WO2006058847A1 - Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von dicken gallium-nitrit-schichten auf einem saphirsubstrat und zugehörigem substrathalter - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von dicken gallium-nitrit-schichten auf einem saphirsubstrat und zugehörigem substrathalter Download PDF

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Definitions

  • the invention relates to a device for holding at least one substrate in a process chamber of a reactor housing with an attack zone for attacking a handling device and with a support zone on which the substrate lies at least with its edge.
  • the invention also relates to a charging device, in particular in the form of a MOCVD reactor, preferably an HVPE reactor, with a process chamber for depositing layers on at least one substrate held by a substrate holder, which process chamber is brought to process temperature by a heater.
  • a charging device in particular in the form of a MOCVD reactor, preferably an HVPE reactor, with a process chamber for depositing layers on at least one substrate held by a substrate holder, which process chamber is brought to process temperature by a heater.
  • the invention relates to a method for depositing at least one layer on at least one substrate, the substrate being coated in a process chamber of a reactor housing on a substrate holder at a process temperature and then being subjected to light from below without substantial cooling or heating, in order to remove the layer from the At least to loosen the substrate.
  • US Pat. No. 6,750,121 B1 describes a method for depositing gallium nitrite layers on a sapphire substrate, the thermal properties of the layer and substrate being so different that due to different coefficients of thermal expansion when cooling the layer material deposited at a relatively high process temperature can arise.
  • US Pat. No. 6,750,121 B1 proposes that the substrate be treated with laser light from below at essentially the process temperature, which penetrates through the sapphire layer and the gallium nitrite layer at least dissolves from the substrate surface, so that the fractures that otherwise occur during cooling are avoided.
  • the resulting nitrite layer can later be used as a substrate for other coating processes. It is then completely detached from the sapphire substrate in further process layers.
  • a loading and unloading device of a process chamber of a coating device in which a substrate holder is lifted off a substrate holder carrier by means of a gripper, the substrate holder having an annular shape and enclosing the substrate on the edge side.
  • the object of the invention is to provide means with which layers can be deposited on substrates in an improved manner, in which the thermal expansion properties of the layer and substrate are different and in particular gallium nitrite substrates can be produced .
  • the deposition of one or more thick gallium nitrite layers on a sapphire substrate, which layers can later be detached from the substrates, is to be improved.
  • the substrate holder is further developed according to the invention in that the support zone is transparent to the wavelength of the optical substrate treatment process.
  • the optical treatment following the coating can be carried out on one and the same substrate holder.
  • a handling device such as that of the DE 10 232 731 is transferred from the process chamber to a treatment chamber, the treatment chamber preferably being arranged directly next to the process chamber and being kept at essentially the same temperature as the process chamber.
  • the process chamber and the treatment chamber are only separated from one another by a partition. Both chambers can also be sections of one and the same room.
  • the substrate holder has an annular shape.
  • the substrate holder can have an annular base body.
  • the central free space of this basic body has a floor plan that is somewhat larger than the area of the substrate.
  • the support zone is preferably formed by a support element resting on the base body.
  • the support element can also be connected to the base body in some other way. It is essential that the support element is transparent to the wavelength of the optical substrate treatment process.
  • the support element can be formed in one piece or in several parts. However, it should have sections that protrude into the central free space in order to support the substrate.
  • the support element is preferably made of the same material as the substrate, that is preferably made of sapphire (Al2O3).
  • the substrate holder can have a plurality of openings in the manner of a grid, on the edge of which the edge of the substrate rests.
  • the support element is preferably transparent to the wavelength required for the treatment, it is also possible for the substrate to lie on the entire surface of such a support element.
  • the support element preferably has a circular disc shape and lies on a step of the base body.
  • the CVD reactor which forms the process chamber also has at least one gas outlet device and a heater for heating the substrate or the substrate holder or one of the substrate holders carrying substrate holder carrier.
  • This heater can be a resistance heater. It can be an infrared heater or an RF heater.
  • a substrate holder carrier is preferably located in the process chamber, onto which the substrate holder can be placed by means of a handling device.
  • the substrate holder carrier preferably has a base, over which the ring-shaped substrate holder can be placed in such a way that the support element rests on the base.
  • the substrate holder carrier can lie in an opening in the bottom of the process chamber. The bottom of this opening has outlet nozzles for gases, which form a gas cushion on which the substrate holder carrier is driven in a floating manner.
  • the substrate holder carrier is preferably also driven in rotation with the gas emerging from the bottom of the opening.
  • a treatment chamber is attached to the process chamber. This is where the optical post-treatment takes place at essentially the same process temperature.
  • the substrate holder with the substrate lying thereon is brought there by means of a handling device.
  • heating can take place from below in the manner described above.
  • the substrate is exposed to light from below by means of a laser beam at a wavelength of z. B. 355 ran. It can therefore be a laser array that lies in a recess in the bottom of the treatment chamber.
