WO2007037406A1 - Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a structure of a CIS-based thin-film solar cell module and a manufacturing method thereof, in particular, a structure of a CIS-based thin-film solar cell module that forms a solar cell device on the air surface side not containing Sn of a float glass substrate, and It relates to the manufacturing method.
  • the CIS-based thin film solar cell device is formed on a float blue plate glass substrate manufactured by a float process because of the increase in area and manufacturing cost.
  • the float blue plate glass substrate is manufactured by a float method in which the molten glass is buoyed to a predetermined thickness on the molten tin, so that the float surface of the glass substrate contains Sn. The air surface does not contain Sn. Then, it was considered that there was no significant difference in solar cell characteristics, etc., regardless of whether the CIS thin film solar cell device was formed on either the float surface or the air surface of the float soda glass substrate.
  • the applicant of the present invention when the CIS-based thin film solar cell device is formed on the air surface side of the float blue plate glass substrate that does not contain Sn, the Sn plate of the float blue plate glass substrate. We found that the conversion efficiency is higher than when a CIS-based thin-film solar cell device is formed on the float surface side that contains.
  • Patent Document 1 a method for detecting visible light from Sn existing on the float surface by ultraviolet irradiation is known (for example, Patent Document 1).
  • Flat glass is used as the glass substrate for plasma displays, and plasma displays use Ag materials for the display and data electrodes.
  • an Ag material that serves as a display electrode or data electrode is applied to the float surface of the glass substrate, acid reduction between Sn present on the float surface of the float glass and Ag ion of the Ag material Ag—Sn colloid is generated by the reaction, and the glass substrate turns yellow, and the quality of the displayed image is greatly impaired.
  • the float surface of the float glass It is required that no electrode be formed on the side. Therefore, in the method of determining the float surface of the float glass substrate described in Patent Document 1, since the float surface contains Sn, the float glass substrate is irradiated with ultraviolet rays, and fluorescence from Sn existing on the float surface is detected. The float surface is determined by detection with visible light.
  • a float blue plate glass is used as a substrate and a CIS-based thin film solar cell device is formed on the float surface side containing Sn
  • Sn is diffused to form an inappropriate defect chalcopyrite structure and a high-efficiency CIS thin-film solar cell device cannot be obtained. Therefore, the float surface and the air surface are discriminated.
  • the discrimination method of the float surface of the glass substrate for said plasma display is used for the discrimination process between the float surface and the air surface of the glass substrate of the CIS-based thin film solar cell device.
  • the glass substrate is subjected to a cleaning process.
  • the glass substrate is not aligned even if the glass substrate is discriminated between the float surface and the air surface, it is necessary to align the glass surface to either one. is there.
  • the identification process there is a possibility that the surface of the glass is inverted by subsequent processing or storage. In this case, it cannot be said that the float surface and the air surface are clearly identified. Therefore, it is indispensable to leave the glass substrate on the glass substrate quickly and reliably in a form that allows recognition of the discrimination result between the float surface and the air surface.
  • Patent Document 1 JP 2004-51436 A
  • the present invention solves the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to quickly and reliably identify an air surface that does not contain Sn of float blue sheet glass, and to add a Sn-containing identification marker to a float surface that contains Sn.
  • the CIS thin film solar cell is formed by aligning the air surface not containing Sn of the float blue plate gas in one of the top, bottom, left and right directions and forming the CIS thin film solar cell device on the air surface. It is to improve the conversion efficiency and yield of battery devices and reduce manufacturing costs.
  • the surface of the blue plate glass which is a float glass, is composed of an air surface not containing Sn and a float surface containing Sn, and CIS (CuInSe) is formed on the air surface of the blue plate glass.
  • the surface of the blue plate glass which is a float glass is composed of an air surface containing no Sn and a float surface containing Sn, and CIS (CuInSe type) is formed on the air surface of the blue plate glass.
  • the air surface of the blue sheet glass not containing Sn is identified by a glass surface identification means for identifying the presence or absence of Sn on the surface of the blue sheet glass, and the CIS system is defined on the air surface.
  • the present invention identifies the float surface of the blue sheet glass containing Sn by the glass surface identification means, and indicates that the float surface contains Sn by the Sn content mark applying means (Or a mark indicating that Sn is not contained on the air surface of the bitumen plate glass not containing Sn) and the CIS thin film solar cell device on the air surface of the blue plate glass not containing Sn.
  • the glass surface identification means has a wavelength that emits fluorescence due to the presence of Sn on both surfaces of the blue plate glass and does not transmit (absorb) the glass.
  • the ultraviolet ray having a wavelength of about 300 nm, preferably about 250 to 300 nm is irradiated and fluorescence is generated by the irradiation of the ultraviolet ray (the amount of fluorescence generated from Sn is large (a certain value or more))
  • the CIS thin film When the solar cell device is not formed, it is distinguished from the surface and no fluorescence is generated (the amount of fluorescence generated from Sn is small! ⁇ (less than a certain value)), the CIS-based thin film solar cell device is The method for producing a CIS-based thin-film solar cell module according to (3) or (4) above, which is identified from a surface to be formed.
  • the Sn-containing mark is an ink or paint, laser, glass scribing that can withstand physical or chemical treatment in a subsequent process and that can be identified by a machine or visual observation.
  • the present invention provides a film-forming surface (hereinafter referred to as a film-forming surface) on which a CIS-based thin-film solar cell device is formed on the basis of a predetermined number of air surfaces that do not contain Sn cut to a certain size.
  • the blue sheet glass loaded in one of the upper, lower, left and right directions (for example, upward) is sequentially conveyed one by one to the glass surface identification means, and the glass surface identification means
  • a non-film-formation surface (hereinafter referred to as a non-film-formation surface; for example, a bottom surface) on which a float surface of a blue plate glass containing Sn is identified, and the glass surface identification means does not form a CIS-based thin film solar cell device of blue plate glass.
  • the blue plate glass is transported to the next step (CIS-based thin film solar cell device film formation step), and the glass surface identification means transfers the blue plate glass film formation surface (for example, the upper surface).
  • the present invention provides a film-forming surface (hereinafter referred to as a film-forming surface) on which a CIS-based thin-film solar cell device is formed on the basis of a predetermined number of air surfaces that do not contain Sn cut to a certain size.
