WO2006137410A1 - 露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

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WO2006137410A1
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exposure
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exposure apparatus
path space
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Yoshitomo Nagahashi
Katsushi Nakano
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Nikon Corporation
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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Definitions

  • Exposure apparatus Exposure apparatus, exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
  • the present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, an exposure apparatus maintenance method, and a device manufacturing method.
  • an exposure apparatus that exposes a pattern image of a mask onto a photosensitive substrate is used.
  • miniaturization of patterns formed on a substrate is required in order to increase the density of devices.
  • it is desired to further increase the resolution of the exposure apparatus and as one means for realizing the higher resolution, the exposure light as disclosed in the following patent document is used.
  • An immersion exposure apparatus has been devised in which an optical path space is filled with a liquid and exposure light is irradiated onto the substrate through the liquid to expose the substrate.
  • Patent Document 1 Pamphlet of International Publication No. 99Z49504
  • the performance of the exposure apparatus deteriorates or the performance of the manufactured device deteriorates.
  • the performance of the exposure apparatus deteriorates or the performance of the manufactured device deteriorates.
  • an electric device arranged around the substrate may malfunction, or the pattern formed on the substrate may deteriorate.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an exposure apparatus and an exposure method capable of satisfactorily exposing a substrate. It is another object of the present invention to provide a maintenance method capable of suppressing deterioration in performance of an exposure apparatus. Moreover, it aims at providing the device manufacturing method which can manufacture the device which has desired performance. Means for solving the problem
  • the present invention adopts the following configurations corresponding to the respective drawings shown in the embodiments.
  • the reference numerals in parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
  • the exposure light (E) in the exposure apparatus that exposes the substrate (P), the exposure light (E
  • the first aspect of the present invention it is possible to prevent the charged liquid from filling the optical path space of the exposure light by supplying the ionized ionic liquid.
  • the first supply port for supplying the cation liquid (2A) to the optical path space (K) of the exposure light (EL) An exposure apparatus (EX) provided with (8A) and a second supply port (8B) for supplying an anionic liquid (2B) to the optical path space (K) is provided.
  • the ionized ionic liquids (2A, 2B) are supplied to the optical path space (K) of the exposure light (EL).
  • An exposure apparatus (EX) is provided that includes a first supply port (8A) and a second supply port (8B) that is ionized into the optical path space (K) and supplies a nonionic liquid (2P).
  • the exposure apparatus that exposes the substrate (P)
  • the exposure light E Immersion device (1) for filling the optical path space (K) of L) with liquid (2)
  • ionic liquid 2A, 2B
  • predetermined members FL, 6
  • An exposure apparatus (EX) provided with a cleaning apparatus (1) for cleaning at the same time is provided.
  • a device manufacturing method using the exposure apparatus (EX) of the above aspect is provided.
  • a device having desired performance can be manufactured.
  • the exposure method for exposing the substrate (P) the ion liquid (2A, 2B) ionized with respect to the optical path space (K) of the exposure light (EL)
  • an exposure method including an operation of supplying and an operation of irradiating the exposure light (EL) onto the substrate (P) through the liquid (2) filled in the optical path space (K).
  • a seventh aspect of the present invention there is provided a device manufacturing method using the exposure method of the above aspect.
  • a device having desired performance can be manufactured.
  • the liquid filled in the optical path space (K) of the exposure light (EL) A maintenance method including an operation of cleaning the predetermined member (FL) contacting with (2) with an ionic liquid (2A) ionized is provided.
  • an immersion mechanism such as 6) that fills the optical path space (K) of the exposure light (EL) with the liquid (2).
  • an antistatic device e.g., 14 for preventing bubbles generated in the liquid (2) from being charged. It is.
  • an immersion mechanism such as 6) that fills the optical path space (K) of the exposure light (EL) with the liquid (2).
  • an antistatic device for example, 14 that prevents the liquid (2) from being charged in order to suppress exposure failure due to bubbles in the liquid (2).
  • the antistatic device for preventing charging of the liquid since the antistatic device for preventing charging of the liquid is provided, even when bubbles are generated in the liquid, the bubbles are prevented from shrinking and disappearing. Bubble charging can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure due to bubbles in the liquid and to expose the substrate satisfactorily.
  • an immersion mechanism such as 6) that fills the optical path space (K) of the exposure light (EL) with the liquid (2).
  • an exposure apparatus (EX) including a prevention device (for example, 14) for preventing exposure failure caused by charged bubbles in the liquid (2).
  • the eleventh aspect of the present invention since exposure failure due to charged bubbles in the liquid is prevented! /, The substrate can be exposed satisfactorily.
  • a device having desired performance can be manufactured.
  • the liquid (2) in the exposure method for exposing the substrate (P), the liquid (2) is supplied to the optical path space (K) of the exposure light (EL), and the liquid (2) There is provided an exposure method that prevents charging of bubbles in the liquid crystal and suppresses exposure failure caused by bubbles in the liquid (2) in the optical path space (K) of exposure light (EL).
  • the liquid (2) is supplied to the optical path space (K) of the exposure light (EL), and the liquid (2) By preventing charging, an exposure method is provided that suppresses exposure failure caused by bubbles in the liquid (2) in the optical path space (K) of exposure light (EL).
  • the fourteenth aspect of the present invention even when bubbles are generated in the liquid by preventing charging of the liquid, the bubbles are prevented from shrinking or disappearing in the liquid. Charging can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure due to bubbles in the liquid and to expose the substrate satisfactorily.
  • a device having desired performance can be manufactured.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram of an exposure apparatus according to a first embodiment.
  • FIG. 2 A view of the nozzle member with a lower force.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining a liquid supply system according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic diagram for explaining an example of an ionic water generator.
  • FIG. 5A is a diagram showing an example of a substrate.
  • FIG. 5B is a diagram showing an example of a substrate.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining an example of a static eliminator.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a liquid supply system according to a second embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining a liquid supply system according to a third embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a liquid supply system according to a fourth embodiment.
  • FIG. 10A is a view for explaining a liquid supply system according to a fifth embodiment.
  • FIG. 10B is a diagram for explaining a liquid supply system according to a fifth embodiment.
  • FIG. 10C is a view for explaining a liquid supply system according to a fifth embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a liquid supply system according to a sixth embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining an operation according to the seventh embodiment.
  • FIG. 13 is a view for explaining an exposure apparatus according to an eighth embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus according to a ninth embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining a liquid supply system according to a ninth embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining an example of a deaeration device.
  • FIG. 17 is a schematic diagram for explaining how bubbles are charged.
  • FIG. 18 shows an exposure apparatus according to a tenth embodiment.
  • FIG. 19 is a diagram for explaining a liquid supply system according to an eleventh embodiment.
  • FIG. 20 is a diagram for explaining a liquid supply system according to a twelfth embodiment.
  • FIG. 21 is a diagram for explaining an example of an ionic water generator.
  • FIG. 22 shows an exposure apparatus according to a thirteenth embodiment.
  • FIG. 23 is a flowchart for explaining an example of a manufacturing process of a micro device.
  • mixing device 151 ... carbon dioxide supply device, 154 ... mixing device, EL ... exposure light, EX ... exposure device, FL ... final optical element ( Optical member), FL2 ... Boundary optical element (optical member), K (K2) ... Optical path space, ⁇ ... Substrate
  • a ⁇ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this ⁇ ⁇ orthogonal coordinate system.
  • the predetermined direction in the horizontal plane is the X-axis direction
  • the direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is the vertical axis direction
  • the direction orthogonal to the X-axis direction and the vertical axis direction (that is, the vertical direction) is the vertical axis direction.
  • the rotation (tilt) directions around the X, Y, and Z axes are the 0 X, 0 Y, and 0 Z directions, respectively.
  • FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus EX according to the first embodiment.
  • the exposure apparatus EX exposes a mask stage 3 that can move while holding the mask M, a substrate stage 4 that can move while holding the substrate P, and the mask M held by the mask stage 3.
  • Illumination optical system IL that illuminates with light EL
  • projection optical system PL that projects the pattern image of mask M illuminated with exposure light EL onto substrate P
  • control device 7 that controls the overall operation of exposure apparatus EX I have.
  • the substrate includes a substrate such as a semiconductor wafer coated with a photosensitive material (photoresist), and the mask includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected is formed on the substrate.
  • a force reflection type mask using a transmission type mask as a mask may be used.
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus to which an immersion method is applied in order to substantially shorten the exposure wavelength to improve the resolution and substantially increase the depth of focus.
  • an immersion system 1 that fills at least the optical path space K of the exposure light EL on the image plane side of the projection optical system PL with the liquid 2.
  • the operation of the immersion system 1 is controlled by the controller 7.
  • the exposure apparatus EX uses the liquid immersion system 1 to fill the optical path space K of the exposure light EL with the liquid 2 at least while the pattern image of the mask M is exposed on the substrate P.
  • the exposure apparatus EX irradiates the substrate P with the exposure light EL that has passed through the mask M via the projection optical system PL and the liquid 2 filled in the optical path space K, so that the pattern image of the mask M is formed on the substrate P.
  • the liquid 2 filled in the optical path space K is larger than the projection area AR in a partial area on the substrate P including the projection area AR of the projection optical system PL. Smaller than substrate P! Liquid 2 Liquid immersion area Adopt a local liquid immersion method to form LR locally! RU
  • the immersion area LR can be formed on the object placed at the position facing the final optical element FL closest to the image plane of the projection optical system PL, for example, on a part of the substrate stage 4 etc. It is. [0043]
  • the illumination optical system IL illuminates a predetermined illumination area on the mask M with exposure light EL having a uniform illuminance distribution.
  • the exposure light EL that also emits IL force includes, for example, bright lines (g-line, h-line, i-line) and KrF excimer laser light (wavelength 248nm) that also emit mercury lamp force (DUV light).
  • ArF excimer laser light wavelength 193nm
  • F laser light F laser light
  • Vacuum ultraviolet light such as 2 wavelengths (157 nm) is used.
  • ArF excimer laser light is used.
  • the mask stage 3 is movable in the X-axis, Y-axis, and ⁇ -Z directions while holding the mask M by driving a mask stage driving apparatus 3D including an actuator such as a linear motor.
  • the position information of the mask stage 3 (H! /, The mask M) is measured by the laser interferometer 3L.
  • the laser interferometer 3L measures the position information of the mask stage 3 using a moving mirror 3K provided on the mask stage 3.
  • the control device 7 drives the mask stage driving device 3D and holds the mask stage 3 to control the position of the mask M.
  • the movable mirror 3K may include not only a plane mirror but also a corner cube (retro reflector). Instead of fixing the movable mirror 3K to the mask stage 3, for example, an end face (side surface) of the mask stage 3 is used. ) May be used as a reflecting surface formed by mirror finishing. Further, the mask stage 3 may be configured to be capable of coarse and fine movement disclosed in, for example, JP-A-8-130179 (corresponding US Pat. No. 6,721,034).
  • the projection optical system PL projects a pattern image of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification, and has a plurality of optical elements, and these optical elements are held by a lens barrel PK. ing.
  • the projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1Z4, 1/5, 1/8, etc., and forms a reduced image of the mask pattern in the projection area AR conjugate with the illumination area described above.
  • the projection optical system PL may be any of a reduction system, a unity magnification system, and an enlargement system.
  • the projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image. In the present embodiment, among the plurality of optical elements of the projection optical system PL, only the final optical element FL closest to the image plane of the projection optical system PL is in contact with the liquid 2 in the optical path space K.
  • the substrate stage 4 has a substrate holder 4H that holds the substrate P, and is movable on the base member 5 while holding the substrate P on the substrate holder 4H.
  • the substrate holder 4H is disposed in a recess 4R provided on the substrate stage 4, and the upper surface 4F of the substrate stage 4 other than the recess 4R is substantially the same as the surface of the substrate P held by the substrate holder 4H.
  • the surface is flat (level). This is because, for example, during the exposure operation of the substrate P, a part of the liquid immersion region LR protrudes from the surface of the substrate P and is formed on the upper surface 4F. Note that only a part of the upper surface 4F of the substrate stage 4, for example, a predetermined region surrounding the substrate P (including a region where the liquid immersion region LR protrudes) may be substantially the same as the surface of the substrate P.
  • the substrate holder 4H may be formed integrally with a part of the substrate stage 4.
  • the substrate holder 4H and the substrate stage 4 are configured separately, for example, by vacuum suction or the like. 4H is fixed to the recess 4R.
  • the substrate stage 4 is driven by a substrate stage driving device 4D including an actuator such as a linear motor, and the substrate P is held in the X axis, Y axis, Z axis, 0 ⁇ , ⁇ ⁇ , ⁇ ⁇ It can move in the direction of 6 degrees of freedom.
  • the position information of the substrate stage 4 (and substrate ⁇ ) is measured by the laser interferometer 4L.
  • the laser interferometer 4L uses the moving mirror 4 ⁇ provided on the substrate stage 4 to measure the positional information of the substrate stage 4 in the X-axis, ⁇ -axis, and ⁇ direction.
  • the surface position information (position information regarding the axis, ⁇ X, and ⁇ directions) of the surface of the substrate ⁇ held by the substrate stage 4 is detected by a focus leveling detection system (not shown).
  • the control device 7 drives the substrate stage driving device 4D based on the measurement result of the laser interferometer 4L and the detection result of the force leveling detection system, and the position of the substrate ⁇ held on the substrate stage 4 Take control.
  • the laser interferometer 4L is capable of measuring the position of the substrate stage 4 in the vertical axis direction and the rotation information in the 0 X and 0 vertical directions, as described in detail in, for example, JP 2001-510577 A Corresponding to International Publication No. 1999Z28790 pamphlet). Furthermore, instead of fixing the movable mirror 4mm to the substrate stage 4, for example, a part of the substrate stage 4 (side surface, etc.) You can also use a reflective surface formed by mirror finishing!
  • the focus / leveling detection system measures the position information in the Z-axis direction of the substrate P at each of the plurality of measurement points.
  • the plurality of measurement points may be set at least partially within the immersion area LR (or projection area AR), or all of the measurement points may be in the immersion area LR. It may be set outside.
  • the laser interferometer 4L can measure the position information of the substrate P in the Z axis, ⁇ X and ⁇ Y directions
  • the position information in the Z axis direction can be measured during the exposure operation of the substrate P.
  • the position control of the substrate P in the Z axis, ⁇ X and 0 Y directions is performed using the measurement result of the laser interferometer 4L during the exposure operation, at least during the exposure operation. Even so,
  • the immersion system 1 includes exposure light EL between the final optical element FL of the projection optical system PL and the substrate P disposed at a position facing the final optical element FL on the image plane side of the projection optical system PL. Fill the optical path space K with liquid 2.
  • liquid 2 In the present embodiment, water (pure water) is used as the liquid 2.
  • the immersion system 1 is provided at a predetermined position with respect to the optical path space K of the exposure light EL, a supply port 8 for supplying the liquid 2 to the optical path space K of the exposure light EL, and a recovery port for recovering the liquid 2
  • a nozzle member 6 having 9, a liquid supply system 10 for supplying the liquid 2 to the supply port 8, and a liquid recovery system 20 for recovering the liquid 2 through the recovery port 9 are provided.
  • the control device 7 controls the immersion system 1 to perform the supply operation of the liquid 2 via the supply port 8 and the recovery operation of the liquid 2 via the recovery port 9 in parallel, thereby
  • the optical path space K is filled with the liquid 2, and an immersion area LR of the liquid 2 is locally formed in a part of the area on the substrate P.
  • the liquid supply system 10 ionizes the ultrapure water production apparatus 11 that produces the ultrapure water 2P and the ultrapure water 2P generated by the ultrapure water production apparatus 11 to obtain the ionic waters 2A and 2B.
  • An ionic water generating device 12 to be generated, and a supply pipe system 13 for supplying the ionic water 2A and 2B generated by the ionic water generating device 12 to the supply port 8 of the nozzle member 6 are provided inside the nozzle member 6, an internal flow path (supply flow path) that connects the supply port 8 and the supply pipe system 13 is formed.
  • the supply channel of the nozzle member 6 through which the liquid 2 flows is connected to the optical path space K through the supply port 8.
  • the liquid supply system 10 includes a temperature adjusting device that adjusts the temperature of the liquid 2 to be supplied, A degassing device that reduces the gas components in the liquid 2 to be supplied and a filter unit that removes foreign matter in the liquid 2 are also provided, so that the liquid 2 that is clean and temperature-adjusted can be supplied.
  • the liquid recovery system 20 includes a suction device 21 including a vacuum system such as a vacuum pump that sucks and recovers the liquid 2 through the recovery port 9 of the nozzle member 6 and the recovery pipe system 23.
  • a suction device 21 including a vacuum system such as a vacuum pump that sucks and recovers the liquid 2 through the recovery port 9 of the nozzle member 6 and the recovery pipe system 23.
  • An internal flow path (recovery flow path) that connects the recovery port 9 and the recovery pipe system 23 is formed inside the nozzle member 6.
  • the recovery flow path of the nozzle member 6 through which the liquid 2 flows is connected to the optical path space K via the recovery port 9.
  • the equipment constituting at least a part of the liquid supply system 10 or the liquid recovery system 20 may be replaced with equipment such as a factory where the exposure apparatus EX is installed.
  • the nozzle member 6 is formed in an annular shape so as to surround the final optical element FL closest to the image plane of the projection optical system PL among the optical elements of the projection optical system PL.
  • the supply port 8 for supplying the liquid 2 and the recovery port 9 for recovering the liquid 2 are formed on the lower surface 6 A of the nozzle member 6.
  • FIG. 2 is a view of the nozzle member 6 as viewed from the lower surface 6A side.
  • the nozzle member 6 is an annular member provided so as to surround at least one optical element (in this example, the final optical element FL) disposed on the image plane side of the projection optical system PL.
  • the supply ports 8 (8A to 8D) are provided at each of a plurality of predetermined positions on the lower surface 6A of the nozzle member 6 so as to surround the final optical element FL (optical path space K) of the projection optical system PL.
  • the nozzle member 6 is provided with four supply ports 8A to 8D. Each of the supply ports 8A to 8D is formed in an arcuate slit shape in plan view.
  • the recovery port 9 is provided outside the supply port 8 with respect to the final optical element FL on the lower surface 6A of the nozzle member 6 so as to surround the final optical element FL and the supply port 8. It is provided in a ring shape.
  • a mesh member made of, for example, titanium or stainless steel (for example, SUS316), or a porous member 9T made of a ceramic porous body is arranged in the recovery port 9.
  • the immersion system 1 includes the nozzle member 6 according to the diameter of each hole of the porous member 9T, the contact angle between the porous member 9T and the liquid 2, the surface tension of the liquid 2, and the like.
  • the difference between the pressure of the recovery flow path provided inside and the pressure of the external space (atmospheric space) (one of the porous members 9T By optimizing the pressure on the one surface side and the pressure on the other surface side, the liquid 2 is recovered only through the recovery port 9 (porous member 9T).
  • the liquid immersion system 1 recovers only the liquid 2 by controlling the suction force with respect to the recovery channel by the suction device 21 and optimizing the pressure of the recovery channel. As a result, the occurrence of vibration due to the suction of the liquid 2 and the gas together is suppressed.
  • the control device 7 controls the liquid immersion system 1 so that the supply operation of the liquid 2 via the supply port 8 and the recovery operation of the liquid 2 via the collection port 9 are performed in parallel.
  • the optical path space K is filled with the liquid 2, and the liquid 2 immersion area LR is locally formed in a part of the area on the substrate P.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the liquid supply system 10.
  • the liquid supply system 10 ionizes the ultrapure water production apparatus 11 that produces ultrapure water 2P and the ultrapure water 2P generated by the ultrapure water production apparatus 11 to generate ionized water 2A and 2B.
  • An ionic water generating device 12 that supplies the ionic water 2A and 2B generated by the ionic water generating device 12 to the supply port 8 of the nozzle member 6.
  • the supply pipe system 13 includes a connection pipe 13P, a first supply pipe 13A, a second supply pipe 13B, a third supply pipe 13C, and a fourth supply pipe 13D.
  • the ultrapure water production apparatus 11 cleans water and produces ultrapure water 2P.
  • the ultrapure water 2P produced by the ultrapure water production apparatus 11 is sent to the ionic water generator 12 through the connecting pipe 13P.
  • the ionic water generator 12 ionizes the ultrapure water 2P to generate cation water 2A and anion water 2B.
  • the cation water 2A is appropriately referred to as anode water 2A
  • the anion water 2B is appropriately referred to as force sword water 2B.
  • the anode water 2A contains more hydrogen ions (H +), and the force sword water 2B contains more hydroxide ions (OH_).
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the ionic water generator 12.
  • the ionic water generator 12 has an electrolytic cell 30 to which ultrapure water 2P is supplied.
  • the interior of the electrolytic cell 30 is partitioned into first, second, and third chambers 31, 32, and 33 by diaphragms (ion exchange membranes) 36 and 37.
  • Ultrapure water 2P is supplied to the first, second, and third chambers 31, 32, and 33, respectively.
  • the first chamber 31 has an anode 34.
  • a cathode 35 is arranged.
  • the third chamber 33 is provided between the first chamber 31 and the second chamber 32, and is filled with, for example, an ion exchange resin.
  • Anode water 2A is generated in the first chamber 31 by supplying ultrapure water 2P to the first, second, and third chambers 31, 32, and 33, and applying a voltage to the anode 34 and the cathode 35.
  • the ionic water generator 12 can generate the electrolytic ionic waters 2A and 2B by electrolyzing the ultrapure water 2P.
  • a predetermined electrolyte may be added to the ultrapure water 2P supplied to the electrolytic cell 30 or ion water sent from the electrolytic cell 30.
  • the ionic water generator 12 shown in FIG. 4 is an example, and any configuration can be adopted as long as the ionic water 2A and 2B can be generated.
  • the liquid supply system 10 has a first supply pipe 13A for flowing the anode water 2A generated by the ionic water generating device 12 to the supply port 8, and a first flow for flowing the force sword water 2B. And 2 supply pipes 13B. Further, the liquid supply system 10 includes a mixing device 14 that mixes the anode water 2A that has flowed through the first supply pipe 13A and the force sword water 2B that has flowed through the second supply pipe 13B. The mixing device 14 is provided in the vicinity of the nozzle member 6 having the supply port 8. The mixing device 14 and the supply flow path 8L provided inside the nozzle member 6 are connected via a third supply pipe 13C.
  • the supply port 8 and the mixing device 14 are connected via the third supply pipe 13C and the supply flow path 8L.
  • the liquid 2 generated by the mixing device 14 is supplied to the supply port 8 via the third supply pipe 13C and the supply flow path 8L.
  • the liquid supply system 10 uses the supply pipe system 13 including the first and second supply pipes 13A and 13B to mix the anode water 2A and the force sword water 2B with the mixing device 14.
  • the liquid 2 supplied to the supply port 8 by the supply pipe system 13 is supplied from the supply port 8.
  • the liquid supply system 10 includes a fourth supply pipe 13D that connects the ultrapure water production apparatus 11 and the mixing apparatus 14.
  • the fourth supply pipe 13D supplies the ultrapure water 2P, which has been produced and ionized by the ultrapure water production apparatus 11, to the mixing apparatus 14.
  • an adjustment mechanism 15 that adjusts the amount (amount of supply per unit time) of the anode water 2A that is generated by the ionic water generation device 12 and supplied to the mixing device 14. A is provided.
  • the amount of force sword water 2B that is generated by the ionic water generator 12 and supplied to the mixing device 14 (supply amount per unit time)
  • An adjustment mechanism 15B for adjusting the angle is provided.
  • the middle of the fourth supply pipe 13D there is an adjustment mechanism 15D that adjusts the amount (supply amount per unit time) of the ultrapure water 2P that is produced by the ultrapure water production device 11 and is supplied to the mixing device 14.
  • the adjustment mechanisms 15A, 15B, and 15D include, for example, a valve mechanism.
  • the mixing device 14 includes anode water 2A, power sword water 2B, and ultrapure water 2P supplied through the first supply pipe 13A, the second supply pipe 13B, and the fourth supply pipe 13D, respectively. Mix.
  • the liquid 2 generated by the mixing device 14 is supplied to the supply port 8 via the supply channel 8L formed in the third supply pipe 13C and the nozzle member 6.
  • the liquid 2 supplied to the supply port 8 by the supply pipe system 13 is supplied from the supply port 8.
  • the liquid generated by the mixing device 14 and supplied to the supply port 8 is appropriately referred to as mixed water 2 (or liquid 2).
  • each of the pipes 13A, 13B, 13C, 13D, and 13P of the supply pipe system 13 is formed of a material containing, for example, polytetrafluoroethylene (Teflon (registered trademark)).
  • Teflon polytetrafluoroethylene
  • Polytetrafluoroethylene is a material that does not easily elute impurities (eluate) into the liquid (water), that is, a material that does not easily contaminate the liquid (water). It is supplied to the supply port 8 immediately.
  • the supply flow path 8L is provided with a filter 16 for removing static electricity charged in the liquid 2.
  • a filter 16 for removing static electricity charged in the liquid 2.
  • neutralizing a charged liquid electrically and removing the electricity (static electricity) charged in the liquid is referred to as static elimination as appropriate, and the filter 16 that removes static electricity is appropriately eliminated. This is called filter 16.
  • the neutralization filter 16 is made of a conductive foam metal, and is grounded (grounded) via a ground wire (not shown).
  • the conductive foam metal is made of, for example, porous copper, aluminum or the like.
  • the static elimination filter 16 may be composed of a conductive mesh member.
  • FIG. 3 a force that simplifies the supply flow path 8L.
  • a plurality of supply flow paths 8L are provided so as to be connected to the plurality of supply ports 8 (8A to 8D), respectively.
  • a neutralization filter 16 is provided in each of the supply flow paths 8L.
  • the nozzle member 6 includes a main flow path connected to the lower end of the third supply pipe 13C of the supply pipe system 13 and a main flow path. And a plurality of branch channels provided so as to branch to each of the supply ports 8A to 8D.
  • the static elimination filter 16 is provided in each of the plurality of branch channels.
  • the control device 7 drives the immersion system 1 to perform immersion exposure on the substrate P.
  • the ultrapure water 2P produced by the ultrapure water production apparatus 11 is supplied to the ionic water production apparatus 12 through the connecting pipe 13P.
  • the ionic water generator 12 ionizes ultrapure water 2P to generate anode water 2A and force sword water 2B.
  • the anode water 2A and the force sword water 2B generated by the ionic water generator 12 are supplied to the mixing device 14 via the first supply pipe 13A and the second supply pipe 13B. Further, the ultrapure water 2P generated by the ultrapure water production apparatus 11 is supplied to the mixing apparatus 14 via the fourth supply pipe 13D.
