WO2006107051A1 - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents

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WO2006107051A1
WO2006107051A1 PCT/JP2006/307150 JP2006307150W WO2006107051A1 WO 2006107051 A1 WO2006107051 A1 WO 2006107051A1 JP 2006307150 W JP2006307150 W JP 2006307150W WO 2006107051 A1 WO2006107051 A1 WO 2006107051A1
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WO
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glass
dielectric layer
display panel
plasma display
twenty
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PCT/JP2006/307150
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French (fr)
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Shinya Hasegawa
Osamu Inoue
Seiji Toyoda
Akira Kawase
Yasuhiko Nakada
Kazuhiro Yokota
Tsutomu Koshizuka
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers

Definitions

  • Plasma display panel and method for manufacturing the same
  • the present invention relates to a plasma display panel and a method for manufacturing the same.
  • These flat panel displays include a front plate and a back plate including a glass substrate and components arranged on the glass substrate.
  • the front plate and the back plate are arranged so as to face each other, and the outer peripheral portion is sealed.
  • the PDP has a configuration in which the front plate and the back plate are opposed to each other and the outer periphery thereof is sealed with sealing glass.
  • the front plate includes a front glass substrate, on which a strip-like display electrode is formed, and a dielectric layer and a protective layer are further formed thereon.
  • the back plate includes a back glass substrate, on which a striped address electrode is formed, a dielectric layer is formed thereon, and a partition is formed between adjacent address electrodes.
  • a phosphor layer is formed between adjacent barrier ribs that are formed.
  • the outer edge portion of the front plate and the rear plate is sealed in a state where both electrodes are orthogonal to each other and opposed to each other.
  • the sealed space formed inside is filled with discharge gas.
  • the dielectric layer of the PDP Since the dielectric layer of the PDP is formed on the electrode, it has high insulation, has a low dielectric constant in order to reduce power consumption, and does not peel or crack. Expansion coefficient is Matsuchin It is required that Furthermore, the dielectric layer formed on the front glass substrate is usually required to be an amorphous glass with high visible light transmittance in order to efficiently use light generated from the phosphor as display light.
  • the dielectric layer is usually obtained by applying a glass paste containing glass powder, a resin, a solvent, and optionally an inorganic filler or an inorganic pigment on a glass substrate by screen printing or the like, and drying and baking. It is formed.
  • a glass substrate used for PDP soda lime glass produced by the float method is generally used from the viewpoint of price and availability. Therefore, the baking of the glass paste is performed at 600 ° C. or less at which the glass substrate is not deformed.
  • the dielectric layer used in the PDP must be baked at a temperature at which the glass substrate does not deform, and therefore needs to be formed of a glass having a relatively low melting point. For this reason, PbO-SiO glass based on PbO is mainly used at present.
  • Such a dielectric layer of PDP is formed by firing a glass paste containing a rosin solvent, so that the dielectric layer may be colored due to residual carbon-containing impurities, resulting in a decrease in luminance.
  • glass containing PbO may be coated with MoO or
  • a dielectric layer using glass that does not contain lead is used instead of lead in order to realize a conventionally proposed force low soft spot.
  • the dielectric layer or the front glass substrate may be yellowed by alkali metal oxide or acid bismuth. The mechanism by which this yellowing occurs is considered as follows.
  • Display electrode provided on front glass substrate and address electrode provided on rear glass substrate In this case, Ag or Cu is used, and Ag and Cu may be ionized and dissolved in the dielectric layer and the glass substrate during the firing performed when forming the dielectric layer. is there.
  • the diffused Ag ions and Cu ions are reduced by alkali metal ions, bismuth oxides in the dielectric layer and Sn ions (divalent) contained in the front glass substrate. End up.
  • Ag or Cu is colloidalized, the dielectric layer and the front glass substrate turn yellow or brown, so-called yellowing occurs (for example, JE SHELBY and J. VITKO.
  • Such yellowed glass absorbs light with a wavelength of 400 nm, so in PDP, the brightness of blue color is reduced and chromaticity is deteriorated. Therefore, yellowing is a particular problem on the front plate.
  • Ag and Cu colloids are conductive, the dielectric breakdown voltage of the dielectric layer is reduced, and colloidal particles that are much larger than ions are folded out, so that the light transmitted through the dielectric layer is reflected. This may cause the brightness of the PDP to decrease.
  • the present invention includes a highly reliable plasma display panel including a dielectric layer having a high withstand voltage, suppressing yellowing of the dielectric layer and the glass substrate, and suppressing dielectric breakdown, and a method for manufacturing the same.
  • the purpose is to provide.
  • a first plasma display panel of the present invention includes a display electrode and an address electrode intersecting each other, and at least one electrode selected from the display electrode and the address electrode force includes a first glass.
  • the first glass contained in the first dielectric layer contains at least one selected from MoO and WO force. Therefore, the electrode material
  • Yellowing of the glass substrate due to the conversion can also be suppressed. Furthermore, according to the first plasma display panel of the present invention, not only suppression of yellowing but also other adverse effects associated with the formation of colloids of Ag and Cu, such as a decrease in the dielectric breakdown voltage of the dielectric layer and the brightness of the PDP. It is also possible to suppress the decrease in the amount.
  • the first plasma display panel of the present invention contains BiO as a component that realizes the first low glass melting point, so that it does not contain lead (PbO) substantially.
  • the lead contained in the first glass can be 0.1 wt% or less, preferably 0.05 wt% or less.
  • a second plasma display panel of the present invention includes a display electrode and an address electrode intersecting each other, and the display electrode and the address electrode force are selected from a first glass containing at least one electrode.
  • the first glass contains at least one selected from Li 0, Na 2 O and ⁇ repulsive force as a composition component.
  • the total content of 2 2 2 is, for example, 0.1 to L0 wt%.
  • the first glass contained in the first dielectric layer contains at least one selected from MoO and WO force. Therefore, this departure
  • an alkali metal oxide Li 0, Na 2 O, and ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ is selected as the component that realizes the first low glass melting point.
  • the content of lead contained in the first glass can be 0.1 lwt% or less, preferably 0.05 wt% or less.
  • a first glass material including a first glass is disposed on a substrate on which an electrode is formed, and the first glass material is fired.
  • a method of manufacturing a plasma display panel including a step of forming a first dielectric layer that covers the electrode, wherein the first glass comprises SiO: 0 to 15 wt% as a composition component
  • the above-described first plasma display panel of the present invention can be manufactured.
  • a first glass material containing a first glass is disposed on a substrate on which an electrode is formed, and the first glass material is fired.
  • a method of manufacturing a plasma display panel including a step of forming a first dielectric layer that covers the electrode, wherein the first glass comprises SiO: 0 to 2 wt% as a composition component
  • the second method for producing a plasma display panel at least one selected from Li 0, Na 2 O, and repulsive force as the first glass force composition component Li 0, Na O and K contained in the first glass in this case
  • the total content of soot is, for example, 0.1 to: L0 wt%.
  • the above-described second plasma display panel of the present invention can be manufactured.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a PDP of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing another example of the PDP of the present invention.
  • FIG. 3 is a partially cutaway perspective view showing the configuration of the PDP of FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the MoO and WO contents and the b * value.
  • FIG. 3 is a partially cut-away perspective view showing the main configuration of the PDP that works on the present embodiment.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the PDP shown in FIG.
  • This PDP is an AC surface discharge type, except that the dielectric layer (first dielectric layer) covering the electrode is formed of the first glass having the composition described later. It has the same configuration as PDP.
  • This PDP is configured by bonding a front plate 1 and a back plate 8 together.
  • the front plate 1 includes a front glass substrate 2, a stripe-shaped display electrode 5 composed of a transparent conductive film 3 and a bus electrode 4 formed on the inner side surface (surface on the discharge space 14 side), and a dielectric covering the display electrode 5. It includes a body layer (first dielectric layer) 6 and a dielectric protective layer 7 that also has a magnesium oxide power. For the dielectric layer 6, a first glass described later is used.
  • the back plate 8 includes a back glass substrate 9, stripe-shaped address electrodes 10 formed on the inner side surface (surface on the discharge space 14 side), and a dielectric layer 11 covering the address electrodes 10.
  • the band-shaped barrier ribs 12 provided on the dielectric layer 11 and disposed between the address electrodes 10 adjacent to each other, and the phosphor layer 13 formed between the barrier ribs 12 adjacent to each other.
  • the partition wall 12 separates the address electrodes 10 from each other to form a discharge space 14.
  • Phosphor The layer 13 has a red phosphor layer 13 (R), a green phosphor layer 13 (G), and a blue phosphor layer 13 (B) arranged in order with the partition wall 12 interposed therebetween in order to enable color display. Become.
  • the following materials can be used.
  • the front plate 1 and the back plate 8 are arranged so that the longitudinal directions of the display electrodes 5 and the address electrodes 10 are orthogonal to each other, and the display electrodes 5 and the address electrodes 10 are opposed to each other. It joins using a landing member (not shown).
  • the display electrode 5 and the address electrode 10 are made of a material containing at least one of which silver (Ag) and copper (Cu) forces are also selected.
  • a discharge gas (filled gas) consisting of rare gas components such as He, Xe, and Ne is sealed at a pressure of about 53.3 kPa to 79.8 kPa (400 to 600 Torr).
  • the display electrode 5 includes a transparent conductive film 3 that also has ITO (indium stannate) or an acid-tin power, and a bus electrode 4 made of an Ag film or a laminated film of Cr / CuZCr in order to ensure good conductivity. It is formed by stacking.
  • the display electrode 5 and the address electrode 10 are each connected to an external drive circuit (not shown), and generate a discharge in the discharge space 14 by a voltage to which the drive circuit force is also applied.
  • the phosphor contained in the phosphor layer 13 is excited by ultraviolet rays having a short wavelength (wavelength 147 nm) generated by this discharge, and visible light is emitted.
  • the dielectric layer 6 can be formed by applying and baking a glass paste containing the first glass (first glass material).
  • a glass paste is typically applied by a screen method, a bar coater, a roll coater, a die coater, a doctor blade or the like, and baked.
  • the present invention is not limited thereto, and for example, it can be formed by a method of attaching and baking a sheet containing the first glass.
  • the thickness of the dielectric layer 6 is preferably 50 ⁇ m or less in order to ensure light transmittance, and is preferably 1 ⁇ m or more in order to ensure insulation.
  • the thickness of the dielectric layer 6 is For example, 3 ⁇ m to 50 ⁇ m is preferred! / ⁇ .
  • the bus electrode 4 contains at least one of MoO and WO, the bus electrode 4
  • the problem of yellowing tends to be particularly noticeable when glass containing alkali metal oxides is used as an alternative component because glass containing substantially no lead is used. is there.
  • at least one of MoO and WO is included.
  • the dielectric layer 6 is formed of glass, the occurrence of yellowing can be suppressed. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to realize the dielectric layer 6 that does not contain lead and suppresses the occurrence of yellowing.
  • the dielectric layer 6 yellowing of the front glass substrate 2 can also be suppressed.
  • the glass substrate used for PDP is manufactured by the float process.
  • the glass substrate manufactured by the float process has Sn mixed in on its surface. Since this Sn reduces Ag ions and Cu ions to produce Ag and Cu colloids, conventionally, it was necessary to polish the surface of a glass substrate manufactured by the float process to remove Sn.
  • A is formed by at least one of MoO and WO contained in the dielectric layer 6.
  • the content of Sn contained (residual) in the glass substrate is, for example, 0.001 to 5 wt%.
  • a PDP shown in FIG. 2 includes a first dielectric layer 15 that covers the display electrode 5 instead of the dielectric layer 6, and a second dielectric disposed on the first dielectric layer 15.
  • the structure is the same as that of the PDP shown in FIGS. 1 and 3 except that the layer 16 is provided.
  • the first dielectric layer 15 covers the transparent conductive film 3 and the bus electrode 4, and the second dielectric layer 16 covers the first dielectric layer 15. It is arranged in! /
  • the dielectric layer has a two-layer structure as described above, at least the first dielectric layer 15 has at least MoO, WO, as in the dielectric layer 6 of the PDP shown in FIGS. Including one,
  • the first glass having a total content of 0.1 to 8 wt% is included.
  • at least the first dielectric layer 15 is suppressed from yellowing due to colloidal precipitation of Ag or Cu and a decrease in withstand voltage.
  • the second dielectric layer 16 is prone to yellowing and contains glass having a composition. Even so, it is possible to suppress the second dielectric layer 16 from being discolored (yellowing) or having a reduced withstand voltage.
  • the second dielectric layer 16 it is possible to select a glass composition according to the required specifications of the PDP without worrying about the yellowing problem.
  • the details of the second glass contained in the second dielectric layer 16 will be described later.
  • the second dielectric layer 16 has SiO -B O -Zn.
  • this SiO-BO-ZnO-based glass is made of lead glass.
  • the relative permittivity is lower than that of the glass based on the glass (the relative permittivity at room temperature and 1 MHz is generally lead glass: 10 to 15, bismuth glass: 8 to 13, SiO B O ZnO glass: 5 to 9).
  • the relative dielectric constant of the entire dielectric layer (the dielectric layer including the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 16) can be reduced, and the power consumption of the PDP can be reduced.
