JPS6239839B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6239839B2 JPS6239839B2 JP3987480A JP3987480A JPS6239839B2 JP S6239839 B2 JPS6239839 B2 JP S6239839B2 JP 3987480 A JP3987480 A JP 3987480A JP 3987480 A JP3987480 A JP 3987480A JP S6239839 B2 JPS6239839 B2 JP S6239839B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ingaasp
- light
- electrode
- phosphorus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 24
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体発光装置の構造にかかり、特に
光吸収層を有する半導体発光装置の構造に関す
る。
光吸収層を有する半導体発光装置の構造に関す
る。
半導体レーザ素子等の半導体発光装置に於て
は、その発光効率の向上をはかるために装置内に
光吸収層が設けられる。
は、その発光効率の向上をはかるために装置内に
光吸収層が設けられる。
光吸収層を有する従来の半導体発光装置例えば
半導体レーザ素子の断面構造は、第１図に示すよ
うにＮ電極１を有するＮ型インジウム・燐（Ｎ―
InP）基板２上にＮ―InPからなるＮ電極側クラ
ツド層３が形成され、該Ｎ電極側クラツド層３上
にＮ型インジウム・ガリウム・砒素・燐（Ｎ―
InGaAsP）からなる活性層４が形成され、該活
性層４上にＰ型インジウム・燐（Ｎ―InP）から
なるＰ電極側クラツド層５が形成され、該Ｐ電極
側クラツド層５上にＰ型インジウム・ガリウム・
砒素・燐（Ｐ―InGaAsP）からなるコンタクト
層６を介して発光領域７を制限するＰ電極８が形
成されており、前記Ｐ電極側クラツド層５内には
Ｐ電極８の下部領域をはさんでＰ―InGaAsPか
らなる光吸収層９が形成された構造を有してい
た。
半導体レーザ素子の断面構造は、第１図に示すよ
うにＮ電極１を有するＮ型インジウム・燐（Ｎ―
InP）基板２上にＮ―InPからなるＮ電極側クラ
ツド層３が形成され、該Ｎ電極側クラツド層３上
にＮ型インジウム・ガリウム・砒素・燐（Ｎ―
InGaAsP）からなる活性層４が形成され、該活
性層４上にＰ型インジウム・燐（Ｎ―InP）から
なるＰ電極側クラツド層５が形成され、該Ｐ電極
側クラツド層５上にＰ型インジウム・ガリウム・
砒素・燐（Ｐ―InGaAsP）からなるコンタクト
層６を介して発光領域７を制限するＰ電極８が形
成されており、前記Ｐ電極側クラツド層５内には
Ｐ電極８の下部領域をはさんでＰ―InGaAsPか
らなる光吸収層９が形成された構造を有してい
た。
然し上記のような従来構造に於ては、該半導体
レーザ素子を動作した際に電流の流れはＰ電極８
の形状のみによつて制限されるために、Ｐ電極８
から隔たつた場所ある発光領域７附近に於ては電
流に拡がりを生じ、所望の発光領域に効率よくキ
ヤリヤを注入することができず発光効率が低下す
る。
レーザ素子を動作した際に電流の流れはＰ電極８
の形状のみによつて制限されるために、Ｐ電極８
から隔たつた場所ある発光領域７附近に於ては電
流に拡がりを生じ、所望の発光領域に効率よくキ
ヤリヤを注入することができず発光効率が低下す
る。
そこで上記問題を解決するためには、発光領域
の近傍に電流制限層を設ければ良いので、第２図
に示すように発吸収層をＮ型のInPからなるＮ型
光吸収層９′とすることが考えられる。
の近傍に電流制限層を設ければ良いので、第２図
に示すように発吸収層をＮ型のInPからなるＮ型
光吸収層９′とすることが考えられる。
（第２図に於て１はＮ電極、２はＮ―InP基
板、３はＮ電極側クラツド層、４は活性層、５は
Ｐ電極側クラツド層、６はコンタクト層、７は発
光領域、８はＰ電極を表す。） 然しながら光吸収層９′をＮ―InPで形成した
場合、素子を動作した際に、該Ｎ型光吸収層９′
の活性層４に面するＰ電極側クラツド層５との界
面１０に形成されるPNジヤンクシヨン近傍に発
