WO2009087706A1

WO2009087706A1 - 表示装置

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Publication number: WO2009087706A1
Application number: PCT/JP2008/002504
Authority: WO
Inventors: Yohsuke Fujikawa
Original assignee: Sharp Kabushiki Kaisha
Priority date: 2008-01-09
Filing date: 2008-09-10
Publication date: 2009-07-16
Also published as: US20100253656A1; EP2230658A1; CN101855663A; JPWO2009087706A1; EP2230658A4

Abstract

表示装置（１０）は、枠状のシール材（１３）を介して互いに貼り合わせられた第１及び第２基板（１１，１２）と、第１基板（１１）の第２基板（１２）側表面であって、シール材（１３）に囲まれた領域に形成されたモノリシック回路と、を備え、第１基板（１１）又は第２基板（１２）にはＴＥＧ（２１）が形成されていると共に、ＴＥＧ（２１）の少なくとも一部は対向基板に覆われている。

Description

表示装置

　本発明は、表示装置に関する。

　液晶表示装置に用いる液晶セルは、大きさの異なる第１基板と第２基板とをシール材で貼り合わせた構造を有し、互いに対向する面に各種薄膜を備えている。このような液晶セルは、第１基板の母基板と第２基板の母基板とを貼り合わせた状態から、多数個の液晶セルを切り出す方法で製造される。また、製造時の母基板のハンドリングを考慮して、それぞれの母基板の厚みは０．５ｍｍ～０．７ｍｍ程度とされている。

　図６は、このような液晶セル１００の製造方法における母基板同士を貼り合わせた時点を示す斜視図である。第１基板１０３の母基板１０１には液晶セル１００の第１基板１０３がパターニングされている。典型的には、第１基板１０３は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板である。また第２基板１０４の母基板１０２には液晶セル１００の第２基板１０４がパターニングされている。典型的には第２基板１０４はカラーフィルタ（ＣＦ）基板である。

　近年では、端子は液晶セル１００の１辺のみに設けられることが多く、３辺フリー構造とも称されている。以下、液晶セル１００は、いずれもこのように１辺に端子を設けた３辺フリー構造である。この構成によれば、回路部材点数を少なくすることが可能であり、接続の信頼性やコスト面で有利とされている。

　第１基板１０３は、第２基板１０４とその膜面同士が互いに向かい合うように、且つ、所定の間隙を保持するようにシール材１０５を介して固定される。シール材１０５は、液晶セル１００の４辺に対して液晶セル１００の端部から所定の位置に１ｍｍ程度の線幅で形成されている。

　液晶はシール材１０５で囲まれた空間（後の表示部１１０）に封入される。液晶の充填方法としては真空注入法や滴下注入法が知られている。図６は滴下注入法で形成される液晶セル１００に係るシール材を図示している。シール材は、枠状の閉パターンに形成されている。

　液晶セル１００は、母基板１０１，１０２の外側表面をスクライブホイール１０６でスクライブして溝を形成した後に、衝撃を与えて割断することにより切り出される。また、このとき、母基板１０１，１０２には、装置には用いられない捨て基板領域１０７が生じる。

　なお、真空注入法の場合は、枠状のシール材１０５の一部に開口部が設けられ、液晶セル１００の切り出し後に、当該開口部から液晶が充填・封入される。

　第１基板の製造においては、薄膜トランジスタや他の素子特性を管理するために、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ　Ｅｌｅｍｅｎｔ　Ｇｒｏｕｐ）が第１基板の母基板上に形成されることが多い。ＴＥＧとしては、例えば電気的特性を測定するもの、膜厚を測定するもの、パターニング精度を測定するものが挙げられる。

　電気的特性を測定するためのＴＥＧは、その最小の構成として評価素子及び測定パッドを有し、評価素子と測定パッドとは配線によって接続されている。膜厚やパターニング精度の評価のためのＴＥＧは、測定パッドが不要であるので最小単位として評価パターンのみで構成されていてもよい。

　なおＴＥＧは最小構成（以後単体ＴＥＧと称することにする）の１個のみが配置されることは少なく、他の目的の単体ＴＥＧとともに複数個配置されることが多い。

　ＴＥＧの配置の形態としては、例えば、特許文献１～４等に示すように以下の構成が知られている。

　（Ａ）第１基板の母基板上であって液晶セルの周囲の装置には用いられない「捨て基板領域」にＴＥＧを配置する構成。

　（Ｂ）第１基板の母基板上であって液晶セルの割断線（母基板を分断することによって生じる線）上にＴＥＧを配置する構成。

　（Ｃ）第１基板の母基板上であって液晶セルの充填領域にＴＥＧの評価素子を形成し、測定パッドを液晶セルの端子領域に形成する構成。

　（Ｄ）第１基板の母基板上であって液晶セルの端子領域にＴＥＧを配置する構成。

　また、特許文献２における図５において、モノリシック回路を有する液晶セル内にＴＥＧが存在する構成が示されているが、端子の取り出し位置、第２基板（ＣＦ基板）に相当する基板の切断位置及びシール材の説明はされていない。

