CN101151222B - 等离子显示器面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种等离子显示器面板及其制造方法，其具有彼此交叉的显示电极(5)和地址电极(10)，由包含第一玻璃的电介质层(6)覆盖显示电极(5)。第一玻璃作为组成成分包含SiO2：0～15wt％、B2O3：10～50wt％、ZnO：15～50wt％、Al2O3：0～10wt％、Bi2O3：2～40wt％、MgO：0～5wt％、CaO+SrO+BaO：5～38wt％、Li2O+Na2O+K2O：0～0.1wt％、MoO3：0～4wt％、WO3：0～4wt％，并且，第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率的合计在0.1～8wt的范围。另外，第一玻璃包含有SiO2：0～2wt％、B2O3：10～50wt％、ZnO：15～50wt％、Al2O3：0～10wt％、Bi2O3：2～40wt％、MgO：0～5wt％、CaO+SrO+BaO：5～38wt％、MoO3：0～4wt％、WO3：0～4wt％，并且，第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率的合计也可以在0.1～8wt％的范围。

Description

等离子显示器面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种等离子显示器面板及其制造方法。
背景技术
近年来，等离子显示器面板(下面，有时称“PDP”)、FED、液晶显示器等平板式显示器作为能够实现薄型轻量化的显示器备受关注。
这些平板式显示器具备包括玻璃基板和配置在其上的构成要素的前面板和背面板。而且，前面板以及背面板以相互对置的方式配置，且外周部被密封。
如上所述，PDP具有使前面板和背面板对置且通过密封用玻璃将其外周密封的结构。前面板包括前面玻璃基板，在其表面上形成有带条纹状的显示电极，而且，在其上面形成有电介质层以及保护层。另外背面板包含背面玻璃基板，在其表面上形成有带条纹状的地址电极，在其上面形成电介质层，而且，在相邻的地址电极彼此之间形成隔壁，在形成的相邻的隔壁之间形成有荧光体层。
前面板和背面板在配置成两者的电极正交、且彼此对置的状态下，密封外缘部。在形成于内部的密闭空间内充填有放电气体。
另外，显示电极两个构成一对，其一对的显示电极和一个地址电极隔着放电空间立体交叉的区域成为有利于图像显示的晶格(cell)。
下面，具体说明PDP的电介质层。PDP的电介质层具有如下等要求：由于形成在电极上，所以要具有高的绝缘性；为了抑制耗电要具有低的介电常数；为了不剥离及断裂要与玻璃基板的热膨胀系数匹配。而且，形成于前面玻璃基板上的电介质层为了将由荧光体产生的光作为显示光而高效利用，通常要求其为可见光透过率高的非晶质玻璃。
电介质层通常通过利用丝网印刷等将玻璃粉末、树脂、溶剂、根据情况包含无机充填剂及无机颜料的玻璃膏涂敷到玻璃基板上，并经干燥、烧制而成。另一方面，作为用于PDP的玻璃基板，从价格及购货容易性的观点出发，一般使用由浮子(float)法制作的碱石灰玻璃。因此，玻璃膏的烧制要在玻璃基板不发生变形的600℃以下进行。
用于PDP的电介质层必须在不会引起玻璃基板发生变形的温度下烧制，因此，需要由熔点较低的玻璃形成。为此，目前主要使用以PbO为主原料的PbO-SiO2系玻璃。
由于这样的PDP电介质层通过烧制包含树脂及溶剂的玻璃膏而成，所以，有时因含有碳杂质的残留而使电介质层着色，从而造成亮度下降。以抑制这样的亮度下降为目的，提出有一种透明电极覆盖用玻璃，其在含有PbO的玻璃中添加了MoO3或Sb2O3(例如，参照日本特开2001-151532号公报)。
进而从环境问题考虑，正在进行不含铅的电介质层的开发，例如，提出有使用Bi2O3-B2O3-ZnO-R2O系玻璃(R：Li，Na，K)的电介质层(例如，参照日本特开2001-139345号公报)。还提出了一种玻璃，其在使用包含碱金属氧化物的玻璃的情况下，为了减少由于在铝电极上的烧制而生成的小孔(pinhole)，而添加了CuO、CoO、MoO3或NiO(例如，参照日本特开2002-362941号公报)。
如上所述，一直以来提出有使用不含铅的玻璃的电介质层，但通过为了实现低软化点而代替铅使用的碱金属氧化物及氧化铋，有时会导致电介质层及前面玻璃基板变黄。发生该变黄的机理，考虑如下。
设于前面玻璃基板上的显示电极及设于背面玻璃基板上的地址电极使用Ag或Cu，在形成电介质层之际进行的烧制时，有时Ag或Cu离子化而从电介质层及玻璃基板中溶出扩散。该扩散了的Ag离子或Cu离子容易被电介质层中的碱金属离子或铋氧化物、在前面玻璃基板中含有的Sn离子(2价)还原，此种情况下导致胶质化。这样，在Ag或Cu胶质化了的情况下，电介质层及前面玻璃基板变为黄色或褐色，即发生所谓的变黄(例如，J.E.SHELBY and J.VITKO.Jr Journal of Non-Crystalline Solidsvol50(1982)107-117)。这样变黄后的玻璃由于吸收波长400nm的光，因此，在PDP中，蓝色的亮度下降，或发生色度的恶化。因此，变黄对前面板来说尤其是问题。另外，Ag或Cu的胶质因为具有导电性，所以使电介质层的绝缘耐压降低、或由于作为远远大于离子的胶质粒子析出，所以成为反射透过电介质层的光，从而使PDP的亮度下降的原因。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种等离子显示器面板及其制造方法，该等离子显示器面板具备耐电压高的电介质层，在抑制电介质层以及玻璃基板变黄的同时也抑制绝缘破坏的可信性高。
本发明第一方面提供一种等离子显示器面板，其具有相互交叉的显示电极和地址电极，由包含第一玻璃的第一电介质层覆盖选自所述显示电极以及地址电极中的至少一种电极，其中，所述第一玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～15wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％
Li2O+Na2O+K2O：0～0.1wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围，所述第一玻璃中含有的铅的含有率为0.1wt％以下。
本发明的等离子显示器面板，在包含于第一电介质层的第一玻璃中含有选自MoO3和WO3中的至少一种。因此，即使作为电极材料通常使用的Ag或Cu离子化而扩散到电介质层，也能够生成MoO3或WO3的稳定的化合物，因此能够抑制Ag或Cu凝聚而胶质化。由此，抑制因Ag或Cu的胶质化而引起的电介质层的变黄。另外，在电极形成于玻璃基板上的情况下，同样向玻璃基板扩散的Ag或Cu也生成MoO3及WO3的稳定的化合物，由此，也能够抑制因Ag或Cu的胶质化而引起的玻璃基板的变黄。而且，根据本发明的第一方面的等离子显示器面板，不仅能抑制变黄，而且也能够抑制随Ag或Cu的胶质化的生成而引起的其它的弊害，例如电介质层的绝缘耐压的下降及PDP的亮度的下降。
