WO2006040924A1 - シールド体および真空処理装置 - Google Patents

シールド体および真空処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2006040924A1
WO2006040924A1 PCT/JP2005/017778 JP2005017778W WO2006040924A1 WO 2006040924 A1 WO2006040924 A1 WO 2006040924A1 JP 2005017778 W JP2005017778 W JP 2005017778W WO 2006040924 A1 WO2006040924 A1 WO 2006040924A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
shield body
wall structure
processing apparatus
vacuum processing
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2005/017778
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toshihisa Nozawa
Tamaki Yuasa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to CNB2005800276171A priority Critical patent/CN100552083C/zh
Priority to KR1020077008329A priority patent/KR100887440B1/ko
Priority to US11/577,198 priority patent/US20070240979A1/en
Publication of WO2006040924A1 publication Critical patent/WO2006040924A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a shield body used for a vacuum processing apparatus, and a vacuum processing apparatus using the shield body.
  • substrate processing such as film formation, etching, and surface treatment is performed on a substrate to be processed in an atmosphere in a vacuum state or a reduced pressure state.
  • Various types of so-called vacuum processing equipment have been used.
  • the inner wall surface of the processing container that holds the substrate to be processed is attached to the inner wall surface of the processing container to form deposits, which are scattered by film formation, etching, surface treatment, etc.
  • the delamination of the deposits may cause a contamination source of the substrate to be processed such as particles.
  • the deposits are prevented by covering the depositing portion of the processing vessel such as the inner wall surface of the processing vessel.
  • a so-called shield plate is used.
  • the shield plate when a shield plate is used in a processing container of a vacuum processing apparatus, for example, when a temperature change occurs in the processing container due to film formation, etching, surface treatment, etc., the shield plate changes in temperature. Since it expands and contracts accordingly, the deposit deposited on the shield plate may peel off and become a source of the partition. Also, since the temperature of the shield plate may affect the substrate processing, it is preferable that the temperature of the shield plate can be set to any temperature. [0007] Therefore, in some cases, the shield plate is heated by attaching a heating means such as a heater to the shield plate in the processing container.
  • a heating means such as a heater
  • Patent Document 1 JP 2000-082699 A
  • the structure of the shield plate to which the heater is attached becomes complicated and large, and as a result, the shield plate becomes thick and there is a concern that the cost for the shield plate including the heater may increase. It was.
  • the present invention has an object to provide a new and useful shield body for use in a vacuum processing apparatus, and a vacuum processing apparatus using the shield body, which solves the above problems. Yes.
  • a specific problem of the present invention is a shield body used in a processing container of a vacuum processing apparatus, which has a heating means and can be thinned with a simple structure, and the shield body. It is providing the vacuum processing apparatus using this.
  • the above-described problem is solved by a shield body installed inside a processing container of a vacuum processing apparatus, and exposed to a decompressed processing space inside the processing container.
  • An internal space that is formed inside the outer wall structure and is isolated from the processing space, and a heating unit that is installed in the inner space and that heats the outer wall structure.
  • the space is communicated with the outside of the vacuum processing vessel, and the heating means is resolved by a shield body formed so as to extend into the internal space in the form of a sheet.
  • the above-described problem is solved by a processing container, an exhaust means for exhausting a processing space inside the processing container, a holding base for holding a substrate to be processed, and the processing container.
  • a vacuum processing apparatus having a shield body installed therein, wherein the shield body is formed in the outer wall structure exposed to the decompressed processing space inside the processing container and in the outer wall structure An internal space that is isolated from the processing space, and heating means that heats the outer wall structure installed in the internal space, the internal space communicating with the outside of the vacuum processing vessel,
  • the heating means is solved by a vacuum processing apparatus characterized in that the heating means is formed to extend into the internal space in the form of a sheet.
  • a shield body used in a processing container of a vacuum processing apparatus having a calorie heat means, capable of being thinned with a simple structure, and the shield body are used. It is possible to provide a vacuum processing apparatus.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a vacuum processing apparatus according to Example 1.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a vacuum processing apparatus according to Example 1.
  • FIG. 2 is a perspective view schematically showing a shield body used in the vacuum processing apparatus of FIG.
  • FIG. 3 shows a modification (part 1) of the vacuum processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 4 is a second modification of the vacuum processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 5 shows a modification (No. 3) of the vacuum processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 6 shows a modification (No. 4) of the vacuum processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 7 is a view showing a radiation plate used in the vacuum processing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a vacuum processing apparatus 10 and a shield body 100 used in the vacuum processing apparatus 10 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the vacuum processing apparatus 10 includes, for example, a substantially cylindrical processing container 11 having an upper opening and a top of the processing container 11 so as to close the opening of the processing container 11.
  • a supply unit 13 having a so-called shower head structure is provided.
  • a holding for holding a substrate W to be processed such as a semiconductor wafer for example.
  • a stand 12 is installed.
  • the holding table 12 may be configured to have a heating means such as a heater, for example.
  • An exhaust means 14 such as a vacuum pump connected to an exhaust port 11B is installed at the bottom of the processing container 11, and is configured to be able to exhaust the processing space. Evacuated to a vacuum.
  • a vacuum In the text, not only the vacuum state in a strict sense but also the state where the processing space is evacuated with a vacuum pump or the like, and there is a residual substance such as residual gas in the processing space, V, so-called reduced pressure. Indicate the vacuum state including the state!
