WO2010058656A1 - インターフェイス装置 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to an interface device provided between an exposure apparatus that exposes a resist film with extreme ultraviolet light and a resist coating and developing apparatus that forms the resist film on the substrate and develops the resist film exposed by the exposure apparatus. And a computer readable storage medium.
  • the optical system is contaminated by outgas such as a solvent from the resist film, but also, for example, organic substances contained in the atmosphere in the clean room are exposed to EUV.
  • organic matter is solidified (graphitized) by EUV light and adheres to an optical system such as a mirror.
  • many organic substances in a clean room have a high carbon value, and when such organic substances are solidified on the optical system and become attached, it becomes difficult to remove, and it becomes a situation that expensive optical systems must be replaced. .
  • Such a problem is that when the wafer is transported from the resist coating and developing apparatus to the EUV exposure apparatus, the load lock chamber is evacuated, for example, nitrogen (N 2 ) gas is filled in the load lock chamber, and the evacuation is performed again. It can be reduced to some extent by repeating the procedure.
  • N 2 nitrogen
  • the present invention is made in light of the above situation, and reduces the contamination in the EUV exposure apparatus and improves the throughput.
  • the interface apparatus and the substrate are suitable between the resist coating and developing apparatus and the EUV exposure apparatus.
  • a computer-readable storage medium e.g.
  • a first aspect of the present invention includes an exposure apparatus that exposes a resist film with extreme ultraviolet light, and a resist that forms a resist film on a substrate and develops the resist film exposed by the exposure apparatus.
  • an interface device provided between a coating and developing device. This interface device includes a first transfer port that can be opened and closed, and is configured such that a substrate is transferred to and from the exposure apparatus through the first transfer port, and a first transfer chamber in which the internal space can be decompressed.
  • a plurality of load lock chambers whose internal space can be depressurized, each of the plurality of load lock chambers including a second transfer port that can be opened and closed and a third transfer port that can be opened and closed;
  • a plurality of load lock chambers configured such that the substrate is transferred to and from the first transfer chamber through the opening, and the substrate is transferred to and from the resist coating and developing apparatus through the third transfer opening;
  • a second transfer chamber including a fourth transfer port capable of transferring the substrate to and from the first transfer chamber through the fourth transfer port;
  • a plurality of heating modules for heating under reduced pressure A plurality of heating modules, each including a fifth transfer port in communication with the second transfer chamber, wherein the plurality of heating modules are configured to be passed through the fifth transfer port; and
  • a plurality of cooling modules for cooling under reduced pressure, each of the plurality of cooling modules including a sixth transfer port communicating with the second transfer chamber, so that the substrate is transferred through the sixth transfer port.
  • the plurality of cooling modules are provided.
  • the second aspect of the present invention is provided between an exposure apparatus that exposes a resist film with extreme ultraviolet light and a resist coating and developing apparatus that forms a resist film on a substrate and develops the resist film exposed by the exposure apparatus.
  • the interface device includes a first transfer port that can be opened and closed, and is configured to transfer a substrate to and from the exposure apparatus through the first transfer port.
  • a plurality of load lock chambers whose internal space can be depressurized, each of the plurality of load lock chambers including a second transfer port that can be opened and closed and a third transfer port that can be opened and closed;
  • the plurality of load locks configured such that the substrate is transferred to and from the first transfer chamber through the second transfer port, and the substrate is transferred to and from the resist coating and developing apparatus through the third transfer port.
  • each of the plurality of load lock chambers has one or both of the second transfer port and the third transfer port.
  • An interface device is provided that is provided with a gas ejection portion that injects a gas onto a substrate carried in and out of the load lock chamber.
  • the interface device according to any one of the first to third aspects, wherein a gas supply unit that supplies a gas to the inside of the load lock chamber is provided to each of the plurality of load lock chambers. Provided is an interface device.
  • the interface device according to any one of the first to third aspects, wherein a gas supply unit that supplies a gas to the inside of the load lock chamber is provided to each of the plurality of load lock chambers. Provided is an interface device.
  • the gas supply unit causes a gas flow flowing toward the third transport port when the third transport port is open.
  • An interface device is provided so that it can be formed.
  • a sixth aspect of the present invention provides an interface apparatus according to any one of the first to fifth aspects, in which a plurality of load lock chambers are arranged in multiple stages.
  • the interface device according to any one of the first to sixth aspects, wherein the first transfer chamber includes a substrate transfer unit that carries a substrate into and out of the plurality of load lock chambers.
  • An interface device is provided.
  • the eighth aspect of the present invention provides an interface device according to any one of the first to seventh aspects, wherein the plurality of load lock chambers individually include a high vacuum pump.
  • a ninth aspect of the present invention provides an interface apparatus according to the first aspect, in which a plurality of heating modules are arranged in multiple stages.
  • a tenth aspect of the present invention provides an interface apparatus according to the first or ninth aspect, in which a plurality of cooling modules are arranged in multiple stages.
  • An eleventh aspect of the present invention is the interface device according to any one of the first, ninth, and tenth aspects, wherein the first transfer chamber includes a plurality of load lock chambers, a plurality of heating modules, and a plurality of heating devices.
  • the first transfer chamber includes a plurality of load lock chambers, a plurality of heating modules, and a plurality of heating devices.
  • an interface device including a substrate transfer unit that carries a substrate in and out of a cooling module.
  • a twelfth aspect of the present invention is the interface device according to any one of the first and ninth to eleventh aspects, wherein either or both of the plurality of heating modules and the plurality of cooling modules are mounted on a substrate.
  • an interface device including a mounting table, and an electrostatic chuck provided on the mounting table.
  • a thirteenth aspect of the present invention is the interface device according to any one of the first and ninth to twelfth aspects, and can be opened and closed at one or both of the fifth transport port and the sixth transport port.
  • an interface device provided with a simple door.
  • a fourteenth aspect of the present invention there is provided a method for transporting a substrate from a resist coating / developing apparatus to an exposure apparatus via the interface apparatus according to the first aspect.
  • a transfer process to a load lock chamber is performed in which a substrate on which a resist film is formed is transferred from a resist coating and developing device to one of the load lock chambers of the interface device under atmospheric pressure.
  • a step of depressurizing one load lock chamber to a first degree of vacuum a step of transporting a substrate from the one load lock chamber to the first transfer chamber under the first degree of vacuum, A step of transferring the substrate from the first transfer chamber through the second transfer chamber to one heating module of the plurality of heating modules under the vacuum degree, and one heating under the first vacuum degree Heating the substrate in the module, transporting the substrate from one heating module to one cooling module of the plurality of cooling modules under a first degree of vacuum, and under the first degree of vacuum
  • one cooling module A step of cooling the substrate inside, a step of transferring the substrate from the one cooling module through the second transfer chamber to the first transfer chamber under the first degree of vacuum, the first transfer chamber, A step of reducing the pressure to a second degree of vacuum lower than the first degree of vacuum, and a step of transferring the substrate from the first transfer chamber to the exposure apparatus under the second degree of vacuum.
  • a fifteenth aspect of the present invention is the method according to the fourteenth aspect, wherein the first degree of vacuum is in the range of 10 ⁇ 4 to 10 ⁇ 5 Pa and the second degree of vacuum is 10 ⁇ 2 to 10 ⁇ . A method in the range of 4 Pa is provided.
  • a method for transporting a substrate from a resist coating / developing apparatus to an exposure apparatus via the interface apparatus according to the second aspect.
  • a method including a step of transferring a substrate from the load lock chamber to the first transfer chamber, and a step of transferring the substrate from the first transfer chamber to the exposure apparatus under reduced pressure is provided. .
  • An eighteenth aspect of the present invention is the method according to the fourteenth or sixteenth aspect, wherein each of the plurality of load lock chambers is adjacent to one or both of the second transfer port and the third transfer port.
  • a gas ejection part for injecting gas to the substrate carried into and out of the load lock chamber is provided, and in the transport process to the load lock chamber, the gas from the gas ejection part to the substrate transported to the load lock chamber. Provides a way to be spouted.
  • a nineteenth aspect of the present invention is the method according to any one of the fourteenth, sixteenth and eighteenth aspects, wherein a gas supply for supplying gas into each of the plurality of load lock chambers is provided. A part is provided, and in the transfer step to the load lock chamber, a method is provided in which gas flows from the gas supply unit to the third transfer port in one load lock chamber.
  • a computer-readable storage medium storing a computer program that causes the interface device according to any one of the first to thirteenth aspects to execute the method according to any one of the fourteenth to fourteenth aspects. To do.
  • a suitable interface device and a method for transporting a substrate between a resist coating and developing apparatus and an EUV exposure apparatus that reduce contamination in the EUV exposure apparatus and improve throughput are provided.
  • a computer readable storage medium are provided.
  • FIG. 1 is a perspective view schematically showing an interface apparatus according to an embodiment of the present invention, and a resist coating and developing apparatus and an EUV exposure apparatus suitable for applying the interface apparatus. It is a top view which shows schematically the interface apparatus of FIG. 1, a resist coating and developing apparatus, and EUV exposure apparatus.
  • 1 is a perspective view schematically showing an interface device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view (A) and a plan view (B) schematically showing a load lock chamber of the interface device shown in FIG. 3. It is a top view which expands and shows the positional relationship of the interface apparatus by embodiment of this invention, and the resist coating and developing apparatus suitable for applying this, and EUV exposure apparatus.
  • An interface apparatus is applied in a resist coating and developing apparatus (hereinafter simply referred to as a coating and developing apparatus) that applies a resist film to a wafer W and develops the exposed resist film, and a coating and developing apparatus. It is provided between the EUV exposure apparatus that exposes the resist film with EUV light.
  • a coating and developing apparatus that applies a resist film to a wafer W and develops the exposed resist film
  • the coating and developing apparatus 20 has a cassette station S1 for loading and unloading a wafer W accommodated in a wafer cassette C such as a so-called FOUP (Front-Opening-Universal-Pod).
  • the cassette station S1 includes a mounting table 21 on which a plurality of wafer cassettes C can be mounted, a plurality of opening / closing sections 22 provided corresponding to the plurality of wafer cassettes C mounted on the mounting table 21, and a wafer cassette opening / closing operation.
  • a transfer mechanism 23 (FIG. 2) that takes the wafer W out of the wafer cassette C and returns it to the wafer cassette C.
  • the wafer cassette C can store a plurality of (for example, 13) wafers W.
  • the coating and developing apparatus 20 has a processing unit S2 surrounded by a casing 24 next to the cassette station S1.
  • the processing unit S2 the shelf unit U1, the main transport unit 25A, the shelf unit U2, the main transport unit 25B, and the shelf unit U3 are arranged in this order along the X direction.
  • Each of the shelf units U1, U2, and U3 includes a multi-stage (eg, 10-stage) heating unit and / or cooling unit for performing pre-processing and post-processing for processing performed in the liquid processing units U4 and U5 (described later).
  • a multi-stage heating unit and / or cooling unit for performing pre-processing and post-processing for processing performed in the liquid processing units U4 and U5 (described later).
  • the main transfer units 25A and 25B transfer the wafer W between various processing units including the shelf units U1, U2, and U3 and the coating / developing units U4 and U5.
  • Each of the shelf units U1, U2, U3 and the main transfer portions 25A, 25B has an opening (not shown), and the wafer W can be transferred from the shelf unit U1 to the shelf unit U3 through the openings.
  • the transport unit 25A is arranged so as to be surrounded by the shelf unit U1, the liquid processing unit U4, and the shelf unit U2.
  • the transport unit 25B is disposed so as to be surrounded by the shelf unit U2, the liquid processing unit U5, and the shelf unit U3.
  • the liquid processing units U4 and U5 are arranged on the storage unit 29 for storing a resist solution and a developer, and the coating unit COT, the development unit DEV, and the antireflection film are formed.
  • the liquid processing unit U4 has a three-stage coating unit COT and a two-stage antireflection film forming unit BARC, and the liquid processing unit U5 has a five-stage developing unit DEV.
  • the combination of the developing unit DEV and the antireflection film forming unit BARC is not limited to the illustrated example, and may be appropriately combined.
  • a temperature / humidity adjustment unit 27 (28) including a temperature adjustment device for liquid used in the liquid treatment unit, a duct used for temperature / humidity adjustment, and the like is provided. Yes.
  • the transfer unit S3 includes a transfer unit 33 that transfers the wafer W between the processing unit S2 and an interface device 30 (300) according to an embodiment of the present invention described later.
  • the delivery unit 33 has a support part that supports and conveys the outer peripheral part of the back surface of the wafer W.
  • the support part can move in the Y-axis direction in FIG. 2 and can rotate around the base end. it can.
  • the wafer W can be delivered between the processing unit S2 and the interface device 30.
  • an interface device 30 (or 300) according to an embodiment of the present invention is disposed adjacent to the transport unit S3 of the coating and developing apparatus 20, and the EUV exposure apparatus is adjacent to the interface device 30. 40 is arranged. That is, the interface device 30 is disposed between the coating and developing device 20 and the EUV exposure device 40.
  • the EUV exposure apparatus 40 includes a vacuum chamber 42 having a transfer port (not shown) provided with a gate valve 41, and a wafer that is disposed in the vacuum chamber 42 and is subject to exposure processing. And a wafer stage 43 to be placed.
  • a transfer port not shown
  • a wafer stage 43 to be placed in the vacuum chamber 42.
  • an optical system including a multilayer mirror is arranged, and the EUV light from an EUV light source (not shown) arranged outside the vacuum chamber 42 is used on the wafer stage 43. The wafer is exposed.
  • FIG. 3 is a perspective view of the configuration of the interface device 30 as viewed from the EUV exposure apparatus 40 (not shown).
  • the interface device 30 includes a cabinet having substantially the same height and width as the coating and developing device 20 (conveyance unit S3), but is omitted in FIG.
  • the interface device 30 has a transfer chamber 1 in a substantially central portion.
  • the interface device 30 includes a load lock chamber 4a connected to the transfer chamber 1 via the gate valve 4V1, and a load connected to the transfer chamber 1 via the gate valve 4V2 and arranged below the load lock chamber 4a.
  • the lock chamber 4b is connected to the transfer chamber 1 via the gate valve 4V3, and is connected to the transfer chamber 1 via the gate valve 4V4 and the load lock chamber 4c facing the load lock chamber 4a with the transfer chamber 1 in between. And a load lock chamber 4d disposed below the load lock chamber 4c.
  • a turbo molecular pump (not shown) is connected to the transfer chamber 1 via a gate valve 1V2.
  • the transfer chamber 1 has a transfer port (not shown) that opens toward the EUV exposure apparatus 40, and this transfer port is opened and closed by a gate valve 1V3.
  • the wafer W is carried in and out between the interface apparatus 30 and the EUV exposure apparatus 40 through this conveyance port.
  • the gate valves 1V2, 1V3 and the gate valves 4V1 to 4V4 are closed, the transfer chamber 1 is sealed.
  • the gate valve 1V2 is opened and evacuated by the turbo molecular pump, the inside of the transfer chamber 1 is 10 ⁇ 4 to 10 ⁇ 5. It is maintained at a reduced pressure of about Pa.
  • the pressure in the transfer chamber 1 can be measured with a vacuum gauge (not shown).
  • the vacuum gauge may be a general ion gauge. However, since the resist film formed on the wafer W may be deteriorated by light or electrons emitted from the ion gauge, the ion gauge is in a position where the light or electrons from the ion gauge do not reach the resist film.
  • a vacuum gauge can also be provided in the load lock chambers 4a to 4d. Also in this case, the ion gauge as a vacuum gauge is provided at a position where light and electrons from the ion gauge do not reach the resist film.
  • a wafer transfer unit 1 c is provided in the transfer chamber 1.
  • the wafer transfer unit 1c can be expanded and contracted in the vertical direction (Z-axis direction in FIG. 3), and can be rotated about 360 ° about the vertical direction as a central axis.
  • the wafer transfer unit 1c has two wafer support plates 1c1 (only one is shown in FIG. 4) that holds the back surface of the wafer W at the tip, and the wafer support plates 1c1 are arranged along the X direction and the Y direction. Can be moved.
  • the two wafer support plates 1c1 are configured to be alternately advanced and retracted, and can handle two wafers W at a time.
  • the wafer support plate 1c1 may have a cooling function or a temperature control function.
  • FIG. 4A is a schematic cross-sectional view of the load lock chamber 4a
  • FIG. 4B is a schematic top view of the load lock chamber 4a.
  • the load lock chamber 4a has a flat housing 4a2.
  • the housing 4a2 includes a transport port 4a3 that can be opened and closed by a gate valve 4V1, an exhaust port 4a4 that can be opened and closed by a gate valve 4V11, and a high vacuum exhaust port that can be opened and closed by a gate valve 4V12. 4a5.