另外，本发明的等离子显示器面板中，由于第一玻璃作为实现低熔点化的成分包含有Bi2O3，因此，能够形成实质不含铅(PbO)的电介质层。另外，本说明书中所谓“实质不含”是指允许对特性不造成影响的极微量的该成分的意思，具体地说，含有率在0.1wt％以下，优选在0.05wt％以下。因此，在本发明的第一方面的等离子显示器面板中，能够将在第一玻璃中含有的铅的含有率设在0.1wt％以下，优选在0.05wt％以下。
本发明的第一例的等离子显示器面板，在包含于第一电介质层的第一玻璃中含有选自MoO3和WO3中的至少一种。因此，即使作为电极材料通常使用的Ag或Cu离子化而扩散到电介质层，也能够生成MoO3或WO3的稳定的化合物，因此能够抑制Ag或Cu凝聚而胶质化。由此，抑制因Ag或Cu的胶质化而引起的电介质层的变黄。另外，在电极形成于玻璃基板上的情况下，同样向玻璃基板扩散的Ag或Cu也生成MoO3及WO3的稳定的化合物，由此，也能够抑制因Ag或Cu的胶质化而引起的玻璃基板的变黄。而且，根据本发明的第一例的等离子显示器面板，不仅能抑制变黄，而且也能够抑制随Ag或Cu的胶质化的生成而引起的其它的弊害，例如电介质层的绝缘耐压的下降及PDP的亮度的下降。
另外，本发明的第一例的等离子显示器面板中，由于第一玻璃作为实现低熔点化的成分包含有Bi2O3，因此，能够形成实质不含铅(PbO)的电介质层。另外，本说明书中所谓“实质不含”是指允许对特性不造成影响的极微量的该成分的意思，具体地说，含有率在0.1wt％以下，优选在0.05wt％以下。因此，在本发明的第一例的等离子显示器面板中，能够将在第一玻璃中含有的铅的含有率设在0.1wt％以下，优选在0.05wt％以下。
本发明的第一方面的第二例提供一种等离子显示器面板，其具有相互交叉的显示电极和地址电极，由包含第一玻璃的第一电介质层覆盖选自所述显示电极以及地址电极中的至少一种电极，其中，所述第一玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～2wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围，所述第一玻璃中含有的铅的含有率为0.1wt％以下。在该第二例的等离子显示器面板中，所述第一玻璃作为组成成分，也可以还包含选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种，此种情况的第一玻璃中含有的Li2O、Na2O以及K2O的含有率的合计，例如为0.1～10wt％。
在本发明第二例的等离子显示器面板中，包含于第一电介质层的第一玻璃中含有选自MoO3以及WO3中的至少一种。因此，与本发明的第一方面的等离子显示器面板的情况相同，能够抑制电介质层和玻璃基板的变黄，而且，也能够抑制电介质层的绝缘耐压的下降及PDP亮度的下降。另外，在本发明第二方面的等离子显示器面板中，第一玻璃作为实现低熔点化的成分，包含碱金属氧化物(选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种)以及Bi2O3，因此能够形成实质不含铅(PbO)的电介质层。因此，与发明的第一例的等离子显示器面板的情况相同，能够将在第一玻璃中含有的铅含有率设在0.1wt％以下，优选在0.05wt％以下。
本发明提供一种等离子显示器面板的制造方法，其包含如下工序：在形成有电极的基板上配置包含第一玻璃的第一玻璃材料，通过烧制所述第一玻璃材料，形成覆盖所述电极的第一电介质层，其中，所述第一玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～15wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％
Li2O+Na2O+K2O：0～0.1wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围，所述第一玻璃中含有的铅的含有率为0.1wt％以下。
根据本发明第一例的等离子显示器面板的制造方法，能够制造上述本发明的第一例的等离子显示器面板。
本发明第二方面的第二例提供一种等离子显示器面板的制造方法，其包含如下工序：在形成有电极的基板上配置包含第一玻璃的第一玻璃材料，通过烧制所述第一玻璃材料，形成覆盖所述电极的第一电介质层，其中，所述第一玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～2wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围，所述第一玻璃中含有的铅的含有率为0.1wt％以下。第二例发明的等离子显示器面板的制造方法中，第一玻璃作为组成成分，也可以还包含选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种，此种情况下的第一玻璃中含有的Li2O、Na2O以及K2O的含有率的合计，例如为0.1～10wt％。
根据本发明第二例的等离子显示器面板的制造方法，能够制造上述本发明的第二例的等离子显示器面板。
附图说明
图1是表示本发明的PDP的一例的剖面图；
图2是表示本发明的PDP的其它例的剖面图；
图3是表示图1的PDP的构成的局部剖开的立体图；
图4是表示MoO3以及WO3的含有量和b*值的关系的图。
具体实施方式
下面，说明本发明的实施方式。需要说明的是，下面的说明是本发明的一例，本发明不受这些限定。
<PDP>
图3是表示本实施方式的PDP的主要结构的局部剖开立体图，图1是图3所示的PDP的剖面图。
该PDP为AC面放电型，覆盖电极的电介质层(第一电介质层)除了由具有后述组成的第一玻璃形成以外，具有与现有的PDP相同的结构。
该PDP通过前面板1和背面板8粘合而构成。前面板1具有前面玻璃基板2、由在前面玻璃基板2内侧面(放电空间14侧的面)形成的透明导电膜3以及总线电极(bus electrode)4构成的条状的显示电极5、覆盖显示电极5的电介质层(第一电介质层)6、由氧化镁构成的电介质保护层7。该电介质层6使用后述的第一玻璃。
另外，背面板8由如下部分构成，即：背面玻璃基板9、在背面玻璃基板9内侧面(放电空间14侧的面)形成的条状的地址电极10、覆盖地址电极10的电介质层11、设于电介质层11上并配置在相互邻接的地址电极10之间的带状的隔壁12、和在相互邻接的隔壁12之间形成的荧光体层13。隔壁12将各地址电极10彼此隔离，形成放电空间14。荧光体层13为了能够彩色显示，红色荧光体层13(R)、绿色荧光体层13(G)以及蓝色荧光体层13(B)隔着隔壁12顺序排列而成。