  • the control device 7 uses the adjustment mechanisms 15A, 15B, and 15D to determine the amount of ultrapure water 2P supplied to the mixing device 14 via the fourth supply pipe 13D.
  • 2 Increase the amount of ionic water 2A, 2B supplied to the mixing device 14 via the supply pipes 13A, 13B. That is, in the present embodiment, a small amount of ionic water 2A and 2B is added to the ultrapure water 2P supplied to the mixing device 14.
  • the mixing device 14 mixes the anode water 2A, the force sword water 2B, and the ultrapure water 2P supplied through the first supply pipe 13A, the second supply pipe 13B, and the fourth supply pipe 13D, Mixed water 2 is produced.
  • Ultrapure water 2P has high electrical insulation, for example, its specific resistance is about 18M ⁇ 'cm. Therefore, the ultrapure water 2P is easily charged (easily charged with static electricity) due to friction with the fourth supply pipe 13D and a cavity generated in an orifice provided in the pipe while flowing through the fourth supply pipe 13D. ). On the other hand, since the ionic waters 2A and 2B have conductivity, even if they flow through the first and second supply pipes 13A and 13B, they are not easily charged.
  • the liquid supply system 10 mixes the ultrapure water 2P with the ionic water 2A and 2B in the mixing device 14 so that the ultrapure water 2P Can be electrically neutralized with ion water 2A and 2B to remove the static electricity charged in the ultrapure water 2P (static charge).
  • the mixed water (liquid) 2 generated by the mixing device 14 and subjected to charge removal is supplied to the supply port 8 via the third supply pipe 13C and the supply flow path 8L formed in the nozzle member 6.
  • the generated liquid 2 flows through the third supply pipe 13C and Z or the supply flow path 8L, but the mixing device 14 is provided in the vicinity of the supply port 8 (nozzle member 6), and the liquid supply system 10
  • ion water 2A, 2B and ultrapure water 2P are mixed immediately before being supplied to the optical path space K. That is, the length of the flow path between the mixing device 14 and the supply port 8 is very small. Therefore, the liquid 2 after being neutralized in the mixing device 14 flows through the third supply pipe 13C and the supply flow path 8L and is prevented from being charged again!
  • a neutralization filter 16 that functions as a neutralization device that neutralizes the liquid 2 is provided in the middle of the supply flow path 8L.
  • the static elimination filter 16 having the same strength as the foam metal, the static electricity charged in the liquid 2 is collected by the static elimination filter 16 and discharged to the ground by the ground wire. That is, the neutralization filter 16 can neutralize the liquid 2. Therefore, even if the liquid 2 flowing through the third supply pipes 13C and Z or the supply flow path 8L is charged, the liquid 2 can be discharged by using the charge removal filter 16.
  • the control device 7 immerses the substrate P by immersion exposure by irradiating the exposure light EL onto the substrate P through the liquid 2 filled in the optical path space K.
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning type exposure that exposes the pattern formed on the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P synchronously in a predetermined scanning direction (for example, the Y-axis direction).
  • An apparatus for example, scanning strobe.
  • the control device 7 uses the laser interferometer 4L to measure the position information of the substrate P (substrate stage 4), moves the substrate P with respect to the exposure light EL, and sets a plurality of values set on the substrate P.
  • the shot area is sequentially exposed. After the exposure of one shot area is completed, the control device 7 steps the substrate P (substrate stage 4) to move the next shot area to the exposure start position. Each shot area is sequentially scanned and exposed while moving.
  • the exposure apparatus EX of the present embodiment the charge of the liquid 2 supplied to the supply port 8 is removed, that is, before the liquid 2 is supplied to the optical path space K, the liquid 2 Therefore, the uncharged liquid 2 is supplied to the optical path space K.
  • the exposure device EX is charged
  • the substrate P can be exposed through the liquid 2.
  • the ultrapure water 2P having electrical insulation is ionized to exhibit conductivity, so that the ultrapure water 2P (liquid 2) is electrically conductive.
  • the ultrapure water 2P liquid 2 is electrically conductive.
  • No additives are added to give Therefore, the content of impurities in the liquid 2 supplied to the supply port 8 (optical path space K) is extremely low, and the liquid 2 does not cause a decrease in light transmittance, temperature rise, metal contamination, etc.
  • the optical path space K can be filled with the liquid 2 that maintains the liquid quality, and the substrate P can be exposed well.
  • Examples of the form of the substrate P to which the exposure light EL is irradiated include those shown in FIGS. 5A and 5B.
  • the substrate P shown in FIG. 5A includes a base material W such as a semiconductor wafer and a first lHRg that also has a photosensitive material force covering the base material W.
  • 5B includes a substrate W such as a semiconductor wafer, a first lHRg that covers the substrate W, and a second film Tc that covers the lHRg.
  • the second film Tc is also referred to as a top coat film, and has, for example, a function of protecting the lHRg and the substrate W from the liquid 2.
  • the first HR g forms a liquid contact surface in contact with the liquid 2, and in the substrate P shown in FIG. 5B, the liquid contact surface in which the second film T c contacts the liquid 2.
  • Discharge of liquid 2 may damage the 1st HRg and Z or the second film Tc and cause inconvenience that the substrate P cannot be exposed satisfactorily.
  • supplying the discharged liquid 2 onto the substrate P Due to such inconvenience Can be prevented.
  • the liquid 2 and the liquid contact surface of the substrate P are formed in order to hold the liquid 2 well between the projection optical system PL and the substrate P and form an immersion region LR in a desired state. If the affinity (contact angle) is optimized!
  • the first lHRg and Z or the second film Tc forming the liquid contact surface of the substrate P are damaged by the discharge of the liquid 2, and the liquid 2 and the substrate P
  • the contact angle may change, and the immersion area LR may not be formed satisfactorily.
  • the liquid 2 before being supplied to the optical path space K is neutralized, damage to the substrate P including the first film Rg and the second film Tc is suppressed, and the liquid immersion region LR is preferable. Can be formed.
  • the liquid supply system 10 supplies the anode water 2A and the force sword water 2B, respectively. Therefore, regardless of whether the ultrapure water 2P supplied from the ultrapure water production apparatus 11 to the mixing apparatus 14 via the fourth supply pipe 13D is positively or negatively charged, the anode water 2A and the force sword water 2B Either way, the 2P of ultra pure water can be removed.
  • both the anode water 2A and the force sword water 2B are supplied to the mixing device 14, and the mixing device 14 By mixing the pure water 2P, the anode water 2A, and the force sword water 2B, the ultra pure water 2P can be neutralized by either the anode water 2A or the force sword water 2B.
  • water pure water
  • the liquid may be positive or negative depending on the material of the tube through which the liquid flows. There may be situations where it is unknown which of the two is charged. Even in that case, by mixing the charged non-ionized liquid with the cation liquid and the anionic liquid generated by ionizing the non-ionic liquid, the cation liquid and The nonionic liquid can be neutralized with either an anionic liquid.
  • the ultrapure water supplied to the mixing device 14 as in the present embodiment.
  • the ion water generator 12 does not need to generate a large amount of ion water 2A and 2B.
  • the control device 7 uses the adjusting mechanisms 15A, 15B, and 15D to supply the ionic water 2A and 2B and the ultrapure water 2P to the mixing device 14, respectively. By optimizing the amount, 2P of ultrapure water can be removed well.
  • the static elimination filter 16 is provided in the flow path through which the liquid 2 flows, the static elimination of the liquid 2 supplied to the optical path space K through the supply port 8 is performed. It can be done more reliably.
  • an electrode member 17 for neutralizing the liquid 2 is provided at a position in contact with the liquid 2 filled in the optical path space K, such as the lower surface of the final optical element FL. May be.
  • the electrode member 17 shown in FIG. 6 is provided on the lower surface of the final optical element FL at a position that does not hinder the passage of the exposure light EL and is in contact with the liquid 2 filled in the optical path space K.
  • the electrode member 17 is provided in an annular shape so as to cover the peripheral area of the lower surface of the final optical element FL.
  • the electrode member 17 is, for example, a conductor formed by vapor deposition on the lower surface of the final optical element FL.
  • the electrode member 17 is grounded (grounded) via a ground wire (not shown).
  • the electrode member 17 can neutralize the liquid 2 after being supplied to the optical path space K from the supply port 8. Therefore, even if the liquid 2 after being supplied to the optical path space K through the supply port 8 is temporarily charged, the charge removal of the liquid 2 can be performed using the electrode member 17.
  • the electrode member 17 may be provided in place of the static elimination filter 16 or may be used in combination with the static elimination filter 16.
  • the electrode member 17 is also referred to as a conductive member.
  • the porous member 9T provided in the recovery port 9 can be formed of a conductor.
  • the porous member 9T having a conductive force disposed in the recovery port 9 is grounded (grounded) via a ground wire. Since the porous member 9T disposed in the recovery port 9 is in contact with the liquid 2 that fills the optical path space K, the liquid 2 that has been supplied to the optical path space K can be neutralized. In this case, it may be combined with at least one of the static elimination filter 16 and the electrode member (conductive member) 17.
  • the force with which the static elimination filter 16 is provided in the supply flow path may be omitted. If the liquid 2 supplied to the supply port 8 can be sufficiently neutralized by mixing (adding) the ionic water 2A and 2B to the ultrapure water 2P that is non-ionized water, the neutralization filter 16 can be omitted. it can. Similarly, the electrode member 17 described above can be omitted. [0093] ⁇ Second Embodiment>
  • FIG. 7 is a view showing a liquid supply system 10 according to the second embodiment.
  • the liquid supply system 10 includes a first supply pipe 13A for flowing one of the anode water 2A and the force sword water 2B generated by the ionic water generator 12, and a non-ionized super And a fourth supply pipe 13D for flowing 2P of pure water.
  • a mixing device that mixes the anode water 2A or the force sword water 2B that flows through the first supply pipe 13A and the ultrapure water 2P that flows through the fourth supply pipe 13D. 14 is provided in the vicinity of the nozzle member 6 (supply port 8).
  • the liquid 2 generated by the mixing device 14 is supplied to the supply port 8 through the third supply pipe 13C and the internal flow path 8L.
  • the control device 7 12 is controlled, and ion water for neutralizing the ultrapure water 2P is supplied to the mixing device 14 via the first supply pipe 13A. That is, for example, depending on the material of the fourth supply pipe 13D through which the ultrapure water 2P flows, it may be known whether the ultrapure water 2P is charged positively or negatively. Therefore, if the charged ultrapure water 2P can be neutralized by the anode water 2A, the controller 7 sends the anode water 2A to the mixing device 14 from the ionic water generator 12 via the first supply pipe 13A. Supply.
  • the liquid supply system 10 can neutralize the ultrapure water 2P in the mixing device 14 by the anode water 2A.
  • the control device 7 can be connected to the first supply pipe 13A from the ionic water generator 12. Power sword water 2B is supplied to the mixing device 14 via Thereby, the liquid supply system 10 can neutralize the ultrapure water 2P in the mixing device 14 with the force sword water 2B. In this way, the control device 7 selects whether to supply the anode water 2A or the force sword water 2B to the mixing device 14 according to the charged state of the ultrapure water 2P, and the selected ionic water. Can be fed to the mixing device 14.
  • the liquid supply system 10 supplies the mixed water (liquid) 2 generated by the mixing device 14 to the supply port 8 through the third supply pipe 13C and the supply flow path 8L, thereby supplying the supply port Light from 8
  • the liquid 2 that has been neutralized is supplied to the road space K.
  • the optical path space ⁇ is filled with liquid 2 with static electricity.
  • the ionic water generator 12 is charged with 2 ⁇ ⁇ ⁇ of ultrapure water flowing through the force fourth supply pipe 13D that is configured to generate both 2 ⁇ of anode water and 2 ⁇ of cathode water.
  • the ionic water generator 12 is connected to the anode water 2 ⁇ and the force sword water 2 ⁇ ! It can generate either one! /.
  • the nonionic liquid can be neutralized by mixing a charged nonionic liquid with either a cation liquid or an anionic liquid.
  • FIG. 8 is a view showing a liquid supply system 10 according to the third embodiment.
  • a measuring device 18 that can measure the charged state of 2 ⁇ of ultrapure water flowing through the fourth supply tube 13D is provided in the fourth supply tube 13D that flows 2 ⁇ of ultrapure water that is non-ionized water.
  • the measuring device 18 can measure the charge amount of 2 kg of ultrapure water flowing through the fourth supply pipe 13D. Further, the measuring device 18 can measure whether the ultrapure water 2 ⁇ flowing through the fourth supply pipe 13D is charged positively or negatively.
  • the control device 7 controls the mixing operation in the mixing device 14 based on the measurement result of the measuring device 18. For example, based on the measurement result of the measuring device 18, the control device 7 determines that the amount of charge of ultrapure water 2 ⁇ flowing through the fourth supply pipe 13D is very small (or the ultrapure water 2 ⁇ is not charged). If it is determined, the adjusting mechanism 15A, 15B provided in each of the first supply pipe 13A and the second supply pipe 13B is controlled, and the mixing device is connected via the first supply pipe 13A and the second supply pipe 13B. Reduce the amount of ion water 2 ⁇ , 2 ⁇ supplied to 14.
  • the control device 7 has a very small amount of charge of 2 liters of ultrapure water flowing through the fourth supply pipe 13D based on the measurement result of the measurement device 18 (or 2 liters of ultrapure water is charged, If it is determined that The mechanisms 15A and 15B are controlled, and the supply of the ion water 2A and 2B to the mixing device 14 is stopped.
  • the control device 7 determines that the charge amount of the ultrapure water 2P flowing through the fourth supply pipe 13D is large based on the measurement result of the measurement device 18, the control device 7 controls the adjustment mechanisms 15A and 15B to The amount of ionic water 2A, 2B supplied to the mixing device 14 via the 1 supply pipe 13A and the second supply pipe 13B is increased.
  • the control device 7 determines that the ultrapure water 2P can be neutralized by adding the anode water 2A to the ultrapure water 2P
  • the control device 7 supplies the anode water 2A to the mixing device 14.
  • the adjustment mechanisms 15A and 15B are controlled.
  • the control device 7 determines that the ultrapure water 2P can be neutralized by adding the force sword water 2B to the ultrapure water 2P
  • the force sword water 2B is supplied to the mixing device 14.
  • the adjusting mechanisms 15A and 15B are controlled.
  • the force measured for both the charged amount of ultrapure water 2P and the force charged to either plus or minus is not limited, and only one of them is measured. It is good as well.
  • FIG. 9 is a view showing a liquid supply system 10 according to the fourth embodiment.
  • the liquid supply system 10 includes a first supply pipe 13A for flowing the anode water 2A generated by the ionic water generating device 12, and a second supply pipe 13B for flowing the force sword water 2B.
  • a mixing device 14 for mixing the anode water 2A flowing through the first supply pipe 13A and the force sword water 2B flowing through the second supply pipe 13B.
  • the liquid 2 generated by the mixing device 14 is supplied to the supply port 8 through the third supply pipe 13C and the internal flow path 8L.
  • the ultrapure water 2P is not supplied to the mixing device 14, and the liquid supply system 10 supplies the anode water 2A and the force sword water 2B to the optical path space K using the mixing device 14. Mix immediately before.
  • the anode water 2A and the force sword water 2B have conductivity, even if they flow through the first supply pipe 13A and the second supply pipe 13B, they are difficult to be charged.
  • the anode water 2A and power sword water 2B supplied to the mixing device 14 are electrically neutralized by mixing. Then, the electrically neutralized liquid (mixed water) 2 is supplied to the supply port 8 so that the optical path is empty.
  • the space K is charged with static electricity!
  • the liquid supply system 10 includes a first flow path 13A for supplying 2 liters of anode water to the supply port 8 of the nozzle member 6, a second flow path 13B for flowing 2 liters of force sword water, and an ultrapure And a fourth flow path 13D for flowing 2 kg of water.
  • a first flow path 13A for supplying 2 liters of anode water to the supply port 8 of the nozzle member 6, a second flow path 13B for flowing 2 liters of force sword water, and an ultrapure And a fourth flow path 13D for flowing 2 kg of water.
  • the liquid supply system 10 supplies either the anode water 2 ⁇ or the force sword water 2 ⁇ to the supply port 8 of the nozzle member 6 using the first channel 13A, and the fourth channel 13D. Is used to supply 2kg of ultrapure water.
  • the anode water 2 ⁇ (or force sword water 2 ⁇ ) and ultrapure water 2 ⁇ supplied to the supply port 8 are mixed in the vicinity of the supply port 8 and then supplied to the optical path space ⁇ .
  • the liquid path 2 is filled with the liquid 2 that is not charged with static electricity.
  • the liquid supply system 10 supplies 2 liters of anode water to the supply port 8 of the nozzle member 6 using the first flow path 13A, and supplies 2 liters of force sword water using the second flow path 13B. is doing.
  • the anode water 2 ⁇ and force sword water 2 ⁇ supplied to the supply port 8 are mixed in the vicinity of the supply port 8 and then supplied to the optical path space ⁇ .
  • the liquid path 2 is filled with the liquid 2 that is not charged with static electricity.
  • the liquid (mixed water) 2 that fills the optical path space ⁇ has conductivity, the liquid 2 is charged even if friction occurs between the liquid 2 and another member by driving the substrate stage 4. That's not true.
  • the liquid supply system 10 is ionized into the first supply port 8A (8C) for supplying ionized water 2A, 2B to the optical path space K of the exposure light EL and the optical path space of the exposure light EL.
  • the second supply port 8B (8D) for supplying the ultrapure water 2P is provided! /.
  • the nozzle member 6 of the present embodiment has a plurality of supply ports 8A to 8D, and a part of the plurality of supply ports 8A to 8D is provided via some supply ports.
  • Ionized water 2A and 2B can be supplied to the optical path space K, and ultrapure water 2P can be supplied to the optical path space K through some other supply ports.
  • anode water 2A is supplied from the first supply port 8A out of the ion water 2A and 2B, and the second supply port 8B force ultrapure water 2P is supplied. To do.
  • the first supply port 8A is connected to the ionic water generator 12 via the supply flow path 8L and the first supply pipe 13A, and the second supply port 8B is connected to the supply flow path 8L and the fourth supply pipe. It is connected to the ultrapure water production apparatus 11 through 13D.
  • the control device 7 supplies the anode water 2A and the ultrapure water 2P to the optical path space K through the first supply port 8A and the second supply port 8B, respectively. Supply each.
  • the anode water 2A and ultrapure water 2P supplied to the optical path space K are mixed in the optical path space K. As a result, even if the ultrapure water 2P is charged, it can be neutralized by the anode water 2A, and the optical path space K can be filled with the liquid 2 while being charged with static electricity.
  • the anode water 2A is supplied as ionic water from the first supply port 8A, but force sword water 2B can also be supplied.
  • anode water 2A and power sword water 2B can be supplied from different supply ports.
  • supply port 8A force anode water 2A can be supplied supply port 8C force can also supply power sword water 2B, supply port 8B, 8D force ultrapure water 2P can be supplied.
  • either one of anode water 2A and force sword water 2B can be supplied according to the charged state of ultrapure water 2P, and the supply amount of anode water 2A or force sword water 2B should be adjusted appropriately. You can also.
  • the anode water 2A is supplied to the optical path space K of the exposure light EL without supplying the ultrapure water 2P through the first supply port 8A (8 C), and the second supply port 8B ( 8D) to supply force sword water 2B Even if you want to pay.
  • the anode water 2A and the force sword water 2B supplied to the optical path space K are mixed in the optical path space K.
  • the optical path space K can be filled with the liquid 2 that is not charged with static electricity.
  • Electrolyzed ion water can be used as a cleaning liquid.
  • Anode water has an action to remove organic matter, a sterilizing action to eliminate viable bacteria such as bacteria, or an action to remove particles, and a force sword water prevents an action of removing particles and adhesion of Z or particles. Has an effect.
  • members that come into contact with the liquid 2 for filling the optical path space K such as the nozzle member 6 and the final optical element FL, can be effectively cleaned.
  • the ultrapure water is used for the supply pipe system 13 and the internal flow paths (supply flow path and recovery flow path) of the nozzle member 6 and recovery. Leave the tube system 23 or the like for a long time, or if the liquid contact surface (bottom surface 6A, etc.) of the nozzle member 6 is attached to the liquid contact surface (bottom surface, etc.) of the final optical element FL. If left unattended for a long time, there is a high possibility that contaminants such as bacteria will be generated.
  • the ultrapure water production apparatus 11 or the ionic water generation apparatus 12 forces the liquid as it flows through the flow path even if a clean liquid is sent out.
  • the contaminated liquid 2 is supplied to the optical path space K by being contaminated by the contaminants.
  • the illuminance of the exposure light EL applied to the substrate P is reduced, and inconveniences that cause uneven illuminance arise.
  • the generation of contaminants such as bacteria may cause a disadvantage that the performance of the exposure apparatus EX including the projection optical system PL deteriorates.
  • FIG. 12 is a diagram showing a state in which the cleaning treatment is performed using the anode water 2A.
  • the cleaning process is performed when the operation of the exposure apparatus EX is stopped for a predetermined period, for example, during maintenance of the exposure apparatus EX.
  • the dummy substrate DP is held in the substrate holder 4H of the substrate stage 4.
  • the dummy substrate DP has substantially the same outer shape as the substrate P for manufacturing a device, and can be held by the substrate holder 4H.
  • the dummy substrate DP has a surface that does not generate contaminants due to the anode water 2A.
  • the exposure apparatus EX When performing the cleaning process, the exposure apparatus EX makes the final optical element FL of the projection optical system PL and the dummy substrate DP held on the substrate stage 4 face each other. In this state, the exposure apparatus EX uses the immersion system 1 to fill the space between the projection optical system PL and the dummy substrate DP with the anode water 2A, and forms an immersion area LR of the anode water 2A on the dummy substrate DP. To do. In order to form the immersion region LR, the immersion system 1 performs the supply operation and the recovery operation of the anode water 2A to the final optical element FL and the space (optical path space) K between the nozzle member 6 and the dummy substrate DP. Do it in parallel.
  • the immersion system 1 can flow the anode water 2A through the supply pipe system 13, the internal flow path of the nozzle member 6, and the recovery pipe system 23, and the flow path is washed with the anode water 2A. Can be purified. Further, by forming the immersion region LR of the anode water 2A, the lower surface (liquid contact surface) of the nozzle member 6, the lower surface (liquid contact surface) of the final optical element FL, and the like are also washed with the anode water 2A.
  • the immersion system 1 When performing the cleaning process, the immersion system 1 performs the supply operation and the recovery operation of the anode water 2A to the optical path space K in parallel for a predetermined time.
  • the immersion system 1 may stop the supply operation and the recovery operation of the anode water 2A after holding the anode water 2A between the final optical element FL and the nozzle member 6 and the dummy substrate DP.
  • the immersion system 1 is described in the above first to sixth embodiments.
  • ion water 2A, 2B and ultrapure water 2P are appropriately supplied to the optical path space K.
  • the anode water 2A is supplied with the ionic water 2A, 2B, After being mixed with 2P of pure water and supplied to the optical path space K, it is recovered through the recovery port 22.
  • the cleaning treatment can be performed with ionic water (anode water).
  • the cleaning process is performed with ion water (anode water) obtained by ionizing ultrapure water 2P, the process can be shifted to the exposure process within a short time after the cleaning process.
  • ion water anode water
  • the process of rinsing out the functional liquid remaining in the flow path is required before the process proceeds to the exposure process.
  • the rinsing cleaning is unnecessary, or even if rinsing cleaning is performed, it takes only a short time, so that the operation rate of the exposure apparatus EX can be improved.
  • a predetermined material (chemical solution) for promoting a cleaning action may be appropriately added to the cleaning liquid (anode water).
  • the dummy substrate DP is held by the substrate holder 4H, and the liquid immersion region LR is formed by filling the space between the projection optical system PL and the dummy substrate DP with the anode water 2A.
  • a part of the upper surface 4F of the substrate stage 4, a substrate stage 4 and an object other than the dummy substrate DP are arranged under the projection optical system PL, and the upper surface 4F and Z of the substrate stage 4 or the object Anode water 2A immersion area LR may be formed.
  • the upper surface 4F and Z or the object of the substrate stage 4 can be cleaned with the anode water 2A.
  • This other object includes, for example, a measurement stage that is movable independently of the substrate stage 4, and the surface of the measurement stage (including a reference mark or a measurement member such as a sensor) can also be cleaned.
  • an excitation device such as an ultrasonic vibrator is attached to the supply pipe system 13, the recovery pipe system 23, or the nozzle member 6 and the like. Let the anode water 2A flow while shaking (ultrasound).
  • cleaning may be performed using power sword water 2B that is cleaned with anode water 2A.
  • force sword water 2B also has a cleaning action such as particle removal.
  • cleaning may be performed using both anode water 2A and force sword water 2B.
  • ion water anode water 2A and force sword water 2B
  • the present invention is not limited to this.
  • the final optical elements FL and Z of the projection optical system PL or the nozzle member 6 are disposed to face each other.
  • a supply port may be provided in an object (for example, the above-described measurement stage), and the nozzle member 6 and the like may be cleaned with ionic water having the supply port.
  • the force that the cleaning process is performed during maintenance such as after the operation of the exposure apparatus EX is stopped for a predetermined period of time is not limited to this.
  • the cleaning process is performed even when the exposure apparatus EX is in operation. May be performed.
  • ion water 2A and 2B are used as the final optical element FL and the substrate P (or an object such as the dummy substrate DP) closest to the image plane of the projection optical system PL of the projection optical system PL.
  • the substrate P or an object such as the dummy substrate DP
  • the optical path space on the object plane side (mask M side) of the final optical element FL is described. Can also be filled with liquid.
  • the exposure apparatus EX supplies ion water 2A and 2B between the final optical element FL and the optical element FL2 close to the image plane of the projection optical system PL after the final optical element FL. It is equipped with an immersion system 1 '.
  • the optical element FL2 close to the image plane of the projection optical system PL after the final optical element FL is appropriately referred to as a boundary optical element FL2.
  • the immersion system 1 ' includes a supply port 8' for supplying the liquid 2 to the optical path space K2 between the final optical element FL and the boundary optical element FL2, and a recovery port 9 'for recovering the liquid 2.
  • the immersion system 1 ′ has substantially the same configuration as the immersion system 1 described in the first embodiment described above, and generates ultrapure water 2P produced by the ultrapure water production apparatus 11 and ionic water.
  • a mixing device 14 for mixing the ionic waters 2A and 2B generated by the device 12 is provided.
  • the mixed water (liquid) 2 generated by the mixing device 14 is supplied to the optical path space K2.