  • a directionally influenceable individual laser which scans the entire surface of the substrate in rows or spirals.
  • the process takes place with the usual process pressures, ie in a range between 10 and 1000 hPa.
  • the optical treatment can also take place with these total pressures.
  • the process chamber and the treatment chamber are flushed in a suitable manner by inert gases such as noble gases or nitrogen or hydrogen.
  • surface-stabilizing gases such as ammonia can be used.
  • FIG. 1 is a perspective view of a half-section of a substrate holder of a first embodiment with the substrate resting thereon,
  • FIG. 2 is a perspective view of the substrate holder of the first embodiment (FIG. 1) without the substrate lying thereon,
  • FIG. 3 shows a schematic representation in section of a reactor housing with a process chamber and an attached treatment chamber
  • FIG. 4 shows a second exemplary embodiment of a substrate holder in a representation according to FIG. 1,
  • FIG. 5 shows the top view of a further exemplary embodiment, in which three differently configured substrate holders rest on a substrate holder carrier,
  • FIG. 6 shows a further exemplary embodiment of the invention in a representation according to FIG. 3,
  • FIG. 7 shows a further exemplary embodiment in a treatment chamber in a representation according to FIG. 3,
  • Fig. 9 shows another embodiment of a body in section
  • FIG. 10 shows a further exemplary embodiment of a base body with a top view in a representation according to FIG. 1.
  • the exemplary embodiment shown in FIG. 1 is a substrate holder 1 which has an annular graphite coated with SIC, TaC or pyrolytic BN or with a base body 6 made of quartz glass.
  • This base body has a circumferential groove on the outer wall, which forms an engagement zone for a fork-shaped handling device, as described, for example, by DE 10 232 731.
  • the interior 7 of the rotationally symmetrical, annular base body 6 has a diameter that is larger than the diameter of the substrate 2.
  • the top of the base body 6 forms a step.
  • an annular disk-shaped sapphire body 8 which forms a support element.
  • the support element 8 lies on the step.
  • the inner edge section 8 1 of the support element 8 projects into the central free space 7 of the base body 6.
  • This edge 8 1 protruding into the free space 7 forms a support zone 5 for the edge 2 1 of the substrate 2.
  • the edge rib 9 serves to center the support element 8.
  • the edge rib 9 is somewhat higher than the material thickness of the support element 8 consisting of sapphire, so that an annular disk-shaped graphite or quartz body 10 resting on the edge 8 ′′ of the support element 8, which forms a compensation plate
  • the thickness of this compensation plate 10 essentially corresponds to the thickness of the substrate 2.
  • the compensation plate 10 is used for centering the substrate 10.
  • the inner edge of the annular compensation plate 10 is approximately aligned with the inner wall of the base body 6.
  • FIG. 3 shows, roughly schematically, a reactor housing 15 which has a process chamber 3 and a treatment chamber 12 attached to it.
  • the process chamber 3 is separated from the treatment chamber 12 by a partition 14.
  • Gas inlets (not shown) open into the process chamber 3, for example in order to introduce the reactive gases used for layer deposition into the process chamber 3.
  • gases are hydrides and chlorides, preferably gallium chloride and ammonia.
  • the reactive gases decompose with one another or are at least thermally excited in such a way that a gallium nitrite layer is deposited on the surface of the substrate.
  • the substrate 2 consists of a sapphire.
  • the process chamber 3 has means (not shown) for deriving the process gas or the reaction products from the process chamber. These means can also include a vacuum pump.
  • the bottom of the process chamber 3 forms a depression 19.
  • nozzles 17 which are connected to a gas feed line 16. Gas flows emerge from the nozzles 17, which raise a substrate holder carrier 18 lying in the recess 19 and set it in rotation.
  • the substrate holder carrier 18 is preferably made of coated graphite and forms a base on which the substrate holder 1 can be placed by means of a handling device, not shown.
  • the base of the substrate holder carrier 18 projects into the central free space 7 of the base body 6.
  • the substrate holder 1 and the substrate holder carrier 18 as well as all other elements of the process chamber 3 can be made of any suitable, high-temperature resistant material.
  • the inwardly projecting edge 8 1 of the support element 8 is supported on the top of the base.
  • the base body 6 lies in an annular recess which forms the wall of the recess 19 on the one hand and the outer wall of the base on the other.
  • the chemical reaction is started by introducing the aforementioned gases and additional carrier gases such as hydrogen or nitrogen and heating the process chamber 3.
  • the process chamber 13 can be heated from all sides. The heating is only indicated by the arrows in FIG. 3.
  • the treatment chamber 12 is provided in the immediate vicinity, in particular in the same reactor housing 15. This temperature is essentially the same as that prevailing in the process chamber 3.
  • the temperature inside the treatment chamber can, however, also be lower than the temperature inside the process chamber 3. It is essential that the temperature difference is small enough to avoid the damage mentioned above. However, no reactive gases enter there.
  • a partition 14 is used for partitioning. However, it is also possible to omit the partition 14.