  • the housing 4a2 has a transport port 4a6 that can be opened and closed by a gate valve 4V13.
  • the transfer port 4a3 is formed on a side wall facing the transfer chamber 1 in the housing 4a2. Through the transfer port 4a3, the wafer W is transferred between the transfer chamber 1 and the housing 4a2 by the wafer support plate 1c1.
  • the transport port 4a6 is formed on the side wall facing the coating and developing apparatus 20 in the housing 4a2. The wafer W is carried in and out between the coating and developing apparatus 20 and the housing 4a2 by the transfer unit 33 provided in the transport unit section S3 of the coating and developing apparatus 20 through the transport port 4a6.
  • the exhaust port 4a4 is used when the inside of the housing 4a2 is roughly exhausted.
  • a bypass pipe BP is connected to the gate valve 4V11 provided at the exhaust port 4a4, and the bypass pipe BP is connected to the dry pump DP.
  • a stop valve SV1 is provided in the middle of the bypass pipe BP. With this configuration, the inside of the load lock chamber 4a can be roughly exhausted.
  • the high vacuum exhaust port 4a5 is used when the inside of the housing 4a2 is high vacuum exhausted.
  • a turbo molecular pump TMP is connected to the gate valve 4aV12 provided in the high vacuum exhaust port 4a5, an auxiliary exhaust pipe AP is connected to the turbo molecular pump TMP, and a dry pump DP is connected to the auxiliary exhaust pipe AP.
  • a stop valve SV2 is provided in the middle of the auxiliary exhaust pipe AP.
  • the roughly evacuated load lock chamber 4a can be evacuated to a high vacuum (eg, 10 ⁇ 4 to 10 ⁇ 5 Pa).
  • the dry pump DP functions as a rough exhaust pump in the load lock chamber 4a and an auxiliary pump for the turbo molecular pump TMP by switching the stop valves SV1 and SV2.
  • the wafer support pins 4a7 for supporting the wafer W are provided.
  • the wafer support pins 4a7 do not move up and down. Therefore, the wafer W is placed on the wafer support pins 4a7 by the wafer support plate 1c1 and the transfer unit 33 moving up and down, and from the wafer support pins 4a7. Be taken up.
  • the wafer support pins 4a7 may be provided to be movable up and down.
  • the housing 4a2 is provided with a set of gas blowers 400.
  • one gas blower 400 is disposed on the ceiling and bottom of the housing 4a2 at a position away from the transfer port 4a3 in the housing 4a2, and the other gas blower 400 is disposed.
  • they are arranged on the ceiling and bottom of the housing 4a2 at a position away from the transport port 4a6.
  • the gas blower 400 has a gas line provided in the middle of a pipe 401 and a pipe 401 inserted in a through hole provided in a ceiling portion of the casing 4a2 at one end.
  • the other end of the pipe 401 is connected to a gas supply source (not shown).
  • the gas supply source includes, for example, a nitrogen (N 2 ) gas cylinder, so that N 2 gas can be supplied from the gas supply source to the pipe 401. Further, the gas supply source may be configured to supply dry air to the pipe 401.
  • the gas line filter 402 includes, for example, a filter membrane made of a fluororesin, and removes foreign matters in the N 2 gas flowing in the pipe 401. As shown in FIG.
  • the gas ejection slit 404 extends in a direction intersecting with the loading / unloading direction of the wafer W.
  • N 2 gas can be ejected from the gas ejection slit 404.
  • the slit width of the gas ejection slit 404 is set such that a pressure difference that causes, for example, an air curtain to be formed by the gas ejected from the gas ejection slit 404 inside and outside the pipe 401.
  • a gas inlet 4a8 is formed at the bottom of the housing 4a2, and a pipe (not shown) connected to the gas inlet 4a8 has a stop valve and a safety valve to prevent the the casing 4a2 is pressurized is provided with (not both shown), by opening the stop valve, for example, N 2 gas or dry air flows into the casing 4a2.
  • the stop valve for example, N 2 gas or dry air flows into the casing 4a2.
  • this N 2 gas flows from the casing 4a2 into the coating and developing apparatus 20 through the transport port 4a6, the inflow of air from the coating and developing apparatus 20 into the casing 4a2 can be reduced.
  • the inside of the coating and developing apparatus 20 is under atmospheric pressure and is filled with air in a clean room.
  • the air in the clean room contains organic matter, but it is possible to reduce the inflow of organic matter into the housing 4a2 by continuing to flow the N 2 gas in this way.
  • moisture in the air adheres to the inner wall of the housing 4a2, and it takes a long time to exhaust to high vacuum.
  • the form of the load lock chamber 4a since the inflow of air from the coating and developing apparatus 20 can be reduced by the N 2 gas from the gas inlet 4a8, the time until exhausting to high vacuum can be shortened. .
  • the load lock chamber 4a has been described above, but the load lock chambers 4b to 4d have the same configuration.
  • the turbo molecular pump TMP is provided for each of the load lock chambers 4a to 4d, while the dry pump DP can be commonly used as an auxiliary pump and a rough exhaust pump for all of the load lock chambers 4a to 4d.
  • the load lock chamber 4b is roughly evacuated from the atmospheric pressure while the load lock chamber 4a is being evacuated to high vacuum, the pressure in the bypass pipe BP and the auxiliary exhaust pipe AP temporarily rises, but the turbo molecular pump TMP Therefore, the pressure in the load lock chamber 4a does not increase, and a high vacuum is maintained.
  • the interface device 30 is connected to the control unit 30a that controls the load lock chamber, the module, the gate valve, the pump, various devices, etc. that constitute the interface device 30, and is connected to a predetermined unit.
  • a storage device 30b for storing the program, an input / output (I / O) device 30c for reading the program stored in the computer-readable storage medium 30e into the storage device 30b, and the control unit 30a are connected to change the process parameters. It has a display device 30d for displaying a process recipe for updating and displaying a process status.
  • the control unit 30a may be, for example, a computer including a CPU (Central Processing Unit) as a component, and each of the interface devices 30 is based on a program having a command group for causing the interface device 30 to execute, for example, a process described later. Operate the equipment and carry out the process.
  • This program may be stored in various computer-readable recording media 30e including a hard disk, an optical disk, a magnetic disk, and a semiconductor memory device, read through the I / O device 30c, and stored in the storage device 30b. Are read out and executed by the control unit 30a.
  • the control unit 30a is connected to the control unit (not shown) of the coating and developing apparatus 20 and the EUV exposure apparatus 40, and between the coating and developing apparatus 20 and the control unit of the EUV exposure apparatus 40 according to the above program. Signals are transmitted and received (broken line arrows in FIG. 2), and processes by the coating and developing apparatus 20, the interface apparatus 30, and the EUV exposure apparatus 40 are executed. Thereby, for example, the transfer unit 33 of the coating and developing apparatus 20 and the load lock chamber 4a of the interface device 30 cooperate to transfer the wafer W from the transfer unit 33 to the load lock chamber 4a.
  • FIG. 6 is merely an example of a time chart for wafer conveyance, and does not limit the present invention.
  • the wafer cassette C in which the wafers W are stored is mounted on the mounting table 21.
  • the lid of the wafer cassette C is removed, the opening / closing part 22 corresponding to the wafer cassette C is opened, and the wafer W is taken out from the wafer cassette C by the transfer mechanism 23 (FIG. 2).
  • the wafer W is delivered to the main transfer unit 25A via a delivery unit (not shown) that forms one stage of the shelf unit U1.
  • the wafer W is transferred to one of the shelves U1 to U2 by the main transfer unit 25A, subjected to, for example, a hydrophobizing process or a cooling process as a pre-process, and further transferred to the coating unit COT, where The film is spin coated.
  • the wafer W is transferred to a heating unit on any one of the shelf units U1 to U3, and prebaked.
  • the wafer W is transferred from the shelf unit U3 to the transfer unit 33 (FIG. 5) of the transfer unit unit S3.
  • the delivery unit 33 moves in front of the gate valve 4V13 of the load lock chamber 4a while supporting the wafer W.
  • the inside of the load lock chamber 4a is at atmospheric pressure by the N 2 gas supplied from the gas inlet 4a8, that is, the gate valve 4V13 is ready to be opened.
  • the gate valve 4V13 is opened, the delivery unit 33 enters the housing 4a2 of the load lock chamber 4a. At this time, by continuing to supply N 2 from the gas inlet 4a8, the inflow of air from the transport unit S3 into the housing 4a2 can be reduced.
  • the inflow of air into the housing 4a2 can be further reduced.
  • the wafer W transferred into the housing 4a2 is supported by the wafer support pins 4a7 as the transfer unit 33 moves downward. After the delivery unit 33 is withdrawn from the housing 4a2, the gate valve 4V13 is closed, and the transfer of the wafer W to the load lock chamber 4a is completed.
  • the time required to carry the wafer W into the load lock chamber 4a (the time from when the gate valve 4V13 is opened until it is closed again) can be, for example, about 6 seconds (“waf. In1” in FIG. 6).
  • the gate valve 4V11 is opened, and the inside of the housing 4a2 is roughly evacuated.
  • the rough exhaust time may be, for example, about 9 seconds (“rough exhaust 1” in FIG. 6).
  • the gate valve 4V11 is closed to stop the exhaust, and for example, N 2 gas is supplied from the gas inlet 4a8, and the inside of the housing 4a2 is returned to the atmospheric pressure in about 4 seconds (“N2” in FIG. 6).
  • the supply of N 2 gas from the gas inlet 4a8 is stopped, and the rough exhaust is performed again by opening the gate valve 4V11.
  • This rough exhaust may be performed for about 9 seconds (“rough exhaust 2” in FIG. 6).
  • the gate valve 4V11 is closed to stop the rough exhaust, and the gate valve 4V12 is opened, and the inside of the housing 4a2 is evacuated by the turbo molecular pump TMP.
  • the high vacuum evacuation may be about 26 seconds (“main evacuation” in FIG. 6). Even if air slightly flows into the housing 4a2 of the load lock chamber 4a when the wafer W is loaded, it can be purged by high vacuum evacuation in addition to two rough evacuations.
  • the transfer chamber 1 is also evacuated by a turbo molecular pump (not shown) with the gate valve 1V2 opened.
  • the gate valve 4V12 of the load lock chamber 4a and the gate valve 1V2 of the transfer chamber 1 are closed, and the load lock chamber 4a and the transfer chamber 1 are The gate valve 4V1 is opened.
  • the wafer support plate 1c1 of the wafer transfer unit 1c in the transfer chamber 1 enters the load lock chamber 4a, lifts the wafer W on the wafer support pins 4a7, and carries it out to the transfer chamber 1.
  • the gate valve 1V3 of the transfer chamber 1 and the gate valve 41 (FIG. 5) of the EUV exposure apparatus 40 are opened, and the wafer W is transferred into the vacuum chamber 42 of the EUV exposure apparatus 40 by the wafer transfer unit 1c. Is mounted on the wafer stage 43.
  • the wafer W is transferred to a predetermined load lock chamber in accordance with a predetermined transfer flow indicating how one wafer W is transferred. Specifically, according to the transport flow, the material is transported to the load lock chamber where high vacuum evacuation has been completed at this point.
  • the gate valve 4V1 is first opened, and the wafer transfer unit 1c carries the exposed wafer W into the load lock chamber 4a and places it on the wafer support pins 4a7.
  • the gate valve 4V1 is closed. It takes, for example, about 7 seconds until the gate valve 4V1 is opened and closed (“waf. In2” in FIG. 6).
  • N 2 gas flows into the load lock chamber 4a from the gas inlet 4a8, and the load lock chamber 4a is returned to the atmospheric pressure, for example, over about 50 seconds (“N 2 purge” in FIG. 6). .
  • the gate valve 4V13 is opened with the N 2 gas flowing from the gas inlet 4a8.
  • the load lock chamber 4a and the transport unit portion S3 of the coating and developing apparatus 20 communicate with each other through the transport port 4a6 (FIG. 4B).
  • the N 2 gas heading from the load lock chamber 4a toward the transfer unit unit S3 reduces the inflow of air from the transfer unit unit S3, and the inside of the load lock chamber 4a is maintained in a clean atmosphere.
  • the transfer unit 33 of the transfer unit unit S3 enters the load lock chamber 4a, receives the wafer W on the wafer support pins 4a7, and exits to the transfer unit unit S3. Thereafter, the gate valve 4V13 is closed, and the transfer of the wafer W to the coating and developing apparatus 20 is completed.
  • the time required to transfer the wafer W from the load lock chamber 4a to the transfer unit S3 can be, for example, about 5 seconds (“waf. Out2” in FIG. 6A).
  • the gate valve 4V13 may be closed after the next wafer W is loaded into the load lock chamber 4a.
  • the exposed wafer W is transferred to the developing unit DEV by the main transfer unit 25B (FIG. 2), and the resist film on the wafer W is developed by the developing unit DEV to form a resist mask. Thereafter, the wafer W is returned to the original wafer cassette C on the mounting table 21 by the main transfer unit 25A and the transfer mechanism 23 (FIG. 2).
  • the procedure for transporting one wafer has been described.
  • a plurality of wafers W1, W2, W3, W4,... As shown in FIG. 5B, for example, when the preceding wafer W1 is in the load lock chamber 4a and the inside of the load lock chamber 4a is being evacuated to a high vacuum, the next wafer W2 is transferred to the load lock chamber 4b. The conveyance may be started. Further, when the wafer W2 is in the load lock chamber 4b and the inside of the load lock chamber 4b is evacuated to a high vacuum, the transfer of the next wafer W3 to the load lock chamber 4c may be started.
  • the wafer support plate 1c1 that does not support the wafer W enters the load lock chamber 4a, and the load lock The wafer W in the chamber 4a is received and moved out into the transfer chamber 1.
  • the wafer W in the load lock chamber 4a is transferred to the transfer chamber 1 (“waf.1in1” in FIG. 6A).
  • the wafer transfer unit 1c transfers the wafer W unloaded from the EUV exposure apparatus 40 into the load lock chamber 4a by the wafer support plate 1c1 and places it on the wafer support pins 4a7 in the load lock chamber 4a.
  • the exposed wafer W is carried into the load lock chamber 4a ("waf. In2" in FIG. 6A).
  • the gate valve 4V1 is closed.
  • the time required from when the gate valve 4V1 is opened until it is closed again can be, for example, about 15 seconds (“waf. In1” + “waf. In2” in FIG. 6A).
  • wafer loading / unloading is possible not only between the transfer chamber 1 and the load lock chambers 4a to 4d but also between the transfer chamber 1 and the vacuum chamber 42 in the EUV exposure apparatus 40.
  • the throughput can be improved. That is, according to the above description, the time for which one wafer W exists in the interface device 30 (the total time in the time chart of FIG. 6A) is about 124 seconds, but after 124 seconds, the next wafer W Instead of starting the transfer, the wafers W can be transferred sequentially with a predetermined time difference.
  • the transfer of the wafers W may be started about every 36 seconds as shown in FIG. 6B. In this case, about 144 seconds are allowed for the exposure processing of one wafer W.
  • rough evacuation can be performed three times or the time of high vacuum evacuation (main exhaust) can be increased, and organic substances in the air can be further prevented from entering the EUV exposure apparatus 40. It becomes possible.
  • the period during which the load lock chambers 4a to 4d are at atmospheric pressure (“N2 purge”, “waf. In2”, and “waf. In1” will be described according to the reference numerals in FIG. 6A). ”Is indicated by a symbol“ AT ”, and a period during which pressure is reduced (including“ N2 ”after“ rough exhaust 1 ”) is indicated by a symbol“ VA ”.
  • the interface device 30 includes the plurality of load lock chambers 4a to 4d, and can continuously transfer the wafer W in a sheet form.
  • the interface device 30 Through the rough exhaust of the lock chambers 4a to 4d, the atmospheric filling of the clean gas, the rough exhaust again, and the high vacuum exhaust, it is possible to improve the throughput while reducing the contamination caused by the organic matter in the air.
  • the time from resist application to exposure and the time from exposure to development can be made substantially the same for each wafer W, so that variations in process reproducibility between wafers can be minimized. .
  • N 2 gas from the gas inlet 4a8 of the load lock chamber 4a
  • the load lock chambers 4a to 4d have the same configuration and are unitized, for example, if the gate valve 4V1 and the stop valves SV1 and SV2 of the load lock chamber 4a are closed, the load lock chambers 4b to 4d are closed. It is possible to remove the casing 4a2 of the load lock chamber 4a from the gate valve 4V1 and perform maintenance of the load lock chamber 4a while performing the process using the.
  • the interface apparatus according to the second embodiment is disposed between the coating and developing apparatus 20 and the EUV exposure apparatus 40 in the same manner as the interface apparatus 30 according to the first embodiment.