  • the liquid 2 that has been neutralized is supplied to the optical path space K2 from the supply port 8 ′.
  • the optical path space K2 Filled with uncharged liquid 2.
  • the anode water 2A or the cathode water 2B may be supplied to the optical path space K2, or one of them and the ultrapure water 2P may be supplied!
  • the mixing operation in the mixing device 14 may be controlled according to the charged state of the ultrapure water 2P, or the anode water 2A and the force sword water 2B are supplied without supplying the ultrapure water 2P.
  • the ionic water 2A, 2B, and ultrapure water 2P may be appropriately supplied directly to the supply port 8 ′ without providing the mixing device 14, or the ionic water 2A, 2B and Each of the pure water 2P may be supplied to the optical path space K2 via a separate supply port, and each of the anode water 2A and the force sword water 2B may be supplied to the optical path space K2 via a separate supply port. Let's supply it.
  • ion water (anode water) may be supplied to the optical path space K2 using the immersion system 1 '. Thereby, contamination by bacteria such as the boundary optical element FL2 and the final optical element FL can be prevented.
  • the immersion system 1 ′ uses the anode water 2A for the optical path space K2.
  • the supply operation and the recovery operation may be performed in parallel for a predetermined time, and after the optical path space K2 is filled with the anode water 2A, the supply operation and the recovery operation of the anode water 2A may be stopped. Yes.
  • cleaning treatment may be performed using force sword water 2B.
  • the immersion system 1 ′ is provided separately from the immersion system 1. At least a part of the immersion system 1 ′ may be shared by the immersion system 1.
  • a predetermined position in the optical path space K2 for example, the lower surface (exit surface) of the boundary optical element FL2 and the final optical element FL
  • An electrode member (a conductive member for preventing charging of the liquid 2) for discharging the liquid 2 may be provided on at least one of the surface (incident surface).
  • a neutralization filter may be installed in the liquid 2 supply channel.
  • the exposure apparatus EX is configured to include the ionic water generation apparatus 12.
  • the exposure apparatus EX is generated by an ionic water generation apparatus different from the exposure apparatus EX. Zion water may be supplied to the optical path space K (K2). Similarly, you may make it use the ultrapure water produced
  • the exposure apparatus ⁇ ⁇ may not include at least one of the ultrapure water production apparatus and the ionic water generation apparatus.
  • the exposure apparatus of the present embodiment is provided with an antistatic device for preventing the liquid 2 from being charged in order to suppress exposure failure due to bubbles in the liquid 2.
  • an antistatic device for preventing the liquid 2 from being charged in order to suppress exposure failure due to bubbles in the liquid 2.
  • a static elimination device static elimination filter that removes the electricity charged in the liquid 2 is provided, and by removing the electricity charged in the liquid 2 , Preventing or effectively suppressing charging of liquid 2.
  • the liquid supply system 10 includes a liquid supply device 111 that supplies the liquid 2 to the supply port 8 via the supply pipe 113. Inside the nozzle member 6, an internal flow path (supply flow path) that connects the supply port 8 and the supply pipe 113 is formed.
  • the liquid supply device 111 can supply the clean and temperature-adjusted liquid 2 to the supply port 8 through the supply pipe 113 and the supply flow path of the nozzle member 6.
  • the liquid recovery system 20 includes a liquid recovery device 121 that recovers the liquid 2 via the recovery port 9 of the nozzle member 6 and the recovery pipe 123.
  • An internal flow path (recovery flow path) that connects the recovery port 9 and the recovery pipe 1 123 is formed inside the nozzle member 6, and liquid recovery including a vacuum system (suction I apparatus) such as a vacuum pump.
  • the device 121 can recover the liquid 2 from the recovery port 9 via the recovery flow path of the nozzle member 6 and the recovery pipe 123.
  • the nozzle member 6 is formed in an annular shape so as to surround the final optical element FL of the projection optical system PL.
  • the supply port 8 is provided at each of a plurality of predetermined positions of the nozzle member 6 so as to surround the final optical element FL (optical path space K) of the projection optical system PL.
  • the recovery port 9 is a nozzle member 6 is provided outside the supply port 8 with respect to the final optical element FL, and is provided in an annular shape so as to surround the final optical element FL and the supply port 8.
  • the recovery port 9 is provided with, for example, a titanium mesh member or a porous member 9T made of a ceramic porous body or the like.
  • FIG. 15 is a schematic configuration diagram showing the liquid supply device 111.
  • the liquid supply device 111 includes an ultrapure water production device 115 that produces ultrapure water, a deaeration device 116 that reduces a gas component in the supplied liquid 2, and a temperature adjustment device 118 that adjusts the temperature of the supplied liquid 2. It is possible to supply liquid 2 that is clean and temperature-controlled.
  • the ultrapure water production apparatus 115 produces ultrapure water by purifying water.
  • the ultrapure water produced by the ultrapure water production device 115 is degassed by the deaeration device 116.
  • the degassing device 116 degass the liquid 2 (ultra pure water), and lowers the dissolved gas concentration (dissolved oxygen concentration, dissolved nitrogen concentration) in the liquid 2.
  • the temperature adjustment device 118 adjusts the temperature of the liquid 2 supplied to the optical path space K. After adjusting the temperature of the liquid 2, the temperature-adjusted liquid 2 is sent to the supply pipe 113. .
  • the temperature adjustment device 118 adjusts the temperature of the liquid 2 to be supplied, for example, to a value substantially the same as the temperature in a chamber (not shown) in which the exposure apparatus is accommodated.
  • equipment constituting at least a part of the liquid supply system 10 such as an ultrapure water production apparatus, may be substituted with equipment in a factory where the exposure apparatus EX is installed.
  • equipment that constitutes at least a part of the liquid recovery system 20 such as a vacuum system, may be substituted with equipment in a factory where the exposure apparatus EX is installed.
  • the liquid supply device 111 may include a filter unit that removes particles in the liquid 2! /.
  • the supply pipe 113 is connected to the supply port 8 via an internal flow path 8L formed inside the nozzle member 6.
  • the supply pipe 113 is formed of an insulating material containing a fluorine-based resin such as PTFE (polytetrafluoroethylene) or PFA (tetrafluoroethylene perfluoroalkoxyethylene copolymer). Speak. Since these materials are materials that do not easily elute impurities (eluate) into the liquid (water) 2, that is, materials that do not easily contaminate the liquid (water), the liquid 2 flowing through the supply pipe 113 is contaminated. It is supplied to the supply port 8.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • PFA tetrafluoroethylene perfluoroalkoxyethylene copolymer
  • the liquid 2 is charged at a position where it contacts the liquid 2 supplied to the optical path space K.
  • a filter 114 that functions as a static eliminator for removing static electricity is provided.
  • the filter 114 is provided in the supply flow path 8L, and can contact the liquid 2 supplied to the optical path space K.
  • neutralization neutralization
  • This will be referred to as a static elimination filter 114.
  • the neutralization filter 114 is a conductive member having conductivity, and is grounded (grounded) via a ground wire (not shown).
  • the static elimination filter 114 is made of a conductive foam metal.
  • the conductive foam metal is made of, for example, porous copper, aluminum or the like.
  • the neutralizing filter 114 may be composed of a conductive mesh member.
  • FIG. 16 is a schematic configuration diagram showing an example of the deaeration device 116.
  • the deaerator 116 includes a housing 171 and a cylindrical hollow fiber bundle 172 housed inside the housing 171.
  • a predetermined space 173 is provided between the inner wall of the housing 171 and the hollow fiber bundle 172.
  • the hollow fiber bundle 172 is obtained by bundling a plurality of straw-shaped hollow fiber membranes 174 in parallel.
  • the hollow fiber membrane 174 is formed of a material having high hydrophobicity and excellent gas permeability (for example, poly-4-methylpentene 1). Vacuum cap members 175a and 175b force S are fixed to both ends of the housing 171.
  • the vacuum cap members 175a and 175b form closed spaces 176a and 176b on both outer sides of the housing 171.
  • the vacuum cap members 175a and 175b are provided with deaeration ports 177a and 177b connected to a vacuum pump (not shown).
  • sealing members 178a and 178b are provided at both ends of the housing 171.
  • the sealing members 178a and 178b hold the hollow fiber bundle 172 so that only both ends of the hollow fiber bundle 172 are connected to the sealed spaces 176a and 176b.
  • the vacuum pumps connected to the deaeration ports 177a and 177b can make the inside of each hollow fiber membrane 174 in a reduced pressure state.
  • a pipe 179 connected to the ultrapure water production apparatus 115 is disposed inside the hollow fiber bundle 172.
  • the pipe 179 is provided with a plurality of liquid supply holes 180, and the liquid 2 is supplied from the liquid supply hole 180 to the space 181 surrounded by the sealing members 178 a and 178 b and the hollow fiber bundle 172. Empty from liquid supply hole 180 When the liquid 2 is supplied to the space 181, the liquid 2 flows outward so as to cross the layers of the hollow fiber membranes 174 bundled in parallel, and comes into contact with the outer surface of the hollow fiber membranes 174.
  • each hollow fiber membrane 174 is formed of a material having high hydrophobicity and excellent gas permeability, each hollow fiber membrane 174 in which the liquid 2 does not enter the inside of the hollow fiber membrane 174 is used. And move to a space 173 outside the hollow fiber bundle 172. On the other hand, the gas (molecules) dissolved in the liquid 2 moves (is absorbed) to the inside of each hollow fiber membrane 174 because the inside of the hollow fiber membrane 174 is in a reduced pressure state (about 20 Torr). .
  • the gas component removed (degassed) from the liquid 2 while crossing the layer of the hollow fiber membrane 174 is degassed through the sealed spaces 176a and 176b from both ends of the hollow fiber bundle 172, as indicated by arrows 183, Discharged from 177b.
  • the degassed liquid 2 is supplied from a liquid outlet 182 provided in the housing 171 to the supply pipe 113 (optical path space K).
  • the liquid supply device 111 uses the deaeration device 116 to set the dissolved gas concentration of the liquid 2 supplied to the optical path space K to, for example, 5 ppm or less.
  • the control device 7 drives the immersion system 1 in order to perform immersion exposure of the substrate P.
  • the ultrapure water (liquid 2) produced by the ultrapure water production device 115 is supplied to the deaeration device 116.
  • the deaerator 116 degass the liquid 2.
  • the liquid 2 deaerated by the deaeration device 116 passes through the temperature adjustment device 118, and then is supplied to the supply flow path 8L of the nozzle member 6 through the supply pipe 113.
  • the liquid 2 supplied to the supply flow path 8L is supplied from the supply port 8 to the optical path space K via the static elimination filter 114.
  • the control device 7 performs immersion exposure of the substrate P by irradiating the exposure light EL onto the substrate P through the liquid 2 that fills the optical path space K of the exposure light EL.
  • the charge of the liquid 2 is prevented by using the charge removal filter 114 in order to suppress exposure failure caused by bubbles in the liquid 2.
  • Ultrapure water has high electrical isolation, for example, its specific resistance is about 18 ⁇ ⁇ 'cm. For this reason, the ultrapure water is easily charged (easily charged with static electricity) due to friction with the supply pipe 113 and a cavity generated in the orifice provided in the pipe while flowing through the supply pipe 113. If the liquid 2 is charged, bubbles generated in the liquid 2 may be difficult to reduce or disappear. [0145] The bubbles generated in the liquid 2 are self-pressurized by the action of the surface tension and are likely to dissolve in the liquid 2 rapidly.
  • microbubbles fine bubbles (hereinafter referred to as microbubbles) having a diameter force of about ⁇ 50 m
  • nanobubbles ultrafine bubbles (hereinafter referred to as nanobubbles) having a diameter of 1 m or less that are generated in the process of shrinking the microbubbles. Is very unstable physically, and even if it is produced in liquid 2, it is likely to be immediately reduced or eliminated.
  • the nanobubbles generated in the liquid 2 are difficult to reduce or disappear, and the possibility of remaining in the liquid 2 increases.
  • the liquid 2 is charged, as shown in the schematic diagram of FIG. 17, charges are arranged around the nanobubbles generated in the liquid 2, and the possibility that the nanobubbles are charged increases. Then, an electrostatic repulsive force is generated, which prevents further reduction of the nanobubbles and makes it difficult to reduce or eliminate the nanobubbles.
  • the nanobubbles are charged as the liquid 2 is charged, the charged nanobubbles are more likely to be reduced or disappear.
  • nanobubbles not only nanobubbles, but also bubbles that are larger than microbubbles or microbubbles and are generated in liquid 2, if liquid 2 is charged, it is generated in liquid 2. Air bubbles are more likely to be reduced or difficult to disappear. Since bubbles including nanobubbles and microbubbles act as foreign substances, if the bubbles exist in the liquid 2 that fills the optical path space K or adhere to the substrate P, the pattern formed on the substrate P Causes exposure defects such as defects.
  • the charge of the liquid 2 that fills the optical path space K is prevented or effectively suppressed by performing the neutralization of the liquid 2 supplied to the optical path space K using the static elimination filter 114.
  • the static elimination filter 114 since nanobubbles are physically extremely unstable, if the liquid 2 is not charged, there is a high possibility that the nanobubbles are immediately reduced or eliminated. Therefore, by preventing charging of the liquid 2, even if nanobubbles are generated in the liquid 2, charging of the nanobubbles is suppressed, and the nanobubbles can be immediately reduced or eliminated. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of exposure failure due to the presence of nanobubbles in the liquid 2.
  • not only nanobubbles but also liquid 2 can be prevented from being charged. Thus, bubbles containing microbubbles larger than the nanobubbles generated in the liquid 2 can be immediately reduced or eliminated.
  • the static elimination filter 114 is provided in the supply flow path 8L, and the liquid 2 passes through the static elimination filter 114 that also has foam metal isotropic force.
  • the static electricity charged in the liquid 2 is collected by the static elimination filter 114 and discharged to the ground by the ground wire. Therefore, even if the liquid 2 flowing through the supply pipe 113 and Z or the supply flow path 8L is temporarily charged, the neutralization filter 114 can neutralize the liquid 2. Accordingly, the liquid immersion system 1 can fill the optical path space K with the liquid 2 in which charging is prevented or effectively suppressed, and can prevent bubbles from remaining in the liquid 2.
  • the liquid supply device 111 includes the deaeration device 116, and the immersion system 1 supplies the degassed liquid 2 to the optical path space K of the exposure light EL.
  • the degassed liquid 2 can be reduced or eliminated by dissolving bubbles. Therefore, the liquid immersion system 1 supplies the degassed liquid 2 while preventing or effectively suppressing the charging of the liquid 2, so that even if bubbles are generated in the liquid 2, the bubbles are removed. It can be reduced or eliminated immediately by dissolving in the degassed liquid 2.
  • the immersion system 1 supplies the degassed liquid 2 to the optical path space K of the exposure light EL, charging of the bubbles is suppressed even if the bubbles are charged. Therefore, the generated bubbles can be immediately reduced or eliminated by dissolving in the degassed liquid 2. Therefore, by preventing the liquid 2 from being charged by the charge eliminating filter 114, it is possible to effectively suppress the residual bubbles in the degassed liquid 2.
  • the deaeration device 116 to reduce the dissolved gas concentration in the liquid 2, particularly the dissolved oxygen concentration, it is possible to suppress a decrease in the transmittance of the liquid 2 with respect to the exposure light EL.
  • Oxygen absorbs exposure light EL and may reduce the amount of exposure light EL. If the dissolved oxygen concentration in the body 2 is high, the transmittance of the liquid 2 with respect to the exposure light EL may decrease.
  • by reducing the dissolved gas concentration (dissolved oxygen concentration) using the degassing device 116 it is possible to suppress a decrease in the transmittance of the liquid 2 with respect to the exposure light EL.
  • the neutralization filter 114 provided in the supply flow path 8L is used to remove the liquid 2 before being supplied from the supply port 8 of the immersion system 1 to the optical path space K of the exposure light EL. Static elimination has been performed, and processing to prevent the liquid 2 from being charged before being supplied to the optical path space K is being performed. Therefore, the immersion system 1 can fill the optical path space K with the liquid 2 in which charging is prevented or effectively suppressed.
  • a conductive member 119 for preventing charging of the liquid 2 is provided at a position in contact with the liquid 2 filled in the optical path space K, for example, the lower surface of the final optical element FL. May be.
  • the conductive member 119 shown in FIG. 18 is provided on the lower surface of the final optical element FL at a position that does not obstruct the passage of the exposure light EL and contacts the liquid 2 filled in the optical path space K.
  • the conductive member 119 is provided in an annular shape so as to cover the peripheral area on the lower surface of the final optical element FL, for example.
  • the conductive member 119 is, for example, a conductor formed by vapor deposition on the lower surface of the final optical element FL.
  • the conductive member 119 is grounded (grounded) via a ground wire (not shown).
  • the conductive member 119 prevents the liquid 2 from being charged after being supplied to the optical path space K from the supply port 8. Even if the liquid 2 after being supplied to the optical path space K through the supply port 8 is charged, the conductive member 119 can remove the charge of the liquid 2, and the liquid 2 satisfying the optical path space K can be removed. Charging can be prevented or effectively suppressed.
  • the conductive member 119 may be provided in place of the neutralization filter 114, or may be used in combination with the neutralization filter 114! /.
  • the liquid supply device 111 of the immersion system 1 includes a mixing device 150 that mixes the liquid 2 to be supplied to the supply port 8 and a predetermined substance capable of adjusting the specific resistance of the liquid 2.
  • carbon dioxide is used as a substance for adjusting the specific resistance of the liquid 2.
  • the liquid supply device 111 has a diacid / carbon carbon supply device 151 for supplying diacid / carbon to the mixing device 150, and the mixing device 150 is supplied from the diacid / carbon supply device 151.
  • Carbon dioxide and liquid (ultra pure water) 2 supplied from the ultra pure water production apparatus 115 via the deaeration apparatus 116 are mixed.
  • the control device 7 can adjust the amount of carbon dioxide supplied from the carbon dioxide supply device 151 to the mixing device 150.
  • the mixing device 150 dissolves the carbon dioxide supplied from the carbon dioxide supply device 151 in the liquid 2 deaerated by the deaeration device 116. By dissolving the carbon dioxide that adjusts the specific resistance of the liquid 2 in the liquid 2, charging of the liquid 2 can be prevented or effectively suppressed.
  • the amount of carbon dioxide dissolved in liquid 2 is such that the charge of liquid 2 can be prevented, and the size of bubbles generated due to carbon dioxide dissolved in liquid 2. It is optimally adjusted to such an extent that the length or amount is below the allowable value. In other words, in the liquid 2, carbon dioxide with a concentration equal to or less than the allowable value of the dissolved gas concentration is dissolved. The amount of carbon dioxide dissolved in liquid 2 is very small in order to prevent the liquid 2 from being charged. Dioxide carbon dissolved in liquid 2 does not generate bubbles that cause poor exposure. .
  • the mixing device 150 is provided with a specific resistance meter (not shown) capable of measuring the specific resistance of the liquid 2.
  • the control device 7 uses a specific resistance meter to monitor the specific resistance value of the liquid 2 (pure water in which the carbon dioxide and carbon dioxide is dissolved) produced by the mixing device 150, and the measured specific resistance value is The amount of carbon dioxide supplied from the carbon dioxide supply device 151 to the mixing device 150 is adjusted so that the value is within the predetermined range.
  • the carbon dioxide supply device 151 supplies the liquid 2 supplied from the ultrapure water production device 115 (deaeration device 116) inside the mixing device 150.
  • the diacid carbon is mixed and dissolved to produce a liquid 2 having a desired specific resistance value.
  • pure acid carbon that lowers the specific resistance is mixed in pure water and dissolved, and supplied from the supply port 8 to the optical path space K as the liquid 2.
  • Carbon dioxide is mixed (dissolved) in pure water by directly injecting carbon dioxide into pure water, or by mixing diacid and carbon dioxide into pure water through a hollow fiber membrane. Various methods can be adopted. Air containing carbon dioxide and carbon dioxide may be dissolved in pure water.
  • the specific resistance value of the liquid 2 is adjusted to 10 [ ⁇ 'cm] or less, preferably 0.1 to 1.0 [ ⁇ ⁇ « ⁇ ].
  • the deaeration device 116 to reduce the dissolved gas concentration in the liquid 2, particularly the dissolved oxygen concentration, it is possible to suppress a decrease in the transmittance of the liquid 2 with respect to the exposure light EL. Then, after sufficiently reducing the dissolved oxygen concentration in the liquid 2, a predetermined amount of carbon dioxide is mixed (dissolved) in the liquid 2, thereby maintaining the desired transmittance and suppressing the generation of bubbles. The liquid 2 can be prevented from being charged.
  • carbon dioxide is mixed (dissolved) in the liquid 2 before being supplied from the supply port 8 of the immersion system 1 to the optical path space ⁇ ⁇ of the exposure light EL.
  • carbon dioxide is contained in the optical path space ⁇ from the first supply port, and the first liquid is supplied.
  • the second supply port force optical path space ⁇ is supplied with a second liquid containing carbon dioxide and mixed with the first liquid and the second liquid on the optical path space ⁇ .
  • the liquid 2 filling the optical path space ⁇ may be prevented from being charged.
  • liquid 2 and carbon dioxide may be mixed in the optical path space.
  • the neutralization filter 114 is provided in the supply flow path.
  • the static elimination filter 114 may be omitted. If the charge of the liquid 2 supplied to the supply port 8 can be prevented or suppressed by mixing (mixing) carbon dioxide with the liquid 2, the neutralization filter 114 can be omitted.
  • the liquid supply system 10 of the immersion system 1 includes an ultrapure water production device 115 that produces ultrapure water, and a deaeration that degass the ultrapure water produced by the ultrapure water production device 115.
  • an ultrapure water production apparatus 115, a mixing device 154 for mixing the ultrapure water produced by the ultrapure water production device 115 and a supply pipe system 113 are provided.
  • the supply pipe system 113 includes a first supply pipe 113A, a second supply pipe 113B, a third supply pipe 113C, and a fourth supply pipe 113D. Inside the nozzle member 6, an internal flow path (supply flow path) 8L that connects the supply port 8 and the supply pipe system 113 (third supply pipe 113C) is formed.
  • the ionic water generator 117 ionizes ultrapure water to generate cation water 2A and anion water 2B.
  • the cation water 2A is appropriately referred to as anode water 2A
  • the anion water 2B is appropriately referred to as force sword water 2B.
  • the anode water 2A contains a lot of hydrogen ions (H +), and the force sword water 2B contains a lot of hydroxide ions (OH-).
  • FIG. 21 is a schematic diagram showing an example of the ionic water generator 117.
  • the ionic water generator 117 has an electrolytic cell 130 to which ultrapure water is supplied.
  • the inside of the electrolytic cell 130 is partitioned into first, second, and third chambers 131, 132, and 133 by diaphragms (ion exchange membranes) 136 and 137.
  • Ultrapure water is supplied to each of the first, second, and third chambers 131, 132, and 133.
  • An anode 134 is disposed in the first chamber 131, and a cathode 135 is disposed in the second chamber 132.
  • Room 3 133 is
  • the first chamber 131 and the second chamber 132 are provided and filled with, for example, an ion exchange resin.
  • the ionic water generator 117 can generate electrolytic ionic waters 2A and 2B by electrolyzing ultrapure water. Note that a predetermined electrolyte may be added to ultrapure water supplied to the electrolytic cell 130 or ion water sent from the electrolytic cell 130. Note that the ionic water generator 117 shown in FIG. 21 is an example, and any configuration can be adopted as long as the ionic water 2A and 2B can be generated.
  • the anode water 2A generated by the ionic water generator 117 is supplied to the mixing device 154 via the first supply pipe 113A.
  • the cathode water 2B produced by the ionic water production device 117 is supplied to the mixing device 154 via the second supply pipe 113B.
  • the non-ionized ultrapure water produced by the ultrapure water generation device 115 is supplied to the mixing device 154 via the fourth supply pipe 113D.
  • an adjustment mechanism 15 5A that adjusts the amount (amount of supply per unit time) of the anode water 2A that is generated by the ionic water generator 117 and supplied to the mixing device 154. Is provided.
  • an adjustment mechanism 155B that adjusts the amount (the supply amount per unit time) of the force sword water 2B that is generated by the ionic water generation device 117 and supplied to the mixing device 154. Is provided.
  • an adjustment mechanism 155D that adjusts the amount of ultrapure water (supplied per unit time) that is produced by the ultrapure water production device 115 and supplied to the mixing device 154 is provided in the middle of the fourth supply pipe 113D. It has been.
  • the adjustment mechanisms 155A, 155B, and 155D include, for example, a valve mechanism.
  • the control device 7 uses the adjustment mechanisms 155A, 155B, and 155D to control the amount of ultrapure water supplied to the mixing device 154 via the fourth supply pipe 113D and the first and second supply pipes 113A and 113B.
  • the amount of ionic water 2A and 2B supplied to the mixing device 154 is increased. That is, in the present embodiment, a small amount of ionic water 2A and 2B is added to the ultrapure water supplied to the mixing device 154.
  • the mixing device 154 mixes the anode water 2A, the force sword water 2B, and the ultrapure water supplied through the first supply pipe 113A, the second supply pipe 113B, and the fourth supply pipe 113D, respectively. .
  • the supply port 8 and the mixing device 154 are connected via a third supply pipe 113C and a supply flow path 8L.
  • the liquid 2 generated by the mixing device 154 is supplied to the supply port 8 through the third supply pipe 113 and the supply flow path 8L.
  • the liquid 2 generated by the mixing device 154 is supplied to the optical path space K from the supply port 8.
  • Ultrapure water has high electrical insulation and is easily charged (easily charged with static electricity).
  • ion water 2A and 2B have conductivity, and the specific resistance of ultrapure water can be adjusted. Even when the ultrapure water is charged, the liquid supply system 10 can remove the ultrapure water by mixing the ultrapure water with the ionic water 2A and 2B in the mixing device 154 and supply it to the optical path space K. The liquid 2 to be charged can be prevented from being charged.
  • the ultrapure water having electrical insulation is ionized to exhibit conductivity, so that the additive for imparting conductivity to the ultrapure water is used.
  • the optical path space K can be filled with the liquid 2, and the substrate P can be exposed satisfactorily.
  • the liquid supply system 10 supplies the anode water and the force sword water, respectively, but the ultrapure water is charged positively or negatively. If V is known, supply only one of the anode water and power sword water! /.
  • ion water is mixed (added) to ultrapure water before being supplied from the supply port 8 of the immersion system 1 to the optical path space K of the exposure light EL.
  • the first supply rocker also supplies ultrapure water to the optical path space K, and the second supply port force.
  • Ionized water anode water and The liquid 2 that fills the optical path space K may be prevented from being charged by supplying at least one of the strong sword water and mixing the ultrapure water and the ionic water in the optical path space K.
