WO2006073077A1

WO2006073077A1 - 赤外発光ダイオード及びその製造方法

Info

Publication number: WO2006073077A1
Application number: PCT/JP2005/023749
Authority: WO
Inventors: Haruhiko Watanabe; Yoshinori Kurosawa; Takashi Araki
Original assignee: Dowa Electronics Materials Co., Ltd.
Priority date: 2005-01-05
Filing date: 2005-12-26
Publication date: 2006-07-13
Also published as: KR20070104362A; US20090008658A1; JP2006190792A; US8017960B2; JP4273237B2; DE112005003346T5

Abstract

　赤外発光ダイオード（１）は、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（０．１５≦ｘ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｐ型クラッド層（２）と、ｐ型のＡｌy Ｇａ1-y Ａｓ（０≦ｙ≦０．０１）を含む活性層（３）と、ｎ型のＡｌz Ｇａ1-z Ａｓ（０．１５≦ｚ≦０．４５）を含む少なくとも１層のｎ型クラッド層（４）とを有し、活性層（３）の厚みは、２～６μｍであり、室温における発光ピーク波長を８８０～８９０ｎｍとすることができ、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方への、高出力、高速応答可能な赤外光源として利用可能である。

Description

明細書

赤外発光ダイオード及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用可能な赤外発光ダイオード及びその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 化合物半導体の pn接合に順方向電流を流して発光させる発光ダイオード（以下、適宜、 LEDと呼ぶ）のうち、 AlGaAs、 GaAs系 LEDは赤外線通信やリモコン操作等の分野で広く使われている。例えば、赤外線通信に使用される LEDとしては、大容量のデータ通信に対応するため、より高出力化、高速化が要求されるので、ダブルへテロ（DH)構造の LEDが使用されている。 DH構造の LEDにおいて、活性層の厚みは薄いほど出力及び応答性に有利であり、通常 1 / m程度とされている。

特許文献 1には、上記 DH構造の LEDが開示されており、活性層へ添加する実効的不純物（ドーパント）としてゲルマニウム（Ge)を用い、活性層の厚みを 0· 5〜： L 5 z mとすることにより、高出力、高信頼性、かつ応答性の良レ、 LEDが得られることが記載されている。

[0003] また、リモコン操作用に使用される LEDとしては、 GaAsの液相成長によるホモ接合型 LEDが使用されている。この LEDの pn接合は、液相成長する時にドーパントとして用いるシリコン (Si)が成長温度により p型力も n型へ変換する、所謂 pn反転を利用して形成されている。 Siは、 GaAs中に他のドーパントに比べて深い不純物準位を形成するため、 GaAsホモ接合型 LEDの発光波長は GaAs吸収端（870nm)よりも長い波長側に広く分布する。し力、しながら、キャリアの拡散距離が長いために、そのパルス応答性は遅いものであった。このため、パルス応答における、 Tr (立ち上がり時間）及び Tf (立ち下がり時間）は、数/ i secが限界であった。

[0004] 特許文献 1 :特開平 8— 293622号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題 [0005] 近年、携帯電話等の小型の端末機器が各種開発され、赤外線通信とリモコン操作通信の両機能を兼ね備えた端末機器も開発されている。機器間の送受信に用いられる赤外通信の場合には、例えば 850〜900nmの赤外線が用いられ、リモコン操作通信の場合には、受光部の感度が高レ、波長帯の例えば 880〜940nmの赤外線が用いられている。従来はこれら 2つの機能を兼ね備える場合、発光波長の異なる 2種類の LEDを用意する必要があった。

[0006] 上記の赤外線通信とリモコン操作通信の双方に使用できる LEDとしては、発光波長力例えば受光部の感度が高い波長である 880nmより長波長側にピーク波長領域を有する必要があった。し力、しながら、特許文献 1に記載された DH構造 LEDは、その発光ピーク波長が 800〜870nmであり、 870nmより長波長の LEDが得られないという課題がある。

[0007] 一方、 Si添加の GaAsホモ接合型 LEDでは、 870nmより長波長の赤外発光が得られる力赤外線通信に対応できる高速な応答性を得ることができなレ、。

