WO2008015912A1 - Appareil de traitement de substrat, programme, support d'enregistrement et procédé de détermination de la nécessité de conditionnement - Google Patents

Appareil de traitement de substrat, programme, support d'enregistrement et procédé de détermination de la nécessité de conditionnement Download PDF

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Definitions

  • Substrate processing apparatus program, storage medium, and conditioning necessity determination method
  • the present invention relates to a substrate processing apparatus that performs processing such as film formation on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer, a program that can be used when conditioning the chamber, a storage medium that stores the program, and The present invention relates to a method for determining the necessity of conditioning.
  • a thin film is formed by depositing metal compounds.
  • tungsten film deposition process using WF gas as a tungsten-containing gas.
  • SiH gas, Si H gas, B H gas as the reducing gas in the initial tungsten film formation process
  • the reducing gas in the initial tungsten film forming step is changed to SiH gas, Si in accordance with the required film characteristics.
  • Different types of processes are executed continuously in one deposition chamber. As described above, when different processes are continuously performed in one chamber of a film forming apparatus, the residual gas used in the preceding process and the deposits deposited in the chamber adversely affect the subsequent process. Therefore, it is preferable to perform tallying between the preceding process and the succeeding process.
  • a pre-coating process that deposits a thin film in the chamber is performed for the purpose of aligning the processing conditions for the first wafer and the second and subsequent wafers.
  • the process of improving the environment in the chamber including such cleaning and pre-coating is called conditioning process, and the conditioning process executed between the preceding process and the succeeding process is called inter-process conditioning.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can accurately determine whether or not to perform inter-process conditioning when different processes are performed in the same chamber.
  • Still another object of the present invention is to provide a conditioning necessity determination method that can accurately determine whether or not to perform such inter-process conditioning.
  • a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate to be processed.
  • a gas supply mechanism for supplying a processing gas and a cleaning gas; an exhaust mechanism for exhausting the interior of the chamber; and a control section for controlling a process in the chamber.
  • a substrate processing apparatus controls to perform a process including a step of performing an inter-process conditioning process prior to the second process.
  • the information on the first process and the information on the second process may include a process group number assigned in advance for each similar process group based on each process type. can do. In this case, whether or not to perform the inter-process conditioning process can be determined by referring to the table defined for the necessity of the inter-process conditioning process based on the process group number.
  • the inter-process conditioning process includes a cleaning process for cleaning the inside of the chamber using a cleaning gas, and a pre-coating process for depositing a predetermined film in the chamber after the cleaning. can do.
  • the contents of the cleaning process and the precoat process can be determined based on the second process.
  • Examples of the predetermined process include a film forming process for forming a thin film on a substrate to be processed.
  • a program that operates on a computer and controls a substrate processing apparatus, which is executed in advance in a chamber of the substrate processing apparatus at the time of execution. Obtaining information on the first process, obtaining information on a subsequent second process to be performed in the chamber after the first process, information on the first process, and Determining whether or not to perform an inter-process conditioning process for adjusting the environment in the chamber between the first process and the second process based on the information of the second process.
  • a program for causing a computer to control the substrate processing apparatus is provided so that processing can be performed.
  • a storage medium that stores a program that operates on a computer and controls a substrate processing apparatus. Obtaining information of a first process performed in advance in the chamber of the apparatus, and obtaining information of a subsequent second process to be performed in the chamber after the first process. Whether or not to perform an inter-process conditioning process for preparing an environment in the chamber between the first process and the second process based on the step and the information on the first process and the information on the second process A storage medium is provided that causes a computer to control the substrate processing apparatus such that a process including:
  • whether or not the inter-process conditioning process is performed is determined based on a process group number assigned in advance for each similar process group based on the type of each process. Thus, it can be determined by referring to a table defined as to whether or not the inter-process conditioning processing is necessary.
  • a method for determining the necessity of conditioning comprising: storing in a storage unit information on a first film formation process performed in advance in the chamber;
  • the step of acquiring information on the first film formation process, and the content of a subsequent second film formation process scheduled to be performed in the chamber after the first film formation process Obtaining information on the second film formation process from a process recipe;
  • the inter-conditioning process is performed between the first film forming process and the second film forming process. Determining whether or not,
  • the method for determining the necessity of conditioning is provided.
  • the inter-process conditioning process is necessary or not!
  • it is determined by referring to a defined table.
  • a fifth aspect of the present invention is a conditioning necessity determination method for determining whether or not to perform a conditioning process for adjusting an environment in the chamber in the chamber of the substrate processing apparatus,
  • the content of the inter-process conditioning is determined according to the second film forming process. Further, in the step of determining whether or not the number of processed substrates or the accumulated film thickness of the substrate to be processed in the first film formation process performed in the chamber reaches the set value. Then, when the number of processed sheets or the film thickness reaches the set value, the number of sheets determined according to the first film formation process is one of the conditions based on the Z film thickness. Only the department can be implemented. In this case, the conditioning based on the above-described number of sheets Z film thickness determined according to the first film formation process can be configured such that a cleaning process and a precoat process can be performed. In this configuration, only the cleaning process is performed, and the precoat process is not performed.
  • Whether or not to perform the inter-process conditioning processing is determined based on the process group number assigned in advance for each similar process group based on the type of each process. Based on the necessity of the inter-process conditioning process, it is preferable that the determination is made by referring to the specified table.
  • the subsequent process can be performed in a state where the inside of the chamber of the substrate processing apparatus is maintained in an optimum condition. Since it is possible to automatically determine the necessity of inter-condition conditioning according to the type of the preceding process and the succeeding process, the workload of the process manager can be reduced and adverse effects on the succeeding process due to misjudgment can be avoided as much as possible. This can improve the reliability of the film formation process.
  • the inter-process conditioning is automatically judged as "not necessary”. Unnecessary inter-process conditioning is avoided and throughput can be improved.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a multi-chamber one-type film forming system capable of performing the method of the present invention.
  • FIG. 2 is a drawing for explaining a control system in a film forming system.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a film forming apparatus.
  • FIG. 4A is a diagram showing gas switching timing in a film forming process.
  • FIG. 4B is a diagram showing gas switching timing in the film forming process.
  • FIG. 5 is a flowchart showing an outline of a processing procedure in the conditioning necessity determination method according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the outline of the inter-process conditioning table.
  • FIG. 7 is a flowchart showing an outline of a processing procedure in a conditioning necessity determination method that works according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a process diagram showing the procedure for inter-wafer conditioning.
  • FIG. 9 is a process diagram showing the procedure when inter-wafer conditioning and inter-process conditioning are performed in duplicate.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a multi-chamber one-type film forming system according to an embodiment of the present invention.
  • this film forming system 100 has a total of four film forming apparatuses (PM) 1, 2, 3, 4 for forming, for example, a tungsten film on a wafer W. These film forming apparatuses 1, 2, 3, and 4 are provided corresponding to the four sides of the wafer transfer chamber (TM) 5 having a hexagonal shape. Each of the film forming apparatuses 1 to 4 has the same structure. Load lock chambers (LLM) 6 and 7 are provided on the other two sides of the wafer transfer chamber 5, respectively.
  • PM film forming apparatuses
  • TM wafer transfer chamber
  • LLM Load lock chambers
  • a wafer loading / unloading chamber 8 is provided on the opposite side of the load lock chambers 6 and 7 to the wafer transfer chamber 5, and a wafer W can be accommodated on the opposite side of the load lock chambers 6 and 7 of the wafer loading / unloading chamber 8.
  • Ports 9, 10 and 11 are provided for attaching three FOUP F.
  • the film forming apparatuses 1 to 4 and the load lock chambers 6 and 7 are connected to the respective sides of the wafer transfer chamber 5 through gate valves G, and these gate valves G are opened. By doing so, it communicates with the wafer transfer chamber 5 and is closed from the wafer transfer chamber 5 by closing each gate valve G.
  • a gate valve G is provided at a portion of the load lock chambers 6 and 7 connected to the wafer loading / unloading chamber 8, and the load lock chambers 6 and 7 are opened and closed by opening the gate valve G. It communicates with the chamber 8 and is shut off from the wafer loading / unloading chamber 8 by closing these.
  • a wafer transfer device 12 that loads and unloads the wafer W, which is the object to be processed, with respect to the film forming apparatuses 1 to 4 and the load lock chambers 6 and 7 is provided. Yes.
  • This wafer transfer device 12 is arranged at the approximate center of the wafer transfer chamber 5 and has two blades 14a and 14b that hold the wafer W at the tip of the extendable portion 13 and that can rotate and expand and contract.
  • the two blades 14a and 14b are attached to the rotating / extending / contracting portion 13 so as to face opposite directions.
  • the inside of the wafer transfer chamber 5 is maintained at a predetermined degree of vacuum.
  • a HEPA filter (not shown) is provided in the ceiling of the wafer loading / unloading chamber 8, and clean air that has passed through the HEPA filter is supplied into the wafer loading / unloading chamber 8 in a down-flow state.
  • the wafer W is loaded and unloaded in a clean air atmosphere at atmospheric pressure.
  • shutters (not shown) are provided in the three ports 9, 10 and 11 for attaching the hoop F of the wafer loading / unloading chamber 8, and the wafer W is accommodated in these ports 9, 10 and 11, respectively.
  • the attached hoop F or the empty hoop F is directly attached, and when it is attached, the shirt detaches and communicates with the wafer loading / unloading chamber 8 while preventing the outside air from entering.
  • an alignment chamber 15 is provided on the side surface of the wafer carry-in / out chamber 8 where wafer W is aligned.
  • a wafer transfer device 16 for loading / unloading the wafer W into / from the FOUP F and loading / unloading the wafer W into / from the load lock chambers 6, 7 is provided.
  • This wafer transfer device 16 has an articulated arm structure, can travel on the rail 18 along the direction in which the hoops F are arranged, and carries the wafer W on the hand 17 at the tip thereof. Is supposed to do.
  • one wafer W is transferred from any of the FOUPs F by the wafer transfer device 16 in the wafer loading / unloading chamber 8 held in a clean air atmosphere at atmospheric pressure.
  • the wafer W is taken out and loaded into the alignment chamber 15, and the wafer W is aligned.
  • the wafer w is loaded into one of the load lock chambers 6 and 7, and the load lock chamber is evacuated.
  • the wafer W in the load lock chamber 12 is taken out by the wafer transfer device 12 in the wafer transfer chamber 5, , W is charged into any of the film forming apparatuses 1 to 4.
  • a film forming process such as a tungsten film is performed in any one of the film forming apparatuses 1 to 4.
  • the wafer W after film formation is carried into one of the load lock chambers 6 and 7 by the wafer conveyance device 12 and returned to atmospheric pressure, and then loaded by the wafer conveyance device 16 in the wafer carry-in / out chamber 8. Take out the wafer W in the lock chamber and place it in one of the hoops F. By performing such an operation on one lot of wafers W, one lot of processing is completed.
  • Control of the entire system in the film forming system 100 and control of process conditions and the like in the film forming apparatuses 1 to 4 are performed by the control unit 19.
  • Figure 2 shows an example of the configuration of the control system in the deposition system 100.
  • the control unit 19 includes a controller 101 having a CPU (computer), an interface (IZF) 102, and a storage unit 103.
  • the control unit 19 can exchange various signals and data among the end devices in the film forming system 100, such as the film forming apparatuses 1 to 4, the wafer transfer chamber 5, and the load lock chambers 6 and 7. Connected, Control them all over.
  • control unit 19 is also connected to a MES (Manufacturing Execution System) (not shown) that manages the manufacturing process of the entire factory where the film forming system 100 is installed via a LAN (Local Area Network) or the like.
  • the MES manages real-time information of each process performed in the film forming system 100 in cooperation with the control unit 19, and makes a determination regarding each process in consideration of the load of the entire factory.
  • Each end device is provided with a module controller (MC) as an individual control unit.
  • the module controllers la to 4a of the film forming apparatuses 1 to 4 include a memory 60 for storing process information including process histories performed by the film forming apparatuses 1 to 4 and the film forming apparatuses 1 to 4 respectively. And a number counter 61 for counting the number of wafers processed for each process.
  • the controller 101 of the control unit 19 is connected to the interface 102 and the storage unit 103 so that various signals and data can be exchanged.
  • the controller 101 sends control signals individually to the module controllers la to 7a of the end devices, thereby performing predetermined processing in each end device, for example, the film forming apparatuses 1 to 7 through the module controllers la to 7a. Within 4, control is performed so that the film forming process and the conditioning process are performed.
  • the controller 101 includes various process information stored in the memories 60 of the module controllers la to 4a individually provided in the film forming apparatuses 1 to 4 in the film forming system 100.
  • Information such as the process history, the process history, the number of wafers W processed (counted value) counted by the number counter 61 is received as a data signal, and for example, the above-described process is performed with reference to these data signals. Control is performed so that the film forming process and the conditioning process are appropriately performed in the film apparatuses 1 to 4.
  • the interface 102 includes a keyboard for a command input by a process manager to manage the film forming system 100, a display for visualizing and displaying the operating status of the film forming system 100, and the like.
  • the storage unit 103 stores a control program (software), processing condition data, and the like for realizing various processes executed by the film forming system 100 under the control of the controller 101.
