WO2007043428A1 - 太陽電池、インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール - Google Patents

太陽電池、インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール Download PDF

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WO2007043428A1
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solar cell
interconnector
sectional area
connection
main surface
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Kyotaro Nakamura
Akiko Tsunemi
Masahiro Kaneko
Sadaya Takeoka
Tatsuo Saga
Akihide Takaki
Akira Miyazawa
Masaomi Hioki
Masahiro Ohbasami
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Sharp Kabushiki Kaisha
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    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
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    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell, a solar cell with an interconnector, a solar cell string, and a solar cell module.
  • FIG. 34 shows a schematic cross-sectional view of an example of a conventional solar cell.
  • the n + layer 11 is formed on the light-receiving surface of the p-type silicon substrate 10 that also has a single crystal silicon or polycrystalline silicon force, so that the p-type silicon substrate 10 and the n + layer 11 pn A junction is formed, and an antireflection film 12 and a silver electrode 13 are formed on the light receiving surface of the p-type silicon substrate 10, respectively.
  • a P + layer 15 is formed on the back surface of the p-type silicon substrate 10 opposite to the light receiving surface.
  • An aluminum electrode 14 and a silver electrode 16 are formed on the back surface of the p-type silicon substrate 10, respectively.
  • FIGS. 35 (a) to (i) show an example of a conventional method for manufacturing a solar cell.
  • the silicon ingot 17 obtained by recrystallizing the raw material of p-type silicon crystal in a crucible and then cutting it into silicon blocks 18 is cut.
  • the p-type silicon substrate 10 is obtained by cutting the silicon block 18 with a wire saw.
  • the damaged layer 19 at the time of slicing the p-type silicon substrate 10 shown in FIG. 35 (c) is removed.
  • minute irregularities (not shown) can be formed on the surface of the p-type silicon substrate 10. Due to the unevenness, reflection of sunlight incident on the surface of the p-type silicon substrate 10 is reduced, and the conversion efficiency of the solar cell can be increased.
  • a dopant liquid containing a compound containing phosphorus on one main surface (hereinafter referred to as “first main surface”) of the p-type silicon substrate 10 20 Apply.
  • the p-type silicon substrate 10 after the application of the dopant solution 20 is heat-treated at a temperature of 800 ° C. to 950 ° C. for 5 to 30 minutes to thereby form an n-type dopant on the first main surface of the p-type silicon substrate 10.
  • Some phosphorus diffuses to form an n + layer 11 on the first main surface of the p-type silicon substrate 10 as shown in FIG. 35 (e).
  • a method for forming the n + layer 11 in addition to the method of applying the dopant liquid, PO and P
  • the first layer of the p-type silicon substrate 10 is removed.
  • 1An antireflection film 12 is formed on the main surface.
  • a method of forming the antireflection film 12 a method of forming a titanium oxide film using an atmospheric pressure CVD method or a method of forming a silicon nitride film using a plasma CVD method is known.
  • the n + layer 11 and the antireflection film 12 can be obtained by using a dopant liquid that contains the material of the antireflection film 12 in addition to phosphorus. Can be formed simultaneously.
  • the antireflection film 12 may be formed after the silver electrode is formed.
  • an aluminum electrode 14 is formed on the other main surface (hereinafter referred to as “second main surface”) of the p-type silicon substrate 10 and the p-type silicon substrate 10
  • a P + layer 15 is formed on the second main surface of the substrate.
  • the aluminum electrode 14 and the p + layer 15 are formed by, for example, printing p-type silicon substrate 10 on the second main surface of p-type silicon substrate 10 by printing aluminum powder, glass frit, resin, and organic solvent-powered aluminum paste by screen printing or the like.
  • a P + layer 15 is formed under the aluminum-silicon alloy layer formed by melting aluminum and alloying with silicon, and the p-type silicon substrate 10 2
  • Aluminum electrode 14 is formed on the main surface.
  • the difference in dopant concentration between the p-type silicon substrate 10 and the p + layer 15 causes a potential difference (acts as a potential barrier) at the interface between the p-type silicon substrate 10 and the p + layer 15, and the photogenerated carriers are p-type silicon. This prevents recombination near the second main surface of the substrate 10. This increases the short circuit current (Isc) and open discharge ji (Voc: open circuit voltage) of the solar cell.
  • the silver electrode 16 is formed on the second main surface of the p-type silicon substrate 10. To do.
  • the silver electrode 16 can be obtained, for example, by heat-treating the p-type silicon substrate 10 after printing silver powder, glass frit, resin, and silver paste having organic solvent power by screen printing or the like.
  • silver electrode 13 is formed on the first main surface of p-type silicon substrate 10.
  • the silver electrode 13 suppresses the series resistance including the contact resistance with the p-type silicon substrate 10 and reduces the formation area of the silver electrode 13 so as not to reduce the amount of incident sunlight.
  • Pattern design such as line width, pitch and thickness is important.
  • a method for forming the silver electrode 13 for example, a silver paste made of silver powder, glass frit, resin and organic solvent is printed on the surface of the antireflection film 12 by screen printing or the like, and then the p-type silicon substrate 10 is formed.
  • a fire-through method in which silver paste penetrates the antireflection film 12 and makes good electrical contact with the first main surface of the p-type silicon substrate 10 by heat treatment is used in a mass production line.
  • the solar cell having the configuration shown in FIG. 34 can be manufactured.
  • the surface of the silver electrode 13 and the silver electrode 16 can be coated with solder by immersing the p-type silicon substrate 10 after the formation of the silver electrode 13 and the silver electrode 16 in a molten solder bath. This solder coating may be omitted depending on the process.
  • the solar cell manufactured as described above can be irradiated with simulated sunlight using a solar simulator, and the current-voltage (IV) characteristic of the solar cell can be measured to inspect the IV characteristic.
  • a plurality of solar cells are connected in series to form a solar cell string, and then the solar cell string is sealed with a sealing material and sold and used as a solar cell module.
  • FIGS. 36A to 36E show an example of a conventional method for manufacturing a solar cell module.
  • an interconnector 31 that is a conductive member is connected to the silver electrode on the first main surface of the solar cell 30 to produce a solar cell 30 with an interconnector.
  • the interconnector-attached solar cells 30 to which the interconnector 31 is connected are arranged in a row and connected to the silver electrode on the first main surface of the solar cell 30.
  • the other end of the interconnector 31 is connected to the silver electrode on the second main surface of another solar cell 30 to produce a solar cell string 34.
  • the solar cell strings 34 are arranged side by side, the interconnector 31 in which both end forces of the solar cell string 34 protrude, and both end forces of the other solar cell strings 34 are also
  • the solar cell strings 34 are connected to each other by connecting the protruding interconnectors 31 in series using a wiring member 33 that is a conductive member.
  • the connected solar cell string 34 is sandwiched between EVA (ethylene butyl acetate) films 36 as a sealing material, and then the glass plate 35 and the back film. Place between 37. Then, when the bubbles that have entered between the EVA films 36 are decompressed and heated, the EVA film 36 is cured and the solar cell string is sealed in the EVA. Thereby, a solar cell module is produced.
  • EVA ethylene butyl acetate
  • the solar cell module is placed in the aluminum frame 40, and the terminal box 38 including the cable 39 is attached to the solar cell module. Then, the solar cell module manufactured as described above is irradiated with simulated sunlight using a solar simulator, and the current-voltage (IV) characteristics of the solar cell are measured to inspect the IV characteristics.
  • the solar cell module manufactured as described above is irradiated with simulated sunlight using a solar simulator, and the current-voltage (IV) characteristics of the solar cell are measured to inspect the IV characteristics.
  • FIG. 37 shows a schematic plan view of the electrodes formed on the light receiving surface of the solar cell shown in FIG.
  • a silver electrode 13 is formed on the first main surface of the p-type silicon substrate 10 that serves as the light receiving surface of the solar cell.
  • the silver electrode 13 is a single linear bus bar electrode 1 having a relatively large width. 3a and a plurality of relatively narrow linear finger electrodes 13b extending from the bus bar electrode 13a, and a force.
  • FIG. 38 shows a schematic plan view of electrodes formed on the back surface of the solar cell shown in FIG.
  • the aluminum electrode 14 is formed on almost the entire second main surface of the p-type silicon substrate 10 which is the back surface of the solar cell
  • the silver electrode 16 is the second main surface of the p-type silicon substrate 10. Only part of it is formed. This is because it is difficult to coat the aluminum electrode 14 with solder, and thus a silver electrode 16 that can be coated with solder may be required.
  • FIG. 39 shows a schematic cross-sectional view of a solar cell string in which the solar cells having the configuration shown in FIG. 34 are connected in series.
  • the interconnector 31 fixed to the bus bar electrode 13a on the light receiving surface of the solar cell with solder or the like is connected to the silver electrode 16 on the back surface of another adjacent solar cell. It is fixed with solder.
  • the description of the n + layer and the p + layer is omitted.
  • Patent Document 1 JP-A-2005-142282
  • Patent Document 1 discloses a method of providing a small cross-sectional area portion whose cross-sectional area is locally reduced in an interconnector that connects adjacent solar cells. ing.
  • Patent Document 1 discloses a method of providing a small cross-sectional area portion whose cross-sectional area is locally reduced in an interconnector that connects adjacent solar cells. ing.
  • the interconnector and solar cell that have been heated by the above heating process are cooled to room temperature, a concave warp occurs in the solar cell.
  • the solar cell generates a force (restoring force) to return to its original shape, Apply tensile stress to the interconnector.
  • a tensile stress is applied to the interconnector, a small cross-sectional area that is relatively weak compared to other portions is stretched, and the warpage of the solar cell is reduced.
  • further improvements are desired.
  • an object of the present invention is to reduce the warpage of the solar cell that occurs after the interconnector is connected, and a solar cell with an interconnector using the solar cell, a solar cell string, and a solar cell
  • the object is to provide a battery module.
  • the present invention is provided with a bus bar electrode and a plurality of linear finger electrodes extending on the first main surface of the semiconductor substrate, and the bus bar electrode is connected to the interconnector. And a first non-connection portion that is not connected to the interconnector, and the first connection portion and the first non-connection portion are alternately arranged.
  • the second connection portion for connecting to the interconnector and the interconnector are connected on the second main surface opposite to the first main surface of the semiconductor substrate.
  • the second non-connecting parts are arranged alternately!
  • the first connection portion and the second connection portion are arranged at positions symmetrical to each other with respect to the semiconductor substrate.
  • the length of the first non-connection portion located between the adjacent first connection portions is the length of the second non-connection portion located between the adjacent second connection portions. Longer than the length, or the length of the second non-connecting part located between the adjacent second connecting parts is longer than the length of the first non-connecting part located between the adjacent first connecting parts Is preferred.
  • the “length” means a length in a direction in which the first connection portions and the first non-connection portions are alternately arranged.
  • the first connection portion may be formed in a linear shape.
  • the bus bar electrode may have a hollow pattern portion including the first non-connection portion.
  • the width of the bus bar electrode in the hollow pattern portion may be narrower than the width of the bus bar electrode in the first connection portion.
  • the bus bar electrode has a plurality of hollow pattern portions, and the intervals between the adjacent hollow pattern portions are equal.
  • At least one spacing force among the spacing between the end portion of the first main surface and the hollow pattern portion adjacent to the end portion of the first main surface is adjacent to the hollow pattern. It may be narrower than the interval of the loop portions.
  • At least one of the first connection portions adjacent to the end portion of the first main surface may be installed with the end portion force of the first main surface separated.
  • the present invention is a solar cell with an interconnector in which an interconnector is connected to the first connection portion of the solar cell.
  • the interconnector has a small cross-sectional area portion in which the cross-sectional area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction is locally reduced.
  • the area portion is preferably arranged in the first non-connection portion.
  • the interconnector includes a plurality of small cross-sectional area portions and a non-small cross-sectional area portion positioned between the small cross-sectional area portions, The small cross-sectional area portion may be arranged in the first non-connection portion.
  • a second connection portion for connecting to the interconnector, and the interconnector may be alternately arranged.
  • the present invention provides a bus bar including first connection portions for connecting to interconnectors arranged alternately on the first main surface of the semiconductor substrate, and first non-connection portions not connected to the interconnectors.
  • a plurality of solar cells including a second unconnected portion that is not connected to the interconnector are connected, and in the solar cells adjacent to each other, the first connection portion of the first solar cell and the second connection of the second solar cell Is a solar cell string connected to the interconnector.
  • the interconnector may be bent at the end of the first solar cell and the end of the second solar cell.
  • the interconnector has a small cross-sectional area portion in which the cross-sectional area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction is locally small, and the first solar cell It is preferable that a small cross-sectional area portion is disposed at at least one of a location corresponding to the first non-connection portion of the battery and a location corresponding to the second non-connection portion of the second solar cell.
  • the interconnector has a small cross-sectional area portion in which the cross-sectional area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction is locally reduced, and the first solar cell It is preferable that small cross-sectional areas are arranged at all the locations corresponding to the first non-connection portion of the battery and the location corresponding to the second non-connection portion of the second solar cell.
  • the present invention provides a hollow pattern portion having a first connection portion for connecting to an interconnector arranged alternately on the first main surface of the semiconductor substrate and a first non-connection portion not connected to the interconnector.
  • a plurality of linear finger electrodes extending the bus bar electrode force, and an interconnector arranged alternately on the second main surface opposite to the first main surface of the semiconductor substrate.
  • a plurality of solar cells including a second connection portion and a second non-connection portion not connected to the interconnector are connected, and in the solar cells adjacent to each other, the first connection portion and the second connection portion of the first solar cell are connected.
  • a solar cell string in which the second connection part of the solar cell is connected to the interconnector.
  • the interconnector has a small cross-sectional area portion in which the cross-sectional area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction is locally reduced, and the first solar cell It is preferable that a small cross-sectional area portion is disposed at at least one of a location corresponding to the hollow pattern portion of the battery and a location corresponding to the second non-connection portion of the second solar cell.
  • the interconnector has a small cross-sectional area portion in which the cross-sectional area of the cross section perpendicular to the longitudinal direction is locally small, and the first solar cell It is preferable that small cross-sectional areas are arranged in all the locations corresponding to the hollow pattern portion of the battery and the location corresponding to the second non-connection portion of the second solar cell.
  • the present invention is a solar cell module in which any one of the above solar cell strings is sealed with a sealing material.
  • a positive cell, a solar cell with an interconnector, a solar cell string, and a solar cell module can be provided.
  • FIG. 1 (a) is a schematic plan view of an example of an electrode formed on the light receiving surface of the solar cell of the present invention, and (b) is a view of the vicinity of the first unconnected portion shown in (a). It is a typical enlarged plan view.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of an example of an electrode formed on the back surface of the solar cell of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an example of a solar cell string in which solar cells having the light receiving surface side electrode shown in FIG. 1 (a) and the back side electrode shown in FIG. 2 are connected in series.
  • FIG. 4 is a schematic enlarged plan view of the solar cell string shown in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of an example of the solar cell string of the present invention when viewing the light receiving surface side force of the solar cell.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the solar cell string shown in FIG.
  • FIG. 7 is a schematic enlarged plan view showing a state where an example of an interconnector used in the present invention is connected.
  • FIG. 8 is a schematic enlarged plan view showing a state in which another example of an interconnector used in the present invention is connected.
  • FIG. 9 is a schematic plan view of an example of an interconnector used in the present invention.
  • FIG. 10 (a) is a schematic plan view of another example of an interconnector used in the present invention, and (b) is a schematic side view of the interconnector shown in (a). c) is a schematic front view of the interconnector shown in (a).
  • FIG. 11 (a) is a schematic plan view of another example of an interconnector used in the present invention, and (b) is a schematic side view of the interconnector shown in (a). c) is a schematic front view of the interconnector shown in (a).
  • FIG. 12 (a) is a schematic plan view of another example of an interconnector used in the present invention, (b) is a schematic side view of the interconnector shown in (a), ( c) is a schematic front view of the interconnector shown in (a).
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of an example of a solar cell string configured using the interconnector shown in FIG.
  • FIG. 14 is a schematic enlarged plan view of the solar cell string shown in FIG. 13 as seen from the light receiving surface side force of the solar cell.
