JPS61128581A - 発光ダイオードのマトリツクスおよびその製造方法 - Google Patents
発光ダイオードのマトリツクスおよびその製造方法Info
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- JPS61128581A JPS61128581A JP60258811A JP25881185A JPS61128581A JP S61128581 A JPS61128581 A JP S61128581A JP 60258811 A JP60258811 A JP 60258811A JP 25881185 A JP25881185 A JP 25881185A JP S61128581 A JPS61128581 A JP S61128581A
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- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少な(とも1つの第1導電型のm−■族半導
体材料の活性層および第2導電型の■−V族半導体材料
の外面の注入層と、少なくとも1つの列に配され、前記
の活性層および注入層の厚さに亘って延在し、このため
少なくとも部分的に前記の層内で個々のダイオードを互
に分離し、少なくとも導電接触部の一部を有する半絶縁
帯域とを有する発光ダイオードに関するものである。
体材料の活性層および第2導電型の■−V族半導体材料
の外面の注入層と、少なくとも1つの列に配され、前記
の活性層および注入層の厚さに亘って延在し、このため
少なくとも部分的に前記の層内で個々のダイオードを互
に分離し、少なくとも導電接触部の一部を有する半絶縁
帯域とを有する発光ダイオードに関するものである。
この種のマトリックスは、第2491714号の下で公
告された本願人のフランス国特許出願より知られており
、この特許出願は、公告された英国特許出願第2085
227号に対応する。
告された本願人のフランス国特許出願より知られており
、この特許出願は、公告された英国特許出願第2085
227号に対応する。
この出願には、ダイオードの一方の電極を行方向にまた
他方の電極を列方向接続する接触部が表面に設けられ、
−活性放出領域の上方に位置する接触フィンガを有する
ダイオードのマトリックスが開示されている。この配置
は、接触フィンガによる光の損失がそれ程大きくない寸
法の大きなダイオードにしか適しない。
他方の電極を列方向接続する接触部が表面に設けられ、
−活性放出領域の上方に位置する接触フィンガを有する
ダイオードのマトリックスが開示されている。この配置
は、接触フィンガによる光の損失がそれ程大きくない寸
法の大きなダイオードにしか適しない。
本発明によれば、接触部はマ) IJフックス2つの反
対面上に配設され、このマトリックスは、各ダイオード
の放出帯域を制限させる埋込局限層(localiza
tion 1ayer)を有する。この場合接触部は、
能率の損失なしに、放出領域の外側に、各ダイオードの
大部分または場合によってはその全周に沿って配設する
ことができる。本発明は、この目的のために次のように
したことを特徴とする特のである、即ち、各半絶縁帯域
は注入層の表面から2成分系組成■−■族半導体材料の
第2導電型の局限帯域迄延在し、この局限帯域は夫々断
面で上部と下部を有し、前記の上部は、活性層の延長部
によりみたされるセルの2次元格子を形成し、前記の下
部は、該下部が前記の延長部のレベルでダイオードを行
方向に相互に接続するように、行に平行に配された第1
導電型の高濃度ドーピングのレベルで半導電接触領域に
よって分けられ、また、前記の注入層の上には、各ダイ
オードに対し、内部的に局限帯域の上部の上方に延在し
且つ列方向に相互に接続された接触領域を有し、□相互
接続列は、列に配された前記の半絶縁帯域によって互に
絶縁される。
対面上に配設され、このマトリックスは、各ダイオード
の放出帯域を制限させる埋込局限層(localiza
tion 1ayer)を有する。この場合接触部は、
能率の損失なしに、放出領域の外側に、各ダイオードの
大部分または場合によってはその全周に沿って配設する
ことができる。本発明は、この目的のために次のように
したことを特徴とする特のである、即ち、各半絶縁帯域
は注入層の表面から2成分系組成■−■族半導体材料の
第2導電型の局限帯域迄延在し、この局限帯域は夫々断
面で上部と下部を有し、前記の上部は、活性層の延長部
によりみたされるセルの2次元格子を形成し、前記の下
