WO2010035383A1 - フェライト付着体及びその製造方法 - Google Patents

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近藤幸一
小野裕司
沼田幸浩
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Ｎｅｃトーキン株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a ferrite adhering body in which a ferrite film, particularly a spinel type ferrite film is adhered to a substrate, and a method for producing the ferrite adhering body.
  • the ferrite plating method provides a high-quality ferrite film, and is disclosed in Patent Document 1, for example.
  • the ferrite plating method of Patent Document 1 includes: preparing a specific aqueous solution containing at least ferrous ions; bringing the surface of the substrate into contact with the specific aqueous solution, Fe 2+ ions or Fe 2+ ions and other metal hydroxide ions; Adsorbing to the surface of the substrate; obtaining Fe 3+ ions by oxidizing the adsorbed Fe 2+ ions; causing a ferrite crystallization reaction between the Fe 3+ ions and metal hydroxide ions in a specific aqueous solution; Forming a ferrite film on the surface of the substrate.
  • any substrate can be used as long as the substrate is resistant to an aqueous solution. Further, since the ferrite plating method is based on a reaction via an aqueous solution, a spinel type ferrite film can be formed at a relatively low temperature (from room temperature to the boiling point of the aqueous solution). Therefore, the ferrite plating method is superior in that there are few limitations on the substrate as compared with other ferrite film forming techniques.
  • Patent Documents related to the ferrite plating method include Patent Documents 2 to 4.
  • Patent Document 2 discloses a technique for homogenizing the formed ferrite film and improving the reaction rate in the ferrite film forming process.
  • Patent Document 3 discloses a technique for imparting surface activity to a substrate surface to form a ferrite film on various substrates.
  • Patent Document 4 discloses a technique related to an improvement in the formation rate of a ferrite film.
  • Japanese Patent No. 1475891 Japanese Patent Publication No. 63-15990
  • Japanese Patent No. 1868730 Japanese Patent Laid-Open No. 61-030664
  • the ferrite film is formed by crystal growth based on the substrate surface. Therefore, an appropriately formed ferrite film becomes an aggregate of columnar crystals provided so that the major axis is along a direction substantially parallel to the normal direction of the substrate surface.
  • an object of the present invention is to provide a method for producing a ferrite film adhering body based on a ferrite plating method, and a method for producing a ferrite film adhering body having a homogeneous ferrite film.
  • Another object of the present invention is to provide a ferrite film adhering body manufactured by the method for manufacturing a ferrite film adhering body.
  • One aspect of the present invention provides a manufacturing method for manufacturing a ferrite adhering body including a base and a ferrite film attached to the base.
  • the substrate is supported with a space of 100 ⁇ m or more on the back side of the substrate, and a reaction solution containing at least ferrous ions and an oxidizing solution containing at least an oxidizing agent are supplied to the front side of the substrate.
  • a ferrite adhering body comprising a three-dimensionally shaped base and a ferrite film attached to the base, wherein the ratio of the average thickness x of the ferrite film to the standard deviation ⁇ of the thickness ⁇ / Provided is a ferrite adherent wherein x is 1 or less.
  • the columnar crystal of the ferrite film is grown in a state where the substrate is separated from the table by 100 ⁇ m or more and the reaction solution and the oxidizing solution supplied to the substrate are subjected to acceleration of 2 to 150 m / s 2 due to other than gravity.
  • the reaction solution and the oxidizing solution supplied to the substrate are subjected to acceleration of 2 to 150 m / s 2 due to other than gravity.
  • FIG. 1 It is a figure which shows typically the film-forming apparatus used in the manufacturing method of the ferrite film adhesion body by embodiment of this invention. It is a figure which shows typically the base
  • FIG. 1 shows typically the film-forming apparatus used in the manufacturing method of the ferrite film adhesion body by embodiment of this invention. It is a figure which shows typically the base
  • a method of manufacturing an adherent including a base and a ferrite film attached to the base according to the embodiment of the present invention uses a film forming apparatus as shown in FIG.