作为构成荧光体层13的荧光体，例如，可使用如下所述的材料。
蓝色荧光体BaMgAl10O17：Eu
绿色荧光体Zn2SiO4：Mn
红色荧光体Y2O3：Eu
前面板1以及背面板8利用密封部件(未图示)接合，显示电极5和地址电极10各自的长度方向彼此正交，并且，显示电极5和地址电极10以彼此对置的方式配置。显示电极5和地址电极10由包含选自银(Ag)以及铜(Cu)中的至少一种的材料形成。
在放电空间14内，用53.3kPa～79.8kPa(400～600Torr)左右的压力封入由He、Xe、Ne等稀有气体成分组成的放电气体(封入气体)。为了确保良好的导电性，显示电极5在由ITO(铟锡氧化物)或氧化锡组成的透明导电膜3上，层叠有由Ag膜或Cr/Cu/Cr的层叠膜组成的总线电极4而形成。
显示电极5和地址电极10分别和外部的驱动电路(未图示)连接，通过由驱动电路施加的电压，在放电空间14内发生放电。由随着该放电发生的短波长(波长147nm)的紫外线激发荧光体层13内包含的荧光体，发出可见光。
电介质层6可通过涂敷以及烧制包含第一玻璃的玻璃膏(第一玻璃材料)而形成。
更具体地说，具有代表性的方法是，例如通过网印(screen)法、棒式涂布机(bar coater)、辊式涂布机(roll coater)、模式涂布机(die coater)、刮涂涂布机(doctor coater)等涂敷、烧制玻璃膏。但不限定于此，例如，也可以通过粘着、烧制例如包含第一玻璃的片的方法形成。
为确保光透过性，优选电介质层6的膜厚设为50μm以下，为确保绝缘性，优选电介质层6的膜厚设为1μm以上。电介质层6的膜厚，优选的是，例如设为3μm～50μm。
关于在电介质层6中含有的第一玻璃，在后面进行详细叙述。在本实施例中，由于电介质层6至少包含MoO3以及WO3的其中之一，因此，即使包含于总线电极4的金属(例如Ag、Cu)离子化而扩散到电介质层6中，也能够抑制其成为金属胶质。因此，能够抑制电介质层6的着色(变黄)及耐电压的下降。
另外，就变黄的问题而言，由于实质上是使用不含铅的玻璃，所以，通过使用作为其代替成分的包含碱金属氧化物的玻璃，具有特别显著看见的倾向。但是，在本实施方式中，由至少含有MoO3以及WO3其中之一的玻璃形成电介质层6，因此，能够抑制变黄的发生。因此，根据本实施方式，能够实现不包含铅且能够抑制变黄发生的电介质层6。
再有，如上所述，通过使用至少含有MoO3以及WO3其中之一的玻璃形成电介质层6，由此也能够抑制前面玻璃基板2的变黄。一般用于PDP的玻璃基板用浮子法制造。用浮子法制造的玻璃基板在其表面混入有Sn。由于该Sn将Ag离子以及Cu离子还原生成Ag以及Cu的胶质，因此，目前需要对用浮子法制造的玻璃基板的表面进行研磨除去Sn。对此，在本实施方式中能够得到如下效果：通过电介质层6中含有的MoO3以及WO3的至少其中之一能够抑制Ag以及Cu的胶质化，因此即使是在表面残留Sn的玻璃基板也能够使用。由此，不需要对玻璃基板进行研磨，从而能够减少制造工序数。另外，玻璃基板中含有(残留)的Sn的含有率，例如在0.001～5wt％。
下面，如图2所示，说明覆盖显示电极5的电介质层为两层构造的PDP的一例。
图2所示的PDP为代替电介质层6而设置了覆盖显示电极5的第一电解质层15、和配置在第一电解质层15上的第二电解质层16的构造，除此之外，与图1以及图3所示的PDP的结构相同。另外，对于与图1以及图3所示的PDP相同的部件用相同的符号表示，省略其说明。
如图2所示，配置成第一电解质层15覆盖透明导电膜3以及总线电极4，第二电解质层16覆盖第一电解质层15。
这样，在电介质层为两层构造的情况下，至少第一电解质层15与图1以及图3所示的PDP的电介质层6相同，包含MoO3、WO3的至少其中之一，包含其含有率的合计为0.1～8wt％的第一玻璃。由此，至少对于第一电介质层15能够抑制Ag或Cu的胶质析出引起的变黄以及耐电压下降。另外由于还抑制在第一电介质层15的Ag或Cu的离子的扩散，因此，假如，即使在第二电解质层16中含有容易产生变黄的组成的玻璃，也能够抑制第二电解质层16变色(变黄)，或耐电压下降。
因此，不用担心第二电解质层16变黄的问题，并能够选择按照PDP要求规格的玻璃组成物。后面对第二电介质层16中含有的第二玻璃详细进行说明，例如，在第二电介质层16使用SiO2-B2O3-ZnO系玻璃组成物的情况下，该SiO2-B2O3-ZnO系玻璃的比介电常数低于铅玻璃或铋系玻璃(在室温、1MHz下的比介电常数大概是，铅玻璃：10～15，铋系玻璃：8～13，SiO2-B2O3-ZnO系玻璃：5～9)。所以，通过在第二电介质层16使用SiO2-B2O3-ZnO系玻璃组成物，使电介质层整体(包含第一电介质层15和第二电介质层16的电介质层)的比介电常数下降，能够降低PDP的耗电。
这样的两层构造的电介质层在形成了第一电介质层15后，可通过在其上面涂敷、烧制包含第二电介质层16用的玻璃组成物(第二玻璃)的玻璃材料(第二玻璃材料)形成。此种情况下，优选在第一电介质层15使用的玻璃具有比在第二电介质层中含有的玻璃的软化点高的软化点。
另外，为了确保电极3、4和第二电介质层16的绝缘以及防止界面反应，优选第一电介质层15的膜厚设为1μm以上。
为了抑制透过光的损失，优选使第一电介质层15和第二电介质层16一致的膜厚在50μm以下，为确保绝缘性优选设为3μm以上。
如以上说明，本实施方式的PDP通过使用上述第一玻璃，由此能够形成实质上不含铅的电介质层，并且，能够抑制因电介质层的变色(变黄)引起的显示特性的下降和耐电压的下降。
另外，作为适用本发明的PDP，具有代表性的是如本实施方式中说明的面放电型的PDP，但不限定于此，也能够适用于对置放电型。
另外，不限定于AC型，即使为DC型的PDP，本发明也能够适用于具有电介质层的PDP。
<第一玻璃>
在本发明中，在如下点上具有特征，即，发现了能够抑制玻璃基板以及电介质层变黄的电介质层的玻璃组成。下面，在本发明的PDP中，有关在覆盖电极的电介质层(第一电介质层)使用的第一玻璃，说明两个例子(玻璃(A)以及玻璃(B))。
在本实施方式中，在覆盖电极的电介质层中所含的玻璃的一例即玻璃(A)，作为组成成分包含：
SiO2：0～15wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％
Li2O+Na2O+K2O：0～0.1wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围。
在本实施方式中，在覆盖电极的电介质层中含有的玻璃的其它的一例即玻璃(B)，作为组成成分包含：
SiO2：0～2wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围。
