WO2005117274A1 - 送信出力制御回路およびそれを用いた無線機器 - Google Patents

送信出力制御回路およびそれを用いた無線機器 Download PDF

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Hiroki Iwamiya
Yuji Osumi
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Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an information communication device in the information communication field, particularly to a transmission output control circuit for controlling a transmission signal radiated from an antenna, and a wireless device for using the same.
  • FIG. 10 is a configuration diagram showing a conventional transmission output control circuit.
  • the power amplifying device 2 used in the transmission output control circuit 1 includes a diode 5 of a detector 4a and a coupling capacitor 6 in addition to the power amplifier 3.
  • a transmission output control circuit includes a power amplifier, a coupling capacitor for extracting a part of a transmission output signal of the power amplifier, and an output signal amplified by the power amplifier.
  • a power amplifying device having a first diode for receiving a corresponding signal to generate a detection signal, a directional coupler, a first terminating resistor connected to one end of a sub-line of the directional coupler, It comprises a second terminating resistor and a smoothing circuit to which the anode of the first diode is connected.
  • One end of the coupling capacitor and one end of the main line of the directional coupler are connected to the output terminal of the power amplifier, and the first diode is connected to the other end of the coupling capacitor and the other end of the sub-line of the directional coupler.
  • a switchable switch for connecting either the power source or the second terminating resistor is provided inside the power amplifier. Then, by this switching of the switch, a part of the transmission output signal of the power amplifier is taken out through one of the coupling capacitor and the directional coupler.
  • the transmission output control circuit of the present invention can be used in a wide dynamic range. Further, since the number of detectors to be used can be reduced, the transmission output control circuit can be downsized.
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing a transmission output control circuit according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing a connection state of a switch provided inside the power amplification device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing another connection state of a switch provided inside the power amplification device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 4 is a configuration diagram showing that a second diode is used in the temperature compensation circuit of the transmission power control circuit according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a temperature compensation circuit of a transmission power control circuit according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a configuration diagram showing that a bipolar transistor is used.
  • FIG. 6 is a configuration diagram showing that a MOSFET is used in the temperature compensation circuit of the transmission power control circuit according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective view of a transmission power control circuit according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view of a transmission power control circuit according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 9 is a configuration diagram showing a transmitter of a wireless device using the transmission power control circuit according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 10 is a configuration diagram showing a conventional transmission power control circuit.
  • FIG. 1 is a configuration diagram showing a transmission output control circuit of the present invention.
  • the power amplifying device 20 used in the transmission output control circuit 19 includes, in addition to the power amplifier 21, a first diode 23 and a coupling capacitor 24 used in the detector 22.
  • the signal level input to the signal input terminal 37 of the transmission output control circuit 19 is controlled to be substantially constant, the level of the output signal output from the amplifier output terminal 29 of the power amplifier 21 is Is almost constant (about 15 dBm), so the dynamic range required for detection can be as small as 10 dB.
  • a part of the transmission output signal level is extracted from the coupling capacitor 24 connected to the amplifier output terminal 29.
  • the signal level input to the signal input terminal 37 of the transmission output control circuit 19 is controlled so as not to interfere with a nearby channel by another device, the detection is performed.
  • the required dynamic range must be as large as 35 dB. Therefore, it is necessary to detect even a signal level as low as about 20 dBm. Detection of such low signal levels
  • the transmission output signal has no direction, and the impedance to the extracted signal is determined by the amplifier output terminal 29 of the power amplifier 21. It tends to fluctuate depending on the load connected.
  • one end of the main line 30 of the directional coupler 28 is connected to the amplifier output terminal 29 of the power amplification device 20, and the other end is connected to the signal output terminal 39. Further, one end of the sub-line 31 of the directional coupler 28 is connected to one end of the first terminating resistor 32. With such a configuration, sufficient isolation of the amplifier output terminal 29 from the signal output terminal 39 can be obtained. As a result, the transmission output signal level becomes stable without being affected by the fluctuation of the load connected to the signal output terminal 39.
  • FIG. 2 is a diagram showing a connection state of the switch 33 when the dynamic range of the signal is small.
  • the terminals 34a and 34b in the switch 33 are connected, and the terminals 34d and 34c are connected.
