WO2008065809A1 - Appareil de traitement et jig de traitement de surface - Google Patents

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processed
processing
treatment
jig
processing apparatus
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PCT/JP2007/069746
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French (fr)
Inventor
Atsushi Miyanari
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0411Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H10P72/0414Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Definitions

  • the present invention relates to a processing apparatus that performs processing using a processing liquid on the surface of an object to be processed, and a surface processing jig suitably used for the processing.
  • the thickness (film thickness) of the semiconductor wafer on which the semiconductor chip is based is currently 125 am to; 150 ⁇ m, but it must be 25 to 50 ⁇ m for next-generation chips. It is said.
  • the following thinning method can be exemplified.
  • a semiconductor wafer and a plate material such as a support plate are attached via a tape or an adhesive having adhesive layers on both sides.
  • This support plate serves to protect the thinned semiconductor wafer.
  • a thinned semiconductor wafer is formed by polishing the semiconductor wafer with a grinder or the like in a state protected by the support plate.
  • the support plate is peeled off from the thinned semiconductor wafer.
  • the adhesive is removed after the support plate is separated from the semiconductor wafer. It may remain on the semiconductor wafer. Therefore, the adhesive must be removed to make the upper surface of the semiconductor wafer clean.
  • the thinned semiconductor wafer is generally diced in a state where the shell is occupied by a dicing tape fixed to a dicinder frame, and is divided into individual chips. The thinned semiconductor wafer is attached to the dicing tape in a state of being bonded to the support plate, and then the support plate is peeled off and the adhesive on the semiconductor wafer is removed. There is power S to be called.
  • the exposed surface of the dicing tape is positioned on the outer periphery of the semiconductor wafer.
  • a treatment liquid solvent
  • the dicing tape is exposed.
  • the surface is also treated with this treatment liquid.
  • the processing is performed up to the exposed surface of the dicing tape provided on the outer periphery of the semiconductor wafer.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a processing apparatus and a surface processing jig capable of performing processing using a processing liquid only on a surface to be processed. It is in.
  • a processing apparatus includes a mounting table on which a target object is mounted;
  • Supply means for supplying a treatment liquid to the surface treatment jig
  • Recovery means for recovering the treatment liquid supplied to the surface treatment jig
  • Separation maintaining means for maintaining the surface treatment jig away from the surface to be treated, and the surface treatment jig has a facing surface facing the surface to be treated, And a processing section for processing the surface to be processed while holding the processing liquid supplied from the supply means between the processing surface and the processing surface.
  • the processing apparatus includes a surface treatment jig capable of supplying and collecting the treatment liquid to and from the surface treatment jig while maintaining a state separated from the surface to be processed. Therefore, the processing liquid can be held only between the surface to be processed and the opposing surface opposite to the surface to be processed, and the processing liquid does not scatter on other than the surface to be processed. As a result, according to the processing apparatus of the present invention, it is possible to perform processing only on the region of the surface to be processed that is desired to be processed. Furthermore, since the surface treatment jig does not contact the object to be treated, the possibility of damaging the object to be treated can be reduced.
  • the processing unit includes a protruding portion protruding from the facing surface toward the object to be processed, and the protrusion and the surface to be processed are provided. It is preferable that the supplied processing liquid is held between the facing surface and the surface to be processed due to the surface tension of the processing liquid. According to this aspect, the protrusion is provided, so that the processing liquid can be reliably held between the surface to be processed and the opposing surface.
  • the surface of the protrusion that faces the surface to be processed is a flat surface, and the distance between the protrusion and the surface to be processed is determined by the separation maintaining means. It is preferably maintained at 3 mm or less. According to this aspect, the processing liquid can be more reliably held between the surface to be processed and the opposing surface of the surface processing jig by using the surface tension of the processing liquid. Therefore, it is possible to suppress the processing liquid from being scattered outside the surface to be processed.
  • the processing apparatus includes a drying means for drying the processed surface after processing! According to this aspect, the surface to be treated can be dried even when the treatment liquid cannot be completely collected.
  • the drying means is preferably an inert gas supply means for supplying an inert gas toward the surface to be processed. According to this aspect, it is possible to spray the treatment liquid and to dry it by blowing the inert gas.
  • the drying means is preferably a suction means for sucking the processing liquid remaining on the surface to be processed.
  • the suction means is performed using the surface treatment jig V, and supply of the treatment liquid from the supply means in the surface treatment jig is stopped. In this state, the treatment liquid is preferably collected by suctioning the treatment liquid remaining on the surface to be treated by the recovery means.
  • the surface treatment jig is used for both treatment and drying.
  • an area of the facing surface is smaller than an area of the processing target surface! /.
  • the separation maintaining means can move the surface treatment jig relative to the object to be processed. According to this aspect, even when the area of the facing surface is smaller than the area of the processing surface, the entire surface of the processing surface can be processed. And force S.
  • the separation maintaining means can move the surface processing jig from the approximate center of the object to be processed toward the outer edge.
  • the “substantially center” means that the center and the periphery of the center are included.
  • the entire object to be processed can be processed by moving the surface treatment jig from the center toward the outer periphery, particularly while rotating the object to be processed.
  • the mounting table can rotate the mounted object to be processed S. According to this aspect, when the area of the surface to be processed is larger than that of the opposing surface, the processing efficiency can be improved.
  • a surface treatment jig according to the present invention comprises:
  • a surface treatment jig used for treating a surface to be processed of a target object with a processing liquid, wherein a surface facing the surface to be processed is maintained when being separated from the surface to be processed.
  • a processing unit for processing the surface to be processed while holding the processing liquid supplied between the facing surface and the surface to be processed.
  • the surface treatment jig according to the present invention can hold the treatment liquid between the surface to be treated and the opposing surface. Therefore, the treatment with the treatment liquid can be performed only on a desired region by performing the treatment using the surface treatment jig which is effective in the present invention. As a result, even when a surface that is not desired to be processed at the same level as the surface to be processed is provided, it is possible to realize processing in which the processing liquid is prevented from being scattered on the surface.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part showing the configuration of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing part A of FIG. 1 in more detail.
  • FIG. 3 is a plan view showing a surface treatment jig included in the treatment apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 4 (a) is a cross-sectional view showing an example of an object to be processed that is processed by the processing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 4 (b) is a cross-sectional view showing an example of an object to be processed that is processed by the processing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 4 (c) is a cross-sectional view showing an example of an object to be processed that is processed by the processing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 4 (d) A cross-sectional view showing an example of a workpiece to be processed by the processing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view showing a surface treatment jig that works on another aspect.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the main part of the processing apparatus 100 which is effective in the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing part A of FIG. 1 in more detail.