生する空乏層が、発光領域７の光を吸収しターン
オン現象を起して発光出力の電流依存性の低下を
招くという問題がある。
板、３はＮ電極側クラツド層、４は活性層、５は
Ｐ電極側クラツド層、６はコンタクト層、７は発
光領域、８はＰ電極を表す。） 然しながら光吸収層９′をＮ―InPで形成した
場合、素子を動作した際に、該Ｎ型光吸収層９′
の活性層４に面するＰ電極側クラツド層５との界
面１０に形成されるPNジヤンクシヨン近傍に発
生する空乏層が、発光領域７の光を吸収しターン
オン現象を起して発光出力の電流依存性の低下を
招くという問題がある。
本発明は上記問題点に鑑み発光出力の電流依存
性を低下せしめることなく発光効率を向上せしめ
る機能を備えた発吸収層を、Ｐ電極側クラツド層
内に有する半導体発光装置を提供する。
性を低下せしめることなく発光効率を向上せしめ
る機能を備えた発吸収層を、Ｐ電極側クラツド層
内に有する半導体発光装置を提供する。
即ち本発明はＮ電極側にＮ―InPからなるクラ
ツド層を有し、該Ｎ電極側クラツド層上にＮ―
InGaAsPからなる活性層が形成され、該活性層
上にＰ―InPからなるＰ電極側のクラツド層を有
し、Ｐ電極の形状により発光領域が制限されるダ
ブルヘテロ構造の半導体発光装置に於て、前記Ｐ
―InPからなるＰ電極側クラツド層に於けるＰ電
極下部領域の両側に、Ｎ―InGaAsPからなる光
の吸収層を設け、該光の吸収層に於ける活性層に
最も近い部分のＮ―InGaAsPのバンド・ギヤツ
プを発光波長より大きくし、活性層から遠い部分
のＮ―InGaAsPのバンド・ギヤツプを発光波長
より小さく形成してなることを特徴とする。
ツド層を有し、該Ｎ電極側クラツド層上にＮ―
InGaAsPからなる活性層が形成され、該活性層
上にＰ―InPからなるＰ電極側のクラツド層を有
し、Ｐ電極の形状により発光領域が制限されるダ
ブルヘテロ構造の半導体発光装置に於て、前記Ｐ
―InPからなるＰ電極側クラツド層に於けるＰ電
極下部領域の両側に、Ｎ―InGaAsPからなる光
の吸収層を設け、該光の吸収層に於ける活性層に
最も近い部分のＮ―InGaAsPのバンド・ギヤツ
プを発光波長より大きくし、活性層から遠い部分
のＮ―InGaAsPのバンド・ギヤツプを発光波長
より小さく形成してなることを特徴とする。
以下本発明を第３図に示す本発明の第１の実施
例に於ける断面構造図、及び第４図に示す本発明
の実施例に於ける光吸収層の厚さ方向に対する光
の吸収波長のプロフアイル図を用いて詳細に説明
する。
例に於ける断面構造図、及び第４図に示す本発明
の実施例に於ける光吸収層の厚さ方向に対する光
の吸収波長のプロフアイル図を用いて詳細に説明
する。
本発明の構造を有するダブルヘテロ構造の半導
体レーザ素子に於ては、例えば第３図に示すよう
にＮ電極１１を有するＮ―InP基板１２上にＮ―
InPからなる例えば厚さ５〔μｍ〕程度のＮ電極
側クラツド層３が形成され、該Ｎ電極側クラツド
層１３上にＮ―InGaAsPからなる例えば厚さ0.2
〔μｍ〕程度の活性層１４が形成され、該活性層
１４上にＰ―InPからなる例えば厚さ２〜３〔μ
ｍ〕程度のＰ電極側クラツド層１５が形成され、
該Ｐ電極側クラツド層１５上にＰ―InGaAsPか
らなる例えば厚さ0.5〔μｍ〕程度のコンタクト
層１６を介して発光領域１７を制限するＰ電極１
８が形成されている。
体レーザ素子に於ては、例えば第３図に示すよう
にＮ電極１１を有するＮ―InP基板１２上にＮ―
InPからなる例えば厚さ５〔μｍ〕程度のＮ電極
側クラツド層３が形成され、該Ｎ電極側クラツド
層１３上にＮ―InGaAsPからなる例えば厚さ0.2
〔μｍ〕程度の活性層１４が形成され、該活性層
１４上にＰ―InPからなる例えば厚さ２〜３〔μ
ｍ〕程度のＰ電極側クラツド層１５が形成され、
該Ｐ電極側クラツド層１５上にＰ―InGaAsPか
らなる例えば厚さ0.5〔μｍ〕程度のコンタクト
層１６を介して発光領域１７を制限するＰ電極１
８が形成されている。
そして前記Ｐ電極側クラツド層１５内にはＰ電
極１８の下部領域をはさんでその両側に活性層１
５から例えば0.2〜0.3〔μｍ〕程度隔たつた位置
に底面を有する光吸収層１９が理め込まれてお
り、該光吸収層１９の活性層に最も近い部分は可
能な限り薄く例えば0.1〔μｍ〕程度の厚さに形
成された該レーザ素子の発光波長より大きなバン