  • Such recipes include, for example, a transfer recipe relating to the transfer destination and transfer order of the wafer W by the wafer transfer device 12 in the wafer transfer chamber 5, and a specific example for performing a film forming process in each of the film forming devices 1 to 4.
  • the storage unit 103 stores an inter-process conditioning table (FIG. 6) used when the controller 101 determines whether or not the inter-process conditioning related to each of the film forming apparatuses 1 to 4 is necessary as described later. Reference) is also saved.
  • an inter-process conditioning table FIG. 6
  • the control unit 19 configured as described above calls an arbitrary recipe, such as a transfer recipe, a process recipe, a prologue recipe, or an epilogue recipe, from the storage unit 103 as required by an instruction from the interface 102, etc.
  • an arbitrary recipe such as a transfer recipe, a process recipe, a prologue recipe, or an epilogue recipe
  • a desired process in the film forming system 100 is performed under the control of the controller 101.
  • Recipes such as the control program and processing condition data are stored in a computer-readable storage medium.
  • the storage medium include a hard disk, a CD-ROM, a flexible disk, and a semiconductor memory such as a flash memory.
  • the recipe may be appropriately transmitted from another apparatus via, for example, a dedicated line.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view when the film forming apparatus 1 is used in a tungsten film forming process.
  • the film forming apparatus 1 has an aluminum chamber 20 having, for example, a substantially cylindrical shape.
  • a shower head 21 for introducing, for example, various film forming gases and carrier gases is provided on the ceiling in the chamber 120.
  • a gas introduction part 22 is formed at the center of the shower head 21, and this gas introduction part 22 is connected to a gas supply part 24 via a gas supply pipe 23.
  • the gas supply unit 24 supplies a WF gas that is a raw material for forming a tungsten film, for example.
  • Gas supply source 25 SiH gas supply source 26 that supplies SiH gas as the reducing gas, BH
  • Each gas line 23a connected to each gas supply source is provided with a mass flow controller 32 between the open / close valves 31 and 31 so that the gas to be supplied can be switched and the flow rate can be controlled.
  • a large number of gas injection ports 33 are provided on the lower surface of the shower head 21, so that the film forming gas and the cleaning gas can also be injected toward the processing space S there.
  • a diffusion plate 35 having a plurality of diffusion holes 34 is provided in the space 21a inside the shower head 21, so that the diffusion of the gas introduced into the shower head 21 can be promoted.
  • a mounting table 36 for mounting the wafer W is provided in the chamber 20.
  • This mounting table 36 is installed on a cylindrical reflector 37 standing on the bottom of the chamber 20 via, for example, three L-shaped holding members 38 (only two are shown).
  • the Below the mounting table 36 a plurality of, for example, three L-shaped lifter pins 39 (only two are shown) are arranged upright. Each lifter pin 39 is inserted into a through hole (not shown) formed in the reflector 37 and supported by the ring member 40 at its base end.
  • the ring member 40 is connected to the elevating drive unit 42 via a connecting rod 41 that is provided through the bottom of the chamber 20.
  • each lifter pin 39 can be moved up and down freely with respect to the upper surface of the mounting table 36 through the through hole 36a formed in the mounting table 36.
  • It is configured as follows.
  • An expandable / contractible bellows 43 is provided around the connecting rod 41 that is provided in the through hole 20a at the bottom of the chamber 20 so that the inside of the chamber 20 can be kept airtight.
  • a plurality of exhaust ports 44 are provided at the peripheral edge portion of the bottom of the chamber 20.
  • Each exhaust port 44 is connected to a vacuum pump (not shown) via an exhaust pipe 45 so that the inside of the chamber can be evacuated to a predetermined degree of vacuum.
  • the side wall of the chamber 20 is provided with a transfer opening 20b through which weno and W pass when carrying in and out, and a gate valve G is provided in this transfer opening 20b.
  • a transmission window 46 made of a heat ray transmitting material such as quartz is airtightly provided through a seal member such as an O-ring (not shown).
  • a box-shaped heating chamber 47 is provided below the transmission window 46.
  • a plurality of heating lamps 48 are provided as heating means.
  • Each heating lamp 48 is attached to a turntable 49 that also functions as a reflecting mirror, and this turntable 49 can be rotated by a motor 51 provided at the bottom of the heating chamber 47 via a rotating shaft 50. It is composed of The heat radiated from the heating lamp 48 passes through the transmission window 46 and reaches the lower surface of the thin mounting table 36, heats it, and further indirectly heats the weno and W on the mounting table 36. It has become possible.
  • the exhaust pipe 45 connected to the exhaust port 44 at the bottom of the chamber 20 is provided with detection means 52 for detecting the state in the chamber.
  • detection means 52 for example, a valve opening degree monitoring device that monitors the valve opening degree of an APC valve (automatic pressure control valve; not shown) provided in the exhaust pipe 45 can be cited.
  • the valve opening degree monitoring device as the detecting means 52 detects the amount of change in the valve opening amount accompanying the change in the amount of gas generated by the decomposition reaction of the deposit in the chamber. The amount of deposits in one can be detected.
  • Another example of the detecting means 52 is a particle counter (not shown) that measures the number of particles in the exhaust gas that passes through the exhaust pipe 45. In this case, the particle counter as the detection means 52 can detect the amount of deposits in the chamber 1 based on the measurement result of the number of particles in the exhaust gas.
  • the gate valve G provided on the side wall of the chamber 20 is opened, and the wafer W is loaded into the chamber 20 from the wafer transfer chamber 5 through the transfer opening 20b by the wafer transfer device 12, and the elevation drive unit 42 is By driving and raising the ring member 40, the lifter pins 39 protrude from the mounting table 36 and receive the wafer W.
  • the lift drive unit 42 is driven to lower the ring member 40, thereby lowering the lifter pin 39 and placing the wafer W on the mounting table 36.
  • a concave portion is formed in advance on the surface of the wafer W, and a non-layer such as a TiZTiN film is formed on the inner surface of the concave portion as a base film. It is assumed that it is filmed.
  • a predetermined film forming gas, a carrier gas, and the like as a processing gas are supplied from the gas supply unit 24 to the shower head 21 at predetermined timing (described later), and a gas injection port 33 on the lower surface of the shower head 33 is supplied.
  • a gas injection port 33 on the lower surface of the shower head 33 is supplied to the processing space S above the wafer W in the chamber 20. Further, the inside of the chamber 20 is sucked and exhausted from the exhaust port 44 to reduce the inside of the chamber 20 to a predetermined pressure. Then, the heating lamp 48 below the mounting table 36 is turned on.
  • the heat released from the heating lamp 48 passes through the transmission window 46 and heats the back surface of the mounting table 36. Since the mounting table 36 is formed as thin as, for example, about 1 mm in thickness, heat is quickly conducted to the wafer W mounted thereon so that the wafer W can be quickly heated to a predetermined temperature. . Then, a predetermined chemical reaction occurs in the film forming gas supplied into the chamber 120, and a tungsten thin film is deposited on the entire upper surface of the wafer W.
  • the gate valve G is opened, and the wafer W is unloaded from the chamber 20 through the transfer opening 20b.
  • the film forming process exemplified here includes an initial tungsten film forming step 80, a nobination tungsten film forming step 81, and a main tungsten film forming step 82.
  • FIG. 4A shows a case where WF gas is used as the tungsten-containing gas and diborane (B
  • FIG. 4B shows an example of a film formation process using H 2 gas and hydrogen (H 2) gas.
  • WF gas is used as the hydrogen-containing gas, and silane (SiH) gas and hydrogen (H) as the reducing gas
  • the initial tungsten film forming step 80, the passivation tungsten film forming step 81, and the main tungsten film forming step 82 described below are sequentially performed in the same chamber.
  • the tungsten gas supply step 91 and the purge step 92 performed between them are alternately repeated a plurality of times. In other words, BH gas supply and WF gas supply are alternately repeated.
  • the initial tungsten film is formed by repeating the process and interposing the purge step 92 therebetween.
  • an inert gas such as Ar gas is continuously supplied as a carrier gas.
  • the purge step 92 the chamber is evacuated while supplying an inert gas such as Ar gas or N gas in the same manner as the carrier gas.
  • This inert gas is continuously supplied through the initial tungsten film forming step 80.
  • the initial tungsten film formation process 80 when the period from one reducing gas supply process 90 to the start of the next reducing gas supply process 90 is one cycle, the number of cycles is limited. is not. Note that the last of the initial tungsten film forming step 80 ends with the reducing gas supply step 90.
  • H gas is used as the reducing gas instead of B H gas.
  • a passivation tungsten film forming step 81 for forming a stainless film is performed.
  • the flow rate of WF gas is gradually increased.
  • an inert gas such as Ar gas or N gas is used as a carrier gas.
  • the passivation tungsten film forming step 81 forms a passivation tungsten film on the initial tungsten film.
  • an inert gas such as Ar gas or N gas is continuously used as the carrier gas.
  • the main tungsten film forming step 82 for a predetermined time is performed, and the recesses formed in, for example, WEN and W are completely filled with the main tungsten film.
  • the process pressure and the process temperature are not changed substantially from the time when the noisy tungsten film forming step 81 is finished and are kept constant.
  • FIG. 4B The film formation process of FIG. 4B is the same as that shown in FIG. 4A except that SiH gas is used in place of the reducing gas B H gas in the reducing gas supply step 90 of the initial tungsten film forming step 80.
  • diborane (BH), silane (SiH), and hydrogen (H) are used as the reducing gas.
  • BH diborane
  • SiH silane
  • H hydrogen
  • disilane (Si H) dichlorosilane (SiH C1)
  • the initial tungsten film formation step 80, the noisy tungsten film formation step 81, and the main tungsten film formation step 82 are performed in the middle of the process of reducing gas. Perform continuously in the same chamber while changing the type and supply timing. If the film formation process illustrated in FIG. 4A and the film formation process illustrated in FIG. 4B are continuously performed in the same chamber, the reducing gas (BH or SiH) used in the initial tungsten film formation process 80 is reduced. Because the types are different,
  • the film formation process in FIG. 4B is a heterogeneous process.
  • a heterogeneous process is continuously executed, for example, BH or its decomposition product boron (B) used in the film forming process of FIG.
  • FIG. 5 is a flowchart showing an example of a basic procedure of a conditioning necessity determination method that can be suitably applied to the formation of a tungsten thin film.
  • the preceding process is referred to as “Process A” and the subsequent process as “Process B”.
  • the process A and the process B in FIG. 5 are performed in any one of the film forming apparatuses 1 to 4 (in the same chamber) of the film forming system 100.
  • the film forming apparatus 1 is used will be described as an example.
  • step S1 an arbitrary process A is performed in the film forming apparatus 1 (step S1). Since inter-process conditioning is performed between the preceding process and the succeeding process, FIG. 5 shows that the process A, which is the preceding process, is performed. Yes. Note that all the processes of the process A may already be completed in the film forming apparatus 1 and may be in an idle state.
  • step S2 the controller 101 of the control unit 19 determines whether or not the process A is completed in the film forming apparatus 1 and whether or not the next lot is started.
  • the process A is finished because, for example, a signal that the last wafer W of the lot relating to the process A has been unloaded from the film forming apparatus 1 is sent from the module controller la of the film forming apparatus 1 to the control unit. This is the case when it is sent to 19 controllers 101 or when an instruction to terminate process A (including interruption) is input from the interface 102.
  • the next lot has started, for example, when an instruction to start the next lot (process B) is input from the interface 102.
  • step S 2 if it is determined that the process A is not completed (No) in step S 2, the process A is continued in the film forming apparatus 1.
  • the process A is completed and the film forming apparatus 1 is in the idle state, and it is determined in step S2 that the next lot will not be started (No), the idle state will continue until the next lot is started. Is done.
  • controller 101 of control unit 19 transmits the process information of preceding process A in the next step S3. get.
  • This process information is stored in the memory 60 of the module controller la of the film forming apparatus 1 as described above, and can be acquired by the controller 101 reading it.
  • the “process information” is individually assigned for each preceding process or each process group including the preceding process, which does not need to be detailed contents such as the deposition gas type and deposition temperature of the preceding process (Process A). It may be an identification symbol, such as a process group number.
  • the controller 101 acquires process information of the subsequent process B (step S4).
  • the process information of the subsequent process can be acquired by the controller 101 reading the process recipe of the process B stored in the storage unit 103 of the control unit 19.
  • subsequent process information for example, an identification symbol assigned to each subsequent process or each process group including the subsequent process, such as a process group number, can be used.
  • the controller 101 refers to the inter-process conditioning table stored in the storage unit 103 based on the acquired information on the preceding process and information on the subsequent process (step S5).
  • An example of the inter-process conditioning table used here is shown in Fig. 6.
  • the inter-process conditioning table 200 categorizes similar processes in advance into several groups based on the process type (for example, the type of source gas used or the deposition temperature), and then sets the process group number and the preceding process group. It is organized as a matrix of process group number combinations for subsequent process groups. Such a matrix of process group numbers is based on the type of gas used in the preceding process and the succeeding process, the deposition temperature, etc., and the residual atmosphere, deposits, and temperature of the preceding process are transferred to the succeeding process. It is created taking into account the influence of the influence.