  • the non-film-formation surface (hereinafter referred to as the non-film-formation surface; for example, the bottom surface) on which the CIS-based thin film solar cell device of blue plate glass is not formed is given the Sn-containing mark
  • a non-film-formation surface (for example, the lower surface) of the blue sheet glass is provided with a Sn-containing mark (or a mark indicating that Sn is not included on the surface of the blue sheet glass that does not contain Sn).
  • the film forming surface (for example, the upper surface) is the float surface.
  • the Sn-containing mark When the Sn-containing mark is applied, the Sn-containing mark (or Sn-containing bituminous glass containing Sn is not contained on the surface of the blue-plate glass film-forming surface (for example, the upper surface).
  • the blue plate glass is used in the next step (cleaning step and CIS-based thin film solar cell device). If the Sn content mark is applied to the film-forming surface (for example, the upper surface) of the blue plate glass, the blue plate glass is turned 180 ° (vertically or horizontally).
  • the present invention is the method for producing a CIS-based thin-film solar cell module according to (8), wherein the blue sheet glass excluding the conveying line force is reversed 180 ° (vertically or horizontally) and stacked. .
  • the CIS-based thin film solar cell device film forming process includes an alkali barrier layer film forming process, a metal back electrode layer film forming process, a first pattern forming process, and a light absorbing layer film forming process.
  • the air surface of the blue sheet glass is inclined upward, downward, lateral, and at a constant angle in a part of the process.
  • the present invention quickly and reliably identifies an air surface that does not contain Sn in the float soda glass, and adds a Sn-containing identification mark to the float surface that contains Sn, so that V
  • the conversion efficiency and yield of the CIS thin film solar cell module are improved and the manufacturing cost is reduced. can do.
  • the present invention relates to a CIS thin film solar cell device 2 or a manufacturing method thereof, in particular, a float blue plate glass substrate (hereinafter referred to as a glass substrate) 2A surface not containing Sn (air surface) A on a CIS thin film solar cell device
  • a CIS-based thin-film solar cell module for forming 2 (film formation) or a method for manufacturing the same.
  • CIS thin film solar cell module 1 is shown in Fig. 4.
  • an alkali barrier layer, a metal back electrode layer 2B, a p-type semiconductor light absorption layer 2C, a high-resistance buffer layer 2D, and a window layer 2E made of an n-type transparent conductive film are stacked in this order on the glass substrate 2A.
  • the cover glass 4 is bonded to the upper surface of the laminated CIS-based thin film solar cell device (see Fig. 5) with a plastic resin 3 such as an EV A resin that is cross-linked.
  • a knock sheet 5 and a connection box 6 with a cable are installed, and a frame 8 is attached to the outer periphery via a sealing material 7.
  • the CIS-based thin film solar cell device 2 is a heterojunction thin film solar cell using a multi-component compound semiconductor thin film as a light absorption layer, particularly a Cu-III-VI group chalcopyrite semiconductor, for example
  • copper indium diselenide CISe
  • copper indium diselenide / gallium CIGSe
  • copper indium diselenide / gallium CIGSSe
  • copper indium disoride / gallium CI GS
  • thin film diselen It has a light-absorbing layer of p-type semiconductor such as gallium (CIGSe) and a pn heterojunction with a copper indium gallium (CIGSSe) layer as a surface layer.
  • the CIS-based thin film solar cell device 2 uses, as a glass substrate, blue plate glass manufactured by a float process.
  • the float blue plate glass substrate (hereinafter referred to as a glass substrate) 2A is manufactured by a float method in which a molten glass is floated on a molten Sn to have a predetermined thickness. Both surfaces of the substrate 2A have an air surface A not containing Sn and a float surface containing Sn.
  • the CIS (CuInSe) thin film solar cell is formed. Light absorption of battery devices
  • Sn is diffused into the light-absorbing layer during heating at 400 to 600 ° C in the film-forming process of the acquisition layer, and a high-efficiency solar cell is formed without forming a chalcopyrite structure that is a desirable crystal system (crystal structure).
  • crystal structure a desirable crystal system
  • the CIS thin film solar cell device 2 is formed on the surface of the air surface A that does not contain Sn of the glass substrate 2A. There is a need to.
  • Figure 2 shows a comparative distribution of the measurement results of 240 conversion efficiencies (Characteristic X and Characteristic Y) of circuit Y with a circuit formed on float surface B containing Sn on glass substrate 2A. Show.
  • the method for producing a CIS-based thin film solar cell module of the present invention uses a glass surface identifying means for identifying the presence or absence of Sn on the surface of the glass substrate 2A before the glass cleaning and drying step P4.
  • a glass surface identification step PI for identifying the air surface A and the float surface B is provided, and the CIS-based thin film solar cell device 2 is formed on the air surface A.
  • a part of the float surface B (outer peripheral portion or A Sn-containing mark indicating that Sn is contained quickly and accurately is applied to a portion which is easy to identify at the four corners) by a durable member or method which does not disappear after the subsequent process.
  • the mark is applied with a special paint (for example, a fast-drying fluorescent paint), stamp printing with a special ink (for example, a fluorescent ink), an adhesive sticker with the mark printed thereon, or a laser, sandblast, scriber, etc. Mark the surface of the glass with (diamond) etc. and mark it as a scratch. Marks are letters, numbers, barcodes, and other marks.
  • the glass surface identification means P1 emits fluorescence due to the presence of Sn from both surfaces of the glass substrate 2A, and does not transmit (is absorbed) through the glass. Irradiate ultraviolet rays with a wavelength of about 200 to 300 nm, preferably about 250 to 300 nm. When the ultraviolet rays are emitted and fluorescence is generated (the amount of fluorescence generated from Sn is large (a certain value or more)), the CIS-based thin film solar cell device 2 is not formed and the surface is determined as When fluorescence is not generated (the amount of fluorescence generated from Sn is small (less than a certain value)), the surface is determined as the surface on which the CIS-based thin film solar cell device 2 is formed. The fluorescence is received by the light receiving element C, and the presence or absence of tin is determined based on the output amount.
