WO2005093354A1 - 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法 - Google Patents

縦型熱処理装置及び被処理体移載方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005093354A1
WO2005093354A1 PCT/JP2005/005518 JP2005005518W WO2005093354A1 WO 2005093354 A1 WO2005093354 A1 WO 2005093354A1 JP 2005005518 W JP2005005518 W JP 2005005518W WO 2005093354 A1 WO2005093354 A1 WO 2005093354A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
processed
heat treatment
locking portion
holder
substrate support
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/005518
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Satoshi Asari
Katsuhiko Mihara
Hiroshi Kikuchi
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Priority to US10/593,973 priority Critical patent/US7677858B2/en
Priority to DE602005027689T priority patent/DE602005027689D1/de
Priority to EP05726958A priority patent/EP1752725B1/en
Publication of WO2005093354A1 publication Critical patent/WO2005093354A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/07—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for semiconductor wafers Not used, see H01L21/677
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/04—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated adapted for treating the charge in vacuum or special atmosphere
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B5/12—Arrangement of devices for charging
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
    • F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
    • F27B5/13—Arrangement of devices for discharging
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
    • F27D3/12—Travelling or movable supports or containers for the charge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Definitions

  • the present invention relates to a vertical heat treatment apparatus and a method of transferring an object to be processed, and in particular, it is possible to collectively transfer a plurality of objects to be processed to a holder having a ring-shaped support plate. To improve the transfer mechanism.
  • Manufacturing of a semiconductor device includes a step of subjecting an object to be processed, for example, a semiconductor wafer, to various heat treatments such as oxidation, diffusion, CVD, and annealing.
  • a vertical heat treatment apparatus that can heat-treat a large number of wafers at once is used.
  • This vertical heat treatment apparatus includes a heat treatment furnace having a furnace rota- tion at the lower part, a lid for hermetically closing the furnace, and a plurality of wafers provided on the lid being vertically moved via a ring-shaped support plate.
  • Holder also referred to as a wafer boat
  • Holder that holds the wafer at predetermined intervals in the direction
  • a lifting mechanism that lifts and lowers the lid to carry the holder into and out of the heat treatment furnace
  • a storage container that stores a plurality of wafers at predetermined intervals.
  • Also referred to as a carrier or a cassette
  • a transfer mechanism for transferring a wafer between the holder and the holder.
  • the transfer mechanism has a plurality of substrate supports (also called forks) arranged at predetermined intervals.
  • the ring-shaped support plate is used as a countermeasure for suppressing or preventing a slip (crystal defect) generated at a peripheral portion of the wafer during a high-temperature heat treatment.
  • JP5-13547A is a push-up type transfer mechanism (hereinafter referred to as "transfer mechanism A") provided with a transfer substrate support 50 and a push-up substrate support 51, as shown in FIG.
  • transfer mechanism A a push-up type transfer mechanism
  • the transfer substrate support 50 also has a plate-like body strength having an upper surface supporting the lower surface of the wafer W
  • the push-up substrate support 51 has three support pins 52 each having an upper surface supporting the lower surface of the wafer W.
  • the transfer substrate support 50 supporting the wafer W is placed above the ring-shaped support plate 15 in the holder 9, and then the push-up substrate support 51. This Each is disposed below the ring-shaped support plate 15 (FIG. 12 (a)).
  • the wafer support W is lifted from above the transfer substrate support 50 by lifting the push-up substrate support 51, and in this state, the transfer substrate support 50 is retreated from the holder 9 (FIG. 12 (b)).
  • the pushing-up substrate support 51 is lowered to place the wafer W on the ring-shaped support plate 15, and then the pushing-up substrate support 51 is retreated from the holder 9 ((c in FIG. 12). )). Thereby, the transfer operation of one wafer is completed.
  • JP2003-338531A discloses a vertical heat treatment apparatus provided with a transfer mechanism (hereinafter referred to as “transfer mechanism B” t ⁇ ⁇ ) for suspending and supporting a wafer below a fork (substrate support).
  • This transfer mechanism includes a plurality of locking members having an L-shaped cross section projecting below the fork, and these locking members support the lower surface of the wafer peripheral portion on the upper surface of the L-shaped horizontal portion.
  • Each locking member is between a supporting position in which each locking member supports the wafer and a release position in which each locking member moves outside the outer peripheral edge of the wafer to release the support of the wafer.
  • the actuator is driven by the actuator.
  • the locking members disposed on the distal end side and the proximal end side of the fork are both movable, so that a complicated structure is attached to the fork, and the complicated structure is attached to the fork in the height direction. This causes an increase in size, and as a result, it is difficult to reduce the pitch between the ring-shaped support plates of the holder.
  • a comprehensive object of the present invention is to improve the throughput of a vertical heat treatment apparatus.
  • An object of the present invention is to enable a plurality of workpieces to be transferred to a holder having a ring-shaped support plate, thereby shortening the transfer time of the workpiece. Poko is there.
  • Another object of the present invention is to simplify the structure of the transfer mechanism, particularly the gripping mechanism of the substrate support, so that the substrate support can be inserted into a narrow gap, and thereby the pin between the ring-shaped support plates can be inserted.
  • An object of the present invention is to make it possible to reduce the size of a switch and increase the number of objects to be heat-treated at one time.
  • the present invention provides a heat treatment furnace having a furnace B at a lower part, a lid for hermetically sealing the furnace, and a plurality of objects to be processed provided on the lid being vertically moved through a ring-shaped support plate.
  • a transfer mechanism for transferring the object to be processed between a storage container for accommodating a plurality of objects to be processed at a predetermined interval and the holder.
  • a gripping mechanism for gripping the object to be processed on the lower side, and the gripping mechanism is fixed to the front end of each of the substrate supports and fixedly locks the front edge of the object to be processed. And a movable locking portion that is movably attached to the base end of each of the substrate supports and that detachably locks the rear edge of the object to be processed.
  • each of the substrate supports has a receiving portion for receiving the front and rear peripheral portions of the object to be processed such that a gap exists between the lower surface of the substrate support and the upper surface of the object.
  • a gap exists between the lower surface of the substrate support and the upper surface of the object.
  • each of the ring-shaped support plates is provided with a notch for avoiding interference with the fixed locking portion and the movable locking portion.
  • the workpiece can be reliably gripped without the gripping mechanism interfering with the ring-shaped support plate.
  • At least one of the substrate supports is provided with a mapping sensor, and the mapping sensor emits a light beam traveling between two tip portions of the substrate support by an object to be detected.
  • the position of the object to be detected can be detected by moving the substrate support so as to be blocked. In this way, by scanning a plurality of workpieces respectively held by the ring-shaped support plates in the holder along the arrangement direction, the presence / absence of the workpieces on each ring-shaped support plate is detected.
  • Mapping Can do Since it is possible to detect whether or not the object to be processed has protruded from the holder before and after the processing, it is possible to prevent an accident such as damage to the object to be processed.
  • the fixed locking portion and the movable locking portion are made of a heat-resistant resin material.
  • the durability of the fixed locking portion and the movable locking portion is improved, and these locking portions do not become a source of contamination of the object to be processed.
  • the present invention further provides a heat treatment furnace having a furnace lower part at a lower portion, a lid body for sealing the furnace part, and a plurality of workpieces provided on the lid body via a ring-shaped support plate.