  • the process type for example, the type of source gas used or the deposition temperature
  • the controller 101 determines whether or not inter-condition conditioning is necessary (step S6).
  • inter-process conditioning is performed by matching the process group number of the preceding process and the succeeding process according to the unique process group number assigned to each process group. It is possible to decide whether or not In the inter-process conditioning table 200, “required” means that inter-process conditioning is necessary, and “unnecessary” means that inter-process conditioning is not necessary. For example, if process A, which is the preceding process, and process B, which is the subsequent process, belong to “process group number 1”, referring to FIG.
  • inter-process conditioning is “unnecessary”. For example, if the preceding process A belongs to “process group number 1” and the subsequent process B belongs to “process group number 3”, the inter-process conditioning is “necessary” (required) from FIG. It is judged.
  • the format and contents of the inter-process conditioning table are not particularly limited. For example, it is possible to create a matrix for each individual process rather than each process group as shown in Fig. 6, and use a table that specifies the necessity of inter-process conditioning.
  • step S6 determines that inter-process conditioning is required (Yes)
  • the inter-process conditioning in the chamber is executed (step S7).
  • This inter-process conditioning includes, for example, dry cleaning in the chamber of the film forming apparatus 1, pre-coating after the dry cleaning, temperature adjustment in the chamber, cycle purge processing, baking processing, etc. It can be carried out by various treatments for arranging the above and combinations thereof. For example, when dry cleaning is performed as an inter-process conditioning, the gas is etched by introducing a halogen-based gas such as C1F as a cleaning gas while the inside of the chamber is heated.
  • a halogen-based gas such as C1F
  • the film-forming temperature during pre-coating can be set to, for example, about 350 to 500 ° C. according to the contents of subsequent processes.
  • the inter-process conditioning can also be performed with the dummy wafer Wd loaded into the chamber and mounted on the mounting table 36.
  • the inter-process conditioning performed in step S7 can be set to a content that can be applied uniformly among all processes.
  • the contents of the inter-process conditioning can be defined as one element of the inter-process conditioning table 200.
  • the pre-coating process specified in the first prolog recipe accompanying the subsequent process and the cleaning process specified in the epilog recipe performed at the end of the subsequent process are executed. You can also Prologue recipes and epilogue recipes in such subsequent processes can be set in advance for each subsequent process or for each process group including subsequent processes. In this way, by setting the content of inter-process conditioning based on the subsequent process, it is possible to eliminate the influence on the subsequent process as much as possible regardless of the content of the preceding process.
  • step S7 After the inter-process conditioning in step S7 is completed, the controller 101 By sending a control signal to the film apparatus 1, the process W, which is a subsequent process, is subsequently carried out after the wafer W is carried in the same chamber 20 (step S8). At this time, in the chamber of the film forming apparatus 1, the influence of the preceding process is eliminated by inter-process conditioning! Therefore, the process B can be performed in a favorable environment.
  • step S6 determines whether inter-conditioning conditioning is not required (No)
  • Process A and Process B are similar processes, and even if Process B is executed as it is, there is no effect on subsequent processes.
  • the inter-process conditioning is not executed, and the subsequent process B is executed in step S8 under the control of the controller 101.
  • the succeeding process may be performed without performing the inter-process conditioning.
  • the inter-process conditioning is not necessary (No) in step S6. Therefore, unnecessary inter-process conditioning is avoided and throughput can be improved.
  • step S6 the determination of whether or not inter-conditioning conditioning is necessary (step S6) is performed based on the preceding process grouped in advance based on the type of process (for example, the type of source gas used or the film formation temperature).
  • the configuration is made by referring to the inter-process conditioning table 200 that is easily associated with the process group number of the group and the succeeding process group, so that the processing load on the CPU of the controller 101 is extremely small and quick and reliable. Can make the right decisions.
  • the "number Z thickness conditioning” for example, when the number of processed ⁇ E C w in the film forming apparatus 1 of the chamber one has reached the set value, or by a deposition process in the chamber within one Ueno, w This is conditioning performed when the cumulative film thickness of the thin film formed above reaches a set value. For example, when the same type of process is performed on a plurality of wafers W in the film forming apparatus 1, deposits accumulate in the chamber of the film forming apparatus 1 as the number of processed sheets increases.
  • FIG. 7 is a flowchart showing an example of a basic procedure of a conditioning necessity determination method that works on the second embodiment.
  • the number Z film thickness conditioning when the number of processed sheets in each of the film forming apparatuses 1 to 4 of the film forming system 100 reaches a predetermined set value, the processing of the next wafer W is performed.
  • An example will be described in which both the inter-wafer conditioning that automatically performs conditioning before the process is started and the inter-process conditioning functions are enabled.
  • the preceding process is “process A” and the subsequent process is “process B”. Process A and process B in Figure 7 are performed in the same chamber. Therefore, here, a case where the film forming apparatus 1 is used will be described as an example.
  • inter-process cleaning and inter-process pre-coating are set as processing contents of inter-process conditioning
  • inter-wafer cleaning and inter-wafer cleaning are set as processing contents of inter-wafer conditioning. It is assumed that “Wafer pre-coating” is set.
  • an arbitrary process A is performed in the film forming apparatus 1 (step SI 1).
  • the number of wafers processed in process A is stored as a sheet count value in the sheet counter 61 provided in the module controller la of the film forming apparatus 1.
  • the sheet counter 61 increments the sheet count value by one each time the processing of one wafer W is completed in the film forming apparatus 1.
  • the module controllers 2a to 4a of the film forming apparatuses 2 to 4 also store the number of count values in each of the film forming apparatuses 2 to 4, and the controller 101 provides information on the number of wafers processed in the entire film forming system 100. It is structured so that it can be grasped in real time.
  • step S12 in order to determine whether or not the inter-wafer conditioning is necessary, the film forming apparatus 1 It is determined whether or not the number of wafers processed in the process reaches the set number. This determination is made by the controller 101 of the control unit 19 referring to the sheet count value counted by the sheet counter 61 of the module controller la of the film forming apparatus 1.
  • step S13 If the number of treatments in the film forming apparatus 1 reaches the set number in step S12 and it is determined as (No), inter-wafer conditioning is not performed, and the controller of the control unit 19 is designated in step S13.
  • process information of the preceding process A for example, a process group number of process A is obtained. This process information is stored in the memory 60 of the module controller la of each film forming apparatus 1 as described above, and can be obtained from the controller 101 reading it.
  • the controller 101 acquires process information of the subsequent process B, for example, a process group number of the subsequent process B (step S 14).
  • the process information of the subsequent process B is stored in the process ratio of the process B stored in the storage unit 103 of the control unit 19 by the controller 101. It can be obtained by reading a pic.
  • the controller 101 refers to an inter-process cleaning table (not shown) stored in the storage unit 103 based on the acquired process information of the preceding process A and the process information of the subsequent process B ( Step S15).
  • the inter-process tiling table used here is the same configuration as the inter-process conditioning table shown in FIG. 6, and only specifies whether or not inter-process cleaning is necessary between the preceding process and the succeeding process. .
  • the “inter-condition conditioning table” is used that specifies only the necessity for inter-process cleaning.
  • the controller 101 determines whether or not the inter-process cleaning is necessary based on the result of referring to the inter-process cleaning table (step S16). If it is determined in this step S16 that inter-process cleaning is necessary (Yes), the controller 101 sends a control signal to the film forming apparatus 1 to execute inter-process cleaning in the chamber 1 (step S17 ). As the contents of the interprocess cleaning performed at this time, the epilogue recipe of process B, which is a subsequent process, is selected. Therefore, no matter what the contents of process A, the inside of the chamber can be aligned so that the process B is not affected. When the inter-process cleaning in step S17 is performed, the sheet count value in the sheet counter 61 of the module controller la of the film forming apparatus 1 is reset to zero.
  • step S18 cleaning between wafers in the chamber is executed in step S18.
  • the process A epilogue recipe is selected for the inter-wafer cleaning performed at this time.
  • Steps S 12 and S 18 are normal processing procedures when performing cleaning between wafers triggered by the end of processing of the wafer W. In other words, the inter-wafer tallying is performed when “the processing of the wafer W is completed and the number of processed sheets in the film forming apparatus 1 reaches the set value”. Note that when wafer cleaning is performed in step S 18, the sheet count value in the sheet counter 61 of the module controller la of the film forming apparatus 1 is zero. It is reset to the mouth.
  • inter-process pre-coating in the chamber is performed in step S19.
  • the prologue recipe of process B which is a subsequent process, is selected.
  • a pre-coating process suitable for the process B is performed, and the environment in the chamber of the film forming apparatus 1 is improved.
  • inter-wafer tallying and inter-wafer precoat are set as inter-wafer conditioning.
  • the wafer-to-wafer tail specified in the process A epilogue recipe is followed by the wafer-to-wafer specified in the same process A prologue recipe.
  • Pre-coating is performed. Therefore, even in the processing procedure of FIG. 7, the pre-coating after the inter-wafer cleaning in step S18 is normally performed as the inter-wafer pre-coating specified in the prologue of the finished process (Process A). It should be.
  • step S18 If, after the inter-wafer cleaning in step S18, the inter-wafer pre-coating specified in the prologue recipe of process A, which is the preceding process, is performed, before the subsequent process B is performed. In addition, it becomes necessary to perform inter-process conditioning that conforms to the subsequent process B.
  • the inter-wafer precoat defined in the prologue recipe of process A is not performed (skipped),
  • the inter-process precoat (step S19) specified in the process B prologue recipe was performed.
  • step S19 After performing inter-process pre-coating in the chamber 1 in step S19, by sending a control signal from the controller 101 to the film forming apparatus 1, in step S20, in the subsequent process in the same chamber. A process B is executed. At this time, since the influence of the preceding process is eliminated by conditioning (cleaning and precoating) in the chamber of the film forming apparatus 1, the process B can be executed in a favorable environment.
  • step S16 determines whether inter-process cleaning is not required (No)
  • Process A and Process B are similar processes, and even if Process B is executed as it is, there is no effect on subsequent processes. Therefore, the inter-process tiling in step S17 and the inter-process pre-coating in step S19 are skipped, and process B is performed in step S20.
  • the succeeding process B is maintained in a state where the chamber internal environment is maintained in an optimum condition. Can be implemented. In addition, if the preceding process A and the following process B are similar processes, conditioning in the chamber is not performed, so unnecessary conditioning is avoided and throughput is improved. Can do. Since it is possible to automatically determine whether inter-conditioning is necessary depending on the type of the preceding process and the succeeding process (process group), it is possible to reduce the work burden on the process manager and the subsequent process due to misjudgment. As a result, the reliability of the deposition process can be improved.
  • step S18 when the number of sheets Z is conditioned at the process switching timing, that is, when the wafer-to-wafer cleaning accompanying process A is performed in step S18, The process for determining the interprocess cleaning (step 13 to step S16) and the interprocess cleaning in step S17 are not performed, and then the process B precoat is performed. Also, even if inter-wafer cleaning and inter-wafer pre-coating are set for inter-wafer conditioning, inter-wafer pre-coating associated with process A is not performed. In this way, automatic adjustment of the number of sheets Z film thickness conditioning and inter-process conditioning is achieved, so cleaning and pre-coating are repeated. Repeating can be avoided, and throughput can be improved.
  • the step S12 is performed.
  • “Set number” By replacing “Set number” with “Set film thickness”, the same procedure as in FIG. 7 can be performed.
  • the substrate to be processed is not limited to a semiconductor wafer, and may be a glass substrate such as a liquid crystal display (LCD) substrate or a ceramic substrate, or other layers may be formed on the substrate. Even things! /.
  • LCD liquid crystal display
  • a film forming process including an initial tungsten film forming step 80 as a preceding process and a passivation tungsten film forming step 81 (and a main tungsten film forming step 82) as a subsequent process is taken as an example.
  • the present invention can also be applied to, for example, a case where different types of CVD (Chemical Vapor Deposition) processes are performed in the same chamber.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • the present invention is not limited to the film forming apparatus, but can be applied to various processing apparatuses that perform different processes in the same chamber, such as a heat treatment apparatus, a plasma processing apparatus, an etching apparatus, an ashing apparatus, a sputtering apparatus, and a cleaning apparatus Is possible.