部は、該下部が前記の延長部のレベルでダイオードを行
方向に相互に接続するように、行に平行に配された第1
導電型の高濃度ドーピングのレベルで半導電接触領域に
よって分けられ、また、前記の注入層の上には、各ダイ
オードに対し、内部的に局限帯域の上部の上方に延在し
且つ列方向に相互に接続された接触領域を有し、□相互
接続列は、列に配された前記の半絶縁帯域によって互に
絶縁される。
活性層と注入層は2成分系または3成分系の■−■族半
導体材料とすることができる。
導体材料とすることができる。
本発明は、2成分系組成物がガリウム砒素(GaAs)
で、3成分系組成物がガリウム−アルミニウム砒素(G
aAIAs)である場合に特に好適である。
で、3成分系組成物がガリウム−アルミニウム砒素(G
aAIAs)である場合に特に好適である。
本発明の一実施態様では、半絶縁帯域は、該帯域が隣接
ダイオード間を絶縁するために行方向にも延在する。
ダイオード間を絶縁するために行方向にも延在する。
本発明は更に前述のマトリックスの製造方法に関するも
のである。
のである。
この方法では、前述の従来技術に沿って、m−■族半導
体材料の注入層と活性層がヘテロエピタキシーによって
基板上に形成され、各ダイオードは、少なくとも半絶縁
帯域の列を前記の注入層・と活性層の厚さに亘って形成
するために形成された打込(bombard ing)
領域により少なくとも部分的に互に分離される。
体材料の注入層と活性層がヘテロエピタキシーによって
基板上に形成され、各ダイオードは、少なくとも半絶縁
帯域の列を前記の注入層・と活性層の厚さに亘って形成
するために形成された打込(bombard ing)
領域により少なくとも部分的に互に分離される。
この従来技術による方法でつくられた構造は前述の欠点
・を有する。本発明の方法は、成るエピタキシャルにデ
ポジットされた層のエツチング工程を使用し、埋込まれ
た接触部の行と局限帯域とをつくり、この帯域が、放出
された光を、デポジットされた電気接触部によって吸収
されることのない領域に制限するようにしたものである
。
・を有する。本発明の方法は、成るエピタキシャルにデ
ポジットされた層のエツチング工程を使用し、埋込まれ
た接触部の行と局限帯域とをつくり、この帯域が、放出
された光を、デポジットされた電気接触部によって吸収
されることのない領域に制限するようにしたものである
。
この目的のために、本発明は次の工程を有する。
(イ)基板上に、第1導電型(p)の高濃度にドープさ
れた第1の2成分系■−■族半導体層をエピタキシャル
にデポジットし、 (ロ)前記の第1の半導体層内に、所定のピッチの行に
平行に配された第1グループの窓の行をエッチし、この
第1の半導体層の残存部分で、ダイオードを行方向に相
互に接続する半導電接触部を形成し、 (ハ)第2導電型(n)の2成分系の第2の■−■族半
導体層をエピタキシャルにデポジットし、(ニ)局限層
を得るために、前記の第2の半導体層内に、前記の第1
グループの行に沿って該行に対し半ピッチだけずれた2
次元格子を形成する第2グループの窓を、前記半導電接
触領域を部分的におおう局限層の上部に形成し、 (ホ)前記の第1導電型の活性層と第2導電型の注入層
を続けてエピタキシャルにデポジットし、 、(へ)打
込(bombardment)を行い、(ト)注入層上
に金属化領域を形成し、この領域は、各ダイオードに対
し、一方において前記の局限層の上部の上方の行に内部
的に平行に延在し列の方向に相互に接続された接触領域
を形成し、かくして形成された相互接続された列を、列
に配された半絶縁帯域によって互に絶縁する。
れた第1の2成分系■−■族半導体層をエピタキシャル
にデポジットし、 (ロ)前記の第1の半導体層内に、所定のピッチの行に
平行に配された第1グループの窓の行をエッチし、この
第1の半導体層の残存部分で、ダイオードを行方向に相
互に接続する半導電接触部を形成し、 (ハ)第2導電型(n)の2成分系の第2の■−■族半
導体層をエピタキシャルにデポジットし、(ニ)局限層
を得るために、前記の第2の半導体層内に、前記の第1
グループの行に沿って該行に対し半ピッチだけずれた2
次元格子を形成する第2グループの窓を、前記半導電接
触領域を部分的におおう局限層の上部に形成し、 (ホ)前記の第1導電型の活性層と第2導電型の注入層
を続けてエピタキシャルにデポジットし、 、(へ)打
込(bombardment)を行い、(ト)注入層上
に金属化領域を形成し、この領域は、各ダイオードに対
し、一方において前記の局限層の上部の上方の行に内部
的に平行に延在し列の方向に相互に接続された接触領域