  • FIG. 3 is a plan view showing a part of the surface treatment jig provided in the treatment apparatus which is effective in the present embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view showing the facing surface (surface facing the surface to be processed) of the surface treatment tool.
  • a processing apparatus 100 includes a mounting table 10 on which a processing object 18 is mounted, and a surface processing jig 20 that processes a processing surface 18a of the processing object 18 with a processing liquid. And a supply means 30 for supplying the treatment liquid to the surface treatment jig 20, a collection means 40 for collecting the treatment liquid supplied to the surface treatment jig 20, and the surface treatment jig 20 separated from the surface to be treated 18a. And a distance maintaining means 50 for maintaining the maintained state. Furthermore, the processing apparatus 100 is provided with a cleaning cup 16 provided so as to surround the workpiece 18.
  • the mounting table 10 can be held by sucking the workpiece 18, for example.
  • the mounting table 10 is provided on a rotating shaft 12 that can rotate about the center, and a motor 14 that rotates the rotating shaft 12 is attached to the rotating shaft 12. With this configuration, the object to be processed 18 can be rotated about a perpendicular passing through the approximate center of the surface to be processed 18a.
  • the surface treatment jig 20 has a facing surface 22a facing the surface to be processed 18a, and holds the processing liquid supplied from the supply means 30 between the facing surface 22a and the surface to be processed 18a. Fulfill.
  • the structure of the surface treatment jig 20 is not particularly limited as long as it can play the above role.
  • the surface treatment jig 20 has a treatment unit 22 for holding the supplied treatment liquid and treating the surface to be treated 18a.
  • the processing section 22 has a facing surface 22a that faces the surface to be processed 18a when the surface processing jig 20 is maintained apart from the surface to be processed 18a. That is, according to the surface treatment jig 20 according to the present embodiment, the treatment liquid can be held between the treatment unit 22 and the facing surface 22a.
  • the processing unit 22 is provided with a first through hole 26 and a second through hole 28.
  • the first through hole 26 is a hole for supplying the processing liquid to the processing unit 22, and the second through hole 28 is a hole for collecting the processing liquid in the processing unit 22.
  • each dashed arrow indicates the direction in which the processing liquid flows.
  • force S is shown when there are one first through-hole 26 and four second through-holes 28, but it is not limited to this.
  • the second through-hole Six or eight holes may be provided.
  • the arrangement of the first through hole 26 and the second through hole 28 is not limited to the arrangement shown in the drawing.
  • the planar shapes of the first through hole 26 and the second through hole 28 can be circular, elliptical, or rectangular, and are not particularly limited as long as they do not hinder the flow of the processing liquid. The same applies to the opening diameters of the first through hole 26 and the second through hole 28.
  • the processing unit 22 includes a protruding portion 24 that protrudes from the facing surface 22a toward the object 18 to be processed.
  • the protrusion 24 is preferably provided on the periphery of the facing surface 22a.
  • the processing unit 22 includes the protrusion 24, so that the supplied processing liquid can be reliably held between the processing surface 18a.
  • the treatment liquid is retained by utilizing the surface tension of the treatment liquid.
  • the distance force between the protrusion 24 and the surface to be processed 18a is 0.5 mm by the separation maintaining means 50 described later. As mentioned above, it is preferable to be maintained at 3 mm or less, more preferably 0.5 to 1.5 mm. It should be noted that the distance between the protrusion 24 and the surface to be processed 18a may be as close as Omm as long as it does not contact. Thereby, a process liquid can be hold
  • the area of the surface 18a to be treated is larger than the area of the opposite surface 22a (the treatment area of the treatment unit 22)! It is preferably used for If the area of the treated surface 18a is larger than the area of the facing surface 22a, By adjusting the distance between the surface 18a and the processing unit 22 by the separation maintaining means 50, it is possible to hold the processing liquid using the surface tension. Specifically, when the opposing surface 22a and the processing surface 18a (processing area of the processing unit 22) are circular, the diameter of the opposing surface 22a is smaller than the radius of the processing surface 18a. ! /, I like it! /
  • the supply means 30 plays a role of supplying the processing liquid to the processing unit 22 of the surface processing jig 20.
  • the supply means 30 includes, for example, a treatment liquid tank 34 for storing the treatment liquid, a supply pipe 32 connected to the treatment liquid tank 34, and a pump (not shown) for supplying the treatment liquid to the surface treatment jig 22. Etc.).
  • the supply pipe 32 is connected to the first through hole 26. Then, the processing liquid is supplied to the processing section 22 through the processing liquid tank 34, the supply pipe 32 and the first through hole 26.
  • the suction means 40 plays a role of collecting the processing liquid from the processing unit 22 of the surface processing jig 20.
  • the suction means 40 includes, for example, a processing liquid recovery pipe 42, a recovery tank 44 for recovering the processed processing liquid, a pump or an ejector for sucking the processing liquid, and the like.
  • the pump or ejector may be provided behind the collection tank.
  • the recovery pipe 42 is connected to the second through hole 28. Then, the processing liquid supplied to the processing unit 22 is recovered in the recovery tank 44 via the second through hole 28 and the recovery pipe 42.
  • the treatment liquid is collected in the collection tank.
  • the treatment liquid may be discharged from the surface treatment jig 20 simply by a pump, an ejector, or the like.
  • the separation maintaining means 50 is for maintaining the surface treatment jig 20 away from the surface to be treated 18a.
  • the processing liquid can be held in the processing section 22 by maintaining the distance between the surface processing jig 20 and the surface to be processed 18a at a predetermined distance.
  • the separation maintaining means 50 may include a mechanism that allows the surface treatment jig 20 to move in a direction parallel to the surface to be processed 18a and in a vertical direction with respect to the surface to be processed 18a.
  • the separation maintaining means 50 can be realized by, for example, an arm 52 for holding the surface treatment jig 20.
  • the processing apparatus 100 that is effective in the present embodiment includes a drying unit that dries the processed surface 18a after processing.
  • a drying means for example, an inert gas is applied to the surface to be processed 18a.
  • examples thereof include an inert gas supply means 60 to be supplied and a suction means (not shown) for sucking the processing liquid remaining on the surface to be processed 18a.
  • the inert gas supply means 60 can include, for example, an inert gas tank 62, an inert gas supply pipe 64, and a nozzle 66 provided at the tip of the inert gas supply pipe 64.
  • the inert gas a known inert gas such as argon or nitrogen can be used.
  • the suction means can be composed of, for example, a pump for suction, a recovery tank for recovering the processing liquid, and a recovery liquid recovery pipe.
  • the inert gas supply means 60 and the suction means may be configured integrally with a surface treatment jig 20 described later or may be configured separately.