  • the dielectric layer having such a two-layer structure includes a glass composition (second glass) for the second dielectric layer 16 on the first dielectric layer 15 after the first dielectric layer 15 is formed. It can be formed by applying and baking a glass material (second glass material).
  • the glass used for the first dielectric layer 15 preferably has a higher softening point than the softening point of the glass contained in the second dielectric layer.
  • the film thickness of the first dielectric layer 15 is preferably 1 ⁇ m or more.
  • the first dielectric layer 15 and the second dielectric layer 16 The total film thickness is preferably 50 m or less, and preferably 3 m or more in order to ensure insulation.
  • the PDP of the present embodiment can form a dielectric layer that does not substantially contain lead by using the first glass described above, and If the display characteristics deteriorate due to discoloration (yellowing), the reduction in withstand voltage can be suppressed.
  • a surface discharge type as described in this embodiment is typical, but the present invention is not limited to this and can also be applied to a counter discharge type. .
  • the present invention is not limited to the AC type, but can be applied to a DC type PDP having a dielectric layer.
  • the present invention is characterized in that the glass composition of the dielectric layer capable of suppressing yellowing of the glass substrate and the dielectric layer has been found.
  • glass (A) and glass (B) two examples will be described for the first glass used for the dielectric layer (first dielectric layer) covering the electrode in the PDP of the present invention.
  • glass (A) which is an example of glass contained in the dielectric layer covering the electrode, has as a composition component:
  • glass (B) which is another example of the glass contained in the dielectric layer covering the electrode, is used as a composition component.
  • the glass (A) and the glass (B) (hereinafter sometimes simply referred to as glass or a glass composition) having the above-described composition components are respectively used with respect to the dielectric layer covering the electrode. Glass that can achieve the required properties, and MoO
  • the total content of 3 3 is in the range of 0.1 to 8 wt%. From this, it is possible to suppress yellowing of the dielectric layer and the glass substrate caused by colloidalization of Ag and Cu used for the electrode, and occurrence of dielectric breakdown.
  • the electrode is made of Ag
  • MoO are: Ag MoO, Ag Mo
  • the firing temperature of the dielectric layer is 550 ° C to 600 ° C, Ag + diffused into the dielectric layer during firing reacts with MoO in the dielectric layer to form the above compound and stabilize it.
  • Ag and WO are also Ag WO, Ag W O, Ag W O
  • 3 2 4 2 2 7 2 4 13 The compound such as 3 2 4 2 is formed and stable, so Ag colloid is suppressed.
  • Mo is contained in the glass.
  • O 2 WO 2 is present and Ag + diffused from the electrode during firing is trapped by these and stable.
  • Ag + is considered not only to be colloidal but also to suppress diffusion into the dielectric layer.
  • the electrode is Cu, diffusion of Cu + is considered to be suppressed.
  • the total shall be 0.1 lwt% or more.
  • each component is included up to its upper limit (4 wt%).
  • the total content of MoO and WO is 8 wt% or less.
  • the homogeneity is lower than when blended into the glass composition, and the transmittance of the dielectric layer may be reduced.
  • SiO is effective in stabilizing the glass, and its content is 15 wt.
  • the content of SiO is more preferably 10% or less.
  • the SiO content is preferably set to lwt% or less.
  • the alkali metal oxides (Li 0, Na 2 O and ⁇ ⁇ ⁇ ) contained in the glass (A) are
  • glass (B) may contain alkali metal oxides
  • Alkali metal oxides For example, Li 0, Na O
  • It may contain 0 ⁇ lwt% to 10wt% of at least one selected from 2 2 and K 2 O.
  • the glass contains SiO.
  • the share is less than 2wt%.
  • the alkali metal oxide contained in the glass (A) is preferably 0.0 lwt% or less.
  • B 2 O is an essential component of the glass for the dielectric layer in the PDP of the present embodiment.
  • the content of is 10 to 50 wt%. If the B O content exceeds 50 wt%, the glass will be durable.
  • the thermal expansion coefficient decreases and the soft spot increases, which makes firing at a predetermined temperature difficult. If the content is less than 10 wt%, the glass becomes unstable and tends to devitrify. A more preferable range of B 2 O is 15 to 50 wt%.
  • ZnO is one of the main components of the glass for the dielectric layer in the PDP of the present embodiment, and is effective in stabilizing the glass.
  • the content of ZnO is 15-50wt%. If the content of ZnO exceeds 50 wt%, it becomes easy to crystallize and a stable glass cannot be obtained. If the content is less than 15 wt%, the softening point becomes high and firing at a predetermined temperature becomes difficult. Further, if the ZnO content is low, the glass tends to devitrify after firing. Therefore, to obtain a stable glass, the content is more preferably 26 wt% or more. In order to improve the discharge delay, which is a characteristic of the protective layer formed on the dielectric layer, the ZnO content is preferably 26 wt% or more, and more preferably 32 wt% or more. Good.
  • Al 2 O is effective in stabilizing the glass, and its content is 1 ( ⁇ % or less. 10wt
  • the Al O content is preferably 8wt% or less, and 0.01wt% The above is preferable. By making the content of Al 2 O 0.01 wt% or more
  • BiO is one of the main components of the glass for the dielectric layer in the PDP of this embodiment.
  • the content is less than 2 wt%, the softening point becomes high and firing at a predetermined temperature becomes difficult.
  • a more preferable range of the content of Bi 2 O is 2 to 30 wt%.
  • Alkaline earth metal oxides of CaO, SrO and BaO have effects such as improvement of water resistance, suppression of phase separation of glass, and relative improvement of thermal expansion coefficient. Their total content is 5 to 38 wt%. If the total content of CaO, SrO and BaO exceeds 38 wt%, devitrification may occur and the coefficient of thermal expansion becomes too large. In addition, when the total amount is less than 5 wt%, the above effect cannot be obtained.
  • the total content of ZnO and BiO should be 35-65 wt%.
  • (ZnO + BiO) should be 35wt% or more in order to produce a dielectric material that does not react with the electrode at the desired temperature of 600 ° C or less where the softening point is low and has an excellent permeability.
  • the value of [Bi 2 O / (B 2 O + ZnO)] is preferably 0.5 or less.
  • a dielectric layer having a low dielectric constant can be formed, and power consumption can be reduced.
  • the glass (A) is an alkali metal oxide (Li 0, Na
  • glass ( ⁇ ) is an alkali metal oxide.
  • the total content of alkali metal oxides is not more than 0.1 wt%, preferably not more than 0.01 wt%.
  • the dielectric layer does not contain an alkali metal oxide.
  • Li 0, Na 2 O, and repulsive force are also selected. Both may contain 0.1 to 0.1% LOwt%.
  • the content of 2 3 can be reduced. As a result, the dielectric constant can be reduced. However, if the alkali metal oxide content exceeds 10 wt%, the thermal expansion coefficient becomes too large, which is not preferable. Note that glass containing an alkali metal oxide has a strong tendency to remain bubbles after firing, but glass) has an alkali metal acid content because the SiO content is 2 wt% or less.
  • the viscosity can be kept low to prevent bubbles from remaining.
  • MgO is effective for stabilizing the glass, and its content is 5 wt% or less. This is because if it exceeds 5 wt%, devitrification may occur during glass production.
  • Glass (A) and glass (B) each contain the above-mentioned components, and typically only have the above-mentioned components, but may contain other components as long as the effects of the present invention are obtained.
  • the total content of other components is preferably 10 wt% or less, more preferably 5 wt% or less.
  • the other components include components added for adjusting the softening point and the thermal expansion coefficient, stabilizing the glass, and improving the chemical durability. Specifically, Rb 0, Cs
  • Glass (A) and glass (B) can be used as a material for a dielectric layer suitable for a glass substrate of PDP.
  • Common glass substrates used in PDP include soda lime glass, which is a window glass made by the float process and is generally available, and high strain point glass developed for PDP. These glasses usually heat resistance of up to 600 ° C, 75 X 10- 7 ⁇ 85 X 10- Seo. It has a coefficient of thermal expansion (linear coefficient of thermal expansion) of C!
  • the dielectric layer of the PDP is formed, for example, by applying a glass paste to a glass substrate and firing it. For this reason, the firing needs to be performed at 600 ° C. or less at which the soft deformation of the glass substrate does not occur. Further, warp of the glass substrate, in order to prevent peeling and cracking of the dielectric layer, the thermal expansion coefficient of the glass constituting the dielectric layer, is reduced about 0 ⁇ 25 X 10- 7 Z ° C than the glass substrate It is necessary to keep. Furthermore, if the dielectric constant of the dielectric layer is high, the current flowing through the electrode increases and the power consumption of the PDP increases.
  • the PDP dielectric layer is formed of lead-free glass that does not substantially contain lead, the soft spot of the composition in the above range (composition of glass (A) and glass (B)).
  • the thermal expansion coefficient of 60 ⁇ 85 X 10- 7 Z ° C the dielectric constant is preferable to use lead-free glass to be 12 or less.
  • the thermal expansion coefficient is 65 X 10 one 7 ⁇ 85 X 10- 7 Z ° C.
  • the relative dielectric constant is 11 or less.
  • the amount of glass contained in the dielectric layer is not particularly limited as long as the effects of the present invention can be obtained, but it is usually preferably 50 wt% or more (for example, 80 wt% or more or 90 wt% or more). That's right.
  • the dielectric layer may be formed of substantially only glass.
  • the glass component constituting the dielectric layer in the present embodiment is typically the glass (A) or glass (B) described above, and lead is contained in the glass component contained in the dielectric layer. Included, ⁇
  • the glass strength is not impaired.
  • an inorganic filler or an inorganic pigment may be added.
  • the inorganic filler and the inorganic pigment include alumina, titanium oxide, zircoure, zircon, cordierite, and quartz.
  • the glass (the address electrode 10 shown in Fig. 1) formed on the back plate of the PDP may be covered with the above glass.
  • an inorganic filler or an inorganic pigment may be added for the purpose of improving the optical characteristics such as reflection characteristics and improving the glass strength and adjusting the thermal expansion coefficient.
  • the inorganic filler and the inorganic pigment include alumina, titanium oxide, zirconia, zircon, cordierite, and quartz.
  • the glass (second glass) contained in the second dielectric layer that is a layer that does not contact the electrode will be specifically described.
  • This second glass is used for the purpose of lowering the softening point and lowering the dielectric constant.
  • glass (C) which is an example of the glass used for forming the second dielectric layer, has as a composition component:
  • glass (D) which is another example of the glass used for forming the second dielectric layer, has as a composition component:
  • Both the glass (C) and the glass (D) can realize a low soft point, and can also realize a low relative dielectric constant.
  • glass (D) substantially contains BiO, a component that increases the relative dielectric constant.
  • the combination of the glass (A) and (B) used for the first dielectric layer 15 and the glass (C) and (D) used for the second dielectric layer 16 is not particularly limited. It can be used in various combinations.
  • the glass used for the dielectric layer in the PDP of this embodiment is normally used in a powder state.
  • a glass paste can be obtained by adding a Noinda solvent for imparting printability to the glass powder in the present embodiment.
  • a dielectric layer covering the electrode can be formed.
  • a dielectric protective layer having a predetermined thickness is formed on the dielectric layer by using an electron beam evaporation method or the like. The formation of the dielectric protective layer is not limited to the electron beam evaporation method, but may be performed by sputtering or ion plating.
  • the glass paste contains glass powder, a solvent, and a resin (binder).
  • the glass powder is a powder of the glass composition for the dielectric layer in the PDP of the present embodiment.
  • the glass paste may contain components other than these components.For example, surfactants, development accelerators, adhesion assistants, antihalation agents, storage stabilizers, antifoaming agents, antioxidants, UV absorbers. Contains additives for various purposes, such as pigments and dyes.
  • the resin (binder) contained in the glass paste only needs to have a low reactivity with the glass powder having a low melting point.
  • cellulose derivatives such as ditrocenolose, methinoresenorelose, ethinoresenorelose, canoleoxy methinorescenellose, polybulu alcohol, polybulu Desirable are petital, polyethylene f dallicol, carbonated resin, urethane resin, acrylic resin, and melamine resin.
  • the solvent in the glass paste only needs to have a low reactivity with the glass powder.
  • a low reactivity for example, from the viewpoint of chemical stability, cost, safety, etc., and from the viewpoint of compatibility with Linder's resin, butyl acetate, 3-ethoxypropionate, ethylene glycol monomethylenoate, ethyleneglycolenomono Ethylene glycol mono-mono, ethylene glycol mono-mono pinole ether, ethylene glycol mono-butinole ether, etc.
  • Alkyl ethers ethylene glycol monomethyl ether acetate such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monomethyl ether acetate acetate; diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dipropyl ether, diethylene glycol dibutyl ether Diethylene glycol dialkyl ethers such as: propylene glycol monomethyl enoate ethere, propylene glycol monoethyl enoate ethere, propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether; propylene glycol dimethyl ether, propylene Nglyco Propylene glycol dialkyl ethers such as Nolegechinoreethenole, Propyleneglycolone Propinoleetenole, Propyleneglycol dibutyl ether; , Propyleneglycolanolenor
  • the content of the solvent in the glass paste is adjusted in such a range that the plasticity or fluidity (viscosity) of the paste is suitable for the molding process or the coating process.
