WO2007114084A1

WO2007114084A1 - ガラス組成物およびこれを用いたディスプレイパネル

Info

Publication number: WO2007114084A1
Application number: PCT/JP2007/056085
Authority: WO
Inventors: Osamu Inoue; Shinya Hasegawa; Yasuhiko Nakada; Tsutomu Koshizuka
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2006-03-31
Filing date: 2007-03-23
Publication date: 2007-10-11
Also published as: US20080018252A1; JP2009143729A; US7839088B2

Abstract

　本発明のガラス組成物は、酸化物ガラスであって、６０重量％＜Ｂ2Ｏ3＜７８重量％、１５重量％＜ＺｎＯ≦２４重量％、６重量％≦Ｒ2Ｏ≦１６重量％、１重量％≦ＭＯ＜１７重量％、０重量％≦ＳｉＯ2≦１５重量％、を満たす組成を有している。ただし、ＲはＬｉ、ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種を示し、ＭはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａより選ばれる少なくとも１種を示している。本発明のディスプレイパネルは、このような本発明のガラス組成物を用いて形成されている。

Description

ガラス組成物およびこれを用いたディスプレイパネル

技術分野

[0001] 本発明は、電極の被覆に適したガラス組成物およびこれを用いたディスプレイパネル、特にプラズマディスプレイパネルに関する。

背景技術

[0002] プラズマディスプレイパネル（以下、 PDPと略す）、フィールドェミッションディスプレィ、液晶表示装置、蛍光表示装置、セラミック積層デバイス、混成集積回路の如き表示装置や集積回路においては、その表面に Ag、 Cu等からなる電極や配線を有する基板が用いられている。こうした電極や配線は、これを保護するために、絶縁性ガラス材料によって被覆される場合がある。ここでは、代表的な表示装置である PDPを例に挙げて、以下に説明する。

[0003] 一般〖こ PDPは、 2枚の対向するガラス基板に、それぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その間に Ne、 Xe等の不活性ガスを主体とするガスを封入した構造になつており、電極間に電圧を印加して、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることによって、各セルを発光させて表示を行なっている。そしてこれらの電極は、誘電体層と呼ばれる絶縁性材料で被覆されて、保護されている。

[0004] 例えば、 AC型 PDPの前面板となるガラス基板にぉ、ては、透明電極が形成され、さらにその上に、より抵抗率が低い Ag、 Cu、 A1等の金属電極が形成されている。この複合電極を覆って誘電体層が形成され、さらにその上に保護層（MgO層）が形成されている。

[0005] 電極を覆って开成される誘電体層は、 CVD (Chemical Vapor Deposition)等の方法により SiO等の薄膜を形成することもできるが、通常は設備やコストの面から、低軟

2

化点のガラスが用いられる。このような低軟ィ匕点のガラスを用いた誘電体層は、ガラス粉末を含むペーストを、スクリーン印刷法やダイコート法等で電極を覆うように塗布した後、焼成することによって形成されている。

[0006] 誘電体層を形成するガラス組成物に要求される特性としては、 (1)電極上に形成されるため、絶縁性であること

(2)大面積のパネルでは、ガラス基板の反り、誘電体層の剥がれやクラックを防止するために、ガラス組成物の熱膨脹係数を、基板材料とあまり変わらない値にしておくこと

(3)前面板用であれば、蛍光体から発生した光を効率よく表示光として利用するために、可視光透過率が高い非晶質ガラスであること

(4)基板ガラスの耐熱性に適合するように、軟ィ匕点が低ヽこと

等が挙げられる。

[0007] PDPに使用されるガラス基板としては、フロート法で作製され、一般に入手が容易な窓板ガラスであるソーダライムガラスや、 PDP用に開発された高歪点ガラスがあり、これらは、通常、 600°Cまでの耐熱性、 75 X 10— ⁷〜85 X 10— ⁷Z°Cの熱膨脹係数を有する。

[0008] このため、前述した（2)については、熱膨脹係数が 60 X 10— ⁷〜90 X 10— ⁷/°C程度のガラス組成物が望ましい。また、前述した (4)については、ガラスペーストの焼成をガラス基板の歪点である 600°C以下で行う必要があるので、 600°C以下の温度で焼成しても充分軟化するように、軟ィ匕点が 590°C程度以下のガラス組成物であることが望ましい。

[0009] 以上のような要望を満足するガラス材料として、現在は、 PbOを主原料とする PbO — SiO系ガラスが主に使用されている。

2

[0010] し力し、近年の環境問題への配慮から、 Pbを含まない誘電体層が求められている。

また、ガラス材料の誘電率については、 PDPの低消費電力化のために、より下げることが求められている。 Pbを含まないガラスとしては、ホウ酸亜鉛を主成分とし、 Pbの代わりに Biを含むことによって低軟化点とした、 Bi O—B O -ZnO-SiO系ガラス材

2 3 2 3 2 料 (例えば、特開 2001— 139345号公報参照）等が開発されている力これらの Bi 系材料も、 Pb系材料と同じぐ比誘電率が 9〜13程度と高いという問題点を有する。

[0011] そこで、低誘電率と低軟化点を両立させるため、 Pbの代わりにアルカリ金属を含むホウ酸亜鉛系ガラス（アルカリ金属酸化物— B O -ZnO-SiO系ガラス）によって、

2 3 2

比誘電率 7前後を達成した材料も提案されている（例えば、特開平 9— 278482号公報、特開 2000— 313635号公報および特開 2002— 274883号公報参照）。

[0012] し力しながら、望まれる比誘電率としては低ければ低いほど良いものの、比誘電率が 6. 5以下で、かつ、軟ィ匕点が低いガラスは見出されていな力つた。また、従来検討されてヽるアルカリホウ酸亜鉛系ガラスでは、低ヽ軟化点および適度な熱膨張係数は満足できても、これらに加え、高いガラス転移温度 (ガラス転移点）を有するガラスを実現することは困難であった。

[0013] 単純に電極を被覆するためのガラスでよければ、低軟化点、適度な熱膨張係数、低誘電率を実現すれば足りる。しかし、 PDPにおいては、電極被覆を行った後に、 M gO層のァニールや、前面板と背面板を接合する封着工程等で、再度ガラス層に 50 0°C近い熱が加わる。誘電体層用ガラスの軟化点は 600°C弱なので、 500°C程度の温度が加わっても軟ィ匕する訳ではな、が、この加熱温度がガラス転移温度を大幅に超えると、ガラスの物性が急激に変化するため、特に大面積のディスプレイでは、誘電体層が基板カゝら剥がれたり、クラックが入って絶縁性および信頼性が低下したりしてしまう。発明者の検討によると、 500°C程度で再熱処理するためには、ガラスに求められる望ましいガラス転移点は 475°C以上である。また、 PDP以外の表示装置や回路基板等においても、電極や配線をガラス材料で被覆した後に、再度高温での熱処理を行うと、同様の問題が生じる危険があった。