ド・ギヤツプを有する第１のＮ―InGaAsP層１
９ａからなり、その上層は0.7〜１〔μｍ〕程度
の厚さの該レーザ素子の発光波長より小さなバン
ド・ギヤツプを有する第２のＮ―InGaAsP層１
９ｂからなつている。
極１８の下部領域をはさんでその両側に活性層１
５から例えば0.2〜0.3〔μｍ〕程度隔たつた位置
に底面を有する光吸収層１９が理め込まれてお
り、該光吸収層１９の活性層に最も近い部分は可
能な限り薄く例えば0.1〔μｍ〕程度の厚さに形
成された該レーザ素子の発光波長より大きなバン
ド・ギヤツプを有する第１のＮ―InGaAsP層１
９ａからなり、その上層は0.7〜１〔μｍ〕程度
の厚さの該レーザ素子の発光波長より小さなバン
ド・ギヤツプを有する第２のＮ―InGaAsP層１
９ｂからなつている。
又図示しないが半導体レーザ素子に於ける本発
明の第２の実施例に於ては、Ｎ―InGaAsPから
なる光吸収層のバンド・ギヤツプが活性層に最も
近い最下層の、該レーザ素子の発光波長より大き
いバンド・ギヤツプを有する領域から最上層の発
光波長より小さいバンド・ギヤツプを有する領域
に向つて徐々に小さくなるように形成される。
明の第２の実施例に於ては、Ｎ―InGaAsPから
なる光吸収層のバンド・ギヤツプが活性層に最も
近い最下層の、該レーザ素子の発光波長より大き
いバンド・ギヤツプを有する領域から最上層の発
光波長より小さいバンド・ギヤツプを有する領域
に向つて徐々に小さくなるように形成される。
そして第１の実施例の構造を有する半導体レー
ザ素子を形成する方法は、第３図を用いて説明す
ると液相エピタキシヤル法を用いてＮ―InP基板
１２上にＮ電極側クラツド層１３を成長し、次い
で該クラツド層１３上に活性層１４を成長し、次
いで該活性層１４上にＰ電極側クラツド層１５の
一部である0.2〜0.3〔μｍ〕程度の厚さのＰ―
InP層を成長し、次いで該Ｐ―InP層上に0.1〔μ
ｍ〕程度の厚さの該レーザ素子の発光波長より大
きいバンド・ギヤツプを有する第１の組成のＮ―
InGaAsP層１９ａを成長し、次いで該Ｎ―
InGaAsP層１９ａ上に0.7〔μｍ〕程度の厚さの
前記発光波長より小さなバンド・ギヤツプを有す
る第２の組成のＮ―InGaAsP層１９ｂを成長す
る。そして次ぎにこれらＮ―InGaAsP層１９ａ
及び１９ｂのＰ電極下部にあたる領域に下層のク
ラツド層１５表面に達するストライプ状の溝部を
形成し、次いで再び液相エピタキシヤル成長方法
により該Ｐ―InGaAsP層１９ｂ上に前記溝部を
埋め更に１〜２〔μｍ〕程度の厚さを有するＮ―
InPからなるＰ電極側クラツド層１５の残部を成
長し、次いで該Ｐ電極側クラツド層１５上に0.5
〔μｍ〕程度の厚さのココンタクト層１６を成長
する。そして次いで該コンタクト層１６上にスト
ライプ状のＰ電極を形成して後、Ｎ―InP基板１
２の表面にＮ電極を形成する。
ザ素子を形成する方法は、第３図を用いて説明す
ると液相エピタキシヤル法を用いてＮ―InP基板
１２上にＮ電極側クラツド層１３を成長し、次い
で該クラツド層１３上に活性層１４を成長し、次
いで該活性層１４上にＰ電極側クラツド層１５の
一部である0.2〜0.3〔μｍ〕程度の厚さのＰ―
InP層を成長し、次いで該Ｐ―InP層上に0.1〔μ
ｍ〕程度の厚さの該レーザ素子の発光波長より大
きいバンド・ギヤツプを有する第１の組成のＮ―
InGaAsP層１９ａを成長し、次いで該Ｎ―
InGaAsP層１９ａ上に0.7〔μｍ〕程度の厚さの
前記発光波長より小さなバンド・ギヤツプを有す
る第２の組成のＮ―InGaAsP層１９ｂを成長す
る。そして次ぎにこれらＮ―InGaAsP層１９ａ
及び１９ｂのＰ電極下部にあたる領域に下層のク
ラツド層１５表面に達するストライプ状の溝部を
形成し、次いで再び液相エピタキシヤル成長方法
により該Ｐ―InGaAsP層１９ｂ上に前記溝部を
埋め更に１〜２〔μｍ〕程度の厚さを有するＮ―
InPからなるＰ電極側クラツド層１５の残部を成
長し、次いで該Ｐ電極側クラツド層１５上に0.5
〔μｍ〕程度の厚さのココンタクト層１６を成長
する。そして次いで該コンタクト層１６上にスト
ライプ状のＰ電極を形成して後、Ｎ―InP基板１
２の表面にＮ電極を形成する。
又第２の実施例の構造を有する半導体レーザ素
子に具備せしめるバンド・ギヤツプの大きさが下
層から上層に向つて徐々小さくなる構造の光吸収
