WO2008050852A1

WO2008050852A1 - Film photocatalyseur mince à base d'oxyde de tungstène

Info

Publication number: WO2008050852A1
Application number: PCT/JP2007/070880
Authority: WO
Inventors: Yoshinori Iwabuchi; Masato Yoshikawa; Yuzo Shigesato; Mizuki Fukuyama
Original assignee: Bridgestone Corporation
Priority date: 2006-10-27
Filing date: 2007-10-26
Publication date: 2008-05-02
Also published as: JP5194427B2; JP2008106342A

Description

明細書

光触媒酸化タングステン薄膜

発明の分野

[0001] 本発明は、酸化タングステン (WO )薄膜に係り、特に、ガスフロースパッタリングに

3

よる高速成膜で形成された可視光応答光触媒機能を有する酸化タングステン薄膜に関する。

発明の背景

[0002] 酸化タングステンは優れた光触媒材料であり、その有機物分解機能や超親水性などの機能により、脱臭、水浄化、防汚、セルフクリーニング（自己浄化）、抗菌、抗ウイノレス、抗カビ、殺菌など様々な分野への適用が試みられている。特に結晶性の酸化タングステンは可視光にて触媒活性を示す可視光応答性を有することから、屋外のみならず屋内での使用につレ、ても期待される。

[0003] 酸化タングステンを光触媒材料に適用する場合、単独で使用されることは稀であり、通常は何らかの基材表面に薄膜状に固定化されて使用される。この際、スパッタリングは、あらゆる基材表面に密着力良く酸化タングステン薄膜を形成することが可能である等の特長を有し、酸化タングステン薄膜の形成方法として優れて!/、る。

[0004] しかしながら、通常のスパッタリング（DCマグネトロンスパッタリング）で、 Wターゲットを用い、酸素を導入しながら行う反応性スパッタリングにおいて透明な酸化タンダステン薄膜を形成するには、いわゆる酸化物モードでの成膜となり、成膜速度が lOnm /min程度と極めて低速な成膜となってしまう。このような低速の成膜速度では工業的に使用に耐えるものではなレ、。

[0005] また、従来のスパッタリングでは成膜速度が遅!/、こと以外に、基板を 600°C程度あるいはそれ以上に加熱しながら成膜した場合にのみ可視光応答性を示し、低温で成膜した後に後焼成をした場合には可視光応答性を示さないことも、製造方法に制限がかかる点で問題である。

[0006] このように、通常のスパッタリングによる酸化タングステン薄膜の形成では、成膜速度が遅レ、；基板を 600°C程度あるいはそれ以上に加熱しながら成膜した場合にのみ可視光応答性を示し、低温で成膜した後に後焼成をした場合には可視光応答性を示さない；といった欠点がある力更に、通常のスパッタリングでは、真空チャンバ一内を高真空状態に排気するために大掛力、りな排気装置や高機能の制御機器が必要となるため、高額な設備を必要とするという欠点もある。

[0007] このような通常のスパッタリングに対して、ガスフロースパッタリングが知られており、本出願人は先に、ガスフロースパッタリングを、固体高分子型燃料電池用電極の触媒層や、色素増感型太陽電池用半導体電極層の形成に応用する技術を提案している（下記特許文献 1 , 2)。

[0008] ガスフロースパッタリングは、比較的高い圧力下でスパッタリングを行い、スパッタ粒子を Ar等のガスの強制流により成膜対象基材まで輸送して堆積させる方法である。このガスフロースパッタリングは高真空排気が不要であることから、従来の通常のスパッタリングのような大掛力、りな排気装置を用いることなぐメカニカルなポンプ排気で成膜することが可能であり、従って安価な設備で実施できる。しかも、ガスフロースパッタリングは、通常のスパッタリングの 10〜； 1000倍の高速成膜が可能である。更に、ターゲット背面に磁石を必要としないために、ターゲット背面に磁石を必要とする通常のスパッタリングではターゲットの利用効率が 20〜30%程度であるのに対して、ガスフロースパッタリングではターゲットの利用効率が 90%以上と非常に高い。従って、ガスフロースパッタリングによれば、設備費の低減、成膜時間の短縮、ターゲット利用効率の向上により、成膜コストを大幅に低減することが可能となる。