  • the illustrated film forming apparatus is an apparatus for forming a ferrite film on a substrate 3, and includes a reaction liquid nozzle 1, an oxidizing liquid nozzle 2, a support member 4, and a table (rotary table) 5.
  • the rotary table 5 is a table that can rotate around its axis.
  • the support member 4 is installed on the rotary table 5 and supports the base 3 with a space of 100 ⁇ m or more between the back side of the base 3 and the rotary table 5.
  • the support member 4 moves with the rotation of the turntable 5 while supporting the base 3. That is, the base 3 moves with the rotation of the turntable 5.
  • the reaction liquid nozzle 1 is for supplying a reaction liquid containing at least ferrous ions toward the turntable 5, and is fixed above the turntable 5.
  • the oxidizing solution nozzle 2 is for supplying an oxidizing solution containing at least an oxidizing agent toward the turntable 5, and is fixed above the turntable 5.
  • the reaction liquid nozzle 1 is located on one half region of the stationary rotary table 5, and the oxidizing liquid nozzle 2 is the other half of the stationary rotary table 5. It is located in an area.
  • the reaction liquid nozzle 1 and the oxidation liquid nozzle 2 are sprayed around a direction orthogonal to the rotary table 5. That is, the center line of the spray direction of the reaction liquid and the oxidizing liquid sprayed from the reaction liquid nozzle 1 and the oxidizing liquid nozzle 2 is along the direction orthogonal to the surface of the substrate 3.
  • the present invention is not limited to this, and the reaction solution and the oxidation solution are sprayed in a direction oblique to the surface of the substrate 3 by tilting the substrate 3 and / or the reaction solution nozzle 1 and the oxidation solution nozzle 2. It is also good to do.
  • the substrate 3 When the substrate 3 is supported by the support member 4 and the rotary table 5 is rotated while supplying the reaction solution from the reaction solution nozzle 1 and supplying the oxidation solution from the oxidation solution nozzle 2, The oxidizing solution is supplied alternately. As a result, the substrate 3 is ferrite plated. That is, a ferrite film based ferrite film is formed on the substrate 3.
  • the rotation speed of the turntable 5 in the present embodiment is set so that the reaction solution and the oxidizing solution supplied onto the substrate 3 receive an acceleration of 2 to 150 m / s 2 due to the centrifugal force.
  • the excess reaction solution and the oxidizing solution move from the front side to the back side of the substrate 3 without forming an undesirable “liquid pool”.
  • the excess reaction solution and the oxidizing solution flow smoothly without forming an unfavorable “puddle”.
  • the ferrite plating method can be realized under an ideal state, a homogeneous ferrite film can be obtained.
  • a ferrite film can be formed at a place other than the front side of the substrate 3 to which the reaction solution and the oxidizing solution are directly supplied.
  • the acceleration applied to the reaction solution and the oxidizing solution is caused by the centrifugal force accompanying the rotation of the turntable 5.
  • the acceleration applied to the reaction solution and the oxidizing solution is an intentionally applied acceleration (that is, an acceleration other than gravity), and may have a magnitude of 2 to 150 m / s 2 .
  • another means for applying acceleration includes applying vibration to the substrate 3.
  • the supply of the reaction liquid and the oxidizing liquid to the substrate 3 and the acceleration are performed substantially simultaneously.
  • the present invention is not limited to this. If excess reaction liquid and oxidation liquid can be removed, acceleration may be applied immediately after supply of the reaction liquid and oxidation liquid, reaction liquid supply, acceleration supply, oxidation liquid supply, acceleration supply, etc. The cycle may be executed repeatedly.
  • the shape and size of the substrate 3 as follows.
  • the base 3 has a rod-shaped portion like a single conductor, it is preferable that both the maximum width and the maximum height of the rod-shaped portion are 5 mm or less.
  • the maximum width W of each bar-like portion is provided.
  • the maximum height H are both 5 mm or less, and the gap S is preferably 100 ⁇ m or more.