  • the bottom of the treatment chamber 12 forms a depression.
  • a laser arrangement 21, which emits light of a wavelength 355 ran, is arranged on the bottom of the depression.
  • other wavelengths can also be emitted for other processes.
  • the light emitted by the laser arrangement 21 penetrates the edge 8 1 of the ring disk 8 made of sapphire and the entire substrate 2, that is to say also the edge section 2 1 of the substrate 2 which rests on the ring disk.
  • the interface between the substrate and the gallium nitrite layer applied thereon changes in such a way that it softens.
  • the gallium nitrite layer is thereby dissolved from the substrate surface.
  • Amorphous material can arise in the area of the interface.
  • the process temperature within the treatment chamber 12 is further reduced from a temperature which is below the process temperature.
  • the substrate holder with the substrate lying thereon is first introduced into the process chamber 3. There, a gallium nitrite layer of several micrometers thick is applied to the substrate 2 made of sapphire in the manner known per se. The substrate holder with the substrate 2 lying thereon is then brought into the treatment chamber 12 with a handling device, where the substrate 2 is exposed to laser light from below, so that the gallium nitrite layer is detached from the sapphire substrate. Both processes can essentially be carried out at the same process temperature of around 1000 or 1100 ° C.
  • the substrate holder 1 with the substrate 2 lying thereon is then removed from the treatment chamber 12 by means of a handling device and cooled.
  • the layer can shift laterally with respect to the substrate, so that there are no breaks.
  • annular disk-shaped washer is located below the annular disk 8 and lies on the step formed by the base body.
  • the substrate holder 18 1 1 carries a total of three substrate holder 1.
  • the substrate holder 1 have the shape as described above.
  • the substrate holder V is designed differently. It is able to carry a large number of substrates 2.
  • the fork-shaped handling device is accessed via channels 22, as described in DE 10 232 731.
  • the treatment chamber 2 has a bottom with a funnel-shaped opening.
  • a positionable laser is located in the entrance area of the funnel-shaped opening 21. This can be pivoted about different pivot axes in order to scan the lower surface of the substrate with its laser beam 23.
  • the reactor wall 25 arranged below the substrate holder 1 has an opening which is closed by the interposition of a seal 27 by a window 26 which is supported on a frame 28.
  • the laser arrangement 21 is located below the window 26, ie outside the actual process chamber or reactor chamber, in which a vacuum can be located. This is also a pivotable laser, the laser beam 23 of which can scan the lower surface of the substrate, and so on detach the thick gallium nitrite layer from the transparent substrate.
  • the laser can scan the substrate underside line by line as shown in FIG. 8a.
  • the support element 8 is designed in the form of a circular disk. It is transparent to the laser beam used, the wavelength of which is, for example, 355 ran. It completely supports the substrate 2 because it has the shape of a circular disk.
  • the exemplary embodiment of a base body 6 shown in FIG. 10 shows a square opening with a step ⁇ on which a correspondingly shaped support element 8 can be placed, so that both round and square substrates can be treated with this device.
  • a compensation plate 10 may be provided, which centers the substrate in its position on the support element 8.

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Halterung mindestens eines Sub- strates (2) in einer Prozesskammer (3) eines Reaktorgehäuses (15) mit einer Angriffzone (4) zum Angriff einer Handhabungseinrichtung und mit einer Auflagezone (5), auf welcher das Substrat (2) zumindest mit seinem Rand (2'') aufliegt. Um die auf dem Substrat abgeschiedene Gallium-Nitrit-Schicht gegenüber dem Substrat anzulösen, wird diese von unten her mit einem Laserstrahl beaufschlagt. Hierzu ist vorgesehen, dass die Auflagezone (5) für die Wellenlänge (1) eines optischen Substratbehandlungsprozesses transparent ist.

Description

Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von dicken Gallium-Nitrit- Schichten auf einem Saphirsubstrat und zugehörigem Substrathalter
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Halterung mindestens eines Sub- strates in einer Prozesskammer eines Reaktorgehäuses mit einer Angriffszone zum Angriff einer Handhabungseinrichtung und mit einer Auflagezone, auf welcher das Substrat zumindest mit seinem Rand aufliegt.
Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Beschickungsvorrichtung, insbe- sondere in Form eines MOCVD-Reaktors, vorzugsweise eines HVPE-Reaktors, mit einer Prozesskammer zum Abscheiden von Schichten auf mindestens einem von einem Substrathalter gehaltenen Substrat, welche Prozesskammer von einer Heizung auf Prozesstemperatur gebracht wird.
Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Schicht auf mindestens einem Substrat, wobei das Substrat in einer Prozesskammer eines Reaktorgehäuses auf einem Substrathalter bei einer Prozesstemperatur beschichtet wird und daran anschließend ohne wesentliche Abkühlung oder Erwärmung von unten her lichtbeaufschlagt wird, um die Schicht vom Substrat zumindest anzulösen.