[0014] 発明者の検討によると、アルカリホウ酸亜鉛系ガラスにおいて、誘電率を低くするためには B O量を多くする必要がある力 B O量を多くするとガラス転移点が低下する

2 3 2 3

傾向があった。従来の電極被覆用ガラスでは、ガラス転移点については全く注意が払われていないため、低軟化点、低誘電率、適度な熱膨張係数の材料は得られていても、これに併せて高、ガラス転移点を有する材料は得られて!/ヽなかった。

[0015] さらに、 B O量の含有量が多いアルカリ系ガラスでは、 B Oが容易に水に溶解す

2 3 2 3

るために、耐水性が低い Z吸湿性が高いという問題点があった。耐水性の低さは、基板切断時に誘電体層を形成するガラスに水が力かることにより絶縁不良の原因となる場合があり、また吸湿性の高さは、系中（誘電体層中）の水分量を増加させ、誘電体層上に形成した MgO保護膜の特性を劣化させたりする場合があった。

発明の開示 [0016] 本発明は、軟化点が低ぐ誘電率が低ぐ基板との熱膨張係数のマッチングが良い上に、ガラス転移点が高ぐ耐水性が高い、高信頼性のディスプレイパネルを作製することが可能なガラス組成物と、そのガラス組成物を用いたディスプレイパネルとを提供することを目的とする。

[0017] 本発明のガラス組成物は、酸ィ匕物ガラスであって、

60重量％< B O < 78重量％

2 3

15重量％ < ZnO≤ 24重量％

6重量％≤R 0≤16重量％

2

1重量％≤MO< 17重量％

0重量％≤ SiO≤ 15重量％

2

を満たす組成を有している。ここで、 Rは Li、 Naおよび K力選ばれる少なくとも 1種を示し、 Mは Mg、 Ca、 Srおよび Baから選ばれる少なくとも 1種を示している。すなわち、本発明のガラス組成物において、 Li 0、 Na Oおよび Κ Οの合計は 6重量％以

2 2 2

上 16重量％以下であり、 MgO、 CaO、 SrOおよび BaOの合計は 1重量％以上 17重量％未満である。

[0018] 本発明によれば、軟化点が低ぐ誘電率が低ぐディスプレイパネルに用いられる基板との熱膨張係数のマッチングが良い上に、ガラス転移点が高ぐ耐水性が高ぐ信頼性の高、ディスプレイパネルを作製することが可能な、ガラス組成物を提供できる

[0019] また、本発明は、本発明による上記ガラス組成物を用いたディスプレイパネルを提供する。

[0020] 本発明の第 1のディスプレイパネルは、ガラス組成物を含む誘電体層によって電極が被覆されてヽるディスプレイパネルであって、このガラス組成物が本発明〖こよる上記ガラス組成物である。

[0021] 本発明の第 2のディスプレイパネルは、ガラス組成物を含む誘電体層によって電極が被覆されているディスプレイパネルであって、前記誘電体層が、前記電極を直接被覆する第 1誘電体層と、前記第 1誘電体層上に配置された第 2誘電体層とを含み、前記第 1誘電体層に含まれるガラス組成物がアルカリ金属元素を実質的に含まず、前記第 2誘電体層に含まれるガラス組成物が本発明による上記ガラス組成物である。

[0022] 本発明の第 3のディスプレイパネルは、第 1の電極が設けられた前面板と、この第 1 の電極と交差するように第 2の電極が設けられており、かつ、前面板と対向して配置された背面板と、第 1の電極および第 2の電極力選ばれる少なくとも 1つの電極を被覆する誘電体層と、放電空間を形成するために前面板と背面板との間に配置された隔壁と、を含むプラズマディスプレイパネルであって、誘電体層および前記隔壁から選ばれる少なくとも 1つがガラス組成物を含み、このガラス組成物が本発明〖こよる上記ガラス組成物である。

[0023] 本発明の第 4のディスプレイパネルは、基板上に配置された第 1誘電体層と、この第 1誘電体層上に配置された電極と、この電極上に配置された第 2誘電体層とを含み、第 1誘電体層に含まれるガラス組成物が本発明による上記ガラス組成物である。

[0024] 本発明の第 1〜第 4のディスプレイパネルによれば、信頼性の高いディスプレイパネルを提供できる。

図面の簡単な説明

[0025] [図 1]図 1は、本発明による PDPの構成の一例を示す部分切り取り斜視図である。

[図 2]図 2は、図 1に示した PDPの断面図である。

[図 3]図 3は、本発明による PDPの構成の別の一例を示す断面図である。

[図 4]図 4は、本発明による PDPの構成のさらに別の一例を示す断面図である。発明を実施するための最良の形態

[0026] 発明者は、詳細な検討の結果、上記に示したような本発明のガラス組成物における組成範囲内において、誘電率が極めて低いにもかかわらず、軟化点が低ぐ熱膨張係数について基板とのマッチングが良ぐさらにガラス転移点が充分に高ぐ耐水性も高ヽ、従来のアルカリ金属を含むホウ酸亜鉛系ガラスの欠点を払拭したガラス組成物が得られることを見出した。

[0027] 本発明によれば、軟化点が 590°C以下であり、ガラス転移点が 475°C以上であり、熱膨張係数 (平均線熱膨張係数)が 60 X 10— ⁷Z°C〜90 X 10—ソでであり、比誘電率が 6. 5以下であるガラス組成物を得ることが可能である。

[0028] (ガラス組成物）以下、本発明のガラス組成物における各成分の限定理由を説明する。

[0029] B Oは本発明のガラス組成物の主成分である。 B Oが多いほど低誘電率となり、

2 3 2 3

軟ィ匕点も下がるが、ガラス転移点も低下する。特に問題となるのは、軟化点の温度低下よりも、ガラス転移点の温度低下が大きい点である。前述したように、軟ィ匕点は 590 °C以下、ガラス転移点は 475°C以上が望ましいので、軟化点とガラス転移点の差は 1 15°C以下が望ましいが、 B Oが多くなるほどその差が広がってしまう。 B Oの量を、