  • the base 3 may be turned over and the ferrite film may be directly formed on the back side 3 of the base by the same method.
  • a homogeneous ferrite film (ferrite plating) 6 is formed by applying an appropriate acceleration while supplying a reaction solution and an oxidizing solution to the upper surface of the substrate 3. It may be turned over to form a uniform ferrite film (ferrite plating) by applying appropriate acceleration while supplying the reaction solution and the oxidizing solution to the lower surface of the substrate 3.
  • the ferrite film (ferrite plating) formed according to the present embodiment is formed by ideally arranging a plurality of columnar crystals having a major axis and a minor axis. Specifically, the plurality of columnar crystals are arranged so that the major axis is along the normal direction of the surface of the substrate 3 (that is, the film thickness direction of the ferrite film), and are magnetically coupled to each other. In particular, ferrite films formed on two adjacent surfaces such as the upper surface and the side surface are also magnetically coupled to each other.
  • the major axis a of the columnar crystal is 0.1 to 10 ⁇ m, and the minor axis b is 0.01 to 1 ⁇ m. Further, the ratio ⁇ / x of the average thickness x of the ferrite film to the standard deviation ⁇ of the thickness is 1 or less.
  • the ferrite adherent was formed under various conditions as shown in the following table.
  • Examples 1 to 4 are ferrite adherents manufactured under the conditions according to the present embodiment
  • Comparative Examples 1 to 5 are ferrite adherents manufactured under conditions that are not according to the present embodiment, respectively. Is the body.
  • the above-described film forming apparatus shown in FIG. 1 was used for manufacturing the ferrite adherent.
  • the substrate 3 is made of a copper alloy and has a structure as shown in FIG.
  • the length L of the rod-shaped portion of the substrate 3 was 30 mm.
  • the height H and width W of the rod-shaped portion of the substrate 3 for each of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5 and the gap (interline distance) S between the rod-shaped portions are as shown in the table. .
  • the substrate 3 was placed on the support member 4 and heated to 90 ° C. while supplying deoxygenated ion-exchanged water with the rotary table 5 being rotated. Next, nitrogen gas was introduced into the film forming apparatus to form a deoxygenated atmosphere.
  • the step of supplying the reaction solution from the reaction solution nozzle 1 onto the substrate 3 and the step of supplying the oxidation solution from the oxidation solution nozzle 2 to the substrate 3 were performed while the rotary table 5 was rotated. That is, the step of supplying the reaction solution and the step of supplying the oxidizing solution were alternately and repeatedly performed.
  • the flow rates for supplying the reaction solution and the oxidizing solution were both 40 ml / min.
  • the reaction solution was formed by dissolving FeCl 2 -4H 2 O, NiCl 2 -6H 2 O, ZnCl 2 in deoxygenated ion exchange water.
  • the oxidizing solution was formed by dissolving NaNo 2 and CH 3 COONH 4 in deoxygenated ion-exchanged water.
  • the reaction solution and the oxidizing solution may be formed with reference to, for example, US2009-0047507A1 and US2007-0231614A1.
  • Example 2 When supplying the reaction solution and the oxidizing solution to the substrate 3, the rotary table 5 was rotated at the number of rotations described in the table, and the acceleration described in the table was applied to the reaction solution and the oxidizing solution.
  • Example 2 as shown in FIG. 3, after forming the ferrite film 6 on the upper surface of the substrate 3, the substrate 3 was turned over and the ferrite film 6 was also formed on the lower surface. At this time, a space of 200 ⁇ m was provided between the base 3 and the turntable 5.
  • a black ferrite film 6 was formed on the substrate 3.
  • Various analyzes were performed on the ferrite adhering body thus formed. Specifically, the chemical composition of the ferrite film was evaluated by an inductively coupled plasma emission spectroscopy (ICPS) method. For structural analysis such as film thickness measurement, a scanning electron microscope (SEM) was used. The permeability of each ferrite film was measured using a permeability meter based on the shielded loop coil method. As a result of evaluation by the ICPS method, the average composition of the ferrite film in any of the ferrite adhering bodies was Ni 0.2 Zn 0.3 Fe 2.5 O 4 . Other analysis results are shown in the table above.