Das US 6,750,121 Bl beschreibt ein Verfahren zum Abscheiden von Gallium- Nitrit-Schichten auf einem Saphir-Substrat, wobei die thermischen Eigenschaften von Schicht und Substrat derart verschieden sind, dass zufolge unterschied- licher Wärmeausdehnungskoeffizienten beim Abkühlen des bei einer relativ hohen Prozesstemperatur abgeschiedenen Schichtmaterials Brüche entstehen können.
Zur Vermeidung derartiger Brüche wird von der US 6,750,121 Bl vorgeschla- gen, dass das Substrat von unten her bei im Wesentlichen der Prozesstemperatur mit Laserlicht behandelt wird, das durch die Saphirschicht hindurch dringt und die Gallium-Nitrit-Schicht zumindest von der Substratoberfläche anlöst, so dass die ansonsten beim Abkühlen entstehenden Brüche vermieden werden. Die so entstandene Nitrit-Schicht kann später als Substrat für andere Beschich- tungsverf ahren verwendet werden. Sie wird dann in weiteren Prozessschichten vollständig von dem Saphirsubstrat abgelöst.
Aus der DE 1232 731 ist eine Be- und Entladevorrichtung einer Prozesskammer einer Beschichtungseinrichtung bekannt, bei der mittels eines Greifers ein Substrathalter von einem Substrathalterträger abgehoben wird, wobei der Sub- strathalter eine Ringform besitzt und das Substrat randseitig unterfasst.
Ausgehend von dem zuvor genannten Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, Mittel anzugeben, mit denen in verbesserter Weise Schichten auf Substrate abscheidbar sind, bei denen die Wärmeausdehnungsei- genschaften von Schicht und Substrat verschieden sind und insbesondere Gallium-Nitrit-Substrate herstellbar sind. Insbesondere soll das Abscheiden von ein oder mehreren dicken Gallium-Nitrit-Schichten auf einem Saphirsubstrat, welche Schichten später wieder von den Substraten abgelöst werden können, verbessert werden.
Gelöst wird die Aufgabe zunächst und im Wesentlichen durch die in den nebengeordneten Ansprüchen angegebene Erfindung. Die formal als Unteransprüche formulierten weiteren Ansprüche stellen nicht nur in Kombination mit den nebengeordneten Ansprüchen vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung dar. Sie stellen darüber hinaus auch eigenständige Lösungen dar.
Der Substrathalter wird erfindungsgemäß dadurch weitergebildet, dass die Auflagezone für die Wellenlänge des optischen Substratbehandlungsprozesses transparent ist. Zufolge dieser Ausgestaltung kann die der Beschichtung nach- folgende optische Behandlung auf ein und demselben Substrathalter durchgeführt werden. Dieser kann mit einer Handhabungseinrichtung, wie sie von der DE 10 232 731 beschrieben ist, von der Prozesskammer in eine Behandlungskammer transferiert werden, wobei die Behandlungskammer vorzugsweise unmittelbar neben der Prozesskammer angeordnet ist und auf im Wesentlichen derselben Temperatur wie die Prozesskammer gehalten ist. Es ist auch möglich, dass die Prozesskammer und die Behandlungskammer lediglich durch eine Trennwand voneinander getrennt werden. Beide Kammern können auch Abschnitte ein und desselben Raumes sein. In einer bevorzugten Ausgestaltung besitzt der Substrathalter eine Ringform. Hierzu kann der Substrathalter einen kreisringförmigen Grundkörper besitzen. Der zentrale Freiraum dieses Grund- körpers besitzt einen Grundriss, der etwas größer ist als die Fläche des Substrates. Zufolge dieser Ausgestaltung kann die gesamte Substratoberfläche von unten her mit einem Laserstrahl behandelt werden, welcher durch den zentralen Freiraum des Grundkörpers hindurch die Unterseite des Substrates beaufschlagt. Die Auflagezone wird vorzugsweise von einem auf dem Grundkörper aufliegenden Stützelement ausgebildet. Das Stützelement kann aber auch anderweitig mit dem Grundkörper verbunden sein. Wesentlich ist, dass das Stützelement transparent ist für die Wellenlänge des optischen Substratbehandlungsprozesses. Dabei kann das Stützelement einteilig oder mehrteilig ausgebildet sein. Es sollte aber Abschnitte aufweisen, die in den zentralen Freiraum ragen, um damit das Substrat zu tragen. Das Stützelement besteht vorzugsweise aus demselben Material wie das Substrat, also vorzugsweise aus Saphir (AI2O3). Es ist auch möglich, dass mehrere Substrate auf einem Substrathalter aufliegen. Hierzu kann der Substrathalter gitterartig eine Vielzahl von Öffnungen aufweisen, auf deren Rand der Rand des Substrates aufliegt. Da das Stütz- element