　さらに、ＴＥＧではないが、シール外に露出して形成されているモノリシック回路の信号を直接測定する為のパッドをシール材の直下に配置する方法が特許文献５に開示されている。
特開２００５－３５２４１９号公報特開２００２－１２４５５４号公報特開昭６１－１５５７０号公報特開２００４－３４１２１６号公報特開平１１－１３３４６１号公報

　（発明が解決しようとする課題）
　近年、画素電極や配線だけでなく画素の駆動回路や他の機能回路を液晶セル内にモノリシックに形成して高機能な液晶セルを作成する試みが盛んに行なわれており、一部は実用化されつつある。したがって、第１基板（場合によっては第２基板）上に配置するＴＥＧの重要性が増す。また、将来の新技術開発を目的として新規の素子や回路をＴＥＧとして、現行製品の液晶セルの母基板に配置することが考えられる。このような高機能な液晶セルの開発・製造は、労力やコストの負担が大きい。このため、第３者に容易に解析される技術的なキャッチアップにつながるような事態は、できることであれば避けたいと望まれている。

　しかしながら上記を鑑みた場合、従来のＴＥＧの配置の構成は以下に述べる不都合がある。

　－構成（Ａ）の場合－
　ＴＥＧの配置のために、装置には用いられない捨て基板領域を必要とする。したがって、母基板から製造できる液晶セルの数が抑制されてしまう。このため、母基板からの取れ数を増やしてコスト増を抑えることが困難になる。

　－構成（Ｂ）の場合－
　割断線上にＴＥＧが存在すると、ＴＥＧを構成している金属膜の膜応力や凹凸が存在していることを原因として、割断が正常に出来ない恐れがある。液晶セルの端面にクラックやバリが発生すると組み立ての精度が悪化したり、バリの突起を起点として割れ易くなる不具合がある。

　－構成（Ｃ）の場合－
　ＴＥＧの評価素子がシール材に囲まれた領域に存在し、また、ＴＥＧの測定パッドが端子領域に存在するので、シール材の内側に配置する配線や端子設計の自由度が損なわれ、場合によっては液晶セルの額縁領域が大きくなってしまう。また、測定パッドが端子領域に配置されているため、第３者による測定が容易となり、秘匿しておきたい技術情報やノウハウが流出する虞がある。また、評価素子がシールに覆われていないため、基板の剥離に成功した場合は、容易にその断面構造等を調査されてしまう。

　－構成（Ｄ）の場合－
　ＴＥＧ全体が端子領域に配置されており、構成（Ｃ）と同様に容易に解析されてしまう。また、ＴＥＧが大きい場合には端子設計の自由度が損なわれてしまう。

　なお、特許文献５で開示されているように、モノリシック回路そのものがシール材の外側に露出している構成では、シール材に覆われている検査パッドを用いずとも回路そのものを調査・解析できるので、技術情報の秘匿には適さない。

　本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、解析が困難なＴＥＧを備えた表示装置を提供することである。

　（課題を解決するための手段）
　本発明に係る表示装置は、枠状のシール材を介して互いに貼り合わせられた第１及び第２基板と、第１基板の第２基板側表面であって、シール材に囲まれた領域に形成されたモノリシック回路と、を備え、第１又は第２基板にはＴＥＧが形成されていると共に、ＴＥＧの少なくとも一部が第１又は第２基板の対向基板に覆われていることを特徴とする。

　このような構成によれば、第１又は第２基板に形成されたＴＥＧの少なくとも一部が対向基板に覆われているため、当該表示装置を解析する際に第１基板と第２基板とを分離すると、ＴＥＧの少なくとも一部を覆う対向基板の破損の影響を受けて、対応するＴＥＧの一部が損傷を受け、場合によってはＴＥＧ全体が破壊される。このため、ＴＥＧの解析が困難となり、表示装置のＴＥＧ等に関する技術情報を良好に秘匿することができる。

　なお、「枠状のシール材」は、完全に連続して設けられて閉空間を形成する形状のシール材に限らず、例えば液晶セル形成時の液晶注入口を構成するために一部を欠損させた枠状のシール材も含む。

実施形態１に係る液晶表示装置の平面図である。実施形態１に係る液晶セルの断面図である。実施形態１に係るＴＥＧの平面図である。実施形態２に係る液晶表示装置の平面図である。実施形態２に係る液晶セルの断面図である。基板割断工程における母基板の斜視図である。従来のＴＥＧの配置構成の平面図である。