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Description

基板処理装置、プログラム、記憶媒体およびコンディショニング要否決定 方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体ウェハ等の被処理基板に対し成膜などの処理を行なう基板処理 装置、そのチャンバ一内をコンディショニングする際に利用可能なプログラム、該プロ グラムを記憶した記憶媒体およびコンディショニング要否決定方法に関する。
背景技術
[0002] 半導体集積回路の製造工程においては、被処理基板である半導体ウェハ表面に 配線パターンを形成したり、配線間のコンタクト用の凹部を埋め込んだりするために、 f列えば 'W (タングステン）、 WSi (タングステンシリサイド）、 Ti (チタン）、 TiN (チタンナ イトライド）、 TiSi (チタンシリサイド）、 Cu (銅）、 Ta O (タンタルオキサイド)等の金属
2 5
や金属化合物を堆積させて薄膜を形成することが行なわれている。
[0003] 例えば、タングステン含有ガスとして WFガスを用いるタングステン膜の成膜プロセ
6
スにおいて、スループットを向上させ、タングステン膜の埋め込み性を改善させるベく
、初期タングステン膜形成工程では還元ガスとして SiHガス、 Si Hガス、 B Hガス
4 2 6 2 6 の!、ずれかを用い、ノ ッシベーシヨンタングステン膜形成工程および主タングステン 膜形成工程では還元ガスとして Hガスに切替える成膜方法が提案されている（例え
2
ば、特開 2004— 273764号公報)。
[0004] 上記特開 2004— 273764号公報に開示された成膜方法においては、要求される 膜の特性に合わせて初期タングステン膜形成工程における還元ガスを SiHガス、 Si
4
Hガス、 B Hガスの中力 選択することが望ましぐこのような場合には、ウェハ毎
2 6 2 6
に異なる種類のプロセスが一つの成膜チャンバ一内で連続して実行されることになる 。このように、一つの成膜装置のチャンバ一内で異種プロセスを連続実行する場合に は、先行プロセスで使用した残留ガスやチャンバ一内に付着した堆積物が後続のプ 口セスに悪影響を与えることがあるため、先行プロセスと後続プロセスとの間にタリー ユングを実行することが好ましい。また、クリーニングを実施した後は、後続プロセスの 1枚目のウェハと 2枚目以降のウェハとで処理条件を揃える目的で、チャンバ一内に 薄膜を堆積させるプリコート処理が行なわれる。このようなクリーニングやプリコートを 含め、チャンバ一内の環境を整備する処理をコンディショニング処理といい、先行プ 口セスと後続プロセスとの間に実行されるコンディショニング処理をプロセス間コンデ イショユングという。
[0005] 従来、プロセス間コンディショニング処理を行なうか否かの判断は、工程管理者に 委ねられている。このため、工程管理者が判断を誤り、例えば本来コンディショニング 処理を行なうべきであるにもかかわらずそれらを実施しな力つた場合には、後続プロ セスに悪影響が生じることとなる。また、逆に、コンディショニング処理が不要であるに も拘わらず、それらを実施する場合には、成膜プロセス全体のスループットを低下さ せてしまうことになる。
発明の開示
[0006] 本発明の目的は、同一のチャンバ一内で異種プロセスを実施する場合に、プロセス 間コンディショニングを行なうか否力を的確に判断することができる基板処理装置を 提供することにある。
本発明の他の目的は、そのような基板処理装置のチャンバ一内をコンディショニン グする際に利用可能なプログラム、および該プログラムを記憶した記憶媒体を提供す ることにめる。
本発明のさらに他の目的は、このようなプロセス間コンディショニングを行なうか否か を的確に判断することができるコンディショニング要否決定方法を提供することにある
[0007] 本発明の第 1の観点によれば、被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置で あって、被処理基板を収容し、真空排気可能なチャンバ一と、前記チャンバ一内に 処理ガスおよびクリーニングガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバ一内を排 気する排気機構と、前記チャンバ一内での処理を制御する制御部とを具備し、前記 制御部は、前記チャンバ一内において、先行する第 1のプロセスを実施するステップ と、前記第 1のプロセスが実施された後に第 2のプロセスを実施するステップと、前記 第 1のプロセスが終了した後、前記第 2のプロセスが開始されるまでの間に前記チヤ ンバー内環境を整えるプロセス間コンディショニング処理を行なうか否かを前記第 1 のプロセスの情報および前記第 2のプロセスの情報に基づき決定するステップと、前 記決定するステップによりプロセス間コンディショニング処理を行なうことが決定された 際に、前記第 2のプロセスに先立って、プロセス間コンディショニング処理を実施する ステップとを含む処理が行われるように制御する基板処理装置が提供される。
[0008] 上記第 1の観点において、前記第 1のプロセスの情報および前記第 2のプロセスの 情報は、各プロセスの種類に基づき類似のプロセスグループ毎に予め割り当てられ たプロセスグループ番号を含むようにすることができる。この場合に、前記プロセス間 コンディショニング処理を行なうか否かは、前記プロセスグループ番号に基づ 、て前 記プロセス間コンディショニング処理の要否について規定されたテーブルを参照する ようにすることができる。
[0009] また、前記プロセス間コンディショニング処理は、クリーニングガスを用いて前記チヤ ンバー内を清浄ィ匕するクリーニング処理および該クリーニング後に、前記チャンバ一 内に所定の膜を堆積させるプリコート処理を含むようにすることができる。この場合に 、前記クリーニング処理および前記プリコート処理の内容は、前記第 2のプロセスに 基づ 、て定められるようにすることができる。
前記所定の処理としては、被処理基板上に薄膜を形成するための成膜処理を挙げ ることがでさる。
[0010] 本発明の第 2の観点によれば、コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御する プログラムであって、実行時に、基板処理装置のチャンバ一内において先行して行 なわれた第 1のプロセスの情報を取得するステップと、前記第 1のプロセスの後に前 記チャンバ一内で実施予定の後続の第 2のプロセスの情報を取得するステップと、前 記第 1のプロセスの情報および前記第 2のプロセスの情報に基づき、前記第 1のプロ セスと前記第 2のプロセスの間に前記チャンバ一内環境を整えるプロセス間コンディ ショユング処理を行なうか否かを決定するステップと、を含む処理が行われるように、 コンピュータに前記基板処理装置を制御させるプログラムが提供される。
[0011] 本発明の第 3の観点によれば、コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御する プログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、基板処理 装置のチャンバ一内において先行して行なわれた第 1のプロセスの情報を取得する ステップと、前記第 1のプロセスの後に前記チャンバ一内で実施予定の後続の第 2の プロセスの情報を取得するステップと、前記第 1のプロセスの情報および前記第 2の プロセスの情報に基づき、前記第 1のプロセスと前記第 2のプロセスの間に前記チヤ ンバー内環境を整えるプロセス間コンディショニング処理を行なうか否かを決定する ステップと、を含む処理が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御さ せる、記憶媒体が提供される。
[0012] 上記第 2の観点および第 3の観点において、前記プロセス間コンディショニング処 理を行なう力否かは、各プロセスの種類に基づき類似のプロセスグループ毎に予め 割り当てられたプロセスグループ番号に基づ 、て、前記プロセス間コンディショニング 処理の要否について規定されたテーブルを参照することにより決定されるようにする ことができる。
[0013] 本発明の第 4の観点によれば、基板処理装置のチャンバ一内において、二つの成 膜プロセスの間で前記チャンバ一内環境を整えるプロセス間コンディショニング処理 を行なうか否かを決定するコンディショニング要否決定方法であって、前記チャンバ 一内で先行して行なわれた第 1の成膜プロセスの情報を記憶部に保存するステップ と、
前記記憶部力 前記第 1の成膜プロセスの情報を取得するステップと、 前記第 1の成膜プロセスの後に前記チャンバ一内で実施予定の後続の第 2の成膜 プロセスの内容について規定されたプロセスレシピから、前記第 2の成膜プロセスの 情報を取得するステップと、
取得された前記第 1の成膜プロセスの情報および前記第 2の成膜プロセスの情報 に基づき、前記第 1の成膜プロセスと前記第 2の成膜プロセスの間に前記プロセス間 コンディショニング処理を行なうか否かを決定するステップと、
を含むことを特徴とする、コンディショニング要否決定方法を提供する。
[0014] 上記第 4の観点にぉ 、て、前記プロセス間コンディショニング処理を行なうか否かは
、各プロセスの種類に基づき類似のプロセスグループ毎に予め割り当てられたプロセ スグループ番号に基づ!/、て、前記プロセス間コンディショニング処理の要否につ!、て 規定されたテーブルを参照することにより決定されることが好ましい。
[0015] また、本発明の第 5の観点は、基板処理装置のチャンバ一内において該チャンバ 一内環境を整えるコンディショニング処理を行なうか否かを決定するコンディショニン グ要否決定方法であって、
前記チャンバ一内で先行して行なわれた第 1の成膜プロセスの情報を記憶部に保 存するステップと、前記チャンバ一内で行なわれた第 1の成膜プロセスにおける被処 理基板の処理枚数または成膜膜厚の累積値が、前記第 1の成膜プロセスの途中で 行なわれる枚数 Z膜厚基準のコンディショニングを実行する契機として予め規定され た設定値に到達したか否かを判断するステップと、前記設定値に到達して 、な ヽ場 合に、前記記憶部から前記第 1の成膜プロセスの情報を取得するステップと、前記第 1の成膜プロセスの後に前記チャンバ一内で実施予定の後続の第 2の成膜プロセス の内容について規定されたプロセスレシピから、前記第 2の成膜プロセスの情報を取 得するステップと、取得された前記第 1の成膜プロセスの情報および前記第 2の成膜 プロセスの情報に基づき、前記第 1の成膜プロセスと前記第 2の成膜プロセスの間に 前記プロセス間コンディショニング処理を行なうか否かを決定するステップと、を含む 、コンディショニング要否決定方法を提供する。
[0016] 上記第 5の観点において、前記プロセス間コンディショニングの内容は、前記第 2の 成膜プロセスに応じて定められていることが好ましい。 また、前記チャンバ一内で行 なわれた第 1の成膜プロセスにおける被処理基板の処理枚数または成膜膜厚の累 積値が前記設定値に到達したカゝ否かを判断するステップにお ヽて、前記処理枚数ま たは前記成膜膜厚が前記設定値に到達している場合に、前記第 1の成膜プロセスに 応じて定められた枚数 Z膜厚基準のコンディショニングのうち、一部のみを実施する ようにすることができる。この場合に、前記第 1の成膜プロセスに応じて定められた前 記枚数 Z膜厚基準のコンディショニングは、クリーニング処理とプリコート処理を行うこ とが可能である構成とすることができ、そのような構成において、前記クリーニング処 理のみを実施し、前記プリコート処理を実施しないものとすることができる。
[0017] また、前記プロセス間コンディショニング処理を行なうか否かは、各プロセスの種類 に基づき類似のプロセスグループ毎に予め割り当てられたプロセスグループ番号に 基づ 、て、前記プロセス間コンディショニング処理の要否にっ 、て規定されたテープ ルを参照することにより決定されることが好ま U、。
[0018] 本発明によれば、先行するプロセスと後続のプロセスとが異種プロセスである場合 でも、基板処理装置のチャンバ一内を最適なコンディションに維持した状態で後続の プロセスを実施できる。し力も、先行プロセスと後続プロセスの種類に応じて自動的に プロセス間コンディショニングの要否を決定できることから、工程管理者の作業負担を 軽減できるとともに、判断ミス等による後続プロセスへの悪影響を極力回避でき、成膜 プロセスの信頼性を高めることができる。
[0019] また、先行プロセスと後続プロセスの組合せにより、プロセス間コンディショニングを 行なわずに後続プロセスを実施できる場合には、プロセス間コンディショニングは「不 要」との判断が自動的になされることから、不必要なプロセス間コンディショニングを 実施することが回避され、スループットの向上を図ることができる。
図面の簡単な説明
[0020] [図 1]本発明方法を実施可能なマルチチャンバ一タイプの成膜システムを示す概略 構成図。
[図 2]成膜システムにおける制御系の説明に供する図面。
[図 3]成膜装置の概略構成を示す断面図。
[図 4A]成膜処理におけるガスの切替えタイミングを示す図。
[図 4B]成膜処理におけるガスの切替えタイミングを示す図。
[図 5]第 1実施形態に係るコンディショニング要否決定方法における処理手順の概要 を示すフローチャート。
[図 6]プロセス間コンディショニングテーブルの概要を説明する図。
[図 7]第 2実施形態に力かるコンディショニング要否決定方法における処理手順の概 要を示すフローチャート。
[図 8]ウェハ間コンディショニングの手順を示す工程図。
[図 9]ウェハ間コンディショニングとプロセス間コンディショニングが重複して行なわれ る場合の手順を示す工程図。