特許文献 1：特開 2006— 130378号

特許文献 2：特開 2006— 134602号

[0009] 前述の如ぐ光触媒材料としての酸化タングステン薄膜の成膜に当たり、従来採用されて!/、るスパッタリングでは、成膜速度が遅!/、；基板を 600°C程度あるいはそれ以上に加熱しながら成膜した場合にのみ可視光応答性を示し、低温で成膜した後に後焼成をした場合には可視光応答性を示さない；高額な設備を必要とし、ターゲットの利用効率も悪ぐ成膜コストが高くつく；といった欠点があり、従来、高速成膜にて光触媒活性を有する酸化タングステン薄膜を安価に製造する方法は提供されていなかつた。発明の概要

[0010] 本発明は、高速成膜にて安価に成膜された光触媒酸化タングステン薄膜を提供することを目白勺とする。

[0011] 本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、ガスフロースパッタリングを採用することにより、酸化タングステン薄膜を高速成膜にて安価に成膜することができること、更には基板を加熱しながら成膜する場合と成膜された酸化タングステン薄膜を後焼成する場合のいずれにおいても、優れた可視光応答光触媒活性を有する酸化タングステン薄膜を得ることができることを見出し、本発明を完成させた。

[0012] 即ち、本発明は以下を要旨とする。

[0013] 第 1態様の酸化タングステン薄膜は、ガスフロースパッタリングにより成膜されてなることを特 ί毁とするものである。

[0014] 第 2態様の酸化タングステン薄膜は、第 1態様において、ターゲットとして金属タンダステンを用い、酸素ガスを導入する反応性スパッタリングで成膜されてなることを特 ί毁とするあのである。

[0015] 第 3態様の酸化タングステン薄膜は、第 1又は 2態様において、加熱基材上に成膜され、ァズデポジッシヨンで光触媒活性を示すことを特徴とするものである。

[0016] 第 4態様の酸化タングステン薄膜は、第 3態様にお!/、て、基材として、ガラス板、金属板、金属箔又はセラミックス板を用いたことを特徴とするものである。

[0017] 第 5態様の酸化タングステン薄膜は、第 1ないし 4のいずれ力、 1態様において、ガスフロースパッタリングにおける成膜圧力力 ¾〜200Paであることを特徴とするものであ

[0018] 第 6態様の酸化タングステン薄膜は、第 1ないし 5のいずれ力、 1態様において、アルゴンガスと酸素ガスとを別々に導入するガスフロースパッタリングにより成膜されてなることを特 ί毁とするものである。

[0019] 第 7態様の酸化タングステン薄膜は、第 1ないし 6のいずれ力、 1態様において、矩形ターゲットを向き合わせる形に配置した力ソード構造を有するガスフロースパッタリング装置で成膜されてなることを特徴とするものである。

[0020] 第 8態様の酸化タングステン薄膜は、第 1ないし 7のいずれ力、 1態様において、ガスフロースパッタリングにより 100nm/min以上の成膜速度で成膜されてなることを特 ί毁とするあのである。

[0021] 第 9態様の酸化タングステン薄膜は、第 1ないし 8のいずれ力、 1態様において、ガスフロースパッタリングによる成膜後、焼成されてなることを特徴とするものである。

[0022] 第 10態様の酸化タングステン薄膜は、第 9態様において、焼成条件が 400〜900 °Cであることを特徴とするものである。

図面の簡単な説明

[0023] [図 1]図 laは、本発明の実施に好適なガスフロースパッタリング装置の概略的な構成を示す模式図であり、図 lbは、図 laのターゲット及びバックプレート構成を示す斜視図である。