層を形成するには、液相成長の際に平衝状態にあ
る所望の組成を有するInGaAsP溶液を所望の冷
却速度例えば0.7〔℃／分〕程度の一定速度で
徐々に冷却して形成せしめる。
子に具備せしめるバンド・ギヤツプの大きさが下
層から上層に向つて徐々小さくなる構造の光吸収
層を形成するには、液相成長の際に平衝状態にあ
る所望の組成を有するInGaAsP溶液を所望の冷
却速度例えば0.7〔℃／分〕程度の一定速度で
徐々に冷却して形成せしめる。
上記第１、第２の実施例の構造を有する半導体
レーザ素子の光吸収層に於ける吸収波長λの成長
に沿つた厚さｔに対するプロフアイルは第４図に
示すようになる。
レーザ素子の光吸収層に於ける吸収波長λの成長
に沿つた厚さｔに対するプロフアイルは第４図に
示すようになる。
即ち第１の実施例に於ては曲線Ａに示すように
0.1〔μｍ〕程度までは該半導体レーザ素子の発
光波長1.31〔μｍ〕以下であるのでレーザ光の吸
収はなく、0.1〔μｍ〕程度の厚さを越えた点か
ら吸収波長が1.31〔μｍ〕程度になりレーザ光を
吸収し、光吸収層の機能を果たす。
0.1〔μｍ〕程度までは該半導体レーザ素子の発
光波長1.31〔μｍ〕以下であるのでレーザ光の吸
収はなく、0.1〔μｍ〕程度の厚さを越えた点か
ら吸収波長が1.31〔μｍ〕程度になりレーザ光を
吸収し、光吸収層の機能を果たす。
又第２の実施例に於ては曲線Ｂに示すように光
の吸収波長は厚さ方向に沿つて約1.30〔μｍ〕か
ら1.32〔μｍ〕程度まで徐々に大きくなつてお
り、厚さ0.5〔μｍ〕程度の点までは発光波長
1.31〔μｍ〕以下であるのでレーザ光は吸収され
ず、それ以上の厚さの領域でレーザ光を吸収して
光吸収層の機能を果たす。
の吸収波長は厚さ方向に沿つて約1.30〔μｍ〕か
ら1.32〔μｍ〕程度まで徐々に大きくなつてお
り、厚さ0.5〔μｍ〕程度の点までは発光波長
1.31〔μｍ〕以下であるのでレーザ光は吸収され
ず、それ以上の厚さの領域でレーザ光を吸収して
光吸収層の機能を果たす。
従つて上記のような構造の光吸収層を半導体レ
ーザ素子に於ては、動作時に該光吸収層とＰ電極
クラツド層との界面のPNジヤンクシヨン近傍に
形成される空乏層に発光領域の光が吸収されるこ
とがないので、ターンオン現象を発生して発光出
力の電流依存性を低下せしめることがない。
ーザ素子に於ては、動作時に該光吸収層とＰ電極
クラツド層との界面のPNジヤンクシヨン近傍に
形成される空乏層に発光領域の光が吸収されるこ
とがないので、ターンオン現象を発生して発光出
力の電流依存性を低下せしめることがない。
又該光吸収層は残る大部分の厚さを占める領域
が、レーザの波長より小さいバンド・ギヤツプを
有しレーザ光を吸収するので吸収層の機能を充分
に果たし高い発光効率が得られる。
が、レーザの波長より小さいバンド・ギヤツプを
有しレーザ光を吸収するので吸収層の機能を充分
に果たし高い発光効率が得られる。
以上説明したように本発明の構造を有する半導
体発光装置に於ては、良好な光出力の電流依存性
及び高い発光効率が得られる。
体発光装置に於ては、良好な光出力の電流依存性
及び高い発光効率が得られる。
第１図及び第２図は従来の半導体レーザ素子の
断面構造図で、第３図は本発明の第１の実施例に
於ける断面構造図、第４図は本発明の実施例に於
ける光吸収層の厚さ方向に対する光の吸収波長の
プロフアイル図である。 図に於て、１１はＮ電極、１２はＮ―InP基
板、１３はＮ電極側クラツド層、１４は活性層、
１５はＰ電極側クラツド層、１６はコンタクト
層、１７は発光領域、１８はＰ電極、１９ａは第
１のＮ―InGaAsP層、１９ｂは第２のＮ―
InGaAsP層、１９は光吸収層、λは光の吸収波
長、ｔは厚さ、Ａは第１の実施例のλ―ｔ曲線、
Ｂは第２の実施例のλ―ｔ曲線を表わす。
断面構造図で、第３図は本発明の第１の実施例に
於ける断面構造図、第４図は本発明の実施例に於
ける光吸収層の厚さ方向に対する光の吸収波長の
プロフアイル図である。 図に於て、１１はＮ電極、１２はＮ―InP基
板、１３はＮ電極側クラツド層、１４は活性層、
１５はＰ電極側クラツド層、１６はコンタクト
層、１７は発光領域、１８はＰ電極、１９ａは第
１のＮ―InGaAsP層、１９ｂは第２のＮ―
InGaAsP層、１９は光吸収層、λは光の吸収波
長、ｔは厚さ、Ａは第１の実施例のλ―ｔ曲線、
Ｂは第２の実施例のλ―ｔ曲線を表わす。