2 3 2 3

60重量％を超え 78重量％未満に限定する理由は、 B Oが 60重量％以下では誘電

2 3

率が高くなる力、あるいは軟ィ匕点が高くなるためであり、 B O力重量％以上だとガ

2 3

ラス転移点が低くなりすぎるためである。

[0030] アルカリ金属酸化物である R O (R=Li、 Na、 K)は、本発明のガラス組成物の必須

2

成分である。アルカリ金属酸ィ匕物量の増加は、軟ィ匕点とガラス転移点との差を縮める効果があるが、誘電率は高くなり、また、後述する黄変を生じやすくする。その合計量

(K O+Na O+Li O)を 6重量％以上 16重量％以下とする理由は、 6重量％未満だ

2 2 2

と軟化点が高くなり、熱膨張係数が小さくなりすぎるためであり、 16重量％を超えると、誘電率と熱膨張係数が大きくなりすぎるためである。

[0031] アルカリ金属酸化物の種類を同一量で比較すると、 K 0、 Na 0、 Li Oの順で黄変

2 2 2

が生じやすくなる。また、熱膨張係数は、同一量で比較すると、 K Oの場合が最も大

2

きくなり、 Na 0、 Li Oの順で小さくなる。アルカリ金属酸ィ匕物量を増やすと黄変が生

2 2

じやすくなるため、できるだけ減らすことが望ましいが、あまり減らすと熱膨張係数が小さくなりすぎる。この時に、より少ない量で適当な熱膨張係数が得られるのは K o

2 であり、次に Na Oであり、 Li Oの場合は量を減らすことが困難である。従って、アル

2 2

カリ金属酸化物の中で、最も好ましいのは K Oであり、次に好ましいのが Na Oである

2 2

。本発明のガラス組成物においては、アルカリ金属酸ィ匕物として、 K oのみを用いる

2

力あるいは、 K Oと Na Oとを用いて K O量を Na O量の 2倍以上とすること力より

2 2 2 2

好ましい。

[0032] アルカリ土類金属酸化物である MO (M = Mg、 Ca、 Sr、 Ba)は、本発明のガラス組成物の必須成分である。本発明のガラス組成物は B Oを多く含む（高 B量組成域で

2 3

ある）ため、ガラス転移点が低下し、軟ィ匕点とガラス転移点の差も広がりやすいが、 M gO、 CaO、 SrOおよび BaOから選ばれる少なくとも 1種を少量カ卩えることによって、軟化点自体が上昇し、さらにそれ以上にガラス転移点も高くなるので、ガラス転移点を高くすると同時に軟ィ匕点との温度差を縮める効果がある。同様の効果は、後述するように ZnOにも認められるが、ガラス転移点を高くする効果は、アルカリ土類金属酸ィ匕物の方が大きい。また、 ZnO添加では、添加量増加により結晶化温度が低下するという問題が生じるが、アルカリ土類金属酸ィ匕物の添加では結晶化の問題が生じず、さらに ZnOとアルカリ土類金属酸ィ匕物とを同時に添加することによって、 ZnO添加によって生じた結晶化の問題を回避することができる。また、アルカリ土類金属酸化物の添カ卩は、 ZnOほどではないが、ガラスの耐水性を高める効果もある。従って、本発明のように低誘電率 Z高 B量組成域のガラスを実用的な材料にするためには、アルカリ土類金属酸ィ匕物の添カ卩は必須である。その量を 17重量％未満とする理由は、これよりも多すぎると軟ィ匕点が高くなるとともに、誘電率が高くなりすぎるためである。

[0033] アルカリ土類金属酸ィヒ物の種類を同一量で比較すると、ガラス転移点を高くする効果、軟ィ匕点とガラス転移点の差を縮める効果は共に CaOの場合が最も大きぐ誘電率は BaOの場合が最も高くなり、続いて SrO、 CaO、 MgOの順で小さくなる。したがつて、これらの中では CaOが最も好ましぐ BaOが最も好ましくない。

[0034] SiOは本発明のガラス組成物の必須元素ではない。 SiOは、ガラスの化学的安定

2 2

性を高めたり、ガラス転移点を高くしたりする効果がある。し力しながら、ガラス転移点の上昇以上に軟ィ匕点を高くするので、軟ィ匕点とガラス転移点の差が大きくなつてしまう。従って、 SiOは、全く含まなくても力まわないが、化学的安定性の向上や熱膨張

2

係数の調整等の理由で、多少含ませることも可能である。その上限を 15重量％以下に限定する理由は、 15重量％を超えると軟ィ匕点が高くなりすぎるとともに、軟化点とガラス転移点の差が広がりすぎるためである。

[0035] ZnOは本発明のガラス組成物の必須成分である。 ZnOの添カ卩は、誘電率、軟化点およびガラス転移点を共に若干上昇させるが、その効果は同じ添加量で比較すると、アルカリ土類金属酸ィ匕物より少ない。し力しながら、ガラス転移点の上昇に比べて軟化点の上昇が小さぐまた、誘電率や軟化点を上昇させる効果が少ないために、比較的多く用いることができる。その結果、軟ィ匕点とガラス転移点の差を縮める効果は、アルカリ土類金属酸ィ匕物よりも大きい。また、 ZnOの添カ卩は、少量でも耐水性を向上させる効果がある。 15重量％を超える量に限定する理由は、 15重量％以下では軟ィヒ点とガラス転移点を近づける効果が弱、ためであり、 24重量％以下とする理由は、 24重量％を超えると軟ィ匕点が高くなりすぎるためである。

[0036] 本発明のガラス組成物は上記成分を含み、典型的には実質的に上記成分のみからなる (換言すれば、上記成分以外は実質的に含まなくてもよい)が、本発明の効果が得られる限り、他の成分を含有してもよい。他の成分の含有量の合計は、好ましくは 5重量％以下、より好ましくは 3重量％以下、さらに好ましくは 1重量％以下である。

[0037] 他の成分の具体例としては、イットリウム (Y)やランタン (La)等の希土類金属の酸化物、ビスマス（Bi)、バナジウム（V)、アンチモン（Sb)、リン（P)、モリブデン（Mo)、タングステン (W)、チタン (Ti)、コバルト（Co)、銅（Cu)の酸ィ匕物等が挙げられる。ィットリウム (Y)やランタン (La)等の希土類金属の酸化物は、ガラス転移点を 10〜20 °C程度上昇させるが、軟ィ匕点も同程度上昇させる。このため、本発明のガラス組成物の基本組成にぉ、てガラス転移点および軟ィ匕点が共に低、場合に、これらの温度を高くするために希土類金属元素を添加するとよい。ビスマス (Bi)、バナジウム (V)、ァンチモン (Sb)、リン (P)の酸ィ匕物は、ガラス転移点を 10〜20°C程度低下させるが、軟ィ匕点も同程度低下させる。このため、本発明のガラス組成物の基本組成においてガラス転移温度および軟ィ匕点が共に高ヽ場合に、これらの温度を低くするためにこれらの酸ィ匕物を添加するとよい。またビスマス（Bi)の添カ卩は、ガラスの耐水性を向上させる効果もある。モリブデン (Mo)、タングステン (W)の酸ィ匕物は、黄変の発生を抑制する効果がある。チタン (Ti)、コバルト (Co)、銅 (Cu)の酸ィ匕物はガラスを青く着色するので、黄変が生じた場合に、補色である青色を強くしてカラーバランスが崩れるのを防ぐことができる。これらの添加物の望ましい上限は、上述したように 5重量％以下、より好ましくは 3重量％以下、さらに好ましくは 1重量％以下である力その理由は、 5重量％を超えると着色がひどくなつたり、誘電率が高くなつたり、原料コストが高くなつたりするためである。