[0008] 本発明は、以上の点に鑑み、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用可能であり、高出力、かつ、高速応答可能な、赤外発光ダイオードを提供することを目的としている。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明者らは鋭意研究した結果、 AlGaAs系赤外 LEDにおいて、活性層厚みを 2 〜6 μ mとすることにより 870nmより長波長側の発光ピーク波長が得られること、 p型活性層の実効的不純物を Geとすれば、 880〜890nmの範囲に発光ピーク波長を有し、ホモ接合型 LEDに比べ高出力で、且つ、 Tr及び Tfが短いことにより高速応答性の LEDを作製できること、そして、赤外線通信及びリモコン操作用通信に兼用できる発光特性が得られること、などの知見を得て本発明に至ったものである。

[0010] 上記目的を達成するため、本発明の赤外発光ダイオードは、 p型の Al Ga As (0 x 1-x

• 15≤x≤0. 45)を含む少なくとも 1層の p型クラッド層と、 p型の Al Ga As (0≤y y l-y

≤0. 01)を含む活十生層と、 n型の Al Ga As (0. 15≤z≤0. 45)を含む少なくとち

z 1- z

1層の n型クラッド層とを有し、活性層の厚みが 2〜6 μ ΐηであり、赤外線通信とリモコン操作通信との双方の赤外光源として使用できることを特徴とする。本発明によれば、 p型活性層の厚みを 2〜6 / mとすることにより、赤外線発光波長を所望の波長に制御して、赤外線通信とリモコン操作通信との双方の赤外光源として使用できる赤外発光ダイオードを提供することができる。

[0011] 好ましくは、活性層の実効的不純物は、 Geで形成されている。この構成によれば、活性層の実効的不純物は Geであるので、高出力、高速応答の赤外発光ダイオードを実現すること力 Sできる。

[0012] 赤外発光ダイオードの室温における発光ピーク波長は、好ましくは 880〜890nm である。このため、本発明の赤外発光ダイオードを、赤外線通信とリモコン操作用通信との両方の用途への赤外光源として使用することができる。

[0013] また、上記の赤外発光ダイオードの製造方法は、 p型クラッド層と、 p型活性層と、 n 型クラッド層と力 GaAs基板上にェピタキシャル成長により形成され、ェピタキシャル成長後に、基板が除去されることにより製造されることを特徴とする。

上記製造方法によれば、発光ピーク波長が 880〜890nmであり、赤外線通信とリモコン操作用通信との両方の用途への高出力、高速応答ができる赤外発光ダイォードを、量産性よぐ低コストで製造することができる。

発明の効果

[0014] 本発明によれば、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用可能であり、高出力、高速応答ができる赤外発光ダイオードを提供することができる。このため、赤外線通信及びリモコン操作用通信機能を有する機器では、波長の異なる 2種類の赤外発光ダイオードを使用する必要があったものが、本発明では、赤外発光ダイオードを 1個使用するだけでよぐ 2種類の赤外発光ダイオードを使用する必要がなくなる。また、本発明の赤外発光ダイオードの製造方法によれば、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用可能であり、高出力、高速応答ができる赤外発光ダイォードを量産性よぐ低コストで製造することができる。

図面の簡単な説明

[0015] [図 1]本発明の赤外発光ダイオードの構造を示す模式的な断面図である。

[図 2]本発明の赤外発光ダイオードのェピタキシャル成長に使用するボートの模式断面図である。 [図 3]実施例の赤外発光ダイオードにおける、活性層厚さ dを変化させたときのピーク発光波長及びピーク発光波長における発光出力を示すグラフである。

[図 4]実施例の赤外発光ダイオードにおける、活性層厚さ dを変化させたときの発光の立ち上がり時間 Tr及び立ち下がり時間 Tfを示すグラフである。

符号の説明

[0016] 1 :赤外発光ダイオード

2 : p型クラッド層

3 :活性層 (p型活性層）

4 : n型クラッド層

5 : ρ層電極

6 : η層電極

10 :ボート

11 :るつぼ

12 :ベース

13 :仕切り

14 : GaAs基板

発明を実施するための最良の形態

[0017] 以下、本発明の実施形態に係る赤外発光ダイオードの構造について、図 1を参照しながら説明する。

図 1は、本発明の赤外発光ダイオードの構造を示す模式的な断面図である。本発明の赤外発光ダイオード 1は、 p型クラッド層 2と、活性層 3と、 n型クラッド層 4と、からなる DH構造 (ダブルへテロ構造）を有し、 p型クラッド層 2及び n型クラッド層 4には、それぞれ、 p層電極 5及び n層電極 6が形成されている。赤外発光ダイオード 1の上下両面に形成される電極 5, 6の形状は任意に選定することができる。なお、赤外発光ダイオード 1は、図 1とは逆、すなわち、上方から順に、 p層電極 5、 p型クラッド層 2、活性層 3、 n型クラッド層 4、 n層電極 6としてもよい。