具有上述所示的组成成分的玻璃(A)以及玻璃(B)(下面，有时简称玻璃或玻璃组成物)分别为能够实现对覆盖电极的电介质层要求的特性的玻璃，而且，包含选自MoO3和WO3中的至少一种(各成分的含有率的上限为4wt％)，并且，MoO3和WO3的含有率的合计在0.1～8wt％的范围。由此，能够抑制因用于电极的Ag或Cu的胶质化而引起的电介质层以及玻璃基板的变黄和绝缘破坏的发生。
例如，公知的是：在电极由Ag形成的情况下，Ag和MoO3在580℃以下的低温容易生成Ag2MoO4、Ag2Mo2O7以及Ag2Mo4O13这样的化合物。认为是由于电介质层的烧制温度在550℃～600℃，所以在烧制时扩散到电介质层中的Ag+与电介质层中的MoO3反应，生成上述的化合物而稳定。即，由于Ag+不被还原，稳定，所以能够抑制凝聚而成为胶质。同样，由于Ag和WO3也生成Ag2WO4、Ag2W2O7、Ag2W4O13这样的化合物而容易稳定，所以能够抑制Ag的胶质化。
另外，在包含MoO3和WO3的至少其中之一的玻璃中，在玻璃中存在MoO4 2-和WO4 2-，烧制时从电极扩散出的Ag+被它们捕获，从而稳定化。即，Ag+不但不会胶质化，而且还能够抑制向电介质层中的扩散。同样，认为在电极为Cu的情况下也能够抑制Cu+的扩散。
为了得到上述这样的效果，设在玻璃中含有的MoO3以及WO3的含有率的合计为0.1wt％以上。
另外，若玻璃中的MoO3以及WO3的含有率提高，则由MoO3以及WO3分别引起的玻璃的着色变明显。所以，为了使电介质层的透过率下降，分别设MoO3、WO3的各自含有率为4wt％以下。另外，包含MoO3以及WO3双方的玻璃与只包含MoO3以及WO3任一方的情况相比，能够更可靠地得到抑制透过率的损失、降低变黄的效果。因此，优选使用包含MoO3以及WO3双方的玻璃。在包含MoO3以及WO3双方的玻璃的情况下，由于可含有各成分直至各自的上限值(4wt％)，所以，MoO3以及WO3的含有率的合计在8wt％以下。
另外，上述记述了将MoO3、WO3配合于玻璃组成的情况，但也可以使用在玻璃粉末中混合了MoO3、WO3粉末的混合粉末。在将混合粉末配在电极上烧制时，与配合于玻璃组成的情况相比，均质度下降，也有电介质层的透过率下降等情况，但具有一定的降低变黄的效果。
再有，MoO3以及WO3引起的变黄降低的效果，在利用将一直以来使用的PbO作为组成含有的玻璃形成的电介质层中也有效，对利用实质上不含铅的、铅的含有率在0.1wt％以下的玻璃形成的电介质层更有效。
这是因为，一直以来为了实现不含实现低软化点所必需的PbO的玻璃，作为代替成分，需要含有碱金属氧化物或氧化铋，但由于这些成分促进Ag或Cu的扩散、或易于还原离子，因此加重变黄。
下面，对玻璃(A)以及玻璃(B)，说明组成的限定理由。
在玻璃(A)中，SiO2具有使玻璃稳定的效果，其含有率在15wt％以下。若SiO2的含有率超过15wt％，软化点变高，难以在规定的温度下烧制。SiO2的含有率更优选在10wt％以下。而且，理想的是，为了降低烧制后的气泡残留，减小烧制时的玻璃粘度，为此，优选SiO2的含有率在1wt％以下。
另外，玻璃(A)中含有的碱金属氧化物(Li2O、Na2O以及K2O)在0.1wt％以下，为极微量或为0wt％，因此，其为实质上没有包含的程度，与之相对，玻璃(B)也可以含有碱金属氧化物，例如，也可以含有0.1wt％～10wt％的选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种。包含这些碱金属氧化物的玻璃在烧制后存在残留气泡的倾向，因此，为了较低地抑制玻璃粘度、抑制气泡残留，玻璃(B)中的SiO2的含有率在2wt％以下。另外，优选玻璃(A)中含有的碱金属氧化物在0.01wt％以下。
B2O3为本实施方式的PDP中的电介质层用的玻璃的必须成分，其含有率为10～50wt％。若B2O3的含有率超过50wt％，则玻璃的耐久性下降，另外，热膨胀系数减小，同时软化点变高，难以在规定的温度下烧制。另外，其含有率不到10wt％时，玻璃变得不稳定容易发生失透现象。B2O3的更优选的范围在15～50wt％。
ZnO为本实施方式的PDP的电介质层用的玻璃的主要成分之一，具有使玻璃稳定化的效果。ZnO的含有率为15～50wt％。若ZnO的含有率超过50wt％，则易于结晶化而得不到稳定的玻璃。另外，若其含有率不足15wt％，则软化点变高难以在规定的温度下烧制。另外，若ZnO的含有率少，则在烧制后容易发生玻璃失透现象，因此，为了得到稳定的玻璃，更优选其含有率在26wt％以上。另外，也为了提高在电介质层上形成的保护层的特性即放电延迟，优选ZnO的含有率在26wt％以上，而且，更优选在32wt％以上。
Al2O3具有使玻璃稳定化的效果，其含有率在10wt％以下。若超过10wt％，则有可能发生失透现象，另外，软化点变高，难以在规定的温度下烧制。Al2O3的含有率优选在8wt％以下、0.01wt％以上。通过设Al2O3的含有率在0.01wt％以上，由此能得到更稳定的玻璃。
Bi2O3为本实施方式的PDP中的电介质层用的玻璃的主要成分之一，具有降低软化点、提高热膨胀系数的效果。其含有率为2～40wt％。若Bi2O3的含有率超过40wt％，则玻璃容易结晶化。另外，若超过30wt％，则热膨胀系数变大，还有介电常数过度增大，从而造成电力消耗的上升。另外，若其含有率不足2wt％，则软化点变高，难以在规定的温度下烧制。Bi2O3的含有率的更优选范围为2～30wt％。
CaO、SrO以及BaO的碱土类金属氧化物具有提高耐水性、抑制玻璃的分相、相对提高热膨胀系数这样的效果。它们含有率的合计在5～38wt％。若CaO、SrO以及BaO的含有率的合计超过38wt％，有可能发生失透现象，还有，热膨胀系数过于增大。在它们的合计不足5wt％的情况下，难以得到上述效果。
另外，更优选ZnO和Bi2O3的含有率的合计(ZnO+Bi2O3)为35～65wt％。为了制作软化点低、在600℃以下所希望的温度不与电极发生反应、透过率优秀的电介质，优选设(ZnO+Bi2O3)为35wt％以上。但是，产生如下问题，当它们的合计超过65wt％时，玻璃容易结晶化。
另外，Bi2O3的含有率和B2O3以及ZnO的含有率的合计(B2O3+ZnO)的比，即[Bi2O3/(B2O3+ZnO)]的值，优选在0.5以下。Bi2O3与B2O3以及ZnO相比，介电常数增大，因此，通过设定为上述范围，能够形成介电常数低的电介质层，从而能够降低电力消耗。
为了防止电介质层的变黄，优选玻璃(A)不含有碱金属氧化物(Li2O、Na2O以及K2O)。因此，玻璃(A)实质上不含有碱金属氧化物，即碱金属氧化物的含有率的合计在0.1wt％以下，优选在0.01wt％以下。
另一方面，如上所述，为了防止电介质层的变黄，优选不含有碱金属氧化物，但玻璃(B)也可以含有0.1～10wt％的选自Li2O、Na2O以及K2O的至少一种。通过设玻璃(B)中含有的碱金属氧化物在0.1wt％以上，由此能够使软化点降低或调整各物理特性。例如，由于能够使软化点下降，所以能够降低具有相同作用的Bi2O3的含有率。由此，能够使比介电常数下降。但是，当碱金属氧化物的含有率超过10wt％时，热膨胀系数过于变大，这是不期望的。另外，包含碱金属氧化物的玻璃在烧制后气泡残留的倾向增强，但玻璃(B)由于SiO2的含有率在2wt％以下，因此即使含有碱金属氧化物，也能够较低地抑制粘度、可防止残留气泡。