[0038] また、これら以外にも、熱膨張係数の調整、ガラスの安定ィ匕およびィ匕学的耐久性の向上等のために、アルミニウム（A1)、ジルコニウム（Zr)、マンガン（Mn)、ニオブ（Nb )、タンタル (Ta)、テルル (Te)、銀 (Ag)等の酸化物を添加することも、少量であれば可能である。これらについても、好ましくは 5重量％以下、より好ましくは 3重量％以下、さらに好ましくは 1重量％以下である。

[0039] なお、本発明のガラス組成物にぉ、ては、組成成分として含まれる B O、 ZnO、 R

2 3 2

0、 MOおよび SiOの各酸ィ匕物の相対比率が最も重要である。従って、例えばこれら

2

以外の成分である Al Oを 3重量％含む場合、この 3重量％を除いた残り 97重量％

2 3

を 100重量％に換算しなおした場合に、各成分の重量比率が本発明のガラス組成物における各酸ィ匕物の重量比率を満たして、ればよ、。

[0040] 本発明のガラス組成物は、酸ィ匕鉛 (PbO)を実質的に含まな!/、ことが好ま、。酸ィ匕鉛の添カ卩は、環境への影響や、誘電率の上昇、ガラスの着色、原料コストが高くなる等の問題を引き起こすことがあるためである。

[0041] 本発明のガラス組成物のようなアルカリ含有低誘電率ガラスは、成分にアルカリ金属を含むため、 Agや Cuを含む電極を保護する誘電体材料として用いた場合、焼成条件等によっては、 Agや Cuが酸ィ匕されてイオンィ匕し、これらイオンがガラス中を拡散するという問題が発生することがある。 Agや Cuのイオンは、再度還元されてコロイド状金属として析出し、誘電体層やガラス基板が黄色く着色して見える、いわゆる黄変を生じさせる。黄変が生じると、特に PDPの前面板用誘電体層として用いた場合には、表示性能が劣化してしまう。したがって、このような場合には、アルカリ金属を実質的に含まないガラス組成物を電極に直接接する (電極を直接被覆する）第 1誘電体層に用い、その上に積層する第 2誘電体層に本発明のガラス組成物を用いれば、全体として誘電率を低く維持しながら黄変を防止できる。

[0042] なお、本明細書において、「実質的に含まない」とは、除去することが工業的に難しぐかつ特性に影響を及ぼさないごく微量の成分を許容する趣旨であり、具体的には、含有率が 1重量％以下、より好ましくは 0. 1重量％以下であることをいう。

[0043] (PDPの構成）

本発明のディスプレイパネルの具体例として、 PDPについて説明する。図 1は、本実施形態に力かる PDPの主要構成を示す部分切り取り斜視図である。図 2は、この P DPの断面図である。この PDPは AC面放電型であって、誘電体層が上述したガラス組成物で形成されている以外は、従来例に力かる PDPと同様の構成を有する。

[0044] この PDPは、前面板 1と背面板 8とが貼り合わされて構成されている。前面板 1は、前面ガラス基板 2と、その内側面 (放電空間 14に臨む面）に形成された透明電極 3およびバス電極 4力なる表示電極 (第 1の電極） 5と、表示電極 5を覆うように形成された誘電体層 6と、誘電体層 6上に形成された酸化マグネシウムからなる誘電体保護層 7とを備えている。表示電極 5は、 ITO (Indium Tin Oxide)または酸化スズからなる透明電極 3に、良好な導電性を確保するため Ag等カゝらなるバス電極 4が積層されて形成されている。

[0045] 背面板 8は、背面ガラス基板 9と、その片面に形成されたアドレス電極 (第 2の電極） 10と、アドレス電極 10を覆うように形成された誘電体層 11と、誘電体層 11の上面に設けられた隔壁 12と、互いに隣接する隔壁 12の間に形成された蛍光体層 13とを備えている。蛍光体層 13は、赤色蛍光体層 13 (R)、緑色蛍光体層 13 (G)および青色蛍光体層 13 (B)がこの順に配列するように配列するように形成される。

[0046] 誘電体層 6および Zまたは誘電体層 11、好ましくは誘電体層 6に、上述した本発明のガラス組成物が使用される。また、隔壁 12に、本発明のガラス組成物を用いてもよい。誘電体層 6は透明であることが必要である力誘電体層 11および隔壁 12は透明である必要性がない。従って、誘電体層 11や隔壁 12に本発明のガラス組成物を用いる場合は、本発明のガラス組成物に、より低誘電率の SiO

2等をフイラ一として分散含有させたものを用いてもよい。さら〖こ、図 4に示すように、ガラス基板 2と表示電極 5 との間、あるいはガラス基板 9とアドレス電極 10との間に、本発明のガラス組成物を含む誘電体層 17を形成すると、基板ガラスの誘電率の影響を低減できる。なお、図 4では、ガラス基板 2と表示電極 5との間に誘電体層 17を設けた例が示されており、図 1 に示す PDPと同じ部材 (膜)には、同じ符号が付されている。また、図 4に示す構成（基板と電極との間に誘電体層が配置される構成)の場合は、誘電体層 17が第 1誘電体層に相当し、誘電体層 6が第 2誘電体層に相当する。

[0047] 以下では、例として誘電体層 6に本発明のガラス組成物を用いた場合について説明するが、本発明のガラス組成物は低い誘電率、低い軟化点、高いガラス転移点および適度な熱膨張係数を実現できるので、誘電体層 11、隔壁 12、あるいは基板 Z 電極間に配置される誘電体層 17にも、同様に好適に適用できる。

[0048] 上記蛍光体層 13を構成する蛍光体としては、例えば、青色蛍光体として BaMgAl

1

O ： Eu、緑色蛍光体として Zn SiO： Mn、赤色蛍光体として Y Ο： Euを用いること

0 17 2 4 2 3

ができる。

[0049] 前面板 1および背面板 8は、表示電極 5とアドレス電極 10の各々の長手方向が互いに直交し、かつ互いに対向するように配置され、封着部材（図示せず)を用いて接合される。