  • the static elimination filter 114 is provided in the supply flow path, but the static elimination filter 114 may be omitted. If the charge of liquid 2 supplied to supply port 8 can be prevented or effectively suppressed by mixing (adding) ionic water to ultrapure water, which is non-ionized water, omit neutralization filter 114. Can do.
  • the exposure apparatus EX is configured to include the ionic water generation apparatus 117, but the ionic water generated by an ionic water generation apparatus different from the exposure apparatus EX is used as the optical path.
  • the space K may be supplied. That is, the exposure apparatus EX does not need to include an ionic water generation apparatus, and similarly includes at least one of the ultrapure water production apparatus 115 and the deaeration apparatus 116! /.
  • the antistatic device described in the ninth to twelfth embodiments it is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-332218 in the vicinity of the space on the image plane side of the projection optical system PL.
  • An antistatic device (such as an ionizer) may be provided to prevent the liquid 2 from being charged.
  • the antistatic device of the ninth to twelfth embodiments may be used in combination with a static eliminator such as an ionizer.
  • the porous member 9T may be formed of a conductor. In this case, at least one of the above-described static elimination filter 114, the conductive member 119, and the static elimination device (such as an ionizer) may be substituted or combined.
  • the liquid 2 that has been prevented from being charged is exposed between the final optical element FL closest to the image plane of the projection optical system PL of the projection optical system PL and the substrate P.
  • Force described for the case of supplying to the optical path space K of the optical EL For example, as disclosed in the pamphlet of WO 2004Z019128, the optical path on the object plane side (mask M side) of the final optical element FL is also filled with liquid. be able to.
  • the exposure apparatus EX is next to the final optical element FL and the final optical element FL.
  • An immersion system 1 that supplies liquid 2 to the boundary optical element FL2 close to the image plane of the projection optical system PL is provided.
  • the immersion system 1 ' includes a supply port 8' for supplying the liquid 2 to the optical path space K2 between the final optical element FL and the boundary optical element FL2, and a recovery port 9 'for recovering the liquid 2.
  • the liquid immersion system 1 ′ has substantially the same configuration as the liquid immersion system 1 described in the above embodiments, and can fill the optical path space K2 with the liquid 2 that is prevented from being charged. As a result, it is possible to suppress exposure failure caused by bubbles in the liquid 2 supplied to the optical path space K2 of the exposure light EL.
  • the antistatic device that prevents the liquid 2 from being charged functions as an antistatic device that prevents the bubbles in the liquid 2 from being charged, and suppresses the occurrence of defects such as exposure failures due to the bubbles in the liquid 2. Can do.
  • the immersion system 1 ′ is provided separately from the immersion system 1. At least a part of the 1S immersion system 1 ′ may be shared by the immersion system 1.
  • a conductive member for preventing charging of the liquid 2 is provided at a predetermined position in the optical path space K2, for example, at least one of the exit surface of the boundary optical element FL2 and the incident surface of the final optical element FL, or the optical path space. It is also possible to install a static eliminator such as the above-mentioned ionizer in the vicinity of K2. Further, a neutralization filter may be provided in the liquid 2 supply channel in the immersion system 1 ′.
  • the bubbles in the liquid 2 may affect not only the exposure of the substrate P but also various measurements performed through the liquid 2, but the ninth to thirteenth embodiments described above. As described above, since bubbles are prevented from remaining in the liquid 2 by preventing the bubbles from being charged, various measurements performed through the liquid 2 can be performed with high accuracy. Therefore, the exposure of the substrate P executed based on the measurement can be performed well.
  • the prevention of charging of the liquid or bubbles in the liquid allows a slight charge of the bubbles in the liquid or liquid as long as the exposure is not affected.
  • the bubbles may be slightly charged.
  • the bubbles in the liquid may be eliminated by antistatic so that the type, number, and Z or amount of bubbles in the liquid are within the allowable range.
  • static elimination of liquids or bubbles in liquids allows for a small residual charge in the liquids or bubbles in liquids to the extent that exposure is not affected.
  • a slight charge may remain in the liquid or the bubbles in the liquid as long as the inconvenience does not occur in the exposure process or the exposure apparatus.
  • the bubbles in the liquid may be eliminated by static elimination so that the type, number, and Z or amount of bubbles in the liquid are within the allowable range.
  • the configuration of the immersion system 1 that fills the optical path space K between the final optical element FL and the substrate P with the liquid 2 is not limited to the above-described configuration, and various configurations are possible. Can be adopted. For example, configurations as disclosed in US Patent Publication No. 2004Z0165159 and International Publication No. 2004Z055803 may be employed.
  • the configuration of the immersion system 1 of the eighth and thirteenth embodiments is not limited to the above-described configuration, and various configurations can be adopted, for example, disclosed in International Publication No. 2004Z107048. You can also adopt a configuration that speaks!
  • the form of the immersion system 1 (immersion space forming member) including the nozzle member 6 is not limited to the above-described one.
  • the pamphlet of International Publication No. 2004Z086468 (corresponding to US Publication 2 005Z0280791A: 0, No. 2004-289126 (corresponding US Pat. No. 6,952, 25 3) may be used, etc.
  • the lower surface of the nozzle member 6 is projected.
  • the lower surface of the nozzle member 6 is set closer to the image surface side (substrate side) than the lower end surface of the projection optical system PL
  • a part (lower end portion) of the nozzle member 6 may be provided so as to be buried under the projection optical system PL (final optical element FL) so as not to block the exposure light EL.
  • the supply port 8 is provided on the lower surface of the nozzle member 6.
  • projection optics Yo it is provided with a supply port 8 on the inner surface of the nozzle member 6 facing the side surface of the final optical element FL of the PL (inclined plane).
  • pure water (ultra pure water) is used as the liquid 2.
  • Pure water has the advantage that it can be easily obtained in large quantities at semiconductor manufacturing factories and the like, and has no adverse effect on the photoresist on the substrate P and optical elements (lenses). Pure water is Since there is no adverse effect and the impurity content is extremely low, it is expected that the surface of the substrate P and the surface of the optical element provided on the front end surface of the projection optical system PL are also cleaned.
  • the refractive index n of pure water (water) for exposure light EL with a wavelength of about 193 nm is said to be approximately 1. 44, and ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used as the light source for exposure light EL.
  • lZn that is, the wavelength is shortened to about 134 nm to obtain a high resolution.
  • the projection optical system PL can be used if it is sufficient to ensure the same depth of focus as in the air.
  • the numerical aperture can be increased further, and the resolution is improved in this respect as well.
  • the liquid 2 in each of the above embodiments is water (pure water), but may be a liquid other than water.
  • the light source of the exposure light EL is an F laser
  • the F laser Light penetrates the water
  • the liquid 2 is stable against the photoresist applied to the surface of the projection optical system PL and the substrate P, which is transparent to the exposure light EL and has a refractive index as high as possible (for example, It is also possible to use (cedar oil).
  • the liquid 2 may have a refractive index of about 1.6 to 1.8.
  • the optical element FL may be formed of a material having a refractive index higher than that of stone or fluorite (for example, 1.6 or more).
  • the liquid LQ various liquids such as a supercritical fluid can be used.
  • the positional information of the mask stage 3 and the substrate stage 4 is measured using the interferometer system (3L, 4L).
  • You may use the encoder system which detects the scale (diffraction grating) provided.
  • the encoder system which detects the scale (diffraction grating) provided.
  • the position control of the stage may be performed by switching between the interferometer system and the encoder system or using both.
  • the optical element FL is attached to the tip of the projection optical system PL, and the optical characteristics of the projection optical system PL such as aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.) are adjusted by this optical element. It can be carried out.
  • the optical element attached to the tip of the projection optical system PL may be an optical plate used for adjusting the optical characteristics of the projection optical system PL. Or it may be a plane parallel plate (such as a cover glass) that can transmit the exposure light EL.
  • the space between the projection optical system PL and the surface of the substrate P is filled with the liquid 2.
  • a cover glass having a parallel flat plate force is applied to the surface of the substrate P. It may be configured to fill liquid 2 when installed.
  • the substrate P in each of the above embodiments is used not only for semiconductor wafers for manufacturing semiconductor devices but also for glass substrates for display devices, ceramic wafers for thin film magnetic heads, or exposure apparatuses. Mask or reticle master (synthetic quartz, silicon wafer), etc. are applied.
  • an exposure apparatus EX in addition to a step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that performs mask exposure by scanning the mask M and the substrate P in synchronization with each other, a mask is used.
  • the present invention can also be applied to a step-and-repeat projection exposure apparatus (steno) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while M and the substrate P are stationary, and the substrate P is sequentially moved stepwise.
  • a reduced image of the first pattern is projected while the first pattern and the substrate P are substantially stationary (for example, a refractive type that does not include a reflective element at a 1Z8 reduction magnification). It can also be applied to an exposure apparatus that uses a projection optical system) to perform batch exposure on the substrate P. In this case, after that, with the second pattern and the substrate P almost stationary, a reduced image of the second pattern is collectively exposed on the substrate P by partially overlapping the first pattern using the projection optical system. It can also be applied to a stitch type batch exposure apparatus.
  • the stitch type exposure apparatus can also be applied to a step 'and' stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially overlapped and transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.
  • the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example.
  • the present invention is applied to an exposure apparatus and an exposure method that do not use the projection optical system PL. Can do. Even when the projection optical system is not used, the exposure light is irradiated onto the substrate through an optical member such as a mask or a lens, and an immersion region is formed in a predetermined space between the optical member and the substrate.
  • an optical member such as a mask or a lens
  • the present invention is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 10-163099 and 10-214783 (corresponding US Pat. No. 6,590,634), and Japanese Translation of PCT International Publication No. 2000-505958 (corresponding US Pat. 5, 969, 441), US Pat. No. 6,208, 407, etc., and can be applied to a twin stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages.
  • JP-A-11-135400 corresponding international publication 1999/23692
  • JP-A 2000-164504 corresponding US Pat. No. 6,897,963
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a substrate stage for holding a substrate, and a measurement stage on which a reference member on which a reference mark is formed and various photoelectric sensors are mounted.
  • an exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the substrate P is employed.
  • the present invention is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-124873.
  • Liquid exposure light that performs exposure in a state where the entire surface of the substrate to be exposed is immersed in a liquid as disclosed in JP-A-10-303114, US Pat. No. 5,825,043, etc. It is also applicable to the device.
  • the type of exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto a substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or display, a thin film magnetic head, an imaging It can be widely applied to exposure devices for manufacturing devices (CCD), micromachines, MEMS, DNA chips, reticles or masks.
  • force using a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern 'dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used instead of this mask.
  • a predetermined light-shielding pattern or phase pattern 'dimming pattern
  • a transmission pattern or a reflection pattern or light emission
  • An electronic mask that forms a pattern also called a variable shaped mask, including DMD (Digital Micro-mirror Device), which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator)
  • DMD Digital Micro-mirror Device
  • an exposure apparatus that exposes a line 'and' space pattern on the substrate P by forming interference fringes on the substrate P (lithography)
  • the present invention can also be applied to a system.
  • JP-T-2004-519850 corresponding US Pat. No. 6,611,316
  • two mask patterns are combined on the substrate via the projection optical system.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of one shot area on the substrate almost simultaneously by one scan exposure.
  • the exposure apparatus EX has various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application with predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling to keep. In order to ensure these various accuracies, before and after the assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, various electrical systems Is adjusted to achieve electrical accuracy.
  • the assembly process from various subsystems to the exposure system includes mechanical connections, electrical circuit wiring connections, and pneumatic circuit piping connections between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies for the entire exposure apparatus. It is desirable to manufacture the exposure apparatus in a clean room in which the temperature and cleanliness are controlled.