MgO具有使玻璃稳定化的效果，其含有率在5wt％以下。是因为当超过5wt％时，在玻璃制作时有可能发生失透现象。
玻璃(A)以及玻璃(B)分别包含上述成分，作为典型的例子，只由上述的成分组成，但只要能得到本发明的效果，也可以含有其它的成分。其它成分的含有率的合计，优选在10wt％以下，更优选在5wt％以下。作为其它的成分，例如，可以举出为了调整软化点以及热膨胀系数、提高玻璃的稳定化以及化学的耐久性等而添加的成分，具体的可以举出Rb2O、Cs2O、TiO2、ZrO2、La2O3、Nb2O5、TeO2、Ag2O、SnO、CeO2及CuO等。
玻璃(A)以及玻璃(B)能够作为相对PDP的玻璃基板合适的电介质层的材料使用。PDP中使用的一般的玻璃基板中有用浮子法制作的、一般容易获得的窗板玻璃，即碱石灰玻璃获为PDP用开发的高应变点玻璃。这些玻璃通常具有到600℃的耐热性，75×10-7/℃～85×10-7/℃的热膨胀系数(线性热膨胀系数)。
PDP的电介质层例如在玻璃基板上涂敷玻璃膏后通过烧制而形成。因此，烧制需要在不引起玻璃基板的软化变形的600℃以下进行。另外，为防止玻璃基板的挠曲、电介质层的剥离以及断裂，需要预先使构成电介质层的玻璃的热膨胀系数比玻璃基板小0～25×10-7/℃左右。而且若电介质层的介电常数高，则流过电极的电流增大，PDP的耗电增大，因此不优选。
因此，在由实质不含铅的无铅玻璃形成PDP的电介质层的情况下，优选在上述范围的组成(玻璃(A)以及玻璃(B)的组成)中，使用软化点为600℃以下、热膨胀系数为60～85×10-7/℃、比介电常数为12以下的无铅玻璃。而且，当考虑抑制因应变等而引起的脱落及断裂、实现90％以上的成品率时，更优选的热膨胀系数为65×10-7～85×10-7/℃。另外，为了进一步降低电力消耗，更优选比介电常数在11以下。
需要说明的是，电介质层中含有的玻璃的量只要能够得到本发明的效果就不做特别限定，但通常优选50wt％以上(例如80wt％以上或90wt％以上)。作为一例，电介质层也可以实质上只由玻璃形成。在本实施方式中，构成电介质层的玻璃成分典型的为上述的玻璃(A)或玻璃(B)，在电介质层中含有的玻璃成分中不含铅。
在本实施方式的PDP中，在使用上述玻璃(A)以及玻璃(B)形成PDP的前面板的电介质层的情况下，为了无损于光学特性而提高玻璃强度及调整热膨胀系数，也可以添加无机充填剂和无机颜料。作为无机充填剂和无机颜料，可举出如氧化铝、氧化钛、氧化锆、锆石、堇青石、石英等。
另外，也可以利用上述的玻璃覆盖形成于PDP的背面板上的电极(图1所示的地址电极10)。即使在这种情况下，以提高反射特性等光学特性并且提高玻璃强度及调整热膨胀系数为目的，也可以添加无机充填剂和无机颜料。作为无机充填剂和无机颜料，例如，可以举出氧化铝、氧化钛、氧化锆、锆石、堇青石、石英等。
<第二玻璃>
如图2所示，在电介质层为两层构造的情况下，对不接触于电极的层即第二电介质层中含有的玻璃(第二玻璃)进行具体说明。该第二玻璃，以降低软化点、并且降低比介电常数为目的，优选包含选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种。这样，如果由可以实现低的比介电常数的玻璃形成第二电介质层，就能够降低PDP的电力消耗。以下，说明第二玻璃的两个例子(玻璃(C)以及玻璃(D))。
在本实施方式中，用于形成第二电介质层的玻璃的一例即玻璃(C)，作为组成成分包含：
SiO2：0～15wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
Li2O+Na2O+K2O：0.1～10wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％。
在本实施方式中，用于形成第二电介质层的玻璃的其它的例子，即玻璃(D)，作为组成成分包含：
SiO2：0～30wt％
B2O3：25～80wt％
ZnO：0～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Li2O+Na2O+K2O：5～20wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：0～15wt％。
玻璃(C)以及玻璃(D)都能够实现低的软化点，并且也能够实现低的比介电常数。特别是，玻璃(D)实质上不含提高比介电常数的成分即Bi2O3，所以能够实现更低的比介电常数。因此，在利用玻璃(C)以及玻璃(D)形成第二电介质层的情况下，能够降低电介质层的介电常数，因此能够降低PDP的电力消耗。
需要说明的是，用于第一电介质层15的玻璃(A)以及(B)与用于第二电介质层16的玻璃(C)以及(D)的组合没有特别限定，能够在各种各样的组合下使用。
<玻璃膏>
本实施方式的PDP中的电介质层中使用的玻璃通常在粉末的状态下使用。通过在上述本实施方式中的玻璃粉末中添加用于附加印刷性的黏合剂、溶剂等，可以得到玻璃膏。通过在形成于玻璃基板上的电极上涂敷、烧制该玻璃膏，能够形成覆盖电极的电介质层。在该电介质层的上面，利用电子束蒸镀法等形成规定厚度的电介质保护层。需要说明的是，电介质保护层的形成不限于电子束蒸镀法，也可以通过溅射法或离子电镀(ionplating)法进行。
玻璃膏含有玻璃粉末、溶剂、树脂(黏合剂)。玻璃粉末为本实施例的PDP中的电介质层用的玻璃组成物的粉末。玻璃膏也可以含有这些成分以外的成分，例如，也可以含有各种目的对应的表面活性剂、显影促进剂、粘着助剂、晕影防止剂、保存稳定剂、消泡剂、氧化抑制剂、紫外线吸收剂、颜料、染料等添加剂。
玻璃膏中含有的树脂(黏合剂)，只要是与低溶点的玻璃粉末的反应性低的树脂即可。例如从化学稳定性、成本、安全性等观点来考虑，理想的是硝酸纤维素、甲基纤维素、乙基纤维素、羧基纤维素等纤维素衍生物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙二醇、碳酸酯系树脂、聚氨酯系树脂、蜜胺系树脂等。