  • This glass paste can also be applied to the formation of a dielectric layer covering the electrode formed on the PDP back plate.
  • the PDP manufacturing method of the present embodiment places a glass material containing a first glass (first glass material) on a substrate on which an electrode is formed, and fires the glass material. And a step of forming a dielectric layer (first dielectric layer) covering the electrode.
  • first glass material a first glass
  • second glass material a glass material containing a first glass (first glass material) on a substrate on which an electrode is formed
  • a step of forming a dielectric layer (first dielectric layer) covering the electrode can be used as the first glass used here.
  • an example in which the above process is used when forming a dielectric layer covering the display electrode formed on the front plate will be described.
  • a plurality of transparent electrodes are formed in stripes on one main surface of a flat front glass substrate.
  • the entire front glass substrate is heated to sinter the silver paste to form a bus electrode. In this way, display electrodes are formed.
  • a glass paste containing the dielectric layer glass composition in the PDP of the present embodiment is applied to the main surface of the front glass substrate by a blade coater method so as to cover the display electrodes. . Thereafter, the entire front glass substrate is held at 90 ° C. for 30 minutes to dry the glass paste, and then baked at a temperature in the range of 560 to 590 ° C. for 10 minutes. In this way, a dielectric layer is formed.
  • the dielectric layer glass used here is the glass (A) or glass (B) described above. is there.
  • magnesium oxide (MgO) was deposited on the dielectric layer by electron beam evaporation.
  • the PDP having a two-layer structure of the dielectric layer has the same method as described above, except that the first dielectric layer glass (first After applying, drying and firing a glass paste (first glass material) containing (first glass), the glass for the second dielectric layer (second glass layer is covered so as to cover the formed first dielectric layer).
  • a glass paste containing glass) (second glass material) is applied, dried and fired to form a second dielectric layer.
  • phosphor inks of R, G, and B colors are applied between adjacent barrier ribs, and the phosphor glass is baked by heating the back glass substrate to about 500 ° C.
  • the phosphor layer is formed by removing the resin component (binder) etc. in the phosphor ink.
  • the front plate and the back plate are bonded together using sealing glass. After that, the sealed interior is evacuated to high vacuum, and then a rare gas is sealed.
  • Tables 1 to 4 show the compositions of the glasses of the examples (samples 1 to 36) used in the dielectric layer of the PDP of the present invention
  • Tables 5 to 7 show the compositions of the glasses of the comparative examples (samples 101 to 121). Show. ⁇
  • composition ratios shown in each table are percentages by weight (wt%).
  • the raw materials were mixed so as to have the compositions shown in Tables 1 to 7, and melted in a 1100 to 1200 ° C electric furnace using a platinum crucible for 1 hour. And the obtained molten glass was rapidly cooled by pressing with a brass plate, and the glass cullet was created.
  • the soft soft spot of the glass was measured using a macro differential thermal analyzer, and the value of the second endothermic peak was adopted.
  • the glass transition point and the coefficient of thermal expansion were measured by remelting the glass cullet to form a 4 mm ⁇ 4 mm ⁇ 20 mm rod and using a thermomechanical analyzer.
  • the relative dielectric constant was measured by remelting the glass cullet to form a 50 mm x 50 mm x 3 mm thick plate, depositing electrodes on the surface, and using an LCR meter at a frequency of 1 MHz.
  • Glass stability is evaluated by measuring changes with a differential thermal analyzer and observing the presence of crystals with an optical microscope.
  • the overall evaluation is that the softening point is less than 600 ° C, more preferably less than 595 ° C, the relative dielectric constant is 12 or less, more preferably 11 or less, thermal expansion coefficient ⁇ or 60 X 10- 7 ⁇ 85 X 10- 7 /. C, more preferably ⁇ or 65 X 10- 7 ⁇ 85 X 10- 7 /. It was evaluated comprehensively considering that it is in the range of C and considering the stability as glass.
  • Double-circle It is stable as glass, and each physical property value is in a more preferable target physical property range, and each physical property is well balanced.
  • ⁇ Stable as glass, and each physical property value is within the target physical property range, but at least one of the physical property values is outside the more desirable target physical property range.
  • ⁇ Stable force as glass At least one of the physical property values is outside the range of the target physical properties.
  • each sample of sample 1 to 36 are examples, both 3 0 to 300 ° heat 60 ⁇ 85 X 10- 7 Z ° C in the temperature range of C Has an expansion coefficient, softening point is 600 ° C or less, relative dielectric constant is 12 or less, and stability as glass is also good
  • the glasses of Comparative Examples 101 to 121 shown in Tables 5 to 7 have a higher relative dielectric constant and the thermal expansion coefficient does not match the target range as compared to the samples of the Examples.
  • the color condition when each glass of Samples 1 to 36 having physical properties as a material used for the dielectric layer was used was measured using a color difference meter.
  • a glass powder and a glass paste were produced in the same manner as in the production of the PDP of this example described later, and this glass paste was applied to a glass substrate on which an electrode pattern was formed and baked to obtain a test piece.
  • the glass substrate used here was a flat soda-lime glass having a thickness of about 2.8 mm.
  • the electrode pattern is made by applying ITO (transparent electrode) material onto a glass substrate with a predetermined pattern, drying, and then applying a plurality of silver bases, which are a mixture of silver powder and organic vehicle, in a line.
  • the entire substrate was heated to produce a silver paste.
  • the glass paste was applied onto the electrode-formed substrate thus formed by a blade coater method. Thereafter, this substrate was held at 90 ° C. for 30 minutes to dry the glass paste, and baked at a temperature of 570 ° C. for 10 minutes to form a dielectric layer.
  • the reflected color was measured using a color difference meter on the back side (side without the electrode) of the substrate on which the dielectric layer was thus formed. The measurement results are shown in Tables 1-4.
  • a * and b * in Tables 1 to 4 are based on the L * a * b * color system.
  • the red color increases, and when it increases in the negative direction, the green color increases.
  • the value of b * increases in the positive direction, yellow increases, and when it increases in the negative direction, blue increases.
  • the b * value affects (the b * value increases in the positive direction when yellowing increases), so the PDP has a b * value in the range of 5 to +5. I like it! /
  • Glass samples 51 to 67 having the composition shown in Table 9 were prepared and used. A PDP with a dielectric layer formed was prototyped and evaluated for each PDP.
  • the raw materials were prepared and mixed so as to have the compositions shown in the tables, respectively, and melted for 1 hour in a 1100 to 1200 ° C electric furnace using a platinum crucible. After that, the twin roller method A lascarette was produced, and a glass cullet was pulverized by a ball mill to produce a powder.