  • the transmission output level of the power amplifying device 20 is extracted from the coupling capacitor 24, and the load resistance 26 used for the built-in diode 23 and the external smoothing circuit 25
  • the signal is smoothed by the detector 22 including the smoothing capacitor 27, and as a result, the transmission output level can be detected.
  • the directional coupler 28 is connected to the first terminating resistor 32, the signal of the power amplifier 20 is not extracted.
  • FIG. 3 is a diagram showing a connection state of the switch 33 when the dynamic range of the signal is large.
  • the terminals 34d and 34b in the switch 33 are connected, and the terminals 34a and 34c are connected.
  • the base bias voltage can be adjusted with respect to the amount of change in the gain of the power amplifier 21. Therefore, even if the ambient temperature changes, it is possible to output a transmission signal at a stable level and at the same time detect an accurate level.
  • FIG. 4 is a configuration diagram showing that a second diode is used in the temperature compensation circuit of the transmission output control circuit according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the amount of change in the gain of the power amplifier 21 is applied to the base bias terminal 50. It is possible to provide a compensation function for the base bias voltage. This makes it possible to output a transmission signal at a stable level even when the surrounding temperature changes, and at the same time to detect an accurate level.
  • FIG. 5 is a configuration diagram showing that a bipolar transistor is used in the temperature compensation circuit of the transmission power control circuit according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 5, it is possible to provide a base bias voltage compensation function by using the temperature dependence of the PN junction of the bipolar transistor 52.
  • FIG. 6 is a configuration diagram showing that a MOSFET is used in the temperature compensation circuit of the transmission power control circuit according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 6, it is possible to provide a base bias voltage compensation function using the temperature dependence of the threshold voltage of the MOSFET 53.
  • the second terminating resistor 35 is connected to the outside of the power amplifier 20.
  • it may be built in the power amplifying device 20.
  • FIG. 7 is a perspective view of the transmission output control circuit 19 according to Embodiment 2 of the present invention
  • FIG. 8 is a plan view of the surface layer 41 and the dielectric layer 42.
  • the components having the same configuration as in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the transmission output control circuit 19 includes a power amplifying device 20, a first terminating resistor 32 and a second terminating resistor 35, and a load resistor 26 of a smoothing circuit on the surface layer 41 of the multilayer substrate 40.
  • the directional coupler 28 is mounted on the dielectric layer 42.
  • the main line 30 of the directional coupler 28 is connected to the amplifier output terminal 29 via the via hole 45a, and the sub line 31 is connected via the first terminating resistor 32 and the via hole 45b. ing.
  • the main line 30 and the sub line 31 of the directional coupler 28 are constituted by comb-shaped strip line electrodes provided inside the dielectric layer 42.
  • the coupling amount of the directional coupler 28 is determined by the capacitance generated between the main line 30 and the sub-line 31, and a larger capacitance is obtained as compared with the case where the main line 30 and the sub-line 31 are configured by parallel lines. Therefore, the size of the directional coupler 28 can be reduced. By increasing or decreasing the number of combs, it is possible to finely adjust the coupling amount.
  • a ground electrode 44 is formed on the upper surface of the surface layer 41, and a land L1 for mounting the load resistor 26 is formed thereon.
  • a capacitor electrode 43 is formed on the upper surface of the dielectric layer 42, and is connected to another land L2 for mounting the load resistor 26 via a via hole 45c.
  • the land L1 for mounting the load resistor 26 and the ground electrode 4 of the smoothing capacitor 27 4 is configured to be common, so the mounting area of the transmission output control circuit 19 can be reduced.
  • FIG. 9 is a configuration diagram showing a transmitter of a wireless device using the transmission power control circuit according to the present invention.
  • the components having the same configuration as in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • a part of the transmission output signal level of power amplifying device 20 is extracted by coupling capacitor 24 and directional coupler 28.
  • the switch 33 is switched so as to be connected to the coupling capacitor 24 or the directional coupler 28 according to the dynamic range necessary for detecting the transmission output signal level, as in the first embodiment.
  • the extracted transmission output signal level is converted into a detection signal smoothed by the smoothing capacitor 27 of the smoothing circuit 25 of the detector 22.
  • This detection signal is output from a detection output terminal 36 and is converted into a control signal by a control unit 47 provided outside the transmission output control circuit 19.