  • a supply line 15 is connected to the supply unit 13, and a process gas related to film formation, etching, surface treatment, and the like necessary for substrate processing supplied from the supply line 15 is supplied to the supply unit 13.
  • a plurality of gas holes 13A are supplied to the processing space 11A.
  • a high-frequency power supply 16 is electrically connected to the supply unit 13, and high-frequency power is applied to excite the plasma of the processing gas in the processing space 11A. It has a structure capable of exciting parallel plate plasma.
  • a shield body 100 that protects the inner wall surface of the processing container 11 is installed in the processing space 11A.
  • the shield body 100 deposits scattered by film formation, etching, surface treatment, and the like during substrate processing are prevented from adhering to the inner wall surface of the processing container. Therefore, it is possible to prevent the generation of particles, etc., by the ability to replace the shield body during maintenance of the processing container, or by removing the accumulated deposit by removing the shield body from the processing container. Maintenance costs and time can be saved compared to deposits on the inner wall of the building.
  • the shield body 100 has an outer wall structure 101 exposed in the processing space 11 A and a space from the processing space 11 A formed inside the outer wall structure 101. It has a closed internal space 101A, and heating means 102 for heating the outer wall structure 101 installed in the internal space 101A. Further, the internal space 101A communicates with the outside of the processing space 11A, and the heating means 102 is formed so as to extend into the internal space 101A in the form of a sheet.
  • the shield body 100 according to the present embodiment has a simple structure while having a heating means, and the thickness of the outer wall structure of the shield body having the heating means inside is reduced, thereby reducing the thickness.
  • ⁇ Has the feature of a miniaturized structure!
  • the internal space 101A communicates with the outside space 11C, which is the outside of the processing container 11, that is, the space outside the processing space 11A.
  • the internal space 101A communicates with the external space via an opening 101B that is an opening of the outer wall structure 101 that opens toward the external space 11C.
  • the external space 11C is an atmospheric pressure space filled with normal air
  • the interior of the internal space 101A is also filled with air, and the pressure is also substantially atmospheric pressure. That is, the internal space 101A is separated from the processing space 11A by the outer wall structure 101 on the processing space 11A side, and communicates with the external space 11C by the opening 101B on the external space 11C side. And the inside is atmospheric pressure.
  • the heating means 102 for example, a heater, installed and used in the internal space 101A is isolated from a vacuum state and can be used in an atmospheric pressure state.
  • a heating means is added to a shield plate installed in a vacuum
  • the shape and size of the heating means that can be formed are limited due to characteristics such as gas release characteristics.
  • the degree of freedom of design with fewer restrictions on the gas release characteristics of the material used is increased, and it becomes possible to use various forms of calorie heat means using various materials. Cost reduction, simplification of shape, thinning and downsizing are easy.
  • the shield body according to the present embodiment has the above-described characteristics, the shield body can be thinned. As shown in FIG. 1, the thickness of the shield body, that is, the heating means 102 is provided.
  • the thickness T of the outer wall structure 101 including the inner space 101A can be 5 mm or less.
  • the thickness T of the outer wall structure 101 does not necessarily have to be the same in all parts of the outer wall structure, and is the thickness of the main part of the outer wall structure 101 exposed in the processing space 11A. In this example, the thickness T is 5 mm or less.
  • the power source 103 for supplying the necessary power to the heating means 102 is a force installed in the external space 11C.
  • the connection line 102A connecting the heating means 102 and the power source 103 is the heating means 102 described above.
  • FIG. 1 a perspective view schematically showing the shield body 100 shown in FIG. 1 is shown in FIG.
  • the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.
  • the shield body 100 has a substantially cylindrical shape, and the internal space is formed inside an outer wall structure 101 having a substantially cylindrical shape. For example, a sheet-like shape is formed in the internal space.
  • the heating means has a structure formed to extend.
  • a flange-like connecting portion 101C extending in the radial direction of the cylindrical shape is formed at the peripheral portion of a cylindrical outer wall structure, and the opening 101B is formed near the tip of the connecting portion 101C.
  • the opening 101B and the connection line 102A are inserted into the opening 101B.
  • the shield body 100 has a substantially cylindrical shape, and the substantially cylindrical shield body covers the periphery of the holding table 12. Thus, it is formed along the inner wall of the processing container 11. For this reason, deposits are prevented from adhering to the inner wall surface of the processing container 11.
  • the shield structure is the shape shown in Fig. 1 and Fig. 2. It is possible to use various processing apparatuses and processing containers that are not limited to those described above, and can be modified and changed according to the shape of the processing container.
  • the shield body is divided into the inner wall surface of the processing container, and the structure is not limited to the inner wall surface of the processing container, for example, a gas such as a holding table or a shower head. It is possible to prevent the deposits and deposits from being formed on the supply unit.
  • FIG. 3 shows a vacuum processing apparatus 10A, which is a modification of the vacuum processing apparatus 10 shown in FIG.
  • the same reference numerals are given to the parts described above, and the description is omitted.
  • the vacuum processing apparatus 10 A includes a temperature measuring unit 104 for measuring the temperature of the outer wall structure 101, and a temperature measured by the temperature measuring unit 104.
  • a shield body 100A having a control means 105 for controlling the heating means 102 is installed.
  • the temperature measuring means 104 is composed of, for example, a thermocouple, and a signal corresponding to the temperature measured by the temperature measuring means 104 is sent to the control means 105 via the connection line 104A, and the control is performed.
  • the means 105 is configured to control the output of the power source 103 in accordance with the temperature of the outer wall structure 101 and to control the heating means 102 via the power source 103.
  • the control means 105 controls the output of the power source 103 in response to the temperature measured by the temperature measuring means 104 or a signal corresponding to the temperature.