玻璃膏中的溶剂只要是与玻璃粉末的反应性低的溶剂即可。例如从化学稳定性、成本、安全性等观点及与黏合剂树脂的相溶性的观点来考虑，可以列举：乙酸丁酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一丙醚、乙二醇一丁醚等乙二醇一烷基醚类；乙二醇一甲醚乙酸酯、乙二醇一乙醚乙酸酯等乙二醇一烷基醚乙酸酯类；二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚等乙二醇二烷基醚类；丙二醇一甲醚、丙二醇一乙醚、丙二醇一丙醚、丙醇一丁醚等丙二醇一烷基醚类；丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙醇二丁醚等丙二醇二烷基醚类；丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇一乙醚乙酸酯、丙二醇一丙醚乙酸酯、丙二醇一丁醚乙酸酯等丙二醇烷基醚乙酸酯类；乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯等乳酸酯类；甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸戊酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸异丙酯、乙酸异丁酯、乙酸戊酯、乙酸异戊酯、乙酸己酯、乙酸2-乙基己酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丁酯、丁酸甲酯(酪酸甲酯)、丁酸乙酯(酪酸乙酯)、丁酸丙酯(酪酸丙酯)、丁酸异丙酯(酪酸异丙酯)等脂肪族羧酸的酯类；碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯等碳酸酯类；萜品醇、苄醇等醇类；甲苯、二甲苯等芳香族烃类；丁酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、环己酮等酮类；2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羟基乙酸乙酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、丁基卡必醇乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丁酸酯、2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇一异丁酸酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、安息香酸乙酯、乙酸苄酯等酯类；N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等酰胺类溶剂等。这些溶剂可以单独使用，也可以组合2种以上使用。
玻璃膏中的溶剂的含有率在膏的可塑性或流动性(黏度)成为适宜成形处理或涂敷处理的范围调整。
另外，该玻璃膏也能够适用于覆盖形成于PDP背面板上的电极的电介质层的形成。
<PDP的制造方法>
下面，说明PDP的制造方法的一例。
本实施方式的PDP的制造方法包含如下工序：在形成有电极的基板上配置包含第一玻璃的玻璃材料(第一玻璃材料)，通过将该玻璃材料烧制，形成覆盖电极的电介质层(第一电介质层)。在此使用的第一玻璃可使用上述说明的玻璃(A)以及玻璃(B)。在此，说明在形成覆盖形成于前面板的显示电极的电介质层时利用上述工序的例子。
首先，说明前面板的制作方法。
在平坦的前面玻璃基板的一主面上，条状地形成多个透明电极。接着，在透明电极上涂敷了银膏之后，通过对前面玻璃基板整体进行加热，由此烧制银膏，从而形成公共电极。这样，形成显示电极。
接着，通过刮涂法将本实施方式的PDP中的包含电介质层用玻璃组成物的玻璃膏涂敷在前面玻璃基板的上述主面，以覆盖显示电极。之后，将前面玻璃基板整体在90℃保持30分钟时间，使玻璃膏干燥，接着，在560～590℃范围的温度下进行10分钟烧制。这样，形成电介质层。
在此使用的电介质层用玻璃是上述说明的玻璃(A)或玻璃(B)。
接着，通过电子束蒸镀法使氧化镁(MgO)在电介质层上成膜、进行烧制，从而形成电介质保护层。
这样，制作前面板。
如图2所示，对于电介质层为两层构造的PDP的制造方法，与上述相同，在涂敷、干燥、烧制包含第一电介质层用的玻璃(第一玻璃)的玻璃膏(第一玻璃材料)以覆盖显示电极后，涂敷、干燥、烧制包含第二电介质层用的玻璃(第二玻璃)的玻璃膏(第二玻璃材料)以覆盖形成的第一电介质层，从而形成第二电介质层。
下面，说明背面板的制作方法。
通过在将银膏以条状地多个涂敷在平坦的背面玻璃基板的一主面上之后，对背面玻璃基板整体进行加热，烧制银膏，由此形成地址电极。
接着，通过在相邻的地址电极之间涂敷玻璃膏，对背面玻璃基板整体进行加热，烧制银膏，从而形成隔壁。
接着，通过在彼此邻接的隔壁间涂敷R、G、B各色的荧光体墨液，将背面玻璃基板加热到大约500℃，烧制上述荧光体墨液，从而除去荧光体墨液内的树脂成分(黏合剂)等，形成荧光体层。
接着，利用密封玻璃粘合前面板和背面板。之后，在将被密封的内部进行高真空排气后封入稀有气体。
这样，得到PDP。需要说明的是，在此说明的PDP及其制造方法是一例，本发明不限定于此。
实施例
下面，利用实施例再进一步详细说明本发明。
<玻璃的制作以及评价>
制作本发明PDP中的电介质层使用的玻璃以及比较例的玻璃。表1～表4中表示本发明PDP的电介质层使用的实施例的玻璃(试样1～36)的组成，表5～表7中表示比较例的玻璃(试样101～121)的组成。
需要说明的是，表中将SiO2等表记为SiO2这样的方式。
[表1]
Figure GSB00000264728000211
[表2]
Figure GSB00000264728000221
[表3]
Figure GSB00000264728000231
[表4]
Figure GSB00000264728000241
[表5]
Figure GSB00000264728000251
[表6]
[表7]
Figure GSB00000264728000271
各表所表示的组成的比例为重量百分率(wt％)。以表1～7所示的组成混合原料，在1100～1200℃的电炉中利用铂坩埚熔化1小时。然后，通过将得到的熔融玻璃用黄铜板挤压，急剧冷却，从而制作成碎玻璃(glasscullet)。
(玻璃的评价)
玻璃的软化点利用宏观型示差热分析计进行测定，采用第二吸热峰值。玻化温度以及热膨胀系数，通过再熔化碎玻璃形成4mm×4mm×20mm的杆，利用热机械分析计测定。比介电常数，通过再熔化碎玻璃形成50mm×50mm×厚3mm的板，在其表面蒸镀电极，利用LCR计在频率1MHz下测定。玻璃稳定性通过基于示差热分析计的变化的测定以及观察光学显微镜中有无结晶来进行评价。
表1～7中表示评价结果以及综合评价。需要说明的是，有关玻璃稳定性的评价的◎、○、△、×的定义如下。
◎：玻璃化，通过示差热分析没有确认随结晶化的变化，利用光学显微镜也没有确认结晶的。
○：玻璃化，通过示差热分析确认随结晶化的变化，利用光学显微镜没有确认结晶的。
△：虽然已玻璃化，但在比软化点高的温度区域确认焓变化，虽然通过X线衍射法没有观测到基于结晶的衍射峰值，但通过光学显微镜确认了结晶的。
×：在制作玻璃时，没有玻璃化的。