  • ICPS inductively coupled plasma emission spectroscopy
  • the ferrite film in the ferrite adherents of Examples 1 to 4 is formed by magnetically coupling a plurality of columnar crystals having a major axis and a minor axis, and the major axis of each columnar crystal. Is along the film thickness direction of the ferrite film (that is, the normal direction of the surface of the substrate 3).
  • the length of the major axis a of the columnar crystal is in the range of 0.1 to 10 ⁇ m
  • the length of the minor axis b is 0.01 to 1 ⁇ m
  • the ratio ⁇ / x of ⁇ is 1 or less.
  • the average value of the real part ⁇ ′ of the permeability of the ferrite film is 10 or more.
  • the average value of the real part ⁇ ′ of the permeability of the ferrite film is smaller than 10.
  • the ferrite adherent according to the present invention can be used in high-frequency magnetic devices such as an inductance element, an impedance element, a magnetic head, a microwave element, a magnetostrictive element, and an electromagnetic interference suppressor.
  • the electromagnetic interference suppressor is for suppressing electromagnetic interference caused by interference of unnecessary electromagnetic waves in a high frequency region.

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Abstract

　基体３とその基体３に付着したフェライト膜とを備えるフェライト付着体を製造する製造方法を提供する。この製造方法は、基体３の裏側に１００μｍ以上のスペースを空けた状態で基体３を支持し、少なくとも第１鉄イオンを含む反応液と少なくとも酸化剤を含む酸化液とを反応液ノズル１及び酸化液ノズル２から基体３の表側に供給し、反応液と前記酸化液に対して重力以外に起因する２～１５０ｍ／ｓ２の加速度を加える。

Description

フェライト付着体及びその製造方法
　本発明は、基体にフェライト膜、特にスピネル型フェライト膜を付着してなるフェライト付着体と、フェライト付着体の製造方法に関する。
　フェライトメッキ法は、良質のフェライト膜を提供するものであり、例えば、特許文献１に開示されている。特許文献１のフェライトメッキ法は：少なくとも第１鉄イオンを含む特定水溶液を用意するステップと；基体の表面を特定水溶液に接触させて、Ｆｅ２＋イオン又はＦｅ２＋イオンと他の水酸化金属イオンとを基体の表面に吸着させるステップと；吸着したＦｅ２＋イオンを酸化させることによりＦｅ３＋イオンを得て、Ｆｅ３＋イオンと特定水溶液中の水酸化金属イオンとでフェライト結晶化反応を起こさせて、基体の表面にフェライト膜を形成するステップ；とを備えている。