[図 2]図 2は比較例 1で成膜された酸化タングステン薄膜のァセトアルデヒド分解活性の測定結果を示す図である。

[図 3]図 3は比較例 2で成膜された酸化タングステン薄膜のァセトアルデヒド分解活性の測定結果を示す図である。

[図 4]図 4は実施例 1で成膜された酸化タングステン薄膜のァセトアルデヒド分解活性の測定結果を示す図である。

[図 5]図 5は実施例 2で成膜された酸化タングステン薄膜のァセトアルデヒド分解活性の測定結果を示す図である。

[図 6]図 6は比較例 1 , 2及び実施例 1 , 2で成膜された酸化タングステン薄膜のァセトアルデヒド分解活性の測定結果の総てを載せた図である。

詳細な説明

[0024] ガスフロースパッタリングは、比較的高い圧力下でスパッタリングを行い、スパッタ粒子をガスの強制流により成膜対象基板まで輸送して堆積させる方法である。このガスフロースパッタリングは、高真空排気が不要であることから、従来の通常のスパッタリングのような大掛力、りな排気装置を用いることなぐメカニカルなポンプ排気で成膜することが可能であり、従って、安価な設備で実施できる。しかも、ガスフロースパッタリングは、通常のスパッタリングの 10〜； 1000倍の高速成膜が可能である上に、ターグットの利用効率も高い。従って、本発明によれば、ガスフロースパッタリングを採用することによる設備費の低減、成膜時間の短縮、成膜効率の向上により、酸化タンダステン薄膜を安価に成膜することが可能となる。しかも、ガスフロースパッタリングでは、 DCマグネトロンスパッタリングと異なり、ターゲットの背面に磁石を必要としない。従つて、ターゲットの利用効率が 90%以上と非常に高ぐ低コスト化に有利である。（DC

しかも、ガスフロースパッタリングであれば、基材加熱を行う場合の他に、基板を加熱せずに成膜した後に焼成を行う場合であっても、光触媒活性の高!/、酸化タンダステン薄膜を成膜することができる。また、成膜された酸化タングステン薄膜の基材に対する密着性も良好であるため、高品質の酸化タングステン薄膜を製造することができる。

[0025] なお、本発明による効果が得られる作用機構の詳細は次の通りである。

[0026] 通常のスパッタリング法では、 Wターゲットを用いて酸化タングステンを成膜する際に、酸素をある程度導入した時点でターゲット表面が酸化されて、成膜される薄膜は透明な酸化タングステン薄膜となるが、成膜速度も非常に遅くなつてしまう。一方で、ガスフロースパッタリングでは圧力が 2桁程度高ぐターゲット表面をアルゴンガスの強制流が流れ、ターゲット表面に酸素ガスが拡散してくるのを防ぎ、ターゲット表面を酸化させることなく常にフレッシュなメタル状態に維持しつつスパッタリングし、スパッタ粒子をアルゴンの強制流にて基板上まで輸送し、基板上で酸素ガスにより酸化させることが可能である。これにより十分な酸素を導入しても通常のスパッタリングのように酸化物モードになって成膜速度が低下することはなぐ酸化タングステン薄膜の高速成膜が可能となる。高速成膜のレベルとしては、通常の DCマグネトロンスパッタリング法を用いた場合と比較して、酸化タングステン薄膜の密度が同一でないことや成膜圧力などの条件により成膜速度が変化するために単純に比較することはできない力同一電力密度を印加した場合には 20倍以上の成膜速度が得られる。例えば 4W /cm²の電力印加にて、 DCマグネトロンスパッタリング法では約 9nm/min、ガスフロースパッタリングでは約 200nm/minの成膜速度が可能である。

[0027] また、導入する酸素量やその他の条件により触媒活性の高さが異なる力ガスフロ一スパッタリングでは酸素導入量により急激に成膜速度が低下するなどのモードの変化もなく、良好な光触媒活性を有する条件を容易に見つけ出すことができる。酸素導入量が多いほど光触媒活性は高い傾向にある力 S、極度の酸素導入量増大はターグット表面でのアーキングを誘発するため、これらの問題が生じない範囲で酸素流量は適宜変更することができる。

[0028] このようにガスフロースパッタ法では可視光応答光触媒活性を有する酸化タンダステンの高速成膜ができることが特徴である力更にはガスフロースパッタ法にて作製した酸化タングステン薄膜は、基板加熱によるァズテポ結晶化以外に、後焼成による結晶化プロセスであっても良好な可視光応答光触媒活性を示すという発明を得た。この理由につ!/、ては現在明らかとなつて!/、な!/、が、ガスフロースパッタ成膜された酸化タングステン薄膜には、後の焼成プロセスで結晶の核となるためのナノ結晶が形成されて!/、る可能性が考えられる。

[0029] 以下に本発明の酸化タングステン薄膜の実施の形態を詳細に説明する。

[0030] まず、図 la, lbを参照して、本発明で採用するガスフロースパッタリングによる成膜方法について説明する。

[0031] 図 laは、本発明の実施に好適なガスフロースパッタリング装置の概略的な構成を示す模式図であり、図 lbは、図 laのターゲット及びバックプレート構成を示す斜視図である。

