JP3957183B2 - フェライト膜、及びその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として磁気デバイスであるインダクタンス素子，インピーダンス素子，磁気ヘッド，マイクロ波素子，磁歪素子，及び高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられる電磁干渉抑制体等に好適なスピネル型フェライト膜、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器類の小型化が進展しており、それを構成する電子部品への小型化の要求も年々高まっている。こうした要求に伴い、例えば磁気デバイスであるインダクタンス素子，インピーダンス素子，磁気ヘッド，マイクロ波素子，磁歪素子，及び高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられる電磁干渉抑制体等に使用されるフェライト膜による軟磁性材料（軟磁気特性を有する材料）には、所望の周波数において高い透磁率が得られ、且つ小型化（シート化又は薄膜化）できることが求められている。
【０００３】
フェライト膜を固体表面に形成する技術としては、フェライトメッキ法によるものが知られている。このフェライトメッキ法とは、固体表面に金属イオンとして少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液を接触させ、固体表面にＦｅＯＨ^＋ 又はこれと他の水酸化金属イオンを吸着させ、続いて吸着したＦｅＯＨ^＋ を酸化させることによりＦｅＯＨ２^＋ を得ておき、これが水溶液中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を起こす結果、固体表面にフェライト膜を形成するものである（特許文献１参照）。
【０００４】
因みに、フェライトメッキ法では、膜を形成しようとする基体として上述した水溶液に対して耐性を持つあらゆる材質を用いることができ、又水溶液を介した反応であるため、温度が比較的低温（常温〜水溶液の沸点以下を示す）でスピネル型フェライト膜を形成できるという特徴があり、これにより上述したような磁気デバイスへの応用が期待されている。
【０００５】
こうした技術を根底として更に応用を図った技術もあり、例えばフェライト膜の均質化、反応速度の向上を図ったもの（特許文献２参照）、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェライト膜を形成しようとするもの（特許文献３）、フェライト膜の形成速度の向上に関するもの（特許文献４、特許文献５、及び特許文献６）が挙げられる。
【０００６】
又、中心線平均粗さＲａが０．０１μｍ以上の基体上にフェライト膜を成膜形成する方法も提案されている（特許文献７）。
【０００７】
この特許文献７の場合、その実施例において、中心線平均粗さＲａで０．０１〜０．８μｍの基体上にフェライト膜を形成すると、厚みムラのない均一な膜が得られることを示している。
【０００８】
その他、フェライト膜の形成に係る周知技術としては、金属イオンとして少なくとも第１鉄イオンを含んだ溶液を磁場中で基体に接触させ、基体表面にフェライト膜を堆積させ、液中に第１鉄イオンを酸化させるための酸化剤を含ませる方法も提案されている（特許文献８）。
【０００９】
【特許文献１】
特許第１４７５８９１号
【００１０】
【特許文献２】
特許第１８６８７３０号
【００１１】
【特許文献３】
特開昭６１−０３０６７４号公報
【００１２】
【特許文献４】
特許第１７７４８６４号
【００１３】
【特許文献５】
特許第１９７９２９５号
【００１４】
【特許文献６】
特開平０２−１１６６３１号公報
【００１５】
【特許文献７】
特開平１−２４６１４９１号公報
【００１６】
【特許文献８】
特許第２６６８９９８号