Claims (1)
- １ Ｎ電極側にＮ型インジウム・燐（Ｎ―InP）
からなるクラツド層を有し、該Ｎ電極側クラツド
層上にＮ型インジウム・ガリウム・砒素・燐（Ｎ
―InGaAsP）からなる活性層が形成され、該活
性層上にＰ型インジウム・燐（Ｐ―InP）からな
るＰ電極側のクラツド層を有し、Ｐ電極の形状に
より発光領域が制限されるダブルヘテロ構造の半
導体発光装置に於て、前記Ｐ型インジウム・燐
（Ｐ―InP）からなるＰ電極側クラツド層に於け
るＰ電極下部領域の両側に、Ｎ型インジウム・ガ
リウム・砒素・燐（Ｎ―InGaAsP）からなる光
吸収層を設け、該光の吸収層に於ける活性層に最
も近い部分のＮ型インジウム・ガリウム・砒素・
燐（Ｎ―InGaAsP）のバンド・ギヤツプを発光
波長より大きくし、活性層から遠い部分のＮ型イ
ンジウム・ガリウム・砒素・燐（Ｎ―
InGaAsP）のバンド・ギヤツプを発光波長より
小さく形成してなることを特徴とする半導体発光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3987480A JPS56135994A (en) | 1980-03-28 | 1980-03-28 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3987480A JPS56135994A (en) | 1980-03-28 | 1980-03-28 | Semiconductor light emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56135994A JPS56135994A (en) | 1981-10-23 |
| JPS6239839B2 true JPS6239839B2 (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12565122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3987480A Granted JPS56135994A (en) | 1980-03-28 | 1980-03-28 | Semiconductor light emitting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56135994A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS603181A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60226191A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPH0632333B2 (ja) * | 1984-09-19 | 1994-04-27 | ソニー株式会社 | 半導体レ−ザ− |
| US4764934A (en) * | 1987-07-27 | 1988-08-16 | Ortel Corporation | Superluminescent diode and single mode laser |
| US5194399A (en) * | 1987-08-05 | 1993-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor light emitting device disposed in an insulating substrate |
| JPH0716081B2 (ja) * | 1987-08-05 | 1995-02-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体発光装置 |
| US5275968A (en) * | 1987-08-05 | 1994-01-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor light emitting device disposed in an insulating substrate |
| US5181218A (en) * | 1988-12-14 | 1993-01-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor laser with non-absorbing mirror structure |