  • FIG. 15 is a schematic plan view of an example of an interconnector used in the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic plan view of an example of electrodes formed on the light receiving surface of a solar cell used to form a solar cell string using the interconnector shown in FIG.
  • FIG. 17 is a schematic plan view of an example of electrodes formed on the back surface of a solar cell used to form a solar cell string using the interconnector shown in FIG.
  • FIG. 18 Schematic example of a solar cell string in which solar cells having the light receiving surface side electrode shown in FIG. 16 and the back side electrode shown in FIG. 17 are connected in series using the interconnector shown in FIG. FIG.
  • FIG. 19 is a schematic enlarged plan view of the solar cell string shown in FIG. 18 when the light receiving surface force of the solar cell is viewed.
  • FIG. 20 is a schematic plan view of an example of an electrode formed on a light-receiving surface of a solar cell used in a solar cell with an interconnector according to the present invention.
  • FIG. 21 is a schematic plan view of an example of an electrode formed on the back surface of a solar cell used in the solar cell with an interconnector of the present invention.
  • FIG. 22 is a schematic plan view of an example of a preferred V interconnector used in the solar cell with an interconnector of the present invention.
  • FIG. 23 is a schematic enlarged plan view of a light receiving surface of a preferred example of a solar cell with an interconnector according to the present invention.
  • FIG. 24 A schematic cross-sectional view of the solar cell with an interconnector of the present invention shown in FIG.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view of a preferred example of the solar cell string of the present invention.
  • FIG. 26 is a schematic enlarged plan view of the light receiving surface of the solar cell string of the present invention shown in FIG.
  • FIG. 27 is a schematic plan view of an example of an electrode formed on the light receiving surface of the solar cell of the present invention. It is.
  • FIG. 28 is a schematic plan view of an example of electrodes formed on the back surface of the solar cell of the present invention.
  • FIG. 29 is a schematic cross-sectional view of an example of a solar cell string in which solar cells having the light receiving surface side electrode shown in FIG. 27 and the back side electrode shown in FIG. 28 are connected in series using an interconnector.
  • FIG. 30 is a schematic plan view of an example of an interconnector used in the present invention.
  • FIG. 31 is a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell string of the present invention.
  • FIG. 32 is a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell string of the present invention.
  • FIG. 33 is a schematic enlarged cross-sectional view of the solar cell string shown in FIG. 32.
  • FIG. 34 is a schematic cross-sectional view of an example of a conventional solar cell.
  • FIG. 35] (a) to (i) are schematic views showing an example of a conventional method for producing a solar cell.
  • FIG. 36 (a) to (e) are schematic views showing an example of a conventional method for producing a solar cell module.
  • FIG. 37 is a diagram showing a pattern of silver electrodes formed on the light receiving surface of the solar cell shown in FIG. 34.
  • FIG. 38 is a schematic plan view of an electrode formed on the back surface of the solar cell shown in FIG. 34.
  • FIG. 39 is a schematic cross-sectional view of a solar cell string in which solar cells having the configuration shown in FIG. 34 are connected in series.
  • FIG. 1 (a) shows a schematic plan view of an example of an electrode formed on the light receiving surface of the solar cell of the present invention.
  • the first main surface of the p-type silicon substrate as the light-receiving surface of the solar cell of the present invention has a relatively wide and linear bus bar electrode extending in the lateral direction of the paper surface. 13a and a plurality of relatively narrow linear finger electrodes 13b extending from the bus bar electrode 13a in the vertical direction of the paper surface.
  • the bus bar electrode 13a includes a linear first connection portion 51 for fixing and connecting to the interconnector, and a first non-connection portion 42 that is a gap that is not connected to the interconnector.
  • the first connection parts 51 and the first non-connection parts 42 are alternately arranged.
  • one bus bar electrode 13a shown in FIG. 1 (a) has three first connection portions 51, and each first non-connection portion 42 is provided between adjacent first connection portions 51. Is arranged.
  • FIG. 1 (b) shows a schematic enlarged plan view of the vicinity of the first non-connecting portion 42 shown in FIG. 1 (a).
  • the bus bar electrode 13a is a hollow pattern portion in which the first non-connection portion 42 that is a gap is surrounded by the bus bar electrode 13a (the bus bar that surrounds the first non-connection portion 42 that is a gap and the first non-connection portion 42). It has a part of the electrode 13a (the part composed of the shaded area in FIG. 1 (b)).
  • the width of the bus bar electrode 13a at the first connection portion 51 is continuously constant and has a constant width! / Swing force
  • the width of the gap of the first non-connection portion 42 is wider than the width of the bus bar electrode 13a at the first connection portion 51.
  • the width t of the nose bar electrode 13a in the hollow pattern portion is narrower than the width T of the bus bar electrode 13a in the first connection portion 51.
  • the intervals between the hollow pattern portions adjacent to each other are equal.
  • the interval between the adjacent hollow pattern portions is the shortest distance D between the ends of the first non-connecting portions 42 of the adjacent hollow pattern portions, for example, as shown in FIG. It is.
  • the equal interval is the maximum interval among all the intervals of the hollow pattern portions adjacent to each other.
  • the absolute value of the difference from the minimum distance is 0.5 mm or less.
  • At least one spacing force S of the spacing between the end portion of the first main surface of the p-type silicon substrate and the hollow pattern portion adjacent to the end portion of the first main surface of the p-type silicon substrate is adjacent to each other. It is preferable that the gap is smaller than the interval between the hollow notched portions.
  • the end portion is an end portion in a direction in which the first connection portions and the first non-connection portions are alternately arranged.
  • the distance between the end of the first main surface of the p-type silicon substrate and the hollow pattern portion adjacent to the end of the first main surface of the P-type silicon substrate is the first main surface of the p-type silicon substrate. This is the shortest distance between the end of the first pattern and the end of the first non-connecting portion 42 of the hollow pattern portion adjacent thereto.
  • first connection portion 51 adjacent to the end portion of the first main surface of the p-type silicon substrate may be provided apart from the end portion of the first main surface of the p-type silicon substrate.
  • FIG. 2 shows a schematic plan view of an example of an electrode formed on the back surface of the solar cell of the present invention.
  • the second main surface of the p-type silicon substrate as the back surface of the solar cell of the present invention has a silver electrode 16 as a second connection portion for connection to the interconnector, and an interconnector. Alternating force is arranged alternately with the aluminum electrode 14 as the second unconnected part that is not connected.
  • the second non-connecting portion is composed of the aluminum electrode 14 between the adjacent silver electrodes 16.
  • FIG. 3 is a schematic view of an example of the solar cell string of the present invention in which solar cells having the light receiving surface side electrode shown in FIG. 1 (a) and the back side electrode shown in FIG. 2 are connected in series.
  • a cross-sectional view is shown
  • Fig. 4 shows a schematic enlarged plan view of the solar cell string shown in Fig. 3 when the light-receiving surface side force is viewed.
  • the first solar cell 80 and the second solar cell 81 that are adjacent to each other, the first connection portion 51 of the first solar cell 80 and the silver that is the second connection portion of the second solar cell 81.
  • the electrodes 16 are fixedly connected to the same interconnector 31 that also has one conductive member by solder or the like.
  • first non-connected portion 42 and the second non-connected aluminum electrode 14 of the solar cell are not fixed to the interconnector 31 and are not connected to the interconnector 31.
  • Interconnector 31 is bent at the ends of the solar cell (here, the end of first solar cell 80 and the end of second solar cell 81). In FIG. 3, the description of the n + layer and the p + layer is omitted.
  • the silver electrode 16 as the second connection portion is connected to the first connection portion 51 and p on the first main surface of the p-type silicon substrate.
  • the silicon substrate 10 is formed at positions symmetrical to each other.
  • a conductive member can be used as the interconnector.
  • the connection length between the interconnector and the first connection portion of the solar cell can be reduced as compared with the conventional solar cell string.
  • the connection length between the interconnector and the first connection part of the solar cell is reduced, the stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the interconnector and the p-type silicon substrate constituting the solar cell can be reduced. it can.
  • the connection between the interconnector and the solar cell is symmetrical with respect to the P-type silicon substrate on the light-receiving surface and back surface of the solar cell. The resulting stress is almost equal between the light-receiving surface and the back surface of the solar cell.
  • the solar cell string of the present invention equal force acts on the solar cell from each of the light receiving surface and the back surface of the solar cell. These effects can reduce the warpage of the solar cell caused by the connection of the interconnector in the solar cell constituting the solar cell string.
  • the solar cell string of the present invention can be obtained by sealing the solar cell string of the present invention with a sealing material such as EVA by a conventionally known method.
  • Fig. 5 shows a schematic plan view of an example of the solar cell string of the present invention when viewing the light receiving surface side force of the solar cell.
  • the first non-contact is a gap between the island-shaped first connection portion 51 and the first connection portions 51 adjacent to each other.
  • a bus bar electrode 13a having a connecting portion 42 and a plurality of narrow, linear finger electrodes 13b extending radially from the bus bar electrode 13a are provided.
  • the first connection portion 51 and the second solar cell 80 of the first solar cell 80 is fixedly connected to the same interconnector 31 that also serves as one conductive member by solder or the like.
  • connection length between the interconnector and the solar cell can be further reduced by making the first connecting portion 51 into an island shape, the P-type silicon constituting the interconnector and the solar cell The stress due to the difference in thermal expansion coefficient from the substrate 10 tends to be further reduced.
  • the silver electrode 16 as the second connection portion is positioned symmetrically with respect to the first connection portion 51 on the first main surface of the p-type silicon substrate 10 and the p-type silicon substrate 10.
  • the stress generated due to the difference in thermal expansion coefficient between the interconnector and the p-type silicon substrate 10 of the solar cell is almost equal between the light receiving surface and the back surface of the solar cell, and the solar cell An equal force is applied to the solar cell from each of the light receiving surface and the back surface.
  • the solar cell string of the present invention can be obtained by sealing the solar cell string of the present invention with a sealing material such as EVA by a conventionally known method.
  • Fig. 7 shows a schematic enlarged plan view of a state where an example of an interconnector used in the present invention is connected.
  • the small cross-sectional area portion 41 where the cross-sectional area of the interconnector 31 shown in FIG. 7 is locally small is disposed at a location corresponding to the first non-connecting portion 42.
  • the small cross-sectional area 41 of the interconnector 31 is constituted by a cut formed in a part of the interconnector 31.
  • the cross-sectional area of the interconnector refers to the area of a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the interconnector.
  • FIG. 8 is a schematic enlarged plan view showing a state in which another example of the interconnector used in the present invention is connected.
  • the small cross-sectional area portion 41 where the cross-sectional area of the interconnector 31 shown in FIG. 8 is locally reduced is disposed at a location corresponding to the first non-connecting portion 42.
  • the small cross-sectional area 41 of the interconnector 31 is constituted by a constriction formed in a part of the interconnector 31.
  • FIG. 9 shows a schematic plan view of an example of an interconnector used in the present invention.
  • Fig. 10 (a) shows a schematic plan view of another example of the interconnector used in the present invention
  • Fig. 10 (b) shows a schematic side view of the interconnector shown in Fig. 10 (a).
  • Figure 10 (c) shows a schematic front view of the interconnector shown in Fig. 10 (a).
  • FIG. 11 (a) shows a schematic plan view of another example of an interconnector used in the present invention
  • FIG. 11 (b) shows a schematic side view of the interconnector shown in FIG. 11 (a).
  • Fig. 11 (c) shows a schematic front view of the interconnector shown in Fig. 11 (a).
  • FIG. 11 (a) shows a schematic plan view of another example of an interconnector used in the present invention
  • FIG. 11 (b) shows a schematic side view of the interconnector shown in FIG. 11 (a).
  • Fig. 11 (c) shows
  • FIG. 12 (a) shows a schematic plan view of an example of an interconnector used in the present invention
  • FIG. 12 (b) shows a schematic side view of the interconnector shown in FIG. 12 (a).
  • Fig. 12 (c) shows a schematic front view of the interconnector shown in Fig. 12 (a).
  • FIG. 13 is a schematic cross-sectional view of an example of a solar cell string configured using the interconnector shown in FIG.
  • FIG. 14 shows a schematic plan view of the solar cell string shown in FIG. 13 when the light receiving surface side force of the solar cell is viewed.
  • the interconnector connector 31 shown in FIG. 9 is connected to the portion corresponding to the first unconnected portion 42 of the first solar cell 80 (or the hollow pattern).
  • Small cross-sectional area portions 41 are disposed at locations corresponding to the aluminum electrodes 14 serving as the second non-connecting portions of the second solar cell 81.
  • the interconnector 31 includes the aluminum electrode 14 serving as a portion where the small cross-sectional area 41 of the interconnector 31 corresponds to the first non-connecting portion 42 (or a location corresponding to the hollow pattern portion) and the second non-connecting portion. Are connected so that they are placed in the corresponding locations.
  • the small cross-sectional area portion of the interconnector is disposed at a location corresponding to the first non-connecting portion (or a location corresponding to the hollow pattern portion), for example, as shown in Figs.
  • the entire small cross-sectional area 41 of the interconnector 31 is arranged so as to be included in the region of the first non-connecting portion 42 (or in the region of the hollow pattern portion). It is good also as an aspect arrange
  • the entire small cross-sectional area portion of the interconnector is the second non-connecting portion as described above. It is preferable to adopt a mode of being arranged so as to be included in the region, but as a mode of being arranged so that only a part of the small area portion of the interconnector is included in the region of the second non-connecting portion. .
  • interconnector 31 is bent at the end of the solar cell (here, the end of first solar cell 80 and the end of second solar cell 81). Yes. In FIG. 13, the description of the n + layer and the p + layer is omitted.
  • the small cross-sectional area of the interconnector is arranged in the first non-connecting part and the second non-connecting part, the small cross-sectional area is in a free state that is not fixed. It can be deformed and can fully exhibit the stress relaxation effect by stretching. Due to these effects, in the solar cells constituting the solar cell string, the warpage of the solar cells caused by the connection of the interconnector can be reduced. Needless to say, the present invention is not limited to using the interconnector shown in FIGS.
  • the small cross-sectional area portion of the interconnector corresponds to the first non-connecting portion and the second non-connecting portion. It is most preferable to have it at all of the locations corresponding to the first non-connected portion and the location corresponding to the second non-connected portion.
  • the interconnector 31 is connected so that the small cross-sectional area 41 of the interconnector 31 is disposed at at least one location of the interconnector 31, and the location corresponding to the first unconnected portion 51 of the first solar cell 80 and The interconnector 31 may be connected so that the small cross-sectional area 41 of the interconnector 31 is arranged at all the locations corresponding to the aluminum electrode 14 that is the second non-connected portion of the second solar cell 81.
  • the solar cell module of the present invention can be obtained by sealing the solar cell string of the present invention with a sealing material such as EVA by a conventionally known method.
  • a sealing material such as EVA
  • FIG. 15 shows a schematic plan view of an example of an interconnector used in the present invention.
  • the intervals between the adjacent small cross-sectional area portions 41 of the interconnector 31 shown in FIG. 15 are equal.
  • FIG. 16 shows a schematic plan view of an example of electrodes formed on the light receiving surface of a solar cell used to form a solar cell string using the interconnector 31 shown in FIG.
  • FIG. 17 shows a schematic plan view of an example of electrodes formed on the back surface of a solar cell used to form a solar cell string using the interconnector 31 shown in FIG.
  • a solar cell string in which the solar cell having the light receiving surface side electrode shown in FIG. 16 and the back side electrode shown in FIG. 17 is connected in series using the interconnector 31 shown in FIG. 15 is schematically shown in FIG. Fig. 19 shows a schematic enlarged plan view of the solar cell string shown in the cross-sectional view when the light receiving surface force of the solar cell is viewed.
  • interconnector 31 is bent at the end portions of the solar cells (here, the end portion of first solar cell 80 and the end portion of second solar cell 81).
  • the description of the n + layer and the p + layer is omitted.
  • the solar cell module of the present invention can be obtained by sealing such a solar cell string of the present invention with a sealing material such as EVA by a conventionally known method.
  • FIG. 20 shows a schematic plan view of an example of electrodes formed on the light receiving surface of a solar cell used in the solar cell with an interconnector of the present invention.
  • a single linear bus bar electrode 13a having a relatively large width and a plurality of bus bar electrodes 13a extending from the bus bar electrode 13a.