  • the shield body 100A can be controlled to a desired temperature, and the temperature of the shield body is stable. Therefore, the shield physical strength deposits are prevented from peeling off, and the generation of particles is suppressed.
  • an integrated power source control means having the functions of the power source and the control means may be used.
  • FIG. 4 shows a vacuum processing apparatus 10B which is a modification of the vacuum processing apparatus 10A shown in FIG.
  • the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.
  • a shield body 100B is installed in the vacuum processing apparatus 10B according to the present embodiment.
  • Cooling means 106 for cooling the outer wall structure 101 is installed in the inner space 101A of the shield body 100B.
  • the cooling means 106 becomes a force such as a cooling pipe for flowing a cooling medium therein, and heat exchange is performed between the cooling medium and the outer wall structure 101 by flowing the cooling medium, thereby the outer wall structure.
  • Cool 101 for example, a liquid such as cooling water, a gas such as He, and various other media can be used.
  • the cooling means 106 is connected to the cooling unit 107 via a connection line 106A.
  • the connection line 106A includes a supply line and a reflux line, and has a structure in which a cooling medium is supplied from the cooling unit 107 to the cooling means 106, or the cooling medium 106 is returned from the cooling means 106.
  • the cooling medium refluxed from the cooling unit is cooled and supplied to the cooling unit 106.
  • control means 105 controls the shield body 100B in order to control the cooling amount of the cooling unit 107 in response to the temperature measured by the temperature measuring means 104 or a signal corresponding to the temperature. It can be controlled to a desired temperature and has the advantage that the temperature of the shield body is stable. Since the shield body 100B according to the present embodiment has both the heating means and the cooling means, the temperature of the outer wall structure is stabilized compared to the case where only the heating means is provided, and the desired temperature is quickly and quickly obtained.
  • Example 4 having the characteristics that can be
  • FIG. 5 shows a vacuum processing apparatus 10C which is another modification of the vacuum processing apparatus 10 shown in FIG.
  • the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.
  • the holding unit 12 has a high frequency.
  • a wave power supply 16A is connected, and high-frequency power can be applied to the holding unit 12.
  • the vacuum processing apparatus 10C it is possible and necessary to apply high-frequency power to both the supply unit 13 and the holding unit 12. Accordingly, high-frequency power may be applied only to the supply unit 13 or only to the holding unit 12. Further, the high frequency power applied to the supply unit 13 and the high frequency power applied to the holding unit 12 may be configured to have different frequencies.
  • FIG. 6 shows a vacuum processing apparatus 10D which is still another modified example of the vacuum processing apparatus 10 shown in FIG.
  • the same reference numerals are given to the parts described above, and the description will be omitted.
  • a low-loss dielectric is placed on the processing vessel 11 at a position corresponding to the substrate W to be processed on the holding table 12.
  • a cover plate 17 is installed so as to face the substrate W to be processed through the gas supply ring 20.
  • the cover plate 17 is seated on the gas supply ring 20 installed on the processing container 11.
  • the gas supply ring 20 is used for processes such as film formation, etching, and substrate surface treatment.
  • a ring-shaped plasma gas passage connected to a gas supply line for supplying a processing gas is formed, and a plurality of gas holes communicating with the plasma gas passage 20A force are formed approximately symmetrically with respect to the substrate W to be processed.
  • the processing gas is supplied to the processing space 11A on the substrate to be processed.
  • a radial line slot antenna 30 having a radiation plate shown in FIG. 7 is provided on the cover plate 17 at a distance of 4 to 5 mm from the cover plate 17. .
  • the radial line slot antenna 30 is seated on the gas supply ring 20 and connected to an external microwave source (not shown) via a coaxial waveguide 21.
  • the radial line slot antenna 30 plasma-excites the processing gas emitted to the space 11A by microwaves from the microwave source.
  • the radial line slot antenna 30 is formed in a flat disk-shaped antenna body 22 connected to the outer waveguide 21 A of the coaxial waveguide 21 and an opening of the antenna body 22. 7 and a radiating plate 18 formed with a number of slots 18b perpendicular to the slot 18a.
  • a dielectric having a constant thickness is provided between the antenna body 22 and the radiating plate 18.
  • a slow phase plate 19 made of a plate is inserted.
  • the radiation plate 18 is connected to a central conductor 21B constituting a coaxial waveguide 21.
  • the microwave fed from the coaxial waveguide 21 spreads in the radial direction between the disk-shaped antenna body 22 and the radiation plate 18. At this time, the wavelength is compressed by the action of the retardation plate 19.
  • the slots 18a and 18b are formed concentrically and orthogonally to each other in accordance with the wavelength of the microwave traveling in the radial direction in this manner, thereby having circular polarization.
  • a plane wave can be emitted in a direction substantially perpendicular to the radiation plate 18.
  • the strong radial line slot antenna 30 By using the strong radial line slot antenna 30, uniform high-density plasma is formed in the space 11A immediately below the cover plate 17. Since the high-density plasma formed in this manner has a low electron temperature, the substrate W to be processed is not damaged, and the extent to which the outer wall structure 101 of the shield body 100 is sputtered is reduced. It has the feature that damage to the shield body is reduced.
  • the vacuum processing apparatus since the vacuum processing apparatus according to the present example has good uniformity of plasma density on the substrate to be processed, the present shield in which the influence of the temperature of the shield body on the substrate to be processed is suppressed.
  • the in-plane uniformity of the substrate to be processed in substrate processing such as film formation, etching, and surface treatment on the substrate to be processed is good.
  • the shield body according to the present invention can be used in combination with various vacuum processing apparatuses, and is not limited to the above-described embodiments, and can be used in various vacuum processing containers. It is.
  • a shield body used in a processing container of a vacuum processing apparatus having a calorie heat means, having a simple structure and capable of being thinned, and using the shield body It is possible to provide a vacuum processing apparatus.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