[0032] ガスフロースパッタリング装置では、スパッタガス導入口 11からチャンバ一 20内にアルゴン等の希ガス等を導入し、 DC電源等の電源 12に接続されたアノード 13及び力ソードとなるターゲット 15間での放電で発生したプラズマによりターゲット 15をスパッタリングし、はじき飛ばされたスパッタ粒子をアルゴン等の希ガス等の強制流にて基板 16まで輸送し堆積させる。なお、図示例において、基板 16はホルダー 17に支持されており、基板 16の近傍には反応性ガスの導入口 18が配置されており、反応性スパッタリングリングを行うことが可能である。 14は水冷バッキングプレートである。

[0033] 本発明においては、このようなガスフロースパッタリング装置を用いて、酸化タンダステン薄膜を成膜する。

[0034] ガスフロースパッタリングによる酸化タングステン薄膜の成膜は、金属 Wをターゲットとし、酸素ガスを導入しながら行う反応性スパッタリングにより行う。 [0035] 用いるターゲットの形状には特に制限はなぐ円筒形のターゲットや矩形板状のタ一ゲットなど任意の形状のターゲットを用いることができる力加工費が安いことから、矩形板状のターゲットを用い、これらを図 1のように向かレ、合わせた方式とすることが好ましい。また、ガスフロースパッタリングは、図 1に示す如ぐ酸素ガスとアルゴンガスとを別々に導入して行うことが高速成膜及び安定放電の点で好ましぐまた、この方式では、基材を搬送しながら連続的に成膜したり、シート状基材を一方のロールから送り出して他方のロールに巻き取るようにして成膜して、ターゲット長さを長くすることで容易に成膜効率を高めることができる。

[0036] 基材としては耐熱性基材が用いられ、例えば、ガラス板、金属板、金属箔、又はセラミックス板等を用いることができる。ここで、金属板、金属箔の金属としては、 Al, Cu , Au, Fe, Ni等、或いはこれらを含む合金（例えば SUS)等が挙げられる。また、セラミックスとしてはジルコユア、アルミナ、イットリア、炭化珪素、窒化珪素等が挙げられ

[0037] 成膜時に基材加熱を行うことにより、成膜される薄膜が結晶性薄膜になる。ここで、加熱温度は 400〜900°Cであることが好ましぐ特に 500〜800°Cであることが好ましい。 400°C未満であると十分に結晶化されない。 900°Cより高いと、使用可能な基板が制限される、加熱機構が高コストなものが必要になる等の問題が生じる。

[0038] 成膜時に基材加熱を行わず、非加熱基材で成膜した薄膜は、ァズデポジッシヨンの状態（薄膜に対して後焼成などの後処理を施さない、成膜直後の状態）において、アモルファス薄膜である。この非加熱基材で成膜した薄膜を焼成することにより、結晶性薄膜になる。この焼成条件としては、焼成温度が 400〜900°C特に 500〜800 °Cであることが好ましい。 400°C未満であると十分に結晶化されない。 900°Cより高いと、使用可能な基板が制限される、加熱機構が高コストなものが必要になる等の問題が生じる。

[0039] なお、成膜に用いる基材には、必要に応じて珪素（Si)の酸化物、窒化物、酸窒化物等の下地層を形成しても良い。

[0040] ガスフロースパッタリング時の成膜圧力は、高過ぎると成膜速度が低下し、またァークが起きやすく不安定になり、低過ぎると放電電圧が高くなり、放電維持が困難であること力、ら、 5〜200Pa、特に 10〜； 120Paであることカ好ましい。

[0041] その他のガスフロースパッタリング条件、例えば酸素ガス流量やアルゴンガス流量、投入電力、ターゲット基材間距離等は装置型式により異なるため、一概に数値を挙げることはできないが、図 1のような型式の装置であれば、通常

