CN101006196A - 遮护体和真空处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种使用在真空处理装置的处理容器内的遮护体，其目的在于提供一种具有加热单元、采用通过简单的结构可以实现薄型化的遮护体的真空处理装置。因此，本发明的真空处理装置，其特征在于，包括：处理容器、对上述处理容器的处理空间进行排气的排气单元、保持被处理基板的保持台、以及设置在上述处理容器内部的遮护体，上述遮护体包括在上述处理容器内部的被减压的处理空间内露出的外壁结构、形成在上述外壁结构的内部与上述处理空间隔绝的内部空间、以及设置在上述内部空间内对上述外壁结构进行加热的加热单元，上述内部空间与上述真空处理容器的外部连通，上述加热单元形成在上述内部空间内以片状延伸的形式。
Description
技术领域
本发明涉及在真空处理装置中使用的遮护体以及采用了该遮护体的真空处理装置。
背景技术
在现有技术中，在例如半导体装置、显示装置以及电子装置等的生产中，使用有在真空状态或减压状态的气氛中对被处理基板进行成膜、蚀刻、表面处理等的基板处理的、各种类型的所谓真空处理装置。
使用这种真空处理装置时，由于成膜、蚀刻或表面处理等而飞散的附着物等附着在将被处理基板保持在内部的处理容器的内壁面上，形成沉积物，通过剥落该沉积物，有可能造成微粒(particle)等的被处理基板的污染源产生的原因。
因此，为了防止这些沉积物附着在处理容器的内壁面等上，使用有所谓遮护板，在处理容器的内壁面等处理容器的内部，通过覆盖沉积物沉积的部分来防止沉积物的附着。
在真空处理装置的处理容器的内部采用上述遮护板时，通过在进行维修时更换遮护板，或是将沉积在遮护板上的沉积物除去的方式能够防止微粒的发生等，与沉积物沉积在处理容器内部等的情况相比，能够节省维修的时间和成本。
然而，在真空处理装置的处理容器内采用遮护板时，在由于例如成膜、蚀刻、表面处理等而在处理容器内发生温度变化时，由于该遮护板随着温度的变化而进行伸缩，沉积在该遮护板上的沉积物脱落，也有可能成为微粒的发生源。另外，由于遮护板的温度有可能对基板处理产生影响，优选遮护板的温度能够为任何温度。
由此，具有在处理容器内的遮护板内，附加例如、加热器等的加热单元而对遮护板进行加热的情况。
专利文献1：日本特开2000-082699号公报。
然而，在将加热器附加于设置在真空处理装置的处理容器内的遮护板内的情况下，例如，有可能产生如下所示的种种问题：
例如，将加热器安装在遮护板的外侧上时，由于处理容器内处于真空状态或减压状态，需要能够承受上述条件的加热器，因而使用的材料受到局限，限制了所能够使用的加热器的种类、结构和材料等。
另外，安装有加热器的遮护板的结构变得复杂化和大型化，其结果，遮护板变厚，另外也存在包括加热器在内的遮护板所需成本增大的担忧。
发明内容
本发明是鉴于上述现有技术的问题而提出的，其目的在于提供一种新型有效的用于真空处理装置的遮护体、以及使用该遮护体的真空处理装置。
本发明的具体目的是提供一种使用在真空处理装置的处理容器内的、具有加热单元且通过简单的结构能够实现薄型化的遮护体、以及采用该遮护体的真空处理装置。
在本发明的第一个观点中，是提供一种设置在真空处理装置的处理容器内部的遮护体解决上述课题，该遮护体的特征在于，包括：露出于上述处理容器内部的被减压的处理空间的外壁结构；形成于上述外壁结构的内部、与上述处理空间隔绝的内部空间；和设置在上述内部空间、对上述外壁结构进行加热的加热单元，上述内部空间与上述真空处理容器的外部连通，上述加热单元形成为以片状在上述内部空间内延伸。
另外，在本发明的第二个观点中，是提供一种真空处理装置解决上述课题，该真空处理装置的特征在于，包括：处理容器；对上述处理容器内部的处理空间进行排气的排气单元；保持被处理基板的保持台；以及设置在上述处理容器内部的遮护体，其中，上述遮护体包括，露出于上述处理容器内部的被减压的处理空间的外壁结构；形成在上述外壁结构的内部、与上述处理空间隔绝的内部空间；和设置在上述内部空间、对上述外壁结构进行加热的加热单元，上述内部空间与上述真空处理容器的外部连通，上述加热单元形成为以片状在上述内部空间内延伸。
