JP2005197690A - 液浸光リソグラフィのためのレンズ移動 - Google Patents
液浸光リソグラフィのためのレンズ移動 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005197690A JP2005197690A JP2004372593A JP2004372593A JP2005197690A JP 2005197690 A JP2005197690 A JP 2005197690A JP 2004372593 A JP2004372593 A JP 2004372593A JP 2004372593 A JP2004372593 A JP 2004372593A JP 2005197690 A JP2005197690 A JP 2005197690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens element
- final lens
- frame
- support surface
- horizontal support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title abstract description 30
- 238000007654 immersion Methods 0.000 title abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 3
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- FQWUNUXAOHTLLG-ASDGIDEWSA-N 6-[(3s,6s,9s,12r)-3,6-dibenzyl-2,5,8,11-tetraoxo-1,4,7,10-tetrazabicyclo[10.3.0]pentadecan-9-yl]-n-hydroxyhexanamide Chemical compound C([C@H]1C(=O)N2CCC[C@@H]2C(=O)N[C@H](C(N[C@@H](CC=2C=CC=CC=2)C(=O)N1)=O)CCCCCC(=O)NO)C1=CC=CC=C1 FQWUNUXAOHTLLG-ASDGIDEWSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 241000588724 Escherichia coli Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 液浸光リソグラフィのための装置は、液体環境において半導体ウエハの水平移動と同期した相対移動が可能であるレンズを有する。レンズ装置および半導体ウエハの同期した動きは、液体環境に伴う乱流および空気の泡を少なくするという利点がある。レンズおよび半導体ウエハの相対移動は、走査プロセスが行われるのとほぼ同時であり、この結果、液体環境での空気の泡、乱流、および崩壊を最小として、最適な画像解像度が得られる。
【選択図】 図1
Description
Lin,B.J.の論文「Newλ/NA scaling equationsfor resolution and depth-of-focus」Optical Microlithography XIII (2000年):759 「Depth of field and depth of focus」、2000年7月25日、インターネット<URL: http://www.matter.org.uk/tem/depth_of_field.htm.> 「Optical Lithography」、Craig Friedrich、1998年、インターネット<URL: http://www.me.mtu.edu/~microweb/chap1/ch1-4-1.htm> Switckes,M、M.Rothschildの論文「Resolution Enhancement of 157 nm Lithography by Liquid Immersion」Optical Microlithography XV(2002年):459
(h+c1)2+(c2)2 =r2 2、そして、cおよびcについて代入すると、
(h+ccosθ)2 +(csinθ)2 =r2 2 従って、
Claims (33)
- 光を投射することができる装置であって、
フレームと、
前記フレーム内に配置されたレンズ・システムと、
半導体ウエハを保持することができる、前記フレームに全体的に関連付けられた水平支持面と、
前記フレームの第1の端部の近くに配置された、前記レンズ・システム内の最終レンズ要素であって、前記半導体ウエハの近くに配置することができる最終レンズ要素表面を有する、前記最終レンズ要素と、
前記フレームの第2の端部の近くに配置され、前記レンズ・システムに光を通過させることができる光源と、
を備え、前記最終レンズ要素は前記フレームに対して動くことができることを特徴とする装置。 - 前記最終レンズ要素表面上の近接レンズ表面が、動作可能位置にある場合に、液体内に部分的または全体的に入れられることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記フレームに対して前記水平支持面のx、y、およびz寸法の動きを生成することができる第1の動き制御デバイスを更に備えることを特徴とする、請求項2に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素は、前記フレームに対して前記最終レンズ要素を動かすことができる第2の動き制御デバイスに結合されていることを特徴とする、請求項3に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素は軸を中心として角移動を行うことができることを特徴とする、請求項4に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素は単一の軸を中心として角移動を行うことができることを特徴とする、請求項4に記載の装置。
- 拡張コネクタによって、前記最終レンズ要素に1つ以上の結合点が結合されていることを特徴とする、請求項4に記載の装置。
- 前記第1の動き制御デバイスは、コンピュータ・システム、モータ、ベルト・システム、ねじ切りした軸またはキー軸、ギア・システム、カム機構、およびオペレータによって制御される手動機構から成る群の1つ以上から選択されることを特徴とする、請求項3に記載の装置。
- 前記近接レンズ表面と前記水平支持面との間の相対水平速度は、前記相対水平速度によって前記液体内に形成される乱流および空気の泡が前記装置の撮像品質を著しく劣化させないことを保証するのに充分なほど小さいことを特徴とする、請求項4に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素は一定の角速度で前記フレームに結合された軸を中心に回転し、前記フレームに対する前記水平支持面の水平速度は一定であることを特徴とする、請求項9に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素は可変角速度で前記フレームに結合された軸を中心に回転し、前記フレームに対する前記水平支持面の水平速度は一定であることを特徴とする、請求項9に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素は一定の角速度で前記フレームに結合された軸を中心に回転し、前記フレームに対する前記水平支持面の水平速度は可変であることを特徴とする、請求項9に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素は可変の角速度で前記フレームに結合された軸を中心に回転し、前記フレームに対する前記水平支持面の水平速度は可変であることを特徴とする、請求項9に記載の装置。
- 前記液体は、イオン化水、過フッ化ポリエーテルから成る群から選択されることを特徴とする、請求項2に記載の装置。