　以下、本発明の実施形態に係る表示装置を、図面に基づいて詳細に説明する。また、表示装置として、液晶表示装置を例に挙げて説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。

　（実施形態１）
　＜液晶表示装置１０の構成＞
　図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置１０の平面図を示す。図２は、液晶表示装置１０の液晶セル４０の断面図を示す。図３は、ＴＥＧ２１及びシール材１３の平面図を示す。

　液晶表示装置１０は、液晶セル４０及び液晶セル４０に対向配置された不図示のバックライト等を備えている。

　－液晶セル４０の構成－
　液晶セル４０は、各々、例えば０．７ｍｍ厚のガラスからなる第１基板１１と第２基板１２とがシール材１３を介して貼り合わせられた構造を有している。シール材１３は、枠状に形成されており、一部が欠損することにより液晶セル４０の側面へ開口する開口部２２を備えている。液晶セル４０の側面において、開口部２２は、紫外線硬化性等の封止樹脂２３を用いて封止されている。液晶セル４０は、後述するように、互いに貼り合わせた２枚の母基板を割断することにより形成されており、その４辺（図１の辺Ａ～Ｄ）は、それぞれ割断線を示している。

　第１基板１１（ＴＦＴ基板）には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むソースドライバ回路１４、ゲートドライバ回路１５、端子１６及びそれらを接続する配線１７が、表示部１８を構成する画素電極１９とともに周知の方法によってモノリシックに形成されている。また、集積度を高めるために、電源回路やレベルシフタあるいはセンサー回路等の回路２０が額縁領域に設けられている。さらに、第１基板１１上には、対向する第２基板１２に覆われる領域にＴＥＧ２１（test element group）が設けられている。

　端子１６は、液晶セル４０のＣ辺の端子領域４３にのみ設けられ、各ドライバ回路からの配線１７が、液晶セル４０の外部に引き出されている。

　上記のソースドライバ回路１４、ゲートドライバ回路１５、及び回路２０は、シール材１３に囲まれた領域内に形成されている。

　また、上記回路、配線１７及びＴＥＧ２１の評価素子２１’’は、それぞれ例えば有機樹脂層からなる絶縁層３１で被覆されている。有機樹脂層は回路や配線１７等の保護層の役目を担う。なお、反射型液晶セルあるいは反射・透過兼用の液晶セルで見られる散乱性の凹凸反射層を形成するために、この有機樹脂層の表面に凹凸を付与してもよい。

　ここで、上記有機樹脂層は、端子領域４３には存在しないことが好ましい。これは、例えばフレキシブルプリント基板を液晶セル４０に取り付ける際に、清掃作業として端子１６の表面をへら等で擦ると有機樹脂層が剥がれる不都合があるからである。なお、凹凸反射層を必要としないのであれば、絶縁層３１は、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機膜で形成されていてもよい。

　第１基板１１は、遮光膜３２（ブラックマトリクス）、着色層（図示せず）及び対向電極（図示せず）をともなう第２基板１２（ＣＦ基板）に対し、その電極面同士が互いに向かい合うように所定の間隙を保持するように枠状のシール材１３を介して固定されている。シール材１３には、Ａ辺側に開口部２２が設けられて真空注入法により液晶材３０が充填されている。

　本実施形態では、ＴＥＧが形成されている基板（第1基板１１）とシール材１３との接着強度を、対向する基板（第２基板１２）とシール材１３との接着強度と同程度かあるいはそれよりも強くしている。このため、液晶セルの分解時にＴＥＧ上にシール材の残渣が残ることとなる。

　シール材１３の接着強度は、シール材１３と基板との間に樹脂膜が存在する場合に弱くなる。例えば、シール材１３の下地が金属性の遮光膜３２であったり、あるいはガラス素地の場合、接着力は強くなる。一方、シール材１３の下地に樹脂が存在する場合、接着力は弱くなる。したがって、遮光膜３２を樹脂性のブラックマトリクスとし且つシール材１３の接着領域の下地の多くを遮光膜３２が占めることにより、シール材１３と第２基板との接着強度をシール材１３と第１基板との接着強度と同程度あるいはそれ以下にすることができる。

　このように、シール材１３の接着領域のほとんどを樹脂性の遮光膜３２とした場合は、以下の効果を有する。第１基板１１上の絶縁層３１が有機樹脂層であれば、分解の際にシール材１３が第２基板１２側に残る確率は約半数となる。また、第１基板１１上の絶縁層３１が無機膜あるいはガラス素地であれば、シール材１３は接着力が強い第１基板１１側に残り易くなり、その結果シール材１３の残渣をＴＥＧの解析の障害とすることができる。