  • a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for performing a function / performance design of the microdevice, a step 202 for manufacturing a mask (reticle) based on the design step, Step 203 of manufacturing the substrate that is the substrate of the device, as described above Step 204, which includes a substrate processing process such as a step of exposing a mask pattern onto the substrate by the exposure apparatus EX of the embodiment, a step of developing the exposed substrate, heating (curing) of the developed substrate, and an etching step, and device assembly Manufactured through steps (including processing processes such as dicing process, bonding process, knocking process) 205, inspection step 206, and the like.
  • the present invention provides an exposure apparatus for manufacturing a wide range of products such as semiconductor elements, liquid crystal display elements or displays, thin film magnetic heads, CCDs, micromachines, MEMS, DNA chips, and reticles (masks). Very useful for the method.

Abstract

　露光装置（ＥＸ）は、露光光（ＥＬ）の光路空間（Ｋ）に液体（２）を供給する供給口（８）と、イオン化されたイオン液体（２Ａ、２Ｂ）を供給口（８）に供給する液体供給系（１０）とを備えている。

Description

明 細 書
露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 技術分野
[0001] 本発明は、露光装置及び露光方法、露光装置のメンテナンス方法、並びにデバイ ス製造方法に関するものである。
本願は、 2005年 6月 21曰に出願された特願 2005— 180443号、及び 2005年 7 月 25日に出願された特願 2005— 214317号に基づき優先権を主張し、その内容を ここに援用する。
背景技術
[0002] 半導体デバイス等のマイクロデバイス (電子デバイスなど）の製造工程の一つである フォトリソグラフイエ程では、マスクのパターン像を感光性の基板上に露光する露光装 置が用いられる。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために 、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために 露光装置の更なる高解像度化が望まれており、その高解像度化を実現するための手 段の一つとして、下記特許文献に開示されているような、露光光の光路空間を液体 で満たし、その液体を介して基板上に露光光を照射して基板を露光する液浸露光装 置が案出されている。
特許文献 1：国際公開第 99Z49504号パンフレット
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] 露光光の光路空間に満たされる液体が帯電していると、露光装置の性能が劣化し たり、あるいは製造されるデバイスの性能が劣化する不都合が生じる可能性がある。 例えば、液体が帯電していると、基板の周囲に配置される電気機器が誤作動したり、 あるいは、基板上に形成されるパターンが劣化する可能性がある。
[0004] また、基板上にパターンを形成するために液体を介して基板を露光する際、露光光 の光路に満たされる液体中に気泡が存在すると、基板上に形成されるパターンに欠 陥が生じる等、露光不良が発生し、製造されるデバイスの性能の劣化をもたらす可能 '性がある。
[0005] 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板を良好に露光するこ とができる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また、露光装置の性 能の劣化を抑制できるメンテナンス方法を提供することを目的とする。また、所望の性 能を有するデバイスを製造できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 課題を解決するための手段
[0006] 上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以 下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に 過ぎず、各要素を限定するものではない。
[0007] 本発明の第 1の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光装置において、露光光 (E
L)の光路空間 (K)に液体 (2)を供給する供給口（8)と、イオン化されたイオン液体（
2A、 2B)を供給口（8)に供給する液体供給装置（10)とを備えた露光装置 (EX)が 提供される。
[0008] 本発明の第 1の態様によれば、イオンィ匕されたイオン液体を供給することで、帯電し た液体が露光光の光路空間に満たされることを防止することができる。
[0009] 本発明の第 2の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光装置において、露光光 (E L)の光路空間 (K)に陽イオン液体 (2A)を供給する第 1供給口（8A)と、光路空間（ K)に陰イオン液体 (2B)を供給する第 2供給口（8B)とを備えた露光装置 (EX)が提 供される。
[0010] 本発明の第 2の態様によれば、陽イオン液体と陰イオン液体とを供給することで、帯 電した液体が露光光の光路空間に満たされることを防止することができる。
[0011] 本発明の第 3の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光装置において、露光光 (E L)の光路空間 (K)にイオン化されたイオン液体 (2A、 2B)を供給する第 1供給口（8 A)と、光路空間 (K)にイオン化されて 、な 、非イオン液体 (2P)を供給する第 2供給 口（8B)とを備えた露光装置 (EX)が提供される。
[0012] 本発明の第 3の態様によれば、イオン液体と非イオン液体とを供給することで、帯電 した液体が露光光の光路空間に満たされることを防止することができる。
[0013] 本発明の第 4の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光装置において、露光光 (E L)の光路空間 (K)を液体 (2)で満たすための液浸装置（1)と、液体 (2)に接触する 所定部材 (FL、 6)をイオンィ匕したイオン液体 (2A、 2B)で洗浄する洗浄装置（1)とを 備えた露光装置 (EX)が提供される。
[0014] 本発明の第 4の態様によれば、所定部材をイオン液体で洗浄することによって、露 光装置の性能の劣化を抑制することができる。
[0015] 本発明の第 5の態様に従えば、上記態様の露光装置 (EX)を用いるデバイス製造 方法が提供される。
[0016] 本発明の第 5の態様によれば、所望の性能を有するデバイスを製造することができ る。
[0017] 本発明の第 6の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光方法において、露光光 (E L)の光路空間 (K)に対してイオン化されたイオン液体 (2A、 2B)を供給する動作と、 光路空間 (K)に満たされた液体 (2)を介して基板 (P)上に露光光 (EL)を照射する 動作とを含む露光方法が提供される。
[0018] 本発明の第 6の態様によれば、イオンィ匕されたイオン液体を供給することで、帯電し た液体が露光光の光路空間に満たされることを防止することができる。
[0019] 本発明の第 7の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いるデバイス製造方法が 提供される。
[0020] 本発明の第 7の態様によれば、所望の性能を有するデバイスを製造することができ る。
[0021] 本発明の第 8の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光装置 (EX)のメンテナンス 方法にお!、て、露光光 (EL)の光路空間 (K)に満たされる液体（2)に接触する所定 部材 (FL)をイオンィ匕したイオン液体（2A)で洗浄する動作を含むメンテナンス方法 が提供される。
[0022] 本発明の第 8の態様によれば、所定部材をイオン液体で洗浄することによって、露 光装置の性能の劣化を抑制することができる。
[0023] 本発明の第 9の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光装置において、露光光 (E L)の光路空間 (K)を液体 (2)で満たす液浸機構 (6など)と、液体 (2)中に生じた気 泡の帯電を防止する帯電防止装置 (例えば 14)と、を備えた露光装置 (EX)が提供さ れる。
[0024] 本発明の第 9の態様によれば、液体中に気泡が生成された場合でも、その気泡の 液体中での縮小、消滅を妨げる帯電が防止されているので、液体中の気泡に起因 する露光不良の発生を抑え、基板を良好に露光することができる。
[0025] 本発明の第 10の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光装置において、露光光（ EL)の光路空間 (K)を液体 (2)で満たす液浸機構 (6など)と、液体 (2)中の気泡に 起因する露光不良を抑制するために、液体 (2)の帯電を防止する帯電防止装置 (例 えば 14)と、を備えた露光装置 (EX)が提供される。
[0026] 本発明の第 10の態様によれば、液体の帯電を防止する帯電防止装置を設けたの で、液体中に気泡が生成された場合でも、その気泡の縮小、消滅を妨げる、その気 泡の帯電を抑制することができる。したがって、液体中の気泡に起因する露光不良の 発生を抑え、基板を良好に露光することができる。
[0027] 本発明の第 11の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光装置において、露光光（ EL)の光路空間 (K)を液体 (2)で満たす液浸機構 (6など)と、液体 (2)中の帯電した 気泡に起因する露光不良を防止する防止装置 (例えば 14)と、を備えた露光装置 (E X)が提供される。
[0028] 本発明の第 11の態様によれば、液体中の帯電した気泡に起因する露光不良が防 止されて!/、るので、基板を良好に露光することができる。
[0029] 本発明の第 12の態様に従えば、上記態様の露光装置 (EX)を用いるデバイス製造 方法が提供される。
[0030] 本発明の第 12の態様によれば、所望の性能を有するデバイスを製造することがで きる。
[0031] 本発明の第 13の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光方法において、露光光（ EL)の光路空間 (K)に液体（2)を供給し、液体（2)中での気泡の帯電を防止して、 露光光 (EL)の光路空間 (K)の液体 (2)中の気泡に起因する露光不良を抑制する 露光方法が提供される。
[0032] 本発明の第 13の態様によれば、液体中に気泡が生成された場合でも、その気泡の 液体中での縮小、消滅を妨げる帯電が防止されているので、液体中の気泡に起因 する露光不良の発生を抑え、基板を良好に露光することができる。
[0033] 本発明の第 14の態様に従えば、基板 (P)を露光する露光方法において、露光光（ EL)の光路空間 (K)に液体 (2)を供給し、液体 (2)の帯電を防止することによって、 露光光 (EL)の光路空間 (K)の液体 (2)中の気泡に起因する露光不良を抑制する 露光方法が提供される。
[0034] 本発明の第 14の態様によれば、液体の帯電を防止することによって、液体中に気 泡が生成された場合でも、その気泡の縮小、消滅を妨げる、液体中での気泡の帯電 を抑制することができる。したがって、液体中の気泡に起因する露光不良の発生を抑 え、基板を良好に露光することができる。
[0035] 本発明の第 15の態様に従えば、上記態様の露光方法を用いるデバイス製造方法 が提供される。
[0036] 本発明の第 15の態様によれば、所望の性能を有するデバイスを製造することがで きる。
図面の簡単な説明
[0037] [図 1]第 1実施形態に係る露光装置の概略構成図である。
[図 2]ノズル部材を下力 見た図である。
[図 3]第 1実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 4]イオン水生成装置の一例を説明するための模式図である。
[図 5A]基板の一例を示す図である。
[図 5B]基板の一例を示す図である。
[図 6]除電装置の一例を説明するための図である。
[図 7]第 2実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 8]第 3実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 9]第 4実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 10A]第 5実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 10B]第 5実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 10C]第 5実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 11]第 6実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。 [図 12]第 7実施形態に係る動作を説明するための図である。
[図 13]第 8実施形態に係る露光装置を説明するための図である。
[図 14]第 9実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
[図 15]第 9実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 16]脱気装置の一例を説明するための図である。
[図 17]気泡が帯電している様子を説明するための模式図である。
[図 18]第 10実施形態に係る露光装置を示す図である。
[図 19]第 11実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 20]第 12実施形態に係る液体供給系を説明するための図である。
[図 21]イオン水生成装置の一例を説明するための図である。
[図 22]第 13実施形態に係る露光装置を示す図である。
[図 23]マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート図である 符号の説明
[0038] 1 · · '液浸システム (液浸装置、洗浄装置）、 2· · '液体、 2Α· · ·アノード水（陽イオン液 体）、 2Β· · '力ソード水（陰イオン液体）、 2Ρ· · '超純水（非イオン液体）、 6…ノズル部材 (流路形成部材)、 7…制御装置、 8 (8A〜8D)…供給口、 10· ··液体供給系 (液体供 給装置)、 12· ··イオン水生成装置 (イオン液体生成装置)、 13· ··供給管系、 14· ··混 合装置、 114…除電フィルタ、 116…脱気装置、 117· ··イオン水生成装置、 119· ·· 導電性部材、 150· ··混合装置、 151…二酸化炭素供給装置、 154· ··混合装置、 EL …露光光、 EX…露光装置、 FL…最終光学素子 (光学部材)、 FL2…境界光学素子 (光学部材)、 K(K2)…光路空間、 Ρ…基板
発明を実施するための最良の形態
[0039] 以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれ に限定されない。なお、以下の説明においては、 ΧΥΖ直交座標系を設定し、この ΧΥ Ζ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内におけ る所定方向を X軸方向、水平面内において X軸方向と直交する方向を Υ軸方向、 X 軸方向及び Υ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）を Ζ軸方向と する。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転 (傾斜)方向をそれぞれ、 0 X、 0 Y、及 び 0 Z方向とする。
[0040] <第 1実施形態 >
第 1実施形態について説明する。図 1は第 1実施形態に係る露光装置 EXを示す概 略構成図である。図 1において、露光装置 EXは、マスク Mを保持して移動可能なマ スクステージ 3と、基板 Pを保持して移動可能な基板ステージ 4と、マスクステージ 3に 保持されているマスク Mを露光光 ELで照明する照明光学系 ILと、露光光 ELで照明 されたマスク Mのパターン像を基板 P上に投影する投影光学系 PLと、露光装置 EX 全体の動作を制御する制御装置 7とを備えている。なお、ここでいう基板は半導体ゥ ェハ等の基材上に感光材 (フォトレジスト）を塗布したものを含み、マスクは基板上に 縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。なお、本実施形態に おいては、マスクとして透過型のマスクを用いる力 反射型のマスクを用いてもよい。
[0041] 本実施形態の露光装置 EXは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとと もに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、 少なくとも投影光学系 PLの像面側の露光光 ELの光路空間 Kを液体 2で満たす液浸 システム 1を備えている。液浸システム 1の動作は制御装置 7に制御される。露光装置 EXは、少なくともマスク Mのパターン像を基板 Pに露光している間、液浸システム 1を 使って、露光光 ELの光路空間 Kを液体 2で満たす。露光装置 EXは、投影光学系 P Lと光路空間 Kに満たされた液体 2とを介してマスク Mを通過した露光光 ELを基板 P 上に照射することによって、マスク Mのパターン像を基板 P上に露光する。また、本実 施形態の露光装置 EXは、光路空間 Kに満たされた液体 2が、投影光学系 PLの投影 領域 ARを含む基板 P上の一部の領域に、投影領域 ARよりも大きく且つ基板 Pよりも 小さ!ヽ液体 2の液浸領域 LRを局所的に形成する局所液浸方式を採用して！、る。
[0042] なお、本実施形態にぉ ヽては、主に液浸領域 LRは基板 P上に形成される場合に ついて説明するが、投影光学系 PLの像面側において、投影光学系 PLの複数の光 学素子のうち、投影光学系 PLの像面に最も近い最終光学素子 FLと対向する位置に 配置された物体上、例えば基板ステージ 4の一部等にも液浸領域 LRを形成可能で ある。 [0043] 照明光学系 ILは、マスク M上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光 ELで 照明するものである。照明光学系 IL力も射出される露光光 ELとしては、例えば水銀 ランプ力も射出される輝線 (g線、 h線、 i線)及び KrFエキシマレーザ光（波長 248nm )等の遠紫外光（DUV光）、 ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)及び Fレーザ光（
2 波長 157nm)等の真空紫外光 (VUV光)などが用いられる。本実施形態にぉ 、ては ArFエキシマレーザ光が用いられる。
[0044] マスクステージ 3は、リニアモータ等のァクチユエータを含むマスクステージ駆動装 置 3Dの駆動により、マスク Mを保持した状態で、 X軸、 Y軸、及び θ Z方向に移動可 能である。マスクステージ 3 (ひ!/、てはマスク M)の位置情報はレーザ干渉計 3Lによつ て計測される。レーザ干渉計 3Lはマスクステージ 3上に設けられた移動鏡 3Kを用い てマスクステージ 3の位置情報を計測する。制御装置 7は、レーザ干渉計 3Lの計測 結果に基づ 、てマスクステージ駆動装置 3Dを駆動し、マスクステージ 3に保持され て!、るマスク Mの位置制御を行う。
[0045] なお、移動鏡 3Kは平面鏡のみでなくコーナーキューブ（レトロリフレクタ）を含むも のとしてもよいし、移動鏡 3Kをマスクステージ 3に固設する代わりに、例えばマスクス テージ 3の端面 (側面）を鏡面加工して形成される反射面を用いてもよい。また、マス クステージ 3は、例えば特開平 8— 130179号公報 (対応米国特許第 6, 721, 034 号）に開示される粗微動可能な構成としてもよい。
[0046] 投影光学系 PLは、マスク Mのパターン像を所定の投影倍率で基板 Pに投影するも のであって、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒 PKで保持されて いる。本実施形態の投影光学系 PLは、その投影倍率が例えば 1Z4、 1/5, 1/8 等の縮小系であり、前述の照明領域と共役な投影領域 ARにマスクパターンの縮小 像を形成する。なお、投影光学系 PLは縮小系、等倍系及び拡大系のいずれでもよ い。また、投影光学系 PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含ま ない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであって もよい。また、投影光学系 PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。また 本実施形態においては、投影光学系 PLの複数の光学素子のうち、投影光学系 PL の像面に最も近い最終光学素子 FLのみが光路空間 Kの液体 2と接触する。 [0047] 基板ステージ 4は、基板 Pを保持する基板ホルダ 4Hを有しており、ベース部材 5上 で、基板ホルダ 4Hに基板 Pを保持して移動可能である。基板ホルダ 4Hは、基板ステ ージ 4上に設けられた凹部 4Rに配置されており、基板ステージ 4のうち凹部 4R以外 の上面 4Fは、基板ホルダ 4Hに保持された基板 Pの表面とほぼ同じ高さ（面一）にな るような平坦面となっている。これは、例えば基板 Pの露光動作時、液浸領域 LRの一 部が基板 Pの表面からはみ出して上面 4Fに形成されるためである。なお、基板ステ ージ 4の上面 4Fの一部、例えば基板 Pを囲む所定領域 (液浸領域 LRがはみ出す範 囲を含む）のみ、基板 Pの表面とほぼ同じ高さとしてもよい。また、投影光学系 PLの 像面側の光路空間 Kを液体 2で満たし続けることができる（即ち、液浸領域 LRを良好 に保持できる）ならば、基板ホルダ 4Hに保持された基板 Pの表面と基板ステージ 4の 上面 4Fとの間に段差があってもよい。さら〖こ、基板ホルダ 4Hを基板ステージ 4の一 部と一体に形成してもよ ヽが、本実施形態では基板ホルダ 4Hと基板ステージ 4とを 別々に構成し、例えば真空吸着などによって基板ホルダ 4Hを凹部 4Rに固定してい る。
[0048] 基板ステージ 4は、リニアモータ等のァクチユエータを含む基板ステージ駆動装置 4 Dの駆動により、基板 Pを保持した状態で、 X軸、 Y軸、 Z軸、 0 Χ、 Θ Υ、 Χ θ Ζ 向の 6自由度の方向に移動可能である。基板ステージ 4 (ひいては基板 Ρ)の位置情 報はレーザ干渉計 4Lによって計測される。レーザ干渉計 4Lは基板ステージ 4に設け られた移動鏡 4Κを用いて基板ステージ 4の X軸、 Υ軸、及び θ Ζ方向に関する位置 情報を計測する。また、基板ステージ 4に保持されている基板 Ρの表面の面位置情報 (Ζ軸、 Θ X、及び θ Υ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス'レベリング検 出系によって検出される。制御装置 7は、レーザ干渉計 4Lの計測結果及びフォー力 ス 'レべリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置 4Dを駆動し、基 板ステージ 4に保持されている基板 Ρの位置制御を行う。
[0049] なお、レーザ干渉計 4Lは基板ステージ 4の Ζ軸方向の位置、及び 0 X、 0 Υ方向の 回転情報をも計測可能としてよぐその詳細は、例えば特表 2001— 510577号公報 (対応国際公開第 1999Z28790号パンフレット）に開示されている。さらに、移動鏡 4Κを基板ステージ 4に固設する代わりに、例えば基板ステージ 4の一部 (側面など） を鏡面加工して形成される反射面を用いてもよ!ヽ。
[0050] また、フォーカス ·レべリング検出系はその複数の計測点でそれぞれ基板 Pの Z軸方 向の位置情報を計測することで、基板 Pの Θ X及び Θ Y方向の傾斜情報（回転角）を 検出するものであるが、この複数の計測点はその少なくとも一部が液浸領域 LR (又 は投影領域 AR)内に設定されてもよいし、あるいはその全てが液浸領域 LRの外側 に設定されてもよい。さらに、例えばレーザ干渉計 4Lが基板 Pの Z軸、 θ X及び θ Y 方向の位置情報を計測可能であるときは、基板 Pの露光動作中にその Z軸方向の位 置情報が計測可能となるようにフォーカス'レペリング検出系を設けなくてもよぐ少な くとも露光動作中はレーザ干渉計 4Lの計測結果を用いて Z軸、 θ X及び 0 Y方向に 関する基板 Pの位置制御を行うようにしてもょ 、。
[0051] 次に、液浸システム 1について説明する。液浸システム 1は、投影光学系 PLの最終 光学素子 FLと、投影光学系 PLの像面側において、最終光学素子 FLに対向する位 置に配置された基板 Pとの間の露光光 ELの光路空間 Kを液体 2で満たす。本実施 形態においては、液体 2として水（純水）を用いる。
[0052] 液浸システム 1は、露光光 ELの光路空間 Kに対して所定位置に設けられ、露光光 ELの光路空間 Kに液体 2を供給する供給口 8、及び液体 2を回収する回収口 9を有 するノズル部材 6と、供給口 8に液体 2を供給する液体供給系 10と、回収口 9を介し て液体 2を回収する液体回収系 20とを備えている。制御装置 7は、液浸システム 1を 制御して、供給口 8を介した液体 2の供給動作と回収口 9を介した液体 2の回収動作 とを並行して行うことで、露光光 ELの光路空間 Kを液体 2で満たし、基板 P上の一部 の領域に液体 2の液浸領域 LRを局所的に形成する。
[0053] 液体供給系 10は、超純水 2Pを製造する超純水製造装置 11と、超純水製造装置 1 1で生成された超純水 2Pをイオンィ匕してイオン水 2A、 2Bを生成するイオン水生成装 置 12と、イオン水生成装置 12で生成されたイオン水 2A、 2Bをノズル部材 6の供給 口 8に供給する供給管系 13とを備えている。ノズル部材 6の内部には、供給口 8と供 給管系 13とを接続する内部流路 (供給流路）が形成されている。液体 2が流れるノズ ル部材 6の供給流路は、供給口 8を介して光路空間 Kに接続されている。また、不図 示ではあるが、液体供給系 10は、供給する液体 2の温度を調整する温度調整装置、 供給する液体 2中の気体成分を低減する脱気装置、及び液体 2中の異物を取り除く フィルタユニット等も備えており、クリーンで温度調整された液体 2を供給可能である。
[0054] 液体回収系 20は、ノズル部材 6の回収口 9、及び回収管系 23を介して液体 2を吸 引回収する真空ポンプ等の真空系を含む吸引装置 21を備えている。ノズル部材 6の 内部には、回収口 9と回収管系 23とを接続する内部流路（回収流路）が形成されて いる。液体 2が流れるノズル部材 6の回収流路は、回収口 9を介して光路空間 Kに接 続されている。
[0055] なお、液体供給系 10あるいは液体回収系 20の少なくとも一部を構成する機器を、 露光装置 EXが設置される工場等の設備で代用してもよい。
[0056] ノズル部材 6は、投影光学系 PLの光学素子のうち、投影光学系 PLの像面に最も近 い最終光学素子 FLを囲むように環状に形成されている。本実施形態においては、液 体 2を供給する供給口 8及び液体 2を回収する回収口 9はノズル部材 6の下面 6Aに 形成されている。
[0057] 図 2はノズル部材 6を下面 6A側から見た図である。ノズル部材 6は投影光学系 PL の像面側に配置される少なくとも 1つの光学素子 (本例では、最終光学素子 FL)を囲 むように設けられた環状部材である。供給口 8 (8A〜8D)は、ノズル部材 6の下面 6A において、投影光学系 PLの最終光学素子 FL (光路空間 K)を囲むように、複数の所 定位置のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、ノズル部材 6〖こは 4つ の供給口 8A〜8Dが設けられている。供給口 8A〜8Dのそれぞれは、平面視におい て円弧状のスリット状に形成されている。
[0058] また、回収口 9は、ノズル部材 6の下面 6Aにおいて、最終光学素子 FLに対して供 給口 8よりも外側に設けられており、最終光学素子 FL及び供給口 8を囲むように環状 に設けられている。なお本実施形態においては、回収口 9には、例えばチタン製また はステンレス鋼 (例えば SUS316)製のメッシュ部材、あるいはセラミックス製の多孔 体等力 なる多孔部材 9Tが配置されて 、る。
[0059] 本実施形態においては、液浸システム 1は、多孔部材 9Tの各孔の径、多孔部材 9 Tと液体 2との接触角、及び液体 2の表面張力などに応じて、ノズル部材 6の内部に 設けられた回収流路の圧力と外部空間（大気空間）の圧力との差 (多孔部材 9Tの一 方の面側の圧力と他方の面側の圧力との差)を最適化することによって、回収口 9 ( 多孔部材 9T)を介して液体 2のみを回収するように設けられている。具体的には、液 浸システム 1は、吸引装置 21による回収流路に対する吸引力を制御して、回収流路 の圧力を最適化することによって、液体 2のみを回収する。これにより、液体 2と気体と を一緒に吸引することに起因する振動の発生が抑制されている。
[0060] 制御装置 7は、液浸システム 1を制御して、供給口 8を介した液体 2の供給動作と回 収口 9を介した液体 2の回収動作とを並行して行うことで、光路空間 Kを液体 2で満た し、基板 P上の一部の領域に液体 2の液浸領域 LRを局所的に形成する。
[0061] 図 3は液体供給系 10を説明するための図である。図 3において、液体供給系 10は 、超純水 2Pを製造する超純水製造装置 11と、超純水製造装置 11で生成された超 純水 2Pをイオン化してイオン水 2A、 2Bを生成するイオン水生成装置 12と、イオン水 生成装置 12で生成されたイオン水 2A、 2Bをノズル部材 6の供給口 8に供給する供 給管系 13とを備えている。供給管系 13は、接続管 13Pと、第 1供給管 13Aと、第 2供 給管 13Bと、第 3供給管 13Cと、第 4供給管 13Dとを備えている。ノズル部材 6の内部 には、供給口 8と供給管系 13 (第 3供給管 13C)とを接続する内部流路 (供給流路) 8 Lが形成されている。
[0062] 超純水製造装置 11は、水をクリーン化して超純水 2Pを製造する。超純水製造装置 11によって製造された超純水 2Pは、接続管 13Pを介してイオン水生成装置 12に送 られる。
[0063] イオン水生成装置 12は、超純水 2Pをイオン化して、陽イオン水 2Aと陰イオン水 2B とを生成する。以下の説明においては、陽イオン水 2Aを適宜、アノード水 2Aと称し、 陰イオン水 2Bを適宜、力ソード水 2Bと称する。イオン化する前の超純水 2Pと比較し て、アノード水 2Aは水素イオン (H+)を多く含み、力ソード水 2Bは水酸イオン（OH_) を多く含む。
[0064] 図 4はイオン水生成装置 12の一例を示す模式図である。イオン水生成装置 12は、 超純水 2Pが供給される電解槽 30を有している。電解槽 30の内部は、隔膜 (イオン交 換膜) 36、 37によって、第 1、第 2、第 3室 31、 32、 33に仕切られている。超純水 2P は、第 1、第 2、第 3室 31、 32、 33のそれぞれに供給される。第 1室 31には陽極 34が 配置され、第 2室 32には陰極 35が配置されている。第 3室 33は、第 1室 31と第 2室 3 2との間に設けられており、例えばイオン交換樹脂が充填されている。第 1、第 2、第 3 室 31、 32、 33に超純水 2Pを供給し、陽極 34及び陰極 35に電圧を印加することによ つて、第 1室 31においてはアノード水 2Aが生成され、第 2室 32においては力ソード 水 2Bが生成される。このように、イオン水生成装置 12は、超純水 2Pを電気分解する ことによって、電解イオン水 2A、 2Bを生成することができる。なお、電解槽 30に供給 される超純水 2Pあるいは電解槽 30から送出されたイオン水に所定の電解質を添カロ するようにしてもよい。なお、図 4に示すイオン水生成装置 12は一例であり、イオン水 2A、 2Bを生成可能であれば、任意の構成を採用することができる。