[0050] 放電空間 14には、 He、 Xe、 Ne等の希ガス成分からなる放電ガス（封入ガス）が 66 . 5〜79. 8kPa (500〜600Torr)程度の圧力で封入されている。

[0051] 表示電極 5とアドレス電極 10は、それぞれ外部の駆動回路（図示せず)と接続され、駆動回路から印加される電圧によって放電空間 14で放電が発生し、放電に伴って発生する短波長 (波長 147nm)の紫外線で蛍光体層 13が励起されて可視光を発光する。

[0052] 誘電体層 6は、通常、ガラスの粉末に、印刷性を付与するためのバインダゃ溶剤等を添加することによってガラスペーストとし、このガラスペーストを、ガラス基板上に形成された電極上に塗布、焼成することによって形成される。

[0053] ガラスペーストは、ガラスの粉末と溶剤と榭脂 (バインダ）とを含むが、これら以外の成分、例えば、界面活性剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、顔料、染料等、種々の目的に応じた添加剤を含んでもよい。

[0054] ガラスペーストに含まれる榭脂 (バインダ）は、原料粉末 (ガラス粉末)との反応性が低いものであればよいため、その種類は特に限定されない。化学的安定性、コストおよび安全性等の観点から、例えば、ニトロセルロース、メチルセルロース、ェチルセルロースおよびカルボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリビュルアルコ一ノレ、ポリビニノレブチラ一ノレ、ポリエチレングリコーノレ、カーボネート系榭脂、ウレタン系榭脂、アクリル系榭脂およびメラミン系榭脂から選ばれる少なくとも 1種をバインダとして用いることができる。

[0055] ガラスペーストに含まれる溶剤は、原料粉末との反応性が低、ものであればよ!、ため、その種類は特に限定されない。化学的安定性、コストおよび安全性等の観点と、バインダとの相溶性の観点とから、例えば、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、脂肪族カルボン酸のエステル類、タービネオールやべンジルアルコール等のアルコール類、等の有機溶剤を溶剤として使用することができる。

[0056] 本発明によるガラス組成物を用いた誘電体層 6の形成方法としては、上記ガラスべ一ストをスクリーン法、バーコ一ター、ローノレコーター、ダイコーター、ドクターブレード等によって塗布し、焼成する方法が代表的である。ただし、それに限定されることなく、例えば上記ガラス組成物を含むシートを貼り付けて焼成する方法でも、誘電体層 6 を形成できる。

[0057] 誘電体層 6の膜厚は、絶縁性と光透過性を両立させるために、 πι〜50 /ζ m程度とすることが好ましい。

[0058] 次に、誘電体層が 2層構造になっている PDPの具体例について、図 3を用いて説明する。図 3は、前面板における誘電体層が 2層構造になっている PDPの断面図であり、誘電体層 6に代えて、第 1誘電体層 15、第 2誘電体層 16の 2層構造の誘電体層が用いられて、る以外は、図 2の PDPと同様である（同じ部材 (膜）につ、ては同じ符号を付し、説明を省略する)。

[0059] 図 3に示すように、第 1誘電体層 15は表示電極 5を被覆し、第 2誘電体層 16は第 1 誘電体層 15を被覆するように配設されてヽる。このように誘電体層が 2層構造の場合、第 2誘電体層 16に含まれるガラス組成物に本発明のガラス組成物を用い、第 1誘電体層 15に含まれるガラス組成物には、アルカリ金属を実質的に含まな、ガラス組成物を用いることが好ましい。このような構成によれば、表示電極 5に直接接触している第 1誘電体層 15がアルカリ金属元素を実質的に含まないため、少なくとも第 1誘電体層 15については、 Agや Cuのコロイド析出による黄変、耐圧低下が防止できる。また、第 1誘電体層 15で Agや Cuのイオンの拡散を抑制しているため、第 2誘電体層 1 6についても、変色したり、耐電圧が低下したりすることを抑制できる。 [0060] 本発明のガラス組成によれば、比誘電率が 6. 5以下であるガラス組成物を提供できる。このガラス組成物を第 2誘電体層 16に用いれば、第 1誘電体層 15に多少誘電率の大き、材料を使用したとしても、全体として低誘電率の誘電体層が形成できる。従来の Pb系ガラスや Bi系ガラスの比誘電率が 9〜 13であることを考慮すると、上記のような 2層構成としても、消費電力を低減できる。

[0061] 上記 2層構造の誘電体層は、第 1誘電体層 15を形成した後に、第 2誘電体層 16用のガラス組成物を塗布し、焼成することによって形成することができる。第 1誘電体層 15にガラス組成物を用いている場合、当該ガラス組成物は、第 2誘電体層 16に含まれるガラス組成物の軟化点よりも高、軟ィ匕点を有することが好まし、。

[0062] 表示電極 5と第 2誘電体層 16との絶縁、および界面反応防止を確保するため、第 1 誘電体層 15の膜厚は 1 μ m以上とすることが好ましい。

[0063] また、絶縁性と透過率を両立させるためには、第 1誘電体層 15と第 2誘電体層 16とを合わせた膜厚を 10 μ m〜50 μ m程度とすることが好まヽ。

[0064] (PDPの作製方法）

上記 PDP (図 1および図 2に示された PDP)の作製方法について、一例を挙げて説明する。まず、前面板 1を作製する。平坦な前面ガラス基板 2の一主面に、 ITOまたは酸化スズからなる複数のライン状の透明電極 3を形成する。引き続き、透明電極 3 上に銀ペーストを塗布した後、前面ガラス基板 2全体を加熱することによって銀ぺーストを焼成し、バス電極 4を形成する。このようにして、透明電極 3およびバス電極 4からなる表示電極 5を形成する。

[0065] 表示電極 5を覆うように、前面ガラス基板 2の上記主面に、本発明の PDPにおける誘電体層用のガラスペースト (本実施の形態の場合は、本発明のガラス組成物を含むガラスペースト）をブレードコーター法によって塗布する。その後、前面ガラス基板 2 全体を 90°Cで 30分間保持してガラスペーストを乾燥させ、次いで、 580°C前後の温度で 10分間焼成を行い、誘電体層 6を作製する。

[0066] 誘電体層 6上に酸ィ匕マグネシウム (MgO)を電子ビーム蒸着法によって成膜し、焼成を行い、誘電体保護層 7を形成する。この時の焼成温度は 500°C前後である。