根据本发明，能够提供一种使用在真空处理装置的处理容器内的遮护体，能够提供具有加热单元且能够通过简单的结构实现薄型化的遮护体、以及使用有该遮护体的真空处理装置。
附图说明
图1是模式化的表示实施方式1的真空处理装置的图。
图2是模式化的表示使用在真空处理装置中的遮护体的立体图。
图3是图1表示的真空处理装置的变形例子(其1)。
图4是图1表示的真空处理装置的变形例子(其2)。
图5是图1表示的真空处理装置的变形例子(其3)。
图6是图1表示的真空处理装置的变形例子(其4)。
图7是表示图6表示的真空处理装置中采用的放射板的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
实施方式1
图1是模式化的表示实施方式1的真空处理装置10、与使用在该真空处理装置10中的遮护体100的图。
根据图1，上述真空处理装置10，包括：例如、上部开口的大致呈圆筒形的处理容器11、以及设置在该处理容器11上的、具有例如所谓的喷头结构、以堵塞该处理容器11的开口部的供给部13。
设置保持例如半导体晶片等的被处理体基板W的保持台12，将其设置在由上述处理容器11和上述供给部13构成的、作为上述处理容器11内部空间的处理空间11A的底部上。上述保持台12，也可以形成具有例如加热器等加热单元的结构形式。
与排气口11B连接的、例如真空泵等的排气单元14设置在上述处理容器11的底部，形成能够对上述处理空间进行排气的结构形式，上述处理空间被排气为真空状态。此外，本文所指的真空状态并非仅指严格意义上的真空状态，也包括处理空间经真空泵等进行排气后，在处理空间内，有例如残留气体等的残留物质存在的状态、所谓减压状态的真空状态。
上述供给部13上连接有供给管线15，从该供给管线15供给的、基板处理所必需的、与成膜、蚀刻、和表面处理等相关的处理气体从形成在上述供给部13上的多个气孔13A供给至上述处理空间11A内。
而且，在上述供给部13上电连接有，例如、高频电源16，施加高频电力后，能够在上述处理空间11A内激发处理气体的等离子体，形成能够激发所谓平行平板等离子体的结构形式。
在本实施方式的真空处理装置10中，上述处理空间11A内设置有保护上述处理容器11的内壁面的遮护体100。由于设置有该遮护体100，能够防止在基板处理中，由于成膜、蚀刻或表面处理等而飞散的附着物附着在处理容器的内壁面等上。因此，在对处理容器进行维修时，通过更换该遮护体，或者将遮护体从处理容器取下并将所沉积的沉积物除去的方式，能够防止微粒的产生，与沉积物沉积在处理容器的内壁面等上的情形相比，能够节省维修成本和时间。
这种情况下，在本实施方式的上述遮护体100包括：露出于上述处理空间11A的外壁结构101；形成在上述外壁结构101的内部、与上述处理空间11A隔绝的内部空间101A；以及设置在上述内部空间101A内并对上述外壁结构101进行加热的加热单元102。而且，上述内部空间101A与上述处理空间11A的外部连通，上述加热单元102形成为以片状在上述内部空间101A内延伸的结构形式。
因此，在本实施方式的遮护体100，虽然具有加热单元但结构简单，另外，将在内部具有加热单元的遮护体的外壁结构的厚度变薄，具有薄型化，小型化的结构特点。
另外，上述内部空间101A与上述处理容器11的外部，即，作为上述处理空间11A的外部的空间的外部空间11C连通。此时，上述内部空间101A经由在上述外部空间11C一侧开口的、作为上述外壁结构101的开口部的开口部101B，与上述外部空间连通。此时，由于上述外部空间11C为充满常态大气的大气压的空间，因而上述内部空间101A的内部也被大气充满，且压力也大致为大气压。即，上述内部空间101A，在上述处理空间11A的一侧与该处理空间11A之间被上述外壁结构101隔绝，在上述外部空间11C的一侧通过上述开口部101B与该外部空间11C连通，其内部为大气压。
因此，设置在上述内部空间101A中，而进行使用的加热单元102，例如加热器，被隔绝于真空状态之外，能够在大气压的状态下使用。例如，在现有技术中，在将加热单元附加于设置在真空中的遮护板内的情况下，使用的材料受到各种各样的限制，在例如气体释放特性等特性方面，存在可形成的加热单元的形状和大小等受到限制的问题。本实施方式的加热单元，由于使用的材料在气体释放特性等方面的限制较少，设计自由度提高，能够使用各种材料以及各种形状的加热单元，使得与加热单元相关的成本降低，起到易于实现形状简化、薄型化、小型化的功效。