　本発明は、真空処理装置の処理容器内に用いる、シールド体であって、加熱手段を有し、単純な構造で薄型化が可能なシールド体を用いた真空処理装置を提供することを課題としている。 　そのため、本発明では、処理容器と、前記処理容器内部の処理空間を排気する排気手段と、被処理基板を保持する保持台と、前記処理容器内部に設置されるシールド体と、を有する真空処理装置であって、前記シールド体は、前記処理容器内部の減圧された処理空間に露出される外壁構造と、前記外壁構造の内部に形成された、前記処理空間と隔絶された内部空間と、前記内部空間に設置された、前記外壁構造を加熱する加熱手段と、を有し、前記内部空間は前記真空処理容器の外部に連通し、前記加熱手段はシート状に前記内部空間に延伸するようにして形成されていることを特徴とする真空処理装置を用いている。

Description

明 細 書
シールド体および真空処理装置
技術分野
[0001] 本発明は真空処理装置に用いるシールド体、および当該シールド体を用いた真空 処理装置に関する。
背景技術
[0002] 従来、例えば半導体装置や表示装置、または電子装置などの製造においては、真 空状態または減圧状態の雰囲気中で被処理基板に対して、成膜、エッチング、表面 処理などの基板処理を行う、様々な種類の、いわゆる真空処理装置が用いられてき た。
[0003] このような真空処理装置を用いる場合、被処理基板を内部に保持する処理容器の 内壁面には成膜やエッチング、表面処理などで飛散した付着物など付着して堆積物 となり、当該堆積物が剥離することでパーティクルなどの被処理基板の汚染源の発生 原因となってしまう場合があった。
[0004] そこで、これらの堆積物が処理容器の内壁面などに付着することを防止するため、 処理容器の内壁面など処理容器内で堆積物が堆積する部分を覆って堆積物の付着 を防止する、いわゆるシールド板が用いられることがあった。
[0005] 真空処理装置の処理容器の内部にこのようなシールド板を用いた場合、メンテナン ス時にはシールド板を交換する力 またはシールド板に堆積した堆積物を除去するこ とでパーティクルの発生などを防止することが可能となり、処理容器内部などに堆積 物が堆積した場合にくらべてメンテナンスのコストと時間が節約できる。
[0006] しかし、真空処理装置の処理容器内にシールド板を用いた場合、例えば成膜、エツ チング、表面処理などで処理容器内に温度変化が生じた場合、当該シールド板が温 度変化に応じて伸縮するため、当該シールド板に堆積した堆積物が剥離してパーテ イタルの発生源になってしまう場合があった。また、シールド板の温度が基板処理に 影響を与える場合もあるため、シールド板の温度は任意の温度にできることが好まし い。 [0007] そこで、処理容器内のシールド板に、例えばヒータなどの加熱手段を付カ卩してシー ルド板を加熱する場合があった。
特許文献 1 :特開 2000— 082699号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] しかし、真空処理装置の処理容器内に設置するシールド板にヒータを付加する場 合には、例えば以下に示すように様々な問題が生じる場合があった。
[0009] 例えば、シールド板の外側にヒータを取り付けようとする場合には、処理容器内が 真空状態または減圧状態であるため、これらの条件に耐えるヒータである必要がある ため、用いる材料が限定され、使用できるヒータの種類や構造、材質などが限定され てしまう場合があった。
[0010] また、ヒータを取り付けたシールド板の構造が複雑化 ·大型化してしま 、、その結果 シールド板が厚くなり、またヒータを含めたシールド板に係るコストが増大してしまう懸 念があった。
[0011] そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な、真空処理装置に用 Vヽるシールド体と、当該シールド体を用いた真空処理装置を提供することを課題とし ている。
[0012] 本発明の具体的な課題は、真空処理装置の処理容器内に用いる、シールド体であ つて、加熱手段を有し、単純な構造で薄型化が可能なシールド体と、当該シールド体 を用いた真空処理装置を提供することである。
課題を解決するための手段
[0013] 本発明の第 1の観点では、上記の課題を、真空処理装置の処理容器内部に設置さ れる、シールド体であって、前記処理容器内部の減圧された処理空間に露出される 外壁構造と、前記外壁構造の内部に形成された、前記処理空間と隔絶された内部空 間と、前記内部空間に設置された、前記外壁構造を加熱する加熱手段と、を有し、前 記内部空間は前記真空処理容器の外部に連通し、前記加熱手段はシート状に前記 内部空間に延伸するようにして形成されていることを特徴とするシールド体により、解 決する。 [0014] また、本発明の第 2の観点では、上記の課題を、処理容器と、前記処理容器内部の 処理空間を排気する排気手段と、被処理基板を保持する保持台と、前記処理容器 内部に設置されるシールド体と、を有する真空処理装置であって、前記シールド体は 、前記処理容器内部の減圧された前記処理空間に露出される外壁構造と、前記外 壁構造の内部に形成された、前記処理空間と隔絶された内部空間と、前記内部空間 に設置された、前記外壁構造を加熱する加熱手段と、を有し、前記内部空間は前記 真空処理容器の外部に連通し、前記加熱手段はシート状に前記内部空間に延伸す るようにして形成されていることを特徴とする真空処理装置により、解決する。
発明の効果
[0015] 本発明によれば、真空処理装置の処理容器内に用いる、シールド体であって、カロ 熱手段を有し、単純な構造で薄型化が可能なシールド体と、当該シールド体を用い た真空処理装置を提供することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0016] [図 1]実施例 1による真空処理装置を模式的に示した図である。
[図 2]図 1の真空処理装置に用いるシールド体を模式的に示した斜視図である。
[図 3]図 1に示した真空処理装置の変形例 (その 1)である。
[図 4]図 1に示した真空処理装置の変形例 (その 2)である。
[図 5]図 1に示した真空処理装置の変形例 (その 3)である。
[図 6]図 1に示した真空処理装置の変形例 (その 4)である。
[図 7]図 6に示した真空処理装置に用いる放射板を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0017] 次に、本発明の実施の形態に関して図面に基づき、以下に説明する。
実施例 1
[0018] 図 1は、本発明の実施例 1による、真空処理装置 10と、当該真空処理装置 10に用 いられるシールド体 100を、模式的に示した図である。
[0019] 図 1を参照するに、前記真空処理装置 10は、例えば、上部が開口した、略円筒形 の処理容器 11と、当該処理容器 11の開口部を塞ぐように、当該処理容器 11上に設 置された、例えば、いわゆるシャワーヘッド構造を有する供給部 13を有している。
[0020] 前記処理容器 11と前記供給部 13によって画成される、前記処理容器 11内部の空 間である処理空間 11Aの底部には、例えば半導体ウェハなどの被処理基板 Wを保 持する保持台 12が設置されている。前記保持台 12は、例えばヒータなどの加熱手段 を有するように構成してもよ 、。
[0021] 前記処理容器 11の底部には、排気口 11Bに接続された、例えば真空ポンプなど の排気手段 14が設置され、前記処理空間を排気することが可能に構成され、前記処 理空間は、真空状態に排気される。なお、本文では厳密な意味での真空状態のみな らず、処理空間を真空ポンプなどで排気した状態で、処理空間中に、例えば残留気 体などの残留物質がある状態、 V、わゆる減圧状態も含めて真空状態と表記して!/、る