  • the interface device 300 according to the second embodiment is compared with the interface device 30 according to the first embodiment by a gate valve 1 ⁇ / b> V ⁇ b> 1 provided at a substantially middle portion in the vertical direction of the transfer chamber 1.
  • the transfer chamber 1 is divided into an upper transfer chamber 1a and a lower transfer chamber 1b, and a plurality of load lock chambers 4a to 4d are connected to the lower transfer chamber 1b via corresponding gate valves 4V1 to 4V4, and communicate with the upper transfer chamber 1a.
  • the heating modules 2a to 2c and the cooling modules 3a to 3c are different, and the other points are the same.
  • the interface device 300 according to the present embodiment will be described focusing on the differences while omitting the redundant description regarding the configuration of the load lock chambers 4a to 4d.
  • the interface device 300 has a transfer chamber 1 that extends in the vertical direction at the center, and the transfer chamber 1 is transported by an upper transfer by a gate valve 1V1 provided in a substantially middle portion in the vertical direction. It is divided into a chamber 1a and a lower transfer chamber 1b.
  • the interface device 300 is arranged in a multi-tiered manner on the right side ( ⁇ Y side) of the upper transfer chamber 1a above the load lock chamber 4a, and is connected to the three heating modules 2a, 2b communicating with the upper transfer chamber 1a. 2c and three cooling modules 3a, 3b, 3c arranged in multiple stages on the left side (+ Y side) of the upper transfer chamber 1a above the load lock chamber 4c and communicating with the upper transfer chamber 1a.
  • the upper transfer chamber 1a can be evacuated by, for example, a dry pump or the like (not shown) and maintained in a reduced pressure state of 10 ⁇ 2 to 10 ⁇ 4 Pa.
  • a stop valve, a check valve, a pressure adjustment valve, and the like are provided on the pipe connecting the upper transfer chamber 1a and the dry pump.
  • the pressure in the upper transfer chamber 1a can be measured with a vacuum gauge (not shown).
  • the vacuum gauge may be a general ion gauge. However, since the resist film formed on the wafer W may be deteriorated by light or electrons emitted from the ion gauge, the ion gauge is in a position where the light or electrons from the ion gauge do not reach the resist film.
  • Vacuum gauges can also be provided in the load lock chambers 4a to 4d, the lower transfer chamber 1b, the heating modules 2a, 2b, and 2c, and the cooling modules 3a, 3b, and 3c. Also in this case, the ion gauge as a vacuum gauge is provided at a position where light and electrons from the ion gauge do not reach the resist film.
  • a turbo molecular pump (not shown) is connected to the lower transfer chamber 1b via a gate valve 1V2.
  • the lower transfer chamber 1b has a transfer port (not shown) that opens toward the EUV exposure apparatus 40 and can be closed by the gate valve 1V3. Through this transfer port, the wafer W is transferred between the interface apparatus 300 and the EUV exposure apparatus 40.
  • the gate valves 1V1 to 1V3 and the gate valves 4V1 to 4V4 are closed, the lower transfer chamber 1b is hermetically sealed, while the gate valve 1V2 is opened and evacuated by a turbo molecular pump. A reduced pressure of about 10 ⁇ 4 to 10 ⁇ 5 Pa is maintained.
  • a wafer transfer unit 1c is provided in the lower transfer chamber 1b.
  • the wafer transfer unit 1c can be expanded and contracted in the vertical direction (Z direction in FIG. 7), and can be rotated about the vertical direction as a central axis.
  • the wafer transfer unit 1c has two wafer support plates 1c1 (only one is shown in FIGS. 8 and 9) for holding the back surface of the wafer W at the tip, and the wafer support plate 1c1 is arranged in the X direction and the Y direction. Can be moved along.
  • the two wafer support plates 1c1 each have a fluid conduit, and the temperature can be adjusted by, for example, flowing a fluid to the fluid conduit through a flexible pipe.
  • the heated wafer W is removed by the wafer support plate 1c1 when the wafer W is taken out from the heating modules 2a to 2c. It can be cooled to a certain temperature (so-called rough heat can be taken). Therefore, the heated wafer W can be quickly cooled, and the cooling in the cooling modules 3a to 3c can be performed more efficiently.
  • the two wafer support plates 1c1 are configured to be alternately advanced and retracted, and can handle two wafers W at a time.
  • the wafer transfer unit 1c allows the wafer support plate 1c1 to enter the load lock chamber 4a (4a to 4d) and the load lock chamber 4a (4a to 4d).
  • the wafer W can be taken out, and the wafer W can be loaded into the load lock chamber 4a (4a to 4d).
  • the wafer transfer unit 1c extends in the Z direction and can enter the upper transfer chamber 1a. From the upper transfer chamber 1a, the heating module 2a to 2c or the cooling module 3a to The wafer support plate 1c1 can be made to enter 3c. That is, the wafer transfer unit 1c can access not only the load lock chambers 4a to 4d but also the heating modules 2a to 2c and the cooling modules 3a to 3c.
  • the heating module 2a is arranged in a flat housing 2a2 having an opening 2a1 that opens toward the upper transfer chamber 1a, and the housing 2a2. It has a mounting table 2a3 on which a wafer W transferred from the upper transfer chamber 1a is mounted by a wafer transfer unit 1c (wafer support plate 1c1).
  • the mounting table 2a3 has a thermoelectric heater and a thermocouple (both not shown) inside, and is maintained at a predetermined temperature by these and a predetermined temperature controller (not shown). Thereby, the wafer W on the mounting table 2a3 can be heated.
  • the mounting table 2a3 is provided with three elevating pins 2a4 that can move up and down through the through holes provided in the mounting table 2a3.
  • the elevating pins 2a4 receive the wafer W supported above the mounting table 2a3 by the wafer support plate 1c1, place the wafer W on the mounting table 2a3, and lift the wafer W on the mounting table 2a3 to raise the wafer support plate 1c1. Wafer W can be delivered to
  • the mounting table 2a3 is provided with an electrostatic chuck 2a5.
  • a predetermined voltage is applied to the electrostatic chuck 2a5 from a power source (not shown)
  • the wafer W placed on the mounting table 2a3 is brought into close contact with the upper surface of the mounting table 2a3 by electrostatic force.
  • the wafer W can be heated efficiently.
  • the inside of the heating module 2a is maintained at a reduced pressure similarly to the upper transfer chamber 1a through the opening 2a1 and heat conduction due to retention is less likely to occur, the wafer W is placed on the upper surface of the mounting table 2a3 by the electrostatic chuck 2a5.
  • the effect of adhering is great.
  • the heating modules 2b and 2c have the same configuration as the heating module 2a.
  • the cooling module 3a is disposed in a flat housing 3a2 having an opening 3a1 opening toward the upper transfer chamber 1a, and the housing 3a2. It has a mounting table 3a3 on which a wafer W carried from the upper transfer chamber 1a by the wafer transfer unit 1c is mounted. As shown in FIG. 9A, a conduit 3a4 is formed inside the mounting table 3a3, and a predetermined fluid whose temperature is adjusted into the conduit 3a4 from a fluid circulator (not shown) having a temperature control function. As a result, the mounting table 3a3 is maintained at a predetermined temperature. Thereby, the wafer W on the mounting table 3a3 can be cooled.
  • the mounting table 3a3 is provided with three lifting pins 3a4 (FIG. 9B) that can project and retract the wafer W with respect to the upper surface of the mounting table 3a3.
  • the mounting table 3a3 is provided with an electrostatic chuck 3a5 (FIG. 9A), and the wafer W mounted on the mounting table 3a3 by the lifting pins 3a4 is placed on the upper surface of the mounting table 3a3 by the electrostatic chuck 3a5. It is closely attached to. Thereby, heat conduction between the wafer W and the mounting table 3a3 is promoted.
  • the cooling modules 3b and 3c also have the same configuration as the cooling module 3a.
  • the wafer cassette C in which the wafers W are stored is mounted on the mounting table 21.
  • the lid of the wafer cassette C is removed, the opening / closing part 22 corresponding to the wafer cassette C is opened, and the wafer W is taken out from the wafer cassette C by the transfer mechanism 23 (FIG. 2).
  • the wafer W is delivered to the main transfer unit 25A via a delivery unit (not shown) that forms one stage of the shelf unit U1.
  • the wafer W is transferred to one of the shelves U1 to U2 by the main transfer unit 25A, subjected to, for example, a hydrophobizing process or a cooling process as a pre-process, and further transferred to the coating unit COT, where The film is spin coated.
  • the wafer W is delivered to the delivery unit 33 of the transfer unit unit S3 via the shelf unit U3.
  • the delivery unit 33 moves in front of the gate valve 4V13 of the load lock chamber 4a while supporting the wafer W (see FIG. 5).
  • the inside of the load lock chamber 4a is at atmospheric pressure by N 2 gas supplied from the gas inlet 4a8.
  • the gate valve 4V13 is opened, the delivery unit 33 enters the housing 4a2 of the load lock chamber 4a.
  • N 2 from the gas inlet 4a8
  • the inflow of air into the housing 4a2 can be further reduced.
  • the wafer W transferred into the housing 4a2 is supported by the wafer support pins 4a7 as the transfer unit 33 moves downward.
  • the lower transfer chamber 1b in which the wafer W is transferred next is also evacuated to a predetermined pressure, and preparations for receiving the wafer W are completed.
  • the gate valve 4V1 between the load lock chamber 4a and the lower transfer chamber 1b is opened, and a wafer transfer unit provided in the lower transfer chamber 1b.
  • the wafer support plate 1c1 of 1c enters the housing 4a2 and receives the wafer W.
  • the gate valve 4V1 is closed.
  • the upper transfer chamber 1a to which the wafer W is transferred next is also maintained at a predetermined pressure.
  • the gate valve 1V1 FIG. 7 between the lower transfer chamber 1b and the upper transfer chamber 1a is opened, the wafer transfer unit 1c extends upward and enters the upper transfer chamber 1a, and the opening of the heating module 2a.
  • the wafer W is transferred into the housing 2a2 of the heating module 2a through 2a1.
  • the wafer W is received by the lift pins 2a4 and placed on the placement table 2a3. Then, the wafer W is brought into close contact with the upper surface of the mounting table 2a3 by the electrostatic chuck 2a5.
  • the mounting table 2a3 is maintained at a predetermined temperature, whereby the wafer W coated with the resist film is heated (pre-baked).
  • the prebaking temperature can be, for example, about 80 to about 150 ° C.
  • the prebaking time can be, for example, about 30 to about 120 seconds.
  • the inside of the housing 2a2 of the heating module 2a is maintained at a predetermined pressure (reduced pressure) similarly to the upper transfer chamber 1a, so outgas from the resist film on the wafer W is promoted, and the wafer W Outgas in the vacuum chamber 42 in the EUV exposure apparatus 40 to be transported later is reduced. Thereby, it is possible to reduce the contamination of the optical system due to the solvent or the like in the resist film.
  • the same procedure is sequentially started for the second and subsequent wafers, and the second wafer is heated from the load lock chamber 4b through the lower transfer chamber 1b and the upper transfer chamber 1a, for example. 2b, where pre-baking is performed. Further, the third wafer is transferred from the load lock chamber 4c to the heating module 2c through the lower transfer chamber 1b and the upper transfer chamber 1a, for example, and the fourth wafer is transferred to the load lock chamber 4d, for example. Is done.
  • the wafer transfer unit 1c transfers the wafer W from the heating module 2a to the cooling plate 3a.
  • the cooling starts immediately when the wafer W is received by the wafer support plate 1c1. Therefore, when the wafer W is transferred to the cooling plate 3a and placed on the mounting table 3a3, the wafer W is cooled to a certain temperature, and the cooling module 3a can be efficiently cooled. In the cooling module 3a, the wafer W is cooled to a temperature of about room temperature (about 22 ° C.).
  • the wafers W in the heating modules 2b and 2c are also transferred to the cooling modules 3b and 3c, respectively, and the wafers W in the load lock chambers 4a to 4d are sequentially transferred to the heating modules 2a to 2c.
  • the wafer W is transferred by the wafer transfer unit 1c through the upper transfer chamber 1a to the lower transfer chamber 1b. Then, after the gate valve 1V1 between the upper transfer chamber 1a and the lower transfer chamber 1b is closed, the gate valve 1V2 is opened and the lower transfer chamber 1b is evacuated to high vacuum.
  • the gate valve 1V3 provided in the lower transfer chamber 1b and the gate valve 41 of the EUV exposure apparatus 40 are opened, and the wafer W is subjected to EUV exposure by the wafer transfer unit 1c. It is transferred into the vacuum chamber 42 of the apparatus 40 and placed on the wafer stage 43 (see FIG. 5).
  • the gate valve 1V1 between the upper transfer chamber 1a and the lower transfer chamber 1b is open, and the pressure in the lower transfer chamber 1b is realized by a dry pump.
  • the gate valve 1V1 is closed at a predetermined timing, and high vacuum evacuation is performed through the gate valve 1V2. Thereby, the inside of the vacuum chamber 42 in the EUV exposure apparatus 40 can be maintained at a high vacuum.
  • the wafer W returned to the lower transfer chamber 1b is transferred to a predetermined heating module (for convenience, referred to as the heating module 2a) according to a predetermined transfer flow for post-exposure baking.
  • the gate valve 1V1 is opened, the wafer transfer unit 1c extends upward, enters the upper transfer chamber 1a, and transfers the wafer W into the housing 2a2 of the heating module 2a through the opening 2a1 of the heating module 2a.
  • the wafer W is mounted on the mounting table 2a3 by the lift pins 2a4.
  • the wafer W is brought into close contact with the upper surface of the mounting table 2a3 by the electrostatic chuck 2a5.
  • the cooling module to be transferred is determined according to a predetermined transfer flow (for convenience, it is transferred to the cooling module 3a). Also in this case, when the wafer W heated by the heating module 2a is received by the wafer support plate 1c1, it is cooled to a certain temperature by the wafer support plate 1c1.
  • the wafer W is transferred from the cooling module 3a through the upper transfer chamber 1a to the lower transfer chamber 1b by the wafer transfer unit 1c.
  • the wafer W is transferred to a predetermined load lock chamber (for convenience, the load lock chamber 4a) according to the transfer flow. That is, when the gate valve 1V1 is first closed and then the gate valve 4V1 is opened, the wafer W is transferred into the load lock chamber 4a by the transfer unit 1c and placed on the wafer support pins 4a7 in the load lock chamber 4a. .
  • the gate valve 4V1 is closed and, for example, N 2 gas flows into the load lock chamber 4a from the gas inlet 4a8. Becomes atmospheric pressure. Thereafter, the gate valve 4V13 is opened with the N 2 gas flowing from the gas inlet 4a8. As a result, the load lock chamber 4a and the transport unit S3 of the coating and developing apparatus 20 communicate with each other via the transport port 4a6 (see FIG. 4B). Further, the N 2 gas flowing from the load lock chamber 4a to the transfer unit portion S3 reduces the inflow of air from the transfer unit portion S3, and the inside of the load lock chamber 4a is maintained in a clean atmosphere.
  • the transfer unit 33 of the transfer unit unit S3 enters the load lock chamber 4a, receives the wafer W on the wafer support pins 4a7, and exits to the transfer unit unit S3. Thereafter, the gate valve 4V13 is closed, and the transfer of the wafer W to the coating and developing apparatus 20 is completed.
  • the film is transferred to the developing unit DEV by the main transfer unit 25B (FIG. 2), and the resist film on the wafer W is developed by the developing unit DEV to form a resist mask. Thereafter, the wafer W is returned to the original wafer cassette C on the mounting table 21.
  • the interface device 300 includes the plurality of heating modules 2a to 2c, the plurality of cooling modules 3a to 3c, and the plurality of load lock chambers 4a to 4d.
  • the wafers W can be transferred in a sheet format according to the transfer flow created according to the heating conditions and the cooling conditions, and a reduction in throughput can be avoided.
  • the time from resist application to exposure and the time from exposure to development can be made substantially the same for each wafer W, so that variations in process reproducibility between wafers can be minimized. .
  • the load lock chambers 4a to 4d have the same configuration and are unitized.
  • the gate valve 4V1 and the stop valve SV1 of the load lock chamber 4a. , SV2 can be closed, and the load lock chamber 4a can be removed from the gate valve 4V1 for maintenance of the load lock chamber 4a while performing the process using the load lock chambers 4b to 4d.
  • the wafer transfer between the heating modules 2a to 2c, the cooling modules 3a to 3c, and the load lock chambers 4a to 4d is performed under reduced pressure, the inside of the lower transfer chamber 1b is maintained at reduced pressure. For this reason, when the wafer W is transferred from the lower transfer chamber 1b to the EUV exposure apparatus 40, the wafer W may be evacuated from a predetermined reduced pressure to a high vacuum instead of from the atmospheric pressure. It can be transported in time. Thereby, the throughput is not reduced unnecessarily.