因此，在现有技术中，难以用于真空状态下的橡胶状加热器、聚酰亚胺制树脂加热器、以及利用云母片的加热器等的使用变得可能，例如，能够以低成本和简单的结构制造在上述内部空间101A内延伸的、形成为片状的加热单元。
另外，因为具有上述特征，本实施方式的遮护体能够实现薄型化，如图1所示，能够将遮护体的厚度，即、包括设置有上述加热单元102的上述内部空间101A的上述外壁结构101的厚度T设置为5mm以下。此时，上述外壁结构101的厚度T，在外壁结构的全部部位上并不需要相同，在上述处理空间11A内露出的上述外壁结构101的主要部分的厚度为T，在本实施方式中，该主要部分的厚度T显示为5mm以下。
另外，向上述加热单元102进行必要的电力供给的电源103设置在上述外部空间11C内，将上述加热单元102与上述电源103连接的连接线102A，从上述加热单元102通过上述开口部101B与上述电源103连接。这样，在上述加热单元102与设置在上述外部空间11C内的电源103连接时，由于上述内部空间101A与上述外部空间11C连通，具有加热单元与电源等外部器件的连接变得容易的特点。此时，不需要例如密封材料、填充缝隙的材料和法兰(flange)等，能够以简单的结构方便地连接加热单元与电源等的外部器件。
下面，图2所示的是模式性的显示图1所示的遮护体100的立体图。但在图中，对于上述已说明的部分，采用相同的参照符号，省略其说明。
如图2所示，上述遮护体100具有如下结构，具有接近圆筒的形状，在大致圆筒形的外壁结构101的内部形成上述内部空间，形成为例如片状的加热单元在该内部空间内延伸的结构。另外，就上述遮护体100来说，具有如下结构形式，例如在圆筒形的外部结构的周边部上形成在该圆筒形状的半径方向上延伸的帽沿状的连接部101C，上述开口部101B形成在该连接部101C的先端部附近，上述连接线102A从该开口部101B插入。
另外，如图1、图2所示，上述遮护体100，具有大致圆筒的形状，大致圆筒形状的遮护体以将上述保持台12的周围覆盖的形式沿上述处理容器11的内壁而形成。因此，能够防止附着物附着在上述处理容器11的内壁面上。此外，遮护体的结构不仅限于如图1、图2所示的形状，可以根据各种各样的处理装置和处理容器的形状进行变形和改变，从而加以使用，例如，对应于接近立方体的处理容器而形成接近立方体的形状，或者对于处理容器的内壁面来说，进行分割而构成遮护体的结构，并且，不局限于处理容器的内壁面，也可以构成为将处理容器内的结构物，例如保持台或喷头等的气体供给部等覆盖的结构形式，能够防止附着物或沉积物形成在这些单元上。
实施方式2
下面，针对作为图1所示的真空处理装置10的变形例子的真空处理装置10A，参照图3进行说明。但图中针对上述已说明的部分采用相同的参照符号，省略对其的说明。
如图3所示，在本实施方式的真空处理装置10A中设置有遮护体100A，遮护体100A包括：对上述外壁结构101的温度进行测定的温度测定单元104、以及根据该温度测定单元104测定的温度对上述加热单元102进行控制的控制单元105。
上述温度测定单元104由例如热电偶等构成，形成如下的结构形式：与由该温度测定单元104测定的温度相对应的信号，经连接线104A被送至上述控制单元105，在该控制单元105中，与上述外壁结构101的温度相对应，控制上述电源103的输出，经由上述电源103对上述加热单元102进行控制。
在本实施方式的遮护体100A中，由于上述控制单元105根据由温度测定单元104测定的温度或与温度对应的信号等而控制上述电源103的输出，因而能够将上述遮护体100A控制在所期望的温度，并且，具有遮护体的温度稳定的特点。因此，能够抑制附着物从遮护体的脱落，抑制微粒的产生。另外，对于成膜、蚀刻或表面处理等的基板处理，能够抑制遮护体产生的温度变化的影响，能够进行稳定的基板处理。
另外，也可以使用具有上述电源和上述控制单元的功能的电源/控制单元一体型的单元。
实施方式3
下面，针对图3所示的真空装置10A的变形例子的真空处理装置10B，参照图4进行说明。但是图中针对上述已说明的部分采用相同的参照符号，省略对其的说明。
