JPS6149486A - 発光ダイオ−ド - Google Patents
発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6149486A JPS6149486A JP59172003A JP17200384A JPS6149486A JP S6149486 A JPS6149486 A JP S6149486A JP 59172003 A JP59172003 A JP 59172003A JP 17200384 A JP17200384 A JP 17200384A JP S6149486 A JPS6149486 A JP S6149486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active region
- groove
- layer
- emitting diode
- active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、発光ダイオードの改良、特に周波数特性の
改良に関するものである。
改良に関するものである。
従来のこの種の発光ダイオードを第１図で説明する。第
１図は電流内部狭窄形発光ダイオードの断面図で、一部
省略して示したものである。
１図は電流内部狭窄形発光ダイオードの断面図で、一部
省略して示したものである。
第１図において、１は半導体基板で、例えはＰ形のＧａ
Ａａである。２は前記半導体基板１上に結晶成長した電
流狭窄層で１例えはＮ形のＧａＡｓである。３は下クラ
ッド層で、電流狭窄層２の上に結晶成長した、例えばＰ
形のＡｌＧａＡｓである。４Ａは前記下クラッド層３の
上に結晶成長した活性層で、例えはＰ形のＧａＡｓであ
る。５は前記活性層４Ａの上に結晶成長した上クラッド
層で１例えばＮ形のＡｌＧａＡｓ である。６および７
は電極で、上クラッド層５または半導体基板１とはオー
ミックコンタクトになっている。８Ａは前記電流狭窄層
２ｙ！ｌ一つき破って半導体基板１にまで達した溝で、
電流を流す活性領域となるものである。
Ａａである。２は前記半導体基板１上に結晶成長した電
流狭窄層で１例えはＮ形のＧａＡｓである。３は下クラ
ッド層で、電流狭窄層２の上に結晶成長した、例えばＰ
形のＡｌＧａＡｓである。４Ａは前記下クラッド層３の
上に結晶成長した活性層で、例えはＰ形のＧａＡｓであ
る。５は前記活性層４Ａの上に結晶成長した上クラッド
層で１例えばＮ形のＡｌＧａＡｓ である。６および７
は電極で、上クラッド層５または半導体基板１とはオー
ミックコンタクトになっている。８Ａは前記電流狭窄層
２ｙ！ｌ一つき破って半導体基板１にまで達した溝で、
電流を流す活性領域となるものである。
このような発光ダイオードにおいて、電極７から注入さ
れた電流は、電流狭窄層２で制限され、溝８への場所の
みに流れるようになる。従って、活性層４Ａにも溝８Ａ
の場所のみに電流が流れ、この場所だけから光を発する
ようになる。
れた電流は、電流狭窄層２で制限され、溝８への場所の
みに流れるようになる。従って、活性層４Ａにも溝８Ａ
の場所のみに電流が流れ、この場所だけから光を発する
ようになる。
しかしながら、発光ダイオードの活性層厚は２〜３μｍ
程度か普通で、下クラッド層３を薄くしても電流は溝８
Ａよりも数ミクｐン程度拡かつて流れるようになり、こ
の周辺付近の電流密度が下かつて発光ダイオードのしゃ
断層波数か著しく下がる原因となっていた。
程度か普通で、下クラッド層３を薄くしても電流は溝８
Ａよりも数ミクｐン程度拡かつて流れるようになり、こ
の周辺付近の電流密度が下かつて発光ダイオードのしゃ
断層波数か著しく下がる原因となっていた。
この発明は、かかる欠点を解消しようとするもので、活
性層において溝の中心付近を厚くその周辺を薄くするこ
とにより、溝の周辺部のキャリア密度を上げて発光ダイ
オードのしゃ断周波数か下からないようにしたものであ
る。以下、この発明の一実施例を図面について説明する
。
性層において溝の中心付近を厚くその周辺を薄くするこ
とにより、溝の周辺部のキャリア密度を上げて発光ダイ
オードのしゃ断周波数か下からないようにしたものであ
る。以下、この発明の一実施例を図面について説明する
。
第２図はこの発明の一実施例である発光ダイオードの断
面図で、一部省略して表わしたものである。なお、第１
図と同一または相当部分は同じ符号で示されている。
面図で、一部省略して表わしたものである。なお、第１
図と同一または相当部分は同じ符号で示されている。
第２図において、４Ｂは厚さ分布を持った活性層で、８
Ｂは前記半導体基板１に達する溝で、電流を流す活性領
域となるものであり、溝８Ａとは深さが異なることがあ
る。そして、活性層４Ｂは、溝８Ｂの中心付近を厚（形
成し、その周辺を薄（形成したものである。
Ｂは前記半導体基板１に達する溝で、電流を流す活性領
域となるものであり、溝８Ａとは深さが異なることがあ
る。そして、活性層４Ｂは、溝８Ｂの中心付近を厚（形
成し、その周辺を薄（形成したものである。
このような発光ダイオードにおいては、溝８Ｂの周辺の
活性層４Ｂの厚さが中心付近に比べて薄いため、電極７
から注入され溝８Ｂから流れ出る電流か溝周辺で拡がっ
てもキャリア密度が下がらなくなるので、注入された少
数キャリアの寿命も長くならずにすみ、従って１発光ダ
イオードのしゃ断周波数も低くならない。すなわち、従
来のこの種の発光ダイオードのしゃ断周波数に比べ、こ