  • the glass substrate 2A carried into the glass surface identification step P1 does not contain a certain number of Sn pieces cut into a certain size, and the CIS-based thin film solar cell device 2 is formed on the surface in principle. It is a film surface (hereinafter referred to as a film-forming surface) and is loaded in any one of the top, bottom, left, and right directions (upward in this embodiment), and this is sequentially placed on the glass surface identification means P1.
  • the glass surface discriminating means P1 discriminates whether or not the film-forming surface (the upper surface in this embodiment) of the glass substrate 2A is the air surface A.
  • the glass surface discriminating means P1 identifies the film-forming surface (in this embodiment, the upper surface) of the glass substrate 2A as the air surface A, and the CIS-based thin-film solar cell device of the glass substrate 2A at the Sn-containing mark imparting portion P2
  • the Sn-containing mark is applied to the non-film-formation surface (hereinafter referred to as the non-film-formation surface; in this example, the bottom surface) 2 on which no film is formed
  • the glass substrate 2A is used as the next inversion process P3. Carry it (up and down or left and right) without reversing it and carry it to the next glass cleaning / drying process P4.
  • the glass surface discriminating means P1 identifies the non-film-forming surface (in this embodiment, the lower surface) of the glass substrate 2A as the air surface A, and the Sn-containing mark applying part P2 forms the film-forming surface of the glass substrate 2A.
  • the glass substrate 2A is transferred to the next glass substrate reversing step P3, and 180 ° (up and down or left and right, up and down in this embodiment) Inverted and transported to the next glass cleaning / drying process P4 (case 1) with the film-forming surface (in this embodiment, the upper surface) as the air surface.
  • the glass surface discriminating means P1 identifies the non-film-forming surface (the lower surface in this embodiment) of the glass substrate 2A as the air surface A, and the Sn-containing mark imparting portion P2 defines the glass substrate 2A.
  • the Sn content mark is given on the film forming surface (upper surface in this example)
  • it is excluded from the transfer line, and the excluded glass substrate 2A is inverted 180 ° (up and down in this example) and aligned in a certain direction.
  • the excluded glass substrate 2A can be loaded with its Sn-free surface aligned in a certain direction, and this can be used as it is. It can be transported to the purification process P4.
  • the glass substrate 2A is made of each glass so that the air surface A of the glass substrate 2A is a film-forming surface located on the upper surface (float surface B is the lower surface).
  • the method of aligning the substrates 2A is used, the loading state and the film forming surface of the glass substrate 2A have a horizontal direction and a vertical direction, in which case the air surface A of the glass substrate 2A is other than the upper surface of this embodiment.
  • the glass substrates 2A are the lower surface, the left surface, and the right surface.
  • the film forming surface is one of the upper surface, the lower surface, the left surface and the right surface, or the non-film forming surface is The lower surface, the upper surface, the right surface, and the left surface opposite to the film forming surface.
  • the glass substrate 2A cleaned / dried in the glass cleaning / drying step P4 is subjected to film formation processing of a CIS-based thin film solar cell device on the air surface side of the glass substrate 2A continuously or after temporary storage. Apply P5.
  • the CIS-based thin-film solar cell module film formation process includes an alkali barrier layer film formation process, a metal back electrode layer film formation process, a first pattern formation process, a light absorption layer film formation process, a high
  • the resist buffer layer forming step, the second pattern forming step, the window layer forming step, and the third pattern forming step are performed in this order.
  • the finishing process installation of electrodes
  • bus bar ribbon soldering process first output measurement process, packaging process, second output measurement process, test (Pressure resistance test, etc.
  • the process is performed in the order of the packing process, etc., and a CIS-based thin film solar cell module is manufactured.
  • the air surface A or the film-forming surface of the glass substrate 2A is set in the upward direction, the downward direction, or the horizontal direction in a part of the process. It is also possible to form a film on the air surface A in one state, either in the direction or in the lateral direction inclined at a certain angle.
  • the direction of the air surface A or the film forming surface is not limited to the film forming step P5 of the CIS-based thin-film solar cell device in the present invention, but is a glass surface identifying step P1, Sn containing mark applying step P2, and glass Substrate reversal process P3, glass substrate cleaning 'drying process P
  • the direction can also be set (adopted) in 4.
  • FIG. 1 is a diagram showing front and back surface identification processing step Pl, Sn-containing mark applying step P2 and glass surface inversion processing step P3 of a glass substrate in the method for producing a CIS-based thin film solar cell module of the present invention.
  • FIG. 2 In the CIS-based thin film solar cell device of the present invention, the conversion efficiency X of the circuit X formed on the air surface A not containing Sn of the glass substrate 2A and the float surface B containing Sn of the glass substrate 2A
  • FIG. 6 is a comparative distribution diagram of conversion efficiency Y of formed circuit Y.
  • FIG. 3 is a production process diagram of the CIS-based thin film solar cell module of the present invention.
  • FIG. 4 is a configuration diagram of a CIS-based thin film solar cell module of the present invention.
  • FIG. 5 is a configuration diagram of a CIS-based thin film solar cell device.
  • FIG. 6 is a diagram showing a manufacturing process of float glass used for a glass substrate of a CIS-based thin film solar cell module.