如图4所示，在本实施方式的真空处理装置10B中设置有遮护体100B。在上述遮护体100B的上述内部空间101A内设置有对上述外壁结构101进行冷却的冷却单元106。
另外，上述冷却单元106，例如，由在内部流动冷却介质的冷却管而构成，通过流通冷却介质而在该冷却介质与上述外壁结构101之间进行热交换，冷却该外壁结构101。此时，作为冷却介质，可以使用例如冷却水等的液体或He气体等的气体以及其他各种各样的介质。
另外，上述冷却单元106通过连接管106A与冷却部107连接。形成如下结构形式：例如，上述连接管106A由供给管与回流管而构成，将冷却介质从上述冷却部107供给至上述冷却单元106，而且，使冷却介质从上述冷却单元106回流。在上述冷却部107中，将从冷却单元回流的冷却介质冷却，供给至冷却单元106。
另外，由于上述控制单元105根据由上述温度测定单元104测定的温度或与温度相对应的信号等，而控制上述冷却部107的冷却量，因而能够将上述遮护体100B控制在所期望的温度，并且，具有上述遮护体的温度稳定的特点。由于在本实施方式的遮护体100B中同时具有加热单元和冷却单元，与只有加热单元的情形相比，具有外部结构的温度易于稳定，并且能够快速地达到所期望的温度的特点。
实施方式4
下面，针对如图1所示的真空处理装置10的另一个变形例子的真空处理装置10C，参照图5进行说明。但是图中针对上述已说明的部分采用相同的参照符号，省略对其的说明。
如图5所示，在本实施方式的真空处理装置10C中，在上述保持部12上连接有高频电源16A，能够向该保持部12上施加高频电力。
通过如上所述的构成，在本实施方式的真空处理装置10C中，能够对上述供给部13和上述保持部12的双方施加高频电力，另外，也可以根据需要仅对上述供给部13，或仅对上述保持部12施加高频电力。另外，也可以构成为施加在上述供给部13上的高频电力和施加在上述保持部12上的高频电力的频率不同。
实施方式5
下面，针对图1所示的真空处理装置10的另一个变形例子的真空处理装置10D，参照图6进行说明。但是图中针对上述已说明的部分采用相同的参照符号，省略对其的说明。
如图6所示，在本实施方式的真空处理装置10D中，在上述处理容器11上，在与位于上述保持台12上的被处理基板W相对应的位置上，由低损耗电介体构成的盖板17经由气体供给环路20被设置为与上述被处理基板W相对。
上述盖板17装配在设置于上述处理容器11上的上述气体供给环路20上，在上述气体供给环路20上形成有，与供给用于成膜、蚀刻、基板表面处理等的处理的处理气体的气体供给管线连接的、环形的等离子体气体通路，与该等离子体气体通路连通的多个气孔20A相对于上述被处理基板W形成大致轴对称的形式。上述处理气体从上述气孔20A被供给至被处理基板上的上述处理空间11A内。
在上述处理容器11上，进一步说是在上述盖板17上，设置有从上述盖板17离开4～5mm、具有如图7所示的放射板的径向线缝隙天线30(radial line slot antenna)。
上述径向线缝隙天线30装配在上述气体供给环路20上，通过同轴波导管21与外部的微波源(未图示)连接。上述径向线缝隙天线30通过来自上述微波源的微波，等离子体激发释放至上述空间11A内的上述处理气体。
上述径向线缝隙天线30由如下单元构成：与上述同轴波导管21的外侧波导管21A连接的平坦的盘状天线本体22；以及形成在上述天线本体22的开口部、形成有如图7所示的多个缝隙(slot)18a以及与这些缝隙垂直的多个缝隙18b的放射板18，在上述天线本体22与上述放射板18之间插入由厚度一定的电介体板而构成的滞相板19。另外，构成同轴波导管21的中心导体21B连接在上述放射板18上。
在上述径向线缝隙天线30中，来自上述同轴波导管21的已供电的微波在上述盘形天线本体22与放射板18之间沿半径方向扩展前进，但此时波长由于上述滞相板19的作用而被压缩。这样，与在半径方向上前进的微波的波长相对应，使上述槽孔18a以及18b形成为同心圆的形状，且相互垂直，由此，能够将具有圆偏振波的平面波朝向实质上与上述放射板18垂直的方向放射。