の発明による発光ダイオードのしゃ断周波数は約２倍以
上と飛躍的に向上させることができる。
活性層４Ｂの厚さが中心付近に比べて薄いため、電極７
から注入され溝８Ｂから流れ出る電流か溝周辺で拡がっ
てもキャリア密度が下がらなくなるので、注入された少
数キャリアの寿命も長くならずにすみ、従って１発光ダ
イオードのしゃ断周波数も低くならない。すなわち、従
来のこの種の発光ダイオードのしゃ断周波数に比べ、こ
の発明による発光ダイオードのしゃ断周波数は約２倍以
上と飛躍的に向上させることができる。
以上説明したように、この発明は活性層の厚さな電流を
流す活性領域の中心付近で厚く、周辺で薄くしたので、
発光ダイオードのしゃ断周波数の向上に極めて有効であ
る利点が得られる。
流す活性領域の中心付近で厚く、周辺で薄くしたので、
発光ダイオードのしゃ断周波数の向上に極めて有効であ
る利点が得られる。
第１図は従来の発光ダイオードの断面図、第２図はこの
発明の一実施例による活性層の厚さを電流を流す活性領
域の周辺を薄くした発光ダイオードの断面図である。 図中、１は半導体基板、２は電流狭窄層、３は下クラッ
ド層、４Ｂは厚さ分布を持った活性層、５は上クラッド
層、６．７は電極、８Ｂは電流を流す活性領域となる溝
である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増雄 （外２名） 第１図 １、事件の表示 特願昭５９〜１７２００３号２１
発明の名称 発光ダイオード ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁１０行の「活性領域となるものであ
る。」を、「活性領域を決定するものである。」と補正
する。 （２）同しく第３頁６〜７行の「下からないように」を
、［下がらないように］と補正する。 （３）同じく第５頁３行の１活性領域となる溝」を、「
活性領域を決定する溝」と補正する。 （４） 第２図を別紙のように補正する。 以 上
発明の一実施例による活性層の厚さを電流を流す活性領
域の周辺を薄くした発光ダイオードの断面図である。 図中、１は半導体基板、２は電流狭窄層、３は下クラッ
ド層、４Ｂは厚さ分布を持った活性層、５は上クラッド
層、６．７は電極、８Ｂは電流を流す活性領域となる溝
である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増雄 （外２名） 第１図 １、事件の表示 特願昭５９〜１７２００３号２１
発明の名称 発光ダイオード ３、補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁１０行の「活性領域となるものであ
る。」を、「活性領域を決定するものである。」と補正
する。 （２）同しく第３頁６〜７行の「下からないように」を
、［下がらないように］と補正する。 （３）同じく第５頁３行の１活性領域となる溝」を、「
活性領域を決定する溝」と補正する。 （４） 第２図を別紙のように補正する。 以 上
Claims (1)
- 発光ダイオードの活性層が電流を流す活性領域以外に
も連続して拡がつている活性層を有する発光ダイオード
において、前記活性層の活性領域の周辺部の厚さを前記
活性領域の中心付近の厚さより薄くしたことを特徴とす
る発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59172003A JPS6149486A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59172003A JPS6149486A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149486A true JPS6149486A (ja) | 1986-03-11 |
Family
ID=15933713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59172003A Pending JPS6149486A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6149486A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8017960B2 (en) | 2005-01-05 | 2011-09-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Infrared emitting diode and method of its manufacture |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59172003A patent/JPS6149486A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8017960B2 (en) | 2005-01-05 | 2011-09-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Infrared emitting diode and method of its manufacture |
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