  • the wafer W coated with the resist film in the coating and developing apparatus 20 is transported to the heating modules 2a to 2c under reduced pressure through the load lock chambers 4a to 4d of the interface apparatus 300, where prebaking is performed. Therefore, the contamination of the optical system or the like in the EUV exposure apparatus 40 due to the outgas from the resist film can be further reduced.
  • the gas blower 400 Since the inflow of air is also prevented by the ejection of N 2 gas or dry air from the air, the organic matter in the air is prevented from flowing into the load lock chamber 4a and thus to the EUV exposure apparatus 40, the optical system in the EUV exposure apparatus 40, etc. Contamination is prevented.
  • a heating module capable of maintaining a reduced pressure is required.
  • a new resist coating and developing apparatus having a heating module capable of maintaining a reduced pressure may be required.
  • the interface apparatus 300 according to the embodiment of the present invention since it can be provided between the exposure machine and the resist coating and developing apparatus, the heat treatment under reduced pressure is performed while utilizing the existing resist coating and developing apparatus. It becomes possible.
  • the post-baking may be performed in a heating unit in the coating and developing apparatus 20.
  • the gas blower 400 is provided in a pair of upper and lower sides, but only one may be provided. In this case, it is preferably provided on the ceiling side in the load lock chambers 4a to 4d.
  • the gas blower 400 may include a gas nozzle in which a plurality of orifices are formed at predetermined intervals instead of the gas injection slit 404.
  • the gas jet slit 404 of the gas blower 400 is passed through the N 2 gas from the gas jet slit 404 to the transfer port 4a6.
  • the height of the housing 4a2 is preferably as low as possible as long as the wafer W does not come into contact with the transfer ports 4a3, 4a6 and the gas ejection slit 404 when the wafer W is carried into and out of the housing 4a2. It is suitable if it is in the range up to 10 cm. If the height of the casing 4a2 is lower than about 3 cm, conductance for the gas flow becomes high when evacuating, and it takes a long time for evacuation. If it is higher than about 10 cm, N 2 gas from the gas inlet 4a8 is required. It becomes difficult to make a laminar flow. More preferably, it is in the range of about 4 cm to about 6 cm.
  • doors that can be opened and closed may be provided at the openings of the heating modules 2a to 2c and the cooling modules 3a to 3c.
  • the door is closed, so that the influence of the pressure fluctuation in the upper transfer chamber 1a is affected by the heating modules 2a to 2c and the cooling modules. It is possible to reduce the inside of the modules 3a to 3c.
  • the door may be a gate valve, but may be a simple one such as a labyrinth structure or a butterfly valve.
  • turbo molecular pump TMP not only the turbo molecular pump TMP but also the oil in the load lock chambers 4a to 4d can be exhausted to a pressure of 10 ⁇ 4 to 10 ⁇ 5 Pa.
  • a high vacuum pump such as a diffusion pump may be used.
  • a plurality of interface devices 30 or interface devices 300, or a combination of these may be arranged between the resist coating and developing apparatus and the EUV exposure apparatus as necessary. As a result, the wafer W can be transferred without waiting.
  • the gate valve 1V1 may be always opened.
  • the upper transfer chamber 1a, the heating modules 2a to 2c, and the cooling modules 3a to 3c are configured so that the pressure can be reduced to a pressure of 10 ⁇ 4 to 10 ⁇ 5 Pa.
  • the wafer W is transferred from the lower transfer chamber 1b to the vacuum chamber 42 of the EUV exposure apparatus 40 under a pressure of about 10 ⁇ 4 Pa (pressure lower than the ultimate pressure of the dry pump or rotary pump). Can do. Even with such a pressure, it is possible to sufficiently prevent contamination of the optical system in the EUV exposure apparatus 40.
  • the gate valve 1V1 of the interface device 300 according to the second embodiment is always closed, and the interface according to the first embodiment. It is also possible to perform a coating / exposure / development process in the same manner as the apparatus 30. Furthermore, it is possible to perform maintenance of the heating modules 2a to 2c and the cooling modules 3a to 3c while performing the coating / exposure / development process in the same manner as the interface device 30 according to the first embodiment with the gate valve 1V1 closed. It becomes.
  • the wafer W may be a semiconductor wafer such as silicon, and may be a glass substrate for a flat panel display (FPD). That is, the interface device 30 (300) according to the embodiment of the present invention is not only for resist coating and developing apparatus and EUV exposure apparatus for manufacturing semiconductor devices, but also for resist coating and developing apparatus and EUV exposure apparatus for FPD manufacturing. Is applicable.

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Abstract

［課題］ＥＵＶ露光装置内の汚染を低減するとともに、スループットの向上を可能とする、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に好適なインターフェイス装置及び基板搬送方法を提供する。 ［解決手段］インターフェイス装置３０は、開閉可能な第１搬送口１Ｖ３を通して露光装置との間で基板を受け渡す減圧可能な第１搬送室１ｂ；第２搬送口４Ｖ１を通して第１搬送室１ｂとの間で基板を受け渡し、第３搬送口４Ｖ１３を通して塗布現像装置２０との間で基板を受け渡す複数のロードロック室４ａ～４ｄ；第４搬送口１Ｖ１を通して第１搬送室１との間で基板を受け渡す、第２搬送室１ａ；第２搬送室１ａと連通する第５搬送口を通して基板を受け渡す、基板を加熱する複数の加熱モジュール２ａ～２ｃ；第２搬送室１ａと連通する第６搬送口を通して基板を受け渡す、基板を冷却する複数の冷却モジュール３ａ～３ｃを含む。

Description

インターフェイス装置
　本発明は、極端紫外光でレジスト膜を露光する露光装置と、基板にレジスト膜を形成し、露光装置により露光されたレジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置との間に設けられるインターフェイス装置、基板を搬送する方法、およびコンピュータ可読記憶媒体に関する。
　半導体デバイスの更なる微細化に伴い、約２０ｎｍという線幅の実現が要請されている。このような線幅を実現するため、極端紫外光（以下、ＥＵＶ光）を露光光として用いる露光装置の開発が進められている。ＥＵＶ露光装置においては、ＥＵＶ光が大気中を透過できないため、真空下でレジスト膜への露光が行われる。一方、ウエハへのレジスト膜の塗布や現像は大気圧下で行われるため、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間には、インターフェイスとしてのロードロック機構が不可欠である（例えば特許文献１）。
特開２００８－３４７３９号公報
　本発明の発明者の検討によれば、ＥＵＶ露光装置では、レジスト膜からの溶剤などのアウトガスにより、光学系が汚染されるだけでなく、例えば、クリーンルーム中の雰囲気に含まれる有機物などがＥＵＶ露光装置に流入すると、ＥＵＶ光によって有機物が固化（黒鉛化）し、ミラーなどの光学系に付着するといった問題がある。特に、クリーンルーム中の有機物には高い炭素価を有するものも多く、このような有機物が光学系に固化し、付着すると取り除くのが困難となり、高価な光学系を交換しなければならないという事態ともなる。
　このような問題は、ウエハをレジスト塗布現像装置からＥＵＶ露光装置へ搬送する際に、ロードロック室を真空排気し、ロードロック室内に例えば窒素（Ｎ２）ガスを充填し、再度真空排気するといった手順を繰り返すことによって、ある程度低減することが可能である。
　しかし、このような手順を何度も繰り返すとウエハの搬送に長い時間がかかる。しかも、ＥＵＶ露光は例えば１０－５～１０－６Ｐａといった高真空下で行われるため、上記の手順の後にロードロック室をこの程度の真空度まで真空排気する必要があり、高真空排気に更に長い時間がかかることになる。
　一方、プロセスの再現性という観点から、レジスト膜の塗布から露光までにかかる時間や、露光から現像までにかかる時間をウエハ毎にほぼ一定にすることが好ましいという事情があるため、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間のウエハの搬送はウエハキャリアを利用したバッチ式でなく、枚様式で行うことが好ましい。
　そうすると、ウエハ１枚に対して上記の手順を何度も繰り返し、更に高真空排気を行うとすると、汚染を低減しつつ、例えば１００枚毎時といったスループットを実現することは殆ど不可能とある。
　本発明は、上記の状況に照らして為され、ＥＵＶ露光装置内の汚染を低減するとともに、スループットの向上を可能とする、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に好適なインターフェイス装置、基板を搬送する方法、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供することを目的とする。
　上記の目的を実現するため、本発明の第１の態様は、極端紫外光でレジスト膜を露光する露光装置と、基板にレジスト膜を形成し、露光装置により露光されたレジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置との間に設けられるインターフェイス装置を提供する。このインターフェイス装置は、開閉可能な第１の搬送口を含み、当該第１の搬送口を通して露光装置との間で基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第１の搬送室；内部空間が減圧可能な複数のロードロック室であって、該複数のロードロック室の各々が開閉可能な第２の搬送口と開閉可能な第３の搬送口とを含み、第２の搬送口を通して第１の搬送室との間で基板が受け渡され、第３の搬送口を通してレジスト塗布現像装置との間で基板が受け渡されるように構成される、当該複数のロードロック室；開閉可能な第４の搬送口を含み、当該第４の搬送口を通して第１の搬送室との間で基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第２の搬送室；基板を減圧下で加熱する複数の加熱モジュールであって、該複数の加熱モジュールの各々が第２の搬送室と連通する第５の搬送口を含み、当該第５の搬送口を通して基板が受け渡されるように構成される、当該複数の加熱モジュール；および基板を減圧下で冷却する複数の冷却モジュールであって、該複数の冷却モジュールの各々が第２の搬送室と連通する第６の搬送口を含み、当該第６の搬送口を通して基板が受け渡されるように構成される、当該複数の冷却モジュールを備える。