[0065] 図 3に戻って、液体供給系 10は、供給口 8に対してイオン水生成装置 12で生成さ れたアノード水 2Aを流す第 1供給管 13Aと、力ソード水 2Bを流す第 2供給管 13Bと を備えている。また、液体供給系 10は、第 1供給管 13Aを流れたアノード水 2Aと、第 2供給管 13Bを流れた力ソード水 2Bとを混合する混合装置 14を備えている。混合装 置 14は、供給口 8を有するノズル部材 6の近傍に設けられている。混合装置 14とノズ ル部材 6の内部に設けられた供給流路 8Lとは第 3供給管 13Cを介して接続されてい る。したがって、供給口 8と混合装置 14とは、第 3供給管 13C及び供給流路 8Lを介 して接続されている。混合装置 14で生成された液体 2は、第 3供給管 13C及び供給 流路 8Lを介して供給口 8に供給される。このように、液体供給系 10は、第 1、第 2供 給管 13A、 13Bを含む供給管系 13を用いて、アノード水 2Aと力ソード水 2Bとのそれ ぞれを、混合装置 14を介して、供給口 8に供給する。光路空間 Kには、供給管系 13 によって供給口 8に供給された液体 2が、その供給口 8より供給される。
[0066] また、液体供給系 10は、超純水製造装置 11と混合装置 14とを接続する第 4供給 管 13Dを備えている。第 4供給管 13Dは、超純水製造装置 11で製造され、イオンィ匕 されて ヽな ヽ超純水 2Pを混合装置 14に供給する。
[0067] また、第 1供給管 13Aの途中には、イオン水生成装置 12で生成され、混合装置 14 に供給されるアノード水 2Aの量 (単位時間当たりの供給量)を調整する調整機構 15 Aが設けられている。同様に、第 2供給管 13Bの途中には、イオン水生成装置 12で 生成され、混合装置 14に供給される力ソード水 2Bの量 (単位時間当たりの供給量） を調整する調整機構 15Bが設けられている。また、第 4供給管 13Dの途中には、超 純水製造装置 11で製造され、混合装置 14に供給される超純水 2Pの量 (単位時間 当たりの供給量)を調整する調整機構 15Dが設けられている。調整機構 15A、 15B、 15Dは、例えばバルブ機構を含む。
[0068] 混合装置 14は、第 1供給管 13A、第 2供給管 13B、及び第 4供給管 13Dのそれぞ れを介して供給されたアノード水 2A、力ソード水 2B、及び超純水 2Pを混合する。混 合装置 14で生成された液体 2は、第 3供給管 13C及びノズル部材 6に形成された供 給流路 8Lを介して供給口 8に供給される。光路空間 Kには、供給管系 13によって供 給口 8に供給された液体 2が、その供給口 8より供給される。
[0069] 本実施形態では、混合装置 14で生成され、供給口 8 (光路空間 K)に供給される液 体を適宜、混合水 2 (又は液体 2)と称する。
[0070] 本実施形態においては、供給管系 13の各管 13A、 13B、 13C、 13D、 13Pは、例 えばポリ四フッ化工チレン (テフロン (登録商標） )を含む材料によって形成されて 、る 。ポリ四フッ化工チレンは、液体 (水）に不純物 (溶出物）を溶出し難い材料、すなわち 液体 (水）を汚染し難い材料であるため、供給管系 13を流れる液体は、汚染されるこ となぐ供給口 8に供給される。
[0071] また、供給流路 8Lには、液体 2に帯電している静電気を取り除くためのフィルタ 16 が設けられている。以下の説明においては、帯電している液体を電気的に中和して、 その液体に帯電している電気 (静電気)を取り除くことを適宜、除電と称し、静電気を 取り除くフィルタ 16を適宜、除電フィルタ 16と称する。
[0072] 除電フィルタ 16は、導電性の発泡金属によって構成されており、不図示のアース線 を介して接地 (アース）されている。導電性の発泡金属は、例えば多孔質の銅、アルミ -ゥム等で構成されている。なお、除電フィルタ 16は、導電性の網状部材で構成され ていてもよい。
[0073] なお、図 3では供給流路 8Lを簡略ィ匕している力 供給流路 8Lは、複数の供給口 8 ( 8A〜8D)のそれぞれに接続するように複数設けられており、それら供給流路 8Lのそ れぞれに除電フィルタ 16が設けられている。本実施形態においては、ノズル部材 6の 内部には、供給管系 13の第 3供給管 13Cの下端部に接続する主流路と、主流路か ら各供給口 8A〜8Dに向力つて分岐するように設けられた複数の分岐流路とが設け られており、除電フィルタ 16は、その複数の分岐流路のそれぞれに設けられている。
[0074] 次に、上述の構成を有する露光装置 EXを用いて基板 Pを露光する方法について 説明する。
[0075] 制御装置 7は、基板 Pを液浸露光するために、液浸システム 1を駆動する。超純水 製造装置 11で生成された超純水 2Pは、接続管 13Pを介してイオン水生成装置 12 に供給される。イオン水生成装置 12は、超純水 2Pをイオンィ匕して、アノード水 2Aと 力ソード水 2Bとのそれぞれを生成する。
[0076] イオン水生成装置 12で生成されたアノード水 2A及び力ソード水 2Bは、第 1供給管 13A及び第 2供給管 13Bを介して混合装置 14に供給される。また、超純水製造装置 11で生成された超純水 2Pは、第 4供給管 13Dを介して混合装置 14に供給される。
[0077] ここで、制御装置 7は、調整機構 15A、 15B、 15Dを用いて、第 4供給管 13Dを介 して混合装置 14に供給される超純水 2Pの量を、第 1、第 2供給管 13A、 13Bを介し て混合装置 14に供給されるイオン水 2A、 2Bの量よりも多くする。すなわち、本実施 形態においては、混合装置 14に供給された超純水 2Pに対して、少量のイオン水 2A 、 2Bが添加される。混合装置 14は、第 1供給管 13A、第 2供給管 13B、及び第 4供 給管 13Dのそれぞれを介して供給されたアノード水 2A、力ソード水 2B、及び超純水 2Pを混合し、混合水 2を生成する。
[0078] 超純水 2Pは、電気的な絶縁性が高ぐ例えばその比抵抗は 18M Ω 'cm程度であ る。そのため、超純水 2Pは、第 4供給管 13Dを流れる間に、第 4供給管 13Dとの摩 擦、管内に設けられたオリフィスで発生するキヤビテーシヨンなどによって、帯電し易 い（静電気を帯びやすい)。一方、イオン水 2A、 2Bは導電性を有しているため、第 1 、第 2供給管 13A、 13Bを流れても、帯電し難い。液体供給系 10は、第 4供給管 13 Dを流れる超純水 2Pが帯電した場合でも、その超純水 2Pを混合装置 14においてィ オン水 2A、 2Bと混合することにより、超純水 2Pをイオン水 2A、 2Bによって電気的に 中和して、超純水 2Pに帯電していた静電気を取り除く（除電)することができる。
[0079] 混合装置 14で生成され、除電された混合水 (液体) 2は、第 3供給管 13C及びノズ ル部材 6に形成された供給流路 8Lを介して供給口 8に供給される。混合装置 14で 生成された液体 2は、第 3供給管 13C及び Z又は供給流路 8Lを流れるが、混合装 置 14は供給口 8 (ノズル部材 6)の近傍に設けられており、液体供給系 10は、混合装 置 14を用いて、イオン水 2A、 2Bと超純水 2Pとを光路空間 Kに供給する直前に混合 している。すなわち、混合装置 14と供給口 8との間の流路の長さは僅かである。した がって、混合装置 14において除電された後の液体 2が、第 3供給管 13C及び供給流 路 8Lを流れて 、る間に、再び帯電することが抑制されて!、る。
[0080] また、本実施形態においては、供給流路 8Lの途中には、液体 2の除電を行う除電 装置として機能する除電フィルタ 16が設けられている。発泡金属等力 なる除電フィ ルタ 16を液体 2が通過すると、液体 2に帯電していた静電気は、除電フィルタ 16によ り回収されて、アース線により大地に放電される。つまり、除電フィルタ 16によって液 体 2の除電を行うことができる。そのため、第 3供給管 13C及び Z又は供給流路 8Lを 流れる液体 2が仮に帯電していても、除電フィルタ 16を用いて液体 2を除電すること ができる。
[0081] そして、除電された液体 2が供給口 8に供給されることにより、供給口 8からは光路 空間 Kに対して除電された液体 2が供給されることとなる。光路空間 Kは、静電気を 帯びていない液体 2で満たされる。制御装置 7は、その光路空間 Kに満たされた液体 2を介して基板 P上に露光光 ELを照射することによって、基板 Pを液浸露光する。
[0082] 本実施形態の露光装置 EXは、マスク Mと基板 Pとを所定の走査方向（例えば Y軸 方向）に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンを基板 Pに露光する走査型 露光装置 (所謂スキャニングステツバ）である。制御装置 7は、レーザ干渉計 4Lを用 いて、基板 P (基板ステージ 4)の位置情報を計測しながら、露光光 ELに対して基板 Pを移動しつつ、基板 P上に設定された複数のショット領域を順次露光する。制御装 置 7は、 1つのショット領域の露光終了後に、基板 P (基板ステージ 4)をステッピング 移動して次のショット領域を露光開始位置に移動し、以下、ステップ'アンド'スキャン 方式で基板 Pを移動しながら各ショット領域を順次走査露光する。本実施形態の露光 装置 EXにお 、ては、供給口 8に対して供給される液体 2の除電を行って 、るので、 すなわち液体 2が光路空間 Kに供給される前に、その液体 2の除電を行っているので 、光路空間 Kには帯電していない液体 2が供給される。露光装置 EXは、帯電してい な 、液体 2を介して基板 Pを露光することができる。
[0083] 以上説明したように、イオンィ匕されたイオン水 2A、 2Bを供給口 8に供給することで、 帯電した液体 2が光路空間 Kに満たされることを防止することができる。したがって、 例えば基板 P上に先に形成されているパターン（回路パターン）が静電気の放電によ つて破壊されたり、投影光学系 PL及び Z又は基板 Pの周囲に配置されている電気 機器が静電気の放電時に発生する電気的ノイズによって誤作動する等の不都合の 発生を抑制することができる。また、帯電した液体 2の静電気により、光路空間 Kの周 囲の不純物が液体 2及び Z又は基板 P上に吸い寄せられると、その不純物によって 基板 Pを良好に露光できなくなるが、除電した液体 2を供給することによって、そのよう な不都合の発生も抑制することができる。このように、液体 2の除電を行うことで、製造 されるデバイスの性能の劣化、ある 、は露光装置 EXの性能の劣化を防止することが でき、デバイスを製造する際の歩留まりの低下を抑えることができる。
[0084] そして、本実施形態にぉ ヽては、電気的な絶縁性を有する超純水 2Pをイオン化し て導電性を発現させる構成であるため、超純水 2P (液体 2)に導電性を与えるための 添加物を加えていない。したがって、供給口 8 (光路空間 K)に供給される液体 2の不 純物の含有量は極めて低ぐ液体 2の光透過率低下、温度上昇、金属汚染等を引き 起こすことのな 、所望の液質を維持した液体 2で光路空間 Kを満たすことができ、基 板 Pを良好に露光することができる。
[0085] 露光光 ELが照射される基板 Pの形態としては、図 5A及び 5Bに示すものが挙げら れる。図 5Aに示す基板 Pは、半導体ウェハ等の基材 Wと、その基材 Wを覆う感光材 力もなる第 lHRgとを備えている。また、図 5Bに示す基板 Pは、半導体ウェハ等の基 材 Wと、その基材 Wを覆う第 lHRgと、その第 lHRgを覆う第 2膜 Tcとを備えている。 ここで、第 2膜 Tcは、トップコート膜とも呼ばれ、例えば、液体 2から第 lHRg、基材 W を保護する機能などを有している。そして、図 5Aに示す基板 Pにおいては、第 1HR gが液体 2と接触する液体接触面を形成し、図 5Bに示す基板 Pにおいては、第 2膜 T cが液体 2と接触する液体接触面を形成している。液体 2の放電によって、第 lHRg 及び Z又は第 2膜 Tcが損傷し、基板 Pを良好に露光できなくなる不都合が生じる可 能性があるが、除電された液体 2を基板 P上に供給することにより、そのような不都合 の発生を防止することができる。特に、液浸露光において、投影光学系 PLと基板 Pと の間で液体 2を良好に保持して所望状態の液浸領域 LRを形成するために、液体 2と 基板 Pの液体接触面との親和性 (接触角）を最適化して!/、る場合、基板 Pの液体接触 面を形成する第 lHRg及び Z又は第 2膜 Tcが液体 2の放電によって損傷すると、液 体 2と基板 Pとの接触角が変化し、液浸領域 LRを良好に形成できなくなる可能性が ある。本実施形態においては、光路空間 Kに供給される前の液体 2を除電しているの で、第 1膜 Rg及び第 2膜 Tcを含む基板 Pに対するダメージを抑え、液浸領域 LRを良 好に形成することができる。
[0086] また、本実施形態においては、液体供給系 10は、アノード水 2Aと力ソード水 2Bと のそれぞれを供給している。したがって、超純水製造装置 11から第 4供給管 13Dを 介して混合装置 14に供給された超純水 2Pがプラス又はマイナスのいずれに帯電し ていても、アノード水 2A及び力ソード水 2Bのどちらかによって、その超純水 2Pを除 電することができる。すなわち、超純水 2Pがプラス及びマイナスのいずれに帯電して いるのかが未知であっても、アノード水 2A及び力ソード水 2Bの両方を混合装置 14 に供給し、その混合装置 14において、超純水 2Pとアノード水 2Aと力ソード水 2Bとを 混合することにより、アノード水 2A及び力ソード水 2Bのいずれか一方によって、超純 水 2Pを除電することができる。
[0087] また、本実施形態では液体として水（純水）を用いて!/、るが、水以外の液体を用い た場合、その液体が流れる管の材質等によって、液体がプラス及びマイナスのいず れに帯電するのかが未知となる状況が生じる可能性がある。その場合においても、帯 電して!/ヽる非イオン化液体と、その非イオンィ匕液体をイオンィ匕することで生成された 陽イオン液体及び陰イオン液体とを混合することにより、陽イオン液体及び陰イオン 液体のいずれか一方によって、非イオン液体を除電することができる。
[0088] また、超純水 2Pに帯電している静電気を取り除くためのイオン水 2A、 2Bの量は少 量でよいため、本実施形態のように、混合装置 14に供給される超純水 2Pの量を、ィ オン水 2A、 2Bの量よりも多くすることにより、イオン水生成装置 12においては、ィォ ン水 2A、 2Bを多量に生成しなくてすむ。制御装置 7は、調整機構 15A、 15B、 15D を用いて、混合装置 14に対するイオン水 2A、 2B及び超純水 2Pのそれぞれの供給 量を最適化することで、超純水 2Pを良好に除電できる。
[0089] また、本実施形態においては、液体 2が流れる流路中に、除電フィルタ 16が設けら れて 、るので、供給口 8を介して光路空間 Kに供給される液体 2の除電をより確実に 行うことができる。
[0090] なお、図 6に示すように、例えば最終光学素子 FLの下面など、光路空間 Kに満たさ れる液体 2と接触する位置に、液体 2の除電を行うための電極部材 17を設けるように してもよい。図 6に示す電極部材 17は、最終光学素子 FLの下面のうち、露光光 EL の通過を妨げず、且つ光路空間 Kに満たされた液体 2に接触する位置に設けられて いる。図 6に示す例では、電極部材 17は、最終光学素子 FLの下面の周縁領域を覆 うように環状に設けられている。電極部材 17は、例えば、最終光学素子 FLの下面に 蒸着によって形成された導電体である。電極部材 17は、不図示のアース線を介して 接地 (アース)されている。電極部材 17は、供給口 8より光路空間 Kに供給された後 の液体 2の除電を行うことができる。したがって、供給口 8を介して光路空間 Kに供給 された後の液体 2が仮に帯電しても、その液体 2の除電を電極部材 17を用いて行うこ とができる。電極部材 17は、除電フィルタ 16の代わりに設けてもよいし、あるいは除 電フィルタ 16と組み合わせて用いることとしてもよい。なお、以下では電極部材 17を 導電性部材とも呼ぶ。
[0091] なお、上述の実施形態において、回収口 9に設けられた多孔部材 9Tを導電体によ つて構成することも可能である。回収口 9に配置される導電体力もなる多孔部材 9Tは アース線を介して接地 (アース）される。回収口 9に配置された多孔部材 9Tは、光路 空間 Kを満たす液体 2と接触するので、光路空間 Kに供給された後の液体 2の除電 を行うことができる。この場合、除電フィルタ 16及び電極部材 (導電性部材） 17の少 なくとも一方と組み合わせることとしてもよい。
[0092] なお、上述の実施形態においては、供給流路中に除電フィルタ 16が設けられてい る力 この除電フィルタ 16は無くてもよい。非イオン水である超純水 2Pにイオン水 2A 、 2Bを混合 (添加）することで、供給口 8に供給される液体 2を十分に除電できるので あれば、除電フィルタ 16は省略することができる。同様に、上述の電極部材 17も省 略することができる。 [0093] <第 2実施形態 >
次に、第 2実施形態について説明する。上述の実施形態と同一又は同等の構成部 分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
[0094] 図 7は第 2実施形態に係る液体供給系 10を示す図である。図 7にお 、て、液体供 給系 10は、イオン水生成装置 12で生成されたアノード水 2A及び力ソード水 2Bのい ずれか一方を流す第 1供給管 13Aと、イオン化されていない超純水 2Pを流す第 4供 給管 13Dとを備えている。また、ノズル部材 6 (供給口 8)近傍には、第 1供給管 13A を流れたアノード水 2A又は力ソード水 2Bと、第 4供給管 13Dを流れた超純水 2Pとを 混合する混合装置 14が設けられている。混合装置 14で生成された液体 2は、第 3供 給管 13C及び内部流路 8Lを介して供給口 8に供給される。
[0095] 第 4供給管 13Dを流れる超純水 2Pがプラス及びマイナスのどちらに帯電している のかが、例えば実験、シミュレーション等によって予め分力つている場合、制御装置 7 は、イオン水生成装置 12を制御し、その超純水 2Pを除電するためのイオン水を、第 1供給管 13Aを介して混合装置 14に供給する。すなわち、例えば超純水 2Pが流れ る第 4供給管 13Dの材質等によって、超純水 2Pがプラス及びマイナスのどちらに帯 電するのかが既知となる場合がある。そこで、帯電した超純水 2Pをアノード水 2Aによ つて除電することができるのであれば、制御装置 7は、イオン水生成装置 12から第 1 供給管 13Aを介して混合装置 14にアノード水 2Aを供給する。これにより、液体供給 系 10は、混合装置 14において、アノード水 2Aによって、超純水 2Pを除電することが できる。一方、第 4供給管 13Dを流れることによって帯電した超純水 2Pを力ソード水 2 Bによって除電することができるのであれば、制御装置 7は、イオン水生成装置 12か ら第 1供給管 13Aを介して混合装置 14に力ソード水 2Bを供給する。これにより、液体 供給系 10は、混合装置 14において、力ソード水 2Bによって、超純水 2Pを除電する ことができる。このように、制御装置 7は、超純水 2Pの帯電状態に応じて、混合装置 1 4にアノード水 2A及び力ソード水 2Bのどちらを供給するのかを選択し、その選択した ほうのイオン水を混合装置 14に供給することができる。
[0096] そして、液体供給系 10は、混合装置 14で生成された混合水 (液体) 2を、第 3供給 管 13C及び供給流路 8Lを介して供給口 8に供給することにより、供給口 8からは光 路空間 Kに対して除電された液体 2が供給されることとなる。光路空間 Κは、静電気 を帯びて 、な 、液体 2で満たされる。
[0097] なお、本実施形態においては、イオン水生成装置 12は、アノード水 2Α及びカソー ド水 2Βの両方を生成できる構成である力 第 4供給管 13Dを流れる超純水 2Ρの帯 電状態、すなわち第 4供給管 13Dを流れる超純水 2Ρがプラス及びマイナスのどちら に帯電するのかが既知である場合には、イオン水生成装置 12は、アノード水 2Α及び 力ソード水 2Βの!、ずれか一方を生成するものであってもよ！/、。
[0098] また、本実施形態にぉ 、て、水以外の液体を用いた場合でも、その液体が流れる 管の材質等によって、液体がプラス及びマイナスのどちらに帯電するのかが既知であ る場合には、帯電している非イオン化液体と、陽イオン液体及び陰イオン液体のいず れか一方とを混合することにより、非イオン液体を除電することができる。
[0099] <第 3実施形態 >
次に、第 3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と 同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは 省略する。図 8は第 3実施形態に係る液体供給系 10を示す図である。図 7において、 非イオン水である超純水 2Ρを流す第 4供給管 13Dには、第 4供給管 13Dを流れる超 純水 2Ρの帯電状態を計測可能な計測装置 18が設けられている。計測装置 18は、 第 4供給管 13Dを流れる超純水 2Ρの帯電量を計測することができる。また、計測装 置 18は、第 4供給管 13Dを流れる超純水 2Ρがプラス及びマイナスのどちらに帯電し て 、るのかを計測することができる。
[0100] 制御装置 7は、計測装置 18の計測結果に基づいて、混合装置 14における混合動 作を制御する。例えば、制御装置 7は、計測装置 18の計測結果に基づいて、第 4供 給管 13Dを流れる超純水 2Ρの帯電量が極僅かである（あるいは超純水 2Ρは帯電し ていない）と判断した場合、第 1供給管 13A及び第 2供給管 13Bのそれぞれに設けら れている調整機構 15A、 15Bを制御して、第 1供給管 13A及び第 2供給管 13Bを介 して混合装置 14に供給されるイオン水 2Α、 2Βの量を少なくする。あるいは、制御装 置 7は、計測装置 18の計測結果に基づいて、第 4供給管 13Dを流れる超純水 2Ρの 帯電量が極僅かである（ある 、は超純水 2Ρは帯電して 、な 、）と判断した場合、調整 機構 15A、 15Bを制御して、混合装置 14に対するイオン水 2A、 2Bの供給を停止す る。一方、制御装置 7は、計測装置 18の計測結果に基づいて、第 4供給管 13Dを流 れる超純水 2Pの帯電量が多いと判断した場合、調整機構 15A、 15Bを制御して、第 1供給管 13A及び第 2供給管 13Bを介して混合装置 14に供給されるイオン水 2A、 2 Bの量を多くする。また、制御装置 7は、超純水 2Pにアノード水 2Aを添加することに よってその超純水 2Pを除電することができると判断した場合、混合装置 14にアノード 水 2Aが供給されるように、調整機構 15A、 15Bを制御する。同様に、制御装置 7は、 超純水 2Pに力ソード水 2Bを添加することによってその超純水 2Pを除電することがで きると判断した場合、混合装置 14に力ソード水 2Bが供給されるように、調整機構 15 A、 15Bを制御する。なお、本実施形態では超純水 2Pの帯電量と、プラス及びマイ ナスのどちらに帯電している力との両方について計測するものとした力、これに限ら ず、どちらか一方のみを計測することとしてもよい。
[0101] <第 4実施形態 >
次に、第 4実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と 同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは 省略する。図 9は第 4実施形態に係る液体供給系 10を示す図である。図 9において、 液体供給系 10は、イオン水生成装置 12で生成されたアノード水 2Aを流す第 1供給 管 13Aと、力ソード水 2Bを流す第 2供給管 13Bとを備えている。ノズル部材 6 (供給 口 8)近傍には、第 1供給管 13Aを流れたアノード水 2Aと、第 2供給管 13Bを流れた 力ソード水 2Bとを混合する混合装置 14が設けられている。混合装置 14で生成され た液体 2は、第 3供給管 13C及び内部流路 8Lを介して供給口 8に供給される。本実 施形態においては、混合装置 14には超純水 2Pは供給されず、液体供給系 10は、 混合装置 14を用いて、アノード水 2Aと力ソード水 2Bとを光路空間 Kに供給する直前 に混合する。
[0102] アノード水 2A及び力ソード水 2Bは導電性を有しているため、第 1供給管 13A及び 第 2供給管 13Bを流れても、帯電し難くなつている。混合装置 14に供給されたァノー ド水 2A及び力ソード水 2Bは混合されることによって、電気的に中和される。そして、 その電気的に中和された液体 (混合水） 2が供給口 8に供給されることにより、光路空 間 Kには、静電気を帯びて!/ヽな 、液体 2が満たされる。
[0103] <第 5実施形態 >
次に、第 5実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と 同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは 省略する。上述の各実施形態では、光路空間 Κに向力つて供給されたイオン水 2Α、 2Β及び超純水 2Ρは、混合装置 14で処理 (混合)された後、供給口 8に向カゝつて供 給され、その供給口 8を介して光路空間 Κに供給されているが、本実施形態の特徴 的な部分は、液体供給系 10が、イオン水 2Α、 2Β及び超純水 2Ρを供給口 8に対して 直接的に供給するための流路を有して 、る点にある。
[0104] 図 10Aにおいて、液体供給系 10は、ノズル部材 6の供給口 8にアノード水 2Αを供 給する第 1流路 13Aと、力ソード水 2Βを流す第 2流路 13Bと、超純水 2Ρを流す第 4 流路 13Dとを備えている。このように構成することにより、供給口 8に供給されたァノ ード水 2Α、力ソード水 2Β、及び超純水 2Ρのそれぞれは、供給口 8近傍で混合され た後、光路空間 Κに供給される。これにより、光路空間 Κには、静電気を帯びていな い液体 2が満たされる。
[0105] 図 10Bにおいて、液体供給系 10は、第 1流路 13Aを用いてノズル部材 6の供給口 8にアノード水 2Α又は力ソード水 2Βのいずれか一方を供給し、第 4流路 13Dを用い て超純水 2Ρを供給している。これにより、供給口 8に供給されたアノード水 2Α (又は 力ソード水 2Β)と超純水 2Ρとは、供給口 8近傍で混合された後、光路空間 Κに供給さ れる。これにより、光路空間 Κには、静電気を帯びていない液体 2が満たされる。
[0106] 図 10Cにおいて、液体供給系 10は、第 1流路 13Aを用いてノズル部材 6の供給口 8にアノード水 2Αを供給し、第 2流路 13Bを用いて力ソード水 2Βを供給している。こ れにより、供給口 8に供給されたアノード水 2Αと力ソード水 2Βとは、供給口 8近傍で 混合された後、光路空間 Κに供給される。これにより、光路空間 Κには、静電気を帯 びていない液体 2が満たされる。本実施形態においては、光路空間 Κを満たす液体 ( 混合水） 2は導電性を有するため、基板ステージ 4を駆動し、液体 2と他部材との間に 摩擦が生じても液体 2が帯電することはな 、。
[0107] <第 6実施形態 > 次に、第 6実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と 同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは 省略する。図 11において、液体供給系 10は、露光光 ELの光路空間 Kにイオン化さ れたイオン水 2A、 2Bを供給する第 1供給口 8A(8C)と、露光光 ELの光路空間 に イオン化されて 、な 、超純水 2Pを供給する第 2供給口 8B (8D)とを備えて!/、る。図 2 等を参照して説明したように、本実施形態のノズル部材 6は複数の供給口 8A〜8D を有しており、複数の供給口 8A〜8Dのうち一部の供給口を介してイオン水 2A、 2B を光路空間 Kに供給し、他の一部の供給口を介して超純水 2Pを光路空間 Kを供給 可能である。以下の説明においては、説明を簡略化するため、第 1供給口 8Aからィ オン水 2A、 2Bのうちアノード水 2Aが供給され、第 2供給口 8B力 超純水 2Pが供給 されるものとする。
[0108] 第 1供給口 8Aは、供給流路 8L及び第 1供給管 13Aを介してイオン水生成装置 12 に接続されており、第 2供給口 8Bは、供給流路 8L及び第 4供給管 13Dを介して超 純水製造装置 11に接続されている。制御装置 7は、光路空間 Kを液体 2で満たすた めに、第 1供給口 8A及び第 2供給口 8Bのそれぞれを介して、光路空間 Kに対して、 アノード水 2A及び超純水 2Pのそれぞれを供給する。光路空間 Kに供給されたァノ ード水 2Aと超純水 2Pとは、光路空間 Kで混合される。これにより、超純水 2Pが帯電 していても、アノード水 2Aによって除電することができ、光路空間 Kを、静電気を帯び て!ヽな 、液体 2で満たすことができる。
[0109] なお、本実施形態においては、第 1供給口 8Aからはイオン水としてアノード水 2A が供給されているが、力ソード水 2Bを供給することもできる。また、互いに異なる供給 口のそれぞれから、アノード水 2A及び力ソード水 2Bのそれぞれを供給することもでき る。例えば、供給口 8A力 アノード水 2Aを供給し、供給口 8C力も力ソード水 2Bを供 給し、供給口 8B、 8D力 超純水 2Pを供給することができる。また、超純水 2Pの帯電 状態に応じて、アノード水 2A及び力ソード水 2Bのいずれか一方を供給することがで きるし、アノード水 2A又は力ソード水 2Bの供給量を適宜調整することもできる。
[0110] また、超純水 2Pを供給せず、露光光 ELの光路空間 Kに対して、第 1供給口 8A(8 C)を介してアノード水 2Aを供給し、第 2供給口 8B (8D)を介して力ソード水 2Bを供 給するようにしてもょ 、。光路空間 Kに供給されたアノード水 2Aと力ソード水 2Bとは、 光路空間 Kで混合される。これにより、光路空間 Kを、静電気を帯びていない液体 2 で満たすことができる。
[0111] <第 7実施形態 >
次に、第 7実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と 同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは 省略する。本実施形態では、露光光 ELの光路空間 Kを満たすための液体 2に接触 する部材をイオン水で洗浄する例にっ ヽて説明する。電解イオン水は洗浄用液体と して用いることができる。アノード水は、有機物を除去する作用、バクテリア等の生菌 を消滅させる殺菌作用、あるいはパーティクルを除去する作用を有し、力ソード水は、 パーティクルを除去する作用及び Z又はパーティクルの付着を防止する作用を有し ている。これらイオン水 2A、 2Bを使用することによって、ノズル部材 6、最終光学素子 FLなど、光路空間 Kを満たすための液体 2に接触する部材を効果的に洗浄すること ができる。
[0112] また、光路空間 Kを満たす液体 2として超純水を用いた場合、その超純水が、供給 管系 13、ノズル部材 6の内部流路 (供給流路、回収流路）、回収管系 23などに留ま つた状態を長時間放置したり、ノズル部材 6の液体接触面（下面 6Aなど)ある 、は最 終光学素子 FLの液体接触面 (下面など）に付着した状態を長時間放置しておくと、 バクテリア（生菌）等の汚染物が発生する可能性が高 、。液体 2が流れる流路にパク テリア等の汚染物が発生すると、超純水製造装置 11ある 、はイオン水生成装置 12 力 清浄な液体を送出したとしても、流路を流れるうちに、液体が汚染物によって汚 染され、光路空間 Kには汚染された液体 2が供給されることとなる。また、汚染物が最 終光学素子 FLに付着した場合には、基板 Pに照射される露光光 ELの照度が低下し たり、照度むらが生じる不都合が生じる。このように、バクテリア等の汚染物の発生に よって、投影光学系 PLを含む露光装置 EXの性能が劣化する不都合が生じる可能 '性がある。
[0113] そこで、殺菌作用を有するアノード水 2Aを、供給管系 13、ノズル部材 6の内部流路 、及び回収管系 23等の流路に流すことによって、これら各流路、ノズル部材 6の下面 、及び最終光学素子 FLを洗浄し、バクテリア等を除去 (消滅)することができる。
[0114] 図 12は、アノード水 2Aを用いて洗浄処理を行っている状態を示す図である。洗浄 処理は、例えば露光装置 EXのメンテナンス時など、露光装置 EXの稼動を所定期間 停止するときに行われる。洗浄処理時においては、基板ステージ 4の基板ホルダ 4H には、ダミー基板 DPが保持される。ダミー基板 DPは、デバイスを製造するための基 板 Pとほぼ同じ外形を有しており、基板ホルダ 4Hによって保持可能である。ダミー基 板 DPは、アノード水 2Aによって汚染物を発生しない表面を有している。洗浄処理を 行うとき、露光装置 EXは、投影光学系 PLの最終光学素子 FLと基板ステージ 4に保 持されたダミー基板 DPとを対向させる。その状態で、露光装置 EXは、液浸システム 1を用いて、投影光学系 PLとダミー基板 DPとの間をアノード水 2Aで満たし、ダミー 基板 DP上にアノード水 2Aの液浸領域 LRを形成する。液浸システム 1は、液浸領域 LRを形成するために、最終光学素子 FL及びノズル部材 6とダミー基板 DPとの間の 空間 (光路空間) Kに対するアノード水 2Aの供給動作と回収動作とを並行して行う。 これにより、液浸システム 1は、供給管系 13、ノズル部材 6の内部流路、及び回収管 系 23などの流路にアノード水 2Aを流すことができ、これら流路をアノード水 2Aで洗 浄することができる。また、アノード水 2Aの液浸領域 LRを形成することによって、ノズ ル部材 6の下面 (液体接触面）、最終光学素子 FLの下面 (液体接触面)などもァノー ド水 2Aによって洗浄される。