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した基体上にフェライト膜を形成する技術の場合、最近の磁気デバイスへの応用という観点からみると、それに用いられる磁性体は高い透磁率を有することが必要であり、フェライトメッキ法により得られる膜が高い透磁率を有するためには、その膜の組織の制御、特にそれを形成する結晶配向の制御が不可欠であるが、上述した従来の技術によれば、何れにおいても磁気特性との相関性を考慮した結晶配向の制御技術が導入されていない（即ち、例えば特許文献７では、基体の中心線平均粗さＲａと膜の結晶配向及び磁気特性との相関についての言及がなく、又特許文献３では、密着力が良く均質な膜を提供するために基体表面のプラズマ処理が必要であると記載されており、更に特許文献８では、得られる膜の磁気特性を考慮しているものの、反応液，酸化液を除去する工程や基体の膜の結晶構造及び磁気特性と基体表面粗さとの相関についての言及がない）ため、結果として高い透磁率が得られないという問題がある。
【００１８】
特にフェライトメッキ法によるフェライト膜の場合、上述したように基体表面を基点とした結晶成長によって形成されるが、従来では基体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子が結晶の成長を阻害するか、又は基体表面に吸着するＦｅＯＨ^＋ の不均一性があることにより、結晶配向の制御が困難となっており（例えば特許文献７のように中心線平均粗さＲａが極めて小さい基体表面に製膜する場合であれば均質な膜を得ることが難しく、結晶配向の制御が困難となっている）、結果として、これまでに膜の生成速度の向上に対して種々の改善が提案されているものの、工業的な生産性という観点からみると不十分であり、磁気デバイスへの応用や各種電子部品等へ適用に際して高い透磁率が得られないということが大きな技術的課題となっている。
【００１９】
本発明は、このような問題点を解決すべくなされたもので、その技術的課題は、結晶配向が制御されて均質で高い透磁率を持つフェライト膜、及びそれをフェライトメッキ法により膜の生成速度を向上させて工業的に量産製造し得るフェライト膜の製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、フェライトメッキ法により、粗さの中心線平均粗さＲａが０より大きく１０μｍ以下である基体の表面に成膜されたフェライト膜であって、透磁率における実数部μ′と虚数部μ″とについて、２０ＭＨｚでは実数部μ′が４５以上、虚数部μ″が２以下であり、５００ＭＨｚでは実数部μ′が２０以下、虚数部μ″が３５以上であり、１５００ＭＨｚでは実数部μ′が１５以下、虚数部μ″が３０以上であり、更に、膜表面のＸ線回折パターンの（２２２）結晶格子面と（３１１）結晶格子面とに対応するピーク強度比Ｉ_２２２／Ｉ_３１１が０．０５より大きいフェライト膜が得られる。
【００２１】
又、本発明によれば、上記フェライト膜において、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，及びＯのうちの少なくとも一種を含有するフェライト膜が得られる。
【００２２】
一方、本発明によれば、粗さの中心線平均粗さＲａが０より大きく１０μｍ以下である基体の表面にフェライトメッキ法によりフェライト膜を成膜する際、該フェライト膜を透磁率における実数部μ′と虚数部μ″とについて、２０ＭＨｚでは実数部μ′が４５以上、虚数部μ″が２以下であり、５００ＭＨｚでは実数部μ′が２０以下、虚数部μ″が３５以上であり、１５００ＭＨｚでは実数部μ′が１５以下、虚数部μ″が３０以上であり、更に、膜表面のＸ線回折パターンの（２２２）結晶格子面と（３１１）結晶格子面とに対応するピーク強度比Ｉ_２２２／Ｉ_３１１が０．０５より大きく、且つＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，及びＯのうちの少なくとも一種を含有するものとして形成するフェライト膜の製造方法が得られる。
【００２３】
更に、本発明によれば、上記フェライト膜の製造方法において、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、反応液及び酸化液のうちのフェライト膜の生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とを有するフェライト膜の製造方法が得られる。