　このフェライトメッキ法によれば、基体が水溶液に対して耐性を有している限り、あらゆる基体を用いることができる。また、フェライトメッキ法は水溶液を介した反応に基づいているため、比較的低温（常温～水溶液の沸点以下）でスピネル型のフェライト膜を生成することができる。従って、フェライトメッキ法は、他のフェライト膜形成技術と比較して、基体に対する限定が少ないという点で優れている。
　フェライトメッキ法に関連する文献としては、特許文献２～特許文献４がある。特許文献２は、形成されたフェライト膜の均質化及びフェライト膜の形成工程における反応速度の向上を図る技術を開示している。特許文献３は、基体表面に界面活性を付与して様々な基体に対してフェライト膜を形成しようとする技術を開示している。特許文献４は、フェライト膜の形成速度の向上に関する技術を開示している。
特許第１４７５８９１号（特公昭６３－１５９９０号）公報 特許第１８６８７３０号（特公平５－５８２５２号）公報 特開昭６１－０３０６７４号公報 特開平０２－１６６３１１号公報
　上述したフェライトメッキ法において、フェライト膜は基体表面を基点とした結晶成長によって形成される。そのため、適切に形成されたフェライト膜は、基体表面の法線方向と略平行な方向に長軸を沿わせるようにして設けられた柱状結晶の集合体となる。
　しかしながら、フェライト膜の形成時に残分の水溶液などを基体からしっかりと除去しないと液だまりが発生する。この液だまりが生じると、均質な柱状結晶の集合体としてのフェライト膜を得ることは困難となる。特に、半導体装置用のリードフレームなどのような三次元形状の基体の場合、液だまりが生じやすく、従って、均質なフェライト膜を得ることは困難である。
　そこで、本発明は、フェライトメッキ法に基づいたフェライト膜付着体の製造方法であって均質なフェライト膜を有するフェライト膜付着体の製造方法を提供することを目的とする。
　また、本発明は、上記フェライト膜付着体の製造方法によって製造されたフェライト膜付着体を提供することを目的とする。
　本発明の一の側面は、基体と該基体に付着したフェライト膜とを備えるフェライト付着体を製造する製造方法を提供する。この製造方法は、前記基体の裏側に１００μｍ以上のスペースを空けた状態で前記基体を支持し、少なくとも第１鉄イオンを含む反応液と少なくとも酸化剤を含む酸化液とを前記基体の表側に供給し、前記反応液と前記酸化液に対して重力以外に起因する２～１５０ｍ／ｓ２の加速度を加える工程を備えている。
　本発明の他の側面は、三次元形状の基体と該基体に付着したフェライト膜とを備えるフェライト付着体であって、前記フェライト膜の平均膜厚ｘと膜厚の標準偏差σの比σ／ｘが１以下であるフェライト付着体を提供する。
　基体を台などから１００μｍ以上離し且つ基体に供給される反応液と酸化液とに重力以外に起因する２～１５０ｍ／ｓ２の加速度を加えた状態でフェライト膜の柱状結晶を成長させることとしたため、液だまりの発生を防止することができ、均質なフェライト膜を得ることができる。
本発明の実施の形態によるフェライト膜付着体の製造方法において用いた成膜装置を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態によるフェライト膜付着体の基体を模式的に示す図である。 応用例によるフェライト膜付着体の製造方法を模式的に示す図である。図である。
　１　　　　反応液ノズル
　２　　　　酸化液ノズル
　３　　　　基体
　４　　　　支持部材
　５　　　　台（回転テーブル）
　６　　　　フェライト膜
　本発明の実施の形態による基体とその基体に付着したフェライト膜とを備える付着体の製造方法は、図１に示されるような成膜装置を用いる。
　図示された成膜装置は、基体３に対してフェライト膜を形成するための装置であり、反応液ノズル１と、酸化液ノズル２と、支持部材４と、台（回転テーブル）５とを備えている。回転テーブル５は、その軸の周りに回転可能なテーブルである。支持部材４は、回転テーブル５の上に設置されており、基体３の裏側と回転テーブル５との間に１００μｍ以上のスペースを空けた状態で基体３を支持するためのものである。この支持部材４は、基体３を支持した状態で、回転テーブル５の回転に伴って移動する。即ち、基体３は、回転テーブル５の回転に伴って移動する。反応液ノズル１は、少なくとも第１鉄イオンを含む反応液を回転テーブル５側に向けて供給するためのものであり、回転テーブル５の上方に固定されている。