発明を実施するための最良の形態 [0021] 以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について説明する。 図 1は本発明の一実施形態に力かるマルチチャンバ一タイプの成膜システムを示す 概略構成図である。
[0022] 図 1に示すように、この成膜システム 100は、ウェハ W上に例えばタングステン膜を 成膜するための合計 4つの成膜装置 (PM) 1, 2, 3, 4を有しており、これら成膜装置 1, 2, 3, 4は、六角形をなすウェハ搬送室 (TM) 5の 4つの辺にそれぞれ対応して設 けられている。なお、成膜装置 1〜4は、それぞれ同じ構造を有している。また、ゥェ ハ搬送室 5の他の 2つの辺にはそれぞれロードロック室（LLM) 6, 7が設けられてい る。これらロードロック室 6, 7のウェハ搬送室 5と反対側にはウェハ搬入出室 8が設け られており、ウェハ搬入出室 8のロードロック室 6, 7と反対側にはウェハ Wを収容可 能な 3つのフープ（FOUP) Fを取り付けるポート 9, 10, 11が設けられている。
[0023] 成膜装置 1〜4およびロードロック室 6, 7は、図 1に示すように、ウェハ搬送室 5の各 辺にゲートバルブ Gを介して接続され、これらは各ゲートバルブ Gを開放することによ りウェハ搬送室 5と連通され、各ゲートバルブ Gを閉じることによりウェハ搬送室 5から 遮断される。また、ロードロック室 6, 7のウェハ搬入出室 8に接続される部分にもゲー トバルブ Gが設けられており、ロードロック室 6, 7は、ゲートバルブ Gを開放することに よりウェハ搬入出室 8に連通され、これらを閉じることによりウェハ搬入出室 8から遮断 される。
[0024] ウェハ搬送室 5内には、成膜装置 1〜4、およびロードロック室 6, 7に対して、被処 理体であるウェハ Wの搬入出を行うウェハ搬送装置 12が設けられている。このゥェ ハ搬送装置 12は、ウェハ搬送室 5の略中央に配設されており、回転および伸縮可能 な回転.伸縮部 13の先端にウェハ Wを保持する 2つのブレード 14a, 14bを有してお り、これら 2つのブレード 14a, 14bは互いに反対方向を向くように回転 ·伸縮部 13に 取り付けられている。なお、このウェハ搬送室 5内は所定の真空度に保持されるよう になっている。
[0025] ウェハ搬入出室 8の天井部には HEPAフィルタ（図示せず）が設けられており、この HEPAフィルタを通過した清浄な空気がウェハ搬入出室 8内にダウンフロー状態で 供給され、大気圧の清浄空気雰囲気でウェハ Wの搬入出が行われるようになつてい る。また、ウェハ搬入出室 8のフープ F取り付け用の 3つのポート 9, 10, 11にはそれ ぞれシャッター（図示せず）が設けられており、これらポート 9, 10, 11にウェハ Wを収 容したフープ Fまたは空のフープ Fが直接取り付けられ、取り付けられた際にシャツタ 一が外れて外気の侵入を防止しつつウェハ搬入出室 8と連通するようになって 、る。 また、ウェハ搬入出室 8の側面にはァライメントチャンバ 15が設けられており、そこで ウェハ Wのァライメントが行われる。
[0026] ウェハ搬入出室 8内には、フープ Fに対するウェハ Wの搬入出およびロードロック 室 6, 7に対するウェハ Wの搬入出を行うウェハ搬送装置 16が設けられている。この ウェハ搬送装置 16は、多関節アーム構造を有しており、フープ Fの配列方向に沿つ てレール 18上を走行可能であり、その先端のハンド 17上にウェハ Wを載せてその搬 送を行うようになっている。
[0027] このような成膜システム 100においては、まず、大気圧の清浄空気雰囲気に保持さ れたウェハ搬入出室 8内のウェハ搬送装置 16により、いずれかのフープ Fからウェハ Wを一枚取り出してァライメントチャンバ 15に搬入し、ウェハ Wの位置合わせを行う。 次いで、ウェハ wをロードロック室 6, 7のいずれかに搬入し、そのロードロック室内を 真空引きした後、ウェハ搬送室 5内のウェハ搬送装置 12によりそのロードロック室内 のウェハ Wを取り出し、ウエノ、 Wを成膜装置 1〜4のいずれかに装入する。そして、成 膜装置 1〜4内のいずれかで例えばタングステン膜などの成膜処理を行う。その後、 成膜後のウェハ Wをウェハ搬送装置 12によりロードロック室 6, 7のいずれかに搬入 し、その中を大気圧に戻した後、ウェハ搬入出室 8内のウェハ搬送装置 16によりロー ドロック室内のウェハ Wを取り出し、フープ Fのいずれかに収容する。このような動作 を 1ロットのウェハ Wに対して行うことにより、 1ロットの処理が終了する。
[0028] 成膜システム 100におけるシステム全体の制御や、成膜装置 1〜4におけるプロセ ス条件等の制御は、制御部 19によって行われる。図 2に成膜システム 100における 制御系の構成例を示す。制御部 19は、 CPU (コンピュータ）を備えたコントローラ 10 1と、インターフェース (IZF) 102と、記憶部 103を具備している。この制御部 19は、 成膜システム 100における各エンドデバイス例えば各成膜装置 1〜4、ウェハ搬送室 5、ロードロック室 6, 7との間で各種の信号やデータの交換が可能なように接続され、 これらを統括して制御する。なお、制御部 19は、 LAN (Local Area Network)等 を介して成膜システム 100が設置されている工場全体の製造工程を管理する図示し ない MES (Manufacturing Execution System)にも接続されている。そして、 前記 MESは制御部 19と連携して成膜システム 100にて行なわれる各工程のリアル タイム情報を管理すると共に、工場全体の負荷等を考慮して各工程に関する判断を 行う。
[0029] また、各エンドデバイスには、それぞれ個別の制御部としてモジュールコントローラ（ MC)が設けられている。例えば成膜装置 1〜4のモジュールコントローラ la〜4aは、 各成膜装置 1〜4で行なわれたプロセス履歴などを含むプロセス情報などを保存する ためのメモリ 60と、各成膜装置 1〜4で行なわれるプロセス毎のウェハ処理枚数を力 ゥントする枚数カウンタ 61とを有して 、る。
[0030] 制御部 19のコントローラ 101は、インターフェース 102および記憶部 103との間で 各種の信号やデータの交換が可能なように接続されている。また、コントローラ 101は 、各エンドデバイスのモジュールコントローラ la〜7aに個別に制御信号を送出するこ とにより、各モジュールコントローラ la〜7aを介して、各エンドデバイスにおける所定 の処理例えば成膜装置 1〜4内にお 、て成膜処理ゃコンデイショユング処理などが 行なわれるように制御する。
[0031] また、コントローラ 101は、成膜システム 100における各成膜装置 1〜4に個別に配 備されたモジュールコントローラ la〜4aのメモリ 60に蓄積された種々のプロセス情報 例えばその成膜装置でどのようなプロセスが実施されたかと 、うプロセス履歴や、枚 数カウンタ 61によりカウントされたウェハ Wの処理枚数 (枚数カウント値)などの情報 をデータ信号として受取り、これらを参照して例えば前記成膜装置 1〜4において適 切に成膜処理やコンディショニング処理が行なわれるように制御する。
[0032] インターフェース 102は、工程管理者が成膜システム 100を管理するためにコマン ドの入力操作等を行うキーボードや成膜システム 100の稼働状況を可視化して表示 するディスプレイ等を具備して 、る。
[0033] 記憶部 103には、成膜システム 100で実行される各種処理をコントローラ 101の制 御にて実現するための制御プログラム (ソフトウェア)や処理条件データ等が記憶さ れたレシピなどが保存されている。そのようなレシピとしては、例えばウェハ搬送室 5 内のウェハ搬送装置 12によるウェハ Wの搬送先や搬送順序などに関する搬送レシ ピ、各成膜装置 1〜4において成膜処理などを行なうための具体的なガス種、その流 量、処理圧力、処理温度などが規定されたプロセスレシピ、各成膜装置 1〜4におい てコンディショニング処理の一つとして行なわれるプリコート処理などに関するプロ口 ーグレシピ、同様にコンディショニング処理の一つとして行なわれるクリーニング処理 などに関するエピローグレシピなどが含まれる。
[0034] また、記憶部 103には、後述するように各成膜装置 1〜4に関するプロセス間コンデ イショユングの要否をコントローラ 101が判断する際に使用されるプロセス間コンディ ショユングテーブル（図 6参照）なども保存されて 、る。
[0035] 上記のような構成の制御部 19は、必要に応じて、インターフェース 102からの指示 等にて任意のレシピ、例えば搬送レシピ、プロセスレシピ、プロローグレシピ、ェピロ ーグレシピ等を記憶部 103から呼び出し、必要に応じてこれらのレシピを組み合わせ てコントローラ 101に実行させることで、コントローラ 101の制御下で、成膜システム 1 00での所望の処理が行われる。
[0036] 前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な 記憶媒体に格納されている。記憶媒体としては、例えばハードディスク、 CD-ROM 、フレキシブルディスク、フラッシュメモリのような半導体メモリ等を挙げることができる。 また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよ い。
[0037] 次に、成膜システム 100おける成膜装置 1〜4のうち、成膜装置 1を代表例に挙げ、 その構成について説明を行なう。図 3は、成膜装置 1をタングステン膜の成膜プロセ スに使用する場合の概略断面図である。この成膜装置 1は、例えば略円筒形状をし たアルミニウム製のチャンバ一 20を有している。このチャンバ一 20内の天井部には、 例えば各種の成膜ガスやキャリアガス等を導入するためのシャワーヘッド 21が設けら れている。シャワーヘッド 21の中央部には、ガス導入部 22が形成されており、このガ ス導入部 22は、ガス供給管 23を介してガス供給部 24に接続されて 、る。
[0038] ガス供給部 24は、例えばタングステン膜の成膜原料である WFガスを供給する WF ガス供給源 25、還元ガスである SiHガスを供給する SiHガス供給源 26、同 B H
6 4 4 2 6 ガスを供給する B Hガス供給源 27、同 Hガスを供給する Hガス供給源 28、キヤリ
2 6 2 2
ァガスを供給するキャリアガス供給源 29およびクリーニングガスを供給するタリーニン グガス供給源 30を備えている。各ガス供給源に接続する各々のガスライン 23aには、 開閉バルブ 31, 31の間にマスフローコントローラ 32が設けられており、供給されるガ スの切替えや流量等の制御が出来るように構成されて 、る。
[0039] シャワーヘッド 21の下面には、多数のガス噴射口 33が設けられており、そこカも処 理空間 Sに向けて成膜ガスやクリーニングガスを噴射できるようになつている。また、 シャワーヘッド 21内部の空所 21aには、複数の拡散孔 34を有する拡散板 35が配備 されており、シャワーヘッド 21内に導入されたガスの拡散を促進できるようになつてい る。
[0040] チャンバ一 20内には、ウェハ Wを載置するための載置台 36が設けられている。こ の載置台 36は、チャンバ一 20の底部に立設された円筒状のリフレクタ 37上に、例え ば L字状の 3本の保持部材 38 (2本のみ図示）を介して設置されて 、る。載置台 36の 下方には、複数本例えば 3本の L字状のリフタピン 39 (2本のみ図示）が起立状態で 配備されている。各リフタピン 39はリフレクタ 37に形成された揷通孔（図示せず)を挿 通して、その基端部においてリング部材 40に支持されている。リング部材 40は、チヤ ンバー 20の底部に貫通して設けられた連結棒 41を介して昇降駆動部 42に連結され ている。そして、リング部材 40を連結棒 41によって上下に変位させることにより、各リ フタピン 39が載置台 36に形成された貫通孔 36aを介して載置台 36の上面に対して 突没自在に上下動できるように構成されている。なお、チャンバ一 20の底部の貫通 孔 20aに貫通配備された連結棒 41の周囲には、伸縮可能なベローズ 43が配備され 、チャンバ一 20において内部の気密状態を保持できるようになつている。
[0041] また、チャンバ一 20の底部の周縁部には、複数の排気口 44が設けられている。各 排気口 44は、排気管 45を介して図示しない真空ポンプに接続されており、チャンバ 一内を所定の真空度まで真空引きできるようになつている。また、チャンバ一 20の側 壁には、ウエノ、 Wを搬出入する際に通過させる搬送用開口 20bが設けられており、こ の搬送用開口 20bには、ゲートバルブ Gが配備されている。 [0042] また、載置台 36の下方には、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓 46が図示しな い Oリング等のシール部材を介して気密に設けられている。また、透過窓 46の下方 には、箱形の加熱室 47が設けられている。この加熱室 47内には、加熱手段として例 えば複数の加熱ランプ 48が配備されている。各加熱ランプ 48は、反射鏡としての機 能も併有する回転台 49に取り付けられており、この回転台 49は、回転軸 50を介して 加熱室 47の底部に設けられたモータ 51により回転可能に構成されて 、る。加熱ラン プ 48より放射された熱は、透過窓 46を透過して厚みの薄い載置台 36の下面に到達 し、これを加熱し、更にこの載置台 36上のウエノ、 Wを間接的に加熱できるようになつ ている。