  • the average particle diameter of each of the produced glass powders was 1.5 to 3.
  • Ethylcellulose as a coconut resin and a terpineol as a solvent were mixed and stirred so that the weight ratio was 5:30 to prepare a solution containing an organic component.
  • this solution and the glass powders shown in Table 8 and Table 9 were mixed at a weight ratio of 65:35, respectively, and mixed and dispersed with a three-necked one to prepare a glass paste.
  • An ITO (transparent electrode) material was applied in a predetermined pattern on the surface of a front glass substrate made of flat soda lime glass having a thickness of about 2.8 mm and dried.
  • a plurality of silver pastes which are a mixture of silver powder and an organic vehicle, were applied in a line shape, and then the front glass substrate was heated, whereby the silver paste was baked to form display electrodes.
  • the above-mentioned glass paste was applied to the front glass substrate on which the display electrode was produced, using a blade coater method. Thereafter, the front glass substrate was held at 90 ° C. for 30 minutes to dry the glass base, and baked at a temperature of 570 ° C. for 10 minutes to form a dielectric layer.
  • magnesium oxide was deposited on the dielectric layer by an electron beam deposition method and then baked to form a protective layer.
  • a back plate was produced by the following method. First, on the back glass substrate made of soda lime glass, address electrodes mainly composed of silver were formed in stripes by screen printing. Subsequently, a dielectric layer was formed. Next, a partition wall was formed on the dielectric layer between adjacent address electrodes. The partition walls were formed by repeating screen printing and firing.
  • red (R), green (G), and blue are applied to the surface of the dielectric layer exposed between the wall surfaces of the partition walls.
  • the phosphor paste (B) was applied, dried and baked to produce a phosphor layer.
  • Samples 52 and 59 which contain either 3 3 3 3 or 0.05 wt%, exceeded the b * value and showed yellowing.
  • FIG. 4 shows the relationship between the content of MoO and WO and the measurement result of the b * value. You can see from the results
  • the b * value is the content of MoO and WO.
  • the embodiment of the PDP described above is a force in which the dielectric layer has a single layer force.
  • the dielectric layer described above is used as the first dielectric layer, and the second dielectric layer is further formed thereon. Similar evaluation results were obtained even when a two-layer structure was formed.
  • An example of the composition of the glass (second glass (glass (C), glass (D))) used for the second dielectric layer in this case is as shown in Table 10.
  • the plasma display panel of the present invention can be suitably applied to a plasma display panel in which a dielectric layer for covering display electrodes and address electrodes is formed of glass containing no lead, and has a reliability in which yellowing and dielectric breakdown are suppressed.
  • a high-performance plasma display panel can be provided.

Abstract

　本発明のプラズマディスプレイパネルは、互いに交差する表示電極（５）とアドレス電極（１０）とを有し、表示電極（５）が第１のガラスを含む誘電体層（６）で被覆されている。第１のガラスは、組成成分として、ＳｉＯ2：０～１５ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3：１０～５０ｗｔ％、ＺｎＯ：１５～５０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3：０～１０ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3：２～４０ｗｔ％、ＭｇＯ：０～５ｗｔ％、ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ：５～３８ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：０～０．１ｗｔ％、ＭｏＯ3：０～４ｗｔ％、ＷＯ3：０～４ｗｔ％を含んでおり、かつ、第１のガラスに含まれるＭｏＯ3とＷＯ3の含有率の合計が、０．１～８ｗｔ％の範囲である。また、第１のガラスは、ＳｉＯ2：０～２ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3：１０～５０ｗｔ％、ＺｎＯ：１５～５０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3：０～１０ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3：２～４０ｗｔ％、ＭｇＯ：０～５ｗｔ％、ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ：５～３８ｗｔ％、ＭｏＯ3：０～４ｗｔ％、ＷＯ3：０～４ｗｔ％を含んでおり、かつ、第１のガラスに含まれるＭｏＯ3とＷＯ3の含有率の合計が、０．１～８ｗｔ％の範囲であってもよい。

Description

プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 技術分野
[0001] 本発明は、プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 近年、プラズマディスプレイパネル（以下、「PDP」 t 、う場合がある。 )、 FED,液晶 ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイは、薄型軽量化を実現できるディスプレ ィとして注目されている。
[0003] これらのフラットパネルディスプレイは、ガラス基板とその上に配置された構成要素 とを含む前面板と背面板とを備える。そして、前面板および背面板は互いに対向する ように配置され、外周部が封止されている。
[0004] 上述のように、 PDPは、前面板と背面板とを対向させてその外周を封着用のガラス によって封着した構成を有する。前面板は前面ガラス基板を含み、その表面上にスト ライプ状の表示電極が形成され、さらに、その上に誘電体層および保護層が形成さ れている。また、背面板は背面ガラス基板を含み、その表面上にストライプ状のアドレ ス電極が形成され、その上に誘電体層が形成され、さらに、隣り合うアドレス電極同 士の間に隔壁が形成され、形成された隣り合う隔壁間に蛍光体層が形成されて ヽる
[0005] 前面板と背面板とは、双方の電極が直交するように、かつ、互いに対向するように 配置された状態で、外縁部が封着される。内部に形成される密閉空間には、放電ガ スが充填されている。
[0006] なお、表示電極は 2本で 1対を構成しており、その一対の表示電極と 1本のアドレス 電極とが、放電空間を挟んで立体的に交差する領域が、画像表示に寄与するセルと なる。
[0007] 以下、 PDPの誘電体層について具体的に説明する。 PDPの誘電体層は、電極上 に形成されることから高い絶縁性を有すること、消費電力を抑えるために低い誘電率 を有すること、剥れやクラックが入らな 、ようにガラス基板との熱膨張係数がマツチン グしていること、などが求められる。さらに、前面ガラス基板に形成される誘電体層は 、蛍光体から発生した光を効率よく表示光として利用するために、通常、可視光透過 率の高 、非晶質ガラスであることが要求される。
[0008] 誘電体層は、通常、ガラス粉末、榭脂、溶剤、場合によって無機充填剤や無機顔料 を含むガラスペーストを、スクリーン印刷などでガラス基板上に塗布し、乾燥、焼成す ることによって形成される。一方、 PDPに使用されるガラス基板としては、価格や入手 容易性の観点などから、フロート法で作製されたソーダライムガラスが一般的に使用 されている。そのため、ガラスペーストの焼成は、ガラス基板の変形が生じない 600°C 以下で行われている。
[0009] PDPに用いられている誘電体層は、ガラス基板が変形を起こさない温度で焼成し なければならないため、比較的低融点のガラスで形成する必要がある。そのため、現 在は、 PbOを主原料とする PbO— SiO系ガラスが主に使用されている。
2
[0010] このような PDPの誘電体層は、榭脂ゃ溶剤を含むガラスペーストを焼成して形成さ れるため、炭素含有不純物の残留により誘電体層が着色して輝度が低下することが ある。このような輝度の低下を抑制する目的で、 PbOを含有するガラスに MoOまた
3 は Sb Oを添加した透明電極被覆用ガラスが提案されている（例えば、特開 2001—
2 3
151532号公報参照)。
[0011] さらに、環境問題への配慮から、鉛を含まない誘電体層の開発が進められており、 たとえば、 Bi O -B O -ZnO-R O系ガラス（R:Li, Na, K)を用いた誘電体層が
2 3 2 3 2
提案されている（例えば、特開 2001— 139345号公報参照)。また、アルカリ金属酸 化物を含むガラスを使用する場合に、アルミニウム電極上での焼成により生じるピン ホールを低減するため、 CuO、 CoO、 MoOまたは NiOを添カ卩したガラスが提案され
3
て 、る（例えば、特開 2002— 362941号公報参照）。
[0012] 上述したように、鉛を含まな 、ガラスを用いた誘電体層につ 、ては従来から提案さ れている力 低軟ィ匕点を実現するために鉛に代えて使用されるアルカリ金属酸ィ匕物 や酸ィ匕ビスマスによって、誘電体層や前面ガラス基板が黄変してしまう場合がある。 この黄変が発生するメカニズムは、次のように考えられる。
[0013] 前面ガラス基板に設けられる表示電極や背面ガラス基板に設けられるアドレス電極 には、 Agや Cuが用いられており、誘電体層を形成する際に行われる焼成時におい て、 Agや Cuがイオン化して誘電体層やガラス基板の中に溶け出して拡散する場合 がある。この拡散した Agイオンや Cuイオンは、誘電体層中のアルカリ金属イオンゃビ スマス酸ィ匕物、前面ガラス基板に含まれる Snイオン（2価）によって還元されやすぐ その場合にはコロイドィ匕してしまう。このように Agや Cuがコロイドィ匕した場合、誘電体 層や前面ガラス基板が黄色や褐色に変色される、いわゆる黄変が生じる (例えば J.E. SHELBY and J.VITKO. Jr Journal of Non-Crystalline Solids vol50 (1982) 107— 117 ) oこのような黄変したガラスは波長 400nmの光を吸収するため、 PDPにおいては、 青色の輝度が低下したり、色度の悪ィ匕が生じたりする。従って、黄変は、前面板にお いて特に問題となる。また、 Agや Cuのコロイドは、導電性であるため、誘電体層の絶 縁耐圧を低下させたり、イオンよりもはるかに大きなコロイド粒子として折出するため、 誘電体層を透過する光を反射して PDPの輝度を低下させたりする原因となる。
発明の開示
[0014] 本発明は、耐電圧が高い誘電体層を備え、誘電体層およびガラス基板の黄変を抑 制するとともに絶縁破壊も抑制された信頼性の高 、プラズマディスプレイパネルおよ びその製造方法を提供することを目的とする。
[0015] 本発明の第 1のプラズマディスプレイパネルは、互いに交差する表示電極とアドレス 電極とを有し、前記表示電極およびアドレス電極力 選ばれる少なくとも 1つの電極 が第 1のガラスを含む第 1の誘電体層で被覆されて!、るプラズマディスプレイパネル であって、前記第 1のガラスが、組成成分として、
SiO : 0〜15wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO : 15〜50wt%
AI O : 0〜： L0wt%
2 3
Bi O
3： 2
2 〜40wt%
MgO : 0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
Li O + Na O+K O : 0〜0. lwt% MoO : 0〜4wt%
3
WO : 0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0
3 3
. l〜8wt%の範囲である。
[0016] 本発明の第 1のプラズマディスプレイパネルは、第 1の誘電体層に含まれる第 1のガ ラスに MoOおよび WO力 選ばれる少なくとも 1種が含まれている。従って、電極材
3 3
料として一般的に使用される Agや Cuがイオンィ匕して誘電体層に拡散したとしても、 MoOや WOと安定な化合物を生成するため、 Agや Cuが凝集してコロイド化するこ
3 3
とを抑制できる。これにより、 Agや Cuのコロイドィ匕に起因する誘電体層の黄変が抑制 される。また、電極がガラス基板上に形成されている場合も、同様に、ガラス基板に拡 散した Agや Cuが MoOや WOと安定な化合物を生成するため、 Agや Cuのコロイド
3 3