【００２４】
加えて、本発明によれば、上記何れかのフェライト膜の製造方法において、基体の表面を予めプラズマ処理しておくフェライト膜の製造方法が得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。最初に本発明のフェライト膜の技術的概要を簡単に説明する。本発明者等は、種々検討の結果、高周波帯域において所定の透磁率特性を持つフェライト膜、具体的には透磁率における実数部μ′と虚数部μ″とについて、２０ＭＨｚでは実数部μ′が４５以上、虚数部μ″が２以下であり、５００ＭＨｚでは実数部μ′が２０以下、虚数部μ″が３５以上であり、１５００ＭＨｚでは実数部μ′が１５以下、虚数部μ″が３０以上であるフェライト膜を構成する結晶配向を制御すれば、膜表面のＸ線回折パターンにおける（２２２）結晶格子面と（３１１）結晶格子面とに対応するピーク強度比Ｉ_２２２／Ｉ_３１１が０．０５以上であるフェライト膜が得られることを見い出した。
【００２６】
このフェライト膜において、より高い透磁率を得るためにはピーク強度比Ｉ_２２２ ／Ｉ_３１１ をできるだけ大きくすることが好ましい。ピーク強度比Ｉ_２２２ ／Ｉ_３１１ が０．０５より大きいと高い透磁率が得られる理由は、フェライト膜の結晶配向が乱れ、結晶一つ一つが本来有するポテンシャルを膜全体として十分に引き出せないため、或いは膜の均質性が低下することや膜内部に応力等が残留することが関係しているためと考えられる。
【００２７】
又、このフェライト膜では、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎ，及びＯのうちのの少なくとも一種を含有することを見い出した。これらの元素のうちの一種以上が欠けるとスピネル格子中のイオンの配置が大きく変化し、高い透磁率が得られなくなってしまうと類推される。
【００２８】
更に、このようなフェライト膜を製造する場合、粗さの中心線平均粗さＲａが０より大きく１０μｍ以下である基体の表面にフェライトメッキ法によりフェライト膜を成膜すれば良く、このときにフェライト膜を透磁率における実数部μ′と虚数部μ″とについて、２０ＭＨｚでは実数部μ′が４５以上、虚数部μ″が２以下であり、５００ＭＨｚでは実数部μ′が２０以下、虚数部μ″が３５以上であり、１５００ＭＨｚでは実数部μ′が１５以下、虚数部μ″が３０以上であり、更に、膜表面のＸ線回折パターンにおける（２２２）結晶格子面と（３１１）結晶格子面とに対応するピーク強度比Ｉ_２２２／Ｉ_３１１が０．０５より大きく、且つＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，及びＯのうちの少なくとも一種を含有するものとして形成できることを見い出した。このフェライト膜において、より高い透磁率を得るために粗さの中心線平均粗さＲａをできるだけ小さくすることが好ましい。
【００２９】
加えて、フェライトメッキ法により少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、反応液及び酸化液のうちのフェライト膜の生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とを繰り返し、且つ反応液及び酸化液を印加磁場中で基体表面に接触させてフェライト膜を生成するようにすれば、膜の生成速度を向上させて工業的に量産可能となり、又上述した方法の適用により結晶配向を制御した上で均質な膜が得られ難い場合でも、予め基体の表面をプラズマ処理しておけば、より結晶配向を制御した均質な膜が得られることを見出した。
【００３０】
こうしたフェライト膜の製造方法において、基体表面の粗さの中心線平均粗さＲａを１０μｍ以下と規定したのは、中心線平均粗さＲａが１０μｍより大きいと透磁率が著しく劣化するためである。その原因はフェライト膜の表面におけるＸ線回折パターンにあっての（２２２）結晶格子面と（３１１）結晶格子面とに対応するピーク強度比Ｉ_２２２ ／Ｉ_３１１ が０．０５以下となるためと類推される。又、中心線平均粗さＲａを０より大きいと規定したのは、より高い透磁率を得るためには中心線平均粗さＲａをできるだけ小さくすることが好ましいためであり、中心線平均粗さＲａが極めて小さく、且つ表面処理無しには十分な密着性及び均質性が得られない場合でも基体表面をプラズマ処理すれば所望の膜が得られるためである。