[0022] 前記供給部 13には、供給ライン 15が接続され、当該供給ライン 15から供給される 、基板処理に必要な、成膜、エッチング、表面処理などに係る処理ガスは、前記供給 部 13に複数形成された、ガス孔 13Aから前記処理空間 11 Aに供給される構造にな つている。
[0023] さらに、前記供給部 13には、例えば高周波電源 16が電気的に接続され、高周波 電力が印加されて前記処理空間 11Aに処理ガスのプラズマを励起することが可能と なっており、いわゆる平行平板プラズマを励起することが可能な構造になっている。
[0024] 本実施例による真空処理装置 10では、前記処理空間 11Aに、前記処理容器 11の 内壁面を保護する、シールド体 100が設置されている。当該シールド体 100を設置し たことで、基板処理において、成膜やエッチング、表面処理などで飛散した付着物が 、処理容器の内壁面などに付着することを防止している。そのため、処理容器のメン テナンス時には当該シールド体を交換する力、またはシールド体を処理容器より取り 外して、堆積した堆積物を除去することでパーティクルの発生などを防止することが 可能となり、処理容器の内壁面などに堆積物が堆積した場合にくらべてメンテナンス のコストと時間が節約できる。
[0025] この場合、本実施例による前記シールド体 100は、前記処理空間 11 Aに露出され る外壁構造 101と、前記外壁構造 101の内部に形成された、前記処理空間 11Aと隔 絶された内部空間 101Aと、前記内部空間 101Aに設置された、前記外壁構造 101 を加熱する加熱手段 102と、を有している。さらに、前記内部空間 101Aは前記処理 空間 11Aの外部に連通しており、前記加熱手段 102はシート状に前記内部空間 10 1Aに延伸するようにして形成されて 、る。
[0026] このため、本実施例によるシールド体 100は、加熱手段を有しながら、単純な構造 であり、また内部に加熱手段を有するシールド体の外壁構造の厚さを薄くして、薄型 化 ·小型化された構造である特長を有して!/、る。
[0027] また、前記内部空間 101Aが、前記処理容器 11の外部、すなわち前記処理空間 1 1Aの外部の空間である外部空間 11Cに連通している。この場合、前記内部空間 10 1Aは、前記外部空間 11Cの側に開口した、前記外壁構造 101の開口部である開口 部 101Bを介して、前記外部空間に連通している。この場合、前記外部空間 11Cは、 通常の大気で満たされた大気圧の空間であるため、前記内部空間 101Aに関しても 内部は大気で満たされ、また圧力も略大気圧となる。すなわち、前記内部空間 101A は、前記処理空間 11Aの側では当該処理空間 11 Aと前記外壁構造 101で隔絶され ており、前記外部空間 11Cの側では前記開口部 101Bにより、当該外部空間 11Cと 連通して内部が大気圧となっている。
[0028] このため、前記内部空間 101Aに設置して用いる加熱手段 102、例えばヒータは、 真空状態から隔絶され、大気圧の状態で用いることができる。例えば従来は真空中 に設置するシールド板に加熱手段を付加する場合、用いる材質に様々な制限があり 、例えばガス放出特性などの特性上、形成できる加熱手段の形状や大きさなどが制 限される問題があった。本実施例による加熱手段では、用いる材料のガス放出特性 などの制限が少なぐ設計の自由度が上がり、様々な材料を用いて様々な形状のカロ 熱手段を用いることが可能になり、加熱手段に係るコストの低減、形状の単純化'薄 型化 ·小型化が容易となる効果を奏する。
[0029] このため、従来真空中では用いることが困難であった、ラバー状のヒータや、ポリイミ ド製の樹脂ヒータ、マイ力シートによるヒータなどを用いることが可能となり、例えば前 記内部空間 101Aに延伸するように、シート状に形成された加熱手段を低コストで、 単純な構造で製造することが可能となって 、る。 [0030] また、上記の特徴を有するため、本実施例によるシールド体は、薄型化が可能であ り、図 1に示すように、シールド体の厚さ、すなわち前記加熱手段 102が設置された 前記内部空間 101Aを含む前記外壁構造 101の厚さ Tを、 5mm以下とすることが可 能となっている。この場合、前記外壁構造 101の厚さ Tは、外壁構造の全ての部位に おいて必ずしも同じである必要は無ぐ前記処理空間 11 Aに露出した、前記外壁構 造 101の主要な部分の厚さが Tであることを示し、本実施例の場合、当該主要な部 分の厚さ Tが 5mm以下であることを示す。
[0031] また、前記加熱手段 102に必要な電力を供給する電源 103は、前記外部空間 11C に設置される力 前記加熱手段 102と前記電源 103を接続する接続線 102Aは、前 記加熱手段 102から前記開口部 101Bを介して、前記電源 103に接続されている。 このように、前記加熱手段 102と前記外部空間 11Cに設置された電源 103とを接続 する場合、前記内部空間 101Aが前記外部空間 11Cと連通しているため、加熱手段 と電源などの外部機器の接続が容易である特長を有している。この場合、例えばシ ール材料や、隙間を充填する材料、フランジなどを必要とせず、単純な構造で容易 に加熱手段と、電源などの外部機器を接続することが可能となる。
[0032] 次に、図 1に示したシールド体 100について、模式的に示した斜視図を図 2に示す 。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
[0033] 図 2を参照するに、前記シールド体 100は、略円筒形状を有しており、略円筒形状 の外壁構造 101の内部に前記内部空間が形成され、当該内部空間に例えばシート 状の加熱手段が延伸するように形成された構造を有している。また、前記シールド体
100には、例えば円筒形状の外壁構造の周縁部に、当該円筒形状の半径方向に延 伸する、つば状の接続部 101Cが形成され、当該接続部 101Cの先端部付近に前記 開口部 101Bが形成され、当該開口部 101Bカゝら前記接続線 102Aが挿入される構 造を有している。
[0034] また、図 1、図 2からわ力るように、前記シールド体 100は、略円筒形状を有しており 、略円筒形状のシールド体が、前記保持台 12の周囲を覆うようにして、前記処理容 器 11の内壁に沿って形成されている。このため、前記処理容器 11の内壁面に付着 物が付着することを防止している。なお、シールド体の構造は図 1、図 2に示した形状 に限定されるものではなぐ様々な処理装置、処理容器の形状に応じて、変形、変更 して用いることが可能であり、例えば、略直方体の処理容器に対応して略直方体の 形状とすることや、また処理容器の内壁面に対して、分割してシールド体を構成する こと、また処理容器の内壁面に限定されず、処理容器内の構造物、例えば保持台や 、シャワーヘッドなどのガス供給部などを覆うように構成し、これらに付着物や堆積物 が形成されることを防止することが可能である。
実施例 2
[0035] 次に、図 1に示した真空処理装置 10の変形例である真空処理装置 10Aを、図 3に 示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する
[0036] 図 3を参照するに、本実施例による真空処理装置 10Aには、前記外壁構造 101の 温度を測定する温度測定手段 104と、該温度測定手段 104により測定される温度に 対応して前記加熱手段 102を制御する制御手段 105とを有するシールド体 100Aが 設置されている。
[0037] 前記温度測定手段 104は、例えば熱電対などからなり、当該温度測定手段 104で 測定された、温度に対応する信号は、接続線 104Aを介して前記制御手段 105に送 られ、当該制御手段 105では、前記外壁構造 101の温度に対応して前記電源 103 の出力を制御し、前記電源 103を介して前記加熱手段 102を制御する構成になって いる。