  • a transfer mechanism for transferring the object to and from the tool, wherein the object to be processed is transferred by the vertical heat treatment apparatus provided with the transfer mechanism.
  • a transfer mechanism having a gripping mechanism for gripping an object to be processed under each substrate support, and wherein the gripping mechanism has a tip end of the substrate support.
  • the substrate supports are arranged above the object at the transfer starting point.
  • the object to be processed is gripped by bringing the movable locking portion close to the fixed locking portion to move the respective substrate supporting members that grip the object to be processed in the next step V above the transfer target point. Then, the object to be processed is released by moving the movable locking portion away from the fixed locking portion to release the object to be processed and to place the object on the transfer target point. I do.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing one embodiment of a vertical heat treatment apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a side view of a transfer mechanism.
  • FIG. 3 is a side view of the transfer mechanism of FIG. 2 as viewed from another direction.
  • FIG. 4 is a plan view showing a substrate holder of the transfer mechanism and its related components.
  • FIG. 5 is a plan view of a ring-shaped support plate.
  • FIG. 6 is a plan view from below showing the substrate support.
  • FIG. 7 is a plan view showing another substrate support with downward force.
  • FIG. 8 is a schematic side view showing a fixed locking portion and a receiving portion at a distal end portion of the substrate support.
  • FIG. 9 is a schematic side view showing a movable locking portion and a receiving portion on the base end side of the substrate support.
  • FIG. 10 is a schematic side view showing a movable locking portion and a driving portion on the base end side of the substrate support.
  • FIG. 11 is a schematic side view for explaining the operation of the transfer mechanism.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a transfer mechanism in a conventional vertical heat treatment apparatus.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing one embodiment of a vertical heat treatment apparatus according to the present invention
  • FIG. 2 is a side view of a transfer mechanism
  • FIG. 3 is a view of the transfer mechanism of FIG. Side view
  • Figure 4 FIG. 5 is a plan view showing the substrate holder of the mounting mechanism and its related components
  • FIG. 5 is a plan view of the ring-shaped support plate.
  • the vertical heat treatment apparatus 1 has a casing 2 forming an outer shell of the apparatus, and a vertical heat treatment furnace 3 is provided above the inside of the casing 2. .
  • the heat treatment furnace 3 accommodates an object to be processed (also referred to as a substrate to be processed), for example, a thin disk-shaped semiconductor wafer W, and performs a predetermined process, for example, a CVD process.
  • the heat treatment furnace 3 is a vertically long processing vessel having a lower end opened as a furnace b 4
  • a heater (heating mechanism) 7 that covers the periphery of the reaction tube 5 and can heat the inside of the reaction tube 5 to a predetermined controlled temperature, for example, 300 to 1200 ° C., and a power are mainly configured.
  • a stainless steel base plate 8 that supports the reaction tube 5 and the heater 7 that constitute the heat treatment furnace 3 is provided horizontally.
  • the base plate 8 has an opening (not shown) for receiving the reaction tube 5.
  • the reaction tube 5 is inserted upward through the opening of the base plate 8 from below, and the outward flange formed at the lower end of the reaction tube 5 is fixed to the base plate 8 by a flange holding member.
  • a reaction tube 5 is set on a base plate 8.
  • the reaction tube 5 can be removed from the base plate 8 for washing or the like.
  • the reaction tube 5 is connected with a plurality of gas introduction tubes for introducing a processing gas or an inert gas for purging into the reaction tube 5, and a vacuum pump, a pressure control valve, etc., capable of controlling the pressure inside the reaction tube 5 under reduced pressure. (Not shown).
  • a work area (loading area) 10 is provided below the base plate 8 in the housing 2. Utilizing the work area 10, the holder (boat) 9 provided on the lid 6 is loaded into the heat treatment furnace 3 (that is, the reaction tube 5) and unloaded from the heat treatment furnace 3, Further, transfer of the wafer W to the holder 9 is performed.
  • the work area 10 is provided with an elevating mechanism 11 for loading the boat 9 into the heat treatment furnace 3 and elevating the lid 6 for unloading from the heat treatment furnace 3.
  • the lid 6 abuts the opening end of the furnace B 4 to seal the furnace B 4.
  • a rotation mechanism (not shown) for rotating the holder 9 is provided below the lid 6.
  • the holder 9 includes a main body 9a that supports a plurality of wafers W in multiple stages, and supports the main body 9a. And a leg 9b, which is connected to the rotation shaft of the rotation mechanism.
  • the holder 9 in the illustrated example is made of, for example, quartz, and has a large diameter, for example, 300 mm in diameter, and a large number of, for example, about 75 wafers W. It can be held at a pitch of 11mm.
  • a lower heating mechanism (not shown) is provided between the main body 9a and the lid 6 to prevent a temperature drop in the reaction tube 5 due to heat radiation from the furnace B4. In this case, the holder 9 does not need to have the leg 9b.
  • the main body 9a is placed on the lid 6 via a heat insulating cylinder.
  • the holder 9 includes a plurality of columns 12, a top plate 13 and a bottom plate 14 connected to the upper and lower ends of the columns 12, and a ring-shaped support plate 15 disposed on the columns 12.
  • the ring-shaped support plates 15 are arranged in multiple stages by engaging with concave portions or convex portions provided at predetermined intervals on the columns 12.
  • the ring-shaped support plate 15 is made of, for example, stone or ceramic, has a thickness of about 2 to 3 mm, and is formed to have a slightly larger outer diameter than the outer diameter of the wafer W.
  • a mounting table (also referred to as a load port) 17 is provided at the front of the housing 2.
  • a storage container (also referred to as a carrier or a cassette) 16 storing a plurality of, for example, about 25 wafers W at predetermined intervals is mounted on the mounting table 17, and the storage container 16 is inserted into the housing 2 or vice versa. ENO and W are carried in and out.
  • the storage container 16 is a closed storage container having a detachable lid (not shown) on the front surface thereof.
  • a door mechanism 18 for removing the lid of the storage container 16 and communicating the inside of the storage container 16 with the work area 10 is provided.
  • the work area 10 has a plurality of substrate supports (also referred to as forks) 20 arranged at a predetermined interval, and performs transfer of the wafer W between the storage container 16 and the holder 9.
  • a mechanism 21 is provided.
  • a storage shelf 22 for stocking the storage container 16 and a storage container 16 from the mounting table 17 to the storage shelf 22 or vice versa are provided on the front upper side inside the housing 2 outside the work area 10.
  • a transport mechanism (not shown) for transport is provided. Further, when the lid 6 is opened, the furnace B 4 is placed above the work area 10 in order to suppress or prevent the heat in the furnace having a high temperature from being released to the work area 10 below.
  • a shutter mechanism 23 for covering or closing is provided.
  • the transfer mechanism 21 supports a plurality of wafers W, for example, five wafers W at predetermined intervals in the vertical direction. It has a plurality of, for example, five substrate supports (also referred to as forks or support plates) 20 (20a-20e).
  • the center substrate support 20a can be moved independently in the front-rear direction independently of the other substrate supports.
  • Substrate supports other than the central substrate support 20a (first, second, fourth and fifth from the top) 20b, 20c, 20d and 20e are vertically moved with respect to the central substrate support 20a by a pitch conversion mechanism (not shown). Can move steplessly.
  • the five substrate supports 20a to 20e can change the vertical interval (pitch) in a stepless manner based on the center substrate support 20a. Accordingly, even when the storage pitch of the wafer W in the storage container 16 and the mounting pitch of the wafer W in the holder 9 are different, a plurality of wafers W can be simultaneously transferred between the storage container 16 and the holder 9. Can be transferred.
  • the transfer mechanism 21 includes an elevating arm 24 that can move up and down, and a box-shaped base 25 that is rotatably mounted on the elevating arm 24 in a horizontal plane.
  • a first moving body 26 that enables the central single substrate support 20a to move forward
  • two upper and lower substrates that are disposed above and below the central substrate support 20a, respectively 4