- 前記装置は、閉じた環境に存在し、前記閉じた環境の雰囲気は、アルゴン、乾燥窒素、および空気から成る群から選択された1つ以上の元素または組成で主に構成されることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記装置は、閉じた環境に存在し、前記閉じた環境の雰囲気は、1つ以上の不活性の光学的に透明な気体を備えることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素の断面は実質的に円柱形であることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素は、第1の湾曲表面領域および第2の湾曲表面領域を備え、前記第1の湾曲表面領域の湾曲度は前記第2の湾曲表面領域の湾曲度よりも大きく、前記第2の湾曲表面領域は前記水平支持面に実質的に対向していることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記最終レンズ要素は、第1の湾曲表面領域および第2の湾曲表面領域を更に備え、前記第1の湾曲表面領域の湾曲度は前記第2の湾曲表面領域の湾曲度よりも小さく、前記第2の湾曲表面領域は前記水平支持面に実質的に対向していることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 前記最終レンズの断面は円柱形であることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 光リソグラフィ装置においてフレーム内のレンズ・システムの最終レンズ要素を動かすための方法であって、
前記レンズ・システムを含む前記フレームに対して水平移動することができる水平支持面上にウエハを配置するステップと、
前記水平支持面上に前記ウエハを固定するステップと、
前記レンズ・システム内の前記最終レンズ要素を開始位置に配し、前記ウエハの走査中に前記水平支持面と同期して前記最終レンズ要素を動かすステップと、
を備えることを特徴とする方法。 - 前記水平支持面上に前記ウエハを固定するステップの後に、前記方法は、
前記ウエハを液体に浸漬するステップと、
前記ウエハの上面の近くで前記最終レンズ要素の一部を前記液体内に浸漬するステップと、
を更に備えることを特徴とする、請求項21に記載の方法。 - 前記水平支持面と同期して前記最終レンズ要素を動かすステップは、前記最終レンズ要素の近接レンズ表面と前記ウエハの水平速度との間の相対水平速度を、前記相対水平速度によって前記液体内に形成される乱流および空気の泡が前記装置の撮像品質を著しく損なわないほどに小さく維持するステップを更に備えることを特徴とする、請求項22に記載の方法。
- 前記水平支持面と同期して前記最終レンズ要素を動かすステップは、前記フレームに結合された軸を中心として前記最終レンズ要素を回転させるステップを備えることを特徴とする、請求項23に記載の方法。
- 前記水平支持面と同期して前記最終レンズ要素を動かすステップは、
前記最終レンズ要素を一定の角速度で回転させるステップと、
一定の水平速度で前記フレームに対して前記水平支持面を動かすステップと、
を更に備えることを特徴とする、請求項24に記載の方法。 - 前記水平支持面と同期して前記最終レンズ要素を動かすステップは、
前記最終レンズ要素を可変の角速度で回転させるステップと、
前記フレームに対して一定の水平速度で前記水平支持面を前記フレーム対して動かすステップと、
を更に備えることを特徴とする、請求項24に記載の方法。 - 前記水平支持面と同期して前記最終レンズ要素を動かすステップは、
前記最終レンズ要素を一定の角速度で回転させるステップと、
前記フレームに対して可変の水平速度で前記水平支持面を前記フレームに対して動かすステップと、
を更に備えることを特徴とする、請求項24に記載の方法。 - 前記水平支持面と同期して前記最終レンズ要素を動かすステップは、
前記最終レンズ要素を可変の角速度で回転させるステップと、
前記フレームに対して可変の水平速度で前記水平支持面を前記フレームに対して動かすステップと、
を更に備えることを特徴とする、請求項24に記載の方法。 - 前記最終レンズ要素の同期した動きは、
コンピュータ・システム、
モータ、
ギア・システム、
カム、
オペレータの手動制御、
から成る群から選択された1つ以上の制御機構によって形成されることを特徴とする、請求項21に記載の方法。 - 前記方法は、前記ウエハを走査し前記最終レンズ要素を同期して動かすステップの後に、前記ウエハの各フィールドの走査の後に、前記ウエハの必要な走査が完了するまで、前記ウエハの次のフィールドに前記最終レンズ要素を再び位置決めするステップを更に備えることを特徴とする、請求項21に記載の方法。
- 前記方法は、前記ウエハを走査し前記最終レンズ要素を同期して動かすステップの後に、
前記液体環境から前記最終レンズ要素を除去するステップと、
前記液体を除去することによって前記液体環境を取り除くステップと、
前記液体環境から前記ウエハを除去するステップと、
前記ウエハを解放し除去するステップと、
を更に備えることを特徴とする、請求項21に記載の方法。 - 前記方法は、前記ウエハを走査し前記最終レンズ要素を同期して動かすステップの後に、前記最終レンズ要素をきれいにするステップを更に備えることを特徴とする、請求項21に記載の方法。
- 前記方法は、前記ウエハを走査し前記最終レンズ要素を同期して動かすステップの後に、前記走査の解像度がほぼ最適化されるように前記水平支持面のz寸法位置を調節するステップを更に備えることを特徴とする、請求項21に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/749,638 US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | Moving lens for immersion optical lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005197690A true JP2005197690A (ja) | 2005-07-21 |
JP4215713B2 JP4215713B2 (ja) | 2009-01-28 |
Family
ID=34711108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004372593A Expired - Fee Related JP4215713B2 (ja) | 2003-12-31 | 2004-12-24 | 光投射装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7088422B2 (ja) |
JP (1) | JP4215713B2 (ja) |
CN (1) | CN1637612A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006137410A1 (ja) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2007034838A1 (ja) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
CN112813482A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-18 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 芯片电镀系统及芯片电镀控制方法 |
Families Citing this family (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
KR101506408B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR20050110033A (ko) * | 2003-03-25 | 2005-11-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1612850B1 (en) | 2003-04-07 | 2009-03-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing a device |
KR20110104084A (ko) * | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
KR101364889B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2014-02-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
EP1611486B1 (en) * | 2003-04-10 | 2016-03-16 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