  • the object to be processed 18 can be dried using the surface treatment jig 20. A processing method in the case where the surface to be processed 18a is dried using the surface processing jig 20 will be described later.
  • the workpiece 18 is held on the mounting table 10.
  • the mounting table 10 is provided with a suction mechanism and can hold the workpiece 18.
  • the surface treatment jig 20 is disposed above the workpiece 18 by the separation maintaining means 50.
  • the distance force between the surface to be processed 18a of the object to be processed 18 and the surface treatment jig 20 is preferably maintained to be, for example, 3 mm or less. This makes it easy to hold the processing liquid between the surface to be processed 18 a and the facing surface 22 a of the surface processing jig 20.
  • the processing liquid is supplied from the processing liquid supply means 30 to the surface processing jig 20 (processing section 22).
  • the treatment liquid is supplied through the first through hole 26 of the surface treatment jig 20.
  • recovery of the supplied processing liquid is performed by the recovery means 40 (hereinafter referred to as “supply / recovery processing”).
  • the recovery of the processing liquid is performed by sucking the processing liquid toward the recovery pipe 44 through the second through hole 28 of the surface processing jig 20.
  • a force S for holding the processing liquid can be obtained by utilizing the surface tension of the processing liquid generated between the surface to be processed 18 a and the surface processing jig 20.
  • the supply amount and the recovery amount of the treatment liquid in the above-mentioned supply / recovery process are the same as the case where the treatment liquid does not diffuse from the surface treatment jig 20 while maintaining the above surface tension. For example, it may be adjusted to substantially the same amount.
  • the supply / recovery processing of the processing liquid can be performed while moving the surface processing jig 20 relative to the target object 18. At this time, it is preferable to move the surface treatment jig 20 from the approximate center of the workpiece 18 toward the outer edge. In this way, by moving the surface treatment jig 20, even if the treatment surface of the treatment part 22 of the surface treatment jig 20 is smaller than the treatment surface 18a, the treatment surface 18a Processing can be applied to the entire area.
  • substantially center means including the center and the periphery of the center.
  • the supply / recovery process may be performed while rotating the object 18 about a vertical line passing through the approximate center of the surface.
  • the rotation speed is preferably 10 rpm or more and 10 rpm or less. This is because the processing liquid can be held between the processing section 22 and the surface to be processed 18a within the above range, and the processing liquid can be prevented from scattering to other regions. Further, the processing efficiency can be improved by rotating the workpiece 18 in this way.
  • drying processing the surface to be processed 18a is dried (hereinafter referred to as “drying processing”).
  • the drying process can be performed using the above-described inert gas supply means 60 or suction means. Further, this drying step can be performed using the surface treatment jig 20.
  • the surface treatment jig 20 is used, the treatment liquid remaining on the surface to be treated 18a is sucked by using the collection means 40 while the supply of the treatment liquid from the supply means 30 is stopped. In this case, the surface treatment jig 20 can realize treatment with the treatment liquid and drying, and the treatment apparatus can be effectively used.
  • the processing surface 18a can be processed with the processing liquid using the processing apparatus according to the present embodiment.
  • the processing for the surface treatment jig 20 is performed while maintaining the state where the surface to be treated 18a and the surface treatment jig 20 are separated by the separation maintaining unit 50.
  • the liquid can be supplied and the supplied processing liquid can be recovered.
  • the processing liquid can be held between the surface processing jig 20 and the surface to be processed 18a by simultaneously supplying the processing liquid and collecting the supplied processing liquid. Therefore, it is possible to suppress the dispersion of the treatment liquid to the region where the treatment liquid is not expected to be scattered. As a result, processing It is possible to provide a processing apparatus that can perform processing only on the desired surface (surface to be processed).
  • the surface tension of the processing liquid is utilized by adjusting the distance between the surface processing jig 20 and the processing target surface 18a by the separation maintaining means 50.
  • the treatment liquid can be held more reliably. Therefore, the dispersion of the treatment liquid can be prevented, and a predetermined amount of the treatment liquid can be held in the region to be treated.
  • a depression is generated in the processing unit 22 according to the length of the protrusion 24. As a result, this depression can function as a treatment liquid holding region. In this way, by using the surface treatment jig 20, it becomes possible to hold a desired amount of the treatment liquid and perform the treatment satisfactorily.
  • the object 18 is not limited to the object illustrated below.
  • the object 18 to be processed satisfactorily by this processing apparatus which is the power of this embodiment, is a thinned semiconductor wafer provided on a dicing tape as a support.
  • the semiconductor wafer thinned in this way has the ability to remain an adhesive force on the surface of the semiconductor wafer in the thinning process.
  • the present embodiment can be applied to a processing apparatus.
  • FIG. 4A to FIG. 4D are cross-sectional views for explaining a semiconductor wafer thinning process.
  • an example using the support plate 70 with holes will be described.
  • the support plate 70 and the semiconductor element 74a are pasted with the adhesive 72 interposed therebetween.
  • This semiconductor wafer 74a is the one before thinning.
  • the semiconductor wafer 74a is polished to form a thinned semiconductor wafer 74.
  • the semiconductor wafer 74a can be polished by various known techniques.
  • the surface of the semiconductor wafer 74 that is not in contact with the adhesive 72 is bonded to the dicing tape (support) 76. At this time, the dicing tape 76 supplements the strength of the semiconductor wafer 74 after being peeled off, and serves to facilitate handling.
  • a die cinder frame (fixing tool) 78 is provided around the dicing tape 76.
  • the dicing frame 78 prevents the dicing tape 76 from loosening.
  • the hole of the support plate 70 also supplies a solvent that dissolves the adhesive 72, dissolves the adhesive 72, and then removes the support plate 70.
  • the adhesive 72 is not completely removed and remains on the semiconductor wafer 74. Residual adhesive 72 is shown as residual adhesive 73.
  • the semiconductor wafer 74 having the remaining adhesive 73 corresponds to the workpiece 18.
  • the object to be processed 18 is subjected to the above-described steps, and a dicing tape 76 is disposed on the outer periphery thereof.
  • the dicing tape 76 has a power S that deteriorates due to adhesion of a solvent (treatment liquid) used for removing the residual adhesive 73.
  • the deterioration of the dicing tape 76 causes slack, which can cause cracking of the semiconductor wafer 74 that has been thinned and reduced in strength. Therefore, it is necessary to remove the residual adhesive 73 on the semiconductor wafer 74 without deteriorating the dicing tape 76. That is, it is required to remove the solvent only on the surface of the semiconductor wafer 74.
