金属ポストは前記モールド樹脂内に埋まっていて、前記モールド樹脂の前記開口は前記金属ポストの上面と側壁の一部を露出している。
JP2013252788A 2013-12-06 2013-12-06 プリント配線板 Pending JP2015111608A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013252788A JP2015111608A (ja) 2013-12-06 2013-12-06 プリント配線板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013252788A JP2015111608A (ja) 2013-12-06 2013-12-06 プリント配線板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015111608A true JP2015111608A (ja) 2015-06-18

Family

ID=53526254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013252788A Pending JP2015111608A (ja) 2013-12-06 2013-12-06 プリント配線板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2015111608A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021009938A (ja) * 2019-07-01 2021-01-28 新光電気工業株式会社 配線基板、接合型配線基板及び配線基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021009938A (ja) * 2019-07-01 2021-01-28 新光電気工業株式会社 配線基板、接合型配線基板及び配線基板の製造方法
JP7321009B2 (ja) 2019-07-01 2023-08-04 新光電気工業株式会社 配線基板、接合型配線基板及び配線基板の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10177130B2 (en) Semiconductor assembly having anti-warping controller and vertical connecting element in stiffener
US9226382B2 (en) Printed wiring board
US9578745B2 (en) Printed wiring board, method for manufacturing printed wiring board and package-on-package
JP6503687B2 (ja) プリント配線板
US9474158B2 (en) Printed wiring board
US8304878B2 (en) Embedded component substrate, semiconductor package structure using the same and fabrication methods thereof
JP2015060947A (ja) 金属ポストを有するプリント配線板及び金属ポストを有するプリント配線板の製造方法
US20150092357A1 (en) Printed wiring board, method for manufacturing printed wiring board and package-on-package
JP2015076465A (ja) プリント配線板、プリント配線板の製造方法、パッケージ−オン−パッケージ
JP2016021475A (ja) プリント配線板
KR101207273B1 (ko) 임베디드 패키지 및 그 형성방법
JP2015028986A (ja) プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP2017034059A (ja) プリント配線板、半導体パッケージおよびプリント配線板の製造方法
JP2017152536A (ja) プリント配線板及びその製造方法
US9699920B2 (en) Printed wiring board
US20150008021A1 (en) Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
JP2009252942A (ja) 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法
JP2015103535A (ja) プリント配線板
JP2012174791A (ja) 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP2015111608A (ja) プリント配線板
JP2015154055A (ja) プリント配線板
JP2015173156A (ja) プリント配線板の製造方法と金属ポストを搭載するためのマスク
JP5779970B2 (ja) プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP2015115484A (ja) プリント配線板
JP2015103594A (ja) プリント配線板