化に起因するガラス基板の黄変も抑制できる。さらに、本発明の第 1のプラズマデイス プレイパネルによれば、黄変の抑制にとどまらず、 Agや Cuのコロイドの生成に伴う他 の弊害、例えば誘電体層の絶縁耐圧の低下や PDPの輝度の低下の抑制も可能とな る。
[0017] また、本発明の第 1のプラズマディスプレイパネルでは、第 1のガラス力 低融点化 を実現する成分として Bi Oを含んでいるので、鉛 (PbO)を実質的に含有しない誘
2 3
電体層を形成することが可能である。なお、本明細書において、「実質的に含有しな い」とは、特性に影響を及ぼさないごく微量の当該成分を許容する趣旨であり、具体 的には、含有率が 0. lwt%以下、好ましくは 0. 05wt%以下である。従って、本発明 の第 1のプラズマディスプレイパネルでは、第 1のガラスに含まれる鉛を 0. lwt%以 下、好ましくは 0. 05wt%以下とすることができる。
[0018] 本発明の第 2のプラズマディスプレイパネルは、互いに交差する表示電極とアドレス 電極とを有し、前記表示電極およびアドレス電極力 選ばれる少なくとも 1つの電極 が第 1のガラスを含む第 1の誘電体層で被覆されて!、るプラズマディスプレイパネル であって、前記第 1のガラスが、組成成分として、
SiO : 0〜2wt%
2
B O： 10〜50wt% ZnO : 15〜50wt%
AI O : 0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
MgO : 0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
MoO : 0〜4wt%
3
WO : 0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0
3 3
. l〜8wt%の範囲である。この第 2のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記第 1のガラスは、組成成分として、 Li 0、 Na Oおよび Κ Ο力 選ばれる少なくとも 1種を
2 2 2
さらに含んでいてもよぐこの場合の第 1のガラスに含まれる Li 0、 Na Oおよび K Ο
2 2 2 の含有率の合計は、例えば 0. 1〜： L0wt%である。
[0019] 本発明の第 2のプラズマディスプレイパネルでは、第 1の誘電体層に含まれる第 1の ガラスに MoOおよび WO力 選ばれる少なくとも 1種が含まれている。従って、本発
3 3
明の第 1のプラズマディスプレイパネルの場合と同様に、誘電体層とガラス基板の黄 変を抑制でき、さらに、誘電体層の絶縁耐圧の低下や PDPの輝度の低下の抑制も 可能となる。なお、本発明の第 2のプラズマディスプレイパネルでは、第 1のガラス力 低融点化を実現する成分としてアルカリ金属酸化物（Li 0、 Na Oおよび Κ Οから選
2 2 2 択される少なくとも 1種)および Bi Oを含んでいるので、鉛 (PbO)を実質的に含有し
2 3
ない誘電体層を形成することが可能である。従って、第 1のプラズマディスプレイパネ ルの場合と同様に、第 1のガラスに含まれる鉛の含有率を 0. lwt%以下、好ましくは 0. 05wt%以下とすることができる。
[0020] 本発明の第 1のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、電極が形成された基板 上に第 1のガラスを含む第 1のガラス材料を配置し、前記第 1のガラス材料を焼成す ること〖こよって、前記電極を被覆する第 1の誘電体層を形成する工程を含むプラズマ ディスプレイパネルの製造方法であって、前記第 1のガラスが、組成成分として、 SiO : 0〜15wt%
2
B O： 10〜50wt% ZnO:15〜50wt%
AIO :0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
MgO:0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
LiO + NaO+KO:0〜0. lwt%
2 2 2
MoO :0〜4wt%
3
WO :0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0
3 3
. l〜8wt%の範囲である。
[0021] 本発明の第 1のプラズマディスプレイパネルの製造方法によれば、上記した本発明 の第 1のプラズマディスプレイパネルを製造できる。
[0022] 本発明の第 2のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、電極が形成された基板 上に第 1のガラスを含む第 1のガラス材料を配置し、前記第 1のガラス材料を焼成す ること〖こよって、前記電極を被覆する第 1の誘電体層を形成する工程を含むプラズマ ディスプレイパネルの製造方法であって、前記第 1のガラスが、組成成分として、 SiO :0〜2wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO:15〜50wt%
AIO :0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
MgO:0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
MoO :0〜4wt%
3
WO :0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0
3 3
. l〜8wt%の範囲である。第 2のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、 第 1のガラス力 組成成分として、 Li 0、 Na Oおよび Κ Ο力も選ばれる少なくとも 1種 をさらに含んでいてもよぐこの場合の第 1のガラスに含まれる Li 0、 Na Oおよび K
2 2 2
Οの含有率の合計は、例えば 0. 1〜： L0wt%である。
[0023] 本発明の第 2のプラズマディスプレイパネルの製造方法によれば、上記した本発明 の第 2のプラズマディスプレイパネルを製造できる。
図面の簡単な説明
[0024] [図 1]図 1は、本発明の PDPの一例を示す断面図である。
[図 2]図 2は、本発明の PDPの別の例を示す断面図である。
[図 3]図 3は、図 1の PDPの構成を示す部分切り取り斜視図である。
[図 4]図 4は、 MoOおよび WOの含有量と b*値の関係を示す図である。
3 3
発明を実施するための最良の形態
[0025] 以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の説明は本発明の一例 であり、本発明はこれらによって限定されるものではない。
[0026] < PDP>
図 3は、本実施の形態に力かる PDPの主要構成を示す部分切り取り斜視図である 。図 1は、図 3に示す PDPの断面図である。
[0027] この PDPは、 AC面放電型であって、電極を被覆する誘電体層（第 1の誘電体層） が後述する組成を有する第 1のガラスで形成されている以外は、従来の PDPと同様 の構成を有している。
[0028] この PDPは、前面板 1と背面板 8とが貼り合わせられて構成されている。前面板 1は 、前面ガラス基板 2と、その内側面 (放電空間 14側の面）に形成された透明導電膜 3 およびバス電極 4からなるストライプ状の表示電極 5と、表示電極 5を覆う誘電体層 ( 第 1の誘電体層） 6と、酸ィ匕マグネシウム力もなる誘電体保護層 7とを備えている。この 誘電体層 6に、後述する第 1のガラスが使用されている。
[0029] また、背面板 8は、背面ガラス基板 9と、その内側面 (放電空間 14側の面）に形成さ れたストライプ状のアドレス電極 10と、アドレス電極 10を覆う誘電体層 11と、誘電体 層 11上に設けられ、互いに隣接するアドレス電極 10間に配置された帯状の隔壁 12 と、互いに隣接する隔壁 12の間に形成された蛍光体層 13とから構成されている。隔 壁 12は、各アドレス電極 10を互いに隔離して、放電空間 14を形成している。蛍光体 層 13は、カラー表示を可能とするために、赤色蛍光体層 13 (R)、緑色蛍光体層 13 ( G)および青色蛍光体層 13 (B)が隔壁 12を挟んで順番に配列されて成る。
[0030] 蛍光体層 13を構成する蛍光体としては、例えば、下記に示すような材料を用いるこ とがでさる。
青色蛍光体 BaMgAl O ： Eu
10 17
緑色蛍光体 Zn SiO： Mn
2 4
赤色蛍光体 Y O :Eu
2 3
[0031] 前面板 1および背面板 8は、表示電極 5とアドレス電極 10の各々の長手方向が互い に直交し、かつ、表示電極 5とアドレス電極 10とが互いに対向するように配置され、封 着部材（図示せず)を用いて接合される。表示電極 5およびアドレス電極 10は、銀 (A g)および銅 (Cu)力も選ばれる少なくとも一方を含む材料にて形成されて 、る。
[0032] 放電空間 14には、 He、 Xe、 Neなどの希ガス成分カゝらなる放電ガス（封入ガス）が 5 3. 3kPa〜79. 8kPa (400〜600Torr)程度の圧力で封入されている。表示電極 5 は、 ITO (インジウム錫酸ィ匕物)または酸ィ匕錫力もなる透明導電膜 3に、良好な導電 性を確保するため Ag膜または Cr/CuZCrの積層膜からなるバス電極 4が積層され て形成されている。
[0033] 表示電極 5とアドレス電極 10は、それぞれ外部の駆動回路（図示せず）と接続され 、駆動回路力も印加される電圧によって放電空間 14で放電を発生させる。この放電 に伴って発生する短波長（波長 147nm)の紫外線で蛍光体層 13に含まれる蛍光体 が励起されて、可視光が発光する。
[0034] 誘電体層 6は、第 1のガラスを含むガラスペースト (第 1のガラス材料)を塗布および 焼成すること〖こよって形成することができる。
[0035] より具体的には、例えば、ガラスペーストを、スクリーン法、バーコ一ター、ロールコ ータ、ダイコーター、ドクターブレードなどによって塗布し、焼成する方法が代表的で ある。ただし、それに限定されることなぐ例えば第 1のガラスを含むシートを貼り付け て焼成する方法でも形成できる。
[0036] 誘電体層 6の膜厚は、光透過性を確保するために 50 μ m以下とすることが好ましく 、絶縁性の確保のために 1 μ m以上とすることが好ましい。誘電体層 6の膜厚は、例 えば 3 μ m〜50 μ mとすることが好まし!/ヽ。
[0037] 誘電体層 6に含まれる第 1のガラスの詳細については後述する力 本実施の形態で は誘電体層 6に MoOおよび WOの少なくとも一方が含まれているため、バス電極 4
3 3
に含まれる金属（例えば Ag, Cu)がイオン化して誘電体層 6中に拡散しても、金属コ ロイドとなることが抑制される。このため、誘電体層 6の着色 (黄変)や、耐電圧の低下 が抑制される。
[0038] また、黄変の問題は、実質的に鉛を含まないガラスを用いるために、その代替成分 としてアルカリ金属酸ィ匕物を含むガラスを用いることによって、特に顕著に見られる傾 向がある。しかし、本実施の形態では、 MoOおよび WOの少なくとも一方が含まれ
3 3
たガラスによって誘電体層 6が形成されているので、黄変の発生を抑制できる。した がって、本実施の形態によれば、鉛を含まず、かつ、黄変の発生が抑制された誘電 体層 6を実現できる。
[0039] さらに、上記のように MoOおよび WOの少なくとも一方が含まれるガラスを用いて
3 3
誘電体層 6を形成することにより、前面ガラス基板 2の黄変も抑制することができる。 一般に、 PDPに用いられるガラス基板はフロート法で製造される。フロート法で製造 されたガラス基板は、その表面に Snが混入してしまう。この Snは、 Agイオンおよび C uイオンを還元して Agおよび Cuのコロイドを生じさせるため、従来は、フロート法で製 造したガラス基板の表面を研磨して Snを除去する必要があった。これに対し、本実 施の形態では、誘電体層 6に含まれる MoOおよび WOの少なくとも一方によって A
3 3
gおよび Cuのコロイドィ匕が抑制されるため、表面に Snが残留しているガラス基板であ つても使用することができる。これにより、ガラス基板を研磨する必要がなくなり、製造 工程数を減らすことができるという効果が得られる。なお、ガラス基板に含まれる (残 留する） Snの含有率は、例えば 0. 001〜5wt%である。
[0040] 次に、図 2に示すように、表示電極 5を被覆する誘電体層が 2層構造になっている P DPの一例について説明する。
[0041] 図 2に示す PDPは、誘電体層 6のかわりに、表示電極 5を被覆する第 1の誘電体層 15と、第 1の誘電体層 15上に配置された第 2の誘電体層 16とが設けられた構造とな つている以外は、図 1および図 3に示した PDPと同様の構成である。なお、図 1および 図 3に示した PDPと同じ部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。
[0042] 図 2に示すように、第 1の誘電体層 15は透明導電膜 3およびバス電極 4を被覆し、 第 2の誘電体層 16は、第 1の誘電体層 15を被覆するように配設されて!/、る。
[0043] このように誘電体層が 2層構造の場合、少なくとも第 1の誘電体層 15は、図 1および 図 3に示された PDPの誘電体層 6と同様に、 MoO、 WOの少なくとも一方を含み、
3 3
その含有率の合計が 0. l〜8wt%である第 1のガラスを含んでいる。これによつて、 少なくとも第 1の誘電体層 15については、 Agや Cuのコロイド析出による黄変および 耐電圧低下が抑制される。また、第 1の誘電体層 15で Agや Cuのイオンの拡散を抑 制して!/、るので、仮に第 2の誘電体層 16に黄変が生じやす 、組成のガラスが含まれ ていたとしても、第 2の誘電体層 16が変色 (黄変）したり、耐電圧が低下したりすること を抑制できる。
[0044] 従って、第 2の誘電体層 16には、黄変の問題を懸念することなぐ PDPの要求仕様 に応じたガラス組成物を選択することができる。第 2の誘電体層 16に含まれる第 2の ガラスについての詳細は後述する力 例えば第 2の誘電体層 16に SiO -B O -Zn
2 2 3
O系ガラス糸且成物を用いた場合、この SiO— B O— ZnO系ガラスは、鉛ガラスゃビ
2 2 3
スマス系ガラスより比誘電率が低い（室温、 1MHzでの比誘電率は、概して、鉛ガラス : 10〜15、ビスマス系ガラス： 8〜 13、 SiO B O ZnO系ガラス： 5〜9である）。
2 2 3
従って、第 2の誘電体層 16に SiO— B O—ZnO系ガラス糸且成物を用いることによつ
2 2 3
て、誘電体層全体 (第 1の誘電体層 15と第 2の誘電体層 16とを含む誘電体層）の比 誘電率を低下させ、 PDPの消費電力を低減できる。
[0045] このような 2層構造の誘電体層は、第 1の誘電体層 15を形成した後に、この上に第 2の誘電体層 16用のガラス組成物 (第 2のガラス)を含むガラス材料 (第 2のガラス材 料)を塗布し焼成することによって形成できる。この場合、第 1の誘電体層 15に用いる ガラスは、第 2の誘電体層に含まれるガラスの軟ィ匕点よりも高 ヽ軟化点を有することが 好ましい。
[0046] また、電極 3、 4と第 2の誘電体層 16との絶縁および界面反応防止を確保するため
、第 1の誘電体層 15の膜厚は 1 μ m以上とすることが好ましい。
[0047] また、透過光の損失を抑制するために、第 1の誘電体層 15と第 2の誘電体層 16と を合わせた膜厚は 50 m以下であることが好ましぐ絶縁性の確保のために 3 m以 上とすることが好ましい。
[0048] 以上説明したように、本実施の形態の PDPは、上記の第 1のガラスを用いることによ つて、実質的に鉛を含まない誘電体層を形成でき、かつ、誘電体層の変色 (黄変）に よる表示特性の低下ゃ耐電圧の低下を抑えることができる。
[0049] なお、本発明を適用する PDPとしては、本実施の形態で説明したような面放電型の ものが代表的であるが、これに限定されるものではなぐ対向放電型にも適用できる。
[0050] また、 AC型に限定されるものではなぐ DC型の PDPであっても誘電体層を備えた ものに対して適用することができる。
[0051] <第 1のガラス >
本発明にお ヽては、ガラス基板および誘電体層の黄変を抑制することができる誘電 体層のガラス組成を見いだした点に特徴を有している。以下、本発明の PDPにおい て、電極を被覆する誘電体層（第 1の誘電体層）に使用する第 1のガラスについて、 二つの例 (ガラス (A)およびガラス (B) )を説明する。
[0052] 本実施の形態において、電極を被覆する誘電体層に含まれるガラスの一例である ガラス (A)は、組成成分として、
SiO : 0〜15wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO : 15〜50wt%
AI O : 0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
MgO : 0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