  • the processing apparatus 100 according to the present embodiment is used to remove the residual adhesive 73 on the semiconductor wafer 74, as described above, the solvent is scattered in addition to the semiconductor wafer 74 (object 18). It is possible to perform a process that suppresses the above. Therefore, the remaining adhesive 73 can be removed satisfactorily without deteriorating the dicing tape 76.
  • the surface that is not desired to be processed can be satisfactorily processed on the surface that is desired to be processed while suppressing the scattering of the processing liquid.
  • a processing device that can be performed can be provided.
  • the force described for the case where the object 18 is the semiconductor wafer 74 provided on the dicing tape 76 is not limited to this.
  • a processing apparatus that is effective for the present embodiment can be used.
  • the case where the planar shape of the surface treatment jig 20 is circular is illustrated, but the shape of the surface treatment jig 20 is not limited to this.
  • the surface treatment jig 70 will be described with reference to FIG. 5 as a modification of the surface treatment jig 20.
  • FIG. 5 is a plan view in the case where the surface treatment jig 70 is positioned above the surface to be treated 18a. Other configurations are the same as those of the surface treatment jig 20.
  • the surface treatment jig 70 has a rectangular shape and a planar shape with rounded corners.
  • the surface treatment jig 70 is provided with a first through hole 76 for supplying a treatment liquid to the surface to be treated 18a and a second through hole 78.
  • the processing liquid is supplied to the processing section through the first through hole 76 and the processing liquid supplied through the second through hole 78 is collected.
  • the opening shape, the number, and the arrangement of the first through hole 76 and the second through hole 78 are not limited to those shown in FIG.
  • the longitudinal force of the surface treatment tool 70 is preferably substantially the same as the radius of the surface to be treated 18a.
  • the entire surface to be processed can be processed.
  • the surface treatment jig 70 may be provided with a protruding portion on the surface facing the surface to be treated 18a, similarly to the surface treatment jig 20.
  • the surface treatment jig 70 shows the case where the planar shape is rectangular. The surface treatment jig 70 and the treatment target are supplied to the treatment surface 18a and the collected treatment liquid is recovered. The shape is not limited as long as the treatment liquid can be held between the surface 18a.
  • the processing apparatus includes a surface processing jig that is maintained separately from the target object, a processing liquid supply unit, and a recovery unit, so that the processing surface and the opposing surface are provided. It is possible to hold the processing liquid during this period, and it is possible to realize processing in which scattering of the processing liquid to other than the surface to be processed is suppressed.
  • the processing apparatus which is effective in the present invention can achieve various processes such as cleaning and coating with a processing solution with a force S.

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

明 細 書
処理装置および表面処理治具
技術分野
[0001] 本発明は、被処理体の表面に対して処理液を用いた処理を行なう処理装置および 該処理に好適に用いられる表面処理治具に関する。
背景技術
[0002] 近年、 ICカードや携帯電話の薄型化、小型化、軽量化が要求されており、この要求 を満たすためには組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップとしな ければならない。このため半導体チップの基になる半導体ウェハの厚さ(膜厚)は現 状では 125 a m〜; 150 μ mであるが、次世代のチップ用には 25 m〜50 μ mにし なければならないと言われている。