  • a second moving body 27 that allows the substrate supports 20b-20e to move forward is provided so as to be able to move forward and backward along the longitudinal direction of the base 25.
  • a moving mechanism (not shown) is provided inside the base 25 to operate the first and second moving bodies 26 and 27 as described above.
  • this moving mechanism and the pitch modification for example, those disclosed in ⁇ 2001-44260 ⁇ can be used.
  • Each of the substrate supports 20 is formed of, for example, a thin plate of alumina ceramic, and is preferably formed in a substantially U-shape in plan view with a distal end branched into two branches (see FIGS. 4, 6 and 6). 7).
  • the transfer mechanism 21 includes a gripping mechanism 28 that can hold the wafers W one by one from the front and back under each substrate support 20.
  • the gripping mechanism 28 includes a fixed locking portion 30 provided at the front end of the substrate support 20 and locking the front edge of the wafer W, A movable locking portion 31 provided at the base end portion for detachably locking the rear edge of the wafer W is provided, and a driving mechanism for driving the movable locking portion 31, for example, an air cylinder 32.
  • the wafer W By moving the movable locking portion 31 forward with the air cylinder 32, the wafer W can be sandwiched (grabbed) between the movable locking portion 31 and the fixed locking portion 30 from the front and rear, and By retreating the wafer 31, the wafer W can be released. It is preferable that the base end of the substrate support 20 be provided with a notch 33 for avoiding interference with the movable locking portion 31.
  • the fixed locking portion 30 and the movable locking portion 31 have inclined surfaces 30a and 3 la in order to support the peripheral portion of the wafer W such that the wafer W does not detach therefrom due to its own weight. It is preferable to! Further, the front and rear peripheral portions of the wafer W are provided as spacers on each of the substrate supports 20 so that a gap g exists between the lower surface of each of the substrate supports 20 and the upper surface of the wafer W held thereon. Receiving parts 34 and 35 are preferably provided. In the illustrated example, one receiving portion 34 is provided on each of the left and right sides of the distal end portion of the substrate support 20, and one receiving portion 35 is provided on each of the left and right sides of the base end portion.
  • the receiving portion 34 on the distal end side and the fixed locking portion 30 are formed physically (as a single component), thereby achieving compactness.
  • the fixed locking part 30, the movable locking part 31, and the receiving parts 34 and 35 are made of heat-resistant resin such as PEEK (Polyetheretherketone). , Preferred in terms of,.
  • Notches 36 and 37 are preferably provided in the ring-shaped support plate 15 in order to avoid interference with the receiving portion 35 on the base end side as necessary. Note that when the outer diameter of the ring-shaped support plate 15 is smaller than the outer diameters of the arrows, W, the notch portions 36 and 37 need not necessarily be provided in the ring-shaped support plate 15.
  • the upper surface of the substrate support 20 and the lower surface of the fixed locking portion 30 are positioned so that one substrate support 20 can be inserted into a gap between the two vertically adjacent ring-shaped support plates 15, 15.
  • the distance h between them is smaller than the distance k (about 7.7 mm) between the lower surface of the upper ring-shaped support plate 15 and the upper surface of the wafer W placed on the lower ring-shaped support plate 15, for example, 5.95. It is preferably about mm.
  • a mapping sensor 40 for mapping the wafer W held by the holder 9 is provided at the tip of the substrate support 20a used for transferring a single wafer.
  • a sensor head 40a of a mapping sensor 40 capable of transmitting and receiving infrared rays is provided at one end of the substrate support 20, and a mating sensor is provided at the other end of the substrate support 20.
  • a reflecting mirror 41 is provided for reflecting the infrared light emitted from the 40 sensor heads 40a and entering the sensor head 40a of the matching sensor 40.
  • the mapping sensor 40 has a detection mechanism (not shown), and a light emitting element and a light receiving element provided in the detection mechanism are connected to a sensor head 40a via an optical fiber 42. As shown in FIG. 5, the transfer mechanism 21 scans the mapping sensor 40 in the vertical direction (perpendicular to the paper surface of FIG.
  • the mapping sensor 40 can also be used to detect a teaching target member installed at a target transfer position when the transfer mechanism 21 performs automatic teaching. During automatic teaching, if the transfer mechanism 21 moves to a position where the target member blocks the infrared light, the position of the target member is divided based on the encoder value of the drive system of the transfer mechanism 21 at that time. Will be issued.
  • the operation of the transfer mechanism 21 when transferring the wafer W will be schematically described.
  • the substrate support 20 is inserted into the storage container, and is positioned above the Ueno W to be transferred.
  • the movable locking portion 31 of the gripping mechanism 28 below the substrate support 20 is powered so as to approach the fixed locking portion 30 (the gripping mechanism 28 is closed) to grip the wafer W.
  • the substrate support 20 is withdrawn from the storage container force to unload the storage container force wafer W, and then the substrate support 20 is positioned above the ring-shaped support plate 15 of the holder 9 (see FIG. a)).
  • the transfer mechanism 21 has a plurality of, for example, five substrate supports 20 (20a-20e), and each of the substrate supports 20 has a gripping mechanism 28 for gripping a Ueno and a W under the substrate support 20, a ring is provided.
  • a plurality of wafers W for example, five wafers W can be transferred to the holder 9 having the plate-like support plate 15, and the transfer time can be greatly reduced.
  • a gripping mechanism 28 is fixedly mounted on the distal end of the substrate support 20 and locks the front edge of the wafer W, and is movably mounted on the base end of the substrate support 20.
  • a movable locking portion 31 for detachably locking the rear edge of the wafer W.
  • the locking portion at the front end of the substrate support 20 is of a fixed type, (Substrate support)
  • the conventional transfer mechanism B see Background Art
  • both the locking members disposed at the distal end and the proximal end of the substrate support 20 are movable
  • the overall structure of the substrate support 20 is reduced. This can be simplified, and the thickness of the substrate support 20 can be reduced. Since the thin substrate support 20 can be inserted into a narrow gap, the pitch between the ring-shaped support plates 15 of the holder 9 can be reduced, for example, by about 16 mm from the conventional force of about 11 mm, and as a result, the same size can be obtained.
  • the holder 9 can hold a large number of wafers W. Therefore, the number of processed sheets in one heat treatment can be increased, for example, to about 50, which is about 50 times the conventional force, for example, about 1.5 times that of the conventional heat treatment, thereby improving the throughput.
  • the wafer W can be easily grasped below the substrate support 20 by the grasping mechanism 28.
  • the substrate support 20 is provided with receiving portions 34 and 35 for receiving the front and rear peripheral portions of the wafer W so that a gap exists between the lower surface of the substrate support 20 and the upper surface of the wafer W.
  • the upper surface of the wafer W can be prevented from being scratched and scratched by the lower surface of the substrate support 20.
  • the ring-shaped support plate 15 is provided with cutouts 36 and 37 for avoiding interference with the fixed locking portion 30 and the movable locking portion 31, the gripping mechanism 28 The wafer W can be reliably grasped without interference.
  • At least one of the substrate supports 20 (20a) is provided with a mapping sensor 40, and the mapping sensor 40 is configured to emit a light beam traveling between two front ends of the substrate support 20a to the object ( By moving the substrate holder 20a so that it is blocked by Since the position of the body W can be detected, the plurality of workpieces W held on the ring-shaped support plate 15 in the holder 9 are arranged along the arrangement direction (in the vertical direction). ) By scanning, the presence / absence of the object W to be processed on each ring-shaped support plate 15 can be detected and recorded in association with position information (mapping).
  • a fixed locking portion 30 is provided at the distal end of the substrate support 20. Since it is not a movable structure, the mapping sensor 40 can be easily installed without considering prevention of interference with the fixed locking portion 30. can do . Further, the thickness of the entire substrate support 20 can be reduced.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