  • This control signal is input to the transmission section 48, and the transmission signal output from the transmission section 48 to the transmission output control circuit 19 is controlled so as to have a target level.
  • the transmission output control circuit 19 forms a feedback loop for controlling the transmission output signal level, and the transmission output signal having the target output level is transmitted from the signal output terminal 39 to the antenna 46, It functions as a transmitter for the device.
  • the base bias voltage applied to the base bias terminal 50 is compensated for the amount of change in the gain of the power amplifier 21.
  • the power amplifier 20 including the power amplifier 21, the first diode 23, the coupling capacitor 24, and the switch 33 into an IC, it is possible to configure the small power amplifier 20 having good characteristics. Can be.

Abstract

 本発明の送信出力制御回路は、電力増幅器(21)の出力端子(29)に結合コンデンサ(24)の一端と方向性結合器(28)の主線路(30)の一端を接続し、前記結合コンデンサ(24)の他端と、前記方向性結合器(28)の副線路(31)の一端を第1のダイオード(23)のカソード、または第2の終端抵抗(35)のいずれかに接続するスイッチ(33)を電力増幅装置(20)の内部に設け、前記スイッチ(33)を切換えることで、前記結合コンデンサ(24)、または前記方向性結合器(28)のいずれかに接続する。このような構成により、送信出力信号レベルの検波に必要なダイナミックレンジに広範囲に対応することが可能であり、安定した送信電力制御回路を提供できる。

Description

明 細 書
送信出力制御回路およびそれを用いた無線機器
技術分野
[0001] 本発明は、情報通信分野の情報通信機器、特にアンテナから放射される送信信号 を制御するための送信出力制御回路、およびそれを使用するための無線機器に関 する。
背景技術
[0002] 図 10は、従来の送信出力制御回路を示す構成図である。この送信出力制御回路 1 に用いる電力増幅装置 2は、電力増幅器 3の他に検波器 4aのダイオード 5、結合コン デンサ 6を含む。
[0003] 送信出力信号レベルの検波に必要なダイナミックレンジが小さい場合は、電力増幅 装置 2に内蔵されたダイオード 5、および外部の平滑回路 7に用いる負荷抵抗 8、平 滑コンデンサ 9を用いて検波器 4aを構成することが可能である。また、送信出力信号 レベルの検波に必要なダイナミックレンジが大きい場合は、電力増幅装置 2の外部に 方向性結合器 10と検波器 4b、第 1の終端抵抗 14を用いて、増幅器出力端子 11から 見た信号出力端子 18のアイソレーションを十分に取ることで、電力増幅装置 2の出力 レベルの検出を行う。
[0004] なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特開平 7— 2
12256号公報が知られている。
[0005] 上記従来の構成による送信出力制御回路 1では、送信出力信号レベルの検波に 必要なダイナミックレンジが大き 、場合、 IC化されたダイオード 5を使用することがで きず、電力増幅装置 2の外部にも、別に検波器 4bを必要とするため、回路の小型化 が困難であった。
発明の開示