を形成し、かくして形成された相互接続された列を、列
に配された半絶縁帯域によって互に絶縁する。
打込工程は、最適の絶縁が隣接ダイオード間に得られる
ように、半絶縁領域の行も形成されるようなものである
。
ように、半絶縁領域の行も形成されるようなものである
。
2成分系組成物の層はガリウム砒素よりつくるのが有利
である。活性層および注入層は、2成分系組成物例えば
ガリウム砒素、または3成分系組成物例えばガ°リウム
ーアルミニウム砒素よりつくることができる。
である。活性層および注入層は、2成分系組成物例えば
ガリウム砒素、または3成分系組成物例えばガ°リウム
ーアルミニウム砒素よりつくることができる。
以下に本発明を添付の図面を参照して実施例により更に
詳しく説明する。
詳しく説明する。
第1a図において、半絶縁性またはn型のGaAsの基
板1は、液相よりのエピタキシーによって、4から6μ
m台の厚さeoを有するP゛型のGaAs層2(101
9car3台のドーピング)で被覆される。この層の上
にマスクがデポジットされるが、このマスクには所定の
ピッチで略々等間隔の行に沿って窓が配設され、コノた
め、体積組成が96H2SO,−2H202−2H,0
の溶液でのエツチングによって窓3が得られる。層2の
残存部分4は、行に沿って配された導電領域を形成する
。
板1は、液相よりのエピタキシーによって、4から6μ
m台の厚さeoを有するP゛型のGaAs層2(101
9car3台のドーピング)で被覆される。この層の上
にマスクがデポジットされるが、このマスクには所定の
ピッチで略々等間隔の行に沿って窓が配設され、コノた
め、体積組成が96H2SO,−2H202−2H,0
の溶液でのエツチングによって窓3が得られる。層2の
残存部分4は、行に沿って配された導電領域を形成する
。
第1b図では、次いで約2から4μm台の厚さelを有
するn型のGaAs層5 (10I7c+tr’台のド
ーピング)がエピタキシーによってデポジットされる。
するn型のGaAs層5 (10I7c+tr’台のド
ーピング)がエピタキシーによってデポジットされる。
第1C図では、前記の層5は、2次元の格子を形成する
窓が設けられたマスキング層で被覆され、この格子は、
行に沿って第1a図にふけると同じピッチををするが、
この場合半ピッチ分だけ横方向にずれている。前述の種
類の溶液によって窓6がエッチされる。成る1つの相対
距離に位置し、行と列に夫々上部7と下部8を有する局
限帯域の2次元格子は層5の残存部分である。
窓が設けられたマスキング層で被覆され、この格子は、
行に沿って第1a図にふけると同じピッチををするが、
この場合半ピッチ分だけ横方向にずれている。前述の種
類の溶液によって窓6がエッチされる。成る1つの相対
距離に位置し、行と列に夫々上部7と下部8を有する局
限帯域の2次元格子は層5の残存部分である。
第1d図では、約4から8μmの厚さを有するP型のG
ao、 ll5AI0.3SASの活性層10(1から
4X10”car3のドーピング)がエピタキシーによ
って形成され、その上に、約4から5μmの厚さe3を
有し、赤色発光(約6500m)に適したn型のGao
、 3A10.7Asの注入層12が形成される。
ao、 ll5AI0.3SASの活性層10(1から
4X10”car3のドーピング)がエピタキシーによ
って形成され、その上に、約4から5μmの厚さe3を
有し、赤色発光(約6500m)に適したn型のGao
、 3A10.7Asの注入層12が形成される。
第1e図では、ポリイミドまたは金属例えば金のマスク
を介してプロトン打込が行われ、このため行と列に配設
された帯域14が半絶縁性にされる。
を介してプロトン打込が行われ、このため行と列に配設
された帯域14が半絶縁性にされる。
これ等の帯域14は、マトリックスの各ダイオード間の
セパレーションを形成する。前記の帯域は、注入層12
の表面から前記の局限帯域の上部7のレベル迄延在して
いる。
セパレーションを形成する。前記の帯域は、注入層12
の表面から前記の局限帯域の上部7のレベル迄延在して
いる。
ダイオードの行方向の接続は高濃度にドープされた半導
体領域4によって得られ、列方向の接続は金属化によっ
て行われる。各ダイオードのレベルにおける接触部の活
性部分は、縦方向には領域19′によりまた横方向には
領域20(第2図参照)によって形成され、これ等の符
号は局限帯域9をおおう金属化領域を示す。この領域1
9′と20は、行と列とに平行して、局限帯域9の縁9
′の真直ぐ上方迄延在している。
体領域4によって得られ、列方向の接続は金属化によっ
て行われる。各ダイオードのレベルにおける接触部の活