vorzugsweise transparent für die zur Behandlung erforderliche Wellenlänge ist, ist es auch möglich, dass das Substrat vollflächig auf einem derartigen Stützelement aufliegt. Vorzugsweise besitzt das Stützelement jedoch eine Kreisscheibenform und liegt auf einer Stufe des Grundkörpers auf. Der CVD- Reaktor, der die Prozesskammer bildet, besitzt neben geeigneten Gaseinlassein- richtungen auch zumindest eine Gasauslasseinrichtung und eine Heizung zum Aufheizen des Substrates bzw. des Substrathalters oder eines den Substrathalter tragenden Substrathalterträger. Diese Heizung kann eine Widerstandsheizung sein. Sie kann eine Infrarotheizung oder eine RF-Heizung sein. In der Prozesskammer befindet sich bevorzugt eine Substathalterträger, auf den mittels einer Handhabungseinrichtung der Substrathalter aufgesetzt werden kann. Der Sub- strathalterträger besitzt vorzugsweise einen Sockel, über den der ringförmige Substrathalter derart gestülpt werden kann, dass das Stützelement auf dem Sockel aufliegt. Der Substrathalterträger kann in einer Öffnung des Bodens der Prozesskammer einliegen. Der Boden dieser Öffnung besitzt Austrittsdüsen für Gase, die ein Gaspolster ausbilden, auf welchem der Substrathalterträger schwebend drehangetrieben wird. Der Substrathalterträger wird vorzugsweise auch mit dem aus dem Boden der Öffnung austretenden Gas drehangetrieben. Der Prozesskammer ist eine Behandlungskammer angegliedert. In dieser findet die optische Nachbehandlung bei im Wesentlichen derselben Prozesstemperatur statt. Hierzu wird der Substrathalter mit darauf aufliegendem Substrat nach dort mittels Handhabungseinrichtung verbracht. Auch hier kann die Beheizung in der oben beschriebenen Weise von unten erfolgen. Die Lichtbeaufschlagung des Substrates von unten erfolgt mittels eines Laserstrahls bei einer Wellenlänge von z. B. 355 ran. Es kann sich daher um einen Laserarray handeln, das in einer Vertiefung des Bodens der Behandlungskammer einliegt. Es ist aber auch möglich, einen richtungsbeeinf lussbaren einzelnen Laser zu verwenden, der zeilenweise oder spiralförmig die komplette Fläche des Substrates abtastet. Der Prozess findet bei den gängigen Prozessdrucken statt, also in einem Bereich zwischen 10 und 1000 hPa. Auch die optische Behandlung kann bei diesen Totaldrucken stattfinden. Die Prozesskammer und die Behandlungskammer wer- den in geeigneter Weise durch Inertgase wie Edelgase oder Stickstoff oder Wasserstoff gespült. Darüber hinaus können oberflächenstabilisierende Gase wie Ammoniak eingesetzt werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen: Fig. 1 in einem Halbschnitt in perspektivischer Darstellung einen Substrathalter eines ersten Ausführungsbeispiels mit aufliegendem Substrat,
Fig. 2 eine perspektivische Darstellung des Substrathalters des ersten Ausführungsbeispiels (Fig. 1) ohne darauf aufliegendem Substrat,
Fig. 3 in schematischer Darstellung im Schnitt ein Reaktorgehäuse mit Prozesskammer und daran angegliederter Behandlungskammer,
Fig. 4 eine zweites Ausführungsbeispiel eines Substrathalters in einer Darstellung gemäß Fig. 1,
Fig. 5 die Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem drei unterschiedlich ausgestaltete Substrathalter auf einem Substrathalterträger aufliegen,
Fig. 6 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung in einer Darstellung gemäß Fig. 3,
Fig. 7 ein weiteres Ausführungsbeispiel in einer Behandlungskammer in einer Darstellung gemäß Fig. 3,
Fig. 8a eine mögliche Abtastkurve eines steuerbaren Lasers,
Fig. 8b eine zweite mögliche Abtastkurve eines steuerbaren Lasers,
Fig. 9 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Grundkörpers im Schnitt und
Fig. 10 ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Grundkörpers mit Draufsicht in einer Darstellung gemäß Fig. 1. Das in Fig. 1 dargestellte Ausführungsbeispiel ist ein Substrathalter 1, der einen ringförmigen, aus SIC, TaC oder pyrolitischen BN beschichteten Graphit oder aus Quarzglas bestehenden Grundkörper 6 besitzt. Dieser Grundkörper besitzt eine außenwandseitige, umlaufende Nut, die eine Angriffszone ausbildet für eine gabelförmige Handhabungseinrichtung, wie sie beispielsweise von der DE 10 232 731 beschrieben wird. Der Innenraum 7 des rotationssymmetrischen, ringförmigen Grundkörpers 6 besitzt einen Durchmesser, der größer ist, als der Durchmesser des Substrates 2.