Li O + Na O+K O : 0〜0. lwt%
2 2 2
MoO : 0〜4wt%
3
WO : 0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0
3 3
. l〜8wt%の範囲である。 [0053] 本実施の形態において、電極を被覆する誘電体層に含まれるガラスの別の例であ るガラス (B)は、組成成分として、
SiO : 0〜2wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO : 15〜50wt%
AI O : 0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
MgO : 0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
MoO : 0〜4wt%
3
WO : 0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0
3 3
. l〜8wt%の範囲である。
[0054] 上記に示した組成成分を有するガラス (A)およびガラス (B) (以下、単にガラスまた はガラス組成物ということがある。）は、それぞれ、電極を被覆する誘電体層に対して 要求される特性を実現できるガラスであって、さらに MoO
3および WO
3から選ばれる 少なくとも 1種を含み（各成分の含有率の上限は 4wt%)、かつ、 MoOおよび WO
3 3 の含有率の合計が 0. l〜8wt%の範囲である。これ〖こより、電極に使用される Agや Cuのコロイド化に起因する誘電体層およびガラス基板の黄変と、絶縁破壊の発生と を抑制できる。
[0055] 例えば電極が Agにて形成されている場合、 Agと MoOとは、 Ag MoO、 Ag Mo
3 2 4 2 2
Oおよび Ag Mo O といった化合物を 580°C以下の低温で生成し易いことが知られ
7 2 4 13
ている。誘電体層の焼成温度は 550°C〜600°Cであることから、焼成時に誘電体層 中に拡散した Ag+は誘電体層中の MoOと反応し、上記の化合物を生成して安定ィ匕
3
すると考えられる。すなわち、 Ag+は還元されることなく安定ィ匕されるため、凝集してコ ロイドとなることが抑制される。同様に、 Agと WOも、 Ag WO、 Ag W O、 Ag W O
3 2 4 2 2 7 2 4 13 といったィ匕合物を生成して安定ィ匕しゃすいため、 Agのコロイド化が抑制される。
[0056] また、 MoOおよび WOの少なくとも一方を含むガラスにおいては、ガラス中に Mo O 2 WO 2が存在し、焼成時に電極カゝら拡散した Ag+はこれらに捕捉され、安定ィ匕
4 4
する。すなわち、 Ag+はコロイド化しないだけでなぐ誘電体層中への拡散も抑制され ると考えられる。同様に、電極が Cuの場合も Cu+の拡散が抑制されると考えられる。
[0057] 上記のような効果を得るために、ガラス中に含まれる MoOおよび WOの含有率の
3 3 合計を 0. lwt%以上とする。
[0058] また、ガラス中の MoOおよび WOの含有率が多くなると、 MoOおよび WOそれ
3 3 3 3 ぞれに起因するガラスの着色が顕著になる。従って、誘電体層の透過率を低下させ ないために、 MoO、 WOそれぞれの含有率を 4wt%以下とする。また、 MoOおよ
3 3 3 び WOの両方を含むガラスは、 MoOおよび WOの何れか一方のみを含む場合に
3 3 3
比べて、透過率の損失を抑制し黄変の低減する効果をより確実に得ることができる。 従って、 MoOおよび WOの両方を含むガラスを用いることが好ましい。 MoOおよ
3 3 3 び WOの両方を含むガラスの場合、各成分をそれぞれの上限値 (4wt%)まで含む
3
ことができるため、 MoOおよび WOの含有率の合計は 8wt%以下である。
3 3
[0059] なお、上記は MoO、 WOをガラス組成に配合する場合を記して ヽるが、ガラス粉
3 3
末に MoO、 WO粉末を混合した混合粉末を使用してもよい。混合粉末を電極上に
3 3
配して焼成すると、ガラス組成に配合する場合に比べ均質度が低下し、誘電体層の 透過率が低下したりする場合もある力 一定の黄変低減の効果を有する。
[0060] さらに、 MoOおよび WOによる黄変低減の効果は、従来から使用されている PbO
3 3
を組成として含有するガラスを用いて形成される誘電体層にお 、ても有効であるが、 実質的に鉛を含まない、鉛の含有率が 0. lwt%以下であるガラスを用いて形成され る誘電体層にお 、てより有効である。
[0061] これは、従来力も低軟ィ匕点の実現に必要であった PbOを含有しないガラスを実現 するには、代替成分としてアルカリ金属酸化物や酸化ビスマスを含有する必要があり 、これらの成分が Agや Cuの拡散を促進したり、イオンを還元し易くしたりするため、 黄変を増大させるからである。
[0062] 次に、ガラス (A)およびガラス (B)について、組成の限定理由を説明する。
[0063] ガラス (A)において、 SiOは、ガラスの安定化に効果があり、その含有率は 15wt
2
%以下である。 SiOの含有率が 15wt%を超えると軟ィ匕点が高くなつて所定の温度 での焼成が困難となる。 SiOの含有率は、より好ましくは 10 ％以下である。さらに
2
、焼成後の気泡残留を低減するためには焼成時のガラス粘度を低くすることが好まし ぐそのためには、 SiOの含有率を lwt%以下とすることが好ましい。
2
[0064] また、ガラス (A)に含まれるアルカリ金属酸化物（Li 0、 Na Oおよび Κ Ο)は、 0· 1
2 2 2 wt%以下とごく微量かまたは Owt%であるため、実質的に含まれな!、程度であるの に対し、ガラス（B)はアルカリ金属酸ィ匕物を含んでいてもよぐ例えば Li 0、 Na Oお
2 2 よび K Oから選ばれる少なくとも 1種を 0· lwt%〜10wt%含んでいてもよい。これら
2
のアルカリ金属酸ィヒ物を含むガラスは焼成後に気泡が残留する傾向があるので、ガ ラスの粘度を低く抑えて気泡の残留を抑制するために、ガラス ）における SiOの含
2 有率は 2wt%以下である。なお、ガラス (A)に含まれるアルカリ金属酸ィ匕物は、 0. 0 lwt%以下であることが好まし 、。
[0065] B Oは、本実施の形態の PDPにおける誘電体層用のガラスの必須成分であり、そ
2 3
の含有率は 10〜50wt%である。 B Oの含有率が 50wt%を超えるとガラスの耐久
2 3
性が低下し、また熱膨張係数が小さくなると共に軟ィ匕点が高くなつて所定の温度での 焼成が困難となる。また、その含有率が 10wt%未満ではガラスが不安定になって失 透し易くなる。 B Oのより好ましい範囲は 15〜50wt%である。
2 3
[0066] ZnOは、本実施の形態の PDPにおける誘電体層用のガラスの主要成分の 1つであ り、ガラスを安定化させるのに効果がある。 ZnOの含有率は 15〜50wt%である。 Zn Oの含有率が 50wt%を超えると、結晶化し易くなつて安定したガラスが得られなくな る。また、その含有率が 15wt%未満だと、軟化点が高くなつて所定の温度での焼成 が困難になる。また ZnOの含有率が少ないと焼成後にガラスが失透しやすくなるため 、安定なガラスを得るにはその含有率は 26wt%以上であることがより好ましい。また 、誘電体層の上に形成する保護層の特性である放電遅れを向上するためにも、 ZnO の含有率は 26wt%以上であることが好ましぐさらに 32wt%以上であることがより好 ましい。
[0067] Al Oは、ガラスの安定化に効果があり、その含有率は 1(^％以下である。 10wt
2 3
%を超えると失透するおそれがあり、また軟ィ匕点が高くなつて所定の温度での焼成が 困難となる。 Al Oの含有率は、 8wt%以下であることが好ましぐまた、 0. 01wt% 以上であることが好ましい。 Al Oの含有率を 0. 01wt%以上とすることによって、より
2 3
安定なガラスが得られる。
[0068] Bi Oは、本実施の形態の PDPにおける誘電体層用のガラスの主要成分の 1つで
2 3
あり、軟ィ匕点を下げ、熱膨張係数を上げる効果がある。その含有率は 2〜40wt%で ある。 Bi Oの含有率力 Owt%を超えるとガラスが結晶化しやすくなる。また、 30wt
2 3
%を超えると熱膨張係数が大きくなり、また誘電率が大きくなりすぎて消費電力を上 昇させてしまう。また、その含有率が 2wt%未満だと、軟化点が高くなつて所定の温 度での焼成が困難となる。 Bi Oの含有率のより好ましい範囲は 2〜30wt%である。
2 3
[0069] CaO、 SrOおよび BaOのアルカリ土類金属酸化物は、耐水性の向上、ガラスの分 相の抑制、熱膨張係数の相対的な向上、といった効果を有する。それらの含有率の 合計は、 5〜38wt%である。 CaO、 SrOおよび BaOの含有率の合計が 38wt%を超 えると失透するおそれがあり、また熱膨張係数が大きくなりすぎる。また、それらの合 計が 5wt%未満の場合は、上記効果が得られに《なる。
[0070] さらに、 ZnOと Bi Oの含有率の合計（ZnO + Bi O )は、 35〜65wt%であることが
2 3 2 3
より好ましい。軟化点が低ぐ 600°C以下の所望の温度において電極と反応せず、透 過率の優れた誘電体を作製するためには、 (ZnO + Bi O )を 35wt%以上とすること
2 3
が好ましい。ただし、それらの合計が 65wt%を超えるとガラスが結晶化しやすくなる という問題が生じる。
[0071] さらに、 Bi Oの含有率と、 B Oおよび ZnOの含有率の合計（B O +ZnO)との比
2 3 2 3 2 3
である [Bi O / (B O +ZnO) ]の値は、 0. 5以下であることが好ましい。 Bi Oは、 B
2 3 2 3 2 3
Oおよび ZnOに比べて誘電率の増大をもたらすため、上記範囲とすることによって
2 3
、誘電率が低い誘電体層を形成でき、消費電力の低減が可能となる。
[0072] 誘電体層の黄変を防止するために、ガラス (A)はアルカリ金属酸化物（Li 0、 Na
2 2
Oおよび Κ Ο)を含有しないことが好ましい。従って、ガラス (Α)は、アルカリ金属酸化
2
物を実質的に含有しない、すなわちアルカリ金属酸化物の含有率の合計が 0. lwt %以下、好ましくは 0. 01wt%以下である。
[0073] 一方、上記のとおり、誘電体層の黄変を防止するためにはアルカリ金属酸化物を含 有しないことが好ましいが、ガラス ）は Li 0、 Na Oおよび Κ Ο力も選ばれる少なく とも 1種を 0. 1〜： LOwt%含有していてもよい。ガラス（B)に含まれるアルカリ金属酸 化物を 0. lwt%以上とすることで、軟ィ匕点を低下させたり、諸物性を調整したりする ことができる。例えば、軟ィ匕点を低下させることができるので、同じ働きを有する Bi O
2 3 の含有率を低減できる。これによつて比誘電率を低下させることができる。ただし、ァ ルカリ金属酸化物の含有率が 10wt%を超えると熱膨張係数が大きくなり過ぎるため 好ましくない。なお、アルカリ金属酸化物を含むガラスは焼成後に気泡が残留する傾 向が強いが、ガラス ）は、 SiOの含有率が 2wt%以下であるため、アルカリ金属酸
2
化物が含まれていても、粘度を低く抑えて気泡の残留を防ぐことができる。
[0074] MgOは、ガラスの安定化のために効果があり、その含有率は 5wt%以下である。 5 wt%を超えると、ガラス作製時に失透するおそれがあるからである。
[0075] ガラス (A)およびガラス (B)は、それぞれ上記成分を含み、典型的には上記成分の み力もなるが、本発明の効果が得られる限り、他の成分を含有してもよい。他の成分 の含有率の合計は、好ましくは 10wt%以下、より好ましくは 5wt%以下である。他の 成分としては、たとえば、軟化点および熱膨張係数の調整、ガラスの安定化および化 学的耐久性の向上などのために添加する成分が挙げられ、具体的には、 Rb 0、 Cs
2 2
0、 TiO、 ZrO、 La O、 Nb O、 TeO、 Ag 0、 SnO、 CeOおよび CuOなどが挙
2 2 2 3 2 5 2 2 2
げられる。
[0076] ガラス (A)およびガラス (B)は、 PDPのガラス基板に対して好適な誘電体層の材料 として使用できる。 PDPに使用される一般的なガラス基板には、フロート法で作製さ れ、一般に入手が容易な窓板ガラスであるソーダライムガラスや PDP用に開発された 高歪点ガラスがある。それらのガラスは通常、 600°Cまでの耐熱性、 75 X 10— 7〜85 X 10—ソ。 Cの熱膨脹係数 (線熱膨張係数)を有して!/、る。
[0077] PDPの誘電体層は、例えばガラス基板にガラスペーストを塗布した後、焼成するこ とによって形成される。そのため、焼成は、ガラス基板の軟ィ匕変形が起こらない 600 °C以下で行う必要がある。また、ガラス基板の反り、誘電体層の剥がれおよびクラック を防止するためには、誘電体層を構成するガラスの熱膨脹係数を、ガラス基板よりも 0〜25 X 10—7Z°C程度小さくしておく必要がある。さらに誘電体層の誘電率が高いと 電極に流れる電流が大きくなつて PDPの消費電力が大きくなるため、好ましくない。 [0078] このため、実質的に鉛を含まない無鉛ガラスで PDPの誘電体層を形成する場合、 前述した範囲の組成 (ガラス (A)およびガラス (B)の組成)で、軟ィ匕点が 600°C以下 、熱膨脹係数が 60〜85 X 10— 7Z°C、比誘電率が 12以下となる無鉛ガラスを用いる のが好ましい。さらに、歪などによる剥がれやクラックを抑制し、 90%以上の歩留まり の達成を考慮すると、より好ましい熱膨張係数は 65 X 10一7〜 85 X 10— 7Z°Cである。 また、消費電力をさらに低減するためには比誘電率が 11以下であることがより好まし い。
[0079] なお、誘電体層に含まれるガラスの量は、本発明の効果が得られる限り特に限定は ないが、通常、 50wt%以上（たとえば 80wt%以上や 90wt%以上）であることが好ま しい。一例として、誘電体層が、実質的にガラスのみカゝら形成されていてもよい。本実 施の形態にぉ ヽて誘電体層を構成するガラス成分は、典型的には上記のガラス (A) またはガラス (B)であり、誘電体層に含有されるガラス成分には鉛が含まれて 、な ヽ
[0080] 本実施の形態の PDPにお!/、て、上記ガラス (A)およびガラス (B)を用いて PDPの 前面板の誘電体層を形成する場合、光学特性を損ねることなくガラス強度の向上や 熱膨張係数の調整を行うために、無機充填剤や無機顔料を添加してもよい。無機充 填剤や無機顔料としては、たとえば、アルミナ、酸化チタン、ジルコユア、ジルコン、コ 一ディエライト、石英などが挙げられる。
[0081] また、上記のガラスを用いて、 PDPの背面板上に形成した電極（図 1に示すアドレ ス電極 10)を被覆してもよい。この場合においても、反射特性などの光学特性を向上 させると共にガラス強度の向上や熱膨張係数の調整を目的として、無機充填剤や無 機顔料を添加してもよい。無機充填剤や無機顔料としては、たとえば、アルミナ、酸 化チタン、ジルコユア、ジルコン、コーディエライト、石英などが挙げられる。
[0082] <第 2のガラス >
図 2に示すように誘電体層が 2層構造の場合、電極に接触しない層である第 2の誘 電体層に含まれるガラス (第 2のガラス）について、具体的に説明する。この第 2のガ ラスは、軟化点を低下させ、かつ、比誘電率を低下させる目的で、 Li 0
2 、 Na Oおよ 2 び K Ο力 選ばれる少なくとも 1種を含むことが好ましい。このように低い比誘電率を 実現できるガラスで第 2の誘電体層を形成すれば、 PDPの消費電力を低減すること ができる。以下に、第 2のガラスの二つの例 (ガラス (C)およびガラス (D))を説明する
[0083] 本実施の形態において、第 2の誘電体層の形成に用いられるガラスの一例である ガラス (C)は、組成成分として、
SiO :0〜15wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO:15〜50wt%
AIO :0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
LiO + NaO+KO:0.1〜： L0wt%
2 2 2
MgO:0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
を含んでいる。
[0084] 本実施の形態において、第 2の誘電体層の形成に用いられるガラスの別の例であ るガラス (D)は、組成成分として、
SiO :0〜30wt%
2
B O： 25〜80wt%
2 3
ZnO:0〜50wt%
AIO :0〜： L0wt%
2 3
Li O + Na O+K 0: 5〜20wt%
2 2 2
MgO:0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 0〜 15wt%
を含んでいる。
[0085] ガラス (C)およびガラス (D)は、共に低 ヽ軟ィ匕点を実現でき、かつ、低 、比誘電率 も実現できる。特に、ガラス (D)は、比誘電率を高くする成分である Bi Oを実質的に