[0006] 本発明は、電力増幅装置に内蔵されたダイオードを検波器として用いることにより、 送信出力信号レベルの検波に必要な広範囲のダイナミックレンジに対応することが 可能であり、安定した送信出力制御回路を提供することを目的とするものである。 [0007] 上記目的を達成するため、本発明に係る送信出力制御回路は、電力増幅器と、電 力増幅器の送信出力信号の一部を取り出す結合コンデンサと、電力増幅器により増 幅された出力信号に対応する信号を入力して検波信号を生成する第 1のダイオード とを有する電力増幅装置と、方向性結合器と、方向性結合器の副線路の一端に接続 された第 1の終端抵抗と、第 2の終端抵抗と、第 1のダイオードのアノードが接続され た平滑回路とから構成される。また、電力増幅器の出力端子に結合コンデンサの一 端と方向性結合器の主線路の一端とが接続され、結合コンデンサの他端および方向 性結合器の副線路の他端に、第 1のダイオードの力ソードまたは第 2の終端抵抗のい ずれかを接続するための切換え可能なスィッチが、電力増幅装置の内部に設けられ ている。そして、このスィッチの切換えにより、結合コンデンサまたは方向性結合器の いずれか一方を介して電力増幅器の送信出力信号の一部が取出される。
[0008] すなわち、 IC化されたダイオードを用いた検波器により、送信出力信号レベルの検 波に必要なダイナミックレンジが小さい場合は、結合コンデンサを用いて送信出力信 号の一部を取り出し、ダイナミックレンジが大きい場合は、方向性結合器を用いること で、アイソレーションが十分に得られた安定した送信出力信号の一部を取り出すこと ができる。その結果、本発明の送信出力制御回路は広範囲のダイナミックレンジにお いて使用できる。また、使用する検波器を削減できるので、送信出力制御回路の小 型化が可能となる。
図面の簡単な説明
[0009] [図 1]図 1は本発明の実施の形態 1における送信出力制御回路を示す構成図である
[図 2]図 2は本発明の実施の形態 1における電力増幅装置の内部に設けたスィッチの 接続状態を示す図である。
[図 3]図 3は本発明の実施の形態 1における電力増幅装置の内部に設けたスィッチの 別の接続状態を示す図である。
[図 4]図 4は本発明の実施の形態 1に係る送信電力制御回路の温度補償回路におい て第 2のダイオードを用いることを示す構成図である。
[図 5]図 5は本発明の実施の形態 1に係る送信電力制御回路の温度補償回路におい てノイポーラトランジスタを用いることを示す構成図である。
圆 6]図 6は本発明の実施の形態 1に係る送信電力制御回路の温度補償回路におい て MOSFETを用いることを示す構成図である。
圆 7]図 7は本発明の実施の形態 2における送信電力制御回路の斜視図である。 圆 8]図 8は本発明の実施の形態 2における送信電力制御回路の平面図である。 圆 9]図 9は本発明の実施の形態 3における送信電力制御回路を用いた無線機器の 送信機を示す構成図である。
圆 10]図 10は従来の送信電力制御回路を示す構成図である。
符号の説明
送信出力制御回路
20 電力増幅装置
21 電力増幅器
22 検波器
23 第 1のダイオード
24 結合コンデンサ
25 平滑回路
26 負荷抵抗
27 平滑コンデンサ
28 方向性結合器
29 増幅器出力端子
30 主線路
31 副線路
32 第 1の終端抵抗
33 スィッチ
34a, 34b, 34c, 34d j
35 第 2の終端抵抗
36 検波出力端子
37 信号入力端子 38 直流バイアス端子
39 信号出力端子
40 多層基板
41 表層
42 誘電体層
43 コンデンサ電極
44 グランド電極
45a, 45b, 45c ビアホール
49 温度補償回路
50 ベースバイアス端子
51 第 2のダイオード
52 バイポーラトランジスタ
53 MOSFET
発明を実施するための最良の形態
[0011] (実施の形態 1)
以下、本発明の実施の形態 1について、図面を参照しながら説明する。
[0012] 図 1は本発明の送信出力制御回路を示す構成図である。図 1に示すように、この送 信出力制御回路 19に用いる電力増幅装置 20には、電力増幅器 21の他に、検波器 22に用いる第 1のダイオード 23、結合コンデンサ 24を含む。例えば、送信出力制御 回路 19の信号入力端子 37に入力される信号レベルがほぼ一定となるように制御さ れている場合は、電力増幅器 21の増幅器出力端子 29から出力される出力信号のレ ベルもほぼ一定であるため(約 15dBm)、検波に必要なダイナミックレンジは 10dBと 小さくてよい。この場合、増幅器出力端子 29に接続される結合コンデンサ 24から送 信出力信号レベルの一部を取り出す。