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Abstract

　フロート青板ガラス基板のＳｎを含まないエアー面を迅速且つ確実に識別し、前記エアー面を上面に揃え、エアー面上にＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜して、変換効率及び歩留りを向上させ、製造コストを低減する。 　ガラス基板表面に紫外線を照射し、発光した場合は、その面がＳｎを含むフロート面Ｂと識別（Ｐ１）し、Ｓｎ含有マークを付与（Ｐ２）する。Ｓｎ含有マークが付与されていないエアー面Ａが上面の場合は、そのまま洗浄・乾燥工程を経て、エアー面ＡにＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜する。フロート面Ｂが上面の場合は、上下反転（Ｐ３）させた後、洗浄・乾燥工程（Ｐ４）を経て、上面のエアー面ＡにＣＩＳ系薄膜太陽電池デバイスを製膜（Ｐ５）する。

Description

明 細 書
CIS系薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、 CIS系薄膜太陽電池モジュールの構造及びその製造方法、特に、フロ ートガラス基板の Snを含有しないエアー面側に太陽電池デバイスを製膜する CIS系 薄膜太陽電池モジュールの構造及びその製造方法に関する。
背景技術
[0002] CIS系薄膜太陽電池モジュールにおいては、大面積化、製造コスト上の関係から その CIS系薄膜太陽電池デバイスはフロート法により製造されたフロート青板ガラス 基板上に製膜されている。前記フロート青板ガラス基板は、図 6に示すように、溶解し た錫の上に溶解したガラスを浮力せて所定の厚みにするフロート法により製造される ため、ガラス基板のフロート面は Snを含有し、エアー面は Snを含有しないという性質 を有する。そして、 CIS系薄膜太陽電池デバイスをフロート青板ガラス基板のフロート 面又はエアー面の何れの面上に製膜しても、太陽電池特性等に顕著な差異はない と考えられていた。
[0003] 本出願人は、図 2に示すように、フロート青板ガラス基板の Snを含有しないエアー 面側に CIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜した場合の方が、フロート青板ガラス基 板の Snを含有するフロート面側に CIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜した場合より も変換効率が高 、ことを発見した。
[0004] また、プラズマディスプレイ用のガラス基板にぉ 、て、そのフロート面の判別方法と して、紫外線照射によりフロート面に存在する Snからの可視光を検出する方法が知 られている（例えば、特許文献 1参照)。プラズマディスプレイ用のガラス基板としてフ 口一トガラスが使用され、プラズマディスプレイは表示電極やデータ電極に Ag材料を 使用する。その結果、ガラス基板のフロート面に表示電極やデータ電極となる Ag材 料を塗布した場合、フロートガラスのフロート面上に存在する Snと Ag材料の Agィォ ンとの間の酸ィ匕還元反応により Ag— Snコロイドが生成し、ガラス基板が黄色に変色 し、表示画像の品質が大きく損なう。これを防止するため、フロートガラスのフロート面 側には電極を形成しないようにすることが要求される。そのため、前記特許文献 1に 記載のフロートガラス基板のフロート面を判定する方法は、フロート面は Snを含有す るので、フロートガラス基板に紫外線を照射し、フロート面に存在する Snからの蛍光 を可視光で検出してフロート面を判定するものである。
[0005] 本発明の CIS系薄膜太陽電池デバイスの製造方法においては、基板としてフロー ト青板ガラスを用い、 Snを含有するフロート面側に CIS系薄膜太陽電池デバイスを製 膜するとその光吸収層中に Snが拡散して不適当な欠陥カルコパイライト構造が形成 され高効率の CIS系薄膜太陽電池デバイスが得られないという問題があるため、その フロート面とエアー面との識別処理を行う。なお、 CIS系薄膜太陽電池デバイスのガ ラス基板のフロート面とエアー面との識別処理としては前記公知のプラズマディスプ レイ用のガラス基板のフロート面の判別方法を用いる。しかし、 CIS系薄膜太陽電池 デバイスの製造方法にお ヽては、前記ガラス基板のフロート面とエアー面との識別処 理の後、ガラス基板の洗浄処理を実施し、 CIS系薄膜太陽電池デバイスの製膜を行 うため、前記ガラス基板のフロート面とエアー面との識別処理をしても、ガラス面が何 れか一方に揃っていない場合には、ガラス面を何れか一方に揃える必要がある。ま た、前記識別処理では、その後の処理又は保管等により、ガラスの面が反転する可 能性があり、その場合には、フロート面とエアー面が明確に識別されているとはいえ ない。そこで、前記ガラス基板のフロート面とエアー面との識別結果を認識可能な形 で迅速且つ確実にガラス基板上に残存させることが不可欠である。
[0006] 特許文献 1 :特開 2004— 51436号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 本発明は前記問題点を解消するもので、本発明の目的は、フロート青板ガラスの S nを含まな 、エアー面を迅速且つ確実に識別し、 Sn含むフロート面に Sn含有識別マ ークを付与して、フロート青板ガスの Snを含まないエアー面を上下左右の何れか 1つ の方向に揃え、エアー面に CIS系薄膜太陽電池デバイスを形成することにより、 CIS 系薄膜太陽電池デバイスの変換効率及び歩留りを向上させ、製造コストを低減する ことである。 課題を解決するための手段
[0008] (1)本発明は、フロートガラスである青板ガラスの表面は Snを含まないエアー面と S nを含むフロート面からなり、前記青板ガラスの前記エアー面上に CIS (CuInSe系）
2 系薄膜太陽電池デバイスを形成する CIS系薄膜太陽電池モジュールである。
[0009] (2)本発明は、フロートガラスである青板ガラスの表面は Snを含まないエアー面と S nを含むフロート面からなり、前記青板ガラスの前記エアー面上に CIS (CuInSe系）
2 系薄膜太陽電池デバイスを製膜する CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法で ある。
[0010] (3)本発明は、前記青板ガラスの表面の Snの含有の有無を識別するガラス表面識 別手段により Snを含有しない青板ガラスのエアー面を識別し、前記エアー面に前記 CIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜する前記（2)に記載の CIS系薄膜太陽電池モ ジュールの製造方法である。