【００３１】
ここで基体表面を予めプラズマ処理することによる効果は、含酸素表面層を基体表面に形成させることによってＦｅＯＨ^＋ の吸着を促進することにある。但し、基体表面をプラズマ処理することは上述した均質なフェライト膜を製造するための必要条件ではないものの、無処理では十分な密着性及び均質性を得られない場合があるので、例えば基体表面の中心線平均粗さＲａが極めて小さかったり、或いは基体表面に均一にＦｅＯＨ^＋ を吸着させるのに十分な含酸素表面層がない等の場合にプラズマ処理することによってそれらの不具合を解消できる。プラズマ処理用のプラズマは、放電の形式としてグロー放電，コロナ放電，ボクサーチャージャー等を使用できる。プラズマ気体としては非酸化性気体である窒素，アルゴン，ヘリウム，アンモニア，四フッ化炭素等の一種以上を使用でき、含酸素気体としては酸素，二酸化炭素，一酸化炭素，二酸化窒素，二酸化硫黄，空気等の一種又は二種以上を用いることが可能である。因みに、非酸化性気体をプラズマガスとして用いる場合にはプラズマ処理によってフリーラジカルが生成した固体表面を空気に触れさせることによって基体表面に含酸素表面層が形成される。
【００３２】
フェライトメッキ法に導入された反応液及び酸化液のうちのフェライト膜の生成に寄与しない残分を除去する工程が膜の生成速度を向上させ、且つ均質な膜を形成できるようになることの原因は、詳細には明らかでないが、これらの工程が固体表面以外での副次的なフェライト微粒子の形成を抑制し、又固体表面に均一にＦｅＯＨ^＋ を吸着させる作用があるものと類推される。
【００３３】
又、本発明のフェライト膜の製造方法では、反応液及び酸化液のうちの一方の溶液が供給された後にその供給された溶液が除去され、他方の溶液が供給された後にその供給された溶液が除去される工程を繰り返すことを基本とするが、その他に二つの溶液を同時に供給してから除去する工程を繰り返すようにしても構わない。
【００３４】
以下は、本発明の実施の形態に係る幾つかのフェライト膜をその製造方法を含めて具体的に説明する。
【００３５】
図１は、本発明の一つの実施の形態に係るフェライト膜形成装置の基本構成を示した側面図である。このフェライト膜形成装置は、回転台３上にフェライト膜を形成するための２つの基体４が設置され、これらの基体４の近傍に対してメッキに必要な溶液を貯蔵したタンク５，６に取り付けられたノズル２，１の先端が近接して配置されて構成されている。ここでタンク５，６に貯蔵される溶液は、フェライトメッキ法に導入される反応液及び酸化液のうちのフェライト膜の生成に寄与しない残分を除去する工程を効率良く行うために二つに分けられている。フェライト膜の製造にあっては、このように必要な溶液を幾つかに分けて準備しておく方が良い。
【００３６】
このフェライト膜形成装置の場合、タンク５，６に貯蔵された反応液，酸化液の何れかに分けられた溶液がノズル２，１を介して各基体４に供給される際、例えばノズル１を介して基体４に供給された溶液が回転台３の回転による遠心力で除去された後、ノズル２を介して基体４に供給された溶液が同様に回転台３の回転による遠心力で除去される処理を繰り返す。尚、ここでは２つの基体４に対して２つのタンク５，６から２系統のノズル２，１を経由して異なる２種の溶液を供給するものとしたが、これに代えて３つ以上の基体４に対して３つ以上のタンクから３つ以上の系統のノズルを経由して異なる３種以上の溶液を供給するように構成しても良い。又、ここでは反応液及び酸化液のうちの一方の溶液が供給された後にその供給された溶液が除去され、他方の溶液が供給された後にその供給された溶液が除去される工程が繰り返される場合を説明したが、これに代えて二つの溶液を同時に供給してから除去する工程を繰り返すようにしても良い。更に、ここでは遠心力を利用して基体４から反応液及び酸化液が除去される構成を説明したが、これに代えて重力によって反応液，酸化液に付与される流動性を利用して各液を除去する構成としても構わない。