[0013] 一方、送信出力制御回路 19の信号入力端子 37に入力される信号レベル力 他の 機器で使用されて 、る近傍チャンネルと干渉しな 、ように制御されて 、る場合は、検 波に必要なダイナミックレンジは 35dBと大きくなければならない。そのため、約一 20 dBmの低 、信号レベルでも検波する必要がある。このような低 、信号レベルを検波 する場合、結合コンデンサ 24を用いて送信出力信号レベルの一部を取り出すと、そ の送信出力信号には方向性が無いので、その取り出した信号に対するインピーダン スは、電力増幅器 21の増幅器出力端子 29に接続される負荷により変動しやすい。
[0014] そこで、電力増幅装置 20の増幅器出力端子 29に、方向性結合器 28の主線路 30 の一端を接続し、他端を信号出力端子 39に接続する。また、方向性結合器 28の副 線路 31の一端を第 1の終端抵抗 32の一端に接続する。このような構成により、信号 出力端子 39に対する増幅器出力端子 29のアイソレーションを十分に取ることができ る。その結果、送信出力信号レベルは信号出力端子 39に接続される負荷の変動に 影響されな 、安定したものとなって 、る。
[0015] ここで、電力増幅装置 20にスィッチ 33を設けることで、結合コンデンサ 24から取り 出された送信出力信号レベルの一部と、方向性結合器 28から取り出された送信出 力信号レベルの一部とを、必要な検波のダイナミックレンジの大きさに応じて任意に 選択することができる。
[0016] 図 2は、信号のダイナミックレンジが小さい場合のスィッチ 33の接続状態を示した図 である。図 2において、スィッチ 33内の端子 34aと端子 34bが接続され、端子 34dと 端子 34cが接続される。
[0017] このような接続とすることで、電力増幅装置 20の送信出力レベルの一部は、結合コ ンデンサ 24から取り出され、内蔵されたダイオード 23、および外部の平滑回路 25に 用いる負荷抵抗 26、平滑コンデンサ 27で構成される検波器 22により平滑ィ匕された 信号となり、結果的に送信出力レベルを検出することが可能である。一方、方向性結 合器 28は、第 1の終端抵抗 32と接続されるため、電力増幅装置 20の信号は取り出 されない。
[0018] 図 3は、信号のダイナミックレンジが大きい場合のスィッチ 33の接続状態を示した図 である。図 3において、スィッチ 33内の端子 34dと端子 34bが接続され、端子 34aと 端子 34cが接続される。
[0019] このような接続とすることで、電力増幅装置 20の送信出力レベルの一部は、方向性 結合器 28から取り出され、内蔵されたダイオード 23、および外部の平滑回路 25に用 いる負荷抵抗 26、平滑コンデンサ 27で構成される検波器 22により平滑ィ匕された信 号となり、結果的に送信出力信号レベルを検出することが可能である。一方、結合コ ンデンサ 24は、第 2の終端抵抗 35と接続されるため、電力増幅装置 20の信号は取り 出されない。
[0020] 従来、図 10の送信出力制御回路 1において、任意のダイナミックレンジが必要とな る場合、電力増幅装置 20の内部と外部に 2つの検波器を必要としていた。しかし、図 1に示す本発明に係る送信出力制御回路 19では、スィッチ 33を設けることで電力増 幅装置 20の外部には検波器が不要となるため、送信出力制御回路の回路の小型化 を実現することができる。
[0021] さらに、電力増幅回路 20のベースバイアス端子 50に温度補償回路 49を設けること により、電力増幅器 21の利得の変化量に対して、ベースバイアス電圧を調節すること ができる。よって、周辺の温度が変化しても安定したレベルで送信信号を出力すると 同時に、正確なレベルを検波することが可能となる。
[0022] 図 4は、本発明の実施の形態 1に係る送信出力制御回路の温度補償回路において 第 2のダイオードを用いることを示す構成図である。
[0023] 温度補償回路 49に構成される第 2のダイオード 51の PN接合の温度依存性を用い ることで、前記電力増幅器 21の利得の変化量に対して、ベースバイアス端子 50に印 カロされるベースバイアス電圧の補償機能を持たせることが可能となる。これにより、周 辺の温度が変化しても安定したレベルで送信信号を出力すると同時に、正確なレべ ルを検波することが可能となる。
[0024] また、図 5は本発明の実施の形態 1に係る送信電力制御回路の温度補償回路にお いてバイポーラトランジスタを用いることを示す構成図である。図 5に示すように、バイ ポーラトランジスタ 52の PN接合の温度依存性を用いて、ベースバイアス電圧の補償 機能を持たせることも可能である。