[0018] p型クラッド層 2は、 p型の Al Ga As (ここで、 xは混晶組成であり、 0. 15≤x≤0.

1-

45)を含む少なくとも 1層の p型クラッド層 2からなる。 p型クラッド層 2は、上記 p型の A1 Ga As層上に、さらに、 p型 GaAs層を形成した 2層構造を有していてもよい。例え 1—

ば、 p型 GaAs層を高不純物密度層とすれば、 p層電極 5を容易に形成でき、直列抵抗の低減ができると共に、応答性能を向上させることができる。

[0019] n型クラッド層 4は、 n型の Al Ga As (ここで、 zは混晶組成であり、 0. 15≤z≤0.

1

45)を含む少なくとも 1層の n型クラッド層 4からなる。 n型クラッド層 4は、上記 n型の A1 Ga As層上に、さらに、 n型 GaAs層を形成した 2層構造を有していてもよレ、。例え

1

ば、 n型 GaAs層を高不純物密度層とすれば、 n層電極 6を容易に形成し、直列抵抗の低減ができ、応答性能を向上させることができる。

[0020] p型及び _n型クラッド層 2, 4には、活性層 3に対して、キャリアとなる電子及び正孔の閉じこめ効果と、光の閉じこめ効果と、の両方の作用が要求されるので、上記 Al Ga

1

As及び Al Ga As層の Al組成である x及び zを、 0. 15以上とする必要がある。

1

一方、 Al組成 X, zの上限としては、キャリア及び光の閉じ込めのためには、原理的には高くてもよい。し力ながら、 A1組成の上昇に伴い、通電による赤外発光ダイォードの腐食劣化の問題が生じたり、また、ォーミックロスによる順方向電圧の上昇が引き起こされるので好ましくない。このため、 A1組成は、 0. 15≤x, z≤0. 45であることが望ましい。

[0021] 活性層 3は、 p型及び n型のクラッド層 2, 4の間に挿入される層であり、発光層となる領域である。活性層 3は、 p型の Al Ga As (0≤y≤0. 01)を含む層、すなわち Ga i

Asを含む層又は Al Ga As (ここで、 yは混晶組成であり、 0 <y≤0. 01)を含む層

i

力なる。 A1の組成 yは、 0. 01以上では、長波長の赤外光が発光しに《なるので、好ましくない。

活性層 3の導電型は、発光効率からは p型が好ましい。そして、高速応答性及び高信頼性のためには p型活性層 3の実効的不純物としては、 Geが好ましい。本発明の赤外発光ダイオード 1を高速応答性とするためには、 p型活性層 3の不純物密度としては、おおよそ、 l X 10¹⁸cm ³以上とすればよい。本発明において実効的不純物とは、実効的に支配する不純物を示すものである。例えば、 p型活性層 3の Geによる不純物密度よりも低い、少量の Zn (亜鉛）や Mg (マグネシウム）が添加されてもよい。

[0022] 活性層 3の厚さを、 2〜6 μ mとすることにより、赤外発光ダイオードの室温における発光ピーク波長を 880〜890nmとすることができる。活性層 3の厚さが 2 μ m以下では、発光波長が 880nmよりも短波長側にずれるので好ましくない。一方、活性層 3の厚さを、 6 μ ΐη以上としても、発光波長の長波長側へのシフト量が飽和し、発光出力も低下するので好ましくなレ、。

なお、 LEDの発光波長は、発光部すなわち pn接合部の温度に依存して変化し、周囲温度が高い場合や高電流動作で接合部の温度が高い場合には、発光強度の最も大きい発光波長、すなわち発光ピーク波長は、長波長側に移動する。このため、本発明の赤外発光ダイオードのピーク発光波長は、室温において、直流順方向電流力 ¾0mAのときの測定値で定義する。