酸化液ノズル２は、少なくとも酸化剤を含む酸化液を回転テーブル５側に向けて供給するためのものであり、回転テーブル５の上方に固定されている。図示された成膜装置において、反応液ノズル１は、静止状態にある回転テーブル５の一方のハーフ領域上に位置しており、酸化液ノズル２は、静止状態にある回転テーブル５の他方のハーフ領域状に位置している。なお、図示された成膜装置において、反応液ノズル１及び酸化液ノズル２は、夫々、回転テーブル５に対して直交する方向を中心に噴霧するものである。即ち、反応液ノズル１及び酸化液ノズル２から噴霧される反応液及び酸化液の噴霧方向の中心線は、基体３の表面と直交する方向に沿っている。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、基体３並びに／又は反応液ノズル１及び酸化液ノズル２を傾けることにより、基体３の表面と斜交する方向に反応液及び酸化液を噴霧することとしても良い。
　基体３を支持部材４に支持させた状態で、反応液ノズル１から反応液を供給し且つ酸化液ノズル２から酸化液を供給しつつ回転テーブル５を回転させると、基体３には反応液と酸化液とが交互に供給されることとなる。その結果、基体３はフェライトメッキされる。即ち、基体３上にはフェライトメッキ法ベースのフェライト膜が形成される。
　本実施の形態における回転テーブル５の回転スピードは、基体３上に供給された反応液と酸化液とが遠心力に起因する２～１５０ｍ／ｓ２の加速度を受けるように設定される。これにより、余分な反応液と酸化液は好ましくない「液だまり」を形成することなく基体３の表側から裏側などに移動する。特に、基体３が狭い隙間を有していたとしても、本実施の形態においては、余分な反応液と酸化液は、好ましくない「液だまり」を形成することなく、スムーズに流れる。このように、本実施の形態によれば、理想的な状態下でフェライトメッキ法を具現化することができることから、均質なフェライト膜を得ることができる。また、余分な反応液と酸化液とが基体３の裏側にも回り込むため、反応液と酸化液が直接供給された基体３の表側以外の場所にもフェライト膜を形成することができる。
　上述した実施の形態において、反応液と酸化液に加えられる加速度は回転テーブル５の回転に伴った遠心力に起因するものであった。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。反応液と酸化液に加えられる加速度は、意図的に加えられた加速度（即ち、重力以外の加速度）であり、且つ、２～１５０ｍ／ｓ２の大きさを有していればよい。例えば、他の加速度を加える手段としては、基体３に振動を加えることなどがある。
　本実施の形態において、反応液と酸化液の基体３への供給と加速度を加えることとは、実質的に同時に行われる。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。余分な反応液と酸化液を除去できるのであれば、反応液と酸化液の供給直後に加速度を加えることとしても良いし、反応液の供給、加速度の供給、酸化液の供給、加速度の供給といったサイクルを繰り返し実行することとしても良い。
　余分な反応液と酸化液の流れをよりスムーズなものとし、液だまりの形成防止を確実なものとするには、基体３の形状及び大きさに以下のような限定を加えることが好ましい。例えば、単一の導体のように基体３が棒状の部位を有している場合、その棒状の部位の最大幅及び最大高さの双方とも５ｍｍ以下であることが好ましい。また、例えば、図２に示される櫛歯状の配線パターンのように基体３が隙間を空けて設けられた複数の棒状の部位を有している場合には、各棒状の部位の最大幅Ｗ及び最大高さＨの双方とも５ｍｍ以下であり、且つ、隙間Ｓが１００μｍ以上であることが好ましい。
　更に、上述したようにして基体３の表側に対してフェライト膜を直接形成した後、基体３を裏返し、基体の裏側３に対して同手法によりフェライト膜を直接形成することとしても良い。例えば、図３に示されるように、基体３の上面に反応液と酸化液とを供給しつつ適切な加速度を加えることで均質なフェライト膜（フェライトメッキ）６を形成し、その後、基体３を裏返して、基体３の下面に反応液と酸化液とを供給しつつ適切な加速度を加えることで均質なフェライト膜（フェライトメッキ）を形成することとしても良い。