[0043] また、チャンバ一 20の底部の排気口 44に接続された排気管 45には、チャンバ一 内の状態を検知する検知手段 52が設けられている。この検知手段 52としては、例え ば、排気管 45に配備された APC弁（自動圧力調節弁；図示省略)の弁開度をモニタ 一する弁開度監視装置を挙げることができる。この場合、検知手段 52としての弁開度 監視装置は、チャンバ一内堆積物の分解反応により発生するガス量の変化に伴う前 記弁開度の変化量を検出するもので、これにより、チャンバ一内の堆積物の残量を 検知することができる。また、検知手段 52の別の例として、前記排気管 45を通過する 排気ガス中のパーティクル数を計測するパーティクルカウンタ（図示省略)を挙げるこ とができる。この場合、検知手段 52としてのパーティクルカウンタは、排気ガス中のパ 一ティクル数の計測結果に基づいてチャンバ一内の堆積物の量を検知することがで きる。
[0044] 次に、以上のように構成された成膜装置 1を用いて行われるタングステン膜の成膜 プロセスについて説明する。まず、チャンバ一 20の側壁に配備したゲートバルブ Gを 開き、搬送用開口 20bを介してウェハ搬送室 5からウェハ搬送装置 12によってチャン バー 20内にウェハ Wを搬入するとともに、昇降駆動部 42を駆動させてリング部材 40 を上昇させることによってリフタピン 39を載置台 36よりも突出させてウェハ Wを受け取 る。次に、昇降駆動部 42を駆動させてリング部材 40を下降させることによってリフタピ ン 39を下降させ、ウェハ Wを載置台 36上に載置する。このウェハ Wの表面には予め 凹部が形成され、該凹部の内面には、下地膜として TiZTiN膜のようなノ リャ層が成 膜されているものとする。
[0045] 次に、処理ガスとして所定の成膜ガス、キャリアガス等をガス供給部 24から所定の タイミング（後述）でシャワーヘッド 21へ所定量ずつ供給し、シャワーヘッド下面のガ ス噴射口 33からチャンバ一 20内におけるウェハ Wの上方の処理空間 Sへ略均等に 供給する。また、排気口 44からチャンバ一 20内を吸引排気することにより、チャンバ 一 20内を所定の圧力にまで減圧する。そして、載置台 36の下方の加熱ランプ 48の 電源を入れる。
[0046] 加熱ランプ 48から放出された熱は、透過窓 46を透過して載置台 36の裏面を加熱 する。載置台 36は、例えば厚さ lmm程度と薄く形成されているため、その上に載置 されたウェハ Wに速やかに熱が伝導し、ウェハ Wを迅速に所定温度まで加熱できる ようになつている。そして、チャンバ一 20内に供給された成膜ガスに所定の化学反応 が生じ、タングステンの薄膜がウェハ Wの上面全体に堆積させられる。
成膜プロセスの終了後、ゲートバルブ Gを開き、搬送用開口 20bを介してチャンバ 一 20からウェハ Wが搬出される。
[0047] 次に、図 4A、 4Bを参照しながら成膜装置 1〜4を用いるタングステン薄膜の成膜に おける各ガスの供給のタイミングにつ 、て簡単に説明する。ここで例示する成膜プロ セスは、初期タングステン膜形成工程 80と、ノッシベーシヨンタングステン膜形成ェ 程 81と、主タングステン膜形成工程 82とを含んでいる。
[0048] 図 4Aは、タングステン含有ガスとして WFガスを用い、還元ガスとしてジボラン（B
6 2
H )ガスおよび水素（H )ガスを用いる成膜プロセスの例であり、図 4Bは、タンダステ
6 2
ン含有ガスとして WFガスを用い、還元ガスとしてシラン（SiH )ガスおよび水素（H )
6 4 2 ガスを用いる成膜プロセスの例である。以下に説明する初期タングステン膜形成工程 80、パッシベーシヨンタングステン膜形成工程 81及び主タングステン膜形成工程 82 は、同一チャンバ一内で順次行われる。
[0049] 図 4Aにお!/、て、まず、初期タングステン膜形成工程 80では、還元ガスである B H
2 6 ガスを供給する還元ガス供給工程 90と、タングステン含有ガスである WFガスを供給
6 するタングステンガス供給工程 91と、これらの間に実施されるパージ工程 92とを、交 互に複数回繰り返し行う。すなわち、 B Hガスの供給と WFガスの供給を交互に繰り 返し行い、それらの間にパージ工程 92を介在させることにより、初期タングステン膜を 形成する。還元ガス供給工程 90とタングステンガス供給工程 91では、キャリアガスと して不活性ガス例えば Arガス等を継続して流す。パージ工程 92では、チャンバ一内 にキャリアガスと同様に不活性ガス例えば Arガス、 Nガス等を供給しつつ真空引き
2
が行なわれる。この不活性ガスは、初期タングステン膜形成工程 80を通じて継続して 供給される。初期タングステン膜形成工程 80では、ある還元ガス供給工程 90から次 の還元ガス供給工程 90の開始までの期間を 1サイクルとしたとき、複数サイクルを実 施できる力 そのサイクル数は特に限定されるものではない。なお、初期タングステン 膜形成工程 80の最後は、還元ガス供給工程 90で終了する。
[0050] 初期タングステン膜を形成した後は、還元ガスとして B Hガスに代えて Hガスを用
2 6 2 い、この Hガスと WFガスをチャンバ
6 一内に同時に供給してパッシベーシヨンタンダ
2
ステン膜を形成するパッシベーシヨンタングステン膜形成工程 81を行う。このパッシ ベーシヨンタングステン膜形成工程 81では、 WFガスの流量を徐々に増加させてい
6
くことが好ましい。なお、ここでもキャリアガスとして不活性ガス例えば Arガス、 Nガス
2 等を継続して流す。このノッシベーシヨンタングステン膜形成工程 81により、初期タン ダステン膜上にパッシベーシヨンタングステン膜が形成される。
[0051] ノッシベーシヨンタングステン膜形成工程 81が終了した後は、 WFガスの流量を増
6
カロした状態に維持し、 Hガスの流量を減らして主タングステン膜形成工程 82を継続
2
して行う。ここでもキャリアガスとして不活性ガス例えば Arガス、 Nガス等を継続して
2
流す。このようにして所定の時間の主タングステン膜形成工程 82を行って、例えばゥ エノ、 Wに形成された凹部を主タングステン膜で完全に埋め込む。この時のプロセス 圧力およびプロセス温度は、ノ ッシベーシヨンタングステン膜形成工程 81が終了した 時点から実質的に変動させず、それぞれ一定に保つことが好ましい。
[0052] 図 4Bの成膜プロセスは、初期タングステン膜形成工程 80の還元ガス供給工程 90 において、還元ガスである B Hガスに替えて SiHガスを使用する以外は、図 4Aに
2 6 4
ついて説明した内容と同様の手順で実施できるので、同じ工程には同一の符号を付 して説明を省略する。
[0053] なお、上記例では、還元ガスとしてジボラン（B H )とシラン（SiH )と水素（H )を用 いたが、これらに代えて、例えばジシラン（Si H )、ジクロルシラン（SiH C1 )、ホスフ
2 6 2 2 イン (PH )等を用い、これらを適宜組み合わせてもよい。また、タングステン含有ガス
3
としては、 WFガスに限定されず、有機金属化合物のタングステンソースガスを用い
6
てもよい。
[0054] このようなタングステン膜の成膜プロセスでは、初期タングステン膜形成工程 80と、 ノ ッシベーシヨンタングステン膜形成工程 81と、主タングステン膜形成工程 82の 3ェ 程を途中で還元ガスの種類と供給タイミングを変化させながら同一のチャンバ一内で 連続的に行う。そして、仮に図 4Aに例示した成膜プロセスと、図 4Bに例示した成膜 プロセスを同一のチャンバ一内で引き続き実施する場合、初期タングステン膜形成 工程 80で使用する還元ガス（B Hまたは SiH )の種類が異なることから、図 4Aの成
2 6 4
膜プロセスに対し、図 4Bの成膜プロセスは異種プロセスとなる。そして、このような異 種プロセスを連続実行する際には、例えば先行プロセスである図 4Aの成膜プロセス で使用した B Hまたはその分解物のホウ素（B)がチャンバ
2 6 一内に残留すると、後続 プロセスである図 4Bの成膜プロセスに悪影響を与えるおそれがある。このため、先行 プロセスである図 4Aの成膜プロセスと、後続プロセスである図 4Bの成膜プロセスとの 間で必要に応じてプロセス間コンディショニングを実施することが好ま 、。本発明で は、このプロセス間コンディショニングを行なうか否かの判断を自動的に行なう。
[0055] 次に、このコンディショニング要否決定方法に関して具体例を挙げて説明を行なう。
[0056] <第 1実施形態 >
図 5は、タングステン薄膜の成膜に好適に適用可能なコンディショニング要否決定 方法の基本的な手順の一例を示すフローチャートである。ここでは、先行のプロセス を「プロセス A」、後続のプロセスを「プロセス B」とする。なお、図 5におけるプロセス A とプロセス Bは、成膜システム 100の成膜装置 1〜4のいずれか一つ（同一チャンバ 一内）において実施される。以下では、成膜装置 1で実施する場合を例に挙げて説 明する。
[0057] まず、成膜装置 1にお 、て、任意のプロセス Aを実施する (ステップ S1)。プロセス 間コンディショニングは、先行するプロセスと、後続のプロセスの間に実施するもので あるため、図 5では、先行プロセスであるプロセス Aを実施している状態から記載して いる。なお、成膜装置 1において既にプロセス Aの全ての処理が終了し、アイドル状 態となつていてもよい。
[0058] 次に、ステップ S2では、制御部 19のコントローラ 101によって、成膜装置 1におい てプロセス Aが終了したか否力、かつ、次ロットが開始された力否力、が判断される。 ここで、プロセス Aが終了と判断されるのは、例えばプロセス Aに関するロットの最後 のウェハ Wが成膜装置 1から搬出されたとの信号が成膜装置 1のモジュールコント口 ーラ laから制御部 19のコントローラ 101に送られた場合や、インターフェース 102か らプロセス Aの終了（中断を含む)の指示が入力された場合などである。また、次ロット が開始された、と判断されるのは、例えばインターフェース 102から次ロット（プロセス B)の開始指示が入力された場合などである。
[0059] 一方、ステップ S2でプロセス Aが終了しな ヽ (No)と判断された場合には、成膜装 置 1でプロセス Aの処理が継続される。また、例えばプロセス Aは終了した力 成膜装 置 1がアイドル状態であり、ステップ S2で次ロットは開始されない (No)と判断された 場合には、次ロットが開始されるまでアイドル状態が継続される。
[0060] ステップ S2で、「プロセス Aが終了、かつ次ロットが開始」（Yes)と判断された場合、 次のステップ S3では、制御部 19のコントローラ 101が、先行プロセス Aのプロセス情 報を取得する。このプロセス情報は、前記のように成膜装置 1のモジュールコントロー ラ laのメモリ 60に保存されており、これをコントローラ 101が読み込むことにより取得 できる。ここで、 「プロセス情報」は、先行プロセス (プロセス A)の成膜ガス種や成膜温 度等の詳細な内容である必要はなぐ先行プロセス毎あるいは先行プロセスを含む プロセスグループ毎に個別に割り当てられた識別記号例えばプロセスグループ番号 などであってもよい。
[0061] 次に、コントローラ 101は、後続プロセス Bのプロセス情報を取得する（ステップ S4) 。後続プロセスのプロセス情報は、コントローラ 101が、制御部 19の記憶部 103に保 存されたプロセス Bのプロセスレシピを読み込むことにより取得できる。この「後続プロ セスの情報」についても、例えば後続プロセス毎あるいは後続プロセスを含むプロセ スグループ毎に個別に割り当てられた識別記号例えばプロセスグループ番号などを 用!/、ることができる。 [0062] 次いで、コントローラ 101は、取得した先行プロセスの情報および後続プロセスの情 報を元に、記憶部 103に保存されたプロセス間コンディショニングテーブルを参照す る（ステップ S5)。ここで使用されるプロセス間コンディショニングテーブルの一例を図 6に示す。プロセス間コンディショニングテーブル 200は、プロセスの種類（例えば使 用する原料ガスの種類や成膜温度など）に基づき類似のプロセスを予めいくつかの グループに分類した上で、先行プロセスグループのプロセスグループ番号と後続プ ロセスグループのプロセスグループ番号の組合せのマトリックスとして構成されている 。このようなプロセスグループ番号のマトリックスは、先行プロセスと後続プロセスにお いてそれぞれ使用されるガスの種類や成膜温度などに基づいて、先行プロセスの残 留雰囲気や堆積物、温度などが後続プロセスへ影響を及ぼすカゝ否カゝを考慮して作 成されている。
[0063] コントローラ 101は、プロセス間コンディショニングテーブル 200を参照した結果を 元に、プロセス間コンディショニングの要否を判断する（ステップ S6)。図 6に示すプロ セス間コンディショニングテーブル 200では、各プロセスグループに割り当てられたそ れぞれ固有のプロセスグループ番号に従 、、先行プロセスと後続プロセスのプロセス グループ番号を照合することによって、プロセス間コンディショニングの要否を決定す ることができる。プロセス間コンディショニングテーブル 200のうち、「要」はプロセス間 コンディショニングが必要であることを意味し、「不要」はプロセス間コンディショニング が不要であることを意味する。例えば先行プロセスであるプロセス Aおよび後続プロ セスであるプロセス Bが共に「プロセスグループ番号 1」に属する場合には、図 6を参 照すると、プロセス間コンディショニングは「不要」と判断される。また、例えば先行す るプロセス Aが「プロセスグループ番号 1」に属し、後続のプロセス Bが「プロセスグル ープ番号 3」に属する場合には、図 6からプロセス間コンディショニングが「要」（必要） と判断される。なお、プロセス間コンディショニングテーブルの形式や内容は、特に限 定されるものではない。例えば、図 6のようなプロセスグループ毎ではなぐ個々のプ ロセス毎にマトリックスを作製し、プロセス間コンディショニングの要否を規定した表を 用いることちでさる。