　縦型熱処理装置において、被処理体収納容器（キャリア）１６とリング状支持板１５を介して上下方向に間隔をおいて複数の被処理体を保持する被処理体保持具（ボート）９との間で被処理体Ｗを移載する改良された移載機構２１が開示される。移載機構２１は、所定間隔をおいて配置された複数枚の基板支持具２１を有し、各基板支持具２１は各々の下側で被処理体Ｗを掴む掴み機構２８を有している。各掴み機構２８は、基板支持具２０の先端部に固設されて被処理体Ｗの前縁部を係止する固定係止部３０と、基板支持具２０の基端部に移動可能に設けられて被処理体Ｗの後縁部を着脱可能に係止する可動係止部３１とを有している。複数枚の被処理体Ｗが同時に、迅速かつ確実に移載される。簡潔な掴み機構２８の構成により基板支持具２１の厚さが減少し、リング状支持板１５の配列ピッチを小さくすることができ、熱処理炉内で一度に処理できる被処理体Ｗの枚数が増大する。これらに起因して、スループットの向上が実現する。

Description

明 細 書
縦型熱処理装置及び被処理体移載方法
技術分野
[0001] 本発明は、縦型熱処理装置及び被処理体移載方法に係り、特にリング状支持板を 有する保持具に対して複数枚の被処理体を一括して移載することを可能とする移載 機構の改良に関する。
背景技術
[0002] 半導体装置の製造には、被処理体例えば半導体ウェハに、酸化、拡散、 CVD及 びァニール等の各種の熱処理を施す工程が含まれる。これらの工程を実行するため の熱処理装置の一つとして、多数枚のウェハを一度に熱処理することが可能な縦型 熱処理装置が用いられて!/、る。
[0003] この縦型熱処理装置は、下部に炉ロを有する熱処理炉と、その炉ロを密閉する蓋 体と、この蓋体上に設けられ多数枚のウェハをリング状支持板を介して上下方向に 所定間隔で保持する保持具 (ウェハボートともいう）と、前記蓋体を昇降させて保持具 を熱処理炉に搬入搬出する昇降機構と、複数枚のウェハを所定間隔で収納する収 納容器 (キャリア若しくはカセットともいう）と前記保持具との間でウェハの移載を行う 移載機構とを備えている。移載機構は、所定間隔をおいて配置された複数枚の基板 支持具 (フォークともいう）有している。前記リング状支持板は、高温熱処理時にゥェ ハの周縁部に発生するスリップ (結晶欠陥）を抑制ないし防止する対策として用いら れている。
[0004] JP5— 13547Aは、図 12に示すように、搬送用基板支持具 50および突き上げ用基 板支持具 51とを備えた突き上げ式の移載機構 (以下に「移載機構 A」 t ヽぅ）を備え た縦型熱処理装置を開示する。搬送用基板支持具 50は、ウェハ Wの下面を支持す る上面を有する板状体力もなり、突き上げ用基板支持具 51は、各々の上面がウェハ Wの下面を支持する 3本の支持ピン 52を有する板状体からなる。
[0005] ウェハを保持具 9に移載する場合、先ず、ウェハ Wを支持した搬送用基板支持具 5 0を保持具 9内のリング状支持板 15の上方に、そして突き上げ用基板支持具 51を当 該リング状支持板 15の下方に、それぞれ配置する（図 12の (a) )。次に、突き上げ用 基板支持具 51を上昇させて搬送用基板支持具 50上からウェハ Wを持ち上げ、この 状態で搬送用基板支持具 50を保持具 9から退去させる（図 12の (b) )。次に、突き上 げ用基板支持具 51を下降させてウェハ Wをリング状支持板 15上に載置し、その後、 突き上げ用基板支持具 51を保持具 9から退去させる（図 12の (c) )。これにより、一枚 のウェハの移載作業が完了する。
[0006] JP2003— 338531Aは、ウェハをフォーク（基板支持具）の下側で吊下げ支持する 移載機構 (以下に「移載機構 B」 t ヽぅ）を備えた縦型熱処理装置を開示する。この移 載機構は、フォークの下側に突出する断面 L字形の複数の係止部材を備えており、 これら係止部材は L字の水平部分の上面でウェハ周縁部の下面を支持する。各係 止部材は、各係止部材がウェハを支持している支持位置と、各係止部材がウェハの 外周縁より外側に移動してウェハの支持が解除されている解除位置と、の間でァクチ ユエータの駆動により移動する。
[0007] 上述した移載機構 Aおよび Bはウェハを 1枚ずつし力移載することができないため、 移載作業に多くの時間が必要であり、これがスループット向上の阻害要因となつて!ヽ る。また、移載機構はその構造に起因して厚さ（高さ方向のサイズ)が大きいため、保 持具のリング状支持板間のピッチを大きぐ例えば 16mm程度にする必要がある。こ のため、所定サイズの保持具に搭載し得るウェハの枚数 (処理枚数）は最大でも 50 枚程度であり、この点カゝらもスループットの向上が阻まれている。また、移載機構 Bで は、フォークの先端側及び基端側に配置した係止部材がいずれも可動であり、その ためにフォークに複雑な構造物が付設され、それがフォークの高さ方向サイズの増大 を招き、その結果として保持具のリング状支持板間のピッチを小さくすることが難しい
発明の開示
[0008] 本発明の包括的な目的は、縦型熱処理装置のスループットを向上させることである
[0009] 本発明の一つの目的は、リング状支持板を有する保持具に対して被処理体を複数 枚ずつ移載することを可能として、これにより被処理体の移載時間を短縮すること〖こ ある。
[0010] 本発明の他の目的は、移載機構、特にその基板支持具の掴み機構の構造を簡素 化し、狭い隙間に基板支持具を挿入できるようにし、これによりリング状支持板間のピ ツチを小さくし、一回に熱処理できる被処理体の枚数を増やすことを可能とすることに ある。
[0011] 本発明は、下部に炉ロを有する熱処理炉と、前記炉ロを密閉する蓋体と、前記蓋 体上に設けられ多数枚の被処理体をリング状支持板を介して上下方向に所定間隔 で保持する保持具と、前記蓋体を昇降させて保持具を熱処理炉に搬入搬出する昇 降機構と、所定間隔をおいて配置された複数枚の基板支持具を有し、複数枚の被処 理体を所定間隔で収納する収納容器と前記保持具との間で被処理体の移載を行う 移載機構と、を備え、前記移載機構は、前記各基板支持具の下側で被処理体を掴 む掴み機構を有しており、前記掴み機構は、前記各基板支持具の先端部に固設さ れて被処理体の前縁部を係止する固定係止部と、前記各基板支持具の基端部に移 動可能に取り付けられて被処理体の後縁部を着脱可能に係止する可動係止部とを 有して!/ヽることを特徴とする縦型熱処理装置を提供する。
[0012] 好ましくは、前記各基板支持具には、該基板支持具の下面と被処理体の上面との 間に隙問が存在するように被処理体の前後の周縁部を受ける受け部が設けられてい る。これにより、被処理体を掴む際に基板支持具の下面で被処理体の上面を擦って 傷付けることを防止することができる。
[0013] 好ましくは、前記各リング状支持板には、前記固定係止部及び前記可動係止部と の干渉を避けるための切欠部が設けられている。これにより、掴み機構がリング状支 持板と干渉することなく被処理体を確実に掴むことができる。
[0014] 好ましくは、前記基板支持具のうちの少なくとも一つにはマッピングセンサが設けら れ、該マッピングセンサは、前記基板支持具の二つの先端部の間を進行する光線が 被検出物により遮られるように前記基板支持具を移動させることにより、被検出物の 位置を検出することができるように構成されている。これにより、保持具内でリング状 支持板にそれぞれ保持された複数の被処理体をその配列方向に沿って走査するこ とにより、各リング状支持板上における被処理体の有無を検出してマッピングすること ができる。処理前後の被処理体の保持具からのはみ出しの有無を検出することがで きるため、被処理体の破損等の事故を未然に防止することができる。
[0015] 好ましくは、前記固定係止部及び前記可動係止部は耐熱性榭脂材からなる。これ により、前記固定係止部及び前記可動係止部の耐久性が向上し、また、これら係止 部が被処理体の汚染源にならな 、。
[0016] 本発明は更に、下部に炉ロを有する熱処理炉と、前記炉ロを密閉する蓋体と、前 記蓋体上に設けられ多数枚の被処理体をリング状支持板を介して上下方向に所定 間隔で保持する保持具と、前記蓋体を昇降させて保持具を熱処理炉に搬入搬出す る昇降機構と、複数枚の被処理体を所定間隔で収納する収納容器と前記保持具と の間で被処理体の移載を行うための移載機構と、を備えた縦型熱処理装置にて被 処理体を移載する方法において、前記移載機構として、所定間隔で配置された複数 枚の基板支持具を有するものを用い、前記移載機構として、各基板支持具の下側で 被処理体を掴む掴み機構を有し、かつ、前記掴み機構が基板支持具の先端部に固 設されて被処理体の前縁部を係止する固定係止部と、基板支持具の基端側に移動 可能に取り付けられて被処理体の後縁部を着脱可能に係止する可動係止部とを有 するものを用い、前記各基板支持具を移載出発地点にある被処理体の上方に配置 して前記可動係止部を前記固定係止部に近接させることにより被処理体を掴み、次 Vヽで被処理体を掴んで ヽる前記各基板支持具を移載目標地点の上方まで移動し、 次いで前記可動係止部を前記固定係止部力 遠ざけることにより被処理体を解放し て移載目標地点の上に被処理体を置ぐことを特徴とする被処理体移載方法を提供 する。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]本発明による縦型熱処理装置の一実施形態を概略的に示す縦断面図である。