[0003] 上記膜厚の半導体ウェハを得る方法の一つとして、以下の薄化方法を挙げることが できる。この方法では、まず、半導体ウェハとサポートプレートなどの板材とを、両面に 粘着層を有するテープまたは接着剤を介して貼り付ける。このサポートプレートは、薄 化された半導体ウェハを保護する役割を果たす。ついで、サポートプレートにより保 護されている状態で、グラインダーなどにより半導体ウェハの研磨を行なうことにより 薄化された半導体ウェハが形成される。最後に、この薄化された半導体ウェハからサ ポートプレートを剥がす。
発明の開示
[0004] しかしながら、上記薄化方法のうち、サポートプレートと半導体ウェハとを接着剤を 介して貼り付けて!/、る方法を採用する場合、半導体ウェハからサポートプレートを分 離した後に接着剤が半導体ウェハに残存してしまうことがある。そのため、接着剤を 除去して半導体ウェハの上面を清浄な面にしなくてはならない。ここで、上記薄化さ れた半導体ウェハは、一般的にダイシンダフレームに固定されたダイシングテープに 貝占り付けられた状態にてダイシングされ、個々のチップに分割される。上記薄化され た半導体ウェハは、サポートプレートと貼り合わされた状態でダイシングテープに貼り 付けられた後、サポートプレートの剥離、そして半導体ウェハ上の接着剤の除去が行 われること力 Sある。このダイシングテープを用いる場合、通常、その表面積は半導体ゥ ェハと比して大きいため、半導体ウェハの外周には、ダイシングテープの露出面が位 置することとなる。このような被処理体に対して、被処理体を回転させつつ処理液 (溶 剤)を滴下する方法や、半導体ウェハを浸漬させるとレ、う通常の洗浄処理を施すと、 ダイシングテープの露出面をもこの処理液で処理してしまうことになる。つまり、処理 をしたい面は半導体ウェハの表面のみであるにも関わらず、半導体ウェハの外周に 設けられているダイシングテープの露出面にまで処理が行なわれてしまうのである。 このときの処理液の種類によっては、ダイシングテープの劣化が懸念され、それゆえ 、ダイシングテープの保護を図りつつ半導体ウェハ上の接着剤を除去する処理方法 の開発が望まれている。
[0005] 本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理面のみに 処理液を用いた処理を施すことができる処理装置および表面処理治具を提供するこ とにある。
[0006] (1)本発明にかかる処理装置は、被処理体が載置される載置台と、
処理液にて前記被処理体の被処理面を処理する表面処理治具と、
前記表面処理治具に処理液を供給する供給手段と、
前記表面処理治具に供給された処理液を回収する回収手段と、
前記表面処理治具を前記被処理面と離間した状態を維持する離間維持手段と、を 含み、 前記表面処理治具は、上記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と 被処理面との間に前記供給手段から供給された処理液を保持して被処理面を処理 する処理部を備えることを特徴として!/、る。
[0007] 本発明にかかる処理装置は、被処理面と離間された状態を維持しつつ、表面処理 治具に処理液の供給と回収を行なうことができる表面処理治具を含む。そのため、被 処理面と、被処理面と対向する対向面との間のみに処理液を保持することができ、被 処理面以外に処理液が飛散することがない。その結果、本発明にかかる処理装置に よれば、被処理面のうち処理を施したい領域にのみに処理を施すことができる。さら に、表面処理治具が被処理体に接触することがないため、被処理体に損傷を与える 可能性を低減することができる。 [0008] (2)本発明に力、かる処理装置において、前記処理部は、前記対向面から前記被処 理体に向かって突出する突出部を備え、該突出部と前記被処理面との間における処 理液の表面張力により、供給された処理液を前記対向面と前記被処理面との間に保 持することが好ましい。この態様によれば、突出部が設けられていることで、被処理面 と対向面との間に処理液の保持を確実に行なうことができる。
[0009] (3)本発明に力、かる処理装置において、前記突出部の、被処理面と対向する面は 平面であり、前記離間維持手段により前記突出部と被処理面との距離が、 3mm以下 に維持されることが好ましい。この態様によれば、処理液の表面張力を利用して、被 処理面と、表面処理治具の対向面との間に、より確実に処理液を保持することができ る。そのため、処理液が被処理面以外に飛散することを抑制することができる。
[0010] (4)本発明に力、かる処理装置にお!/、て、処理後の被処理面を乾燥させる乾燥手段 を備えることが好ましい。この態様によれば、処理液の回収を完全に行なうことができ ない場合であっても、被処理面の乾燥を行なうことができる。
[0011] (5)本発明に力、かる処理装置において、前記乾燥手段は、前記被処理面に向かつ て不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段であることが好ましレ、。この態様によれ ば、不活性ガスを吹き付けることで、処理液を飛散させ、乾燥させること力 Sできる。
[0012] (6)本発明に力、かる処理装置において、前記乾燥手段は、前記被処理面に残った 処理液を吸引する吸引手段であることが好ましい。
[0013] (7)本発明に力、かる処理装置において、前記吸引手段は、前記表面処理治具を用 V、て行われ、該表面処理治具における供給手段からの処理液の供給が停止した状 態で、処理液を回収手段により被処理面に残った処理液を吸引することにより行われ ることが好ましい。この態様によれば、表面処理治具を処理と乾燥との双方に対して 使用すること力でさる。
[0014] (8)本発明に係る処理装置において、前記対向面の面積は、前記被処理面の面 積と比して小さレ、ことが好まし!/、。
[0015] (9)本発明に力、かる処理装置にお!/、て、前記離間維持手段は、表面処理治具を被 処理体に対して移動させることができる。この態様によれば、対向面の面積が、被処 理面の面積と比して小さい場合であっても、被処理面の全域に対して処理を行なうこ と力 Sできる。
[0016] (10)本発明に力、かる処理装置において、前記離間維持手段は、表面処理治具を 被処理体の略中心から外縁に向かって移動させることができる。なお、本態様におい て、「略中心」とは、中心と中心の周囲を含む意味である。この態様によれば、特に被 処理体を回転させながら、表面処理治具を中心から外周に向かって移動させること により被処理体全体を処理することができる。
[0017] (11)本発明に力、かる処理装置において、前記載置台は、載置された被処理体を 回転させること力 Sできる。この態様によれば、被処理面の面積が対向面と比して大き い場合に、処理の効率化を図ることができる。
[0018] (12)本発明にかかる表面処理治具は、
被処理体の被処理面を処理液で処理するのに用いられる表面処理治具であって、 被処理面に対して離間して維持された際に、前記被処理面に対向する対向面を有 し、該対向面と該被処理面との間に供給された処理液を保持して被処理面を処理す る処理部を備えることを特徴として!/、る。
[0019] 本発明にかかる表面処理治具は、被処理面と対向面との間に処理液を保持するこ とができる。そのため、本発明に力、かる表面処理治具を用いて処理を行なうことで、 所望の領域のみに処理液による処理を施すことができる。その結果、被処理面と同 一のレベルに処理を施したくない面が設けられている場合でも、該面に処理液が飛 散することが抑制された処理を実現することができる。
[0020] 本発明の他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって十分分か るであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明で明白になるであ ろう。