[0023] 本発明の赤外発光ダイオードによれば、発光ピーク波長を 880〜890nmとすることができるので、赤外線通信とリモコン操作用通信との両方の用途への高出力赤外光源として使用すること力 Sできる。そして、発光時のパルス応答が高速であるので、速度の遅いリモコン操作用通信用のみならず、高速赤外線通信に対応できる。

[0024] 次に、本発明の実施形態に係る赤外発光ダイオードの製造方法について説明する本発明の赤外発光ダイオード 1は、以下のようにして製造することができる。最初に、 GaAs基板上に、 p型クラッド層 2、活性層 3、 n型クラッド層 4の順にェピタキシャノレ成長を行って DH構造を得る。成長の順序は、上記とは逆の、 n型クラッド層 4、活性層 3、 p型クラッド層 2の順番でもよい。用いる GaAs基板は、後述するように、ェピタキシャル成長の後で除去する場合には、 p型、 n型、半絶縁性、アンドープの何れであつてもよレ、。 GaAs基板を除去しない場合には、最初に成長させるクラッド層の導電型に対応する P型又は n型の GaAs基板を使用すればよい。

続いて、 DH構造が形成された GaAs基板から、 GaAs基板を除去し、 DH構造を得る。

次に、 DH構造の p型クラッド層 2及び n型クラッド層 4にそれぞれ電極 5, 6を形成し、所定の面積のチップに分割する。その後で、光の取り出し効率を高めるためにチップ表面を荒らしてもよい。

その後、上記チップの下面電極をリードフレームの一方に固着し、リードフレームの他方と上面電極との間を金線や Al線を用いたワイヤーボンディングにより接続して、チップが搭載されたリードフレームの上方をエポキシコートすることにより砲弾型の赤外発光ダイオードを製造することができる。

[0025] ェピタキシャル成長は、液相成長法や MOCVD法などを用いることができる。液相成長法の場合には、徐冷法や温度差法を用いることができる。光の取り出し効率向上のためには GaAs基板を除去することが好適である。この場合には、 DH構造自体の膜厚は、電極形成などの後工程で破損しないように、 100 111〜200 111とすることが好ましい。このため、ェピタキシャル結晶成長方法としては、厚い成長層と高品質の結晶が容易に得られ、かつ、量産ができ、低コストである、液相成長法が好適である。

[0026] 次に、 DH構造のェピタキシャル成長について、詳しく説明する。

図 2は、本発明の赤外発光ダイオードのェピタキシャル成長に使用するボートの模式断面図である。図 2に示すように赤外発光ダイオードのェピタキシャル成長に使用するボート 10は、るつぼ 11とベース 12と仕切り 13との 3点の部品から構成されている。これらの部品の材料としては、カーボンを用いることができる。

るつぼ 11は、少なくとも 3槽からなる。これは、 p型クラッド層 2、活性層 3、 n型クラッド層 4のェピタキシャル成長に必要な、組成及びドーパントの異なる溶液槽が 3槽必要なことによる。るつぼ 11の各槽には、 DH構造の各層の所定組成になるような、 Ga 原料、 A1原料、 GaAs原料及びドーパントがそれぞれ調合され充填されている。各槽に充填された各層の成長原料は、原料溶液となる。また、ベース 12の中には GaAs 基板 14が収納されている。

[0027] 次に、ボート 10を用いた DH構造の徐冷法によるェピタキシャル成長について説明する。

最初に、るつぼ 11内に原料が充填されたボート 10は、電気炉内の石英管に収容され、窒素ガスパージや真空引きの後、水素ガスなどが流され、電気炉により成長温度まで昇温され、所定の時間保持される。

次に、ボート 10が、電気炉の制御により徐冷されるとともに、るつぼ 11を動かして原料溶液を、 GaAs基板 14が収納されているベース 12内に導入する。そして、所定の温度、時間と徐冷速度により、ェピタキシャル成長を行い、仕切り 13を操作して成長後の原料溶液を GaAs基板から分離する。この繰り返しにより DH構造の各層 2, 3, 4 を成長させることができる。