通过采用现有的径向线缝隙天线30，在上述盖板17的垂直下方的空间11A内能够形成均匀的高密度等离子体。由此形成的高密度等离子体的电子温度低，因而不会在被处理基板W上产生损伤，并且，由于上述遮护体100的外壁结构101遭受溅射的程度变小，因而具有对遮护体造成的损伤降低的特点。
另外，本实施方式的真空处理装置，由于被处理基板上的等离子体密度的均匀性良好，通过与抑制了遮护体的温度对被处理基板的影响的本遮护体并用，在对被处理基板进行例如成膜、蚀刻、表面处理等的基板处理时，具有被处理基板的面内均匀性良好的特点。
由此，本发明的遮护体能够与各种各样的真空处理装置组合使用，而且不局限于上述实施方式，可以使用在各种各样的真空处理容器内。
产业上的可利用性
根据本发明，是使用于真空处理装置的处理容器内的遮护体，能够提供具有加热单元，通过简单的结构可以实现薄型化的遮护体，以及使用有该遮护体的真空处理装置。
Claims (14)
1.一种设置在真空处理装置的处理容器内部的遮护体，其特征在于，包括：
露出于所述处理容器内部的被减压的处理空间的外壁结构；
形成在所述外壁结构的内部、与所述处理空间隔绝的内部空间；和
设置在所述内部空间、对所述外壁结构进行加热的加热单元，
所述内部空间与所述真空处理容器的外部连通，所述加热单元形成为以片状在所述内部空间内延伸。
2.根据权利要求1所述的遮护体，其特征在于：
包括所述内部空间在内的所述外壁结构的厚度在5mm以下。
3.根据权利要求1所述的遮护体，其特征在于：
所述内部空间内设置有冷却所述外壁结构的冷却单元。
4.根据权利要求1所述的遮护体，其特征在于：
设置有测定所述外壁结构的温度的温度测定单元，具有根据该温度测定单元测定的温度控制所述加热单元的控制单元。
5.根据权利要求3所述的遮护体，其特征在于：
设置有测定所述外壁结构的温度的温度测定单元，具有根据该温度测定单元测定的温度控制所述加热单元及所述冷却单元的控制单元。
6.一种真空处理装置，其特征在于，包括：
处理容器；
对所述处理容器内部的处理空间进行排气的排气单元；
保持被处理基板的保持台；以及
设置在所述处理容器内部的遮护体，其中，
所述遮护体包括，
露出于所述处理容器内部的被减压的处理空间的外壁结构；
形成在所述外壁结构的内部、与所述处理空间隔绝的内部空间；和
设置在所述内部空间、对所述外壁结构进行加热的加热单元，
所述内部空间与所述真空处理容器的外部连通，所述加热单元形成为以片状在所述内部空间内延伸。
7.根据权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于：
包括所述加热单元在内的外部结构的厚度为5mm以下。
8.根据权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于：
在所述内部空间内设置有冷却所述外壁结构的冷却单元。
9.根据权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于：
设置有测定所述外壁结构的温度的温度测定单元，具有根据该温度测定单元测定的温度控制所述加热单元的控制单元。
10.根据权利要求8所述的真空处理装置，其特征在于：
设置有测定所述外壁结构的温度的温度测定单元，具有根据该温度测定单元测定的温度控制所述加热单元和所述冷却单元的控制单元。
11.根据权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于：
沿所述处理容器的内壁形成所述遮护体，以覆盖所述保持台的周围。
12.根据权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于：
所述遮护体为大致圆筒形。
13.根据权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于：
在所述处理容器内设置有平行平板等离子体的等离子体激发单元。
14.根据权利要求6所述的真空处理装置，其特征在于：
在所述处理容器内设置有包括径向线缝隙天线在内的等离子体激发单元。
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Cited By (2)
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