[0011] (4)本発明は、前記ガラス表面識別手段により Snを含有する青板ガラスのフロート 面を識別し、 Sn含有マーク付与手段により前記フロート面に Snを含有することを示 す Sn含有マーク (又は Snを含有しな ヽ青板ガラスのエアー面に Snが含有しな 、こと を示すマーク）を迅速且つ正確に施し、前記 Snを含有しない青板ガラスのエアー面 に前記 CIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜する前記 (3)に記載の CIS系薄膜太陽 電池モジュールの製造方法である。
[0012] (5)本発明は、前記ガラス表面識別手段は、青板ガラスの両表面に、 Snの存在に より蛍光を発光し、且つ、ガラスを透過しない（吸収される）波長である 200〜300nm 、好ましくは 250〜300nm程度の波長の紫外線を照射し、前記紫外線の照射により 蛍光が発生する（Snから発生する蛍光の量が多 、 (一定値以上の） )場合は前記 CI S系薄膜太陽電池デバイスを形成しな 、面と識別し、蛍光が発生しな ヽ (Snから発 生する蛍光の量が少な!ヽ (一定値以下の) )場合は前記 CIS系薄膜太陽電池デバイ スを製膜する面と識別する前記（3)又は (4)に記載の CIS系薄膜太陽電池モジユー ルの製造方法である。
[0013] (6)本発明は、前記 Sn含有マークが、後工程の物理的又は化学的処理に耐え且 つ機械又は目視により識別可能なインク又は塗料若しくはレーザー、ガラススクライ バー (ダイヤモンド）、サンドブラスト等によりガラス表面にマーク、傷等の目印を、青 板ガラスの表面の外周部の一定箇所に付与する前記（3)又は (4)に記載の CIS系 薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
[0014] (7)本発明は、一定寸法に裁断された一定枚数の、 Snを含有しないエアー面を原 則として CIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜する製膜面 (以下、製膜面という。）であ る上、下、左、右の何れか 1つの向き（例えば、上向き）に積載された青板ガラスを前 記ガラス表面識別手段に順次 1枚づっ搬送し、前記ガラス表面識別手段により Snを 含有する青板ガラスのフロート面を識別し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスの CIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜しない非製膜面 (以下、非製膜面という。例えば 、下面）を前記フロート面であると識別した場合は、前記青板ガラスを次工程 (CIS系 薄膜太陽電池デバイス製膜工程）に搬送し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラス の製膜面 (例えば、上面)を前記フロート面であると識別した場合は、その青板ガラス を 180° (上下又は左右に)反転して次工程に搬送するか又は搬送ラインから除外 する前記（3)、（4)又は（5)に記載の CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法で ある。
[0015] (8)本発明は、一定寸法に裁断された一定枚数の、 Snを含有しないエアー面を原 則として CIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜する製膜面 (以下、製膜面という。）であ る上、下、左、右の何れか 1つの向き（例えば、上向き）に積載された青板ガラスを前 記ガラス表面識別手段に順次 1枚づっ搬送し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラ スの CIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜しない非製膜面 (以下、非製膜面という。例 えば、下面）を前記フロート面であると識別した場合は、前記 Sn含有マーク付与手段 により青板ガラスの非製膜面 (例えば、下面）に Sn含有マーク（又は Snを含有しない 青板ガラスの表面に Snを含有しないことを示すマーク）を施し、前記ガラス表面識別 手段が青板ガラスの製膜面 (例えば、上面)を前記フロート面であると識別した場合 は、前記 Sn含有マーク付与手段により青板ガラスの製膜面 (例えば、上面）に Sn含 有マーク (又は Snを含有しな ヽ青板ガラスの表面に Snを含有しな 、ことを示すマー ク）を施し、前記 Sn含有マークが青板ガラスの非製膜面 (例えば、下面）に付与され て ヽる場合は、前記青板ガラスを次工程 (洗浄工程及び CIS系薄膜太陽電池デバイ ス製膜工程）に搬送し、前記 Sn含有マークが青板ガラスの青板ガラスの製膜面 (例え ば、上面）に付与されている場合は、その青板ガラスを 180° (上下又は左右に)反 転して次工程に搬送するか又は搬送ライン力 除外する前記（3)、（4)、（5)又は（6 )に記載の CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法である。
[0016] (9)本発明は、前記搬送ライン力も除外した青板ガラスを 180° (上下又は左右に） 反転して積載する前記 (8)に記載の CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法で ある。
[0017] (10)本発明は、前記 CIS系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程が、アルカリバリア 層製膜処理工程、金属裏面電極層製膜工程、第 1パターン形成工程、光吸収層製 膜工程、高抵抗バッファ層製膜工程、第 2パターン形成工程、窓層製膜工程、第 3パ ターン形成工程の順力 なる前記（2)又は（3)に記載の CIS系薄膜太陽電池モジュ ールの製造方法である。
[0018] (11)本発明は、前記 CIS系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程は、その工程の一 部で、前記青板ガラスのエアー面を上方向、下方向、横方向、一定角度傾斜した横 方向の何れか 1つの状態でそのエアー面に製膜する前記（10)に記載の CIS系薄膜 太陽電池モジュールの製造方法である。
発明の効果