JP4488005B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
JP4656057B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
SG10201803122UA (en) * | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
KR101861493B1 (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
WO2004095135A2 (en) * | 2003-04-17 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2004102646A1 (ja) * | 2003-05-15 | 2004-11-25 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI421911B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
TWI474380B (zh) | 2003-05-23 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
KR101915914B1 (ko) * | 2003-05-28 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101940892B1 (ko) * | 2003-06-13 | 2019-01-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
KR101686762B1 (ko) | 2003-06-19 | 2016-12-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
JP2007527615A (ja) * | 2003-07-01 | 2007-09-27 | 株式会社ニコン | 同位体特定流体の光学素子としての使用方法 |
WO2005010611A2 (en) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
WO2005006418A1 (ja) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1643543B1 (en) * | 2003-07-09 | 2010-11-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
EP2264531B1 (en) | 2003-07-09 | 2013-01-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP3346485A1 (en) | 2003-07-25 | 2018-07-11 | Nikon Corporation | Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method |
KR101343720B1 (ko) * | 2003-07-28 | 2013-12-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법 |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8149381B2 (en) | 2003-08-26 | 2012-04-03 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
SG133590A1 (en) | 2003-08-26 | 2007-07-30 | Nikon Corp | Optical element and exposure device |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005022616A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP4444920B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101323396B1 (ko) | 2003-09-29 | 2013-10-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
KR101203028B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-11-21 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
JP4335213B2 (ja) | 2003-10-08 | 2009-09-30 | 株式会社蔵王ニコン | 基板搬送装置、露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005136364A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
KR101682884B1 (ko) | 2003-12-03 | 2016-12-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품 |
US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
KR101681852B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2016-12-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
JPWO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2007-07-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
JP2005195878A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Olympus Corp | 対物レンズ、光分析装置、光分析装置の運転方法および顕微鏡 |
CN1938646B (zh) * | 2004-01-20 | 2010-12-15 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 曝光装置和用于投影透镜的测量装置 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101377815B1 (ko) | 2004-02-03 | 2014-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
TW201816844A (zh) * | 2004-03-25 | 2018-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
JP4510494B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101257960B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-04-24 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
KR101421915B1 (ko) | 2004-06-09 | 2014-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE602005016429D1 (de) | 2004-07-12 | 2009-10-15 | Nippon Kogaku Kk | Hren |
KR20070048164A (ko) * | 2004-08-18 | 2007-05-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060044533A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Asmlholding N.V. | System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system |