[0115] 洗浄処理を行うときには、液浸システム 1は、光路空間 Kに対するアノード水 2Aの 供給動作と回収動作とを所定時間並行して行う。なお、液浸システム 1は、最終光学 素子 FL及びノズル部材 6とダミー基板 DPの間にアノード水 2Aを保持した後、ァノー ド水 2Aの供給動作と回収動作とを停止してもよ 、。
[0116] アノード水 2Aを用いた洗浄処理終了後、デバイスを製造するための基板 Pの露光 処理を再開する場合には、液浸システム 1は、上述の第 1〜第 6実施形態で説明した ように、光路空間 Kに対して、イオン水 2A、 2B、超純水 2Pを適宜供給する。洗浄処 理後にお 、て、供給管系 13ある 、はノズル部材 6の供給流路にアノード水 2Aが残 留していても、そのアノード水 2Aは、供給されたイオン水 2A、 2B、超純水 2Pと混ざ り合って、光路空間 Kに供給された後、回収口 22を介して回収される。 [0117] 以上説明したように、イオン水（アノード水）によって洗浄処理を行うことができる。そ して、本実施形態では、超純水 2Pをイオンィ匕したイオン水（アノード水）で洗浄処理し ているので、洗浄処理後、短時間のうちに露光処理に移行することができる。すなわ ち、供給管系 13などの流路を洗浄するために、液浸露光を行うときに光路空間 Kに 満たされる液体 (水）とは別の洗浄用機能液を用いた場合、その機能液を用いた洗 浄処理後、露光処理に移行する前に、流路に残留している機能液を洗い流す処理（ すすぎ洗浄)が必要となる。本実施形態では、すすぎ洗浄は不要、あるいはすすぎ 洗浄を行う場合でも短時間ですむので、露光装置 EXの稼動率を向上することができ る。
[0118] なお、洗浄するための液体 (アノード水）に、洗浄作用（殺菌作用）を促進するため の所定の材料 (薬液)を適宜添加してもよ 、。
[0119] なお、本実施形態では、基板ホルダ 4Hでダミー基板 DPを保持し、投影光学系 PL とダミー基板 DPとの間の空間をアノード水 2Aで満たして液浸領域 LRを形成して ヽ る力 例えば基板ステージ 4の上面 4Fの一部、基板ステージ 4、及びダミー基板 DP とは別の物体を投影光学系 PLの下に配置し、その基板ステージ 4の上面 4F及び Z 又は物体上にアノード水 2Aの液浸領域 LRを形成するようにしてもょ 、。この場合、 アノード水 2Aによって、基板ステージ 4の上面 4F及び Z又は物体を洗浄することが できる。この別の物体は、例えば基板ステージ 4とは独立に可動な計測ステージなど を含み、この計測ステージの表面 (基準マーク、又はセンサなどの計測部材を含む） なども洗浄可能となる。
[0120] なお、アノード水 2Aを用いて洗浄するとき、例えば供給管系 13、回収管系 23、あ るいはノズル部材 6などに超音波振動子などの加振装置を取り付け、これら部材をカロ 振 (超音波加振)しながらアノード水 2Aを流すようにしてもょ 、。
[0121] なお、本実施形態では、アノード水 2Aによって洗浄を行っている力 力ソード水 2B を用いて洗浄を行ってもよい。上述のように、力ソード水 2Bも、パーティクル除去など の洗浄作用を有している。
[0122] また、アノード水 2Aと力ソード水 2Bの両方を用いて洗浄を行ってもよい。さらに本 実施形態では、ノズル部材 6の供給口 8からイオン水（アノード水 2Aと力ソード水 2B の少なくとも一方）を供給して、液体 2と接する部材の洗浄を行うものとしたが、これに 限らず、例えば投影光学系 PLの最終光学素子 FL及び Z又はノズル部材 6と対向し て配置される物体 (例えば、前述の計測ステージなど）に供給口を設け、この供給口 力ものイオン水でノズル部材 6などの洗浄を行うこととしてもよい。特に、光路空間 I C の液体 2の帯電が問題とならない場合は、例えばイオン水生成装置 12で生成される イオン水を、ノズル部材 6ではなくその物体に導くこととしてもよい。また、本実施形態 では、露光装置 EXの稼動を所定期間停止した後などのメンテナンス時に上記洗浄 処理を行うものとした力 これに限らず、例えば露光装置 EXの稼動中であっても上記 洗浄処理を行ってもよい。
[0123] <第 8実施形態 >
次に、第 8実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と 同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは 省略する。上述の各実施形態においては、イオン水 2A、 2Bを、投影光学系 PLのう ち投影光学系 PLの像面に最も近い最終光学素子 FLと基板 P (あるいはダミー基板 DP等の物体）との間の露光光 ELの光路空間 Kに供給する場合について説明したが 、例えば、国際公開第 2004Z019128号パンフレットに開示されているように、最終 光学素子 FLの物体面側（マスク M側）の光路空間も液体で満たすことができる。
[0124] 図 13において、露光装置 EXは、イオン水 2A、 2Bを、最終光学素子 FLと、最終光 学素子 FLに次いで投影光学系 PLの像面に近い光学素子 FL2との間に供給する液 浸システム 1 'を備えている。以下の説明においては、最終光学素子 FLに次いで投 影光学系 PLの像面に近 ヽ光学素子 FL2を適宜、境界光学素子 FL2と称する。
[0125] 液浸システム 1 'は、最終光学素子 FLと境界光学素子 FL2との間の光路空間 K2に 液体 2を供給する供給口 8 'と、液体 2を回収する回収口 9 'とを備えて!/、る。液浸シス テム 1 'は、上述の第 1実施形態で説明した液浸システム 1とほぼ同等の構成を有して おり、超純水製造装置 11で製造された超純水 2Pとイオン水生成装置 12で生成され たイオン水 2A、 2Bとを混合する混合装置 14を備えている。混合装置 14で生成され た混合水 (液体) 2は光路空間 K2に供給される。これにより、供給口 8'からは光路空 間 K2に対して除電された液体 2が供給されることとなる。光路空間 K2は、静電気を 帯びていない液体 2で満たされる。これにより、投影光学系 PLの周囲に配置されて いる電気機器が静電気の放電時に発生する電気的ノイズによって誤作動したり、静 電気の放電によって光学素子 FL、 FL2がダメージを受けると 、つた不都合の発生を 抑帘 Uすることができる。
[0126] もちろん、上述の各実施形態同様、光路空間 K2に対して、アノード水 2A又はカソ ード水 2Bの!、ずれか一方と超純水 2Pとを供給するようにしてもよ!、し、超純水 2Pの 帯電状態に応じて、混合装置 14における混合動作を制御してもよいし、超純水 2Pを 供給せずに、アノード水 2Aと力ソード水 2Bとを供給するようにしてもよいし、混合装 置 14を設けずに、供給口 8'に直接的に、イオン水 2A、 2B、超純水 2Pを適宜供給し てもよいし、イオン水 2A、 2Bと超純水 2Pとのそれぞれを別々の供給口を介して光路 空間 K2に供給するようにしてもよいし、アノード水 2Aと力ソード水 2Bとのそれぞれを 別々の供給口を介して光路空間 K2に供給するようにしてもょ 、。
[0127] また、露光装置 EXのメンテナンス時などにぉ 、て、液浸システム 1 'を用いて、光路 空間 K2にイオン水（アノード水）を供給するようにしてもよい。これにより、境界光学素 子 FL2、最終光学素子 FLなどのバクテリア等による汚染を防止できる。光路空間 K2 にアノード水 2Aを供給して、最終光学素子 FL、境界光学素子 FL2、鏡筒 PKの内 壁などを洗浄する際には、液浸システム 1 'は、光路空間 K2に対するアノード水 2A の供給動作と回収動作とを所定時間並行して行うようにしてもょ 、し、光路空間 K2を アノード水 2Aで満たした後、アノード水 2Aの供給動作と回収動作とを停止してもよ い。
[0128] 同様に、力ソード水 2Bを用いて洗浄処理を行うこととしてもよい。なお、本実施形態 では液浸システム 1とは別に液浸システム 1 'を設けるものとした力 液浸システム 1 ' の少なくとも一部を液浸システム 1で兼用することとしてもよい。また、上述の第 1実施 形態と同様に、イオン水の供給の代わりに、あるいはそれと組み合わせて、光路空間 K2の所定位置、例えば境界光学素子 FL2の下面 (射出面）と最終光学素子 FLの上 面 (入射面）との少なくとも一方に、液体 2の除電を行うための電極部材 (液体 2の帯 電を防止するための導電性部材)を設けることとしてもよい。さらに、液体 2の供給流 路中に除電フィルタを設けることとしてもょ 、。 [0129] なお、上述の第 1〜第 8実施形態においては、露光装置 EXがイオン水生成装置 1 2を備えた構成であるが、露光装置 EXとは別のイオン水生成装置で生成されたィォ ン水を光路空間 K (K2)に供給するようにしてもよい。同様に、露光装置 ΕΧとは別の 超純水製造装置で生成された超純水を用いるようにしてもよい。要は、露光装置 ΕΧ が超純水製造装置及びイオン水生成装置の少なくとも一方を備えていなくてもよい。
[0130] <第 9実施形態 >
次に、第 9実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と 同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは 省略する。本実施形態では、露光光 ELの光路空間 Κを満たすための液体 2を脱気 する例について説明する。
[0131] また、本実施形態の露光装置 ΕΧは、液体 2中の気泡に起因する露光不良を抑制 するために、液体 2の帯電を防止する帯電防止装置を備えている。後述するように、 本実施形態においては、帯電防止装置として、液体 2に帯電している電気を取り除く 除電装置 (除電フィルタ)が設けられており、液体 2に帯電している電気を取り除くこと によって、液体 2の帯電を防止又は効果的に抑制する。
[0132] 図 14に示すように、液体供給系 10は、供給管 113を介して供給口 8に液体 2を供 給する液体供給装置 111を備えている。ノズル部材 6の内部には、供給口 8と供給管 113とを接続する内部流路 (供給流路）が形成されている。液体供給装置 111は、供 給管 113及びノズル部材 6の供給流路を介して供給口 8に清浄で温度調整された液 体 2を供給することができる。
[0133] 液体回収系 20は、ノズル部材 6の回収口 9、及び回収管 123を介して液体 2を回収 する液体回収装置 121を備えている。ノズル部材 6の内部には、回収口 9と回収管 1 23とを接続する内部流路（回収流路）が形成されており、真空ポンプ等の真空系（吸 弓 I装置）を含む液体回収装置 121は、ノズル部材 6の回収流路及び回収管 123を介 して回収口 9から液体 2を回収することができる。
[0134] ノズル部材 6は、投影光学系 PLの最終光学素子 FLを囲むように環状に形成されて いる。供給口 8は、投影光学系 PLの最終光学素子 FL (光路空間 K)を囲むように、ノ ズル部材 6の複数の所定位置のそれぞれに設けられている。回収口 9は、ノズル部材 6において、最終光学素子 FLに対して供給口 8よりも外側に設けられており、最終光 学素子 FL及び供給口 8を囲むように環状に設けられて 、る。
[0135] なお、本実施形態においては、回収口 9には、例えばチタン製のメッシュ部材、ある いはセラミックス製の多孔体等力 なる多孔部材 9Tが配置されて 、る。
[0136] 図 15は液体供給装置 111を示す概略構成図である。液体供給装置 111は、超純 水を製造する超純水製造装置 115と、供給する液体 2中の気体成分を低減する脱気 装置 116と、供給する液体 2の温度を調整する温度調整装置 118とを備えており、清 浄で温度調整された液体 2を供給可能である。
[0137] 超純水製造装置 115は、水を精製して超純水を製造する。超純水製造装置 115で 製造された超純水は、脱気装置 116で脱気される。脱気装置 116は、液体 2 (超純水 )を脱気して、液体 2中の溶存気体濃度 (溶存酸素濃度、溶存窒素濃度)を低下させ る。温度調整装置 118は、光路空間 Kに供給される液体 2の温度調整を行うものであ つて、液体 2の温度調整を行った後、その温度調整された液体 2を供給管 113に送 出する。温度調整装置 118は、供給する液体 2の温度を、例えば露光装置が収容さ れているチャンバ（不図示）内の温度とほぼ同じ値に調整する。
[0138] なお、液体供給系 10の少なくとも一部を構成する機器、例えば超純水製造装置等 を、露光装置 EXが設置される工場等の設備で代用してもよい。同様に、液体回収系 20 (図 14参照)の少なくとも一部を構成する機器、例えば真空系等を、露光装置 EX が設置される工場等の設備で代用してもよい。また、液体供給装置 111が、液体 2中 の異物（particle)を取り除くフィルタユニットを備えて 、てもよ！/、。
[0139] 供給管 113は、ノズル部材 6の内部に形成された内部流路 8Lを介して供給口 8と 接続されている。本実施形態においては、供給管 113は、例えば PTFE (ポリテトラフ 口エラエチレン）、 PFA (テトラフルォロエチレン パーフルォロアルコキシエチレン共 重合体)などのフッ素系榭脂を含む絶縁材料によって形成されて ヽる。これらの材料 は、液体 (水） 2に不純物 (溶出物)を溶出し難い材料、すなわち液体 (水)を汚染し難 い材料であるため、供給管 113を流れる液体 2は、汚染されることなぐ供給口 8に供 給される。
[0140] また、光路空間 Kに供給される液体 2と接触する位置には、液体 2に帯電して 、る 静電気を取り除くための除電装置として機能するフィルタ 114が設けられている。本 実施形態においては、フィルタ 114は供給流路 8Lに設けられており、光路空間 Kに 供給される液体 2と接触可能である。以下の説明においては、帯電している液体を電 気的に中和して、その液体に帯電している電気 (静電気)を取り除くことを適宜、除電 と称し、静電気を取り除くフィルタ 114を適宜、除電フィルタ 114と称する。
[0141] 除電フィルタ 114は、導電性を有する導電性部材であり、不図示のアース線を介し てアース (接地）されている。本実施形態においては、除電フィルタ 114は、導電性の 発泡金属によって構成されている。導電性の発泡金属は、例えば多孔質の銅、アル ミニゥム等で構成されている。なお、除電フィルタ 114は、導電性の網状部材で構成 されて 、てもよ 、。除電フィルタ 114を発泡金属あるいは網状部材で構成することに より、液体供給装置 111から供給口 8に向けて供給された液体 2は、除電フィルタ 11 4を通過することができ、除電された液体 2が供給口 8から供給される。
[0142] 図 16は脱気装置 116の一例を示す概略構成図である。脱気装置 116は、ハウジン グ 171と、ハウジング 171の内部に収容された筒状の中空糸束 172とを備えている。 ハウジング 171の内壁と中空糸束 172との間には所定空間 173が設けられている。 中空糸束 172は、ストロー状の中空糸膜 174の複数を平行に束ねたものである。中 空糸膜 174は、疎水性が高く気体透過性に優れた素材 (例えば、ポリ 4メチルペンテ ン 1)で形成されている。ハウジング 171の両端には真空キャップ部材 175a、 175b力 S 固定されている。真空キャップ部材 175a、 175bは、ハウジング 171の両端外側に密 閉空間 176a、 176bを形成する。真空キャップ部材 175a、 175bには、不図示の真 空ポンプに接続された脱気口 177a、 177bが設けられている。また、ハウジング 171 の両端には、封止部材 178a、 178bが設けられている。封止部材 178a、 178bは、 中空糸束 172の両端のみが密閉空間 176a、 176bに連結されるように、その中空糸 束 172を保持している。脱気口 177a、 177bに接続された真空ポンプは、それぞれ の中空糸膜 174の内側を減圧状態にすることができる。中空糸束 172の内部には、 超純水製造装置 115に接続された管 179が配置されている。管 179には複数の液 体供給穴 180が設けられており、封止部材 178a、 178b及び中空糸束 172で囲まれ た空間 181には、液体供給穴 180から液体 2が供給される。液体供給穴 180から空 間 181に液体 2が供給されると、その液体 2は、平行に束ねられた中空糸膜 174の層 を横切るように外側へ向かって流れ、中空糸膜 174の外表面と接触する。上述のよう に、中空糸膜 174のそれぞれは、疎水性が高く気体透過性に優れた素材で形成さ れているので、液体 2は中空糸膜 174の内側に入ることなぐ各中空糸膜 174の間を 通って中空糸束 172の外側の空間 173に移動する。一方、液体 2中に溶解している 気体 (分子）は、中空糸膜 174の内側が減圧状態（20Torr程度）になっているので、 各中空糸膜 174の内側へ移動する（吸収される)。中空糸膜 174の層を横切る間に 液体 2から除去 (脱気）された気体成分は、矢印 183で示すように、中空糸束 172の 両端から密閉空間 176a、 176b介して脱気口 177a、 177bから排出される。また、脱 気処理された液体 2は、ハウジング 171に設けられた液体出口 182から供給管 113 ( 光路空間 K)に供給される。本実施形態においては、液体供給装置 111は、脱気装 置 116を用いて、光路空間 Kに供給する液体 2の溶存気体濃度を例えば 5ppm以下 にする。
[0143] 次に、上述の構成を有する露光装置 EX (図 14参照）を用いて基板 Pを露光する方 法について説明する。制御装置 7は、基板 Pを液浸露光するために、液浸システム 1 を駆動する。超純水製造装置 115で製造された超純水 (液体 2)は、脱気装置 116に 供給される。脱気装置 116は液体 2を脱気する。脱気装置 116で脱気された液体 2 は、温度調整装置 118を通過した後、供給管 113を介して、ノズル部材 6の供給流路 8Lに供給される。供給流路 8Lに供給された液体 2は、除電フィルタ 114を介して、供 給口 8から光路空間 Kに供給される。制御装置 7は、露光光 ELの光路空間 Kを満た す液体 2を介して基板 P上に露光光 ELを照射することによって、基板 Pを液浸露光 する。
[0144] 本実施形態の露光装置 EXは、液体 2中の気泡に起因する露光不良を抑制するた めに、除電フィルタ 114を用いて、液体 2の帯電を防止する。超純水は、電気的な絶 縁性が高ぐ例えばその比抵抗は 18Μ Ω 'cm程度である。そのため、超純水は、供 給管 113を流れる間に、供給管 113との摩擦、管内に設けられたオリフィスで発生す るキヤビテーシヨン等によって、帯電し易い（静電気を帯びやすい)。液体 2が帯電し ていると、液体 2中に生成された気泡が低減又は消失し難くなる可能性がある。 [0145] 液体 2中に生成された気泡は、表面張力の作用により自己加圧されており、急速に 液体 2に溶解する可能性が高い。特に、直径力^〜 50 m程度の微細な気泡（以下 、マイクロバブルと称する）、及びそのマイクロバブルが縮小する過程で生成される、 直径が 1 m以下の超微細な気泡（以下、ナノバブルと称する）は、物理的に極めて 不安定であり、液体 2中に生成されても、直ちに低減又は消失する可能性が高い。
[0146] ところが、液体 2が帯電している場合、液体 2中に生成されたナノバブルは低減又 は消失し難くなり、液体 2中に残留する可能性が高くなる。液体 2が帯電している場合 、図 17の模式図に示すように、液体 2中に生じたナノバブルの周囲に電荷が配置さ れ、ナノバブルが帯電する可能性が高くなる。すると、静電気的な反発力が生じて、 ナノバブルの更なる縮小が妨げられ、ナノバブルが低減又は消失し難くなると考えら れる。このように、液体 2の帯電に伴ってナノバブルが帯電すると、その帯電したナノ バブルは低減又は消失し難くなる可能性が高くなる。また、ナノバブルに限らず、マイ クロバブル、あるいはマイクロバブルよりも大き 、気泡（バブル）が液体 2に生成された 場合であっても、液体 2が帯電している場合、その液体 2中に生成された気泡 (パブ ル）は低減又は消失し難くなる可能性が高くなる。ナノバブル及びマイクロバブルを 含む気泡は、異物として作用するため、その気泡が光路空間 Kを満たす液体 2中に 存在していたり、あるいは基板 P上に付着した場合、基板 P上に形成されるパターン の欠陥等、露光不良の発生を引き起こす。
[0147] なお、図 17においては、気泡がマイナスに帯電している力 プラスに帯電する場合 もめる。
[0148] 本実施形態では、除電フィルタ 114を用いて光路空間 Kに供給される液体 2の除電 を行うことで、光路空間 Kを満たす液体 2の帯電を防止又は効果的に抑制している。 上述のように、ナノバブルは物理的に極めて不安定であるため、液体 2が帯電してい ない場合には、そのナノバブルは直ちに低減又は消失する可能性が高くなる。した がって、液体 2の帯電を防止することにより、液体 2中にナノバブルが生成されても、 そのナノバブルの帯電が抑制され、そのナノバブルを直ちに低減又は消失させること ができる。したがって、液体 2中にナノバブルが存在することに起因する露光不良の 発生を抑制することができる。また、ナノバブルに限らず、液体 2の帯電を防止するこ とにより、液体 2中に生成されたナノバブルよりも大きいマイクロバブルを含む気泡を 直ちに低減又は消失させることができる。
[0149] 図 15を参照して説明したように、本実施形態においては、除電フィルタ 114は、供 給流路 8Lに設けられており、発泡金属等力もなる除電フィルタ 114を液体 2が通過 すると、液体 2に帯電していた静電気は、除電フィルタ 114により回収されて、アース 線により大地に放電される。そのため、供給管 113及び Z又は供給流路 8Lを流れる 液体 2が仮に帯電しても、除電フィルタ 114はその液体 2の除電を行うことができる。 したがって、液浸システム 1は、帯電が防止又は効果的に抑制された液体 2で光路空 間 Kを満たすことができ、液体 2中に気泡が残留することを抑制することができる。
[0150] また、本実施形態においては、液体供給装置 111は脱気装置 116を有しており、 液浸システム 1は脱気された液体 2を露光光 ELの光路空間 Kに供給して 、る。脱気 された液体 2は、気泡を溶力し込んで低減又は消失させることができる。したがって、 液浸システム 1は、液体 2の帯電を防止又は効果的に抑制した状態で、脱気された 液体 2を供給することにより、液体 2中に気泡が生成された場合でも、その気泡を脱 気された液体 2中に溶力 込んで直ちに低減又は消失させることができる。
[0151] 以上説明したように、液体 2が帯電している場合、液体 2中に生成された気泡は低 減又は消失し難くなる可能性が高くなるが、液体 2の帯電を防止することで、液体 2中 に気泡が生成された場合でも、その気泡の帯電を抑制することができる。したがって 、液体 2中での気泡の残留を抑制することができ、気泡に起因するパターンの欠陥等 の露光不良の発生を抑え、基板 Pを良好に露光することができる。
[0152] そして、本実施形態では、液浸システム 1は、脱気された液体 2を露光光 ELの光路 空間 Kに供給するため、気泡が帯電しても、気泡の帯電が抑制されているので、発生 した気泡を、脱気された液体 2に溶かし込んで直ちに低減又は消失させることができ る。したがって、除電フィルタ 114で液体 2の帯電を防止することによって、脱気され た液体 2中での気泡の残留を効果的に抑制することができる。
[0153] また、脱気装置 116を用いて、液体 2中の溶存気体濃度、特に溶存酸素濃度を低 減することにより、露光光 ELに対する液体 2の透過率の低下を抑制することができる 。酸素は露光光 ELを吸収し、露光光 ELの光量を低減させる可能性があるため、液 体 2中の溶存酸素濃度が高いと、その液体 2の露光光 ELに対する透過率が低下す る可能性がある。本実施形態では、脱気装置 116を用いて溶存気体濃度 (溶存酸素 濃度）を低減することで、露光光 ELに対する液体 2の透過率の低下を抑制することが できる。
[0154] また、本実施形態では、供給流路 8Lに設けられた除電フィルタ 114を用いて、液浸 システム 1の供給口 8から露光光 ELの光路空間 Kに供給される前の液体 2の除電を 行っており、光路空間 Kに供給される前の液体 2の帯電を防止する処理を行っている 。したがって、液浸システム 1は、帯電が防止又は効果的に抑制された液体 2で光路 空間 Kを満たすことができる。
[0155] <第 10実施形態 >
次に、第 10実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と 同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは 省略する。
[0156] 図 18に示すように、例えば最終光学素子 FLの下面など、光路空間 Kに満たされる 液体 2と接触する位置に、液体 2の帯電を防止するための導電性部材 119を設ける ようにしてもよい。図 18に示す導電性部材 119は、最終光学素子 FLの下面のうち、 露光光 ELの通過を妨げず、且つ光路空間 Kに満たされた液体 2に接触する位置に 設けられている。導電性部材 119は、例えば、最終光学素子 FLの下面の周縁領域 を覆うように環状に設けられている。導電性部材 119は、例えば、最終光学素子 FL の下面に蒸着によって形成された導電体である。導電性部材 119は、不図示のァー ス線を介して接地 (アース）されている。導電性部材 119は、供給口 8より光路空間 K に供給された後の液体 2の帯電を防止する。供給口 8を介して光路空間 Kに供給さ れた後の液体 2が仮に帯電しても、導電性部材 119は、その液体 2の除電を行うこと ができ、光路空間 Kを満たす液体 2の帯電を防止又は効果的に抑制することができ る。なお、導電性部材 119は除電フィルタ 114の代わりに設けてもよいし、あるいは除 電フィルタ 114と組み合わせて用いることとしてもよ!/、。
[0157] く第 11実施形態 >
次に、第 11実施形態について図 19を参照して説明する。以下の説明において、 上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説 明を簡略若しくは省略する。本実施形態の特徴的な部分は、液体 2に、その液体 2の 比抵抗を調整可能な所定物質を混合することによって、液体 2の帯電を防止する点 にある。
[0158] 図 19において、液浸システム 1の液体供給装置 111は、供給口 8に供給するため の液体 2と、その液体 2の比抵抗を調整可能な所定物質とを混合する混合装置 150 を有している。本実施形態では、液体 2の比抵抗を調整する物質として、二酸化炭素 を用いる。液体供給装置 111は、混合装置 150に二酸ィ匕炭素を供給する二酸ィ匕炭 素供給装置 151を有しており、混合装置 150は、二酸ィ匕炭素供給装置 151から供給 された二酸化炭素と、超純水製造装置 115から脱気装置 116を介して供給された液 体 (超純水） 2とを混合する。制御装置 7は、二酸化炭素供給装置 151から混合装置 150に供給する二酸ィ匕炭素の量を調整可能である。
[0159] 混合装置 150は、二酸化炭素供給装置 151から供給された二酸化炭素を、脱気装 置 116で脱気された液体 2に溶解する。液体 2にその液体 2の比抵抗を調整する二 酸ィ匕炭素を溶解させることにより、液体 2の帯電を防止又は効果的に抑制することが できる。
[0160] なお、液体 2に溶解される二酸ィ匕炭素の量は、液体 2の帯電を防止できる程度、且 つ液体 2に溶解された二酸ィ匕炭素に起因して生じる気泡の大きさ又は量が許容値以 下になる程度に最適に調整されている。換言すれば、液体 2中には、溶存気体濃度 の許容値以下の二酸ィ匕炭素が溶解される。液体 2の帯電を防止するために液体 2に 溶解する二酸ィ匕炭素の量は極僅かでよぐ液体 2に溶解した二酸ィ匕炭素によって、 露光不良を発生させるような気泡は生成されない。
[0161] 混合装置 150には、液体 2の比抵抗を計測可能な比抵抗計 (不図示）が設けられて いる。制御装置 7は、比抵抗計を用いて、混合装置 150で生成された液体 2 (二酸ィ匕 炭素が溶解した純水）の比抵抗値をモニタしつつ、その計測される比抵抗値が所定 範囲内の値となるように、二酸ィ匕炭素供給装置 151から混合装置 150に供給する二 酸化炭素の量を調整する。これにより、混合装置 150の内部で、超純水製造装置 11 5 (脱気装置 116)から供給された液体 2中に二酸化炭素供給装置 151から供給され た二酸ィ匕炭素が混入し、溶解して、所望の比抵抗値の液体 2が生成される。すなわ ち、本実施形態では、純水に比抵抗を低下させる二酸ィ匕炭素を混入して溶解させて 、供給口 8から光路空間 Kに液体 2として供給する。
[0162] なお、純水中への二酸化炭素の混入 (溶解）は、純水中に二酸化炭素を直接注入 する方式、中空糸膜を介して純水中に二酸ィ匕炭素を混入させる方式など、各種の方 式を採用することができる。なお、二酸ィ匕炭素を含む空気を純水中に溶解させても良 い。なお、本実施形態においては、液体 2の比抵抗値は、 10[Μ Ω 'cm]以下、望まし くは 0. 1〜1. 0[Μ Ω ·«η]に調整される。
[0163] 以上説明したように、供給口 8から供給される前に、液体 2中に二酸化酸素を溶解 することにより、光路空間 Κに供給される液体 2の帯電が防止又は効果的に抑制され る。また、液体 2は二酸化炭素を含んでいるので、供給管 113あるいは供給流路 8L を流れている間においても、液体 2が帯電することが防止されている。そして、二酸ィ匕 炭素によって、液体 2の帯電が防止されているため、液体 2中に気泡が生成された場 合でも、気泡の帯電が抑えられ、その気泡を直ちに低減又は消失させることができ、 液体 2中での気泡の残留を抑制することができる。
[0164] また、脱気装置 116を用いて、液体 2中の溶存気体濃度、特に溶存酸素濃度を低 減することにより、露光光 ELに対する液体 2の透過率の低下を抑制することができる 。そして、液体 2中の溶存酸素濃度を十分に低減した後、その液体 2に所定量の二 酸化炭素を混合 (溶解)することにより、所望の透過率を維持し、気泡の生成を抑え つつ、液体 2の帯電を防止することができる。
[0165] なお、上述の第 11実施形態においては、液浸システム 1の供給口 8から露光光 EL の光路空間 Κに供給される前の液体 2に二酸ィ匕炭素を混合 (溶解)しているが、例え ば供給口 8が複数設けられている場合には、複数の供給口のうち、第 1の供給口から 光路空間 Κに二酸化炭素を含んで 、な 、第 1の液体を供給し、第 2の供給口力 光 路空間 Κに二酸ィ匕炭素を含んだ第 2の液体を供給し、第 1の液体と第 2の液体とを光 路空間 Κ上で混合することによって、光路空間 Κを満たす液体 2の帯電を防止するよ うにしてもよい。また、光路空間 Κにおいて、液体 2と二酸ィ匕炭素とを混合してもよい。
[0166] なお、上述の第 11実施形態において、供給流路中に除電フィルタ 114が設けられ ているが、この除電フィルタ 114は無くてもよい。液体 2に二酸化炭素を混合 (混合） することで、供給口 8に供給される液体 2の帯電を防止又は抑制できるのであれば、 除電フィルタ 114は省略することができる。
[0167] <第 12実施形態 >
次に、第 12実施形態について図 20及び図 21を参照しながら説明する。以下の説 明にお 、て、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分にっ 、ては同一の符号を 付し、その説明を簡略若しくは省略する。本実施形態の特徴的な部分は、液体 2の 比抵抗を調整可能な所定物質として、イオン化されたイオン化液体 (イオン水)を用 いた点、にめる。
[0168] 図 20において、液浸システム 1の液体供給系 10は、超純水を製造する超純水製造 装置 115と、超純水製造装置 115で製造された超純水を脱気する脱気装置 116と、 脱気装置 116で脱気された超純水をイオン化してイオン水 2A、 2Bを生成するイオン 水生成装置 117と、イオン水生成装置 117で生成されたイオン水 2A、 2Bと超純水 製造装置 115で製造された超純水とを混合する混合装置 154と、供給管系 113とを 備えている。供給管系 113は、第 1供給管 113Aと、第 2供給管 113Bと、第 3供給管 113Cと、第 4供給管 113Dとを備えている。ノズル部材 6の内部には、供給口 8と供 給管系 113 (第 3供給管 113C)とを接続する内部流路 (供給流路) 8Lが形成されて いる。
[0169] イオン水生成装置 117は、超純水をイオンィ匕して、陽イオン水 2Aと陰イオン水 2Bと を生成する。以下の説明においては、陽イオン水 2Aを適宜、アノード水 2Aと称し、 陰イオン水 2Bを適宜、力ソード水 2Bと称する。イオンィ匕する前の超純水と比較して、 アノード水 2Aは水素イオン (H + )を多く含み、力ソード水 2Bは水酸イオン（OH—） を多く含む。
[0170] 図 21はイオン水生成装置 117の一例を示す模式図である。イオン水生成装置 117 は、超純水が供給される電解槽 130を有している。電解槽 130の内部は、隔膜 (ィォ ン交換膜） 136、 137によって、第 1、第 2、第 3室 131、 132、 133に仕切られている 。超純水は、第 1、第 2、第 3室 131、 132、 133のそれぞれに供給される。第 1室 131 には陽極 134が配置され、第 2室 132には陰極 135が配置されている。第 3室 133は 、第 1室 131と第 2室 132との間に設けられており、例えばイオン交換樹脂が充填さ れている。第 1、第 2、第 3室 131、 132、 133に超純水を供給し、陽極 134及び陰極 135に電圧を印加することによって、第 1室 131においてはアノード水 2Aが生成され 、第 2室 132においては力ソード水 2Bが生成される。このように、イオン水生成装置 1 17は、超純水を電気分解することによって、電解イオン水 2A、 2Bを生成することが できる。なお、電解槽 130に供給される超純水あるいは電解槽 130から送出されたィ オン水に所定の電解質を添加するようにしてもよい。なお、図 21に示すイオン水生成 装置 117は一例であり、イオン水 2A、 2Bを生成可能であれば、任意の構成を採用 することができる。
[0171] 図 20に戻って、イオン水生成装置 117で生成されたアノード水 2Aは、第 1供給管 1 13 Aを介して混合装置 154に供給される。イオン水生成装置 117で生成されたカソ ード水 2Bは、第 2供給管 113Bを介して混合装置 154に供給される。超純水生成装 置 115で製造された、イオン化されていない超純水は、第 4供給管 113Dを介して混 合装置 154に供給される。