【００３７】
そこで、このような基本構成のフェライト膜形成装置において、先ず回転台３上に幾つかの異なる基体４として中心線平均粗さＲａが約１５μｍのガラスエポキシ製基板Ａ、中心線平均粗さＲａが約１μｍのガラスエポキシ製基板Ｂ、及びプラズマ処理により親水化処理をした中心線平均粗さＲａが０．１μｍ未満のガラス製基板Ｃを設置し、回転数１５０ｒｐｍで回転させながら脱酸素イオン交換水を供給した上で９０℃まで加熱した。
【００３８】
次に、フェライト膜形成装置内にＮ_２ ガスを導入して脱酸素雰囲気を形成した後、反応液として脱酸素イオン交換水中にＦｅＣｌ_２ ・４Ｈ_２ Ｏ、ＮｉＣｌ_２ ・６Ｈ_２ Ｏ、ＺｎＣｌ_２ をそれぞれ３．３，１．３，０．０３ｇ／リットル溶かしたものを準備し、脱酸素イオン交換水中にＮａＮＯ_２ とＣＨ_３ ＣＯＯＮＨ_４ とをそれぞれ０．３，５．０ｇ／リットル溶かした酸化液と上述した反応液とによるメッキに必要な溶液を蓄えたタンク５，６からノズル２，１によりそれぞれ３０ｍｌ／ｍｉｎの流量で約１８０分供給して成膜した。尚、ここでの処理にあっては、上述したフェライトメッキ法による反応液接触工程，反応液除去工程，酸化液接触工程，及び酸化液除去工程が繰り返されることになるが、必要に応じて反応液接触工程での反応液、酸化液接触工程での酸化液をそれぞれ印加磁場中で基体４の表面に接触させるようにする。
【００３９】
この後、取り出した各基板上には黒色膜が形成されており、これらの黒色膜はＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｏから成る各種試料に係るフェライト膜であることが確認され、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた組織観察の結果、膜厚が均一である組織が形成されていることを確認できた。
【００４０】
これらの得られた各試料に係るフェライト膜の所定の高周波数（２０ＭＨｚ，５００ＭＨｚ，１５００ＭＨｚ）における透磁率（実数部μ′，虚数部μ″）を測定したところ、以下の表１に示すような結果が得られた。
【００４１】
【表１】

【００４２】
表１からはガラスエポキシ製基板Ｂ（単に基板Ｂとしている）及びガラス製基板Ｃ（単に基板Ｃとしている）のフェライト膜は優れた軟磁気特性を示しているが、比較例のガラスエポキシ製基板Ａ（単に基板Ａとしている）のフェライト膜の場合は比較的低周波（２０ＭＨｚ）における実数部μ′、比較的高周波（５００ＭＨｚ，１５００ＭＨｚ）における虚数部μ″の何れも低く、軟磁気特性が著しく劣化していることが判る。従って、高周波帯域で軟磁気特性の優れた基板Ｂ，Ｃのフェライト膜が本願発明の実施の形態に係る対象試料となっている。
【００４３】
又、得られた各試料に係るフェライト膜表面におけるＣｕＫα−Ｘ線回折パターンを評価したところ、以下の表２に示すような結果が得られた。
【００４４】
【表２】

【００４５】
表２からは、各フェライト膜表面のＸ線回折パターンにおける（２２２）結晶格子面と（３１１）結晶格子面に対応するピーク強度比Ｉ_２２２ ／Ｉ_３１１ は、基体の中心線平均粗さＲａ（単に表面粗さＲａとしている）が大きくなる程、その値が小さくなる傾向が見られることが判る。従って、ピーク強度比Ｉ_２２２ ／Ｉ_３１１ が０．０５を越えた基板Ｂ，Ｃのフェライト膜が本願発明の実施の形態に係る対象試料となっている。
【００４６】
ところで、他の比較例として、図１に示したようなフェライト膜形成装置において、同様に先ず回転台３上に基体４としてプラズマ処理により親水化処理をしていない中心線平均粗さＲａが０．１μｍ未満のガラス製基板Ｄを設置し、上述した実施の形態の場合と同一の条件で成膜したところ、この後に取り出した基板上には黒色膜が形成されており、この黒色膜はＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｏから成るフェライト膜であることが確認されたが、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた組織観察の結果では、比較例に係るガラス製基板Ｄのフェライト膜は先の実施の形態で得たガラス製基板Ｃのフェライト膜よりも膜厚が不均一である上、組織の均一性が著しく劣化していることを確認できた。