[0067] 図 3に示すような誘電体層が 2層構造になっている PDPを作製する場合は、第 1誘電体層 15用のガラスペーストを用いて、上記と同様に表示電極 5を覆うように第 1誘電体層 15を形成し、この第 1誘電体層 15上に第 2誘電体層 16用のガラスペースト（本実施の形態の場合は、本発明のガラス組成物を含むガラスペースト）を塗布、乾燥、焼成して第 2誘電体層 16を形成する。

[0068] 次に、背面板 8を作製する。平坦な背面ガラス基板 9の一主面に、銀ペーストをライン状に複数本塗布した後、背面ガラス基板 9全体を加熱して銀ペーストを焼成することによって、アドレス電極 10を形成する。次に、アドレス電極 10が形成された背面ガラス基板 9上に、誘電体層 11が形成される。

[0069] 次に、隣り合うアドレス電極 10の間にガラスペーストを塗布し、背面ガラス基板 9全体を加熱して当該ガラスペーストを焼成することによって、隔壁 12を形成する。

[0070] 隣り合う隔壁 12の間に、 R、 G、 B各色の蛍光体インクを塗布し、背面ガラス基板 9を約 500°Cに加熱して上記蛍光体インクを焼成することによって、蛍光体インク内の榭脂成分 (バインダ)等を除去して蛍光体層 13を形成する。

[0071] こうして得た前面板 1と背面板 8とを封着ガラスを用いて貼り合わせる。この時の温度は 500°C前後である。その後、封止された内部を高真空排気した後、希ガスを封入する。以上のようにして PDPが得られる。

[0072] 上述した PDPおよびその製造方法は一例であり、本発明はこれに限定されないが、上記のように、誘電体層は、それ自体の焼成以外に、 MgO層の焼成と、前面板と背面板の封着との際に、いずれも短時間ではあるが 500°C程度の熱処理を経ることになる。その際、誘電体層のガラス転移点があまりに低いと、ガラス転移点を超えた温度域で熱膨張係数が大きくなるため、誘電体層にクラックが生じたり、剥離が生じたりして使用できない。発明者の検討によると、誘電体層に含まれるガラス組成物のガラス転移点は、 475°C以上、さらには 480°C以上が望ましい。

[0073] なお、本発明を適用する PDPは、上記のような面放電型のものが代表的であるが、これに限定されるものではなぐ対向放電型にも適用できる。また、 AC型に限定されるものではなぐ DC型の PDPであっても誘電体層を備えたものに対して適用することができる。

[0074] 本発明のガラス組成物は、 PDPに限定されず、ガラス層形成の熱処理後に、再度 500°C程度の高温熱処理を行う必要があるディスプレイパネルに、有効に使用され得る。

[0075] 本発明のガラス組成物は、誘電体層によって被覆される電極が Agおよび Cuから選ばれる少なくとも 1種を含むディスプレイパネルに適用できる。電極は、 Agを主成分とするものであってもよい。

実施例

[0076] 以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。

[0077] (実施例 1)

出発原料として、試薬特級以上の各種金属の酸ィ匕物または炭酸塩を用いた。これらの原料を、各酸ィ匕物の重量比率が表 1に示すようになるように秤量し、充分混合した後、白金坩堝に入れ、 900〜1100°Cの電気炉中で 2時間溶融した。得られた融液を、真鍮板にてプレスすることにより急冷し、ガラスカレットを作製した。このガラス力レットを、平均粒径 2〜3 ;ζ ΐη程度に粉砕し、マクロ示差熱分析計 (株式会社リガク製、 TG8110型）を用いて、仮のガラス転移温度 Tg*と、軟ィ匕点 Tsと、結晶化開始温度 Txとを測定した。なお、 Tg*は DTA (Differential Thermal Analysis)カーブにおける第 1吸熱開始温度、 Tsは第 2吸熱終了温度、 Txは Ts後の発熱開始温度とした。

[0078] 次に、ガラスカレットを再溶融し、型中に流し込み、仮のガラス転移温度 Tg*+40°C の温度にて 30分間ァニールしたのち徐冷して、ガラスブロックを作製した。このガラスブロック力ら、 4mm X 4mm X 20mmのロッドを切断加工により作製し、熱機械分析計 (株式会社リガク製、 TMA8310型）を用いて、ガラス転移温度 Tgと、 30〜300°C の間の熱膨張係数 αを測定した。また、ガラスブロックから 20mm X 20mm X厚さ約 lmmの板を切断加工により作製し、両面を鏡面研磨した後、その表面に金電極を蒸着し、アジレントテクノロジー株式会社製のインピーダンスアナライザ 4294Aを用いて、周波数 1kHzにて静電容量を測定し、試料の面積と厚さから比誘電率 εを算出した。

[0079] また、ガラスカレットを再溶融して、 20mm X 10mm X 5mmのブロックを作製し、このブロックを 80°Cの熱水に 24時間浸漬し、浸漬前後の重量変化により溶解した体積を算出し、この体積を浸漬前の試料の表面積で除して、溶解した厚さ（=溶解量） A t を測定した。測定結果を表 1に示す。なお、以下のすべての表において、ガラス転移温度 Tg、軟化点 Ts、結晶化開始温度 Txの単位は °C、熱膨張係数 exの単位は X 10

—ソ。C、厶の単位は 1!1でぁる。

[表 1]

*1 ：完全溶解 [0081] 表 1より明らかなように、 B Oと K Oのみよりなる試料 No. 1は、比誘電率 εが非常

2 3 2

に低いが、ガラス転移点 Tg、軟ィ匕点 Tsとも低ぐ Ts— Tgは 137°Cである。また、耐水性は全くなぐ完全に溶解した。この試料 No. 1に、 ZnO、 MgO、 CaO、 SrO、 BaO をそれぞれ単独で添カ卩していった試料 No. 2〜12では、添カ卩に伴いガラス転移点 T g、軟ィ匕点 Tsとも上昇し、 Ts— Tgも小さくなり、耐水性も向上した。

[0082] しかし、 ZnO添加でガラス転移点 Tgを充分上げるには多量の添カ卩が必要であり、このような多量の添加を行うと、試料 No. 4のように、結晶化開始温度 Txが低下するという問題があった。結晶化開始温度 Txに関しては、微量の結晶の生成は発熱ピークよりも力なり低温で生じるため、結晶化開始温度 Txと軟ィ匕点 Tsとの差が大きくないと焼成後のガラス層に少量の結晶が混入し、透過率が低下する。この温度差の目安は、発明者の検討によると、少なくとも 50°C以上であり、より望ましくは 100°C以上である。よって、 No. 4は実用上問題があった。