　本実施の形態により形成されたフェライト膜（フェライトメッキ）は、長軸及び短軸を有する複数の柱状結晶を理想的に配列してなるものである。詳しくは、複数の柱状結晶は、長軸が基体３の表面の法線方向（即ち、フェライト膜の膜厚方向）に沿うようにして配列され、且つ、互いに磁気的に結合されている。特に、上面と側面のように隣接する二つの面に形成されたフェライト膜同士も互いに磁気的に結合している。また、柱状結晶の長軸ａは０．１～１０μｍであり、短軸ｂは０．０１～１μｍである。更に、フェライト膜の平均膜厚ｘと膜厚の標準偏差σの比σ／ｘは１以下である。
　フェライト付着体の特性評価のため、以下の表に示すような様々な条件の下でフェライト付着体を形成した。ここで、実施例１～４は夫々本実施の形態による条件下で製造されたフェライト付着体であり、比較例１～５は夫々本実施の形態による条件ではない条件下で製造されたフェライト付着体である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　フェライト付着体の製造には、図１に示される前述の成膜装置を用いた。基体３は、銅合金からなるものであり、図３に示されるような構造とした。ここで、基体３の棒状の部位の長さＬは３０ｍｍとした。実施例１～４及び比較例１～５の夫々用の基体３の棒状の部位の高さＨ及び幅Ｗ並びに棒状の部位間の隙間（線間距離）Ｓは、表に示した通りである。
　前処理として、この基体３を支持部材４の上に設置し、回転テーブル５を回転させた状態で、脱酸素イオン交換水を供給しつつ９０℃まで加熱した。次に、成膜装置内に窒素ガスを導入し、脱酸素雰囲気を形成した。
　その後、反応液を反応液ノズル１から基体３上に供給するステップと、酸化液を酸化液ノズル２から基体３に供給するステップとを回転テーブル５を回転させた状態で行った。即ち、反応液を供給するステップと、酸化液を供給するステップとを交互に且つ繰り返し行った。反応液と酸化液の供給の際の流量は、いずれも４０ｍｌ／ｍｉｎとした。ここで、反応液は、ＦｅＣｌ２－４Ｈ２Ｏ、ＮｉＣｌ２－６Ｈ２Ｏ、ＺｎＣｌ２を脱酸素イオン交換水中に溶かして形成した。一方、酸化液は、ＮａＮｏ２とＣＨ３ＣＯＯＮＨ４を脱酸素イオン交換水中に溶かして形成した。反応液及び酸化液は、例えば、ＵＳ２００９－００４７５０７Ａ１やＵＳ２００７－０２３１６１４Ａ１などを参照して形成しても良い。
　反応液及び酸化液を基体３に供給する際には、回転テーブル５を表に記載された回転数で回転させ、反応液及び酸化液に対して同表に記載された加速度を加えた。なお、実施例２においては、図３に示すようにして、基体３の上面にフェライト膜６を形成した後、基体３を裏返し、下面にもフェライト膜６を形成した。この際、基体３と回転テーブル５との間には、２００μｍの空間を設けた。
　上記の工程の結果として、黒色のフェライト膜６が基体３上に形成された。このようにして形成されたフェライト付着体について、様々な解析を行った。具体的には、フェライト膜の化学組成は、誘電結合プラズマ発光分光（ＩＣＰＳ）法により評価した。膜厚の測定のような構造解析には、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用した。各フェライト膜の透磁率は、シールディドループコイル法に基づいた透磁率計を用いて測定した。ＩＣＰＳ法による評価の結果、いずれのフェライト付着体におけるフェライト膜の平均的な組成もＮｉ０．２Ｚｎ０．３Ｆｅ２．５Ｏ４であった。その他の解析結果は、前述の表に示される。
　表の内容から明らかなように、実施例１～４のフェライト付着体におけるフェライト膜は、長軸及び短軸を有する複数の柱状結晶を磁気結合してなるものであり、各柱状結晶の長軸はフェライト膜の膜厚方向（即ち、基体３の表面の法線方向）に沿っている。柱状結晶の長軸ａの長さが０．１～１０μｍの範囲にあり、短軸ｂの長さが０．０１～１μｍであり、更に、フェライト膜の平均膜厚ｘと膜厚の標準偏差σの比σ／ｘは１以下である。このため、フェライト膜の透磁率の実数部μ′の平均値は１０以上となっている。これに対して、比較例１～５のフェライト付着体においては、フェライト膜の透磁率の実数部μ′の平均値は１０より小さい。このように、本実施の形態によれば、優れた磁気特性を有するフェライト膜を有するフェライト付着体を得ることができる。