【００４７】
ここで得られた試料に係るフェライト膜についても、所定の高周波数（２０ＭＨｚ，５００ＭＨｚ，１５００ＭＨｚ）における透磁率（実数部μ′，虚数部μ″）を測定して先の実施の形態で得たガラス製基板Ｃのフェライト膜と対比したところ、以下の表３に示すような結果が得られた。
【００４８】
【表３】

【００４９】
表３からは、比較例に係るガラス製基板Ｄ（単に基板Ｄとしている）のフェライト膜は、基板Ｃのフェライト膜と比べると、比較的低周波（２０ＭＨｚ）における実数部μ′、比較的高周波（５００ＭＨｚ，１５００ＭＨｚ）における虚数部μ″の何れも低く、軟磁気特性が著しく劣化していることが判る。
【００５０】
次に、他の比較例として、図１に示したようなフェライト膜形成装置において、同様に先ず回転台３上に基体４としてプラズマ処理により親水化処理をした中心線平均粗さＲａが０．１μｍ未満のガラス製基板Ｃを設置し、反応液として脱酸素イオン交換水中にＦｅＣｌ_２・４Ｈ_２Ｏ、ＺｎＣｌ_２をそれぞれ３．３，０．０３ｇ／リットル溶かした組成の異なるものを用いた以外は上述した実施の形態の場合と同一の条件で成膜したところ、この後に取り出した基板上には黒色膜が形成されており、この黒色膜はＺｎ，Ｆｅ，Ｏから成るフェライト膜であることが確認され、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた組織観察の結果でも膜厚が均一である組織が形成されていることを確認できたが、得られたフェライト膜の高周波帯域での透磁率（実数部μ′，虚数部μ″）を測定したところ、透磁率は殆ど１に近い値となることが判った。ここでは、反応液として先の実施の形態の場合のようにＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏを含むか否かが相違点となっているが、結果として反応液の組成の相違が成膜されるフェライト膜の軟磁気特性に大きな影響を与えることを示している。
【００５１】
更に、別の比較例として、図１に示したようなフェライト膜形成装置において、同様に先ず回転台３上に基体４としてプラズマ処理により親水化処理をした中心線平均粗さＲａが０．１μｍ未満のガラス製基板Ｃを設置し、回転台３の回転数を２０ｒｐｍとした以外は上述した実施の形態の場合と同一の条件で成膜したところ、この後に取り出した基板上にはフェライト膜が形成されているものの、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた組織観察の結果では膜厚が非常に不均一である上、組織の均一性も著しく劣化されていることを確認できた。
【００５２】
ここで得られた試料に係るフェライト膜についても、所定の高周波数（２０ＭＨｚ，５００ＭＨｚ，１５００ＭＨｚ）における透磁率（実数部μ′，虚数部μ″）を測定して先の実施の形態で得たガラス製基板Ｃのフェライト膜と対比したところ、以下の表４に示すような結果が得られた。
【００５３】
【表４】

【００５４】
表４からは、図１に示したフェライト膜形成装置の回転台３の回転機能が基体表面に遠心力を加える作用を持つが、比較的回転数が少ない（回転数２０ｒｐｍ）のガラス製基板Ｃ（※印で示す比較例のもの）の場合には先の実施の形態に係る比較的回転数が大きい（回転数１５０ｒｐｍ）のガラス製基板Ｃの場合と比べて高周波帯域で透磁率（実数部μ′，虚数部μ″）が顕著に低下していることが判る。従って、ここでの結果からは、フェライト膜を成膜する場合のフェライトメッキ法の導入に際して、所定以上の遠心力を加えること、即ち、上述した少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、反応液及び酸化液のうちのフェライト膜の生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とを繰り返すようにすることが均一な組織を有し、且つ膜の生成速度を向上させてフェライト膜を効率良く量産製造する場合に不可欠であることを示している。