[0064] ステップ S6でプロセス間コンディショニングが必要 (Yes)と判断された場合には、コ ントローラ 101から成膜装置 1のモジュールコントローラ laに制御信号を送出すること により、チャンバ一内のプロセス間コンディショングが実行される（ステップ S7)。この プロセス間コンディショニングは、例えば、成膜装置 1のチャンバ一内のドライクリー- ング、該ドライクリーニング後のプリコートのほか、チャンバ一内の温度調節、サイクル パージ処理、ベーキング処理など、チャンバ一内環境を整える種々の処理、および それらの組合せにより実施できる。例えば、プロセス間コンディショニングとしてドライ クリーニングを実施する場合には、チャンバ一内を加熱した状態で、クリーニングガス として例えば C1Fなどのハロゲン系ガスを導入することにより、当該ガスのエッチング
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作用により、チャンバ一内の堆積物等を除去することができる。また、プロセス間コン ディショユングとしてプリコートを実施する場合には、プリコート時の成膜温度を後続 プロセスの内容に応じて例えば 350〜500°C程度に設定して実施することができる。 なお、プロセス間コンディショニングは、チャンバ一内にダミーウェハ Wdを搬入し、載 置台 36に載置した状態で行なうことも可能である。
[0065] ステップ S7で行なわれるプロセス間コンディショニングについては、全てのプロセス 間に一律に適用可能な内容に設定することも可能である力 先行プロセスもしくは後 続プロセスに適合した個別の内容のプロセス間コンディショニングを実施することが 好ましぐ後続プロセスの内容に適合したプロセス間コンディショニングを行なうことが より好ましい。この場合、例えば、前記プロセス間コンディショニングテーブル 200の 一要素としてプロセス間コンディショニングの内容を規定しておくこともできる。また、 後述する実施形態のように、後続プロセスに付随してその最初に行なわれるプロロー グレシピ中に規定されたプリコート処理や、後続プロセスの最後に行なわれるェピロ ーグレシピ中に規定されたクリーニング処理を実行することもできる。このような後続 プロセスにおけるプロローグレシピゃエピローグレシピは、後続プロセス毎あるいは後 続プロセスを含むプロセスグループ毎に予め設定しておくことができる。このように、 後続プロセスを基準にプロセス間コンディショニングの内容を設定することにより、先 行プロセスの内容がどのようなものでも後続プロセスへの影響を極力排除することで きる。
[0066] ステップ S7のプロセス間コンディショニングが終了した後は、コントローラ 101から成 膜装置 1に制御信号を送出することにより、引き続き同一のチャンバ一 20でウェハ W 搬入後、後続プロセスであるプロセス Bが実施される (ステップ S8)。この際、成膜装 置 1のチャンバ一内はプロセス間コンディショニングによって先行プロセスの影響が排 除されて!、るので、良好な環境でプロセス Bを実施できる。
[0067] 一方、ステップ S6でプロセス間コンディショニングは不要 (No)と判断された場合に は、プロセス Aとプロセス Bは類似のプロセスであり、そのままプロセス Bを実行しても 後続プロセスへの影響はな 、こと力ら、プロセス間コンディショニングは実行されず、 コントローラ 101の制御によりステップ S8で後続プロセスであるプロセス Bが実施され る。
[0068] 以上のステップ S1〜ステップ S8の処理によって、先行するプロセス Aと後続のプロ セス Bとが異種プロセスである場合でも、チャンバ一内を最適なコンディションに維持 した状態で後続のプロセス Bを実施できる。し力も、先行プロセスと後続プロセスの種 類 (プロセスグループ）に応じて自動的にプロセス間コンディショニングの要否を決定 できることから、工程管理者の作業負担を軽減できるとともに、判断ミス等による後続 プロセスへの悪影響を極力回避でき、成膜プロセスの信頼性を高めることができる。
[0069] また、先行プロセスと後続プロセスの組合せによっては、プロセス間コンディショニン グを行なわずに後続プロセスを実施できる場合があり、このような場合には、ステップ S6でプロセス間コンディショニング不要（No)との判断が自動的になされることから、 不必要なプロセス間コンディショニングの実施が回避され、スループットの向上を図る ことができる。
[0070] また、本実施形態では、プロセス間コンディショニングの要否の判断 (ステップ S6) を、プロセスの種類 (例えば使用する原料ガスの種類や成膜温度など）に基づき予め グループ分けされた先行プロセスグループと後続プロセスグループのプロセスグルー プ番号によって簡単に対応付けされたプロセス間コンディショニングテーブル 200を 参照して行なう構成としたことにより、コントローラ 101の CPUへの演算処理の負荷が 極めて小さぐ迅速かつ確実な判断を行なうことができる。
[0071] 次に、本発明のプロセス間コンディショニングと枚数 Z膜厚コンディショニングと併 用した場合の実施形態について、図 7および図 8を参照しながら説明を行なう。ここで 、「枚数 Z膜厚コンディショニング」とは、例えば成膜装置 1のチャンバ一内でのゥェ ハ wの処理枚数が設定値に達した時点、あるいはチャンバ一内での成膜処理により ウエノ、 w上に形成された薄膜の累積膜厚が設定値に達した時点で行なわれるコン ディショユングである。例えば、成膜装置 1内で同種のプロセスを複数枚のウェハ W に対して実施する場合、処理枚数が増加するに伴 ヽ成膜装置 1のチャンバ一内に堆 積物が蓄積していく。このような堆積物が一定量以上蓄積すると、その一部が剥がれ てパーティクルを発生させたり、チャンバ一内のガスの流れや熱分布に影響を与えた りすることによって、プロセスに悪影響を与える。このため、同種のプロセスを実施して いる途中でも、ウェハ wの処理枚数や形成された薄膜の累積膜厚を基準にチャンバ 一内のコンディショニングが行なわれる。
[0072] 上記のような枚数 Z膜厚コンディショニングと、プロセス間コンディショニングの両方 を実施する設定がなされている場合において、例えば、枚数 Z膜厚コンディショニン グとプロセス切替えのタイミングとが重なった場合には、二種のコンディショニングが 連続して行なわれることになる。スループット向上の観点からは、クリーニングゃプリコ ートを繰り返し行なうことは無駄であり、二種のコンディショニングの調整を図ることが 好ましい。しかし、力かる判断を工程管理者が行なうとすれば、二種のプロセス間およ び二種のコンディショニング間での調整が必要になることから、煩雑さが増し、判断ミ スが生じやすい。このため、以下に説明する第 2実施形態では、プロセス間コンディ ショユングと枚数 z膜厚コンディショニングとの調整を自動的に行なうようにした。
[0073] <第 2実施形態 >
図 7は、第 2実施形態に力かるコンディショニング要否決定方法の基本的な手順の 一例を示すフローチャートである。本実施形態では、枚数 Z膜厚コンディショニング の一例として、成膜システム 100の各成膜装置 1〜4のそれぞれにおける処理枚数が 予め定められた設定値に達した場合に、次のウェハ Wの処理が開始される前に自動 的にコンディショニングを行なうウェハ間コンディショニングと、前記プロセス間コンデ イショニングとの両方の機能が有効に設定されている場合を例に挙げて説明する。本 実施形態においても、先行のプロセスを「プロセス A」、後続のプロセスを「プロセス B」 とする。図 7におけるプロセス Aとプロセス Bは、同一チャンバ一内において実施され るので、ここでは成膜装置 1で実施する場合を例に挙げる。
なお、本実施形態では、プロセス間コンディショニングの処理内容として、「プロセス 間クリーニング」と「プロセス間プリコート」が設定されており、また、ウェハ間コンデイシ ョユングの処理内容として、「ウェハ間クリーニング」と「ウェハ間プリコート」が設定さ れているものとする。
[0074] まず、成膜装置 1にお 、て、任意のプロセス Aを実施する（ステップ SI 1)。このプロ セス Aでのウェハ処理枚数は、成膜装置 1のモジュールコントローラ laに備えられた 枚数カウンタ 61に、枚数カウント値として保存される。枚数カウンタ 61は、成膜装置 1 にお 、て 1枚のウェハ Wの処理が完了する度に、枚数カウント値を 1つずつインクリメ ントしていく。同様に、成膜装置 2〜4のモジュールコントローラ 2a〜4aにも、各成膜 装置 2〜4における枚数カウント値が保存されており、コントローラ 101によって成膜 システム 100全体のウェハ処理枚数の情報がリアルタイムに把握できるように構成さ れている。
[0075] 次に、例えば、プロセス Aに関するあるウェハ Wの処理が終了した旨の信号をコント ローラ 101が受け取ると、ステップ S12では、ウェハ間コンディショニングの要否を決 定するため、成膜装置 1におけるウェハ処理枚数が設定枚数に到達したカゝ否かを判 断する。この判断は、制御部 19のコントローラ 101が、成膜装置 1のモジュールコント ローラ laの枚数カウンタ 61でカウントされた枚数カウント値を参照することにより行な われる。
[0076] ステップ S12で成膜装置 1における処理枚数が設定枚数に達して 、な 、 (No)と判 断された場合には、ウェハ間コンディショニングは行なわず、ステップ S13で、制御部 19のコントローラ 101により先行プロセス Aのプロセス情報例えばプロセス Aのプロセ スグループ番号を取得する。このプロセス情報は、前記のように各成膜装置 1のモジ ユールコントローラ laのメモリ 60に保存されており、これをコントローラ 101が読み込 むこと〖こより取得できる。
[0077] 次に、コントローラ 101は、後続プロセス Bのプロセス情報例えば後続プロセス Bの プロセスグループ番号を取得する（ステップ S 14)。後続プロセス Bのプロセス情報は 、コントローラ 101が、制御部 19の記憶部 103に保存されたプロセス Bのプロセスレシ ピを読み込むことにより取得できる。
[0078] 次いで、コントローラ 101は、取得した先行プロセス Aのプロセス情報および後続プ ロセス Bのプロセス情報を元に、記憶部 103に保存されたプロセス間クリーニングテ 一ブル（図示省略)を参照する (ステップ S15)。ここで使用されるプロセス間タリー- ングテーブルは、図 6に示したプロセス間コンディショニングテーブルと同様の構成で 、先行プロセスと後続プロセスの間のプロセス間クリーニングの要否についてのみ規 定したテーブルである。本実施形態では、プロセス間コンディショニングとしてプロセ ス間クリーニングとプロセス間プリコートを含むため、「プロセス間コンディショニングテ 一ブル」としてプロセス間クリーニングに関する要否のみを規定したものを用いること とした。
[0079] 次に、コントローラ 101は、前記プロセス間クリーニングテーブルを参照した結果を 元に、プロセス間クリーニングの要否を判断する（ステップ S16)。このステップ S16で プロセス間クリーニングが必要 (Yes)と判断された場合には、コントローラ 101から成 膜装置 1に制御信号を送出することにより、チャンバ一内のプロセス間クリーニングが 実行される (ステップ S17)。この際に行なわれるプロセス間クリーニングの内容として は、後続プロセスであるプロセス Bのエピローグレシピが選択される。従って、プロセス Aがどのような内容であっても、プロセス Bに影響が生じないようにチャンバ一内をタリ 一ユングできる。なお、ステップ S17のプロセス間クリーニングが実施されると、成膜 装置 1のモジュールコントローラ laの枚数カウンタ 61における枚数カウント値はゼロ にリセットされる。
[0080] 一方、ステップ S12で成膜装置 1における処理枚数が設定枚数に到達した (Yes)と 判断された場合は、ステップ S18で、チャンバ一内のウェハ間クリーニングが実行さ れる。この際に行なわれるウェハ間クリーニングは、プロセス Aのエピローグレシピが 選択される。このステップ S 12とステップ S 18は、ウェハ Wの処理の終了をトリガとする ウェハ間クリーニングを行なう場合の通常の処理手順である。つまり、ウェハ間タリー ユングは、「ウェハ Wの処理が終了、かつ成膜装置 1での処理枚数が設定値に達し た場合」に実施される。なお、ステップ S 18でウェハ間クリーニングが実施されると、成 膜装置 1のモジュールコントローラ laの枚数カウンタ 61における枚数カウント値はゼ 口にリセットされる。
[0081] ステップ S17のプロセス間クリーニングが終了した後、またはステップ S 18のウェハ 間クリーニングが終了した後は、ステップ S19で、チャンバ一内のプロセス間プリコー トが行なわれる。このプロセス間プリコートとしては、後続プロセスであるプロセス Bの プロローグレシピが選択される。これにより、プロセス Bの実施に適合したプリコート処 理が施され、成膜装置 1のチャンバ一内の環境整備が図られる。
[0082] 本実施形態では、前記のようにウェハ間コンディショニングとして、ウェハ間タリー二 ングとウェハ間プリコートが設定されている。このような場合、通常の処理手順に従う と、例えば図 8に示すように、プロセス Aのエピローグレシピに規定されたウェハ間タリ 一ユングの次に、同じプロセス Aのプロローグレシピに規定されたウェハ間プリコート が行なわれる。従って、図 7の処理手順においても、本来ならばステップ S 18のゥェ ハ間クリーニングの後のプリコートは、終了したプロセス（プロセス A)のプロローグレ シピに規定されたウェハ間プリコートが実施されるはずである。
[0083] し力し、仮にステップ S 18のウェハ間クリーニングの後で、先行プロセスであるプロ セス Aのプロローグレシピに規定されたウェハ間プリコートを実施してしまうと、後続の プロセス Bを行なう前に、後続のプロセス Bに適合したプロセス間コンディショニングを 行なうことが必要になってしまう。