図面の簡単な説明
[0021] [図 1]本発明の実施形態にかかる処理装置の構成を示す要部の断面図である。
[図 2]図 1の A部をより詳細に示す断面図である。
[図 3]本実施形態に係る処理装置が有する表面処理治具を示す平面図である。
[図 4(a)]本実施形態にかかる処理装置で処理される被処理体の一例を示す断面図 である。 [図 4(b)]本実施形態に力、かる処理装置で処理される被処理体の一例を示す断面図 である。
[図 4(c)]本実施形態にかかる処理装置で処理される被処理体の一例を示す断面図 である。
[図 4(d)]本実施形態にかかる処理装置で処理される被処理体の一例を示す断面図 でめる。
園 5]他の態様に力かる表面処理治具を示す平面図である。
符号の説明
10 載置台
12 回転軸
14 モーター
16 洗浄槽
18 被処理体
18a 被処理面
20 表面処理治具
22 処理部
22a 対向面
24 突出部
26 第 1貫通孔
28 第 2貫通孔
30 供給手段
32 供給配管
34 処理液タンク
40 回収手段
42 回収配管
44 吸引ポンプ
50 離間維持手段 60 不活性ガス供給手段
62 不活十生ガスタンク
64 不活性ガス供給配管
66 ノズノレ
100 処理装置
発明を実施するための最良の形態
[0023] 以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
[0024] (処理装置)
本実施形態に力、かる処理装置 100について、図 1ないし図 3を参照しつつ説明する 。図 1は、本実施形態に力、かる処理装置 100の要部を示す断面図である。図 2は、図 1の A部をより詳細に示す断面図である。図 3は、本実施形態に力、かる処理装置に備 えられている表面処理治具の一部を示す平面図である。なお、図 3は、表面処理治 具の対向面 (被処理面と対向する面)を示す平面図である。
[0025] 図 1に示すように、処理装置 100は、被処理体 18が載置される載置台 10と、処理 液にて被処理体 18の被処理面 18aを処理する表面処理治具 20と、表面処理治具 2 0に処理液を供給する供給手段 30と、表面処理治具 20に供給された処理液を回収 する回収手段 40と、表面処理治具 20を被処理面 18aと離間した状態を維持する離 間維持手段 50と、を含む。さらに、処理装置 100には、被処理体 18を囲むように設 けられた洗浄カップ 16が設けられている。
[0026] 載置台 10は、被処理体 18をたとえば吸引することで保持することができる。また、 載置台 10は、略中心を軸として回転可能な回転軸 12の上に設けられ、回転軸 12に は、これを回転させるモーター 14が取り付けられている。この構成により、被処理体 1 8を、被処理面 18aの略中心を通る垂線を軸として回転させることができる。
[0027] 表面処理治具 20は、被処理面 18aに対向する対向面 22aを有し、対向面 22aと被 処理面 18aとの間に、供給手段 30から供給された処理液を保持する役割を果たす。 本実施形態にかかる処理装置では、表面処理治具 20は、上記役割を果たすことが できれば、その構造は特に制限されない。
[0028] 以下に、表面処理治具 20の構造の一例について、図 2および図 3を参照しつつ説 明する。図 2に示すように、表面処理治具 20は、供給された処理液を保持し、被処理 面 18aを処理するための処理部 22を有している。この処理部 22は、表面処理治具 2 0が被処理面 18aに対して離間して維持された際に、被処理面 18aに対向する対向 面 22aを有する。つまり、本実施形態に係る表面処理治具 20によれば、処理部 22と 対向面 22aとの間に、処理液を保持することができる。
処理部 22には、第 1貫通孔 26および第 2貫通孔 28が設けられている。第 1貫通孔 26は、処理液を処理部 22に供給するための孔であり、第 2貫通孔 28は、処理部 22 の処理液を回収するための孔である。図 2において、各破線の矢印は、処理液の流 れる方向を示している。なお、図 2および図 3には、第 1貫通孔 26がーつと、第 2貫通 孔 28が 4つ設けられている場合を示した力 S、これに限定されることはなぐ例えば第 2 貫通孔を 6つ、 8つ設けてもよい。また、第 1貫通孔 26と第 2貫通孔 28の配置につい ても、図示の配置に限定されることはない。第 1貫通孔 26および第 2貫通孔 28の平 面形状は、円形、楕円形または矩形であることができ、処理液の流れを妨げない限り 特に制限されることはない。このことは、第 1貫通孔 26および第 2貫通孔 28の開口径 についても同様である。
[0029] さらに、前記処理部 22は、対向面 22aから被処理体 18に向かって突出する突出部 24を備えることが好ましい。突出部 24は、図 2および図 3に示すように、対向面 22a の周縁に設けられていることが好ましい。このように、処理部 22は、突出部 24を備え ることにより、供給された処理液を被処理面 18aとの間により確実に保持することがで きる。処理液の保持は、処理液の表面張力を利用して行われる。
[0030] また、突出部 24の底面(被処理面 18aと対向する面)が、平面である場合、後述す る離間維持手段 50により突出部 24と被処理面 18aとの距離力 0. 5mm以上、 3m m以下に維持されることが好ましぐ 0. 5〜; 1. 5mmの範囲であることがより好ましい。 なお、突出部 24と被処理面 18aとの距離は接触しない範囲で限りなく Ommに近づい てもよい。これにより、処理液をより確実に保持することができる。
[0031] 本実施形態にかかる表面処理治具 20は、被処理面 18aの面積がその対向面 22a の面積(処理部 22の処理面積)と比して大き!/、被処理体 18に対する処理に用いるこ とが好ましい。被処理面 18aの面積が対向面 22aの面積と比して大きい場合、被処 理面 18aと処理部 22との距離を、離間維持手段 50により調整することで、その表面 張力を利用して、処理液を保持することが可能となる。具体的には、対向面 22aおよ び被処理面 18a (処理部 22の処理面積)が円形状である場合には、対向面 22aの直 径は被処理面 18aの半径と比して小さ!/、ことが好まし!/、。
[0032] 供給手段 30は、表面処理治具 20の処理部 22に処理液を供給する役割を果たす 。この供給手段 30は、たとえば、処理液を貯留する処理液タンク 34や、処理液タンク 34に接続された供給配管 32や、表面処理治具 22に処理液を供給するためのボン プ(図示せず)などを含む。また、前記供給配管 32は、第 1貫通孔 26に接続されてい る。そして、処理液タンク 34、供給配管 32および第 1貫通孔 26を介して、前記処理 部 22に処理液が供給されるようになっている。
[0033] 吸引手段 40は、表面処理治具 20の処理部 22から、処理液を回収する役割を果た す。この吸引手段 40は、たとえば、処理液の回収配管 42と、処理済の処理液を回収 するための回収タンク 44、処理液を吸引するためのポンプまたはイジエタターなどを 含む。なお、前記ポンプまたはイジェクタ一は回収タンクの後方に設ければよい。ま た、前記回収配管 42は、第 2貫通孔 28に接続されている。そして、処理部 22に供給 された処理液は、第 2貫通孔 28、回収配管 42を介して回収タンク 44に回収されるよ うになつている。また、上記では回収タンクに処理液を回収する構成を記載したが、 単にポンプ、イジェクタ一等により表面処理治具 20から処理液を排出できる構成であ つてもよい。
[0034] 離間維持手段 50は、表面処理治具 20を被処理面 18aに対して、離間して維持す るものである。そして、表面処理治具 20と被処理面 18aとの距離を所定の距離に維 持することにより、前記処理部 22に、処理液を保持することができるようになつている 。また、離間維持手段 50は、表面処理治具 20を、被処理面 18aと平行な方向および 被処理面 18aに対して上下の方向に移動させることを可能とする機構を備えていても よい。離間維持手段 50は、具体的には、たとえば、表面処理治具 20を保持するァー ム 52などにより実現することができる。