　本発明の第２の態様は、極端紫外光でレジスト膜を露光する露光装置と、基板にレジスト膜を形成し、露光装置により露光されたレジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置との間に設けられるインターフェイス装置であって、開閉可能な第１の搬送口を含み、当該第１の搬送口を通して露光装置との間で基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第１の搬送室；および内部空間が減圧可能な複数のロードロック室であって、該複数のロードロック室の各々が開閉可能な第２の搬送口と開閉可能な第３の搬送口とを含み、第２の搬送口を通して第１の搬送室との間で基板が受け渡され、第３の搬送口を通してレジスト塗布現像装置との間で基板が受け渡されるように構成される、当該複数のロードロック室を備えるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第３の態様は、第１または第２の態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室の各々に、第２の搬送口および第３の搬送口のいずれか一方または双方に隣接して、当該ロードロック室に搬入出される基板にガスを噴射するガス噴出部が設けられるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第４の態様は、第１から第３のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第４の態様は、第１から第３のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第５の態様は、第４の態様のインターフェイス装置であって、ガス供給部が、第３の搬送口が開いているときに、該第３の搬送口に向かって流れるガス流を形成することができるように設けられるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第６の態様は、第１から第５のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室が多段に配置されるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第７の態様は、第１から第６のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、第１の搬送室が、複数のロードロック室に対して基板を搬入出する基板搬送部を含むインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第８の態様は、第１から第７のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室が個別に高真空ポンプを含むインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第９の態様は、第１の態様のインターフェイス装置であって、複数の加熱モジュールが多段に配置されるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第１０の態様は、第１または第９の態様のインターフェイス装置であって、複数の冷却モジュールが多段に配置されるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第１１の態様は、第１、第９および第１０のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、第１の搬送室が、複数のロードロック室、複数の加熱モジュール、および複数の冷却モジュールに対して基板を搬入出する基板搬送部を含むインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第１２の態様は、第１および第９から第１１のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数の加熱モジュールおよび複数の冷却モジュールのいずれか一方または双方が、基板が載置される載置台を含み、当該載置台に静電チャックが設けられるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第１３の態様は、第１および第９から第１２のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、第５の搬送口および第６の搬送口のいずれか一方または双方に、開閉可能な扉が設けられるインターフェイス装置を提供する。
　本発明の第１４の態様は、第１の態様のインターフェイス装置を介して、レジスト塗布現像装置から露光装置へ基板を搬送する方法を提供する。この方法は、大気圧下において、レジスト塗布現像装置からインターフェイス装置の複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ、レジスト膜が形成された基板を搬送する、ロードロック室への搬送工程と、一のロードロック室内を第１の真空度にまで減圧する工程と、第１の真空度の下で、一のロードロック室から第１の搬送室へ基板を搬送する工程と、第１の真空度の下で、第１の搬送室から第２の搬送室を通して複数の加熱モジュールのうちの一の加熱モジュールへ基板を搬送する工程と、第１の真空度の下で、一の加熱モジュール内で基板を加熱する工程と、第１の真空度の下で、一の加熱モジュールから複数の冷却モジュールのうちの一の冷却モジュールへ基板を搬送する工程と、第１の真空度の下で、一の冷却モジュール内で基板を冷却する工程と、第１の真空度の下で、一の冷却モジュールから第２の搬送室を通して第１の搬送室へ基板を搬送する工程と、第１の搬送室内を、第１の真空度よりも低い第２の真空度にまで減圧する工程と、第２の真空度の下で、第１の搬送室から露光装置へ基板を搬送する工程とを含む。
　本発明の第１５の態様は、第１４の態様の方法であって、第１の真空度が１０－４から１０－５Ｐａの範囲にあり、第２の真空度が１０－２から１０－４Ｐａの範囲にある方法を提供する。
　本発明の第１６の態様は、第２の態様のインターフェイス装置を介して、レジスト塗布現像装置から露光装置へ基板を搬送する方法であって、大気圧下において、レジスト塗布現像装置からインターフェイス装置の複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ、レジスト膜が形成された基板を搬送する、ロードロック室への工程と、一のロードロック室内を減圧する工程と、減圧下において、一のロードロック室から第１の搬送室へ基板を搬送する、ロードロック室への搬送工程と、減圧下において、第１の搬送室から露光装置へ基板を搬送する工程とを含む方法を提供する。
　本発明の第１７の態様は、第１または第２の態様のインターフェイス装置を介して、露光装置からレジスト塗布現像装置へ基板を搬送する方法であって、減圧下において、露光処理が終了した基板を露光装置から第１の搬送室へ搬送する工程と、減圧下において、第１の搬送室から複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ基板を搬送する工程と、一のロードロック室内を大気圧に戻す工程と、一のロードロック室内の基板をレジスト塗布現像装置へ搬送する工程とを含む方法を提供する。
　本発明の第１８の態様は、第１４または第１６の態様の方法であって、複数のロードロック室の各々に、第２の搬送口および第３の搬送口のいずれか一方または双方に隣接して、当該ロードロック室に搬入出される基板にガスを噴射するガス噴出部が設けられ、ロードロック室への搬送工程において、ロードロック室へ搬送される基板に対して、ガス噴出部からガスが噴出される方法を提供する。
　本発明の第１９の態様は、第１４、第１６および第１８のいずれかの態様の方法であって、複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられ、ロードロック室への搬送工程において、一のロードロック室にはガス供給部から当該第３の搬送口へガスが流れる方法を提供する。
　本発明の第２０の態様は、第１４１４から第１９のいずれかの態様の方法を、第１から第１３のいずれかの態様のインターフェイス装置に実行させるコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
　本発明の実施形態によれば、ＥＵＶ露光装置内の汚染を低減するとともに、スループットの向上を可能とする、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に好適なインターフェイス装置、基板を搬送する方法、およびコンピュータ可読記憶媒体が提供される。
本発明の実施形態によるインターフェイス装置と、これを適用するに好適なレジスト塗布現像装置およびＥＵＶ露光装置とを概略的に示す斜視図である。 図１のインターフェイス装置とレジスト塗布現像装置およびＥＵＶ露光装置とを概略的に示す平面図である。 本発明の実施形態によるインターフェイス装置を概略的に示す斜視図である。 図３に示すインターフェイス装置のロードロック室を概略的に示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。 本発明の実施形態によるインターフェイス装置と、これを適用するに好適なレジスト塗布現像装置およびＥＵＶ露光装置との位置関係を拡大して示す平面図である。 本発明の実施形態によるインターフェイス装置においてウエハが搬送されるタイムチャートの一例である。 本発明の他の実施形態による真空処理装置を概略的に示す斜視図である。 図７の真空処理装置の加熱モジュールを概略的に示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。 図７の真空処理装置の冷却モジュールを概略的に示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。 本発明の実施形態の変形例を模式的に示す斜視図である。
　以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態によるインターフェイス装置を説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。
　本発明の一実施形態によるインターフェイス装置は、ウエハＷへレジスト膜を塗布し、露光されたレジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置（以下、単に塗布現像装置という）と、塗布現像装置において塗布されたレジスト膜をＥＵＶ光で露光するＥＵＶ露光装置との間に設けられる。
　初めに、図１および図２を参照しながら、本発明の一実施形態によるインターフェイス装置が利用される塗布現像装置について説明する。図１に示すように、塗布現像装置２０は、所謂ＦＯＵＰ（Front Opening Universal Pod）などのウエハカセットＣに収容されるウエハＷを搬入出するためのカセットステーションＳ１を有している。カセットステーションＳ１は、複数のウエハカセットＣを載置可能な載置台２１と、この載置台２１に載置される複数のウエハカセットＣに対応して設けられる複数の開閉部２２と、ウエハカセット開閉部２２を通してウエハＷをウエハカセットＣから取り出し、ウエハカセットＣへ戻す搬送機構２３（図２）と、を有する。なお、ウエハカセットＣは、複数（たとえば１３枚）のウエハＷを収納することができる。
　また、塗布現像装置２０は、カセットステーションＳ１の隣に、筐体２４で囲まれた処理部Ｓ２を有する。図２に示すとおり、処理部Ｓ２においては、棚ユニットＵ１、主搬送部２５Ａ、棚ユニットＵ２、主搬送部２５Ｂ、および棚ユニットＵ３がこの順にＸ方向に沿って配置されている。
　棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３の各々は、液処理ユニットＵ４、Ｕ５（後述）にて行われる処理に対する前処理および後処理を行うための多段（例えば１０段）の加熱ユニットかつ／または冷却ユニットを有している。
　主搬送部２５Ａ、２５Ｂは、棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３や、塗布・現像ユニットＵ４、Ｕ５を含む種々の処理ユニットの間でウエハＷを搬送する。棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３および主搬送部２５Ａ、２５Ｂの各々には図示しない開口部が形成され、開口部を通して、ウエハＷを棚ユニットＵ１から棚ユニットＵ３まで搬送することができる。
　搬送部２５Ａは、棚ユニットＵ１、液処理ユニットＵ４および棚ユニットＵ２に囲まれるように配置されている。同様に、搬送部２５Ｂは、棚ユニットＵ２、液処理ユニットＵ５および棚ユニットＵ３に囲まれるように配置されている。
　液処理ユニットＵ４、Ｕ５は、図１に示すように、レジスト液や現像液などを収納する収納部２９と、収納部２９の上に配置され、塗布ユニットＣＯＴ、現像ユニットＤＥＶおよび反射防止膜形成ユニットＢＡＲＣ等を含む複数段（例えば５段）のユニットと、を有する。なお、液処理ユニットＵ４は３段の塗布ユニットＣＯＴと２段の反射防止膜形成ユニットＢＡＲＣとを有し、液処理ユニットＵ５は５段の現像ユニットＤＥＶを有しているが、塗布ユニットＣＯＴ、現像ユニットＤＥＶおよび反射防止膜形成ユニットＢＡＲＣの組み合わせは、図示の例に限られず、適宜組み合わされて良い。また、液処理ユニットＵ４（Ｕ５）の隣には、液処理ユニットで使用される液の温度調節装置や、温湿度調節に用いられるダクト等を含む温湿度調整ユニット２７（２８）が設けられている。
　処理部Ｓ２の隣に図１および図２に示すＸ軸の正方向に沿って、搬送ユニット部Ｓ３が設けられ、処理部Ｓ２がカセットステーションＳ１と搬送ユニット部Ｓ３とで挟まれている。搬送ユニット部Ｓ３は、処理部Ｓ２と、後に説明する本発明の実施形態によるインターフェイス装置３０（３００）との間でウエハＷを受け渡す受け渡しユニット３３を有している。受け渡しユニット３３は、ウエハＷの裏面外周部を支持して搬送する支持部を有し、この支持部を図２中のＹ軸方向に移動することができ、基端を中心に回転することができる。これにより、処理部Ｓ２とインターフェイス装置３０との間でウエハＷを受け渡すことができる。
　図１および図２を参照すると、塗布現像装置２０の搬送ユニット部Ｓ３に隣接して、本発明の実施形態によるインターフェイス装置３０（または３００）が配置され、インターフェイス装置３０に隣接してＥＵＶ露光装置４０が配置されている。すなわち、インターフェイス装置３０は、塗布現像装置２０とＥＵＶ露光装置４０との間に配置されている。
　ＥＵＶ露光装置４０は、図５に示すように、ゲート弁４１が設けられた搬送口（図示せず）を有する真空チャンバ４２と、真空チャンバ４２内に配置され、露光処理の対象となるウエハが載置されるウエハステージ４３とを有している。真空チャンバ４２には、多層膜ミラーなどを含む光学系（図示せず）が配置され、真空チャンバ４２の外に配置されたＥＵＶ光源（図示せず）からのＥＵＶ光により、ウエハステージ４３上のウエハが露光される。
　（第１の実施形態）
　次に、本発明の第１の実施形態によるインターフェイス装置３０について説明する。図３は、インターフェイス装置３０の構成をＥＵＶ露光装置４０（図示省略）の方から見た斜視図である。なお、インターフェイス装置３０は、塗布現像装置２０（搬送ユニット部Ｓ３）とほぼ同一の高さと幅を有するキャビネットを有するが、図３においては省略している。 
　図示の通り、インターフェイス装置３０は、ほぼ中央部に搬送室１を有している。また、インターフェイス装置３０は、ゲート弁４Ｖ１を介して搬送室１に連結されるロードロック室４ａと、ゲート弁４Ｖ２を介して搬送室１に連結され、ロードロック室４ａの下方に配置されるロードロック室４ｂと、ゲート弁４Ｖ３を介して搬送室１に連結され、搬送室１を間に挟んでロードロック室４ａと対向するロードロック室４ｃと、ゲート弁４Ｖ４を介して搬送室１と連結され、ロードロック室４ｃの下方に配置されるロードロック室４ｄと、を有している。
　搬送室１には、ゲート弁１Ｖ２を介して例えばターボ分子ポンプ（図示せず）が接続されている。また、搬送室１は、ＥＵＶ露光装置４０に向けて開口する搬送口（図示せず）を有し、この搬送口はゲート弁１Ｖ３により開閉される。この搬送口を通して、ウエハＷがインターフェイス装置３０とＥＵＶ露光装置４０との間で搬入出される。ゲート弁１Ｖ２、１Ｖ３、およびゲート弁４Ｖ１～４Ｖ４を閉めると、搬送室１は密閉される一方、ゲート弁１Ｖ２を開けてターボ分子ポンプで排気すると、搬送室１内が１０－４～１０－５Ｐａ程度の減圧状態に維持される。なお、搬送室１内の圧力は、図示しない真空計により測定することができる。真空計は、一般的なイオンゲージであって良い。ただし、イオンゲージから放出される光または電子により、ウエハＷ上に形成されるレジスト膜が変質する可能性があるため、イオンゲージは、イオンゲージからの光や電子がレジスト膜に到達しない位置に設けられる。また、真空計は、ロードロック室４ａ～４ｄにも設けることができる。この場合にも、真空計としてのイオンゲージは、イオンゲージからの光や電子がレジスト膜に到達しない位置に設けられる。
　さらに、搬送室１内には、ウエハ搬送ユニット１ｃが設けられている。ウエハ搬送ユニット１ｃは、上下方向（図３中のＺ軸方向）に伸縮可能であり、上下方向を中心軸として約３６０°回動可能である。また、ウエハ搬送ユニット１ｃは、先端部にウエハＷの裏面を保持する２つのウエハ支持プレート１ｃ１（図４に１つのみを示す）を有し、ウエハ支持プレート１ｃ１をＸ方向およびＹ方向に沿って動かすことができる。また、２つのウエハ支持プレート１ｃ１は、交互に前進し後退できるように構成されており、一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができる。具体的には、一方のウエハ支持プレート１ｃ１がウエハＷ１を支持し、他方のウエハ支持プレート１ｃ１がウエハを支持しない状態で例えばロードロック室４ａの前に位置し、ゲート弁４Ｖ１が開いた後、他方のウエハ支持プレート１ｃ１でロードロック室４ａ内のウエハＷ２を搬出し、続けて（ゲート弁４Ｖ１を閉めずに）、一方のウエハ支持プレート１ｃ１でロードロック室４ａ内へウエハＷ１を搬入することができる。 
　なお、後に説明するように、ウエハ支持プレート１ｃ１は冷却機能または温調機能を有して良い。
　次に、図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照しながら、ロードロック室４ａについて説明する。図４（Ａ）は、ロードロック室４ａの概略断面図であり、図４（Ｂ）は、ロードロック室４ａの概略上面図である。図示のとおり、ロードロック室４ａは、扁平な筐体４ａ２を有している。図４（Ａ）に示すように、筐体４ａ２は、ゲート弁４Ｖ１により開閉可能な搬送口４ａ３と、ゲート弁４Ｖ１１により開閉可能な排気口４ａ４と、ゲート弁４Ｖ１２により開閉可能な高真空排気口４ａ５とを有している。さらに、図４（Ｂ）に示すように、筐体４ａ２は、ゲート弁４Ｖ１３により開閉可能な搬送口４ａ６を有している。
　搬送口４ａ３は、筐体４ａ２における搬送室１に面する側壁に形成されている。搬送口４ａ３を通して、ウエハ支持プレート１ｃ１により搬送室１と筐体４ａ２との間でウエハＷが搬入出される。 
　一方、搬送口４ａ６は、筐体４ａ２における塗布現像装置２０に面する側壁に形成されている。搬送口４ａ６を通して、塗布現像装置２０の搬送ユニット部Ｓ３に設けられた受け渡しユニット３３によって、塗布現像装置２０と筐体４ａ２との間でウエハＷが搬入出される。