ここで、 AlAsの偏析係数が GaAsのそれより大きいため、クラッド層 2， 4の厚い層を成長させる場合に、 Ga中の AlAs成分が減少し、クラッド層 2， 4内の A1組成 x， zが傾斜する。一方、活性層 3は、厚みがクラッド層 2, 4の厚さに比べて非常に薄いので、 A1組成 yの変動は殆ど生起しなレ、。

[0028] 本発明の赤外発光ダイオードの製造方法によれば、発光ピーク波長を 880〜890 nmとすることで、赤外線通信とリモコン操作用通信との両方の用途への高出力、高速応答ができる赤外発光ダイオードを、量産性よぐ低コストで製造することができる。実施例

[0029] 以下、実施例に基づいて、本発明をさらに詳細に説明する。

本発明の実施例においては、液相成長法として徐冷法を用い、 GaAs基板上に p 型クラッド層 2と p型活性層 3と n型クラッド層 4とからなる DH構造をェピタキシャル成長させた。ェピタキシャル成長は、 p型クラッド層 2及び n型クラッド層 4の厚さを、それぞれ約 100 μ m、約 60 μ mと固定し、 p型活性層 3となる AlGa As層の厚さを種々

1- y

変化させた。成長温度は、 600〜900°Cの範囲であった。

[表 1]

表 1は、実施例で製造した DH構造の各層の Al組成、不純物密度、用いた不純物（ドーパント）、厚さの一例を示す表である。表 1から明らかなように、 p型クラッド層 2の組成 Xは 0· 15〜0· 45であり、 Ζηによる不純物密度は 3 X 10¹⁷cm³であり、厚さは 10 0 /i mである。 p型活性層 3の組成 yは 0、すなわち、 GaAsであり、 Geによる実効的不純物密度は 2 X 10¹⁸cm³であり、厚さは種々変えたので d /i mと表記している力 0. 5 /ι πι〜8 μ ΐη程度の厚さとした。 η型クラッド層 4の組成 ζは 0. 20〜0. 45であり、 Te による不純物密度は 6 X 10¹⁷cm³であり、厚さは 60 /i mである。なお、上記組成 x, z は、上記したようにそれぞれ各膜厚内の変動幅を示している。

[0030] 次に、 GaAs基板を除去し、 p型クラッド層 2及び n型クラッド層 4にそれぞれ、電極 5 , 6を形成し、所定の面積のチップに分割して赤外発光ダイオード 1を上記で説明した方法により製造した。この赤外発光ダイオードのチップの大きさは、 0. 32mm X 0. 32mmの面積を有し、その厚さは、活性層の厚さがクラッド層よりも十分に薄いので無視すると、約 160 μ mである。

[0031] 次に、上記実施例の赤外発光ダイオードの発光特性について説明する。

図 3は、実施例の赤外発光ダイオードにおける、活性層の厚さ dを変化させたときのピーク発光波長及びピーク発光波長における発光出力を示すものである。図において、横軸は活性層厚さ d ( / m)を、左縦軸はピーク発光波長 (nm)を、右縦軸はピーク発光波長での光出力（mW)を示している。発光ダイオード 1には、室温（25°C)で 2 OmAの電流を流している。発光特性は、分光器 (MCPD3000大塚電子 (株）製）を用いて測定した。

図から明らかように、活性層厚さ dを 0. 5 / m力ら 6 μ ΐηまで変ィ匕させたときに、ピーク発光波長が約 870〜890nmまで変化する。そして、活性層厚さ dが 2 μ m〜6 μ m の間では、ピーク発光波長が約 880nm〜890nmとなることが分かる。この際、ピーク発光波長における出力は、 4mW前後の高出力が得られた。これにより、上記 880η m〜890nmのピーク発光波長は、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方に利用できる赤外光領域の境界に当たる波長に相当し、し力、も、高出力である。

[0032] 図 4は、実施例の赤外発光ダイオードにおける、活性層厚さ dを変化させたときの発光の立ち上がり時間 Tr及び立ち下がり時間 Tfを示す図である。図において、横軸は活性層厚さ d ( z m)を示し、縦軸は立ち上がり時間 Tr及び立ち下がり時間 Tf (nsec) を示し、立ち上がり時間 Trは菱形（♦印）で、立ち下がり時間 Tf (nsec)は四角（國印 )で表わしている。ここで、立ち上がり時間 Tr及び立ち下がり時間 Tfの測定は、赤外発光ダイオード 1に、ノノレス幅 125nsec、デューティ比 25%、ピーク電流 500mAのパルスを印加して測定した。