　－ＴＥＧ２１の構成－
　ＴＥＧ２１は電気的特性の評価を目的としたものであり、最小構成は、測定パッド２１’、評価素子２１’’、及び、配線である。測定パッド２１’はＴＥＧ２１の最表層に配置され、シール材１３で覆われている。したがって、有機樹脂層が存在する場合は有機樹脂層に開口部を設けて、有機樹脂層下の評価素子２１’’の配線と有機樹脂層上の測定パッド２１’を電気的に接続させる必要がある。また、有機樹脂層を塗布する前に測定を終了するのであれば、有機樹脂層の下に測定パッド２１’があってもよい。

　評価素子２１’’としては、金属薄膜を主材料とする薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、キャパシタ、抵抗体及びこれらを組み合わせたモノリシック回路が挙げられる。また、ＴＥＧ２１は、複数の単体ＴＥＧが複数個配列された構造を有している。なお、同一の単体ＴＥＧが複数個存在してもよく、また異なる単体ＴＥＧ（図３における単体ＴＥＧ２１Ａ、単体ＴＥＧ２１Ｂ、単体ＴＥＧ２１Ｃ）が含まれていてもよい。また、電気的特性の評価以外に用いる単体ＴＥＧや記号が含まれていてもよい。評価素子２１’’は、上記の測定パッド２１’と同様に、シール材１３で覆ってもよい。

　なお、単体ＴＥＧの各々にはＡ、Ｂ、Ｃ等の識別マークや測定パッド２１’の種類を示す記号が形成されていてもよい。図３に図示されている各単体ＴＥＧは、薄膜トランジスタの単体ＴＥＧであり、ゲート（Ｇ）、ソース（Ｓ）及びドレイン（Ｄ）の記号が測定パッド２１’の近傍にパターニングされている。測定パッド２１’は、測定し易いように各単体ＴＥＧ毎に共通の位置に形成されている。なお、余剰な測定パッド２１’が含まれていてもよい。

　液晶セル４０の４辺の額縁領域のうち、回路や配線１７等が集中している額縁領域を第１額縁領域４２’とすると、ＴＥＧ２１は、回路や配線１７が集中していない辺に対応する表示領域４１を挟んだ反対側の第２額縁領域４２’’であって、シール材１３の略直下に配置される。図１においては、Ａ辺のシール材１３の直下にＴＥＧ２１が配置されている。

　モノリシック回路を内蔵した３辺フリー構造の液晶セル４０は、端子辺（Ｃ辺）にソースドライバまたは後述するＲＧＢスイッチ回路やドライバＩＣへの配線１７が配置されている。このため、回路や配線１７が集中していない辺に対応する第２額縁領域４２’’は、このような端子辺（Ｃ辺）と、表示領域４１を挟んで対向する端辺（Ａ辺）で確保し易い。また、端子辺（Ｃ辺）と反対側の端辺（Ａ辺）は、端子１６と距離があり配線抵抗の観点から重要な回路は配置されないため、ＴＥＧ２１を配置できる余地があるといえる。図１においては、ゲートドライバ回路１５が右辺（Ｂ辺）に配置されているが、走査線が多ければ、ゲートドライバが左右の辺それぞれに配置されることもある。したがって、端子辺（Ｃ辺）と反対側の端辺（Ａ辺）領域（第２額縁領域４２’’）がＴＥＧ２１の配置箇所として最も適している。

　ＴＥＧ２１は、シール材１３の長さ方向に沿って伸びる矩形状に形成されている。ＴＥＧ２１は、その短辺の寸法（Ｗ）がシール材１３の線幅よりも小さく形成されている。例えば、シール材１３の線幅が１ｍｍである場合には、Ｗ＝０．５ｍｍ程度となっている。ＴＥＧ２１は、シール材１３の延伸方向に沿うように配置されて、シール材１３でＴＥＧ２１が覆われている。ここで、ＴＥＧ２１は、１辺が少なくとも０．５ｍｍ前後である長方形の領域を有する単体ＴＥＧを１列に並べた構成にすると、最も幅を狭くすることができ、シール材１３で良好に覆うことができる。なお、ＴＥＧ２１の形状は、直線状に限らない。例えば、液晶セル４０のコーナー部にＴＥＧ２１を配置する場合は、略Ｌ字状のＴＥＧ２１とすればよい。このようにすることによってＴＥＧ２１を構成する評価素子２１’’や測定パッド２１’のいずれもシール材１３で覆うことができる。

　ＴＥＧ２１は、第１基板１１上において、割断線である辺Ａから離間して設けられている。

　ＴＥＧ２１がシール材１３に囲まれた領域内に配置されているので端子領域４３には余剰部が生じる。この余剰部には、実装に用いる位置決めマーク２４、製造管理上必要とされる識別手段（２次元バーコード等の光学読み取りマーク２５や人間が判読できる英数字等の品番２６）を配置させている。