　排気口４ａ４は、筐体４ａ２内が粗排気されるときに使用される。排気口４ａ４に設けられたゲート弁４Ｖ１１にはバイパス管ＢＰが接続され、バイパス管ＢＰはドライポンプＤＰに接続されている。また、バイパス管ＢＰの途中にはストップ弁ＳＶ１が設けられている。この構成により、ロードロック室４ａの内部を粗排気することができる。 
　一方、高真空排気口４ａ５は、筐体４ａ２内が高真空排気されるときに使用される。高真空排気口４ａ５に設けられたゲート弁４ａＶ１２には、ターボ分子ポンプＴＭＰが接続されており、ターボ分子ポンプＴＭＰには補助排気パイプＡＰが接続され、補助排気パイプＡＰにはドライポンプＤＰが接続されている。また、補助排気パイプＡＰの途中にはストップ弁ＳＶ２が設けられている。この構成により、粗排気されたロードロック室４ａ内を高真空（例えば１０－４～１０－５Ｐａ）にまで排気することができる。なお、この場合、ドライポンプＤＰは、ストップ弁ＳＶ１およびＳＶ２の切り替えにより、ロードロック室４ａ内の粗排気用ポンプと、ターボ分子ポンプＴＭＰの補助ポンプとして機能する。
　また、ロードロック室４ａ内には、ウエハＷを支持する３つのウエハ支持ピン４ａ７が設けられている。ウエハ支持ピン４ａ７は本実施形態では上下動することなく、したがって、ウエハＷは、ウエハ支持プレート１ｃ１および受け渡しユニット３３が上下動することにより、ウエハ支持ピン４ａ７へ載置され、ウエハ支持ピン４ａ７から取り上げられる。他の実施形態においては、ウエハ支持ピン４ａ７を上下動可能に設けても良い。
　また、筐体４ａ２には、一組のガスブロワー４００が設けられている。一方のガスブロワー４００は、図４（Ａ）に示すように、筐体４ａ２内にて搬送口４ａ３から離れた位置において筐体４ａ２の天井部と底部に配置されており、他方のガスブロワー４００は、図４（Ｂ）に部分的に示すように、搬送口４ａ６から離れた位置において筐体４ａ２の天井部と底部に配置されている。図４（Ａ）を参照すると、ガスブロワー４００は、一方端において、筐体４ａ２の天井部に設けられた貫通孔に気密に挿入された配管４０１と、配管４０２の途中に設けられたガスラインフィルタ４０２と、配管４０２の途中であってガスラインフィルタ４０２よりも筐体４ａ２側に設けられたバルブ４０３と、筐体４ａ２内において配管４０１の先端に取り付けられたガス噴出スリット４０４とを有している。配管４０１の他方端は図示しないガス供給源に接続されている。ガス供給源は例えば窒素（Ｎ２）ガスシリンダーを含み、これにより、ガス供給源から配管４０１へＮ２ガスを供給することができる。また、ガス供給源は、配管４０１へドライエアを供給できるよう構成しても良い。ガスラインフィルタ４０２は、例えばフッ素樹脂による濾過膜などを有し、配管４０１内を流れるＮ２ガス中の異物を除去する。ガス噴出スリット４０４は、図４（Ｂ）に示すように、ウエハＷの搬入出方向と交差する方向に延在している。このような構成により、ガス噴出スリット４０４からＮ２ガスを噴出することができる。なお、ガス噴出スリット４０４のスリット幅は、配管４０１内外において、このガス噴出スリット４０４から噴出されるガスにより例えばエアカーテンが形成される程度の圧力差を生じる程度とされる。
　さらに、筐体４ａ２の底部には、図４（Ｂ）に示すように、ガス流入口４ａ８が形成されており、ガス流入口４ａ８に接続された配管（図示せず）には、ストップ弁と、筐体４ａ２内が加圧されるのを防止する安全弁とが設けられており（ともに図示せず）、ストップ弁を開くことにより、例えばＮ２ガスまたはドライエアが筐体４ａ２内へ流入する。この構成により、筐体４ａ２内を大気圧にすることができる。また、筐体４ａ２内が大気圧となりゲート弁４Ｖ１３が開いた後にもガス流入口４ａ８からＮ２ガスを継続して流すようにすると好ましい。このＮ２ガスは、筐体４ａ２から搬送口４ａ６を通して塗布現像装置２０内へと流れるため、塗布現像装置２０から筐体４ａ２内へ空気が流入するのを低減することができる。上述のとおり、塗布現像装置２０内は、大気圧下にあり、クリーンルーム内の空気で満たされている。クリーンルーム内の空気には有機物が含まれるが、このようにＮ２ガスを流し続けることによって、有機物の筐体４ａ２内への流入を低減することが可能となる。また、塗布現像装置２０から筐体４ａ２内に空気が流れ込むと、空気中の水分が筐体４ａ２の内壁に付着し、高真空にまで排気するのに長い時間がかかることとなるが、本実施形態によるロードロック室４ａによれば、ガス流入口４ａ８からのＮ２ガスにより塗布現像装置２０からの空気の流入を低減できるので、高真空に排気するまでの時間を短縮することが可能となる。
　以上、ロードロック室４ａについて説明したが、ロードロック室４ｂ～４ｄも同じ構成を有している。なお、ターボ分子ポンプＴＭＰは、各ロードロック室４ａ～４ｄに一つずつ設けられる一方で、ドライポンプＤＰは全てのロードロック室４ａ～４ｄについて補助ポンプおよび粗排気ポンプとして共用することができる。この場合、例えばロードロック室４ａを高真空排気中にロードロック室４ｂを大気圧から粗排気するときには、バイパス管ＢＰおよび補助排気パイプＡＰ内の圧力が一時的に上昇するが、ターボ分子ポンプＴＭＰの構成上、ロードロック室４ａ内の圧力は上昇することがなく、高真空が維持される。
　再び図２を参照すると、インターフェイス装置３０は、インターフェイス装置３０を構成するロードロック室、モジュール、ゲート弁、ポンプ、種々の機器などを制御する制御部３０ａと、制御部３０ａに接続され、所定のプログラムを記憶する記憶装置３０ｂと、コンピュータ可読記憶媒体３０ｅに格納されるプログラムを記憶装置３０ｂへ読み込むための入出力（Ｉ／Ｏ）装置３０ｃと、制御部３０ａに接続され、プロセスパラメータの変更や更新のためプロセスレシピを表示したり、プロセスの状況を表示したりする表示装置３０ｄとを有している。
　制御部３０ａは、構成要素としてＣＰＵ（中央処理装置）を含む例えばコンピュータであって良く、インターフェイス装置３０に例えば後述するプロセスを実行させるための命令群を有するプログラムに基づいて、インターフェイス装置３０の各機器を動作させ、そのプロセスを実施する。このプログラムは、ハードディスク、光ディスク、磁気ディスク、半導体メモリデバイスを始めとする種々のコンピュータ可読記録媒体３０ｅに格納されて良く、Ｉ／Ｏ装置３０ｃを通して読み込まれて記憶装置３０ｂに記憶され、必要に応じて制御部３０ａに読み出されて実行される。なお、制御部３０ａは、塗布現像装置２０とＥＵＶ露光装置４０の制御部（図示せず）と接続されており、上記のプログラムに従って塗布現像装置２０とＥＵＶ露光装置４０の制御部との間で信号の送受信を行い（図２中の破線矢印）、塗布現像装置２０、インターフェイス装置３０、およびＥＵＶ露光装置４０によるプロセスを実行させる。これにより、例えば、塗布現像装置２０の受け渡しユニット３３とインターフェイス装置３０のロードロック室４ａとが協働して、受け渡しユニット３３からロードロック室４ａへウエハＷが搬送される。
　次に、図２、図５および図６を参照しながら、塗布現像装置２０、インターフェイス装置３０、およびＥＵＶ露光装置４０において行われる一連の塗布／露光／現像プロセスについて説明する。なお、図６はウエハ搬送のタイムチャートの一例を示すに過ぎず、本発明を限定するものではない。
　（レジスト塗布）
　先ず、ウエハＷの収納されたウエハカセットＣが載置台２１に載置される。次に、ウエハカセットＣの蓋体が外されるとともに、このウエハカセットＣに対応する開閉部２２が開かれ、搬送機構２３（図２）によってウエハカセットＣからウエハＷが取り出される。
　次に、ウエハＷは、棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送部２５Ａへと引き渡される。次いで、ウエハＷは主搬送部２５Ａにより棚ユニットＵ１～Ｕ２内のいずれかの棚へ搬送され、前処理として例えば疎水化処理や冷却処理などが行われ、更に塗布ユニットＣＯＴへ搬送されて、レジスト膜が回転塗布される。
　次いで、ウエハＷは、棚ユニットＵ１～Ｕ３のいずれかの棚の加熱ユニットに搬送され、プリベークが行われる。
　（ウエハのロードロック室への搬送）
　この後、ウエハＷは、棚ユニットＵ３から搬送ユニット部Ｓ３の受け渡しユニット３３（図５）へ受け渡される。受け渡しユニット３３はウエハＷを支持したまま、ロードロック室４ａのゲート弁４Ｖ１３の前に移動する。この時点で、ロードロック室４ａ内はガス流入口４ａ８から供給されるＮ２ガスによって大気圧になっており、すなわち、ゲート弁４Ｖ１３を開く準備が整っている。ゲート弁４Ｖ１３が開くと、受け渡しユニット３３はロードロック室４ａの筐体４ａ２内へ進入する。この際、ガス流入口４ａ８からＮ２を供給し続けることにより、搬送ユニット部Ｓ３から筐体４ａ２内への空気の流入を低減することができる。また、ガスブロワー４００のガス噴出スリット４０４からもＮ２ガスまたはドライエアを噴出させることにより、筐体４ａ２内への空気の流入を更に低減することができる。筐体４ａ２内へ搬送されたウエハＷは、受け渡しユニット３３が下方へ移動することにより、ウエハ支持ピン４ａ７により支持される。受け渡しユニット３３が筐体４ａ２から退出した後、ゲート弁４Ｖ１３が閉まり、ウエハＷのロードロック室４ａへの搬送が完了する。
　ウエハＷをロードロック室４ａに搬入するのに要する時間（ゲート弁４Ｖ１３を開けてから再び閉めるまでの時間）は、例えば約６秒とすることができる（図６の「waf. in1」）。
　（ロードロック室の排気）
　次に、ゲート弁４Ｖ１１が開き、筐体４ａ２内が粗排気される。粗排気の時間は、例えば約９秒とすることができる（図６の「粗排気１」）。この後、ゲート弁４Ｖ１１を閉じて排気を停止するともに、ガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスを流し、約４秒間（図６の「Ｎ２」）で筐体４ａ２内が大気圧に戻される。そして、ガス流入口４ａ８からのＮ２ガスの供給を停止し、ゲート弁４Ｖ１１を開くことにより再度粗排気が行われる。この粗排気も約９秒間で良い（図６の「粗排気２」）。
　次いで、ゲート弁４Ｖ１１を閉めて粗排気を停止するとともに、ゲート弁４Ｖ１２を開いて、ターボ分子ポンプＴＭＰにより筐体４ａ２内を高真空排気する。高真空排気は２６秒間程度であって良い（図６の「本排気」）。ウエハＷの搬入時にロードロック室４ａの筐体４ａ２内へ空気が僅かに流入したとしても、２回の粗排気に加えて高真空排気によりパージすることができる。
　（ウエハのＥＵＶ露光装置への搬送）
　ロードロック室４ａ内が高真空排気されている間、搬送室１も、ゲート弁１Ｖ２が開いてターボ分子ポンプ（図示せず）により高真空排気されている。 
　ロードロック室４ａおよび搬送室１内が高真空排気された後、ロードロック室４ａのゲート弁４Ｖ１２と、搬送室１のゲート弁１Ｖ２とが閉じるとともに、ロードロック室４ａと搬送室１との間のゲート弁４Ｖ１が開く。次に、搬送室１内のウエハ搬送ユニット１ｃのウエハ支持プレート１ｃ１がロードロック室４ａ内へ進入し、ウエハ支持ピン４ａ７上のウエハＷを持ち上げ、搬送室１へ搬出する。
　この後、搬送室１のゲート弁１Ｖ３とＥＵＶ露光装置４０のゲート弁４１（図５）とが開き、ウエハＷは、ウエハ搬送ユニット１ｃにより、ＥＵＶ露光装置４０の真空チャンバ４２内へ搬送されて、ウエハステージ４３に載置される。
　（ウエハのインターフェイス装置への搬送）
　ＥＵＶ露光装置４０のウエハステージ４３上でウエハＷ（レジスト膜）の露光が終了すると、ゲート弁４１とゲート弁１Ｖ３が開き、インターフェイス装置３０のウエハ搬送ユニット１ｃによって、ウエハＷがＥＵＶ露光装置４０のウエハステージ４３からインターフェイス装置３０の搬送室１へ搬送される。次いで、ゲート弁４１とゲート弁１Ｖ３が閉まって、ウエハＷの搬送室１への搬送が終了する。これに要する時間は、例えば約８秒とすることができる（図６（Ａ）の「waf. out1」）。
　（ウエハの塗布現像装置への搬送）
　次いで、ウエハＷは、一のウエハＷがどのように搬送されるかを予め定めた搬送フローに従って、所定のロードロック室に搬送される。具体的には、搬送フローに従ってこの時点において高真空排気が終了しているロードロック室へ搬送される。便宜上、ロードロック室４ａへ搬送されるとすると、まずゲート弁４Ｖ１が開き、ウエハ搬送ユニット１ｃが露光されたウエハＷをロードロック室４ａ内へ搬入し、ウエハ支持ピン４ａ７上に載置する。ウエハ搬送ユニット１ｃ（ウエハ支持プレート１ｃ１）がロードロック室４ａから退出した後、ゲート弁４Ｖ１が閉まる。ゲート弁４Ｖ１が開いてから閉まるまでは、例えば約７秒を要する（図６中の「waf. in2」）。
　続けて、ロードロック室４ａ内へガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスが流入し、例えば約５０秒かけて、ロードロック室４ａ内が大気圧に戻される（図６中の「Ｎ２パージ」）。この後、ガス流入口４ａ８からＮ２ガスを流したまま、ゲート弁４Ｖ１３を開く。これにより、搬送口４ａ６（図４（Ｂ））を介してロードロック室４ａと、塗布現像装置２０の搬送ユニット部Ｓ３とが連通する。また、ロードロック室４ａから搬送ユニット部Ｓ３へ向かうＮ２ガスにより、搬送ユニット部Ｓ３から空気の流入が低減され、ロードロック室４ａ内が清浄な雰囲気に維持される。
　そして、搬送ユニット部Ｓ３の受け渡しユニット３３がロードロック室４ａ内へ進入し、ウエハ支持ピン４ａ７上のウエハＷを受け取って、搬送ユニット部Ｓ３へと退出する。
　この後、ゲート弁４Ｖ１３が閉まって、ウエハＷの塗布現像装置２０への搬送が終了する。ウエハＷをロードロック室４ａから搬送ユニット部Ｓ３へ搬送するのに要する時間は、例えば約５秒とすることができる（図６（Ａ）の「waf. out2」）。
　なお、ロードロック室４ａから搬送ユニット部Ｓ３へウエハＷを搬出した後、次のウエハＷがロードロック室４ａ内へ搬入されてから、ゲート弁４Ｖ１３を閉じるようにしても良い。
　この後、主搬送部２５Ｂ（図２）により、露光されたウエハＷは現像ユニットＤＥＶへ搬送され、現像ユニットＤＥＶにてウエハＷ上のレジスト膜が現像されてレジストマスクが形成される。その後、主搬送部２５Ａや搬送機構２３（図２）により、ウエハＷは載置台２１上の元のウエハカセットＣへと戻される。
　なお、以上、１枚のウエハの搬送手順を説明したが、ウエハカセットＣ内の複数枚のウエハＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４，・・・を枚様式に連続して処理する場合は、図６（Ｂ）に示すように、例えば先行するウエハＷ１がロードロック室４ａ内にあり、このロードロック室４ａの内部が高真空排気されているときに、次のウエハＷ２のロードロック室４ｂへの搬送を開始して良い。また、ウエハＷ２がロードロック室４ｂ内にあり、このロードロック室４ｂの内部が高真空排気されているときに、次のウエハＷ３のロードロック室４ｃへの搬送を開始して良い。
　また、このようにウエハＷを搬送する場合、ＥＵＶ露光されたウエハＷ１が搬送室１からロードロック室４ａに搬入されるときには、露光されたウエハＷは、ロードロック室４ａ～４ｄのうち、ＥＵＶ露光装置４０への搬送が予定されるウエハＷが収容され、高真空排気が完了しているロードロック室、すなわち、ウエハＷのＥＵＶ露光装置４０への搬送の準備が整っているロードロック室（ロードロック室４ａ）へ搬送される。具体的には、まずゲート弁４Ｖ１が開くと、ウエハ搬送ユニット１ｃの２つのウエハ支持プレート１ｃ１のうち、ウエハＷを支持していないウエハ支持プレート１ｃ１がロードロック室４ａ内へ進入し、ロードロック室４ａ内のウエハＷを受け取り、搬送室１内へ退出する。これにより、ロードロック室４ａ内のウエハＷが搬送室１へ搬送される（図６（Ａ）の「waf. in1」）。続いて、ウエハ搬送ユニット１ｃは、ＥＵＶ露光装置４０から搬出したウエハＷをウエハ支持プレート１ｃ１によりロードロック室４ａ内へ搬送し、ロードロック室４ａ内のウエハ支持ピン４ａ７上に載置する。これにより、露光されたウエハＷがロードロック室４ａ内に搬入される（図６（Ａ）の「waf. in2」）。ウエハ支持プレート１ｃ１がロードロック室４ａから退出した後、ゲート弁４Ｖ１が閉まる。ゲート弁４Ｖ１が開いてから再び閉じるまでに要する時間は、例えば約１５秒とすることができる（図６（Ａ）の「waf. in1」＋「waf. in2」）。
　なお、このようなウエハの出し入れは、搬送室１とロードロック室４ａ～４ｄとの間だけでなく、搬送室１とＥＵＶ露光装置４０内の真空チャンバ４２との間でも可能である。
　以上のように時間差を設けて順次ウエハＷを搬送することにより、スループットを向上することができる。すなわち、上記の説明によれば、１枚のウエハＷがインターフェイス装置３０に存する時間（図６（Ａ）のタイムチャートの合計時間）は約１２４秒となるが、１２４秒後に次のウエハＷの搬送を開始するのではなく、所定の時間差でウエハＷを順次搬送することが可能となる。
　また、例えば１時間当たり約１００枚のウエハＷを搬送しようとすれば、図６（Ｂ）に示すように、約３６秒毎にウエハＷの搬送を開始すれば良い。この場合、１枚のウエハＷの露光処理に約１４４秒が許容される。これにより、例えば粗排気を３回にしたり、高真空排気（本排気）時間を長くしたりすることができ、空気中の有機物等がＥＵＶ露光装置４０内へ混入するのを更に防止することが可能となる。なお、図６（Ｂ）では、ロードロック室４ａ～４ｄが大気圧になっている期間（図６（Ａ）の符号に従って説明すると「Ｎ２パージ」、「waf. out2」、および「waf. in1」の合計期間）を符号「ＡＴ」で示し、減圧になっている期間（「粗排気１」の後の「Ｎ２」を含む）を符号「ＶＡ」で示している。
　以上のとおり、本発明の第１の実施形態によれば、インターフェイス装置３０は複数のロードロック室４ａ～４ｄを備え、ウエハＷを枚様式に連続して搬送することが可能であるため、ロードロック室４ａ～４ｄの粗排気、清浄ガスの大気圧充填、再度の粗排気、および高真空排気を行って、空気中の有機物に起因する汚染を低減しつつ、スループットを向上することができる。また、レジスト塗布から露光までの時間と、露光から現像までの時間をウエハＷ毎にほぼ同一とすることができ、したがって、ウエハ間のプロセス再現性のばらつきを最小限に抑えることが可能である。
　また、ロードロック室４ａのガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスを流すことにより、塗布現像装置２０からロードロック室４ａ内に空気が流入するのを防止することが可能となり、さらに、ガスブロワー４００からのＮ２ガスまたはドライエアの噴出によっても空気の流入が妨げられるので、空気中の有機物がロードロック室４ａひいてはＥＵＶ露光装置４０へ流入するのが防止され、ＥＵＶ露光装置４０内の光学系等の汚染が防止される。