電力密度：;!〜 25W/cm²

アルゴンガス流量：0. 5—30SLM

酸素ガス流量： 5〜 120sccm

ターゲット基材間距離： 5〜； 15cm

と!/、つた条件を採用することができる。

[0042] ここで、高!/、成膜速度と放電安定性、形成される酸化タングステン薄膜の光触媒活性に応じて、これらの条件を設定する。

[0043] 本発明によれば成膜速度 100nm/min以上の高速成膜が可能である。なお、ここで成膜速度とは 1分間に成長する膜の厚みの値である。

[0044] このようにして得られる酸化タングステン薄膜は、基材無加熱成膜後に焼成した状態で、後述の実施例の項に挙げたァセトアルデヒドの分解活性評価試験において、 120分の可視光照射で lOppm以上好ましくは 15ppm以上の濃度低下となるような触媒活性を示す。

[0045] また、基板加熱成膜後の状態で、実施例の項に挙げたァセトアルデヒドの分解活性評価試験において、 120分の可視光照射で 15ppm以上好ましくは 20ppm以上の濃度低下となるような触媒活性を示す。

[0046] また、前述の如ぐガスフロースパッタリング成膜によれば、酸素欠陥が極めて少ない、化学量論比に近い酸化タングステンが形成可能であることから、本発明によれば、 WOで Xが 3又は 3に近い酸化タングステン薄膜を成膜することができる。

[0047] このような本発明の光触媒酸化タングステン薄膜は、その優れた光触媒活性に基く有機物分解や超親水性などの機能により、脱臭、水浄化、防汚、セルフクリーニング (自己浄化）、抗菌、抗ウィルス、抗カビ、殺菌など様々な分野への適用が可能である

〇

実施例 [0048] 以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えなレ、限り以下の実施例に限定されるものではなレ、。

[0049] なお、以下の実施例及び比較例では、成膜された酸化タングステン薄膜の光触媒活性を、ァセトアルデヒドの分解活性を調べることにより評価した力これは、次の理由による。即ち、光触媒の機能として親水性の評価も広く行われている力ァセトアルデヒドを分解できない程度の光触媒活性の低い試料であっても、可視光照射により接触角 5度以下の超親水を示す場合があるため、より高い光触媒活性が必要なァセトアルデヒドの分解活性を以下の方法で調べることにより、光触媒活性を評価した。

[0050] [ァセトアルデヒドの分解活性評価法]

密閉された容積 400ccの石英ガラス容器中に 5cm角のアルカリフリーガラス基板上に垂直投影面積で 25cm²の面積に成膜された酸化タングステン薄膜を設置し、石英ガラス容器に濃度約 60ppmとなるようにァセトアルデヒドを充填し、可視光を照射する前に 1時間ほど喑所に設置し、ァセトアルデヒド濃度の変化を計測して内容物の漏れが無いことを確認する。その後、可視光を照射し、照射時間に対するァセトアルデヒド濃度の変化を計測した。なお、可視光照射には中心波長 450nmのキセノンランプ（HAYASHI社製「： LA— 250Xeキセノンランプ」）を用いて 1 · OmW/cm²の光強度でサンプルに照射し、ァセトアルデヒド濃度は、容器内の気相をマイクロシリンジで lml抜き取り、ガスクロマトグラフィー（島津製作所製「GC— 14B」 )を用いて計測した

〇

[0051] 説明の便宜上まず、比較例を挙げる。

[0052] 比較例 1

通常の DCマグネトロンパルススパッタ装置を用い、真空チャンバ一に、基板としてアルカリフリーガラスをセットし、荒引きポンプ（ロータリーポンプ +メカニカルブースタ一ポンプ）で 1 X 10_ &まで排気した後、ターボ分子ポンプで 5 X 10_⁴Paまで排気し、次!、で以下の条件で酸化物モードでの酸化タングステン薄膜の成膜を行った。

[0053] ·ターゲット： φ 75mmの金属タングステン

•力ソード形状：円形マグネトロン、基板と平行に対面して設置

•基板位置：ターゲットと基板との距離 100mm 成膜圧力： 5Pa

基板の加熱温度： 600°C

酸素ガス流量： lOOsccm

Arガス流量： Osccm

投入電力： 180W

投入電力密度： 4W/cm²

fikJ旲度： 9nm/ min

膜厚： 500應

[0054] 形成された酸化タングステン薄膜のァセトアルデヒドの分解活性評価結果を図 2に示した。

[0055] 図 2より、形成された酸化タングステン薄膜はァセトアルデヒドの分解活性を示すものの、成膜速度は 9nm/minと超低速であった。

[0056] 比較例 2

基板加熱を行わないこと以外は比較例 1と同様にして酸化タングステン薄膜を成膜し、その後 600°Cで 1時間の後焼成を行った。

[0057] 形成された酸化タングステン薄膜のァセトアルデヒドの分解活性評価結果を図 3に示した。図 3より、形成された酸化タングステン薄膜はァセトアルデヒドの分解活性を示さないことが確認された。