[0025] さらに、図 6は本発明の実施の形態 1に係る送信電力制御回路の温度補償回路に おいて MOSFETを用いることを示す構成図である。図 6に示すように、 MOSFET5 3のスレシュホールド電圧の温度依存性を用いて、ベースバイアス電圧の補償機能を 持たせることも可能である。
[0026] なお、本実施の形態では、第 2の終端抵抗 35は電力増幅器 20の外部に接続され ているが、他の例として、電力増幅装置 20に内蔵されていてもよい。
[0027] (実施の形態 2)
以下、本発明の実施の形態 2について、図面を参照しながら説明する。
[0028] 図 7は本発明の実施の形態 2における送信出力制御回路 19の斜視図、図 8は表層 41と誘電体層 42の平面図を示したものである。なお、実施の形態 1と同様の構成を 有するものについては、同一符号を付し、その説明を省略する。
[0029] 図 7、図 8において、送信出力制御回路 19は、電力増幅装置 20、第 1の終端抵抗 32および第 2の終端抵抗 35、平滑回路の負荷抵抗 26を多層基板 40の表層 41に搭 載し、方向性結合器 28を誘電体層 42に一体ィ匕している。
[0030] ここで、方向性結合器 28の主線路 30は、増幅器出力端子 29とビアホール 45aを 介して接続され、副線路 31は、第 1の終端抵抗 32とビアホール 45bを介して接続さ れている。このように誘電体層 42に方向性結合器 28を構成することで、表層 41に構 成する場合と比較して、送信出力制御回路 19の実装面積を削減できるため、部品の 小型化が可能となる。
[0031] また、方向性結合器 28の主線路 30と副線路 31を、誘電体層 42の内部に設けた櫛 型のストリップライン電極で構成する。これにより、主線路 30と副線路 31間に生じる容 量で方向性結合器 28のカップリング量が決定され、主線路 30と副線路 31を平行線 路で構成した時と比べ大きな容量が得られるため、方向性結合器 28の小型化が可 能となる。なお、この櫛の数を増減することで細かなカップリング量の調整が可能とな る。
[0032] さらに、表層 41の上面にはグランド電極 44が形成され、その上に負荷抵抗 26を実 装するためのランド L1が形成される。また、誘電体層 42の上面にはコンデンサ電極 43が形成され、ビアホール 45cを介して、負荷抵抗 26を実装するためのもう一方のラ ンド L2〖こ接続される。これにより、表層 41の上面に形成されたグランド電極 44と誘電 体層 42の上面に形成されたコンデンサ電極 43とが互いに対向し、平滑コンデンサ 2 7を構成する。よって、別途平滑コンデンサを設ける必要がなぐ送信出力制御回路 1 9の部品点数を削減することができる。
[0033] また、負荷抵抗 26を実装するためのランド L1と平滑コンデンサ 27のグランド電極 4 4が共通となるように構成しているため、送信出力制御回路 19の実装面積の削減が 可能となる。
[0034] (実施の形態 3)
以下、本発明の実施の形態 3について、図面を参照しながら説明する。
[0035] 図 9は、本発明に係る送信電力制御回路を用いた無線機器の送信機を示す構成 図である。なお、実施の形態 1と同様の構成を有するものについては、同一符号を付 し、その説明を省略する。
[0036] 図 9において、電力増幅装置 20の送信出力信号レベルの一部は、結合コンデンサ 24および方向性結合器 28によって取り出される。ここで、スィッチ 33は、実施の形態 1と同様に、送信出力信号レベルの検波に必要なダイナミックレンジに応じて、結合 コンデンサ 24または方向性結合器 28に接続されるように切換えられる。取り出された 送信出力信号レベルは、検波器 22の平滑回路 25の平滑コンデンサ 27によって平 滑化された検波信号に変換される。この検波信号は、検波出力端子 36から出力され 、送信出力制御回路 19の外部に設けた制御部 47で制御信号に変換される。この制 御信号は送信部 48へ入力され、送信部 48から送信出力制御回路 19へ出力される 送信信号が、目標のレベルとなるように制御する。このように送信出力制御回路 19は 、送信出力信号レベルを制御するフィードバックループを形成しており、目標の出力 レベルとなった送信出力信号は、信号出力端子 39からアンテナ 46へと送られ、無線 機器の送信機として機能して 、る。