[図 2]移載機構の側面図である。
[図 3]図 2の移載機構を他の方向から見た側面図である。
圆 4]移載機構の基板保持具及びその関連部品を示す平面図である。
[図 5]リング状支持板の平面図である。
[図 6]基板支持具を示す下方からの平面図である。 [図 7]他の基板支持具を示す下方力もの平面図である。
[図 8]基板支持具先端部の固定係止部及び受け部を示す概略的側面図である。
[図 9]基板支持具基端側の可動係止部及び受け部を示す概略的側面図である。
[図 10]基板支持具基端側の可動係止部及び駆動部を示す概略的側面図である。
[図 11]移載機構の作用を説明する概略的側面図である。
[図 12]従来の縦型熱処理装置における移載機構の一例を説明する図である。
符号の説明
1 縦型熱処理装置
W 半導体ウェハ (被処理体）
3 熱処理炉
4 炉ロ
6 蓋体
9 保持具
11 昇降機構
15 リング状支持板
16 収納容器
20 基板支持具 (被処理体支持具)
21 移載機構
28 掴み機構
30 固定係止部
31 可動係止部
34, 35 受け部
36, 37 切欠部
40 マッピングセンサ
発明を実施するための最良の形態
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を基に詳述する
。図 1は本発明による縦型熱処理装置の一実施形態を概略的に示す縦断面図、図 2 は移載機構の側面図、図 3は図 2の移載機構を他の方向カゝら見た側面図、図 4は移 載機構の基板保持具及びその関連部品を示す平面図、そして図 5はリング状支持板 の平面図である。
[0020] 図 1に示すように、この縦型熱処理装置 1は装置の外郭をなす筐体 2を有しており、 この筐体 2内の上方に縦型の熱処理炉 3が設けられている。熱処理炉 3は、被処理 体 (被処理基板とも 、う）例えば薄板円板状の半導体ウェハ Wを収容して所定の処 理例えば CVD処理を施す。熱処理炉 3は、その下端が炉ロ 4として開口された縦長 の処理容器本例では石英製の反応管 5と、この反応管 5の炉ロ 4を開閉する昇降可 能な蓋体 6と、反応管 5の周囲を覆って反応管 5内を所定の制御された温度例えば 3 00— 1200°Cに加熱可能なヒータ (加熱機構） 7と、力も主に構成されている。
[0021] 筐体 2内には、熱処理炉 3を構成する反応管 5及びヒータ 7を支持するステンレス鋼 製のベースプレート 8が水平に設けられている。ベースプレート 8には、反応管 5を揷 入するための図示しない開口が形成されている。
[0022] 反応管 5はベースプレート 8の開口にその下側から上向きに挿通され、反応管 5の 下端部に形成された外向きのフランジ部をフランジ保持部材にてベースプレート 8に 固定することにより、反応管 5がベースプレート 8上に設置される。反応管 5は、洗浄 等のためにベースプレート 8から取外すことができる。反応管 5には、反応管 5内に処 理ガスやパージ用の不活性ガスを導入する複数のガス導入管が接続され、また反応 管 5内を減圧制御可能な真空ポンプ及び圧力制御弁等を有する排気管が接続され ている（図示省略)。
[0023] 筐体 2内におけるベースプレート 8より下方には、作業領域 (ローデイングエリア） 10 が設けられている。この作業領域 10を利用して、蓋体 6上に設けられた保持具 (ボー ト） 9が熱処理炉 3 (すなわち反応管 5)内にロードされるとともに熱処理炉 3からアン口 ードされ、また、保持具 9に対するウェハ Wの移載が行われる。作業領域 10には、ボ ート 9を熱処理炉 3にロードするとともに熱処理炉 3からアンロードするために蓋体 6を 昇降させる昇降機構 11が設けられている。蓋体 6は炉ロ 4の開口端に当接して炉ロ 4を密閉する。蓋体 6の下部には保持具 9を回転するための図示しない回転機構が 設けられている。
[0024] 保持具 9は、複数のウェハ Wを多段に支持する本体部 9aと、この本体部 9aを支持 する脚部 9bとを備え、脚部 9bが回転機構の回転軸に接続されている。図示例の保 持具 9は、例えば石英製であり、大口径例えば直径 300mmの多数例えば 75枚程度 のウェハ Wを、リング状支持板 15を介して、水平姿勢で、上下方向に所定間隔例え ば 11mmピッチで保持することができる。本体部 9aと蓋体 6との間には、炉ロ 4からの 放熱による反応管 5内の温度低下を防止するための図示しない下部加熱機構が設 けられている。なお、保持具 9は脚部 9bを有していなくてもよぐこの場合、本体部 9a が蓋体 6上に保温筒を介して載置される。保持具 9は複数本の支柱 12と、この支柱 1 2の上端及び下端に接続された天板 13及び底板 14と、支柱 12に配置されたリング 状支持板 15と備えている。リング状支持板 15は、支柱 12に所定間隔で設けられた 凹部又は凸部に係合して、多段に配置されている。リング状支持板 15は、例えば石 英製又はセラミック製であり、厚さが 2— 3mm程度であり、ウェハ Wの外径よりも若干 大き ヽ外径に形成されて 、る。
[0025] 筐体 2の前部には、載置台（ロードポートともいう） 17が設置されている。載置台 17 上には、複数例えば 25枚程度のウェハ Wを所定間隔で収納した収納容器 (キャリア 若しくはカセットともいう） 16が載置され、収納容器 16から筐体 2内へ又はその逆にゥ エノ、 Wの搬入搬出が行われる。収納容器 16は、その前面に図示しない着脱可能な 蓋を備えた密閉型収納容器である。作業領域 10内の前部には、収納容器 16の蓋を 取外して収納容器 16内を作業領域 10内に連通するドア機構 18が設けらている。作 業領域 10内には、所定間隔で配置された複数枚の基板支持具 (フォークともいう） 2 0を有し、収納容器 16と保持具 9の間でウェハ Wの移載を行う移載機構 21が設けら れている。
[0026] 作業領域 10外において筐体 2内の前部上側には、収納容器 16をストックしておく ための保管棚 22と、載置台 17から保管棚 22へ又はその逆に収納容器 16を搬送す るための図示しない搬送機構とが設けられている。なお、蓋体 6を開けた時に炉ロ 4 力も高温の炉内の熱が下方の作業領域 10に放出されるのを抑制ないし防止するた めに、作業領域 10の上方に、炉ロ 4を覆うか又は塞ぐシャッター機構 23が設けられ ている。
[0027] 移載機構 21は、複数枚例えば 5枚のウェハ Wを上下方向に所定間隔で支持する 複数枚例えば 5枚の基板支持具 (フォーク若しくは支持板ともいう） 20 (20a— 20e)を 有している。中央の基板支持具 20aは他の基板支持具と別に単独で前後方向に移 動することができる。中央の基板支持具 20a以外の基板支持具 (上から 1、 2、 4及び 5番目） 20b, 20c, 20d及び 20eは、図示しないピッチ変換機構により、中央の基板 支持具 20aに対して上下方向に無段階で移動することができる。すなわち、 5枚の基 板支持具 20a— 20eは、中央の基板支持具 20aを基準として、上下方向間隔 (ピッチ )を無段階で変更することができる。これにより、収納容器 16内のウェハ Wの収納ピッ チと保持具 9内のウェハ Wの搭載ピッチとが異なる場合でも、収納容器 16と保持具 9 との間で一度に複数枚のウェハ Wを移載することができる。
[0028] 移載機構 21は、昇降可能な昇降アーム 24と、この昇降アーム 24に水平面内で旋 回可能に取り付けられた箱型の基台 25とを有している。この基台 25上には、中央の 1枚の基板支持具 20aを前方へ移動可能とする第 1の移動体 26と、中央の基板支持 具 20aを挟んで上下に 2枚ずつ配された 4枚の基板支持具 20b— 20eを前方へ移動 可能とする第 2の移動体 27とが、基台 25の長手方向に沿って進退移動可能に設け られている。これにより、第 1の移動体 26のみを移動させることにより 1枚のウェハ Wを 移載する枚葉移載と、第 1及び第 2の移動体 26及び 27を一緒に移動させることによ り複数枚この場合 5枚のウェハ Wを同時に移載する一括移載とを選択的に行えるよう になっている。上述のように第 1及び第 2の移動体 26及び 27を動作させるために、基 台 25の内部には図示しない移動機構が設けられている。この移動機構及び前記ピッ チ変 構は、例え «ΙΡ2001-44260Αに開示されたものを用いることができる。