2 3 含まないので、より低い比誘電率を実現できる。従って、ガラス (C)およびガラス (D) を用いて第 2の誘電体層を形成する場合、誘電体層の誘電率を低くできるので、 PD Pの消費電力を低減することができる。
[0086] なお、第 1の誘電体層 15に用いられるガラス (A)および (B)と、第 2の誘電体層 16 に用いられるガラス (C)および (D)との組み合わせは特に限定されず、さまざまに組 み合わせて使用できる。
[0087] <ガラスペースト >
本実施の形態の PDPにおける誘電体層に使用するガラスは、通常は、粉末の状態 で使用される。上記した本実施の形態におけるガラス粉末に、印刷性を付与するた めのノインダーゃ溶剤などを添加することによって、ガラスペーストが得られる。この ガラスペーストを、ガラス基板上に形成された電極上に塗布、焼成することによって、 電極を覆う誘電体層を形成できる。この誘電体層の上には、電子ビーム蒸着法など を用いて所定の厚さの誘電体保護層が形成される。なお、誘電体保護層の形成は、 電子ビーム蒸着法に限らず、スパッタ法ゃイオンプレーティング法で行ってもよ 、。
[0088] ガラスペーストは、ガラス粉末と、溶剤と、榭脂 (バインダー）とを含む。ガラス粉末は 、本実施の形態の PDPにおける誘電体層用のガラス組成物の粉末である。ガラスペ 一ストは、これらの成分以外の成分を含んでもよぐ例えば、界面活性剤、現像促進 剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸 収剤、顔料、染料など、種々の目的に応じた添加剤を含んでもょ 、。
[0089] ガラスペーストに含まれる榭脂 (バインダー）は、低融点のガラス粉末との反応性が 低いものであればよい。たとえば、化学的安定性、コスト、安全性などの観点から、二 トロセノレロース、メチノレセノレロース、ェチノレセノレロース、カノレボキシメチノレセノレロース などのセルロース誘導体、ポリビュルアルコール、ポリビュルプチラール、ポリエチレ ン fダリコール、カーボネート系榭脂、ウレタン系榭脂、アクリル系榭脂、メラミン系榭脂 などが望ましい。
[0090] ガラスペースト中の溶剤は、ガラス粉末との反応性が低いものであればよい。たとえ ば、化学的安定性、コスト、安全性などの観点、および、ノ インダー榭脂との相溶性 の観点から、酢酸ブチル、 3—エトキシプロピオン酸ェチル、エチレングリコールモノメ チノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノプロ ピノレエ一テル、エチレングリコーノレモノブチノレエーテルなどのエチレングリコーノレモノ アルキルエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレング リコーノレモノェチノレエーテノレアセテートなどのエチレングリコーノレモノァノレキノレエーテ ルアセテート類；ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジェ チルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブ チルエーテルなどのジエチレングリコールジアルキルエーテル類；プロピレングリコー ノレモノメチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、プロピレングリコー ルモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレン グリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレ ングリコーノレジェチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレジプロピノレエーテノレ、プロピレ ングリコールジブチルエーテルなどのプロピレングリコールジアルキルエーテル類；プ ロピレングリコーノレモノメチノレエーテノレアセテート、プロピレングリコーノレモノェチノレエ 一テルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレン グリコーノレモノブチノレエーテノレアセテートなどのプロピレングリコーノレアノレキノレエーテ ルアセテート類；乳酸メチル、乳酸ェチル、乳酸ブチルなどの乳酸のエステル類、ギ 酸メチル、ギ酸ェチル、ギ酸ァミル、酢酸メチル、酢酸ェチル、酢酸プロピル、酢酸ィ ソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ァミル、酢酸イソァミル、酢酸へキシル、酢酸 2—ェ チルへキシル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸ェチル、プロピオン酸ブチル、ブタ ン酸メチル（酪酸メチル）、ブタン酸ェチル（酪酸ェチル）、ブタン酸プロピル（酪酸プ 口ピル）、ブタン酸イソプロピル（酪酸イソプロピル）などの脂肪族カルボン酸のエステ ル類；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート類；タービネ オール、ベンジルアルコールなどのアルコール類；トルエン、キシレンなどの芳香族 炭化水素類;メチルェチルケトン、 2 へプタノン、 3 へプタノン、 4一へプタノン、シ クロへキサノンなどのケトン類； 2—ヒドロキシプロピオン酸ェチル、 2—ヒドロキシ 2 メチルプロピオン酸ェチル、エトキシ酢酸ェチル、ヒドロキシ酢酸ェチル、 2—ヒドロ キシ 3—メチル酪酸メチル、 3—メトキシプロピオン酸メチル、 3—メトキシプロピオン 酸ェチル、 3—メトキシブチルアセテート、 3—メチルー 3—メトキシブチルアセテート、 ブチルカルビトールアセテート、 3—メチルー 3—メトキシブチルプロピオネート、 3—メ チルー 3—メトキシブチルブチレート、 2, 2, 4 トリメチルー 1, 3 ペンタンジオール モノイソブチレートァセト酢酸メチル、ァセト酢酸ェチル、ピルビン酸メチル、ピルビン 酸ェチル、安息香酸ェチル、酢酸べンジルなどのエステル類； N—メチルピロリドン、 NN—ジメチルホルムアミド、 N—メチルホルムアミド、 N, N—ジメチルァセトアミドな どのアミド系溶剤などが挙げられる。これらの溶剤は、単独で使用してもよいし、 2種 類以上を組み合わせて使用してもょ 、。
[0091] ガラスペーストにおける溶剤の含有率は、ペーストの可塑性又は流動性 (粘度）が 成形処理または塗布処理に適したものとなる範囲で調整される。
[0092] なお、このガラスペーストは、 PDP背面板上に形成した電極を覆う誘電体層の形成 にも適用できる。
[0093] < PDPの製造方法 >
以下に、 PDPの製造方法の一例について説明する。
[0094] 本実施の形態の PDPの製造方法は、電極が形成された基板上に第 1のガラスを含 むガラス材料 (第 1のガラス材料)を配置し、このガラス材料を焼成することによって、 電極を被覆する誘電体層（第 1の誘電体層）を形成する工程を含んで 、る。ここで用 Vヽられる第 1のガラスには、上記に説明したガラス ( A)およびガラス (B)を用いること ができる。ここでは、前面板に形成される表示電極を被覆する誘電体層を形成する 際に上記工程を用いた例について説明する。
[0095] まず、前面板の作製方法につ!、て説明する。
[0096] 平坦な前面ガラス基板の一主面に、複数の透明電極をストライプ状に形成する。次 に、透明電極上に銀ペーストを塗布した後、前面ガラス基板全体を加熱することによ つて、銀ペーストを焼成し、バス電極を形成する。このようにして表示電極を形成する
[0097] 次に、表示電極を覆うように、前面ガラス基板の上記主面に、本実施の形態の PDP における誘電体層用ガラス組成物を含むガラスペーストを、ブレードコーター法によ つて塗布する。その後、前面ガラス基板全体を 90°Cで 30分間保持してガラスペース トを乾燥させ、次いで、 560〜590°Cの範囲の温度で 10分間焼成を行う。このように して誘電体層を形成する。
[0098] ここで使用する誘電体層用ガラスは、上記に説明したガラス (A)またはガラス (B)で ある。
[0099] 次に、誘電体層上に酸ィ匕マグネシウム (MgO)を電子ビーム蒸着法によって成膜し
、焼成を行い、誘電体保護層を形成する。
[0100] このようにして、前面板を作製する。
[0101] 図 2に示すように、誘電体層が 2層構造になっている PDPの製造方法については、 上記と同様に、表示電極を覆うように第 1の誘電体層用のガラス (第 1のガラス)を含 むガラスペースト (第 1のガラス材料)を塗布、乾燥、焼成した後、形成した第 1の誘電 体層を覆うように第 2の誘電体層用のガラス (第 2のガラス)を含むガラスペースト (第 2 のガラス材料)を塗布、乾燥、焼成して、第 2の誘電体層を形成する。
[0102] 次に、背面板の作製方法について説明する。
[0103] 平坦な背面ガラス基板の一主面に、銀ペーストをストライプ状に複数本塗布した後 、背面ガラス基板全体を加熱して銀ペーストを焼成することによって、アドレス電極を 形成する。
[0104] 次に、隣り合うアドレス電極の間にガラスペーストを塗布し、背面ガラス基板全体を 加熱してガラスペーストを焼成することによって、隔壁を形成する。
[0105] 次に、互いに隣接する隔壁間に、 R、 G、 B各色の蛍光体インクを塗布し、背面ガラ ス基板を約 500°Cに加熱して上記蛍光体インクを焼成することによって、蛍光体イン ク内の樹脂成分 (バインダー)などを除去して蛍光体層を形成する。
[0106] 次に、前面板と背面板とを封着ガラスを用いて貼り合わせる。その後、封止された 内部を高真空排気したのち、希ガスを封入する。
[0107] このようにして、 PDPが得られる。なお、ここで説明した PDPおよびその製造方法は 一例であり、本発明はこれに限定されない。
実施例
[0108] 以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
[0109] <ガラスの作製および評価 >
本発明の PDPにおける誘電体層に使用するガラスおよび比較例のガラスを作製し た。表 1〜4に本発明の PDPの誘電体層に用 ヽられる実施例のガラス（サンプル 1〜 36)の組成を示し、表 5〜7に比較例のガラス（サンプル 101〜121)の組成を示す。 ^
Figure imgf000025_0001
^せ5^i ^^^j一¾ SiO:B Si〇25，.
Figure imgf000026_0001
Figure imgf000026_0002
Figure imgf000027_0001
Figure imgf000027_0002
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000028_0002
〔0115
Figure imgf000029_0001
ガラス組成/ No. 109 1 10 1 1 1 112 1 13 1 14 1 15 1 16 1 17 118
Si02 2.8 2.9 0.8 2.8 0.3 2.9 0.3 1.1 0.3 5.6 tsoll B203 27.5 29.3 28.8 33.4 29.9 34.3 25.9 34.4 27.1 17.0
ΖπΟ 30.4 32.4 26.5 29.0 26.2 28.5 32.0 27.8 30.1 31.2
ΑΙ203 0.5 0.6 1.3 0.8 1.1 1.1 0.9 1.6 0.7 0.9
ΒΪ203 27.5 29.7 3.8 29.0 4.0 28.1 2.2 30.0 3.2 25.5 gO 6.0
CaO 5.0 4.8 38.5 1.8 15.0 8.0
SrO 4.7 38.2 1.0 9.8
BaO 4.8 38.4 2.0 13.5
Li20 1 1.0
Na20
K20
Mo03 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.8
W03
ガラス転移点 (°C) - 468 - 462 - 458 496 462 - 473 軟化点 (°C) - 564 - 561 - 560 601 558 - 571 熱膨張係数
- 59 - 58 - 58 81 59 - 86
( x 1 0~7/°C)
比誘電率 - 10.8 - 10.6 - 10.7 10.3 10.7 - 10.0 ガラス安定性 X O X O X O 厶 O X O 総合評価 X Δ X Δ X Δ X 厶 X 厶
ガラス組成/ No. 119 120 121
Si02 5.6 5.6 5.6
B203 17.0 17.0 17.0
ZnO 31.2 31.2 31.2
AI203 0.9 0.9 0.9
ΒΪ203 25.5 25.5 25.5
MgO
CaO 8.0 8.0 8.0
SrO
BaO
Li20 3.0
Na20 11.0 3.0
K20 11.0 5.0
Mo03 0.8 0.8 0.8
W03
ガラス転移点（°C) 473 472 473
軟化点 (°C) 569 570 569
熱膨張係数
86 87 87
( X 1 0~7/°C)
比誘電率 10.1 10.0 10.0
ガラス安定性 O O O
総合評価 厶 Δ Δ
[0117] 各表に示す組成の割合は、重量百分率 (wt%)である。表 1〜7に示す組成となる ように原料を混合し、 1100〜1200°Cの電気炉中で白金ルツボを用いて 1時間溶融 した。そして、得られた溶融ガラスを、真鍮板にてプレスすることにより急冷し、ガラス カレットを作成した。
[0118] (ガラスの評価）
ガラスの軟ィ匕点は、マクロ型示差熱分析計を用いて測定し、第 2吸熱ピークの値を 採用した。ガラス転移点および熱膨張係数は、ガラスカレットを再溶融して 4mm X 4 mm X 20mmのロッドを形成し、熱機械分析計を用いて測定した。比誘電率は、ガラ スカレットを再溶融して 50mm X 50mm X厚さ 3mmの板を形成し、その表面に電極 を蒸着し、 LCRメータを用いて、周波数 1MHzにて測定した。ガラス安定性は、示差 熱分析計による変化の測定および光学顕微鏡による結晶の有無の観察によって評 価し 7こ。
[0119] 評価結果および総合評価を表 1〜7に示す。なお、ガラス安定性に関する評価にお ける◎、〇、△、 Xの定義は、以下の通りである。
◎:ガラス化し、示差熱分析で結晶化に伴う変化が確認されず、また光学顕微鏡で も結晶は確認されなかったもの。
〇：ガラス化し、示差熱分析で結晶化に伴う変化が確認され、光学顕微鏡では結晶 は確認されなかったもの。
△：ガラス化したものの、軟化点より高温の温度域でェンタルピー変化が確認され、
X線回折法では結晶に基づく回折ピークは観測されないものの、光学顕微鏡により 結晶が確認されたもの。
X：ガラス作製時にガラス化しなカゝつたもの。
[0120] また、表 1〜7において、総合評価は、軟化点が 600°C未満、より好ましくは 595°C 未満であること、比誘電率は 12以下、より好ましくは 11以下であること、熱膨張係数 ίま 60 X 10— 7〜85 X 10— 7/。C、より好ましく ίま 65 X 10— 7〜85 X 10— 7/。Cの範囲にあ ること、を目標基準とし、更にガラスとしての安定性を考慮して総合的に評価した。
[0121] なお、総合的な評価についての◎、〇、△、 Xの定義は、以下の通りである。
◎:ガラスとして安定であり、かつ各物性値がより好ましい目標物性範囲内であり、 各物性のバランスも取れて 、る。
〇：ガラスとして安定であり、各物性値は目標物性範囲内であるが、各物性値の少 なくとも一つはより好ましい目標物性の範囲外である。
△:ガラスとしては安定である力 各物性値の少なくとも一つは目標物性の範囲外 である。
X：ガラス化せず、ガラス材料として無効である。
[0122] 表 1〜4から明らかなように、実施例であるサンプル 1〜36の各試料は、いずれも 3 0〜300°Cの温度範囲において 60〜85 X 10— 7Z°Cの熱膨張係数を有し、軟化点が 600°C以下であり、比誘電率は 12以下であり、ガラスとしての安定性も良好であった
[0123] それに対して、表 5〜7に示す比較例のサンプル 101〜121のガラスは、実施例の 各試料に比べて、比誘電率が高い、熱膨張係数が目標範囲に一致しない、ガラスが 不安定である、といった問題を有し、電極を被覆する誘電体層に用いる材料として有 用ではな!/ヽことが確認された。
[0124] また、誘電体層に用いる材料としての物性を備えたサンプル 1〜36の各ガラスを用 いた場合の着色具合を、色彩色差計を用いて測定した。後述する本実施例の PDP の作製の場合と同様の方法でガラス粉末およびガラスペーストを作製し、このガラス ペーストを、電極パターンを形成したガラス基板上に塗布、焼成して、テストピースと した。ここで用いたガラス基板は、厚さ約 2. 8mmの平坦なソーダライムガラス力ゝらな る基板であった。電極パターンは、 ITO (透明電極)の材料をガラス基板上に所定の ノ ターンで塗布し、乾燥させ、次いで、銀粉末と有機ビヒクルとの混合物である銀べ 一ストをライン状に複数本塗布した後、基板全体を加熱して銀ペーストを焼成して作 製した。このように形成した電極付き基板上へのガラスペーストの塗布は、ブレードコ 一ター法によって行った。その後、この基板を 90°Cで 30分間保持してガラスペースト を乾燥させ、 570°Cの温度で 10分間焼成することによって誘電体層を形成した。この ように誘電体層が形成された基板の裏面側 (電極のない側）において、色彩色差計 を用いて反射色を測定した。測定結果は表 1〜4に示されている。