[0019] 本発明は、フロート青板ガラスの Snを含まないエアー面を迅速且つ確実に識別し、 Sn含むフロート面に Sn含有識別マークを付与して、フロート青板ガスの Snを含まな Vヽエアー面を上下左右の何れか 1つの方向に揃え、エアー面に CIS系薄膜太陽電 池デバイスを形成することにより、 CIS系薄膜太陽電池モジュールの変換効率及び 歩留りが向上すると共に、製造コストを低減することができる。
発明を実施するための最良の形態
[0020] 以下、本発明の実施の形態について説明する。
本発明は、 CIS系薄膜太陽電池デバイス 2又はその製造方法、特に、フロート青板 ガラス基板 (以下、ガラス基板という。） 2Aの Snを含有しない面 (エアー面) Aに CIS 系薄膜太陽電池デバイス 2を形成 (製膜)する CIS系薄膜太陽電池モジュール又は その製造方法に関するものである。 CIS系薄膜太陽電池モジュール 1は、図 4に示す ように、ガラス基板 2A上に、アルカリバリア層、金属裏面電極層 2B、 p形半導体の光 吸収層 2C、高抵抗のバッファ層 2D、 n形の透明導電膜からなる窓層 2Eの順に積層 された積層構造の CIS系薄膜太陽電池デバイス（図 5参照）の上面に架橋された EV A榭脂等のプラスチック榭脂 3によりカバーガラス 4が接着され、前記 CIS系薄膜太陽 電池デバイスの裏面に、ノ ックシート 5及びケーブル付き接続箱 6が設置され、この 外周部にシール材 7を介してフレーム 8が取り付けられた構造体である。
[0021] 前記 CIS系薄膜太陽電池デバイス 2は、多元化合物半導体薄膜を光吸収層として 使用したヘテロ接合薄膜太陽電池、特に、 Cu-III-VI族カルコパイライト半導体、例
2
えば、二セレン化銅インジウム (CISe)、二セレン化銅インジウム ·ガリウム (CIGSe)、二 セレン.ィォゥ化銅インジウム .ガリゥム (CIGSSe)、ニイォゥ化銅インジウム .ガリゥム (CI GS)又は薄膜の二セレン'ィォゥ化銅インジウム ·ガリゥム (CIGSSe)層を表面層として 有する二セレン化銅インジウム 'ガリウム (CIGSe)のような p形半導体の光吸収層と pn ヘテロ接合を有する。
[0022] 前記 CIS系薄膜太陽電池デバイス 2はそのガラス基板として、フロート法により製造 された青板ガラスが使用される。前記フロート青板ガラス基板 (以下、ガラス基板とい う。） 2Aは、図 6に示すように、溶解した Snの上に溶解したガラスを浮かせて所定の 厚みにするフロート法により製造されるため、ガラス基板 2Aの両表面には、 Snを含ま ないエアー面 Aと Snを含むフロート面とがあり、前記フロート面に CIS系薄膜太陽電 池デバイス 2を形成すると、前記 CIS系（CuInSe系）薄膜太陽電池デバイスの光吸
2
収層の製膜工程における 400〜600°Cの加熱中に Snが前記光吸収層中に拡散し て、望ましい結晶系（結晶構造)であるカルコパイライト構造を形成せずに、高効率太 陽電池製造に不適当な結晶構造である欠陥カルコパイライト構造又はスタナイト構造 を形成という問題があり、ガラス基板 2Aの Snを含有しないエアー面 Aの表面に、前 記 CIS系薄膜太陽電池デバイス 2を形成する必要がある。
[0023] ガラス基板 2Aの Snを含まな 、エアー面 Aに複数の CIS系薄膜太陽電池デバイス 2 を (接続パターンにより）電気的に接続したもの（以下、サーキットという。）を形成した サーキット Xと、ガラス基板 2Aの Snを含むフロート面 Bにサーキットを形成したサーキ ット Yの夫々 240枚の変換効率 (特性 Xと特性 Y)の測定結果の比較分布図を図 2〖こ 示す。その結果、ガラス基板 2Aのエアー面に CIS系薄膜太陽電池デバイスを形成（ 製膜)したサーキット Xの変換効率 (特性 X)は、ガラス基板 2Aのフロート面に CIS系 薄膜太陽電池デバイスを形成 (製膜)したサーキット Yの変換効率 (特性 Y)と比べて 、より高い変換効率の部分に分布枚数が多く存在する、即ち、サーキット Xはサーキ ット Yよりも変換効率が高いことが証明される。そこで、本発明においては、図 5に示 すように、フロート青板ガラス基板 2Aの Snを含まな 、エアー面 A側に CIS系薄膜太 陽電池デバイス 2を形成 (製膜)した CIS系薄膜太陽電池デバイス又はその製造方法 を提供するものである。
[0024] CIS系薄膜太陽電池デバイス 2をガラス基板 2A上に製膜するには、先ず、前記ガ ラス基板 2Aの表面に Snが含まれているか否かを識別する必要がある。
[0025] 本発明の CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、ガラス洗浄'乾燥工程 P4 の前にガラス基板 2Aの表面の Snの含有の有無を識別するガラス表面識別手段によ りガラス基板 2Aのエアー面 A、フロート面 Bを識別するガラス表面識別工程 PIを設 けて、前記エアー面 Aに前記 CIS系薄膜太陽電池デバイス 2を形成する。
[0026] 前記ガラス表面識別工程 P1によりエアー面 Aを識別するガラス表面識別処理した 後、 Sn含有マーク付与工程 P2においては、 Sn含有マーク付与部 P2で前記フロート 面 Bの一部（外周部又は四隅）の識別し易 、箇所に、後工程にぉ 、て消滅しな ヽ耐 久性のある部材又は方法により、迅速且つ正確に Snを含有することを示す Sn含有 マークを施す。前記マークは特殊塗料 (例えば、速乾蛍光塗料）による塗布、特殊ィ ンキ (例えば、蛍光インキ）によるスタンプ印刷、前記マークが印刷された貼着シール の等の貼着、又はレーザー、サンドブラスト、スクライバー (ダイヤモンド)等によりガラ ス表面にマーク、傷等の目印をを付与する。マークは文字、数字、バーコード、その 他マークである。この Sn含有マークはガラス洗浄処理後にお!/、てもその存在を明確 にすることにより、以後の製膜工程で製膜処理の迅速性及び正確性を維持 (確保)す ることがでさる。
[0027] 前記ガラス表面識別手段 P1は、図 1に示すように、ガラス基板 2Aの両表面に紫外 線ランプ こより、 Snの存在により蛍光を発光し、且つ、ガラスを透過しない（吸収さ れる）波長である 200〜300nm、好ましくは 250〜300nm程度の波長の紫外線を照 射し、前記紫外線の照射により蛍光が発生する（Snから発生する蛍光の量が多 、 ( 一定値以上の) )場合は前記 CIS系薄膜太陽電池デバイス 2を形成しな ヽ面と判別し 、蛍光が発生しな 、（Snから発生する蛍光の量が少な 、（一定値以下の) )場合は前 記 CIS系薄膜太陽電池デバイス 2を形成する面と判別する。前記蛍光を受光素子 C により受光しその出力量により錫の含有の有無を判別する。