　このような識別手段は、製造ロット等の追跡調査手段としてその役割が期待されている。しかしながら、市場流通後には必要とされないＴＥＧ２１によって端子領域４３が占められる従来のＴＧＥの配置構成では、端子領域４３にマーク類を配置することが困難である。

　なお、本実施形態では、ＴＥＧ２１をＡ辺に配置したが、ＴＥＧ２１の配置箇所は、これに限られない。ＴＥＧ２１は、回路や配線１７と干渉しないことを条件として他の辺、例えば、Ｄ辺のシール材１３直下に配置してもよい。

　また、液晶材３０の配向モードは任意のものを適用できるが、ラビングレスの配向モード、例えば、ＶＡモードを用いると、ＴＥＧ２１パターンによるラビング時の転写ムラを完全に回避することができる。

　＜液晶表示装置１０の製造方法＞
　次に、液晶表示装置１０の製造方法について説明する。

　まず、絵素、遮光膜、及び、対向電極等を形成した第２基板１２の母基板を準備する。次に、ＴＦＴ素子、及び、画素電極等を形成した第１基板１１の母基板を準備し、セル厚を規定するためのスペーサを、フォトリソグラフィ工程を経て複数形成する。なお、スペーサは第２基板１２の母基板側に形成してもよく、又、球状スペーサを散布する方式を用いてもよい。

　次に、第１基板１１の母基板又は第２基板１２の母基板のいずれかにシール材１３を塗布する。シール材１３は、一部を欠損させて塗布する。続いて、第１基板１１の母基板と第２基板１２の母基板とをシール材１３を介して貼り合わせる。

　続いて、スクライブホイールを用いて、母基板同士を貼り合わせて形成された大判の貼り合わせ基板から液晶セル４０を切り出す。

　このとき、母基板の液晶セル４０以外の部分は捨て基板領域となる。また、このとき、母基板同士を貼り合わせる際に用いたシール材１３が一部欠損していることにより、液晶セル４０の側面には開口部２２が形成される。

　次に、液晶皿等に液晶材３０を設け、その中に液晶セル４０を、その側面の開口部２２を液晶皿に対向させてディップした後、液晶セル４０内に液晶材３０を真空注入させる。続いて、液晶セル４０側面の開口部２２を封止樹脂２３で封止する。

　次に、液晶セル４０の外表面に光学フィルムを貼り付ける。光学フィルムとしては、偏光板、位相差板、反射防止フィルム、保護フィルム等が挙げられる。次に、バックライトを準備し、これを液晶セル４０の第１基板１１側に設置することにより、液晶表示装置１０を作製する。

　＜実施形態１の作用効果＞
　液晶表示装置１０は、ＴＥＧ２１の評価素子２１’’や測定パッド２１’が第２基板１２に覆われているので、製品として出荷された液晶セル４０を第３者が入手しても、そのままでは電気的な測定を実施することが不可能となる。また、測定パッド２１’がシール材１３に覆われているので、基板を剥離したとしてもシール材１３の残渣によって電気的な測定が困難となる。

　また、評価素子２１’’がシール材１３に覆われているので、詳細に調べるために（例えば断面観察をおこなうために）液晶セル４０を分解して第２基板１２を剥がそうとしても、シール材１３の残渣が残ったり、あるいは単体ＴＥＧを構成している薄膜がシール材１３と共に剥がれてしまったり、あるいは単体ＴＥＧそのものを傷つけてしまう。このため、第３者が当該製品を調査することが困難となる。

　また、ＴＥＧ２１は、シール材１３の長さ方向に沿って伸びる矩形状に、且つ、その短辺の寸法（Ｗ）をシール材１３の線幅よりも小さく形成されているため、液晶セル４０の額縁領域を大きくすることなくＴＥＧ２１を配置できる。さらに、シール材１３でＴＥＧ２１全体を覆うことができるため、液晶セル４０を分解するときのシール材１３の剥離作業の際に、ＴＥＧ２１を破壊させることができる。

　また、ＴＥＧ２１は、母基板１０１，１０２上の捨て基板領域１０７に配置されていないので、液晶セル－液晶セル間の捨て基板の寸法を小さく、最も好ましくは０とすることができる。このため、母基板一枚当たりからの液晶セル４０の取れ数を増やすことができ、高機能な液晶セル４０をより安価に製造できる。

　さらに、ＴＥＧ２１は、液晶セル４０の割断線から離間して配置されているので、割断不良を抑えることができる。したがって液晶セル４０の歩留まりの低下を抑制することができる。

　（実施形態２）
　＜液晶表示装置６０の構成＞
　図４は、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置６０の平面図を示す。図５は、液晶表示装置６０の液晶セル９０の断面図を示す。