CN101487981A (zh) * | 2004-10-13 | 2009-07-22 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及组件制造方法 |
US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8692973B2 (en) * | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20180125636A (ko) * | 2005-01-31 | 2018-11-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7816071B2 (en) * | 2005-02-10 | 2010-10-19 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process of imaging a photoresist with multiple antireflective coatings |
US20060177772A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Abdallah David J | Process of imaging a photoresist with multiple antireflective coatings |
US7282701B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070085989A1 (en) * | 2005-06-21 | 2007-04-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method |
US20070070323A1 (en) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
US7357768B2 (en) * | 2005-09-22 | 2008-04-15 | William Marshall | Recliner exerciser |
EP1783553A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-09 | Interuniversitair Microelektronica Centrum | Method of studying interaction between immersion fluid and substrate |
US20070124987A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Brown Jeffrey K | Electronic pest control apparatus |
KR100768849B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2007-10-22 | 엘지전자 주식회사 | 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법 |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102006021797A1 (de) | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung |
US8072577B2 (en) * | 2006-06-05 | 2011-12-06 | Macronix International Co., Ltd. | Lithography systems and processes |
US20070296937A1 (en) * | 2006-06-26 | 2007-12-27 | International Business Machines Corporation | Illumination light in immersion lithography stepper for particle or bubble detection |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8654305B2 (en) * | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US7841352B2 (en) * | 2007-05-04 | 2010-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US8947629B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7866330B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
KR101448152B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2014-10-07 | 삼성전자주식회사 | 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서 |
JP5097166B2 (ja) * | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
US8946514B2 (en) * | 2009-12-28 | 2015-02-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
US9017934B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-04-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist defect reduction system and method |
US9245751B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-reflective layer and method |
US8932799B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US9256128B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9354521B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US9110376B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US9502231B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist layer and method |
US9175173B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-11-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Unlocking layer and method |
US9543147B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of manufacture |
US9117881B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conductive line system and process |
US9341945B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of formation and use |
US10036953B2 (en) | 2013-11-08 | 2018-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist system and method |
US10095113B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist and method |
US9761449B2 (en) | 2013-12-30 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Gap filling materials and methods |