[0038] 本実施例によるシールド体 100Aでは、前記温度測定手段 104で測定された温度 または温度に対応する信号などに対応して前記制御手段 105が前記電源 103の出 力を制御するため、前記シールド体 100Aを所望の温度に制御することが可能であり 、またシールド体の温度が安定する特長を有する。そのため、シールド体力 付着物 が剥離することを抑制し、パーティクルの発生が抑制される。また、成膜やエッチング 、表面処理などの基板処理に対して、シールド体が与える温度変化の影響を抑制し 、安定な基板処理を行う事が可能となる。
[0039] また、前記電源と前記制御手段の機能を有するような電源'制御手段の一体型のも のを用いてもよい。 実施例 3
[0040] 次に、図 3に示した真空処理装置 10Aの変形例である真空処理装置 10Bを、図 4 に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す る。
[0041] 図 4を参照するに、本実施例による真空処理装置 10Bには、シールド体 100Bが設 置されている。前記シールド体 100Bの前記内部空間 101Aには、前記外壁構造 10 1を冷却する冷却手段 106が設置されて ヽる。
[0042] また、前記冷却手段 106は、例えば冷却媒体を内部に流す冷却管など力 なり、冷 却媒体を流すことで当該冷却媒体と前記外壁構造 101の間で熱交換を行い、当該 外壁構造 101を冷却する。この場合、冷却媒体としては、例えば冷却水などの液体 や、 Heなどの気体、その他様々な媒体を用いることが可能である。
[0043] また、前記冷却手段 106は、接続ライン 106Aを介して冷却部 107に接続されてい る。例えば、前記接続ライン 106Aは、供給ラインと還流ラインよりなり、前記冷却部 1 07から前記冷却手段 106に冷却媒体を供給、または前記冷却手段 106から冷却媒 体を還流させる構造になっている。前記冷却部 107では、冷却手段から還流された 冷却媒体を冷却し、冷却手段 106に供給している。
[0044] さらに、前記制御手段 105は、前記温度測定手段 104で測定された温度または温 度に対応する信号などに対応して前記冷却部 107の冷却量を制御するため、前記 シールド体 100Bを所望の温度に制御することが可能であり、またシールド体の温度 が安定する特長を有する。本実施例によるシールド体 100Bでは、加熱手段と冷却 手段の双方を有しているため、加熱手段のみを有している場合に比べて外壁構造の 温度が安定しやすぐまた速やかに所望の温度とすることができる特徴を有している 実施例 4
[0045] 次に、図 1に示した真空処理装置 10の別の変形例である真空処理装置 10Cを、図 5に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略 する。
[0046] 図 5を参照するに、本実施例による真空処理装置 10Cには、前記保持部 12に高周 波電源 16Aが接続され、当該保持部 12に高周波電力を印加することが可能となつ ている。
[0047] 上記のように構成することにより、本実施例による真空処理装置 10Cでは、前記供 給部 13と、前記保持部 12の双方に高周波電力を印加することが可能であり、また必 要に応じて前記供給部 13のみ、または前記保持部 12のみに高周波電力が印加さ れるようにしてもよい。また、前記供給部 13に印加される高周波電力と、前記保持部 12に印加される高周波電力の、周波数が異なるように構成してもよい。
実施例 5
[0048] 次に、図 1に示した真空処理装置 10のさらに別の変形例である真空処理装置 10D を、図 6に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を 省略する。
[0049] 図 6を参照するに、本実施例による真空処理装置 10Dの場合、前記処理容器 11 上には、前記保持台 12上の被処理基板 Wに対応する位置に、低損失誘電体よりな るカバープレート 17が、ガス供給リング 20を介して前記被処理基板 Wに対面するよう に設置されている。
[0050] 前記カバープレート 17は、前記処理容器 11上に設置された前記ガス供給リング 20 に着座しており、前記ガス供給リング 20には、成膜、エッチング、基板表面処理など の処理に用いる処理ガスを供給するガス供給ラインに接続された、リング形状のブラ ズマガス通路が形成され、該プラズマガス通路に連通する複数のガス孔 20A力 前 記被処理基板 Wに対して略軸対称に形成されている。前記ガス孔 20Aからは、前記 処理ガスが被処理基板上の前記処理空間 11 Aに供給される。
[0051] 前記処理容器 11上には、さらに前記カバープレート 17上に、前記カバープレート 1 7から 4〜5mm離間して、図 7に示す放射板を有するラジアルラインスロットアンテナ 30が設けられている。
[0052] 前記ラジアルラインスロットアンテナ 30は前記ガス供給リング 20に着座しており、外 部のマイクロ波源（図示せず）に同軸導波管 21を介して接続されている。前記ラジア ルラインスロットアンテナ 30は、前記マイクロ波源からのマイクロ波により、前記空間 1 1Aに放出された前記処理ガスをプラズマ励起する。 [0053] 前記ラジアルラインスロットアンテナ 30は、前記同軸導波管 21の外側導波管 21A に接続された平坦なディスク状のアンテナ本体 22と、前記アンテナ本体 22の開口部 に形成された、図 7に示す多数のスロット 18aおよびこれに直交する多数のスロット 18 bを形成された放射板 18とよりなり、前記アンテナ本体 22と前記放射板 18との間に は、厚さが一定の誘電体板よりなる遅相板 19が挿入されている。また前記放射板 18 には、同軸導波管 21を構成する中心導体 21Bが接続されている。
[0054] 力かる構成のラジアルラインスロットアンテナ 30では、前記同軸導波管 21から給電 されたマイクロ波は、前記ディスク状のアンテナ本体 22と放射板 18との間を、半径方 向に広がりながら進行するが、その際に前記遅相板 19の作用により波長が圧縮され る。そこで、このようにして半径方向に進行するマイクロ波の波長に対応して前記スロ ット 18aおよび 18bを同心円状に、かつ相互に直交するように形成しておくことにより 、円偏波を有する平面波を前記放射板 18に実質的に垂直な方向に放射することが できる。
[0055] 力かるラジアルラインスロットアンテナ 30を使うことにより、前記カバープレート 17直 下の空間 11 Aに均一な高密度プラズマが形成される。このようにして形成された高密 度プラズマは電子温度が低ぐそのため被処理基板 Wにダメージが生じることがなく 、さらに、前記シールド体 100の外壁構造 101がスパッタリングされる程度が小さくな るため、シールド体へのダメージが少なくなる特長を有して 、る。
[0056] また、本実施例による真空処理装置は、被処理基板上でプラズマ密度の均一性が 良好であるため、シールド体の温度が被処理基板上に与える影響が抑制された本シ 一ルド体と併せて用いることで、被処理基板上での、例えば成膜、エッチング、表面 処理などの基板処理の、被処理基板の面内均一性が良好となる特徴を有する。
[0057] このように、本発明によるシールド体は、様々な真空処理装置と組み合わせて用い ることが可能であり、上記の実施例に限定されず、様々な真空処理容器内で用いる ことが可能である。
産業上の利用可能性
[0058] 本発明によれば、真空処理装置の処理容器内に用いる、シールド体であって、カロ 熱手段を有し、単純な構造で薄型化が可能なシールド体と、当該シールド体を用い た真空処理装置を提供することが可能となる。