[0172] 第 1供給管 113Aの途中には、イオン水生成装置 117で生成され、混合装置 154 に供給されるアノード水 2Aの量 (単位時間当たりの供給量)を調整する調整機構 15 5Aが設けられている。同様に、第 2供給管 113Bの途中には、イオン水生成装置 11 7で生成され、混合装置 154に供給される力ソード水 2Bの量 (単位時間当たりの供給 量)を調整する調整機構 155Bが設けられている。また、第 4供給管 113Dの途中に は、超純水製造装置 115で製造され、混合装置 154に供給される超純水の量 (単位 時間当たりの供給量)を調整する調整機構 155Dが設けられている。調整機構 155A 、 155B、 155Dは、例えばバルブ機構を含む。制御装置 7は、調整機構 155A、 15 5B、 155Dを用いて、第 4供給管 113Dを介して混合装置 154に供給される超純水 の量を、第 1、第 2供給管 113A、 113Bを介して混合装置 154に供給されるイオン水 2A、 2Bの量よりも多くする。すなわち、本実施形態においては、混合装置 154に供 給された超純水に対して、少量のイオン水 2A、 2Bが添加される。
[0173] 混合装置 154は、第 1供給管 113A、第 2供給管 113B、及び第 4供給管 113Dの それぞれを介して供給されたアノード水 2A、力ソード水 2B、及び超純水を混合する 。供給口 8と混合装置 154とは、第 3供給管 113C及び供給流路 8Lを介して接続さ れている。混合装置 154で生成された液体 2は、第 3供給管 113及び供給流路 8Lを 介して供給口 8に供給される。混合装置 154で生成された液体 2は、供給口 8から光 路空間 Kに供給される。
[0174] 超純水は、電気的な絶縁性が高く帯電し易い (静電気を帯びやすい)。一方、ィォ ン水 2A、 2Bは導電性を有しており、超純水の比抵抗を調整可能である。液体供給 系 10は、超純水が帯電した場合でも、その超純水を混合装置 154においてイオン水 2A、 2Bと混合することにより、超純水を除電することができ、光路空間 Kに供給され る液体 2の帯電を防止することができる。
[0175] 以上説明したように、イオンィ匕されたイオン水 2A、 2Bと超純水とを混合することによ り、供給口 8から光路空間 Kに供給される液体 2の帯電を防止することができる。した がって、液体 2中に気泡が生成された場合でも、気泡の帯電が抑えられているので、 その気泡を脱気された液体 2中で直ちに低減又は消失させることができ、液体 2中で の気泡の残留を抑制することができる。
[0176] そして、本実施形態にぉ ヽては、電気的な絶縁性を有する超純水をイオン化して 導電性を発現させる構成であるため、超純水に導電性を与えるための添加物をカロえ ていない。したがって、供給口 8 (光路空間 K)に供給される液体 2の不純物の含有量 は極めて低ぐ液体 2の透過率低下、温度上昇、金属汚染等を引き起こすことのない 所望の液質を維持した液体 2で光路空間 Kを満たすことができ、基板 Pを良好に露光 することができる。
[0177] なお、上述の第 12実施形態においては、液体供給系 10は、アノード水と力ソード 水とのそれぞれを供給して ヽるが、超純水がプラス又はマイナスの ヽずれに帯電して V、るのかが既知であれば、アノード水及び力ソード水の!/、ずれか一方のみを供給す るようにしてちょい。
[0178] なお、上述の第 12実施形態においては、液浸システム 1の供給口 8から露光光 EL の光路空間 Kに供給される前の超純水にイオン水を混合 (添加）しているが、例えば 供給口 8が複数設けられている場合には、複数の供給口のうち、第 1の供給ロカも光 路空間 Kに超純水を供給し、第 2の供給口力 光路空間 Kにイオン水 (アノード水及 び力ソード水の少なくとも一方)を供給し、超純水とイオン水とを光路空間 Kで混合す ることによって、光路空間 Kを満たす液体 2の帯電を防止するようにしてもよい。
[0179] なお、上述の第 12実施形態において、供給流路中に除電フィルタ 114が設けられ ているが、この除電フィルタ 114は無くてもよい。非イオン水である超純水にイオン水 を混合 (添加)することで、供給口 8に供給される液体 2の帯電を防止又は効果的に 抑制できるのであれば、除電フィルタ 114は省略することができる。
[0180] なお、上述の第 12実施形態においては、露光装置 EXがイオン水生成装置 117を 備えた構成であるが、露光装置 EXとは別のイオン水生成装置で生成されたイオン水 を光路空間 Kに供給するようにしてもよい。即ち、露光装置 EXは、イオン水生成装置 を備えていなくてもよぐ同様に、超純水製造装置 115、及び脱気装置 116の少なく とも一方を備えて!/、なくてもょ 、。
[0181] なお、上述の第 9〜第 12実施形態で説明した帯電防止装置のかわりに、投影光学 系 PLの像面側の空間近傍に、特開 2003— 332218号公報に開示されているような 除電装置 (ィオナイザなど)を配置し、液体 2の帯電を防止するようにしてもよい。もち ろん、第 9〜第 12実施形態の帯電防止装置とィオナイザ等の除電装置とを併用して もよい。また、上述の第 9〜第 12実施形態において、多孔部材 9Tを導電体で構成し てもよい。この場合、前述した除電フィルタ 114、導電性部材 119、及び除電装置 (ィ オナイザなど）の少なくとも 1つの代替とする、あるいはそれらと組み合わせることとし てもよい。
[0182] <第 13実施形態 >
次に、第 13実施形態について図 22を参照しながら説明する。以下の説明におい て、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、そ の説明を簡略若しくは省略する。上述の第 9〜第 12実施形態においては、帯電が防 止された液体 2を、投影光学系 PLのうち投影光学系 PLの像面に最も近い最終光学 素子 FLと基板 Pとの間の露光光 ELの光路空間 Kに供給する場合について説明した 力 例えば、国際公開第 2004Z019128号パンフレットに開示されているように、最 終光学素子 FLの物体面側（マスク M側）の光路も液体で満たすことができる。
[0183] 図 22にお 、て、露光装置 EXは、最終光学素子 FLと、最終光学素子 FLに次 、で 投影光学系 PLの像面に近い境界光学素子 FL2との間に液体 2を供給する液浸シス テム 1，を備えている。
[0184] 液浸システム 1 'は、最終光学素子 FLと境界光学素子 FL2との間の光路空間 K2に 液体 2を供給する供給口 8 'と、液体 2を回収する回収口 9 'とを備えて!/、る。液浸シス テム 1 'は、上述の各実施形態で説明した液浸システム 1とほぼ同等の構成を有して おり、帯電が防止された液体 2で光路空間 K2を満たすことができる。これにより、露 光光 ELの光路空間 K2に供給された液体 2中の気泡に起因する露光不良を抑制す ることがでさる。
[0185] 以上のように、液体 2の帯電を防止することによって、液体 2中での気泡の帯電が抑 制されるため、液体 2で気泡が発生したとしても、液体 2での気泡の残留を抑えること ができる。すなわち、液体 2の帯電を防止する帯電防止装置を、液体 2中での気泡の 帯電を防止する帯電防止装置として機能させ、液体 2中の気泡に起因する露光不良 等の不具合の発生を抑えることができる。
[0186] なお、本実施形態では液浸システム 1とは別に液浸システム 1 'を設けるものとした 1S 液浸システム 1 'の少なくとも一部を液浸システム 1で兼用することとしてもよい。ま た、光路空間 K2の所定位置、例えば境界光学素子 FL2の射出面と最終光学素子 F Lの入射面との少なくとも一方に、液体 2の帯電を防止する導電性部材を設ける、あ るいは光路空間 K2近傍に前述したィオナイザなどの除電装置を設けることとしてもよ い。さらに、液浸システム 1 'における液体 2の供給流路中に除電フィルタを設けること としてちよい。
[0187] なお、液体 2中の気泡は、基板 Pの露光のみならず、液体 2を介して行われる各種 計測などにも影響を与える可能性があるが、上述の第 9〜第 13実施形態のように、 気泡の帯電を防止することによって、液体 2での気泡の残留が抑えられているため、 液体 2を介して行われる各種計測も高精度に実行することができる。したがって、その 計測に基づいて実行される基板 Pの露光も良好に行うことができる。
[0188] なお、上述の各実施形態において、液体または液体中の気泡の帯電防止は、露光 に影響がない範囲で、液体または液体中の気泡の少しの帯電を許容する。例えば、 露光処理または露光装置に不都合が生じない範囲内であれば、液体または液体中 の気泡がわずかに帯電してもよい。例えば、液体中の気泡の種類、数、及び Z又は 量が許容範囲内になるように、帯電防止によって液体中の気泡が消失すればよい。 同様に、液体または液体中の気泡の除電は、露光に影響がない範囲で、液体または 液体中の気泡における少しの残留電荷を許容する。例えば、露光処理または露光装 置に不都合が生じない範囲内であれば、液体または液体中の気泡にわずかに電荷 が残ってもよい。例えば、液体中の気泡の種類、数、及び Z又は量が許容範囲内に なるように、除電によって液体中の気泡が消失すればよい。
[0189] なお、上述の各実施形態において、最終光学素子 FLと基板 Pとの間の光路空間 K を液体 2で満たす液浸システム 1の構成は、上述のものに限られず、各種の構成を採 用することができる。例えば、米国特許公開第 2004Z0165159号公報、国際公開 第 2004Z055803号公報に開示されているような構成を採用することもできる。
[0190] また、第 8及び第 13実施形態の液浸システム 1，の構成も、上述のものに限られず、 各種の構成を採用することができ、例えば国際公開第 2004Z107048号公報に開 示されて!/ヽる構成を採用することもできる。
[0191] なお、ノズル部材 6を含む液浸システム 1 (液浸空間形成部材)の形態は、上述のも のに限られず、例えば国際公開第 2004Z086468号パンフレット（対応米国公開 2 005Z0280791A:0、特開 2004— 289126号公報（対応米国特許第 6, 952, 25 3号)などに開示されるノズル部材を用いてもよい。具体的には、上述の各実施形態 ではノズル部材 6の下面が投影光学系 PLの下端面 (射出面）とほぼ同じ高さ (Z位置 )に設定されている力 例えばノズル部材 6の下面を投影光学系 PLの下端面よりも像 面側 (基板側）に設定してもよい。この場合、ノズル部材 6の一部（下端部）を、露光光 ELを遮らな 、ように投影光学系 PL (最終光学素子 FL)の下側まで潜り込ませて設け てもよい。また、上述の各実施形態ではノズル部材 6の下面に供給口 8を設けている 力 例えば投影光学系 PLの最終光学素子 FLの側面と対向するノズル部材 6の内側 面 (傾斜面）に供給口 8を設けてもょ 、。
[0192] 上述の各実施形態では液体 2として純水（超純水）が用いられている。純水は、半 導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォトレジスト及び 光学素子 (レンズ)等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する 悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投 影光学系 PLの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待でき る。
[0193] そして、波長が 193nm程度の露光光 ELに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1. 4 4と言われており、露光光 ELの光源として ArFエキシマレーザ光（波長 193nm)を用 いた場合、基板 P上では lZn、すなわち約 134nmに短波長化されて高い解像度が 得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n倍、すなわち約 1. 44倍に拡大され るため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、 投影光学系 PLの開口数をより増カロさせることができ、この点でも解像度が向上する。
[0194] なお、上記各実施形態の液体 2は水（純水）であるが、水以外の液体であってもよ い、例えば、露光光 ELの光源が Fレーザである場合、この Fレーザ光は水を透過し
2 2
ないので、液体 2としては Fレーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル (P
2
FPE)、あるいはフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、液体 2として は、その他にも、露光光 ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高ぐ投影 光学系 PL及び基板 P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例え ばセダー油）を用いることも可能である。
[0195] また、液体 2としては、屈折率が 1. 6〜1. 8程度のものを使用してもよい。更に、石 英あるいは蛍石よりも屈折率が高い（例えば 1. 6以上)材料で光学素子 FLを形成し てもよい。液体 LQとして、種々の液体、例えば、超臨界流体を用いることも可能であ る。
[0196] なお、上記各実施形態では干渉計システム（3L、 4L)を用いてマスクステージ 3、 及び基板ステージ 4の各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各 ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いても よい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムの両方を備えるハイブリッドシス テムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正 (キャリブレーション)を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステ ムとを切り替えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うよう にしてもよい。 [0197] 上記各実施形態では、投影光学系 PLの先端に光学素子 FLが取り付けられており 、この光学素子により投影光学系 PLの光学特性、例えば収差 (球面収差、コマ収差 等)の調整を行うことができる。なお、投影光学系 PLの先端に取り付ける光学素子と しては、投影光学系 PLの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あ るいは露光光 ELを透過可能な平行平面板 (カバーガラスなど)であってもよ 、。
[0198] なお、液体 2の流れによって生じる投影光学系 PLの先端の光学素子と基板 Pとの 間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなぐその圧力 によって光学素子が動かな 、ように堅固に固定してもよ 、。
[0199] なお、上記各実施形態では、投影光学系 PLと基板 P表面との間は液体 2で満たさ れて 、る構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板力 なるカバーガラスを取 り付けた状態で液体 2を満たす構成であってもよ ヽ。
[0200] なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハ のみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックゥェ ノ、、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版 (合成石英、シリコン ウェハ)等が適用される。
[0201] 露光装置 EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパターンを走 查露光するステップ ·アンド'スキャン方式の走査型露光装置 (スキャニングステツパ） の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基 板 Pを順次ステップ移動させるステップ ·アンド ·リピート方式の投影露光装置 (ステツ ノ ）にも適用することができる。
[0202] また、露光装置 EXとしては、第 1パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 1バタ ーンの縮小像を投影光学系 (例えば 1Z8縮小倍率で反射素子を含まな 、屈折型投 影光学系）を用 、て基板 P上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この 場合、更にその後に、第 2パターンと基板 Pとをほぼ静止した状態で第 2パターンの 縮小像をその投影光学系を用いて、第 1パターンと部分的に重ねて基板 P上に一括 露光するスティツチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、ステイッチ方式の露 光装置としては、基板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基 板 Pを順次移動させるステップ 'アンド'ステイッチ方式の露光装置にも適用できる。 [0203] また、上記各実施形態では投影光学系 PLを備えた露光装置を例に挙げて説明し てきたが、投影光学系 PLを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用するこ とができる。投影光学系を用いない場合であっても、露光光はマスク又はレンズなど の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間 に液浸領域が形成される。
[0204] また、本発明は、例えば特開平 10— 163099号公報及び特開平 10— 214783号 公報（対応米国特許第 6, 590, 634号）、特表 2000— 505958号公報（対応米国 特許第 5, 969, 441号）、米国特許第 6, 208, 407号などに開示されているような複 数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
[0205] 更に、特開平 11— 135400号公報（対応国際公開 1999/23692)、及び特開 20 00— 164504号公報 (対応米国特許第 6, 897, 963号)等に開示されているように 、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び各種の光 電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することが できる。
[0206] また、上述の実施形態においては、投影光学系 PLと基板 Pとの間に局所的に液体 を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、例えば特開平 6— 124873号公報 、特開平 10— 303114号公報、米国特許第 5, 825, 043号などに開示されているよ うな露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かって ヽる状態で露光を行う液浸露 光装置にも適用可能である。
[0207] 露光装置 EXの種類としては、基板 Pに半導体素子パターンを露光する半導体素 子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の 露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子 (CCD)、マイクロマシン、 MEMS, DNAチッ プ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用で きる。
[0208] なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン (又 は位相パターン '減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いた力 このマスクに 代えて、例えば米国特許第 6, 778, 257号公報に開示されているように、露光すベ きパターンの電子データに基づ 、て透過パターン又は反射パターン、あるいは発光 パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表 示素子（空間光変調器）の一種である DMD (Digital Micro-mirror Device)などを含 む）を用いてもよい。
[0209] また、例えば国際公開第 2001Z035168号パンフレットに開示されているように、 干渉縞を基板 P上に形成することによって、基板 P上にライン 'アンド'スペースパター ンを露光する露光装置 (リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
[0210] さらに、例えば特表 2004— 519850号公報（対応米国特許第 6, 611, 316号）に 開示されているように、 2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合 成し、 1回のスキャン露光によって基板上の 1つのショット領域をほぼ同時に二重露光 する露光装置にも本発明を適用することができる。
[0211] なお、本国際出願で指定又は選択された国の法令で許容される限りにおいて、上 記各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び 米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
[0212] 以上のように、本願実施形態の露光装置 EXは、本願請求の範囲に挙げられた各 構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精 度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、こ の組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整 、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系について は電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置へ の組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、 気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立 て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各 種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露 光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびク リーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
[0213] 半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 23〖こ示すよう〖こ、マイクロデバイスの機 能 ·性能設計を行うステップ 201、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル)を製 作するステップ 202、デバイスの基材である基板を製造するステップ 203、前述した 実施形態の露光装置 EXによりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基 板を現像する工程、現像した基板の加熱 (キュア)及びエッチング工程などの基板処 理プロセスを含むステップ 204、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンデ イング工程、ノ ッケージ工程などの加工プロセスを含む） 205、検査ステップ 206等を 経て製造される。
産業上の利用可能性
本発明によれば、露光装置の性能の劣化を抑制し、基板を良好に露光することが でき、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。また、本発明によれば、 液体中の気泡に起因する露光不良を抑制し、基板を良好に露光することができ、ま た、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。それゆえ、本発明は、例え ば半導体素子、液晶表示素子又はディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、 CCD,マイクロマ シン、 MEMS、 DNAチップ、レチクル（マスク）のような広範囲な製品を製造するため の露光装置及び方法に極めて有用となる。

Claims

請求の範囲
[1] 基板を露光する露光装置において、
露光光の光路空間に液体を供給する供給口と、
イオン化されたイオン液体を前記供給口に供給する液体供給装置と、を備えた露 光装置。
[2] 前記液体供給装置は、液体をイオン化して前記イオン液体を生成するイオン液体 生成装置を有する請求項 1記載の露光装置。
[3] 前記液体供給装置は、陽イオン液体と陰イオン液体とのそれぞれを供給する請求 項 1又は 2記載の露光装置。
[4] 前記供給口に対して前記陽イオン液体を流す第 1流路と、前記陰イオン液体を流 す第 2流路とをさらに備えた請求項 3記載の露光装置。
[5] 前記供給口近傍に設けられ、前記第 1流路を流れた陽イオン液体と前記第 2流路 を流れた陰イオン液体とを混合する混合装置と、
前記混合装置と前記供給口とを接続する第 3流路と、をさらに備え、
前記混合装置で生成された液体が前記第 3流路を介して前記供給口に供給される 請求項 4記載の露光装置。
[6] イオン化されて 、な 、非イオン液体を前記混合装置に供給する第 4流路をさらに備 え、
前記混合装置で生成された液体が前記第 3流路を介して前記供給口に供給される 請求項 5記載の露光装置。
[7] 前記供給口に対して前記イオン液体を流す第 5流路と、イオン化されて 、な 、非ィ オン液体を流す第 6流路とをさらに備えた請求項 1又は 2記載の露光装置。
[8] 前記供給口近傍に設けられ、前記第 5流路を流れたイオン液体と前記第 6流路を 流れた非イオン液体とを混合する混合装置と、
前記混合装置と前記供給口とを接続する第 7流路と、をさらに備え、
前記混合装置で生成された液体が前記第 7流路を介して前記供給口に供給される 請求項 7記載の露光装置。
[9] 前記混合装置に供給される前記非イオン液体の量は、前記イオン液体の量よりも 多、請求項 6又は 8記載の露光装置。
[10] 前記非イオン液体の帯電状態に応じて、前記混合装置における混合動作を制御 する制御装置をさらに備えた請求項 6、 8、 9のいずれか一項記載の露光装置。
[11] 基板を露光する露光装置において、
露光光の光路空間に陽イオン液体を供給する第 1供給口と、
前記光路空間に陰イオン液体を供給する第 2供給口と、を備えた露光装置。
[12] 基板を露光する露光装置において、
露光光の光路空間にイオン化されたイオン液体を供給する第 1供給口と、 前記光路空間にイオン化されて ヽな ヽ非イオン液体を供給する第 2供給口と、を備 えた露光装置。
[13] 基板を露光する露光装置において、
露光光の光路空間を液体で満たすための液浸装置と、
前記液体に接触する所定部材をイオン化したイオン液体で洗浄する洗浄装置と、 を備えた露光装置。
[14] 前記イオン液体は、陽イオン液体を含む請求項 13記載の露光装置。
[15] 前記所定部材は、前記光路空間に接続され、前記液体が流れる流路を形成する 流路形成部材を有する請求項 13又は 14記載の露光装置。
[16] 前記洗浄装置は、前記イオン液体を前記流路に流す請求項 15記載の露光装置。
[17] 前記所定部材は、前記露光光が通過する光学部材を有する請求項 13〜16のい ずれか一項記載の露光装置。
[18] 前記液体は、水を含む請求項 1〜17のいずれか一項記載の露光装置。
[19] 請求項 1〜請求項 18のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法
[20] 基板を露光する露光方法において、
露光光の光路空間に対してイオン化されたイオン液体を供給する動作と、 前記光路空間に満たされた液体を介して前記基板上に前記露光光を照射する動 作と、を含む露光方法。
[21] 前記光路空間に対して陽イオン液体と陰イオン液体とのそれぞれを供給する動作 をさらに含み、
前記陽イオン液体と前記陰イオン液体とを前記光路空間に供給する直前に混合す る請求項 20記載の露光方法。
[22] 前記光路空間に対して陽イオン液体と陰イオン液体とのそれぞれを供給する動作 をさらに含み、
前記陽イオン液体と前記陰イオン液体とを前記光路空間で混合する請求項 20記 載の露光方法。
[23] 前記光路空間に対してイオン化されて 、な ヽ非イオン液体を供給する動作をさらに 含む請求項 20〜22のいずれか一項記載の露光方法。
[24] 前記光路空間に対してイオン化されて 、な ヽ非イオン液体を供給する動作をさらに 含み、
前記イオン液体と前記非イオン液体とを前記光路空間に供給する直前に混合する 請求項 20記載の露光方法。
[25] 前記光路空間に対してイオン化されて 、な ヽ非イオン液体を供給する動作をさらに 含み、
前記イオン液体と前記非イオン液体とを前記光路空間で混合する請求項 20記載 の露光方法。
[26] 前記液体は、水を含む請求項 20〜25のいずれか一項記載の露光方法。
[27] 請求項 20〜請求項 26の 、ずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方 法。
[28] 基板を露光する露光装置のメンテナンス方法にお!ヽて、
露光光の光路空間に満たされる液体に接触する所定部材をイオン化したイオン液 体で洗浄する動作を含むメンテナンス方法。
[29] 前記イオン液体は、陽イオン液体を含む請求項 28記載のメンテナンス方法。
[30] 前記液体は、水を含む請求項 28又は 29記載のメンテナンス方法。
[31] 基板を露光する露光装置において、
露光光の光路空間を液体で満たす液浸機構と、
前記液体中に生じた気泡の帯電を防止する帯電防止装置と、を備えた露光装置。
[32] 前記帯電防止装置は、前記液体の帯電を防止することによって、前記液体中に生 じた気泡の帯電を防止する請求項 31記載の露光装置。
[33] 基板を露光する露光装置において、
露光光の光路空間を液体で満たす液浸機構と、
前記液体中の気泡に起因する露光不良を抑制するために、前記液体の帯電を防 止する帯電防止装置と、を備えた露光装置。
[34] 前記帯電防止装置は、前記液浸機構によって前記光路空間に供給される前の液 体の帯電を防止する請求項 32又は 33記載の露光装置。
[35] 前記帯電防止装置は、前記液浸機構によって前記光路空間に供給された後の液 体の帯電を防止する請求項 32〜34のいずれか一項記載の露光装置。
[36] 前記帯電防止装置は、前記液体に帯電している電気を取り除く除電装置を含む請 求項 32〜35の!、ずれか一項記載の露光装置。
[37] 前記帯電防止装置は、前記液体と接触する位置に設けられ、アースされた導電性 部材を含む請求項 32〜36のいずれか一項記載の露光装置。
[38] 前記帯電防止装置は、前記液体と、該液体の比抵抗を調整可能な所定物質とを混 合する混合装置を有する請求項 32〜37のいずれか一項記載の露光装置。
[39] 前記所定物質は二酸化炭素を含み、前記混合装置は前記二酸化炭素を前記液 体に溶解する請求項 38記載の露光装置。
[40] 前記所定物質はイオン化されたイオン液体を含む請求項 38記載の露光装置。
[41] 前記液浸機構は、脱気された液体を前記露光光の光路空間に供給する請求項 31
〜40の 、ずれか一項記載の露光装置。
[42] 前記帯電防止装置は、前記脱気された液体中での気泡の残留を抑制する請求項
41記載の露光装置。
[43] 基板を露光する露光装置において、
露光光の光路空間を液体で満たす液浸機構と、
前記液体中の帯電した気泡に起因する露光不良を防止する防止装置と、を備えた 露光装置。
[44] 前記防止装置は、前記液体中に生じた気泡の帯電を防止することによって、前記 露光不良を防止する請求項 43記載の露光装置。
[45] 前記防止装置は、前記液体の帯電を防止することによって、前記露光不良を防止 する請求項 43又は 44記載の露光装置。
[46] 請求項 31〜請求項 45の 、ずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方 法。
[47] 基板を露光する露光方法において、
露光光の光路空間に液体を供給し、
液体中での気泡の帯電を防止して、前記光路空間の液体中の気泡に起因する露 光不良を抑制する露光方法。
[48] 液体の帯電を防止することによって、液体中の気泡の帯電を防止する請求項 47記 載の露光方法。
[49] 基板を露光する露光方法において、
露光光の光路空間に液体を供給し、
液体の帯電を防止することによって、前記光路空間の液体中の気泡に起因する露 光不良を抑制する露光方法。
[50] 前記光路空間に供給される液体を脱気し、
前記脱気された液体中での気泡の残留を抑制する請求項 47〜49のいずれか一 項記載の露光方法。
[51] 基板を露光する露光方法において、
露光光の光路空間に液体を供給し、
液体または液体中の気泡の帯電を防止することによって、前記光路空間の液体中 の気泡の残留を抑制する露光方法。
[52] 請求項 47〜請求項 51の 、ずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方 法。
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