[0029] 各基板支持具 20は、例えばアルミナセラミックの薄板により形成されており、好まし くは先端側が二股に分岐された平面視略 U字形に形成されている（図 4,図 6及び図 7参照)。移載機構 21は、各基板支持具 20の下側でウェハ Wを一枚ずつ前後から 保持することが可能な掴み機構 28を具備している。この掴み機構 28は、図 8—図 10 にも示すように、基板支持具 20の先端部に設けられウェハ Wの前縁部を係止する固 定係止部 30と、基板支持具 20の基端部に設けられウェハ Wの後縁部を着脱可能に 係止する可動係止部 31と、この可動係止部 31を駆動する駆動機構例えばエアシリ ンダ 32とを備えている。 [0030] エアシリンダ 32で可動係止部 31を前進させることにより、可動係止部 31と固定係 止部 30との間でウェハ Wを前後から挟む (掴む)ことができ、可動係止部 31を後退さ せることによりウェハ Wを解放することができる。基板支持具 20の基端部に、可動係 止部 31との干渉を避けるための切欠部 33が設けられていることが好ましい。
[0031] 固定係止部 30及び可動係止部 31は、そこからウェハ Wがその自重により離脱しな V、ようにウェハ Wの周縁部を支えるために、傾斜面 30aおよび 3 laを有して!/、ること が好ましい。また、各基板支持具 20には、各基板支持具 20の下面とそれに保持され るウェハ Wの上面との間に隙間 gが存在するように、スぺーサとして、ウェハ Wの前後 周縁部を受ける受け部 34および 35が設けられて 、ることが好ま 、。図示例の場合 、基板支持具 20の先端部の左右にそれぞれ 1つの受け部 34が、基端部の左右にそ れぞれ 1つの受け部 35が設けられている。また、先端側の受け部 34と固定係止部 3 0がー体的に (単一部品として)形成されており、コンパクトィ匕が図られている。固定係 止部 30、可動係止部 31並びに受け部 34および 35は、耐熱性榭脂例えば PEEK ( Polyetheretherketone)により形成されていること力 耐久性が向上する点およびゥェ ハの汚染源にならな 、点で好まし 、。
[0032] 前記リング状支持板 15の外径がウエノ、 Wの外径よりも大きい場合には、図 4及び図 5に示すように、固定係止部 30及び可動係止部 31との干渉を避けるため、さらに必 要に応じて基端側の受け部 35との干渉を避けるために、リング状支持板 15に切欠 部 36及び 37が設けられていることが好ましい。なお、リング状支持板 15の外径がゥ エノ、 Wの外径より小さい場合には、リング状支持板 15に必ずしも切欠部 36及び 37 を設ける必要はない。
[0033] 上下に隣接する 2つのリング状支持板 15, 15間の隙間に 1枚の基板支持具 20を 挿入し得るように、基板支持具 20の上面と固定係止部 30の下面との間の距離 hは、 上側のリング状支持板 15の下面と下側のリング状支持板 15上に載置されたウェハ W上面との間の距離 k (7.7mm程度）よりも小さい寸法例えば 5.95mm程度とするこ とが好ましい。なお、枚葉移載の際に用いられる基板支持具 20aの先端部には、保 持具 9に保持されたウェハ Wのマッピングを行うためのマッピングセンサ 40が設けら れている。 [0034] 図示例では、基板支持具 20の一方の先端部に赤外光線の出入光が可能なマツピ ングセンサ 40のセンサヘッド 40aが設けられ、基板支持具 20の他方の先端部にはマ ッビングセンサ 40のセンサヘッド 40aから出光された赤外光線を反射させてマツピン グセンサ 40のセンサヘッド 40aに入光させる反射鏡 41が設けられている。図示例に おいて、マッピングセンサ 40は図示しない検出機構を有し、検出機構内に設けられ た発光素子及び受光素子が光ファイバ 42を介してセンサヘッド 40aに接続されてい る。移載機構 21は、図 5に示すようにマッピングセンサ 40を、保持具 9内に多段に保 持されたウェハ Wに沿って上下方向（図 5の紙面垂直方向）に走査することにより、保 持具 9内の各段 (各リング状支持板 15)におけるウェハ Wの有無を検出して、この検 出結果を、移載機構 21の駆動系のエンコーダ値に基づいて把握することができる位 置情報と関連付けて記録 (マッピング)することができる。また、処理前後における保 持具 9内での各ウェハ Wの保持状態、例えば保持具 9からのウェハ Wのはみ出しの 有無を検出することができる。このマッピングセンサ 40は、移載機構 21の自動ティー チングの際に、 目標移載位置に設置されたティーチング用目標部材の検出にも用い ることができる。 自動ティーチング時において、 目標部材により赤外光線が遮られる 位置に移載機構 21が移動すると、そのときの移載機構 21の駆動系のエンコーダ値 に基づ!/、て目標部材の位置が割り出される。
[0035] 図 11により、ウェハ W移載時の移載機構 21の動作を概略的に説明する。先ず、基 板支持具 20を収納容器内に挿入して、移載対象のウエノ、 Wの上方に位置させる。 そして、基板支持具 20下の掴み機構 28の可動係止部 31を固定係止部 30に近づけ るように動力して (掴み機構 28を閉じる）ウェハ Wを掴む。この状態で基板支持具 20 を収納容器力 退出させて収納容器力 ウェハ Wを搬出し、次 、で基板支持具 20を 保持具 9のリング状支持板 15の上方に位置させる（図 11の（a) )。次に、掴み機構 28 の可動係止部 31を固定係止部 30から遠ざけるように動力して (掴み機構 28を開く） 、ウェハ Wを掴み機構 28から解放してリング状支持板 15上に載置する（図 11の (b) ) 。次に、基板支持具 20を上昇させ、更に基板支持具 20を保持具 9から退去させる（ 図 11の（c) )。図 11では、図面の簡略ィ匕のため複数枚の基板支持具 20のうちの一 つのみを示したが、複数の基板支持具 20が同時に上記の動作を行い複数枚のゥェ ハ wを同時に移載できることはもちろんである。
[0036] 上記実施形態によれば、以下のような有利な効果が得られる。移載機構 21が複数 枚例えば 5枚の基板支持具 20 (20a-20e)を有し、各基板支持具 20がその下側で ウエノ、 Wを掴む掴み機構 28を具備しているため、リング状支持板 15を有する保持具 9に対してウェハ Wを複数枚例えば 5枚ずつ移載することができ、移載時間の大幅な 短縮が図れる。特に、掴み機構 28が、基板支持具 20の先端部に固設されてウェハ Wの前縁部を係止する固定係止部 30と、基板支持具 20の基端部に移動可能に取り 付けられてウェハ Wの後縁部を着脱可能に係止する可動係止部 31とからなり、言!、 換えれば基板支持具 20の先端部の係止部を固定式のものとしたので、フォーク (基 板支持具) 20の先端部及び基端部に配置した係止部材がいずれも可動である従来 の移載機構 B (背景技術を参照)と比べて、基板支持具 20全体の構造を簡素化する ことができ、かつ、基板支持具 20の厚さを薄くすることができる。薄い基板支持具 20 は狭い隙間に挿入することができるため、保持具 9のリング状支持板 15間のピッチを 例えば従来の 16mm程度力も例えば 11mm程度に小さくすることができ、その結果、 同じサイズの保持具 9により多数のウェハ Wを保持することが可能となる。従って、一 度の熱処理における処理枚数を、例えば従来の 50枚程度力 例えばその 1. 5倍の 75枚程度に増大することができ、もってスループットの向上が図れる。
[0037] また、掴み機構 28によりウェハ Wを基板支持具 20の下側で容易に掴むことができ る。更に、基板支持具 20には、基板支持具 20の下面とウェハ Wの上面との間に隙 間が存在するようにウェハ Wの前後周縁部を受ける受け部 34および 35が設けられ ているため、ウェハ Wを掴む際に基板支持具 20の下面でウェハ Wの上面を擦って 傷付けることを防止することができる。また、リング状支持板 15には固定係止部 30及 び可動係止部 31との干渉を避けるための切欠部 36および 37が設けられているため 、掴み機構 28がリング状支持板 15と干渉することなくウェハ Wを確実に掴むことがで きる。
[0038] 基板支持具 20のうちの少なくとも一つ（20a)にマッピングセンサ 40が設けられ、マ ッビングセンサ 40は、基板支持具 20aの二つの先端部の間を進行する光線が被処 理体 (ウエノ、) Wにより遮られるように基板保持具 20aを移動させることにより、被処理 体 Wの位置を検出することができるように構成されているため、保持具 9内でリング状 支持板 15にそれぞれ保持された複数の被処理体 Wをその配列方向に沿って (上下 方向に）走査することにより、各リング状支持板 15上における被処理体 Wの有無を検 出して位置情報と関連づけて記録すること (マッピング）ができる。また、処理前後の 被処理体 Wの保持具 9からのはみ出しの有無を検出することができるため、被処理 体 Wの破損等の事故を未然に防止することができる。また、基板支持具 20の先端部 には固定係止部 30が設けられている力 それは可動構造でないため、固定係止部 3 0との干渉防止に配慮することなくマッピングセンサ 40を容易に設置することができる 。また、基板支持具 20全体の厚さを小さく抑えることができる。
以上、本発明の実施の形態ないし実施例を図面により詳述してきたが、本発明は 前記実施の形態ないし実施例に限定されるものではなぐ本発明の要旨を逸脱しな V、範囲での種々の設計変更等が可能である。