Claims

請求の範囲
[1] 真空処理装置の処理容器内部に設置される、シールド体であって、
前記処理容器内部の減圧された処理空間に露出される外壁構造と、
前記外壁構造の内部に形成された、前記処理空間と隔絶された内部空間と、 前記内部空間に設置された、前記外壁構造を加熱する加熱手段と、を有し、 前記内部空間は前記真空処理容器の外部に連通し、前記加熱手段はシート状に 前記内部空間に延伸するようにして形成されていることを特徴とするシールド体。
[2] 前記内部空間を含む前記外壁構造の厚さは 5mm以下であることを特徴とする請 求項 1記載のシールド体。
[3] 前記内部空間には、前記外壁構造を冷却する冷却手段が設置されていることを特 徴とする請求項 1記載のシールド体。
[4] 前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段によ り測定される温度に対応して前記加熱手段を制御する制御手段を有することを特徴 とする請求項 1記載のシールド体。
[5] 前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段によ り測定される温度に対応して前記加熱手段および前記冷却手段を制御する制御手 段を有することを特徴とする請求項 3記載のシールド体。
[6] 処理容器と、
前記処理容器内部の処理空間を排気する排気手段と、
被処理基板を保持する保持台と、
前記処理容器内部に設置されるシールド体と、を有する真空処理装置であって、 前記シールド体は、
前記処理容器内部の減圧された前記処理空間に露出される外壁構造と、 前記外壁構造の内部に形成された、前記処理空間と隔絶された内部空間と、 前記内部空間に設置された、前記外壁構造を加熱する加熱手段と、を有し、 前記内部空間は前記真空処理容器の外部に連通し、前記加熱手段はシート状に 前記内部空間に延伸するようにして形成されていることを特徴とする真空処理装置。
[7] 前記加熱手段を含む、外壁構造の厚さは 5mm以下であることを特徴とする請求項 6記載の真空処理装置。
[8] 前記内部空間には、前記外壁構造を冷却する冷却手段が設置されていることを特 徴とする請求項 6記載の真空処理装置。
[9] 前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段によ り測定される温度に対応して前記加熱手段を制御する制御手段を有することを特徴 とする請求項 6記載の真空処理装置。
[10] 前記外壁構造の温度を測定する温度測定手段が設置され、該温度測定手段によ り測定される温度に対応して前記加熱手段および前記冷却手段を制御する制御手 段を有することを特徴とする請求項 8記載の真空処理装置。
[11] 前記シールド体は前記保持台の周囲を覆うように前記処理容器の内壁に沿って形 成されていることを特徴とする請求項 6記載の真空処理装置。
[12] 前記シールド体は略円筒形状であることを特徴とする請求項 6記載の真空処理装 置。
[13] 前記処理容器には、平行平板プラズマによるプラズマ励起手段が設けられているこ とを特徴とする請求項 6記載の真空処理装置。
[14] 前記処理容器には、ラジアルラインスロットアンテナを含むプラズマ励起手段が設 けられていることを特徴とする請求項 6記載の真空処理装置。
PCT/JP2005/017778 2004-10-13 2005-09-27 シールド体および真空処理装置 Ceased WO2006040924A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005800276171A CN100552083C (zh) 2004-10-13 2005-09-27 遮护体和真空处理装置
KR1020077008329A KR100887440B1 (ko) 2004-10-13 2005-09-27 실드체 및 진공 처리 장치
US11/577,198 US20070240979A1 (en) 2004-10-13 2005-09-27 Shield Body and Vacuum Processing Apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004-298966 2004-10-13
JP2004298966A JP4460418B2 (ja) 2004-10-13 2004-10-13 シールド体および真空処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006040924A1 true WO2006040924A1 (ja) 2006-04-20