[0084] すなわち、図 9に示すように、プロセス Aのエピローグレシピに規定されたウェハ間 クリーニングの次に、同じプロセス Aのプロローグレシピに規定されたウェハ間プリコ ートを実施した場合には、さらに、プロセス Bのエピローグレシピに規定されたプロセ ス間クリーニングを行なった後、プロセス Bのプロローグレシピに規定されたプロセス 間プリコートを実施しなければならず、クリーニングとプリコートが 2回ずつ繰り返され ることになる。
[0085] そこで、本実施形態では、プロセス Aのエピローグレシピに規定されたステップ S 18 のウェハ間クリーニングの後で、プロセス Aのプロローグレシピに規定されたウェハ間 プリコートは行なわず (スキップし）、プロセス Bのプロローグレシピに規定されたプロセ ス間プリコート (ステップ S19)を行なうようにした。これにより、枚数 Z膜厚コンディショ ユングとプロセス切替えのタイミングとが重なった場合に、クリーニングとプリコートが 繰り返されることを回避し、スループットの低下を回避して 、る。
[0086] ステップ S19でチャンバ一内のプロセス間プリコートを行なった後は、コントローラ 1 01から成膜装置 1に制御信号を送出することにより、ステップ S20で、引き続き同一 のチャンバ一内で後続プロセスであるプロセス Bが実行される。この際、成膜装置 1の チャンバ一内はコンディショニング（クリーニングおよびプリコート）によって先行プロセ スの影響が排除されて 、るので、良好な環境でプロセス Bを実行することができる。
[0087] 一方、ステップ S16でプロセス間クリーニングは不要 (No)と判断された場合には、 プロセス Aとプロセス Bは類似のプロセスであり、そのままプロセス Bを実行しても後続 プロセスへの影響はないと考えられることから、ステップ S17のプロセス間タリーニン グと、ステップ S19のプロセス間プリコートはスキップし、ステップ S20でプロセス Bが 実施される。
[0088] 以上のステップ S 11〜ステップ S20の処理によって、先行するプロセス Aと後続の プロセス Bが異種プロセスである場合は、チャンバ一内環境を最適なコンディションに 維持した状態で後続のプロセス Bを実施できる。また、先行するプロセス Aと後続のプ ロセス Bが類似のプロセスである場合は、チャンバ一内のコンディショニングを行なわ ないことから、不必要なコンディショニングを実施することが回避され、スループットの 向上を図ることができる。し力も、先行プロセスと後続プロセスの種類（プロセスグルー プ）に応じて自動的にプロセス間コンディショニングの要否を決定できることから、ェ 程管理者の作業負担を軽減できるとともに、判断ミス等による後続プロセスへの悪影 響を極力回避でき、成膜プロセスの信頼性を高めることができる。
[0089] さら〖こ、上記実施形態では、プロセスの切替えタイミングで枚数 Z膜厚コンディショ ユングが行なわれた場合、すなわち、ステップ S 18でプロセス Aに付随するウェハ間 クリーニングを実施した場合には、プロセス間クリーニングの判断のための処理 (ステ ップ 13〜ステップ S16)と、ステップ S17のプロセス間クリーニングは行なわず、次に プロセス Bのプリコートが行なわれる。また、ウェハ間コンディショニングとしてウェハ 間クリーニングとウェハ間プリコートがセットで設定されていても、プロセス Aに付随す るウェハ間プリコートは行なわない。このように、枚数 Z膜厚コンディショニングとプロ セス間コンディショニングとの自動調整が図られるので、クリーニングやプリコートの繰 り返しを避けることが可能であり、スループットを向上させることができる。
[0090] なお、図 7に示す第 2実施形態では、枚数 Z膜厚コンディショニングの一例として、 チャンバ一内における処理枚数が設定枚数に到達した場合にコンディショニングを 行なうウェハ間コンディショニングを例に挙げて説明した力 あるロットの終了をトリガ として各成膜装置のチャンバ一内における処理枚数が設定枚数に到達した場合にコ ンディショユングを行なうロット終了時コンディショニングが設定されて 、る場合につ!ヽ ても、図 7と同様の手順でプロセス間コンディショニングと枚数基準コンディショニング の調整を図ることができる。
[0091] また、成膜装置 1における処理枚数ではなぐ成膜された薄膜の累積膜厚を基準と してコンディショニングを行なう膜厚コンディショニングの設定がなされている場合に おいては、前記ステップ S 12の判断を「設定枚数」に替えて「設定膜厚」により行なう ことにより、図 7と同様の手順で実施できる。
[0092] 本発明は、上記実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、 被処理基板としては、半導体ウェハに限らず例えば液晶表示装置 (LCD)用基板等 のガラス基板、セラミックス基板など他のものであってもよぐまた、基板上に他の層を 形成したものであってもよ！/、。
[0093] また、上記実施形態では、先行プロセスとして初期タングステン膜形成工程 80、後 続プロセスとしてパッシベーシヨンタングステン膜形成工程 81 (および主タングステン 膜形成工程 82)を含む成膜プロセスを例に挙げたが、例えば同一チャンバ一内で異 なる種類の CVD (Chemical Vapor Deposition；化学気相堆積）プロセスを実施 する場合などにも、本発明を適用することができる。
また、本発明は成膜装置に限らず、同じチャンバ一内で異なるプロセスを行なう各 種の処理装置、例えば熱処理装置、プラズマ処理装置、エッチング装置、アツシング 装置、スパッタ装置、洗浄装置などにも適用可能である。

Claims

請求の範囲
[1] 被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
被処理基板を収容し、真空排気可能なチャンバ一と、
前記チャンバ一内に処理ガスおよびクリーニングガスを供給するガス供給機構と、 前記チャンバ一内を排気する排気機構と、
前記チャンバ一内での処理を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、
前記チャンバ一内において、先行する第 1のプロセスを実施するステップと、 前記第 1のプロセスが実施された後に後続の第 2のプロセスを実施するステップと、 前記第 1のプロセスが終了した後、前記第 2のプロセスが開始されるまでの間に前 記チャンバ一内環境を整えるプロセス間コンディショニング処理を行なうか否かを前 記第 1のプロセスの情報および前記第 2のプロセスの情報に基づき決定するステップ と、
前記決定するステップによりプロセス間コンディショニング処理を行なうことが決定さ れた際に、前記第 2のプロセスに先立って、プロセス間コンディショニング処理を実施 するステップと
を含む処理が行われるように制御する、基板処理装置。
[2] 前記第 1のプロセスの情報および前記第 2のプロセスの情報は、各プロセスの種類 に基づき類似のプロセスグループ毎に予め割り当てられたプロセスグループ番号を 含む、請求項 1に記載の基板処理装置。
[3] 前記プロセス間コンディショニング処理を行なうか否かは、前記プロセスグループ番 号に基づ 、て前記プロセス間コンディショニング処理の要否にっ 、て規定されたテ 一ブルを参照することにより決定される、請求項 2に記載の基板処理装置。
[4] 前記プロセス間コンディショニング処理は、クリーニングガスを用いて前記チャンバ 一内を清浄ィ匕するクリーニング処理および該クリーニング後に、前記チャンバ一内に 所定の膜を堆積させるプリコート処理を含む、請求項 1に記載の基板処理装置。
[5] 前記クリーニング処理および前記プリコート処理の内容は、前記第 2のプロセスに 基づ!/、て定められる、請求項 4に記載の基板処理装置。
[6] 前記所定の処理は、被処理基板上に薄膜を形成するための成膜処理である、請求 項 1に記載の基板処理装置。
[7] コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムであって、
実行時に、
基板処理装置のチャンバ一内において先行して行なわれた第 1のプロセスの情報 を取得するステップと、
前記第 1のプロセスの後に前記チャンバ一内で実施予定の後続の第 2のプロセス の情報を取得するステップと、
前記第 1のプロセスの情報および前記第 2のプロセスの情報に基づき、前記第 1の プロセスと前記第 2のプロセスの間に前記チャンバ一内環境を整えるプロセス間コン ディショニング処理を行なうか否かを決定するステップと、
を含む処理が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる、プロ グラム。
[8] 前記プロセス間コンディショニング処理を行なうか否かは、各プロセスの種類に基づ き類似のプロセスグループ毎に予め割り当てられたプロセスグループ番号に基づ ヽ て、前記プロセス間コンディショニング処理の要否にっ 、て規定されたテーブルを参 照することにより決定される、請求項 7に記載のプログラム。
[9] コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒 体であって、
前記プログラムは、実行時に、
基板処理装置のチャンバ一内において先行して行なわれた第 1のプロセスの情報 を取得するステップと、
前記第 1のプロセスの後に前記チャンバ一内で実施予定の後続の第 2のプロセス の情報を取得するステップと、
前記第 1のプロセスの情報および前記第 2のプロセスの情報に基づき、前記第 1の プロセスと前記第 2のプロセスの間に前記チャンバ一内環境を整えるプロセス間コン ディショニング処理を行なうか否かを決定するステップと、 を含む処理が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる、記憶 媒体。
[10] 前記プロセス間コンディショニング処理を行なうか否かは、各プロセスの種類に基づ き類似のプロセスグループ毎に予め割り当てられたプロセスグループ番号に基づ ヽ て、前記プロセス間コンディショニング処理の要否にっ 、て規定されたテーブルを参 照することにより決定される、請求項 9に記載の記憶媒体。
[11] 基板処理装置のチャンバ一内において、二つの成膜プロセスの間で前記チャンバ 一内環境を整えるプロセス間コンディショニング処理を行なうか否かを決定するコン ディショニング要否決定方法であって、
前記チャンバ一内で先行して行なわれた第 1の成膜プロセスの情報を記憶部に保 存するステップと、
前記記憶部力 前記第 1の成膜プロセスの情報を取得するステップと、 前記第 1の成膜プロセスの後に前記チャンバ一内で実施予定の後続の第 2の成膜 プロセスの内容について規定されたプロセスレシピから、前記第 2の成膜プロセスの 情報を取得するステップと、
取得された前記第 1の成膜プロセスの情報および前記第 2の成膜プロセスの情報 に基づき、前記第 1の成膜プロセスと前記第 2の成膜プロセスの間に前記プロセス間 コンディショニング処理を行なうか否かを決定するステップと、
を含む、コンディショニング要否決定方法。
[12] 前記プロセス間コンディショニング処理を行なうか否かは、各プロセスの種類に基づ き類似のプロセスグループ毎に予め割り当てられたプロセスグループ番号に基づ ヽ て、前記プロセス間コンディショニング処理の要否にっ 、て規定されたテーブルを参 照することにより決定される、請求項 11に記載のコンディショニング要否決定方法。
[13] 基板処理装置のチャンバ一内において該チャンバ一内環境を整えるコンディショ- ング処理を行なうか否かを決定するコンディショニング要否決定方法であって、 前記チャンバ一内で先行して行なわれた第 1の成膜プロセスの情報を記憶部に保 存するステップと、
前記チャンバ一内で行なわれた第 1の成膜プロセスにおける被処理基板の処理枚 数または成膜膜厚の累積値が、前記第 1の成膜プロセスの途中で行なわれる枚数 Z 膜厚基準のコンディショニングを実行する契機として予め規定された設定値に到達し た力否かを判断するステップと、
前記設定値に到達して!/、な!、場合に、前記記憶部から前記第 1の成膜プロセスの 情報を取得するステップと、
前記第 1の成膜プロセスの後に前記チャンバ一内で実施予定の後続の第 2の成膜 プロセスの内容について規定されたプロセスレシピから、前記第 2の成膜プロセスの 情報を取得するステップと、
取得された前記第 1の成膜プロセスの情報および前記第 2の成膜プロセスの情報 に基づき、前記第 1の成膜プロセスと前記第 2の成膜プロセスの間に前記プロセス間 コンディショニング処理を行なうか否かを決定するステップと、
を含む、コンディショニング要否決定方法。
[14] 前記プロセス間コンディショニングの内容は、前記第 2の成膜プロセスに応じて定め られている、請求項 13に記載のコンディショニング要否決定方法。
[15] 前記チャンバ一内で行なわれた第 1の成膜プロセスにおける被処理基板の処理枚 数または成膜膜厚の累積値が前記設定値に到達したカゝ否かを判断するステップに ぉ ヽて、前記処理枚数または前記成膜膜厚が前記設定値に到達して ヽる場合に、 前記第 1の成膜プロセスに応じて定められた枚数 Z膜厚基準のコンディショニングの うち、一部のみを実施する、請求項 13に記載のコンディショニング要否決定方法。
[16] 前記第 1の成膜プロセスに応じて定められた前記枚数 Z膜厚基準のコンディショニ ングは、クリーニング処理とプリコート処理を行うことが可能である、請求項 15に記載 のコンディショニング要否決定方法。
[17] 前記コンディショニングを実施する際に、前記クリーニング処理のみを実施し、前記 プリコート処理を実施しない、請求項 16に記載のコンディショニング要否決定方法。
[18] 前記プロセス間コンディショニング処理を行なうか否かは、各プロセスの種類に基づ き類似のプロセスグループ毎に予め割り当てられたプロセスグループ番号に基づ ヽ て、前記プロセス間コンディショニング処理の要否にっ 、て規定されたテーブルを参 照することにより決定される、請求項 13に記載のコンディショニング要否決定方法。
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