性部分は、縦方向には領域19′によりまた横方向には
領域20(第2図参照)によって形成され、これ等の符
号は局限帯域9をおおう金属化領域を示す。この領域1
9′と20は、行と列とに平行して、局限帯域9の縁9
′の真直ぐ上方迄延在している。
第2図は本発明の好ましい一実施例を示したものである
が、この図において半絶縁帯域14の輪郭は点線で示さ
れている。各ピッチで、縦方向の帯は、行に配された半
絶縁帯域14上に位置し活性領域19′によって側方に
両側に延長された活性領域の横断帯19を有するので、
前記のダイオードの列方向の連結が得られる。
が、この図において半絶縁帯域14の輪郭は点線で示さ
れている。各ピッチで、縦方向の帯は、行に配された半
絶縁帯域14上に位置し活性領域19′によって側方に
両側に延長された活性領域の横断帯19を有するので、
前記のダイオードの列方向の連結が得られる。
このようにして得られる構造はこの場合法のようにして
作用面に形成される。
作用面に形成される。
前述したように、高濃度にドープされた導電領域4はマ
トリックスの下面側でダイオードの活性帯域10.11
を行方向に互いに連結し、一方金属化された活性領域1
9.20はマ) IJソックス上面即ち発光面側でその
注入帯域を列方向に互に接続し、各ダイオードに対する
接触は、窓6の真直ぐ上方の同寸法の窓21を取囲む活
性領域19′と20内に形成される(Llは列と平行で
し2は行と平行である)。
トリックスの下面側でダイオードの活性帯域10.11
を行方向に互いに連結し、一方金属化された活性領域1
9.20はマ) IJソックス上面即ち発光面側でその
注入帯域を列方向に互に接続し、各ダイオードに対する
接触は、窓6の真直ぐ上方の同寸法の窓21を取囲む活
性領域19′と20内に形成される(Llは列と平行で
し2は行と平行である)。
したがって、活性領域19.20は、局限帯域9で形成
された各ダイオードの活性発光帯域の外側にある。列の
方向には半絶縁帯域14が、ダイオードを 、列方向
に接続する金属化領域を互に絶縁させる。
された各ダイオードの活性発光帯域の外側にある。列の
方向には半絶縁帯域14が、ダイオードを 、列方向
に接続する金属化領域を互に絶縁させる。
マ) IJソックス寸法特性に関しては、層2の厚さe
。は(すべての条件はその他では同一として)許容直列
抵抗によって決まる。局限帯域の下部8の幅11はでき
るだけ小さくするのが好ましい。
。は(すべての条件はその他では同一として)許容直列
抵抗によって決まる。局限帯域の下部8の幅11はでき
るだけ小さくするのが好ましい。
というのは、一方においては、前記の部分は隣接領域4
(゛逆接続ダイオード)間の電気絶縁機能のみを果すも
のであり、また他方においては、必ずしも2〜3ミクロ
ンよりも大きな厚さをもつ必要のない局限帯域の上部7
が、エピタキシャルの間、窓3で形成された段の不完全
な補填でしか得られず、あまり強調されるのは好ましく
ない層5の表面のレベルの不揃となって現れるからであ
る。このレベルの不揃は、後でデポジットされた層が次
いで半絶縁性にされる区域に起きるので、動作には悪影
響を与えないことに留意され度い。
(゛逆接続ダイオード)間の電気絶縁機能のみを果すも
のであり、また他方においては、必ずしも2〜3ミクロ
ンよりも大きな厚さをもつ必要のない局限帯域の上部7
が、エピタキシャルの間、窓3で形成された段の不完全
な補填でしか得られず、あまり強調されるのは好ましく
ない層5の表面のレベルの不揃となって現れるからであ
る。このレベルの不揃は、後でデポジットされた層が次
いで半絶縁性にされる区域に起きるので、動作には悪影
響を与えないことに留意され度い。
層10の厚さe2と層12の厚さe、ならびにそのドー
ピングは、通常のように選ばれる。行方向に位置する半
絶縁帯域14の幅jI!2は、ダイオード間の十分な電
気絶縁が保証されるように選ばれ、−刃列方向のその幅
I!3は、金属化領域間の十分な電気絶縁が得られるよ
うに選ばれる。更に、金属化された活性領域19′と2
0の夫々の幅14とβ5は良好な接触を得るのに十分で
なけ ればならない。
ピングは、通常のように選ばれる。行方向に位置する半
絶縁帯域14の幅jI!2は、ダイオード間の十分な電
気絶縁が保証されるように選ばれ、−刃列方向のその幅
I!3は、金属化領域間の十分な電気絶縁が得られるよ
うに選ばれる。更に、金属化された活性領域19′と2
0の夫々の幅14とβ5は良好な接触を得るのに十分で
なけ ればならない。
この基準は、ダイオード間の距離をそれ程増すことなし
に容易に満足されることができる、というのは、接触は
全周に沿って形成されるからで゛ある。
に容易に満足されることができる、というのは、接触は
全周に沿って形成されるからで゛ある。
接点に関しては、これ等接点は活性領域19.20の終
端の列端部に位置する層23の上表面に形成される。導
電領域4に関しては、接点は、マトリックスの表面の1
つにそれ自体は公知の方法で設けられた窓を経て各行の
終端に形成されるのが有利である。
端の列端部に位置する層23の上表面に形成される。導
電領域4に関しては、接点は、マトリックスの表面の1
つにそれ自体は公知の方法で設けられた窓を経て各行の
終端に形成されるのが有利である。
例として、行のピッチが190μmで列のピッチが15
0μmの50 X 100μ印のダイオード格子に対し
ては、L+=50μmおよびし2 = 100 μmで
、11=30μm 512= L =30μm N l
< =35μmおよびZ、=aOμmに選ぶことができ
、隣接列の金属化領域を分離する距離dはこの場合j2
3 =30μmに等しい。
0μmの50 X 100μ印のダイオード格子に対し
ては、L+=50μmおよびし2 = 100 μmで
、11=30μm 512= L =30μm N l
< =35μmおよびZ、=aOμmに選ぶことができ
、隣接列の金属化領域を分離する距離dはこの場合j2
3 =30μmに等しい。
第3図の変形では、各金属化領域は、列に配された半絶
縁帯域14上に位置する唯1つの縦方向帯20を有する
。この帯は各ピッチにおいて横断帯22で延長されてい
るので、対応した窓の真直ぐ上方に位置する同寸法の窓
21の3方で各ダイオードを取囲む。この実施例では、
行に配された半絶縁帯域14は図示されていないことに
留意され度い。これは前の図面の場合に行うこともでき
る。実際のところ、行に配された半絶縁帯域14の唯一
の機能は、隣接ダイオード間に最適の絶縁を与えること
である。実際上この絶縁は次の2つの理由によって必ず
しも絶対的に必要なものではない。その1つは、所定の
局限帯域の上部7は、行接触を形成する導電領域4と、
基板の面に対して直角に関係ダイオードの列接触を形成
する金属化領域19.20との間の行に電流を向け、ま
たもう1つは、行接触を形成する導電領域4と隣接の金
属化領域間の漏洩路は、通常の導電が行われる層10の
厚さe2と層13の厚さe3よりもマ) IJフックス
ピッチの方が著しく大きいためにかなり長い。したがっ
て、行方向に配された半絶縁帯域14の放出は、最悪の
場合、正常に発光するダイオードに隣接する2つのダイ
オードからの弱い寄生発光を生じることがあるだけであ
る。
縁帯域14上に位置する唯1つの縦方向帯20を有する
。この帯は各ピッチにおいて横断帯22で延長されてい
るので、対応した窓の真直ぐ上方に位置する同寸法の窓
21の3方で各ダイオードを取囲む。この実施例では、
行に配された半絶縁帯域14は図示されていないことに
留意され度い。これは前の図面の場合に行うこともでき
る。実際のところ、行に配された半絶縁帯域14の唯一
の機能は、隣接ダイオード間に最適の絶縁を与えること
である。実際上この絶縁は次の2つの理由によって必ず
しも絶対的に必要なものではない。その1つは、所定の
局限帯域の上部7は、行接触を形成する導電領域4と、
基板の面に対して直角に関係ダイオードの列接触を形成
する金属化領域19.20との間の行に電流を向け、ま
たもう1つは、行接触を形成する導電領域4と隣接の金
属化領域間の漏洩路は、通常の導電が行われる層10の
厚さe2と層13の厚さe3よりもマ) IJフックス
ピッチの方が著しく大きいためにかなり長い。したがっ
て、行方向に配された半絶縁帯域14の放出は、最悪の
場合、正常に発光するダイオードに隣接する2つのダイ
オードからの弱い寄生発光を生じることがあるだけであ
る。
本発明は以上説明した実施例に限定されるものではない
。したがって、2成分系組成物例えばGaAsの活性層
および/または注入層を形成することもできる。
。したがって、2成分系組成物例えばGaAsの活性層
および/または注入層を形成することもできる。
第1a図より第1e図は本発明の製造方法の各工程を示
す断面図 第2図は第1e図の平面図 第3図は第2図の変形実施例を示す。 1・・・基板 3、6.21.21 ’・・・窓 4・・・導電層 5・・・n型層7・・・上部
8・・・下部9・・・局限帯域 1
0.11・・・P型活性層12・・・n型注入層 14・・・半絶縁帯域
す断面図 第2図は第1e図の平面図 第3図は第2図の変形実施例を示す。 1・・・基板 3、6.21.21 ’・・・窓 4・・・導電層 5・・・n型層7・・・上部
8・・・下部9・・・局限帯域 1
0.11・・・P型活性層12・・・n型注入層 14・・・半絶縁帯域
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも1つの第1導電型のIII−V族半導体材
料の活性層および第2導電型のIII−V族半導体材料の
外面の注入層と、少なくとも1つの列に配され、前記の
活性層および注入層の厚さに亘って延在し、このため少
なくとも部分的に前記の層内で個々のダイオードを互い
に分離し、少なくとも導電接触部の一部を有する半絶縁
帯域とを有する発光ダイオードのマトリックスにおいて
、各半絶縁帯域は注入層の表面から2成分系III−V族
半導体材料の第2導電型の局限帯域迄延在し、この局限
帯域は夫々断面で上部と下部を有し、前記の上部は、活
性層の延長部によりみたされるセルの2次元格子を形成
し、前記の下部は、該下部が前記の延長部のレベルでダ
イオードを行方向に相互に接続するように、行に平行に
配された第1導電型の高濃度ドーピングのレベルで半導
電接触領域によって分けられ、また、前記の注入層の上
には、各ダイオードに対し、内部的に局限帯域の上部の
上方に延在し且つ列方向に相互に接続された接触領域を
有する金属化領域を有し、相互接続列は、列に配された
前記の半絶縁帯域によって互に絶縁されたことを特徴と
する発光ダイオードのマトリックス。 2、活性層は3成分系III−V族半導体材料である特許
請求の範囲1記載のマトリックス。 3、注入層は3成分系III−V族半導体材料である特許
請求の範囲第1項または第2項記載のマトリックス。 4、2成分系III−V族半導体材料の基板を有する特許
請求の範囲第1項より第3項の何れか1項記載のマトリ
ックス。 5、2成分系半導体材料はガリウム砒素で、3成分系半
導体材料はガリウム−アルミニウム砒素である特許請求
の範囲第1項から第4項の何れか1項記載のマトリック
ス。 6、半絶縁帯域は、該帯域が隣接ダイオード間を絶縁す
るために行方向にも延在する特許請求の範囲第1項から
第5項の何れか1項記載のマトリックス。 7、III−V族半導体材料の注入層と活性層がヘテロエ
ピタキシーによって基板上に形成され、各ダイオードは
、少なくとも半絶縁帯域の列を前記の注入層と活性層の
厚さに亘って形成するために形成された打込領域により
少なくとも部分的に分離されるようにした発光ダイオー
ドのマトリックスの製造方法において、(イ)基板上に
、第1導電型(P)の高濃度にドープされた第1の2成
分系III−V族半導体層をエピタキシャルにデポジット
し、 (ロ)前記の第1の半導体層内に、所定のピッチの行に
平行に配された第1グループの窓の行をエッチし、この
第1の半導体層の残存部分で、ダイオードを行方向に相
互に接続する半導電接触部を形成し、 (ハ)第2導電型(n)の2成分系の第2のIII−V族
半導体層をエピタキシャルにデポジットし、 (ニ)局限層を得るために、前記の第2の半導体層内に
、前記の第1グループの行に沿って該行に対し半ピッチ
だけずれた2次元格子を形成する第2グループの窓を、
前記の半導電接触領域を部分的におおう局限層の上部に
形成し、 (ホ)前記の第1導電型の活性層と第2導電型の注入層
を続けてエピタキシャルにデポジットし、 (ヘ)打込を行い、 (ト)注入層上に金属化領域を形成し、この領域は、各
ダイオードに対し、一方において前記の局限層の上部の
上方の行に内部的に平行に延在し列方向に相互に接続さ
れた接触領域を形成し、かくして形成された相互接続さ
れた列を、列に配された半絶縁帯域によって互に絶縁す
る工程を有することを特徴とする発光ダイオードのマト
リックスの製造方法。 8、打込工程は、最適の絶縁が隣接ダイオード間に得ら
れるように半絶縁領域の行も形成されるようなものであ
る特許請求の範囲第7項記載の製造方法。 9、基板は、真性または第2導電型(n)である2成分
系III−V族組成物である特許請求の範囲第7項または
第8項記載の製造方法。 10、活性層および注入層は、ガリウム砒素またはガリ
ウム−アルミニウム砒素より選ばれた組成を有する特許
請求の範囲第7項から第9項の何れか1項記載の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8417894 | 1984-11-23 | ||