[0028] 前記ガラス表面識別工程 P1に搬入されるガラス基板 2Aは、一定寸法に裁断され た一定枚数の、 Snを含有しな 、表面を原則として CIS系薄膜太陽電池デバイス 2を 製膜する製膜面 (以下、製膜面という）である上、下、左、右の何れか 1つの向き (本 実施例では上向き）に積載されたもので、これを前記ガラス表面識別手段 P1に順次 1枚づっ搬送し、前記ガラス表面判別手段 P1がガラス基板 2Aの前記製膜面 (本実 施例では、上面）がエアー面 Aであるか否かを識別する。前記ガラス表面判別手段 P 1がガラス基板 2Aの製膜面 (本実施例では、上面)をエアー面 Aであると識別し、 Sn 含有マーク付与部 P2でガラス基板 2Aの CIS系薄膜太陽電池デバイス 2を製膜しな い非製膜面 (以下、非製膜面という。本実施例では、下面）に Sn含有マークを付与し た場合は、前記ガラス基板 2Aを次工程の反転工程 P3に搬送し、（上下又は左右に） 反転せずにそのまま次工程のガラス洗浄 ·乾燥工程 P4に搬送する。また、前記ガラ ス表面判別手段 P1がガラス基板 2Aの非製膜面 (本実施例では、下面)をエアー面 Aであると識別し、 Sn含有マーク付与部 P2でガラス基板 2Aの製膜面 (本実施例で は、上面）に Sn含有マークを付与した場合は、前記ガラス基板 2Aを次工程のガラス 基板反転工程 P3に搬送し、 180° (上下又は左右、本実施例では、上下)反転して 、製膜面 (本実施例では、上面)をエアー面として次工程のガラス洗浄 ·乾燥工程 P4 に搬送する（ケース 1)。
[0029] また、前記ガラス表面判別手段 P1がガラス基板 2Aの非製膜面 (本実施例では、下 面)をエアー面 Aであると識別し、 Sn含有マーク付与部 P2でガラス基板 2Aの製膜面 (本実施例では、上面）に Sn含有マークを付与した場合は、搬送ラインから除外し、 除外したガラス基板 2Aを 180° (本実施例では、上下)反転して一定方向に揃えて 積載する（ケース 2)方法もある。その結果、除外して積載したガラス基板 2Aは Snを 含有しない表面を一定方向に揃えて積載することができ、これをそのまま、ガラス洗 浄'乾燥処理工程 P4に搬送することができる。
[0030] なお、前記ガラス表面識別工程 Pl、 Sn含有マーク付与工程 P2、ガラス基板反転 工程 P3、ガラス基板洗浄 ·乾燥工程 P4では、後工程の CIS系薄膜太陽電池デバイ スの製膜処理 P5において、装置の配置及び加工処理上、エアー面が上面であると 都合が良いために、ガラス基板 2Aのエアー面 Aが上面（フロート面 Bは下面）に位置 する製膜面となるように各ガラス基板 2Aを揃える方法を採って ヽるが、ガラス基板 2A の積載状態及び製膜面は水平方向及び垂直方向があり、その場合、ガラス基板 2A のエアー面 Aが本実施例の上面以外の、下面、左面、右面となるように各ガラス基板 2Aを揃える方法もある。製膜装置の設置位置としては、ガラス基板 2Aの上、下、左、 右の何れかがあり、その結果、製膜面は、上面、下面、左面、右面の何れか、非製膜 面は、製膜面と反対の下面、上面、右面、左面の何れかとなる。
[0031] 前記ガラス洗浄 ·乾燥工程 P4で洗浄 ·乾燥処理されたガラス基板 2Aは、連続して 、又は一時保管の後、ガラス基板 2Aのエアー面側に CIS系薄膜太陽電池デバイス の製膜処理 P5を施す。
[0032] 前記 CIS系薄膜太陽電池モジュールの製膜処理工程 P5の詳細を以下に示す。
CIS系薄膜太陽電池モジュールの製膜処理工程は、図 3に示すように、アルカリバ リア層製膜処理工程、金属裏面電極層製膜工程、第 1パターン形成工程、光吸収層 製膜工程、高抵抗バッファ層製膜工程、第 2パターン形成工程、窓層製膜工程、第 3 ノターン形成工程の順で処理される。前記 CIS系薄膜太陽電池デバイスの製膜処 理工程の後に、更に、仕上げ工程 (電極部の設置）、バスバーリボン半田付け工程、 第 1出力測定工程、パッケージング工程、第 2出力測定工程、試験 (耐圧試験等)ェ 程、梱包工程等の順に処理が施され CIS系薄膜太陽電池モジュールが製造される。
[0033] また、前記 CIS系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程 P5においては、その工程の一 部で、前記ガラス基板 2Aのエアー面 A又は製膜面の方向を、上方向、下方向、横方 向、一定角度傾斜した横方向の何れ力 1つの状態にして、そのエアー面 Aに製膜す ることもできる。前記エアー面 A又は製膜面の方向は、本発明における CIS系薄膜太 陽電池デバイスの製膜工程 P5に限らず、その前工程であるガラス表面識別工程 P1 、 Sn含有マーク付与工程 P2、ガラス基板反転工程 P3、ガラス基板洗浄'乾燥工程 P 4においてもその方向を設定 (採用）することができる。
図面の簡単な説明
[図 1]本発明の CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法におけるガラス基板の表 裏面識別処理工程 Pl、 Sn含有マーク付与工程 P2、ガラス面反転処理工程 P3を示 す図である。
[図 2]本発明の CIS系薄膜太陽電池デバイスにおいて、ガラス基板 2Aの Snを含まな いエアー面 Aに形成したサーキット Xの変換効率 Xとガラス基板 2Aの Snを含むフロ ート面 Bに形成したサーキット Yの変換効率 Yの比較分布図である。
[図 3]本発明の CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造工程図である。
[図 4]本発明の CIS系薄膜太陽電池モジュールの構成図である。
[図 5]CIS系薄膜太陽電池デバイスの構成図である。
[図 6]CIS系薄膜太陽電池モジュールのガラス基板に用いられるフロートガラスの製 造工程を示す図である。
符号の説明
1 CIS系薄膜太陽電池モジュール
2 CIS系薄膜太陽電池デバイス部
2A ガラス基板
A エアー面
B フロート面
2B アルカリバリア層
2C 金属裏面電極層
2D 光吸収層
2E ノ ッファ層
2F 寧層
3 EVA榭脂
4 カバーガラス
5 ノ ックシ一卜
6 ケーブル付き接続箱 7 シール材
8 フレーム
PI ガラス表面識別工程
P2 Sn含有マーク付与工程
P3 カラス基板反転工程
P4 カラス洗浄 ·乾燥工程
P5 CIS系薄膜太陽電池デバイスの製膜処理工程
P51 アルカリバリア層製膜処理工程
P52 金属裏面電極層製膜工程
P53 第 1パターン形成工程
P54 光吸収層製膜工程
P55 高抵抗バッファ層製膜工程
P56 第 2パターン形成工程
P57 窓層製膜工程
P58 第 3パターン形成工程
X ガラス基板 2Aの Snを含まないエアー面 Aに形成したサーキットの変換効