Claims

請求の範囲
[1] 下部に炉口を有する熱処理炉と、
前記炉ロを密閉する蓋体と、
前記蓋体上に設けられ多数枚の被処理体をリング状支持板を介して上下方向に所 定間隔で保持する保持具と、
前記蓋体を昇降させて保持具を熱処理炉に搬入搬出する昇降機構と、 所定間隔をお!ヽて配置された複数枚の基板支持具を有し、複数枚の被処理体を 所定間隔で収納する収納容器と前記保持具との間で被処理体の移載を行う移載機 構と、
を備え、
前記移載機構は、前記各基板支持具の下側で被処理体を掴む掴み機構を有して おり、前記掴み機構は、前記各基板支持具の先端部に固設されて被処理体の前縁 部を係止する固定係止部と、前記各基板支持具の基端部に移動可能に取り付けら れて被処理体の後縁部を着脱可能に係止する可動係止部と、を有して!/ヽることを特 徴とする縦型熱処理装置。
[2] 前記各基板支持具には、該基板支持具の下面と被処理体の上面との間に隙問が 存在するように被処理体の前後の周縁部を受ける受け部が設けられて 、ることを特 徴とする請求項 1記載の縦型熱処理装置。
[3] 前記各リング状支持板には、前記固定係止部及び前記可動係止部との干渉を避 けるための切欠部が設けられていることを特徴とする請求項 1記載の縦型熱処理装 置。
[4] 前記基板支持具のうちの少なくとも一つにマッピングセンサが設けられ、該マツピン グセンサは、前記基板支持具の二つの先端部の間を進行する光線が被検出物によ り遮られるように前記基板支持具を移動させることにより、被検出物の位置を検出す ることができるように構成されて ヽることを特徴とする請求項 1記載の縦型熱処理装置
[5] 前記固定係止部及び前記可動係止部が耐熱性榭脂材からなることを特徴とする請 求項 1記載の縦型熱処理装置。 下部に炉ロを有する熱処理炉と、前記炉ロを密閉する蓋体と、前記蓋体上に設け られ多数枚の被処理体をリング状支持板を介して上下方向に所定間隔で保持する 保持具と、前記蓋体を昇降させて保持具を熱処理炉に搬入搬出する昇降機構と、複 数枚の被処理体を所定間隔で収納する収納容器と前記保持具との間で被処理体の 移載を行うための移載機構と、を備えた縦型熱処理装置にて被処理体を移載する方 法において、
前記移載機構として、所定間隔で配置された複数枚の基板支持具を有するものを 用い、
前記移載機構として、各基板支持具の下側で被処理体を掴む掴み機構を有し、か つ、前記掴み機構が基板支持具の先端部に固設されて被処理体の前縁部を係止す る固定係止部と、基板支持具の基端側に移動可能に取り付けられて被処理体の後 縁部を着脱可能に係止する可動係止部とを有するものを用い、
前記各基板支持具を移載出発地点にある被処理体の上方に配置して前記可動係 止部を前記固定係止部に近接させることにより被処理体を掴み、次いで被処理体を 掴んで!/、る前記各基板支持具を移載目標地点の上方まで移動し、次 、で前記可動 係止部を前記固定係止部力 遠ざけることにより被処理体を解放して移載目標地点 の上に被処理体を置ぐ
ことを特徴とする被処理体移載方法。
PCT/JP2005/005518 2004-03-25 2005-03-25 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法 WO2005093354A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/593,973 US7677858B2 (en) 2004-03-25 2005-03-25 Vertical heat treatment system and method of transferring process objects
DE602005027689T DE602005027689D1 (de) 2004-03-25 2005-03-25 Vertikalwärmebehandlungseinrichtung und verfahren zum übertragen von zu behandelnden objekten
EP05726958A EP1752725B1 (en) 2004-03-25 2005-03-25 Vertical heat treatment equipment and method for transferring object to be treated