US9599896B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-03-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US9581908B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6232613A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 投影露光装置 |
US4978212A (en) * | 1989-12-21 | 1990-12-18 | Amarel Precision Instruments, Inc. | Opthalmometer |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
US5900354A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
JP3385213B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2003-03-10 | ペンタックス株式会社 | 光ヘッド用対物レンズ |
US6984334B2 (en) * | 2000-06-08 | 2006-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing optical element |
JP2002083766A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-03-22 | Nikon Corp | 投影光学系、該光学系の製造方法、及び前記光学系を備えた投影露光装置 |
US6999195B2 (en) * | 2000-12-22 | 2006-02-14 | Polaroid Corporation | Digital imaging device |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
-
2003
- 2003-12-31 US US10/749,638 patent/US7088422B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-19 CN CN200410095318.9A patent/CN1637612A/zh active Pending
- 2004-12-24 JP JP2004372593A patent/JP4215713B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006137410A1 (ja) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
JP5045437B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2012-10-10 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2007034838A1 (ja) * | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Nikon Corporation | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
CN112813482A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-18 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 芯片电镀系统及芯片电镀控制方法 |
CN112813482B (zh) * | 2020-12-30 | 2021-11-02 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 芯片电镀系统及芯片电镀控制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050145803A1 (en) | 2005-07-07 |
US7088422B2 (en) | 2006-08-08 |
JP4215713B2 (ja) | 2009-01-28 |
CN1637612A (zh) | 2005-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4215713B2 (ja) | 光投射装置 | |
TWI353490B (en) | Projection exposure method and projection exposure | |
US6841323B2 (en) | Mask producing method | |
TWI569109B (zh) | 減輕缺陷可印刷性之方法以及用於極紫外線微影製程的方法 | |
KR100587625B1 (ko) | 반사형 투영 광학계, 그것을 사용한 노광장치, 및 디바이스 제조방법 | |
JP2006120674A (ja) | 露光装置及び方法、デバイス製造方法 | |
JP2008046210A (ja) | レチクル及びこれを用いた露光方法及び装置、並びにレチクルのパターン作成方法、パターン形成方法及び半導体装置 | |
KR20040075764A (ko) | 카톱트릭형 투영광학계와 노광장치 | |
Chan et al. | Development and applications of a laser writing lithography system for maskless patterning | |
JP2003045782A (ja) | 反射型縮小投影光学系及びそれを用いた露光装置 | |
JP5027154B2 (ja) | 液浸露光装置及び液浸露光方法 | |
KR102340171B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 방법 | |
US8780328B2 (en) | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2005209706A (ja) | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 | |
JP3731566B2 (ja) | 露光方法、マスク製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2009044146A (ja) | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
KR100514063B1 (ko) | 투영광학계와 노광장치 | |
JP2010107596A (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2008158211A (ja) | 投影光学系及びそれを用いた露光装置 | |
JP5002009B2 (ja) | 光学装置 | |
JP2004158786A (ja) | 投影光学系及び露光装置 | |
JP2005166778A (ja) | 露光装置、デバイスの製造方法 | |
JP4387902B2 (ja) | 反射型投影光学系、当該投影光学系を有する露光装置、並びに、デバイス製造方法 | |
JP2009164356A (ja) | 走査露光装置およびデバイス製造方法 | |
US20050185165A1 (en) | Illumination apparatus and exposure apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080610 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080820 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081021 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081104 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |