JP2000138640A - 光半導体装置 - Google Patents
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- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １つの発光素子または受光素子で、異なる種
類のデータ通信を可能にする。 【解決手段】 データ送信の場合、外部制御回路からの
データに応じて駆動回路１４が受光素子１５を駆動す
る。ＩｒＤＡまたリモコン通信に応じて、駆動回路１４
の駆動が変更される。また、データ受信の場合、ＩｒＤ
Ａまたはリモコン通信によって第１または第２信号処理
回路１８及び１９に転送され、各々の通信に応じてた信
号処理が実行される。
類のデータ通信を可能にする。 【解決手段】 データ送信の場合、外部制御回路からの
データに応じて駆動回路１４が受光素子１５を駆動す
る。ＩｒＤＡまたリモコン通信に応じて、駆動回路１４
の駆動が変更される。また、データ受信の場合、ＩｒＤ
Ａまたはリモコン通信によって第１または第２信号処理
回路１８及び１９に転送され、各々の通信に応じてた信
号処理が実行される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２つ以上の通信形
態に用いて好適な光半導体装置に関する。
態に用いて好適な光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
【０００３】しかも携帯機器は、年間７００万台も販売
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
【０００４】またＭＤやＣＤ等の光学式記録再生装置で
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体をビームで照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体をビームで照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
【０００５】しかしこれら発光素子、受光素子は、小型
化が実現されていない。例えば、図５は、特公平７−２
８０８５号公報の技術を説明するもので、半導体レーザ
１が半導体基板２に直接接続され、断面形状が台形のプ
リズム３が半導体基板２に固定されている。なお図番４
は、光学記録媒体である。半導体レーザ１と対向してい
るプリズム３の傾斜面５は半透過反射面で、半導体基板
２と対接しているプリズム面６は、光検出器（受光素
子）７以外の部分が、また面６と対向しているプリズム
面８は、共に反射面となっている。
化が実現されていない。例えば、図５は、特公平７−２
８０８５号公報の技術を説明するもので、半導体レーザ
１が半導体基板２に直接接続され、断面形状が台形のプ
リズム３が半導体基板２に固定されている。なお図番４
は、光学記録媒体である。半導体レーザ１と対向してい
るプリズム３の傾斜面５は半透過反射面で、半導体基板
２と対接しているプリズム面６は、光検出器（受光素
子）７以外の部分が、また面６と対向しているプリズム
面８は、共に反射面となっている。
【０００６】半導体レーザ１から発光され、傾斜面５か
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。
【０００７】一方、図６は、特開平１０−７０３０４号
公報に開示される如き、従来の光半導体装置の例として
の赤外線データ通信モジュールで、赤外線ＬＥＤ、ＬＥ
Ｄドライバ、ＰＩＮフォトダイオード、アンプ等が内蔵
されたモジュールＭである。例えばモジュール内部に形
成された基板に前記ＬＥＤが実装され、ここから射出さ
れる光は、上面に取り付けられたレンズＬ１を介して外
部へ放出され、前記基板に実装されたフォトダイオード
は、上面に取り付けられたレンズＬ２を介してモールド
Ｍ内に入射される。このようなモジュールを任意の回路
が形成されたプリント基板に装着して動作をさせてい
た。
公報に開示される如き、従来の光半導体装置の例として
の赤外線データ通信モジュールで、赤外線ＬＥＤ、ＬＥ
Ｄドライバ、ＰＩＮフォトダイオード、アンプ等が内蔵
されたモジュールＭである。例えばモジュール内部に形
成された基板に前記ＬＥＤが実装され、ここから射出さ
れる光は、上面に取り付けられたレンズＬ１を介して外
部へ放出され、前記基板に実装されたフォトダイオード
は、上面に取り付けられたレンズＬ２を介してモールド
Ｍ内に入射される。このようなモジュールを任意の回路
が形成されたプリント基板に装着して動作をさせてい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、赤外線通信
として、上記のＩｒＤＡの他にもリモートコントロール
（以下、リモコンという）がある。各々に使用される赤
外線の波長は規格によって異なり、ＩｒＤＡでは９５０
ｎｍであり、リモコンの規格では８７０ｎｍである。こ
のような波長の違いがあるため、従来では波長の異なる
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を別々に使用してい
た。その為、ＩｒＤＡとリモコンとの両方を使用する機
器においては、ＩＣの数が多くなり、このような機器の
小型化を阻害していた。
として、上記のＩｒＤＡの他にもリモートコントロール
（以下、リモコンという）がある。各々に使用される赤
外線の波長は規格によって異なり、ＩｒＤＡでは９５０
ｎｍであり、リモコンの規格では８７０ｎｍである。こ
のような波長の違いがあるため、従来では波長の異なる
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を別々に使用してい
た。その為、ＩｒＤＡとリモコンとの両方を使用する機
器においては、ＩＣの数が多くなり、このような機器の
小型化を阻害していた。
【０００９】さらには、モジュールの外形も小型を阻害
していた。図５や図６のモジュールに於いて、半導体基
板上に光学機器が実装され、また半導体基板がモールド
されたモジュールの上に更にレンズが実装されたりする
ため、これらを組み込んだセットには、小型化が実現で
きない問題があった。
していた。図５や図６のモジュールに於いて、半導体基
板上に光学機器が実装され、また半導体基板がモールド
されたモジュールの上に更にレンズが実装されたりする
ため、これらを組み込んだセットには、小型化が実現で
きない問題があった。
【００１０】また、図６のモジュールは、レンズが上面
に取り付けられているため、プリント基板に対して垂直
方向のみにしか光の出し入れができず、上述した携帯機
器などに組み込む際に、光の入出方向に対して垂直にプ
リント基板を接地する必要があり、機器の小型化を困難
にしていた。また、薄型に形成された携帯機器の場合、
携帯機器の側面から光の出し入れをすることが困難であ
った。
に取り付けられているため、プリント基板に対して垂直
方向のみにしか光の出し入れができず、上述した携帯機
器などに組み込む際に、光の入出方向に対して垂直にプ
リント基板を接地する必要があり、機器の小型化を困難
にしていた。また、薄型に形成された携帯機器の場合、
携帯機器の側面から光の出し入れをすることが困難であ
った。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも２
つの異なる通信形態の入力データを送信する光半導体装
置であって、所定の波長の赤外線光を発光する唯一の発
光素子と、前記通信形態に応じて駆動能力が変更され、
前記入力データに応じて前記発光素子を駆動する駆動回
路とを備えることを特徴とする。特に、前記赤外線の波
長は、前記通信形態のうちの一つに対応する波長である
ことを特徴とする。
つの異なる通信形態の入力データを送信する光半導体装
置であって、所定の波長の赤外線光を発光する唯一の発
光素子と、前記通信形態に応じて駆動能力が変更され、
前記入力データに応じて前記発光素子を駆動する駆動回
路とを備えることを特徴とする。特に、前記赤外線の波
長は、前記通信形態のうちの一つに対応する波長である
ことを特徴とする。
【００１２】また、前記駆動回路は、通信形態に対応し
た複数の駆動トランジスタと、該駆動トランジスタのエ
ミッタにそれぞれ接続され、前記駆動トランジスタの駆
動電流の値を定める抵抗と、通信形態に応じて駆動トラ
ンジスタを選択するスイッチ手段とから成ることを特徴
とする。特に、前記抵抗のうち少なくとも一つを外付け
抵抗とすることを特徴とする。また、前記通信形態は、
ＩｒＤＡ通信及びリモートコントロール通信であること
を特徴とする。
た複数の駆動トランジスタと、該駆動トランジスタのエ
ミッタにそれぞれ接続され、前記駆動トランジスタの駆
動電流の値を定める抵抗と、通信形態に応じて駆動トラ
ンジスタを選択するスイッチ手段とから成ることを特徴
とする。特に、前記抵抗のうち少なくとも一つを外付け
抵抗とすることを特徴とする。また、前記通信形態は、
ＩｒＤＡ通信及びリモートコントロール通信であること
を特徴とする。
【００１３】さらに、ＩｒＤＡ通信の場合前記駆動能力
を低くし、前記リモートコントロール通信の場合前記駆
動能力を高くすることを特徴とする。
を低くし、前記リモートコントロール通信の場合前記駆
動能力を高くすることを特徴とする。
【００１４】本発明は、前記発光素子を半導体基板上に
集積化した半導体チップと、発光面を上にして前記半導
体チップを封止するとともに、所定の光の波長に対して
透明な樹脂封止体と、前記第１及び第２半導体チップの
上部の樹脂封止体に形成され、発光面の垂線と所定の角
度で交差する反射面とから成り、前記樹脂封止体の側面
で光を射出させることを特徴とする。
集積化した半導体チップと、発光面を上にして前記半導
体チップを封止するとともに、所定の光の波長に対して
透明な樹脂封止体と、前記第１及び第２半導体チップの
上部の樹脂封止体に形成され、発光面の垂線と所定の角
度で交差する反射面とから成り、前記樹脂封止体の側面
で光を射出させることを特徴とする。
【００１５】また、前記駆動回路を、発光素子が含まれ
る半導体基板と異なる半導体基板上に集積化し、前記樹
脂封止体内に封止することを特徴とする。
る半導体基板と異なる半導体基板上に集積化し、前記樹
脂封止体内に封止することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の形態を示
す図であり、１１乃至１３は例えばマイクロコンピュー
タ等の外部制御回路（不図示）とデータの送受を行う外
付けピン、１４は外部制御回路からの２種類のデータに
応じて駆動信号を発生する駆動回路、１５は駆動信号に
応じて発光する例えばＬＥＤ等の発光素子、１６は例え
ばフォトダイオードから成る受光素子、１７は後段の２
系統のデータ転送路に分岐するためのセレクタ、１８及
び１９はセレクタからのデータ信号を各々のデータ種類
に応じた信号処理する第１及び第２信号処理回路、２０
はＩｒＤＡ通信またはリモコン通信の外部制御回路から
の指示に応じて駆動回路１４の駆動能力やセレクタ１７
を制御する為のセレクタ信号を発生するモード切替回路
である。尚、図１において、発光素子１５以外の回路は
同一半導体基板上に集積化されており、また、すべての
回路は１つの樹脂封止体の中に１パッケージ化されてい
る。
す図であり、１１乃至１３は例えばマイクロコンピュー
タ等の外部制御回路（不図示）とデータの送受を行う外
付けピン、１４は外部制御回路からの２種類のデータに
応じて駆動信号を発生する駆動回路、１５は駆動信号に
応じて発光する例えばＬＥＤ等の発光素子、１６は例え
ばフォトダイオードから成る受光素子、１７は後段の２
系統のデータ転送路に分岐するためのセレクタ、１８及
び１９はセレクタからのデータ信号を各々のデータ種類
に応じた信号処理する第１及び第２信号処理回路、２０
はＩｒＤＡ通信またはリモコン通信の外部制御回路から
の指示に応じて駆動回路１４の駆動能力やセレクタ１７
を制御する為のセレクタ信号を発生するモード切替回路
である。尚、図１において、発光素子１５以外の回路は
同一半導体基板上に集積化されており、また、すべての
回路は１つの樹脂封止体の中に１パッケージ化されてい
る。
【００１７】図１の発光素子１５はＩｒＤＡ用に使用さ
れるものであり、波長が９５０ｎｍであるＬＥＤが使用
される。リモコン用のデータを転送する場合でも発光素
子１５を発光させてデータ転送を行う。従って、発光素
子１５はＩｒＤＡ通信とリモコン通信との兼用になる。
また、受光素子１６もＩｒＤＡ通信及びリモコン通信の
兼用となり、それぞれの場合にＩｒＤＡまたはリモコン
用の赤外線を受光するものである。
れるものであり、波長が９５０ｎｍであるＬＥＤが使用
される。リモコン用のデータを転送する場合でも発光素
子１５を発光させてデータ転送を行う。従って、発光素
子１５はＩｒＤＡ通信とリモコン通信との兼用になる。
また、受光素子１６もＩｒＤＡ通信及びリモコン通信の
兼用となり、それぞれの場合にＩｒＤＡまたはリモコン
用の赤外線を受光するものである。
【００１８】まず、ＩｒＤＡ通信の場合、外部制御回路
２０から例えば２ビットの「０，０」のモード信号を受
け、モード切替回路２０は「Ｈ」レベルのセレクタ信号
ＳＬを発生する。セレクタ信号ＳＬに応じて、駆動回路
１４の駆動能力は低くなり、セレクタ１７は受光素子１
６の出力信号をＩｒＤＡ用の処理回路である第１信号処
理回路１８に印加させる。尚、駆動回路１４の駆動電流
を大または小に切り換えることにより、駆動回路１４の
駆動能力が切り換わる。駆動電流が大のとき駆動能力は
高くなり、駆動電流が小のとき駆動能力は低くなる。
２０から例えば２ビットの「０，０」のモード信号を受
け、モード切替回路２０は「Ｈ」レベルのセレクタ信号
ＳＬを発生する。セレクタ信号ＳＬに応じて、駆動回路
１４の駆動能力は低くなり、セレクタ１７は受光素子１
６の出力信号をＩｒＤＡ用の処理回路である第１信号処
理回路１８に印加させる。尚、駆動回路１４の駆動電流
を大または小に切り換えることにより、駆動回路１４の
駆動能力が切り換わる。駆動電流が大のとき駆動能力は
高くなり、駆動電流が小のとき駆動能力は低くなる。
【００１９】この状態にて、データを送信する場合、外
部制御回路からＩｒＤＡ用のデータが外付けピン１３を
介して駆動回路１４に入力される。駆動回路１４におい
て、ＩｒＤＡ用のデータに応じて駆動信号が出力され
る。そして、駆動信号に応じて発光素子１５が発光し、
ＩｒＤＡ用のデータが赤外線として送信される。
部制御回路からＩｒＤＡ用のデータが外付けピン１３を
介して駆動回路１４に入力される。駆動回路１４におい
て、ＩｒＤＡ用のデータに応じて駆動信号が出力され
る。そして、駆動信号に応じて発光素子１５が発光し、
ＩｒＤＡ用のデータが赤外線として送信される。
【００２０】ＩｒＤＡ用のデータを受信する場合、受光
素子１６で受光された光が電気信号に変換され、電気信
号はセレクタ１７を介して第１信号処理回路１８に印加
され、ＩｒＤＡ用の信号処理が実行された後、外付けピ
ン１１を介して外部制御回路に伝送される。場合に各々
の赤外線を受光するものである。
素子１６で受光された光が電気信号に変換され、電気信
号はセレクタ１７を介して第１信号処理回路１８に印加
され、ＩｒＤＡ用の信号処理が実行された後、外付けピ
ン１１を介して外部制御回路に伝送される。場合に各々
の赤外線を受光するものである。
【００２１】また、リモコン通信の場合、外部制御回路
２０から例えば２ビットの「１，１」のモード信号Ｍを
受け、モード切替回路２０は「Ｌ」レベルのセレクタ信
号ＳＬを発生する。セレクタ信号ＳＬに応じて、駆動回
路１４の駆動能力は高くなり、セレクタ１７は受光素子
１６の出力信号をリモコン用の信号処理回路である第２
信号処理回路１９に印加させる。
２０から例えば２ビットの「１，１」のモード信号Ｍを
受け、モード切替回路２０は「Ｌ」レベルのセレクタ信
号ＳＬを発生する。セレクタ信号ＳＬに応じて、駆動回
路１４の駆動能力は高くなり、セレクタ１７は受光素子
１６の出力信号をリモコン用の信号処理回路である第２
信号処理回路１９に印加させる。
【００２２】この状態にて、データを送信する場合、外
部制御回路からリモコン用のデータが外付けピン１３を
介して駆動回路１４に入力される。駆動回路１４におい
て、リモコン用のデータに応じて駆動信号が出力され
る。そして、駆動信号に応じて発光素子１５が発光し、
リモコン用のデータが赤外線として送信される。ここ
で、リモコン通信時の駆動回路１４の駆動能力をＩｒＤ
Ａ通信時よりも高く設定している。一般に、ＩｒＤＡ通
信の場合機器間の距離が１ｍ以内でデータ転送が行わ
れ、それに対してリモコンの場合は１ｍ以上の距離でデ
ータ転送が行われることが多い。そこで、リモコン時駆
動能力を高くして発光素子１５の発光パワーを高くする
ことによって、長い距離でもリモコン通信を可能とし、
また長い距離の通信が必要の無いＩｒＤＡ通信時では発
光パワーを低くして、消費電力を抑制している。
部制御回路からリモコン用のデータが外付けピン１３を
介して駆動回路１４に入力される。駆動回路１４におい
て、リモコン用のデータに応じて駆動信号が出力され
る。そして、駆動信号に応じて発光素子１５が発光し、
リモコン用のデータが赤外線として送信される。ここ
で、リモコン通信時の駆動回路１４の駆動能力をＩｒＤ
Ａ通信時よりも高く設定している。一般に、ＩｒＤＡ通
信の場合機器間の距離が１ｍ以内でデータ転送が行わ
れ、それに対してリモコンの場合は１ｍ以上の距離でデ
ータ転送が行われることが多い。そこで、リモコン時駆
動能力を高くして発光素子１５の発光パワーを高くする
ことによって、長い距離でもリモコン通信を可能とし、
また長い距離の通信が必要の無いＩｒＤＡ通信時では発
光パワーを低くして、消費電力を抑制している。
【００２３】リモコン用のデータを受信する場合、受光
素子１６で受光された光が電気信号に変換され、電気信
号はセレクタ１７を介して第２信号処理回路１９に印加
されＩｒＤＡ用の信号処理が実行された後、外付けピン
１１を介して外部制御回路に伝送される。
素子１６で受光された光が電気信号に変換され、電気信
号はセレクタ１７を介して第２信号処理回路１９に印加
されＩｒＤＡ用の信号処理が実行された後、外付けピン
１１を介して外部制御回路に伝送される。
【００２４】ところで、図１ではリモコン用のデータを
ＩｒＤＡ用の赤外線（波長：９５０ｎｍ）を使用して転
送している。このような兼用はＩｒＤＡ及びリモコン用
の波長が近接している為に可能となる。さらに、第２信
号処理回路１９の周波数特性をＩｒＤＡの赤外線の波長
を考慮して設定すると、正確な信号処理を行うことがで
きる。また、図１の場合とは逆に、発光素子１５を８７
０ｎｍの赤外線を発生するリモコン用のＬＥＤにするこ
とにより、ＩｒＤＡ用のデータをリモコン用の赤外線で
転送することも可能である。
ＩｒＤＡ用の赤外線（波長：９５０ｎｍ）を使用して転
送している。このような兼用はＩｒＤＡ及びリモコン用
の波長が近接している為に可能となる。さらに、第２信
号処理回路１９の周波数特性をＩｒＤＡの赤外線の波長
を考慮して設定すると、正確な信号処理を行うことがで
きる。また、図１の場合とは逆に、発光素子１５を８７
０ｎｍの赤外線を発生するリモコン用のＬＥＤにするこ
とにより、ＩｒＤＡ用のデータをリモコン用の赤外線で
転送することも可能である。
【００２５】図２は駆動回路１４の具体回路例を示す回
路図であり、２１はＩｒＤＡ用の駆動トランジスタ、２
２はリモコン用の駆動トランジスタ、２３は駆動トラン
ジスタ２１の駆動電流を定め、駆動回路１４と同一の半
導体基板上に集積化された抵抗、２４は駆動トランジス
タ２２の駆動電流を定める外付け抵抗、２５はセレクト
信号ＳＬを反転するインバータ、２６及び２７はセレク
タ信号が「Ｈ」レベルのときのみにオンし、外部制御回
路からのデータを遮断または導通させるスイッチであ
る。
路図であり、２１はＩｒＤＡ用の駆動トランジスタ、２
２はリモコン用の駆動トランジスタ、２３は駆動トラン
ジスタ２１の駆動電流を定め、駆動回路１４と同一の半
導体基板上に集積化された抵抗、２４は駆動トランジス
タ２２の駆動電流を定める外付け抵抗、２５はセレクト
信号ＳＬを反転するインバータ、２６及び２７はセレク
タ信号が「Ｈ」レベルのときのみにオンし、外部制御回
路からのデータを遮断または導通させるスイッチであ
る。
【００２６】ＩｒＤＡ通信の場合、セレクタ信号ＳＬは
「Ｈ」レベルとなるので、スイッチ２６はオンし、スイ
ッチ２７はオフする。その為、外付けピン１３を介して
入力された入力データは駆動トランジスタ２１に印加さ
れ、入力データに応じて駆動電流が発生する。駆動電流
は発光素子１５に供給され、発光素子１５が駆動され
る。
「Ｈ」レベルとなるので、スイッチ２６はオンし、スイ
ッチ２７はオフする。その為、外付けピン１３を介して
入力された入力データは駆動トランジスタ２１に印加さ
れ、入力データに応じて駆動電流が発生する。駆動電流
は発光素子１５に供給され、発光素子１５が駆動され
る。
【００２７】リモコン通信の場合、セレクタ信号ＳＬは
「Ｌ」レベルとなるので、スイッチ２６はオフし、スイ
ッチ２７はオンする。その為、入力データは駆動トラン
ジスタ２２に印加され、入力データに応じて駆動電流が
発生する。駆動電流は発光素子１５に供給され、発光素
子１５が駆動される。
「Ｌ」レベルとなるので、スイッチ２６はオフし、スイ
ッチ２７はオンする。その為、入力データは駆動トラン
ジスタ２２に印加され、入力データに応じて駆動電流が
発生する。駆動電流は発光素子１５に供給され、発光素
子１５が駆動される。
【００２８】ここで、駆動トランジスタ２１において、
駆動電流は、入力データの電圧からトランジスタ２１の
ベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅの分だけ下がった電圧が
抵抗２３に印加されることにより発生する。従って、駆
動電流は抵抗２３の値で設定される。駆動トランジスタ
２２においても同様であり、トランジスタ２２の駆動電
流は外付け抵抗２４により設定される。本発明の場合、
リモコン時の駆動回路の駆動能力を高くなるように設定
されるので、外付け抵抗２４の値を抵抗２３よりも小さ
い値に設定される。
駆動電流は、入力データの電圧からトランジスタ２１の
ベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅの分だけ下がった電圧が
抵抗２３に印加されることにより発生する。従って、駆
動電流は抵抗２３の値で設定される。駆動トランジスタ
２２においても同様であり、トランジスタ２２の駆動電
流は外付け抵抗２４により設定される。本発明の場合、
リモコン時の駆動回路の駆動能力を高くなるように設定
されるので、外付け抵抗２４の値を抵抗２３よりも小さ
い値に設定される。
【００２９】また、リモコン通信の場合使用環境に応じ
て様々な通信距離がある。そこで、外付け抵抗２４で構
成することにより使用環境に応じて通信距離が調整しや
すくなる。
て様々な通信距離がある。そこで、外付け抵抗２４で構
成することにより使用環境に応じて通信距離が調整しや
すくなる。
【００３０】図３は、受光素子１６、第１及び第２信号
処理回路１８及び１９の具体例を示すブロック図であ
る。受光素子１６はフォトダイオードの他に、フォトダ
イオードの出力電流を電圧変換するＩ−Ｖ変換回路３
１、Ｉ−Ｖ変換回路３１の出力電圧を増幅する増幅器３
２を含む。また、第１信号処理回路１８は、セレクタ１
７の出力信号を増幅する増幅器３３及び増幅器３３の出
力信号が印加されるバッファ回路３４を含み、第２信号
処理回路１９はセレクタ１７の出力信号を概ねキャリア
信号の周波数帯域まで制限するＢＰＦ（バンドパスフィ
ルタ）３５、ＢＰＦ３５の出力信号を増幅する増幅器３
６及び増幅器３６の出力信号を検波する検波器３７を含
む。さらに、第１及び第２信号処理回路１８及び１９の
出力信号の一方を波形整形する波形整形回路３８を含
む。
処理回路１８及び１９の具体例を示すブロック図であ
る。受光素子１６はフォトダイオードの他に、フォトダ
イオードの出力電流を電圧変換するＩ−Ｖ変換回路３
１、Ｉ−Ｖ変換回路３１の出力電圧を増幅する増幅器３
２を含む。また、第１信号処理回路１８は、セレクタ１
７の出力信号を増幅する増幅器３３及び増幅器３３の出
力信号が印加されるバッファ回路３４を含み、第２信号
処理回路１９はセレクタ１７の出力信号を概ねキャリア
信号の周波数帯域まで制限するＢＰＦ（バンドパスフィ
ルタ）３５、ＢＰＦ３５の出力信号を増幅する増幅器３
６及び増幅器３６の出力信号を検波する検波器３７を含
む。さらに、第１及び第２信号処理回路１８及び１９の
出力信号の一方を波形整形する波形整形回路３８を含
む。
【００３１】図３ではＩｒＤＡ通信またはリモコン通信
に応じてセレクタ信号が切り換わる。ＩｒＤＡ通信の場
合、「Ｈ」レベルのセレクタ信号ＳＬが発生するので、
セレクタ１７は第１信号処理回路１８側に切り換わり、
第１信号処理回路１８がオンし、第２信号処理回路１９
はオフする。また、リモコン通信の場合、「Ｌ」レベル
のセレクタ信号ＳＬが発生するので、セレクタ１７は第
２信号処理回路１９側に切り換わり、第１信号処理回路
１８はオフし、第２信号処理回路１９がオンする。
に応じてセレクタ信号が切り換わる。ＩｒＤＡ通信の場
合、「Ｈ」レベルのセレクタ信号ＳＬが発生するので、
セレクタ１７は第１信号処理回路１８側に切り換わり、
第１信号処理回路１８がオンし、第２信号処理回路１９
はオフする。また、リモコン通信の場合、「Ｌ」レベル
のセレクタ信号ＳＬが発生するので、セレクタ１７は第
２信号処理回路１９側に切り換わり、第１信号処理回路
１８はオフし、第２信号処理回路１９がオンする。
【００３２】図３において、ＩｒＤＡ通信の場合、Ｉ−
Ｖ変換回路３１の出力信号は増幅器３２で増幅された
後、さらに増幅器３３で増幅される。増幅器３３の出力
信号はバッファ回路３４を介して波形整形回路３８に印
加され、波形整形される。波形整形回路１８の出力信号
は後段の外部制御回路に伝送される。ＩｒＤＡ通信の場
合、受光された赤外線によるデータを電気信号に変換し
て、電気信号を波形整形して後段の回路に伝送してい
る。
Ｖ変換回路３１の出力信号は増幅器３２で増幅された
後、さらに増幅器３３で増幅される。増幅器３３の出力
信号はバッファ回路３４を介して波形整形回路３８に印
加され、波形整形される。波形整形回路１８の出力信号
は後段の外部制御回路に伝送される。ＩｒＤＡ通信の場
合、受光された赤外線によるデータを電気信号に変換し
て、電気信号を波形整形して後段の回路に伝送してい
る。
【００３３】一方、リモコン通信の場合、セレクタ１７
の出力信号はＢＰＦ３５で帯域制限された後、増幅器３
６で増幅され、検波回路３７で検波される。検波回路３
７において、変調信号からキャリア成分が除去され、デ
ータ成分が抽出される。検波回路３７の出力信号は、波
形整形回路３７で波形整形された後、後段の回路に伝送
される。リモコン通信の場合、変換された電気信号を検
波し、さらに波形整形して後段の回路に伝送される。
の出力信号はＢＰＦ３５で帯域制限された後、増幅器３
６で増幅され、検波回路３７で検波される。検波回路３
７において、変調信号からキャリア成分が除去され、デ
ータ成分が抽出される。検波回路３７の出力信号は、波
形整形回路３７で波形整形された後、後段の回路に伝送
される。リモコン通信の場合、変換された電気信号を検
波し、さらに波形整形して後段の回路に伝送される。
【００３４】次に、本発明の回路を樹脂封止するパッケ
ージについて図４を参照しながら説明する。図は理解の
為に、二つの図を一体にしたもので、上が光半導体装置
の平面図、下が前記平面図のＡ−Ａ´線における断面図
である。
ージについて図４を参照しながら説明する。図は理解の
為に、二つの図を一体にしたもので、上が光半導体装置
の平面図、下が前記平面図のＡ−Ａ´線における断面図
である。
【００３５】まず、リードフレームがある。このリード
フレームは、アイランド４１とリード４２とにより構成
され、ここではＣｕより成り、この上に図１の駆動回路
１４、受光素子１６、信号処理回路１８及び１９、モー
ド切替回路２０を含む半導体チップ５３、発光素子１５
を含む半導体チップ５４が半田等の固着手段を介して固
定されている。
フレームは、アイランド４１とリード４２とにより構成
され、ここではＣｕより成り、この上に図１の駆動回路
１４、受光素子１６、信号処理回路１８及び１９、モー
ド切替回路２０を含む半導体チップ５３、発光素子１５
を含む半導体チップ５４が半田等の固着手段を介して固
定されている。
【００３６】また、半導体チップ５３、５４にボンディ
ングパッド（図示せず）が形成され、これに対応してチ
ップの周囲から外部へ複数のリード５２が延在され、チ
ップ５３及び５４との間を金属細線（図示せず）で接続
されている。
ングパッド（図示せず）が形成され、これに対応してチ
ップの周囲から外部へ複数のリード５２が延在され、チ
ップ５３及び５４との間を金属細線（図示せず）で接続
されている。
【００３７】上記のリードの先端及び半導体チップを所
定の波長に対して透明な樹脂封止体６０で封止されてい
る。この封止体６０には、光が反射される面６１を有す
る溝６２が設けられている。そして、面６１のおいて
は、界面の両側の空気と樹脂の屈折率の違いにより反射
面となる。
定の波長に対して透明な樹脂封止体６０で封止されてい
る。この封止体６０には、光が反射される面６１を有す
る溝６２が設けられている。そして、面６１のおいて
は、界面の両側の空気と樹脂の屈折率の違いにより反射
面となる。
【００３８】半導体チップ５４の上部から発光された光
は、実線の如く、樹脂封止体６０中を上方向に進み、光
は面６１で反射され図１の右方向に進むようになり、樹
脂封止体６０の側面Ｅから射出される。また、樹脂封止
体６０の側面Ｅに入射された光は、一点鎖線の如く面６
１で反射され、下向きに入射光が進み、半導体チップ５
３の受光素子１６に受光される。面６１により、入射さ
れた時の光の強度で受光用半導体チップ５３に受光され
る。よって、反射面となる面６１を有する溝を第１及び
第２半導体チップ上に形成することにより、樹脂封止体
１５の側面で光の出し入れが可能になる。
は、実線の如く、樹脂封止体６０中を上方向に進み、光
は面６１で反射され図１の右方向に進むようになり、樹
脂封止体６０の側面Ｅから射出される。また、樹脂封止
体６０の側面Ｅに入射された光は、一点鎖線の如く面６
１で反射され、下向きに入射光が進み、半導体チップ５
３の受光素子１６に受光される。面６１により、入射さ
れた時の光の強度で受光用半導体チップ５３に受光され
る。よって、反射面となる面６１を有する溝を第１及び
第２半導体チップ上に形成することにより、樹脂封止体
１５の側面で光の出し入れが可能になる。
【００３９】本発明では、駆動回路１４は、発光素子１
５とは異なる他の半導体基板上である受光用の第１半導
体チップ５３に集積化される。例えば、ＬＥＤ等の発光
素子は一般にＩＶ−Ｖ族（例えば、ＧａＡｓ）で構成さ
れ、駆動回路系や電流電圧変換回路系の回路構成はＳｉ
基板上に集積化されることが一般的である。よって、同
一半導体基板上に、発光用駆動回路１４と発光素子１５
とを容易に集積化することはできない。そこで、駆動回
路１４を第１半導体チップ５３に集積化することによっ
て、発光用の回路と受光用の回路とを、たった２つの半
導体チップで構成することができ、かつ、発光及び受光
系統を有するモジュールを効率的に１パッケージに収容
できる。
５とは異なる他の半導体基板上である受光用の第１半導
体チップ５３に集積化される。例えば、ＬＥＤ等の発光
素子は一般にＩＶ−Ｖ族（例えば、ＧａＡｓ）で構成さ
れ、駆動回路系や電流電圧変換回路系の回路構成はＳｉ
基板上に集積化されることが一般的である。よって、同
一半導体基板上に、発光用駆動回路１４と発光素子１５
とを容易に集積化することはできない。そこで、駆動回
路１４を第１半導体チップ５３に集積化することによっ
て、発光用の回路と受光用の回路とを、たった２つの半
導体チップで構成することができ、かつ、発光及び受光
系統を有するモジュールを効率的に１パッケージに収容
できる。
【００４０】尚、樹脂封止体６０の外形は図４のものに
限らず、例えばリードが形成される樹脂封止体２０の側
面の高さと、光が入射及び射出される側面の高さとを異
なるようにし、光が入射及び射出される側面側を凸部に
成すことによって、反射面を形成してもよい。よって、
樹脂封止体２０に溝２２を形成することなく、面２１を
形成することができる。
限らず、例えばリードが形成される樹脂封止体２０の側
面の高さと、光が入射及び射出される側面の高さとを異
なるようにし、光が入射及び射出される側面側を凸部に
成すことによって、反射面を形成してもよい。よって、
樹脂封止体２０に溝２２を形成することなく、面２１を
形成することができる。
【００４１】
【発明の効果】本発明に依れば、１つの発光素子及び受
光素子で異なる種類の赤外線データを送受信できるの
で、部品点数を削減することができ、セット機器の小型
化及び薄型化に寄与させることができる。
光素子で異なる種類の赤外線データを送受信できるの
で、部品点数を削減することができ、セット機器の小型
化及び薄型化に寄与させることができる。
【００４２】また、樹脂封止体に反射面を持つ溝を形成
したことにより樹脂封止体の側面から光を射出すること
ができるので、小型化及び薄形化された光半導体装置を
提供することができ、さらにはそれを使用したセット機
器の小型化や薄形化を図ることができる。
したことにより樹脂封止体の側面から光を射出すること
ができるので、小型化及び薄形化された光半導体装置を
提供することができ、さらにはそれを使用したセット機
器の小型化や薄形化を図ることができる。
【図１】本発明の実施の形態を示すブロック図である。
【図２】図１の駆動回路１４の具体回路例を示す回路図
である。
である。
【図３】図１の受信側の回路を示すブロック図である。
【図４】図１の回路図を樹脂封止するパッケージを示す
平面図及び断面図である。
平面図及び断面図である。
【図５】従来例を示す断面図である。
【図６】従来例を示す斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小堀 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 国井 秀雄 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 落合 公 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 高田 清 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井野口 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA37 AA42 AA47 BB03 BB22 BB26 BB33 DA43 DA55 DA83 FF14 5K002 AA05 AA07 BA14 DA05 FA03 GA04 GA07
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも２つの異なる通信形態の入力
データを送信する光半導体装置であって、 所定の波長の赤外線光を発光する唯一の発光素子と、 前記通信形態に応じて駆動能力が変更され、前記入力デ
ータに応じて前記発光素子を駆動する駆動回路とを備え
ることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記赤外線の波長は、前記通信形態のう
ちの一つに対応する波長であることを特徴とする請求項
１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 前記駆動回路は、通信形態に対応した複
数の駆動トランジスタと、該駆動トランジスタのエミッ
タにそれぞれ接続され、前記駆動トランジスタの駆動電
流の値を定める抵抗と、通信形態に応じて駆動トランジ
スタを選択するスイッチ手段とから成ることを特徴とす
る請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 前記抵抗のうち少なくとも一つを外付け
抵抗とすることを特徴とする請求項３記載の光半導体装
置。 - 【請求項５】 前記通信形態は、ＩｒＤＡ通信及びリモ
ートコントロール通信であることを特徴とする請求項１
乃至３記載の光半導体装置。 - 【請求項６】 ＩｒＤＡ通信の場合前記駆動能力を低く
し、前記リモートコントロール通信の場合前記駆動能力
を高くすることを特徴とする請求項１記載の光半導体装
置。 - 【請求項７】 前記発光素子を半導体基板上に集積化し
た半導体チップと、 発光面を上にして前記半導体チップを封止するととも
に、所定の光の波長に対して透明な樹脂封止体と、 前記第１及び第２半導体チップの上部の樹脂封止体に形
成され、発光面の垂線と所定の角度で交差する反射面と
から成り、前記樹脂封止体の側面で光を射出させること
を特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項８】 前記駆動回路を、発光素子が含まれる半
導体基板と異なる半導体基板上に集積化し、前記樹脂封