[0035] さらに、本実施形態に力、かる処理装置 100は、処理後の被処理面 18aを乾燥させ る乾燥手段を備える。乾燥手段としては、たとえば、不活性ガスを被処理面 18aに向 かって供給する不活性ガス供給手段 60と、被処理面 18aに残存する処理液を吸引 する吸引手段(図示せず)とを例示することができる。不活性ガス供給手段 60は、た とえば、不活性ガスタンク 62と、不活性ガス供給配管 64と、不活性ガス供給配管 64 の先端に設けられたノズル 66とからなることができる。不活性ガスとしては、公知の不 活性ガス、たとえば、アルゴン、窒素などを用いることができる。また、不活性ガスの供 給時には、被処理面 18aに吹き付けるように供給することが好ましい。また、吸引手 段としては、たとえば、吸引するためのポンプと、処理液を回収するための回収タンク と処理液の回収配管とからなることができる。不活性ガス供給手段 60および吸引手 段は、後述の表面処理治具 20と一体で構成されていてもよいし、別々に構成されて いてもよい。また、この被処理体 18の乾燥は、表面処理治具 20を用いて行なうことも できる。表面処理治具 20を用いて被処理面 18aの乾燥を行なう場合の処理方法に ついては後述する。
[0036] (処理方法)
次に、上述の処理装置を用いた被処理体の処理方法について説明する。本処理 方法では、まず、被処理体 18を載置台 10に保持する。載置台 10には、吸引機構が 設けられており、被処理体 18を保持することができる。ついで、離間維持手段 50によ り、表面処理治具 20を被処理体 18の上方に配置する。このとき、被処理体 18の被 処理面 18aと、表面処理治具 20 (特に突出部 24)との距離力 たとえば、 3mm以下 であるように維持されていることが好ましい。これにより、処理液を被処理面 18aと表 面処理治具 20の対向面 22aとの間に、処理液を保持することが容易となる。
[0037] 次に、処理液の供給手段 30から表面処理治具 20 (処理部 22)に処理液を供給す る。この処理液の供給は、表面処理治具 20の第 1貫通孔 26を介して、行なわれる。 処理液の供給と共に、供給された処理液の回収が回収手段 40により行われる(以下 、「供給 ·回収処理」と称する)。この処理液の回収は、表面処理治具 20の第 2貫通孔 28を介して回収配管 44側に処理液を吸引することで行われる。そして、被処理面 18 aと、表面処理治具 20との間で生じる処理液の表面張力を利用して、処理液を保持 すること力 Sできる。なお、上記供給'回収処理における処理液の供給量および回収量 は、上記表面張力を保ち、表面処理治具 20から処理液が拡散しなければよぐ例え ばほぼ同じ量等に調整すればよい。
[0038] この処理液の供給'回収処理は、表面処理治具 20を被処理体 18に対して移動さ せながら行なうことができる。このときは、表面処理治具 20を被処理体 18の略中心か ら外縁に向かって移動させることが好ましい。このように、表面処理治具 20を移動さ せることで、表面処理治具 20の処理部 22の処理面が、被処理面 18aと比して小さい 場合であっても、被処理面 18aの全域に処理を施すことができる。なお、本態様にお いて、「略中心」とは、中心と中心の周囲を含む意味である。
[0039] さらに、被処理体 18を、その表面の略中心を通る垂線を軸として回転させつつ、供 給.回収処理を行なってもよい。この場合、回転速度は、 lOrpm以上、 lOOrpm以下 であることが好ましい。上記範囲内であれば、処理液を処理部 22と被処理面 18aとの 間に保持することができ、他の領域に処理液が飛散することを抑制することができる ためである。また、このように被処理体 18を回転させることで処理の効率化を図ること もできる。
[0040] 次に、供給 ·回収処理を終えた後に、被処理面 18aを乾燥させる(以下、「乾燥処理 」と称する)。乾燥処理は、上述の不活性ガス供給手段 60または吸引手段を用いて 行なうこと力 Sできる。また、表面処理治具 20を用いて、この乾燥工程を行なうことがで きる。表面処理治具 20を用いる場合には、供給手段 30からの処理液の供給が停止 した状態で、回収手段 40を用いることにより被処理面 18aに残った処理液を吸引す る。この場合、表面処理治具 20が、処理液による処理と乾燥とを実現することができ 、処理装置を有効に活用することができる。
[0041] 以上により、本実施形態にかかる処理装置を用いて、被処理面 18aに対して処理 液による処理を行なうことができる。
[0042] 本実施形態にかかる処理装置 100によれば、離間維持手段 50により、被処理面 1 8aと表面処理治具 20とが離間した状態を維持しつつ、表面処理治具 20に対する処 理液の供給と、供給された処理液の回収を行なうことができる。このように、処理液の 供給と供給された処理液の回収とを同時に行なうことで、表面処理治具 20と被処理 面 18aとの間に処理液を保持できることとなる。そのため、処理液が飛散することが望 まれない領域に対する処理液の飛散を抑制することができる。その結果、処理を施し たい面 (被処理面)にのみ、処理を施すことができる処理装置を提供することができる
[0043] さらに、本実施形態にかかる処理装置 100では、離間維持手段 50により、表面処 理治具 20と被処理面 18aとの間の距離を調整することで、処理液の表面張力を利用 して、より確実に処理液を保持することができる。そのため、処理液の飛散を防ぐこと ができると共に、処理が施される領域には、所定量の処理液を保持できることとなる。 また、突出部 24を設けた場合には、突出部 24の長さに応じて処理部 22に窪みが生 じることとなる。その結果、この窪みを処理液の保持領域として機能させることができ る。このように、表面処理治具 20を用いることで、所望量の処理液の保持が可能とな り処理を良好に行なうことができる。
[0044] また、本実施形態にかかる処理装置によれば、処理液を飛散させないようにしてい るため、処理液の利用効率を上げることができる。
[0045] 次に、本実施形態にかかる処理装置により特に良好に処理される被処理体の例に ついて説明する。なお、被処理体 18は、以下に例示する被処理体に限定されないこ とは言うまでもない。
[0046] 本実施形態に力、かる処理装置により良好に処理される被処理体 18は、支持体であ るダイシングテープの上に設けられ、薄化された半導体ウェハである。このように薄化 された半導体ウェハは、その薄化プロセスにおいて、半導体ウェハの表面に接着剤 力残存すること力ある。このような半導体ウェハの接着剤の除去処理において、本実 施形態に力、かる処理装置を用いることができるのである。
[0047] 以下の説明では、まず、半導体ウェハの薄化プロセスについて図面を参照しつつ 説明した後、本実施形態に力、かる処理装置を用いる利点について説明する。図 4 (a )〜図 4 (d)は、半導体ウェハの薄化プロセスを説明する断面図である。ここでは、孔 有りサポートプレート 70を用いた例について説明する。
[0048] まず、図 4 (a)に示すように、接着剤 72を介して、サポートプレート 70と、半導体ゥヱ ノ、 74aとを貼り付ける。この半導体ウェハ 74aは、薄化する前のものである。ついで、 図 4 (b)に示すように、半導体ウェハ 74aを研磨し、薄化された半導体ウェハ 74を形 成する。半導体ウェハ 74aの研磨は、各種公知の技術により行なうことができる。つい で、図 4 (c)に示すように、半導体ウェハ 74における接着剤 72と接していない面を、 ダイシングテープ (支持体) 76と貼り合わせる。このとき、ダイシングテープ 76は、剥 離された後における半導体ウェハ 74の強度を補填し、取り扱いを容易にする役割を 果たす。なお、ダイシングテープ 76の周囲には、ダイシンダフレーム(固定具) 78が 設けられている。このダイシングフレーム 78は、ダイシングテープ 76の弛みを防止す る。その後、サポートプレート 70の孔カも接着剤 72を溶かす溶剤を供給し、接着剤 7 2を溶かした後に、サポートプレート 70を除去する。このとき、接着剤 72は、完全に除 去されず半導体ウェハ 74上に残存することとなる。残存した接着剤 72を残存接着剤 73として示す。このように、残存接着剤 73を有する半導体ウェハ 74が被処理体 18に 相当することとなる。