　液晶表示装置６０は、液晶セル９０及び液晶セル９０に対向配置された不図示のバックライト等を備えている。

　液晶セル９０は、例えば、０．３ｍｍ厚のガラスからなる第１基板６１（ＴＦＴ基板）と０．１ｍｍのガラスからなる第２基板６２とが枠状のシール材６３を介して貼り合わせられた構造を有している。すなわち、各基板の厚みは、一般に流通しているフラットパネルディスプレイ用のマザーガラスの厚み（０．５～０．７ｍｍ）よりも明らかに薄く形成されている。

　薄膜トランジスタを含むＲＧＢスイッチ回路６４、ゲートドライバ回路６５、ドライバＩＣ７７、端子６６及びそれらを接続する配線６７が、第１基板６１の表面において表示部６８を構成し、第１基板６１の絶縁層８１上に形成された画素電極６９とともに周知の方法によってモノリシックに形成されている。なお、集積度を高めるために、電源回路やレベルシフタあるいはセンサー回路等の回路が、額縁領域の余剰部に設けられていてもよい。本実施形態のようにドライバＩＣ７７とＲＧＢスイッチ回路６４との組み合わせによる駆動方式は、低消費電力化を実現できる点で有利であり、近年好んで採用されている。

　端子６６は、液晶セル９０のＣ辺にのみ設けられ、ゲートドライバ回路６５及びドライバＩＣ７７から配線６７が液晶セル９０の外部に引き出されている。

　上記のＲＧＢスイッチ回路６４、ゲートドライバ回路６５あるいは電源回路等の回路は、枠状のシール材６３に囲まれた領域内に形成されている。

　本実施形態では、端子領域がドライバＩＣ７７及び配線６７等で占められているため、ＴＥＧ７１を配置できる自由度が低い。また、端子領域に有機樹脂層からなる絶縁層が存在しないため、ＴＥＧ７１を形成できない。仮にＴＥＧ７１を端子領域に配置できたとしても、端子領域の余剰部には、まず、実装に用いる位置決めマーク７４、製造管理上必要とされる識別手段（２次元バーコード等の光学読み取りマーク７５や人間が判読できる英数字等の品番７６）を配置させる。このため、いっそうＴＥＧ７１を配置できる余地は少ない。したがって、本実施形態では、ＴＥＧ７１は、ＲＧＢスイッチ回路６４又は外付けのドライバＩＣ７７への配線６７が形成された第１額縁領域９２’の表示領域９１を挟んだ反対側の端部における、回路や配線が少ない第２額縁領域９２’’に配置されている。また、ＴＥＧ７１は、シール材６３の長さ方向に沿って伸びる矩形状に形成されている。ＴＥＧ７１は、シール材６３の延伸方向に沿うように、シール材６３の下部に配置されている。なお、ＴＥＧ７１の形状は、直線状に限らない。例えば液晶セル９０のコーナー部にＴＥＧ７１を配置する場合は略Ｌ字状のＴＥＧ７１とすればよい。このようにすることによってＴＥＧ７１を構成する評価素子６２’’や測定パッド６２’のいずれもシール材６３で覆うことができる。

　ＴＥＧ７１は、第１基板６１上において、割断線であるＡ辺から離間して設けられている。

　第１基板６１は、遮光膜８２（ブラックマトリクスとも称する）、着色層（図示せず）及び対向電極（図示せず）をともなう第２基板６２（ＣＦ基板）とその電極面同士が互いに向かい合うように所定の間隙を保持するようにシール材６３を介して固定されている。シール材６３には開口部が存在せず、いわゆる滴下注入法により液晶材８０が充填されている。

　＜液晶表示装置６０の製造方法＞
　液晶表示装置６０の製造方法としては、まず、第１基板６１の母基板を準備し、その表面に枠状のシール材６３を設ける。続いて、シール材６３内に液晶材８０を滴下した後、別に準備した第２基板６２を貼り合わせる。なお、第２基板６２の母基板上にシール材６３を設け、液晶材８０を滴下して第１基板を貼り合わせても良い。

　このように貼り合わせた第１基板６１及び第２基板６２をエッチングまたは研磨によって薄膜化する。このように液晶セルを切り出す前に貼り合わせ基板の厚みを薄くするので、液晶セルに切り出した後に単品毎に薄膜化する方法と比べて効率的である。また、この方法を採った場合は、貼り合わせよりも前工程の間、すなわち基板表面に各種薄膜をパターニングしＴＥＧが完成する時点までの間は基板が厚いので、基板の搬送やＴＥＧの測定作業時の際の基板の取り扱いが容易である。