Unter Ausbildung einer Randrippe 9 bildet die Oberseite des Grundkörpers 6 eine Stufe aus. Auf dieser Stufe liegt ein kreisringscheibenförmiger Saphirkörper 8, der ein Stützelement ausbildet. Mit seinem Außenrand 8" liegt das Stützelement 8 auf der Stufe auf. Der innere Randabschnitt 81 des Stützelementes 8 ragt in den zentralen Freiraum 7 des Grundkörpers 6.
Dieser, in den Freiraum 7 hinein ragende Rand 81 bildet eine Auflagezone 5 für den Rand 21 des Substrates 2 aus. Die Randrippe 9 dient der Zentrierung des Stützelementes 8. Die Randrippe 9 ist etwas höher als die Materialstärke des aus Saphir bestehenden Stützelementes 8, so dass auch ein auf dem Rand 8" des Stützelementes 8 aufliegender ringscheibenförmiger Graphit- oder Quarzkörper 10, der eine Kompensationsplatte bildet, zentriert werden kann. Die Dicke dieser Kompensationsplatte 10 entspricht im Wesentlichen der Dicke des Substrates 2. Die Kompensationsplatte 10 dient der Zentrierung des Substrates. Die innere Kante der ringförmigen Kompensationsplatte 10 fluchtet in etwa mit der inneren Wandung des Grundkörpers 6.
Die Fig. 3 zeigt grob schematisch ein Reaktorgehäuse 15, welches eine Prozesskammer 3 und daran angegliedert eine Behandlungskammer 12 besitzt. Die Prozesskammer 3 ist von einer Trennwand 14 von der Behandlungskammer 12 getrennt. In die Prozesskammer 3 münden nicht dargestellte Gaseinlässe, um beispielsweise die zur Schichtabscheidung dienenden reaktiven Gase in die Prozesskammer 3 einzuleiten. Bei diesen Gasen handelt es sich um Hydride und Chloride, vorzugsweise um Gallium-Chlorid und um Ammoniak. Durch Reaktionen in der Gasphase, die auch plasmaunterstützt sein können, zerfallen die reaktiven Gase miteinander oder werden zumindest derart thermisch angeregt, dass auf der Oberfläche des Substrates eine Gallium-Nitrit-Schicht abgeschieden wird. Das Substrat 2 besteht aus einem Saphir. Darüber hinaus besitzt die Prozesskammer 3 nicht dargestellte Mittel, um das Prozessgas bzw. die Reaktions- produkte aus der Prozesskammer abzuleiten. Diese Mittel können eine Vakuumpumpe mit umfassen.
Der Boden der Prozesskammer 3 bildet eine Vertiefung 19 aus. Im Boden der Vertiefung 19 sind Düsen 17 angeordnet, die mit einer Gaszuleitung 16 verbun- den sind. Aus den Düsen 17 treten Gasströme aus, die einen in der Vertiefung 19 einliegenden Substrathalterträger 18 anheben und in Drehung versetzen. Der Substrathalterträger 18 ist vorzugsweise aus beschichtetem Graphit gefertigt und bildet einen Sockel aus, auf den der Substrathalter 1 mittels einer nicht dargestellten Handhabungseinrichtung aufsetzbar ist. Dabei ragt der Sockel des Substrathalterträgers 18 in den zentralen Freiraum 7 des Grundkörpers 6 hinein. Der Substrathalter 1 und der Substrathalterträger 18 sowie alle anderen E- lemente der Prozesskammer 3 können aus jedem geeigneten, hochtemperatur- festen Material gefertigt sein. Im Ausführungsbeispiel stützt sich der nach innen ragende Rand 81 des Stützelementes 8 auf der Oberseite des Sockels ab. Der Grundkörper 6 liegt in einer kreisringförmigen Aussparung, die die Wandung der Vertiefung 19 einerseits und die Außenwandung des Sockels andererseits bildet.
Durch Einleiten der vorerwähnten Gase und zusätzlicher Trägergase wie Was- serstoff oder Stickstoff und Beheizen der Prozesskammer 3 wird die chemische Reaktion in Gang gesetzt. Die Beheizung der Prozesskammer 13 kann von allen Seiten erfolgen. In der Fig. 3 ist die Beheizung durch die Pfeile lediglich angedeutet.
In unmittelbarer Nachbarschaft, insbesondere im selben Reaktorgehäuse 15 ist die Behandlungskammer 12 vorgesehen. In dieser herrscht im Wesentlichen dieselbe Temperatur, die auch in der Prozesskammer 3 herrscht. Die Temperatur innerhalb der Behandlungskammer kann aber auch geringer sein, als die Temperatur innerhalb der Prozesskammer 3. Wesentlich ist, dass der Tempera- turunterschied gering genug ist, um die oben genannten Schädigungen zu vermeiden. Dorthin treten jedoch keine reaktiven Gase ein. Zur Abschottung dient eine Trennwand 14. Es ist aber auch möglich, die Trennwand 14 wegzulassen.