　さらに、ロードロック室４ａ～４ｄは同一の構成を有してユニット化されているため、例えば、ロードロック室４ａのゲート弁４Ｖ１とストップ弁ＳＶ１，ＳＶ２とを閉めれば、ロードロック室４ｂ～４ｄを使用してプロセスを行いつつ、ロードロック室４ａの筐体４ａ２をゲート弁４Ｖ１から取り外し、ロードロック室４ａのメンテナンスを行うことが可能である。
　（第２の実施形態）
　次に、本発明の第２の実施形態によるインターフェイス装置について説明する。第２の実施形態によるインターフェイス装置は、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と同様に、塗布現像装置２０とＥＵＶ露光装置４０との間に配置される。 
　図７を参照すると、第２の実施形態によるインターフェイス装置３００は、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と比較して、搬送室１の縦方向のほぼ中間部に設けられたゲート弁１Ｖ１により、搬送室１が上部搬送室１ａと下部搬送室１ｂに区分けされ、複数のロードロック室４ａ～４ｄが対応するゲート弁４Ｖ１～４Ｖ４を介して下部搬送室１ｂに連結し、上部搬送室１ａと連通する加熱モジュール２ａ～２ｃと冷却モジュール３ａ～３ｃを有している点で相違し、その他の点で同一である。
　以下、ロードロック室４ａ～４ｄの構成等に関する重複する説明を省略しつつ、相違点を中心に、本実施形態によるインターフェイス装置３００について説明する。
　図７に示すように、インターフェイス装置３００は、中央部において縦方向に延びる搬送室１を有しており、搬送室１は、縦方向のほぼ中間部に設けられたゲート弁１Ｖ１により、上部搬送室１ａと下部搬送室１ｂに区分けされている。また、インターフェイス装置３００は、ロードロック室４ａの上方において、上部搬送室１ａの右側（－Ｙ側）に多段に重ねられて配置され、上部搬送室１ａに連通する３個の加熱モジュール２ａ、２ｂ、２ｃと、ロードロック室４ｃの上方において、上部搬送室１ａの左側（＋Ｙ側）に多段に重ねられて配置され、上部搬送室１ａに連通する３個の冷却モジュール３ａ、３ｂ、３ｃとを有している。
　上部搬送室１ａは、ゲート弁１Ｖ１が閉まっている場合、例えばドライポンプ等（図示せず）により排気されて、１０－２～１０－４Ｐａといった減圧状態に維持可能である。
　また、図示しないが、上部搬送室１ａとドライポンプとを繋ぐ配管には、ストップバルブ、逆止弁、および圧力調整バルブなどが設けられている。なお、上部搬送室１ａ内の圧力は、図示しない真空計により測定することができる。真空計は、一般的なイオンゲージであって良い。ただし、イオンゲージから放出される光または電子により、ウエハＷ上に形成されるレジスト膜が変質する可能性があるため、イオンゲージは、イオンゲージからの光や電子がレジスト膜に到達しない位置に設けられる。また、真空計は、ロードロック室４ａ～４ｄ、下部搬送室１ｂ、加熱モジュール２ａ、２ｂ、２ｃ、及び冷却モジュール３ａ、３ｂ、３ｃにも設けることができる。この場合にも、真空計としてのイオンゲージは、イオンゲージからの光や電子がレジスト膜に到達しない位置に設けられる。
　下部搬送室１ｂには、ゲート弁１Ｖ２を介して例えばターボ分子ポンプ（図示せず）が接続されている。また、下部搬送室１ｂは、ＥＵＶ露光装置４０に向けて開口するとともにゲート弁１Ｖ３により閉止可能な搬送口（図示せず）を有している。この搬送口を通して、ウエハＷがインターフェイス装置３００とＥＵＶ露光装置４０との間で搬送される。
　ゲート弁１Ｖ１～１Ｖ３とゲート弁４Ｖ１～４Ｖ４とを閉めると、下部搬送室１ｂは気密に密閉される一方で、ゲート弁１Ｖ２を開け、ターボ分子ポンプで排気することにより、下部搬送室１ｂ内が１０－４～１０－５Ｐａ程度の減圧状態に維持される。
　さらに、下部搬送室１ｂ内には、ウエハ搬送ユニット１ｃが設けられている。ウエハ搬送ユニット１ｃは、上下方向（図７中のＺ方向）に伸縮可能であり、上下方向を中心軸として回動可能である。また、ウエハ搬送ユニット１ｃは、先端部にウエハＷの裏面を保持する２つのウエハ支持プレート１ｃ１（図８および図９に一つのみ示す）を有し、ウエハ支持プレート１ｃ１をＸ方向およびＹ方向に沿って動かすことができる。２つのウエハ支持プレート１ｃ１は内部に流体導管を有し、例えばフレキシブル配管を通して流体導管へ流体を流すことにより、温度調整が可能である。これにより、例えば加熱モジュール２ａ～２ｃで加熱されたウエハＷを冷却モジュール３ａ～３ｃへ搬送する場合、加熱モジュール２ａ～２ｃからウエハＷを取り出すときに、加熱されたウエハＷがウエハ支持プレート１ｃ１によってある程度の温度まで冷却することができる（いわゆる粗熱を取ることができる）。したがって、加熱されたウエハＷを早く冷却することができ、冷却モジュール３ａ～３ｃにおける冷却をより効率的に行うことができる。また、２つのウエハ支持プレート１ｃ１は、交互に前進し後退できるように構成されており、一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができる。
　ウエハ搬送ユニット１ｃは、ゲート弁４Ｖ１（４Ｖ２～４Ｖ４）が開いているときに、ロードロック室４ａ（４ａ～４ｄ）へウエハ支持プレート１ｃ１を進入させ、ロードロック室４ａ（４ａ～４ｄ）内のウエハＷを取り出すことができ、ロードロック室４ａ（４ａ～４ｄ）内へウエハＷを搬入することができる。さらに、ウエハ搬送ユニット１ｃは、ゲート弁１Ｖ１が開いているときに、Ｚ方向に延びて上部搬送室１ａ内へ進入することができ、上部搬送室１ａから加熱モジュール２ａ～２ｃまたは冷却モジュール３ａ～３ｃへウエハ支持プレート１ｃ１を進入させることができる。すなわち、ウエハ搬送ユニット１ｃは、ロードロック室４ａ～４ｄだけでなく、加熱モジュール２ａ～２ｃおよび冷却モジュール３ａ～３ｃに対してもアクセスすることができる。
　加熱モジュール２ａは、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、上部搬送室１ａに向って開口する開口部２ａ１を有する扁平な筐体２ａ２と、筐体２ａ２内に配置され、ウエハ搬送ユニット１ｃ（ウエハ支持プレート１ｃ１）によって上部搬送室１ａから搬入されるウエハＷが載置される載置台２ａ３とを有している。載置台２ａ３は、内部に熱電ヒータと熱電対（ともに図示せず）を有し、これらと所定の温度調整器（図示せず）によって、所定の温度に維持される。これにより、載置台２ａ３上のウエハＷを加熱することができる。また、載置台２ａ３には、載置台２ａ３に設けられた貫通孔を通して上下動可能な３つの昇降ピン２ａ４が設けられている。昇降ピン２ａ４は、ウエハ支持プレート１ｃ１によって載置台２ａ３の上方に支持されたウエハＷを受け取って、載置台２ａ３上に載置し、また、載置台２ａ３上のウエハＷを持ち上げてウエハ支持プレート１ｃ１へウエハＷを受け渡すことができる。
　さらに、図８（Ａ）に示すように、載置台２ａ３には静電チャック２ａ５が設けられている。図示しない電源から静電チャック２ａ５に所定の電圧を印加すると、載置台２ａ３上に載置されたウエハＷは静電力によって載置台２ａ３の上面に密着される。このため、ウエハＷを効率よく加熱することができる。特に、加熱モジュール２ａの内部は、開口部２ａ１を通して上部搬送室１ａと同様に減圧に維持されており、滞留による熱伝導が生じ難いため、静電チャック２ａ５により載置台２ａ３の上面にウエハＷを密着させる効果は大きい。 
　なお、加熱モジュール２ｂおよび２ｃは、加熱モジュール２ａと同じ構成を有している。
　冷却モジュール３ａは、図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示すように、上部搬送室１ａに向かって開口する開口部３ａ１を有する扁平な筐体３ａ２と、筐体３ａ２内に配置され、ウエハ搬送ユニット１ｃによって上部搬送室１ａから搬入されるウエハＷが載置される載置台３ａ３とを有している。図９（Ａ）に示すように、載置台３ａ３の内部には導管３ａ４が形成されており、温調機能を有する流体循環器（図示せず）から導管３ａ４内へ温度調整された所定の流体が流れることにより、載置台３ａ３が所定の温度に維持される。これにより、載置台３ａ３上のウエハＷを冷却することができる。また、載置台３ａ３には、加熱モジュール２ａの載置台２ａ３と同様に、ウエハＷを載置台３ａ３の上面に対して突没可能な３つの昇降ピン３ａ４（図９（Ｂ））が設けられている。さらに、載置台３ａ３には静電チャック３ａ５（図９（Ａ））が設けられており、昇降ピン３ａ４により載置台３ａ３上に載置されたウエハＷは静電チャック３ａ５により載置台３ａ３の上面に密着される。これにより、ウエハＷと載置台３ａ３との間の熱伝導が促進される。 
　冷却モジュール３ｂおよび３ｃもまた冷却モジュール３ａと同じ構成を有している。
　次に、塗布現像装置２０、インターフェイス装置３００、およびＥＵＶ露光装置４０において行われる一連の塗布／露光／現像プロセスについて説明する。
　（レジスト塗布）
　先ず、ウエハＷの収納されたウエハカセットＣが載置台２１に載置される。次に、ウエハカセットＣの蓋体が外されるとともに、このウエハカセットＣに対応する開閉部２２が開かれ、搬送機構２３（図２）によってウエハカセットＣからウエハＷが取り出される。
　次に、ウエハＷは、棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送部２５Ａへと引き渡される。次いで、ウエハＷは主搬送部２５Ａにより棚ユニットＵ１～Ｕ２内のいずれかの棚へ搬送され、前処理として例えば疎水化処理や冷却処理などが行われ、更に塗布ユニットＣＯＴへ搬送されて、レジスト膜が回転塗布される。
　（ウエハのロードロック室への搬送）
　この後、ウエハＷは、棚ユニットＵ３を経由して搬送ユニット部Ｓ３の受け渡しユニット３３へ受け渡される。受け渡しユニット３３はウエハＷを支持したまま、ロードロック室４ａのゲート弁４Ｖ１３の前に移動する（図５参照）。この時点で、ロードロック室４ａ内はガス流入口４ａ８から供給されるＮ２ガスによって大気圧とされている。ゲート弁４Ｖ１３が開くと、受け渡しユニット３３はロードロック室４ａの筐体４ａ２内へ進入する。この際、ガス流入口４ａ８からＮ２を供給し続けることにより、搬送ユニット部Ｓ３から筐体４ａ２内への空気の流入が低減される。また、ガスブロワー４００のガス噴出スリット４０４からもＮ２ガスまたはドライエアを噴出させることにより、筐体４ａ２内への空気の流入を更に低減することができる。筐体４ａ２内へ搬送されたウエハＷは、受け渡しユニット３３が下方へ移動することにより、ウエハ支持ピン４ａ７により支持される。
　（ロードロック室の排気）
　受け渡しユニット３３が筐体４ａ２から退出した後、ゲート弁４Ｖ１３が閉まり、ゲート弁４Ｖ１１が開いて筐体４ａ２内が粗排気される。この後、ゲート弁４Ｖ１１を閉じて排気を停止するともに、ガス流入口４ａ８からＮ２ガスを流して、筐体４ａ２内が大気圧に戻される。そして、ガス流入口４ａ８からのＮ２ガスの供給を停止し、ゲート弁４Ｖ１１を開くことにより再度の粗排気が行われる。これにより、搬送ユニット部Ｓ３から筐体４ａ２内へ僅かな空気が流入したとしても、パージすることができる。なお、２回目の粗排気の後、ターボ分子ポンプＴＭＰを使用して、高真空排気を行っても良い。これにより、プリベーク前のレジスト膜からのアウトガスを促進することができ、プリベークを短期化することが可能となる。すなわち、スループットを向上することができる。
　（ウエハの加熱モジュールへの搬送）
　ロードロック室４ａ内の粗排気が行われている間に、ウエハＷが次に搬送される下部搬送室１ｂも所定の圧力にまで排気され、ウエハＷを受け入れる準備が完了している。そして、ロードロック室４ａの筐体４ａ２内が所定の圧力となった後、ロードロック室４ａと下部搬送室１ｂとの間のゲート弁４Ｖ１が開き、下部搬送室１ｂに設けられたウエハ搬送ユニット１ｃのウエハ支持プレート１ｃ１が筐体４ａ２へ進入し、ウエハＷを受け取る。
　そして、ウエハ支持プレート１ｃ１がウエハＷを支持したまま下部搬送室１ｂへ戻ると、ゲート弁４Ｖ１が閉じる。
　ウエハＷがロードロック室４ａから下部搬送室１ｂへ搬送されているときには、ウエハＷが次に搬送される上部搬送室１ａも所定の圧力に維持されている。そして、下部搬送室１ｂと上部搬送室１ａとの間のゲート弁１Ｖ１（図７）が開くと、ウエハ搬送ユニット１ｃが上方へ延びて上部搬送室１ａ内へ進入し、加熱モジュール２ａの開口部２ａ１を通してウエハＷを加熱モジュール２ａの筐体２ａ２内へ搬送する。次いで、ウエハＷが昇降ピン２ａ４により受け取られ、載置台２ａ３上に載置される。そして、静電チャック２ａ５により、ウエハＷは載置台２ａ３の上面に密着される。このとき、載置台２ａ３は所定の温度に維持されており、これにより、レジスト膜が塗布されたウエハＷが加熱される（プリベーク）。プリベークの温度は例えば約８０～約１５０℃とすることができ、プリベーク時間は例えば約３０～約１２０秒とすることができる。プリベーク中、加熱モジュール２ａの筐体２ａ２内部は、上部搬送室１ａと同様に、所定の圧力（減圧）に維持されているので、ウエハＷ上のレジスト膜からのアウトガスが促進され、ウエハＷが後に搬送されるＥＵＶ露光装置４０内の真空チャンバ４２内でのアウトガスが低減される。これにより、レジスト膜中の溶剤等による光学系の汚染を低減することが可能となる。
　上記の手順の間、２枚目以降のウエハについても同じ手順が順次開始され、２枚目のウエハが、例えば、ロードロック室４ｂから、下部搬送室１ｂと上部搬送室１ａを通って加熱モジュール２ｂへ搬送され、ここでプリベークが行われる。また、３枚目のウエハが、例えば、ロードロック室４ｃから、下部搬送室１ｂと上部搬送室１ａを通って加熱モジュール２ｃへ搬送され、４枚目のウエハが、例えばロードロック室４ｄへ搬送される。
　（ウエハの冷却モジュールへの搬送）
　加熱モジュール２ａ内のウエハＷについてのプリベークが終了すると（所定のプリベーク時間が経過すると）、ウエハ搬送ユニット１ｃにより、このウエハＷが加熱モジュール２ａから冷却プレート３ａへ搬送される。このとき、ウエハ搬送ユニット１ｃのウエハ支持プレート１ｃ１が冷却されているため、ウエハＷがウエハ支持プレート１ｃ１に受け取られると直ちに冷却が始まる。したがって、ウエハＷが冷却プレート３ａへ搬送されて、載置台３ａ３に載置されるときには、ウエハＷはある程度の温度までに冷却されており、冷却モジュール３ａにおける冷却を効率的に行うことができる。冷却モジュール３ａにおいては、ウエハＷは、ほぼ室温（約２２℃）程度の温度にまで冷却される。
　このようにして加熱モジュール２ｂ、２ｃ内のウエハＷもそれぞれ冷却モジュール３ｂ、３ｃへ搬送されるとともに、ロードロック室４ａ～４ｄ内にあるウエハＷが順次加熱モジュール２ａ～２ｃへ搬送される。
　（ウエハのＥＵＶ露光装置への搬送）
　冷却モジュール３ａ内においてウエハＷが冷却された後、ウエハＷは、ウエハ搬送ユニット１ｃにより上部搬送室１ａを通って下部搬送室１ｂへ搬送される。そして、上部搬送室１ａと下部搬送室１ｂとの間のゲート弁１Ｖ１が閉じた後、ゲート弁１Ｖ２が開いて下部搬送室１ｂ内が高真空に排気される。
　下部搬送室１ｂ内が所定の圧力になった後、下部搬送室１ｂに設けられたゲート弁１Ｖ３とＥＵＶ露光装置４０のゲート弁４１とが開き、ウエハＷは、ウエハ搬送ユニット１ｃにより、ＥＵＶ露光装置４０の真空チャンバ４２内へ搬送されて、ウエハステージ４３に載置される（図５参照）。
　（ウエハのインターフェイス装置への搬送）
　ＥＵＶ露光装置４０のウエハステージ４３上でウエハＷ（レジスト膜）の露光が終了すると、ゲート弁４１とゲート弁１Ｖ３が開き、インターフェイス装置３００のウエハ搬送ユニット１ｃによって、ウエハＷがＥＵＶ露光装置４０のウエハステージ４３からインターフェイス装置３００の下部搬送室１ｂへ搬送される。なお、ＥＵＶ露光装置４０内で露光が行われている間、２枚目以降のウエハについて、加熱モジュール２ａ～２ｃ、冷却モジュール３ａ～３ｃ、およびロードロック室４ａ～４ｄの間でウエハ搬送が行われる。このため、上部搬送室１ａと下部搬送室１ｂとの間のゲート弁１Ｖ１は開いており、下部搬送室１ｂ内はドライポンプにより実現される程度の圧力となっているが、ＥＵＶ露光装置４０からのウエハの搬出に際して、所定のタイミングでゲート弁１Ｖ１が閉じ、ゲート弁１Ｖ２を通して高真空排気が行われる。これにより、ＥＵＶ露光装置４０内の真空チャンバ４２内を高真空に維持することができる。
　（ウエハの加熱モジュールおよび冷却モジュールへの搬送）
　下部搬送室１ｂに戻ったウエハＷは、露光後ベークのため、予め定められた搬送フローに従って、所定の加熱モジュール（便宜上、加熱モジュール２ａとする）へ搬送される。
　具体的には、ゲート弁１Ｖ１が開き、ウエハ搬送ユニット１ｃが上方へ延びて上部搬送室１ａ内へ進入し、加熱モジュール２ａの開口部２ａ１を通してウエハＷを加熱モジュール２ａの筐体２ａ２内へ搬送する。次いで、ウエハＷが昇降ピン２ａ４により載置台２ａ３上に載置される。そして、静電チャック２ａ５により、ウエハＷは載置台２ａ３の上面に密着される。このようにして露光後ベークが行われ、次いで、ウエハ搬送ユニット１ｃにより、加熱モジュール２ａから冷却モジュール３ａ～３ｃのいずれかへ搬送される。この場合においても、どの冷却モジュールへ搬送されるかは、予め定められた搬送フローに従って決定される（便宜上、冷却モジュール３ａへ搬送されるものとする）。また、この場合においても、加熱モジュール２ａで加熱されたウエハＷは、ウエハ支持プレート１ｃ１により受け取られると、ウエハ支持プレート１ｃ１によってある程度の温度まで冷却される。
　（ウエハの塗布現像装置への搬送）
　冷却モジュール３ａにおいて、室温（約２２℃）近くまで冷却された後、ウエハＷは、ウエハ搬送ユニット１ｃによって、冷却モジュール３ａから上部搬送室１ａを通って下部搬送室１ｂへ搬送される。次いで、ウエハＷは、搬送フローに従って、所定のロードロック室（便宜上、ロードロック室４ａとする）に搬送される。すなわち、まずゲート弁１Ｖ１が閉まり、次にゲート弁４Ｖ１が開くと、ウエハＷは搬送ユニット１ｃによりロードロック室４ａ内へ搬送され、ロードロック室４ａ内のウエハ支持ピン４ａ７上に載置される。ウエハ搬送ユニット１ｃ（ウエハ支持プレート１ｃ１）がロードロック室４ａから退出した後、ゲート弁４Ｖ１が閉まり、ロードロック室４ａ内へガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスが流入し、ロードロック室４ａ内が大気圧になる。この後、ガス流入口４ａ８からＮ２ガスを流したまま、ゲート弁４Ｖ１３を開く。これにより、搬送口４ａ６（図４（Ｂ）参照）を介してロードロック室４ａと、塗布現像装置２０の搬送ユニット部Ｓ３とが連通する。また、ロードロック室４ａから搬送ユニット部Ｓ３へ流れるＮ２ガスにより、搬送ユニット部Ｓ３から空気の流入が低減され、ロードロック室４ａ内が清浄な雰囲気に維持される。