[0125] 表 1〜4における a*および b*は、 L*a*b*表色系に基づく。 a*の値がプラス方向に大き くなると赤色が強まり、マイナス方向に大きくなると緑色が強まることを示す。 b*の値が プラス方向に大きくなると黄色が強まり、マイナス方向に大きくなると青色が強まること を示す。一般に、 a*値が— 5〜+5の範囲であり、かつ b*値が— 5〜+5の範囲であれ ば、パネルの着色は観察されない。特に、黄変については、 b*値の大きさが影響する (黄変が強くなると b*値がプラス方向に大きくなる）ため、 PDPとしては b*値が一 5〜+ 5の範囲であることが好まし!/、。
[0126] 表 1〜4に示されているように、誘電体層に用いる材料としての物性を備えたサンプ ル 1〜36については、黄変の問題は発生しないことが確認された。
[0127] < PDPの作製および評価 >
以下では、 PDPを作製して評価した結果を示す。
[0128] (ガラス粉末の作製）
MoOおよび
3 Zまたは WOの添加による黄変低減効果を調べるため、表 8および
3
表 9に示した組成を有するガラスのサンプル 51〜67を作製し、これらのガラスを用い て誘電体層が形成された PDPを試作し、各 PDPにつ 、て評価を行なった。
[0129] [表 8]
Figure imgf000034_0001
[0130] [表 9]
Figure imgf000034_0002
それぞれ表に示した組成となるように原料を調合して混合し、 1100〜1200°Cの電 気炉中で白金ルツボを用いて 1時間溶融した。その後、ツインローラー法によってガ ラスカレットを作製し、ボールミルによってガラスカレットを粉砕して粉末を作製した。
[0132] 作製した各ガラス粉末の平均粒径は、 1. 5〜3. であった。
[0133] (ガラスペーストの調製）
榭脂であるェチルセルロースと溶剤である a タービネオールとを、その重量比が 5 : 30となるように混合して攪拌し、有機成分を含む溶液を調製した。ついで、この溶 液と表 8および表 9に示すガラス粉末とを、それぞれ重量比 65 : 35で混合し、 3本口 一ラーで混合および分散させてガラスペーストを調製した。
[0134] (PDPの作製）
厚さ約 2. 8mmの平坦なソーダライムガラスカゝらなる前面ガラス基板の面上に、 ITO (透明電極)の材料を所定のパターンで塗布し、乾燥させた。次いで、銀粉末と有機 ビヒクルとの混合物である銀ペーストをライン状に複数本塗布した後、この前面ガラス 基板を加熱することにより、銀ペーストを焼成して表示電極を形成した。
[0135] 表示電極を作製した前面ガラス基板に、上述したガラスペーストをブレードコーター 法を用いて塗布した。その後、前面ガラス基板を 90°Cで 30分間保持してガラスべ一 ストを乾燥させ、 570°Cの温度で 10分間焼成することによって誘電体層を形成した。
[0136] さらに、誘電体層上に酸ィ匕マグネシウム (MgO)を電子ビーム蒸着法によって蒸着 した後、焼成することによって保護層を形成した。
[0137] 一方、以下の方法で背面板を作製した。まず、ソーダライムガラスからなる背面ガラ ス基板上に、スクリーン印刷によって銀を主体とするアドレス電極をストライプ状に形 成した。続いて、誘電体層を形成した。次に、誘電体層上に、隣り合うアドレス電極の 間に、隔壁を形成した。隔壁は、スクリーン印刷および焼成を繰り返すことによって形 成した。
[0138] 次に、隔壁の壁面と隔壁間で露出している誘電体層の表面に、赤 (R)、緑 (G)、青
(B)の蛍光体ペーストを塗布し、乾燥'焼成して蛍光体層を作製した。
[0139] 作製した前面板、背面板を封着ガラスを用いて貼り合わせた。そして、放電空間の 内部を高真空（1 X 10— 4Pa)程度に排気したのち、所定の圧力となるように Ne— Xe 系放電ガスを封入した。このようにして、 PDPを作製した。
[0140] (PDPの評価） 作製した PDPの表示面側において、その着色具合を、色彩色差計を用いて測定し た。それぞれの組成を有するガラスを誘電体層として用いた PDPでの測定結果を表 8および表 9に示す。なお、表における a*および b*は、表 1〜4に示した a*および b*と 同様の意味で用いられており、黄変については b*値の大きさが影響するため、 PDP としては b*値が 5〜+5の範囲であることが好まし 、。
[0141] MoOおよび WOの両方が含まれていないサンプル 51、 MoOおよび WOの何れ
3 3 3 3 か一方が含まれているが含有率が 0. 05wt%であるサンプル 52および 59は、 b*値 力 を超えており、黄変の発生が見られた。また、 MoOおよび WOの何れか一方が
3 3
含まれているが含有率が 5wt%であるサンプル 58および 65は、ガラスが白濁してし まったため、着色測定を行えなかった。これに対し、 MoOおよび WOの何れか一方
3 3
が含まれており、その含有率が 0. lwt%〜4wt%のサンプル 53〜57および 60〜6 4は、 b*値が 5以下であり、黄変の発生が抑制されていることが確認された。さらに、 M οθおよび WOの両方を含むサンプル 66および 67は、他のサンプルよりも b*値が小
3 3
さぐ何れか一方のみを含む場合よりもより黄変抑制の効果が高いことが確認された
[0142] MoO、 WOの含有率と b*値の測定結果との関係を図 4に示す。結果からわかるよ
3 3
うに、 MoO、 WOの含有率が 0. 1 ％以上において、 b*値は、 MoO、 WOの含
3 3 3 3 有率の増加とともに減少し、かつ + 5以下の値となり、黄変の問題が改善していること が確認された。
[0143] また、 MoO、 WOの含有率が 0. lwt%以上の b*値が低いパネルは、 PDPを動作
3 3
させても誘電体の絶縁破壊は起こらな力つた。
[0144] 上記に説明した PDPの実施例は誘電体層が 1層力 なる例である力 上記に説明 した誘電体層を第 1の誘電体層とし、さらにその上に第 2の誘電体層を形成して 2層 構造とした場合であっても、同様の評価結果が得られた。なお、この場合に第 2の誘 電体層に用いられるガラス (第 2のガラス (ガラス (C)、ガラス (D) ) )の組成の一例は、 表 10に示すとおりである。
[0145] [表 10] ガラス組成 ガラス (C)の一例 ガラス（D)の一例
Si02 11.10 11.80
B203 22.80 36.40
ZnO 17.50 37.20
AI203 4.50 1.60
ΒΪ203 25.00
BaO 16.80
Li20 2.30
K20 13.00 産業上の利用可能性
本発明のプラズマディスプレイパネルは、表示電極やアドレス電極を被覆するため の誘電体層が鉛を含まないガラスによって形成されるプラズマディスプレイパネルに 好適に適用でき、黄変および絶縁破壊が抑制された信頼性の高 、プラズマディスプ レイパネルを提供できる。

Claims

請求の範囲
[1] 互いに交差する表示電極とアドレス電極とを有し、前記表示電極およびアドレス電 極から選ばれる少なくとも 1つの電極が第 1のガラスを含む第 1の誘電体層で被覆さ れて 、るプラズマディスプレイパネルであって、
前記第 1のガラスが、組成成分として、
SiO :0〜15wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO:15〜50wt%
AIO :0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
MgO:0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
LiO + NaO+KO:0〜0. lwt%
2 2 2
MoO :0〜4wt%
3
WO :0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、
前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0. l〜8wt%の範
3 3
囲であるプラズマディスプレイパネノレ。
[2] 互いに交差する表示電極とアドレス電極とを有し、前記表示電極およびアドレス電 極から選ばれる少なくとも 1つの電極が第 1のガラスを含む第 1の誘電体層で被覆さ れて 、るプラズマディスプレイパネルであって、
前記第 1のガラスが、組成成分として、
SiO :0〜2wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO:15〜50wt%
AIO :0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
MgO:0〜5wt% CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
MoO : 0〜4wt%
3
WO : 0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、
前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0. l〜8wt%の範
3 3
囲であるプラズマディスプレイパネノレ。
[3] 前記第 1のガラスが、組成成分として、 Li 0、 Na Oおよび Κ Οから選ばれる少なく
2 2 2
とも 1種をさらに含み、
前記第 1のガラスに含まれる Li 0、 Na Oおよび Κ Οの含有率の合計が、 0. 1〜10
2 2 2
wt%である請求項 2に記載のプラズマディスプレイパネル。
[4] 前記第 1のガラスに含まれる鉛の含有率が 0. lwt%以下である請求項 1または 2に 記載のプラズマディスプレイパネル。
[5] 前記第 1の誘電体層上に設けられた第 2の誘電体層をさらに含む請求項 1または 2 に記載のプラズマディスプレイパネル。
[6] 前記第 2の誘電体層が第 2のガラスを含み、
前記第 2のガラスが、組成成分として、 Li 0、 Na Oおよび Κ Οから選ばれる少なく
2 2 2
とも 1種を含む請求項 5に記載のプラズマディスプレイパネル。
[7] 前記第 2のガラスが、組成成分として、
SiO : 0〜15wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO : 15〜50wt%
AI O : 0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
Li O + Na O+K O : 0. 1〜： L0wt%
2 2 2
MgO : 0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
を含む請求項 6に記載のプラズマディスプレイパネル。
[8] 前記第 2のガラスが、組成成分として、 SiO :0〜30wt%
2
B O： 25〜80wt%
2 3
ZnO:0〜50wt%
AIO :0〜： L0wt%
2 3
Li O + Na O+K 0: 5〜20wt%
2 2 2
MgO:0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 0〜 15wt%
を含む請求項 6に記載のプラズマディスプレイパネル。
[9] 前記第 1の誘電体層に被覆される前記電極力 銀および銅力 選ばれる少なくとも
1種を含む請求項 1または 2に記載のプラズマディスプレイパネル。
[10] 前記第 1の誘電体層に被覆される前記電極はガラス基板上に形成されており、 前記ガラス基板が Snを含有する請求項 1または 2に記載のプラズマディスプレイパ ネノレ。
[11] 電極が形成された基板上に第 1のガラスを含む第 1のガラス材料を配置し、前記第 1のガラス材料を焼成することによって、前記電極を被覆する第 1の誘電体層を形成 する工程を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第 1のガラスが、組成成分として、
SiO :0〜15wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO:15〜50wt%
AIO :0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
MgO:0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
LiO + NaO+KO:0〜0. lwt%
2 2 2
MoO :0〜4wt%
3
WO :0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、 前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0. l〜8wt%の範
3 3
囲であるプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[12] 電極が形成された基板上に第 1のガラスを含む第 1のガラス材料を配置し、前記第 1のガラス材料を焼成することによって、前記電極を被覆する第 1の誘電体層を形成 する工程を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第 1のガラスが、組成成分として、
SiO : 0〜2wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO : 15〜50wt%
AI O : 0〜： L0wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
MgO : 0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
MoO : 0〜4wt%
3
WO : 0〜4wt%
3
を含んでおり、かつ、
前記第 1のガラスに含まれる MoOと WOの含有率の合計が、 0. l〜8wt%の範
3 3
囲であるプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[13] 前記第 1のガラスが、組成成分として、 Li 0、 Na Oおよび Κ Οから選ばれる少なく
2 2 2
とも 1種をさらに含み、
前記第 1のガラスに含まれる Li 0、 Na Oおよび Κ Οの含有率の合計が、 0. 1〜10
2 2 2
wt%である請求項 12に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[14] 前記第 1のガラスに含まれる鉛の含有率が 0. lwt%以下である請求項 11または 1
2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[15] 前記第 1の誘電体層上に第 2のガラスを含む第 2のガラス材料を配置して、前記第
2のガラス材料を焼成することによって第 2の誘電体層を形成する工程をさらに含む 請求項 11または 12に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[16] 前記第 2のガラスが、組成成分として、 Li 0、 Na Oおよび Κ Οから選ばれる少なく とも 1種を含む請求項 15に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[17] 前記第 2のガラスが、組成成分として、
SiO :0〜： 15wt%
2
B O： 10〜50wt%
2 3
ZnO:15〜50wt%
AIO :0〜； 10wt%
2 3
Bi O： 2〜40wt%
2 3
LiO + NaO + KO:0.1〜： L0wt%
2 2 2
MgO:0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 5〜38wt%
を含む請求項 16に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[18] 前記第 2のガラスが、組成成分として、
SiO :0〜30wt%
2
B O： 25〜80wt%
2 3
ZnO:0〜50wt%
AIO :0〜； 10wt%
2 3
LiO + NaO+K O:5〜20wt%
2 2 2
MgO:0〜5wt%
CaO + SrO + BaO： 0〜 15wt%
を含む請求項 16に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[19] 前記電極が、銀および銅力 選ばれる少なくとも 1種を含む材料によって形成され て 、る請求項 11または 12に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[20] 前記基板はガラス基板であり、前記ガラス基板が Snを含有する請求項 11または 12 に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
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