Der Boden der Behandlungskammer 12 bildet im Ausführungsbeispiel eine Vertiefung aus. Auf dem Boden der Vertiefung ist eine Laseranordnung 21 angeordnet, die Licht einer Wellenlänge 355 ran absendet. Für andere Prozesse können aber auch andere Wellenlängen emittiert werden.
Das von der Laseranordnung 21 emittierte Licht durchdringt den Rand 81 der aus Saphir bestehenden Kreisringscheibe 8 und das gesamte Substrat 2, also auch den Randabschnitt 21 des Substrates 2, der auf der Kreisringscheibe aufliegt. Zufolge der eingebrachten Lichtenergie verändert sich das Interface zwischen Substrat und darauf aufgebrachter Gallium-Nitrit-Schicht derartig, dass es aufweicht. Die Gallium-Nitrit-Schicht wird dadurch von der Substratoberflä- che angelöst. Eine eventuell vorhandene kristalline Anbindung zwischen
Schicht und Substrat wird zerstört. Im Bereich des Interfaces kann amorphes Material entstehen.
Es ist auch vorgesehen, dass während der optischen Behandlung die Prozess- temperatur innerhalb der Behandlungskammer 12 von einer Temperatur, die unterhalb der Prozesstemperatur liegt, weiter abgesenkt wird. Zur Durchführung des Verfahrens wird zunächst der Substrathalter mit darauf aufliegendem Substrat in die Prozesskammer 3 eingebracht. Dort wird in der an sich bekannten Weise eine Gallium-Nitrit-Schicht von mehreren Mikrometern Dicke auf das aus -Saphir bestehende Substrat 2 aufgebracht. Sodann wird der Substrathalter mit darauf aufliegendem Substrat 2 mit einer Handhabungseinrichtung in die Behandlungskammer 12 verbracht, wo das Substrat 2 von unten mit Laserlicht beaufschlagt wird, damit sich die Gallium-Nitrit-Schicht von dem Saphirsubstrat löst. Beide Prozesse können im Wesentlichen bei derselben Pro- zesstemperatur von etwa 1000 oder 1100° C durchgeführt werden.
Sodann wird der Substrathalter 1 mit darauf aufliegendem Substrat 2 aus der Behandlungskammer 12 mittels einer Handhabungseinrichtung verbracht und abgekühlt. Beim Abkühlen kann sich die Schicht gegenüber dem Substrat in lateraler Richtung verschieben, so dass es nicht zu Brüchen kommt.
Bei dem in der Fig. 4 dargestellten weiteren Ausführungsbeispiel liegt unterhalb der Kreisringscheibe 8 noch eine kreisringscheibenförmige Unterlegplatte, die auf der vom Grundkörper ausgebildeten Stufe liegt.
Bei dem in Fig. 5 dargestellten Ausführungsbeispiel trägt der Substrathalter 18 insgesamt drei Substrathalter 1, 11. Die Substrathalter 1 haben die Gestalt, wie sie zuvor beschrieben wurde. Der Substrathalter V ist andersartig gestaltet. Er ist in der Lage, eine Vielzahl von Substraten 2 zu tragen.
Der Zugriff der gabelförmigen Handhabungseinrichtung erfolgt über Kanäle 22, wie dies in der DE 10 232 731 beschrieben wird.
Bei dem in der Fig. 6 dargestellten Ausführungsbeispiel besitzt die Behand- lungskammer 2 einen Boden mit einer trichterförmigen Öffnung. Im Eingangsbereich der trichterförmigen Öffnung befindet sich ein positionierbarer Laser 21. Dieser kann um verschiedene Schwenkachsen geschwenkt werden, um mit seinem Laserstrahl 23 die Unterfläche des Substrates abzutasten.
Bei dem in Fig. 7 dargestellten Ausführungsbeispiel besitzt die unterhalb des Substrathalters 1 angeordnete Reaktorwandung 25 eine Öffnung, die mit der Zwischenlage einer Dichtung 27 von einem Fenster 26 verschlossen ist, das sich auf einem Rahmen 28 abstützt. Unterhalb des Fensters 26, also außerhalb der eigentlichen Prozesskammer bzw. Reaktorkammer, in welcher sich ein Vakuum befinden kann, befindet sich die Laseranordnung 21. Auch hier handelt es sich um einen schwenkbaren Laser, dessen Laserstrahl 23 die Unterfläche des Substrates abtasten kann, um so die dicke Gallium-Nitrit-Schicht von dem transparenten Substrat abzulösen.
Der Laser kann dabei die Substratunterseite wie in der Fig. 8a dargestellt, zei- lenweise abtasten. Es ist aber auch möglich, wie in der Fig. 8b dargestellt, die Unterseite des Substrates spiralförmig abzutasten. Dies kann von innen nach außen oder von außen nach innen erfolgen. Vorzugsweise erfolgt das Abtasten von außen nach innen. Und dabei kann sogar gleichzeitig die Temperatur abgesenkt werden.