  • a linear finger electrode 13b having a relatively small width and a silver electrode 13 composed of a force are formed.
  • the bus bar electrode 13a is connected to the linear first connection portion 51 for fixing and connecting to the interconnector.
  • the first non-connection portions 42 are gaps that are not connected to the connector, and the first connection portions 51 and the first non-connection portions 42 are alternately arranged.
  • FIG. 21 shows a schematic plan view of an example of electrodes formed on the back surface of the solar cell used in the solar cell with an interconnector of the present invention.
  • the second main surface of the p-type silicon substrate 10 which is the back surface of the solar cell is not connected to the interconnector and the silver electrode 16 as the second connection portion for connecting to the interconnector.
  • the second unconnected parts are arranged alternately.
  • the second non-connection portion is composed of the aluminum electrode 14 between the adjacent silver electrodes 16.
  • the back surface, which is the second main surface of the semiconductor substrate, is the main surface opposite to the light receiving surface, which is the first main surface of the semiconductor substrate.
  • FIG. 22 shows a schematic plan view of a preferred example of an interconnector used in the solar cell with an interconnector of the present invention.
  • the interconnector 31 has a plurality of small cross-sectional area portions 41 whose cross-sectional areas perpendicular to the longitudinal direction are locally small, and a non-small cross-sectional area located between the small cross-sectional area portions 41. Part 61.
  • the non-small cross-sectional area 61 of the interconnector 31 has a larger cross-sectional area perpendicular to the longitudinal direction of the interconnector 31 than the small cross-sectional area 41.
  • FIG. 23 shows a schematic enlarged plan view of the light receiving surface of a preferred example of the solar cell with an interconnector of the present invention.
  • the interconnector 31 shown in FIG. 22 is connected to the first connection portion of the light receiving surface of the solar cell having the light receiving surface shown in FIG. 20 and the back surface shown in FIG. Is formed.
  • the two small cross-sectional area portions 41 of the interconnector 31 are the first non-connecting portions 42 of the first non-connecting portions 42 arranged on the light receiving surface of the solar cell.
  • the non-small cross-sectional area 61 of the interconnector 31 is located at a location corresponding to the connecting portion 42, and the portion corresponding to one first non-connecting portion 42 between the first non-connecting portions 42 at both ends. Is arranged.
  • the small cross-sectional area portion 4 is formed only by disposing the first non-connecting portion 42 at a location corresponding to the small cross-sectional area portion 41.
  • the first non-connecting portion 42 is also arranged at a location corresponding to the non-small cross-sectional area portion 61 between 1. Therefore, in the solar cell with an interconnector of the present invention, the first connection of the solar cell Even if internal stress is generated in the p-type silicon substrate 10 and the interconnector 31 in the cooling process after the heating process in which the part 51 and the interconnector 31 are fixed and connected by soldering or the like, the interconnector 31 is small.
  • the non-small cross-sectional area portion 61 between the small cross-sectional area portions 41 only by the cross-sectional area portion 41 can also relieve the internal stress. Therefore, compared with the solar cell with an interconnector using the interconnector of Patent Document 1. Thus, the warpage of the solar cell caused by the connection of the interconnector can be further reduced.
  • FIG. 24 shows a schematic cross-sectional view of the solar cell with an interconnector of the present invention shown in FIG.
  • the silver electrode 16 as the second connection portion and the first connection portion 51 are arranged at positions symmetrical to each other with respect to the p-type silicon substrate 10 as the semiconductor substrate.
  • the internal stress generated in the solar cells due to the difference in thermal expansion between the solar cells and the interconnector differs between the light receiving surface and the back surface of the solar cells.
  • the solar cell when internal stress is generated in the solar cell due to a difference in thermal expansion between the solar cell and the interconnector, the solar cell as described in Patent Document 1
  • the effect of relaxation by free stretching of the small cross-sectional area not connected to the solar cell can be obtained.
  • the first connection part of the light receiving surface of the solar cell and the second connection part of the back surface are arranged at positions symmetrical to each other with respect to the semiconductor substrate. An equal effect is obtained. Due to these effects, it is possible to further improve the reduction of the warpage of the solar cell caused by the connection of the interconnector.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view of a preferred example of the solar cell string of the present invention.
  • the solar cell string is formed by connecting a plurality of solar cells with an interconnect according to the present invention having the configuration shown in FIGS. That is, in the solar cells with an interconnector of the present invention that are adjacent to each other, The other end force of the interconnector 31 connected to the light receiving surface of the positive battery 60 is connected to the silver electrode 16 as the second connection portion on the back surface of the solar cell 62 with the second interconnector.
  • the solar cell string is configured.
  • the two small cross-sectional areas 41 of the interconnector 31 are the first non-connections at both ends of the first non-connections 42 arranged on the light receiving surface of the solar cell 60 with the first interconnector.
  • the non-small cross-sectional area 61 of the interconnector 31 is located at a location corresponding to one first non-connection portion 42 between the first non-connection portions 42 at both ends. It is arranged.
  • the two small cross-sectional area portions 41 of the interconnector 31 are located at locations corresponding to the second unconnected portions at both ends of the second unconnected portions arranged on the back surface of the solar cell with the second interconnector 62.
  • the non-small cross-sectional area 61 of the interconnector 31 is disposed at a location corresponding to one second non-connecting portion between the second non-connecting portions at both ends.
  • the silver electrode 16 as the second connection portion and the first connection portion 51 are respectively provided. It is preferable that the p-type silicon substrate 10 as the semiconductor substrate is disposed at positions symmetrical to each other from the viewpoint of reducing the warpage of the solar cell constituting the solar cell string.
  • FIG. 26 shows a schematic plan view of the light receiving surface of the solar cell string of the present invention shown in FIG.
  • the small cross-sectional area portion 41 of the interconnector 31 is provided at both ends of the first non-connecting portion 42 disposed on the light receiving surface of the solar cell 60 with the first interconnector.
  • locations corresponding to the first unconnected portions 42 and locations corresponding to the first unconnected portions 42 at both ends of the first unconnected portions 42 arranged on the light receiving surface of the solar cell 62 with the second interconnector Each is arranged.
  • the non-small cross-sectional area 61 of the interconnector 31 is one first non-connector between the first non-connecting parts 42 at both ends disposed on the light receiving surface of the solar cell 60 with the first interconnector.
  • the small cross-sectional area 41 of the interconnector 31 is a solar cell with the first interconnector.
  • the locations corresponding to the second non-connecting portions at both ends and the second non-connecting portion arranged on the back surface of the solar cell with second interconnector 62 It is arrange
  • the solar cell 60 with the interconnector and the interconnector are provided.
  • Each of the light-receiving surface and the back surface of both of the solar cells 62 is connected to the solar cell as described in Patent Document 1, and the effect of relaxation by free stretching of the small area portion 41 is reduced.
  • a relaxation effect can be obtained by free deformation of the non-small cross-sectional area 61 that is not connected to the solar cell.
  • first connection part on the light receiving surface of the solar cell and the second connection part on the back surface are arranged symmetrically with respect to the semiconductor substrate, so that the internal stress is almost equal between the light receiving surface and the back surface of the solar cell. Therefore, further improvement in reducing the warpage of the solar cell caused by the connection of the interconnector can be desired.
  • the solar cell module of the present invention can be obtained by sealing the solar cell string of the present invention with a sealing material such as EVA by a conventionally known method.
  • FIG. 27 shows a schematic plan view of an example of an electrode formed on the light receiving surface of the solar cell of the present invention.
  • the first main surface of the p-type silicon substrate which serves as the light receiving surface of the solar cell of the present invention, is a relatively wide and wide first bus bar electrode 13a extending in the lateral direction of the paper surface.
  • a plurality of narrow linear finger electrodes 13b extending from the first bus bar electrode 13a in the vertical direction of the paper surface.
  • the first bus bar electrode 13a includes a linear first connection part 51 for fixing and connecting to the interconnector, and a first non-connection part 42 that is a space not connected to the interconnector.
  • the connection parts 51 and the first non-connection parts 42 are arranged alternately.
  • the first bus bar electrode 13a has a hollow pattern portion in which the first non-connection portion 42, which is a gap between the adjacent first connection portions 51, is surrounded by the first bus bar electrode 13a. Yes.
  • the width of the first bus bar electrode 13a in the first connection part 51 is continuous with a constant width, but the width of the first non-connection part 42 is equal to the width of the first bus bar electrode 13a in the first connection part 51. Therefore, the width of the first bus bar electrode 13a in the hollow pattern portion is narrower than the width of the first bus bar electrode 13a in the first connection portion 51.
  • the first connecting portion 51 adjacent to the left end of the first main surface of the p-type silicon substrate is installed away from the left end of the first main surface of the p-type silicon substrate. ing.
  • FIG. 28 shows a schematic plan view of an example of the electrodes formed on the back surface of the solar cell shown in FIG.
  • the silver electrode 16 as the second connection portion for connection to the interconnector and the second non-connection portion that is not connected to the interconnector
  • the aluminum electrodes 14 are alternately arranged in the horizontal direction of the drawing.
  • a second bus bar electrode 23 is formed from the silver electrodes 16 as the second connection portions and the aluminum electrodes 14 as the second non-connection portions, which are alternately arranged.
  • the second non-connecting portion 42 is composed of the aluminum electrode 14 between the adjacent silver electrodes 16.
  • the silver electrode 16 as the second connection portion on the second main surface of the p-type silicon substrate is mutually connected with respect to the first connection portion 51 on the first main surface of the p-type silicon substrate and the p-type silicon substrate.
  • the length of the first non-connecting portion 42 located between the adjacent first connecting portions 51 i.e., the shortest distance between the first connecting portions 51 adjacent in the longitudinal direction of the first connecting portion 51) (Distance) is longer.
  • FIG. 29 shows a schematic cross-sectional view of an example of the solar cell string of the present invention in which the solar cells having the light receiving surface side electrode shown in FIG. 27 and the back side electrode shown in FIG. 28 are connected in series.
  • the silver electrode that is the first connection portion 51 of the first solar cell 80 and the second connection portion of the second solar cell 81. 16 and 16 are fixedly connected to an interconnector 31 which is also a conductive member by solder or the like.
  • the first non-connecting portion 42 and the aluminum electrode 14 as the second non-connecting portion of the solar cell are not fixed to the interconnector 31 and are not connected to the interconnector 31.
  • the interconnector 31 is bent at the end of the solar cell (here, the end of the first solar cell 80 and the end of the second solar cell 81). Yes.
  • the description of the n + layer and the p + layer is omitted.
  • FIG. 30 shows a schematic plan view of an example of an interconnector used in the present invention.
  • the interconnector 31 has a small cross-sectional area portion 41 in which the cross-sectional area of the cross-section perpendicular to the longitudinal direction of the interconnector 31 is locally reduced.
  • the interconnector 31 has at least one, preferably all of the locations corresponding to the first unconnected portion 42 shown in FIG. 29 and the location corresponding to the aluminum electrode 14 as the second unconnected portion. It is preferable to connect so that the small cross-sectional area portion 41 is disposed at a place.
  • each of the small cross-sectional areas 41 of the interconnector 31 corresponds to all the hollow pattern portions of the light receiving surface of the solar cell. And it arrange
  • the connection length between the interconnector and the first connection portion of the solar cell can be reduced as compared with the conventional solar cell string.
  • the connection length between the interconnector and the first connection part of the solar cell is reduced, the stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the interconnector and the p-type silicon substrate constituting the solar cell can be reduced. it can.
  • further improvement in reduction of the warpage of the solar cell caused by the connection of the interconnector can be desired.
  • the solar cell module of the present invention can be obtained by sealing the solar cell string of the present invention with a sealing material such as EVA by a conventionally known method.
  • a sealing material such as EVA
  • FIG. 31 shows a schematic cross-sectional view of another example of the solar cell string of the present invention.
  • the length of the first non-connection portion 42 of the light-receiving surface of the solar cell is longer than the length of the aluminum electrode 14 as the second non-connection portion of the back surface of the solar cell.
  • the feature is that it is shorter.
  • Other explanations are the same as the explanation of the solar cell string of the seventh embodiment.
  • connection length between the interconnector and the first connection portion of the solar cell is reduced. It can be desired to further improve the reduction of the warpage of the solar cell caused by the connection of one connector.
  • the solar cell module of the present invention can be obtained by sealing such a solar cell string of the present invention with a sealing material such as EVA by a conventionally known method.
  • Embodiments 1 to 8 above are the same as those in the background art section above, but are not limited to those explanations.
  • a semiconductor substrate other than a p-type silicon substrate may be used, and the p-type and n-type conductivity types described in the background section above may be interchanged.
  • the first connection portion and the second connection portion are not necessarily silver electrodes.
  • the first non-connection portion does not necessarily need to be a gap, and the second non-connection portion does not necessarily need to be an aluminum electrode.
  • a solar cell having the light receiving surface electrode shown in FIG. 1 (a) and the back electrode shown in FIG. 2 was fabricated.
  • the width of this solar cell is 156.5mm, the length is 156.5mm, The total thickness was 120 ⁇ m.
  • the width of the first connection part 51 of the light receiving surface shown in FIG. 1 (a) is 3 mm, the length is about 40 mm, and the first non-connection part 42 which is the gap of the hollow pattern part 42 The width was 4.4 mm and the length was 7 mm. Further, the width of the bus bar electrode 13a surrounding the first non-connecting portion 42 was 600 m. The distance between the two bus bar electrodes 13a was 74 mm. The bus bar electrode 13a and the finger electrode 13b are made of silver.
  • the width of the second connecting portion made of the silver electrode 16 on the back surface shown in FIG. 2 is 4 mm, the length is about 40 mm, and the force of the aluminum electrode 14 located between the second connecting portions is also increased.
  • the width of the second unconnected part was 4 mm and the length was 7 mm.
  • the first connecting portion 51 shown in FIG. 1 (a) and the second connecting portion shown in FIG. 2 are formed at positions symmetrical to each other with respect to the p-type silicon substrate 10, and are shown in FIG. 1 (a).
  • the first non-connection portion 42 and the aluminum electrode 14 as the second non-connection portion shown in FIG. 2 are formed at positions symmetrical to each other with respect to the p-type silicon substrate.
  • the interconnector 31 shown in Fig. 8 is shown in all locations corresponding to the first non-connecting portion 42 shown in Fig. 1 (a) and in Fig. 2 when the interconnector 31 is connected. It was formed so as to have a small cross-sectional area portion 41 having a constriction shown in FIG. 8 at all locations corresponding to the aluminum electrode 14 as the second connection portion. Note that the interconnector 31 shown in FIG. 8 was also formed with copper force, and its thickness was 200 / zm. Further, the width of the interconnector 31 shown in FIG. 8 is 2.5 mm, and the width of the narrowest portion in the small cross-sectional area 41 is 1 mm.
  • the width of this solar cell was 156.5 mm, the length was 156.5 mm, and the total thickness of the solar cell was 120 ⁇ m.
  • the width of the bus bar electrode 13a on the light receiving surface shown in FIG. 37 was 2 mm, and the length was 150 mm.
  • the distance between the two bus bar electrodes 13a was 75 mm.
  • the width of the silver electrode 16 on the back surface shown in FIG. 38 was 4 mm, and the length was 10 mm.
  • the distance between the silver electrodes 16 adjacent to each other in the longitudinal direction of the silver electrode 36 is 15 mm, and the distance between the silver electrodes 16 adjacent to each other in the direction orthogonal to the longitudinal direction of the silver electrode 16 is 73 mm. te tsuta.
  • a solar cell string was formed in the same manner as in Comparative Example 1 except that a strip-shaped interconnector having no small cross-sectional area was used.
  • the first reason why such a result occurs is that, in the solar cell string of Example 1, the first connection portion and the first non-connection portion of the light receiving surface are alternately arranged, so that the interconnector is connected. It is considered that the connection length between the solar cell and the solar cell has been reduced.
  • the second reason is that, in the solar cell string of Example 1, the first connecting portion and the second connecting portion, and the first non-connecting portion and the second non-connecting portion are positioned symmetrically with respect to the semiconductor substrate. Therefore, it is considered that an equal force is applied to the solar cell from the light receiving surface and the back surface of the solar cell. It is.