| JP2831667B2 (ja) * | 1988-12-14 | 1998-12-02 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2784298B2 (ja) * | 1992-09-14 | 1998-08-06 | ローム株式会社 | スーパールミネッセントダイオードおよびその製法 |
-
1980
- 1980-03-28 JP JP3987480A patent/JPS56135994A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56135994A (en) | 1981-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1342767A (en) | Light emitting semiconductor devices | |
| GB1385818A (en) | Semiconductor double heterostructure diode laser | |
| EP2919282B1 (en) | Nitride semiconductor stacked body and semiconductor light emitting device comprising the same | |
| JPS6239839B2 (ja) | ||
| JP2765256B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| US5441912A (en) | Method of manufacturing a laser diode | |
| US20040113225A1 (en) | Semiconductor epitaxial structure and semiconductor light-emitting device | |
| JP3151096B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3966962B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| KR20100070074A (ko) | 발광 다이오드 제조방법 | |
| JPH05218585A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6244713B2 (ja) | ||
| JPH07169992A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH04199587A (ja) | 光半導体素子 | |
| JP3020542B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| US20060284192A1 (en) | Radiation-emitting semi-conductor component | |
| KR20050073025A (ko) | 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법 | |
| JPS5884483A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JPH03270186A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0438880A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS6318874B2 (ja) | ||
| JPH03203282A (ja) | 半導体レーザダイオード | |
| JPS61247084A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JPH01313985A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH01215081A (ja) | 半導体発光装置 |