[0037] また、実施の形態 1と同様に、温度補償回路 49を用いることで、前記電力増幅器 2 1の利得の変化量に対して、ベースバイアス端子 50に印加されるベースバイアス電 圧の補償機能を持たせている。このように、電力増幅器 21、第 1のダイオード 23、結 合コンデンサ 24、スィッチ 33からなる電力増幅装置 20を IC化することで、良好な特 性を持つ小型の電力増幅装置 20を構成することができる。
[0038] さらに、このような無線機器の送信機において、良好な特性を持つ小型な送信電力 制御回路を用いるため、良好な特性を保ちながら小型の無線機器を実現することが できる。
産業上の利用可能性 本発明は、一つの検波器で送信出力信号レベルの検波に必要なダイナミックレン ジの大小にかかわらず対応することが可能となるため、小型かつ安定した送信電力 制御回路を実現することができるという効果を有し、それを用いた無線機器の送信機 等に有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 電力増幅器と、前記電力増幅器の送信出力信号の一部を取り出す結合コンデンサと
、前記電力増幅器により増幅された出力信号に対応する信号を入力して検波信号を 生成する第 1のダイオードと、を有する電力増幅装置と、
方向性結合器と、
前記方向性結合器の副線路の一端に接続された第 1の終端抵抗と、
第 2の終端抵抗と、
前記第 1のダイオードのアノードが接続された平滑回路とを備えた送信出力制御回 路であり、
前記電力増幅器の出力端子に前記結合コンデンサの一端と前記方向性結合器の 主線路の一端とが接続され、
前記結合コンデンサの他端および前記方向性結合器の副線路の他端に、前記第 1 のダイオードの力ソードまたは前記第 2の終端抵抗のいずれかを接続するための切 換え可能なスィッチが、前記電力増幅装置の内部に設けられ、
前記スィッチの切換えにより、前記結合コンデンサまたは前記方向性結合器のいず れか一方を介して前記電力増幅器の送信出力信号の一部が取出されることを特徴と する
送信出力制御回路。
[2] 前記電力増幅装置と前記第 1の終端抵抗と前記第 2の終端抵抗と前記平滑回路を 構成する負荷抵抗とは、多層基板の表層に搭載され、
前記方向性結合器は、前記多層基板の誘電体層に搭載されることを特徴とする 請求項 1に記載の送信出力制御回路。
[3] 前記第 2の終端抵抗は、前記電力増幅装置に内蔵されることを特徴とする請求項 2 に記載の送信出力制御回路。
[4] 前記方向性結合器の主線路および副線路は、前記多層基板の誘電体層の内部に 設けた櫛型のストリップライン電極で構成されることを特徴とする
請求項 2に記載の送信出力制御回路。
[5] 前記平滑回路は、平滑コンデンサと負荷抵抗とで構成され、 前記平滑コンデンサは、前記多層基板の表層上のグランド電極と前記多層基板の誘 電体層上に形成されたコンデンサ電極とで前記誘電体層を挟んで互!ヽに対向する 構造を有し、
前記負荷抵抗の一端は、前記グランド電極と接続され、
前記負荷抵抗の他端は、前記コンデンサ電極と前記多層基板のビアホールを介して 接続されることを特徴とする
請求項 2に記載の送信出力制御回路。
[6] 前記電力増幅器はベースバイアス端子と、
前記ベースバイアス端子に接続される温度補償回路をさらに有し、
前記ベースバイアス端子に印加されるベースバイアス電圧を調節することにより、前 記電力増幅器の周辺温度の変動に伴う前記電力増幅器の利得変化量の補償を行う ことを特徴とする
請求項 1に記載の送信出力制御回路。
[7] 前記温度補償回路は、第 2のダイオードを備えることを特徴とする
請求項 6に記載の送信出力制御回路。
[8] 前記温度補償回路は、バイポーラトランジスタを備えることを特徴とする
請求項 6に記載の送信出力制御回路。
[9] 前記温度補償回路は、 MOSFETを備えることを特徴とする
請求項 6に記載の送信出力制御回路。
[10] 前記電力増幅器と、前記第 1のダイオードと、前記結合コンデンサと、前記スィッチと
、前記温度補償回路とを有する前記電力増幅装置が IC化されることを特徴とする 請求項 1ないし請求項 9のいずれか一つに記載の送信出力制御回路。
[11] 送信部と、
制御部と、
送信出力制御回路と、
アンテナとを有する無線機器であり、
前記送信出力制御回路は、請求項 1ないし請求項 9のいずれか一つに記載の送信 出力制御回路であることを特徴とする
丽觸
L 0600^00Zd /13d ZY tLZLWHmZ OAV
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