  • the third reason is that, when the restoring force of the solar cell is generated when the solar cell string is formed, the small cross-sectional area portion, which is relatively weak compared to other parts of the interconnector, is stretched to cause internal stress. It can be mitigated.
  • a solar cell string was formed in the same manner as in Example 1 except that the interconnector 31 having a notch shown in FIG. 7 was used instead of the interconnector 31 having a constriction shown in FIG. By connecting the solar cell strings formed in this way in series, 48 solar cell strings having a power of 48 solar cells were formed.
  • a solar cell string having 48 solar cell powers was formed in the same manner as in Example 2 except that a solar cell having the same configuration as Comparative Example 1 was used.
  • a solar cell string with 96 solar cell powers was formed.
  • a solar cell having the light receiving surface electrode shown in FIG. 27 and the back electrode shown in FIG. 28 was fabricated.
  • the width of this solar cell was 156.5 mm, the length was 156.5 mm, and the total thickness of the solar cell was 120 ⁇ m.
  • the width of the first connection part 51 of the light receiving surface shown in FIG. 27 is 3 mm, the length is about 40 mm, and the width of the first non-connection part 42 that is the gap of the hollow pattern part is 4. It was 4mm and the length was 9mm.
  • the width of the first bus bar electrode 13a surrounding the first non-connecting portion 42 was 600 m.
  • the distance between the two first bus bar electrodes 13a was 74 mm.
  • the first bus bar electrode 13a and the finger electrode 13b are made of silver.
  • the width of the second connection portion which also has 16 forces on the back surface of the silver electrode shown in FIG. 28, is 4 mm, the length is about 40 mm, and the force of the aluminum electrode 14 located between the second connection portions is also about 14 mm.
  • the width of the second unconnected part was 4 mm and the length was 7 mm.
  • the first connecting portion 51 shown in FIG. 27 and the aluminum electrode as the second connecting portion shown in FIG. 28 are formed at positions that are substantially symmetrical with respect to the p-type silicon substrate. Further, the length of the first non-connection portion 42 is formed longer than the length of the second non-connection portion.
  • the solar cell string of Example 1 was formed by connecting to the interconnector 31 shown in FIG.
  • the interconnector 31 is bent at the end of the first solar cell 80 and the end of the second solar cell 81.
  • the interconnector 31 was also formed with copper, and its thickness was 200 / zm.
  • the width of the interconnector 31 was 2.5 mm.
  • Example 4 A solar cell string was produced in the same manner as in Example 3 except that the solar cell string having the configuration shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 32 was formed. In the production of the solar cell string, the occurrence rate of cracks and cracks generated in the solar cell when the interconnector was connected was counted.
  • the length of the first non-connecting portion 42 and the aluminum electrode 14 as the second non-connecting portion Both lengths are equal at 7mm.
  • the interconnector 31 having the same shape as that of Example 3 is used. As in Example 3, each of the small cross-sectional areas 41 of the interconnector 31 is formed on the light receiving surface of the solar cell. Arranged at all locations corresponding to the first non-connection portion 42 which is the void of the hollow pattern portion and at all locations corresponding to the aluminum electrode 14 as the second non-connection portion.
  • the stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the interconnector and the solar cell is relieved, and as a result, the warpage generated in the solar cell constituting the solar cell string is reduced and the interconnect is reduced.
  • the reliability of the connection between the connector and the solar cell is also improved.
  • the solar cell module can be also reduced in the sealing step for the production of the solar cell module, so that the yield and productivity of the solar cell module are improved.

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Abstract

　半導体基板の第１主面上に、バスバー電極（１３ａ）と、バスバー電極（１３ａ）から伸びる複数の線状のフィンガー電極（１３ｂ）と、が備えられており、バスバー電極（１３ａ）は、インターコネクタに接続するための第１接続部（５１）と、インターコネクタに接続されない第１非接続部（４２）と、を含み、第１接続部（５１）と第１非接続部（４２）とが交互に配列されている太陽電池である。また、その太陽電池を用いたインターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールである。

Description

明 細 書
太陽電池、インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽 電池モジュール
技術分野
[0001] 本発明は、太陽電池、インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太 陽電池モジュールに関する。
背景技術
[0002] 太陽光エネルギを電気工ネルギに変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問 題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池と しては、化合物半導体を用いたものまたは有機材料を用いたものなど様々な種類が あるが、現在、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。
[0003] 図 34に、従来の太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。ここで、太陽電池にお いては、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン力もなる p型シリコン基板 10の受光面に n+層 11が形成されることによって、 p型シリコン基板 10と n+層 11とにより pn接合が形 成されており、 p型シリコン基板 10の受光面上には反射防止膜 12および銀電極 13 がそれぞれ形成されている。また、 p型シリコン基板 10の受光面と反対側の裏面には P+層 15が形成されている。そして、 p型シリコン基板 10の裏面上にはアルミニウム電 極 14および銀電極 16がそれぞれ形成されている。
[0004] 図 35 (a)〜 (i)に、従来の太陽電池の製造方法の一例を示す。まず、図 35 (a)に示 すように、 p型シリコン結晶の原料を坩堝で溶解した後に再結晶化して得られたシリコ ンインゴッド 17をシリコンブロック 18に切断する。次に、図 35 (b)に示すように、シリコ ンブロック 18をワイヤソ一で切断することにより、 p型シリコン基板 10が得られる。
[0005] 次いで、アルカリまたは酸によって p型シリコン基板 10の表面をエッチングすること によって、図 35 (c)に示す p型シリコン基板 10のスライス時のダメージ層 19を除去す る。このとき、エッチング条件を調整すると、 p型シリコン基板 10の表面に微小な凹凸 (図示せず)を形成することができる。この凹凸により、 p型シリコン基板 10の表面に入 射する太陽光の反射が低減されて、太陽電池の変換効率を高めることができる。 [0006] 続、て、図 35 (d)に示すように、 p型シリコン基板 10の一方の主面（以下、「第 1主 面」という）上にリンを含む化合物を含有したドーパント液 20を塗布する。そして、ドー パント液 20の塗布後の p型シリコン基板 10を 800°C〜950°Cの温度で 5〜30分間熱 処理することにより p型シリコン基板 10の第 1主面に n型ドーパントであるリンが拡散し て、図 35 (e)に示すように、 p型シリコン基板 10の第 1主面に n+層 11が形成される。 なお、 n+層 11の形成方法としては、ドーパント液を塗布する方法以外にも、 P Oや P
2 5
OC1を用いた気相拡散による方法がある。
3
[0007] 次いで、リンの拡散時に p型シリコン基板 10の第 1主面に形成されるガラス層を酸 処理により除去した後、図 35 (f)に示すように、 p型シリコン基板 10の第 1主面上に反 射防止膜 12を形成する。反射防止膜 12の形成方法としては、常圧 CVD法を用いて 酸ィ匕チタン膜を形成する方法やプラズマ CVD法を用いて窒化シリコン膜を形成する 方法などが知られている。また、ドーパント液を塗布する方法によりリンを拡散する場 合には、リンに加えて反射防止膜 12の材料も含ませたドーパント液を用いることによ つて、 n+層 11と反射防止膜 12とを同時に形成することもできる。また、反射防止膜 1 2の形成は、銀電極の形成後に行なう場合もある。
[0008] そして、図 35 (g)に示すように、 p型シリコン基板 10の他方の主面（以下、「第 2主面 」という）上にアルミニウム電極 14を形成するとともに p型シリコン基板 10の第 2主面に P+層 15を形成する。アルミニウム電極 14および p+層 15は、たとえば、アルミニウム粉 末、ガラスフリット、榭脂および有機溶剤力 なるアルミニウムペーストをスクリーン印 刷などにより p型シリコン基板 10の第 2主面に印刷した後に、 p型シリコン基板 10を熱 処理することによって、アルミニウムが溶融してシリコンと合金化することにより形成さ れたアルミニウム—シリコン合金層下に P+層 15が形成されるとともに、 p型シリコン基 板 10の第 2主面上にアルミニウム電極 14が形成される。また、 p型シリコン基板 10と p +層 15のドーパント濃度差が、 p型シリコン基板 10と p+層 15の界面に電位差 (電位障 壁として働く）をもたらし、光生成されたキャリアが p型シリコン基板 10の第 2主面付近 で再結合するのを防いでいる。これにより、太陽電池の短絡電流（Isc : short circuit current)および開放電 ji (Voc : open circuit voltageリカ共に |口」上する。
[0009] その後、図 35 (h)に示すように、 p型シリコン基板 10の第 2主面上に銀電極 16を形 成する。銀電極 16は、たとえば、銀粉末、ガラスフリット、榭脂および有機溶剤力もな る銀ペーストをスクリーン印刷などにより印刷した後に、 p型シリコン基板 10を熱処理 すること〖こよって得ることができる。
[0010] そして、図 35 (i)に示すように、 p型シリコン基板 10の第 1主面上に銀電極 13を形 成する。銀電極 13は、 p型シリコン基板 10との接触抵抗を含む直列抵抗を低く抑え るとともに銀電極 13の形成面積を少なくして太陽光の入射量を減少させないようにす るため、銀電極 13の線幅、ピッチおよび厚さなどのパターン設計が重要である。銀電 極 13の形成方法としては、たとえば、反射防止膜 12の表面上に銀粉末、ガラスフリツ ト、榭脂および有機溶剤からなる銀ペーストをスクリーン印刷などにより印刷した後に 、 p型シリコン基板 10を熱処理することによって、銀ペーストが反射防止膜 12を貫通 して p型シリコン基板 10の第 1主面と良好な電気的接触が可能なファイアスルー方式 が量産ラインで用いられて 、る。
[0011] 以上のようにして、図 34に示す構成の太陽電池を製造することができる。なお、銀 電極 13および銀電極 16の形成後の p型シリコン基板 10を溶融半田槽に浸漬するこ とによって銀電極 13および銀電極 16の表面に半田をコーティングすることもできる。 この半田のコーティングは、プロセスによっては省略される場合もある。また、上記の ようにして製造された太陽電池にソーラシミュレータを用いて擬似太陽光を照射し、 太陽電池の電流—電圧 (IV)特性を測定して IV特性を検査することもできる。
[0012] 太陽電池は、その複数が直列に接続されて太陽電池ストリングとされた後、太陽電 池ストリングを封止材によって封止して太陽電池モジュールとして販売および使用さ れることが多い。
[0013] 図 36 (a)〜（e)に、従来の太陽電池モジュールの製造方法の一例を示す。まず、 図 36 (a)に示すように、太陽電池 30の第 1主面の銀電極上に導電性部材であるイン ターコネクタ 31を接続して、インターコネクタ付き太陽電池 30を作製する。