[0083] また、アルカリ土類金属酸ィ匕物のみを添カ卩した No. 5〜12では、比較的少量でガラス転移点 Tg、軟ィ匕点 Tsが上昇し、結晶化開始温度 Txも高くなつたが、 Ts— Tgは 120°C以上であり、また溶解量 A tは 100 mを超えるという問題が残った。

[0084] 次に、 ZnOとアルカリ土類金属酸化物を併用した試料 No. 13〜21では、 ZnO量力 S 15重量％を超え、 24重量％以下である No. 16〜19において、比誘電率 εは 6. 5以下、ガラス転移点 Tgは 475°C以上、軟ィ匕点 Tsは 590°C以下とすることができ、結晶化開始温度 Txも 700°Cを超えて充分に高ぐ溶解量 A tも 20 m程度と少なかつた。よって、 ZnOとアルカリ土類金属酸ィ匕物を同時に含むことが必要であることが確 f*i¾ れ。

[0085] ZnOの少ない No. 13〜15ではガラス転移点 Tgが低ぐ ZnOが多すぎる No. 20,

21では、軟ィ匕点 Tsが高くなつた。

[0086] B O量を多くした試料 No. 22〜24では、比誘電率 εは非常に低くなつた力 Β Ο

2 3 2 量が 78重量％以上だと、他の成分の占める割合が低くなりすぎるため、充分高いガ

3

ラス転移点 Tgを得ることが困難であった。従って、 B O量は 78重量％未満とする必

2 3

要があることがわ力つた。

[0087] CaO量を増加させていった No. 25〜29では、 B O量が 60重量％以下となった N o . 29において、軟ィ匕点 Tsが高くなりすぎた。また、 B O量が 60重量％を超える No

2 3

. 30, 31でも、 CaO量が 17重量％を超えた No . 31において、軟化点 Tsが高くなつた。以上の結果より、 CaO量は 17重量％未満とする必要性があった。また B O量は

2 3

、 60重量％を超える量とする必要があり、特に比誘電率をより低くするためには、 62 重量％以上とすることが望まし力つた。

[0088] No . 32〜35では、アルカリ土類金属酸化物の種類を変更したり、 4種類併用したりしたが、特性に差は見られるものの、使用可能であった。

[0089] (実施例 2)

実施例 1と同様の方法で、各酸ィ匕物の重量比率が表 2に示すようになるガラスカレットおよびガラスロッドを作製し、実施例 1と同様の方法で、ガラス転移点 Tg、軟化点 Ts、結晶化開始温度 Tx、熱膨張係数 α、比誘電率 ε、溶解量 A tを測定した。測定結果を表 2に示した。なお、全ての試料で結晶化開始温度 Txは 700°Cを超え、溶解量 Δ tは 20 μ m未満であったので、これらの測定結果につ!、ては記載を省略した。

[0090] [表 2]

[0091] Κ Ο量を増やし、 Β Ο量を減少させていった No. 41〜46では、 K O量が少ない時にガラス転移点 Tgが低ぐ軟ィ匕点 Tsが高くなりすぎ、 K O量が多い時には比誘電

2

率 εが高くなつた。

[0092] Κ Οを Na Oや Li Oに置き換えた、あるいはこれらを併用した No. 47〜51では、 N

2 2 2

o. 48、 50、 51のように R Oが 6重量％以上 16重量％以下であれば良好な特性を示

2

した。しかしながら、 No. 43と 48の比較、および No. 42と 50の比較より明ら力なように、アルカリ金属酸化物の種類を同程度の量で比較すると、熱膨張係数は、 K Oが

2 最も大きぐ続いて Na 0、 Li Oの順で小さくなることがわかった。アルカリ金属酸ィ匕

2 2

物量が増加すると黄変が生じやすくなるため、できるだけ減らすことが望ましい。本実施例の結果から、ある一定以上の熱膨張係数の値を得る際、最も少ない量で実現できるのは K Oであり、続いて Na 0、 Li Oとなるほど多くの量が必要となると判断され

2 2 2

る。また、添カ卩量が同一であっても、生じる黄変の程度は、 K 0、 Na Oおよび Li Oで

2 2 2 互いに異なる。同一添加量で比較すると、 Li Oの場合が最も黄変程度が強くなり、 N

2

a 0、 K Oとなるほど黄変程度が弱くなる。従って、アルカリ金属酸化物の中で、最も

2 2

好ましいのは K Oであり、次に好ましいのは Na Oであり、 Li Oはあまり好ましくないこ

2 2 2 とが確認された。アルカリ金属酸化物として K Oのみを用いることや、あるいは、 K o

2 2 と Na Oの両方を用いて K O量を Na O量の 2倍以上とすること力最も好ましかった

2 2 2

[0093] 他の成分に対して SiO量を増加させていった試料 No. 52〜57では、添加量増加

2

に伴い軟ィ匕点 Tsが上昇し、添加量が 15重量％を超えると軟ィ匕点 Tsが 590°Cを超えてしまった。従って、 SiOは 15重量％以下である必要があることが確認された。

2

[0094] 発明者は、上記実施例 1、 2に示した以外にも種々の組成の組み合わせを検討した力いずれの場合にも、 B O量が 60重量％を超え 78重量％未満、アルカリ金属酸

2 3

化物量が 6重量％以上 16重量％以下、アルカリ土類金属酸化物量が 1重量％以上 17重量％未満、 SiO量が 0重量％以上 15重量％以下、 ZnO量が 15重量％を超え

2

、 24重量％以下の範囲で組成を調整することによって、 6. 5以下の比誘電率、 475 °C以上のガラス転移点、 590°C以下の軟ィ匕点、 60 X 10— ⁷〜90 X 10— ⁷/°Cの熱膨張係数を併せ持ち、溶解厚さ (溶解量 Δ t)が 100 μ m以下の良好な特性のガラスを得ることが可能であった。 [0095] (実施例 3)

実施例 3では、図 1に示した PDPと同様の構成を有する PDPを作製した。

[0096] 実施例 1と同様の方法で、各酸化物の重量比率が、 B O : K O : CaO : ZnO = 70.