[0049] この被処理体 18は、上述の工程を経ることで、その外周にダイシングテープ 76が 配置されている。ダイシングテープ 76は、残存接着剤 73の除去に用いられる溶剤( 処理液)が付着することで、劣化してしまうこと力 Sある。ダイシングテープ 76の劣化は、 弛みを引き起こし、この弛みは、薄化され強度が低下している半導体ウェハ 74の割 れを引き起こすことがある。そのため、ダイシングテープ 76を劣化させることなぐ半 導体ウェハ 74上の残存接着剤 73を除去する必要がある。つまり、半導体ウェハ 74の 表面にのみ溶剤による除去を施すことが要求されることとなる。
[0050] 本実施形態にかかる処理装置 100を、半導体ウェハ 74上の残存接着剤 73の除去 に用いた場合、上述したように、半導体ウェハ 74 (被処理体 18)以外に溶剤が飛散 することを抑制した処理を行なうことができる。そのため、ダイシングテープ 76を劣化 させることなく、良好に残存接着剤 73の除去を行なうことができる。このように、本実 施形態にかかる処理装置によれば、処理を施こしたくない面に対しては、処理液の 飛散を抑制しつつ、処理を施したい面に対しては良好に処理を行なうことができる処 理装置を提供することができる。
[0051] なお、本実施の形態では、被処理体 18が、ダイシングテープ 76の上に設けられた 半導体ウェハ 74である場合について説明した力 これに限定されることはない。処理 液による処理を施すことが望まれる被処理体であれば、レ、ずれの被処理体につ!/、て も、本実施形態に力、かる処理装置を用いることができる。 [0052] なお、上記処理装置 100では、表面処理治具 20の平面形状が円形である場合を 図示したが、表面処理治具 20の形状がこれに限定されることはない。以下に、上記 表面処理治具 20の変形例に力、かる表面処理治具 70について図 5を参照しつつ説 明する。図 5は、被処理面 18aの上方に表面処理治具 70が位置している場合の平面 図である。その他の構成は、表面処理治具 20と同様である。
[0053] 図 5に示すように、表面処理治具 70は、長方形状であって、その角が丸まっている 平面形状を有する。表面処理治具 70には、処理液を被処理面 18aに供給する第 1 貫通孔 76と、第 2貫通孔 78とが設けられている。第 1貫通孔 76を通じて、処理部へ の処理液の供給が行われ、第 2貫通孔 78を通じて供給された処理液の回収が行な われる。第 1貫通孔 76および第 2貫通孔 78の開口形状、個数、配置は、いずれも図 5に示したものに限定されない。被処理面 18aが円形である場合には、表面処理治 具 70の長手方向の長さ力 被処理面 18aの半径と略同一であることが好ましい。この 場合には、たとえば、矢印が示す方向に被処理体を回転させつつ処理を行なうこと で、被処理面の全域に処理を施すことができる。また、表面処理治具 70においても、 表面処理治具 20と同様に、被処理面 18aとの対向面に突出部が設けられていてもよ いことはいうまでもない。なお、表面処理治具 70ではその平面形状が長方形状であ る場合を示した力 被処理面 18aに対する処理液の供給と供給された処理液の回収 を行い、表面処理治具 70と被処理面 18aとの間に処理液を保持できる限りこの形状 に限定されることはない。
[0054] 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなぐ請求項に示した範囲で 種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適 宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
[0055] 本発明に係る処理装置は、被処理体と離間して維持された表面処理治具と、処理 液の供給手段と回収手段とを備えていることにより、被処理面と対向面との間に処理 液を保持することができ、被処理面以外に対する処理液の飛散が抑制された処理を 実現できる。
[0056] 発明の詳細な説明の項にお!/、てなされた具体的な実施形態または実施例は、あく までも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限 定して狭義に解釈されるべきものではなぐ本発明の精神と次に記載する請求の範 囲内で、レ、ろ!/、ろと変更して実施することができるものである。
産業上の利用可能性
本発明に力、かる処理装置は、処理液による洗浄や塗布などの各種処理を実現する こと力 Sでさる。

Claims

請求の範囲
[1] 被処理体が載置される載置台と、
処理液にて前記被処理体の被処理面を処理する表面処理治具と、
前記表面処理治具に処理液を供給する供給手段と、
前記表面処理治具に供給された処理液を回収する回収手段と、
前記表面処理治具を前記被処理面と離間した状態に維持する離間維持手段と、を 含み、
前記表面処理治具は、前記被処理面に対向する対向面を有し、該対向面と該被 処理面との間に前記供給手段から供給された処理液を保持して被処理面を処理す る処理部を備えることを特徴とする処理装置。
[2] 前記処理部は、前記対向面から前記被処理体に向かって突出する突出部を備え、 該突出部と前記被処理面との間における処理液の表面張力により、供給された処理 液を前記対向面と前記被処理面との間に保持することを特徴とする請求の範囲第 1 項に記載の処理装置。
[3] 前記突出部の、前記被処理面と対向する面は平面であり、前記離間維持手段によ り該突出部と該被処理面との距離力 3mm以下に維持されることを特徴とする請求 の範囲第 2項に記載の処理装置。
[4] 処理後の被処理面を乾燥させる乾燥手段を備えることを特徴とする請求の範囲第 1 項な!/、し第 3項の!/、ずれか 1項に記載の処理装置。
[5] 前記乾燥手段は、前記被処理面に向かって不活性ガスを供給する不活性ガス供 給手段であることを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の処理装置。
[6] 前記乾燥手段は、前記被処理面に残った処理液を吸引する吸引手段であることを 特徴とする請求の範囲第 4項に記載の処理装置。
[7] 前記吸引手段は、前記表面処理治具を用いて行なわれ、前記供給手段からの処 理液の供給が停止した状態で、前記回収手段により前記被処理面に残った処理液 を吸引することにより行われることを特徴とする請求の範囲第 6項に記載の処理装置
[8] 前記対向面の面積は、前記被処理面の面積と比して小さいことを特徴とする請求 の範囲第 1項ないし第 7項のいずれ力、 1項に記載の処理装置。
[9] 前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体に対して移動させることを特徴と する請求の範囲第 1項ないし第 8項のいずれか 1項に記載の処理装置。
[10] 前記離間維持手段は、表面処理治具を被処理体の略中心から外縁に向かって移 動させることを特徴とする請求の範囲第 9項に記載の処理装置。
[11] 前記載置台は、載置された被処理体を回転させることを特徴とする請求の範囲第 1 項ないし第 10項のいずれか 1項に記載の処理装置。
[12] 被処理体の被処理面を処理液にて処理するのに用いられる表面処理治具であつ て、
被処理面に対して離間して維持された際に、上記被処理面に対向する対向面を有 し、該対向面と前記被処理面との間に供給された処理液を保持して被処理面を処理 する処理部を備えることを特徴とする表面処理治具。
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