[0014] 次に、図 36 (b)に示すように、インターコネクタ 31が接続されたインターコネクタ付 き太陽電池 30を一列に配列し、太陽電池 30の第 1主面の銀電極に接続されている インターコネクタ 31の他端を他の太陽電池 30の第 2主面の銀電極に接続して、太陽 電池ストリング 34を作製する。 [0015] 次 、で、図 36 (c)に示すように、太陽電池ストリング 34を並べて、太陽電池ストリン グ 34の両端力も突出しているインターコネクタ 31と、他の太陽電池ストリング 34の両 端力も突出しているインターコネクタ 31とを導電性部材である配線材 33を用いて直 列に接続することによって、太陽電池ストリング 34同士を互いに接続する。
[0016] 続、て、図 36 (d)に示すように、接続された太陽電池ストリング 34を封止材としての EVA (エチレンビュルアセテート）フィルム 36で挟み込み、その後、ガラス板 35とバッ クフィルム 37との間に挟む。そして、 EVAフィルム 36間に入った気泡を減圧して抜き 、加熱すると、 EVAフィルム 36が硬化して、太陽電池ストリングが EVA中に封止され る。これにより、太陽電池モジュールが作製される。
[0017] その後、図 36 (e)に示すように、太陽電池モジュールは、アルミニウム枠 40内に配 置され、ケーブル 39を備えた端子ボックス 38が太陽電池モジュールに取り付けられ る。そして、上記のようにして製造された太陽電池モジュールにソーラシミュレータを 用いて擬似太陽光を照射し、太陽電池の電流 電圧 (IV)特性を測定して IV特性が 検査される。
[0018] 図 37に、図 34に示す太陽電池の受光面に形成されている電極の模式的な平面図 を示す。ここで、太陽電池の受光面となる p型シリコン基板 10の第 1主面には銀電極 13が形成されており、銀電極 13は、比較的幅の大きい 1本の線状のバスバー電極 1 3aと、バスバー電極 13aから伸びる複数の比較的幅の小さい線状のフィンガー電極 13bと、力 構成されている。
[0019] 図 38に、図 34に示す太陽電池の裏面に形成されている電極の模式的な平面図を 示す。ここで、太陽電池の裏面となる p型シリコン基板 10の第 2主面のほぼ全面にァ ルミ-ゥム電極 14が形成されており、銀電極 16は p型シリコン基板 10の第 2主面の 一部のみに形成されている。これは、アルミニウム電極 14に半田をコーティングをす ることは困難であるため、半田をコーティングすることが可能な銀電極 16が必要とな ることがあるためである。
[0020] 図 39に、図 34に示す構成の太陽電池を直列に接続した太陽電池ストリングの模式 的な断面図を示す。ここで、太陽電池の受光面のバスバー電極 13aに半田などによ つて固定されたインターコネクタ 31は、隣接する他の太陽電池の裏面の銀電極 16に 半田などによって固定されている。なお、図 39においては、 n+層と p+層の記載は省 略されている。
特許文献 1 :特開 2005— 142282号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0021] 太陽光発電システムが急速に普及するにつれ、太陽電池の製造コストの低減は必 要不可欠となっている。太陽電池の製造コストの低減において、半導体基板であるシ リコン基板の大型化および薄型化は非常に有効な手段である。しかしながら、シリコ ン基板の大型化および薄型化に伴い、インターコネクタ付き太陽電池または太陽電 池ストリングを形成する際、太陽電池の電極 (バスバー電極、銀電極）と銅カゝらなるィ ンターコネクタとを半田などによって固定して接続する加熱工程後の冷却工程にお いて、太陽電池のシリコン基板とインターコネクタとの熱膨張係数差 (シリコンの熱膨 張係数 3. 5 X 10— 6ZKに対し、銅は 17. 6 X 10— 6ΖΚであり 5倍程度の差がある）によ り、シリコン基板とインターコネクタとの間に大きな内部応力が発生し、太陽電池が大 きく反ると ヽぅ問題が生じて!/ヽた。
[0022] これは、上記の加熱工程において太陽電池の電極とインターコネクタとを固定した 後、加熱状態にあった太陽電池の電極とインターコネクタを室温まで冷却すると、ィ ンターコネクタが太陽電池よりも大きく収縮するため、太陽電池に凹状の反りが発生 する。太陽電池に生じた反りは、自動化された太陽電池モジュールの作製ラインの搬 送系において搬送エラーや太陽電池の割れを引き起こす原因となる。また、太陽電 池に反りが生じている場合には、太陽電池モジュールの作製のための封止材による 封止工程において太陽電池ストリングを構成する各太陽電池に局部的に強い力が 加わり、太陽電池に割れが生じる原因となる。
[0023] たとえば、特開 2005— 142282号公報 (特許文献 1)には、隣接する太陽電池を接 続するインターコネクタに断面積が局部的に縮小された小断面積部を設ける方法が 開示されている。上述したように、上記の加熱工程により加熱状態にあったインターコ ネクタおよび太陽電池は室温まで冷却する際に太陽電池に凹状の反りが発生する。 その際、太陽電池には元の形状に戻ろうとする力（復元力）が発生し、この復元力は インターコネクタに対して引張り応力を加える。特許文献 1に開示された方法によれ ば、インターコネクタに引張り応力が加えられたときに他の部分と比べて比較的強度 の弱い小断面積部が延伸して、太陽電池の反りが低減されるが、さらなる改善が望ま れる。
[0024] そこで、本発明の目的は、インターコネクタの接続後に生じる太陽電池の反りを低 減することができる太陽電池、ならびに、その太陽電池を用いたインターコネクタ付き 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールを提供することにある。 課題を解決するための手段
[0025] 本発明は、半導体基板の第 1主面上に、バスバー電極と、バスバー電極力 伸びる 複数の線状のフィンガー電極と、が備えられており、バスバー電極は、インターコネク タに接続するための第 1接続部と、インターコネクタに接続されない第 1非接続部と、 を含み、第 1接続部と第 1非接続部とが交互に配列されている太陽電池である。
[0026] ここで、本発明の太陽電池においては、半導体基板の第 1主面と反対側の第 2主 面上に、インターコネクタに接続するための第 2接続部と、インターコネクタに接続さ れな 、第 2非接続部と、が交互に配列されて!、てもよ!/、。
[0027] また、本発明の太陽電池においては、第 1接続部および第 2接続部はそれぞれ半 導体基板に関して互いに対称となる位置に配置されて 、ることが好ま 、。
[0028] また、本発明の太陽電池においては、隣接する第 1接続部の間に位置する第 1非 接続部の長さが隣接する第 2接続部の間に位置する第 2非接続部の長さよりも長い、 または、隣接する第 2接続部の間に位置する第 2非接続部の長さが隣接する第 1接 続部の間に位置する第 1非接続部の長さよりも長いことが好ましい。なお、本発明に おいて、「長さ」とは、第 1接続部と第 1非接続部とが交互に配列されている方向の長 さのことをいう。
[0029] また、本発明の太陽電池においては、第 1接続部が線状に形成されていてもよい。
また、本発明の太陽電池においては、バスバー電極は、第 1非接続部を含む中空 パターン部を有して 、てもよ 、。
[0030] また、本発明の太陽電池においては、中空パターン部におけるバスバー電極の幅 は、第 1接続部におけるバスバー電極の幅よりも狭くなつていてもよい。 [0031] また、本発明の太陽電池においては、バスバー電極は中空パターン部を複数有し ており、互いに隣接する中空パターン部の間隔が等間隔であることが好ましい。
[0032] また、本発明の太陽電池においては、第 1主面の端部と第 1主面の端部に隣接す る中空パターン部との間隔のうち少なくとも 1つの間隔力 互いに隣接する中空パタ ーン部の間隔よりも狭くなつていてもよい。
[0033] また、本発明の太陽電池において、第 1主面の端部に隣接する第 1接続部の少なく とも 1つが、第 1主面の端部力も離れて設置されていてもよい。
[0034] また、本発明は、上記の太陽電池の第 1接続部にインターコネクタが接続されたィ ンターコネクタ付き太陽電池である。
[0035] ここで、本発明のインターコネクタ付き太陽電池において、インターコネクタは、その 長手方向に垂直な断面の断面積が局所的に小さくなつている小断面積部を有して おり、小断面積部が第 1非接続部に配置されていることが好ましい。
[0036] また、本発明のインターコネクタ付き太陽電池において、インターコネクタは、複数 の小断面積部と、小断面積部の間に位置する非小断面積部と、を有しており、非小 断面積部が第 1非接続部に配置されて 、てもよ 、。
[0037] また、本発明のインターコネクタ付き太陽電池においては、半導体基板の第 1主面 と反対側の第 2主面上に、インターコネクタに接続するための第 2接続部と、インター コネクタに接続されない第 2非接続部と、が交互に配列されていてもよい。
[0038] また、本発明は、半導体基板の第 1主面上に交互に配列されたインターコネクタに 接続するための第 1接続部とインターコネクタに接続されない第 1非接続部とを備え たバスバー電極と、バスバー電極から伸びる複数の線状のフィンガー電極と、半導体 基板の第 1主面と反対側の第 2主面上に交互に配列されたインターコネクタに接続 するための第 2接続部とインターコネクタに接続されない第 2非接続部とを含む太陽 電池の複数が接続されており、互いに隣接する太陽電池において、第 1の太陽電池 の第 1接続部と第 2の太陽電池の第 2接続部とがインターコネクタに接続されている 太陽電池ストリングである。
[0039] ここで、本発明の太陽電池ストリングにおいて、インターコネクタは、第 1の太陽電池 の端部および第 2の太陽電池の端部にお 、て屈曲して 、てもよ 、。 [0040] また、本発明の太陽電池ストリングにおいて、インターコネクタは、その長手方向に 垂直な断面の断面積が局所的に小さくなつている小断面積部を有しており、第 1の太 陽電池の第 1非接続部に対応する箇所および第 2の太陽電池の第 2非接続部に対 応する箇所の少なくとも 1箇所に、小断面積部が配置されていることが好ましい。
[0041] また、本発明の太陽電池ストリングにおいて、インターコネクタは、その長手方向に 垂直な断面の断面積が局所的に小さくなつている小断面積部を有しており、第 1の太 陽電池の第 1非接続部に対応する箇所および第 2の太陽電池の第 2非接続部に対 応する箇所のすべての箇所に、小断面積部が配置されて 、ることが好ま 、。
[0042] また、本発明は、半導体基板の第 1主面上に交互に配列されたインターコネクタに 接続するための第 1接続部とインターコネクタに接続されない第 1非接続部を有する 中空パターン部とを備えたバスバー電極と、バスバー電極力 伸びる複数の線状の フィンガー電極と、半導体基板の第 1主面と反対側の第 2主面上に交互に配列され たインターコネクタに接続するための第 2接続部とインターコネクタに接続されない第 2非接続部とを含む太陽電池の複数が接続されており、互いに隣接する太陽電池に おいて、第 1の太陽電池の第 1接続部と第 2の太陽電池の第 2接続部とがインターコ ネクタに接続されている太陽電池ストリングである。
[0043] ここで、本発明の太陽電池ストリングにおいて、インターコネクタは、その長手方向 に垂直な断面の断面積が局所的に小さくなつている小断面積部を有しており、第 1の 太陽電池の中空パターン部に対応する箇所および第 2の太陽電池の第 2非接続部 に対応する箇所の少なくとも 1箇所に、小断面積部が配置されていることが好ましい。
[0044] また、本発明の太陽電池ストリングにおいて、インターコネクタは、その長手方向に 垂直な断面の断面積が局所的に小さくなつている小断面積部を有しており、第 1の太 陽電池の中空パターン部に対応する箇所および第 2の太陽電池の第 2非接続部に 対応する箇所のすべての箇所に、小断面積部が配置されて 、ることが好ま 、。
[0045] さらに、本発明は、上記のいずれかの太陽電池ストリングが封止材によって封止さ れてなる太陽電池モジュールである。
発明の効果
[0046] 本発明によれば、インターコネクタの接続により生じる反りを低減することができる太 陽電池、インターコネクタ付き太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュ ールを提供することができる。
図面の簡単な説明
[図 1] (a)は本発明の太陽電池の受光面に形成されている電極の一例の模式的な平 面図であり、 (b)は (a)に示す第 1非接続部近傍の模式的な拡大平面図である。
[図 2]本発明の太陽電池の裏面に形成されている電極の一例の模式的な平面図で ある。
[図 3]図 1 (a)に示す受光面側の電極および図 2に示す裏面側の電極を有する太陽 電池を直列に接続した太陽電池ストリングの一例の模式的な断面図である。
[図 4]図 3に示す太陽電池ストリングを受光面側力 見たときの模式的な拡大平面図 である。
[図 5]本発明の太陽電池ストリングの一例を太陽電池の受光面側力 見たときの模式 的な平面図である。
[図 6]図 5に示す太陽電池ストリングの模式的な断面図である。
[図 7]本発明に用いられるインターコネクタの一例を接続した状態の模式的な拡大平 面図である。
[図 8]本発明に用いられるインターコネクタの他の一例を接続した状態の模式的な拡 大平面図である。
[図 9]本発明に用いられるインターコネクタの一例の模式的な平面図である。
[図 10] (a)は本発明に用いられるインターコネクタの他の一例の模式的な平面図であ り、（b)は（a)に示すインターコネクタの模式的な側面図であり、（c)は (a)に示すイン ターコネクタの模式的な正面図である。
[図 11] (a)は本発明に用いられるインターコネクタの他の一例の模式的な平面図であ り、（b)は（a)に示すインターコネクタの模式的な側面図であり、（c)は (a)に示すイン ターコネクタの模式的な正面図である。
[図 12] (a)は本発明に用いられるインターコネクタの他の一例の模式的な平面図であ り、（b)は（a)に示すインターコネクタの模式的な側面図であり、（c)は (a)に示すイン ターコネクタの模式的な正面図である。 [図 13]図 9に示すインターコネクタを用いて構成された太陽電池ストリングの一例の模 式的な断面図である。
[図 14]図 13に示す太陽電池ストリングを太陽電池の受光面側力 見たときの模式的 な拡大平面図である。
[図 15]本発明に用いられるインターコネクタの一例の模式的な平面図である。
[図 16]図 15に示すインターコネクタを用 V、て太陽電池ストリングを形成するのに用 ヽ られる太陽電池の受光面に形成されている電極の一例の模式的な平面図である。
[図 17]図 15に示すインターコネクタを用 V、て太陽電池ストリングを形成するのに用 ヽ られる太陽電池の裏面に形成されている電極の一例の模式的な平面図である。
[図 18]図 16に示す受光面側の電極および図 17に示す裏面側の電極を有する太陽 電池を図 15に示すインターコネクタを用 、て直列に接続した太陽電池ストリングの一 例の模式的な断面図である。
[図 19]図 18に示す太陽電池ストリングを太陽電池の受光面力 見たときの模式的な 拡大平面図である。
[図 20]本発明のインターコネクタ付き太陽電池に用いられる太陽電池の受光面に形 成されて!/、る電極の一例の模式的な平面図である。
[図 21]本発明のインターコネクタ付き太陽電池に用いられる太陽電池の裏面に形成 されて 、る電極の一例の模式的な平面図である。
[図 22]本発明のインターコネクタ付き太陽電池に用いられるインターコネクタの好まし Vヽ一例の模式的な平面図である。
[図 23]本発明のインターコネクタ付き太陽電池の好ましい一例の受光面の模式的な 拡大平面図である。
圆 24]図 23に示す本発明のインターコネクタ付き太陽電池の模式的な断面図である
[図 25]本発明の太陽電池ストリングの好ましい一例の模式的な断面図である。
圆 26]図 25に示す本発明の太陽電池ストリングの受光面の模式的な拡大平面図で ある。
[図 27]本発明の太陽電池の受光面に形成されている電極の一例の模式的な平面図 である。
[図 28]本発明の太陽電池の裏面に形成されている電極の一例の模式的な平面図で ある。
[図 29]図 27に示す受光面側の電極および図 28に示す裏面側の電極を有する太陽 電池をインターコネクタを用いて直列に接続した太陽電池ストリングの一例の模式的 な断面図である。
[図 30]本発明に用いられるインターコネクタの一例の模式的な平面図である。
[図 31]本発明の太陽電池ストリングの他の一例の模式的な断面図である。
[図 32]本発明の太陽電池ストリングの他の一例の模式的な断面図である。
[図 33]図 32に示す太陽電池ストリングの模式的な拡大断面図である。
[図 34]従来の太陽電池の一例の模式的な断面図である。
[図 35] (a)〜 (i)は、従来の太陽電池の製造方法の一例を示す模式図である。
[図 36] (a)〜（e)は、従来の太陽電池モジュールの製造方法の一例を示す模式図で ある。
[図 37]図 34に示す太陽電池の受光面に形成されている銀電極のパターンを示す図 である。
[図 38]図 34に示す太陽電池の裏面に形成されている電極の模式的な平面図である
[図 39]図 34に示す構成の太陽電池を直列に接続した太陽電池ストリングの模式的な 断面図である。
符号の説明
10 p型シリコン基板、 11 n+層、 12 反射防止膜、 13, 16 銀電極、 1
3a バスバー電極、 13b フィンガー電極、 14 アルミニウム電極、 15 p+層 、 17 シリコンインゴッド、 18 シリコンブロック、 19 ダメージ層、 20 ドーパント液、 2 3 第 2バスバー電極、 30 太陽電池、 31 インターコネクタ、 33 配線材、 34 太陽 電池ストリング、 35 ガラス板、 36 EVAフィルム、 37 バックフィルム、 38 端子ボッ タス、 39 ケーブル、 40 アルミニウム枠、 41 小断面積部、 42 第 1非接続部、 51 第 1接続部、 60 第 1のインターコネクタ付き太陽電池、 62 第 2のインターコネクタ 付き太陽電池、 80 第 1の太陽電池、 81 第 2の太陽電池。