2 3 2

1 : 1 1. 8 : 2. 8 : 15. 3となるように、各種原料粉末を混合して白金坩堝に入れた。これを電気炉中 1050°Cで 5時間溶融した後、ツインローラー法によってガラスカレットを作製した。このガラスカレットを、乾式ボールミルによって粉砕して粉末を作製した。得られたガラス粉末の平均粒径は 5 m程度であった。本実施例で得られたガラスの比誘電率は 5. 7、ガラス転移点は 485°C、軟ィ匕点は 582°C、熱膨張係数は 72 X 10— 7Z°Cであった。

[0097] このガラス粉末に、バインダとしてェチルセルロースを、溶剤として a—ターピネオールを加え、これらを 3本ロールにて混合してガラスペーストとした。

[0098] 次に、厚さ約 2. 8mmの平坦なソーダライムガラス力なる前面ガラス基板の面上に、 ITO (透明電極)の材料を所定のパターンで塗布し、これを乾燥させた。次いで、銀粉末と有機ビヒクルとの混合物である銀ペーストをライン状に複数本塗布した後、前面ガラス基板全体を加熱することにより、上記銀ペーストを焼成して表示電極を形成した。

[0099] 表示電極を作製した前面ガラス基板に、上述した本実施例のガラスペーストを、ブレードコーター法を用いて塗布した。その後、前面ガラス基板全体を 90°Cで 30分間保持してガラスペーストを乾燥させ、 585°Cの温度で 10分間焼成することによって、厚さ約 30 μ mの誘電体層を形成した。

[0100] 上記誘電体層上に酸化マグネシウム (MgO)を電子ビーム蒸着法によって蒸着した後、 500°Cで焼成することによって誘電体保護層を形成した。

[0101] 以上のような方法で、前面板を作製した。

[0102] 一方、背面板は、以下の方法で作製した。

[0103] まず、ソーダライムガラス力もなる背面ガラス基板上にスクリーン印刷によって銀を主体とするアドレス電極をストライプ状に形成し、引き続き、前面板と同様の方法で、厚さ約 8 μ mの誘電体層を形成した。

[0104] 次に、誘電体層上に、隣り合うアドレス電極の間に、ガラスペーストを用いて隔壁を形成した。隔壁は、スクリーン印刷および焼成を繰り返すことによって形成した。

[0105] 引き続き、隔壁の壁面と隔壁間で露出している誘電体層の表面に、赤 (R)、緑 (G)

、青 (B)の蛍光体ペーストを塗布し、乾燥および焼成して蛍光体層を作製した。蛍光体としては上述した材料を用、た。

[0106] 作製した前面板、背面板をー211—8—31—0系の封着ガラスを用ぃて500でで貼り合わせた。そして、放電空間の内部を高真空（1 X 10— ⁴Pa)程度に排気した後、所定の圧力となるように Ne—Xe系放電ガスを封入した。このようにして、 PDPを作製した。

[0107] 作製したパネルは、特に誘電体層に欠陥を生じることもなぐ問題なく動作することが確認できた。

[0108] (実施例 4)

実施例 4では、図 3に示すような、 2層構造の誘電体層を有する PDPを作製した。

[0109] 第 2誘電体層用として、実施例 3と同様の方法で、 B— K Ca— Zn— O系ガラスペ一ストを準備した。また別途、第 1誘電体層用に、 Biを含み、アルカリ金属元素を実質的に含まない、比誘電率が 11で軟化点が 587°Cの、 Bi— Zn— B— Ca— Si— O系ガラスペーストを準備した。

[0110] これらのペーストを用いて、実施例 3と同様の方法で、前面板の誘電体層が、電極を直接覆う第 1誘電体層と、この第 1誘電体層の上に形成される第 2誘電体層との 2 層構造となる PDPパネルを作製した。なお、第 1誘電体層は、 590°Cで焼成して厚さ約 10 m、第 2誘電体層は、 580°Cで焼成して厚さ約 20 μ mとした。

[0111] 作製したパネルは、特に誘電体層に欠陥を生じることもなぐ問題なく動作することが確認できた。

産業上の利用可能性

[0112] 本発明のガラス組成物は、電極用絶縁被覆ガラス、特にプラズマディスプレイパネルの表示電極やアドレス電極を被覆するための誘電体層の形成に好適に適用できる。

Claims

請求の範囲

[1] 酸ィ匕物ガラスであって、

60重量％< B O < 78重量％

2 3

15重量％ < ZnO≤ 24重量％

6重量％≤R 0≤16重量％

2

1重量％≤MO< 17重量％

0重量％≤ SiO≤ 15重量％

2

(ただし、 Rは Li、 Naおよび Kから選ばれる少なくとも 1種を示し、 Mは Mg、 Ca、 Srおよび Baから選ばれる少なくとも 1種を示す。 )

を満たす組成を有する、ガラス組成物。

[2] 軟ィ匕点が 590°C以下であり、ガラス転移点が 475°C以上であり、熱膨張係数が 60

X 10— ⁷Z°C〜90 X 10— ⁷Z°Cであり、比誘電率が 6. 5以下である、請求項 1に記載のガラス組成物。

[3] ガラス組成物を含む誘電体層によって電極が被覆されてヽるディスプレイパネルであって、

前記ガラス組成物が請求項 1に記載のガラス組成物である、ディスプレイパネル。

[4] 前記電極が銀 (Ag)および銅 (Cu)力選ばれる少なくとも 1種を含む、請求項 3に記載のディスプレイパネル。

[5] ガラス組成物を含む誘電体層によって電極が被覆されてヽるディスプレイパネルであって、

前記誘電体層が、前記電極を直接被覆する第 1誘電体層と、前記第 1誘電体層上に配置された第 2誘電体層とを含み、

前記第 1誘電体層に含まれるガラス組成物がアルカリ金属元素を実質的に含まず、前記第 2誘電体層に含まれるガラス組成物が請求項 1に記載のガラス組成物である、ディスプレイパネル。

[6] 前記電極が銀 (Ag)および銅 (Cu)力選ばれる少なくとも 1種を含む、請求項 5に記載のディスプレイパネル。

[7] 第 1の電極が設けられた前面板と、前記第 1の電極と交差するように第 2の電極が設けられており、かつ、前記前面板と対向して配置された背面板と、前記第 1の電極および前記第 2の電極から選ばれる少なくとも 1つの電極を被覆する誘電体層と、放電空間を形成するために前記前面板と前記背面板との間に配置された隔壁と、を含むプラズマディスプレイパネルであって、

前記誘電体層および前記隔壁から選ばれる少なくとも 1つがガラス組成物を含み、前記ガラス組成物が請求項 1に記載のガラス組成物である、ディスプレイパネル。

[8] 前記誘電体層に被覆される前記電極が、銀 (Ag)および銅 (Cu)カゝら選ばれる少なくとも 1種を含む、請求項 7に記載のディスプレイパネル。

[9] 基板上に配置された第 1誘電体層と、前記第 1誘電体層上に配置された電極と、前記電極上に配置された第 2誘電体層と、を含むディスプレイパネルであって、前記第 1誘電体層に含まれるガラス組成物が請求項 1に記載のガラス組成物である

、ディスプレイパネノレ。

[10] 前記電極が銀 (Ag)および銅 (Cu)力選ばれる少なくとも 1種を含む、請求項 9に記載のディスプレイパネル。