Family

ID=36148221

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/017778 Ceased WO2006040924A1 (ja) 2004-10-13 2005-09-27 シールド体および真空処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070240979A1 (ja)
JP (1) JP4460418B2 (ja)
KR (1) KR100887440B1 (ja)
CN (1) CN100552083C (ja)
WO (1) WO2006040924A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4951279B2 (ja) * 2006-06-12 2012-06-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP5396256B2 (ja) * 2009-12-10 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TWI502617B (zh) * 2010-07-21 2015-10-01 應用材料股份有限公司 用於調整電偏斜的方法、電漿處理裝置與襯管組件
KR20160002543A (ko) 2014-06-30 2016-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102587615B1 (ko) * 2016-12-21 2023-10-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치의 온도 조절기 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US20210319984A1 (en) * 2018-08-15 2021-10-14 Evatec Ag Method and aparatus for low particle plasma etching
TW202542358A (zh) * 2019-03-28 2025-11-01 美商蘭姆研究公司 護罩殼及具有該護罩殼的設備
JP2025085400A (ja) * 2023-11-24 2025-06-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0874059A (ja) * 1994-09-05 1996-03-19 Hitachi Ltd 成膜装置
JPH09157832A (ja) * 1995-11-30 1997-06-17 Sony Corp 防着板およびそれを用いた真空装置
JP2001140054A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Nec Kagoshima Ltd 真空成膜装置のクリーニング方法及び真空成膜装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4383885A (en) * 1980-02-06 1983-05-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Reactive sputter etching of polysilicon utilizing a chlorine etch gas
JP3257328B2 (ja) * 1995-03-16 2002-02-18 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6432203B1 (en) * 1997-03-17 2002-08-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Heated and cooled vacuum chamber shield
US6083360A (en) * 1999-04-08 2000-07-04 Sandia Corporation Supplemental heating of deposition tooling shields
US6408786B1 (en) * 1999-09-23 2002-06-25 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having tiled ceramic liner
JP3872650B2 (ja) * 2000-09-06 2007-01-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び方法
US6730174B2 (en) * 2002-03-06 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Unitary removable shield assembly
US7079760B2 (en) * 2003-03-17 2006-07-18 Tokyo Electron Limited Processing system and method for thermally treating a substrate
KR100864668B1 (ko) 2003-05-23 2008-10-23 이구루코교 가부시기가이샤 반도체 제조장치 및 그 가열유닛

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0874059A (ja) * 1994-09-05 1996-03-19 Hitachi Ltd 成膜装置
JPH09157832A (ja) * 1995-11-30 1997-06-17 Sony Corp 防着板およびそれを用いた真空装置
JP2001140054A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Nec Kagoshima Ltd 真空成膜装置のクリーニング方法及び真空成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN100552083C (zh) 2009-10-21
JP4460418B2 (ja) 2010-05-12
KR100887440B1 (ko) 2009-03-10
KR20070053328A (ko) 2007-05-23
CN101006196A (zh) 2007-07-25
JP2006111906A (ja) 2006-04-27
US20070240979A1 (en) 2007-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11201038B2 (en) Support assembly and support assembly assembling method
KR102383357B1 (ko) 배치대 및 기판 처리 장치
EP1306893B1 (en) Plasma processing apparatus
JP5179476B2 (ja) 成膜装置
JP5805227B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4997842B2 (ja) 処理装置
US20100288439A1 (en) Top plate and plasma process apparatus employing the same
WO2004082007A1 (ja) 半導体処理用の基板保持構造及びプラズマ処理装置
CN111613510A (zh) 载置台及基板处理装置
WO2006092985A1 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
WO2005064998A1 (ja) プラズマ処理装置
WO2006040924A1 (ja) シールド体および真空処理装置
TW202141681A (zh) 載置台及基板處理裝置
JP6632426B2 (ja) プラズマ処理装置及びプリコート処理方法
US20090050052A1 (en) Plasma processing apparatus
US20210217649A1 (en) Edge ring and substrate processing apparatus
JP5374853B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102531442B1 (ko) 플라스마 처리 장치
JP2010267708A (ja) 真空処理装置および真空処理方法
JP3566046B2 (ja) プラズマ処理装置およびスパッタ装置
JP2022171027A (ja) 基板支持部及び処理装置
JP2001057361A (ja) プラズマ処理装置
JP4747404B2 (ja) プラズマ処理装置
CN114360994A (zh) 基板处理装置
WO2007083653A1 (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV LY MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580027617.1

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077008329

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11577198

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11577198

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 05787718

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1