Y ガラス基板 2Aの Snを含むフロート面 Bに形成したサーキットの変換効率

Claims

請求の範囲
[1] フロートガラスである青板ガラスの表面は Snを含まな!/、エアー面と Snを含むフロー ト面からなり、前記青板ガラスの前記エアー面上に CIS (CuInSe系）系薄膜太陽電
2
池デバイスを形成することを特徴とする CIS系薄膜太陽電池モジュール。
[2] フロートガラスである青板ガラスの表面は Snを含まな!/、エアー面と Snを含むフロー ト面からなり、前記青板ガラスの前記エアー面上に CIS (CuInSe系）系薄膜太陽電
2
池デバイスを製膜することを特徴とする CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法
[3] 前記青板ガラスの表面の Snの含有の有無を識別するガラス表面識別手段により S nを含有しない青板ガラスのエアー面を識別し、前記エアー面に前記 CIS系薄膜太 陽電池デバイスを製膜することを特徴とする請求項 2に記載の CIS系薄膜太陽電池 モジュールの製造方法。
[4] 前記ガラス表面識別手段により Snを含有する青板ガラスのフロート面を識別し、 Sn 含有マーク付与手段により前記フロート面に Snを含有することを示す Sn含有マーク（ 又は Snを含有しな 、青板ガラスのエアー面に Snが含有しな 、ことを示すマーク）を 迅速且つ正確に施し、前記 Snを含有しな 、青板ガラスのエアー面に前記 CIS系薄 膜太陽電池デバイスを製膜することを特徴とする請求項 3に記載の CIS系薄膜太陽 電池モジュールの製造方法。
[5] 前記ガラス表面識別手段は、青板ガラスの両表面に、 Snの存在により蛍光を発光 し、且つ、ガラスを透過しない（吸収される）波長である 200〜300nm、好ましくは 25 0〜300nm程度の波長の紫外線を照射し、前記紫外線の照射により蛍光が発生す る（Snから発生する蛍光の量が多 ヽ（一定値以上の) )場合は前記 CIS系薄膜太陽 電池デバイスを形成しな 、面と識別し、蛍光が発生しな 、（Snから発生する蛍光の 量が少な ヽ (一定値以下の) )場合は前記 CIS系薄膜太陽電池デバイスを製膜する 面と識別することを特徴とする請求項 3又は 4に記載の CIS系薄膜太陽電池モジユー ルの製造方法。
[6] 前記 Sn含有マークは、後工程の物理的又は化学的処理に耐え且つ機械又は目 視により識別可能なインク又は塗料若しくはレーザー、ガラススクライバー (ダイヤモ ンド)、サンドブラスト等によりガラス表面にマーク、傷等の目印を、青板ガラスの表面 の外周部の一定箇所に付与することを特徴とする請求項 3又は 4に記載の CIS系薄 膜太陽電池モジュールの製造方法。
[7] 一定寸法に裁断された一定枚数の、 Snを含有しないエアー面を原則として CIS系 薄膜太陽電池デバイスを製膜する製膜面 (以下、製膜面という。）である上、下、左、 右の何れか 1つの向き（例えば、上向き）に積載された青板ガラスを前記ガラス表面 識別手段に順次 1枚づっ搬送し、前記ガラス表面識別手段により Snを含有する青板 ガラスのフロート面を識別し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスの CIS系薄膜太 陽電池デバイスを製膜しない非製膜面 (以下、非製膜面という。例えば、下面)を前 記フロート面であると識別した場合は、前記青板ガラスを次工程 (CIS系薄膜太陽電 池デバイス製膜工程）に搬送し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスの製膜面 (例 えば、上面）を前記フロート面であると識別した場合は、その青板ガラスを 180° (上 下又は左右に)反転して次工程に搬送するか又は搬送ラインから除外することを特 徴とする請求項 3、 4又は 5に記載の CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
[8] 一定寸法に裁断された一定枚数の、 Snを含有しないエアー面を原則として CIS系 薄膜太陽電池デバイスを製膜する製膜面 (以下、製膜面という。）である上、下、左、 右の何れか 1つの向き（例えば、上向き）に積載された青板ガラスを前記ガラス表面 識別手段に順次 1枚づっ搬送し、前記ガラス表面識別手段が青板ガラスの CIS系薄 膜太陽電池デバイスを製膜しない非製膜面 (以下、非製膜面という。例えば、下面） を前記フロート面であると識別した場合は、前記 Sn含有マーク付与手段により青板 ガラスの非製膜面 (例えば、下面）に Sn含有マーク (又は Snを含有しない青板ガラス の表面に Snを含有しないことを示すマーク）を施し、前記ガラス表面識別手段が青板 ガラスの製膜面 (例えば、上面)を前記フロート面であると識別した場合は、前記 Sn 含有マーク付与手段により青板ガラスの製膜面 (例えば、上面）に Sn含有マーク (又 は Snを含有しな 、青板ガラスの表面に Snを含有しな 、ことを示すマーク）を施し、前 記 Sn含有マークが青板ガラスの非製膜面 (例えば、下面）に付与されている場合は、 前記青板ガラスを次工程 (洗浄工程及び CIS系薄膜太陽電池デバイス製膜工程）に 搬送し、前記 Sn含有マークが青板ガラスの青板ガラスの製膜面 (例えば、上面）に付 与されている場合は、その青板ガラスを 180° (上下又は左右に)反転して次工程に 搬送するか又は搬送ラインから除外することを特徴とする請求項 3、 4、 5又は 6に記 載の CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
[9] 前記搬送ライン力も除外した青板ガラスを 180° (上下又は左右に)反転して積載 することを特徴とする請求項 8に記載の CIS系薄膜太陽電池モジュールの製造方法
[10] 前記 CIS系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程は、アルカリバリア層製膜処理工程 、金属裏面電極層製膜工程、第 1パターン形成工程、光吸収層製膜工程、高抵抗バ ッファ層製膜工程、第 2パターン形成工程、窓層製膜工程、第 3パターン形成工程の 順力 なることを特徴とする請求項 2又は 3に記載の CIS系薄膜太陽電池モジュール の製造方法。
[11] 前記 CIS系薄膜太陽電池デバイスの製膜工程は、その工程の一部で、前記青板 ガラスのエアー面を上方向、下方向、横方向、一定角度傾斜した横方向の何れか 1 つの状態でそのエアー面に製膜することを特徴とする請求項 10に記載の CIS系薄 膜太陽電池モジュールの製造方法。
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