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004089515 2004-03-25
JP2004-089515 2004-03-25
JP2005-055271 2005-03-01
JP2005055271A JP2005311306A (ja) 2004-03-25 2005-03-01 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005093354A1 true WO2005093354A1 (ja) 2005-10-06

Family

ID=35056283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/005518 WO2005093354A1 (ja) 2004-03-25 2005-03-25 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7677858B2 (ja)
EP (1) EP1752725B1 (ja)
JP (1) JP2005311306A (ja)
KR (1) KR100980961B1 (ja)
DE (1) DE602005027689D1 (ja)
TW (1) TW200603289A (ja)
WO (1) WO2005093354A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2053648A1 (en) * 2006-05-09 2009-04-29 Tokyo Electron Limited Substrate conveyance device and vertical heat treatment equipment
CN117308583A (zh) * 2023-11-24 2023-12-29 陕西三义高科石墨新材料有限公司 一种环式焙烧炉

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100754771B1 (ko) * 2005-12-27 2007-09-03 주식회사 엔씨비네트웍스 웨이퍼 맵핑을 위한 구조를 갖는 웨이퍼 트랜스퍼 및 이를이용하여 보우트에 적재된 웨이퍼를 맵핑하는 방법
JP4821756B2 (ja) 2007-10-19 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 被処理体の移載機構、被処理体の移載方法及び被処理体の処理システム
JP5558673B2 (ja) * 2008-03-25 2014-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP5131094B2 (ja) * 2008-08-29 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法並びに記憶媒体
US9254566B2 (en) * 2009-03-13 2016-02-09 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Robot having end effector and method of operating the same
JP5473857B2 (ja) * 2010-10-14 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 搬送装置および処理システム
JP5243569B2 (ja) * 2011-03-07 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP6077919B2 (ja) * 2013-04-12 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板把持装置及びこれを用いた基板処理装置、並びに基板把持方法
JP6204226B2 (ja) * 2014-02-24 2017-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法
JP6468848B2 (ja) * 2015-01-13 2019-02-13 株式会社ディスコ 搬送装置
JP6596375B2 (ja) 2016-03-31 2019-10-23 株式会社荏原製作所 ティーチング装置およびティーチング方法
CN106382814B (zh) * 2016-11-25 2018-11-06 芜湖新兴铸管有限责任公司 马弗炉热处理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267262A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH680275A5 (ja) * 1990-03-05 1992-07-31 Tet Techno Investment Trust
JP3081025B2 (ja) 1991-07-03 2000-08-28 東京エレクトロン株式会社 ウエハの移載装置
US5445486A (en) * 1992-03-29 1995-08-29 Tokyo Electron Sagami Limited Substrate transferring apparatus
KR940006241A (ko) * 1992-06-05 1994-03-23 이노우에 아키라 기판이재장치 및 이재방법
KR0152324B1 (ko) * 1994-12-06 1998-12-01 양승택 웨이퍼 측면파지 이송 반도체 제조장치
US6167322A (en) * 1998-07-10 2000-12-26 Holbrooks; Orville Ray Intelligent wafer handling system and method
JP3664897B2 (ja) * 1998-11-18 2005-06-29 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US20010048867A1 (en) * 2000-03-29 2001-12-06 Lebar Technology, Inc. Method and apparatus for processing semiconductor wafers
JP2001284276A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US6828772B1 (en) * 2000-06-14 2004-12-07 Micron Technology, Inc. Rotating gripper wafer flipper
JP4600856B2 (ja) 2000-10-24 2010-12-22 ムラテックオートメーション株式会社 基板保持装置
JP3724361B2 (ja) * 2000-10-31 2005-12-07 ダイキン工業株式会社 基板搬送装置
JP3939101B2 (ja) * 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
JP2002184853A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Yaskawa Electric Corp ウェハー把持装置
JP2002289666A (ja) 2001-03-27 2002-10-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2003007800A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US6817640B2 (en) * 2001-06-28 2004-11-16 Applied Materials, Inc. Four-bar linkage wafer clamping mechanism
US7140655B2 (en) * 2001-09-04 2006-11-28 Multimetrixs Llc Precision soft-touch gripping mechanism for flat objects
JP2003338531A (ja) 2002-05-20 2003-11-28 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウエハの搬送装置および熱処理装置
JP2004079569A (ja) 2002-08-09 2004-03-11 Sipec Corp 基板搬送装置及び基板搬送方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001267262A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2053648A1 (en) * 2006-05-09 2009-04-29 Tokyo Electron Limited Substrate conveyance device and vertical heat treatment equipment
EP2053648A4 (en) * 2006-05-09 2009-11-25 Tokyo Electron Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND VERTICAL THERMAL TREATMENT EQUIPMENT
US8167521B2 (en) 2006-05-09 2012-05-01 Tokyo Electron Limited Substrate transfer apparatus and vertical heat processing apparatus
CN117308583A (zh) * 2023-11-24 2023-12-29 陕西三义高科石墨新材料有限公司 一种环式焙烧炉
CN117308583B (zh) * 2023-11-24 2024-02-02 陕西三义高科石墨新材料有限公司 一种环式焙烧炉

Also Published As

Publication number Publication date
US7677858B2 (en) 2010-03-16
EP1752725A1 (en) 2007-02-14
EP1752725A4 (en) 2007-12-12
TW200603289A (en) 2006-01-16
US20070199860A1 (en) 2007-08-30
KR100980961B1 (ko) 2010-09-07
DE602005027689D1 (de) 2011-06-09
KR20060126857A (ko) 2006-12-11
TWI351723B (ja) 2011-11-01
EP1752725B1 (en) 2011-04-27
JP2005311306A (ja) 2005-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005093354A1 (ja) 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法
JP4313401B2 (ja) 縦型熱処理装置及び被処理基板移載方法
US7547209B2 (en) Vertical heat treatment system and automatic teaching method for transfer mechanism
US8181769B2 (en) Workpiece transfer mechanism, workpiece transfer method and workpiece processing system
JP2009099996A (ja) 縦型熱処理装置及び被処理体移載方法
JP4912253B2 (ja) 基板搬送装置、基板処理装置及び基板搬送方法
US6331095B1 (en) Transportation system and processing apparatus employing the transportation system
JP4451854B2 (ja) 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置における移載機構の制御方法
JP2007251088A (ja) 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置における移載機構の制御方法
JP7403234B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
KR101504395B1 (ko) 로딩 유닛 및 처리 시스템
JPH07254538A (ja) 加熱処理装置
JP7003905B2 (ja) 気相成長装置
JP2008235810A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置並びに被処理基板移載方法
US20230012325A1 (en) Robot magazine and tray load and unload system
JP4519348B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP2002289666A (ja) 熱処理装置
JPH05275516A (ja) 板状体の配列ピッチ変換装置
JP2024046368A (ja) 基板処理装置
JP2024047292A (ja) 基板処理装置
JP5872880B2 (ja) 基板処理装置、基板移載装置及び半導体装置の製造方法
JP2010283178A (ja) 半導体製造装置及び半導体製造方法
JPH10303275A (ja) ウェーハ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20058003051

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057022867

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10593973

Country of ref document: US

Ref document number: 2007199860

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005726958

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057022867

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005726958

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10593973

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: JP