発明を実施するための最良の形態
[0049] 以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明において、同一の参 照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
[0050] (実施の形態 1)
図 1 (a)に本発明の太陽電池の受光面に形成されている電極の一例の模式的な平 面図を示す。図 1 (a)に示すように、本発明の太陽電池の受光面としての p型シリコン 基板の第 1主面には、紙面の横方向に伸びる比較的幅の広!、線状のバスバー電極 13aと、バスバー電極 13aから紙面の縦方向に伸びる複数の比較的幅の狭い線状の フィンガー電極 13bと、が備えられている。
[0051] ここで、バスバー電極 13aは、インターコネクタに固定して接続するための線状の第 1接続部 51と、インターコネクタに接続されない空隙である第 1非接続部 42とを含ん でおり、第 1接続部 51と第 1非接続部 42とは、交互に配列されている。具体的には、 図 1 (a)に示す 1本のバスバー電極 13aは、 3つの第 1接続部 51を有しており、隣接 する第 1接続部 51の間にそれぞれ第 1非接続部 42が配置されている。
[0052] 図 1 (b)に、図 1 (a)に示す第 1非接続部 42の近傍の模式的な拡大平面図を示す。
バスバー電極 13aは、空隙である第 1非接続部 42がバスバー電極 13aによってその 周縁を取り囲まれた中空パターン部 (空隙である第 1非接続部 42と、第 1非接続部 4 2を取り囲むバスバー電極 13aの一部（図 1 (b)の斜線部）と、から構成される部分)を 有して 、る。第 1接続部 51におけるバスバー電極 13aの幅は一定の幅で連続して!/ヽ る力 第 1非接続部 42の空隙の幅が第 1接続部 51におけるバスバー電極 13aの幅よ りも広くなるように形成されているため、中空パターン部におけるノ スバー電極 13aの 幅 tは、第 1接続部 51におけるバスバー電極 13aの幅 Tよりも狭くなつている。
[0053] また、バスバー電極 13aが上記の中空パターン部を複数有している場合には、互い に隣接する中空パターン部の間隔は等間隔となっていることが好ましい。ここで、互 いに隣接する中空パターン部の間隔とは、たとえば図 1 (a)に示すように、互いに隣 接する中空パターン部の第 1非接続部 42の端部間の最短距離 Dのことである。また 、等間隔とは、互いに隣接する中空パターン部のすべての間隔のうち最大の間隔と 最小の間隔との差の絶対値が 0. 5mm以下であることをいう。
[0054] また、 p型シリコン基板の第 1主面の端部と p型シリコン基板の第 1主面の端部に隣 接する中空パターン部との間隔のうち少なくとも一方の間隔力 S、互いに隣接する中空 ノターン部の間隔よりも狭くなつていることが好ましい。ここで、端部とは、第 1接続部 と第 1非接続部とが交互に配列されている方向の端部のことである。また、 p型シリコ ン基板の第 1主面の端部と P型シリコン基板の第 1主面の端部に隣接する中空パター ン部との間隔とは、 p型シリコン基板の第 1主面の端部と、それに隣接する中空パター ン部の第 1非接続部 42の端部との最短距離のことである。
[0055] また、 p型シリコン基板の第 1主面の端部に隣接する第 1接続部 51は、 p型シリコン 基板の第 1主面の端部から離れて設置されてもよい。
[0056] 図 2に、本発明の太陽電池の裏面に形成されている電極の一例の模式的な平面図 を示す。図 2に示すように、本発明の太陽電池の裏面としての p型シリコン基板の第 2 主面には、インターコネクタに接続するための第 2接続部としての銀電極 16と、インタ 一コネクタに接続されない第 2非接続部としてのアルミニウム電極 14と力 交互に配 列されている。ここで、第 2非接続部は、隣接する銀電極 16の間のアルミニウム電極 14からなる。
[0057] 図 3に、図 1 (a)に示す受光面側の電極および図 2に示す裏面側の電極を有する太 陽電池を直列に接続した本発明の太陽電池ストリングの一例の模式的な断面図を示 し、図 4に、図 3に示す太陽電池ストリングを受光面側力 見たときの模式的な拡大平 面図を示す。ここで、互いに隣接する第 1の太陽電池 80と第 2の太陽電池 81におい て、第 1の太陽電池 80の第 1接続部 51および第 2の太陽電池 81の第 2接続部であ る銀電極 16がそれぞれ半田等により 1本の導電性部材カもなる同じインターコネクタ 31に固定されて接続されている。また、太陽電池の第 1非接続部 42および第 2非接 続部となるアルミニウム電極 14はそれぞれインターコネクタ 31に固定されておらず、 インターコネクタ 31に接続されていない。なお、インターコネクタ 31は、太陽電池の 端部（ここでは、第 1の太陽電池 80の端部および第 2の太陽電池 81の端部）におい て屈曲している。また、図 3においては、 n+層と p+層の記載は省略されている。また、 第 2接続部としての銀電極 16は、 p型シリコン基板の第 1主面上の第 1接続部 51と p 型シリコン基板 10に関して互いに対称となる位置に形成されている。また、本発明に おいて、インターコネクタとしては、たとえば導電性の部材を用いることができる。
[0058] このような構成の本発明の太陽電池ストリングにおいては、従来の太陽電池ストリン グと比べて、インターコネクタと太陽電池の第 1接続部との接続長さを低減することが できる。このようにインターコネクタと太陽電池の第 1接続部との接続長さを低減した 場合には、インターコネクタと太陽電池を構成する p型シリコン基板との熱膨張係数 差による応力を低減することができる。さらに、インターコネクタと太陽電池との接続部 が太陽電池の受光面および裏面でそれぞれ P型シリコン基板に関して対称な位置と なるため、インターコネクタと太陽電池の P型シリコン基板との熱膨張係数差に起因し て発生する応力が、太陽電池の受光面と裏面とでほぼ等しくなる。これにより、本発 明の太陽電池ストリングにおいては、太陽電池の受光面および裏面のそれぞれから 等しい力が太陽電池に働くことになる。これらの効果によって、太陽電池ストリングを 構成する太陽電池にお 、て、インターコネクタの接続により生じる太陽電池の反りを 低減することができる。
[0059] このような本発明の太陽電池ストリングを従来力 公知の方法により EVAなどの封 止材で封止することによって、本発明の太陽電池モジュールを得ることができる。
[0060] (実施の形態 2)
図 5に本発明の太陽電池ストリングの一例を太陽電池の受光面側力 見たときの模 式的な平面図を示す。ここで、太陽電池の受光面となる p型シリコン基板 10の第 1主 面上に、島状の第 1接続部 51および互いに隣接する第 1接続部 51の間の空隙であ る第 1非接続部 42を有するバスバー電極 13aと、バスバー電極 13aから放射状に伸 びる複数の幅の狭 、線状のフィンガー電極 13bと、が備えられて 、る。
[0061] そして、図 6の模式的断面図に示すように、互いに隣接する第 1の太陽電池 80と第 2の太陽電池 81において、第 1の太陽電池 80の第 1接続部 51と第 2の太陽電池 81 の第 2接続部である銀電極 16とがそれぞれ半田等により 1本の導電性部材カもなる 同じインターコネクタ 31に固定されて接続されて 、る。
[0062] ここで、第 1接続部 51を島状とすることによって、インターコネクタと太陽電池との接 続長さをより低減できることから、インターコネクタと太陽電池を構成する P型シリコン 基板 10との熱膨張係数差による応力をさらに低減することができる傾向にある。また 、図 6に示すように、第 2接続部としての銀電極 16は、 p型シリコン基板 10の第 1主面 上の第 1接続部 51と p型シリコン基板 10に関して互いに対称となる位置に形成され て!、ることから、インターコネクタと太陽電池の p型シリコン基板 10との熱膨張係数差 に起因して発生する応力が太陽電池の受光面と裏面とでほぼ等しくなり、太陽電池 の受光面および裏面のそれぞれから等しい力が太陽電池に働くことになる。これらの 効果によって、太陽電池ストリングを構成する太陽電池において、インターコネクタの 接続により生じる太陽電池の反りを低減することができる。また、インターコネクタ 31 は、太陽電池の端部（ここでは、第 1の太陽電池 80の端部および第 2の太陽電池 81 の端部）において屈曲している。なお、図 6においては、 n+層と p+層の記載は省略さ れている。
[0063] このような本発明の太陽電池ストリングを従来力 公知の方法により EVAなどの封 止材で封止することによって、本発明の太陽電池モジュールを得ることができる。
[0064] (実施の形態 3)
図 7に、本発明に用いられるインターコネクタの一例を接続した状態の模式的な拡 大平面図を示す。図 7に示すインターコネクタ 31の断面積が局所的に小さくなつてい る小断面積部 41は、第 1非接続部 42に対応する箇所に配置されている。ここで、ィ ンターコネクタ 31の小断面積部 41は、インターコネクタ 31の一部に形成された切れ 込みにより構成されている。なお、本発明において、インターコネクタの断面積とは、 インターコネクタの長手方向に直交する断面の面積のことを 、う。
[0065] 図 8に、本発明に用いられるインターコネクタの他の一例を接続した状態の模式的 な拡大平面図を示す。図 8に示すインターコネクタ 31の断面積が局所的に小さくなつ ている小断面積部 41は、第 1非接続部 42に対応する箇所に配置されている。ここで 、インターコネクタ 31の小断面積部 41は、インターコネクタ 31の一部に形成されたく びれにより構成されている。
[0066] 図 9に、本発明に用いられるインターコネクタの一例の模式的な平面図を示す。ま た、図 10 (a)に本発明に用いられるインターコネクタの他の一例の模式的な平面図 を示し、図 10 (b)に図 10 (a)に示すインターコネクタの模式的な側面図を示し、図 10 (c)に図 10 (a)に示すインターコネクタの模式的な正面図を示す。また、図 11 (a)に 本発明に用いられるインターコネクタの他の一例の模式的な平面図を示し、図 11 (b )に図 11 (a)に示すインターコネクタの模式的な側面図を示し、図 11 (c)に図 11 (a) に示すインターコネクタの模式的な正面図を示す。また、図 12 (a)に本発明に用いら れるインターコネクタの一例の模式的な平面図を示し、図 12 (b)に図 12 (a)に示すィ ンターコネクタの模式的な側面図を示し、図 12 (c)に図 12 (a)に示すインターコネク タの模式的な正面図を示す。
[0067] また、図 13に、図 9に示すインターコネクタを用いて構成された太陽電池ストリング の一例の模式的な断面図を示す。さらに、図 14に、図 13に示す太陽電池ストリング を太陽電池の受光面側力 見たときの模式的な平面図を示す。ここで、図 9に示すィ ンターコネクタ 31は、図 9および図 13に示すように、接続された状態において、第 1 の太陽電池 80の第 1非接続部 42に対応する箇所 (または中空パターン部に対応す る箇所)および第 2の太陽電池 81の第 2非接続部となるアルミニウム電極 14に対応 する箇所にそれぞれ小断面積部 41が配置されている。すなわち、インターコネクタ 3 1は、インターコネクタ 31の小断面積部 41が第 1非接続部 42に対応する箇所 (また は中空パターン部に対応する箇所)および第 2非接続部となるアルミニウム電極 14に 対応する箇所にそれぞれ配置されるように接続されて 、る。
[0068] なお、インターコネクタの小断面積部が第 1非接続部に対応する箇所 (または中空 パターン部に対応する箇所）に配置される態様としては、たとえば図 7および図 8に示 すように、インターコネクタ 31の小断面積部 41の全体が第 1非接続部 42の領域内（ または中空パターン部の領域内）に含まれるように配置される態様とすることが好まし いが、インターコネクタ 31の小断面積部 41の一部のみが第 1非接続部 42の領域内（ または中空パターン部の領域内）に含まれるように配置される態様としてもよい。また 、インターコネクタの小断面積部が第 2非接続部に対応する箇所に配置される態様と しては、上記と同様に、インターコネクタの小断面積部の全体が第 2非接続部の領域 内に含まれるように配置される態様とすることが好ま 、が、インターコネクタの小断 面積部の一部のみが第 2非接続部の領域内に含まれるように配置される態様として ちょい。 [0069] なお、インターコネクタ 31は、図 13に示すように、太陽電池の端部（ここでは、第 1 の太陽電池 80の端部および第 2の太陽電池 81の端部）において屈曲している。また 、図 13においては、 n+層と p+層の記載は省略されている。
[0070] 図 7〜図 12に示すような小断面積部を有するインターコネクタを用いて太陽電池ス トリングを形成した場合には、実施の形態 1および実施の形態 2で述べたように、イン ターコネクタと太陽電池との接続長さを低減する効果および太陽電池の受光面およ び裏面のそれぞれから等しい力が太陽電池に働く効果にカ卩えて、上記の太陽電池 の復元力が発生する際に、インターコネクタの他の部分と比べて比較的強度が弱い 小断面積部が延伸して内部応力を緩和する効果が加わることになる。し力も、インタ 一コネクタの小断面積部が第 1非接続部および第 2非接続部にそれぞれ配置される ので、小断面積部は固定されていないフリーな状態となっているため、自由に変形す ることができ、延伸による応力緩和効果を十分に発揮することができる。これらの効果 により、太陽電池ストリングを構成する太陽電池において、インターコネクタの接続に より生じる太陽電池の反りを低減することができる。なお、本発明においては、図 7〜 図 12に示すインターコネクタを使用することに限定されないことは言うまでもない。
[0071] また、本発明にお 、て、応力緩和効果を発揮させる観点からは、インターコネクタの 小断面積部は、第 1非接続部に対応する箇所および第 2非接続部に対応する箇所 の少なくとも 1箇所に有することが好ましぐ第 1非接続部に対応する箇所および第 2 非接続部に対応する箇所のすべての箇所に有することが最も好ましい。
[0072] すなわち、上記の例においては、第 1の太陽電池 80の第 1非接続部 51に対応する 箇所および第 2の太陽電池 81の第 2非接続部となるアルミニウム電極 14に対応する 箇所の少なくとも 1箇所にインターコネクタ 31の小断面積部 41が配置されるようにィ ンターコネクタ 31が接続されることが好ましく、第 1の太陽電池 80の第 1非接続部 51 に対応する箇所および第 2の太陽電池 81の第 2非接続部となるアルミニウム電極 14 に対応する箇所のすべての箇所にインターコネクタ 31の小断面積部 41が配置され るようにインターコネクタ 31が接続されることが最も好まし!/、。
[0073] このような本発明の太陽電池ストリングを従来力 公知の方法により EVAなどの封 止材で封止することによって、本発明の太陽電池モジュールを得ることができる。 [0074] (実施の形態 4)
図 15に、本発明に用いられるインターコネクタの一例の模式的な平面図を示す。こ こで、図 15に示すインターコネクタ 31の互いに隣接する小断面積部 41の間隔は等 間隔となっている。
[0075] 図 16に、図 15に示すインターコネクタ 31を用いて太陽電池ストリングを形成するの に用いられる太陽電池の受光面に形成されている電極の一例の模式的な平面図を 示す。また、図 17に、図 15に示すインターコネクタ 31を用いて太陽電池ストリングを 形成するのに用いられる太陽電池の裏面に形成されている電極の一例の模式的な 平面図を示す。また、図 16に示す受光面側の電極および図 17に示す裏面側の電 極を有する太陽電池を図 15に示すインターコネクタ 31を用 、て直列に接続した太陽 電池ストリングを図 18の模式的断面図に示し、図 18に示す太陽電池ストリングを太 陽電池の受光面力 見たときの模式的な拡大平面図を図 19に示す。ここで、図 18に 示すように、インターコネクタ 31は、太陽電池の端部（ここでは、第 1の太陽電池 80の 端部および第 2の太陽電池 81の端部）において屈曲している。なお、図 18において は、 n+層と p+層の記載は省略されている。
[0076] このように互いに隣接する小断面積部 41の間隔を等間隔としたインターコネクタ 31 を用いた場合には、インターコネクタ 31の小断面積部 41の形成がより容易となるた め、太陽電池ストリングの製造コストが低下し、太陽電池ストリングの生産性を向上す ることがでさる。
[0077] このような本発明の太陽電池ストリングを従来力 公知の方法により EVAなどの封 止材で封止することによって、本発明の太陽電池モジュールを得ることができる。
[0078] (実施の形態 5)
図 20に、本発明のインターコネクタ付き太陽電池に用いられる太陽電池の受光面 に形成されている電極の一例の模式的な平面図を示す。図 20に示すように、この太 陽電池の受光面となる p型シリコン基板の第 1主面には、比較的幅の大きい 1本の線 状のバスバー電極 13aとバスバー電極 13aから伸びる複数の比較的幅の小さい線状 のフィンガー電極 13bと力 構成される銀電極 13が形成されている。また、バスバー 電極 13aは、インターコネクタに固定して接続するための線状の第 1接続部 51と、ィ ンターコネクタに接続されない空隙である第 1非接続部 42とからなっており、第 1接続 部 51と第 1非接続部 42とは交互に配列されている。
[0079] 図 21に、本発明のインターコネクタ付き太陽電池に用いられる太陽電池の裏面に 形成される電極の一例の模式的な平面図を示す。図 21に示すように、この太陽電池 の裏面となる p型シリコン基板 10の第 2主面には、インターコネクタに接続するための 第 2接続部としての銀電極 16と、インターコネクタに接続されない第 2非接続部とが 交互に配列されている。ここで、第 2非接続部は、隣接する銀電極 16の間のアルミ- ゥム電極 14からなる。なお、半導体基板の第 2主面である裏面は、半導体基板の第 1 主面である受光面の反対側の主面となる。