FR8417894A FR2573897B1 (fr) | 1984-11-23 | 1984-11-23 | Matrice de diodes electroluminescentes et son procede de fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61128581A true JPS61128581A (ja) | 1986-06-16 |
JPH0732267B2 JPH0732267B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=9309892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25881185A Expired - Lifetime JPH0732267B2 (ja) | 1984-11-23 | 1985-11-20 | 発光ダイオードのマトリツクスおよびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4757357A (ja) |
EP (1) | EP0182430B1 (ja) |
JP (1) | JPH0732267B2 (ja) |
DE (1) | DE3568109D1 (ja) |
FR (1) | FR2573897B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006073077A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 赤外発光ダイオード及びその製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1279394C (en) * | 1985-07-26 | 1991-01-22 | Naoki Chinone | Multiple quantum well type semiconductor laser |
JPH02127053A (ja) * | 1988-11-07 | 1990-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | Ledアレイ |
US5094970A (en) * | 1988-11-07 | 1992-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a light emitting diode array |
US5449926A (en) * | 1994-05-09 | 1995-09-12 | Motorola, Inc. | High density LED arrays with semiconductor interconnects |
SE509809C2 (sv) * | 1995-11-03 | 1999-03-08 | Mitel Semiconductor Ab | Lysdiod med uppdelat ljusemitterande område |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPS53117174U (ja) * | 1977-02-15 | 1978-09-18 | ||
JPS5572088A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-30 | Gen Electric Co Ltd | Method of manufacturing monolithic array of semiconductor light emission diode |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2079612A5 (ja) * | 1970-02-06 | 1971-11-12 | Radiotechnique Compelec | |
DE2235865A1 (de) * | 1972-07-21 | 1974-01-31 | Licentia Gmbh | Halbleiteranordnung aus einer vielzahl von in einem gemeinsamen halbleiterkoerper untergebrachten halbleiterbauelementen |
US3996492A (en) * | 1975-05-28 | 1976-12-07 | International Business Machines Corporation | Two-dimensional integrated injection laser array |