另外，在表1～7中，综合评价以软化点不足600℃、更优选不足595℃，比介电常数在12以下、更优选在11以下，热膨胀系数在60×10-7～85×10-7/℃、更优选在65×10-7～85×10-7/℃的范围为目标基准，进一步考虑作为玻璃的稳定性，从而进行综合评价。
有关综合评价的◎、○、△、×的定义如下。
◎：作为玻璃稳定，并且，各物理特性值在更优选的目标物理特性范围内，也取各物理特性的平衡。
○：作为玻璃稳定，各物理特性值在目标物理特性范围内，但各物理特性值的至少其中之一在更优选的目标物理特性的范围之外。
△：作为玻璃虽稳定，但各物理特性值的至少其中之一在目标物理特性的范围之外。
×：没有玻璃化，作为玻璃材料无效。
从表1～4可知，作为实施例的试样1～36的各试料在30～300℃的温度范围内均具有60～85×10-7/℃的热膨胀系数，软化点在600℃以下，比介电常数为12以下，作为玻璃的稳定性也良好。
与之相对，确认到表5～7所示的比较例的试样101～121的玻璃与实施例的各试料相比，存在比介电常数高，热膨胀系数与目标范围不一致，玻璃不稳定的问题，作为在覆盖电极的电介质层中使用的材料是无用的。
另外，利用色彩色差计测定使用了试样1～36的各玻璃时的着色情况，其中试样1～36具备作为用于电介质层的材料的物理特性。利用与后述的本实施例的PDP的制作情况相同的方法制作玻璃粉末以及玻璃膏，将该玻璃膏在形成了电极图案的玻璃基板上涂敷、烧制，做成试样。在此使用的玻璃基板是由厚度大约为2.8mm的平坦的碱石灰玻璃组成的基板。电极图案通过将ITO(透明电极)的材料以规定的图案在玻璃基板上涂敷、干燥，然后，将银粉末和有机载色剂的混合物即银膏涂敷成多个的条状后，对基板整体进行加热，烧制银膏制作而成。玻璃膏向这样形成的带电极基板上的涂敷利用刮涂法进行。之后，将该基板在90℃下保持30分钟时间，使玻璃膏干燥，通过在570℃的温度下烧制10分钟形成电介质层。这样，在形成有电介质层的基板的背面侧(没有电极的一侧)，利用色彩色差计测定反射色。测定结果由表1～4表示。
表1～4中的a＊以及b＊基于L＊a＊b＊表色系，表示当a＊的值向正方向增大时，红色加强，当向负方向增大时绿色加强；表示b＊的值向正方向增大时，黄色加强，当向负方向增大时蓝色加强。一般是，如果a＊值在-5～+5的范围，并且，b＊值在-5～+5的范围，就观察不到面板的着色。尤其是，由于b＊值的大小对变黄有影响(当变黄增强时b＊值向正方向增大)，所以作为PDP，优选b＊值在-5～+5的范围。
如表1～4所示，确认了具备作为用于电介质层的材料的物理特性的试样1～36不发生变黄的问题。
<PDP的制作以及评价>
以下，制作PDP，表示评价的结果。
(玻璃粉末的制作)
为了调研MoO3以及/或WO3的添加而引起的变黄降低的效果，制作具有表8以及表9所示的组成的玻璃的试样51～67，使用这些玻璃制作形成了电介质层的PDP，对各PDP进行评价。
[表8]
Figure GSB00000264728000301
[表9]
分别调合原料，以混合成各个表中所示的组成，在1100～1200℃的电炉中利用铂坩锅熔化1小时。之后，通过双辊法制作碎玻璃，用球磨机粉碎碎玻璃制作粉末。
制作的各玻璃粉末的平均粒径为1.5～3.5μm。
(玻璃膏的调制)
以重量比为5∶30来混合搅拌作为树脂的乙基纤维素和作为溶剂的α-萜品醇，制成包含有机成分的溶液。接着，将该溶液和表8以及表9所示的玻璃粉末分别以重量比65∶35混合，通过三个辊混合以及分散，调制玻璃膏。
(PDP的制作)
在厚度大约2.8mm的平坦的碱石灰玻璃组成的前面玻璃基板的面上，以规定的图案涂敷、干燥ITO(透明电极)的材料。接着，线状地涂敷多个银粉末和有机载色剂的混合物即银膏后，通过加热该前面玻璃基板，烧制银膏形成显示电极。
在制作有显示电极的前面玻璃基板上，利用刮涂法涂敷上述的玻璃膏。之后，将前面玻璃基板在90℃下保持30分钟时间，使玻璃膏干燥，通过在570℃的温度下烧制10分钟，由此形成电介质层。
进而在电介质层上通过电子束蒸镀法蒸镀氧化镁(MgO)后，通过进行烧制形成保护层。
另一方面，利用下面的方法制作背面板。首先，在由碱石灰玻璃构成的背面玻璃基板上，通过丝网印刷将以银为主体的地址电极形成为条状。接着，形成电介质层。接着在电介质层上，在相邻的地址电极之间形成隔壁。隔壁通过重复丝网印刷以及烧制而形成。
接着，在隔壁的壁面和隔壁间露出的电介质层的表面，涂敷红(R)、绿(G)、蓝(B)的荧光体膏，并进行干燥、烧制，制作荧光体层。
将制作的前面板、背面板用密封玻璃粘合。然后，将放电空间的内部排气到高真空(1×10-4Pa)左右之后，封入Ne-Xe系放电气体以达到规定压力。这样就制作成了PDP。
(PDP的评价)
在制作的PDP的显示面侧，利用色彩色差计测定其着色情况。表8以及表9表示将具有各自的组成的玻璃作为电介质层使用的PDP中的测定结果。表中的a＊以及b＊与表1～4所示的a＊以及b＊具有相同的意义，由于b＊值的大小对变黄有影响，因此作为PDP，优选b＊值在-5～+5的范围。
对于不含MoO3、WO3这两者的试样51，和含有MoO3以及WO3的任一方但其含有率为0.05wt％的试样52以及59，b＊值超过5，可看见变黄的发生。另外，对于含有MoO3、WO3的任一方但其含有率为5wt％的试样58以及65，由于玻璃白浊，从而不能进行着色测定。与之相对，含有MoO3以及WO3的任一方，其含有率为0.1wt％～4wt％的试样53～57以及60～64，b＊值在5以下，确认能够抑制变黄的发生。而且，包含MoO3以及WO3双方的试样66以及67，b＊值比其它的试样小，确认与只包含任何一方的情况相比，抑制变黄的效果更高。
图4表示MoO3、WO3的含有率和b＊值的测定结果的关系。由结果可知，确认到MoO3、WO3的含有率在0.1wt％以上，b＊值随MoO3、WO3的含有率的增加而减少，并且，成为+5以下的值，变黄的问题得到改善。
另外，MoO3、WO3的含有率在0.1wt％以上的b＊值低的面板，即使使PDP动作，也不会引起电介质的绝缘破坏。
上述说明的PDP的实施例为电介质层由一层构成的例子，但即使上述说明的电介质层为第一电介质层，进一步在其上面形成第二电介质层从而成为两层构造的情况下，也能得到相同的评价结果。需要说明的是，此种情况下，用于第二电介质层的玻璃(第二玻璃(玻璃(C)、玻璃(D)))的组成的一例，如表10所示。
[表10]
  玻璃组成  玻璃(C)的一例  玻璃(D)的一例
  SiO2   11.10   11.80
  B2O3   22.80   36.40
  ZnO   17.50   37.20
  Al2O3   4.50   1.60
  Bi2O3   25.00
  BaO   16.80
  Li2O   2.30
  K2O   13.00
工业实用性