[0080] 図 22に、本発明のインターコネクタ付き太陽電池に用いられるインターコネクタの 好ましい一例の模式的な平面図を示す。ここで、インターコネクタ 31は、その長手方 向に垂直な断面の断面積が局所的に小さくなつている複数の小断面積部 41と、小 断面積部 41の間に位置する非小断面積部 61と、を有している。なお、このインター コネクタ 31の非小断面積部 61は、インターコネクタ 31の長手方向に垂直な断面の 断面積が小断面積部 41と比べて大きくなつている。
[0081] 図 23に、本発明のインターコネクタ付き太陽電池の好ましい一例の受光面の模式 的な拡大平面図を示す。図 23に示す本発明のインターコネクタ付き太陽電池は、図 20に示す受光面および図 21に示す裏面を有する太陽電池の受光面の第 1接続部 に、図 22に示すインターコネクタ 31が接続されることにより形成されている。ここで、 本発明のインターコネクタ付き太陽電池においては、インターコネクタ 31の 2つの小 断面積部 41は、太陽電池の受光面に配置されている第 1非接続部 42のうち両端の 第 1非接続部 42に対応する箇所に配置されており、インターコネクタ 31の非小断面 積部 61は、両端の第 1非接続部 42の間にある 1つの第 1非接続部 42に対応する箇 所に配置されている。
[0082] 図 23に示すように、本発明のインターコネクタ付き太陽電池においては、小断面積 部 41に対応する箇所に第 1非接続部 42が配置されているだけでなぐ小断面積部 4 1の間の非小断面積部 61に対応する箇所にも第 1非接続部 42が配置されている。し たがって、本発明のインターコネクタ付き太陽電池においては、太陽電池の第 1接続 部 51とインターコネクタ 31とを半田などによって固定して接続する加熱工程後の冷 却工程において p型シリコン基板 10とインターコネクタ 31とにそれぞれ内部応力が発 生した場合でも、インターコネクタ 31の小断面積部 41だけでなぐ小断面積部 41の 間の非小断面積部 61でもその内部応力を緩和することができるために、特許文献 1 のインターコネクタを用いたインターコネクタ付き太陽電池と比べて、インターコネクタ の接続により生じる太陽電池の反りをさらに低減することができる。
[0083] 図 24に、図 23に示す本発明のインターコネクタ付き太陽電池の模式的な断面図を 示す。ここで、本発明のインターコネクタ付き太陽電池においては、第 2接続部として の銀電極 16と、第 1接続部 51とはそれぞれ半導体基板としての p型シリコン基板 10 に関して互いに対称となる位置に配置されている。太陽電池に反りが生じる原因の 一つは、太陽電池とインターコネクタとの熱膨張差に起因して太陽電池に発生する 内部応力は太陽電池の受光面と裏面とで異なっていることであるが、このような構成 とすることによって、太陽電池とインターコネクタとの熱膨張差に起因して太陽電池に 発生する内部応力は太陽電池の受光面と裏面とでほぼ等しくすることができる。
[0084] したがって、このインターコネクタ付き太陽電池において、太陽電池とインターコネク タとの熱膨張差に起因して太陽電池に内部応力が発生した場合には、特許文献 1に 記載のように太陽電池に接続されていない小断面積部の自由な延伸による緩和の 効果に加えて、太陽電池に接続されていない非小断面積部の自由な変形による緩 和の効果を得ることができる。さらには、太陽電池の受光面の第 1接続部と裏面の第 2接続部とが半導体基板に関して互いに対称となる位置に配置されることによって太 陽電池の受光面と裏面とで内部応力がほぼ等しくなる効果が得られる。これらの効果 により、インターコネクタの接続によって生じる太陽電池の反りの低減のさらなる改善 を望むことができる。
[0085] (実施の形態 6)
図 25に、本発明の太陽電池ストリングの好ましい一例の模式的な断面図を示す。こ こで、太陽電池ストリングは、図 23および図 24に示す構成の本発明のインターコネク タ付き太陽電池を複数接続することによって形成されている。すなわち、互いに隣接 する本発明のインターコネクタ付き太陽電池において、第 1のインターコネクタ付き太 陽電池 60の受光面に接続されているインターコネクタ 31の他端力 第 2のインターコ ネクタ付き太陽電池 62の裏面の第 2接続部としての銀電極 16に接続されることによ つて、本発明の太陽電池ストリングが構成される。
[0086] ここで、インターコネクタ 31の 2つの小断面積部 41は、第 1のインターコネクタ付き 太陽電池 60の受光面に配置されている第 1非接続部 42のうち両端の第 1非接続部 42に対応する箇所に配置されており、インターコネクタ 31の非小断面積部 61は、両 端の第 1非接続部 42の間にある 1つの第 1非接続部 42に対応する箇所に配置され ている。また、インターコネクタ 31の 2つの小断面積部 41は、第 2のインターコネクタ 付き太陽電池 62の裏面に配置されている第 2非接続部のうち両端の第 2非接続部に 対応する箇所に配置されており、インターコネクタ 31の非小断面積部 61は、両端の 第 2非接続部の間にある 1つの第 2非接続部に対応する箇所に配置されている。
[0087] また、第 1のインターコネクタ付き太陽電池 60および第 2のインターコネクタ付き太 陽電池 62のそれぞれにおいては、第 2接続部としての銀電極 16と、第 1接続部 51と 、がそれぞれ半導体基板としての p型シリコン基板 10に関して互いに対称となる位置 に配置されて 、ることが、太陽電池ストリングを構成する太陽電池の反りの低減の観 点から好ましい。
[0088] 図 26に、図 25に示す本発明の太陽電池ストリングの受光面の模式的な平面図を 示す。ここで、本発明の太陽電池ストリングにおいては、インターコネクタ 31の小断面 積部 41が、第 1のインターコネクタ付き太陽電池 60の受光面に配置されている第 1 非接続部 42のうち両端の第 1非接続部 42に対応する箇所および第 2のインターコネ クタ付き太陽電池 62の受光面に配置されている第 1非接続部 42のうち両端の第 1非 接続部 42に対応する箇所にそれぞれ配置されている。
[0089] そして、インターコネクタ 31の非小断面積部 61は、第 1のインターコネクタ付き太陽 電池 60の受光面に配置されている両端の第 1非接続部 42の間の 1つの第 1非接続 部 42に対応する箇所および第 2のインターコネクタ付き太陽電池 62の受光面に配置 されている両端の第 1非接続部 42の間の 1つの第 1非接続部 42に対応する箇所に それぞれ配置されている。
[0090] また、インターコネクタ 31の小断面積部 41は、第 1のインターコネクタ付き太陽電池 60の裏面に配置されている第 2非接続部のうち両端の第 2非接続部に対応する箇所 および第 2のインターコネクタ付き太陽電池 62の裏面に配置されている第 2非接続 部のうち両端の第 2非接続部に対応する箇所にそれぞれ配置されている。
[0091] したがって、本発明の太陽電池ストリングにおいて、太陽電池とインターコネクタとの 熱膨張差に起因して太陽電池に内部応力が発生した場合には、インターコネクタ付 き太陽電池 60およびインターコネクタ付き太陽電池 62の双方の受光面および裏面 のそれぞれにつ 、て、特許文献 1に記載のように太陽電池に接続されて 、な 、小断 面積部 41の自由な延伸による緩和の効果にカ卩えて、太陽電池に接続されていない 非小断面積部 61の自由な変形による緩和の効果を得ることができる。さらに、太陽電 池の受光面の第 1接続部と裏面の第 2接続部とが半導体基板に関して互いに対称と なる位置に配置されることによって太陽電池の受光面と裏面とで内部応力がほぼ等 しくなる効果も得られることから、インターコネクタの接続によって生じる太陽電池の反 りの低減のさらなる改善を望むことができる。
[0092] このような本発明の太陽電池ストリングを従来力 公知の方法により EVAなどの封 止材で封止することによって、本発明の太陽電池モジュールを得ることができる。
[0093] (実施の形態 7)
図 27に、本発明の太陽電池の受光面に形成されている電極の一例の模式的な平 面図を示す。ここで、本発明の太陽電池の受光面となる p型シリコン基板の第 1主面 にお 、ては、紙面の横方向に伸びる比較的幅の広!、線状の第 1バスバー電極 13aと 、第 1バスバー電極 13aから紙面の縦方向に伸びる複数の幅の狭い線状のフィンガ 一電極 13bと、が備えられている。また、第 1バスバー電極 13aは、インターコネクタに 固定して接続するための線状の第 1接続部 51と、インターコネクタに接続されない空 隙である第 1非接続部 42とを含み、第 1接続部 51と第 1非接続部 42とが交互に配列 されている。
[0094] ここで、第 1バスバー電極 13aは、隣接する第 1接続部 51の間隙である第 1非接続 部 42が第 1バスバー電極 13aによってその周縁を取り囲まれた中空パターン部を有 している。第 1接続部 51における第 1バスバー電極 13aの幅は一定の幅で連続して いるが、第 1非接続部 42の幅が第 1接続部 51における第 1バスバー電極 13aの幅よ りも広く形成されているため、中空パターン部における第 1バスバー電極 13aの幅は 第 1接続部 51における第 1バスバー電極 13aの幅よりも狭くなつている。また、 p型シ リコン基板の第 1主面の紙面の左側の端部に隣接する第 1接続部 51は、 p型シリコン 基板の第 1主面の紙面の左側の端部から離れて設置されている。
[0095] 図 28に、図 27に示す太陽電池の裏面に形成されている電極の一例の模式的な平 面図を示す。本発明の太陽電池の裏面となる p型シリコン基板の第 2主面においては 、インターコネクタに接続するための第 2接続部としての銀電極 16と、インターコネク タに接続されない第 2非接続部としてのアルミニウム電極 14とが紙面の横方向に交 互に配列されている。そして、交互に配列された第 2接続部としての銀電極 16と第 2 非接続部としてのアルミニウム電極 14とから第 2バスバー電極 23が形成されている。 ここで、第 2非接続部 42は、隣接する銀電極 16の間のアルミニウム電極 14からなる。
[0096] また、 p型シリコン基板の第 2主面上の第 2接続部としての銀電極 16は、 p型シリコン 基板の第 1主面上の第 1接続部 51と p型シリコン基板に関して互いにほぼ対称となる 位置に形成されており、 P型シリコン基板の第 2主面上の銀電極 16の長手方向に隣 接している銀電極 16の間に位置する第 2非接続部としてのアルミニウム電極 14の長 さ（すなわち、銀電極 16の長手方向に隣接している銀電極 16の間の最短距離)より も、 P型シリコン基板の第 1主面上の第 1接続部 51の長手方向に隣接している第 1接 続部 51の間に位置する第 1非接続部 42の長さ (すなわち、第 1接続部 51の長手方 向に隣接している第 1接続部 51の間の最短距離)の方が長くなつている。
[0097] 図 29に、図 27に示す受光面側の電極および図 28に示す裏面側の電極を有する 太陽電池を直列に接続した本発明の太陽電池ストリングの一例の模式的な断面図を 示す。ここで、互いに隣接する第 1の太陽電池 80および第 2の太陽電池 81において 、第 1の太陽電池 80の第 1接続部 51と第 2の太陽電池 81の第 2接続部である銀電 極 16とがそれぞれ半田等により 1本の導電性部材カもなるインターコネクタ 31に固定 されて接続されている。また、太陽電池の第 1非接続部 42および第 2非接続部として のアルミニウム電極 14はそれぞれインターコネクタ 31に固定されておらず、インター コネクタ 31に接続されていない。なお、インターコネクタ 31は、太陽電池の端部（ここ では、第 1の太陽電池 80の端部および第 2の太陽電池 81の端部）において屈曲して いる。また、図 29においては、 n+層と p+層の記載は省略されている。
[0098] また、図 30に、本発明に用いられるインターコネクタの一例の模式的な平面図を示 す。ここで、インターコネクタ 31は、インターコネクタ 31の長手方向に垂直な断面の 断面積が局部的に縮小された小断面積部 41を有している。ここで、インターコネクタ 31は、図 29に示す第 1非接続部 42に対応する箇所ならびに第 2非接続部としての アルミニウム電極 14に対応する箇所の少なくとも 1箇所、好ましくはそのすベての箇 所に小断面積部 41が配置されるように接続されることが好ましい。この場合には、比 較的断面積の小さい小断面積部 41が太陽電池に固定されておらず、自由に延伸す ることによって応力を緩和することができるため、小断面積部 41を有しないインターコ ネクタを用いた場合と比べて太陽電池ストリングを構成する太陽電池の反りをより低 減することができる傾向にある。なお、図示はしていないが、図 29に示す本発明の太 陽電池ストリングにおいて、インターコネクタ 31の小断面積部 41はそれぞれ、太陽電 池の受光面の中空パターン部に対応するすべての箇所および第 2非接続部としての アルミニウム電極 14に対応するすべての箇所に配置されている。
[0099] このような構成の本発明の太陽電池ストリングにおいては、従来の太陽電池ストリン グと比べて、インターコネクタと太陽電池の第 1接続部との接続長さを低減することが できる。このようにインターコネクタと太陽電池の第 1接続部との接続長さを低減した 場合には、インターコネクタと太陽電池を構成する p型シリコン基板との熱膨張係数 差による応力を低減することができる。これにより、太陽電池ストリングを構成する太陽 電池にお 、て、インターコネクタの接続によって生じる太陽電池の反りの低減のさら なる改善を望むことができる。
[0100] さらに、図 29に示す太陽電池ストリングにおいては、本発明の太陽電池ストリングを 作製する際に太陽電池に発生する割れおよびクラックを大幅に低減することができる 。このような効果は、太陽電池の裏面の第 2非接続部としてのアルミニウム電極 14の 長さよりも太陽電池の受光面の第 1非接続部 42の長さの方が長くなつていることによ り得られるちのと考免られる。
[0101] このような本発明の太陽電池ストリングを従来力 公知の方法により EVAなどの封 止材で封止することによって、本発明の太陽電池モジュールを得ることができる。 [0102] (実施の形態 8)
図 31に、本発明の太陽電池ストリングの他の一例の模式的な断面図を示す。ここで 、図 31に示す本発明の太陽電池ストリングにおいては、太陽電池の裏面の第 2非接 続部としてのアルミニウム電極 14の長さよりも太陽電池の受光面の第 1非接続部 42 の長さの方が短くなつていることに特徴がある。その他の説明は、実施の形態 7の太 陽電池ストリングの説明と同様である。
[0103] このような構成とすることによつても、実施の形態 7の太陽電池ストリングと同様に、ィ ンターコネクタと太陽電池の第 1接続部との接続長さが低減することによって、インタ 一コネクタの接続によって生じる太陽電池の反りの低減のさらなる改善を望むことが できる。
[0104] さらに、図 31に示す太陽電池ストリングにおいても、本発明の太陽電池ストリングを 作製する際に太陽電池に発生する割れおよびクラックを大幅に低減することができる 。このような効果は、太陽電池の受光面の第 1非接続部 42の長さよりも太陽電池の裏 面の第 2非接続部としてのアルミニウム電極 14の長さの方が長くなつていることにより 得られるものと考えられる。
[0105] このような本発明の太陽電池ストリングを従来力 公知の方法により EVAなどの封 止材で封止することによって、本発明の太陽電池モジュールを得ることができる。
[0106] なお、上記の実施の形態 1〜8におけるその他の説明は、上記の背景技術の欄に おける説明と同様であるが、その説明に限定されるものではない。たとえば、本発明 においては、 p型シリコン基板以外の半導体基板を用いてもよぐ上記の背景技術の 欄の説明の p型と n型の導電型を入れ替えてもよい。また、本発明においては、第 1 接続部および第 2接続部は必ずしも銀電極である必要はない。また、本発明におい ては、第 1非接続部は必ずしも空隙である必要はなぐ第 2非接続部は必ずしもアル ミニゥム電極である必要はな 、。
実施例
[0107] (実施例 1)
図 1 (a)に示す受光面の電極と図 2に示す裏面の電極とを有する太陽電池を作製し た。この太陽電池の幅は 156. 5mmであり、長さは 156. 5mmであって、太陽電池 全体の厚みは 120 μ mであった。
[0108] ここで、図 1 (a)に示す受光面の第 1接続部 51の幅は 3mmであり、長さは約 40mm であって、中空パターン部の空隙である第 1非接続部 42の幅は 4. 4mmであり、長さ は 7mmであった。また、第 1非接続部 42の周囲を取り囲むバスバー電極 13aの幅は 600 mであった。また、 2本のバスバー電極 13a間の距離は 74mmであった。なお 、バスバー電極 13aおよびフィンガー電極 13bは銀からなっている。
[0109] また、図 2に示す裏面の銀電極 16からなる第 2接続部の幅は 4mmであり、長さは 約 40mmであって、第 2接続部の間に位置するアルミニウム電極 14力もなる第 2非接 続部の幅は 4mmであり、長さは 7mmであった。なお、図 1 (a)に示す第 1接続部 51 と図 2に示す第 2接続部とは p型シリコン基板 10に関して互いに対称となる位置に形 成されており、図 1 (a)に示す第 1非接続部 42と図 2に示す第 2非接続部としてのァ ルミ-ゥム電極 14とは p型シリコン基板に関して互いに対称となる位置に形成されて いる。
[0110] そして、上記の構成の太陽電池を 2つ用意し、一方の太陽電池の受光面の第 1接 続部 51と他方の太陽電池の裏面の第 2接続部とをそれぞれ半田により図 8に示すィ ンターコネクタ 31に接続して太陽電池ストリングを形成した。なお、インターコネクタ 3 1は、それぞれの太陽電池の端部にお 、て屈曲して 、る。