Bei dem in der Fig. 9 dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Stützelement 8 kreisscheibenförmig ausgebildet. Es ist transparent für den verwendeten Laserstrahl, dessen Wellenlänge beispielsweise 355 ran beträgt. Es stützt das Substrat 2 vollständig ab, da es die Form einer Kreisscheibe besitzt.
Das in Fig. 10 dargestellte Ausführungsbeispiel eines Grundkörpers 6 zeigt eine quadratische Öffnung mit einer Stufe Θ, auf welche ein entsprechend geformtes Stützelement 8 aufgelegt werden kann, so dass mit dieser Vorrichtung sowohl runde als auch eckige Substrate behandelt werden können. Auch hier kann wie bei dem in der Fig. 9 dargestellten Ausführungsbeispiel eine Kompensations- platte 10 vorgesehen sein, die das Substrat in seiner Lage auf dem Stützelement 8 zentriert.
Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.

Claims

ANSPRÜCHE
1. Vorrichtung zur Halterung mindestens eines Substrates (2) in einer Prozesskammer (3) eines Reaktorgehäuses (15) mit einer Angriffszone (4) zum Angriff einer Handhabungseinrichtung und mit einer Auflagezone (5), auf welcher das Substrat (2) zumindest mit seinem Rand (21) aufliegt, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflagezone (5) für die Wellenlänge eines optischen Substratbehandlungsprozess transparent ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch eine Ringform des Substrathalters (1).
3. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch einen ringförmigen Grundkörper (6), dessen zentraler Freiraum (7) im Grundriss das Substrat (2) umgibt.
4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch mindestens ein auf dem Grundkörper (6) aufliegendes, die Auflagezone (5) ausbildende Stützelement (8), aus für die Wellenlänge eines optischen Substratbehandlungsprozesses transparenten Material.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass sich ein oder mehrere Abschnitte (81) der Stützelemente (8) in oder über den zentralen Freiraum erstrecken.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Stützele- ment (8) aus demselben Material wie das Substrat (2) besteht.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Substrate (2) auf einem Substrathalter (1) aufliegen.
8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Stützelement (8) eine Kreisringscheibenform aufweist und auf einer Stufe des Grundkörpers (6) aufliegt.
9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Stützelement (8) aus Saphir (AL2O3) besteht.
10. Vorrichtung zum Beschichten eines Substrates, insbesondere CVD- Reaktor mit einer Prozesskammer (3) zum Abscheiden von Schichten auf mindestens einem von einem Substrathalter (1) insbesondere gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche gehaltenen Substrat (2), welche Prozesskammer (3) von einer Heizung (13) auf Prozesstemperatur gebracht wird, gekennzeichnet durch eine der Prozesskammer (3) angegliederte Behandlungskammer (12) zur optischen Nachbehandlung bei im Wesentlichen derselben oder einer etwas geringeren Prozesstemperatur des dorthin auf dem Substrathalter (1) gebrachten mindestens eines Substrates (2).
11. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Substrathalter (1) in der Prozesskammer (3) auf einem Substrathalterträger (18) aufliegt, der von unten beheizbar ist.
12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Substrathalterträger (18) insbesondere auf einem Gaspolster drehangetrieben gelagert ist.
13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Stützelement (8) auf dem Substrathalterträger (18) aufliegt.
14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Behandlungskammer (12) eine Laseranordnung (21) als Lichtquelle aufweist.
15. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Laseranordnung (21) ein Licht der Wellenlänge 355 ran emittiert.
16. Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Schicht auf mindestens einem Substrat (2), wobei das Substrat (2) in einer Prozesskammer (3) eines Reaktorgehäuses (15) auf einem Substrathalter (1) insbesondere gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche aufliegend bei einer Prozesstemperatur beschichtet wird und daran anschließend ohne wesentliche Abkühlung oder geringe Abkühlung in einer Behandlungskammer (12) auf demselben Substrathalter (1) aufliegend von unten her lichtbeaufschlagt wird, um das Interface zwischen Schicht und Substrat (2) zu beeinflussen und ggf. anzulösen.
17. Verfahren nach Anspruch 16 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozesstemperatur > 900° C, > 1000° C oder > 1100° C ist.
18. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche o- der insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass eine mehrere Mikrometer dicke, insbesondere als Pseudosubstrat dienende Gallium- Nitrit-Schicht auf einem Saphir Substrat abgeschieden wird.
19. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Abscheidung durch in die Prozesskammer (3) eingebrachte reaktive Gase erfolgt.
20. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die in die Prozesskammer eingebrachten Gase Elemente der dritten und fünften bzw. zweiten und sechsten Hauptgruppe beinhalten.
21. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die in die Prozesskammer (3) eingebrachten reaktiven Gase Chloride und Hydride sind.
22. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass Gallium- Chlorid und NH3 in die Prozesskammer eingebracht werden zum Wachstum von Gallium-Nitrit.
23. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch ein kreisscheibenförmiges, transparentes Stützelement (8).
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