図から明らかように、活性層厚さ dを 2 / mから 6 / mまで変化させたときに、立ち上力 Sり時間 Tr及び立ち下がり時間 Tfはほぼ同じ値であり、約 37nsecから 55nsec程度であり、赤外線通信に要求される遮断周波数に対応できる応答性能であることが分かる。

[0033] 次に、活性層厚さを 2. 8 μ m及び 4. 8 μ mとした赤外発光ダイオード 1の発光特性例を説明する。

ピーク発光波長等の測定は、室温で、直流順方向電流を 20mA印加したときの値である。活性層厚さを 2. 8 x mとした赤外発光ダイオードにおいては、ピーク発光波長は 885nmであり、その半値幅 (発光出力が 1/2となる発光波長幅）は 51nmであつた。その発光出力は 3. 82mWであった。また、パルス電流 500mA駆動時の立ち上がり時間 Tr及び立ち下がり時間 Tfは、それぞれ、 30nsecであった。活性層厚さを 4. 8 /i mとした赤外発光ダイオードにおいては、ピーク発光波長は 885nmであり、その半値幅は 51nmであった。その発光出力は 3. 59mWであった。また、パルス電流 500mA駆動時の立ち上がり時間 Tr及び立ち下がり時間 Tfは、それぞれ、 65nsec であった。

[0034] 本発明は、これらの実施例に限定されるものではなぐ特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれることはいうまでもない。例えば、エポキシコートの赤外発光ダイオードだけに限定されることなぐ各種のモデュール用赤外発光ダイオードチップなどにも使用することができる産業上の利用可能性

[0035] 本発明の赤外発光ダイオードによれば、発光ピーク波長を 880nm〜890nmとすること力 Sできるので、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方への、高出力、高速応答可能な赤外光源として使用することができる。したがって、高速赤外通信用の赤外光源として使用でき、例えば、 IrDA (赤外線通信の規格制定団体である Infrared Data Associationの略称）用赤外光源として利用可能である。

Claims

請求の範囲

[1] p型の Al Ga As (0. 15≤x≤0. 45)を含む少なくとも 1層の p型クラッド層と、

1

p型の Al Ga As (0≤y≤0. 01)を含む活性層と、

l

n型の Al Ga As (0. 15≤z≤0. 45)を含む少なくとも 1層の n型クラッド層と、を有し、

上記活性層の厚みは、 2〜6 z mであり、赤外線通信とリモコン操作通信との双方の赤外光源として使用し得ることを特徴とする、赤外発光ダイオード。

[2] 前記活性層の実効的不純物が、 Geで形成されていることを特徴とする、請求項 1に記載の赤外発光ダイオード。

[3] 前記赤外発光ダイオードの室温における発光ピーク波長は、 880〜890nmであることを特徴とする、請求項 1又は 2に記載の赤外発光ダイオード。

[4] 赤外線通信とリモコン操作通信との双方の赤外光源として使用し得る赤外発光ダイオードの製造方法であって、

p型の Al Ga As (0. 15≤x≤0. 45)を含む少なくとも 1層の p型クラッド層と、 p型

1- の Al Ga As (0≤y≤0. 01)を含む 2〜6 μ mの厚さの活性層と、 n型の Al Ga

l 1

As (0. 15≤z≤0. 45)を含む少なくとも 1層の n型クラッド層と、が GaAs基板上にェピタキシャル成長により形成され、

上記ェピタキシャル成長後に、上記基板が除去されることにより製造されることを特徴とする、赤外発光ダイオードの製造方法。

[5] 前記活性層の実効的不純物を、 Geで形成することを特徴とする、請求項 4に記載の赤外発光ダイオードの製造方法。

[6] 前記赤外発光ダイオードの室温における発光ピーク波長力 S、 880〜890nmであることを特徴とする、請求項 4又は 5に記載の赤外発光ダイオードの製造方法。