　第１基板６１と第２基板６２とを同時に薄膜化させれば、第１基板６１及び第２基板６１は同じ厚みとなる。また、個別に薄膜化させれば、異なる厚みの第１基板６１と第２基板６２とが得られる。また、比較的厚い第１基板６１（例えば０．７ｍｍ）と相対的に薄い第２基板６２（例えば０．５ｍｍ）を貼り合わせた後に同時に薄膜化させると、最初の厚みの差（０．２ｍｍ）を保ったままで液晶セルの総厚を薄くすることができる。
次に、スクライブホイール等を用いて、貼り合わせ基板から液晶セル９０を切り出す。次に、液晶セル４０の外表面に上述した光学フィルムを貼り付けたのち、バックライトを準備し、これを液晶セル９０の第１基板６１側に設置することにより、液晶表示装置６０を作製する。

　＜実施形態２の作用効果＞
　液晶表示装置６０は、液晶セル９０の４辺全てにわたって欠損部が無く、４辺の端部に連続してシール材６３が存在している。このため、ＴＥＧ７１を液晶セル９０の４辺いずれに配置してもシール材６３でＴＥＧ７１を覆うことができる。したがって、設計自由度が良好となる。また、液晶セル９０を分解するときのシール材６３の剥離作業の際に、ＴＥＧ７１が破壊される可能性がより高くなる。さらに、測定できる状態を維持してＴＥＧ７１を露出させることがより困難となる。

　また、第１基板６１及び第２基板６２をエッチングまたは研磨によって薄膜化しているので、液晶セル９０の分解の際に基板が破砕し易くなっている。したがって、ＴＥＧ７１を傷つけずに基板を剥離することが困難となり、第３者による解析が困難となる。ここで、第１基板６１及び第２基板６２の双方を同じ厚みにせずに、ドライバＩＣ７７を取り付ける基板側を相対的に厚くすると良い。少なくとも第１基板６１または第２基板６２の一方が薄膜化加工されていれば、液晶セル９０の分解時（光学フィルムの剥離作業時や基板の切断時）に基板が良好に破砕される。なお、基板が破砕し易い、すなわち分解の際にＴＥＧ７１が破壊し易いものであれば、ＴＥＧ７を１はシール材６３の直下から若干はみ出しても構わない。また、液晶セル９０の表示面側に直に保護フィルムを貼り付けるのではなくて、別途用意したアクリル樹脂を保護部材として液晶セル９０の表示面側に透明な接着材を介して貼り付けると、保護部材と液晶セル９０との剥離時に、基板すなわちＴＥＧが破砕し易い。また、外付けのタッチパネルを保護部材と置き換えて液晶セル９０の表示面側に貼り付けても、基板すなわちＴＥＧが破砕し易くなる。

　また、基板の割断時に発生するバリやクラックは、基板の厚みが薄く且つ金属膜が割断線上に存在する場合に顕著になるが、ＴＥＧ７１は液晶セル９０の基板の割断線から離間して設けられているので、このような不具合を避けることができる。

　さらに、ＴＥＧ７１は、モノリシックのＲＧＢスイッチ回路６４又は外付けのドライバＩＣ７７への配線６７が形成された第１額縁領域９２’の反対側の端部における、回路や配線６７が少ない第２額縁領域９２’’に配置されている。このため、液晶セル９０の額縁領域を大きくすることなくコンパクトにＴＥＧ７１を配置させることができる。

　以上本発明について実施形態１，２を例に挙げて説明したが、上述の構成に限らず主旨を逸脱しない範囲で変形することが可能である。解析対象となるモノリシック回路が存在しない場合、例えば薄膜ダイオードを用いた液晶セルや単純マトリクス型の液晶セルであっても、ＴＥＧを秘匿する手段として応用できる。

　また、本発明の表示装置は、実施形態１，２にそれぞれ示したようなＬＣＤ（liquid crystal display；液晶表示ディスプレイ）に係る表示装置に限られず、ＰＤ（plasma display；プラズマディスプレイ）、ＰＡＬＣ（plasma addressed liquid crystal display；プラズマアドレス液晶ディスプレイ）、有機ＥＬ（organic electro luminescence ）、無機ＥＬ（inorganic electro luminescence ）、ＦＥＤ（field emission display；電界放出ディスプレイ）、又は、ＳＥＤ（surface-conduction electron-emitterdisplay；表面電界ディスプレイ）等に係る表示装置であってもよい。

　　［実施例］
　本発明の実施例として、上述の実施形態１及び２に係る構成の液晶セル（実施例）と、従来の既知のＴＥＧ配置構成を有する液晶セル（比較例）と、について、その作用効果に関して比較検討を行った。従来の既知のＴＥＧ配置構成を有する液晶セルとしては、図７に示すように、液晶セル１００Ａ～１００Ｄを採用した。