US4198251A (en) * | 1975-09-18 | 1980-04-15 | U.S. Philips Corporation | Method of making polychromatic monolithic electroluminescent assembly utilizing epitaxial deposition of graded layers |
GB1532286A (en) * | 1976-10-07 | 1978-11-15 | Elliott Bros | Manufacture of electro-luminescent display devices |
FR2413792A1 (fr) * | 1977-12-30 | 1979-07-27 | Radiotechnique Compelec | Procede de realisation d'une matrice d'elements electroluminescents |
GB2035689B (en) * | 1978-11-20 | 1983-04-13 | Gen Electric | Monolithic led array |
US4309670A (en) * | 1979-09-13 | 1982-01-05 | Xerox Corporation | Transverse light emitting electroluminescent devices |
FR2491714A1 (fr) * | 1980-10-06 | 1982-04-09 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semi-conducteur a diodes electroluminescentes localisees et son procede de fabrication |
-
1984
- 1984-11-23 FR FR8417894A patent/FR2573897B1/fr not_active Expired
-
1985
- 1985-11-11 EP EP85201836A patent/EP0182430B1/fr not_active Expired
- 1985-11-11 DE DE8585201836T patent/DE3568109D1/de not_active Expired
- 1985-11-15 US US06/798,659 patent/US4757357A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-11-20 JP JP25881185A patent/JPH0732267B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5572088A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-30 | Gen Electric Co Ltd | Method of manufacturing monolithic array of semiconductor light emission diode |
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WO2006073077A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 赤外発光ダイオード及びその製造方法 |
US8017960B2 (en) | 2005-01-05 | 2011-09-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Infrared emitting diode and method of its manufacture |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4757357A (en) | 1988-07-12 |
FR2573897B1 (fr) | 1987-03-20 |
EP0182430B1 (fr) | 1989-02-01 |
FR2573897A1 (fr) | 1986-05-30 |
JPH0732267B2 (ja) | 1995-04-10 |
EP0182430A1 (fr) | 1986-05-28 |
DE3568109D1 (en) | 1989-03-09 |
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