【００５５】
【発明の効果】
以上に述べた通り、本発明によれば、粗さの中心線平均粗さＲａが０より大きく１０μｍ以下である基体の表面にフェライトメッキ法によりフェライト膜を成膜する際、フェライト膜を透磁率における実数部μ′と虚数部μ″とについて、２０ＭＨｚでは実数部μ′が４５以上、虚数部μ″が２以下であり、５００ＭＨｚでは実数部μ′が２０以下、虚数部μ″が３５以上であり、１５００ＭＨｚでは実数部μ′が１５以下、虚数部μ″が３０以上であり、更に、膜表面のＸ線回折パターンにおける（２２２）結晶格子面と（３１１）結晶格子面とに対応するピーク強度比Ｉ_２２２／Ｉ_３１１が０．０５より大きく、且つＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，及びＯのうちの少なくとも一種を含有するものとして形成することを基本とし、更にフェライトメッキ法により少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、反応液及び酸化液のうちのフェライト膜の生成に寄与しない残分を基体から除去する工程とを繰り返しているので、結晶配向が制御されて高い透磁率を持つ均質なフェライト膜を膜の生成速度を向上させて量産できるようになり、工業的に極めて有益となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一つの実施の形態に係るフェライト膜形成装置の基本構成を示した側面図である。
【符号の説明】
１，２ ノズル
３ 回転台
４ 基体
５，６ タンク

Claims (5)

1. フェライトメッキ法により、粗さの中心線平均粗さＲａが０より大きく１０μｍ以下である基体の表面に成膜されたフェライト膜であって、透磁率における実数部μ′と虚数部μ″とについて、２０ＭＨｚでは実数部μ′が４５以上、虚数部μ″が２以下であり、５００ＭＨｚでは実数部μ′が２０以下、虚数部μ″が３５以上であり、１５００ＭＨｚでは実数部μ′が１５以下、虚数部μ″が３０以上であり、更に、膜表面のＸ線回折パターンの（２２２）結晶格子面と（３１１）結晶格子面とに対応するピーク強度比Ｉ_２２２／Ｉ_３１１が０．０５より大きいことを特徴とするフェライト膜。
2. 請求項１記載のフェライト膜において、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，及びＯのうちの少なくとも一種を含有することを特徴とするフェライト膜。
3. 粗さの中心線平均粗さＲａが０より大きく１０μｍ以下である基体の表面にフェライトメッキ法によりフェライト膜を成膜する際、該フェライト膜を透磁率における実数部μ′と虚数部μ″とについて、２０ＭＨｚでは実数部μ′が４５以上、虚数部μ″が２以下であり、５００ＭＨｚでは実数部μ′が２０以下、虚数部μ″が３５以上であり、１５００ＭＨｚでは実数部μ′が１５以下、虚数部μ″が３０以上であり、更に、膜表面のＸ線回折パターンの（２２２）結晶格子面と（３１１）結晶格子面とに対応するピーク強度比Ｉ_２２２／Ｉ_３１１が０．０５より大きく、且つＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，及びＯのうちの少なくとも一種を含有するものとして形成することを特徴とするフェライト膜の製造方法。
4. 請求項３記載のフェライト膜の製造方法において、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を前記基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を前記基体に接触させる工程と、前記反応液及び前記酸化液のうちの前記フェライト膜の生成に寄与しない残分を前記基体から除去する工程とを有することを特徴とするフェライト膜の製造方法。
5. 請求項３又は４記載のフェライト膜の製造方法において、前記基体の表面を予めプラズマ処理しておくことを特徴とするフェライト膜の製造方法。

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