　液晶セル１００Ａ～Ｄは、額縁領域に端子を備えた第１基板１０３及び第２基板１０４が枠状のシール材１０５を介して貼り合わされた構成を有している。枠状のシール材１０５は、表示部１１０を囲むように設けられている。枠状のシール材１０５は、一部が欠損した開口部を備え、封止樹脂１１８が液晶セル１００Ａ～Ｄの側面側から開口部を封止している。液晶セル１００Ａ～Ｄは、それぞれＴＥＧ１２１Ａ～Ｄを備えるが、その配置された部位又は形状が異なっている。

　液晶セル１００ＡのＴＥＧ１２１Ａは、全体として矩形状に形成されており、捨て基板領域１０７に設けられている。液晶セル１００ＢのＴＥＧ１２１Ｂは、全体として矩形状に形成されており、割断線上に設けられている。液晶セル１００ＣのＴＥＧ１２１Ｃは、額縁領域の測定パッド１２１’Ｃと評価素子１２１’’Ｃとがシール材１０５を跨いで離間して設けられている。液晶セル１００ＤのＴＥＧ１２１Ｄは、全体として矩形状に形成されており、端子１１１が形成された側の額縁領域に設けられている。

　また、作用効果としては、他者解析の回避が良好（○）か否（×）か、基板の分断性の確保が良好（○）か否（×）か、母基板からの液晶セルの取れ数の確保が良好（○）か否（×）か、端子設計の自由度が良好（○）か否（×）か、について、それぞれ検討した。

　上記比較検討結果を表１に示す。表１において、従来の既知のＴＥＧ配置構成（比較例）に関し、構成Ａは図７（Ａ）に係る液晶セル１００Ａを、構成Ｂは液晶セル１００Ｂを、構成Ｃは液晶セル１００Ｃを、構成Ｄは液晶セル１００Ｄを、それぞれ示す。

　表１に示すように、液晶セル１００Ａは、ＴＥＧ１２１Ａが捨て基板領域１０７に設けられているため、母基板からの液晶セル１００Ａの取れ数が少ないという問題が生じた。また、液晶セル１００Ｂは、ＴＥＧ１２１Ｂが割断線上に設けられているため、基板の分断性に問題があった。さらに、液晶セル１００Ｃは、ＴＥＧ１２１Ｃの測定パッド１２１’Ｃと評価素子１２１’’Ｃとがシール材１０５を跨いで離間して設けられているため、他者による解析を回避できず、さらに端子設計の自由度が良好ではなかった。また、液晶セル１００Ｄは、ＴＥＧ１２１Ｄが端子形成側の額縁領域に設けられているため、他者による解析を回避できず、さらに端子設計の自由度が良好ではなかった。

　これに対し、実施形態１及び２の構成に係る液晶セル（実施例）は、上記項目のいずれも良好な結果を示した。

　以上説明したように、本発明は、表示装置について有用である。

Claims

　枠状のシール材を介して互いに貼り合わせられた第１及び第２基板と、
　上記第１基板の上記第２基板側表面であって、上記シール材に囲まれた領域に形成されたモノリシック回路と、
を備え、
　上記第１又は第２基板にはＴＥＧが形成されていると共に、該ＴＥＧの少なくとも一部は該第１又は第２基板の対向基板に覆われている表示装置。
　請求項１に記載された表示装置において、
　上記ＴＥＧの上記第１又は第２基板の対向基板に覆われている部分は測定パッドである表示装置。
　請求項２に記載された表示装置において、
　上記測定パッドは、上記シール材で覆われている表示装置。
　請求項１に記載された表示装置において、
　上記ＴＥＧの上記第１又は第２基板の対向基板に覆われている部分は評価素子であると共に、該評価素子が上記シール材で覆われている表示装置。
　請求項１に記載された表示装置において、
　上記ＴＥＧは、
　上記シール材の長さ方向に沿って伸びる矩形状に形成され、
　上記ＴＥＧの幅が該シール材の幅より小さく形成されると共に、
　上記シール材に覆われている表示装置。
　請求項１から５のいずれかに記載された表示装置において、
　上記第１基板は、母基板を割断して形成されており、
　上記ＴＥＧは、上記第１基板上において、割断線から離間して設けられている表示装置。
　請求項１から６のいずれかに記載された表示装置において、
　上記第１及び第２基板の少なくとも一方に薄型化加工が施されている表示装置。
　請求項１から７のいずれかに記載された表示装置において、
　上記第１又は第２基板の一端部には、モノリシックのドライバ部又は外付けのドライバ部への配線群が形成された第１額縁領域が設けられ、
　上記第１又は第２基板の上記第１額縁領域の反対側の端部には、第２額縁領域が設けられていると共に、
　上記ＴＥＧは、上記第２額縁領域に形成されている表示装置。
　請求項１から８のいずれかに記載された表示装置において、
　上記ＴＥＧが形成されている基板と上記シール材との接着強度が、上記対向基板とシール材との接着強度と同等以上である表示装置。