止体内に封止することを特徴とする請求項７記載の半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10309864A JP2000138640A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10309864A JP2000138640A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138640A true JP2000138640A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=17998226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10309864A Pending JP2000138640A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138640A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006140668A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Rohm Co Ltd | 信号処理回路、光通信モジュール、及びリモコン装置 |
| WO2006073077A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 赤外発光ダイオード及びその製造方法 |
| WO2006090841A1 (ja) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | ダブルヘテロ接合を有するＡｌＧａＡｓ系発光ダイオードおよびその製造方法 |
| JP2006333208A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、モジュールおよび携帯端末機器 |
| JP2007042699A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
| JP2007121973A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Fujikura Ltd | 光コネクタ |
| JP2007294834A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| WO2023140486A1 (ko) * | 2022-01-20 | 2023-07-27 | 삼성전자 주식회사 | 디스플레이 장치 및 ir led를 이용하여 수신한 ir 신호에 기초하여 그 장치를 제어하는 방법 |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP10309864A patent/JP2000138640A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006140668A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Rohm Co Ltd | 信号処理回路、光通信モジュール、及びリモコン装置 |
| WO2006073077A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 赤外発光ダイオード及びその製造方法 |
| US8017960B2 (en) | 2005-01-05 | 2011-09-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Infrared emitting diode and method of its manufacture |
| WO2006090841A1 (ja) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | ダブルヘテロ接合を有するＡｌＧａＡｓ系発光ダイオードおよびその製造方法 |
| KR101207660B1 (ko) | 2005-02-25 | 2012-12-03 | 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 이중 헤테로 접합을 가지는 Ａ1ＧａＡｓ계 발광 다이오드및 그 제조 방법 |
| JP2006333208A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、モジュールおよび携帯端末機器 |
| JP4628185B2 (ja) * | 2005-05-27 | 2011-02-09 | ローム株式会社 | 半導体装置、モジュールおよび携帯端末機器 |
| JP2007042699A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
| JP2007121973A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Fujikura Ltd | 光コネクタ |
| JP2007294834A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
| WO2023140486A1 (ko) * | 2022-01-20 | 2023-07-27 | 삼성전자 주식회사 | 디스플레이 장치 및 ir led를 이용하여 수신한 ir 신호에 기초하여 그 장치를 제어하는 방법 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070821 |