[0111] ここで、図 8に示すインターコネクタ 31は、インターコネクタ 31を接続したときに、図 1 (a)に示す第 1非接続部 42に対応する箇所のすべての箇所および図 2に示す第 2 接続部としてのアルミニウム電極 14に対応する箇所のすべての箇所に、図 8に示す くびれからなる小断面積部 41を有するように形成された。なお、図 8に示すインターコ ネクタ 31は銅力も形成されており、その厚みは 200 /z mであった。また、図 8に示すィ ンターコネクタ 31の幅は 2. 5mmであって、小断面積部 41において最も幅の狭い箇 所の幅は 1 mmであつた。
[0112] そして、太陽電池ストリングの形成後における太陽電池の反りを測定した。その結果 を表 1に示す。
[0113] (比較例 1)
図 37に示す受光面の電極と図 38に示す裏面の電極とを有する太陽電池を作製し た。この太陽電池の幅は 156. 5mmであり、長さは 156. 5mmであって、太陽電池 全体の厚みは 120 μ mであった。
[0114] ここで、図 37に示す受光面のバスバー電極 13aの幅は 2mmであり、長さは 150m mであった。また、 2本のバスバー電極 13aの間の距離は 75mmであった。
[0115] また、図 38に示す裏面の銀電極 16の幅は 4mmであり、長さは 10mmであった。ま た、銀電極 36の長手方向に互いに隣接する銀電極 16の間の距離は 15mmであり、 銀電極 16の長手方向と直交する方向に互いに隣接する銀電極 16の間の距離は 73 mmで teつた。
[0116] 上記の構成の太陽電池を 2つ用意し、一方の太陽電池の受光面の銀電極 13と他 方の太陽電池の裏面の銀電極 16とをそれぞれ半田により図 8に示すインターコネク タ 31に接続して太陽電池ストリングを形成した。なお、比較例 1においては、実施例 1 で用いられたインターコネクタと同一の形状、同一の寸法および同一の材質のものが 用いられた。また、インターコネクタ 31は、太陽電池の端部において屈曲していた。
[0117] そして、実施例 1と同一の方法および同一の条件で、太陽電池ストリングの形成後 における太陽電池の反りを測定した。その結果を表 1に示す。
[0118] (比較例 2)
小断面積部を有しない帯状のインターコネクタを用いたこと以外は比較例 1と同様 にして、太陽電池ストリングを形成した。
[0119] そして、実施例 1と同一の方法および同一の条件で、太陽電池ストリングの形成後 における太陽電池の反りを測定した。その結果を表 1に示す。
[0120] [表 1]
裏受光面面のの ≡
太陽電池タネクタ太陽電厚イ池ンりのみ反のコ- ≡
¾°タ極電。タンン\、//ー- び <れ有り86 UWI '
Figure imgf000030_0001
実施例図 1() 1a
()図 8
びれ有くリ uiiu
較例比 1 120m
()図 8
較例比 2
m m M
M M
[0121] 表 1に示すように、実施例 1の太陽電池ストリングは、比較例 1および比較例 2の太 陽電池ストリングと比べて、太陽電池ストリングを構成する太陽電池の反りが低減する ことが確認された。
[0122] このような結果が生じる第 1の理由としては、実施例 1の太陽電池ストリングにおいて は受光面の第 1接続部と第 1非接続部とが交互に配列されているためインターコネク タと太陽電池との接続長さを低減したことが考えられる。また、第 2の理由としては、実 施例 1の太陽電池ストリングにおいては第 1接続部と第 2接続部、第 1非接続部と第 2 非接続部がそれぞれ半導体基板に関して対称となる位置に形成されているため太 陽電池の受光面および裏面のそれぞれから等しい力が太陽電池に働くことが考えら れる。さらに、第 3の理由としては、太陽電池ストリングの形成時に太陽電池の復元力 が発生する際にインターコネクタの他の部分と比べて比較的強度が弱い小断面積部 が延伸して内部応力を緩和することが考えられる。
[0123] (実施例 2)
図 8に示すくびれを有するインターコネクタ 31の代わりに、図 7に示す切れ込みを 有するインターコネクタ 31を用いたこと以外は実施例 1と同様にして太陽電池ストリン グを形成した。このようにして形成した太陽電池ストリングを直列に接続することによつ て 48個の太陽電池力もなる太陽電池ストリングを形成した。
[0124] そして、この太陽電池ストリングのインターコネクタの接続不良数および接続不良発 生率について調査した。その結果を表 2に示す。
[0125] (比較例 3)
比較例 1と同様の構成の太陽電池を用いたこと以外は実施例 2と同様にして 48個 の太陽電池力もなる太陽電池ストリングを形成した。
[0126] そして、この太陽電池ストリングのインターコネクタの接続不良数および接続不良発 生率について調査した。その結果を表 2に示す。
[0127] (比較例 4)
比較例 1と同様の構成のインターコネクタを用いたこと以外は比較例 3と同様にして
96個の太陽電池力もなる太陽電池ストリングを形成した。
[0128] そして、この太陽電池ストリングのインターコネクタの接続不良数および接続不良発 生率について調査した。その結果を表 2に示す。
[0129] [表 2]
Figure imgf000032_0001
[0130] 表 2に示すように、実施例 2の太陽電池ストリングは、比較例 3および比較例 4の太 陽電池ストリングと比べて、接続不良数および接続不良発生率がそれぞれ低減され ていることが確認された。
[0131] これは、実施例 2の太陽電池ストリングにおいては、比較例 3および比較例 4の太陽 電池ストリングと比べて、太陽電池ストリングを構成する太陽電池の反りが低減できて いることによるちのと考免られる。
[0132] (実施例 3)
図 27に示す受光面の電極と図 28に示す裏面の電極とを有する太陽電池を作製し た。この太陽電池の幅は 156. 5mmであり、長さは 156. 5mmであって、太陽電池 全体の厚みは 120 μ mであった。
[0133] ここで、図 27に示す受光面の第 1接続部 51の幅は 3mmであり、長さは約 40mmで あって、中空パターン部の空隙である第 1非接続部 42の幅は 4. 4mmであり、長さは 9mmであった。また、第 1非接続部 42の周囲を取り囲む第 1バスバー電極 13aの幅 は 600 mであった。また、 2本の第 1バスバー電極 13a間の距離は 74mmであった 。なお、第 1バスバー電極 13aおよびフィンガー電極 13bは銀からなっている。
[0134] また、図 28に示す裏面の銀電極 16力もなる第 2接続部の幅は 4mmであり、長さは 約 40mmであって、第 2接続部の間に位置するアルミニウム電極 14力もなる第 2非接 続部の幅は 4mmであり、長さは 7mmであった。なお、図 27に示す第 1接続部 51と 図 28に示す第 2接続部としてのアルミニウム電極とは p型シリコン基板に関して互い にほぼ対称となる位置に形成されている。また、第 1非接続部 42の長さの方が第 2非 接続部の長さよりも長く形成されて 、る。
[0135] そして、上記の構成の太陽電池を 2つ用意し、第 1の太陽電池 80の受光面の第 1 接続部 51と第 2の太陽電池 81の裏面の第 2接続部とをそれぞれ半田により図 29に 示すインターコネクタ 31に接続して実施例 1の太陽電池ストリングを形成した。なお、 インターコネクタ 31は、第 1の太陽電池 80の端部および第 2の太陽電池 81の端部に おいて屈曲している。また、インターコネクタ 31は銅力も形成されており、その厚みは 200 /z mであった。また、インターコネクタ 31の幅は 2. 5mmであった。
[0136] そして、実施例 3の太陽電池ストリングの作製に際してインターコネクタの接続時に 太陽電池に発生する割れおよびクラックの発生率をカウントした。
[0137] その結果、実施例 3の太陽電池ストリングの作製に際してインターコネクタの接続時 に太陽電池に発生する割れおよびクラックの発生率は、後述する実施例 4の太陽電 池ストリングを作製する場合と比べて大幅に低減していた。
[0138] (実施例 4) 図 32に模式的断面図を示す構成の太陽電池ストリングを形成したこと以外は実施 例 3と同様にして太陽電池ストリングを作製した。そして、太陽電池ストリングの作製に 際してインターコネクタの接続時に太陽電池に発生する割れおよびクラックの発生率 をカウントした。
[0139] ここで、実施例 4の太陽電池ストリングにおいては、図 33の模式的な拡大断面図に 示すように、第 1非接続部 42の長さと第 2非接続部としてのアルミニウム電極 14の長 さとがともに 7mmで等しくなつている。また、実施例 4においては、実施例 3と同一の 形状のインターコネクタ 31が用いられており、実施例 3と同様に、インターコネクタ 31 の小断面積部 41はそれぞれ、太陽電池の受光面の中空パターン部の空隙である第 1非接続部 42に対応するすべての箇所および第 2非接続部としてのアルミニウム電 極 14に対応するすべての箇所に配置されている。
[0140] 今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的な ものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求 の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が 含まれることが意図される。
産業上の利用可能性
[0141] 本発明によれば、インターコネクタと太陽電池との熱膨張係数差による応力が緩和 されるので、その結果として、太陽電池ストリングを構成する太陽電池に生じる反りが 低減されるとともに、インターコネクタと太陽電池との接続の信頼性も向上する。
[0142] また、本発明によれば、太陽電池ストリングを構成する太陽電池に生じる反りが低減 されるので、太陽電池モジュールの作製ラインの搬送系における搬送エラーや太陽 電池の割れも低減する。
[0143] さらに、本発明によれば、太陽電池モジュールの作製のため封止工程における太 陽電池の割れも低減することができるので、太陽電池モジュールの歩留と生産性が 向上する。

Claims

請求の範囲
[1] 半導体基板（10)の第 1主面上に、バスバー電極（13a)と、前記バスバー電極（13 a)力ゝら伸びる複数の線状のフィンガー電極（ 13b)と、が備えられており、
前記ノ スバー電極（13a)は、インターコネクタ（31)に接続するための第 1接続部（ 51)と、インターコネクタ（31)に接続されな!、第 1非接続部 (42)と、を含み、 前記第 1接続部（51)と前記第 1非接続部 (42)とが交互に配列されて!、る、太陽電 池。
[2] 前記半導体基板（10)の前記第 1主面と反対側の第 2主面上に、インターコネクタ（ 31)に接続するための第 2接続部（16)と、インターコネクタに接続されない第 2非接 続部（14)と、が交互に配列されていることを特徴とする、請求項 1に記載の太陽電池
[3] 前記第 1接続部（51)および前記第 2接続部（16)はそれぞれ前記半導体基板（10 )に関して互いに対称となる位置に配置されていることを特徴とする、請求項 2に記載 の太陽電池。
[4] 隣接する前記第 1接続部 (51)の間に位置する前記第 1非接続部 (42)の長さが隣 接する前記第 2接続部（16)の間に位置する前記第 2非接続部（14)の長さよりも長 い、または、隣接する前記第 2接続部（16)の間に位置する前記第 2非接続部（14) の長さが隣接する前記第 1接続部 (51)の間に位置する前記第 1非接続部 (42)の長 さよりも長い、ことを特徴とする、請求項 2に記載の太陽電池。
[5] 前記第 1接続部（51)が線状に形成されていることを特徴とする、請求項 1に記載の 太陽電池。
[6] 前記バスバー電極（13a)は、前記第 1非接続部 (42)を含む中空パターン部を有 することを特徴とする、請求項 1に記載の太陽電池。
[7] 前記中空パターン部における前記バスバー電極（13a)の幅は、前記第 1接続部（5
1)における前記バスバー電極（13a)の幅よりも狭いことを特徴とする、請求項 6に記 載の太陽電池。
[8] 前記ノ スバー電極（13a)は前記中空パターン部を複数有しており、互いに隣接す る前記中空パターン部の間隔が等間隔であることを特徴とする、請求項 6に記載の太 陽電池。
[9] 前記第 1主面の端部と、前記第 1主面の前記端部に隣接する前記中空パターン部 と、の間隔のうち少なくとも 1つの間隔が、互いに隣接する前記中空パターン部の間 隔よりも狭いことを特徴とする、請求項 6に記載の太陽電池。
[10] 前記第 1主面の端部に隣接する前記第 1接続部（51)の少なくとも 1つが、前記第 1 主面の端部力 離れて設置されていることを特徴とする、請求項 6に記載の太陽電池
[11] 請求項 1に記載の太陽電池の前記第 1接続部（51)にインターコネクタ（31)が接続 されたインターコネクタ付き太陽電池。
[12] 前記インターコネクタ（31)は、その長手方向に垂直な断面の断面積が局所的に小 さくなつて!/、る小断面積部 (41)を有しており、
前記小断面積部 (41)が前記第 1非接続部 (42)に配置されて 、ることを特徴とする
、請求項 11に記載のインターコネクタ付き太陽電池。
[13] 前記インターコネクタ（31)は、複数の前記小断面積部 (41)と、前記小断面積部 (4
1)の間に位置する非小断面積部（61)と、を有しており、前記非小断面積部（61)が 前記第 1非接続部 (42)に配置されていることを特徴とする、請求項 12に記載のイン ターコネクタ付き太陽電池。
[14] 前記半導体基板（10)の前記第 1主面と反対側の第 2主面上に、インターコネクタ（ 31)に接続するための第 2接続部（16)と、インターコネクタ（31)に接続されない第 2 非接続部（14)と、が交互に配列されていることを特徴とする、請求項 11に記載のィ ンターコネクタ付き太陽電池。
[15] 半導体基板（10)の第 1主面上に交互に配列されたインターコネクタ（31)に接続す るための第 1接続部（51)とインターコネクタ（31)に接続されない第 1非接続部 (42) とを備えたノ スバー電極（ 13a)と、前記バスバー電極 ( 13a)力も伸びる複数の線状 のフィンガー電極（13b)と、前記半導体基板（10)の前記第 1主面と反対側の第 2主 面上に交互に配列されたインターコネクタ（31)に接続するための第 2接続部（16)と インターコネクタに接続されない第 2非接続部（14)とを含む太陽電池の複数が接続 されており、 互いに隣接する太陽電池において、第 1の太陽電池（80)の前記第 1接続部（51) と第 2の太陽電池 (81)の前記第 2接続部（16)とがインターコネクタ（31)に接続され ている、太陽電池ストリング。
[16] 前記インターコネクタ（31)は、前記第 1の太陽電池（80)の端部および前記第 2の 太陽電池（81)の端部にお 、て屈曲して 、ることを特徴とする、請求項 15に記載の 太陽電池ストリング。
[17] 前記インターコネクタ（31)は、その長手方向に垂直な断面の断面積が局所的に小 さくなつて!/、る小断面積部 (41)を有しており、
前記第 1の太陽電池 (80)の前記第 1非接続部 (42)に対応する箇所および前記第 2の太陽電池 (81)の前記第 2非接続部（14)に対応する箇所の少なくとも 1箇所に、 前記小断面積部 (41)が配置されていることを特徴とする、請求項 15に記載の太陽 電池ストリング。
[18] 前記インターコネクタ（31)は、その長手方向に垂直な断面の断面積が局所的に小 さくなつて!/、る小断面積部 (41)を有しており、
前記第 1の太陽電池 (80)の前記第 1非接続部 (42)に対応する箇所および前記第 2の太陽電池 (81)の前記第 2非接続部（14)に対応する箇所のすべての箇所に、前 記小断面積部 (41)が配置されていることを特徴とする、請求項 15に記載の太陽電 池ストリング。
[19] 請求項 15に記載の太陽電池ストリングが封止材によって封止されてなる、太陽電 池モジユーノレ。
[20] 半導体基板（10)の第 1主面上に交互に配列されたインターコネクタ（31)に接続す るための第 1接続部（51)とインターコネクタ（31)に接続されない第 1非接続部 (42) を有する中空パターン部とを備えたバスバー電極（ 13a)と、前記バスバー電極 ( 13a )から伸びる複数の線状のフィンガー電極（ 13b)と、前記半導体基板 (10)の前記第 1主面と反対側の第 2主面上に交互に配列されたインターコネクタ（31)に接続する ための第 2接続部（16)とインターコネクタに接続されな 、第 2非接続部（14)とを含 む太陽電池の複数が接続されており、互いに隣接する太陽電池において、第 1の太 陽電池 (80)の前記第 1接続部（51)と第 2の太陽電池 (81)の前記第 2接続部（16) と力インターコネクタ（31)に接続されている、太陽電池ストリング。
[21] 前記インターコネクタ（31)は、その長手方向に垂直な断面の断面積が局所的に小 さくなつて!/、る小断面積部 (41)を有しており、
前記第 1の太陽電池（80)の前記中空パターン部に対応する箇所および前記第 2 の太陽電池 (81)の前記第 2非接続部（14)に対応する箇所の少なくとも 1箇所に、前 記小断面積部 (41)が配置されていることを特徴とする、請求項 20に記載の太陽電 池ストリング。
[22] 前記インターコネクタ（31)は、その長手方向に垂直な断面の断面積が局所的に小 さくなつて!/、る小断面積部 (41)を有しており、
前記第 1の太陽電池（80)の前記中空パターン部に対応する箇所および前記第 2 の太陽電池 (81)の前記第 2非接続部（14)に対応する箇所のすべての箇所に、前 記小断面積部 (41)が配置されていることを特徴とする、請求項 20に記載の太陽電 池ストリング。
[23] 請求項 20に記載の太陽電池ストリングが封止材によって封止されてなる、太陽電 池モジユーノレ。
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