　本発明によるフェライト付着体は、インダクタンス素子、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、及び電磁干渉抑制体などの高周波磁気デバイスにおいて用いることができる。ここで、電磁干渉抑制体とは、高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するためのものである。

Claims (12)

  1. 　基体と該基体に付着したフェライト膜とを備えるフェライト付着体を製造する製造方法であって、
    　前記基体の裏側に１００μｍ以上のスペースを空けた状態で前記基体を支持し、
    　少なくとも第１鉄イオンを含む反応液と少なくとも酸化剤を含む酸化液とを前記基体の表側に供給し、
    　前記反応液と前記酸化液に対して重力以外に起因する２～１５０ｍ／ｓ２の加速度を加える
    製造方法。
  2. 　請求項１記載の製造方法であって、
    　前記基体の支持は、台の上に支持部材を配置し、前記台と前記基体との間に前記スペースを確保した状態で前記支持部材によって前記基体を支持することにより、行われる
    製造方法。
  3. 　請求項２記載の製造方法であって、
    　前記加速度は、前記台を回転させることにより生じる遠心力に起因するものである
    製造方法。
  4. 　請求項１又は請求項２記載の製造方法であって、
    　前記加速度は、前記基体に振動を与えることにより生じるものである
    製造方法。
  5. 　請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の製造方法であって、
    　前記基体は、棒状の部位を有しており、
    　前記棒状の部位は、５ｍｍ以下の最大幅を有すると共に５ｍｍ以下の最大高さを有している
    製造方法。
  6. 　請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の製造方法であって、
    　前記基体は、隙間を空けて設けられた複数の棒状の部位を有しており、
    　前記棒状の部位の夫々は、５ｍｍ以下の最大幅を有すると共に５ｍｍ以下の最大高さを有しており、
    　前記隙間は１００μｍ以上である
    製造方法。
  7. 　請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の製造方法であって、
    　前記基体の前記表側に対して前記反応液と前記酸化液を直接供給し且つ前記加速度を加えてフェライト膜を直接形成した後、前記基体の前記裏側に対して前記反応液と前記酸化液を直接供給し且つ前記加速度を加えてフェライト膜を直接形成する
    製造方法。
  8. 　三次元形状の基体と該基体に付着したフェライト膜とを備えるフェライト付着体であって、前記フェライト膜の平均膜厚ｘと膜厚の標準偏差σの比σ／ｘが１以下であるフェライト付着体。
  9. 　請求項８記載のフェライト付着体であって、
    　前記基体は、少なくとも隣接する二つの面を備えており、
    　前記フェライト膜は、前記二つの面の夫々の上に直接形成されており、
    　前記二つの面の上に形成された前記フェライト膜は、互いに磁気的に結合している
    フェライト付着体。
  10. 　請求項８又は請求項９記載のフェライト付着体であって、
    　前記基体は、棒状の部位を有しており、
    　前記棒状の部位は、５ｍｍ以下の最大幅を有すると共に５ｍｍ以下の最大高さを有している
    フェライト付着体。
  11. 　請求項８又は請求項９記載のフェライト付着体であって、
    　前記基体は、隙間を空けて設けられた複数の棒状の部位を有しており、
    　前記棒状の部位の夫々は、５ｍｍ以下の最大幅を有すると共に５ｍｍ以下の最大高さを有しており、
    　前記隙間は１００μｍ以上である
    フェライト付着体。
  12. 　請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載のフェライト付着体であって、
    　前記フェライト膜は、長軸及び短軸を有し且つ前記長軸を前記フェライト膜の膜厚方向に沿うようにして並べてなる複数の柱状結晶からなり、
    　前記柱状結晶の前記長軸は０．１～１０μｍであり、前記短軸は０．０１～１μｍである
    フェライト付着体。
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