本发明的等离子显示器面板，能够很好适用于通过不含铅的玻璃形成用于覆盖显示电极或地址电极的电介质层的等离子显示器面板，能够提供抑制变黄以及绝缘破坏的高可靠性的等离子显示器面板。

Claims (16)

1.一种等离子显示器面板，其具有相互交叉的显示电极和地址电极，由包含第一玻璃的第一电介质层覆盖选自所述显示电极以及地址电极中的至少一种电极，其中，
所述第一玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～15wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％
Li2O+Na2O+K2O：0～0.1wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围，所述第一玻璃中含有的铅的含有率为0.1wt％以下。
2.一种等离子显示器面板，其具有相互交叉的显示电极和地址电极，由包含第一玻璃的第一电介质层覆盖选自所述显示电极以及地址电极中的至少一种电极，其中，
所述第一玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～2wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO十BaO：5～38wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围，所述第一玻璃中含有的铅的含有率为0.1wt％以下。
3.如权利要求2所述的等离子显示器面板，其中，
所述第一玻璃作为组成成分还包含选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种，
所述第一玻璃中含有的Li2O、Na2O以及K2O的含有率合计为0.1～10wt％。
4.如权利要求1或2所述的等离子显示器面板，其中，
还包括设于所述第一电介质层上的第二电介质层。
5.如权利要求4所述的等离子显示器面板，其中，
所述第二电介质层包含第二玻璃，
所述第二玻璃作为组成成分包含选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种。
6.如权利要求5所述的等离子显示器面板，其中，
所述第二玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～15wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
Li2O+Na2O+K2O：0.1～10wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％。
7.如权利要求5所述的等离子显示器面板，其中，
所述第二玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～30wt％
B2O3：25～80wt％
ZnO：0～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Li2O+Na2O+K2O：5～20wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：0～15wt％。
8.如权利要求1或2所述的等离子显示器面板，其中，
被所述第一电介质层覆盖的所述电极形成在玻璃基板上，
所述玻璃基板含有Sn。
9.一种等离子显示器面板的制造方法，其包含如下工序：在形成有电极的基板上配置包含第一玻璃的第一玻璃材料，通过烧制所述第一玻璃材料，形成覆盖所述电极的第一电介质层，其中，
所述第一玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～15wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％
Li2O+Na2O+K2O：0～0.1wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围，所述第一玻璃中含有的铅的含有率为0.1wt％以下。
10.一种等离子显示器面板的制造方法，其包含如下工序：在形成有电极的基板上配置包含第一玻璃的第一玻璃材料，通过烧制所述第一玻璃材料，形成覆盖所述电极的第一电介质层，其中，
所述第一玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～2wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％
MoO3：0～4wt％
WO3：0～4wt％
并且，所述第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率合计在0.1～8wt％的范围，所述第一玻璃中含有的铅的含有率为0.1wt％以下。
11.如权利要求10所述的等离子显示器面板的制造方法，其中，
所述第一玻璃，作为组成成分还包含选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种，
所述第一玻璃中含有的Li2O、Na2O以及K2O的含有率合计在0.1～10wt％。
12.如权利要求9或10所述的等离子显示器面板的制造方法，其中，
还包括如下工序：在所述第一电介质层上配置包含第二玻璃的第二玻璃材料，通过烧制所述第二玻璃材料，形成第二电介质层。
13.如权利要求12所述的等离子显示器面板的制造方法，其中，
所述第二玻璃，作为组成成分包含选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种。
14.如权利要求13所述的等离子显示器面板的制造方法，其中，
所述第二玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～15wt％
B2O3：10～50wt％
ZnO：15～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Bi2O3：2～40wt％
Li2O+Na2O+K2O：0.1～10wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：5～38wt％。
15.如权利要求13所述的等离子显示器面板的制造方法，其中，
所述第二玻璃，作为组成成分包含：
SiO2：0～30wt％
B2O3：25～80wt％
ZnO：0～50wt％
Al2O3：0～10wt％
Li2O+Na2O+K2O：5～20wt％
MgO：0～5wt％
CaO+SrO+BaO：0～15wt％。
16.如权利要求9或10所述的等离子显示器面板的制造方法，其中，所述基板为玻璃基板，所述玻璃基板含有Sn。
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