[0058] 実施例 1

図 1に示すガスフロースパッタ装置を用い、チャンバ一内に、基板としてアルカリフリ一ガラスをセットし、荒引きポンプ（ロータリーポンプ +メカニカルブースターポンプ）で 1 X lO—ipaまで排気した後、以下の条件で酸化タングステン薄膜を成膜した。

[0059] 'ターゲット： 80mm X 160mm X 6mmの Wターゲット

•力ソード形状：平行平板対向型（上記ターゲットを 2枚使用、距離 30mm) •基板位置：カソード端部と基材間距離 105mm

基板加熱温度： 600°C

成膜圧力： 70Pa

酸素ガス（反応性ガス）流量： 50sccm Arガス（強制流）流量： 5SLM

投入電力： 1. OkW

投入電力密度： 3. 9W/cm²

成膜速度： 220nm/min

膜厚： 500應

[0060] 形成された酸化タングステン薄膜のァセトアルデヒドの分解活性評価結果を図 4に示した。図 4より、形成された酸化タングステン薄膜は 220nm/minと超高速成膜な力 ¾ァセトアルデヒドの分解活性を示すことが確認された。

[0061] 実施例 2

基板加熱を行わなかった以外は実施例 1と同様にして酸化タングステン薄膜を成膜した。その後、この酸化タングステン薄膜を大気中 600°Cで 1時間焼成した。

[0062] 形成された酸化タングステン薄膜のァセトアルデヒドの分解活性評価結果を図 5に示した。図 5より、形成された酸化タングステン薄膜はァセトアルデヒドの分解活性を示すことが確認された。

[0063] 比較例 1 , 2及び実施例 1 , 2の結果（図 2〜図 4)をまとめたものを図 6に示した。これらの結果から、ガスフロースパッタリング法による光触媒酸化タングステン薄膜の形成について、酸化タングステンの高速成膜が可能であり、また、成膜された酸化タンダステン薄膜は、基板加熱成膜あるいは後焼成の!/、ずれの方法によっても優れた可視光応答光触媒活性 (ァセトアルデヒドの分解活性)を有することが明らかとなった。ガスフロースパッタ法が安価な設備で構成できることや、成膜速度が早い事、ターグット利用効率が高いことから低コストに光触媒薄膜を作製することが可能であり、また WOは TiOにはない可視光応答性を有することから屋内使用などにも有望である。

Claims

請求の範囲

[1] ガスフロースパッタリングにより成膜されてなることを特徴とする酸化タングステン薄膜。

[2] 請求項 1において、ターゲットとして金属タングステンを用い、酸素ガスを導入する反応性スパッタリングで成膜されてなることを特徴とする酸化タングステン薄膜。

[3] 請求項 1にお!/、て、加熱基材上に成膜され、ァズデポジッシヨンで光触媒活性を示すことを特徴とする酸化タングステン薄膜。

[4] 請求項 3において、基材として、ガラス板、金属板、金属箔又はセラミックス板を用

V、たことを特徴とする酸化タングステン薄膜。

[5] 請求項 1において、ガスフロースパッタリングにおける成膜圧力が 5〜200Paであることを特徴とする酸化タングステン薄膜。

[6] 請求項 1にお!/、て、アルゴンガスと酸素ガスとを別々に導入するガスフロースパッタリングにより成膜されてなることを特徴とする酸化タングステン薄膜。

[7] 請求項 1にお!/、て、矩形ターゲットを向き合わせる形に配置した力ソード構造を有するガスフロースパッタリング装置で成膜されてなることを特徴とする酸化タンダステン薄膜。

[8] 請求項 1において、ガスフロースパッタリングにより 100nm/min以上の成膜速度で成膜されてなることを特徴とする酸化タングステン薄膜。

[9] 請求項 1において、ガスフロースパッタリングによる成膜後、焼成されてなることを特徴とする酸化タングステン薄膜。

[10] 請求項 9において、焼成条件が 400〜900°Cであることを特徴とする酸化タンダステン薄膜。