　そして、搬送ユニット部Ｓ３の受け渡しユニット３３がロードロック室４ａ内へ進入し、ウエハ支持ピン４ａ７上のウエハＷを受け取って、搬送ユニット部Ｓ３へと退出する。
　この後、ゲート弁４Ｖ１３が閉まって、ウエハＷの塗布現像装置２０への搬送が終了する。
　この後、主搬送部２５Ｂ（図２）により、現像ユニットＤＥＶへ搬送され、現像ユニットＤＥＶにてウエハＷ上のレジスト膜が現像されてレジストマスクが形成される。その後、ウエハＷは載置台２１上の元のウエハカセットＣへと戻される。
　以上のとおり、本発明の第２の実施形態によれば、インターフェイス装置３００が複数の加熱モジュール２ａ～２ｃ、複数の冷却モジュール３ａ～３ｃ、および複数のロードロック室４ａ～４ｄを備えているため、加熱条件や冷却条件に応じて作成された搬送フローに従って、枚様式にウエハＷを搬送することが可能であり、スループットの低下を回避することができる。また、レジスト塗布から露光までの時間と、露光から現像までの時間をウエハＷ毎にほぼ同一とすることができ、したがって、ウエハ間のプロセス再現性のばらつきを最小限に抑えることが可能である。
　さらに、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と同様に、ロードロック室４ａ～４ｄは同一の構成を有してユニット化されているため、例えば、ロードロック室４ａのゲート弁４Ｖ１とストップ弁ＳＶ１，ＳＶ２とを閉めれば、ロードロック室４ｂ～４ｄを使用してプロセスを行いつつ、ロードロック室４ａの筐体４ａ２をゲート弁４Ｖ１から取り外してロードロック室４ａメンテナンスをすることが可能である。
　また、加熱モジュール２ａ～２ｃ、冷却モジュール３ａ～３ｃ、およびロードロック室４ａ～４ｄの間のウエハ搬送が減圧下で行われるため、下部搬送室１ｂ内が減圧に維持される。このため、下部搬送室１ｂからＥＵＶ露光装置４０へウエハＷを搬送する際には、大気圧からではなく所定の減圧下から高真空に排気すれば良いため、ＥＵＶ露光装置４０へウエハＷを短時間で搬送することが可能となる。これにより、スループットをいたずらに低下させることがない。
　さらに、塗布現像装置２０においてレジスト膜が塗布されたウエハＷがインターフェイス装置３００のロードロック室４ａ～４ｄを通して減圧下の加熱モジュール２ａ～２ｃへ搬送され、ここでプリベークが行われるため、レジスト膜中の溶剤等を十分に蒸発させることができ、したがって、レジスト膜からのアウトガスによるＥＵＶ露光装置４０内の光学系等の汚染を更に低減することができる。
　さらに、ロードロック室４ａのガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスを流すことにより、塗布現像装置２０からロードロック室４ａ内に空気が流入するのを防止することが可能となり、さらに、ガスブロワー４００からのＮ２ガスまたはドライエアの噴出によっても空気の流入が妨げられるので、空気中の有機物がロードロック室４ａひいてはＥＵＶ露光装置４０へ流入するのが防止され、ＥＵＶ露光装置４０内の光学系等の汚染が防止される。
　また、真空下で加熱処理を行うためには、減圧維持可能な加熱モジュールが必要となるが、そのような加熱モジュールを既にクリーンルーム内に設置されたレジスト塗布現像装置に搭載するのはスペース上困難な場合が多く、減圧維持可能な加熱モジュールを備える新たなレジスト塗布現像装置が必要となることもある。しかし、本発明の実施形態によるインターフェイス装置３００によれば、露光機とレジスト塗布現像装置との間に設けることができるので、既存のレジスト塗布現像装置を活用しつつ減圧下での加熱処理を行うことが可能となる。
　また、ポストベークを加熱モジュール２ａ～２ｃにおいて真空下で行う例を示したが、ポストベークは塗布現像装置２０内の加熱ユニットにおいて行っても良い。
　以上、幾つかの実施形態を参照しながら、本発明を説明したが、本発明は上記の実施形態に限らず、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変更することが可能である。 
　例えば、第１および第２の実施形態においては、ガスブロワー４００を上下一対に設けたが、一方だけを設けても良い。この場合、ロードロック室４ａ～４ｄ内の天井部側に設けると好ましい。
　また、第１および第２の実施形態において、ガスブロワー４００は、ガス噴射スリット４０４の代わりに、複数のオリフィスが所定の間隔で形成されたガスノズルを有しても良い。
　また、第１および第２の実施形態によるインターフェイス装置３０，３００のロードロック室４ａ～４ｄでは、例えばガスブロワー４００のガス噴出スリット４０４を、ガス噴出スリット４０４からのＮ２ガスが搬送口４ａ６に向って噴出するようにガス流入口４ａ８に取り付けても良い。また、複数のオリフィスが所定の間隔で形成されたガスノズルを、オリフィスが搬送口４ａ６を向くように設置することも可能である。これらによれば、筐体４ａ２内に層流を容易に形成することが可能となり、塗布現像装置２０からの空気の流入をより確実に低減することができる。なお、筐体４ａ２内に層流を形成するためには、筐体４ａ２の高さを低くすることが有効である。筐体４ａ２の高さは、ウエハＷを筐体４ａ２に搬入出する際に、ウエハＷが搬送口４ａ３，４ａ６やガス噴出スリット４０４に接しない範囲でできるだけ低いと好ましく、例えば、約３ｃｍから約１０ｃｍまでの範囲にあると好適である。筐体４ａ２の高さが約３ｃｍより低いと、真空排気するときにガス流に対するコンダクタンスが高くなって排気に長時間を要することとなり、約１０ｃｍより高いと、ガス流入口４ａ８からのＮ２ガスを層流とするのが難しくなる。また、約４ｃｍから約６ｃｍまでの範囲にあると更に好ましい。
　また、第２の実施形態において、加熱モジュール２ａ～２ｃおよび冷却モジュール３ａ～３ｃの開口部に開閉可能な扉を設けても良い。このようにすれば、加熱モジュール２ａ～２ｃおよび冷却モジュール３ａ～３ｃ内にウエハＷを搬入した後、扉を閉めることにより、上部搬送室１ａ内の圧力変動の影響が加熱モジュール２ａ～２ｃおよび冷却モジュール３ａ～３ｃの内部に及ぶのを低減することができる。この扉は、ゲート弁であって良いが、例えばラビリンス構造やバタフライ弁などの簡易なものであっても良い。
　また、第１および第２の実施形態においては、ターボ分子ポンプＴＭＰに限らず、１０－４～１０－５Ｐａといった圧力にまでロードロック室４ａ～４ｄ内を排気することができる限り、例えば油拡散ポンプなどの高真空ポンプを使用しても構わない。
　また、図１０に示すように、必要に応じて、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に、複数のインターフェイス装置３０若しくはインターフェイス装置３００、またはこれらを組み合わせて配置しても良い。これにより、ウエハＷを待機させることなく搬送することが可能となる。
　また、第２の実施形態によるインターフェイス装置３００を用いてレジスト膜の塗布／露光／現像プロセスを行う場合、ゲート弁１Ｖ１を常時開いておいても良い。この場合、上部搬送室１ａ、加熱モジュール２ａ～２ｃ、及び冷却モジュール３ａ～３ｃが１０－４～１０－５Ｐａといった圧力にまで減圧することができるように構成されていると好ましい。これによれば、１０－４Ｐａ程度の圧力（ドライポンプやロータリポンプの到達圧力よりも低い圧力）の下で、下部搬送室１ｂからＥＵＶ露光装置４０の真空チャンバ４２へウエハＷを搬送することができる。この程度の圧力であっても、ＥＵＶ露光装置４０内の光学系等の汚染を十分に防止すること可能である。また、使用するレジストの種類などにより、減圧下でのプリベークの必要性が低い場合には、第２の実施形態によるインターフェイス装置３００のゲート弁１Ｖ１を常時閉めておき、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と同様に塗布／露光／現像プロセスを行うことも可能である。さらに、ゲート弁１Ｖ１を閉めておき、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と同様に塗布／露光／現像プロセスを行いつつ、加熱モジュール２ａ～２ｃや冷却モジュール３ａ～３ｃのメンテナンスを行うことも可能となる。
　また、第１および第２の実施形態において、ウエハＷは例えばシリコンなどの半導体ウエハであって良く、また、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用のガラス基板であっても良い。すなわち、本発明の実施形態によるインターフェイス装置３０（３００）は、半導体デバイス製造用のレジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置に対してだけでなく、ＦＰＤ製造用のレジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置に対しても適用可能である。
　２０・・・塗布現像装置、３０・・・インターフェイス装置、４０・・・ＥＵＶ露光装置、１・・・搬送室、１ｃ・・・ウエハ搬送ユニット、１ｃ１・・・ウエハ支持プレート、１ａ・・・上部搬送室、１ｂ・・・下部搬送室、１Ｖ１～１Ｖ３・・・ゲート弁、４ａ～４ｄ・・・ロードロック室、４Ｖ１～４Ｖ４・・・ゲート弁、４ａ７・・・ウエハ支持ピン、４ａ８・・・ガス流入口、４００・・・ガスブロワー、ＴＭＰ・・・ターボ分子ポンプ、２ａ～２ｃ・・・加熱モジュール、２ａ４・・・昇降ピン、２ａ５・・・静電チャック、３ａ～３ｃ・・・冷却モジュール、３ａ４・・・昇降ピン、３ａ５・・・静電チャック、４２・・・（ＥＵＶ露光装置の）真空チャンバ、４３・・・（ＥＵＶ露光装置の）ウエハステージ。

Claims (20)

  1. 　極端紫外光でレジスト膜を露光する露光装置と、基板に前記レジスト膜を形成し、前記露光装置により露光された前記レジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置との間に設けられるインターフェイス装置であって、
    　開閉可能な第１の搬送口を含み、当該第１の搬送口を通して前記露光装置との間で前記基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第１の搬送室；および
    　内部空間が減圧可能な複数のロードロック室であって、該複数のロードロック室の各々が開閉可能な第２の搬送口と開閉可能な第３の搬送口とを含み、前記第２の搬送口を通して前記第１の搬送室との間で前記基板が受け渡され、前記第３の搬送口を通して前記レジスト塗布現像装置との間で前記基板が受け渡されるように構成される、当該複数のロードロック室；
    　を備えるインターフェイス装置。
  2. 　さらに、開閉可能な第４の搬送口を含み、当該第４の搬送口を通して前記第１の搬送室との間で前記基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第２の搬送室；
    　前記基板を減圧下で加熱する複数の加熱モジュールであって、該複数の加熱モジュールの各々が前記第２の搬送室と連通する第５の搬送口を含み、当該第５の搬送口を通して前記基板が受け渡されるように構成される、当該複数の加熱モジュール；および
    　前記基板を減圧下で冷却する複数の冷却モジュールであって、該複数の冷却モジュールの各々が前記第２の搬送室と連通する第６の搬送口を含み、当該第６の搬送口を通して前記基板が受け渡されるように構成される、当該複数の冷却モジュール；
    　を備える請求項１に記載のインターフェイス装置。
  3. 　前記複数のロードロック室の各々に、前記第２の搬送口および前記第３の搬送口のいずれか一方または双方に隣接して、当該ロードロック室に搬入出される基板にガスを噴射するガス噴出部が設けられる、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  4. 　前記複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられる、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  5. 　前記ガス供給部が、前記第３の搬送口が開いているときに、該第３の搬送口に向かって流れるガス流を形成することができるように設けられる、請求項４に記載のインターフェイス装置。
  6. 　前記複数のロードロック室が多段に配置される、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  7. 　前記第１の搬送室が、前記複数のロードロック室に対して前記基板を搬入出する基板搬送部を含む、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  8. 　前記複数のロードロック室が個別に高真空ポンプを含む、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  9. 　前記複数の加熱モジュールが多段に配置される、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  10. 　前記複数の冷却モジュールが多段に配置される、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  11. 　前記第１の搬送室が、前記複数のロードロック室、前記複数の加熱モジュール、および前記複数の冷却モジュールに対して前記基板を搬入出する基板搬送部を含む、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  12. 　前記複数の加熱モジュールおよび前記複数の冷却モジュールのいずれか一方または双方が、前記基板が載置される載置台を含み、当該載置台に静電チャックが設けられる、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  13. 　前記第５の搬送口および前記第６の搬送口のいずれか一方または双方に、開閉可能な扉が設けられる、請求項１に記載のインターフェイス装置。
  14. 　請求項１に記載のインターフェイス装置を介して、前記レジスト塗布現像装置から前記露光装置へ基板を搬送する方法であって、
    　大気圧下において、前記レジスト塗布現像装置から前記インターフェイス装置の複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ、前記レジスト膜が形成された前記基板を搬送する、ロードロック室への工程と、
    　前記一のロードロック室内を減圧する工程と、
    　減圧下において、前記一のロードロック室から前記第１の搬送室へ前記基板を搬送する、ロードロック室への搬送工程と、
    　減圧下において、前記第１の搬送室から前記露光装置へ前記基板を搬送する工程と
    　を含む方法。
  15. 　前記複数のロードロック室の各々に、前記第２の搬送口および前記第３の搬送口のいずれか一方または双方に隣接して、当該ロードロック室に搬入出される基板にガスを噴射するガス噴出部が設けられ、
    　前記ロードロック室への搬送工程において、前記ロードロック室へ搬送される前記基板に対して、前記ガス噴出部から前記ガスが噴出される、請求項１４に記載の方法。
  16. 　前記複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられ、
    　前記ロードロック室への搬送工程において、前記一のロードロック室には前記ガス供給部から当該第３の搬送口へガスが流れる、請求項１４に記載の方法。
  17. 　請求項２に記載のインターフェイス装置を介して、前記レジスト塗布現像装置から前記露光装置へ基板を搬送する方法であって、
    　大気圧下において、前記レジスト塗布現像装置から前記インターフェイス装置の複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ、前記レジスト膜が形成された前記基板を搬送する、ロードロック室への搬送工程と、
    　前記一のロードロック室内を第１の真空度にまで減圧する工程と、
    　前記第１の真空度の下で、前記一のロードロック室から前記第１の搬送室へ前記基板を搬送する工程と、
    　前記第１の真空度の下で、前記第１の搬送室から前記第２の搬送室を通して前記複数の加熱モジュールのうちの一の加熱モジュールへ前記基板を搬送する工程と、
    　前記第１の真空度の下で、前記一の加熱モジュール内で前記基板を加熱する工程と、
    　前記第１の真空度の下で、前記一の加熱モジュールから前記複数の冷却モジュールのうちの一の冷却モジュールへ前記基板を搬送する工程と、
    　前記第１の真空度の下で、前記一の冷却モジュール内で前記基板を冷却する工程と、
    　前記第１の真空度の下で、前記一の冷却モジュールから前記第２の搬送室を通して前記第１の搬送室へ前記基板を搬送する工程と、
    　前記第１の搬送室内を、前記第１の真空度よりも低い第２の真空度にまで減圧する工程と、
    　前記第２の真空度の下で、前記第１の搬送室から前記露光装置へ前記基板を搬送する工程と
    　を含む方法。
  18. 　前記第１の真空度が１０－４から１０－５Ｐａの範囲にあり、前記第２の真空度が約１０－２から１０－４Ｐａの範囲にある、請求項１７に記載の方法。
  19. 　請求項１に記載のインターフェイス装置を介して、前記露光装置から前記レジスト塗布現像装置へ基板を搬送する方法であって、
    　減圧下において、露光処理が終了した基板を前記露光装置から前記第１の搬送室へ搬送する工程と、
    　減圧下において、前記第１の搬送室から前記複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ前記基板を搬送する工程と、
    　前記一のロードロック室内を大気圧に戻す工程と、
    　前記一のロードロック室内の前記基板を前記レジスト塗布現像装置へ搬送する工程と
    　を含む方法。
  20. 　請求項１４に記載の基板を搬送する方法を、請求項１から１３のいずれか一項のインターフェイス装置に実行させるコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
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